WO2005035174A1 - ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品 - Google Patents

ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品 Download PDF

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single crystal
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synthetic single
crystal diamond
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Hitoshi Sumiya
Yutaka Kobayashi
Katsuyuki Kawate
Takeru Nakashima
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sumitomo Electric Hardmetal Corp.
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Definitions

  • Diamond tool synthetic single crystal diamond and method of synthesizing single crystal diamond, and diamond jewelry
  • the present invention relates to a diamond tool, a synthetic single crystal diamond and a method of synthesizing a single crystal diamond, and a diamond jewelry product, and in particular, has a sharp cutting edge, is excellent in wear resistance and defect resistance, and is stable in quality.
  • Diamond tools and diamond tools with excellent wear resistance such as diamond tools, diamond tools with excellent wear resistance, synthetic single crystals containing substitutional nickel in crystals, and single crystals Synthesis method of diamond, synthesis method of synthetic single crystal diamond and single crystal diamond containing boron and nickel in atomic substitution type in crystal
  • the present invention relates to diamond jewelry exhibiting bright colors.
  • a conventional single crystal diamond tool has been manufactured by selecting an appropriate raw stone from natural diamond.
  • artificially synthesized single crystal diamond (lb type) containing nitrogen as an impurity was used!
  • Diamond is widely used for industrial and jewelry applications because of its extremely high hardness, very good thermal conductivity, and its beautiful refractive index due to its large refractive index.
  • industrially manufactured diamond is widely used mainly for industrial use.
  • Such industrially manufactured diamond is generally synthesized and manufactured by a temperature difference method or the like in which crystals are grown under an ultra-high pressure and high temperature (patent document 1 and patent document 6).
  • Patent Document 10 Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-12747
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-137999
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-138000
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-329356
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-182182
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-182184
  • Patent Document 7 Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-131407
  • Patent Document 8 JP-A-3-228504
  • Patent Document 9 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-116494
  • Patent Document 10 Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-200271
  • Non-Patent Document 1 Sumiya et al., Diamond and Related Materials, 5, 135 9 (1996)
  • Natural diamond contains many nitrogen impurities, reflects the complex growth history inside the earth, has many strains and crystal defects in the crystal, and has large variation due to the crystal. It is almost impossible to obtain stable crystals of high quality free of impurities and crystal defects from natural diamond. These crystal defects and impurities possessed by natural diamond are the source of destruction. As a result, tools using conventional natural diamonds have unstable quality, and their performance and life have been greatly dispersed.
  • synthetic diamond single crystals in which diamond is grown under thermodynamically stable high pressure and high temperature conditions are far superior in crystallinity and stable in quality than natural diamond.
  • ordinary synthetic diamond contains several tens to hundreds of ppm of nitrogen as a single substitutional impurity (type lb), and affects various properties.
  • strong absorption by nitrogen impurities occurs in the ultraviolet and infrared regions.
  • the nitrogen impurities are unevenly distributed in the crystal, which causes distortion in the inside of the crystal.
  • diamond synthesized by the temperature difference method is not limited to the use of a solvent metal to which a special nitrogen getter is added.
  • the nitrogen in the solvent is incorporated into the crystals and turns yellow.
  • this nitrogen is an atom substitution type impurity and the nitrogen atom has a size larger than that of a carbon atom, it partially distorts the cubic crystal structure of diamond. As a result, the hardness and thermal conductivity of the diamond decrease.
  • Patent Documents 9 and 10 in order to synthesize one having more excellent mechanical properties, and one having semiconductor properties and conductivity which diamond originally does not have, the compound has properties. It is also made to mix boron (B) in a diamond crystal. However, for this purpose, the current technology is still insufficient because it requires special diamond powder as a carbon source.
  • a nitrogen getter such as aluminum (A1), titanium (Ti) or zirconium (Zr) is added to the solvent metal at the time of production.
  • Various methods have been developed. In these methods, the nitrogen content is low and the force is also colorless A bright diamond is obtained.
  • the carbides of these nitrogen getters formed in the solvent not to be incorporated into the diamond crystals it is necessary to reduce the growth rate of the crystals. Also in this case, as described in Patent Documents 2 to 6, the power at which various efforts are made is that the growth rate is at most 2 mg Zhr to 2.5 mg Zhr at present. This increases the manufacturing cost.
  • one object of the present invention is to provide a diamond tool having a superior level of edge resistance, wear resistance and quality stability, which is far superior to conventional diamond tools.
  • the other object of the present invention is low in nitrogen content of impurities, inexpensive and industrially applicable, excellent in mechanical and physical properties such as abrasion resistance, and beautiful color, low for tool body It is an object of the present invention to provide a method of synthesizing synthetic single crystal diamond and single crystal diamond which is easy to attach.
  • Still another object of the present invention is to provide a diamond jewelry using a beautiful color and inexpensive synthetic single crystal diamond.
  • the diamond tool according to the present invention is produced using single crystal diamond artificially synthesized by the temperature difference method under high pressure, and the amount of impurities of diamond in the crystal is 3 ppm or less.
  • the impurity amount of diamond in the crystal Is less than 0.1 ppm.
  • Nitrogen impurities in artificially synthesized diamond can be removed by adding a component that becomes a nitrogen getter at the time of high-pressure synthesis to a solvent, but it tends to contain inclusions and a good crystal can not be obtained.
  • the present inventors have shown a method by which a good crystal can be obtained even with the addition of a nitrogen getter (Non-patent Document 1).
  • high purity synthetic diamond crystals (type Ila) in which nitrogen impurities are controlled to 3 ppm or less do not have crystal defects or distortion due to impurities.
  • mechanical properties such as hardness and strength are improved, and variations in quality are considered to be reduced.
  • the inventors examined the mechanical properties of this high purity synthetic diamond in detail, and found out that they have features not found in natural diamond and conventional synthetic diamond.
  • Table 1 shows the results of measurement of Knoop hardness in the ⁇ 100> direction and the ⁇ 110> direction of the (100) plane of synthetic diamond crystals different in the nitrogen content.
  • the Knoop hardness in the (100) face 100> direction improves as the amount of nitrogen decreases, as shown in Fig.1.
  • the nitrogen content is 1ppm or less, and the hardness is 100OOkgZmm 2 or more, which is high hardness.
  • synthetic diamond crystals having a nitrogen content of 3 ppm or less no normal Knoop indentation is formed in the (100) plane 110> direction, which indicates that the diamond is very hard.
  • the diamond tool can be used as an ultra-precision cutting tool. Due to the high hardness and high hardness of the above-mentioned low nitrogen content diamond, it is possible to provide an ultra-precision cutting tool with high wear resistance.
  • the diamond tool can be a diamond knife such as a microtome knife or a surgical knife.
  • the high hardness and low defects of the above-mentioned low nitrogen-containing diamond can provide a diamond knife having excellent blade standability.
  • the diamond tool is It can be a diamond stylus.
  • the high, hardness and low defects of the above-mentioned low nitrogen content diamond can provide a wire drawing die excellent in wear resistance and less in defects.
  • the diamond tool can be a dresser.
  • the high hardness and low defects of the low nitrogen-containing diamond described above can provide a dresser having excellent wear resistance and good standability.
  • a tool was produced using a synthetic diamond with less amount of crystal defects and having an impurity amount of 3 ppm or less, preferably 0.1 ppm or less.
  • the amount of impurities can be reduced by adding a nitrogen getter such as Ti to the solvent using a high purity carbon source, Fe—Co solvent.
  • a nitrogen getter such as Ti
  • dislocation defects can be removed by using a crystal cut out from a low defect diamond crystal as a seed.
  • the synthetic single crystal diamond according to the present invention is, in one aspect, a synthetic single crystal diamond synthesized by the temperature difference method under an ultra-high pressure and high temperature, and is a nickel which has penetrated into the crystal by atomic substitution. It is characterized by containing.
  • nickel since a large amount of nickel is contained in the solvent, it becomes a synthetic single crystal diamond exhibiting a pale green color. At the same time, since nitrogen introduced in the form of atomic substitution into synthetic single crystal diamond is reduced, crystal distortion is reduced, and the hardness and wear resistance of synthetic single crystal diamond are improved.
  • the nickel content is preferably 0.01-lO ppm. If the nickel content is ⁇ ⁇ m or less, the hardness, wear resistance and edge resistance of the synthetic single crystal diamond are not adversely affected, and the synthetic single crystal diamond exhibits a beautiful pale green color. Further, if it exceeds 10 ppm, the action and effect of the present invention become blacker due to excessive distortion. On the other hand, if the nickel content is less than 0.1 ppm, it is preferable from the viewpoint of mechanical and physical qualities such as strength of synthetic single crystal diamond, but it is costly and time-consuming to manufacture. This is because the growth rate of crystals can be greatly increased by using a solvent containing nickel. Furthermore, from the surface exhibiting a light green color, at least 1 ppm of nickel is contained. preferable.
  • the nitrogen content is preferably 0.01 to 3 ppm. Within this range, effects such as improvement in hardness and wear resistance can be sufficiently obtained, and the manufacturing cost can be suppressed.
  • an active brazing material containing titanium is used when brazing a synthetic single crystal diamond to a shank (tool main body) using a brazing material. Is preferable because it can be brazed at a relatively low temperature.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention does not exhibit deep yellow and exhibits pale green color because it contains nickel with a very low nitrogen content. For this reason, it is preferable to use it as jewelry.
  • a tool using the synthetic single crystal diamond of the present invention can obtain effects such as prolongation of life as a tool having high hardness, high hardness and wear resistance.
  • Such tools include Neut and Dresser.
  • a jewelry using the synthetic single crystal diamond of the present invention can be highly evaluated as a light green jewelry.
  • the method of synthesizing single crystal diamond according to the present invention is a method of synthesizing single crystal diamond by the temperature difference method under ultra-high pressure and high temperature, which comprises at least one of iron and cobalt. It is characterized by using a solvent consisting of 36% by weight or more of nickel, 12% by weight of titanium, and 35.5% by weight of black.
  • titanium which is contained in an amount of about 12% by weight, preferably about 1.5% by weight, in the solvent reacts with nitrogen contained as an impurity to cause nitrogen to penetrate into the diamond crystal. Stop it.
  • an element such as copper is not added to prevent the occurrence of the inclusion, it does not intrude into the diamond crystal as the titanium force S inclusion. It is presumed that this is because the solvent contains about 36% by weight, preferably about 40% by weight, of nickel occupying a position very close to copper in the periodic table.
  • the solvent contains about 36% by weight, preferably about 40% by weight, of nickel occupying a position very close to copper in the periodic table.
  • the seed plane of the seed crystal is preferably a (100) plane.
  • the synthesis temperature is preferably 1380 ⁇ 25 ° C from the viewpoint of moderate penetration of nickel as atomic substitution type impurity into diamond crystals! / ,.
  • the synthesis rate is preferably 3.9-4. 7 mg Zhr (hour) from the viewpoint of economy and appropriate penetration of nickel as atomic substitution type impurity into a diamond crystal.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention is a synthetic single crystal diamond synthesized by a temperature difference method under an ultra-high pressure and high temperature, and boron which has penetrated into the crystal by atomic substitution. Contains nickel and
  • the nitrogen substituted in the atomic substitution type in the synthetic single crystal diamond is reduced, and the reverse occurs.
  • a synthetic single crystal diamond is obtained which contains boron and nickel in the form of atomic substitution.
  • the boron content is preferably in the range of 1 to 300 ppm. If it is 300 ppm or less, it is because the wear resistance is also excellent, as solvent metal is less likely to be taken in as impurities in the diamond crystal. Also, if it exceeds 300 ppm, the crystal becomes brittle and the color becomes black, which makes it difficult to put to practical use. In addition, when it is 1 ppm or more, particularly 5 ppm or more, a suitable pale blue-green color is exhibited, and additionally, a suitable conductivity is obtained.
  • the amount of nickel is preferably 0.01-lO ppm. If it is less than 10 ppm, it exhibits a pale blue-green color, and along with the action of a nitrogen getter such as titanium, the penetration of nitrogen by atomic substitution into the diamond crystal becomes relatively small, and therefore hardness, wear resistance, It is because it becomes a single crystal diamond having a good cutting ability. Also, if it exceeds 10 ppm, excessive distortion occurs and the color also becomes black. Also, less than 0. Olppm time and cost to manufacture Because it takes Furthermore, from the surface that exhibits a pale blue-green color with the coexisting boron
  • At least 1 ppm Preferably at least 1 ppm.
  • the nitrogen content is preferably 3 ppm or less. If it is 3 ppm or less, the strain of the diamond crystal is small, and therefore, the hardness, the wear resistance and the friability become good.
  • the present invention exhibits significant effects such as excellent wear resistance and the like by applying to synthetic single crystal diamond used for a tool.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention is used as a cutting edge of a tool, it is relatively preferable to use an active brazing material containing titanium when brazing to a shank (tool body) using a brazing material. It is preferable because brazing can be performed at a low temperature.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention has a light blue-green color because it contains almost no nitrogen and contains boron and nickel. For this reason, it is preferable to use it as jewelry
  • a tool using the synthetic single crystal diamond of the present invention can obtain effects such as prolongation of life as a tool having high hardness, high hardness and wear resistance. Examples of such tools include bytes.
  • jewelry using the synthetic single crystal diamond of the present invention can be highly evaluated as a light blue-green jewelry.
  • the method of synthesizing a single crystal diamond according to the present invention is a method of synthesizing a single crystal diamond by a temperature difference method under an ultra-high pressure and high temperature, which comprises at least one of iron and cobalt. , 36% by weight of nickel, 12% by weight of titanium, 0.1% by weight of 0.12% by weight of boron, and 3-5. 5% by weight of a solvent having a graphite power Do.
  • the solvent to 1 one 2 wt 0/0, preferably 1. about 5 weight 0/0 ( ⁇ 10%) is free Yes! / Ru nitrogen getter (titanium in the embodiment) Is contained as an impurity! / Reacts with scavenging nitrogen to prevent nitrogen from entering the diamond crystal. Further, even if an element such as copper is added to prevent the occurrence of inclusions, it does not enter into the diamond crystal as nitrogen getter force inclusion such as titanium. It is presumed that this is a force which contains 36 wt%, preferably 40 wt% of nickel occupying a position very close to copper in the periodic table in the solvent.
  • nickel is atomic substitution type It penetrates into the diamond crystal below 10 ppm as an impurity.
  • boron which is contained in an amount of about 0.1 to 0.2% by weight, preferably about 0.15% by weight, in a solvent also penetrates into a diamond crystal of 300 ppm or less as an atom substitution type impurity.
  • the seed surface of the seed crystal be the (100) face of the diamond crystal, the uniform dispersion of boron and the contact force of the growth of the diamond crystal.
  • the synthesis temperature is preferably 1350 ° C. at 30 ° C. from the viewpoint of appropriate penetration of nickel and boron as atomic substitution type impurities into the diamond crystal!
  • the synthesis rate is preferably 3.1-3.8 mg Zhr (hour) from the viewpoint of economy and appropriate penetration of nickel and boron as atomic substitution type impurities into the diamond crystal. .
  • a diamond jewelry article according to the present invention is produced using the above-mentioned synthetic single crystal diamond.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention has a small amount of nitrogen introduced in the form of atomic substitution type in the synthetic single crystal diamond, so that the crystal strain is reduced, the hardness and the wear resistance are improved, and the preferred tool is Can be manufactured.
  • nickel is contained in the solvent, the production cost can be reduced because the synthesis can be performed at a high growth rate.
  • it can provide jewelry with high value because it exhibits a pale green color.
  • the synthetic single crystal diamond of the present invention a synthetic single crystal having excellent wear resistance because it contains appropriate boron containing a small content of nitrogen contained in the crystal as an element substitution type impurity. Crystalline diamond is obtained. In addition, it is possible to obtain synthetic single crystal diamond excellent in wear resistance etc. which is useful as a cutting edge of a tool. In addition, synthetic single crystal diamond having appropriate conductivity can be obtained. In addition, since it contains nickel and boron in the crystal as impurities of element substitution type, it is a synthetic single crystal diamond that exhibits a valuable pale blue-green color for jewelry. You will get Also, the above synthetic single crystal diamond can be obtained at low cost.
  • FIG. 1 is a diagram showing the Knoop hardness in the (100) face 100> direction of synthetic diamond.
  • FIG. 2 is a view showing the Knoop hardness of each direction on the (100) plane of various diamonds.
  • FIG. 3 is a schematic view of a synthetic single crystal diamond synthesis apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4A is a side view showing a blade tip of a tool using a synthetic single crystal diamond in a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4B is a plan view of the cutting edge of the tool shown in FIG. 4A.
  • FIG. 5 is a perspective view of a dresser using synthetic single crystal diamond in a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic view of a synthetic single crystal diamond synthesis apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 7A is a side view showing a blade tip of a tool using a synthetic single crystal diamond in a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7B is a plan view of the cutting edge of the tool shown in FIG. 7A.
  • the obtained diamond crystals are colorless and transparent, and have an ultraviolet-visible spectrum and an infrared spectrum. Also, almost no absorption by impurities such as nitrogen was observed, and it was a high purity Ila type crystal with an impurity of 0.1 ppm or less. In addition, it was confirmed by polarization microscope observation that there are almost no crystal defects by X-ray topographic observation in which internal distortion is almost negligible.
  • a diamond bite was produced as follows from the diamond crystal obtained as described above.
  • the diamond crystal was processed to a length of 3 mm, a width of 1 mm, and a thickness of 1 mm, and this was brazed to a Neut shank.
  • an active brazing material containing Ti for brazing since brazing can be performed at a relatively low temperature and the thermal deterioration of the surface of the single crystal diamond is reduced.
  • the brazing layer between the diamond material and the shank is 100 ⁇ m or more, the residual stress at the time of brazing to the tip of the produced tool is reduced, which is preferable.
  • the upper and lower surfaces were (100) to secure the brazed surface of the single crystal diamond material. After that, a diamond bit with a cutting edge RlO / z n ⁇ tip angle of 45 degrees was produced.
  • the polishing process is facilitated, and the strength and blade standability of the tip end portion of the tool can be improved.
  • a diamond skiving apparatus was used to produce a diamond turning tool, and a diamond free pellet was placed on a iron plate to rotate at high speed.
  • the cutting edge of the cutting edge of the diamond cutting tool manufactured as described above was such that no microchips of several microns or less could be confirmed at all.
  • the diamond bit is attached to a precision lathe, and as a result of cutting the metal Ni part coated on the mold surface at a rotational speed of 800 rpm, a feed rate of 0.3 ⁇ m Zr, and a cut of 1 ⁇ m, a feed mark can be seen. A highly accurate mirror surface was obtained.
  • a high purity Ila-type diamond single crystal of about 0.8 carat was synthesized in the same manner as in Embodiment 1 except that the amount of nitrogen getter Ti added was 1.5% by weight.
  • the obtained diamond crystals had a pale yellowish color, and the ultraviolet and visible spectrum showed a slight absorption by the isolated substitutional nitrogen impurity, and the nitrogen impurity amount was about 2.8 ppm. It was confirmed by polarization microscope observation that there is almost no crystal defect by X-ray topograph observation with almost no internal strain.
  • a diamond bit was produced in the same manner as in the first embodiment.
  • the cutting edge of this diamond cutting tool is several microns or so It was impossible to confirm a minute chip of the following size.
  • the diamond bit was attached to a precision lathe, and the metal Ni portion plated on the die surface was cut under the same conditions as in Embodiment 1, and a feed mark was not seen and a highly accurate mirror surface was obtained.
  • Diamond was synthesized in the same manner as in Embodiment 1 except that a nitrogen getter was not used.
  • the obtained diamond was yellowish in lb type crystals containing about 1 carat of nitrogen impurity.
  • the nitrogen content estimated from the infrared absorption spectrum was about 60 ppm.
  • an ultraprecision cutting tool was produced in the same manner as in Embodiment 1. Compared with the cutting tool of the first embodiment, it was inferior in abrasion resistance, and its cutting ability was much better.
  • FIG. 3 shows a diamond synthesis apparatus of the present embodiment.
  • 11 is a carbon source
  • 12 is a solvent metal
  • 13 is a seed crystal
  • 14 is an insulator
  • 15 is a graphite heater
  • 16 is a pressure medium.
  • the solvent metal 12 contains 42% by weight of nickel as an essential component and 1.5% by weight of titanium as a nitrogen getter.
  • the balance was 53% by weight of iron, 5% by weight of cobalt, and 4.5% by weight of graphite, and they all used high purity powders with particle sizes of 50 to 100 microns.
  • the mixing ratio of iron and cobalt has considerable freedom.
  • the seed crystal the (100) face of the synthetic diamond granules was used as the seed face.
  • the obtained single crystal diamond was measured for absorption of ultraviolet visible spectrum and infrared spectrum with large (100) plane, and it was confirmed that nitrogen was 3 ppm or less and nickel was lO ppm or less. . However, since it has a pale green color, it seems that nickel contains at least 1 ppm, which is the concentration at which pale green color starts to appear, and 1.5 to 2 ppm.
  • a synthetic single crystal diamond material having a length of 5 mm, a width of 1 mm, and a thickness of 1 mm was prepared for the cutting edge. Furthermore, this material was brazed to the shank.
  • the active brazing material containing titanium was used for this brazing. The active brazing material containing titanium can be brazed at a relatively low temperature, so that the thermal deterioration of the surface of the single crystal diamond is reduced.
  • the thickness of the solder layer is set to 100 m or more so that thermal stress does not remain at the tip of the cutting tool.
  • the upper and lower surfaces of the diamond material were (100) surfaces.
  • the blade is shown in FIGS. 4A and 4B.
  • 21 is a synthetic single crystal diamond of the cutting edge.
  • R is the tip diameter
  • the rake angle ex is 20 degrees
  • the tip angle ⁇ is 30 degrees.
  • 22 is a brazing layer containing titanium.
  • 23 is a shank tip.
  • the diamond raw stone synthesized by the above-described apparatus and method is cleaved along the (111) plane to a thickness of 0.8 mm, cut with a laser, and the length is 3 mm, the width is 0.8 mm, and the thickness is 0. I made an 8 mm strip material. Three pieces of the strip-like material were placed in a powder for sintering mainly composed of nickel and sintered.
  • the long surface portion is a cleavage plane (111) and a laser cutting plane (110), and the dressing plane is a (211) plane.
  • the end face of the test piece made of a strip-like material becomes a dressing surface, so it becomes parallel to the polishing direction 110>.
  • This dresser is shown in FIG. In FIG. 5, 31 is a strip-shaped synthetic single crystal diamond material, and 32 is a sintered portion thereof.
  • This dresser is used at a grinding wheel peripheral speed of 1500 rpm, and a grinding stone SN80N8V51S (manufactured by Noritake, 405 ⁇ 50).
  • Amount of wear by reciprocating for 20 minutes in a direction parallel to the axis of rotation of the grinding wheel under wet conditions grinding oil: Nori Takekuru NK88) of X 127 mm
  • depth of cut 0. I mm Z pass, feed 0.5 mm Z rev was measured.
  • the amount of wear was also measured for a dresser using conventional synthetic single crystal diamond under the same conditions.
  • the results are as shown in Table 2, and it has been confirmed that the synthetic single crystal diamond of the present embodiment is suitable as a dresser material whose wear amount is significantly less than that of a conventional synthetic single crystal diamond.
  • FIG. 6 shows an apparatus for synthesizing single crystal diamond of the present embodiment.
  • 11 is a carbon source
  • 12 is a solvent metal
  • 13 is a seed crystal
  • 14 is an insulator
  • 15 is a black ship heater
  • 16 is a pressure medium.
  • Graphite was used as the carbon source 11.
  • the solvent metal 12 contains 42% by weight of nickel as an essential component, 0.15% by weight of boron, and 1.5% by weight of titanium as a nitrogen getter.
  • the balance was 46.85% by weight of iron, 5% by weight of cobalt and about 4.5% by weight of graphite, all of which used high purity powders with particle sizes of 50 to 100 microns. The mixing ratio of iron and cobalt can be changed to a considerable extent.
  • the seed crystal the (100) face of the synthetic diamond particle was used as the seed face.
  • the synthetic single crystal diamond thus obtained had a nitrogen content of 3 ppm or less, a boron content of 50 ppm, and a nickel content of ⁇ pm or less according to the UV-visible spectrum and the infrared spectrum having a large (100) plane.
  • the color of the diamond crystal is a pale blue-green mixed with the green color derived from nickel in addition to the blue color derived from boron, it is considered that at least lppm of nickel is contained.
  • the internal strain was mostly strong.
  • the crystal defects were almost forceless.
  • the electrical resistance of the diamond single crystal was measured, it was 10 to 100 ⁇ ′ cm, and it was confirmed that the diamond single crystal had appropriate conductivity.
  • a synthetic single crystal diamond material having a length of 5 mm, a width of 1 mm and a thickness of 1 mm was produced for the cutting edge of a diamond end mill. Furthermore, this material was brazed to the shank. An active brazing material containing titanium was used for this brazing. This brazing material can be brazed at a relatively low temperature, which reduces the thermal degradation of the synthetic single crystal diamond surface.
  • the thickness of the solder layer was set to 100 / z m or more so that thermal stress did not remain at the tip of the diamond bit. Furthermore, in order to secure a brazed surface, the upper and lower surfaces of the diamond material were (100) surfaces.
  • the cutting edge is shown in FIGS. 7A and 7B.
  • 21 is a synthetic single crystal diamond of the cutting edge.
  • R is the diameter of the tip, the rake angle ex is 20 degrees, and the tip angle ⁇ is 30 degrees.
  • 22 is a brazing layer containing titanium.
  • 23 is a shank tip.
  • This diamond bit is attached to a precision lathe, and it is fitted on the surface of a metal mold under cutting conditions of a diameter of 5 mm, a rotational speed of 3000 rpm, a feed rate of 0.3 ⁇ m Zr, and a cut of 0.1 ⁇ m. Precision cutting was performed to obtain a highly accurate mirror surface.
  • the tool life was 58 pieces under the same cutting conditions.
  • the tool life of the present invention was 85 pieces.
  • the synthetic single crystal diamond of the present embodiment is suitable as a material for the cutting edge of the tool. Since the synthetic single crystal diamond of the present embodiment has appropriate conductivity, it can be measured by measuring the electrical resistance of the tool when it is attached to a facility capable of automatic tool replacement. It becomes possible to determine the presence or absence of contact with the work. This also facilitates tool management and product quality control.
  • a round brilliant cut process was performed by a skiff grinding machine on a synthetic single crystal diamond of 1. 2 carat synthesized by the above-described apparatus and method.
  • the obtained 0.36-carat synthetic single crystal diamond for jewelry had no chipping and no cracking, and was a slightly green and bright diamond.
  • the present invention can be effectively applied to diamond tools, synthetic single crystal diamonds and methods of synthesizing single crystal diamonds, and diamond jewelry.

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Abstract

 工具に用いる合成単結晶ダイヤモンドの窒素含有量を3ppm以下に減少させることによって高くなるダイヤモンドの(100)面<111>方向の硬度を利用し、同時に欠陥が減少することを利用して、各種のダイヤモンド工具を提供する。合成単結晶ダイヤモンドは、超高圧高温下で温度差法によって合成され、結晶中に、原子置換型で侵入したニッケルあるいは原子置換型で侵入したホウ素およびニッケルを含有する。

Description

明 細 書
ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの 合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品
技術分野
[0001] 本発明は、ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンド の合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品に関し、特に、シャープな刃先を有し、耐摩 耗性ゃ耐欠損性に優れ、かつ品質の安定した、ダイヤモンドバイトやダイヤモンドナ ィフや、耐摩耗性に優れたダイヤモンドダイスやドレッサーやスタイラスなど、優れた 性能を有するダイヤモンド工具、結晶中にニッケルを置換型で含有する合成単結晶 ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法、結晶中にホウ素とニッケルを原 子置換型で含有する合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法
、鮮ゃ力な色を呈するダイヤモンド宝飾品に関する。
背景技術
[0002] 従来の単結晶ダイヤモンド工具は、天然ダイヤモンドの中から適当な原石を選択し 、製作されたものであった。また、一部では、窒素を不純物として含む人工合成単結 晶ダイヤモンド (lb型)が使用されて!ヽた。
[0003] ダイヤモンドは、非常に硬度が高いこと、非常に熱伝導率が良好なこと、屈折率が 大きいため美しく輝くこと等のため、工業用や宝飾用に広く利用されている。しかしな がら、天然産のものは非常に高価であるため、工業的に製造されたダイヤモンドがェ 業用の用途を中心に広く用いられている。このような工業的に製造されたダイヤモン ドは、超高圧高温下で結晶を成長させる温度差法等により合成して製造されるのが 一般的である (特許文献 1一特許文献 6)。
[0004] また、近年の産業の高度化の下、高度の耐摩耗性や均一な耐摩耗性を有して!/、る 等の特殊な機械的、物理的性質が天然のものより優れた合成単結晶ダイヤモンドの 開発もなされている (特許文献 7— 9)。
[0005] さらには、半導体特性ある!/、は導電性等本来ダイヤモンドが有して 、な 、性質を有 する合成単結晶ダイヤモンドの開発もなされて 、る(特許文献 10)。 特許文献 1:特開昭 60-12747号公報
特許文献 2 :特開平 5—137999号公報
特許文献 3:特開平 5— 138000号公報
特許文献 4:特開平 5— 329356号公報
特許文献 5 :特開平 6- 182182号公報
特許文献 6 :特開平 6— 182184号公報
特許文献 7:特開平 3—131407号公報
特許文献 8:特開平 3— 228504号公報
特許文献 9:特開平 7 - 116494号公報
特許文献 10:特開平 5— 200271号公報
非特許文献 1: Sumiya et al. , Diamond and Related Materials, 5, 135 9 (1996)
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 天然ダイヤモンドは、多くの窒素不純物を含み、地球内部の複雑な成長履歴を反 映して、結晶内に多くの歪や結晶欠陥を持ち、結晶によるバラツキも大きい。天然ダ ィャモンドからは、不純物や結晶欠陥を含まない高い品質の結晶を安定入手するこ とはほとんど不可能である。天然ダイヤモンドが持つこうした結晶欠陥や不純物は破 壊の起点となる。そのため、従来の天然ダイヤモンドを用いた工具は、品質が安定せ ず、性能や寿命が大きくバラついていた。
[0007] これに対し、ダイヤモンドが熱力学的に安定な高圧高温条件で育成される合成ダイ ャモンド単結晶は、天然ダイヤモンドよりはるかに結晶性に優れ、品質も安定してい る。しかし、通常の合成ダイヤモンドは、窒素を孤立置換型不純物として数十 ppmか ら数百 ppm含み (lb型)、各種の特性に影響を及ぼす。特に、紫外域と赤外域に窒 素不純物による強い吸収が生じる。また、この窒素不純物は結晶中に不均一に分布 しており、このため、結晶内部に少な力もず歪が生じる。
[0008] また人工合成ダイヤモンドでは、窒素不純物を孤立置換型不純物として含む lb型 のダイヤモンドが一部で切削工具やナイフなどに用いられている。人工合成ダイヤモ ンドは、品質の安定性は天然ダイヤモンドよりもはるかに優れる力 工具の特性を左 右する刃立性、耐摩耗性は十分とはいえな力つた。
[0009] ところで、温度差法により合成されたダイヤモンドは、特許文献 2な 、し特許文献 6 等にも記載されているように、特別の窒素ゲッターを添加された溶媒金属を使用しな い限り、溶媒中の窒素が結晶内に取込まれて黄色く着色してしまう。
[0010] この窒素は原子置換型の不純物であり、しかも窒素原子は炭素原子よりも寸法が 大きいため、ダイヤモンドの立方晶の結晶構造を部分的に歪ませてしまう。その結果 、ダイヤモンドの硬度や熱伝導度が低下する。
[0011] これらの性質の低下は、工業用としての使用、特に工具の刃先として使用したとき には、直接的に製品の耐研磨性ゃ耐摩耗性等の劣化につながるだけでなぐ製造 過程においても問題を発生させ、ひいては間接的にも製品の性能の劣化につながる
[0012] すなわち、刃先にするための研磨時の摩擦で生じた熱が、熱伝導度が低下した分 逃げ難くなり、刃先の先端が過度に加熱され、酸化される。このため、刃先の作用部 に通常セクタと呼ばれる 0. 04mm程度の段差が生じ、これが刃先の作用部に生じる と工具としての刃立ち性が悪くなり、製品の被削面の仕上げ精度が低下する原因とな る。
[0013] また、一層優れた機械的特性を有するものや、本来ダイヤモンドが有さな 、半導体 特性や導電性を有するものを合成するため、特許文献 9、 10にも記載されているよう に、ダイヤモンド結晶内にホウ素(B)を混入させることもなされている。ただし、このた めには、炭素源として特別なダイヤモンド粉末を必要とする等、現在の技術はまだま だ不充分である。
[0014] また、ダイヤモンドの色が透明や青や赤と異なり黄色、特に濃黄色を呈すれば、宝 飾品としての価値が低くなる。また光学部品やレーザ窓にも使用することが困難とな る。
[0015] 一方、窒素のダイヤモンド結晶内への侵入を防ぐため、製造時に溶媒金属中にァ ルミ-ゥム (A1)、チタン (Ti)、ジルコニウム (Zr)等の窒素ゲッターを添カ卩しておく方 法が種々開発されている。これらの方法では、窒素含有量が少ない、し力も無色透 明なダイヤモンドが得られる。しかし、溶媒中に生じたこれら窒素ゲッターの炭化物が ダイヤモンド結晶中に取込まれな 、ようにするためには、結晶の成長速度を落とす必 要がある。これについても、特許文献 2ないし特許文献 6に記載されているように、種 々工夫がなされている力 現在のところ、成長速度は最大で 2mgZhrないし 2. 5mg Zhrである。このため、製造コストが増加する。
[0016] また、半導体特性や導電性は、本来ダイヤモンドが有して 、な 、性質であるだけに 、現状のものでは、まだまだ不充分である。
[0017] 以上のため、工業用、特に工具用に、不純物の窒素の含有量が少ない、そして安 価な合成単結晶ダイヤモンドの開発が望まれていた。また、耐摩耗性等の機械的、 物理的性質が一層優れた合成単結晶ダイヤモンドの開発が望まれていた。同じく半 導体特性、適度の導電性を有する合成単結晶ダイヤモンドの開発も望まれて!/ヽた。 さらに、宝飾用に美しい色彩の、そして安価な合成単結晶ダイヤモンドの開発も望ま れていた。また、それらの合成単結晶ダイヤモンドを使用した工具や宝飾品も要望さ れていた。
[0018] 以上の他、工具の刃先として使用する場合にはシャンク等工具本体へのロウ付け が容易であること等の要望を充たす技術の開発が望まれていた。
[0019] そこで、この発明の 1つの目的は、従来のダイヤモンド工具よりはるかに優れた、刃 立性、耐摩耗性、品質の安定性を有するダイヤモンド工具を提供することにある。
[0020] この発明の他の目的は、不純物の窒素の含有量が少なく安価で工業用に使用でき 、耐摩耗性等の機械的、物理的性質に優れ、美しい色彩で、工具本体へのロウ付け が容易な合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンドの合成方法を提供する ことにある。
[0021] この発明のさらに他の目的は、美しい色彩で安価な合成単結晶ダイヤモンドを用い たダイヤモンド宝飾品を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0022] 本願発明に係るダイヤモンド工具は、高圧下の温度差法により人工的に合成され た単結晶ダイヤモンドを用いて作製され、結晶中ダイヤモンドの不純物量が 3ppm以 下である。好ましくは、該ダイヤモンド工具において、結晶中ダイヤモンドの不純物量 が 0. lppm以下である。
[0023] 人工合成ダイヤモンドの窒素不純物は、高圧合成時に窒素ゲッターとなる成分を 溶媒に添加することで除去できるが、インクルージョンを含み易くなり良質な結晶が得 られなくなる。しかし、本発明者らにより、窒素ゲッターを添加しても良質な結晶が得 られる方法が示された (非特許文献 1)。このようにして、窒素不純物を 3ppm以下に 制御した高純度合成ダイヤモンド結晶(Ila型)は、不純物による結晶欠陥や歪がな い。このため、硬度、強度などの機械的特性が向上し、品質のバラツキも小さくなると 考えられる。また、紫外域の 270nmに若干窒素不純部による吸収があるものの、そ れ以外は不純物による吸収がない。窒素量を 0. lppm以下にすれば 270nmの吸 収も見られず、紫外から、遠赤外まで透明な結晶が得られる。
[0024] 本発明者等は、この高純度合成ダイヤモンドの機械的特性を詳細に調べたところ、 天然ダイヤモンドや従来の合成ダイヤモンドに見られな 、特徴を有することを見 、だ した。
[0025] 表 1に、窒素量の異なる合成ダイヤモンド結晶の(100)面の < 100>方向および く 110 >方向のヌープ硬度を測定した結果を示す。(100)面く 100 >方向のヌー プ硬度は、図 1に示すように、窒素量の減少とともに向上する。窒素量 lppm以下の ものは、硬度 lOOOOkgZmm2以上と高硬度である。また、窒素が 3ppm以下の合成 ダイヤモンド結晶においては、(100)面く 110>方向は正常なヌープ圧痕が形成さ れず、非常に硬いことがわかる。図 2に、窒素量 0. lppmの合成 Ila型ダイヤモンド結 晶と、 60— 240ppmの窒素を含む lb型ダイヤモンド結晶、および天然の la型ダイヤ モンド結晶(凝集型窒素不純物を約 lOOOppm含む)の(100)面上の各方位のヌー プ硬度の測定結果を示す。
[0026] [表 1]
Figure imgf000008_0001
[0027] 天然ダイヤモンドや通常の合成ダイヤモンドは(100)面上ではく 100 >方向が < 110 >方向より硬いが、不純物量 3ppm以下のダイヤモンドはこれとは逆の傾向を示 し、特にく 110 >方向は、ヌープ圧子による圧痕が形成されず、極めて硬い。これは 、合成 Ila型ダイヤモンド結晶は圧子押し込みによる変形の起点となる不純物、欠陥 が極めて少ないためと考えられる。なお、不純物 3ppmを越えるとこの傾向は見られ なくなり、天然ダイヤモンド結晶や合成 lb型ダイヤモンド結晶と同様の傾向を示すよう になる。
[0028] 本発明によるダイヤモンド工具では、該ダイヤモンド工具を超精密切削バイトとする 事ができる。上記の低窒素含有ダイヤモンドの高 、硬度により高 、耐摩耗性を持つ 超精密切削バイトを提供することができる。
[0029] また、本発明によるダイヤモンド工具では、該ダイヤモンド工具をミクロトームナイフ やサージカルナイフなどのダイヤモンドナイフとする事ができる。上記の低窒素含有 ダイヤモンドの高い硬度と低欠陥により優れた刃立ち性を持つダイヤモンドナイフを 提供することができる。
[0030] 同じく本発明によるダイヤモンド工具では、該ダイヤモンド工具を線引き用ダイスや ダイヤモンドスタイラスとする事ができる。上記の低窒素含有ダイヤモンドの高 、硬度 と低欠陥により耐摩耗性に優れ、欠陥の少ない線引き用ダイスを提供することができ る。
[0031] さらに、本発明によるダイヤモンド工具では、該ダイヤモンド工具をドレッサーとする 事ができる。上記の低窒素含有ダイヤモンドの高い硬度と低欠陥により、耐摩耗性に 優れ、刃立ち性の良いドレッサーを提供することができる。
[0032] 以上の知見に基づき、不純物量が 3ppm以下、好ましくは 0. lppm以下で、結晶 欠陥の少ない合成ダイヤモンドを用いて工具を作製した。不純物量の低減は、高純 度な炭素源、 Fe— Co溶媒を用い、溶媒に Tiなどの窒素ゲッターを添加することで可 能である。また、線状の転位欠陥は、低欠陥ダイヤモンド結晶から切り出した結晶を 種にすることで、転位欠陥を除去できる。
[0033] 本発明に係る合成単結晶ダイヤモンドは、 1つの局面では、超高圧高温下におい て温度差法によって合成される合成単結晶ダイヤモンドであって、結晶中に原子置 換型で侵入したニッケルを含有することを特徴とする。
[0034] 本発明においては、溶媒中にニッケルを多く含有させたため、淡緑色を呈する合成 単結晶ダイヤモンドとなる。併せて、合成単結晶ダイヤモンド中に原子置換型で侵入 する窒素が減少するため、結晶歪が小さくなり、合成単結晶ダイヤモンドの硬度、耐 摩耗性が向上する。
[0035] 含有窒素量が減少することにより、工具等に使用した場合、刃先へ加工する時の過 度の過熱に基づく酸ィ匕による劣化が抑制されるため、刃立ち性が向上する。
[0036] ニッケル含有量は、 0. 01— lOppmであることが好ましい。ニッケル含有量が ΙΟρρ m以下であれば、合成単結晶ダイヤモンドの硬度、耐摩耗性、刃立ち性に悪影響を 及ぼさず、また合成単結晶ダイヤモンドに美しい淡緑色を呈させる。また、 lOppmを 超えると、過剰な歪のため、本願発明の作用、効果が発揮しにくぐ色も黒くなる。一 方、ニッケル含有量が 0. 0 lppm未満であると、合成単結晶ダイヤモンドの強度等の 機械的、物理的な品質面からは好ましいが、製造にコストと時間がかかる。これはニッ ケルを含む溶媒を用いると結晶の成長速度を大幅に上げることができるからである。 さらに、薄い緑色を呈する面からは、ニッケルが少なくとも lppm含有されているのが 好ましい。
[0037] 窒素含有量は、 0. 01— 3ppmであることが好ましい。この範囲であれば、硬度ゃ耐 摩耗性の向上等の効果が充分に得られると共に、製造コストを抑えることができる。
[0038] 本発明を、工具に使用する合成単結晶ダイヤモンドに適用することにより、硬度の 向上等の効果を大きく発揮する。
[0039] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドを工具の刃先に使用する場合、ロウ材を使用し てシャンク(工具本体)に合成単結晶ダイヤモンドをロウ付けするに際して、チタンが 含まれる活性ロウ材を用いることが比較的低温でロウ付けすることができるため好まし い。
[0040] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドは、窒素含有量が極めて少なぐニッケルを含有 させているため濃黄色を呈さず淡緑色を呈する。このため、宝飾品として使用するこ とが好ましい。
[0041] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドを使用した工具は、高 、硬度、高 、耐磨耗性の 工具として長寿命化等の効果を得ることができる。このような工具としては、ノイト、ド レッサー等が挙げられる。また、本発明の合成単結晶ダイヤモンドを使用した宝飾品 は淡緑色に輝く宝飾品として高い評価を得ることができる。
[0042] 本発明に係る単結晶ダイヤモンドの合成方法は、超高圧高温下にお!/、て温度差法 によって単結晶ダイヤモンドを合成する方法であって、鉄、コバルトの少なくも 1種と、 36重量%以上のニッケルと、 1一 2重量%のチタンと、 3-5. 5重量%の黒 からな る溶媒を使用することを特徴とする。
[0043] 本発明においては、溶媒に 1一 2重量%、好ましくは 1. 5重量%程度含有されてい るチタンが不純物として含まれる窒素と反応して、窒素がダイヤモンド結晶内に侵入 することを阻止する。また、銅等のインクルージョンの発生を防止する元素が添加され ていなくても、上記チタン力 Sインクルージョンとしてダイヤモンド結晶内に侵入すること はない。これは、溶媒中に、周期律表で銅に極めて近い位置を占めるニッケルが 36 重量%、好ましくは 40重量%程含有されているからであると推測される。一方、 -ッケ ルが原子置換型の不純物として lOppm以下ダイヤモンド結晶内に侵入する。
[0044] 種結晶の種面は、(100)面であること力 結晶の成長の面等力 好ましい。また、 合成温度は、原子置換型不純物としてのニッケルのダイヤモンド結晶内への適度の 侵入等の面から 1380± 25°Cが好まし!/、。
[0045] 合成速度は、経済性、原子置換型不純物としてのニッケルのダイヤモンド結晶内へ の適度の侵入等の面から 3. 9-4. 7mgZhr (時間)であることが好ましい。
[0046] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドは、他の局面では、超高圧高温下で温度差法に よって合成される合成単結晶ダイヤモンドであって、結晶中に原子置換型で侵入し たホウ素とニッケルとを含有する。
[0047] 本発明においては、溶媒中のニッケルの含有量を多くしまたチタン等の窒素ゲッタ 一とホウ素を添加したため、合成単結晶ダイヤモンド内に原子置換型で侵入する窒 素が減少し、逆に原子置換型で侵入したホウ素とニッケルを含有する合成単結晶ダ ィャモンドが得られる。
[0048] 主に、含有窒素量が減少することにより、結晶歪が小さくなり、さらにホウ素を含有 することにより高硬度、高耐摩耗性を有する合成単結晶ダイヤモンドが得られる。含 有窒素量が減少することにより、工具等に使用した場合、刃先に加工する時の過度 の過熱に基づく酸ィ匕による劣化が抑制されるため刃立ち性が向上する。また、上記 合成単結晶ダイヤモンドは、ホウ素を含有するため、導電性をも有することとなる。さ らに、合成単結晶ダイヤモンドは、ホウ素とニッケルを含有するため、薄青緑色を呈 する。
[0049] ホウ素量は、 1一 300ppmであることが好ましい。 300ppm以下であれば、溶媒金 属がダイヤモンド結晶内に不純物として取り込まれることが少なぐ耐摩耗性も優れて いることによる。また、 300ppmを超えると結晶が脆くなり、色も黒くなるため実用に供 することが困難になることによる。また、 lppm以上、特に 5ppmを超えると、適度の薄 青緑色を呈し、併せて適度の導電性を有するからである。
[0050] ニッケル量は、 0. 01— lOppmであることが好ましい。 lOppm以下であれば、薄青 緑色を呈し、またチタン等の窒素ゲッターの作用と併せて窒素のダイヤモンド結晶内 への原子置換型の侵入が相対的に少なくなり、このため硬度、耐摩耗性、刃立ち性 が良好な単結晶ダイヤモンドになるからである。また、 lOppmを超えると、過剰な歪 が発生し、色も黒くなるからである。また、 0. Olppm未満であると製造に時間とコスト がかかるからである。さら〖こ、共存するホウ素とあいまって薄青緑色を呈する面からは
、少なくも lppm含まれるのが好ましい。
[0051] 窒素量は、 3ppm以下であることが好ましい。 3ppm以下であれば、ダイヤモンド結 晶の歪が小さぐこのため硬度、耐摩耗性、刃立ち性が良好になるからである。
[0052] 本発明は、工具に使用する合成単結晶ダイヤモンドに適用することにより、優れた 耐摩耗性等の効果を大きく発揮する。
[0053] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドを工具の刃先に使用する場合、ロウ材を使用し てシャンク(工具本体)にロウ付けするに際して、チタンが含まれる活性ロウ材を用い ることが比較的低温でロウ付けすることが出来るため好ましい。
[0054] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドは、窒素をほとんど含有せず、ホウ素とニッケル を含有するため、薄青緑色を呈する。このため、宝飾品として使用することが好ましい
[0055] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドを使用した工具は、高 、硬度、高 、耐磨耗性を 有する工具として長寿命化等の効果を得ることができる。このような工具としては、バ イト等を挙げられる。また、本発明の合成単結晶ダイヤモンドを使用した宝飾品は薄 青緑に輝く宝飾品として高い評価を得ることができる。
[0056] 本発明に係る単結晶ダイヤモンドを合成する方法は、他の局面では、超高圧高温 下において温度差法によって単結晶ダイヤモンドを合成する方法であって、鉄、コバ ルトの少なくとも 1種と、 36重量%以上のニッケルと、 1一 2重量%のチタンと、 0. 1一 0. 2重量%のホウ素と、 3-5. 5重量%の黒鉛力 なる溶媒を使用することを特徴と する。
[0057] 本発明においては、溶媒に 1一 2重量0 /0、好ましくは 1. 5重量0 /0程度(± 10%)含 有されて!/ヽる窒素ゲッター(実施の形態ではチタン)が不純物として含まれて!/ヽる窒 素と反応して、窒素がダイヤモンド結晶内に侵入するのを阻止する。また、銅等のィ ンクルージョンの発生を防止する元素が添加されて 、なくても、チタン等の窒素ゲッ ター力インクルージョンとしてダイヤモンド結晶内に侵入することはない。これは、溶 媒中に、周期律表で銅に極めて近い位置を占めるニッケルが 36重量%、好ましくは 40重量%程含有されている力 であると推測される。一方、ニッケルが原子置換型の 不純物として lOppm以下ダイヤモンド結晶内に侵入する。また、溶媒に 0. 1-0. 2 重量%、好ましくは 0. 15重量%程度含有されているホウ素も、原子置換型の不純物 として 300ppm以下ダイヤモンド結晶内に侵入する。
[0058] また、種結晶の種面は、ダイヤモンド結晶の(100)面であることが、ホウ素の均一な 分散やダイヤモンド結晶の成長の面力 好まし 、。
[0059] また、合成温度は、原子置換型不純物としてのニッケルおよびホウ素のダイヤモン ド結晶内への適度の侵入等の面から 1350士 30°Cが好まし!/、。
[0060] また、合成速度は、経済性、原子置換型不純物としてのニッケルおよびホウ素のダ ィャモンド結晶内への適度の侵入等の面から 3. 1-3. 8mgZhr (時間)であること が好ましい。
[0061] 本発明に係るダイヤモンド宝飾品は、上述の合成単結晶ダイヤモンドを用いて作製 される。
発明の効果
[0062] 単結晶ダイヤモンドを用いる工具にお!、て、窒素不純物の量の少な!/、合成ダイヤ モンドを用いることにより、その高硬度および低欠陥により従来のダイヤモンド工具よ りはるかに優れた、刃立性、耐摩耗性、品質の安定性を有するダイヤモンド工具を提 供することができる。
[0063] 本発明の合成単結晶ダイヤモンドは、合成単結晶ダイヤモンド中に原子置換型で 侵入した窒素が少ぐこのため結晶歪が小さくなり、硬度と耐磨耗性が向上し、好まし い工具を製造することができる。また、溶媒中にニッケルを含有させているため、速い 成長速度で合成可能なため製造コストを低減することができる。また、淡緑色を呈す るため、高い価値を有する宝飾品を提供することができる。
[0064] また、本発明の合成単結晶ダイヤモンドによれば、元素置換型の不純物として結晶 中に含まれる窒素の含有率が少なぐ適度のホウ素を含むため耐磨耗性に優れた合 成単結晶ダイヤモンドが得られる。また、工具の刃先用として有用な耐磨耗性等に優 れた合成単結晶ダイヤモンドが得られる。また、適度の導電性を有する合成単結晶 ダイヤモンドが得られる。また、元素置換型の不純物として結晶中にニッケルとホウ素 を含有するため、宝飾用として価値の高い薄青緑色を呈する合成単結晶ダイヤモン ドが得られる。また、以上の合成単結晶ダイヤモンドが、低コストで得られる。
図面の簡単な説明
[0065] [図 1]合成ダイヤモンドの(100)面く 100>方向のヌープ硬度を示す図である。
[図 2]各種ダイヤモンドの(100)面上の各方位のヌープ硬度を示す図である。
[図 3]本発明の実施の形態 3における合成単結晶ダイヤモンドの合成装置の概念図 である。
[図 4A]本発明の実施の形態 3における合成単結晶ダイヤモンドを使用した工具の刃 先を示す側面図である。
[図 4B]図 4Aに示す工具の刃先の平面図である。
[図 5]本発明の実施の形態 3における合成単結晶ダイヤモンドを使用したドレッサの 斜視図である。
[図 6]本発明の実施の形態 4における合成単結晶ダイヤモンドの合成装置の概念図 である。
[図 7A]本発明の実施の形態 4における合成単結晶ダイヤモンドを使用した工具の刃 先を示す側面図である。
[図 7B]図 7Aに示す工具の刃先の平面図である。
符号の説明
[0066] 11 炭素源、 12 溶媒金属、 13 種結晶、 14 絶縁体、 15 黒鉛ヒータ、 16 圧力 媒体、 21 合成単結晶ダイヤモンドの刃先、 22 ロウ付け層、 23 シャンク先端、 31 合成単結晶ダイヤモンドのドレッサ、 32 焼結部。
発明を実施するための最良の形態
[0067] 以下、本発明の実施の形態について説明する。
[0068] (実施の形態 1)
高圧下の温度差法によるダイヤモンド結晶の合成において、原料に高純度黒鉛、 溶媒に Fe— Co溶媒を用い、窒素ゲッターとして Tiを 1. 5重量%、溶媒に添加し、種 結晶に低欠陥結晶を用い(001)面を種面にして、圧力 5. 5GPa、温度 1350°C、合 成時間 70時間で、約 0. 8カラットの高純度 Ila型ダイヤモンド単結晶を合成した。
[0069] 得られたダイヤモンド結晶は、無色透明で、紫外可視スペクトル、赤外スペクトルと も、窒素などの不純物による吸収がほとんど認められず、不純物 0. lppm以下の高 純度 Ila型結晶であった。また、偏光顕微鏡観察より、内部歪がほとんどなぐ X線トポ グラフ観察により、結晶欠陥がほとんどないことを確認した。
[0070] 上記のようにして得られたダイヤモンド結晶から次のようにしてダイヤモンドバイトを 作製した。該ダイヤモンド結晶を、長さ 3mm、幅 lmm、厚み lmmに加工し、これを ノイトシャンクにロウ付けした。この際、ロウ付けには Tiが含まれる活性ロウ材を使用 すると比較的低温でロウ付けすることができ、単結晶ダイヤモンド表面の熱劣化が少 なくなるため好ましい。更にダイヤモンド素材とシャンクの間のロウ層は 100 μ m以上 あれば作製されたバイト先端部にロウ付けの際の残留応力が少なくなるので好ましい 。また、単結晶ダイヤモンド素材のロウ付け面を確保するため上下面は(100)面とし た。その後、刃先を先端 RlO /z n^先端角 45度のダイヤモンドバイトを作製した。
[0071] その場合先端部の面方位は(110)面とすれば研磨加工が容易となり工具先端部 の強度、刃立ち性を良くすることができる。また、ダイヤモンドバイト作製にはダイヤモ ンド遊離砲粒を铸鉄盤の上に付し高速回転するスカイフ研磨装置を使用した。以上 のようにして作製したダイヤモンドバイトの刃先先端部は数ミクロンあるいはそれ以下 の大きさの微小欠けが全く確認できな力つた。このダイヤモンドバイトを精密旋盤に取 り付け回転速度 800rpm、送り速度 0. 3 μ mZr、切り込み 1 μ mの条件で金型表面 にメツキ処理された金属 Ni部分を切削した結果、送りマークも見られず高精度な鏡面 が得られた。
[0072] (実施の形態 2)
窒素ゲッターの Tiの添加量を 1. 5重量%として、他は実施の形態 1と同様にして、 約 0. 8カラットの高純度 Ila型ダイヤモンド単結晶を合成した。得られたダイヤモンド 結晶は、薄く黄色味があり、紫外可視スペクトルに孤立置換型の窒素不純物による 吸収が若干見られ、窒素不純物量は約 2. 8ppmであった。偏光顕微鏡観察より、内 部歪がほとんどなぐ X線トポグラフ観察により結晶欠陥がほとんどないことを確認した
[0073] 上記のようにして得られたダイヤモンド結晶から、実施の形態 1と同様にしてダイヤ モンドバイトを作製した。このダイヤモンドバイトの刃先先端部は数ミクロンあるいはそ れ以下の大きさの微小欠けが全く確認できな力つた。このダイヤモンドバイトを精密 旋盤に取り付け、実施の形態 1と同様の条件で金型表面にメツキ処理された金属 Ni 部分を切削したところ、送りマークも見られず高精度な鏡面が得られた。
[0074] (比較例 1)
窒素ゲッターを用いずに、他は実施の形態 1と同様にしてダイヤモンドを合成した。 得られたダイヤモンドは、約 1カラットの窒素不純物を含んだ lb型結晶で、黄色を呈し ていた。赤外吸収スペクトルより見積もった窒素量は約 60ppmであった。この合成 lb 型ダイヤモンド結晶より、実施の形態 1と同様にして超精密切削バイトを作製した。実 施の形態 1のバイトに比べ、刃立性があまりよくなぐ耐摩耗性にも劣ったものであつ た。
[0075] (比較例 2)
天然のダイヤモンド la型を用 、て実施の形態 1と同様にダイヤモンドバイトを作製し た。刃先に欠陥があつたためか、刃立性が悪ぐ切削時の摩耗も大き力つた。
[0076] (実施の形態 3)
次に、本発明の実施の形態 3について説明する。
[0077] <合成について >
先ず、ダイヤモンドの合成について説明する。
[0078] 図 3に、本実施の形態のダイヤモンドの合成装置を示す。図 3において、 11は炭素 源、 12は溶媒金属、 13は種結晶、 14は絶縁体、 15は黒鉛ヒータ、 16は圧力媒体で ある。
[0079] 炭素源 11には、黒鉛を使用した。溶媒金属 12は、必須の成分としてニッケルを 42 重量%、窒素ゲッターとしてチタンを 1. 5重量%含む。
[0080] 残りは鉄が 53重量%、コバルトが 5重量%、黒鉛が 4. 5重量%であり、これらは全 て粒径 50から 100ミクロンの高純度粉末を用いた。なお、鉄、コバルトの配合比率は かなりの自由度がある。また、種結晶としては、合成ダイヤモンドの砲粒の(100)面を 種面とした。
[0081] この下で、 5. 5GPa、 1380°Cで、炭素源と種結晶の温度差は 30°Cとして、 70時間 保持し、 1. 5カラット(1カラットは、 200mgである)の単結晶ダイヤモンドを 10個合成 した。
[0082] 得られた単結晶ダイヤモンドは、(100)面が大きぐ紫外可視スペクトルおよび赤外 スペクトルの吸収を測定して、窒素は 3ppm以下であり、ニッケルは lOppm以下であ るのを確認した。ただし、淡緑色がついているため、ニッケルは少なくも淡緑色がつき 始める濃度である lppmは含まれており、 1. 5— 2ppmは含まれているものと思われ る。
[0083] また、偏光顕微鏡による観察では、内部歪がほとんどな力つた。さらに、 X線トボグラ フによる観察では、結晶欠陥はほとんどな力つた。
[0084] <工具の刃先の製造 >
次に、本実施の形態の合成ダイヤモンドを、工具の刃先に使用する場合について 説明する。
[0085] 上述の合成ダイヤモンドをカ卩ェして、刃先用に長さ 5mm、幅 lmm、厚さ lmmの合 成単結晶ダイヤモンド素材を作製した。さらに、この素材をシャンクにロウ付けした。 なお、このロウ付けには、チタンを含む活性ロウ材を用いた。チタンを含む活性ロウ材 は、比較的低温でロウ付けが可能であり、このため単結晶ダイヤモンド表面の熱劣化 が少、なくなる。
[0086] また、バイト先端部に熱応力が残留しないよう、ロウ層の厚さは 100 m以上とした
。さらに、ロウ付け面を確保するため、ダイヤモンド素材の上下面は(100)面とした。
[0087] し力る後、高速回転する研磨装置を用いて、先端 R100 μ m、先端角 30度、すく 、 角 20度のダイヤモンドバイトの刃先を形成した。この刃先先端は、 1 m以上の欠け がなぐ鋭利であることを確認した。
[0088] この刃先を、図 4A、図 4Bに示す。図 4A、図 4Bにおいて、 21は刃先の合成単結 晶ダイヤモンドである。 Rは先端の直径であり、すくい角 exは 20度であり、先端角 β は 30度である。 22は、チタンを含むロウ付け層である。 23は、シャンク先端である。
[0089] このダイヤモンドバイトを精密旋盤に取付け、被切削部直径 5mm、回転速度 3000 rpm、送り速度 0. 3 μ mZr、切り込み 0. 1 μ mの切削条件で、金属金型表面にめつ きされたニッケルを精密切削し、高精度な鏡面を得た。
[0090] 従来の合成単結晶ダイヤモンドを使用したものでは、同じ切削条件での工具寿命 は 58個であった力 本発明品の工具寿命は 93個であった。この結果、本実施の形 態の合成単結晶ダイヤモンドは、工具の刃先用の素材として好適であることが確認で きた。
[0091] <ドレッサーの製造 >
次に、本実施の形態の合成単結晶ダイヤモンドを、ドレッサに使用する場合につい て説明する。
[0092] 上述の装置、方法で合成したダイヤモンドの原石を(111)面に沿って厚さ 0. 8mm にへき開し、レーザにて切断して、長さ 3mm、幅 0. 8mm、厚さ 0. 8mmの短冊状の 素材を製作した。この短冊状の素材 3個をニッケルを主成分とする焼結用の粉末中 に配置し、焼結した。
[0093] なお、短冊状の素材は、長面部分がへき開面(111)およびレーザ切断面(110)と なり、ドレッシング面が(211)面となるようにしている。このため、短冊状の素材からな る試験片の端面がドレッシング面となるので、研磨方向く 110 >と平行になる。
[0094] このドレッサを、図 5に示す。図 5において、 31は短冊状の合成単結晶ダイヤモンド 素材であり、 32はその焼結部である。
[0095] このドレッサを、砥石周速 1500rpm、砥石 SN80N8V51S (ノリタケ製、 405 X 50
X 127mm)、切込量 0. ImmZpass、送り 0. 5mmZrevの湿式条件(研削油:ノリ タケクール NK88)で、砥石の回転軸に平行な方向へ 20分往復運動させてドレッシ ングを行って磨耗量を測定した。
[0096] また、同じ条件で従来の合成単結晶ダイヤモンドを使用したドレッサについても磨 耗量を測定した。その結果は、表 2の通りであり、本実施の形態の合成単結晶ダイヤ モンドは、従来の合成単結晶ダイヤモンドより磨耗量が著しく少なぐドレッサ素材とし て好適であることが確認できた。
[0097] [表 2]
Figure imgf000018_0001
[0098] <宝飾用への使用 >
最後に、本実施の形態の合成単結晶ダイヤモンドの宝飾品への使用について説 明する。
[0099] 上述の装置、方法で合成した 1. 55カラットのダイヤモンドを、スカイフ研磨盤によつ てラウンドブリリアンカット力卩ェを施した。
[0100] 得られた 0. 45カラットの宝飾用のダイヤモンドは、欠け、割れは一切なぐやや緑 色を呈した鮮やかなダイヤモンドであった。
[0101] (実施の形態 4)
以下、本発明の実施の形態 4について説明する。
[0102] <合成について >
先ず、本実施の形態のダイヤモンドの合成にっ 、て説明する。
[0103] 図 6に、本実施の形態の単結晶ダイヤモンドの合成装置を示す。図 6において、 11 は炭素源であり、 12は溶媒金属であり、 13は種結晶であり、 14は絶縁体であり、 15 は黒船ヒータであり、 16は圧力媒体である。
[0104] 炭素源 11には、黒鉛を使用した。溶媒金属 12は、必須成分としてのニッケルを 42 重量%、ホウ素を 0. 15重量%、窒素ゲッターとしてチタンを 1. 5重量%含む。残りは 、鉄が 46. 85重量%、コバルトが 5重量%、黒鉛が約 4. 5重量%であり、これらは全 て粒径 50から 100ミクロンの高純度粉末を用いた。なお、鉄、コバルトの配合比率は 、かなりの程度変更可能である。種結晶としては、合成ダイヤモンド砲粒の(100)面 を種面とした。
[0105] この下で、 5. 5GPa、 1350°Cで、炭素源と種結晶の温度差は 30°Cとして 70時間 保持し、 1. 2カラット(1カラットは、 200mgである)の単結晶ダイヤモンドを 10個合成 した。
[0106] 得られた合成単結晶ダイヤモンドは、(100)面が大きぐ紫外可視スペクトルおよび 赤外スペクトルによると、窒素は 3ppm以下であり、ホウ素は 50ppm、ニッケルは ΙΟρ pm以下であった。ただし、ダイヤモンド結晶の色彩は、ホウ素に起因する青色の他 にニッケルに起因する緑色が混じった薄青緑であるため、ニッケルは少なくも lppm 含まれているものと思われる。 [0107] また、偏光顕微鏡による観察では、内部歪がほとんどな力つた。さらに、 X線トボグラ フによる観察では、結晶欠陥はほとんどな力 た。また、ダイヤモンド単結晶の電気 抵抗を測定したところ、 10ないし 100 Ω ' cmであり、適度の導電性を有しているのを 確認できた。
[0108] <工具の刃先の製造 >
次に、本実施の形態の合成単結晶ダイヤモンドを、工具の刃先に使用する場合に ついて説明する。
[0109] 上述の合成単結晶ダイヤモンドをカ卩ェして、ダイヤモンドエンドミルの刃先用に長さ 5mm、幅 lmm、厚さ lmmの合成単結晶ダイヤモンド素材を製作した。さらに、この 素材をシャンクにロウ付けした。なお、このロウ付けには、チタンを含む活性ロウ材を 用いた。このロウ材は比較的低温でロウ付けが可能であり、このため合成単結晶ダイ ャモンド表面の熱劣化が少なくなる。
[0110] また、ダイヤモンドバイト先端部に熱応力が残留しないよう、ロウ層の厚さは 100 /z m以上とした。さらに、ロウ付け面を確保するため、ダイヤモンド素材の上下面は(10 0)面とした。
[0111] し力る後、高速回転する研磨装置を用いて、先端 RlOO /z n^先端角 30度、すくい 角 20度のダイヤモンドバイトの刃先を形成した。この刃先先端は、 1 m以上の欠け がなぐ鋭利であることを確認した。
[0112] この刃先を、図 7A、図 7Bに示す。図 7A、図 7Bにおいて、 21は刃先の合成単結 晶ダイヤモンドである。 Rは、先端の直径であり、すくい角 exは 20度であり、先端角 β は 30度である。 22は、チタンを含むロウ付け層である。 23は、シャンク先端である。
[0113] このダイヤモンドバイトを精密旋盤に取付け、被切削部直径 5mm、回転速度 3000 rpm、送り速度 0. 3 μ mZr、切り込み 0. 1 μ mの切削条件で、金属金型表面にめつ きされたニッケルを精密切削し、高精度な鏡面を得た。
[0114] 従来の合成単結晶ダイヤモンドを使用したものでは、同じ切削条件での工具寿命 は 58個であった力 本発明品の工具寿命は 85個であった。この結果、本実施の形 態の合成単結晶ダイヤモンドは、工具の刃先用の素材として好適であることが確認で [0115] 本実施の形態の合成単結晶ダイヤモンドは、適度の導電性を有しているため、自 動工具交換が可能な設備に取付けた場合には、工具の電気抵抗を測定することに より被削物に対する接触の有無の判断が可能になる。このため、工具の管理や製品 の品質管理も容易になる。
[0116] <宝飾用への使用 >
最後に、本実施の形態の合成単結晶ダイヤモンドの宝飾品への使用について説 明する。
[0117] 上述の装置、方法で合成した 1. 2カラットの合成単結晶ダイヤモンドに、スカイフ研 磨盤によってラウンドブリリアンカット加工を施した。
[0118] 得られた 0. 36カラットの宝飾用の合成単結晶ダイヤモンドは、欠け、割れは一切な く、やや緑色を呈した鮮やかなダイヤモンドであった。
[0119] 以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の特 徴を適宜組合せることも当初カゝら予定している。また、今回開示された実施の形態は すべての点で例示であって制限的なものではな 、と考えられるべきである。本発明の 範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲 内でのすべての変更が含まれることが意図される。
産業上の利用可能性
[0120] 本発明は、ダイヤモンド工具、合成単結晶ダイヤモンドおよび単結晶ダイヤモンド の合成方法ならびにダイヤモンド宝飾品に有効に適用され得る。

Claims

請求の範囲
[I] 高圧下の温度差法により人工的に合成された単結晶ダイヤモンドを用いて作製さ れたダイヤモンド工具において、ダイヤモンド結晶中の不純物量が 3ppm以下である ことを特徴とするダイヤモンド工具。
[2] 前記ダイヤモンド結晶中の不純物量が 0. lppm以下である、請求項 1に記載のダ ィャモンド工具。
[3] 前記ダイヤモンド工具が、超精密切削バイト、ミクロトームナイフ、ダイヤモンドナイ フ、ダイヤモンドスタイラス、線引用ダイス、ドレッサーのいずれかである、請求項 1に 記載のダイヤモンド工具。
[4] チタンを含む活性ロウ材(22)により前記ダイヤモンドを工具本体に取付けた、請求 項 1に記載のダイヤモンド工具。
[5] 高圧下の温度差法により人工的に合成された単結晶ダイヤモンドを用いて作製さ れたダイヤモンド工具にぉ 、て、ダイヤモンド結晶中に含まれる窒素含有量が 3ppm 以下で、かつ前記ダイヤモンド結晶中にニッケルを含有することを特徴とするダイヤ モンド工具。
[6] 前記ニッケルの含有量力 0. Olppm以上 lOppm以下である、請求項 5に記載の ダイヤモンド工具。
[7] チタンを含む活性ロウ材(22)により前記ダイヤモンドを工具本体に取付けた、請求 項 5に記載のダイヤモンド工具。
[8] 高圧下の温度差法により人工的に合成された単結晶ダイヤモンドを用いて作製さ れたダイヤモンド工具にぉ 、て、ダイヤモンド結晶中に含まれる窒素含有量が 3ppm 以下で、かつ前記ダイヤモンド結晶中にホウ素とニッケルを含有することを特徴とす るダイヤモンド工具。
[9] 前記ホウ素の含有量が、 0. Olppm以上 300ppm以下である、請求項 8に記載の ダイヤモンド工具。
[10] 前記ニッケルの含有量力 0. Olppm以上 lOppm以下である、請求項 8に記載の ダイヤモンド工具。
[II] チタンを含む活性ロウ材(22)により前記ダイヤモンドを工具本体に取付けた、請求 項 8に記載のダイヤモンド工具。
[12] 超高圧高温下において温度差法によって合成される合成単結晶ダイヤモンドであ つて、
結晶中に原子置換型で侵入したニッケルを含有することを特徴とする合成単結晶 ダイヤモンド。
[13] 前記ニッケルの含有量力 0. Olppm以上 lOppm以下である、請求項 12に記載 の合成単結晶ダイヤモンド。
[14] 窒素の含有量が、 0. Olppm以上 3ppm以下である、請求項 12に記載の合成単結 晶ダイヤモンド。
[15] 前記合成単結晶ダイヤモンドを工具に使用する、請求項 12に記載の合成単結晶 ダイヤモンド。
[16] チタンを含む活性ロウ材(22)により前記合成単結晶ダイヤモンドを前記工具の先 端部(23)に取付けた、請求項 15に記載の合成単結晶ダイヤモンド。
[17] 前記合成単結晶ダイヤモンドを宝飾品に使用する、請求項 12に記載の合成単結 晶ダイヤモンド。
[18] 請求項 12に記載の合成単結晶ダイヤモンドを備える、ダイヤモンド工具。
[19] 請求項 12に記載の合成単結晶ダイヤモンドを備える、ダイヤモンド宝飾品。
[20] 超高圧高温下にお!/、て温度差法によって単結晶ダイヤモンドを合成する方法であ つて、
鉄、コバルトの少なくも 1種と、 36重量%以上のニッケルと、 1重量%以上 2重量% 以下のチタンと、 3重量%以上 5. 5重量%以下の黒鉛からなる溶媒を使用することを 特徴とする単結晶ダイヤモンドの合成方法。
[21] 種結晶(13)の種面は、ダイヤモンド結晶の(100)面である、請求項 20に記載の単 結晶ダイヤモンドの合成方法。
[22] 合成温度は、 1380± 25°Cである、請求項 20に記載の単結晶ダイヤモンドの合成 方法。
[23] 合成速度は、 3. 9mgZhr以上 4. 7mgZhr以下である、請求項 20に記載の単結 晶ダイヤモンドの合成方法。
[24] 超高圧高温下で温度差法によって合成される合成単結晶ダイヤモンドであって、 結晶中に原子置換型で侵入したホウ素とニッケルとを含有することを特徴とする合成 単結晶ダイヤモンド。
[25] 前記ホウ素の含有量は、 lppm以上 300ppm以下である、請求項 24に記載の合成 単結晶ダイヤモンド。
[26] 前記ニッケルの含有量は、 0. Olppm以上 lOppm以下である、請求項 24に記載 の合成単結晶ダイヤモンド。
[27] 窒素の含有量は、 3ppm以下である、請求項 24に記載の合成単結晶ダイヤモンド
[28] 前記合成単結晶ダイヤモンドを工具に使用する、請求項 24に記載の合成単結晶 ダイヤモンド。
[29] チタンを含む活性ロウ材(22)により前記合成単結晶ダイヤモンドを前記工具の先 端部(23)に取付けた、請求項 28に記載の合成単結晶ダイヤモンド。
[30] 前記合成単結晶ダイヤモンドを宝飾品に使用する、請求項 24に記載の合成単結 晶ダイヤモンド。
[31] 請求項 24に記載の合成単結晶ダイヤモンドを備える、ダイヤモンド工具。
[32] 請求項 24に記載の合成単結晶ダイヤモンドを備える、ダイヤモンド宝飾品。
[33] 超高圧高温下にお!/、て温度差法によって単結晶ダイヤモンドを合成する方法であ つて、
鉄、コバルトの少なくとも 1種と、 36重量%以上のニッケルと、 1重量%以上 2重量% 以下のチタンと、 0. 1重量%以上 0. 2重量%以下のホウ素と、 3重量%以上 5. 5重 量%以下の黒鉛力もなる溶媒を使用することを特徴とする単結晶ダイヤモンドの合成 方法。
[34] 種結晶(13)の種面は、ダイヤモンド結晶の(100)面である、請求項 33に記載の単 結晶ダイヤモンドの合成方法。
[35] 合成温度は、 1350± 30°Cである、請求項 33に記載の単結晶ダイヤモンドの合成 方法。
[36] 合成速度は、 3. lmgZhr以上 3. 8mgZhr以下である、請求項 33に記載の単結 晶ダイヤモンドの合成方法。
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