WO2005016845A1 - 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品 - Google Patents

誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品 Download PDF

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    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Definitions

  • Dielectric ceramic composition Dielectric ceramic composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component
  • the present invention relates to a dielectric porcelain composition that can be used as a dielectric material for a capacitor
  • the present invention relates to a multilayer ceramic capacitor and an electronic component having a portion made of a dielectric material.
  • a titanate as a main component such as barium titanate (BaTiO 3) is attracted between electrodes.
  • Multilayer ceramic capacitors used as electric conductor materials are characterized by their small size, large capacity, excellent electrical properties in the high frequency band, excellent heat resistance, and easy mass production. It is an indispensable part for consumer and consumer electronic devices.
  • An organic binder, a plasticizer, a solvent, a dispersant, and the like are added to the raw material powder of the porcelain composition in step 3, and these are mixed to prepare a slurry.
  • a green sheet of a ceramic composition is prepared from the slurry by a doctor blade method or the like.
  • a conductive paste containing a metal powder for forming an internal electrode is printed on the surface of the green sheet.
  • a plurality of green sheets having the conductive paste printed on the surface in this manner are pressure-bonded in a state where the conductive paste and the green sheets are stacked alternately.
  • the laminate is fired at a predetermined firing temperature to be integrated (firing step).
  • the ceramic composition in each green sheet is sintered to form a ceramic dielectric layer, and the metal powder in each conductive paste is sintered to form an internal electrode.
  • the BaTiO-based porcelain composition is appropriately sintered in the above-described firing step to form a multilayer ceramic capacitor.
  • the porcelain composition In order to exhibit good dielectric properties in a denser, the porcelain composition needs to be fired at a high temperature of about 1150-1350 ° C. in the firing step.
  • the metal material for forming the internal electrodes can be fired at the same firing temperature as the porcelain composition, which has a higher melting point than the firing temperature in the firing process, and is substantially oxidized in the firing process in which the force goes through a high temperature. Need not be.
  • Pd, Pt, and their alloys are known as metallic materials that satisfy such requirements. However, these metal materials are not preferred because they are expensive. When these metal materials are used as the internal electrode materials, as the number of layers increases in order to increase the capacity of the multilayer ceramic capacitor, the ratio of the electrode material cost to the manufacturing cost of the multilayer ceramic capacitor increases. .
  • Ni and Ni alloys as internal electrode materials has been studied. However, Ni may be oxidized in high-temperature baking in an atmosphere containing oxygen such as the air, and may lose its function as an electrode. In addition, the oxide of Ni may dissolve in the porcelain composition and deteriorate the performance of the capacitor.
  • the firing step is performed in a reducing atmosphere or a low oxygen atmosphere containing hydrogen to prevent the oxidation of Ni
  • the BaTiO-based porcelain composition is reduced and the valence of Ti decreases from 4 to 3
  • oxygen vacancies increase in the BaTiO-based porcelain composition, and the life of the porcelain composition (time until insulation deterioration) tends to be shortened.
  • multilayer ceramic capacitors that use N or Ni alloy as the internal electrode material have performance similar to or better than multilayer ceramic capacitors with Pd internal electrodes according to the conventional technology. It is difficult to get.
  • Patent Document 1 JP-A-61-36170
  • Patent Document 2 JP-A-6-5460
  • Patent Document 3 JP-A-6-342735
  • Patent Document 4 JP-A-8-124785
  • Patent Document 5 JP-A-9-1171937
  • the present invention has been conceived under such circumstances, and has a high insulation resistance even when fired in a reducing atmosphere, and a degree of deterioration of the insulation resistance (IR) over time.
  • the reduction-resistant dielectric ceramic composition has a small (ie, a long IR accelerated life) and a small change in capacitance with temperature, and the composition is used as a material for a dielectric layer between electrodes. It is an object of the present invention to provide a multilayer ceramic capacitor and an electronic component having a portion made of the composition.
  • a dielectric ceramic composition is composed of 100 mole parts of BaTiO, x monolithic part of MnO, x mole part of Cr ⁇ , Y ⁇ and / or
  • oxides selected from the group consisting of Ba ⁇ , CaO, SrO
  • Total X molar parts including Si ⁇ and / or GeO total X molar parts, 0.5 ⁇ x ⁇ 4.5, 0. 05 ⁇ x ⁇ 1.0, x + x ⁇ 4.55, 0.25 ⁇ x ⁇ 1.5, 0.5 ⁇ x ⁇ 6, and 0.5 ⁇ x ⁇ 6
  • the dielectric ceramic composition according to the first aspect of the present invention preferably further has a V ⁇ of 0.01-1.0.
  • the dielectric ceramic composition of the first aspect of the present invention preferably further contains 0.2 to 1.0 mol parts of A 1 O and Z or B ⁇ in total.
  • a multilayer ceramic capacitor having a multilayer structure including a ceramic dielectric and electrodes.
  • the ceramic dielectric comprises a dielectric porcelain composition having one of the configurations described above with respect to the first aspect of the present invention.
  • the electrode is made of Ni or an alloy containing Ni.
  • an electronic component is the
  • the present inventors have been concerned with BaTiO-based dielectric porcelain compositions that achieve the above-mentioned objects, and
  • BaTiO2 containing MnO and Cr2O was used as a basic composition, and additional components for further improving each performance were studied. As a result, it was confirmed that the addition of rare-earth elements such as Y ⁇ and Ho O improves the IR accelerated life (reliability).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor.
  • FIG. 2 is a table summarizing the composition (excluding BaTiO) of a dielectric ceramic composition constituting a dielectric layer in the multilayer ceramic capacitor of Example 121.
  • FIG. 3 is a table summarizing the compositions (excluding BaTiO) of dielectric ceramic compositions constituting dielectric layers in the multilayer ceramic capacitors of Examples 22-33 and Comparative Examples 18-18.
  • FIG. 4 is a table summarizing the results of performance studies performed on the multilayer ceramic capacitor of Example 1-121.
  • FIG. 5 is a table summarizing the results of performance investigations performed on the multilayer ceramic capacitors of Examples 22-33 and Comparative Examples 18-18.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor 10 which is an example of an electronic component formed using the dielectric ceramic composition according to the present invention.
  • the multilayer ceramic capacitor 10 has a dielectric layer 11, a plurality of internal electrodes 12, and a pair of external electrodes 13.
  • the dielectric layer 11 is made of the dielectric ceramic composition of the present invention, and a part thereof is provided so as to be interposed between the internal electrodes 12.
  • One set of internal electrodes 12 is electrically connected to one external electrode 13, and another set of internal electrodes 12 is electrically connected to the other external electrode 13.
  • the inner electrode 12 is made of N or Ni alloy, and the outer electrode 13 is made of, for example, Cu or Cu alloy.
  • the dielectric ceramic composition of the present invention contains BaTiO, MnO, and Cr2O. Also,
  • Mn ⁇ is used to improve the reduction resistance of the present dielectric porcelain composition (ie, to suppress a decrease in insulation resistance of the present dielectric porcelain composition due to firing in a reducing atmosphere). It is contained.
  • the content of Mn ⁇ with respect to 100 mol parts of BaTiO is X monolith part, 0.5 ⁇ x ⁇
  • Mn ⁇ is contained in the range of 4.5. If it is less than X force, the insulation resistance
  • Cr ⁇ has a capacitance in order to improve the reduction resistance and in the presence of MnO.
  • X + x should be 4.55 or less, as it can be too large.
  • the firing temperature required for obtaining a sintered body may be unduly high.
  • An oxide (AO) selected from the group consisting of Ba ⁇ , Ca ⁇ , and Sr ⁇ forces, and SiO and Ge ⁇ forces,
  • a ⁇ is contained in the range of 0.5 ⁇ x ⁇ 6.0.
  • BaTi Assuming that the total content of MO per 100 mole parts of O is x mole parts, the range of 0.5 ⁇ 0.5 ⁇ 6.0
  • MO is contained in the box of 3255. X or less than the X force is sufficient as a sintering aid.
  • the capacitance temperature dependency may increase.
  • the dielectric porcelain composition of the present invention may contain VO.
  • V O is the IR accelerated life
  • V O is contained, it is
  • the dielectric porcelain composition of the present invention may contain Al O and Z or B O.
  • Al O and / or B O further increase the firing temperature required for sintering the dielectric ceramic composition.
  • Is X mole parts, Al O and / or B ⁇ are contained in the range of 0.2 ⁇ 1.0
  • the dielectric ceramic composition of the present invention has a high level, a high insulation resistance and a high level, and a high breakdown voltage when subjected to firing at, for example, 1350 ° C or less in a reducing atmosphere or a low oxygen atmosphere. It is possible to have a sufficient life in a high-temperature, high-voltage acceleration test, and to set a small change in capacitance with respect to a change in temperature.
  • the dielectric constant is 3000 or more at 1 kHz
  • the volume resistance product (CR product) under high voltage (5 V / am) is 2000 ⁇ 'F or more.
  • the breakdown voltage should be 70 V / ⁇ m or more
  • the rate of decrease in capacitance due to the application of a DC voltage of 3 V / am should be 30% or less
  • the insulation resistance when applying a voltage of 30 V / zm at 200 ° C should be 10 5
  • the time until the resistance becomes ⁇ or less (that is, the IR accelerated life) can be set to 1 hour or more.
  • the capacitance temperature dependency Can satisfy the EIA standard X7R characteristics (ie, the rate of change of the capacitance at -55 to 125 ° C is within ⁇ 15% of the capacitance at the reference temperature of 25 ° C), and
  • the JIS B characteristics ie, a change in capacity of -25 to 85 ° C is ⁇ 10% of the capacity at a reference temperature of 20 ° C).
  • the TiO powder and oxides such as Mn, Cr, Y, ⁇ , and V are weighed and mixed so as to have a predetermined composition, and calcined at 80-1200 ° C for 115 hours. Next, the mixed powder after calcination is pulverized. In order to obtain excellent dielectric properties in the porcelain composition, it is preferable to carry out pulverization until the average particle size becomes 0.1 ⁇ m or less.
  • oxide glass powder components that become oxide glass, such as AO (Ba ⁇ , Ca ⁇ , SrO), MO (SiO, GeO), Al ⁇ , and B ⁇ , are heated and melted at high temperature, then rapidly cooled, and pulverized.
  • AO Ba ⁇ , Ca ⁇ , SrO
  • MO SiO, GeO
  • Al ⁇ aluminum ⁇
  • a glass powder, an organic binder, a plasticizer, a solvent, a dispersant, and the like are added to the above-mentioned calcined powder, and these are mixed to prepare a slurry.
  • a green sheet having a predetermined thickness is formed from the slurry by a doctor blade method or the like.
  • a conductive paste containing metal powder for forming internal electrodes is printed on the surface of the green sheet.
  • the plurality of green sheets having the conductive paste printed on the surface in this manner are pressure-bonded in a state where the conductive paste and the green sheets are stacked so that the green sheets are located alternately.
  • this laminate is subjected to pretreatment heating for removing the binder, sintering at a high temperature of 1100-1350 ° C (sintering step) for sintering, and reoxidation treatment in a predetermined oxidizing atmosphere and high temperature.
  • sintering step a high temperature of 1100-1350 ° C
  • reoxidation treatment in a predetermined oxidizing atmosphere and high temperature.
  • the firing temperature is preferably 1350 ° C or lower.
  • a pair of external electrodes 13 which are terminals for connection to an external circuit are formed at predetermined positions of the laminate.
  • the multilayer ceramic capacitor 10 can be manufactured. Wear.
  • Example 11 The composition of the dielectric ceramic composition (excluding BaTiO) constituting the interelectrode dielectric layer of the capacitor of FIG.
  • Table 2 summarizes the composition of the dielectric ceramic composition (excluding BaTiO) constituting the interelectrode dielectric layer of the capacitors of Examples 22-33 and Comparative Examples 18-18. Summarize. In the tables of FIGS. 2 and 3, the relative amount of each oxide relative to 100 mole parts of BaTiO is listed.
  • each of the capacitors of Example 133 and Comparative Example 118 first, the BaTiO powder (average particle diameter 0.4 ⁇ m) obtained by the oxalate coprecipitation method and the MnO powder were used. , Cr 2 O powder, VO powder, and, if added, Y ⁇ powder and Ho 2 O powder were weighed and mixed, and then calcined at 1 100 ° C for 7 hours. Thereafter, the mixed powder was pulverized to obtain a first oxide powder having an average particle size of 0.1 ⁇ m or less.
  • Carbonates added in Ba, Ca, and Sr for obtaining the function of the sintering aid, SiO and Z or Ge O for obtaining the function of the sintering aid, Al O and Z or B ⁇ was weighed and mixed, and then calcined at 1250 ° C. for 2 hours. Thereafter, the powder was pulverized to obtain a second oxide powder having an average particle diameter of 0.1 ⁇ m or less.
  • a raw material powder was obtained by blending these two types of oxide powders with a predetermined composition.
  • a toluene / ethanol solvent containing a plasticizer and a dispersing agent was added to l OOOg of the powdered raw material, and the mixture was dispersed using a ball mill for 2 hours to obtain a slurry having a viscosity of about 200 cps. Prepared. Thereafter, a slurry was applied to the PET film using a lip coater-type coating apparatus to produce a green sheet having a thickness of 2.5 / im.
  • an internal electrode pattern (thickness: 1.5 / m) was formed by printing a conductive paste containing Ni powder on the green sheet. After removing the PET film, which was the base material, from the green sheets having the pattern for internal electrodes formed on the surface in this way, Then, the internal electrode patterns and the green sheets were stacked alternately (effective stacking number: 350) and then heat-pressed.
  • this laminate was cut into a predetermined size to obtain a green chip.
  • the green chip was subjected to a binder removal treatment by heating it in a nitrogen gas at 400 ° C. for 12 hours.
  • the green chip was baked (sintered) by heating at 1100-1350 ° C for 4 hours in a humidified mixed gas of nitrogen and hydrogen.
  • the ceramic composition in each green sheet is sintered to form a dielectric layer, and the Ni powder in each conductive paste is sintered to form an internal electrode.
  • the firing temperature has been specified in advance for each type of green chip or green sheet. Specifically, a sample having the same configuration as that of each green chip was fired while changing the firing temperature, and the lower limit firing temperature at which a dense sintered body was obtained was obtained.
  • the sintered laminate subjected to the firing treatment was annealed by heating at 1000 ° C for 3 hours in a humidified nitrogen gas.
  • each of the capacitors of Example 133 and Comparative Example 118 was produced.
  • the size of each capacitor was 3.1 mm in length, 1.6 mm in width, and 1.6 mm in thickness.
  • the thickness of the effective dielectric layer was 2.0 ⁇ m, and the thickness of the internal electrodes was 1.2 ⁇ m.
  • Example 113 and Comparative Example 118 For each of the eight capacitors, the dielectric constant, the dielectric loss (tan ⁇ ), the CR product, the breakdown voltage, the temperature dependence of the capacitance, the DC-Bias characteristic, and the IR The life was examined. The survey results are shown in the tables of Fig. 4 and Fig. 5.
  • the values of the dielectric constant and the dielectric loss (tan ⁇ ) were determined under the conditions of IV and 1.0 kHz from the capacitance at 20 ° C., the electrode area and the thickness of the dielectric.
  • the CR product was determined by measuring the value of the insulation resistance for 1 minute when 5 V was applied per 1 ⁇ m of dielectric thickness at 25 ° C, and multiplying the measured value by the capacitance. Was.
  • the CR value is an indicator of the magnitude of insulation resistance, and is therefore an indicator of reduction resistance.
  • the breakdown voltage the voltage applied to the capacitor was continuously increased, and the voltage when a current of 10 mA or more flowed was measured with 50 capacitors for each composition.
  • the central value of the 50 measured values for each capacitor is listed in the table as a representative value.
  • the capacitance was measured at various points in the temperature range of -55 to 125 ° C using an LCR meter with the constant side voltage set to IV. It was examined whether the capacitance at ° C was within ⁇ 15%.
  • the B characteristic of the JIS standard use an LCR meter to set the constant side voltage to IV and measure the capacitance at various points in the temperature range of -25 to 85 ° C. It was examined whether the capacitance at C was within ⁇ 10. The case where these conditions are passed is marked with ⁇ , and the case where they are not passed is marked with X.
  • the capacitance when a 6V DC voltage is superimposed and applied with lVrms and 1.0kHz AC voltage is measured, and the capacitance when lVrms and 1.0kHz AC voltage is applied. was determined as the rate of decrease.
  • the DC-Bias characteristic is an indicator of the deterioration of the insulation resistance over time.
  • IR accelerated lifetime in 200 ° C, by applying a DC voltage of 60V (30V / / im), measures the time until the insulation resistance is below 10 5 Omega, the measurement time IR life time. IR accelerated life is an indicator of reliability.
  • the dielectric porcelain composition of the present invention having a predetermined composition containing a glass forming material composed of ⁇ , GeO or the like is suitable for using Ni or the like for an electrode without lowering the performance as a dielectric, and has a firing temperature of 1150. It is a dense sintered body at 1350 ° C.
  • the dielectric constant exceeds 3000, the CR product is 2000 or more, and the breakdown voltage is 80 VZ At xm or more, the temperature dependence of capacitance is small, and the fast life of IR cascade is 1.5 hours or more, which is excellent in reliability. While deviating from the composition range in the present invention, for example, in the capacitor of Comparative Example 1 in which the content of MnO is too low, the CR product is low and the insulation resistance is insufficient.
  • the capacitor of Comparative Example 3 with too low Cr 2 O and the capacitor of Comparative Example 5 with too low a total content of Y O and Ho 2 O have a problem in capacitance temperature dependency.
  • the capacitor of Comparative Example 8 containing too much BaO and SiO has a short IR accelerated life and low reliability.
  • proper sintering could not be performed at 1350 ° C. or lower, so that proper performance adjustment could not be performed.

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Abstract

　本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉＯ3を１００モル部、ＭｎＯをｘ1モル部、Ｃｒ2Ｏ3をｘ2モル部、Ｙ2Ｏ3および／またはＨｏ2Ｏ3をｘ3モル部、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯからなる群より選択される酸化物をｘ4モル部、ＳｉＯ2および／またはＧｅＯ2をｘ5モル部含み、０.５≦ｘ1≦４.５、０.０５≦ｘ2≦１.０、ｘ1＋ｘ2≦４.５５、０.２５≦ｘ3≦１.５、０.５≦ｘ4≦６、および０.５≦ｘ5≦６を満たす。本発明の積層型セラミックコンデンサは、このような組成物により構成されるセラミック誘電体と、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される電極とからなる、積層構造を有する。

Description

明 細 書
誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品 技術分野
[0001] 本発明は、コンデンサの誘電体材料として利用することのできる誘電体磁器組成物
、積層型セラミックコンデンサ、および誘電体材料よりなる部位を有する電子部品に 関する。
背景技術
[0002] チタン酸バリウム（BaTiO )などチタン酸塩を主成分とする磁器組成物が電極間誘
3
電体材料として用いられている積層型セラミックコンデンサは、小型で大容量を得や すぐ高周波帯域における電気的特性がよぐ耐熱性に優れ、量産しやすい、などの 特長を有し、近年の産業用や民生用の電子機器には欠かせない部品である。
[0003] このような積層型セラミックコンデンサの製造においては、例えば、まず、 BaTiO系
3 の磁器組成物の原料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤、分散剤等を添加してこ れらを混連し、スラリーを調製する。次に、ドクターブレード法等により、スラリーから磁 器組成物のグリーンシートを作製する。次に、内部電極形成用の金属粉末を含む導 電ペーストをグリーンシート表面に印刷する。このようにして導電ペーストが表面に印 刷された複数のグリーンシートを、導電ペーストとグリーンシートとが交互に位置する ように積層した状態で、圧着する。次に、この積層体を所定の焼成温度にて焼成して 一体化させる（焼成工程)。焼成工程では、各グリーンシート中の磁器組成物が焼結 してセラミック誘電体層が形成され、各導電ペースト中の金属粉末が焼結して内部電 極が形成される。次に、焼成後の積層体の所定表面に、各々が所定の一組の内部 電極と導通する一対の外部電極が形成される。
[0004] BaTiO系磁器組成物が上述の焼成工程にて適切に焼結して積層型セラミックコン
3
デンサにおいて良好な誘電特性を発揮するためには、当該磁器組成物は、焼成ェ 程において 1150— 1350°C程度の高温で焼成される必要がある。一方、内部電極 を構成するための金属材料は、焼成工程の焼成温度より融点が高ぐ磁器組成物と 同じ焼成温度で焼成でき、し力も高温を経る焼成工程において実質的には酸化され ない必要がある。このような要求を満たす金属材料としては、 Pdや、 Pt、これらの合 金が知られている。し力しながら、これら金属材料は、高価であるので、好ましくない。 これら金属材料を内部電極材料として採用する場合、積層型セラミックコンデンサの 容量を増大すべく積層数を増加するほど、当該積層型セラミックコンデンサの製造コ ストに占める電極材料コストの割合は増大してしまう。
[0005] そのため、比較的に安価で、比抵抗が小さぐ BaTiO系磁器組成物の焼結温度よ り高い融点を有し、且つ、当該磁器組成物と同じ温度で焼成することが可能な お よび Ni合金を、内部電極材料として用いることの検討が進められてきた。しかしなが ら、 Niは、大気中など酸素を含む雰囲気での高温焼成では酸化されてしまい、電極 としての機能を失う場合がある。また、 Niの酸化物は、磁器組成物中に溶け込んでコ ンデンサの性能を劣化させる場合がある。
[0006] Niの酸化を防止すベぐ水素を含む還元雰囲気や低酸素雰囲気で焼成工程を実 行すると、 BaTiO系磁器組成物は、還元されて Tiの価数が 4から 3に低下し、その結 果、半導体化して絶縁性が低下する傾向がある。また、還元雰囲気や低酸素雰囲気 で焼成工程を実行すると、 BaTiO系磁器組成物において酸素空位が増加し、当該 磁器組成物の寿命（絶縁劣化に至るまでの時間）が短くなる傾向がある。
[0007] このため、還元雰囲気での焼成においても絶縁抵抗の低下等の性能劣化の少な ぃ耐還元性の BaTiO系磁器組成物として、 BaO/TiOのモル比が 1より大きくされ た組成物や、 Baの一部が Caで置換された組成物力 開発さされてきた。このような 磁器組成物は、例えば特開昭 55-67567号公報に開示されている。
[0008] 一方、電子機器の小型化、多機能化、および高性能化の進展により、電子機器に 組み込まれる電子回路を構成するコンデンサについては、小型化および大容量ィ匕の 要望は増大している。このような要望に対しては、誘電体材料の改良に加えて、電極 間誘電体層を薄くして積層数を増すという対策が採られることが多いが、誘電体層の 薄層化を適切に実現するためには、誘電体層を構成する磁器組成物が充分に大き な絶縁抵抗を有する必要があり、また、当該磁器組成物の経時的劣化が充分に小さ い必要がある。カロえて、電子機器の小型化、多機能化、および高機能化に伴い、そ の電子回路は、高密度化し、機器使用時の発熱により昇温しやすくなるので、当該 電子回路内のコンデンサの誘電体層を構成する磁器組成物については、温度変化 に対する特性変化が小さいことが従来以上に厳しく要求される。
[0009] このような性能および信頼性の向上は、耐還元性の BaTiO系磁器組成物に対し
3
ても要求され、当該磁器組成物においては、種々の酸化物の添加による性能向上や 信頼性向上が試みられている。そのような磁器組成物は、例えば、下記特許文献 1 一 5に記載されている。
[0010] し力 ながら、従来の BaTiO系磁器組成物においては、充分な耐還元性を確保し
3
つつ、絶縁抵抗の向上と、絶縁抵抗の経時的劣化の抑制と、温度変化に対する静 電容量変化の抑制とを、共に充分に実現することが困難である。そのため、内部電極 材料として Nほたは Ni合金を採用する積層型セラミックコンデンサにおいては、従来 の技術によると、 Pd内部電極を有する積層型セラミックコンデンサと同程度の性能ま たはそれ以上の性能を得ることが、困難なのである。
[0011] 特許文献 1 :特開昭 61 - 36170号公報
特許文献 2：特開平 6 - 5460号公報
特許文献 3：特開平 6 - 342735号公報
特許文献 4 :特開平 8— 124785号公報
特許文献 5 :特開平 9一 171937号公報
発明の開示
[0012] 本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、還元雰囲気にて焼成 しても、高い絶縁抵抗を有し、絶縁抵抗 (IR)の経時的劣化の程度が小さく（即ち、 IR 加速寿命が長く）、且つ、温度変化に対する静電容量変化の小さい、耐還元性の誘 電体磁器組成物、当該組成物が電極間誘電体層材料として用いられている積層型 セラミックコンデンサ、および、当該組成物よりなる部位を有する電子部品を提供する ことを、 目的とする。
[0013] 本発明の第 1の側面によると誘電体磁器組成物が提供される。この誘電体磁器組 成物は、 BaTiOを 100モル部、 MnOを xモノレ部、 Cr〇を xモル部、 Y〇および/
3 1 2 3 2 2 3 または Ho Oを合計 Xモル部、 Ba〇， CaO, SrOからなる群より選択される酸化物を
2 3 3
合計 Xモル部、 Si〇および/または GeOを合計 Xモル部含み、 0.5≤x≤4.5、 0. 05≤x≤1·0、 x +x≤4·55、 0.25≤x≤1·5、 0.5≤x≤6、および 0.5≤x≤6を
2 1 2 3 4 5 満たす。
[0014] 本発明の第 1の側面の誘電体磁器組成物は、好ましくは、更に V〇を 0.01— 1.0
2 5
モル部含む。また、本発明の第 1の側面の誘電体磁器組成物は、好ましくは、更に A 1 Oおよび Zまたは B〇を合計 0.2— 1.0モル部含む。
2 3 2 3
[0015] 本発明の第 2の側面によると、セラミック誘電体と電極とからなる積層構造、を有す る積層型セラミックコンデンサが提供される。このコンデンサにおいて、セラミック誘電 体は、本発明の第 1の側面に関して上述したうちの一の構成を有する誘電体磁器組 成物からなる。電極は、 Ni、または Niを含む合金からなる。
[0016] 本発明の第 3の側面によると電子部品が提供される。この電子部品は、本発明の第
1の側面に関して上述したうちの一の構成を有する誘電体磁器組成物よりなる部位を 有する。
[0017] 本発明者らは、上述の課題を達成すベぐ BaTiO系誘電体磁器組成物に関し、そ
3
の性能を向上させるため主にその組成について種々検討を行った。具体的には、 Ba Ti〇を基本材料とし、これに種々の酸化物を添加して磁器組成物を焼成してその性
3
能を調査し、 目標とする性能にどれほど近づけることができるかを確認するという作業 を繰り返した。添加する成分に関し、それがもたらす作用については、ある程度経験 的に知られており、どのような理由によるのかということも、種々の説明がこれまでにな されている力 現実には、そのもの（磁器組成物またはこれを用いて作製される電子 部品）を作製して特性を測定してみなければ、その性能は確認できない。
[0018] そこで、還元雰囲気にて焼成温度 1350°C以下で緻密な焼結が可能であり、 1kHz における誘電率が 3000以上の磁器組成物であることを前提とし、絶縁抵抗、耐破壊 電圧、 IR加速寿命、および静電容量の温度特性 (温度変化に対する静電容量変化） にそれぞれ目標値を設定し、含有成分の影響を調査し、 目標値を超えることのできる 組成の選定を行った。
[0019] まず、耐還元性を向上させる成分である MnOの添加の効果を調べてみると、磁器 組成物中の MnO含有量を増大するほど、磁器組成物の耐還元性は向上する傾向 にあるが、温度変化に対する静電容量変化は大きくなる傾向にある。この温度依存 性を小さくすることを目的に例えば MgOを磁器組成物に添加すると、比誘電率の低 下を来したり、適切に焼結するための焼成温度が高くなり過ぎたりするなど、不具合 が生じやすい。また、 Li〇や B Oなど焼結助剤を添加すると、焼成温度は低くできる 、焼成中に粒成長が生じ、温度変化に対する静電容量変化は大きくなつてしまう。 このように、成分の種類やその含有量の影響は、一方の性能が向上すれば他の別の 性能が劣化する結果をもたらす場合が多レ、。
[0020] このような調査から判ったのは、耐還元性を向上させる目的で Mn〇を添カ卩しその 量を増大するとき、同時に適量の Cr Oを含有させれば、静電容量の温度依存性を 小さくできることである。 Mn〇と Cr Oの複合添加が、何故このような効果をもたらす のか理由は明らかではないが、温度依存性を小さくするために通常利用される MgO を含有させなくてもよいのである。 Mg〇の添カ卩は焼結に必要な温度を高くするので、 焼成温度を低くするには、誘電率を低下させ且つ絶縁抵抗を低下させる傾向のある 焼結助剤の量を増さなければならないが、 MnOと Cr Oの合計量を調整することに より、特に焼結助剤の量を増すことなぐ温度変化に対する静電容量変化の抑制と焼 成温度上昇の抑制とが可能であることを見出した。
[0021] そこで、 BaTiOに MnOおよび Cr Oを含有させたものを基本組成とし、更に各性 能を向上させるベく添加成分を検討した。その結果、 Y〇および Ho Oの希土類元 素の添加は、 IR加速寿命（信頼性）を向上させることが確認された。
[0022] しかし、これら希土類元素の酸化物の添加は、緻密な焼結体とするために必要な 焼成温度を高くする傾向がある。これに対し、他の性能に多大な影響を与えずに焼 成温度を低下させることのできる焼結助剤を調査した結果、 AO (Aは Ba、 Ca、また は Sr)と共に MO (Mは Sほたは Ge)を添加するのが好ましいことが判った。 BaO、 C a〇、および Sr〇のいずれ力 4種または 2種以上と、 SiOおよび Ge〇のいずれ力、 1種 または 2種とを混合して用いると、焼成温度低下または焼結体の密度向上について、 充分な効果が得られた。これらは、粒界にガラスを形成し、少量で効率よく焼結温度 の低下を助ける作用を有する。
[0023] 更に、 V Oを少量含有させると、 IR加速寿命が延びたり、焼結温度が低下したりす るので、必要に応じて V〇を添カ卩するのが望ましいことが明らかになった。また、 A1 Oおよび B〇の一方または両方の更なる添加は、焼結温度を低下するのに有効で あり、温度特性改善の効果もあるので、これらの成分も添加させてもよい。
[0024] このようにして得られた、絶縁抵抗が大きぐ耐破壊電圧が高ぐ IR加速寿命が長 い誘電体磁器組成物を用い、内部電極を Niとし、還元雰囲気で同時焼成して積層 磁器チップコンデンサを作製し、その誘電体としての性質を調査した結果、優れた性 能を有することが確認された。
[0025] 以上のような検討結果から、 目標とした所定の性能が達成できることが明らかになつ たので、更に各成分の添加量を具体的に検討し、本発明の第 1一第 3の側面に関し て上述した構成を有する本発明を完成させたのである。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1]積層型セラミックコンデンサの断面図である。
[0027] [図 2]実施例 1一 21の積層型セラミックコンデンサにおける誘電体層を構成する誘電 体磁器組成物の組成（BaTiOを除く）をまとめた表である。
3
[0028] [図 3]実施例 22— 33および比較例 1一 8の積層型セラミックコンデンサにおける誘電 体層を構成する誘電体磁器組成物の組成 (BaTiOを除く）をまとめた表である。
3
[0029] [図 4]実施例 1一 21の積層型セラミックコンデンサについて実施した性能調査の結果 をまとめた表である。
[0030] [図 5]実施例 22— 33および比較例 1一 8の積層型セラミックコンデンサについて実施 した性能調査の結果をまとめた表である。
発明を実施するための最良の形態
[0031] 図 1は、本発明に係る誘電体磁器組成物を利用して構成された電子部品の一例で ある積層型セラミックコンデンサ 10の断面図である。積層型セラミックコンデンサ 10は 、誘電体層 11、複数の内部電極 12、および一対の外部電極 13を有する。誘電体層 11は、本発明の誘電体磁器組成物からなり、その一部が内部電極 12間ごとに介在 するように設けられている。所定の一組の内部電極 12は一方の外部電極 13と電気 的に接続し、別の一組の内部電極 12は他方の外部電極 13と電気的に接続している 。内部電極 12は、 Nほたは Ni合金よりなり、外部電極 13は、例えば Cuまたは Cu合 金よりなる。 [0032] 本発明の誘電体磁器組成物は、 BaTiO、 MnO、および Cr Oを含有する。また、
3 2 3
Y〇および/または Ho Oも含有する。また、 Ba〇、 CaO、 SrOからなる群より選択
2 3 2 3
される酸化物も含有する。更に、 SiOおよび/または GeOも含有する。
2 2
[0033] Mn〇は、本誘電体磁器組成物の耐還元性を向上させるために (即ち、還元雰囲 気での焼成による本誘電体磁器組成物の絶縁抵抗の低下を抑制するために)含有 される。 BaTiO 100モル部に対する Mn〇の含有量を Xモノレ部とすると、 0.5≤x ≤
3 1 1
4.5の範囲で Mn〇は含有されている。 X力 未満であると、絶縁抵抗低下抑制作
1
用を享受できない場合がある。 Xが 4.5を超えると、温度変化に対する静電容量変化
1
(即ち、静電容量の温度依存性）が大きくなり過ぎる傾向がある。
[0034] Cr〇は、耐還元性を向上させるため、且つ、 MnOとの共存下において静電容量
2 3
温度依存性を小さくするために含有される。 BaTiO 100モル部に対する Cr Oの含
3 2 3 有量を Xモル部とすると、 0.05≤x≤1.0の範囲で Cr〇は含有されている。 xが 0.0
2 2 2 3 2
5未満であると、耐還元性向上や静電容量温度依存性抑制の効果を充分には得ら れない場合がある。 Xが 1.0を超えると、誘電体磁器組成物を焼結させるのに要する
2
温度が高くなり、 Niの融点以下では誘電体磁器組成物が適切に焼結しなくなる場合 力 sある。
[0035] また、 MnOおよび Cr Oの合計含有量が過多であると、静電容量温度依存性が不
2 3
当に大きくなつてしまう場合があるので、 X + xは 4.55以下にする必要がある。
1 2
[0036] Y〇および/または Ho Oは、 IR加速寿命を延ばすために含有される。 BaTiO 1
2 3 2 3 3
00モル部に対する Y〇および Ho Oの合計含有量を Xモル部とすると、 0.25≤x
2 3 2 3 3 3
≤ 1.5の範囲でこれらは含有されている。 Xが 0.25未満であると、寿命を延ばす効果
3
を充分には得られない場合がある。 X力 S1.5を超えると、磁器組成物において緻密な
3
焼結体を得るために必要な焼成温度が不当に高くなる場合がある。
[0037] Ba〇、 Ca〇、 Sr〇力もなる群より選択される酸化物（AO)と、 SiOおよび Ge〇力、ら
2 2 なる群より選択される酸化物（M〇）とを合せて含有させると、磁器組成物の焼結時
2
に粒界にガラスが形成され、緻密な焼結体を得るための焼成温度を低下させて焼結 を促進するという焼結助剤の作用が得られる。 BaTiO 100モル部に対する A〇の合
3
計含有量を Xモル部とすると、 0.5≤x≤6.0の範囲で A〇は含有されている。 BaTi O 100モル部に対する MOの合計含有量を xモル部とすると、 0.5≤χ≤6·0の範
3 2 5 5 囲で MOは含有されている。 Xまたは X力 未満であると、焼結助剤としての充分
2 4 5
な効果が得られない場合がある。 Xまたは Xが 6.0を超えると、誘電率の低下や、静
4 5
電容量温度依存性の増大を招来する場合がある。
[0038] 本発明の誘電体磁器組成物には、 V Oを含有させてもよい。 V Oは、 IR加速寿命
2 5 2 5
を一層延ばすために含有される。 V Oが含有される場合、 BaTiO 100モル部に対
2 5 3
する V〇の合計含有量を Xモル部とすると、 V〇含有範囲は 0.01≤x ≤ 1.0である
2 5 6 2 5 6
。 Xが 0.25未満であると、 V Oによる寿命を延ばす効果を充分には得られない場合
6 2 5
がある。 X力 S1.0を超えると、絶縁抵抗の低下や静電容量温度依存性の増大を招来
6
してしまう場合がある。
[0039] 本発明の誘電体磁器組成物には、 Al Oおよび Zまたは B Oを含有させてもよい
2 3 2 3
。 Al Oおよび/または B Oは、誘電体磁器組成物の焼結に要する焼成温度を更に
2 3 2 3
低下させ、焼成体を緻密にするために含有される。 Al Oおよび/または B Oを含
2 3 2 3 有する場合、 BaTiO 100モル部に対する Al Oおよび/または B Oの合計含有量
3 2 3 2 3
を Xモル部とすると、 0.2≤χ≤1·0の範囲で Al Oおよび/または B〇は含有され
7 7 2 3 2 3 る。 X力 S0.5未満であると、 Al Oおよび/または B Oによる効果が充分には得られ
7 2 3 2 3
ない場合がある。 X力 を超えると、静電容量温度依存性の増大を招来する場合が める。
[0040] 本発明の誘電体磁器組成物は、還元雰囲気ないし低酸素雰囲気での例えば 135 0°C以下の焼成を経る場合にぉレ、て、高レ、絶縁抵抗および高レ、耐破壊電圧を有す ることが可能であり、高温高電圧の加速試験にて充分な寿命を有することが可能であ り、且つ、温度変化に対する静電容量変化を小さく設定することが可能である。
[0041] 本発明の誘電体磁器組成物においては、例えば、誘電率を 1kHzにて 3000以上 とし、高電圧 (5V/ a m)下での容積抵抗積（CR積）を 2000 Ω 'F以上とし、耐破壊 電圧を 70V/ μ m以上とし、 3V/ a mの直流印加による静電容量の低下率を 30% 以下とし、 200°Cで 30V/ z mの電圧を印加したときの絶縁抵抗が 105 Ω以下となる までの時間（即ち IR加速寿命）を 1時間以上とすることができる。
[0042] これとともに、本発明の誘電体磁器組成物によると、静電容量温度依存性について は、 EIA規格の X7R特性（即ち、 -55— 125°Cにおける静電容量の変化率が基準温 度 25°Cにおける容量に対し ± 15%以内）を満たすようにすることができ、且つ、 JIS 規格の B特性（即ち、 -25— 85°Cの容量変化が基準温度 20°Cでの容量に対し ± 10
%以内）を満たすようにすることができる。
[0043] これらの性能は、 Ni内部電極用の従来の誘電体磁器組成物では得られなかった 性能あり、 Pd内部電極用の、酸化性雰囲気にて高温で焼成された誘電体磁器組成 物と、同等またはそれ以上の性能である。
[0044] 積層型セラミックコンデンサ 10の製造においては、例えば、まず、主成分である Ba
TiOの粉末と、 Mn、 Cr、 Y、 Ηο、 Vなどの酸化物とを、所定の組成となるよう秤量混 合して 80— 1200°Cで 1一 5時間仮焼する。次に、仮焼後の混合粉体を粉砕する。磁 器組成物において優れた誘電特性を得るためには、平均粒径が 0.1 μ m以下となる まで粉砕処理を行うのが好ましレ、。
[0045] 一方、 AO (Ba〇， Ca〇， SrO)、 MO (SiO , GeO )、 Al〇、 B〇など、酸化物ガ ラスとなる成分は、高温に加熱溶融した後急冷し、粉砕して酸化物ガラス粉末とする
[0046] 次に、上述の仮焼済粉末に、ガラス粉末、有機バインダ、可塑剤、溶剤、分散剤等 を添加して、これらを混連し、スラリーを調製する。次に、ドクターブレード法等により、 スラリーから所定の厚さのグリーンシートを作製する。次に、内部電極形成用の金属 粉末を含む導電ペーストをグリーンシート表面に印刷する。このようにして導電ペース トが表面に印刷された複数のグリーンシートを、導電ペーストとグリーンシートとが交 互に位置するように積層した状態で圧着する。次に、この積層体について、バインダ 一除去のための前処理加熱、焼結のための 1100— 1350°Cの高温焼成（焼成工程 )、および、所定の酸化雰囲気および高温での再酸化処理を行う。仮に、 1350°Cを 超える焼成温度で焼成工程を実施すると、 Nほたは Ni合金は凝集しやすぐ島状の 形態で焼成されてしまう場合がある。そのため、焼成温度は 1350°C以下であるのが 好ましい。
[0047] 次に、積層体の所定箇所に、外部回路への接続用端子である一対の外部電極 13 を形成する。例えば以上のようにして、積層型磁器コンデンサ 10を製造することがで きる。
実施例および比較例
[0048] 〔積層型セラミックコンデンサの作製〕
電極間誘電体層の組成が異なる複数の積層型セラミックコンデンサを、実施例 1一 33および比較例 1一 8のコンデンサとして作製した。実施例 1一 21のコンデンサの電 極間誘電体層を構成する誘電体磁器組成物の組成 (BaTiOを除く）にっていは、図
2の表にまとめ、実施例 22— 33および比較例 1一 8のコンデンサの電極間誘電体層 を構成する誘電体磁器組成物の組成（BaTiOを除く）にっていは、図 3の表にまとめ る。図 2および図 3の表においては、 BaTiO 100モル部に対する各酸化物の相対的 な物質量を掲げる。
[0049] 実施例 1一 33および比較例 1一 8のコンデンサの各々の作製においては、まず、シ ユウ酸塩共沈法で得られた BaTiO粉末（平均粒径 0.4 μ m)と、 MnO粉末と、 Cr O 粉末と、 V O粉末と、添加する場合には更に Y Ο粉末および Ho O粉末とを、秤量 して混合した後、 1 100°Cにて 7時間、仮焼した。この後、当該混合粉末を、粉碎処理 し、平均粒径 0.1 μ m以下の第 1の酸化物粉末を得た。
[0050] 焼結助剤の機能を得るための Ba、 Ca、 Srにおいて添加されるものの炭酸塩と、焼 結助剤の機能を得るための SiOおよび Zまたは Ge Oと、 Al Oおよび Zまたは B〇 とを、秤量して混合した後、 1250°Cにて 2時間、仮焼した。この後、当該粉体を、粉 砕処理し、平均粒径 0.1 μ m以下の第 2の酸化物粉末を得た。
[0051] そして、これらの 2種類の酸化物粉末を所定組成で配合することにより、原料粉末を 得た。
[0052] 次に、粉末原料 l OOOgに対し、可塑剤および分散剤を含むトルエン 'エタノール溶 剤を 700g加え、ボールミルを用いて 2時間分散処理することにより、約 200cpsの粘 度を有するスラリーを調製した。この後、リップコータ型塗布装置を使用して PETフィ ルム上にスラリーを塗布することにより、厚さ 2.5 /i mのグリーンシートを作製した。
[0053] 次に、 Ni粉末を含む導電ペーストをグリーンシート上に印刷することにより、内部電 極用パターン (厚さ 1.5 / m)を形成した。このようにして内部電極用パターンが表面 に形成された複数のグリーンシートを、その基材であった PETフィルムを剥がした後 、内部電極用パターンとグリーンシートとが交互に位置するように積層（有効積層数 3 50)し、加熱圧着した。
[0054] 次に、この積層体を所定サイズに切断してグリーンチップを得た。この後、グリーン チップについて、窒素ガス中で 400°Cにて 12時間加熱することにより、脱バインダ処 理を行った。次に、グリーンチップについて、加湿した窒素および水素の混合ガス中 で 1 100— 1350°Cにて 4時間加熱することにより、焼成処理 (焼結処理）を行った。本 焼成処理では、各グリーンシート中の磁器組成物が焼結して誘電体層が形成され、 各導電ペースト中の Ni粉末が焼結して内部電極が形成される。また、焼成温度につ いては、グリーンチップないしグリーンシートの種類ごとに予め特定しておいた。具体 的には、各グリーンチップのと同一構成の試料について、焼成温度を変えて焼成し、 緻密な焼結体となる下限の焼成温度を求めた。
[0055] 次に、焼成処理を経た焼結積層体について、加湿した窒素ガス中で 1000°Cにて 3 時間加熱することにより、ァニール処理を行った。
[0056] 次に、得られた焼結積層体の所定端面を研磨した後、 Cu粉を含む導電ペーストを 当該研磨箇所に塗布した。次に、窒素雰囲気で 850°Cにて 2時間加熱することにより 、当該導電ペーストから外部電極を形成した。以上のようにして、実施例 1一 33およ び比較例 1一 8のコンデンサの各々を作製した。各コンデンサのサイズは、長さ 3.1m m、幅 1.6mm、厚さ 1.6mmで、有効誘電体層の厚さは 2.0 μ m、内部電極の厚さは 1.2 μ mでめった。
〔性能調査〕
実施例 1一 33および比較例 1一 8コンデンサの各々について、誘電率、誘電損失（ tan δ )、 CR積、耐破壊電圧、静電容量の温度依存性、 DC - Bias特性、および IRカロ 速寿命を調べた。調査結果は、図 4および図 5の表に掲げる。
[0057] 誘電率および誘電損失 (tan δ )については、 20°Cにおける静電容量と、電極面積 と誘電体の厚みから、 IVおよび 1.0kHzの条件で値を求めた。
[0058] CR積については、 25°Cにて誘電体の厚さ 1 μ mあたり 5V印加したときの、絶縁抵 抗の 1分間値を測定し、その測定値に静電容量を乗じて求めた。 CR値は、絶縁抵抗 の大小の指標となり、従って耐還元性の指標となる。 [0059] 耐破壊電圧については、コンデンサに印加する電圧を連続的に上昇させ、電流が 10mA以上流れた時の電圧を各組成について 50ケのコンデンサにて測定した。コン デンサ毎の 50の測定値のうちの中心値を代表値として表に掲げる。
[0060] 静電容量の温度依存性については、 EIA規格の X7R特性および JIS規格の B特性 を満足するか否かを調べた。 EIA規格の X7R特性については、 LCRメータを使用し て、側定電圧を IVとし、—55— 125°Cの温度範囲の各所にて静電容量を測定し、容 量変化率が基準温度 25°Cでの静電容量に対し ± 15%以内かどうかを調べた。 JIS 規格の B特性については、 LCRメータを使用して、側定電圧を IVとし、 -25-85°C の温度範囲の各所にて静電容量を測定し、容量変化率が基準温度 20°Cでの静電 容量に対し ± 10以内かどうかを調べた。これらの条件に合格する場合を〇とし、合格 しない場合を Xとする。
[0061] DC-Bias特性については、 6Vの DC電圧と、 lVrmsおよび 1.0kHzの AC電圧とを 重畳印加したときの静電容量を測定し、 lVrmsおよび 1.0kHzの AC電圧印加時の 静電容量に対する低下率として求めた。 DC— Bias特性は、絶縁抵抗の経時的劣化 の指標となる。
[0062] IR加速寿命については、 200°Cにおいて、 60V(30V/ /i m)の直流電圧を印加し 、絶縁抵抗が 105 Ω以下になったときまでの時間を測定し、この測定時間を IR寿命時 間とした。 IR加速寿命は信頼性の一指標となる。
〔評価〕
図 4および図 5の表に掲げる調査結果から判るように、 BaTiOに適量の MnOと Cr
Oとを含有させ、更に Y〇および/または Ho Oを添加し、 Ba〇、 CaO、 Sr〇等と S
ΪΟ、 GeO等とからなるガラス形成物を含む、所定組成とした本発明の誘電体磁器 組成物は、誘電体としての性能を低下させることなぐ Ni等を電極に用いるのに適し 、焼成温度 1150 1350°Cにて緻密な焼結体となっている。この誘電体磁器組成物 を用いたコンデンサにおいては、その作製過程において還元雰囲気での焼成工程 を得ても、いずれも、誘電率は 3000を超え、 CR積は 2000以上あり、耐破壊電圧は 80VZ x m以上で、静電容量の温度依存性は小さぐ IRカ卩速寿命は 1.5時間以上と 信頼性に優れる。 し力しながら、本発明における組成範囲を逸脱する場合、例えば MnOの含有量が 低過ぎる比較例 1のコンデンサにおいては、 CR積が低ぐ絶縁抵抗が不充分である
。 Cr Oの低過ぎる比較例 3のコンデンサ、並びに、 Y Oおよび Ho Oの合計含有 量の低過ぎる比較例 5のコンデンサは、静電容量温度依存性に問題を有する。 BaO および SiOの多過ぎる比較例 8のコンデンサは、 IR加速寿命が短く信頼性が低い。 また、 Mn〇の多過ぎる比較例 2のコン- ^サ、 Cr Oの多過ぎる比較例 4のコ: サ、 Y〇の多過ぎる比較例 6のコンデンサ、および、 Ba〇および Si〇が少な過ぎる 比較例 7のコンデンサについては、 1350°C以下では適切に焼結できないために、適 切な性能調查を行うことができなかった。

Claims

請求の範囲 [1] BaTiOを 100モノレ部、 Mn〇を xモル部、 Cr〇を xモノレ部、 Y Oおよび/また 3 1 2 3 2 2 3 は Ho Oを Xモル部、 BaO， CaO, SrOからなる群より選択される酸化物を xモル部2 3 3 4、 SiOおよび/または GeOを Xモル部含み、 2 2 5 0.5≤x≤4.5
1 、0.05≤x≤1.0
2 、x +x≤4.55
1 2 、 0.25≤x≤1.5
3 、0.5≤x≤6
4 、 および 0.5≤x≤ 6を満たす、誘電体磁器組成物。
5
[2] 更に、 V〇を 0.01— 1.0モル部含む、請求項 1に記載の誘電体磁器組成物。
2 5
[3] 更に、 A1〇および/または B〇を 0.2— 1.0モル部含む、請求項 1に記載の誘電
2 3 2 3
体磁器組成物。
[4] 更に、 A1〇および/または B〇を 0.2— 1.0モル部含む、請求項 2に記載の誘電
2 3 2 3
体磁器組成物。
[5] セラミック誘電体と電極とからなる積層構造、を有する積層型セラミックコンデンサで めってヽ
前記セラミック誘電体は、請求項 1一 4のいずれか一つに記載の誘電体磁器組成 物からなり、
前記電極は、 Ni、または Niを含む合金からなる、積層型セラミックコンデンサ。
[6] 請求項 1一 4のいずれか一つに記載の誘電体磁器組成物よりなる部位を有する電 子部品。
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