CN100509696C - 电介质瓷器组合物、积层型陶瓷电容器和电子部件 - Google Patents

电介质瓷器组合物、积层型陶瓷电容器和电子部件 Download PDF

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Abstract

本发明的电介质瓷器组合物含有100摩尔份的BaTiO3、x1摩尔份的MnO、x2摩尔份的Cr2O3、x3摩尔份的Y2O3和/或Ho2O3、x4摩尔份的选自BaO、CaO、SrO的氧化物和x5摩尔份的SiO2和/或GeO2，满足0.5≤x1≤4.5、0.05≤x2≤1.0、x1+x2≤4.55、0.25≤x3≤1.5、0.5≤x4≤6以及0，5≤x5≤6。本发明的积层型陶瓷电容器具有由上述组合物构成的陶瓷电介质和由Ni或Ni合金构成的电极构成的叠层结构。

Description

电介质瓷器组合物、积层型陶瓷电容器和电子部件
技术领域
本发明涉及能够作为电容器的电介质材料利用的电介质瓷器组合物、积层型陶瓷电容器和具有由电介质材料构成的部位的电子部件。
背景技术
使用以钛酸钡(BaTiO3)等钛酸盐作为主要成分的瓷器组合物作为电极间电介质材料的积层型陶瓷电容器，具有容易以小型的形式得到大的容量、高频带中的电气特性良好、耐热性优异、容易批量生产等优点，是近年来工业用和民用的电子器械中不可或缺的部件。
在制造这样的积层型陶瓷电容器时，例如，首先，在BaTiO3系的瓷器组合物的原料粉末中添加有机胶粘剂、增塑剂、溶剂、分散剂等，将这些物质混炼，配制淤浆(slurry)。然后，通过刮片法(doctor blademethod)等，由淤浆制造瓷器组合物的印刷电路基板(green sheet)。然后，将含有内部电极形成用金属粉末的导电膏印刷在印刷电路基板表面。将这样在表面上印刷了导电膏的多片印刷电路基板，在导电膏和印刷电路基板以交替设置的方式叠层的状态下进行压接。然后，在规定的烧制温度下烧制该叠层体，使之一体化(烧制工序)。在烧制工序中，对各印刷电路基板中的瓷器组合物进行烧结、形成陶瓷电介质层，对各导电膏中的金属粉末进行烧结、形成内部电极。然后，在烧制后的叠层体的规定表面上，各自形成与规定的一组内部电极导通的一对外部电极。
为了BaTiO3系瓷器组合物在上述的烧制工序中适当地烧结以便在陶瓷电容器中发挥良好的介电性能，该瓷器组合物在烧制工序中必须在1150～1350℃左右的高温下进行烧制。另一方面，用于构成内部电极的金属材料，其熔点要高于烧制工序的烧制温度，能与瓷器组合物在相同的烧制温度下进行烧制，而且必须在经历高温的烧制工序中实质上不被氧化。作为满足这样要求的金属材料，已知有Pd、Pt和它们的合金。但是，由于这些金属材料很昂贵，所以并不优选。采用这些金属材料作为内部电极材料的时候，为了增大积层型陶瓷电容器的容量而增加叠层数时，电极材料在该积层型陶瓷电容器的制造成本中所占的比例将会增大。
因此，对使用比较便宜、电阻率小、具有比BaTiO3系瓷器组合物的烧结温度更高的熔点、并且能够与该瓷器组合物在相同的温度下烧制的Ni和Ni合金作为内部电极材料的研究不断地取得进展。但是，Ni在大气中等含氧的气氛中进行的高温烧制中，存在被氧化、从而失去作为电极的功能的情况。而且，存在Ni的氧化物融入瓷器组合物中从而使电容器的性能恶化的情况。
为了防止Ni的氧化而在含有氢的还原性气氛或低氧气氛中实施烧制工序时，BaTiO3系瓷器组合物会被还原，Ti的价数由4降低为3，其结果，半导体化、绝缘性有下降的趋势。另外，在还原性气氛中或低氧气氛中实施烧制工序时，BaTiO3系瓷器组合物中的氧空位增加，该瓷器组合物的寿命(至绝缘老化的时间)有缩短的趋势。
因此，作为即使在还原性气氛中进行烧结、绝缘电阻降低等性能恶化也少的耐还原性的BaTiO3系瓷器组合物，一直在开发BaO/TiO2的摩尔比大于1的组合物和一部分Ba被Ca取代的组合物。例如，在特开昭55-67567号公报中公开了这样的瓷器组合物。
另一方面，由于电子器械的小型化、多功能化和高性能化的发展，对于构成电子器械中插入的电子线路的电容器，小型化和大容量化的期望增加。对于这样的期望，除了电介质材料的改良以外，大多采用使电极间电介质层变薄和增加叠层数的对策，但为了适当地实现电介质层的薄层化，构成电介质层的瓷器组合物必须具有足够大的绝缘电阻，另外，该瓷器组合物随时间的恶化必须足够小。此外，伴随着电子器械的小型化、多功能化和高性能化，其电子线路高密度化，由于因器械使用时的发热而容易升温，所以，对于构成该电子线路内的电容器的电介质层的瓷器组合物，比以往更加严格要求其性能随温度的变化小。
对于耐还原性的BaTiO3系瓷器组合物，也要求这样的性能和可靠性的提高，在该瓷器组合物中，尝试通过添加各种氧化物来提高性能和可靠性。例如，在下述专利文献1～5中记载有这样的瓷器组合物。
但是，在以往的BaTiO3系瓷器组合物中，难以既确保充分的耐还原性又同时实现提高绝缘电阻、抑制绝缘电阻随时间的恶化和抑制静电容量随温度的变化。因此，在采用Ni或Ni合金作为内部电极材料的积层型陶瓷电容器中，若根据现有技术，则难以得到与具有Pd内部电极的积层型陶瓷电容器相同程度或以上的性能。
专利文献1：特开昭61-36170号公报
专利文献2：特开平6-5460号公报
专利文献3：特开平6-342735号公报
专利文献4：特开平8-124785号公报
专利文献5：特开平9-171937号公报
发明内容
本发明是在上述情况下做出的，其目的是提供即使在还原气氛中进行烧制也具有高绝缘电阻、绝缘电阻(IR)随时间恶化的程度小(即IR加速寿命长)、并且静电容量随温度的变化小的耐还原性的电介质瓷器组合物，使用该组合物作为电极间电介质层材料的积层型陶瓷电容器和具有由该组合物构成的部位的电子部件。
根据本发明的第一方面，提供一种电介质瓷器组合物。该电介质瓷器组合物含有100摩尔份的BaTiO3、x1摩尔份的MnO、x2摩尔份的Cr2O3、合计x3摩尔份的Y2O3和/或Ho2O3、合计x4摩尔份的选自BaO、CaO、SrO的氧化物和合计x5摩尔份的SiO2和/或GeO2，满足0.5≤x1≤4.5、0.05≤x2≤1.0、x1+x2≤4.55、0.25≤x3≤1.5、0.5≤x4≤6以及0.5≤x5≤6。
本发明的第一方面的电介质瓷器组合物，优选还含有0.01～1.0摩尔份的V2O5。本发明的第一方面的电介质瓷器组合物，优选还含有合计0.2～1.0摩尔份的Al2O3和/或B2O3。
根据本发明的第二方面，提供一种具有由陶瓷电介质和电极构成的叠层结构的积层型陶瓷电容器。在该电容器中，陶瓷电介质由具有本发明的第一方面中涉及的上述一种构成的电介质瓷器组合物构成。电极由Ni或含Ni的合金构成。
根据本发明的第三方面，提供一种电子部件。该电子部件具有由本发明的第一方面中涉及的上述一种构成的电介质瓷器组合物构成的部位。
本发明人为了完成上述课题，主要对用于提高BaTiO3系电介质瓷器组合物的性能的组成进行了各种研究。具体地说，以BaTiO3作为基本材料，重复下述操作：向其添加各种氧化物、烧制瓷器组合物、研究其性能，以确认能否接近目标性能。关于添加的成分，就其带来的作用而言，在某种程度上可由经验得知，因为什么样的原因，迄今为止也已做了各种说明，但实际上，如果不制成实物(瓷器组合物或用其制造的电子部件)并测定其特性，就不能确认其性能。
因此，在还原气氛中、在烧制温度1350℃以下能够进行致密的烧结，以在1kHz下的介电常数为3000以上的瓷器组合物作为前提，分别对绝缘电阻、耐破坏电压、IR加速寿命和静电容量的温度特性(静电容量相对于温度变化的变化)设定目标值，研究所含成分的影响，选择能够超过目标值的组成。
首先，对添加作为提高耐还原性的成分的MnO的效果进行研究时，增大瓷器组合物中MnO的含量时，瓷器组合物的耐还原性有提高的趋势，但静电容量相对于温度变化的变化有变大的趋势。当以减小该温度依赖性为目的而在瓷器组合物中添加例如MgO时，则容易发生或引起介电常数下降或用于适当地烧结的烧制温度变得过高等不良状况。另外，添加Li2O或B2O3等烧结助剂时，能够降低烧制温度，但在烧制中会产生粒子成长，导致静电容量相对于温度变化的变化变大。这样，成分的种类和其含量的影响，大多会导致一种性能提高、而另一种性能恶化的结果。
根据上述研究可知，当以提高耐还原性为目的而添加MnO并增大其量时，如果同时含有适量的Cr2O3，则能够减小静电容量的温度依赖性。MnO和Cr2O3的复合添加，为何会带来这样的效果的原因还不清楚，但由于减小了温度依赖性，所以可以不含通常使用的MgO。由于添加MgO会提高烧结所需要的温度，所以，为了降低烧制温度，必须增加具有降低介电常数且降低绝缘电阻的趋势的烧结助剂的量，但是发现通过调节MnO和Cr2O3的总量，能够不特别地增加烧结助剂的量而抑制静电容量相对于温度变化的变化并抑制烧制温度上升。
于是，以BaTiO3中含有MnO和Cr2O3作为基本组成，为了进一步提高各性能，对添加成分进行研究。结果确认，添加Y2O3和Ho2O3等稀土类元素，可以提高IR加速寿命(可靠性)。
但是，添加这些稀土类元素的氧化物，有提高为了形成致密的烧结体所必需的烧制温度的趋势。与此相对，对能够降低烧制温度而对其它性能不会产生大的影响的烧结助剂进行研究，结果表明，优选同时添加AO(A为Ba、Ca或Sr)和MO2(M为Si或Ge)。当混合使用BaO、CaO和SrO中的任何1种或2种以上以及SiO2和GeO2中的任何1种或2种以上时，就降低烧制温度或提高烧结体的密度而言，能够得到充分的效果。这些物质在晶界形成玻璃，具有以少量即可有效地有助于降低烧结温度的作用。
而且，可以看出：含有少量V2O5时，IR加速寿命延长，烧结温度降低，所以希望根据需要添加V2O5。另外，进一步添加Al2O3和B2O3的一种或两种，对降低烧结温度有效，还有改善温度特性的效果，所以也可以添加这些成分。
使用这样得到的绝缘电阻大、耐破坏电压高、IR加速寿命长的电介质瓷器组合物，以Ni作为内部电极，在还原气氛中同时烧制，制造积层陶瓷片状电容器，对其作为电介质的性质进行研究，结果确认，其具有优异的性能。
根据以上研究的结果可以看出，能够达到作为目标的规定的性能，所以，进一步具体研究各成分的添加量，从而完成涉及本发明的第一～第三方面的具有上述结构的本发明。
附图说明
图1是积层型陶瓷电容器的截面图。
图2是将构成实施例1～21的积层型陶瓷电容器中的电介质层的电介质瓷器组合物的组成(除去BaTiO3)汇总的表。
图3是将构成实施例22～33和比较例1～8的积层型陶瓷电容器中的电介质层的电介质瓷器组合物的组成(除去BaTiO3)汇总的表。
图4是将对实施例1～21的积层型陶瓷电容器实施的性能研究的结果汇总的表。
图5是将对实施例22～33和比较例1～8的积层型陶瓷电容器实施的性能研究的结果汇总的表。
具体实施方式
图1是作为利用本发明的电介质瓷器组合物构成的电子部件的一个例子的积层型陶瓷电容器10的截面图。积层型陶瓷电容器10具有电介质层11、多个内部电极12和一对外部电极13。电介质层11由本发明的电介质瓷器组合物构成，以其一部分介于内部电极12之间的方式设置。规定的一组内部电极12与一个外部电极13电气连接，另一组内部电极12与另一个外部电极13电气连接。内部电极12由Ni或Ni合金构成，外部电极13由例如Cu或Cu合金构成。
本发明的电介质瓷器组合物含有BaTiO3、MnO和Cr2O3。还含有Y2O3和/或Ho2O3。另外，还含有选自BaO、CaO、SrO的氧化物。而且，还含有SiO2和/或GeO2。
含有MnO是为了提高本电介质瓷器组合物的耐还原性(即，为了抑制由于在还原气氛中的烧结所导致的本电介质瓷器组合物的绝缘电阻的降低)。相对于100摩尔份的BaTiO3含有x1摩尔份的MnO时，MnO的含量在0.5≤x1≤4.5的范围内。x1小于0.5时，会有不能达到抑制绝缘电阻降低的作用的情况。x1大于4.5时，会有静电容量相对于温度变化的变化(即，静电容量的温度依赖性)过大的趋势。
含有Cr2O3是为了提高耐还原性，并且是为了减小在与MnO共存下的静电容量的温度依赖性。相对于100摩尔份的BaTiO3含有x2摩尔份的Cr2O3时，Cr2O3的含量在0.05≤x2≤1.0的范围内。x2小于0.05时，会有不能充分得到提高耐还原性和抑制静电容量的温度依赖性的效果的情况。x2大于1.0时，会有对电介质瓷器组合物进行烧结所需要的温度升高、在Ni的熔点以下电介质瓷器组合物不能适当地烧结的情况。
另外，由于MnO和Cr2O3的总含量过多时，会有静电容量的温度依赖性不当地变大的情况，所以必须使x1+x2为4.55以下。
含有Y2O3和/或Ho2O3是为了延长IR加速寿命。相对于100摩尔份的BaTiO3含有总含量x3摩尔份的Y2O3和Ho2O3时，它们的含量在0.25≤x3≤1.5的范围内。x3小于0.25时，会有不能充分地得到延长寿命的效果的情况。x3大于1.5时，会有用于在瓷器组合物中得到致密的烧结体所必需的烧制温度不当地升高的情况。
同时含有选自BaO、CaO、SrO的氧化物(AO)和选自SiO2和GeO2的氧化物(MO2)时，在瓷器组合物的烧结时，在晶界上会形成玻璃，使用于得到致密的烧结体的烧制温度降低，从而得到促进烧结的烧结助剂的作用。相对于100摩尔份BaTiO3，AO的总含量为x4摩尔份时，AO的含量在0.5≤x4≤6.0的范围内。相对于100摩尔份BaTiO3，MO2的总含量为x5摩尔份时，MO2的含量在0.5≤x5≤6.0的范围内。x4或x5小于0.5时，有不能得到作为烧结助剂的充分效果的情况；x4或x5大于6.0时，会有导致介电常数降低和静电容量的温度依赖性增大的情况。
在本发明的电介质瓷器组合物中，可以含有V2O5。含有V2O5是为了更加延长IR加速寿命。在含有V2O5的情况下，相对于100摩尔份的BaTiO3含有总含量x6摩尔份的V2O5时，V2O5的含量范围为0.01≤x6≤1.0。x6小于0.25时，有不能充分得到由V2O5产生的延长寿命的效果的情况。x6大于1.0时，会有导致绝缘电阻降低和静电容量的温度依赖性增大的情况。
在本发明的电介质瓷器组合物中，还可以含有Al2O3和/或B2O3。含有Al2O3和/或B2O3是为了更加降低烧结电介质瓷器组合物所需要的烧制温度、使烧结体致密。在含有Al2O3和/或B2O3的情况下，相对于100摩尔份的BaTiO3含有总含量x7摩尔份的Al2O3和/或B2O3时，Al2O3和/或B2O3的含量在0.2≤x7≤1.0的范围内。x7小于0.5时，有不能充分获得由Al2O3和/或B2O3产生的效果的情况。x7大于1.0时，会有导致静电容量的温度依赖性增大的情况。
本发明的电介质瓷器组合物，在还原气氛至低氧气氛中经历例如1350℃以下的烧结时，可具有高绝缘电阻和高耐破坏电压，在高温高电压的加速试验中可具有足够的寿命，并且能够将静电容量相对于温度变化的变化设定得很小。
在本发明的电介质瓷器组合物中，例如，可以将1kHz下的介电常数设为3000以上、将高电压(5V/μm)下的电容电阻积(CR积)设为2000Ω·F以上、将耐破坏电压设为70V/μm以上、将通过施加3V/μm的直流产生的静电容量的降低率设为30％以下、将在200℃下施加30V/μm的电压时的绝缘电阻达到105Ω以下的时间(即IR加速寿命)设为1小时以上。
与此同时，根据本发明的电介质瓷器组合物，在静电容量的温度依赖性方面，能够满足EIA标准的X7R特性(即，-55～125℃的静电容量相对于基准温度25℃下的电容的变化率在±15％以内)，并且能够满足JIS标准的B特性(即，-25～85℃的电容相对于基准温度20℃下的电容的变化在±10％以内)。
这些性能是在Ni内部电极用的以往的电介质瓷器组合物中无法得到的性能，是与Pd内部电极用的在氧化性气氛中、在高温下烧制出的电介质瓷器组合物同等或更高的性能。
在制造积层型陶瓷电容器10时，例如，首先，按照规定的组成称量作为主要成分的BaTiO3粉末以及Mn、Cr、Y、Ho、V等的氧化物，将其混合并在80～1200℃下煅烧1～5小时。接着，将煅烧后的混合粉状体粉碎。为了在瓷器组合物中得到优异的介电性能，优选进行粉碎处理直至平均粒径达到0.1μm以下。
另一方面，将AO(BaO、CaO、SrO)、MO2(SiO2、GeO2)、Al2O3、B2O3等构成氧化物玻璃的成分，在高温下加热熔融后，迅速冷却，粉碎，制成氧化物玻璃粉末。
然后，在上述煅烧结束的粉末中添加玻璃粉末、有机胶粘剂、增塑剂、溶剂、分散剂等，将这些物质混炼，配制淤浆。然后，通过刮片法等，由淤浆制成规定厚度的印刷电路基板。然后，将含有内部电极形成用金属粉末的导电膏印刷在印刷电路基板的表面。将多片这样在表面上印刷了导电膏的印刷电路基板，在导电膏和印刷电路基板以交替设置的方式叠层的状态下进行压接。然后，对该叠层体进行用于除去胶粘剂的前处理加热、用于烧结的1100～1350℃的高温烧制(烧制工序)和在规定的氧化气氛和高温下的再氧化处理。假如在大于1350℃的烧制温度下实施烧制工序，则Ni或Ni合金容易凝聚，会有导致烧制成岛状的形态的情况。因此，优选烧制温度为1350℃以下。
然后，在叠层体的规定位置，形成作为与外部电路连接用端子的一对外部电极13。例如，按照以上的方法，能够制造积层型陶瓷电容器10。
实施例和比较例
[积层型陶瓷电容器的制造]
制造电极间电介质层的组成不同的多个积层型陶瓷电容器，作为实施例1～33和比较例1～8的电容器。构成实施例1～21的电容器的电极间电介质层的电介质瓷器组合物的组成(除去BaTiO3)汇总于图2的表中，构成实施例22～33和比较例1～8的电容器的电极间电介质层的电介质瓷器组合物的组成(除去BaTiO3)汇总于图3的表中。在图2和图3的表中，揭示了相对于100摩尔份的BaTiO3的各氧化物的相对的物质的量。
在制造实施例1～33和比较例1～8的各电容器时，首先，称量由草酸盐共沉淀法得到的BaTiO3粉末(平均粒径0.4μm)、MnO粉末、Cr2O3粉末、V2O5粉末以及在需要时添加的Y2O3粉末和Ho2O3粉末，混合后，在1100℃下煅烧7小时。此后，对该混合粉末进行粉碎处理，得到平均粒径为0.1μm以下的第一氧化物粉末。
称量用于得到烧结助剂的功能而在Ba、Ca、Sr中添加的碳酸盐、和用于得到烧结助剂的功能的SiO2和/或Ge2O3以及Al2O3和/或B2O3，混合后，在1250℃下煅烧2小时。此后，对该粉状体进行粉碎处理，得到平均粒径为0.1μm以下的第二氧化物粉末。
然后，将这2种氧化物粉末按照规定组成进行配合，由此得到原料粉末。
然后，在1000g粉末原料中，加入700g含有增塑剂和分散剂的甲苯-乙醇溶剂，使用球磨机进行2小时分散处理，配制成具有大约200cps的粘度的淤浆。此后，使用凸缘涂敷型涂布装置将该淤浆涂布在PET薄膜上，制成厚度2.5μm的印刷电路基板。
然后，通过将含有Ni粉末的导电膏印刷在印刷电路基板上，形成内部电极图案(厚度1.5μm)。将这样在表面形成了内部电极图案的多片印刷电路基板剥去作为其基材的PET薄膜后，以内部电极用图案和印刷电路基板交替设置的方式叠层(有效叠层数350)，进行加热压接。
然后，将该叠层体切断成规定尺寸，就得到绿色芯片(green chip)。此后，通过将绿色芯片在氮气中、在400℃下加热12小时，进行脱胶粘剂的处理。然后，通过将绿色芯片在加湿的氮气和氢气的混合气体中、在1100～1350℃下加热4小时，进行烧制处理(烧结处理)。在本烧制处理中，各印刷电路基板中的瓷器组合物烧结、形成电介质层，各导电膏中的Ni粉末烧结、形成内部电极。另外，关于烧制温度，可根据绿色芯片或印刷电路基板的种类预先指定。具体地说，对于各绿色芯片为相同结构的试样，改变烧制温度进行烧制，求出成为致密的烧结体的下限烧制温度。
然后，通过在加湿的氮气中、在1000℃下对经过烧制处理的烧结叠层体加热3小时，进行退火处理。
然后，对得到的烧结叠层体的规定端面进行研磨后，将含有Cu粉的导电膏涂布在该研磨位置。接着，通过在氮气氛下、在850℃下加热2小时，由该导电膏形成外部电极。按照以上方法，分别制造出实施例1～33和比较例1～8的电容器。各电容器的尺寸是长3.1mm、宽1.6mm，厚1.6mm，有效电介质层的厚度是2.0μm，内部电极的厚度是1.2μm。
[性能研究]
对于实施例1～33和比较例1～8的各电容器，研究其介电常数、介电损失(tanδ)、CR积、耐破坏电压、静电容量的温度依赖性、DC-偏压特性和IR加速寿命。研究结果揭示在图4和图5的表中。
关于介电常数和介电损失(tanδ)，是根据20℃时的静电容量、电极面积和电介质的厚度，在1V和1.0kHz的条件下求出的值。
关于CR积，在25℃下对每1μm厚度的电介质施加5V的电压时，测定绝缘电阻值的1分钟值，将该测定值乘以静电容量而求出。CR值是绝缘电阻大小的指标，因此是耐还原性的指标。
关于耐破坏电压，是对于各种组成各取50个电容器，使施加在电容器上的电压连续地上升，测量流过10mA以上的电流时的电压。取每种电容器的50个测定值的中心值作为代表值揭示于表中。
关于静电容量的温度依赖性，研究是否满足EIA标准的X7R特性和JIS标准的B特性。关于EIA标准的X7R特性，是使用LCR测量仪，将测量电压设为1V，对-55～125℃的温度范围内的各温度下的静电容量进行测定，研究电容变化率相对于基准温度25℃下的静电容量是否在±15％以内。关于JIS标准的B特性，是使用LCR测量仪，将测量电压设为1V，对-25～85℃的温度范围内的各温度下的静电容量进行测定，研究电容变化率相对于基准温度20℃下的静电容量是否在±10以内。将符合这些条件的情况定为○，将不符合的情况定为×。
关于DC-偏压特性，测量叠加6V的DC电压和1Vrms、1.0kHz的AC电压时的静电容量，求出相对于施加1Vrms、1.0kHz的AC电压时的静电容量的降低率。DC-偏压特性是绝缘电阻随时间恶化的指标。
关于IR加速寿命，在200℃下、施加60V(30V/μm)的直流电压，测量绝缘电阻降低到105Ω以下时的时间，以该测量时间作为IR寿命时间。IR加速寿命是可靠性的一个指标。
[评价]
根据图4和图5的表中所揭示的研究结果可知，使BaTiO3中含有适量的MnO和Cr2O3、再添加Y2O3和/或Ho2O3、并含有由BaO、CaO、SrO等和SiO2、GeO2等构成的玻璃形成物的做成规定组成的本发明的电介质瓷器组合物，适合于将Ni等用于电极的情况，在烧制温度1150～1350℃下成为致密的烧结体，而不会降低作为电介质的性能。在使用该电介质瓷器组合物的电容器中，即使在其制造过程中、在还原气氛中进行烧制工序，其介电常数都大于3000，CR积都为2000以上，耐破坏电压都为80V/μm以上，静电容量的温度依赖性都很小，IR加速寿命都为1.5小时以上并且可靠性都优异。
但是，在偏离本发明的组成范围时，例如，在MnO的含量过低的比较例1的电容器中，CR积低、绝缘电阻不足。Cr2O3过低的比较例3的电容器以及Y2O3和Ho2O3的总含量过低的比较例5的电容器，在静电容量的温度依赖性方面有问题。BaO和SiO2过多的比较例8的电容器，IR加速寿命缩短，可靠性低。另外，MnO过多的比较例2的电容器、Cr2O3过多的比较例4的电容器、Y2O3过多的比较例6的电容器以及BaO和SiO2过少的比较例7的电容器，由于不能在1350℃以下适当地烧结，所以无法进行适当的性能研究。

Claims (6)

1.一种电介质瓷器组合物，含有100摩尔份的BaTiO3、x1摩尔份的MnO、x2摩尔份的Cr2O3、x3摩尔份的Y2O3和/或Ho2O3、x4摩尔份的选自BaO、SrO的氧化物和x5摩尔份的SiO2和/或GeO2，其特征在于，满足：
0.5≤x1≤4.5、0.05≤x2≤1.0、x1+x2≤4.55、0.25≤x3≤1.5、0.5≤x4≤6以及0.5≤x5≤6。
2.如权利要求1所述的电介质瓷器组合物，其特征在于：
还含有0.01～1.0摩尔份的V2O5。
3.如权利要求1所述的电介质瓷器组合物，其特征在于：
还含有0.2～1.0摩尔份的Al2O3和/或B2O3。
4.如权利要求2所述的电介质瓷器组合物，其特征在于：
还含有0.2～1.0摩尔份的Al2O3和/或B2O3。
5.具有由权利要求1～4中任一项所述的电介质瓷器组合物构成的部位的电子部件。
6.如权利要求5所述的电子部件，其特征在于：
其为积层型陶瓷电容器，具有由陶瓷电介质和电极构成的积层结构，
所述陶瓷电介质由权利要求1～4中任一项所述的电介质瓷器组合物构成，
所述电极由Ni或含Ni的合金构成。
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