WO2004113890A1 - 時間分解測定装置および位置検出型電子増倍管 - Google Patents

時間分解測定装置および位置検出型電子増倍管 Download PDF

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WO2004113890A1
WO2004113890A1 PCT/JP2004/009282 JP2004009282W WO2004113890A1 WO 2004113890 A1 WO2004113890 A1 WO 2004113890A1 JP 2004009282 W JP2004009282 W JP 2004009282W WO 2004113890 A1 WO2004113890 A1 WO 2004113890A1
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WO
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stack
pulse
microchannel plate
time
mcp
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PCT/JP2004/009282
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French (fr)
Inventor
Nobuyuki Hirai
Mitsunori Nishizawa
Original Assignee
Hamamatsu Photonics K.K.
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Publication date
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246Microchannel plates [MCP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2444Electron Multiplier
    • HELECTRICITY
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    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817Pattern inspection

Definitions

  • the present invention relates to a position-sensitive electron multiplier (PS_EMT) and a time-resolved measurement device using the position-sensitive electron multiplier.
  • PS_EMT position-sensitive electron multiplier
  • An object of the present invention is to improve time accuracy in time-resolved measurement.
  • a time-resolved measurement apparatus of the present invention acquires position information and timing information of a quantum ray emitted by excitation of a sample.
  • This device consists of a signal generator that generates a reference time pulse in synchronization with the excitation of the sample, and a position that corresponds to the detection position by detecting light.
  • a detection device that generates a detection timing pulse synchronized with the signal and the detection timing, a position calculator that calculates a detection position using the position signal, a time difference measuring device that measures a time difference between the reference time pulse and the detection timing pulse,
  • a data processing device for storing the detected position calculated by the position calculator and the time difference measured by the time difference measuring device in association with each other.
  • the detection device has a position detection type electron multiplier.
  • the electron multiplier has an entrance window through which quantum rays enter, an anode, and first and second microchannel plates sandwiched between the entrance window and the anode.
  • the first microchannel plate has an input surface facing away from the force source and an output surface facing away from the second microchannel plate.
  • the second microchannel plate has an input surface facing away from the output surface of the first microchannel plate, and an output surface facing away from the anode.
  • the detection timing pulse is generated in response to a potential change when electrons multiplied by the microchannel plate are emitted from the output surface of the first microchannel plate, and is sent to the time difference measuring device.
  • Quantum rays include charged particles such as electrons, ions, strings, and rays, photons such as ultraviolet rays, X-rays, and gamma rays, and neutrons.
  • Quantum radiation is generated by the excitation of the sample when atoms and molecules move from a low energy state to a higher energy state due to external stimuli such as heat, light, and radiation, and return to the original state. This is a phenomenon in which the difference between the energies of the two states is emitted as quantum rays such as light (see Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).
  • Semiconductor devices spontaneously
  • the detection timing pulse taken out of the microchannel plate includes, in addition to the positive polarity component caused by the emission of multiplied electrons from the microchannel plate, the detection timing pulse in addition to the incidence of quantum rays on the microchannel plate.
  • the plus component has a magnitude corresponding to the amount of electrons multiplied by the first and second micro-channel plates.
  • the negative component has a size corresponding to the amount of electrons multiplied by the first microchannel plate.
  • the first and second microchannel plates have multiplication fluctuations that have no correlation with each other. Therefore, the positive component and the negative component of the detection timing pulse have different ratios each time detection is performed. Therefore, the timing at which the detection timing pulse crosses the ground level, that is, the cross cross timing, also differs for each detection. As a result, the time difference between the reference time pulse and the detection timing pulse fluctuates, and the time accuracy of the time-resolved measurement decreases.
  • the detection timing pulse is extracted from the first micro channel plate disposed in front of the second micro channel plate.
  • the negative component of the detection timing pulse is generated in response to the incidence of a quantum ray on the first microphone channel plate. Therefore, the magnitude of the negative component is not affected by the electron multiplication by the first and second microchannel plates. Therefore, the negative component in the detection timing pulse is small. As a result, the fluctuation of the zero-cross timing of the detection timing pulse is suppressed, and the time accuracy of the time decomposition measurement is improved.
  • the time-resolved measurement apparatus of the present invention comprises: a first microchannel plate; a first stack having one or more microchannel plates superimposed on an input surface of the first microchannel plate; 2 Multi-channel plate and 1st superimposed on the input surface of 2nd micro-channel plate
  • the apparatus may further include a second stack having one or more microchannel plates opposed to the microchannel plate at a distance.
  • the positive component of the detection timing pulse is formed by electrons multiplied by the plurality of microchannel plates in the first stack.
  • the negative component is generated by the incidence of quantum rays on the first stack, and is not affected by electron multiplication by the microchannel plate in the first stack. Therefore, the minus component is much smaller than the plus component. Therefore, the fluctuation of the zero-cross timing of the detection timing path is further suppressed, and the time accuracy of the time-resolved measurement is improved.
  • the first stack is opposed to the entrance window without sandwiching another microchannel plate between the entrance window and the first stack.
  • the negative component of the detection timing pulse is not affected not only by the electron multiplication by the microchannel plate in the first stack but also by the electron multiplication by another microchannel plate. For this reason, the minus component of the detection timing pulse becomes extremely small. This increases the time accuracy of the time-resolved measurement.
  • the first stack may have a higher photomultiplier than the second stack. This is advantageous in preventing electron ⁇ times saturation. As a result, photoelectrons are efficiently multiplied, and a position signal with a high SZN can be obtained. Since the magnitude of the minus component of the detection timing pulse is not affected by the electron multiplication by the first stack, the minus component is small regardless of the multiplication factor of the first stack. Therefore, both high position detection accuracy and high time accuracy can be achieved.
  • the position detection type electron multiplier may further include a photocathode that converts quantum rays into photoelectrons by a photoelectric effect between the entrance window and the input surface of the first microchannel plate.
  • the first microchannel plate is arranged opposite to the photo-force source, receives photoelectrons from the photo-cathode and generates and multiplies secondary electrons. In this case, photoelectrons enter the first microchannel plate.
  • the negative component of the detection timing pulse has a magnitude corresponding to the amount of incident photoelectrons. Having.
  • the plus component of the detection timing pulse has a magnitude corresponding to the amount of secondary electrons multiplied by the first microchannel plate. Therefore, the minus component is much smaller than the plus component. Therefore, the fluctuation of the zero-cross timing of the detection timing pulse is suppressed, and the time accuracy of the time-resolved measurement is improved.
  • the position detection type electron multiplier of the present invention generates an electron at a position corresponding to the entrance window for taking into account the quantum line and the position of incidence of the quantum line on the entrance window, First and second microchannel plates that multiply electrons while maintaining, anodes facing the second microchannel plate, connected to the first microchannel plate and multiplied by the first microchannel plate
  • a pulse readout circuit for acquiring a pulse signal from the first microchannel plate according to a potential change when electrons are emitted from the first microchannel plate.
  • the first microchannel plate has an input surface facing away from the entrance window and an output surface facing away from the second microchannel plate.
  • the second microchannel plate has an input surface facing away from the output surface of the first microchannel plate, and an output surface facing away from the anode.
  • the noise readout circuit is connected to the output surface of the first micro channel plate.
  • the pulse readout circuit is connected not to the second micro channel plate but to the first micro channel plate.
  • the negative component of the pulse signal obtained by the pulse readout circuit is generated in response to the incidence of a quantum ray on the first microchannel plate. Therefore, the magnitude of the negative component is not affected by the electron multiplication by the first and second microchannel plates. As a result, the negative component in the pulse signal is small, and thereby the fluctuation of the zero cross timing of the detection timing pulse is suppressed. Therefore, if this pulse signal is used as a signal indicating the detection timing of a quantum ray, a time with high time accuracy can be obtained. Decomposition measurement is possible.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the time-resolved measurement device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the photomultiplier according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of a photomultiplier tube of a comparative example.
  • FIG. 4A shows the temporal change of the potential at the electrode of the last MCP in the second stack
  • FIG. 4B shows the detection timing pulse extracted from the electrode.
  • FIG. 5 shows superposition of detection timing pulses obtained by a plurality of detections.
  • Fig. 6A shows the temporal change of the potential at the electrode of the last MCP in the first stack
  • Fig. 6B shows the superposition of detection timing pulses obtained by a plurality of detections.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating the structure of a photomultiplier tube according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the structure of a photomultiplier tube according to the third embodiment.
  • FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the time-resolved measuring apparatus 100 according to the embodiment.
  • the apparatus 100 detects the photons 15 emitted from the sample 10 and measures the two-dimensional position and timing of light emission.
  • Equipment 1 ⁇ 0 is a semiconductor tester 12, a position-sensitive photomultiplier tube (PS-PMT)
  • a position calculator 16 a position calculator 16
  • a time-to-amplitude converter (T AC) 17 a data processor 18.
  • the semiconductor tester 12 is an excitation device for giving an operation start pulse to the sample 10 to generate light.
  • the tester 12 drives the IC by applying a drive voltage to the IC on the sample 10.
  • the transistors included in I C emit light with a low probability during the switching operation. Therefore, the operation timing of the transistor can be analyzed by measuring the two-dimensional position and timing of light emission using the device 100.
  • the tester 12 includes a signal generator 1′2a that generates a reference time pulse RT in synchronization with an operation start pulse given to the sample 10. This pulse RT is sent to the time-to-voltage converter 17.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the structure of the position detection type photomultiplier 14.
  • the photomultiplier 14 converts the photons 15 emitted from the sample 10 into electrons, and amplifies the electrons while maintaining their two-dimensional position.
  • the photomultiplier tube 14 includes an envelope 20 and a voltage division circuit 80 connected to the envelope 20.
  • the envelope 20 houses a photo force sword 22, a microchannel plate (MCP) 23 to 27, and a resistive anode 28.
  • MCP microchannel plate
  • a resistive anode 28 At the front of the envelope 20, a transparent entrance window 29 is provided.
  • the photo force sword 22 is formed on the inner surface of the entrance window 29.
  • the photocathode 22 and the resist node 28 are arranged so as to be separated from each other and opposed to each other.
  • the MCPs 23 to 27 are arranged between the photocathode 22 and the resistive anode 28.
  • the photopower sword 22 receives the photons 15 transmitted through the entrance window 29 and converts them into photoelectrons by a photoelectric effect. Photopower sword 22 is sometimes referred to as the "photocathode.”
  • Each of the MCPs 23 to 27 is a plate-shaped electron multiplier that generates and multiplies secondary electrons by receiving photoelectrons from the photo force sword 22.
  • the planar shape of the MCP may be circular or rectangular.
  • a conductive material is deposited on the front and rear surfaces of each MCP as electrodes.
  • the front surface 23a to 27a of each MCP is an input surface for receiving photoelectrons or secondary electrons, and the rear surface 23b to 27b is an output surface for emitting secondary electrons.
  • the photoelectrons first enter the frontmost MCP 23.
  • the incident position of the photoelectrons corresponds to the incident position of the light 15 on the photo force sword 22.
  • the MCP 23 generates a secondary electron at the incident position of the photoelectron, and multiplies the secondary electron while maintaining its two-dimensional position.
  • the subsequent MCPs 24 to 27 also multiply the secondary electrons while maintaining the two-dimensional position.
  • the MCPs 23 to 27 have a large number of channels for passing secondary electrons, and the secondary electrons are multiplied while moving in the channel. More specifically, MCP has a structure in which many very thin glass pipes are bundled. This glass pipe is the channel. Each channel functions as an independent multiplier.
  • the inner wall of the channel is both an electrical resistor and an electron emitter. When a quantum (for example, a photoelectron in the present embodiment) to which the MCP responds enters the inner wall of one channel, one or more electrons are emitted from the inner wall.
  • the electrons emitted from the inner wall of the channel in response to the incidence of the quantum on the input surface of the MCP are accelerated by the electric field generated by the voltage applied to both ends of the MCP, and draw a parabolic orbit. Impact on the other side of the wall. By this collision, secondary electrons are emitted from the inner wall. As a result of such electron emission being repeated many times along the channel, the electrons are multiplied and a large number of electrons are emitted from the output surface of the MCP.
  • the two-dimensional position of the electrons is maintained by the channel.
  • the MCPs 23 to 27 constitute first and second MCP stacks 30 and 32.
  • the first stack 30 is a two-stage stack composed of two MCPs 23 and 24 superimposed on each other.
  • the first stack 30 is directly opposed to the photo power sword 22 without sandwiching another MCP between the first power stack 30 and the photo power sword 22.
  • 1 ⁇ ? 23 has input surfaces 23a and 24a, respectively, facing away from photopower sword 22.
  • the output surface 23b of the MCP 23 is superimposed on the input surface 24a of the MCP 24.
  • the output surface 24 b of the MCP 24 faces away from the input surface 25 a of the MCP 25.
  • the second stack 32 is a three-stage stack composed of three MCPs 25 to 27 superimposed on each other.
  • the output surface 25 c of the MC P 25 is superimposed on the input surface 26 a of the MCP 26, and the output surface 2 of the MCP 26
  • the reason why the MCPs 23 to 27 are divided into two stacks 30 and 32 is for efficient multiplication of photoelectrons.
  • photomultipliers concentrate on a small number of channels, so that the multiplication effect tends to saturate.
  • the MCPs 23 to 27 are divided into two stacks 30 and 32, the electrons multiplied by the front stack 30 are emitted from the stack 30 and diffused toward the rear stack 32. . This diffusion will result in photoelectron multiplication in more channels in the rear stack 32. For this reason, saturation of the multiplication action can be prevented and photoelectrons can be multiplied efficiently.
  • the MCPs are used in multiple stages, such as the stacks 30 and 32, it is preferable to arrange the MCPs such that the axis of the channel has an appropriate bias angle with respect to the vertical axis of the MCP.
  • the MCPs By employing such an arrangement, it is possible to reduce noise due to ion feedback generated with an increase in gain, and to obtain a high gain.
  • the multiplication factor of the second stack 32 may be lower than the multiplication factor of the first stack 30.
  • the multiplication factor of the first stack 3 0 is about 1 0 s
  • ⁇ of the second stack 3 2 is about 1 0 2.
  • the resistive anode 28 is a kind of position detection type anode.
  • the lead 28 is a conductor plate provided with a uniform resistance layer on one side.
  • Signal reading electrodes 28 a are provided at four locations on the periphery of the node 28. These electrodes 28a are electrically connected to a position calculator 16 via a preamplifier 40, as shown in FIG. For simplicity of the drawing, only two of the four electrodes 28a are shown in the drawing. Also, in the drawing, the position of the electrode 28a is drawn closer to the center of the resistive anode 28 than the actual position.
  • these readout electrodes 28a output charge pulses. The two-dimensional position of the secondary electrons incident on the resistive anode 28 can be determined according to the charge amount of these charge pulses.
  • each electrode 28 a of the resistive anode 28 generates a signal DP corresponding to the detection position of the photon 15 and sends it to the position calculator 16.
  • the photopower source 22, the first and second MCP stacks 30 and 32, and the resistive anode 28 are connected to a voltage dividing circuit 80.
  • the circuit 80 applies a voltage between the power source 22 and the anode 28 and divides the voltage and applies the divided voltage to the first and second MCP stacks 30 and 32.
  • the circuit 80 receives a signal DP corresponding to the detection position of the photon 15 from the resistive anode 28, amplifies the signal DP, and sends the amplified signal DP to the position calculator 16. Further, the circuit 80 also functions as a pulse reading circuit that acquires a pulse signal indicating the detection timing of the photon 15.
  • the MCP 23 Annular electrodes 33 and 34 are attached to the periphery of the input surface 23a and the periphery of the output surface 24b of the MCP 24, respectively, and these electrodes are connected to a high-voltage power supply 42 by lead wires.
  • annular electrodes 35 and 37 are attached to the periphery of the input surface 25a of the MCP 25 and the periphery of the output surface 27b of the MCP 27, respectively. It is connected to a high voltage power supply 42 by a lead wire.
  • the high voltage power supply 42 is also connected to the photo power source 22 and the resistive anode 28.
  • the high voltage power supply 42 applies a voltage to the photo-force source 22, the first stack 30, the second stack 32, and the resistive anode 28, and forms an electric potential gradient therebetween. Due to this potential gradient, a higher potential is applied in the order of the resistive anode 28, the second stack 32, the first stack 30, and the photo-force source 22. A potential gradient is also formed in each MCP stack. In the first stack 30, a higher potential is applied to a position closer to the output surface 24b of the MCP 24. In the second stack 32, a higher potential is applied to a position closer to the output surface 27b of the MCP 27. [0039] More specifically, resistors 81 to 85 are connected in series between the photo-sword 22 and the high-voltage power supply 42.
  • the photocathode 22 and the electrode 33 are connected to both ends of the resistor 81, whereby a potential gradient is formed between the two.
  • Electrodes 33 and 34 are connected to both ends of the resistor 82, thereby forming a potential gradient between the input surface 23 a and the output surface 24 b of the first MCP stack 30.
  • Electrodes 34 and 35 are connected to both ends of the resistor 83, whereby a potential gradient is formed between the first MCP stack 30 and the second MCP stack 32.
  • Electrodes 35 and 37 are connected to both ends of the resistor 84, thereby forming a potential gradient between the input surface 25a and the output surface 27b of the second MCP stack 32.
  • the pulse signal DT is generated on the output surface 24b of the MCP 24 in synchronization with the photon detection timing.
  • this pulse signal DT is referred to as a “detection timing pulse”.
  • the electrode 34 provided on the output surface 24 b of the MCP 24 is connected to the time-to-voltage converter 17 via the voltage dividing circuit 80.
  • the detection timing pulse DT is sent to the time-to-voltage converter 17 through the electrode 34 and the circuit 80.
  • the circuit 80 has a resistor 86 and a high-voltage blocking capacitor 87 connected in series with each other to obtain the detection timing pulse DT. Electrode 34 is connected between resistor 86 and capacitor 87. Capacitor 87 is connected to preamplifier 41, amplifiers 43 and 44, CFD45 and TA
  • the position calculator 16 is electrically connected to the resistive anode 28 of the photomultiplier tube 14.
  • the position calculator 16 calculates the detection position of the photon 15 using the position signal DP sent from the resistive anode 28.
  • the output terminal of the position calculator 16 is connected to the latch circuit 49. The calculated detection position is sent to the latch circuit as digital data.
  • the time-voltage converter (TAC) 17 is a time difference measuring device that measures the time difference between two input signals.
  • the TAC 17 is electrically connected to both the signal generator 12 a in the tester 12 and the photomultiplier tube 14.
  • the start terminal of TAC 17 is connected to electrode 34 on MCP 24 via preamplifier 41, amplifiers 43 and 44, and constant fraction discriminator (CFD) 45.
  • T AC 17 receives the detection timing pulse DT from the photomultiplier tube 14 at the start terminal.
  • the stop terminal of the TAC 17 is connected to the tester 12 via the amplifier 46 and the delay circuit 47.
  • the TAC 17 receives the reference time pulse RT from the signal generator 12a in the tester 12 at the stop terminal.
  • TA C17 generates an analog voltage signal having a wave height corresponding to the time difference between the reference time pulse RT and the detection timing pulse DT. This time difference indicates the detection time of the photon 15 based on the reference time pulse.
  • the output terminal of the TAC 17 is connected to the latch circuit 49 via the A / D converter 48.
  • the analog signal indicating the detection time is sent to the AZD converter 48, where it is converted into digital data. This data indicating the detection time is sent to the latch circuit 49.
  • the latch circuit 49 receives the detected position data from the position calculator 16 and the detected time data from the TAC 17, and transfers the data to the data processing device 18 as a set of data.
  • the data processing device 18 receives data from the latch circuit 49 and stores the data.
  • the processing device 18 is, for example, a personal computer.
  • the processing device 18 has a CPU, a storage device, a hard disk, a keyboard and a mouse, and a display.
  • the storage device stores programs and data necessary for data processing.
  • the detection position and the detection time sent from the latch circuit 49 are stored in this storage device in association with each other.
  • the data processing device 18 also functions as a control device of the time-resolved measurement device 100.
  • the position calculator 16 receives the position signal DP from the resistive anode 28 via the preamplifier 40, calculates the detection position of the photon 15, converts it into a digital signal, and sends it to the latch circuit 49.
  • the device 18 sends a high-voltage control signal to the position calculator 16.
  • the position calculator 16 is connected to the high-voltage power supply 42, and causes the high-voltage power supply 42 to generate an output voltage in response to the high-voltage control signal, or stop the generation.
  • the device 18 sends a time constant control signal to the TAC 17.
  • the TAC 17 sets the time constant of the time-to-amplitude conversion in response to the IS signal.
  • the device 18 sends a delay control signal to the delay circuit 47.
  • the delay circuit 47 sets a delay in response to this signal.
  • Photomultiplier Tube 14 receives photons 15 at photocathode 22.
  • Photopower sword 22 converts photons 15 into photoelectrons by the photoelectric effect.
  • the photoelectrons enter the input surface 23a of the MCP 23 due to a potential gradient between the photo-force node 22 and the first stack 30.
  • MC P 23 and 24 in the stack 30 multiply the photoelectrons about 106-fold.
  • the multiplied electrons reach the output surface 24 b of the MCP 24 due to the potential gradient in the stack 30.
  • the electrons are emitted from the output surface 24b of the MCP 24 by the potential gradient between the first and second stacks 30 and 32, and are incident on the input surface 25a of the MCP 25.
  • MCP. 25 to in the stack 32 27 ⁇ approximately 10 doubles electrons.
  • the electrons reach the output surface 27 b of the MCP 27 due to the potential gradient in the stack 32.
  • the electrons are then emitted from the output surface 27b of the MCP 27 by the potential gradient between the second stack 32 and the resistive anode 28 and collected at the resistive anode 28.
  • the resistive anode 28 sends a charge pulse DP corresponding to the two-dimensional position of the electrons from the four electrodes 28a to the position calculator 16.
  • the position calculator 16 receives these charge pulses DP and calculates the two-dimensional position of the electrons by detecting the center of gravity. This two-dimensional position is the position of photon 15 detection ⁇ :, and corresponds to the light emission position on sample 10. The calculated detection position is sent to the data processing device 18.
  • the photomultiplier 14 generates a pulse in synchronization with the detection timing of the photon 15.
  • the detection timing pulse DT is extracted from the MCP 24 by the voltage dividing circuit 80.
  • the potential instantaneously increases at the output surface 24b of the MCP 24.
  • electrons flow from the high-voltage power supply 42 into the MCP 24, and the potential of the output surface 24b is returned to a predetermined steady potential. This flow of electrons is called charge current.
  • the charge current flows from the high voltage power supply 42 through the resistors 83-85 to the electrode 34 of the MCP 24.
  • a resistor 86 is arranged between the electrode 34 and the resistor 83.
  • the impedance is increased.
  • the electron inflow amount per unit time is reduced.
  • the path including the capacitor 87 has a lower impedance than the path including the resistors 83 to 86. Therefore, electrons instantaneously flow into the electrode 34 from one end of the capacitor 87. Since the other end of the capacitor 87 is connected to the CFD 45 via the amplifier, the flow of electrons to the electrode 34 flows into the CFD 45 as a current pulse.
  • This current pulse is the detection timing pulse DT.
  • the circuit 80 can extract the detection timing pulse DT in synchronization with the instantaneous potential rise of the output surface 24b of the MCP 24.
  • This detection timing pulse DT is sent to TAC17 through CFD45.
  • the TAC 17 receives the reference time pulse RT synchronized with the driving of the IC on the sample 10 from the tester 12, and receives the detection timing pulse DT from the CFD 45.
  • the TAC 17 measures the time difference between the reference time pulse RT and the detection timing pulse DT. As described above, this time difference indicates the detection time of the photon 15 based on the reference time pulse RT. This detection time is sent to the data processing device 18.
  • the data processing device 18 receives the detection position and the detection time, and stores them in the storage device in association with each other. Since the probability that the transistor on the sample 10 emits light at the time of switching is very small, the sample 10 is repeatedly excited, and the detection position and the detection time are accumulated in the data processing device 18.
  • the stored data can be used in various ways. For example, the data processing device 18 counts the number of times of light emission for each detection position over a specific time period, and generates a two-dimensional image in which luminance according to the obtained count number is assigned to pixels corresponding to the detection position. Can be. In addition, the data processing device 18 can create a histogram of the detection time at a specific detection position using the accumulated detection time.
  • the horizontal axis is the detection time
  • the vertical axis is the number of times of light emission.
  • the peak of the histogram indicates the time at which light emission was detected with high frequency at a specific detection position. Therefore, The detection time corresponding to the peak can be regarded as the timing at which the transistor corresponding to the detection position switches.
  • the detection timing pulse DT is read from the MCP 24 located at the rearmost position of the front stack 30. In the following, this point will be described in detail with comparison with the conventional technology.
  • the detection timing pulse is obtained from the output surface of the MCP that directly faces the anode.
  • the potential rise pulse generated when electrons are emitted from the output surface of the last MCP disposed rearmost toward the anode is read out as the detection timing pulse.
  • the amount of potential rise is proportional to the amount of charge released, and the amount of charge is maximum at the final MCP. Therefore, a high S / N detection timing pulse can be read from the last MCP.
  • FIGS. 3 and 4 show the photomultiplier tube 14a from which the detection timing pulse DT is read from the electrode 37 on the final MCP 27. It is the schematic which shows a structure.
  • the electrode 37 is connected to the TAC 17 via an amplifier and a constant fraction discriminator, like the electrode 34 in the present embodiment.
  • FIG. 4A shows a change with time in the potential of the electrode 37
  • FIG. 4B shows a timing pulse DT extracted from the electrode 37.
  • a potential rising pulse 60 appears on electrode 37 as shown in FIG. 4A.
  • the potential rise pulse 60 is generated each time a photon is detected.
  • three potential rising pulses 60a to 60c are generated as shown in FIG. 4A.
  • the multiplication factors of the first and second MCP stacks 30 and 32 have some fluctuation.
  • the potential rising pulses 60a to 60c have various wave heights according to such multiplication fluctuation.
  • the present inventor has found that another pulse 62 a to 62 c appears on the electrode 37 immediately before the potential rising pulse 60 a to 60 c.
  • the panoles 62 is due to the photomultiplier tube 14 having two MCP stacks 30 and 32 spaced apart from each other.
  • the electrons multiplied by the first stack 30 are emitted from the output surface of the MCP 24, and the MCP located at the input surface of the second stack 32, that is, the foremost position in the second stack 32. It is incident on the input surface 25 a of 25. At this time, capacitive coupling between the electrode 35 on the input surface 25a and the electrode 37 on the output surface 27b of the second stack 32 generates a pulse 62 on the electrode 37.
  • this pulse 62 is referred to as an “electronic input pulse”.
  • the wave height of the electronic input pulse 62 depends on the multiplication factor of the first stack 30.
  • the electron input pulses 62 a to 62 c have various wave heights according to the multiplication fluctuation of the first stack 30.
  • the potential rising pulse 60 has a positive polarity, and the electron input pulse 62 has a negative polarity.
  • the injection of electrons from the first stack 30 to the second stack 32 generates an electron input pulse 62, and after multiplication of the electrons by the second stack 32, a potential rising pulse 60 is generated. Therefore, the potential rising pulse 60 Appearing on the electrode 37 about 300 psec later than the child input pulse 62.
  • Pulses 60 and 62 partially overlap and are read from electrode 37 as one pulse 70 as shown in FIG. 4B. This pulse 70 is the above-mentioned detection timing pulse DT.
  • the potential Rise Pulse 6 0 has a height of 1 0-1 0 0 times the electron input pulse 6 2.
  • the wave height of the potential rise pulse 60 is affected by the ⁇ -fold fluctuation of both the stacks 30 and 32, whereas the wave height of the electronic input pulse 62 is only from the ⁇ -fold fluctuation of the stack 30. Not affected. Therefore, the pulse heights of these pulses 60 and 62 have fluctuations that are not correlated with each other. Therefore, the positive potential rising pulse 60 and the negative electron input pulse 62 are combined at a different crest ratio every time a photon is detected to form a detection timing pulse.
  • the CFD 45 determines the timing 71 when the pulse 70 crosses the ground level. This is called zero cross timing.
  • the TAC 17 treats this zero-cross timing as the reception timing of the path 70. Since Panores 70 has a negative component corresponding to the electron input pulse 62, the zero-cross timing 71 is delayed as compared with the timing 72 at which photoelectrons enter the second stack 32. Since the potential rising pulse 60 and the electron input pulse 62 have different peak ratios each time a photon is detected, the delay time of the zero cross timing 71 from the electron incidence timing 72 is not constant. This is all the more evident when referring to FIG. 5, which shows the detection timing pulses for multiple photon detection superimposed. Due to such non-uniform delay of the zero cross timing 71, a fluctuation (jitter) of 200 psec or more occurs at the detection time, and the time accuracy is reduced.
  • the detection timing pulse is read from the last MCP 24 of the first stack 30. Incident on the first stack 30 are photoelectrons converted from one photon, Not multiplied. Therefore, the electron input pulse generated at the electrode 34 of the MCP 24 is very small. As shown in FIG. 6A, only the potential rising pulse 64 appears on the electrode 34 on the MCP 24. Therefore, as is clear from FIG. 6B, which shows detection timing pulses in a plurality of photon detections superimposed, fluctuation of the zero-cross timing can be suppressed. Photoelectrons are multiplied by 10 s by the first stack 30 and then emitted from the MCP 24 force.
  • the charge amount of these photons is about lZ100 of the charge amount released from the final MCP 27, but it is still possible to generate a potential rising pulse 64 having a sufficient peak. Therefore, a decrease in the S / N and time accuracy of the detection timing pulse is prevented. As a result, good time accuracy of about 60 psec can be obtained.
  • the number of output terminals electrically connected to the electrode 34 for obtaining the detection timing pulse is not limited to one, and a plurality of output terminals may be provided. In this case, the plurality of output terminals preferably have the same length.
  • the time-resolved measurement apparatus of the present embodiment has a configuration in which another photomultiplier tube 90 is installed instead of the photomultiplier tube 14 in the apparatus 100 of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing the structure of the position detection type photomultiplier tube 90 used in the present embodiment.
  • the photomultiplier tube 90 has a voltage division circuit 92 different from the photomultiplier tube 14 of the first embodiment.
  • the circuit 92 differs from the voltage dividing circuit 80 of the first embodiment in the configuration for acquiring the detection timing pulse DT from the MCP 24. That is, the circuit 92 has a high-voltage blocking capacitor 88 and a coaxial cable 94 in addition to the resistor 86 and the capacitor 87 connected to the electrode 34 of the MCP 24.
  • the coaxial cable 94 has an inner conductor (core wire) 94a and a cylindrical outer conductor 94b coaxially surrounding the inner conductor 94a.
  • One end of the inner conductor 94a is connected to one end of a resistor 86 via a capacitor 87, and the other end of the inner conductor 94a is 41, connected to C FD 45 and TAC 17 via amplifiers 43 and 44.
  • the outer conductor 94b is connected to the other end of the resistor 86 via the capacitor 88 and is grounded.
  • the potential instantaneously increases at the output surface 24b of the MCP 24.
  • a charge current is supplied from the high voltage power supply 42 to the MCP 24.
  • the impedance between the high-voltage power supply 42 and the MCP 24 is increased by the resistor 86. Therefore, in the high frequency region, the path including the capacitors 87 and 88 and the coaxial cable 94 has a lower impedance than the path including the resistor 86. Therefore, at a moment, electrons flow into the electrode 34 from the path including the coaxial cable 94.
  • the CFD 45 is connected to an end of the coaxial cable 94 opposite to the end connected to the capacitor 87.
  • the flow of electrons to the electrode 34 flows into the CFD 45 as a current pulse.
  • This current pulse is the detection timing pulse DT.
  • the circuit 92 can extract the detection timing pulse DT in synchronization with the instantaneous potential rise of the output surface 24b of the MCP 24.
  • This embodiment has the same advantages as the first embodiment. Further, since the detection timing pulse DT is transmitted by the coaxial cable 94, the waveform of the pulse D is hardly deteriorated. Therefore, the time accuracy of the time-resolved measurement can be further improved.
  • the time-resolved measurement device of the present embodiment also has a configuration in which another photomultiplier tube 95 is provided instead of the photomultiplier tube 14 in the device 100 of the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing the structure of the position detection type photomultiplier tube 95 used in the present embodiment.
  • the photomultiplier tube 95 has a voltage division circuit 96 different from the photomultiplier tube 14 of the first embodiment.
  • the circuit 96 is different from the voltage division circuits 80 and 92 of the first and second embodiments in the configuration for acquiring the detection timing pulse DT from the MCP 24. That is, the circuit 96 includes a high-frequency transformer 98 instead of the resistor 86 and the capacitors 87 and 88 in the voltage dividing circuit 92.
  • the transformer 98 is connected between the electrode 34 of the MCP 24 and the coaxial cable 94. Transformer 98 separates CFD 45 and TAC 17 from high voltage power supply 42
  • Electrode 34 is connected to the primary side of the transformer, and coaxial cable 94 is connected to the secondary side of the transformer. More specifically, one end of the primary coil 98a is connected to the electrode 34, and the other end is connected between the resistors 82 and 83. Also, the secondary coil
  • One end of 98b is connected to the inner conductor 94a of the coaxial cable 94, and the other end is the outer conductor
  • This embodiment has the same advantages as the first embodiment. Furthermore, since the detection timing pulse DT is transmitted by the coaxial cable 94, the pulse D Less deterioration of waveform. Therefore, the time accuracy of the time-resolved measurement can be further improved.
  • a "photomultiplier tube (PMT)” is one embodiment of an “electron multiplier tube (EMT)".
  • EMT electron multiplier tube
  • PS- ⁇ position detection type photomultiplier tube
  • any other position detecting electron multiplier (PS- S) can be used depending on the type of quantum ray emitted from the sample.
  • the microphone channel plate is directly sensitive not only to electron beams but also to other quantum rays such as ultraviolet rays (UV and VUV), X-rays, ⁇ -rays, charged particles, and neutrons. I have.
  • UV and VUV ultraviolet rays
  • X-rays X-rays
  • ⁇ -rays charged particles
  • neutrons charged particles
  • the resistive node 28 is used as the position detection type anode.
  • any other position sensitive anode such as a multi-anode, a CR chain anode, a cross-wire anode, or a semiconductor position sensitive element (PSD) may be used.
  • a fluorescent plate that converts photoelectrons into an optical image may be used as an anode, and the position of the photoelectrons may be measured by capturing the optical image using an image sensor.
  • the fluorescent plate and the image sensor may be fiber-coupled via a fiber plate.
  • the operation analysis of the semiconductor integrated circuit is taken.
  • the time-square-angle detection according to the present invention can use the time-square-angle detection according to the present invention.
  • the present invention can be applied to secondary ion mass spectrometry (SIMS), ion scattering spectroscopy (ISS), atom probe, and the like.
  • SIMS secondary ion mass spectrometry
  • ISS ion scattering spectroscopy
  • atom probe atom probe
  • the detection timing pulse DT is transmitted using the coaxial cable 94.
  • the transmission distance of the detection timing pulse DT is short, use two parallel signal lines corresponding to the core wire of the coaxial cable 94 and the outer conductor instead of the coaxial cable 94. Can be.
  • the time-resolved measurement device of the present invention reads out the detection timing pulse not from the last micro-channel plate directly facing the anode, but from the micro-channel plate located further forward. This makes it possible to reduce the negative component included in the detection timing pulse and improve the time accuracy of the time-resolved measurement.

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Abstract

時間分解測定装置(100)は、光電子増倍管(14)における前側MCPスタック(30)のMCP(24)から検出タイミングパルスを読み出す。このパルスに基づいて光子の検出タイミングが決定される。このパルスの主成分は、MCP(24)からの光電子放出に応じた電位上昇パルスであり、これはプラスの極性を有する。一方で、前側スタック(30)に光電子が入射するとマイナスの極性のパルスが発生し、検出タイミングパルスの波形を変形する。しかし、前側スタック(30)には、後側スタック(32)に比べて少数の光電子が入射するので、検出タイミングパルスに含まれるマイナス成分は少ない。この結果、時間分解測定の時間精度が高まる。

Description

糸田 »
時間分解測定装置および位置検出型電子増倍管 技術分野
【0 0 0 1】 この発明は、 位置検出型電子増倍管 (Position- Sensitive Electron Multiplier Tube: P S_EMT)、 および位置検出型電子増倍管 を利用する時間分解測定装置に関する。
背景技術
【000 2】 発光現象の時間分解測定を行って、 その二次元位置および時間を 取得するための二次元時間分解測定装置が知られている。 このような装置は、 特 開昭 6 1— 26 6 94 2号公報、 特開平 1 0— 1 5008 6号公報、 およびエス
-シヤーボンノー (S . Charbonneau) らによる論文 「レジスティブアノード光 電子增倍管を用いた 1 0 0 p s 分解能での二次元時間分解撮像 ( Two-dimensional time-resolved imaging with 100-ps resolution usinga resistive anode photomultiplier tube)」 (Rev. Sci . Instrum. 6 3 (1 1 )、 米国、 アメリカン ·インスティチュート ·ォブ 'フィジックス (
American Institute of Physics)、 1 9 9 2年 1 1月、 5 3 1 5— 5 3 '1 9頁) に開示されている。 シヤーボンノーらの文献に開示される装置では、 試料 から発した光子が複数のマイクロチャンネルプレート (MCP) によって增倍さ れる。 光子の検出タイミングを示すパルス信号は、 光電子增倍管においてァノー ドに最も近い MC Pから取り出される。
発明の開示
【000 3】 この発明は、 時間分解測定における時間精度を高めることを目的 とする。
【0004】 この発明の時間分解測定装置は、 試料の励起によって発する量子 線の位置情報およびタイミング情報を取得する。 この装置は、 試料の励起に同期 して基準時間パルスを生成する信号発生器と、 光を検出し検出位置に応じた位置 信号および検出タイミングに同期した検出タイミングパルスを生成する検出装置 と、 位置信号を用いて検出位置を算出する位置演算器と、 基準時間パルスと検出 タイミングパルスとの時間差を計測する時間差測定器と、 位置演算器によって算 出された検出位置と時間差測定器によつて計測された時間差とを対応付けて記憶 するデータ処理装置とを備えている。 検出装置は、 位置検出型電子増倍管を有し ている。 電子増倍管は、 量子線が入射する入射窓、 アノード、 ならびに入射窓と ァノードの間に挟まれた第 1およぴ第 2のマイクロチャンネルプレートを有して いる。 第 1マイクロチャンネルプレートは、 力ソードと離れて対向する入力面と 、 第 2マイクロチャンネルプレートと離れて対向する出力面とを有している。 第 2マイクロチャンネルプレートは、 第 1マイクロチャンネルプレートの出力面と 離れて対向する入力面と、 アノードと離れて対向する出力面とを有している。 検 出タイミングパルスは、 マイクロチャンネルプレートによって増倍された電子が 第 1マイクロチャネルプレートの出力面から放出されるときの電位変化に応答し て発生し、 時間差測定器へ送られる。
【0 0 0 5】 量子線には、 電子、 イオン、 ひ線、 線などの荷電粒子や、 紫外 線、 X線、 γ線などの光子、 さらには中性子などが含まれる。 試料の励起に伴う 量子線の発生は、 原子、 分子などがエネルギーの低い状態から、 熱、 光、 放射線 などの外部刺激によって、 より高いエネルギーの状態に移り、 その状態が元に戻 る際に、 2つの状態のエネルギーの差を光等の量子線として放出する現象である (上記特許文献 1および非特許文献 1を参照のこと)。半導体デバイスが自発的に
、 あるいは外部トリガ (信号パルス、 動作開始パルス等) に応答して作動すると 、 デバイス中のトランジスタのスィツチング動作に伴ってトランジェント発光が 起きることも知られている (上記特許文献 2を参照のこと)。本発明において試料 の励起に伴う量子線の発生には、 原子または分子が 2つの状態のエネルギーの差 を光等の量子線として放出する現象に加えて、 半導体デバイスの動作時に観察さ れるトランジェント発光も含まれる。 【0 0 0 6】 マイクロチャンネルプレートから取り出される検出タイミングパ ルスには、 マイクロチャンネルプレートからの増倍電子の放出に起因するプラス 極性の成分のほかに、 マイクロチャンネルプレートへの量子線の入射に起因する マイナス極性の成分が含まれる。 本発明と異なり第 2マイクロチヤンネルプレー トから検出タイミングパルスを取り出す場合、 そのプラス成分は第 1および第 2 マイクロチヤンネルプレートによつて増倍された電子の量に応じた大きさを有し 、 そのマイナス成分は第 1マイクロチャンネルプレートによって増倍された電子 の量に応じた大きさを有する。 第 1および第 2マイクロチャンネルプレートは互 いに相関のない増倍揺らぎを有している。 このため、 検出タイミングパルスのプ ラス成分とマイナス成分は検出のたびに異なる比率を有することになる。 したが つて、 検出タイミングパルスがグランドレベルを横切るタイミング、 すなわちゼ 口クロスタイミングも検出のたびに異なる。 この結果、 基準時間パルスと検出タ ィミングパルスとの時間差に揺らぎが生じ、 時間分解測定の時間精度が低下して しまう。
【0 0 0 7】 これに対し、 本発明では、 第 2マイクロチャンネルプレートの前 方に配置された第 1マイクロチャンネルプレートから検出タイミングパルスが取 り出される。 この検出タイミングパルスのマイナス成分は、 第 1マイク άチャン ネルプレートへの量子線の入射に応答して発生する。 このため、 マイナス成分の 大きさは、 第 1および第 2マイクロチャンネルプレートによる電子増倍の影響を 受けない。 したがって、 検出タイミングパルス中のマイナス成分は小さい。 この 結果、 検出タイミングパルスのゼロクロスタイミングの変動が抑えられ、 時間分 解測定の時間精度が高まる。
【0 0 0 8】 本発明の時間分解測定装置は、 第 1マイクロチャンネルプレート 、 および第 1マイクロチャンネルプレートの入力面に重ね合わされた一枚以上の マイクロチャンネルプレートを有する第 1のスタックと、 第 2マルチチャネルプ レート、 および第 2マイクロチャンネルプレートの入力面に重ね合わされ、 第 1 マイクロチャンネルプレートと離れて対向する一枚以上のマイクロチャンネルプ レートを有する第 2のスタックとをさらに備えていてもよい。 検出タイミングパ ルスのプラス成分は、 第 1スタック中の複数のマイクロチャンネルプレートによ つて増倍された電子によって形成される。 一方、 マイナス成分は、 第 1スタック への量子線の入射によって生成され、 第 1スタック中のマイクロチャンネルプレ ートによる電子増倍の影響を受けない。 このため、 マイナス成分はプラス成分よ りも極めて小さくなる。 したがって、 検出タイミングパ スのゼロクロスタイミ ングの変動がさらに抑えられ、 時間分解測定の時間精度が高まる。
【0 0 0 9】 第 1スタックは、 入射窓と第 1スタックとの間に別のマイクロチ ヤンネルプレートを挟むことなく入射窓と対向していることが好ましい。 この場 合、 検出タイミングパルスのマイナス成分は、 第 1スタック中のマイクロチャン ネルプレートによる電子増倍だけでなく、 別のマイクロチャンネルプレートによ る電子増倍の影響も受けない。 このため、 検出タイミングパルスのマイナス成分 は極めて小さくなる。 これにより、 時間分解測定の時間精度が高まる。
【0 0 1 0】 第 1スタックは第 2スタックより高い光電子増倍率を有していて もよい。 これは電子增倍の飽和を防ぐうえで有利である。 これにより、 光電子が 効率良く増倍され、 S ZNの高い位置信号を得ることができる。 検出タイミング パルスのマイナス成分の大きさは第 1スタックによる電子増倍に影響されないの で、 第 1スタックの増倍率にかかわらずマイナス成分は小さい。 したがって、 高 い位置検出精度と高い時間精度の双方を達成することができる。
【0 0 1 1】 位置検出型電子増倍管は、 量子線を光電効果によって光電子に変 換するフォトカソードを、 入射窓と第 1マイクロチャンネルプレートの入力面と の間にさらに備えていてもよい。 第 1マイクロチャンネルプレートは、 フォト力 ソードに対向させて配置され、 フォトカソ一ドから光電子を受け取って二次電子 を生成し増倍する。 この場合、 光電子が第 1マイクロチャンネルプレートに入射 する。 検出タイミングパルスのマイナス成分は、 光電子の入射量に応じた大きさ を有する。 一方、 検出タイミングパルスのプラス成分は、 第 1マイクロチャンネ ルプレートによって増倍された二次電子の量に応じた大きさを有する。 このため 、 マイナス成分はプラス成分よりも極めて小さくなる。 したがって、 検出タイミ ングパルスのゼロクロスタイミングの変動が抑えられ、 時間分解測定の時間精度 が高まる。
【0 0 1 2】 この発明の位置検出型電子增倍管は、 量子線を考過させる入射窓 と、 量子線の入射窓への入射位置に応じた位置に電子を生成し、 その位置を維持 しながら電子を増倍する第 1および第 2のマイクロチャンネルプレートと、 第 2 マイクロチャンネルプレートと対向するアノードと、 第 1マイクロチャンネグレプ レートに接続され、 第 1マイクロチャンネルプレートによって増倍された電子が 第 1マイクロチャンネルプレートから放出されるときの電位変化に応じたパルス 信号を第 1マイクロチャンネルプレートから取得するパルス読み出し回路とを備 えている。 第 1マイクロチャンネルプレートは、 入射窓と離れて対向する入力面 と、 第 2マイクロチャンネルプレートと離れて対向する出力面を有している。 第 2マイクロチャンネノレプレートは、 第 1マイクロチャンネルプレートの出力面と 離れて対向する入力面と、 アノードと離れて対向する出力面とを有している。 ノ ルス読み出し回路は、 第 1マイクロチャンネルプレートの出力面に接続されてい る。
【0 0 1 3】 パルス読み出し回路は、 第 2マイクロチャンネルプレートではな く、 第 1マイクロチャンネルプレートに接続されている。 パルス読み出し回路に よって取得されるパルス信号のマイナス成分は、 第 1マイクロチャンネルプレー トへの量子線の入射に応答して発生する。 このため、 マイナス成分の大きさは、 第 1および第 2マイクロチヤンネルプレートによる電子増倍の影響を受けない。 この結果、 パルス信号中のマイナス成分は小さく、 これにより検出タイミングパ ルスのゼロクロスタイミングの変動が抑えられる。 したがって、 このパルス信号 を、 量子線の検出タイミングを示す信号として使用すれば、 時間精度の高い時間 分解測定が可能である。
【0014】 本発明の前記および他の目的と新規な特徴は、 以下の説明を添付 図面と合わせて読むことにより、 より完全に明らかになる。 ただし、 図面は単な る例示に過ぎず、 本発明の技術的範囲を限定するものではない
図面の簡単な説明
【0015】 図 1は、 第 1実施形態に係る時間分解測定装置の構成を示すプロ ック図である。
【0016】 図 2は、 第 1実施形態に係る光電子増倍管の構造を示す概略図で ある。
【001 7】 図 3は、 比較例の光電子増倍管の構造を示す概略図である。
【0018】 図 4 Aは、 第 2スタックの最後方 MC Pの電極における電位の経 時変化を示し、 図 4Bは、 その電極から取り出される検出タイミングパルスを示 している。
【001 9】 図 5は、 複数の検出で得られた検出タイミングパルスの重ね合わ せを示している。
【0020】 図 6 Aは、 第 1スタックの最後方 MCPの電極における電位の経 時変化を示し、 図 6 Bは、 複数の検出で得られた検出タイミングパルスの重ね合 わせを示している。
【0021】 図 7は、 第 2実施形態に係る光電子増倍管の構造を示す概略図で ある。
【0022】 図 8は、 第 3実施形態に係る光電子増倍管の構造を示す概略図で ある。
発明を実施するための最良の形態
【0023】 以下では、 添付図面を参照しながら、 本発明の好適な実施形態を 詳細に説明する。 理解の容易のため、 図面に共通の同一または等価な要素には同 様の参照番号を使用し、 重複する説明を省略する。 【0 0 2 4】 第 1実施形態
図 1は、 実施形態に係る時間分解測定装置 1 0 0の構成を示すプロック図であ る。 装置 1 0 0は、 試料 1 0から発する光子 1 5を検出し、 発光の二次元位置お よび'タイミングを測定する。 装置 1◦ 0は、 半導体テスタ 1 2、 位置検出型光電 子増倍管 (Position Sensitive Photomultiplier Tube: P S— P MT )
1 4、 位置演算器 1 6、 時間電圧変換器 (Time - to - Amplitude Converter: T A C ) 1 7およびデータ処理装置 1 8を有している。
【0 0 2 5】 本実施形態では、 試料 1 0の一例として、 半導体集積回路 ( I C ) を搭載するチップを用意する。 半導体テスタ 1 2は、 試科 1 0に動作開始パル スを与えて発光を生じさせるための励起装置である。 テスタ 1 2は、 試料 1 0上 の I Cに駆動電圧を印加して I Cを駆動する。 I Cに含まれるトランジスタは、 そのスィツチング動作時に低い確率で発光する。 したがって、 装置 1 0 0を用い て発光の二次元位置とタイミングを測定することにより、 トランジスタの動作タ イミングを解析することができる。 テスタ 1 2は、 試料 1 0に与える動作開始パ ルスに同期して基準時間パルス R Tを生成する信号発生器 1 ' 2 aを含んでいる。 このパルス R Tは時間電圧変換器 1 7へ送られる。
【0 0 2 6】 図 2は、 位置検出型光電子増倍管 1 4の構造を示す概略図である 。 光電子增倍管 1 4は、 試料 1 0から発した光子 1 5を電子に変換し、 その電子 をその二次元位置を維持しながら増幅する。 光電子増倍管 1 4は、 外囲器 2 0お よび外囲器 2 0に接続された電圧分割回路 8 0を備えている。 外囲器 2 0内には 、 フォト力ソード 2 2、 マイクロチャンネノレプレート (Micro Channel Plate : M C P ) 2 3〜 2 7およびレジスティブアノード 2 8が収容されている。 外囲 器 2 0の前面には、 透明の入射窓 2 9が設置されている。 フォト力ソード 2 2は 入射窓 2 9の内面上に形成されている。 フォトカソード 2 2とレジスティブァノ —ド 2 8は互いに離れて対向するように配置されている。 M C P 2 3〜2 7は、 フォトカソード 2 2とレジスティブアノード 2 8の間に配置されている。 【0027】 フォト力ソード 22は、 入射窓 29を透過した光子 1 5を受け取 り、 光電効果によって光電子に変換する。 フォト力ソード 22は 「光電面」 と呼 ばれることがある。
【0028】 MCP 23〜27は、 フォト力ソード 22から光電子を受け取つ て二次電子を生成および増倍する板状の電子増倍器である。 MCPの平面形状は 円形であってもよいし、 矩形であってもよい。 各 MC Pの前面および後面には、 電極として導電性材料が蒸着されている。 各 MCPの前面 23 a〜27 aは光電 子または二次電子を受け取る入力面であり、 後面 23 b〜27 bは二次電子を放 出する出力面である。 光電子は、 まず、 最前方の MCP 23に入射する。 光電子 の入射位置は、 光 15のフォト力ソード 22への入射位置に対応している。 MC P 23は、 光電子の入射位置に二次電子を生成し、 その二次電子をその二次元位 置を維持しながら増倍する。 後続の M CP 24〜27も二次元位置を維持しなが ら二次電子を增倍する。
【0029】 MCP 23〜27は、 二次電子を通すための多数のチャンネノレを 有しており、 二次電子はチャンネル内を移動する間に増倍される。 より具体的に は、 MCPは、 非常に細いガラスパイプを多数束ねた構造を有している。 このガ ラスパイプがチヤンネルである。 それぞれのチヤンネルは独立した電子增倍器と して機能する。 チャンネルの内壁は、 電気抵抗体であり、 電子放出体でもある。 MCPが感応する量子 (例えば、 本実施形態における光電子) がーつのチャンネ ルの内壁に入射すると、 その内壁から一つ以上の電子が放出される。
【0030】 MC Pの入力面への量子の入射に応じてチャンネルの内壁から放 出される電子は、 MC Pの両端に印加された電圧により生成された電界により加 速され、 放物線軌道を描きつつ壁の反対側の部分に衝突する。 この衝突によって 、 二次電子が内壁から放出される。 このような電子放出がチャンネルに沿って多 数回繰り返される結果、 電子が増倍され、 MCPの出力面から多数の電子が放出 される。 電子の二次元位置は、 チャンネルによって維持される。 【003 1】 MCP 23〜27は、 第 1およぴ第 2の MC Pスタック 30およ ぴ 32を構成している。 第 1スタック 30は、 互いに重ね合わされた 2枚の MC P 23および 24からなる 2段スタックである。 第 1スタック 30は、 フォト力 ソード 22との間に他の MCPを挟むことなくフォト力ソード 22と直接対向し ている。 1 〇? 23ぉょぴ24は、 それぞれフォト力ソード 22と離れて対向す る入力面 23 aおよび 24 aを有している。 MC P 23の出力面 23 bは、 MC P 24の入力面 24 aに重ね合わされている。 MC P 24の出力面 24 bは、 M CP 25の入力面 25 aと離れて対向する。 第 2スタック 32は、 互いに重ね合 わされた 3枚の MC P 25〜27からなる 3段スタックである。 MC P 25の出 力面 25 cは MCP 26の入力面 26 aに重ね合わされ、 MCP 26の出力面 2
6 bは MCP 27の入力面 27 aに重ね合わされている。 MCP 27の出力面 2
7 bは、 レジスティブアノード 28の入力面と離れて対向する。
【0032】 MCP 23〜27を二つのスタック 30および 32に分けるのは 、 光電子の効率の良い増倍のためである。 すべての MC Pを近接させて重ね合わ せると、 光電子が少数のチャンネルに集中するため、 増倍作用が飽和しやすい。 これに対し、 MCP 23~27を二つのスタック 30および 32に分けると、 前 側のスタック 30によって増倍された電子群は、 スタック 30から放出され、 拡 散しながら後側のスタック 32に向かう。 この拡散により、 後側のスタック 32 では、 より多数のチャンネルで光電子が増倍されることになる。 このため、 増倍 作用の飽和を防ぎ、 効率良く光電子を増倍できる。
【0033】 スタック 30および 32のように、 MC Pを多段に重ねて使用す る場合、 チャンネルの軸が MCPの垂直軸に対し適当なバイアス角を有するよう に M CPを配置することが好ましい。 このような配置を採用することによって、 ゲインの増大と共に生じるイオンフィードバックに起因するノィズを低減し、 か つ、 高いゲインを得ることができる。
【0034】 第 1スタック 30で光電子を非常に高い倍率で増倍できるので、 第 2スタック 3 2の増倍率は、 第 1スタック 3 0の増倍率よりも低くてよい。 本 実施形態では、第 1スタック 3 0の増倍率は約 1 0 sであり、第 2スタック 3 2の 增倍率は約 1 02である。 これらの増倍率は完全に一定ではなく、 ある程度の摇ら ぎを持っている。 したがって、 スタック 3 0および 3 2は、 増倍のたびに異なる 増倍率を示す。
【0 0 3 5】 レジスティブアノード 2 8は位置検出型アノードの一種である。
ード 2 8は、 片面に均一な抵抗層が設けられた導体板である。 ード 2 8の周縁部の四箇所には、 信号読み出し用の電極 2 8 a が設けられている。 これらの電極 2 8 aは、 図 1に示されるように、 プリアンプ 4 0を介して位置演算器 1 6に電気的に接続されている。 なお、 図面の簡単のた め、 図面には、 四つの電極 2 8 aのうち二つのみが描かれている。 また、 図面で は、 電極 2 8 aの位置が、 実際の位置よりもレジスティブアノード 2 8の中心寄 りに描かれている。 レジスティブアノード 2 8に二次電子が入射すると、 これら の読み出し電極 2 8 aは電荷パルスを出力する。 レジスティブアノード 2 8に入 射した二次電子の二次元位置は、 これらの電荷パルスが有する電荷量に応じて求 めることができる。 このようにレジスティブアノード 2 8の各電極 2 8 aは、 光 子 1 5の検出位置に応じた信号 D Pを生成し、 位置演算器 1 6に送る。
【0 0 3 6】 フォト力ソード 2 2、 第 1および第 2 M C Pスタック 3 0および 3 2、 ならびにレジスティブアノード 2 8は、 電圧分割回路 8 0に接続されてい る。 回路 8 0は、 力ソード 2 2およびアノード 2 8間に電圧を印可するとともに 、 その電圧を分割して第 1および第 2 MC Pスタック 3 0および 3 2に印可する 。 また、 回路 8 0は、 レジスティブアノード 2 8から光子 1 5の検出位置に応じ た信号 D Pを受け取り、 増幅して位置演算器 1 6に送る。 さらに、 回路 8 0は、 光子 1 5の検出タイミングを示すパルス信号を取得するパルス読み し回路とし ても機能する。
【0 0 3 7】 図 2に示されるように、 第 1スタック 3 0において M C P 2 3の 入力面 23 aの周縁部および MCP 24の出力面 24 bの周縁部には、 それぞれ 円環状の電極 33および 34が取り付けられ、 これらの電極がリード線によって 高圧電源 42に接続されている。 同様に、 第 2スタック 32において MCP 25 の入力面 25 aの周縁部および MCP 27の出力面 27 bの周縁部には、 それぞ れ円環状の電極 35および 37が取り付けられ、 これらの電極がリード線によつ て高圧電源 42に接続されている。 高圧電源 42は、 フォト力ソード 22および レジスティブアノード 28にも接続されている。
【0038】 高圧電源 42は、 フォト力ソード 22、 第 1スタック 30、 第 2 スタック 32およびレジスティブアノード 28に電圧を印可し、 これらの間に電 位勾配を形成する。 この電位勾配により、 レジスティブアノード 28、 第 2スタ ック 32、 第 1スタック 30、 およびフォト力ソード 22の順に高い電位が与え られる。 各 MCPスタック内にも電位勾配が形成される。 第 1スタック 30では 、 MCP 24の出力面 24 bに近い位置ほど高い電位が与えられる。 第 2スタツ ク 32では、 MCP 27の出力面 27 bに近い位置ほど高い電位が与えられる。 【0039】 より具体的に説明すると、 フォト力ソード 22と高圧電源 42と の間には抵抗器 81〜85が直列に接続されている。 抵抗器 8 1の両端にはフォ トカソード 22および電極 33が接続されており、 これにより両者の間に電位勾 配が形成される。 抵抗器 82の両端には電極 33および 34が接続されており、 これにより第 1MCPスタック 30の入力面 23 aおよび出力面 24 b間に電位 勾配が形成される。 抵抗器 83の両端には電極 34および 35が接続されており 、 これにより第 1MCPスタック 30と第 2MC Pスタック 32との間に電位勾 配が形成される。 抵抗器 84の両端には電極 35および 37が接続されており、 これにより第 2MCPスタック 32の入力面 25 aおよび出力面 27 b間に電位 勾配が形成される。 抵抗器 85の両端には電極 37およびレジスティブアノード 28が接続されており、 これにより第 2MC Pスタック 32とレジスティブァノ ード 28との間に電位勾配が形成される。 【0040】 後で詳細に説明するように、 MC P 24の出力面 24 bでは、 光 子の検出タイミングに同期してパルス信号 DTが生成される。 以下では、 このパ ルス信号 DTを 「検出タイミングパルス」 と呼ぶ。 図 2に示されるように、 MC P 24の出力面 24 bに設けられた電極 34は、 電圧分割回路 80を介して時間 電圧変換器 1 7に接続されている。 検出タイミングパルス DTは電極 34および 回路 80を通じて時間電圧変換器 1 7に送られる。
【004 1】 回路 80は、 検出タイミングパルス DTを取得するために、 互い に直列に接続された抵抗器 8 6および高圧遮断用コンデンサ 8 7を有している。 電極 34は抵抗器 86とコンデンサ 8 7の間に接続されている。 コンデンサ 8 7 は、 後述するプリアンプ 4 1、 アンプ 4 3および 44、 CFD45ならびに TA
C 1 7を高圧電源 42から分離し、 高圧電源 4 2によって生成される高い電圧か ら CFD4 5および T AC 1 7を保護する。
【0042】 位置演算器 1 6は、 光電子増倍管 14のレジスティブアノード 2 8に電気的に接続されている。 位置演算器 1 6は、 レジスティプアノード 28か ら送られる位置信号 DPを用いて光子 1 5の検出位置を算出する。 位置演算器 1 6の出力端子はラッチ回路 4 9に接続されている。 算出された検出位置はデイジ タルデータとしてラッチ回路に送られる。
【0043】 時間電圧変換器 (T AC) 1 7は、 二つの入力信号の時間差を計 測する時間差測定器である。 TAC 1 7は、 テスタ 1 2中の信号発生器 1 2 aお よび光電子増倍管 14の双方に電気的に接続されている。 TAC 1 7のスタート 端子は、 プリアンプ 4 1、 アンプ 4 3および 44、 ならびにコンスタントフラク シヨン弁別器 (CFD) 4 5を介して MCP 24上の電極 34に接続されている 。 T AC 1 7は、 光電子增倍管 14からの検出タイミングパルス DTをスタート 端子にて受け取る。 一方、 TAC 1 7のストップ端子は、 アンプ 46および遅延 回路 4 7を介してテスタ 1 2に接続されている。 TAC 1 7は、 テスタ 1 2中の 信号発生器 1 2 aからの基準時間パルス RTをストップ端子にて受け取る。 TA C 1 7は、 基準時間パルス R Tと検出タイミングパルス D Tとの時間差に応じた 波高を有するアナログ電圧信号を生成する。 この時間差は、 基準時間パルスを基 準とした光子 15の検出時刻を示す。 TAC 1 7の出力端子は、 A/D変換器 4 8を介してラッチ回路 49に接続されている。 検出時刻を示すアナログ信号は、 AZD変換器 48に送られ、 そこでディジタルデータに変換される。 検出時刻を 示すこのデータは、 ラッチ回路 49に送られる。
【0044】 ラッチ回路 49は、 位置演算器 16からの検出位置データおよび TAC 17からの検出時刻データを受け取り、 一組のデータとしてデータ処理装 置 18に転送する。 データ処理装置 18は、 ラッチ回路 49からデータを受け取 り、 記憶する。 処理装置 1 8は、 例えばパーソナルコンピュータである。 処理装 置 18は、 CPU、 記憶装置、 ハードディスク、 キーボードおよびマウス、 なら びにディスプレイを有している。 記憶装置には、 データ処理に必要なプログラム およびデータが格納されている。 ラッチ回路 49から送られた検出位置および検 出時刻は、 互いに対応付けてこの記憶装置に格納される。
【0045】 本実施形態では、 データ処理装置 18は、 時間分解測定装置 10 0の制御装置としても機能する。 位置演算器 16は、 レジスティブアノード 28 からの位置信号 DPを、 プリアンプ 40を経由して受け取り、 光子 15の検出位 置を演算し、 それをデジタル変換してラッチ回路 49へ送る。 また、 装置 18は 、 位置演算器 16に高圧制御信号を送る。 位置演算器 16は高圧電源 42に接続 されており、 高圧制御信号に応答して高圧電源 42に出力電圧を生成させ、 また は、 その生成を停止させる。 装置 18は、 TAC 17に時定数制御信号を送る。 TAC 1 7は、 この信号に IS答して時間一振幅変換の時定数を設定する。 装置 1 8は、 遅延回路 47にディレイ制御信号を送る。 遅延回路 47は、 この信号に応 答してディレイを設定する。
【0046】 以下では、 時間分解測定装置 100の動作を説明する。 テスタ 1 2が試料 10上の I Cを駆動すると、 ある確率で光子 1 5が発する。 光電子増倍 管 14は光子 15をフォトカソード 22にて受け取る。 フォト力ソード 22は、 光電効果によって光子 1 5を光電子に変換する。 この光電子は、 フォト力ソード 22および第 1スタック 30間の電位勾配によって MC P 23の入力面 23 aに 入射する。 スタック 30中の MC P 23および 24は、光電子を約 106倍に増倍 する。 増倍された電子はスタック 30内の電位勾配によって MCP 24の出力面 24 bに到達する。 その後、 電子は、 第 1および第 2スタック 30および 32間 の電位勾配によって MCP 24の出力面 24 bから放出され、 MC P 25の入力 面 25 aに入射する。 スタック 32中の MCP 25〜 27は、電子を約 102倍に 增倍する。 電子はスタック 32内の電位勾配によって MCP 27の出力面 27 b に到達する。 その後、 電子は、 第 2スタック 32およびレジスティブアノード 2 8間の電位勾配によって MC P 27の出力面 27 bから放出され、 レジスティブ アノード 28に収集される。
【0047】 レジスティブアノード 28は、 電子の二次元位置に応じた電荷パ ルス DPを四つの電極 28 aから位置演算器 16へ送る。 位置演算器 1 6は、 こ れらの電荷パルス DPを受け取り、 重心検出によって電子の二次元位置を算出す る。 この二次元位置は、 光子 1 5の検出^:置であり、 試料 10上での発光位置と 対応している。 算出された検出位置はデータ処理装置 1 8に送られる。
【0048】 さらに、 光電子増倍管 14は、 光子 1 5の検出タイミングに同期 してパルスを生成する。 この検出タイミングパルス DTは電圧分割回路 80によ つて MC P 24から取り出される。 MCP 24の出力面 24 bから MCP 25に 向けて電子が放出されると、 MCP 24の出力面 24 bにおいて電位が瞬間的に 上昇する。 続いて、 高圧電源 42から MCP 24に電子が流入し、 出力面 24 b の電位は所定の定常電位に戻される。 この電子の流れはチャージ電流と呼ばれる 。 チャージ電流は、 高圧電源 42から抵抗器 83〜85を通って MCP 24の電 極 34に向かう。 電極 34と抵抗器 83との間には、 抵抗器 86が配置されてい る。 これにより、 インピーダンスが増加するので、 高圧電源 42から電極 34へ の単位時間あたりの電子流入量が低減される。 高周波領域では、 コンデンサ 87 を含む経路のほうが抵抗器 83〜86を含む経路よりもインピーダンスが低い。 このため、 瞬間的には、 コンデンサ 87の一端から電極 34に電子が流入するこ とになる。 コンデンサ 87の他端はアンプを介して CFD 45に接続されている ので、 電極 34への電子の流れは電流パルスとして C FD 45へ流入する。 この 電流パルスが検出タイミングパルス DTである。 このようにして、 回路 80は、 MCP 24の出力面 24 bの瞬間的な電位上昇に同期して検出タイミングパルス DTを取り出すことができる。 この検出タイミングパルス DTは C FD 45を通 じて TAC 1 7へ送られる。
【0049】 TAC 17は、 試料 10上の I Cの駆動に同期した基準時間パル ス RTをテスタ 1 2から受け取るとともに、 CFD45から検出タイミングパル ス DTを受け取る。 TAC 1 7は、 基準時間パルス RTと検出タイミングパルス DTの時間差を計測する。 上述のように、 この時間差は基準時間パルス RTを基 準とする光子 1 5の検出時刻を示す。 この検出時刻はデータ処理装置 18に送ら れる。
【0050】 データ処理装置 18は、 検出位置および検出時刻を受け取り、 互 いに対応付けて記憶装置に格納する。 試料 10上のトランジスタがスイッチング の際に発光する確率は非常に小さいので、 試料 10は繰り返し励起され、 検出位 置および検出時刻がデータ処理装置 18に蓄積される。 蓄積されたデータはさま ざまに利用することができる。 たとえば、 データ処理装置 18は、 特定の時間に わたって検出位置ごとに発光回数を計数し、 得られたカウント数に応じた輝度を 検出位置に対応する画素に割り当てた二次元画像を生成することができる。 また 、 データ処理装置 18は、 蓄積された検出時刻を用いて、 特定の検出位置におけ る検出時刻のヒストグラムを作成することができる。 このヒストグラムでは、 横 軸が検出時刻であり、 縦軸が発光回数である。 ヒストグラムのピークは、 特定の 検出位置において発光が高い頻度で検出された時刻を示している。 したがって、 ピークに対応する検出時刻は、 その検出位置に対応するトランジスタがスィッチ ングを行うタイミングとみなすことができる。 トランジスタのスィツチングタイ ミングを取得することにより、 試料 1 0上の I Cの動作解析が可能となる。 【0 0 5 1】 本実施形態の特徴は、 前側スタック 3 0の最後方に位置する M C P 2 4から検出タイミングパルス D Tを読み出すことである。 以下では、 従来技 術との比較を交えながらこの点を詳細に説明する。
【0 0 5 2】 時間分解測定装置において光電子増倍管から検出タイミングパル スを取得する場合、 どこから検出タイミングパルスを読み出すかを決める必要が ある。 アノードからタイミングパルスを読み出す場合、 アノードが位置検出型で あると、 アノード周辺の信号読み出し経路に付随する抵抗や静電容量のため、 タ ィミングパルスの読み出し速度が遅い。 また、 信号読み出し経路が高ィンビーダ ンス回路となるため、 タイミングパルスが外来ノイズの影響を受けやすい。 した がって、 外部回路を最適化しても十分な時間精度を得ることが難しい。 さらに、 タイミングパルスを取得するための付加回路によつて信号の S ZNが低下する。 このため、 時間精度のみならず位置分解能までもが劣化してしまう。
【0 0 5 3】 これに対し、 従来技術では、 アノードと直接対向する M C Pの出 力面から検出タイミングパルスを取得している。 つまり、 最も後方に配置された 最終 M C Pの出力面からァノードに向かって電子が放出されたときに発生する電 位上昇パルスが検出タイミングパルスとして読み出される。 電位上昇量は放出さ れる電荷量に比例し、 その電荷量は最終 M C Pにおいて最大となる。 したがって 、 最終 M C Pからは S /Nの高い検出タイミングパルスを読み出すことができる
【0 0 5 4】 しかし、 このような利点の反面、 最終 M C Pからの検出タイミン グパルスの読み出しには不利益が伴うことに本発明者は気づいた。 以下では、 図 3および図 4を参照しながらこの不利益を説明する。 図 3は、 最終 M C P 2 7上 の電極 3 7から検出タイミングパルス D Tが読み出される光電子増倍管 1 4 aの 構造を示す概略図である。 電極 3 7は、 本実施形態における電極 3 4と同様に、 アンプおよびコンスタントフラクション弁別器を介して T A C 1 7に接続されて いる。 図 4 Aは電極 3 7における電位の経時変化を示し、 図 4 Bは電極 3 7から 取り出されるタイミングパルス D Tを示している。
【0 0 5 5】 M C P 2 3〜2 7によって増倍された電子が M C P 2 7の出力面
2 7 bから放出されると、 図 4 Aに示されるように、 電極 3 7上に電位上昇パル ス 6 0が現れる。 電位上昇パルス 6 0は、 光子が検出されるたびに発生する。 試 料から 3個の光子が順次に発すると、 図 4 Aに示されるように、 3個の電位上昇 パルス 6 0 a〜6 0 cが発生する。 上述のように、 第 1および第 2 M C Pスタツ ク 3 0および 3 2の増倍率は、 ある程度の揺らぎを持っている。 このような増倍 揺らぎに応じて、 電位上昇パルス 6 0 a〜6 0 cはさまざまな波高を有する。 【0 0 5 6】 本発明者は、 電位上昇パルス 6 0 a〜 6 0 cの直前に別のパルス 6 2 a〜6 2 cが電極 3 7上に現れることを見いだした。 このパノレス 6 2は、 光 電子増倍管 1 4が互いに離間した二つの M C Pスタック 3 0および 3 2を有する ことに起因する。 第 1スタック 3 0によって増倍された電子は、 MC P 2 4の出 力面から放出されて、 第 2スタック 3 2の入力面、 すなわち第 2スタック 3 2に おいて最前方に位置する M C P 2 5の入力面 2 5 aに入射する。 このとき、 第 2 スタック 3 2の入力面 2 5 a上の電極 3 5および出力面 2 7 b上の電極 3 7間の 容量結合が、 電極 3 7上にパルス 6 2を生成する。 以下では、 このパルス 6 2を 「電子入力パルス」 と呼ぶ。 電子入力パルス 6 2の波高は、 第 1スタック 3 0の 増倍率に依存する。 第 1スタック 3 0の増倍揺らぎに応じて、 電子入力パルス 6 2 a〜6 2 cはさまざまな波高を有する。
【0 0 5 7】 電位上昇パルス 6 0はプラスの極性を有し、 電子入力パルス 6 2 はマイナスの極性を有する。 第 1スタック 3 0から第 2スタック 3 2への電子の 入射によって電子入力パルス 6 2が生成され、 第 2スタック 3 2による電子の増 倍の後、 電位上昇パルス 6 0が発生する。 このため、 電位上昇パルス 6 0は、 電 子入力パルス 6 2から約 3 0 0 p s e c遅れて電極 3 7上に現れる。 パルス 6 0 および 6 2は部分的に重なり合い、 図 4 Bに示されるように一つのパルス 7 0と して電極 3 7から読み出される。 このパルス 7 0が上述した検出タイミングパル ス D Tである。
【0 0 5 8】 第 2スタック 3 2が 1 0 2程度の増倍率を有することから、電位上 昇パルス 6 0は電子入力パルス 6 2の 1 0〜 1 0 0倍程度の波高を有する。 しか し、 電位上昇パルス 6 0の波高は、 スタック 3 0および 3 2の双方の增倍揺らぎ から影響を受けるのに対し、 電子入力パルス 6 2の波高は、 スタック 3 0の增倍 揺らぎからしか影響を受けない。 このため、 これらのパルス 6 0および 6 2の波 高は、 互いに相関のない揺らぎを有する。 したがって、 プラスの電位上昇パルス 6 0とマイナスの電子入力パルス 6 2とが、 光子の検出のたびに異なる波高比率 で合成され、 検出タイミングパルスを形成することになる。
【0 0 5 9】 C F D 4 5は、 パルス 7 0がグランドレベルを横切るタイミング 7 1を判定する。 これは、 ゼロクロスタイミングと呼ばれる。 T A C 1 7は、 こ のゼロクロスタイミングをパ^/ス 7 0の受信タイミングとして扱う。 パノレス 7 0 は電子入力パルス 6 2に対応するマイナス成分を有するため、 ゼロクロスタイミ ング 7 1は、 第 2スタック 3 2に光電子が入射するタイミング 7 2に比べて遅れ る。 電位上昇パルス 6 0と電子入力パルス 6 2とが光子の検出のたびに異なる波 高比率を有するため、 ゼロクロスタイミング 7 1の電子入射タイミング 7 2から の遅延時間は一定でない。 これは、 複数の光子検出における検出タイミングパル スを重ね合わせて示す図 5を参照するといつそう明らかになる。 このようなゼロ クロスタイミング 7 1の遅延の不均一のため、 検出時刻に 2 0 0 p s e c以上の 揺らぎ (ジッタ) が生じ、 時間精度が低下してしまう。
【0 0 6 0】 これに対し、 本実施形態の時間分解測定装置 1 0 0では、 第 1ス タック. 3 0の最後方の M C P 2 4から検出タイミングパルスが読み出される。 第 1スタック 3 0に入射するのは 1個の光子から変換された光電子であり、 まった く増倍されていない。 このため、 M C P 2 4の電極 3 4に発生する電子入力パル スは非常に小さい。 図 6 Aに示されるように、 M C P 2 4上の電極 3 4には、 事 実上、 電位上昇パルス 6 4のみが現れる。 したがって、 複数の光子検出における 検出タイミングパルスを重ね合わせて示す図 6 Bを参照すると明らかなように、 ゼロクロスタイミングの揺らぎを抑えることができる。 光電子は、 第 1スタック 3 0によって 1 0 s倍に増倍された後、 M C P 2 4力 ら放出される。 これらの光電 子の電荷量は、 最終 M C P 2 7から放出される電荷量の約 l Z l 0 0であるが、 それでも十分な波高の電位上昇パルス 6 4を生成することができる。 したがって 、 検出タイミングパルスの S /Nおよび時間精度の低下が防止される。 この結果 , 6 0 p s e c程度の良好な時間精度を得ることが可能である。
【0 0 6 1】 なお、 検出タイミングパルスを取得するために電極 3 4に電気的 に接続される出力端子の数は 1本に限定されず、 複数本設置してもよい。 その際 、 複数の出力端子は同じ長さを有することが好ましい。
【0 0 6 2】 第 2実施形態
本実施形態の時間分解測定装置は、 第 1実施形態の装置 1 0 0において光電子 増倍管 1 4の代わりに他の光電子增倍管 9 0を設置した構成を有する。 図 7は、 本実施形態で使用する位置検出型光電子増倍管 9 0の構造を示す概略図である。 光電子増倍管 9 0は、 第 1実施形態の光電子増倍管 1 4と異なる電圧分割回路 9 2を有する。
【0 0 6 3】 回路 9 2は、 M C P 2 4から検出タイミングパルス D Tを取得す るための構成が第 1実施形態の電圧分割回路 8 0と異なる。 すなわち、 回路 9 2 は、 M C P 2 4の電極 3 4に接続された抵抗器 8 6およびコンデンサ 8 7に加え て、 高圧遮断用コンデンサ 8 8および同軸ケーブル 9 4を有している。 同軸ケー プル 9 4は、 内部導体 (芯線) 9 4 aと、 その内部導体 9 4 aを同軸に包囲する 筒状の外部導体 9 4 bを有する。 内部導体 9 4 aの一端は、 コンデンサ 8 7を介 して抵抗器 8 6の一端に接続されており、 内部導体 9 4 aの他端は、 プリ 41、 アンプ 43および 44を介して、 C FD 45および TAC 17に接続され ている。 外部導体 94 bは、 コンデンサ 88を介して抵抗器 86の他端に接続さ れ、 接地されている。
【0064】 すでに述べたように、 MCP 24の出力面 24 bから MCP 25 に向けて電子が放出されると、 MCP 24の出力面 24 bにおいて電位が瞬間的 に上昇する。 これに応じて、 高圧電源 42から MCP 24にチャージ電流が供給 される。 し力 し、 高圧電源 42および MCP 24間の経路は、 抵抗器 86によつ てインピーダンスが高められている。 このため、 高周波領域では、 コンデンサ 8 7および 88ならびに同軸ケーブル 94を含む経路のほうが抵抗器 86を含む経 路よりもインピーダンスが低い。 したがって、 瞬間的には、 同軸ケーブル 94を 含む経路から電極 34に電子が流入することになる。 同軸ケーブル 94のうちコ ンデンサ 87に接続される端部と反対側の端部には、 CFD45が接続されてい る。 このため、 電極 34への電子の流れは電流パルスとして CFD 45へ流入す る。 この電流パルスが検出タイミングパルス DTである。 このようにして、 回路 92は、 MCP 24の出力面 24 bの瞬間的な電位上昇に同期して検出タイミン グパルス DTを取り出すことができる。
【0065】 本実施形態は、 第 1実施形態と同じ利点を有する。 さらに、 検出 タイミングパルス DTを同軸ケーブル 94によって伝送するので、 パルス D丁の 波形の劣化が少ない。 したがって、 時間分解測定の時間精度をさらに高めること ができる。
【0066】 第 3実施形態
本実施形態の時間分解測定装置も、 第 1実施形態の装置 1 00において光電子 増倍管 14の代わりに他の光電子増倍管 95を設置した構成を有する。 図 8は、 本実施形態で使用する位置検出型光電子増倍管 95の構造を示す概略図である。 光電子増倍管 95は、 第 1実施形態の光電子増倍管 14と異なる電圧分割回路 9 6を有する。 【0067】 回路 96は、 MCP 24から検出タイミングパルス DTを取得す るための構成が第 1および第 2実施形態の電圧分割回路 80および 92と異なる 。 すなわち、 回路 96は、 電圧分割回路 92における抵抗器 86ならびにコンデ ンサ 87および 88に代えて、 高周波トランス 98を有している。 トランス 98 は、 MC P 24の電極 34と同軸ケーブル 94との間に接続されている。 トラン ス 98は、 CFD45および TAC 1 7を高圧電源 42から分離し、 高圧電源 4
2によって生成される高い電圧から CFD 45および T AC 1 7を保護する。 電 極 34はトランスの一次側に接続され、 同軸ケーブル 94はトランスの二次側に 接続されている。 より具体的には、 一次側コイル 98 aの一端が電極 34に接続 され、 他端が抵抗器 82および 83の間に接続されている。 また、 二次側コイル
98 bの一端が同軸ケーブル 94の内部導体 94 aに接続され、 他端は外部導体
94 bとともに接地されている。
【0068】 MCP 24の出力面 24 bから MCP 25に向けて電子が放出さ れると、 MCP 24の出力面 24 bにおいて電位が瞬間的に上昇する。 これに応 じて、 高圧電源 42から MC P 24にチャージ電流が瞬間的に供給される。 チヤ ージ電流の経路には高周波トランス 98の一次側が接続されている。 このため、 チャージ電流の AC成分に対応する起電力がトランス 98の二次側に発生する。 この起電力によりパルス電流が発生し、 トランス 98の二次側に接続された同軸 ケーブル 94によって伝送される。 この電流パルスが検出タイミングパルス DT である。 同軸ケーブル 94のうちトランス 98に接続される端部と反対側の端部 には、 CFD 45が接続されている。 このため、 検出タイミングパルス DTは C FD 45へ流入する。 このようにして、 回路 96は、 MCP 24の出力面 24 b の瞬間的な電位上昇に同期して検出タイミングパルス D Tを取り出すことができ る。
【0069】 本実施形態は、 第 1実施形態と同じ利点を有する。 さらに、 検出 タイミングパルス DTを同軸ケーブル 94によって伝送するので、 パルス D丁の 波形の劣化が少ない。 したがって、 時間分解測定の時間精度をさらに高めること ができる。
【0 0 7 0】 以上、 本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。 しかし 、 本発明は上記実施形態に限定されるものではない。 本発明は、 その要旨を逸脱 しない範囲で様々な変形が可能である。
【0 0 7 1】 本明細書では、 「光電子増倍管 (PMT)」 は 「電子増倍管 (EM T)」 の一態様である。 上記実施形態は、位置検出型光電子増倍管 (P S— Ρ ΜΤ ) を使用する。 し力 し、 本発明では、 試料から発する量子線の種類に応じて他の 任意の位置検出型電子増倍管 (P S— Ε ΜΤ ) を使用することができる。 マイク 口チャンネルプレートが電子線のみならず、 紫外線 (U Vおよび V U V)、. X線、 α線、 荷電粒子、 中性子など、 他の量子線に対して直接、 感度を有することはよ く知られている。 マイクロチャンネルプレートの各チャンネルにその量子線が入 射すると、 電子が放出され、 それらの電子がチャンネル内で増倍される。 P S— Ρ ΜΤを用いるか P S— Ε ΜΤを用いるかは、 検出対象物から発する量子線の種 類に応じて適宜選択される。
【0 0 7 2】 上記実施形態では、 位置検出型のアノードとしてレジスティプア ノード 2 8が使用されている。 このほかに、 他の任意の位置検出型アノード、 た とえばマルチアノード、 C Rチェーンアノード、 クロスワイヤアノード、 または 半導体位置検出素子 (P S D ) を使用してもよい。 また、 光電子を光学像に変換 する蛍光板をアノードとして使用し、 その光学像をイメージセンサを用いて撮像 することにより光電子の位置を測定してもよい。 また、 蛍光板とイメージセンサ とをファイバープレートを介してファイバーカツプリングしてもよい。 これらの 位置検出は、 一次元であっても二次元であってもよい。
【0 0 7 3】 上記実施形態では、 半導体集積回路の動作解析を取り上げている 。 し力、し、 本発明に係る時間分角?型検出を利用可能なアプリケーションは幅広く
、 Time Of Flight (T O F ) 応用をはじめとした様々な計測手法、 例えば、 二 次イオン質量分析 (S I M S ) , イオン散乱分光 (I S S ) や、 アトムプローブな どに本発明を適用することができる。
【0 0 7 4】 第 2および第 3実施形態では、 同軸ケーブル 9 4を用いて検出タ ィミングパルス D Tを伝送する。 しカゝし、 検出タイミングパルス D Tの伝送距離 が短い場合は、 同軸ケーブル 9 4に代えて、 同軸ケーブル 9 4の芯線おょぴ外部 導体に相当する平行な 2本の信号線を使用することができる。
産業上の利用可能性
【0 0 7 5】 この発明の時間分解測定装置は、 アノードと直接対向する最後方 のマイクロチャンネルプレートではなく、 より前方に配置されたマイクロチャン ネルプレートから検出タイミングパルスを読み出す。 これにより、 検出タイミン グパルスに含まれるマイナス成分を低減して、 時間分解測定の時間精度を高める ことができる。

Claims

言青求の範囲
1 . 試料の励起によって発する量子線の位置情報およびタイミング情報 を取得する時間分解測定装置であって、
前記試料の励起に同期して基準時間パルスを生成する信号発生器と、 前記量子線を検出し、 検出位置に応じた位置信号および検出タイミングに同期 した検出タイミングパルスを生成する検出装置と、
前記位置信号を用いて前記検出位置を算出する位置演算器と、
前記基準時間パルスと前記検出タイミングパルスとの時間差を計測する時間差 測定器と、
前記位置演算器によって算出された前記検出位置と、 前記時間差測定器によつ て計測された前記時間差とを対応付けて記憶するデータ処理装置と、
を備え、
前記検出装置は、 位置検出型電子增倍管を有しており、
前記電子増倍管は、 前記量子線を透過させる入射窓、 前記量子線の前記入射窓 への入射位置に応じた位置に電子を生成し、 その位置を維持しながら前記電子を 増倍する第 1および第 2のマイクロチヤンネルプレート、 ならびにアノードを有 • しており、
前記第 1マイクロチャンネルプレートは、 前記入射窓と離れて対向する入力面 と、 前記第 2マイクロチャンネルプレートと離れて対向する出力面とを有してお り、
前記第 2マイクロチャンネルプレートは、 前記第 1マイクロチャンネルプレー トの出力面と離れて対向する入力面と、 前記アノードと離れて対向する出力面と を有しており、
前記検出タイミングパルスは、 前記第 1マイクロチャンネルブレートによって 増倍された電子が前記第 1マイクロチャネルプレートから放出されるときの電位 変化に応答して発生し、 前記時間差測定器へ送られる、 時間分解測定装置。
2 . 前記第 1マイクロチャンネルプレート、および前記第 1マイクロチ ヤンネルプレートの入力面に重ね合わされた一枚以上のマイクロチャンネルプレ ートを有する第 1のスタックと、
前記第 2マイクロチャンネルプレート、 および前記第 2マイクロチャンネルプ レートの入力面に重ね合わされ、 前記第 1マイクロチャンネルプレートと離れて 対向する一枚以上のマイクロチャンネルプレートを有する第 2のスタックと、 をさらに備える請求の範囲第 1項に記載の時間分解測定装置。
3 . 前記第 1スタックは、前記入射窓と前記第 1スタックとの間に別の マイクロチャンネルプレートを挟むことなく前記入射窓と対向している、 請求の 範囲第 2項に記載の時間分解測定装置。
4. 前記第 1スタックは前記第 2スタックよりも高い電子増倍率を有し ている、 請求の範囲第 2項または第 3項に記載の時間分解測定装置。
5 . 前記位置検出型電子増倍管は、前記量子線を光電効果によって光電 子に変換するフォトカソ一ドを前記入射窓と前記第 1マイクロチャンネルプレー トの入力面との間にさらに備える位置検出型光電子増倍管であり、
前記第 1マイクロチャンネルプレートは、 前記フォトカソ一ドに対向させて配 置され、 前記フォトカソードから前記光電子を受け取って二次電子を生成し増倍 する、
請求の範囲第 1項〜第 4項のいずれかに記載の時間分解測定装置。
6 . 量子線を透過させる入射窓と、
前記量子線の前記入射窓への入射位置に応じた位置に電子を生成し、 その位置 を維持しながら前記電子を増倍する第 1および第 2のマイク口チャンネルプレー 卜と
前記第 2マイクロチャンネルプレートと対向するアノードと、
前記第 1マイク口チャンネルプレートによつて増倍された電子が前記第 1マイ ク口チャンネルプレートから放出されるときの電位変化に応答してパルス信号を 取得するパルス読み出し回路と、
を備える位置検出型電子增倍管であって、
前記第 1マイクロチャンネルプレートは、 前記入射窓と離れて対向する入力面 と、 前記第 2マイクロチャンネルプレートと離れて対向する出力面を有し、 第 2マイクロチャンネルプレートは、 前記第 1マイクロチャンネルプレートの 出力面と離れて対向する入力面と、 前記アノードと離れて対向する出力面とを有 し、
前記パルス読み出し回路は、 前記第 1マイクロチヤンネルプレートの出力面に 接続されている、
位置検出型電子増倍管。
7 . 前記第 1マイクロチャンネルプレート、および前記第 1マイクロチ ヤンネルプレートの入力面に重ね合わされた一枚以上のマイクロチャンネルプレ ートを有する第 1のスタックと、
前記第 2マイクロチャンネルプレート、 および前記第 2マイクロチャンネルプ レートの入力面に重ね合わされ、 前記第 1マイクロチャンネルプレートと離れて 対向する一枚以上のマイクロチャンネルプレートを有する第 2のスタックと、 をさらに備える請求の範囲第 6項に記載の位置検出型電子增倍管。
8 . 前記第 1スタックは、前記入射窓と前記第 1スタックとの間に別の マイクロチャンネルプレートを挟むことなく前記入射窓と対向している、 請求の 範囲第 7項に記載の位置検出型電子増倍管。
9 . 前記第 1スタックは前記第 2スタックよりも高い電子増倍率を有し ている、 請求の範囲第 7項または第 8項に記載の位置検出型電子増倍管。
1 0 . 前記入射窓と前記第 1マイクロチャンネルプレートとの間に配置 され、 前記量子線を光電効果によって光電子に変換するフォト力ソードをさらに 備える請求の範囲第 6項〜第 9項のいずれかに記載の位置検出型電子增倍管であ つて、
前記第 1マイクロチャンネルプレートは、 前記フォトカソ一ドに対向させて配 置され、 前記フォトカソードから前記光電子を受け取って二次電子を生成し增倍 する、
請求の範囲第 6項〜第 9項のいずれかに記載の位置検出型電子増倍管。
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