WO2005045907A1 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

　規格外れの不良ウェハをリアルタイムに検出することができる半導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。 　異常検知サーバ５は半導体ウェハを処理する半導体製造装置から出力された装置ログデータを装置ログデータ記憶部１０に記憶する。その後、ロットエンド信号受信部１２において、半導体製造装置から出力されるロットエンド信号を受信すると、異常データ検知部１５は、第１検知条件記憶部１３に記憶されている異常検知条件設定ファイル１３ａを参照した後、参照した内容に基づいて装置ログデータ記憶部１０に記憶されている装置ログデータの中に異常データがあるか否かを判定する。そして、異常を検知するとエンジニアＰＣや作業者端末装置に検知結果を出力する。

Description

明 細 書

半導体集積回路装置の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体ウェハの不良を 検知する半導体集積回路装置の製造技術に適用して有効な技術に関するものであ る。

背景技術

[0002] 特開 2000— 269108号公報 (特許文献 1)には、半導体製造装置にセンサを取り付 け、取り付けたセンサの波形データにより工程ラインの異常を検知する技術が記載さ れている。

[0003] また、特表 2002— 515650号公報 (特許文献 2)には、半導体ウェハの欠陥情報を 使用して歩留まりの向上を図る技術が記載されている。

特許文献 1：特開 2000-269108号公報

特許文献 2：特表 2002-515650号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] ところで、半導体製品は、成膜工程とフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を 使用したパター-ング工程とを半導体ウエノ、（以下ウェハという）に対して繰り返して 行なうことによって形成され、半導体製品が完成するまでに、製品によって差はあるも のの、トータルで 1000— 2000の工程が必要とされる。

[0005] 上述した成膜工程やパター-ング工程などの各工程で処理されるウェハは、通常 の半導体製品の量産工場では 25枚を一塊とした 1ロットとして管理される。そして、各 工程においては、完成品となる半導体製品が設計通りに動作するように定められた 規格を、ウェハが満足して 、るかどうか検査することが行なわれて！/、る。

[0006] しかし、先程述べたように半導体製品が完成するまでには、非常に多くの工程を経 る必要がある。このため、例えば 1ロット中のウェハをすベて検査（全数検査）すると、 必要な検査装置は膨大な数となり、投資が膨らむとともに顧客力 注文を受けて製品 を供給するまでの時間である TAT (Turn Around Time)が非常に長くなる。したが つて、検査は、全数検査ではなく抜き取り検査が行なわれている。

[0007] 各工程の抜き取り検査で使用される規格は、各ウェハのバラツキを考慮して決めら れており、抜き取り検査を行なって規格を満足していれば、本来その工程に起因する 製品不良は生じない。

[0008] ところが、半導体製造装置のトラブルやプロセス異常が起こった場合、ロット内のゥ ェハに規格外れが生じる。特に、規格外れの頻度が低い場合、抜き取り検査で検出 できる確率は非常に低くなり検出に時間が力かってしまう。このため、規格外れを生じ た不良なウェハを大量に作り込んでしまう問題点がある。

[0009] 本発明の目的は、規格外れの不良ウェハをリアルタイムに検出することができる半 導体集積回路装置の製造方法を提供することにある。

[0010] また本発明の他の目的は、エンジニアの手間が力からずに効率良く規格外れの不 良ウェハを検出することができる半導体集積回路装置の製造方法を提供することに ある。

[0011] 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添 付図面から明らかになるであろう。

課題を解決するための手段

[0012] 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、 次のとおりである。

[0013] 本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、 (a)半導体ウェハを処理する半 導体製造装置力 出力されるデータであって、前記半導体製造装置の状態を示す 装置ログデータを装置ログデータ記憶部に記憶する工程と、 (b)前記装置ログデータ 記憶部に記憶されている前記装置ログデータに異常データがないかを異常データ検 知部で検知する工程と、（c)前記異常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ 出力する工程とを備えるものである。

[0014] また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、 (a)半導体ウェハ上に膜 を成膜する半導体製造装置であって、チャンバ内に高周波電界を印加する高周波 電源と前記高周波電源に接続されているマッチヤーとを有する半導体製造装置から 、前記マッチヤーの反射波平均値を出力して装置ログデータ記憶部に記憶する工程 と、 (b)前記装置ログデータ記憶部に記憶されて!、る前記反射波平均値の中に所定 値より大きなものがないかを異常データ検知部で検知する工程と、（c)前記異常デー タ検知部で検知した結果を結果出力部へ出力する工程とを備えるものである。

[0015] また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、（a)エッチングを行なう半 導体製造装置であって、エッチングチャンバ内の圧力を調整するためのバルブを有 する半導体製造装置から、前記バルブの開口度を出力して装置ログデータ記憶部に 記憶する工程と、（b)前記装置ログデータ記憶部に記憶されている前記開口度の中 に所定値より大きなものがないかを異常データ検知部で検知する工程と、（c)前記異 常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ出力する工程とを備えるものである

[0016] また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、（a)露光装置から半導体 ウェハの位置合わせのために使用される位置合わせ計測データを出力して装置ログ データ記憶部に記憶する工程と、 (b)前記装置ログデータ記憶部に記憶されて!、る 前記位置合わせ計測データの中に所定値より大きなものがな 、か異常データ検知 部で検知する工程と、（c)前記異常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ出 力する工程とを備えるものである。

[0017] また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、複雑な経緯をたどって変 化した後に (例えば、パラメータが不良領域に至る前に複数の極大または極小を経 過する）、不良領域に入るパラメータを有する機能部分 (例えば、マッチヤーなど)を 含む半導体製造装置によって被処理ウェハの処理を行なう半導体集積回路装置の 製造方法において、前記パラメータを連続的、定期的、断続的または無作為に監視 (観測)することにより、インターロック機構が始動してその結果、前記被処理ウェハに 悪影響を与える前に、前記機能部分の動作不良発生が近いことを知らせて、前記被 処理ウェハの処理中に前記機能部分の前記パラメータに関する動作不良を発生さ せな 、ようにしたものである。

[0018] また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、ランプ加熱によるウェハの 処理を行なう半導体製造装置 (例えば熱処理、熱酸化、ァニール、 CVD装置など） を使用した半導体集積回路装置の製造方法において、ランプの不所望な加熱により 加熱した前記ランプ周辺からの不所望な成分 (金メッキなど）の散逸 (蒸発、飛散、昇 華など)の発生を防止するために、前記ランプの出力を連続的、定期的、断続的また は無作為に監視しながら、前記ウェハの処理を行なうものである。

発明の効果

[0019] 本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に 説明すれば以下のとおりである。

[0020] 規格外れの不良ウェハをリアルタイムに検出することができる。また、エンジニアの 手間が力からずに効率良く規格外れの不良ウェハを検出することができる。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]本発明の実施の形態 1における異常検知システムの構成を示した図である。

[図 2]異常検知サーバの内部構成を示した図である。

[図 3]突発異常を検知するためのロジックについて説明した図である。

[図 4]ドリフト異常を検知するためのロジックについて説明した図である。

[図 5]ばらつき異常を検知するロジックについて説明した図である

[図 6]周期性のある装置ログデータを使用して異常を検知するロジックについて説明 した図である。

[図 7]異常検知条件設定ファイル、致命的アラームデータ設定ファイル、不要データ 設定ファイルおよび増発監視データ設定ファイルとこの下層にあるファイルとの関係 を示した図である。

[図 8]異常検知条件設定ファイルの内容を示した図である。

[図 9]装置グループ指定ファイルの内容を示した図である。

[図 10]装置ログデータ検知 ONZOFF設定ファイルの内容を示した図である。

[図 11]上下限値の設定例を示した図である。

[図 12]異常検知条件設定ファイルのうち設定した検索キーの項目、装置ログデータ の種類および σ係数だけを記載した図である。

[図 13]装置ログデータのヘッダの内容を示した図である。

[図 14]計算式定義ファイルの内容を示した図である。 [図 15]エラーメッセージ定義ファイルの内容を示した図である。

[図 16]添付ファイルの内容を示した図である。

[図 17]致命的アラームデータ設定ファイルの内容を示した図である。

[図 18]不要データ設定ファイルの内容を示した図である。

圆 19]増発監視データ設定ファイルの内容を示した図である。

[図 20]検知結果の出力内容を示した図である。

[図 21]検知結果の出力内容を示した図である。

[図 22]検知結果の出力内容を示した図である。

[図 23]添付ファイルの内容を示した図である。

[図 24]検知結果の出力内容を示した図である。

[図 25]検知結果の出力内容を示した図である。

[図 26]装置ログデータを使用して異常を検知する動作について説明したフローチヤ ートである。

[図 27]装置ログデータを使用して異常を検知する動作について説明したフローチヤ ートである。

圆 28]装置アラームデータを使用して異常を検知する動作について説明したフロー チャートである。

圆 29]実施の形態 2において、露光装置によって実際に計測されたウェハの下地パ ターンと露光装置が装置内に有している理想格子とのずれを模式的に示したもので ある。

[図 30]AGA計測データに突発異常が発生した様子を示した図である。

[図 31]実施の形態 3において、エッチング装置の構成を示した図である。

[図 32]ウェハ Noと APCバルブの開口度との関係を示した図である。

[図 33]実施の形態 4にお ヽて、プラズマ CVD装置の構成を示した図である。

[図 34]ウェハ枚数と RF反射波平均値との関係を示した図である。

[図 35]実施の形態 5において、 CVD装置の構成を示した図である。

[図 36]時刻とランプパワーとの関係を示した図である。

発明を実施するための最良の形態 [0022] 本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通り である。

[0023] 1 半導体ウェハとは、集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板 (一般にほぼ 平面円形状)、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基 板等並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装置と いうときは、シリコンウェハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作ら れるものだけでなぐ特に、そうでない旨明示された場合を除き、 TFT(

Thin-Film-Transistor)および STN (Super- Twisted- Nematic)液晶等のようなガラス 等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。

[0024] 2 装置ログデータとは、半導体製造装置から出力されるデータであって、半導体 製造装置の状態を示すデータあるいは半導体製造装置の状態を示すデータに演算 を施して生成されたデータを ヽぅ。

[0025] 3 過去データとは、設備データ管理サーバに蓄積されたデータであって、過去に 異常の有無を判断されたことのある装置ログデータをいう。

[0026] 4 装置アラームデータとは、半導体製造装置力も出力されるデータであって、半導 体製造装置の異常を示すデータを ヽぅ。

[0027] 5 致命的アラームデータとは、装置アラームデータのうち、半導体ウェハを処理す る上での致命的な異常を示すデータを！、う。

[0028] 6 増発監視データとは、装置アラームデータのうち、半導体製造装置から一定時 間に何回以上出力されるのかを監視するデータをいう。

[0029] 以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまた は実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに 無関係なものではなぐ一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等 の関係にある。

[0030] また、以下の実施の形態において、要素の数等 (個数、数値、量、範囲等を含む） に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される 場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなぐ特定の数以上でも以下でも よい。 [0031] さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特 に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必 ずしも必須のものではな 、ことは言うまでもな 、。

[0032] 同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及す るときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合 等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。この ことは、上記数値および範囲についても同様である。

[0033] また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同 一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

[0034] 以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

[0035] (実施の形態 1)

本実施の形態 1は、半導体製造装置を異常検知システムに接続した場合における 半導体集積回路装置の製造方法を説明したものである。

[0036] 図 1は、本実施の形態 1における半導体集積回路装置の製造方法で使用される異 常検知システムを示した機能ブロック図である。

[0037] 図 1において、本実施の形態 1における異常検知システムは、半導体製造装置 1A 一 1C、作業者端末装置 2A— 2C、データハンドリングサーバ 3A、 3B、設備データ 管理サーバ 4、異常検知サーバ 5、エンジニア PC (Personal Computer) 6を有してい る。

[0038] 半導体製造装置 1A— 1Cは、それぞれ作業者端末装置 2A— 2Cに電気接続され ている。また、作業者端末装置 2A— 2C、データハンドリングサーバ 3A、 3B、設備デ ータ管理サーバ 4、異常検知サーバ 5は互いに LAN (Local Area Network)で接続 されている。また、エンジニア PC6は、上述した LANに接続されていても良いし、イン ターネットなどを介して接続してもよ 、。

[0039] なお、図 1中では、有線 LANで接続されている状態を示しているがこれに限らず、 無線 LANで接続してもよいし、互いにインターネットで接続してもよい。また、図 1に は半導体製造装置 1A— 1Cの 3台を接続する例を示したが、これに限らず台数を多 くしてもよいし少なくしてもよい。 [0040] 半導体製造装置 1A— 1Cは、ウェハ上に半導体装置を形成するため、ウェハを処 理するための装置であり、例えば、ウェハ上に膜を成膜する CVD (Chemical Vapor

Deposition)装置、スパッタリング装置、ウェハ内に不純物であるイオンを注入するィ オン注入装置、ウェハ上にレジスト膜を塗布しその後現像する塗布現像装置、レジス ト膜を塗布したウェハ上に回路パターンを形成する露光装置、ウェハ上に形成された 膜のエッチングを行なうエッチング装置など力 構成される。

[0041] この半導体製造装置 1 A— 1Cは、ウェハ 25枚を一塊とした 1ロットからウェハを一枚 づっ取り出し処理する装置であり、装置の状態を示す装置ログデータ (パラメータ）を 定期的に作業者端末装置 2A— 2Cへ出力する。また、半導体製造装置 1A— 1Cは 、装置の異常を示す装置アラームデータを半導体製造装置 1A— 1Cに異常が発生 すると作業者端末装置 2A— 2Cへ出力する。さらに、半導体製造装置 1A— 1Cは 1 ロットのウェハの処理が終了するとロットエンド信号 (終了信号)を出力する。なお、装 置ログデータは、半導体製造装置 1A— 1Cから定期的だけでなく連続的、断続的ま たは無作為に出力されるようにしてもよ!、。

[0042] 装置ログデータは、例えば複数のヘッダ部分とボディ部分より構成されている。へッ ダ部分には、完成品となった場合の製品名、着工中の工程名、着工条件、着工され ている半導体製造装置名などのデータが書き込まれている。一方、ボディ部分には、 計測値データが書き込まれて ヽる。

[0043] 具体的な装置ログデータとしては、半導体製造装置の種類によって異なるが、例え ば半導体製造装置が露光装置の場合、ウェハのズレを自動で計測し補正を行なうグ ローバルァライメント処理の計測結果である位置合わせ計測データ、フォーカス補正 値データなどがある。また、半導体製造装置が、 CVD装置の場合は、ガス流量デー タ、ステージの温度データなどがあり、半導体製造装置が真空装置の場合、真空圧 データ、 APC (Auto Pressure Control)バルブの開口度を示す開口度データなどが ある。

[0044] 次に、作業者端末装置 2A— 2Cは、半導体製造装置 1A— 1Cと作業者との間のィ ンターフェースとなるものであり、作業者が半導体製造装置 1A— 1Cを制御できるよう に設けられている。例えば、作業者端末装置 2A— 2Cは、半導体製造装置 1A— 1C 力 出力された装置ログデータや装置アラームデータをデータハンドリングサーバ 3 A、 3Bに出力するためのインターフェースを行なっている。また、作業者端末装置 2 A— 2Cは、半導体製造装置 1A— 1Cへの着工条件のダウンロードや着工の開始の 指示などを行なうことができる。

[0045] データハンドリングサーバ 3A、 3Bは、作業者端末装置 2A— 2Cを介して半導体製 造装置 1A— 1Cより出力された装置ログデータおよび装置アラームデータを制御し、 効率よく設備データ管理サーバ 4にデータ出力できるように構成されている。また、デ ータハンドリングサーバ 3A、 3Bは、設備データ管理サーノ のデータ収集の信頼性 を向上させるために、設備データ管理サーバ 4がダウンした際、出力できなかった装 置ログデータや装置アラームデータを一時的に保存することができるようになつてい る。そして、データハンドリングサーノ 3A、 3Bは設備データ管理サーノ が復帰した 後、出力できなかったデータを一括して出力できるように構成されている。

[0046] 設備データ管理サーバ 4は、装置ログデータや装置アラームデータを記憶すること を目的としたデータベースであり、例えば、過去に異常検知サーバ 5で異常の有無を 検知されたことのある装置ログデータ (過去データ）を記憶する過去データ記憶部 4a を有している。また、設備データ管理サーバ 4は、データハンドリングサーバ 3A、 3B より入力した装置ログデータや装置アラームデータを異常検知サーバ 5へ出力するよ うに構成されている。なお、設備データ管理サーバ 4には、これから異常の有無を検 知する対象となって 、る装置ログデータも記憶されて 、る。

[0047] 異常検知サーバ 5は、設備データ管理サーバ 4より入力した装置ログデータや装置 アラームデータを、一時的に記憶できるように構成されているとともに、半導体製造装 置 1A— 1Cより出力されたロットエンド信号を受信できるようになつている。そして、異 常検知サーバ 5はロットエンド信号を受信すると、一時的に記憶した装置ログデータ の中に異常データがな 、か検知を行 、、この検知結果をそれぞれの作業者端末装 置 (結果出力部） 2A— 2Cやエンジニア PC (結果出力部） 6へ出力するように構成さ れている。

[0048] エンジニア PC6は、エンジニアによって使用されるコンピュータであり、異常検知サ ーバ 5による検知結果を入力して表示できるように構成されて 、る。 [0049] 次に、異常検知サーバ 5の内部構成について説明する。図 2に示すように、異常検 知サーバ 5は、装置ログデータ記憶部 10、装置アラームデータ記憶部 11、ロットェン ド信号受信部 12、第 1検知条件記憶部 13、第 2検知条件記憶部 14および異常デー タ検知部 15を有している。

[0050] 装置ログデータ記憶部 10は、設備データ管理サーノ より入力した装置ログデータ を記憶するようになっており、例えばキャッシュメモリなど力も構成されている。この装 置ログデータ記憶部 10には、例えば半導体製造装置 1A— 1Cにおいてウェハの処 理が終了する毎に出力される装置ログデータが記憶される。

[0051] 装置アラームデータ記憶部 11は、設備データ管理サーバ 4より入力した装置アラー ムデータを記憶するようになっており、例えばキャッシュメモリなど力 構成されている

[0052] ロットエンド信号受信部 (終了信号受信部） 12は、半導体製造装置 1A— 1C力も送 信されたロットエンド信号を受信するように構成されて ヽる。このロットエンド信号受信 部 12でロットエンド信号が受信されると、異常検知サーバ 5は装置ログデータ記憶部 10に記憶されている装置ログデータの中に異常データがあるかを検知する。

[0053] 第 1検知条件記憶部 13は、装置ログデータの異常検知を行なうための条件を記憶 するためのものであり、例えばノヽードディスクなど力 構成される。この第 1検知条件 記憶部 13には、例えば異常検知条件設定ファイル 13aが記憶されている。

[0054] 第 2検知条件記憶部 14は、装置アラームデータに基づく異常検知を行なうための ファイルを記憶するものであり、例えばノ、ードディスクなどより構成される。第 2検知条 件記憶部 14に記憶されるファイルとしては、致命的アラームデータ設定ファイル 14a 、不要データ設定ファイル 14bおよび増発監視データ設定ファイル 14cがある。

[0055] 異常データ検知部 15は、装置ログデータ記憶部 10に記憶されている装置ログデ ータの中に異常データがあるかを検知するように構成されている。つまり、ロットエンド 信号受信部 12によってロットエンド信号が受信されると、異常データ検知部 15は、第 1検知条件記憶部 13に記憶されて 、る異常検知条件設定ファイル 13aの内容を参 照して異常検知のための条件を取得し、取得した条件に基づいて、装置ログデータ 記憶部 10に記憶されて 、る装置ログデータの異常検知を行なうように構成されて!、 る。

[0056] また、異常データ検知部 15は、装置アラームデータ記憶部 11に装置アラームデー タが記憶されると、この装置アラームデータ記憶部 11に記憶された装置アラームデ ータを入力し、入力した装置アラームデータが第 2検知条件記憶部 14に記憶されて V、る致命的アラームデータ設定ファイル 14a、不要データ設定ファイル 14bまたは増 発監視データ設定ファイル 14cの内容に該当するかを判定し、異常検知を行なうよう に構成されている。

[0057] 次に、異常データ検知部 15で装置ログデータの異常を検知するロジック（ァーキテ クチャ）についていくつかの例をあげて説明する。図 3は、突発的に発生する突発異 常を検知するためのロジックについて説明した図である。横軸はウェハ Noを示したも のであり、縦軸は装置ログデータの値を示したものである。図 3を見て分力るように、ゥ ェハ No「11」に対応する装置ログデータの値が約「2. 2」であり、その他のウェハ No に対応する装置ログデータに比べて著しく高くなつている。このことは、ウェハ No「11 」のウェハを処理する半導体製造装置で突発的な異常が起こり、ウェハ No「11」のゥ ェハが不良となっている可能性があることを意味している。したがって、このように突 出した装置ログデータが発生した場合、異常として検知する必要がある。他の装置口 グデータ力 突出した装置ログデータを異常として検知するには、図 3に示すように 装置ログデータの値に上限値と下限値を設定し、設定した下限値と上限値の間に装 置ログデータの値がある場合は正常と判定する一方、装置ログデータの値が下限値 と上限値の間の範囲力も逸脱している場合には異常と判定することにより検知するこ とがでさる。

[0058] 下限値と上限値を設定する方式としては、過去に異常の有無を検知した過去デー タより平均値および標準偏差を算出し、算出した平均値および標準偏差を使用する σ判定方式がある。すなわち、図 1に示したように、設備データ管理サーバ 4内の過 去データ記憶部 4aには、過去に異常の有無を検知した装置ログデータが記憶され ている。このため、異常データ検知部 15が過去データ記憶部 4aにアクセスして対象 となる過去データを抽出し、抽出した過去データ力 平均値と標準偏差を算出する。 そして、算出した平均値と標準偏差に基づいて、現在の装置ログデータの判定を行 なうようにすることができる。

[0059] ここで、平均値および標準偏差を算出する過去データとしては正常と判定されたも のだけで算出することが望ましい。しかし、過去データ記憶部 4aに記憶されている過 去データには正常と判定されたものだけでなく異常と判定されたものがある。したがつ て、単に過去データを抽出する場合には、正常と判断された過去データだけでなく 異常と判定された過去データも抽出されるおそれがある。そこで、過去データに対し て上下限値を設定し、この設定した上下限値カゝら逸脱した過去データは、平均値お よび標準偏差の算出に使用しないようにすることができる。また、スクリーニング方式 を使用することにより、異常と判定された過去データを除去することもできる。さらには 、過去 1ロット分の過去データだけでなく過去数ロット分の過去データを抽出し、それ ぞれのロット毎の標準偏差を算出した後、それぞれ算出した標準偏差に重み付けを して理想的な標準偏差を算出する EWMA (Exponential Weighted Moving Average)方式を使用することもできる。

[0060] また、上記では装置ログデータの異常を検知するための下限値と上限値を過去デ ータより算出した平均値と標準偏差を使用する σ判定方式を述べたが、これに限ら ず、例えばエンジニアが上限値と下限値を設定する上下限判定方式を使用しても良 V、し、上下限値ではなく平均値からの幅を設定する幅判定方式を使用してもよ!/、。

[0061] 過去データを使用する σ判定方式では、正常時の装置ログデータの値に変動がほ とんどないデータの場合、算出される標準偏差が小さいために正常の範囲内である 微小な変動でも異常と検知されてしまう。この場合、 σ判定方式ではなぐ正常となる 一定の幅を指定する幅判定方式を用いることにより、虚報の発生を抑制することがで きる。

[0062] 次に、図 4は、ドリフト異常を検知するロジックについて説明した図である。横軸は口 ット Noを示しており、縦軸は装置ログデータの一つである真空到達圧を示したもので ある。図 4を見て分力るように、ロット Noが増加するにつれて、真空到達圧がドリフトし て悪くなつていることがわかる。この場合、ウェハの処理が進みロット Noがさらに増加 すると真空到達圧が製品不良を生じる不良境界線を越えてしまい、ウェハの不良品 を大量に作りこんでしまう。そこで、ドリフト異常を検知する方式としてロット Noの増加 分に対する真空到達の増加分 (図 4中の直線の傾き）が所定値を超えた場合に異常 と判定することにより、未然にウェハの不良品を大量に作りこむことを防止できる。

[0063] なお、図 4では、装置ログデータがウェハ単位で半導体製造装置 1A— 1Cより出力 されるのではなぐロット単位で出力される場合について説明した。すなわち、本実施 の形態 1では装置ログデータがウェハ単位で半導体製造装置 1A— 1Cより出力され 、ロットエンド信号に基づいて異常検知を開始する場合について説明しているが、本 発明はこれに限らず、図 4に示すように装置ログデータがロット単位で出力され、 1バ ツチの処理が終了すると出力されるノ ツチエンド信号に基づいて異常を検知する場 合にっ 、ても適用することができる。

[0064] 次に、図 5は、ばらつき異常を検知するロジックについて説明した図である。横軸は ウェハ Noを示しており縦軸は装置ログデータを示して 、る。図 5を見て分力るように、 1ロット目（ウェハ Nol— No25)のウェハ間における装置ログデータのばらつきに比 ベて 2ロット目（ウェハ No26以降）のウェハ間における装置ログデータのばらつきが大 きくなつている。装置ログデータのばらつきが増加すると不良品のウェハを作りこむお それが大きくなる。そこで、このようなばらつき異常を検知する方式として、ロット毎に 装置ログデータの標準偏差を算出しておき、現在異常検知の対象となっているロット における標準偏差が例えば 1ロット前の過去のロットにおける標準偏差に比べて異常 に高くなつている場合に異常と判定することにより、ばらつき異常を検知することがで きる。

[0065] 次に、図 6は、周期性のある装置ログデータを使用して異常を検知するロジックにつ いて説明した図である。横軸はウェハ Noであり縦軸は装置ログデータを示している。 縦軸の装置ログデータとしては、例えば露光装置における焦点位置 (ベストフォー力 ス）に対応するデータがある。露光装置において、 1ロットのウェハを処理する場合、 はじめのうちはレチクルをウェハ上に投影するレンズは冷めているが使用するにつれ て温度が上昇してある一定温度をとるようになる。温度が上昇するとレンズが膨張し 屈折率が変化して焦点位置が変化する。したがって、図 6に示すように、 1ロット内の はじめの数枚のウェハにおいては温度変化に伴い装置ログデータが変動し、その後 のウェハについては温度が一定となるため装置ログデータが一定値をとるようになる 。このような傾向はロットを入れ替える毎に周期的に現われる。温度が安定化した状 態の焦点位置を使用した場合、ロットの最初の方で処理するウェハについては、焦点 が多少ずれた状態で露光が行なわれ不良となるおそれがある。そこで、装置ログデ ータを周期性のあるデータにするとともにしきい値を設けることにより、周期的に現わ れる異常を検知することができる。

[0066] 以上のように、異常データ検知部 15で装置ログデータの異常を検知するロジックに ついていくつかの例をあげて説明した力、異常データ検知部 15において実施する異 常検知ロジックは、図 2に示した異常検知条件設定ファイル 13aにおいて設定するこ とが可能となっている。また、突発異常を検知するためのロジックにおいては、上記し たように σ判定方式、上下限判定方式あるいは幅判定方式のいずれかによつて突発 異常を検知するのかを設定することが可能になっている。

[0067] 次に、異常検知条件設定ファイル 13a、致命的アラームデータ設定ファイル 14a、 不要データ設定ファイル 14bおよび増発監視データ設定ファイル 14cの内容につい て説明する。

[0068] 図 7は、異常検知条件設定ファイル 13a、致命的アラームデータ設定ファイル 14a、 不要データ設定ファイル 14bおよび増発監視データ設定ファイル 14cとこの下層にあ るファイルとの関係を示したものである。

[0069] 図 7において、装置ログデータを使用した異常検知で使用するファイルは、異常検 知条件設定ファイル 13a、計算式定義ファイル 15a、異常値削除定義ファイル 16、装 置ログデータ検知 ONZOFF設定ファイル 17、エラーメッセージ定義ファイル 18、メ ールアドレス設定ファイル 19、添付ファイル 20および装置グループ指定ファイル 21 である。

[0070] 異常検知条件設定ファイル 13aは、装置ログデータの異常を検知するための条件 を設定する大元のファイルであり、図 8に示す構造をしている。図 8において紙面の都 合上 2段にわたって記載されているが実際は連続した一列のデータ構造をしている。

[0071] 異常検知条件設定ファイル 13aは、大まかにいうと検索キー、装置ログデータ設定 部、共通、 σ異常判定、上下限値判定、幅異常判定などの項目を有している。例え ば、この異常検知条件設定ファイル 13aの条件 No 1に指定されている設定内容を見 ると、検索キー内の装置名下にある設定キーとして「A」が指定され、また装置名、製 品名、工程名に ¾^」が指定されている。作業者端末表示 ONZOFFには「ON」が 指定され、メール配信先は「全員」となっている。また、装置ログデータ装置側名称に は、「G1」が指定されている。さらに下段の表示について説明すると、判定方式が「口 ット内」、エラーメッセージには「1」、添付ファイルには「101」が指定されている。また 、 σ異常判定において、判定 ONZOFFには「ΟΝ」、 σ係数は「3」が設定されてい る。

[0072] このような異常検知条件設定ファイル 13aの条件 Nolの内容は、以下のようになる 。すなわち、装置ログデータ装置側名称に「G1」と記載されていることから異常を検 知する対象となっている装置ログデータが「G1」であり、判定方式が「ロット内」となつ ていることから、ロットエンド信号を受信した後、ウェハ 1ロット分の装置ログデータ（25 個）について異常の有無を判定するように設定されている。このときの判定方式は、 σ異常判定の判定 ONZOFFが「ΟΝ」になっていることから σ異常判定であり、その ときの許容値の幅は σ係数が「3」となっているため、「3 σ」に設定されている。なお、 判定方式が「ロット内」ではなく「連続」とすることも可能であり、この場合は、異常検知 サーバ 5に装置ログデータが入力されるごとにその装置ログデータの異常の有無が 判定される。すなわち、異常検知サーバ 5は、装置ログデータが装置ログデータ記憶 部 10に記憶される毎に、その装置ログデータに異常があるかを判断することも可能と なっている。

[0073] 異常を検知したときの検知結果の出力先は、作業者端末表示 ONZOFFが「ΟΝ」 となっており、メール配信先力 S「全員」となっていることから、作業者端末装置 2Α— 2 Cとメールアドレス設定ファイルに登録されているエンジニア全員のエンジニア PC6 に対して、検知結果が出力される。また、異常を検知した場合には、エラーメッセージ 力 S「l」および添付ファイルが「101」に設定されていることから、エラーメッセージ定義 ファイルの「1」に記載された内容が出力されるとともに添付ファイル「101」が添付さ れるように設定されている。

[0074] 次に、異常検知条件設定ファイル 13aにおいて、検索キー内の装置名下にある設 定キーについて説明する。条件 Nolには、この設定キーに「A」と設定されている力 この設定キーは半導体製造装置に対してグループ分けを行なったものを示している 。通常、条件 Nolを設定した場合には、この条件 Nolに対応する半導体製造装置は 一つに限られる。しかし、同じ条件を複数の半導体製造装置について設定する場合 、同一条件を半導体製造装置毎に設定しなければならず、設定作業が煩雑となる。 そこで、図 8に示すように異常検知条件設定ファイル 13aに設定キーの項目を設け、 一つの条件 Nolによって複数台の半導体製造装置に対して設定が行なうことができ るようにしている。このようにグループィ匕を設定できるようにすることにより、作業者の 条件設定作業を軽減することができる。

[0075] 半導体製造装置のグループを設定するファイルとしては、装置グループ指定フアイ ル 21力あり、この装置グループ指定ファイル 21の内容の一例を図 9に示す。図 9に おいて、例えば装置グルーピング名称力^ A」であるグループには、「F— 01」一「E— 0 4」の名称を有する半導体製造装置が含まれて!/、る。半導体製造装置のグループ分 けは自由に設定することができる。

[0076] 次に、装置ログデータ検知 ONZOFF設定ファイル 17について説明する。上記し た装置グループ指定ファイル 21によって半導体製造装置のグループィ匕を行なうこと ができる力 例えば図 8に示す条件 No 1と条件 No 2の両方とも同じグループに対して 設定されていたとする（図 8において設定キーが「A」に設定されている)。例えば、異 常検知条件設定ファイル 13aの条件 No 1と条件 No2の設定キーに「A」が指定され て 、るとするとこの「 A」に該当するグループに属する半導体製造装置の全部につい て、条件 Nolで示される装置ログデータと条件 No2で示される装置ログデータの両 方について異常検知が行なわれる。しかし、この場合、グループに含まれる半導体製 造装置によっては、条件 Nolで示される装置ログデータについての異常検知を行な うが、条件 No2で示される装置ログデータについては異常検知を行なう必要がない 場合もある。

[0077] そこで、同じグループに属する半導体製造装置において、個別に装置ログデータ の異常検知を行なうか否かを設定できるようにした。この設定を行なうファイルが装置 ログデータ検知 ONZOFF設定ファイル 17である。

[0078] 図 10に、装置ログデータ検知 ONZOFF設定ファイル 17の内容の一例を示す。図 10にお!/、て、装置名称が「F— 01」一「E— 03」の 8つの半導体製造装置は一つのグ ループに属している。ここで、装置ログデータである「G1」について見てみると、装置 名称が「F— 01」一「F— 05」の半導体製造装置では「ON」となっており、異常検知を 行なうように設定される。一方、装置名称が「E— 01」一「E— 03」の半導体製造装置で は、「OFF」になっており、同じグループに属する半導体製造装置であっても個別に 装置ログデータの異常検知を行なうか否かを設定できることがわ力る。

[0079] 次に、図 8に示した異常検知条件設定ファイル 13aの検索キーの機能について説 明する。装置ログデータの異常を判定する方式として、エンジニアが上下限値を設定 し、設定した上下限値の範囲力 装置ログデータの値が逸脱した場合に異常を検知 する方式がある。このとき、エンジニアは、予め上下限値を設定する必要がある力 そ の数は膨大な量となる。すなわち、装置ログデータ自体は同じであっても製品、工程 、半導体製造装置の種類によって、正常となる装置ログデータは異なる。したがって 、 1種類の装置ログデータであっても製品、工程、装置の種類が異なる毎に上下限値 を設定しなくてはならず煩雑となる。図 11に上下限値の設定例を示す。図 11におい て、装置ログデータとして「グローバルァライメント計測 シフト X」をとり、この「グロ一 バルァライメント計測 シフト X」について上下限値を設定する場合を考える。図 11〖こ 示すように、製品「ひ」、工程「1」一「4」、装置「 # 1」、「 # 2」があったとすると 1種類の 装置ログデータに対して 8種類の上下限値を設定しなければならなくなる。実際には 上記した場合よりもかなり多ぐ例えば 1種類のログデータに対して 20種類の製品、 3 0種類の工程、 60種類の装置があつたとすると、設定しなければならない上下限値の 種類は、 20 X 30 X 60 = 36000種類にもおよぶことになり煩雑となる。

[0080] そこで、エンジニアの負担を軽減するため、図 1に示す設備データ管理サーバ 4の 過去データ記憶部 4aに記憶されている過去データを使用して上下限値を自動的に 算出する機能を構築した。まず、エンジニアは、異常検知条件設定ファイル 13aの検 索キーとして装置ログデータのヘッダを指定できるようになつている。例えば、図 8に 示す異常検知条件設定ファイル 13aでは、装置ログデータのヘッダとなっているレシ ピ No、装置名、チャンバ、ステップ ID、製品名および工程名の中から検索キーを指 定できるようにしている。ここで、例えば条件 Nolでは、装置名、製品名、工程名の 3 つのヘッダが検索キーとして指定されている。図 12に、簡単のため異常検知条件設 定ファイル 13aから条件 No 1として設定した検索キーの項目、装置ログデータの種類 および σ係数だけを記載した図を示す。

[0081] 次の段階として装置ログデータ記憶部 10に記憶されている装置ログデータ (グロ一 バルァライメント計測 シフト X)の異常検知を行なうが、まず図 2に示す異常データ検 知部 15は、異常検知条件設定ファイル 13aを参照して、ヘッダを指定している検索 キーを取得する。今の場合、図 12に示すようにヘッダのうち製品名、工程名および装 置名が検索キーとなっている。続いて、異常データ検知部 15は、装置ログデータ記 憶部 10に記憶されている装置ログデータから、検索キーとして指定した製品名、ェ 程名および装置名の具体的な内容を取得する。図 13に装置ログデータ記憶部 10に 記憶されている装置ログデータのヘッダの内容を示す。例えば図 13に示す内容から 検索キーとして指定した製品名、工程名および装置名を取得すると、取得した内容 は、製品名「ひ」、工程名「3」および装置名「 # 1」となる。

[0082] 次の段階として、異常データ検知部 15は、取得したヘッダの内容と一致する内容 のヘッダを有する過去データを過去データ記憶部 4aから抽出する。そして抽出した 過去データより平均値および標準偏差を算出し、上下限値を自動的に算出する。こ のようにして、エンジニアは検索キーを指定するだけで必要となる上下限値だけを自 動的に算出することができる。したがって、エンジニアの作業負担を軽減することがで きる。

[0083] 次に、計算式定義ファイル 15aについて説明する。異常を検知する装置ログデータ として装置から出力された装置ログデータではなぐ出力された装置ログデータに演 算処理を施した装置ログデータに意味がある場合がある。この場合、演算処理を施し た装置ログデータを得るためのファイルが計算式定義ファイル 15aである。図 14に計 算式定義ファイル 15aの内容の一例を示す。図 14において、例えば、検知項目内容 力 S「パラメータ z」の装置ログデータは、計算用パラメータ P1— P4の値「Chl」、 「Ch2 」、 「Ch4」、 「Ch5」を使用して計算式（Chl + Ch4)Z2— (Ch2 + Ch5)Z2により演 算されることがゎカゝる。

[0084] 次に、エラーメッセージ定義ファイル 18は、異常を検知した際に表示するエラ-メッ セージを定義するものであり、例えば図 15に示すような内容をしている。このエラーメ ッセージ定義ファイル 18に記載されているエラー Noを図 8に示した異常検知条件設 定ファイル 13aのエラーメッセージの項目に指定することにより指定されたエラー No のエラーメッセージを表示させることができる。

[0085] 添付ファイル 20は、検知結果の出力に添付されるファイルであり、異常を検知した 際に細かい作業指示を行なえるようにしたファイルである。具体的に添付ファイル 20 の内容の一例を図 16に示す。図 16は、装置ログデータとしてグローバルァライメント 計測データを使用して異常検知を行なった場合の添付ファイルである。この添付ファ ィルを作業者が受け取ると、作業者は、ロット Noとウェハ No、 X方向、 Y方向の規格 および測定結果を入力する。すると判定結果が自動出力され異常が実際に生じたの かを確認することができる。

[0086] 異常値削除定義ファイル 16は、装置ログデータの中から予め異常とわ力つている データを削除するために用いられるファイルである。ここで削除される装置ログデータ は、半導体製造装置の異常を示すものではなぐ装置バグ、もしくは装置通信上の問 題などにより生じた明らかな異常データである。

[0087] メールアドレス設定ファイル 19は、異常を検知した場合に検知結果を出力する先を 指定するためのファイルであり、メールアドレスなどが記載されて 、るファイルである。

[0088] 次に、装置アラームデータを使用した異常検知で使用するファイルについて説明 する。図 7において、装置アラームデータを使用した異常検知で使用するファイルは 、致命的アラームデータ設定ファイル 14a、不要データ設定ファイル 14b、増発監視 データ設定ファイル 14c、エラーメッセージ定義ファイル 18、メールアドレス設定ファ ィル 19、添付ファイル 20および装置グループ指定ファイル 21である。

[0089] なお、エラーメッセージ定義ファイル 18、メールアドレス設定ファイル 19、添付ファ ィル 20および装置グループ指定ファイル 21は、装置ログデータを使用した異常検知 で使用するファイルとして説明したため、その説明は省略する。

[0090] 致命的アラームデータ設定ファイル 14aは、ウェハを処理する上で致命的となる装 置アラームデータを登録したファイルであり、その内容は、例えば図 17に示すように なって 、る。図 17に示すように装置アラームデータが致命的アラームデータ「A0001 」、 「A0002」、 「A0003」、 「B0 * * *」に該当する場合は致命的エラーに該当する 。また、致命的アラームデータ設定ファイル 14aには、端末表示 ON/OFFおよびメー ル送信先の項目があり、致命的エラーが発生した場合、作業者端末装置 2A— 2Cお よびエンジニア PC6などにエラー表示がなされる。

[0091] 不要データ設定ファイル 14bは、装置アラームデータのうちウェハを処理する上で 異常とみなす必要がないデータを登録したファイルであり、その内容は、例えば図 18 に示すようになつている。図 18に示すように、装置アラームデータが不要データ「X0 001」、 「X0002」、 「Y00 * *」に該当する場合、異常検知を行なわず異常検知処 理を終了する。

[0092] 増発監視データ設定ファイル 14cは、所定時間に所定回数以上装置アラームデー タが発生した場合に異常と判定するデータを登録するファイルであり、図 19に示すよ うに時間および回数が設定可能となっている。図 19に示すように、例えば、装置ァラ ームデータが増発監視データ「Z0001」に該当する場合、 2時間に 10回以上装置ァ ラームデータが発生した場合、エラー表示がなされるようになって 、る。

[0093] なお、装置アラームデータの数は非常に多ぐ露光装置であるステツパを例に取る と数万個も存在し、これらの装置アラームデータに対して致命的であるかどうかを設 定することは困難である。そこで、異常を有効に検知するためにわかっている範囲で 致命的アラームコードを登録する一方で異常検知の判定から除く装置アラームデー タを不要データとして登録するようにした。また、登録されていないコードに対しては、 図 19に示すように増発監視データ設定ファイル 14cでデフォルト設定を行 、、このデ フォルト設定された内容で異常を検知するようにしている。

[0094] 次に、装置ログデータにより異常を検知した場合に検知結果を出力する機能につ いて説明する。

[0095] 異常を検知した場合、作業者に対して明快に装置のチヱック方法や QC (Quality Control)手法、製品処置の指示ができなければ、異常を検知してもロットが流動して しまいウェハ不良を未然に防止することができない。そこで、本実施の形態では、異 常を検知した場合の検知結果を出力する機能について説明する。

[0096] 図 20に、装置ログデータにより異常を検知した場合における検知結果の出力内容 を示す。図 20に示すように、異常を検知した際にまず異常が起こったことを作業者に 通知するため、着工の開始時刻、製品名、工程名、レシピ名、装置名などの装置ログ データのヘッダに記載されている内容が作業者端末装置 2A— 2Cに出力される。ま た、装置エラーの有無およびエラーメッセージ内容が表示される。そして、装置エラ 一の有無および対象製品の詳細情報が必要な場合は、各項目をクリックすると各詳 細画面に移動できるようになつている。

[0097] 例えば、装置エラーの「有り」をクリックすると、図 21に示すような内容の画面が表示 される。すなわち、装置エラーの発生時刻、ウェハ No、内容などが表示される。図 21 の一行目では具体的に装置エラーの発生時刻が「15時 30分」であり、ウェハ Noが「 10」、内容が「真空圧異常」であることが表示されて 、る。

[0098] また、図 20に示しているエラーメッセージの対象製品の欄に記載されている「開く」 をクリックすると、図 22に示すような内容の画面が表示される。すなわち、ロット No、ゥ ハ No、検知項目（装置ログデータ）、検知方式が表示される。具体的には、例えば ロット Noが「A001」、ウェハ Noが「1」、検知項目が「真空圧」、検知方式が「上下限 値」と 、うように表示される。

[0099] さらに、図 20に示しているエラーメッセージのチェックファイルの「有り」をクリックす ると、図 23に示すような添付ファイルが表示されるようになっている。この添付ファイル は、異常検知時の対処方法について細力べ指示できるようにするためのものである。 添付ファイルには、作業者が測定値をチェックして、チェックした結果を測定値の欄 に入力すると自動的に OKか NGかを表示させることも可能となっている。

[0100] また、異常検知時の作業者の対処は不良発生時には非常に重要であるため、上記 した添付ファイルは異常検知サーバ 5内に記憶できるようにしている。

[0101] なお、図 20—図 23に示した内容は、エンジニアに異常が発生したことを知らせるた めに登録されたアドレスにメール配信することも可能となって 、る。

[0102] 次に、装置アラームデータにより異常を検知した場合に検知結果を出力する機能 について説明する。

[0103] 図 24に、装置アラームデータにより異常を検知した場合に出力される内容を示す。

図 24に示すように、発生時刻、エラー種別、装置アラームデータ、ロット No、ウェハ N o、アラーム内容およびエンジニア指示が作業者端末装置 2A— 2Cに表示される。そ して、チェックボックスにチェックし、 Returnボタンを押すと図 25に示す内容が表示さ れる。図 25は、作業者が対処した内容を記載できるラインコメント入力欄が設けてあ るため、作業者はこの欄に対処事項を記入することができる。そして、図 25に示す送 信をチェックして入力完を押すと、図 25に示した内容のデータがエンジニアに配信さ れるとともに、異常検知サーバ 5内に記憶されるようになって 、る。

[0104] 本実施の形態 1は上記のように構成されており、以下にその動作の一例および作 用について図面を参照しながら説明する。

[0105] まず、装置ログデータを使用して異常を検知する動作について説明する。図 26に 示すように例えば作業者端末装置 2Aの指示により半導体製造装置 1Aにおいてゥェ ハの着工が開始される（S101)。続いて、半導体製造装置 1Aにおいてウェハの処理 が終了すると半導体製造装置 1Aから装置ログデータが作業者端末装置 2Aに送信 される（S102)。

[0106] そして、作業者端末装置 2Aは、受信した装置ログデータをデータハンドリングサー ノ 3Aに送信する（S103)。データハンドリングサーバ 3Aは、受信した装置ログデー タを設備データ管理サーバ 4に送信する（S104)。

[0107] 設備データ管理サーノ は、受信した装置ログデータを異常検知サーバ 5に送信 する（S105)。続いて、異常検知サーバ 5は、異常検知サーバ 5内の装置ログデータ 記憶部 10に装置ログデータを記憶する（S 106)。

[0108] そして、半導体製造装置 1Aにおいて 1ロット分のウェハの処理が終了しない場合は S102— S106を繰り返す（S107)。 1ロット分のウェハの処理が終了した場合は、半 導体製造装置 1A力もロットエンド信号が送信される (S108)。そして、異常検知サ一 ノ 5が異常検知サーバ 5内のロットエンド信号受信部 12でロットエンド信号を受信す る（S109)。

[0109] 次に、図 27に示すように、ロットエンド信号受信部 12でロットエンド信号が受信され ると、異常データ検知部 15は、第 1検知条件記憶部 13に記憶されている異常検知 条件設定ファイル 13aを参照してヘッダを指定した検索キーを取得する（S110)。次 に、取得した検索キーで指定されるヘッダについて、装置ログデータ記憶部 10に記 憶されて 、る装置ログデータの内容を取得する（S 111)。

[0110] 続いて、取得したヘッダの内容と一致する内容のヘッダを含む過去データを過去 データ記憶部 4aから抽出する（S112)。そして、異常データ検知部 15は、抽出した 過去データに基づき平均値と標準偏差を算出する (S 113)。その後、異常データ検 知部 15は、算出した平均値および標準偏差に基づいて、装置ログデータ記憶部 10 に記憶されて 、る装置ログデータの異常の有無を検知する（S 114)。

[0111] 次に、異常データ検知部 15で異常を検知した場合には（S 115)、検知結果をェン ジニァ PC6と作業者端末装置 2Aに送信する（S116)。一方、異常データ検知部 15 で異常が検知されな力つた場合には (S115)、作業者端末装置 2Aにだけ結果が送 信される（S 117)。このようにして、装置ログデータの異常を検知することができる。

[0112] 半導体製造装置において 1ロットのウェハが処理される毎に装置ログデータに異常 がないか判定されるため、規格外れの不良ウェハをリアルタイムに検出することができ る半導体集積回路装置の製造方法を提供することができる。したがって、ウェハが完 全に不良品となることを未然に防止することができる。

[0113] また、装置ログデータの異常をリアルタイムに検出することができるため、ウェハの大 量不良の原因となる半導体製造装置およびプロセスの異常を早期に発見することが できる。

[0114] メール機能を使用して検知結果をエンジニアのコンピュータへ配信することができる ため、エンジニアが異常を早急に知ることができる。

[0115] 装置ログデータは、装置の状態を示すデータであるため、装置自体の故障などによ り生じた不良ウェハを検出できるほか、プロセス不良が装置ログデータに反映される 場合における不良ウエノ、も検出することができる。

[0116] また、装置ログデータは、ウェハが処理される毎に半導体製造装置から出力される ため、ウェハと装置ログデータは、 1対 1の対応がとれている。したがって、抜き取り検 查にお 、て検査されな 、ウェハに対しても異常を検出することができる。

[0117] 次に、装置アラームデータを使用して異常を検知する動作について説明する。まず

、半導体製造装置 1Aより装置アラームデータが送信される力 装置アラームデータ は上述したように作業者端末装置 2A、データハンドリングサーバ 3A、設備データ管 理サーノ などを経由して最終的に異常検知サーバ 5に入力される。

[0118] 続いて、図 28に示すように、異常検知サーバ 5内の装置アラームデータ記憶部 11 に装置アラームデータが記憶される（S201)。そして、装置アラームデータ記憶部 11 に記憶された装置アラームデータは、異常データ検知部 15に入力される（S 202)。 異常データ検知部 15は、装置アラームデータが第 2検知条件記憶部 14に記憶され て 、る致命的アラームデータ設定ファイル 14aに設定されて 、る致命的アラームデー タに一致するかを判定する（S203)。

[0119] 装置アラームデータが致命的アラームデータに一致する場合には、作業者端末装 置 2Aやエンジニア PC6にエラー表示を行なう（S204)。装置アラームデータが致命 的アラームデータと一致しない場合には、さらに不要データ設定ファイル 14bに設定 されて 、る不要データに一致するかを判定する（S205)。不要データに装置アラー ムデータが一致する場合、異常の検知は行なわず処理を終了する。一方、不要デー タに装置アラームデータが一致しない場合には、続いて、増発監視データ設定フアイ ル 14cに設定されている増発監視データと装置アラームデータが一致するかを判定 する（S206)。

[0120] 増発監視データに装置アラームデータが一致する場合、所定時間の発生回数が 設定より多いか判断する（S207)。所定時間の発生回数が設定より多い場合には、 作業者端末装置 2Aやエンジニア PC6にエラー表示を行なう（S208)。一方、所定時 間の発生回数が設定より少ない場合は、異常の検知は行なわず処理を終了する。

[0121] 増発監視データに装置アラームデータが一致しない場合、増発監視データ設定フ アイル 14cにデフォルト登録がなされているかを判定する（S209)。デフォルト登録が なされていない場合には、異常の検知は行なわず処理を終了する。一方、デフォルト 登録されている場合、所定時間の発生回数がデフォルト設定より多いか判定する（S 210)。所定時間の発生回数がデフォルト設定より多い場合には、作業者端末装置 2 Aやエンジニア PC6にエラー表示を行なう（S211)。一方、所定時間の発生回数が デフォルト設定より少ない場合は、異常の検知は行なわず処理を終了する。このよう にして、装置アラームデータを使用して異常を検知することができる。

[0122] 装置アラームデータの異常をリアルタイムに検出することができるため、ウェハの大 量不良の原因となる半導体製造装置およびプロセスの異常を早期に発見することが できる。

[0123] 本実施の形態 1では、過去データ記憶部 4aに記憶されている過去データを使用し て平均値および標準偏差を算出し、算出した平均値および標準偏差を用いて上下 限値を設定し異常の検知を行なって 、る。このように過去データから平均値および標 準偏差を算出して上下限値を求めるロジックを使用して解析シミュレータを構成する ことも可能である。すなわち、エンジニアが上下限値を設定する場合、上下限値の最 適化を図ることは難しい。しかし、上記した解析シミュレータを使用すれば検知条件 や装置ログデータを選んで検知率や虚報率を瞬時にシミュレーションし、設定条件の 最適化を図ることができる。

[0124] (実施の形態 2)

本実施の形態 2は、前記実施の形態 1で説明した異常検知システムを具体的に露 光装置 (ステツパ）に適用したものである。露光装置は、 MOS (Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを含む半導体集積回路装置の製造工程で使用されるも のであり、例えば、ウェハ上に配線や MOSトランジスタのゲート電極を形成するため の工程で使用される。すなわち、配線やゲート電極をカ卩ェするため、半導体ウェハ上 に塗付したレジスト膜のパター-ング工程に使用される。具体的にゲート電極を形成 する工程を例にすると、ゲート絶縁膜を形成したウェハ上に例えばポリシリコン膜より なる導電膜を形成する。そして、この導電膜上にレジスト膜を塗付する。そして、この 塗付したレジスト膜に対してパターユングを施す際に露光装置が使用される。本実施 の形態 2において露光装置は、例えばゲート電極を加工する際に使用されるレジスト 膜のパターニングに使用される。

[0125] 図 29は露光装置によって実際に計測されたウェハ 30の下地パターン 31と露光装 置が装置内に有している理想格子 32を模式的に示したものである。図 29に示すよう に露光装置は計測した下地パターン 31と理想格子 32との間にずれが生じた場合、 露光装置内でずれを補正する機能を有している。例えば、下地パターン 31に対して 精度良くパターンの焼付けを行なうためにグローノ レアライメント処理を行なう。

[0126] しかし、グローバルァライメント処理で誤計測が発生すると、実際にはずれていない のに仮想のずれを補正して露光することになる。この場合、焼き付けるパターンと下 地パターンとがずれてしまいウェハの不良が生じることになる。このため、通常の半導 体製造工場では、 1ロット分あるいは 1バッチ分のウェハの中から 1枚のウェハを抜取 り、抜取り検査を実施している。しかし、グローノ レアライメント処理はウェハを処理す る毎に行なわれるため、ウェハ単位でランダムにグローノ レアライメントの誤計測が発 生する可能性がある。したがって、抜取り検査では、グローバルァライメント処理の異 常を検知することは困難である。

[0127] グローバルァライメント処理では、下地パターン 31と理想格子 32とのずれ量を示す グローバルァライメント計測データ (位置合わせ計測データ）が装置ログとして露光装 置から出力される。そこで、本実施の形態 2では、このグローノ レアライメント計測デ ータを使用して異常を検知する。露光装置が下地パターン 31と理想格子 32との間 でありもしな 、ずれを誤検出した場合、装置ログであるグローバルァライメント計測デ ータに突発的な飛びが発生することが確認されている。したがって、グローバルァライ メント計測データに突発的な飛びが生じたかを検知することにより、規格力 外れたゥ ェハの早期発見をすることができる。

[0128] 図 30に具体的にグローバルァライメント計測データに突発異常が発生した様子を 示す。横軸はウェハ Noを示しており、縦軸は装置ログデータであるグローバルァライ メント計測データを示している。図 30を見て分力るように、ほとんどのグローバルァラ ィメント計測データは「0. 10」と「0. 15」との間の値をとっている力 ウェハ No「8」に 対応するグローバルァライメント計測データが突発的に突出し「0. 40」の値を取って いる。このとき、しきい値として「0. 30」を取っているため、ウェハ No「8」に対応するグ ローバルァライメント計測データが異常であると検知される。したがって、本実施の形 態 2によれば、パターンずれを起して規格外れとなって!/ヽるウェハを特定し検知する ことができる。異常を検知されたウェハにおいては、ずれが生じているパターンが転 写されたレジスト膜が除去され、新たにレジスト膜が塗布された後、再び露光'現像す ることにより正常なパターンが形成される。このようにして、異常を検知されたウェハを 救済することができる。

[0129] また、本実施の形態 2における半導体集積回路装置の製造方法で使用される異常 検知システムには複数台の露光装置が接続されて!、るが、接続されて 、る複数台の 露光装置において同じように異常が発生するものではなぐ特定の露光装置で特定 の製品を製造する場合に異常が頻繁に現われるという場合がある。このような露光装 置および製品の組み合わせは、本異常検知システムによる異常の検知を続けること によって特定できる。したがって、特定した露光装置およびそこで製造される製品の 組み合わせに対して、装置条件の最適化や着工条件の最適化を図ることにより異常 の発生を低減することができる。

[0130] (実施の形態 3)

本実施の形態 3は、前記実施の形態 1で説明した異常検知システムを具体的にェ ツチング装置に適用したものである。エッチング装置は、ウェハやウェハ上に形成され た膜をエッチングするための装置であり、 MOSトランジスタを含む半導体集積回路 装置の製造工程で使用される。例えば、ウェハ上に MOSトランジスタなどの素子を 電気的に分離する素子分離溝を形成する際に使用される。具体的に素子分離領域 はウェハ上に酸ィ匕シリコン膜および窒化シリコン膜を順次形成した後、フォトリソグラフ ィ技術を使用してパターユングされる。パターユングは、素子分離領域を形成する領 域に形成されている酸ィ匕シリコン膜および窒化シリコン膜を除去するように行なう。そ して、このパターユングされた酸ィ匕シリコン膜および窒化シリコン膜をマスクとして、ェ ツチング装置を用いて露出したシリコンのエッチングを行 、、素子分離溝を形成する ものである。その後は、エッチングにより形成した素子分離溝に酸化シリコン膜を埋め 込むことにより素子分離領域が形成される。本実施の形態 3においてエッチング装置 は、例えば上記したような素子分離溝を形成する工程で使用される。

[0131] 図 31は、上記したエッチング装置の概略構成を示した図である。図 31において、 エッチング装置は、エッチングチャンバ 35、トランスファーチャンバ 36、ロードロックチ ヤンノ 37、ステージ 38、 APC (Auto Pressure Control)バルブ 39、ポンプ 40、ゲー トバルブ 41を有している。

[0132] エッチングチャンバ 35は、エッチング処理を行なうチャンバであり、内部にはウェハ を配置するためのステージ 38が設けられている。ステージ 38は電極としての役割も 有している。また、エッチングチャンバ 35は、 APCバルブ 39を介してポンプ 40と接続 されている。

[0133] APCバルブ 39は、エッチングチャンバ 35内の圧力を調整するために設けられてお り、開口度を調整できるようになつている。この開口度は装置ログデータとしてエッチ ング装置から出力されるようになっている。また、ポンプ 40は、エッチングチャンバ 35 内の気体を排気するために設けられて！/ヽる。

[0134] ゲートバルブ 41は、エッチングチャンバ 35とトランスファーチャンバ 36との間を開閉 できるようになって!/、るバルブであり、 Oリングを有して!/、る。

[0135] 上記のように構成されたエッチング装置におけるウェハのエッチングは、ウェハをス テージ 38上に配置した状態で、エッチングチャンバ 35内にエッチングガスを導入す ることにより行なわれる。このとき、 APCバルブ 39は所定の開口度になっており、エツ チングによる反応ガスがこの APCノ レブ 39を通じて外部へ排気されて 、る。具体的 に、このエッチング装置で行なわれるエッチング工程は、例えばウェハ上に素子を分 離するための素子分離溝を形成する工程とする。

[0136] エッチングチャンバ 35内でエッチングを行なう場合、このエッチングチャンバ 35とト ランスファーチャンバ 36との間に設けられているゲートバルブ 41は閉じられている。 しかし、ゲートバルブ 41内にある Oリングが劣化しているとゲートバルブ 41が閉じられ ていてもリークが生じる。すなわち、トランスファーチャンバ 36内に存在する窒素ガス 力 Sトランスファーチャンバ 36より圧力の低いエッチングチャンバ 35内にリークする。す ると、エッチングチャンバ 35内の圧力が上昇する。このため、上昇したエッチングチヤ ンバ 35内の圧力を下げようと、 APCバルブ 39の開口度は大きくなる。

[0137] APCバルブ 39の開口度が大きくなるとエッチングチャンバ 35内に存在するエッチ ングガスの排気される量も多くなる。したがって、エッチング反応が相対的に減少し、 ウェハに形成される素子分離溝の深さが浅くなり不良となる。

[0138] そこで、本実施の形態 3は、装置ログデータとして APCバルブ 39の開口度を使用 することにより、上記したエッチング装置の不具合に基づくプロセス異常を検知するも のである。すなわち、 APCバルブの開口度が大きくなつた場合、エッチングチャンバ 35内へ窒素がリークしたものとして異常を検知する。

[0139] 図 32にエッチング処理するウェハのウェハ Noと装置ログデータである APCバルブ 39の開口度の関係を示す。横軸はウェハ Noを示しており、縦軸は APCバルブ 39の 開口度（％)を示している。なお、図 32には、独立した別個の 2つのエッチングチャン バ Cl、 C2についてのデータが記載されている。

[0140] 図 32を見て分力るように、エッチングチャンバ C2についての開口度は、「13%」一「 14%」の間の値で安定して推移している。一方、エッチングチャンバ C1についての 開口度は、ウェハ No「1」一ウェハ No「約 180」までの間では、「12%」一「13%」で安 定して推移している力 ウェハ No「約 180」付近で著しく上昇して開口度が「15%」一 「16%」になっている。そして、ウェハ No「約 200」一「約 240」付近で開口度が「17% 」ー「18%」となり、その後、開口度は、「15%」一「16%」の間で推移している。したが つて、開口度の異常を検知するためのしきい値として例えば「15%」に設定すること により、最初に生じた開口度の上昇を異常と検知することができる。

[0141] 開口度の異常が検知された場合、作業者は実際にリークが生じているかを調べるこ とにより不良ウェハの大量の作り込みを未然に防止することができる。

[0142] (実施の形態 4)

本実施の形態 4は、前記実施の形態 1で説明した異常検知システムを具体的にプ ラズマ CVD (Chemical Vapor Deposition)装置に適用したものである。プラズマ CV D装置は、ウェハ上に膜を形成するための装置であり、 MOSトランジスタを含む半導 体集積回路装置の製造工程で使用される。例えば、ウェハ上に MOSトランジスタな どの素子を形成した後、この MOSトランジスタ上に層間絶縁膜を形成する際に使用 される。層間絶縁膜はウェハ上に MOSトランジスタを形成した後、この MOSトランジ スタ上にプラズマ CVD装置を使用して酸ィ匕シリコン膜を堆積することにより形成され る。具体的に層間絶縁膜となる酸ィ匕シリコン膜は、例えば TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate)を原料として形成することができる。本実施の形態 4にお!/、てプラズ マ CVD装置は、例えば上記したような層間絶縁膜を形成する工程で使用される。

[0143] 図 33は、プラズマ CVD装置の概略構成を示した図である。図 33において、プラズ マ CVD装置は、チャンバ 50、下部電極（サセプタ） 51、上部電極 53、マッチヤー（機 能部分） 54、 RF (Radio Frequency)電源 55を有して!/ヽる。

[0144] 下部電極 51上には、成膜処理を行なうウェハ 52が配置される。上部電極 53は、シ ャヮー電極となっており、プラズマ化したガスをチャンバ 50内に導入することができる ようになっている。

[0145] また、チャンバ 50と RF電源 55との間にはマッチヤー 54が設置されている。このマツ チヤ一 54は、インピーダンス整合をとるために設けられている。 RF電源 55は、例え ば 13. 56MHzの高周波電圧を発生できるように構成されている。

[0146] マッチヤー 54は正常に機能している場合、 RF反射波を出さないが、使用し続けて 劣化してくるとマッチヤー 54から RF反射波が出力され、次第に RF反射波の出力が 増加してくる。このように、マッチヤー 54から RF反射波が出力されるようになるとマツ チヤ一 54に接続されて!、る RF電源 55に悪影響を及ぼし、 RF電源の故障を引き起 こす。このため、プラズマ CVD装置では、マッチヤー 54から出力される RF反射波平 均値が 20Wを超え、この状態が 5秒間連続した場合、プラズマ CVD装置のインター ロック機能により、 RF電源 55の出力を遮断するようになっている。このようにインター ロックが力かるとウェハの成膜処理の途中で RF電源 55の出力が遮断されるため、ゥ ェハ上に形成する膜の膜厚が規定値に達せずウェハスクラップが生じる。

[0147] そこで、本実施の形態 4は、装置ログデータとして RF反射波平均値を使用すること により、プラズマ CVD装置によるインターロックが力かる前にマッチヤー 54の異常を 検知するものである。すなわち、 RF反射波平均値を常時監視することにより、ウェハ スクラップを未然に防止するものである。

[0148] 図 34に、マッチヤー 54の不良発生時における RF反射波平均値の推移を示す。横 軸はウェハの枚数を示しており、縦軸は RF反射波平均値を示したものである。図 34 を見て分力るように、ウェハの処理枚数が 120枚程度まではマッチヤー 54から出力さ れる RF反射波平均値は 20W以下となっている、そして、ウェハの処理枚数が 120枚 付近で RF反射波平均値が一時的に 20Wを超えて 30Wになる。その後は、再び RF 反射波平均値は 20W以内に収まる力 ウェハ処理枚数が約 220枚付近で RF反射 波平均値が一時的に 60Wを超えるようになる。そして、ウェハ処理枚数が約 250枚 付近で RF反射波の出力が 120Wを超え、装置によるインターロックがかかり、マッチ ヤー 54の不良が発生する。その後、マッチヤー 54を交換すると RF反射波は、ほとん ど出力されないことがわかる。 [0149] 図 34に示すように、徐々にマッチヤー 54が劣化してくると、装置によるインターロッ クが力かる前であっても、マッチヤー 54から出力される RF反射波平均値は、一時的 に（5秒間継続せず） 20Wを超えることがあることがわかる。したがって、 RF反射波平 均値の異常を判定するしきい値が、前記実施の形態 1で述べたように過去データより 算出した標準偏差に基づき例えば 20Wを超える 30Wに設定されることにより、インタ 一ロックが力かるウェハ処理枚数が約 250枚付近より前の段階でマッチヤー 54の異 常を検知することができる。すなわち、例えば、 20W以上の反射波平均値の出力が 連続して 5秒間続 、た場合を条件として装置にインターロックをかける方式では、 20 W以上の反射波平均値異常が発生した場合、マッチヤー 54が不良となったと判断し て装置電源が停止してしまい、着工中のウェハがスクラップになってしまう。これに対 し、本実施の形態 4では、装置電源が停止してしまう程の異常が生じる前の前駆的な 異常を察知することにより、ウェハスクラップをなくすことができる。すなわち、本実施 の形態 4における異常検知システムによれば、装置電源をダウンさせずに軽微な異 常を検知するものであるため、着工中のウェハを救済することができる。

[0150] ここで、 5秒間継続して 20Wを超えたときにインターロックが力かる例を説明した力 この条件を変えることも考えられる。しかし、このインターロックは、今の場合、装置製 造時に決定されていて変更することができない。また、インターロックで検知する場合 は、装置電源がダウンし、ウェハの回復が不可能なため、ウェハスクラップが生じる。 したがって、装置電源をダウンさせずに前駆的な軽微な異常を検知してウェハの救 済を行なう本実施の形態 4の異常検知システムが有効であることがわかる。

[0151] また、インターロックでは、設定可能なものもある。しかし、多品種少量製品を製造 する場合のように数多くの設定を適切に行なわなければならず設定困難である。これ に対し、本実施の形態 4では、前記実施の形態 1で説明したように過去データを使用 して自動的に適切なしきい値を設定できるため、適切なしきい値設定を簡便に行なう ことができる。

[0152] このように本実施の形態 4の異常検知システムによれば、装置ログデータである RF 反射波平均値を監視することで、マッチヤー 54の異常を早期に発見することができる 。したがって、ウェハスクラップを未然に防止することができるとともにマッチヤー 54を 交換する時期の適正化を図ることができる。また、マッチヤー 54を RF反射波の少な い正常な状態で使用し続けることができるので、マッチヤー 54に接続されている RF 電源 55の寿命を長くすることができる。

[0153] (実施の形態 5)

本実施の形態 5は、前記実施の形態 1で説明した異常検知システムを具体的に CV D (Chemical Vapor Deposition)装置に適用したものである。 CVD装置は、ウェハ 上に膜を形成するための装置であり、 MOSトランジスタを含む半導体集積回路装置 の製造工程で使用される。例えば、コンタクトホールにタングステン膜を埋め込んで プラグを形成する際に CVD装置が使用される。具体的にウェハ上に MOSトランジス タなどの素子を形成した後、この MOSトランジスタ上に層間絶縁膜を形成する。そし て、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用してこの層間絶縁膜にコンタク トホールを形成した後、このコンタクトホールにスパッタリング法を使用してチタン/窒 化チタン膜を形成する。その後、 CVD装置を使用してコンタクトホールにタンダステ ン膜を埋め込み、プラグが形成される。本実施の形態 5において CVD装置は、例え ば上記したようなプラグを形成する工程で使用される。

[0154] 図 35は、 CVD装置の概略構成を示した図である。図 35において、 CVD装置は、 シャワーベース 60、シャワーヘッド 61、リフレクタ 62、リフターピン 63、アタッチメント 6 4、クランプリング 65、クォーツウィンドウ 66、ランプ 67、ランプハウス 68、サセプタ 69 および熱電対 70を有して!/ヽる。

[0155] 上記の CVD装置において、ウェハはサセプタ 69上に配置され、クランプリング 65 によって固定される。そして、ウェハはクォーツウィンドウ 66下に設置されたランプ 67 によって加熱される。加熱する複数のランプ 67はランプノヽウス 68に格納されている。 ウェハ温度はサセプタ 69に接続している熱電対 70により制御されている。ランプハウ ス 68の内面には反射効率を高めるために金メッキ (成分）が施されている。また、シャ ヮーヘッド 61より成膜するための原料ガスがウェハ上に導入される。

[0156] ウェハは、ランプハウス 68に格納された複数のランプ 67によって加熱される力 ラン プ 67は通常、最大ランプパワーに対して約 40%— 50%のパワーで動作する。し力し 、ランプノヽウス 68に格納されたランプ 67の中に寿命などにより正常に動作しないラン プ 67が生じると、そのランプによる出力の低下をカバーするように周辺に存在する他 のランプ 67のパワーが上昇する。ランプ 67のパワーが上昇すると消費電流が増加し 、過電流が発生し装置電源がダウンする不良が発生する。また、過電流は、クォーツ ウィンドウ 66のくもりや一部のランプ 67によるショートなどによっても発生する。

[0157] ランプ 67のパワーの上昇は、ランプハウス 68の内面に形成されている金メッキを溶 かし、ランプハウス 68の不良を引き起こしたり、ランプパワー上昇による膜質変動や 装置電源がダウンすることによる着工中のウェハのスクラップといった問題を引き起こ す。

[0158] そこで、本実施の形態 5は、装置ログデータとしてランプ 67のパワーを使用すること により、装置電源がダウンする前にランプ 67の異常を検知するものである。すなわち 、ランプ 67のパワーを常時監視することにより、ウェハスクラップを未然に防止するも のである。

[0159] 図 36は、トラブル発生時におけるランプ 67のパワー（最大ランプパワーに対する比 率）と推移を示した図である。横軸は時刻を示しており、縦軸はランプ 67のパワーを 示している。なお、図 36には、ランプハウス 68に格納されたランプ 67のうち、 5つのラ ンプのパワーを同時に記載している。

[0160] 図 36を見てわ力るように 3時間 36分経過付近までは、ランプ 67のパワーは 50%— 60%の範囲に収まっており、その後、次第にランプ 67のパワーが上昇して 60%のラ インを超え、 6時間を超えた付近でランプ 67のパワーが 70%から 90%の範囲に入る 程度に急上昇していることがわかる。そして、ランプ 67のパワー急増している時刻に お!、て、過電流による装置電源のダウンが発生して 、る。

[0161] ランプ 67のパワーが急上昇する前において、ランプ 67のパワーが次第に上昇して いる。このため、ランプ 67のパワー異常を判定するしきい値力 前記実施の形態 1で 述べたように過去データより算出した標準偏差に基づき、例えば 60%に設定されるこ とにより、装置電源がダウンする前の段階でランプ 67のパワーの軽微な異常を検知 することができる。このように本実施の形態 5の異常検知システムによれば、装置ログ データであるランプ 67のパワーを監視することで、ランプ 67のパワー異常を早期に 発見することができる。したがって、装置電源のダウンによるウエノ、スクラップを未然に 防止することができるとともにランプハウス 68の長寿命化を図ることができる。すなわ ち、本実施の形態 5における異常検知システムによれば、装置電源をダウンさせずに 軽微な異常を検知するものであるため、着工中のウェハを救済することができる。

[0162] ここで、インターロックを使用することも考えられるが、インターロックでは装置電源が ダウンし、処理中のウェハのスクラップが生じるとともに多品種少製品を製造する場合 のように数多くの設定を適切に行なわなければならず設定困難である。これに対し、 本実施の形態 5では、装置電源をダウンさせずに前駆的な軽微な異常を検知してゥ ェハの救済を行なうことができるとともに、前記実施の形態 1で説明したように過去デ ータを使用して自動的に適切なしきい値を設定できるため、適切なしきい値設定を簡 便に行なうことができる。

[0163] また、装置アラームを使用することも考えられるが、本実施の形態では装置アラーム が発せられる前の軽微な異常を検知できるので、異常を早期に検知することができる

[0164] 以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが 、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなぐその要旨を逸脱しない範囲 で種々変更可能であることは 、うまでもな!/、。

産業上の利用可能性

[0165] 本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、半導体集積回路装置を製造する製 造業に幅広く利用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] (a)半導体ウェハを処理する半導体製造装置力 出力されるデータであって、前記 半導体製造装置の状態を示す装置ログデータを装置ログデータ記憶部に記憶する 工程と、

(b)前記装置ログデータ記憶部に記憶されて!、る前記装置ログデータに異常デー タがないかを異常データ検知部で検知する工程と、

(c)前記異常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ出力する工程とを備え る半導体集積回路装置の製造方法。

[2] さらに、前記半導体ウェハを所定枚数処理した後に前記半導体製造装置力も出力 される終了信号を終了信号受信部で受信する工程を備え、

前記 (b)工程は、前記終了信号受信部で前記終了信号を受信すると、前記装置口 グデータ記憶部に記憶されて!、る前記装置ログデータに前記異常データがな!、かを 検知することを特徴とする請求項 1記載の半導体集積回路装置の製造方法。

[3] 前記 (b)工程は、前記装置ログデータに許容範囲から突出した突発的な異常があ るかを検知する請求項 1記載の半導体集積回路装置の製造方法。

[4] 前記許容範囲は、予め設定されている上下限値あるいは前記装置ログデータの平 均値に対して予め設定されている一定の幅により決定されている請求項 3記載の半 導体集積回路装置の製造方法。

[5] 前記装置ログデータは複数のヘッダを含み、

前記 (b)工程は、

(bl)前記装置ログデータの前記ヘッダを指定した検索キーを取得する工程と、 (b2)取得した前記検索キーで指定される前記ヘッダの内容が前記装置ログデータ と一致する過去データを過去データ記憶部から抽出する工程と、

(b3)抽出した前記過去データから標準偏差を算出する工程と、

(b4)算出した前記標準偏差に基づいて、前記装置ログデータに前記異常データ 力 Sないかを検知する工程とを有する請求項 1記載の半導体集積回路装置の製造方 法。

[6] 前記結果出力部は、前記半導体製造装置に接続された作業者端末装置ある!/、は エンジニアが使用するコンピュータを含む請求項 1記載の半導体集積回路装置の製 造方法。

[7] (a)半導体ウェハを処理する半導体製造装置力 出力されるデータであって、前記 半導体製造装置の異常を示す装置アラームデータを異常データ検知部に入力する 工程と、

(b)入力した前記装置アラームデータに基づき、前記半導体ウェハを処理する上で 異常とするかを前記異常データ検知部で検知する工程と、

(c)前記異常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ出力する工程とを備え る半導体集積回路装置の製造方法。

[8] 前記 (b)工程は、入力した前記装置アラームデータが予め登録してぉ 、た致命的 アラームデータに該当する場合に異常であると検知する請求項 7記載の半導体集積 回路装置の製造方法。

[9] 前記 (b)工程は、入力した前記装置アラームデータが予め登録しておいた増発監 視データに該当するとともに所定時間に所定回数以上前記異常データ検知部に繰 り返し入力される場合に異常であると検知する請求項 7記載の半導体集積回路装置 の製造方法。

[10] (a)半導体ウェハ上に膜を成膜する半導体製造装置であって、前記半導体ウェハ を加熱するためのランプと前記ランプを複数個格納するランプハウスとを有する前記 半導体製造装置から、個々の前記ランプのランプパワーを出力して装置ログデータ 記憶部に記憶する工程と、

(b)前記装置ログデータ記憶部に記憶されている前記ランプパワーの中に所定値 より大きなものがないかを異常データ検知部で検知する工程と、

(c)前記異常データ検知部で検知した結果を結果出力部へ出力する工程とを備え る半導体集積回路装置の製造方法。