JP2016216270A - 誘電体磁器組成物およびその製造方法、ならびにセラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主成分としてチタン酸バリウムを含み、副成分としてAlの酸化物、Siの酸化物、Yの酸化物、およびYbの酸化物を含む誘電体磁器組成物であって、前記Alの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molであり、前記Siの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molである、誘電体磁器組成物。
【選択図】なし
Description
本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とするセラミックス(ペロブスカイト型化合物)である。「主成分とする」の用語の定義は上述の通りであって、製造上含まれてしまう不純成分が誘電体磁器組成物中に微量含まれていてもよい。不純成分としては、ナトリウム、カルシウム、ニオブ、鉄、鉛などの金属由来成分、および炭化水素系の有機成分、表面吸着水などが挙げられる。
本発明の誘電体磁器組成物は、副成分として、Alの酸化物、Siの酸化物、Yの酸化物、およびYbの酸化物を含む。
本発明の第二の形態は、チタン酸バリウムと、前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molのAlの酸化物と、前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molのSiの酸化物と、Yの酸化物と、Ybの酸化物と、を混合した後成形し、成形体を得る工程と、前記成形体を1230℃以下の温度で焼成する工程と、を有する、誘電体磁器組成物の製造方法である。本発明の誘電体磁器組成物は、1230℃以下という低温条件で焼成可能であり、本発明の誘電体磁器組成物をMLCCに用いた場合、内部電極として使用されるNiの球状化収縮を抑制することができる。また、本発明の誘電体磁器組成物は、X8R特性を満たす。
本工程では、(1−1)チタン酸バリウムと、前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molのAlの酸化物と、前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molのSiの酸化物と、Yの酸化物と、Ybの酸化物と、を混合し組成物を調製する工程(組成物調製工程)と、(1−2)得られた組成物を用いて成形して成形体を得る工程(グリーンシート作製工程)と、が行われる。
本工程では、チタン酸バリウムと、前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molのAlの酸化物と、前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molのSiの酸化物と、Yの酸化物と、Ybの酸化物と、を混合し、成形体(グリーンシート)作製用の組成物(スラリー)を調製する。さらに、必要に応じて、上記で説明した他の副成分や、分散剤、バインダ、可塑剤等の添加剤を混合する。これらの混合方法、混合順序は特に制限されないが、添加物を均一に分散できるという点で、混合方法は湿式混合が好ましい。
本工程では、上記(1−1)の工程で得られた組成物を、適当な大きさ、形状となるようにシート成形し、成形体(グリーンシート)を作製する。ここで、グリーンシートを作製する方法としては特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、ドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形法等によりシート状に成形し、これを乾燥することによりグリーンシートを得る。
本工程では、上記工程(1−2)において得られたグリーンシート(またはグリーンチップ)を、焼成する。
本発明の第三の形態は、上記誘電体磁器組成物または上記の製造方法により得られる誘電体磁器組成物を含む、セラミック電子部品である。本発明の誘電体磁器組成物または本発明の製造方法により得られる誘電体磁器組成物は、種々のセラミック電子部品に好適に用いることができる。以下、セラミック電子部品の一例である、積層セラミックコンデンサについて説明する。
グリーンシート(またはグリーンチップ)を焼成することにより得られる誘電体磁器組成物は、薄膜状となっており、積層セラミックコンデンサ(MLCC)の誘電体層として用いることができる。積層セラミックコンデンサの製造方法としては特に制限されないが、例えば、以下のようにして製造される。
下記表1の組成比となるようにチタン酸バリウム、Al2O3、SiO2、BaCO3、Mn3O4、MgO、BaZrO3、Y2O3、およびYb2O3の各原料を、電子天秤を用いて計量した。固形分が55質量%となるようにエタノール/トルエン(60/40質量比)の混合溶媒を用い、3mmφのZrO2ボールを用いて、回転ボールミル台により湿式混合を25℃で16時間行った。その後、バインダ(PVB、積水化学工業株式会社製、BH−3)溶液(PVB固形分15質量%、溶媒:エタノール/トルエン=60/40質量比)を、PVB/各原料の合計=10/90質量比となるように添加して、回転ボールミル台にて25℃で4時間混合を行い、セラミックススラリーを得た。
上記実施例および比較例で得られた誘電体磁器組成物について、下記の通り評価した。
アルキメデス法により、各誘電体磁器組成物をn=3にて密度を測定した。理論密度を6.02g/cm3とし、得られた実測密度を理論密度で除して100を掛け相対密度を算出した。
電極としてインジウム−ガリウム(In−Ga)合金を各誘電体磁器組成物の上下面に塗布し、LCRメーター(Agilent社製 4284A 測定条件:AC印加電圧1.0V/mm、周波数1kHz)を用いて比誘電率の測定を行った。
アジレント・テクノロジー株式会社製、ハイレジスタンスメータ4339Bを使用し、印加電圧DC:250V、印加時間60秒で測定を行った。
容量温度特性(Tc)は、実施例および比較例の誘電体磁器組成物に対し、−55℃〜150℃の温度範囲で静電容量を測定して求めた。静電容量の測定にはデジタルLCRメーター(日本ヒューレット・パッカード株式会社製、4274A)を用い、周波数1kHz、入力信号レベル1Vrmsの条件下で測定した。そして、−55℃および150℃の温度環境下での静電容量を測定し、下記式に従い、25℃における静電容量に対する各温度での静電容量の変化率(単位:%)を算出し、X8R特性(−55℃〜150℃、Tc=±15%以内)を満足するか否か調べた。
Claims (5)
- 主成分としてチタン酸バリウムを含み、副成分としてAlの酸化物、Siの酸化物、Yの酸化物、およびYbの酸化物を含む誘電体磁器組成物であって、
前記Alの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molであり、前記Siの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molである、誘電体磁器組成物。 - 前記Yの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してY2O3換算で1〜2molであり、前記Ybの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してYb2O3換算で1〜2molである、請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
- 主成分としてチタン酸バリウムを含み、副成分としてAlの酸化物、Siの酸化物、Yの酸化物、およびYbの酸化物を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、
チタン酸バリウムと、
前記チタン酸バリウム100molに対してAl2O3換算で0.25〜1molのAlの酸化物と、
前記チタン酸バリウム100molに対してSiO2換算で3〜4molのSiの酸化物と、
Yの酸化物と、
Ybの酸化物と、
を混合した後成形し、成形体を得る工程と、
前記成形体を1230℃以下の温度で焼成する工程と、
を有する、誘電体磁器組成物の製造方法。 - 前記Yの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してY2O3換算で1〜2molであり、前記Ybの酸化物の含有量は、前記チタン酸バリウム100molに対してYb2O3換算で1〜2molである、請求項3に記載の製造方法。
- 請求項1もしくは2に記載の誘電体磁器組成物または請求項3もしくは4に記載の製造方法により得られる誘電体磁器組成物を含む、セラミック電子部品。
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