KR101067933B1 - 시간 분해 측정 장치 및 위치 검출형 전자 증배관 - Google Patents

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Abstract

시간 분해 측정 장치(100)는, 광전자 증배관(14)에 있어서의 전측 MCP 스택(30)의 MCP(24)로부터 검출 타이밍 펄스를 독출한다. 이 펄스에 기초하여 광자의 검출 타이밍이 결정된다. 이 펄스의 주성분은 MCP(24)로부터의 광전자 방출에 따른 전위 상승 펄스이고, 이것은 양의 극성을 가진다. 한편, 전측 스택(30)에 광전자가 입사하면 음의 극성의 펄스가 발생하고, 검출 타이밍 펄스의 파형을 변형한다. 그러나, 전측 스택(30)에는 후측 스택(32)에 비해 소수의 광전자가 입사하므로, 검출 타이밍 펄스에 포함되는 음의 성분은 적다. 이 결과, 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 높아진다.
시간 분해, 광전자, 증배관, MCP, 검출, 타이밍, 펄스, 극성, 정밀도

Description

시간 분해 측정 장치 및 위치 검출형 전자 증배관{TIME RESOLUTION MEASUREMENT DEVICE AND POSITION DETECTION ELECTRON MULTIPLIER}
이 발명은 위치 검출형 전자 증배관(Position-Sensitive Electron Multiplier Tube:PS-EMT), 및 위치 검출형 전자 증배관을 이용하는 시간 분해 측정 장치에 관한 것이다.
발광 현상의 시간 분해 측정을 행하여 그 2차원 위치 및 시간을 취득하기 위한 2차원 시간 분해 측정 장치가 알려져 있다. 이러한 장치는, 특개소 61-266942호 공보, 특개평 10-150086호 공보, 및 에스 샤본노(S. Charbonneau)들에 의한 논문 「레지스티브 에노드 광전자 증배관을 이용한 100ps 분해능에서의 2차원 시간 분해 촬상(Two-dimensional time-resolved imaging with 100-ps resolution using a resistive anode photomultiplier tube)」(Rev. Sci. Instrum. 63(11), America, American Institute of Physics), 1992년 11월, 5315-5319페이지)에 개시되어 있다. 샤본노들의 문헌에 개시되는 장치에서는 시료로부터 발생한 광자가 복수의 마이크로 채널 플레이트(MCP)에 의해 증배된다. 광자의 검출 타이밍을 나타내는 펄스 신호는 광전자 증배관에 있어서 에노드(anode)에 가장 가까운 MCP로부터 취출된다.
이 발명은 시간 분해 측정에 있어서의 시간 정밀도를 높이는 것을 목적으로 한다.
이 발명의 시간 분해 측정 장치는 시료의 여기에 의해 발생하는 양자선의 위치 정보 및 타이밍 정보를 취득한다. 이 장치는 시료의 여기에 동기하여 기준 시간 펄스를 생성하는 신호 발생기와, 광을 검출하고 검출 위치에 따른 위치 신호 및 검출 타이밍에 동기하여 검출 타이밍 펄스를 생성하는 검출 장치와, 위치 신호를 이용하여 검출 위치를 산출하는 위치 연산기와, 기준 시간 펄스와 검출 타이밍 펄스의 시간차를 계측하는 시간차 측정기와, 위치 연산기에 의해 산출된 검출 위치와 시간차 측정기에 의해 계측된 시간차를 대응시켜 기억하는 데이터 처리 장치를 구비하고 있다. 검출 장치는, 위치 검출형 전자 증배관을 가지고 있다. 전자 증배관은, 양자선이 입사하는 입사창, 에노드, 및 입사창과 에노드의 사이에 끼워진 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트를 가지고 있다. 제1 마이크로 채널 플레이트는, 케소드와 떨어져 대향하는 입력면과, 제2 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있다. 제2 마이크로 채널 플레이트는 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면과 떨어져 대향하는 입력면과, 에노드와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있다. 검출 타이밍 펄스는, 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자가 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면으로부터 방출될 때의 전위 변화에 응답하여 발생하고, 시간차 측정기에 보내어진다.
양자선에는 전자, 이온, 알파선, 베타선 등의 하전 입자나, 자외선, X선, 감마선 등의 광자, 또 중성자 등이 포함된다. 시료의 여기에 수반하는 양자선의 발생은, 원자, 분자 등이 에너지가 낮은 상태로부터, 열, 광, 방사선 등의 외부 자극에 의해, 보다 높은 에너지의 상태로 옮겨가고, 그 상태가 원래대로 돌아갈 때에, 2개의 상태의 에너지의 차를 광 등의 양자선으로서 방출하는 현상이다(상기 특허문헌 1 및 비특허문헌 1을 참조할 것). 반도체 소자가 자발적으로, 혹은 외부 트리거(trigger)(신호 펄스, 동작 개시 펄스 등)에 응답하여 작동하면, 소자 중의 트랜지스터의 스위칭 동작에 수반하여 천이(transient) 발광이 일어나는 것도 알려져 있다(상기 특허문헌 2를 참조할 것). 본 발명에 있어서 시료의 여기에 수반하는 양자선의 발생에는, 원자 또는 분자가 2개의 상태의 에너지의 차를 광 등의 양자선으로서 방출하는 현상에 더하여 반도체 소자의 동작시에 관찰되는 천이(transient) 발광도 포함된다.
마이크로 채널 플레이트로부터 취출되는 검출 타이밍 펄스에는, 마이크로 채널 플레이트로부터의 증배 전자의 방출에 기인하는 양의 극성의 성분 외에, 마이크로 채널 플레이트로의 양자선의 입사에 기인하는 음의 극성의 성분이 포함된다. 본 발명과 달리 제2 마이크로 채널 플레이트로부터 검출 타이밍 펄스를 취출하는 경우, 그 양의 성분은 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자의 양에 따른 크기를 가지고, 그 음의 성분은 제1 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자의 양에 따른 크기를 가진다. 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트는 서로 상관이 없는 증배 요동을 가지고 있다. 이 때문에 검출 타이밍 펄스의 양의 성분과 음의 성분은 검출마다 다른 비율을 가지게 된다. 따라서, 검출 타이밍 펄스가 그라운드(ground) 레벨을 횡단하는 타이밍, 즉 제로(zero) 크로스(cross) 타이밍(timing)도 검출마다 상이하다. 이 결과, 기준 시간 펄스와 검출 타이밍 펄스의 시간차에 요동이 생기고, 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 저하하여 버린다.
이에 대해 본 발명에서는 제2 마이크로 채널 플레이트의 전방에 배치된 제1 마이크로 채널 플레이트로부터 검출 타이밍 펄스가 취출된다. 이 검출 타이밍 펄스의 음의 성분은 제1 마이크로 채널 플레이트로의 양자선의 입사에 응답하여 발생한다. 이 때문에 음의 성분의 크기는 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트에 의한 전자 증배의 영향을 받지 않는다. 따라서, 검출 타이밍 펄스 중의 음의 성분은 작다. 이 결과, 검출 타이밍 펄스의 제로(zero) 크로스(cross) 타이밍(timing)의 변동을 억제할 수 있어 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 높아진다.
본 발명의 시간 분해 측정 장치는 제1 마이크로 채널 플레이트, 및 제1 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합된 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제1의 스택(stack)과, 제2 멀티채널(multichannel) 플레이트 및 제2 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합되고, 제1 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제2 스택을 더 구비하고 있어도 좋다. 검출 타이밍 펄스의 양의 성분은 제1 스택 중의 복수의 마이크로 채널 플레이트(plate)에 의해 증배된 전자에 의해 형성된다. 한편, 음의 성분은 제1 스택에의 양자선의 입사에 의해 생성되고, 제1 스택 중의 마이크로 채널 플레이트에 의한 전자 증배의 영향을 받지 않는다. 이 때문에 음의 성분은 양의 성분보다 지극히 작아진다. 따라서, 검출 타이밍 펄스의 제로(zero) 크로스(cross) 타이밍(timing)의 변동을 한층 더 억제할 수 있어 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 높아진다.
제1 스택은, 입사창과 제1 스택의 사이에 다른 마이크로 채널 플레이트를 사이에 두는 일 없이 입사창과 대향하고 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 검출 타이밍 펄스의 음의 성분은 제1 스택 중의 마이크로 채널 플레이트에 의한 전자 증배뿐만이 아니고, 다른 마이크로 채널 플레이트에 의한 전자 증배의 영향도 받지 않는다. 이 때문에 검출 타이밍 펄스의 음의 성분은 지극히 작아진다. 이에 의해 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 높아진다.
제1 스택은 제2 스택보다 높은 광전자 증배율을 가지고 있어도 좋다. 이것은 전자 증배의 포화를 막는데 유리하다. 이에 의해 광전자가 효율 잘 증배 되어 S/N(signal/noise)이 높은 위치 신호를 얻을 수 있다. 검출 타이밍 펄스의 음의 성분의 크기는 제1 스택에 의한 전자 증배에 영향을 받지 않기 때문에, 제1 스택의 증배율에 관계없이 음의 성분은 작다. 따라서, 높은 위치 검출 정밀도와 높은 시간 정밀도의 쌍방을 달성할 수가 있다.
위치 검출형 전자 증배관은, 양자선을 광전 효과에 의해 광전자로 변환하는 포토(photo) 케소드(cathode)를 입사창과 제1 마이크로 채널 플레이트의 입력면의 사이에 더 구비하고 있어도 좋다. 제1 마이크로 채널 플레이트는, 포토 케소드에 대향시켜 배치되고, 포토 케소드로부터 광전자를 받아 2차 전자를 생성하고 증배한다. 이 경우, 광전자가 제1 마이크로 채널 플레이트에 입사한다. 검출 타이밍 펄스의 음의 성분은, 광전자의 입사양에 따른 크기를 가진다. 한편, 검출 타이밍 펄스의 양의 성분은 제1 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 2차 전자의 양에 따른 크기를 가진다. 이 때문에 음의 성분은 양의 성분보다 지극히 작아진다. 따라서, 검출 타이밍 펄스의 제로(zero) 크로스(cross) 타이밍(timing)의 변동을 억제할 수 있어 시간 분해 측정의 시간 정밀도가 높아진다.
이 발명의 위치 검출형 전자 증배관은, 양자선을 투과시키는 입사창과, 양자선의 입사창으로의 입사 위치에 따른 위치에 전자를 생성하고 그 위치를 유지하면서 전자를 증배하는 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트와, 제2 마이크로 채널 플레이트와 대향하는 에노드(anode)와, 제1 마이크로 채널 플레이트에 접속되고 제1 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자가 제1 마이크로 채널 플레이트로부터 방출될 때의 전위 변화에 따른 펄스 신호를 제1 마이크로 채널 플레이트로부터 취득하는 펄스 독출 회로를 구비하고 있다. 제1 마이크로 채널 플레이트는, 입사창과 떨어져 대향하는 입력면과, 제2 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있다. 제2 마이크로 채널 플레이트는 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면과 떨어져 대향하는 입력면과, 에노드와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있다. 펄스 독출 회로는 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면에 접속되어 있다.
펄스 독출 회로는 제2 마이크로 채널 플레이트가 아니고 제1 마이크로 채널 플레이트에 접속되어 있다. 펄스 독출 회로에 의해 취득되는 펄스 신호의 음의 성분은 제1 마이크로 채널 플레이트로의 양자선의 입사에 응답하여 발생한다. 이 때문에 음의 성분의 크기는 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트에 의한 전자 증배의 영향을 받지 않는다. 이 결과, 펄스 신호 중의 음의 성분은 작고, 이에 의해 검출 타이밍 펄스의 제로(zero) 크로스(cross) 타이밍(timing)의 변동을 억제할 수 있다. 따라서, 이 펄스 신호를, 양자선의 검출 타이밍을 나타내는 신호로서 사용하면 시간 정밀도가 높은 시간 분해 측정이 가능하다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 신규 특징은 이하의 설명을 첨부 도면과 함께 읽음으로써 보다 완전하게 밝혀진다. 다만, 도면은 단순한 예시에 지나지 않고 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다
도 1은 제1 실시 형태와 관련되는 시간 분해 측정 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 제1 실시 형태와 관련되는 광전자 증배관의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 비교예의 광전자 증배관의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 4A는 제2 스택의 최후방 MCP의 전극에 있어서의 전위의 시간경과 변화를 나타내고, 도 4B는 그 전극으로부터 취출되는 검출 타이밍 펄스를 나타내고 있다.
도 5는 복수의 검출에서 얻어진 검출 타이밍 펄스의 중합을 나타내고 있다.
도 6A는 제1 스택의 최후방 MCP의 전극에 있어서의 전위의 시간경과 변화를 나타내고, 도 6B는 복수의 검출에서 얻어진 검출 타이밍 펄스의 중합을 나타내고 있다.
도 7은 제2 실시 형태와 관련되는 광전자 증배관의 구조를 나타내는 개략도이다.
도 8은 제3 실시 형태와 관련되는 광전자 증배관의 구조를 나타내는 개략도 이다.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 상세하게 설명한다. 이해의 용이를 위해 도면에 공통이며 동일 또는 등가인 요소에는 같은 참조 번호를 사용하고 중복하는 설명을 생략한다.
<제1 실시 형태>
도 1은 실시 형태와 관련되는 시간 분해 측정 장치(100)의 구성을 나타내는 블록도이다. 장치(100)는 시료(10)로부터 발생하는 광자(15)을 검출하고, 발광의 2차원 위치 및 타이밍을 측정한다. 장치(100)는, 반도체 테스터(tester)(12), 위치 검출형 광전자 증배관(Position Sensitive Photomultiplier Tube：PS-PMT)(14), 위치 연산기(16), 시간 전압 변환기(Time-to-Amplitude Converter：TAC)(17) 및 데이터 처리 장치(18)를 가지고 있다.
본 실시 형태에서는 시료(10)의 일례로서 반도체 집적회로(IC)를 탑재하는 칩을 준비한다. 반도체 테스터(12)는 시료(10)에 동작 개시 펄스를 주어 발광을 생기게 하기 위한 여기 장치이다. 테스터(12)는 시료(10) 상의 IC에 구동 전압을 인가하여 IC를 구동한다. IC에 포함되는 트랜지스터는 그 스위칭 동작시에 낮은 확률로 발광한다. 따라서, 장치(100)를 이용하여 발광의 2차원 위치와 타이밍을 측정함으로써 트랜지스터의 동작 타이밍을 해석할 수가 있다. 테스터(12)는 시료(10)에 주는 동작 개시 펄스에 동기하여 기준 시간 펄스 RT를 생성하는 신호 발생기(12a)를 포함하고 있다. 이 펄스 RT는 시간 전압 변환기(17)에 보내어진다.
도 2는 위치 검출형 광전자 증배관(14)의 구조를 나타내는 개략도이다. 광전자 증배관(14)은 시료(10)로부터 발생한 광자(15)을 전자로 변환하고, 그 전자를 그 2차원 위치를 유지하면서 증폭한다. 광전자 증배관(14)은, 외위기(外圍器)(20) 및 외위기(20)에 접속된 전압 분할 회로(80)을 구비하고 있다. 외위기(20) 내에는 포토 케소드(22), 마이크로 채널 플레이트(Micro Channel Plate：MCP)(23∼27) 및 레지스티브 에노드(28)가 수용되어 있다. 외위기(20)의 전면에는 투명의 입사창(29)이 설치되어 있다. 포토 케소드(22)는 입사창(29)의 내면 상에 형성되어 있다. 포토 케소드(22)와 레지스티브 에노드(28)는 서로 떨어져 대향하도록 배치되어 있다. MCP(23∼27)은, 포토 케소드(22)와 레지스티브 에노드(28)의 사이에 배치되어 있다.
포토 케소드(22)는 입사창(29)를 투과한 광자(15)을 받아 광전 효과에 의해 광전자로 변환한다. 포토 케소드(22)는 「광전면」이라고 불리는 일이 있다.
MCP(23∼27)은 포토 케소드(22)로부터 광전자를 받아 2차 전자를 생성 및 증배하는 판 모양의 전자 증배기이다. MCP의 평면 형상은 원형이어도 좋고 구형이어도 좋다. 각 MCP의 전면 및 후면에는 전극으로서 도전성 재료가 증착되어 있다. 각 MCP의 전면(23a∼27a)은 광전자 또는 2차 전자를 받는 입력면이고, 후면(23b∼27b)은 2차 전자를 방출하는 출력면이다. 광전자는, 우선, 최전방의 MCP(23)에 입사한다. 광전자의 입사 위치는, 광(15)의 포토 케소드(22)에의 입사 위치에 대응하고 있다. MCP(23)는 광전자의 입사 위치에 2차 전자를 생성하고, 그 2차 전자를 그 2차원 위치를 유지하면서 증배한다. 후속의 MCP(24∼27)도 2차원 위치를 유지하면서 2차 전자를 증배한다.
MCP(23∼27)은 2차 전자를 통과시키기 위한 다수의 채널을 가지고 있고, 2차 전자는 채널 내를 이동하는 동안에 증배된다. 보다 구체적으로는, MCP는 매우 가는 유리 파이프를 다수 묶은 구조를 가지고 있다. 이 유리 파이프가 채널이다. 각각의 채널은 독립한 전자 증배기로서 기능한다. 채널의 내벽은 전기 저항체이고 전자 방출체이기도 하다. MCP가 감응하는 양자(예를 들면, 본 실시 형태에 있어서의 광전자)가 하나의 채널의 내벽에 입사하면, 그 내벽으로부터 하나 이상의 전자가 방출된다.
MCP의 입력면에의 양자의 입사에 따라 채널의 내벽으로부터 방출되는 전자는, MCP의 양단에 인가된 전압에 의해 생성된 전계에 의해 가속되고, 포물선 궤도를 그리면서 벽의 반대측의 부분에 충돌한다. 이 충돌에 의해 2차 전자가 내벽으로부터 방출된다. 이러한 전자 방출이 채널을 따라 다수회 반복되는 결과, 전자가 증배되고 MCP의 출력면으로부터 다수의 전자가 방출된다. 전자의 2차원 위치는 채널에 의해 유지된다.
MCP(23∼27)은 제1 및 제2 MCP 스택(30 및 32)을 구성하고 있다. 제1 스택(30)은 서로 중합된 2매의 MCP(23 및 24)로 이루어지는 2단 스택이다. 제1 스택(30)은 포토 케소드(22)의 사이에 다른 MCP를 사이에 두는 일 없이 포토 케소드(22)와 직접 대향하고 있다. MCP(23 및 24)는 각각 포토 케소드(22)와 떨어져 대향하는 입력면(23a 및 24a)을 가지고 있다. MCP(23)의 출력면(23b)은 MCP(24)의 입력면(24a)에 중합되어 있다. MCP(24)의 출력면(24b)은 MCP25의 입력면(25a)과 떨어져 대향한다. 제2 스택(32)은 서로 중합된 3매의 MCP(25∼27)로 이루어지는 3단 스택이다. MCP(25)의 출력면(25c)은 MCP(26)의 입력면(26a)에 중합되고, MCP(26)의 출력면(26b)은 MCP(27)의 입력면(27a)에 중합되어 있다. MCP(27)의 출력면(27b)은 레지스티브 에노드(28)의 입력면과 떨어져 대향한다.
MCP(23∼27)을 2개의 스택(30 및 32)으로 나누는 것은 광전자의 효율이 좋은 증배를 위해서 이다. 모든 MCP를 근접시켜 중합하면, 광전자가 소수의 채널에 집중하기 때문에 증배 작용이 포화하기 쉽다. 이에 대해 MCP(23∼27)을 2개의 스택(30 및 32)으로 나누면, 전측의 스택(30)에 의해 증배된 전자군은 스택(30)으로부터 방출되어 확산하면서 후측의 스택(32)으로 향한다. 이 확산에 의해 후측의 스택(32)에서는 보다 다수의 채널에서 광전자가 증배되게 된다. 이 때문에 증배 작용의 포화를 막고 효율 좋게 광전자를 증배할 수 있다.
스택(30 및 32)과 같이 MCP를 다단으로 겹쳐서 사용하는 경우, 채널의 축이 MCP의 수직축에 대해 적당한 바이어스(bias) 각을 가지도록 MCP를 배치하는 것이 바람직하다. 이러한 배치를 채용함에 따라 이득의 증대와 함께 생기는 이온 피드백(feedback)에 기인하는 노이즈(noise)를 저감하고, 한편, 높은 이득을 얻을 수 있다.
제1 스택(30)으로 광전자를 매우 높은 배율로 증배할 수 있으므로, 제2 스택(32)의 증배율은 제1 스택(30)의 증배율보다 낮아도 좋다. 본 실시 형태에서는 제1 스택(30)의 증배율은 약 106이고, 제2 스택(32)의 증배율은 약 102이다. 이러한 증 배율은 완전하게 일정한 것은 아니고 어느 정도의 요동을 가지고 있다. 따라서, 스택(30 및 32)은 증배마다 다른 증배율을 나타낸다.
레지스티브 에노드(anode)(28)는 위치 검출형 에노드의 일종이다. 레지스티브 에노드(28)는 한쪽 면에 균일한 저항층이 설치된 도체판이다. 레지스티브 에노드(28)의 주연부의 4개소에는 신호 독출용의 전극(28a)이 설치되어 있다. 이러한 전극(28a)은 도 1에 나타나듯이, 전치 증폭기(40)를 개재하여 위치 연산기(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 또, 도면의 간단화를 위해 도면에는 4개의 전극(28a) 중 2개만이 그려져 있다. 또, 도면에서는, 전극(28a)의 위치가 실제의 위치보다 레지스티브 에노드(28)의 중심 가까이에 그려져 있다. 레지스티브 에노드(28)에 2차 전자가 입사하면, 이러한 독출 전극(28a)은 전하 펄스를 출력한다. 레지스티브 에노드(28)에 입사한 2차 전자의 2차원 위치는 이러한 전하 펄스가 가지는 전하량에 따라 구할 수가 있다. 이와 같이 레지스티브 에노드(28)의 각 전극(28a)은 광자(15)의 검출 위치에 따른 신호 DP를 생성하고 위치 연산기(16)에 보낸다.
포토 케소드(22), 제1 및 제2 MCP 스택(30 및 32), 및 레지스티브 에노드(28)는 전압 분할 회로(80)에 접속되어 있다. 회로(80)는 케소드(22) 및 에노드(28) 사이에 전압을 인가함과 동시에 그 전압을 분할하여 제1 및 제2 MCP 스택(30 및 32)에 인가한다. 또, 회로(80)는 레지스티브 에노드(28)로부터 광자(15)의 검출 위치에 따른 신호 DP를 받아 증폭하여 위치 연산기(16)에 보낸다. 또한, 회로(80)는 광자(15)의 검출 타이밍을 나타내는 펄스 신호를 취득하는 펄스 독출 회로로도 기능한다.
도 2에 나타나듯이, 제1 스택(30)에 있어서 MCP(23)의 입력면(23a)의 주연부 및 MCP(24)의 출력면(24b)의 주연부에는 각각 링 모양의 전극(33 및 34)이 장착되고, 이러한 전극이 리드 선에 의해 고압 전원(42)에 접속되어 있다. 마찬가지로 제2 스택(32)에 있어서 MCP25의 입력면(25a)의 주연부 및 MCP(27)의 출력면(27b)의 주연부에는 각각 링 모양의 전극(35 및 37)이 장착되고, 이러한 전극이 리드 선에 의해 고압 전원(42)에 접속되어 있다. 고압 전원(42)은 포토 케소드(22) 및 레지스티브 에노드(28)에도 접속되어 있다.
고압 전원(42)은 포토 케소드(22), 제1 스택(30), 제2 스택(32) 및 레지스티브 에노드(28)에 전압을 인가하고, 이들 사이에 전위 구배를 형성한다. 이 전위 구배에 의해 레지스티브 에노드(28), 제2 스택(32), 제1 스택(30), 및 포토 케소드(22)의 순으로 높은 전위가 주어진다. 각 MCP 스택 내에도 전위 구배가 형성된다. 제1 스택(30)에서는 MCP(24)의 출력면(24b)에 가까운 위치만큼 높은 전위가 주어진다. 제2 스택(32)에서는 MCP(27)의 출력면(27b)에 가까운 위치만큼 높은 전위가 주어진다.
보다 구체적으로 설명하면, 포토 케소드(22)와 고압 전원(42)의 사이에는 저항기(81∼85)가 직렬로 접속되어 있다. 저항기(81)의 양단에는 포토 케소드(22) 및 전극(33)이 접속되어 있고, 이에 의해 양자간에 전위 구배가 형성된다. 저항기(82)의 양단에는 전극(33 및 34)이 접속되어 있고, 이에 의해 제1 MCP 스택(30)의 입력면(23a) 및 출력면(24b) 사이에 전위 구배가 형성된다. 저항기(83)의 양단에는 전극(34 및 35)이 접속되어 있고, 이에 의해 제1 MCP 스택(30)과 제2 MCP 스택(32)의 사이에 전위 구배가 형성된다. 저항기(84)의 양단에는 전극(35 및 37)이 접속되어 있고, 이에 의해 제2 MCP 스택(32)의 입력면(25a) 및 출력면(27b) 사이에 전위 구배가 형성된다. 저항기(85)의 양단에는 전극(37) 및 레지스티브 에노드(28)가 접속되어 있고, 이에 의해 제2 MCP 스택(32)과 레지스티브 에노드(28)의 사이에 전위 구배가 형성된다.
다음에 상세하게 설명하듯이, MCP(24)의 출력면(24b)에서는 광자의 검출 타이밍에 동기하여 펄스 신호 DT가 생성된다. 이하에서는, 이 펄스 신호 DT를 「검출 타이밍 펄스」라고 부른다. 도 2에 나타나듯이, MCP(24)의 출력면(24b)에 설치된 전극(34)은 전압 분할 회로(80)를 개재하여 시간 전압 변환기(17)에 접속되어 있다. 검출 타이밍 펄스 DT는 전극(34) 및 회로(80)를 통해서 시간 전압 변환기(17)에 보내어진다.
회로(80)는 검출 타이밍 펄스 DT를 취득하기 위해서 서로 직렬로 접속된 저항기(86) 및 고압 차단용 콘덴서(87)를 가지고 있다. 전극(34)은 저항기(86)와 콘덴서(87)의 사이에 접속되어 있다. 콘덴서(87)는 후술하는 전치 증폭기(41), 증폭기(43 및 44), CFD(45) 및 TAC(17)를 고압 전원(42)으로부터 분리하고, 고압 전원(42)에 의해 생성되는 높은 전압으로부터 CFD(45) 및 TAC(17)를 보호한다.
위치 연산기(16)는 광전자 증배관(14)의 레지스티브 에노드(28)에 전기적으로 접속되어 있다. 위치 연산기(16)는 레지스티브 에노드(28)로부터 보내어지는 위치 신호 DP를 이용하여 광자(15)의 검출 위치를 산출한다. 위치 연산기(16)의 출력 단자는 랫치(latch) 회로(49)에 접속되어 있다. 산출된 검출 위치는 디지털 데이터 로서 랫치(latch) 회로에 보내어진다.
시간 전압 변환기(TAC)(17)는 2개의 입력 신호의 시간차를 계측하는 시간차 측정기이다. TAC(17)는 테스터(12) 중의 신호 발생기(12a) 및 광전자 증배관(14)의 쌍방에 전기적으로 접속되어 있다. TAC(17)의 스타트(start) 단자는, 전치 증폭기(41), 증폭기(43 및 44), 및 컨스턴트(constant) 프랙숀(fraction) 판별기(CFD)(45)를 개재하여 MCP(24) 상의 전극(34)에 접속되어 있다. TAC(17)는 광전자 증배관(14)으로부터의 검출 타이밍 펄스 DT를 스타트 단자에서 받는다. 한편, TAC(17)의 스톱(stop) 단자는 증폭기(46) 및 지연 회로(47)를 개재하여 테스터(12)에 접속되어 있다. TAC(17)는 테스터(12) 중의 신호 발생기(12a)로부터의 기준 시간 펄스 RT를 스톱 단자에서 받는다. TAC(17)는 기준 시간 펄스 RT와 검출 타이밍 펄스 DT와의 시간차에 따른 파고를 가지는 아날로그 전압 신호를 생성한다. 이 시간차는 기준 시간 펄스를 기준으로 한 광자(15)의 검출 시각을 나타낸다. TAC(17)의 출력 단자는 A/D(analog/digital) 변환기(48)를 개재하여 랫치(latch) 회로(49)에 접속되어 있다. 검출 시각을 나타내는 아날로그 신호는, A/D 변환기(48)에 보내어지고, 거기서 디지털 데이터로 변환된다. 검출 시각을 나타내는 이 데이터는 랫치(latch) 회로(49)에 보내어진다.
랫치(latch) 회로(49)는 위치 연산기(16)로부터의 검출 위치 데이터 및 TAC(17)로부터의 검출 시각 데이터를 받아 1조의 데이터로서 데이터 처리 장치(18)로 전송한다. 데이터 처리 장치(18)는 랫치(latch) 회로(49)로부터 데이터를 받아 기억한다. 처리 장치(18)는 예를 들면 퍼스널 컴퓨터이다. 처리 장치(18)는 CPU, 기억 장치, 하드 디스크, 키보드 및 마우스, 및 디스플레이를 가지고 있다. 기억 장치에는 데이터 처리에 필요한 프로그램 및 데이터가 저장되어 있다. 랫치(latch) 회로(49)로부터 보내어진 검출 위치 및 검출 시각은 서로 대응시켜 이 기억 장치에 저장된다.
본 실시 형태에서는 데이터 처리 장치(18)는 시간 분해 측정 장치(100)의 제어 장치로도 기능한다. 위치 연산기(16)는 레지스티브 에노드(28)로부터의 위치 신호 DP를 전치 증폭기(40)를 경유하여 받아 광자(15)의 검출 위치를 연산하고 그것을 디지털 변환하여 랫치(latch) 회로(49)에 보낸다. 또, 장치(18)는 위치 연산기(16)로 고압 제어 신호를 보낸다. 위치 연산기(16)는 고압 전원(42)에 접속되어 있고, 고압 제어 신호에 응답하여 고압 전원(42)으로 출력 전압을 생성시키고, 또 그 생성을 정지시킨다. 장치(18)는 TAC(17)에 시정수 제어 신호를 보낸다. TAC(17)는 이 신호에 응답하여 시간-진폭 변환의 시정수를 설정한다. 장치(18)는 지연 회로(47)로 지연 제어 신호를 보낸다. 지연 회로(47)는 이 신호에 응답하여 지연을 설정한다.
이하에서는 시간 분해 측정 장치(100)의 동작을 설명한다. 테스터(12)가 시료(10) 상의 IC를 구동하면 어떤 확률로 광자(15)가 발생한다. 광전자 증배관(14)은 광자(15)을 포토 케소드(22)에서 받는다. 포토 케소드(22)는 광전 효과에 의해 광자(15)을 광전자로 변환한다. 이 광전자는 포토 케소드(22) 및 제1 스택(30) 사이의 전위 구배에 의해 MCP(23)의 입력면(23a)에 입사한다. 스택(30) 중의 MCP(23 및 24)는 광전자를 약 106배로 증배한다. 증배된 전자는 스택(30) 내의 전위 구배에 의해 MCP(24)의 출력면(24b)에 도달한다. 그 후, 전자는 제1 및 제2 스택(30 및 32) 사이의 전위 구배에 의해 MCP(24)의 출력면(24b)으로부터 방출되고, MCP(25)의 입력면(25a)에 입사한다. 스택(32) 중의 MCP(25∼27)은 전자를 약 102배로 증배한다. 전자는 스택(32) 내의 전위 구배에 의해 MCP(27)의 출력면(27b)에 도달한다. 그 후, 전자는 제2 스택(32) 및 레지스티브 에노드(28) 사이의 전위 구배에 의해 MCP(27)의 출력면(27b)으로부터 방출되고, 레지스티브 에노드(28)에 수집된다.
레지스티브 에노드(28)는 전자의 2차원 위치에 따른 전하 펄스 DP를 4개의 전극(28a)으로부터 위치 연산기(16)에 보낸다. 위치 연산기(16)는 이러한 전하 펄스 DP를 받아 중심 검출에 의해 전자의 2차원 위치를 산출한다. 이 2차원 위치는 광자(15)의 검출 위치이고, 시료(10) 상에서의 발광 위치와 대응하고 있다. 산출된 검출 위치는 데이터 처리 장치(18)에 보내어진다.
또한, 광전자 증배관(14)은 광자(15)의 검출 타이밍에 동기하여 펄스를 생성한다. 이 검출 타이밍 펄스 DT는 전압 분할 회로(80)에 의해 MCP(24)로부터 취출된다. MCP(24)의 출력면(24b)으로부터 MCP(25)를 향해 전자가 방출되면, MCP(24)의 출력면(24b)에 있어서 전위가 순간적으로 상승한다. 이어서, 고압 전원(42)으로부터 MCP(24)에 전자가 유입하고, 출력면(24b)의 전위는 소정의 정상 전위로 돌려진다. 이 전자의 흐름은 충전(charge) 전류로 불린다. 충전 전류는 고압 전원(42)으로부터 저항기(83∼85)를 거쳐 MCP(24)의 전극(34)으로 향한다. 전극(34)과 저항기 (83)의 사이에는 저항기(86)가 배치되어 있다. 이에 의해 임피던스(impedance)가 증가하므로, 고압 전원(42)으로부터 전극(34)으로의 단위 시간당의 전자 유입양이 저감된다. 고주파 영역에서는 콘덴서(87)를 포함하는 경로가 저항기(83∼86)를 포함하는 경로보다 임피던스(impedance)가 낮다. 이 때문에 순간적으로는 콘덴서(87)의 일단으로부터 전극(34)으로 전자가 유입하게 된다. 콘덴서(87)의 타단은 증폭기를 개재하여 CFD(45)에 접속되어 있으므로, 전극(34)으로의 전자의 흐름은 전류 펄스로서 CFD(45)에 유입한다. 이 전류 펄스가 검출 타이밍 펄스 DT이다. 이와 같이 하여 회로(80)는 MCP(24)의 출력면(24b)의 순간적인 전위 상승에 동기하여 검출 타이밍 펄스 DT를 취출할 수가 있다. 이 검출 타이밍 펄스 DT는 CFD(45)를 통해서 TAC(17)에 보내어진다.
TAC(17)는 시료(10) 상의 IC의 구동에 동기하여 기준 시간 펄스 RT를 테스터(12)로부터 받음과 동시에 CFD(45)로부터 검출 타이밍 펄스 DT를 받는다. TAC(17)는 기준 시간 펄스 RT와 검출 타이밍 펄스 DT의 시간차를 계측한다. 위에서 설명한 바와 같이, 이 시간차는 기준 시간 펄스 RT를 기준으로 하는 광자(15)의 검출 시각을 나타낸다. 이 검출 시각은 데이터 처리 장치(18)에 보내어진다.
데이터 처리 장치(18)는 검출 위치 및 검출 시각을 받아 서로 대응시켜 기억 장치에 저장한다. 시료(10) 상의 트랜지스터가 스위칭 시에 발광하는 확률은 매우 작기 때문에, 시료(10)는 반복하여 여기되어 검출 위치 및 검출 시각이 데이터 처리 장치(18)에 축적된다. 축적된 데이터는 여러 가지로 이용할 수가 있다. 예를 들어, 데이터 처리 장치(18)는 특정의 시간에 걸쳐서 검출 위치마다 발광 회수를 카 운트 하고, 얻어진 카운트 수에 따른 휘도를 검출 위치에 대응하는 화소에 할당한 2차원 화상을 생성할 수가 있다. 또, 데이터 처리 장치(18)는 축적된 검출 시각을 이용하여 특정의 검출 위치에 있어서의 검출 시각의 막대그래프를 작성할 수가 있다. 이 막대그래프에서는 횡축이 검출 시각이고 종축이 발광 회수이다. 막대그래프의 피크(peak)는 특정의 검출 위치에 있어서 발광이 높은 빈도로 검출되었을 시각을 나타내고 있다. 따라서, 피크에 대응하는 검출 시각은 그 검출 위치에 대응하는 트랜지스터가 스위칭(switching)을 하는 타이밍으로 간주할 수가 있다. 트랜지스터의 스위칭 타이밍을 취득함으로써 시료(10) 상의 IC의 동작 해석이 가능하게 된다.
본 실시 형태의 특징은 전측 스택(30)의 최후방에게 위치하는 MCP(24)로부터 검출 타이밍 펄스 DT를 독출하는 것이다. 이하에서는, 종래 기술과의 비교를 하면서 이 점을 상세하게 설명한다.
시간 분해 측정 장치에 있어서 광전자 증배관으로부터 검출 타이밍 펄스를 취득하는 경우, 어디에서 검출 타이밍 펄스를 독출할지를 결정할 필요가 있다. 에노드로부터 타이밍 펄스를 독출하는 경우, 에노드가 위치 검출형이면, 에노드 주변의 신호 독출 경로에 부수하는 저항이나 정전 용량 때문에 타이밍 펄스의 독출 속도가 늦다. 또, 신호 독출 경로가 높은 임피던스(impedance) 회로로 되기 때문에 타이밍 펄스가 외래 노이즈의 영향을 받기 쉽다. 따라서, 외부 회로를 최적화해도 충분한 시간 정밀도를 얻는 것이 어렵다. 또한, 타이밍 펄스를 취득하기 위한 부가 회로에 의해 신호의 S/N이 저하한다. 이 때문에 시간 정밀도이 아니고 위치 분해능까지도가 열화하여 버린다.
이에 대해 종래 기술에서는, 에노드와 직접 대향하는 MCP의 출력면으로부터 검출 타이밍 펄스를 취득하고 있다. 즉, 가장 후방에 배치된 최종 MCP의 출력면으로부터 에노드로 향해 전자가 방출되었을 때에 발생하는 전위 상승 펄스가 검출 타이밍 펄스로서 독출된다. 전위 상승양은 방출되는 전하량에 비례하고, 그 전하량은 최종 MCP에 있어서 최대로 된다. 따라서, 최종 MCP로부터는 S/N의 높은 검출 타이밍 펄스를 독출할 수가 있다.
그러나, 이러한 이점의 반면에는 최종 MCP로부터의 검출 타이밍 펄스의 독출에는 불이익이 수반되는 것을 본 발명자는 알았다. 이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하면서 이 불이익을 설명한다. 도 3은 최종 MCP(27) 상의 전극(37)으로부터 검출 타이밍 펄스 DT가 독출되는 광전자 증배관(14a)의 구조를 나타내는 개략도이다. 전극(37)은 본 실시 형태에 있어서의 전극(34)와 마찬가지로 증폭기 및 컨스턴트 프랙숀 판별기를 개재하여 TAC(17)에 접속되어 있다. 도 4A는 전극(37)에 있어서의 전위의 시간경과 변화를 나타내고, 도 4B는 전극(37)으로부터 취출되는 타이밍 펄스 DT를 나타내고 있다.
MCP(23∼27)에 의해 증배된 전자가 MCP(27)의 출력면(27b)으로부터 방출되면, 도 4A에 나타나듯이, 전극(37) 상에 전위 상승 펄스(60)가 나타난다. 전위 상승 펄스(60)는 광자가 검출될 때마다 발생한다. 시료로부터 3개의 광자가 순차 발생하면, 도 4A에 나타나듯이, 3개의 전위 상승 펄스(60a∼60c)가 발생한다. 위에서 설명한 바와 같이, 제1 및 제2 MCP 스택(30 및 32)의 증배율은 어느 정도의 요동을 가지고 있다. 이러한 증배 요동에 따라 전위 상승 펄스(60a∼60c)는 다양한 파고를 가진다.
본 발명자는, 전위 상승 펄스(60a∼60c)의 직전에 다른 펄스(62a∼62c)가 전극(37) 상에 나타나는 것을 발견하였다. 이 펄스(62)는 광전자 증배관(14)이 서로 이간한 2개의 MCP 스택(30 및 32)을 가지는데 기인한다. 제1 스택(30)에 의해 증배된 전자는, MCP(24)의 출력면으로부터 방출되고, 제2 스택(32)의 입력면, 즉 제2 스택(32)에 있어서 최전방에게 위치하는 MCP25의 입력면(25a)에 입사한다. 이때 제2 스택(32)의 입력면(25a) 상의 전극(35) 및 출력면(27b) 상의 전극(37) 사이의 용량 결합이 전극(37) 상에 펄스(62)를 생성한다. 이하에서는, 이 펄스(62)를 「전자 입력 펄스」라고 부른다. 전자 입력 펄스(62)의 파고는 제1 스택(30)의 증배율에 의존한다. 제1 스택(30)의 증배 요동에 따라 전자 입력 펄스(62a∼62c)는 다양한 파고를 가진다.
전위 상승 펄스(60)는 양의 극성을 가지고, 전자 입력 펄스(62)는 음의 극성을 가진다. 제1 스택(30)으로부터 제2 스택(32)에의 전자의 입사에 의해 전자 입력 펄스(62)가 생성되고, 제2 스택(32)에 의한 전자의 증배의 후에 전위 상승 펄스(60)가 발생한다. 이 때문에 전위 상승 펄스(60)는 전자 입력 펄스(62)로부터 약 300ps(picosecond) 늦게 전극(37) 상에 나타난다. 펄스(60 및 62)는 부분적으로 중합하고, 도 4B에 나타나듯이 하나의 펄스(70)로서 전극(37)으로부터 독출된다. 이 펄스(70)가 상술한 검출 타이밍 펄스 DT이다.
제2 스택(32)이 102 정도의 증배율을 가지기 때문에 전위 상승 펄스(60)는 전 자 입력 펄스(62)의 10∼100배 정도의 파고를 가진다. 그러나, 전위 상승 펄스(60)의 파고는 스택(30 및 32)의 쌍방의 증배 요동으로부터 영향을 받는데 대해, 전자 입력 펄스(62)의 파고는 스택(30)의 증배 요동으로부터만 영향을 받지 않는다. 이 때문에 이러한 펄스(60 및 62)의 파고는 서로 상관이 없는 요동을 가진다. 따라서, 양의 전위 상승 펄스(60)와 음의 전자 입력 펄스(62)가 광자의 검출마다 다른 파고 비율로 합성되어 검출 타이밍 펄스를 형성하게 된다.
CFD(45)는 펄스(70)가 그라운드 레벨을 횡단하는 타이밍(71)을 판정한다. 이것은 제로 크로스 타이밍으로 불린다. TAC(17)는 이 제로 크로스 타이밍을 펄스(70)의 수신 타이밍으로서 취급한다. 펄스(70)는 전자 입력 펄스(62)에 대응하는 음의 성분을 가지기 때문에, 제로 크로스 타이밍(71)은 제2 스택(32)으로 광전자가 입사하는 타이밍(72)에 비해 늦는다. 전위 상승 펄스(60)와 전자 입력 펄스(62)가 광자의 검출마다 다른 파고 비율을 가지기 때문에, 제로 크로스 타이밍(71)의 전자 입사 타이밍(72)으로부터의 지연 시간은 일정하지 않다. 이것은 복수의 광자 검출에 있어서의 검출 타이밍 펄스를 중합하여 나타내는 도 5를 참조하면 한층 더 분명하게 된다. 이러한 제로 크로스 타이밍(71)의 지연의 불균일 때문에, 검출 시각에 200ps 이상의 요동(지터(jitter))이 생겨 시간 정밀도가 저하하여 버린다.
이에 대해 본 실시 형태의 시간 분해 측정 장치(100)에서는 제1 스택(30)의 최후방의 MCP(24)로부터 검출 타이밍 펄스가 독출된다. 제1 스택(30)으로 입사하는 것은 1개의 광자로부터 변환된 광전자이고, 전혀 증배되어 있지 않다. 이 때문에 MCP(24)의 전극(34)에서 발생하는 전자 입력 펄스는 매우 작다. 도 6A에 나타나듯 이, MCP(24) 상의 전극(34)에는 사실상 전위 상승 펄스(64)만이 나타난다. 따라서, 복수의 광자 검출에 있어서의 검출 타이밍 펄스를 중합하여 나타내는 도 6B를 참조하면 분명한 것 같이 제로 크로스 타이밍의 요동을 억제할 수가 있다. 광전자는 제1 스택(30)에 의해 106배로 증배된 후 MCP(24)로부터 방출된다. 이러한 광전자의 전하량은 최종 MCP(27)로부터 방출되는 전하량의 약 1/100이지만, 그런데도 충분한 파고의 전위 상승 펄스(64)를 생성할 수가 있다. 따라서, 검출 타이밍 펄스의 S/N 및 시간 정밀도의 저하가 방지된다. 이 결과 60ps 정도의 양호한 시간 정밀도를 얻는 것이 가능하다.
또, 검출 타이밍 펄스를 취득하기 위해서 전극(34)에 전기적으로 접속되는 출력 단자의 수는 1개에 한정되지 않고 복수 라인 설치하여도 좋다. 이때 복수의 출력 단자는 동일한 길이를 가지는 것이 바람직하다.
<제2 실시 형태>
본 실시 형태의 시간 분해 측정 장치는 제1 실시 형태의 장치(100)에 있어서 광전자 증배관(14) 대신에 다른 광전자 증배관(90)을 설치한 구성을 가진다. 도 7은 본 실시 형태로 사용하는 위치 검출형 광전자 증배관(90)의 구조를 나타내는 개략도이다. 광전자 증배관(90)은 제1 실시 형태의 광전자 증배관(14)과 다른 전압 분할 회로(92)를 가진다.
회로(92)는 MCP(24)로부터 검출 타이밍 펄스 DT를 취득하기 위한 구성이 제1 실시 형태의 전압 분할 회로(80)와 상이하다. 즉, 회로(92)는 MCP(24)의 전극(34) 에 접속된 저항기(86) 및 콘덴서(87)에 더하여 고압 차단용 콘덴서(88) 및 동축 케이블(94)을 가지고 있다. 동축 케이블(94)은 내부 도체(심선)(94a)와 그 내부 도체(94a)를 동축으로 포위하는 통 모양의 외부 도체(94b)를 가진다. 내부 도체(94a)의 일단은 콘덴서(87)를 개재하여 저항기(86)의 일단에 접속되어 있고, 내부 도체(94a)의 타단은 전치 증폭기(41), 증폭기(43 및 44)를 개재하여 CFD(45) 및 TAC(17)에 접속되어 있다. 외부 도체(94b)는 콘덴서(88)를 개재하여 저항기(86)의 타단에 접속되어 접지되어 있다.
이미 말한 것처럼, MCP(24)의 출력면(24b)으로부터 MCP(25)를 향해 전자가 방출되면, MCP(24)의 출력면(24b)에 있어서 전위가 순간적으로 상승한다. 이에 따라 고압 전원(42)으로부터 MCP(24)에 충전(charge) 전류가 공급된다. 그러나, 고압 전원(42) 및 MCP(24) 사이의 경로는 저항기(86)에 의해 임피던스(impedance)가 높아져 있다. 이 때문에 고주파 영역에서는 콘덴서(87 및 88) 및 동축 케이블(94)을 포함하는 경로가 저항기(86)를 포함하는 경로보다 임피던스(impedance)가 낮다. 따라서, 순간적으로는 동축 케이블(94)을 포함하는 경로로부터 전극(34)으로 전자가 유입하게 된다. 동축 케이블(94) 중 콘덴서(87)에 접속되는 단부와 반대측의 단부에는 CFD(45)가 접속되어 있다. 이 때문에 전극(34)으로의 전자의 흐름은 전류 펄스로서 CFD(45)에 유입한다. 이 전류 펄스가 검출 타이밍 펄스 DT이다. 이와 같이 하여 회로(92)는 MCP(24)의 출력면(24b)의 순간적인 전위 상승에 동기하여 검출 타이밍 펄스 DT를 취출할 수가 있다.
본 실시 형태는 제1 실시 형태와 같은 이점을 가진다. 또한, 검출 타이밍 펄 스 DT를 동축 케이블(94)에 의해 전송하므로 펄스 DT의 파형의 열화가 적다. 따라서, 시간 분해 측정의 시간 정밀도를 한층 더 높일 수가 있다.
<제3 실시 형태>
본 실시 형태의 시간 분해 측정 장치도, 제1 실시 형태의 장치(100)에 있어서 광전자 증배관(14) 대신에 다른 광전자 증배관(95)을 설치한 구성을 가진다. 도 8은 본 실시 형태로 사용하는 위치 검출형 광전자 증배관(95)의 구조를 나타내는 개략도이다. 광전자 증배관(95)은 제1 실시 형태의 광전자 증배관(14)과 다른 전압 분할 회로(96)를 가진다.
회로(96)는 MCP(24)로부터 검출 타이밍 펄스 DT를 취득하기 위한 구성이 제1 및 제2 실시 형태의 전압 분할 회로(80 및 92)와 상이하다. 즉, 회로(96)는 전압 분할 회로(92)에 있어서의 저항기(86) 및 콘덴서(87 및 88)에 대신하여 고주파 변압기(98)를 가지고 있다. 변압기(98)는 MCP(24)의 전극(34)과 동축 케이블(94)의 사이에 접속되어 있다. 변압기(98)는 CFD(45) 및 TAC(17)를 고압 전원(42)으로부터 분리하고, 고압 전원(42)에 의해 생성되는 높은 전압으로부터 CFD(45) 및 TAC(17)를 보호한다. 전극(34)은 변압기의 1차측에 접속되고 동축 케이블(94)은 트랜스의 2차 측에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 1차측 코일(98a)의 일단이 전극(34)에 접속되고 타단이 저항기(82 및 83)의 사이에 접속되어 있다. 또, 2차측 코일(98b)의 일단이 동축 케이블(94)의 내부 도체(94a)에 접속되고 타단은 외부 도체(94b)와 함께 접지되어 있다.
MCP(24)의 출력면(24b)으로부터 MCP(25)를 향해 전자가 방출되면, MCP(24)의 출력면(24b)에 있어서 전위가 순간적으로 상승한다. 이에 따라 고압 전원(42)으로부터 MCP(24)에 충전(charge) 전류가 순간적으로 공급된다. 충전(charge) 전류의 경로에는 고주파 변압기(98)의 1차측이 접속되어 있다. 이 때문에 충전(charge) 전류의 교류(AC) 성분에 대응하는 기전력이 변압기(98)의 2차측에 발생한다. 이 기전력에 의해 펄스 전류가 발생하고, 변압기(98)의 2차측에 접속된 동축 케이블(94)에 의해 전송된다. 이 전류 펄스가 검출 타이밍 펄스 DT이다. 동축 케이블(94) 중 변압기(98)에 접속되는 단부와 반대측의 단부에는 CFD(45)가 접속되어 있다. 이 때문에 검출 타이밍 펄스 DT는 CFD(45)에 유입한다. 이와 같이 하여 회로(96)는 MCP(24)의 출력면(24b)의 순간적인 전위 상승에 동기하여 검출 타이밍 펄스 DT를 취출할 수가 있다.
본 실시 형태는 제1 실시 형태와 같은 이점을 가진다. 또한, 검출 타이밍 펄스 DT를 동축 케이블(94)에 의해 전송하므로 펄스 DT의 파형의 열화가 적다. 따라서, 시간 분해 측정의 시간 정밀도를 한층 더 높일 수가 있다.
이상, 본 발명을 그 실시 형태에 기초하여 상세하게 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위로 여러 가지 변형이 가능하다.
본 명세서에서는, 「광전자 증배관(PMT)」는 「전자 증배관(EMT)」의 한 종류이다. 상기 실시 형태는 위치 검출형 광전자 증배관(PS-PMT)을 사용한다. 그러나, 본 발명에서는 시료로부터 발생하는 양자선의 종류에 따라 다른 임의의 위치 검출형 전자 증배관(PS-EMT)을 사용할 수가 있다. 마이크로 채널 플레이트가 전자 선만이 아니고 자외선(UV 및 VUV), X선,알파선, 하전 입자, 중성자 등 다른 양자선에 대해서 직접 감도를 가지는 것은 잘 알려져 있다. 마이크로 채널 플레이트의 각 채널에 그 양자선이 입사하면 전자가 방출되고, 그러한 전자가 채널 내에서 증배된다. PS-PMT를 이용할지 PS-EMT를 이용할지는 검출 대상물로부터 발생하는 양자선의 종류에 따라 적당히 선택된다.
상기 실시 형태에서는, 위치 검출형의 에노드로서 레지스티브 에노드(28)가 사용되어 있다. 그 외에 다른 임의의 위치 검출형 에노드, 예를 들어 멀티 에노드, CR체인 에노드, 크로스 와이어 에노드, 또는 반도체 위치 검출 소자(PSD)를 사용하여도 좋다. 또, 광전자를 광학상으로 변환하는 형광판을 에노드로서 사용하고, 그 광학상을 이미지 센서를 이용하여 촬상함으로써 광전자의 위치를 측정하여도 좋다. 또, 형광판과 이미지 센서를 파이버(fiber) 플레이트를 개재하여 파이버(fiber) 커플링(coupling) 하여도 좋다. 이러한 위치 검출은 1차원이어도 2차원이어도 좋다.
상기 실시 형태에서는, 반도체 집적회로의 동작 해석을 채택하고 있다. 그러나, 본 발명과 관련될 시간 분해형 검출을 이용 가능한 응용은 폭널리 TOF(Time Of Flight) 응용을 시작으로 한 여러 가지 계측 수법, 예를 들면, 2차 이온 질량 분석(SIMS), 이온 산란 분광(ISS), 원자 탐침(probe) 등에 본 발명을 적용할 수가 있다.
제2 및 제3 실시 형태에서는, 동축 케이블(94)을 이용하여 검출 타이밍 펄스 DT를 전송한다. 그러나, 검출 타이밍 펄스 DT의 전송 거리가 짧은 경우는, 동축 케이블(94)에 대신하여 동축 케이블(94)의 심선 및 외부 도체에 상당하는 평행한 2개 의 신호선을 사용할 수가 있다.
이 발명의 시간 분해 측정 장치는, 에노드와 직접 대향하는 최후방의 마이크로 채널 플레이트가 아니고 보다 전방에 배치된 마이크로 채널 플레이트로부터 검출 타이밍 펄스를 독출한다. 이에 의해 검출 타이밍 펄스에 포함되는 음의 성분을 저감하여 시간 분해 측정의 시간 정밀도를 높일 수가 있다.

Claims (10)

  1. 시료의 여기에 의해 발생하는 양자선의 위치 정보 및 타이밍 정보를 취득하는 시간 분해 측정 장치로서,
    상기 시료의 여기에 동기하여 기준 시간 펄스를 생성하는 신호 발생기와,
    상기 양자선을 검출하고 검출 위치에 따른 위치 신호 및 검출 타이밍에 동기하여 검출 타이밍 펄스를 생성하는 검출 장치와,
    상기 위치 신호를 이용하여 상기 검출 위치를 산출하는 위치 연산기와,
    상기 기준 시간 펄스와 상기 검출 타이밍 펄스의 시간차를 계측하는 시간차 측정기와,
    상기 위치 연산기에 의해 산출된 상기 검출 위치와 상기 시간차 측정기에 의해 계측된 상기 시간차를 대응시켜 기억하는 데이터 처리 장치를 구비하고,
    상기 검출 장치는, 위치 검출형 전자 증배관을 가지고 있고,
    상기 전자 증배관은, 상기 양자선을 투과시키는 입사창, 상기 양자선의 상기 입사창으로의 입사 위치에 따른 위치에 전자를 생성하고 그 위치를 유지하면서 상기 전자를 증배하는 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트, 및 에노드를 가지고 있고,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트는, 상기 입사창과 떨어져 대향하는 입력면과, 상기 제2 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있고,
    상기 제2 마이크로 채널 플레이트는, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 출 력면과 떨어져 대향하는 입력면과, 상기 에노드와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고 있고,
    상기 검출 타이밍 펄스는, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자가 상기 제1 마이크로 채널 플레이트로부터 방출될 때의 전위 변화에 응답하여 발생하고, 상기 시간차 측정기에 보내어지는 시간 분해 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트, 및 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합된 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제1의 스택과,
    상기 제2 마이크로 채널 플레이트, 및 상기 제2 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합되고, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제2 스택을 더 구비하는 시간 분해 측정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스택은, 상기 입사창과 상기 제1 스택의 사이에 다른 마이크로 채널 플레이트를 사이에 두는 일 없이 상기 입사창과 대향하고 있는 시간 분해 측정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 스택은, 상기 제2스택의 전자 증배율보다 높은 전자 증배율을 가지고 있는 시간 분해 측정 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위치 검출형 전자 증배관은, 상기 양자선을 광전 효과에 의해 광전자로 변환하는 포토 케소드를 상기 입사창과 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 입력면의 사이에 더 구비하는 위치 검출형 광전자 증배관이고,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트는, 상기 포토 케소드에 대향시켜 배치되고, 상기 포토 케소드로부터 상기 광전자를 받아 2차 전자를 생성하고 증배하는 시간 분해 측정 장치.
  6. 양자선을 투과시키는 입사창과,
    상기 양자선의 상기 입사창으로의 입사 위치에 따른 위치에 전자를 생성하고 그 위치를 유지하면서 상기 전자를 증배하는 제1 및 제2 마이크로 채널 플레이트와,
    상기 제2 마이크로 채널 플레이트와 대향하는 에노드와,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트에 의해 증배된 전자가 상기 제1 마이크로 채널 플레이트로부터 방출될 때의 전위 변화에 응답하여 펄스 신호를 취득하는 펄스 독출 회로를 구비하는 위치 검출형 전자 증배관으로서,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트는, 상기 입사창과 떨어져 대향하는 입력면 과, 상기 제2 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고,
    제2 마이크로 채널 플레이트는, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면과 떨어져 대향하는 입력면과, 상기 에노드와 떨어져 대향하는 출력면을 가지고,
    상기 펄스 독출 회로는, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 출력면에 접속되어 있는 위치 검출형 전자 증배관.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트, 및 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합된 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제1의 스택과,
    상기 제2 마이크로 채널 플레이트, 및 상기 제2 마이크로 채널 플레이트의 입력면에 중합되고, 상기 제1 마이크로 채널 플레이트와 떨어져 대향하는 1매 이상의 마이크로 채널 플레이트를 가지는 제2 스택을 더 구비하는 위치 검출형 전자 증배관.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스택은, 상기 입사창과 상기 제1 스택의 사이에 다른 마이크로 채널 플레이트를 사이에 두는 일 없이 상기 입사창과 대향하고 있는 위치 검출형 전자 증배관.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 스택은, 상기 제2스택의 전자 증배율보다 높은 전자 증배율을 가지고 있는 위치 검출형 전자 증배관.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입사창과 상기 제1 마이크로 채널 플레이트의 사이에 배치되고, 상기 양자선을 광전 효과에 의해 광전자로 변환하는 포토 케소드를 더 구비하는 위치 검출형 전자 증배관이고,
    상기 제1 마이크로 채널 플레이트는, 상기 포토 케소드에 대향시켜 배치되고, 상기 포토 케소드로부터 상기 광전자를 받아 2차 전자를 생성하고 증배하는 위치 검출형 전자 증배관.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2201591A1 (en) * 2007-09-24 2010-06-30 Novatrans Group SA Image sensor cell for night vision
JP5159393B2 (ja) * 2008-03-31 2013-03-06 サイエナジー株式会社 電子増幅器及びこれを使用した放射線検出器
EP2199830B1 (en) 2008-12-19 2014-07-02 Leibniz-Institut für Neurobiologie A position resolved measurement apparatus and a method for acquiring space coordinates of a quantum beam incident thereon
EP2202777A1 (en) 2008-12-19 2010-06-30 Leibniz-Institut für Neurobiologie A time resolved measurement apparatus and a time sensitive detector with improved time measurement
EP2278609B1 (en) * 2009-07-21 2012-12-05 École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Microchannel plate and its manufacturing method
JP5582493B2 (ja) * 2009-12-17 2014-09-03 独立行政法人理化学研究所 マイクロチャネルプレート組立体及びマイクロチャネルプレート検出器
WO2013081195A1 (ko) * 2011-11-28 2013-06-06 한국기초과학지원연구원 냉전자를 이용한 음이온 발생 및 전자포획 분해장치
CN103163549A (zh) * 2011-12-19 2013-06-19 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种基于微通道板拼接的大面积x射线脉冲探测装置
US9425030B2 (en) * 2013-06-06 2016-08-23 Burle Technologies, Inc. Electrostatic suppression of ion feedback in a microchannel plate photomultiplier
JP6169451B2 (ja) * 2013-09-13 2017-07-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および荷電粒子線の計測方法
US9524855B2 (en) * 2014-12-11 2016-12-20 Thermo Finnigan Llc Cascaded-signal-intensifier-based ion imaging detector for mass spectrometer
JP6416544B2 (ja) * 2014-08-27 2018-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
US9966224B2 (en) * 2014-10-22 2018-05-08 Sciencetomorrow Llc Quantitative secondary electron detection
JP6289339B2 (ja) * 2014-10-28 2018-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び情報処理装置
US9568612B1 (en) * 2016-02-25 2017-02-14 King Saud University 3D image generation with position-sensing gamma probe
RU2625601C1 (ru) * 2016-10-13 2017-07-17 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Позиционно-чувствительный датчик для измерения амплитудно-временных параметров и профиля импульсного электронного пучка
CN106970412A (zh) * 2017-04-07 2017-07-21 西北核技术研究所 一种基于聚乙烯的mcp中子探测器
CN110416056B (zh) * 2019-07-11 2021-10-22 西北核技术研究院 一种基于微通道板的高增益混合型光电倍增管
CN110608802B (zh) * 2019-09-23 2021-07-02 北方夜视技术股份有限公司 一种微通道板日盲紫外波段光谱灵敏度测量装置及方法
CN115335959A (zh) * 2020-04-17 2022-11-11 株式会社岛津制作所 离子分析装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11132953A (ja) 1997-10-29 1999-05-21 Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk 蛍光寿命測定方法および装置
JP2000304697A (ja) 1999-04-19 2000-11-02 Bunshi Biophotonics Kenkyusho:Kk 蛍光寿命測定方法および装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61266942A (ja) 1985-05-21 1986-11-26 Hamamatsu Photonics Kk ２次元微弱発光測定装置
US5103083A (en) * 1990-02-15 1992-04-07 Charles Evans & Associates Position sensitive detector and method using successive interdigitated electrodes with different patterns
JPH07211280A (ja) * 1994-01-19 1995-08-11 Hamamatsu Photonics Kk 位置検出型光電子増倍管
JPH08292090A (ja) 1995-04-21 1996-11-05 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 超高速ゲート作動の画像増強管
US5940545A (en) * 1996-07-18 1999-08-17 International Business Machines Corporation Noninvasive optical method for measuring internal switching and other dynamic parameters of CMOS circuits
KR100403221B1 (ko) * 2001-07-23 2003-10-23 한국수력원자력 주식회사 방사성 전자 방출 마이크로채널 판
JP4268461B2 (ja) * 2003-06-24 2009-05-27 浜松ホトニクス株式会社 時間分解測定装置
US7129464B2 (en) * 2004-10-19 2006-10-31 Buchin Michael P Low-photon flux image-intensified electronic camera

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11132953A (ja) 1997-10-29 1999-05-21 Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk 蛍光寿命測定方法および装置
JP2000304697A (ja) 1999-04-19 2000-11-02 Bunshi Biophotonics Kenkyusho:Kk 蛍光寿命測定方法および装置

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Publication number Publication date
JP2005019635A (ja) 2005-01-20
KR20060024367A (ko) 2006-03-16
WO2004113890A1 (ja) 2004-12-29
TWI333057B (en) 2010-11-11
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US7619199B2 (en) 2009-11-17
TW200506344A (en) 2005-02-16
CN100476408C (zh) 2009-04-08
CN1809742A (zh) 2006-07-26
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EP1640712A4 (en) 2012-05-30

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