WO2005090001A1

WO2005090001A1 - 液体供給装置、研磨装置及び半導体デバイス製造方法

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Publication number: WO2005090001A1
Application number: PCT/JP2005/005467
Authority: WO
Inventors: Naoki Asada
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2004-03-24
Filing date: 2005-03-17
Publication date: 2005-09-29
Also published as: JP2007222949A

Abstract

　ユースポイントＵＰ（研磨パッド４２の下面）に所要流量の研磨液を供給する研磨液供給装置７０が、研磨液圧送源７１より圧送された研磨液をユースポイントＵＰに導く研磨液通路７２と、この研磨液通路７２の中間部における研磨液の通過流量を計測する流量計７３と、流量計７３の下流側に設けられ、開度に応じた流量の研磨液を通過させる流量調整弁７４と、流量計７３において計測された研磨液の通過流量に応じて流量調整弁７４の開度調整を行い、上記ユースポイントＵＰから流出する研磨液の流量を所望の値に制御する研磨液流量制御装置７５とを備えて構成される。

Description

m 糸田 β 液体供給装置、研磨装置及び半導体デバイス製造方法技術分野

本発明は、例えば研磨装置において被研磨物の被研磨面と研磨パッドとの接触面に液体（研磨液）を供給する液体供給装置に関する。また本発明は、この液体供給装置を備えて構成される研磨装置及びこの研磨装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法に関する。背景技術

近年、 I C構造の微細化 ·複雑化に伴って半導体ウェハに形成する多層配線の層数は増加する傾向にあり、各薄膜形成後に行うウェハ表面の平坦化はより重要なものになってきている。各薄膜形成後に行う表面平坦化の精度が悪く凹凸が増えると表面段差が大きくなつてしまい、配線間の絶縁不良やショート等が発生するおそれがある。また、リソグラフイエ程においては、ウェハの表面に凹凸が多いとピンぼけが生じることがあり、微細なパターンが形成できなくなることもある。

従来、半導体ウェハ表面を精度良く平坦化する技術として C M P

( Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法が知られており、この方法を実施する装置として C M P装置と呼ばれる研磨装置が用いられている。この C M P装置は、一般には、シリカ粒子を含んだ研磨液（スラリ一と呼ばれる）をウェハ表面（被研磨面）と研磨パッドとの接触面に供給しながら、研磨へッドをウェハに対して相対移動させて研磨する構成となっている。このような C M P装置等の研磨装置において、研磨液は半導体ウェハと研磨パッドとの間の接触圧や相対移動速度、更には研磨パッドのへたり具合などの諸条件を考慮して定められた所定流量でユースボイント（ここではウェハの被研磨面と研磨パッドとの接触面）に供給される。これによりウェハの研磨レートは所要の値に維持されるので、精度よい研磨を行うことができるようになつている。例えば、特表 2 0 0 1— 5 1 5 4 1 2号を参照されたい。発明の開示

発明が解決しょうとする課題

しかしながら、上記従来の研磨装置において、研磨液の流量調整をダイャフラムポンプの回転数調整により行う構成である場合には、（ 1 ) ダイャフラムポンプはその構成上、研磨液の吸入路及び吐出路中にチヱック弁が必要であるが、これらチェック弁は研磨液が固化した場合（いわゆるスクラッチ現象が発生した場合）には液漏れが生じて所要の流量制御性能を発揮できなくなることがある。（ 2 ) 研磨液圧送源の圧力変動（いわゆる脈動）の影響が大きいため、研磨開始前のキャリブレーションにおいて多くのサンプル点での計測が必要であり、実際の研磨中において上記ユースボイントに供給し得る研磨液の流量は必ずしも正確には調整できない、という問題があった。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、ユースボイントに供給する液体（例えば研磨液）の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能な構成の液体供給装置を提供することを目的としている。また本発明は、このような液体供給装置を備えて構成される研磨装置及びこの研磨装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

このような目的を達成するため、本発明に係る発明の液体供給装置は、ユースボイントに所要流量の液体を供給する液体供給装置において、液体圧送源より圧送された液体を前記ユースボイン卜に導く液体通路と、前記液体通路に設けられてこの液体通路を流れる液体の通過流量を計測する流量計測手段と、前記液体通路に設けられて開度に応じた流量の液体を通過させる流量調整弁と、前記流量計測手段において計測された液体の通過流量に応じて前記流量調整弁の開度調整を行い、前記ユースポイントから流出する液体の流量を所望の値に制御する液体流量制御手段とを備えたことを特徴とする。

この液体供給装置において、前記流量調整弁が前記液体通路における前記流量計測手段より下流側に設けられているのが好ましい。

また、この液体供給装置において、前記液体通路における前記流量計測手段および前記流量調整弁の上流側に、上流側の圧力を制御して下流側に一定圧力の液体を供給する定圧弁を備えるのが好ましい。

本発明に係る研磨装置は、被研磨物を保持する定盤と、前記定盤に保持された前記被研磨物の被研磨面と対向する面に研磨パッドが取り付けられた研磨へッドと、前記被研磨物と前記研磨パッドとの接触面に研磨液を供給する研磨液供給手段を有して構成され、前記研磨パッドを前記被研磨物の前記被研磨面に接触させるとともに、前記研磨パッドの面をユースボイントとして前記研磨液供給手段より研磨液を供給しつつ、前記被研磨物と前記研磨へッドとを相対移動させて前記被研磨面の研磨を行う研磨装置であり、前記研磨液供給手段が上記本発明に係る液体供給装置から構成されることを特徴とする。

この研磨装置において、前記ユースボイントが前記研磨面と前記研磨パッドとの接触面であることが好ましい。

一方、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、前記被研磨物が半導体ウェハであり、上記本発明に係る研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とする。発明の効果

本発明に係る液体供給装置では、流量計測手段において計測した実際の液体流量に基づいて、その下流側に配置された流量調整弁の開度調整を行う構成になっているので、ユースポイントに供給される液体の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能である。また、本発明に係る研磨装置によれば、上述した液体供給装置が設けられているため、研磨レートを所要の値に保持した効率よい正確な研磨を行うことが可能である。また、本発明に係るデバイス製造方法では、上述した研磨装置を用いて研磨工程（ C M P工程）を行うため研磨工程の歩留まりが向上し、従来のデバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することが可能である。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の一実施形態に係る液体供給装置としての研磨液供給装置の構成を示す図である。

図 2は、上記研磨液供給装置を備えて構成された本発明の一実施形態に係る研磨装置としての C M P装置の構成を示す図である。

図 3は、上記 C M P装置の研磨ヘッドの構成を示す断面図である。図 4は、定圧弁の働きにより研磨液通路内の圧力変動が抑えられている様子を示すグラフである。

図 5は、本発明に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチヤ一トである。発明を実施するための最良の形態

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。図 2は本発明の一実施形態に係る液体供給装置が適用された C M P装置 1であり、この C M P装置 1が本発明の一実施形態に係る研磨装置に該当する。この C M P装置 1は、被研磨物たる半導体ウェハ（以下、単にウェハと称する） Wをその表面（被研磨面）が上方に露出する状態で保持する回転定盤 5と、この回転定盤 5の上方に設置され、回転定盤 5に保持されたゥェハ Wの表面（被研磨面）と対向する研磨パッド 4 2を下面に有した研磨へッド 2 0とを備えて構成されている。この C M P装置 1では、研磨パッド 4 2の直径はウェハ Wの直径よりも小さく、研磨パッド 4 2をウェハ Wに上方から接触させた状態で双方を相対移動させることによりウェハ Wの表面全体を研磨できるようになっている。

回転定盤 5及び研磨へッド 2 0を支持する支持フレーム 2は、水平な基台 3と、この基台 3上に Y方向（紙面に垂直な方向）に延びて設けられたレール（図示せず）上を移動自在に設けられた第 1ステージ 6と、この第 1ステ一ジ 6から垂直に延びて設けられた垂直フレーム 7 と、この垂直フレーム 7上を移動自在に設けられた第 2ステージ 8と、この第 2ステージ 8から水平に延びて設けられた水平フレーム 9と、この水平フレーム 9上を移動自在に設けられた第 3ステージ 1 0とを有して構成されている。第 1ステージ 6内には第 1電動モー夕 M 1が設けられており、これを研磨作動制御装置 6 0より回転駆動することにより第 1ステージ 6を上記レールに沿って（すなわち Y方向に）移動させることができる。第 2ステ —ジ 8内には第 2電動モー夕 M 2が設けられており、これを研磨作動制御装置 6 0より回転駆動することにより第 2ステージ 8を垂直フレーム 7に沿って（すなわち Z方向に）移動させることができる。また、第 3ステージ 1 0内には第 3電動モー夕 M 3が設けられており、これを研磨作動制御装置 6 0より回転駆動することにより第 3ステージ 1 0を水平フレーム 9 に沿って（すなわち X方向に）移動させることができる。このため、上記電動モータ M l , M 2 , M 3の回転動作を組み合わせることにより、第 3 ステージ 1 0を回転定盤 5上方の任意の位置に移動させることが可能である。

回転定盤 5は基台 3上に設けられたテ一ブル支持部 4から上方に延びて設けられた回転軸 5 aの上端部に水平に取り付けられている。この回転軸 5 aはテ一ブル支持部 4内に設けられた第 4電動モータ M 4を研磨作動制御装置 6 0より回転駆動することにより Z軸回りに回転させることができ、これにより回転定盤 5を X Y面内で回転させることができる。

研磨へッド 2 0は第 3ステージ 1 0から下方に延びて設けられたスピンドル 1 6の下端部に取り付けられている。このスピンドル 1 6は第 3ステージ 1 0内に設けられた第 5電動モー夕 M 5を研磨作動制御装置 6 0より回転駆動することにより Z軸回りに回転させることができ、これにより研磨へッド 2 0全体を回転させて研磨パッド 4 2を X Y面内で回転させることができる。また、スピンドル 1 6は第 3ステージ 1 0内に設けられた研磨へッド 2 0を昇降移動させる昇降機構としてのエアシリンダ 1 7の駆動により上下方向に移動可能となっている

研磨へヅド 2 0は図 3に示すように、ウェハ Wの上方においてウェハ W の表面（被研磨面）と対向するように下方に開口した中空形状の研磨体保持体 2 1 と、この研磨体保持体 2 1の下部に水平に取り付けられた円盤状のドライプリング 2 6 と、このドライブリング 2 6の下面にドライブリング 2 6 と一定間隔をおいて設けられた円盤状のダイヤフラム 2 7と、このダイヤフラム 2 7の下面側に設けられた厚板円盤状の第 1プレート 2 9 と、この第 1プレート 2 9の下面に吸着取り付けされた研磨体 4 0 とを有して構成されている。

研磨体保持体 2 1はスピンドル 1 6の下部に取り付けられた筒状部 2 2 と、筒状部 2 2に螺子 N 1により結合されて下方に拡がる形状を有した傘状部 2 3 と、傘状部 2 3の下部に螺子 N 2により結合されたストッパ部材保持リング 2 4と、このストヅパ部材保持リング 2 4の下部に螺子 N 3により結合され、内周面の下部に内方に突出して延びて設けられたストッパ 2 5 aを有したストッパ部材 2 5 とから構成されている。

ドライプリング 2 6は可撓性のある（例えば金属製の）薄板部材からなつており、ダイヤフラム 2 7はゴム等の弾性材料から構成されている。これらドライブリング 2 6 とダイヤフラム 2 7は、ストヅパ部材保持リング 2 4と、スト、ソパ部材保持リング 2 4の下方に設けられた薄板状の金属板からなるリング状プレート 2 8との間に挟持されるようにして取り付けられている。リング状プレート 2 8は螺子 N 4によりストツバ部材保持リング 2 4に結合されており、したがってドライプリング 2 6及びダイヤフラム 2 7はそれそれの外周縁が研磨体保持体 2 1に対して固定された状態となっている。

第 1プレート ' 2 9は上面がダイヤフラム 2 7の下面と接触した状態で、螺子 N 5 , N 6により結合用プレート 3 0 とともに共締めされる。第 1プレート 2 9の内部には下面に複数の吸着開口を有する空気吸入路 2 9 aが形成されており、この空気吸入路 2 9 aの一端側は結合用プレート 3 0 内を延びて外部（結合用プレート 3 0の上方）に開口している。この開口部にはスピンドル 1 6の内部を上下方向に貫通形成されたエア供給路 1 6 a内を上下方向に延びた空気吸入管 5 1の端部が接続されている。

研磨体 4 0は第 1プレート 2 9とほぼ同じ外径を有する厚板円盤状の第 2プレート 4 1と、この第 2プレート 4 1の下面に取り付けられた円盤状の研磨パッド 4 2 とから構成される。研磨パッド 4 2はウェハ Wの研磨により次第に摩耗劣化していく消耗品であり、その交換作業を容易にするため、第 2プレート 4 1の下面に接着剤や粘着テープ等により着脱自在に取り付け可能になっている。ここで、研磨体 4 0は、第 1プレート 2 9の下面側に第 2プレート 4 1を位置させた状態で真空源 5 0より上記空気吸入管 5 1及び空気吸入路 2 9 aを介して空気を吸入することにより、第 2プレート 4 1を第 1プレート 2 9の下面に吸着取り付けすることが可能である。なお、第 2プレ一ト 4 1はこれに取り付けられる芯出しピン 4 3と位置決めピン 4 4とにより、第 1プレート 2 9に対する芯出しと回転方向の位置決めとがなされるようになつている。

第 1プレート 2 9は、研磨パッド 4 2がウェハ Wの表面と接触していない状態では、研磨体保持体 2 1のストツバ 2 5 aに上方から当接した状態となる。但し、第 1プレート 2 9は上述のように螺子 N 5， N 6によりドライブリング 2 6に結合されているため、第 1プレート 2 9がストッパ 2 5 aに当接している状態では、ドライプリング 2 6は塑性変形しない範囲で（弾性領域の範囲内で）下方に橈んだ姿勢をとる。

スピンドル 1 6の内部に形成された上記エア供給路 1 6 aはエア圧送装置 1 5と繋がっており、このエア圧送装置 1 5からエア（高圧空気）を圧送供給することにより研磨体保持体 2 1の傘状部 2 3の内壁とダイヤフラム 2 7とにより形成される圧力室 3 1内に空気圧を供給して圧力室 3 1 内の圧力を高め、ドライプリング 2 6を介して研磨体 4 0全体を下方に付勢することができるようになつている。なお、この圧力室 3 1内の圧力の大きさを加減することにより、ウェハ W表面に研磨パッド 4 2を接触させたときの接触圧を所望に調整することが可能である。

また、スピンドル 1 6のエア供給路 1 6 a内には研磨液供給装置 7 0と繋がる研磨液供給管 5 3が延びており、その端部が結合用プレート 3 0内を上下方向に貫通する研磨液流路 3 0 aに上方から接続されている。また、芯出しピン 4 3内には研磨液流路 4 3 aが上下方向に延びて設けられており、この研磨液流路 4 3 aは第 2プレート 4 1内を延びてその下面に開口した研磨液流路 4 1 aに連通している。

次に、この C M P装置 1を用いてウェハ Wの研磨を行う手順について説明する。これには先ず、回転定盤 5の上面に研磨対象となるウェハ Wを吸着取り付けする。回転定盤 5にウェハ Wが取り付けられたら、研磨作動制御装置 6 0より電動モー夕 M 4を駆動して回転定盤 5を水平面内で回転させる。次に研磨作動制御装置 6 0より電動モータ M 1〜M 3を駆動して第 3移動ステージ 1 0をウェハ Wの上方に位置させ、電動モータ M 5によりスピンドル 1 6を駆動して研磨へヅド 2 0を回転させる。続いてエアシリンダ 1 7を研磨作動制御装置 6 0より駆動して研磨へッド 2 0を下降させ、研磨パッド 4 2がウェハ Wの表面に上方から接触するようにする。

研磨パッド 4 2がウェハ Wの表面に接触したら、前述のエア圧送装置 1 5からエアを圧送供給して圧力室 3 1内の圧力を高め、この圧力によりドライブリング 2 6、第 1プレート 2 9及び第 2プレート 4 1を介して研磨体 4 0をウェハ Wの表面に押し付けるようにする。そして、圧力室 3 1内に供給するエアの圧力を調整してウェハ Wと研磨パッド 4 2との接触圧が所望の値になったら、研磨作動制御装置 6 0より電動モー夕 M l， M 2を駆動して研磨へッド 2 0を X Y方向（ウェハ Wと研磨パヅド 4 2との接触面の面内方向）に摇動させる。また、ウェハ Wの研磨中には、前述の研磨液供給装置 7 0より研磨液（シリカ粒を含んだスラリー）を圧送して研磨パッド 4 2の下面側に研磨液が供給されるようにする。

このようにウェハ Wの表面は、研磨液の供給を受けつつウェハ W自身の回転運動と研磨へヅド 2 0の（すなわち研磨パッド 4 2の）回転及び摇動運動とにより満遍なく研磨される。ここで、第 1プレート 2 9は前述のように可撓性のあるドライプリング 2 6を介して取り付けられているため面外方向への微小変形が可能であり、本 C M P装置 1各部の組み付け誤差等により、回転定盤 5の回転軸 5 aと研磨へッド 2 0の回転軸（スピンドル 1 6 ) との平行度が充分でなかった場合であっても、第 1プレート 2 9及び第 2プレート 4 1はこれに応じてフレキシブルに傾動（追従）するので、ウェハ Wと研磨パッド 4 2との接触状態は良好に保たれる。

ここで、研磨液供給装置 7 0からは常に所定流量の研磨液が供給される必要がある。次に、この研磨液供給装置 7 0の構成について説明する。研磨液供給装置 7 0は、図 1に示すように、 C M P装置 1の外部に設けられた研磨液圧送源 7 1と、この研磨液圧送源 7 1より圧送された研磨液をユースポイント U Pであるウェハ Wの表面（被研磨面）と研磨パッド 4 2との接触面（すなわち研磨パッド 4 2の下面）に導く研磨液通路 7 2と、この研磨液通路 7 2の中間部における研磨液の通過流量を計測する流量計 7 3と、この流量計 7 3の下流側に設けられ、開度に応じた流量の研磨液を通過させる流量調整弁 7 4と、流量計 7 3において計測された研磨液の通過流量に応じて流量調整弁 7 4の開度調整を行い、上記ユースボイント U Pから流出する研磨液の流量を所望の値に制御する研磨液流量制御装置 7 5とを備える。また、流量計 7 3の上流側には空気駆動型開閉弁 7 6、定圧弁 7 7及びフィルタ 7 8がこの順で設けられている。

流量計 7 3は、自身を通過する研磨液の流量に応じて発生した出力電流を研磨液流量制御装置 7 5に出力し、研磨液流量制御装置 7 5はその電流に応じた開度になるように流量調整弁 7 4を操作する。ここで、研磨液流量制御装置 7 5には、流量計 7 3より出力された電流の値と流量調整弁 7 4の開度との関係を予め定めたデータが記憶されている。このため、ユースポィント U Pから流出する研磨液の流量は流量計 7 3において計測された研磨液の流量に応じた所望の値に制御されることとなる。ここで、例えば流量計 7 3が出力する電流が、この流量計 7 3を通過する研磨液の流量に比例したものであるならば（すなわち流量リニアリティが確保されているのであれば）、流量調整弁 7 4における流量調整制御が容易であるのみならず、設定しょうとする流量ごとにキャリブレーションを行う必要がなくなる。

定圧弁 7 7は、その上流（一次）側（すなわち研磨液圧送源 7 1側）の通路 7 2 b内の圧力をこれよりも小さい一定の圧力に制御して下流（二次）側（すなわち流量計 7 3側）の通路 7 2 c内に供給する働きをする。これにより研磨液圧送源 7 1側の圧力の変動、いわゆる脈動が抑えられるので (図 4参照）、上流側の圧力変動の影響により下流側における流量制御が困難になり、或いは流量制御の精度が低下する事態を効果的に防止することができる。なお、定圧弁 7 7の設定圧は、エア供給源 8 1からエア供給路 8 2内に供給されるエアをレギユレ一夕バルブ 8 3に調圧して操作エアを得、これを定圧弁 7 7に与えることにより自由に変化させることができる。このため、目標研磨レート等の諸条件に応じて下流側の通路 7 2 c内の圧力を所望の値に設定することができ、状況に合わせた効率のよい研磨を行うことが可能である。

空気駆動型開閉弁 7 6は三方弁であり、その上流側に位置する通路 7 2 aと下流側に位置する通路 7 2 bのほか、フラッシング用管路 9 2と繋がつている。このフラヅシング用管路 9 2はフラッシング用の洗浄液供給源 9 1と繋がっており、フラッシング用管路 9 2中には空気駆動型の開閉弁 9 3が介装されている。フラッシング、すなわち洗浄を行うときには、空気駆動型開閉弁 7 6により上流側に位置する通路 7 2 aと下流側に位置する通路 7 2 bとの連通を遮断するとともに、フラッシング用管路 9 2 と下流側に位置する通路 7 2 bとを連通させた状態に開閉弁 9 3を切り換え、研磨液流量制御装置 7 5から流量調整弁 7 4を全開にする操作を行う。これにより洗浄液供給源 9 1から圧送された洗浄液がフラッシング用管路 9 2から空気駆動型開閉弁 7 6経由で下流側に位置する通路 7 2 b内に供給され、ユースポィント U Pに至るまでの通路内に付着した研磨液のかす等を洗浄 ·除去することができる。

このように本研磨液供給装置 7 0では、流量計 7 3において計測した実際の研磨液流量に基づいて、その下流側に配置された流量調整弁 7 4の開度調整を行う構成になっているので、ユースポイント U Pに供給される研磨液の流量調整を正確かつ簡単に行うことが可能である。また、本研磨液供給装置 7 0を備えた C M P装置 1によれば、上述した研磨液供給装置 7 0を有しているため、研磨レートを所要の値に保持した効率よい正確な研磨を行うことが可能である。なお、上述の実施形態において示した研磨液圧送源 7 1は、例えば工場内に固定設置された設備として構成されるものは勿論、研磨液が蓄えられた研磨液収容容器とこれに繋がるポンプ、開閉バルブ等が一体に形成された移動可能な設備として構成されているものであってもよい。次に、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施形態について説明する。図 5は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチヤ一トである。半導体製造プロセスをス夕一トすると、先ずステップ S 2 0 0で次に挙げるステップ S 2 0 1〜S 2 04の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。ここで、ステップ S 2 0 1はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップ S 2 0 2は CVD等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成する C VD工程である。ステップ S 2 0 3はゥェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップ S 2 0 4はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。

C VD工程（S 2 0 2 )若しくは電極形成工程（S 2 0 3)の後で、ステツプ S 2 0 5に進む。ステップ S 2 0 5は C MP工程である。 CM P工程では本発明による研磨装置（上述の CMP装置 1 ) により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等によるダマシン (damascene) の开成等が行われる。

CMP工程（S 2 0 5 )若しくは酸化工程（S 2 0 1)の後でステツプ S 2 0 6に進む。ステップ S 2 0 6はフォトソリグラフィ工程である。このェ程ではウェハへのレジス卜の塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。更に、次のステップ S 2 0 7は現像したレジスト像以外の部分をエツチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エツチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。

次に、ステップ S 2 0 8で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップ S 2 0 0に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップ S 2 0 8で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。本発明による半導体デバイス製造方法では、 C M P工程において本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウェハ Wの表面を研磨加工する工程を有しているため、研磨工程（C M P工程）の歩留まりが向上する。これにより、従来のデバイス製造方法に比べて低コストでデバイス（ここでは半導体デバイス）を製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスの C M P工程に本発明による研磨装置を用いても良い。

これまで本発明の好ましい実施形態について説明してきたが、本発明の範囲は上述のものに限定されない。

例えば、上述の実施形態では、本発明に係る液体供給装置としてシリカ粒を含んだスラリ一をユースボイントに供給する研磨液供給装置を例に説明したが、これは一例であり、スラリーに限られず薬液その他の液体を供給する装置として構成することができるのは勿論である。また、上述の実施形態において示した研磨装置（ C M P装置 1 ) では、ウェハ Wの直径よりも研磨パッド 4 2の直径の方が小さい構成であつたが、これはウェハ W の直径が研磨パッド 4 2の直径よりも大きい構成であっても構わない。この場合は、研磨パッド 4 2の露出面（ウェハ Wが接触していない部分）をユースボイント U Pとしてもよい。

また、図 1において、流量調整弁 7 4を流量計 7 3の下流側に設置しているが、この配置を逆にして、流量計 7 3を流量調整弁 7 4の下流側に設置しても良い。なお、この配置では、流量計 7 3から流量に応じて出力する電流を安定させるために、流量計 7 3の下流側に流路抵抗を発生させる抵抗素子（例えば、オリフィス）を設置して流量計 7 3の下流側の研磨液通路に背圧を発生させるのが好ましい。

Claims

言青求の範囲

1 . ユースボイントに所要流量の液体を供給する液体供給装置において、液体圧送源より圧送された液体を前記ユースボイントに導く液体通路と、

前記液体通路に設けられ、前記液体通路を流れる液体の通過流量を計測する流量計測手段と、

前記液体通路に設けられ、開度に応じた流量の液体を通過させる流量調整弁と、

前記流量計測手段において計測された液体の通過流量に応じて前記流量調整弁の閧度調整を行い、前記ユースボイントから流出する液体の流量を所望の値に制御する液体流量制御手段とを備えたことを特徴とする液体供給装置。

2 . 前記流量調整弁が前記液体通路における前記流量計測手段より下流側に設けられていることを特徴とする請求項 1に記載の液体供給装置。

3 . 前記液体通路における前記流量計測手段および前記流量調整弁の上流側に、上流側の圧力を制御して下流側に一定圧力の液体を供給する定圧弁を備えたことを特徴とする請求項 1又は 2記載の液体供給装置。

4 . 被研磨物を保持する定盤と、前記定盤に保持された前記被研磨物の被研磨面と対向する面に研磨パッドが取り付けられた研磨へッドと、前記被研磨物と前記研磨パッドとの接触面に研磨液を供給する研磨液供給手段を有して構成され、前記研磨パッドを前記被研磨物の前記被研磨面に接触させるとともに、前記研磨パッドの面をユースポイントとして前記研磨液供給手段より研磨液を供給しつつ、前記被研磨物と前記研磨へヅドとを相対移動させて前記被研磨面の研磨を行う研磨装置において、前記研磨液供給手段が請求項 1〜 3のいずれかに記載の液体供給装置からなることを特徴とする研磨装置。 . 前記ユースボイントが前記研磨面と前記研磨パッドとの接触面であることを特徴とする請求項 4記載の研磨装置。 . 前記被研磨物が半導体ウェハであり、請求項 4又は 5記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を研磨加工する工程を有したことを特徴とする半導体デバイス製造方法。