WO2004095895A1

WO2004095895A1 - Ｅｕｖ光発生装置におけるデブリ回収装置

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Publication number: WO2004095895A1
Application number: PCT/JP2004/005815
Authority: WO
Inventors: Akira Endo; Hideo Hoshino
Original assignee: Gigaphoton Inc
Current assignee: Gigaphoton Inc
Priority date: 2003-04-24
Filing date: 2004-04-22
Publication date: 2004-11-04
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Abstract

ＥＵＶ光発生装置におけるデブリ回収装置に関する発明であり、プラズマ化したターゲットから高速で集光ミラーに衝突するデブリや、集光ミラーに付着するようなデブリを効率よく回収することにより、チャンバ内の集光ミラーを含む光学機器の耐久性を向上させ、チャンバの真空度を維持し、ＥＵＶ光の出力低下を抑制することを課題とする。本発明では、レーザ光Ｌの照射方向と、ターゲット（１）の進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段（１０）が配置される。ターゲット（１）の進行方向に、デブリ（３）を回収するデブリ回収手段（３０）が配置される。

Description

明細書

E U V光発生装置におけるデブリ回収装置技術分野

本発明は、露光装置などの光源に用いられる EUV光発生装置に関し、特に EUV光が発生する際に生成されるデブリを回収する装置に関するものである。背景技術

回路パターンを半導体ゥェ一ハ上に光転写する光リソグラフィ技術は、 LS Iの集積化を図る上で重要である。光リソグラフィに用いられる露光装置は、主に、ステツパと呼ばれる縮小投影露光方式によるものが使用されている。すなわち照明光源により照らされた原画（レチクル）パターンの透過光を縮小投影光学系により半導体基板上の光感光性物質に投影して回路ノ、ターンを形成するというものである。この投影像の分解能は、用いられる光源の波長で制限される。このためパターン線幅をより微細化したいとの要求に伴って、光源の波長は紫外領域へと次第に短波長化してきている。

近年は深紫外領域の光（DUV光）を発振する KrFエキシマレ一ザ（波長 248nm)、 ArFエキシマレーザ（波長 193 nm)が光源として使用され、あるいは真空紫外領域の光（VUV光）を発振する F2 レーザ（波長 157η m) が光源として開発されている。

現在では更なる微細加工を行うべく極端紫外領域（Extreme Ultra Violet) の光（以下 EUV光）を出力する EUV光源（波長 13. 5nm) を、光リソグラフィの光源とする試みがなされている。

EUV光を発生させる方式の 1つに、 LPP (レ一ザ励起プラズマ）方式がある。 LPP方式 EUV光源では、短パルスレーザ光をターゲットに照射して夕ーゲヅトをプラズマ状態に励起して EUV光を発生させこれを集光レンズで集光して外部に EUV光を出力する。

図 11は露光装置の光源として用いられる E UV光発生装置の構成を概念的に示している。

チャンバ 4の内部には EUV光を集光する集光ミラ一 41が設けられている。集光ミラ一 41で集光された EUV光は、チャンバ 4外の図示しない照明光学系に伝送され E UV光を使用して半導体回路パターンが半導体ゥェ一ハ上に形成される。

チャンバ 4の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これは EUV光は波長が 13. 5 nmと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。ノズル 4 0からは、 E UV光発生物質である液体の夕一ゲヅト 1が滴下される。夕一ゲヅト 1としては、たとえば液体のキセノン（Xe)が使用される。夕 —ゲヅト 1の径は 1 0 m程度である。

レーザ発振器 1 0はたとえば YA Gレーザであり、近赤外線のレーザ光 Lがパルス発振される。レーザ光 Lはターゲット 1に向けて照射される。レーザ光 Lの照射方向は、夕一ゲット 1の進行方向に対して垂直となっている。

夕一ゲット 1にレーザ光 Lが照射されると、ターゲット 1がプラズマ状態に励起され E UV光が発生する。生成されるプラズマ 2は、数 1 0 /m〜l mm 程度の径である。発生した E UV光はプラズマ 2を中心に全方位に発散する。プラズマ 2を取り囲むように集光ミラ一 4 1が配置されている。全方位に発散する E UV光は、集光ミラ一 4 1により集光され、集光した E UV光を反射して前記照明光学系に導かれる。

夕一ゲット 1の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散しデブリ 3となる。デブリ 3は、高速イオン、プラズマにならなかった残滓を含む。夕ーゲット 1の進行方向には、回収筒 1 3 0が設けられている。回収筒 1 3 0は、夕一ゲット 1の燃え残りやパルスレーザ光 Lが照射されなかった夕一ゲヅト 1を回収するために設けられている。回収筒 1 3 0に付設して回収機構 1 3 1が設けられている。回収機構 1 3 1は、フィルタや真空ポンプ等により構成されており、回収筒 1 3 0内に回収されたデブリ 3をトラップしたり真空引きして外部に排出する等する。

しかしデブリ 3は、回収筒 1 3 0に殆ど回収されることなく、チャンバ 4内に浮遊する。デブリ 3をチャンバ 4内に放置すると、 E UV光発生装置の耐久性上、光出力の効率上望ましくない。

すなわち高速イオンのデブリ 3は、集光ミラ一 4 1等の光学機器に衝突して集光ミラ一 4 1等の平滑な反射面をキズを付けて、光学系の耐久性を損なわせる o

またデブリ 3が集光ミラー 4 1等の光学機器に付着すると、 E UV光の反射率が低下して、 E UV光の出力が低下する。

またデブリ 3がガス化することでチャンバ 4内の真空度が低下し、 E UV光の伝搬効率が低下して、 E UV光の出力が低下する。

デブリを回収することに関して、以下の従来技術がある。

(従来技術 1 )

下記特許文献 1には、クライオターゲット（常温で気体の物質）から発生するデブリを、真空ポンプによってチャンバ外に排気するという技術が記載されている。

(従来技術 2 ) W

下記特許文献 2には、照明光学系の折り返しミラーの入射面側に透過フィル夕を配置して、集光ミラ一で反射された E UV光路に含まれるデブリを、透過フィル夕で吸着または吸収するという技術が記載されている。

(特許文献 1 )

特開 2 0 0 2 - 2 8 9 3 9 7号公報

(特許文献 2 )

特閧 2 0 0 0 - 3 4 9 0 0 9号公報発明の開示

上記従来技術 1は、ガス状のデブリを事後的に真空ポンプによってチヤンバ外に排気して回収するという技術であり、プラズマ化した夕一ゲヅトから高速で集光ミラーに衝突するデブリに対しては、効果が薄く、デブリの回収効率が低いという問題が予想される。

また上記従来技術 2は、集光ミラーで反射した E UV光路のデブリを、透過フィル夕で事後的に回収するという技術であり、集光ミラーに衝突したり付着したりするデブリについては回収することはできない。

本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、プラズマ化した夕ーゲットから高速で集光ミラーに衝突するデブリや、集光ミラーに付着するようなデブリを効率よく回収することにより、チヤンバ内の集光ミラーを含む光学機器の耐久性を向上させ、チャンバの真空度を維持し、 E UV光の出力低下を抑制することを解決課題とするものである。

第 1発明は、

レーザ光照射手段からレーザ光が夕一ゲットに対して照射されることによつてターゲットがブラズマ状態にされ E U V光が発生する E U V光発生装置に適用され、ブラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした E UV光発生装置におけるデブリ回収装置において、

ターゲットの各面のうち、レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること

を特徴とする。

本発明は、デブリ 3は、夕一ゲヅト 1 (プラズマ 2 ) の各面のうちレーザ光 Lが照射される照射面側（照射面に対し垂直な方向）に最も大量に発生するという知見に基づきなされたものである。

第 1発明では、図 4に示すように、ターゲット 1の各面のうち、レーザ光 L が照射される照射面に対向させて、デブリを回収するデブリ回収手段 3 0が配置されている。レーザ光 Lの照射面側にデブリ 3が最も大量に発生するため、大量に発生したデブリ 3が、レーザ照射面に対向して配置された回収手段（回収筒） 3 0により効率よく回収される。デブリ 3は集光ミラ一 4 1等のチャンノ 4内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収される。このためチャンバ 4内の集光ミラー 4 1を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ 4の真空度が維持され、 E UV光の出力低下が抑制される。

第 2発明は、

レーザ光照射手段からレーザ光が、進行するターゲットに対して照射されることによって夕一ゲヅトがブラズマ状態にされ E U V光が発生する E U V光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした E UV光発生装置におけるデブリ回収装置において、

レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置され、

夕一ゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置されていること

を特徴とする。

第 2発明では、図 1に示すように、レーザ光: Lの照射方向と、ターゲット 1 の進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段 1 0が配置されている。そして夕ーゲツト 1の進行方向に、デブリ 3を回収するデブリ回収手段 3 0が配置されている。

第 2発明によれば、夕ーゲット 1の進行方向に対向するようにレーザ光 Lが照射されるので、夕一ゲット 1の照射面側である夕一ゲット 1の進行方向側に最も大量にデブリ 3が発生し、この大量に発生したデブリ 3が夕一ゲット 1の進行方向側でデブリ 3が回収される。

デブリ 3は、レーザ光 Lが照射された際の夕一ゲット 1の進行速度を初期速度としてデブリ回収手段 3 0側に進行しつつ拡散していく。デブリ 3が夕一ゲヅト 1の進行速度に応じた速度でデブリ回収手段 3 0側に速やかに進行するためデブリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3をデブリ回収手段 3 0に到達させることができる。このため第 1発明と比較してデブリ 3の回収効率が更に向上する。

また夕一ゲット 1を加速することによってデブリ 3がデブリ回収手段 3 0に到達する時間を更に短くすることができ、更にデブリ 3の回収効率を高めることができる。

第 3発明は、第 1発明において、

夕一ゲヅトをプラズマ状態にする程度のェネルギ一レベルのプラズマ生成用レーザ光を夕一ゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、プラズマ状態にされた夕一ゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギ一レベルのプラズマ加熱用レ一ザ光を夕一ゲヅトに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と

が設けられ、

ターゲットの各面のうち、プラズマ生成用レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段が配置されていること

を特徴とする。

本発明は、デブリ 3の発生量はレーザ照射初期が最も多く、レーザ光 Lの照射エネルギーが小さいほどデブリ 3が発生しにくくなり、レーザ照射初期における照射エネルギーを小さくすればデブリ 3の発生量を抑制できるという知見に基づきなされたものである。

第 3発明によれば、図 5に示すように、プラズマ生成用レーザ光照射手段 1 1から、夕ーゲット 1をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光 L 1 が夕一ゲット 1に照射される。つぎにプラズマ加熱用レ一ザ光照射手段 1 2から、プラズマ状態にされた夕一ゲット 1を加熱して E U V光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光 L 2 が夕 —ゲヅト 1に照射される。ターゲット 1の各面のうち、プラズマ生成用レ一ザ光 L 1 が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段 3 0が配置されている。

比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光 L 1 が夕ーゲット 1 に照射されることによって、初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができる。そして第 1発明と同様に、発生したデブリ 3が、ターゲット 1の照射面側に配置されたデブリ回収手段 3 0によって効率良く回収される。なお比較的エネルギ一レベルの高いブラズマ加熱用レ一ザ光 L 2 をブラズマ状態にされた夕一ゲヅト 1に照射することで、 E UV光が発生する。

第 4発明は、第 2発明において、

夕一ゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レ一ザ光をターゲットに照射するブラズマ生成用レ一ザ光照射手段と、プラズマ状態にされた夕一ゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギ一レベルのプラズマ加熱用レ一ザ光を夕一ゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と

が設けられ、

プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、夕ーゲット進行方向とが対向するように、ブラズマ生成用レ一ザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする。

第 4発明によれば、図 5に示すように、プラズマ生成用レーザ光照射手段 1 1から、夕ーゲット 1をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光 L 1 が夕一ゲット 1に照射される。つぎにプラズマ加熱用レ —ザ光照射手段 1 2から、プラズマ状態にされた夕ーゲヅト 1を加熱して E U V光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光 L2 が夕 —ゲット 1に照射される。プラズマ生成用レーザ光 L 1 の照射方向と、ターゲット 1の進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段 1 1 が配置されている。

比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レ一ザ光 L 1 が夕一ゲット 1 に照射されることによって、初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができる。そして第 2発明と同様に、デブリ 3がターゲット 1の進行速度に応じた速度をもってデブリ回収手段 3 0側に速やかに進行するためデブリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3をデブリ回収手段 3 0に到達させることができ、デブリ 3の回収効率が更に向上する。なお比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光 L2 をプラズマ状態にされた夕ーゲヅト 1に照射することで、 E UV光が発生する。

第 5発明は、第 1発明において、

夕ーゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光をそれぞれ夕 —ゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

を特徴とする。

第 5発明によれば、図 7に示すように、レーザ光照射手段 1 0から、プラズマ生成用レーザ光 L 1と、プラズマ加熱用レーザ光 L 2とが時間をおいて夕一ゲット 1に照射される。

まず比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レ一ザ光 L 1 が夕一ゲヅト 1に照射されることによって、初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができ、つぎに比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光 L2 をプラズマ状態にされた夕一ゲヅト 1に照射することで、 E UV光が発生する。そして第 1発明と同様に、発生したデブリ 3が、ターゲット 1の照射面側に配置されたデブリ回収手段 3 0によって効率良く回収される。

第 5発明では、同一のレーザ光照射手段 1 0からプラズマ生成用レーザ光 L 1 と、プラズマ加熱用レーザ光 L2 とがターゲット 1に照射されるので、第 3発明と比較して、装置構成を簡易なものとすることができる。

第 6発明は、第 2発明において、

ターゲットをプラズマ状態にする程度のェネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされた夕一ゲヅトを加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光をそれそれ夕ーゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

を特徴とする。

第 6発明によれば、図 7に示すように、レーザ光照射手段 1 0から、プラズマ生成用レーザ光 L 1と、プラズマ加熱用レーザ光 L2とが時間をおいて夕一ゲヅト 1に照射される。

まず比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光 L 1 が夕一ゲット 1に照射されることによって、初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができ、つぎに比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光 L2 をプラズマ状態にされた夕一ゲヅト 1に照射することで、 E UV光が発生する。そして第 2発明と同様に、デブリ 3が夕一ゲット 1の進行速度に応じた速度でデブリ回収手段 3 0側に速やかに進行するためデブリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3をデブリ回収手段 3 0に到達させることができ、デブリ 3の回収効率が更に向上する。

第 7発明は、第 1発明において、

デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること

を特徴とする。

第 7発明は、第 1発明のデブリ回収手段 3 0を回収筒 3 0に技術的に限定したものであり、図 4に示すように、回収筒 3 0に形成された空間をレ一ザ光 L が通過して夕ーゲヅト 1に照射され、回収筒 3 0に形成された空間にデブリ 3 が回収される。

第 8発明は、第 2発明において、

を特徴とする。

第 8発明は、第 2発明のデブリ回収手段 3 0を回収筒 3 0に技術的に限定したものであり、図 1に示すように、回収筒 3 0に形成された空間 3 3をレーザ光 Lが通過して夕ーゲット 1に照射され、回収筒 3 0に形成された空間 3 2にデブリ 3が回収される。

第 9発明は、第 1発明において、

デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること

を特徴とする。

第 9発明は、第 1発明を技術的に限定したものであり、図 3に示すように、デブリ回収手段 3 0は、デブリ 3が収容される空間を有する回収筒 3 0であり、光学系 2 1、 2 2を介して回収筒 3 0の外側をレ一ザ光 Lが通過して夕ーゲット 1に照射される。

第 9発明によれば、回収筒 3 0に、レーザ光 Lを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ 3 の回収効率を更に高めることができる。

第 1 0発明は、第 2発明において、

を特徴とする。

第 1 0発明は、第 2発明を技術的に限定したものであり、図 3に示すように、デブリ回収手段 3 0は、デブリ 3が収容される空間を有する回収筒 3 0であり、光学系 2 1、 2 2を介して回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過して夕一ゲヅト 1に照射される。

第 1 0発明によれば、回収筒 3 0に、レ一ザ光 Lを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ 3の回収効率を更に高めることができる。

第 1 1発明は、

レーザ光照射手段からレーザ光が、進行する夕一ゲヅトに対して照射されることによって夕一ゲヅトがブラズマ状態にされ E U V光が発生する E U V光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした E UV光発生装置におけるデブリ回収装置において、

前記デブリには荷電粒子が含まれ、

夕一ゲット進行方向に、デブリを回収するデブリ回収手段が配置され、デブリ回収手段に荷電粒子を導く磁力線を生成する磁力線生成手段が設けられていること

. を特徴とする。

第 1 1発明によれば、図 8に示すようにデブリ 3は速度 Vをもって拡散する。一方、磁力線生成手段 5 0によって磁力線 5 1が形成きれる。ここでデブリ 3 の速度 Vは、磁力線 5 1に垂直な方向の成分の速度 v l と磁力線 5 1に平行な方向の成分の速度 v2 とを合成したものである。荷電粒子であるデブリ 3にはローレンヅ力が付与され磁力線 5 1に捕捉される。すなわちデブリ 3は、垂直成分速度 vl に応じた半径でサイクトロン運動をしつつ磁力線 5 1と平行な方向に平行成分速度 v2で移動して、デブリ回収手段 3 0に導かれる。

第 1 1発明によれば、本来であれば拡散されてしまい回収困難であったデブリ 3を磁力線 5 1に確実に捕捉してデブリ回収手段 3 0に確実に導びくことができるのでデブリ 3の回収効率を高めることができる。第 1 2発明は、第 1 1発明において、

レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レーザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする。

第 1 2発明によれば、図 8 ( a ) に示すように、夕一ゲヅト 1の進行方向に対向するようにレーザ光 Lが照射されるので、夕一ゲット 1の照射面側である夕一ゲット 1の進行方向側に最も大量にデブリ 3が発生する。

この大量に発生したデブリ 3は、夕一ゲット 1の進行方向の運動量を保存して速度 Vで拡散する。デブリ 3の磁力線 5 1と平行な方向の成分の速度 v2は、夕一ゲット 1の進行速度に応じて大きくなる。デブリ 3がターゲット 1の進行速度に応じた速度 v2で磁力線 5 1に沿って進行しデブリ回収手段 3 0側に速やかに進行するためデブリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3をデブリ回収手段 3 0に到達させることができる。このため第 1 1発明と比較してデブリ 3の回収効率が更に向上する。また夕一ゲット 1を加速することによってデブリ 3 がデブリ回収手段 3 0に到達する時間を短くすることができ、更にデブリ 3の回収効率を高めることができる。

第 1 3発明は、第 1 2発明において、

夕ーゲットをブラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのブラズマ生成用レーザ光を夕一ゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、プラズマ状態にされた夕ーゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギ一レベルのプラズマ加熱用レ一ザ光を夕一ゲットに照射するブラズマ加熱用レーザ光照射手段

が設けられ、

プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、夕一ゲヅト進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする。

第 1 3発明は、第 1 2発明と、第 4発明とを組み合わせたものであり、デブリ 3の初期的な発生量を減らすことができる。

第 1 4発明は、第 1 2発明において、

夕ーゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされた夕一ゲヅトを加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギ一レベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれそれ夕 —ゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

を特徴とする。

第 1 4発明は、第 1 2発明と、第 6発明とを組み合わせたものであり。デブリ 3の初期的な発生量を減らすことができるとともに、構成を簡易なものとすることができる。

第 1 5発明は、第 1 2発明において、

を特徴とする。

第 1 5発明によれば、第 8発明と同様に、回収筒 3 0に形成された空間をレ —ザ光 Lが通過して夕一ゲット 1に照射され、回収筒 3 0に形成された空間にデブリ 3が回収される。

第 1 6発明は、第 1 2発明において、

を特徴とする。

第 1 6発明によれば、第 1 0発明と同様に、光学系を介して回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過して夕ーゲット 1に照射される。

第 1 6発明によれば、回収筒 3 0に、レーザ光 Lを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ 3の回収効率を更に高めることができる。図面の簡単な説明

図 1 ( a )、 (b ) は実施例 1の構成例を示す図である。

図 2は図 1のミラーにデブリが付着することを防止するための構成を例示した図である。

図 3 ( a)、 ( b ) は実施例 2の構成例を示す図である。

図 4は実施例 3の構成例を示す図である。

図 5は実施例 4の構成例を示す図である。

図 6は実施例 5の構成例を示す図である。

図 7は実施例 6の構成例を示す図である。

図 8 ( a)、 (b ) は実施例 7の構成例を示す図である。

図 9は実施例 7として示す装置の外観を例示した図である。

図 1 0 ( a )、 ( b ) は実施例 7において夕一ゲヅトを加速しない場合と加速した場合とを比較して示す図である。

図 1 1は E UV光発生装置の構成を説明するために用いた図である。発明を実施するための最良の形態

以下図面を参照して本発明に係る E UV光発生装置におけるデブリ回収装置の実施の形態について説明する。

(実施例 1 )

図 1 ( a) は実施例 1の E UV光発生装置の構成を示している。

チャンバ 4の内部には E UV光を集光する集光ミラ一 4 1が設けられている。集光ミラ一 4 1で集光された E UV光は、チャンバ 4外の図示しない照明光学系に伝送され E UV光を使用して半導体回路パターンが半導体ゥェ一ハ上に形成される。

チャンバ 4の内部は真空ポンプ等により真空引きされており、真空状態にされている。これは E UV光は波長が 1 3 . 5 nmと短く真空中でないと効率よく伝搬しないからである。

ノズル 4 0からは、 E U V光発生物質である液体の夕一ゲヅト 1が滴下される。夕一ゲヅト 1としては、たとえば液体のキセノン（Xe)が使用される。夕 —ゲヅト 1の径は 1 Ο zm程度である。なお夕一ゲヅト 1としては、スズを含んだ液体、インジウムを含んだ液体などを使用することができる。

またノズル 4 0から夕一ゲヅト 1を滴下する代わりに、ノズル 4 0から夕一ゲヅト 1を噴出させてもよい。

レーザ発振器 1 0はたとえば YA Gレーザであり、近赤外線のレーザ光 Lがパルス発振される。レーザ光 Lが夕ーゲット 1の進行方向に対向する方向に照射されるように、レーザ発振器 1 0、ミラ一 2 0が配置されている。

夕一ゲヅト 1の進行方向には、回収筒 3 0が設けられている。

すなわち回収筒 3 0の図中下方にはミラ一 2 0が配置されている。ミラ一 2 0の図中右方にはレーザ発振器 1 0が配置されている。レーザ発振器 1 0からレーザ光 Lが図中左方向に出射されミラー 2 0に入射される。レーザ光 Lはミラ一2 0で反射されて 9 0 ° 向きが変えられ図中上方向に進行する。

なお図 1 ( a ) ではミラー 2 0を設けることによってレーザ発振器 1 0を、回収筒 3 0の側方に配置可能としているが、レーザ発振器 1 0を回収筒 3 0の直下に配置し、ミラ一 2 0を介することなく直接上向きにレーザ光 Lを出射してもよい。

図 1 ( a ) の構成によれば、レーザ発振器 1 0を、回収筒 3 0の側方に配置できるため、装置の上下方向の場積を小さくすることができる。

図 1 ( b ) は回収筒 3 0の断面を示している。回収筒 3 0には、レーザ光 L が通過する空間であるレーザ光通過孔 3 3が上下方向に貫通するように形成されている。

レーザ光 Lは回収筒 3 0のレーザ光通過孔 3 3を通過して、図中下方向に滴下される夕ーゲット 1の下面に照射される。

夕一ゲヅト 1にレーザ光 Lが照射されると、夕ーゲヅト 1がプラズマ状態に励起され E UV光が発生する。生成されるプラズマ 2は、数 1 O π！〜 l mm 程度の径である。発生した E U V光はプラズマ 2を中心に全方位に発散する。プラズマ 2を取り囲むように集光ミラ一 4 1が配置されている。全方位に発散する E UV光は、集光ミラー 4 1により集光され、集光した E UV光を反射して照明光学系に導かれる。

ターゲット 1の一部はプラズマ発生時の衝撃波等により分裂、飛散し、デブリ 3となる。デブリ 3は、荷電粒子である高速イオン、プラズマにならなった残滓を含む。

図 1 ( b ) に示すように、回収筒 3 0には、デブリ 3を回収する空間であるデブリ回収穴 3 2が形成されている。また回収筒 3 0に付設して回収機構 3 1 が設けられている。回収機構 3 1は、フィルタや真空ポンプ等により構成されており、回収筒 3 0内に回収されたデブリ 3をトラップしたり真空引きして外部に排出する等する。

本発明者は、デブリ 3は、夕一ゲヅト 1 (プラズマ 2 ) の各面のうちレ一ザ光 Lが照射される照射面側（照射面に対し垂直な方向）に最も大量に発生するという知見を得た。

実施例 1によれば、

( a) 夕一ゲット 1の各面のうち、レーザ光照射面（夕一ゲット 1の下面）に対向させて、回収筒 3 0が設けられている。

このためターゲット 1のレ一ザ光照射面側に大量に発生したデブリ 3が、回収筒 3 0のデブリ回収穴 3 2に効率よく回収される。デブリ 3は集光ミラ一 4 1等のチヤンバ 4内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収されることになる。このためチャンバ 4内の集光ミラー 4 1を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ 4の真空度が維持され、 E UV光の出力低下が抑制され。

また実施例 1によれば、

( b ) 夕一ゲヅト 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置されている。

デブリ 3は、レーザ光 Lが照射された際の夕一ゲット 1の運動量を保存して拡散していく。デブリ 3は、レーザ光 Lが照射された際のターゲット 1の進行速度を初期速度として回収筒 3 0側に進行しつつ拡散していく。デブリ 3が夕 —ゲット 1の進行速度に応じた速度で回収筒 3 0側に速やかに進行するためデプリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3を回収筒 3 0に到達させることができる。このためデブリ 3の回収効率を高めることができる。

ここで本出願人に係る先願（特願 2 0 0 2— 1 0 3 9 7 5号）では、

( c ) ターゲット 1を加速器によって加速することによって、ターゲット 1の進行速度を、プラズマ 2の拡散速度以上にする技術 W

を開示している。

実施例 1に、この技術を組み合わせて実施してもよい。

夕一ゲット 1を加速することによってデブリ 3が回収筒 3 0に到達するまでの時間を更に短くすることができ、デブリ 3が拡散する前にデブリ 3を回収筒 3 0で回収することができ、更にデブリ 3の回収効率を高めることができる。図 1の構成によれば、デブリ 3の一部がデブリ回収穴 3 2に回収されずに、レーザ光通過孔 3 3を通りミラー 2 0に付着することが予測される。

そこでデブリ 3がミラ一 2 0に付着することを防止するために、図 2のように構成してもよい。

図 2では、回収筒 3 0とミラー 2 0との間にガス室 5 0が設けられる。ガス室 5 0には、ガス導入用管路 5 1、真空引き用管路 5 2、レーザ光用管路 5 3 が接続されている。真空引き用管路 5 2は真空ポンプの吸込み口に連通している。レーザ光 Lは、レ一ザ光用管路 5 3を介してガス室 5 0に導かれミラ一 2 0に入射され、ガス室 5 0を通過して回収筒 3 0のレ一ザ光通過孔 3 3に導かれ。

パージ用のガスはガス導入用管路 5 1を介してガス室 5 0に導かれる。レ一ザ光通過孔 3 3を通りガス室 5 0に侵入したデブリ 3は、パージガスととともにガス室 5 0から真空引き用管路 5 2を介して排出される。つまりデブリ 3は、ミラ一 2 0に付着することなくガス室 5 0外にパージされることになる。

(実施例 2 )

上述した実施例 1では、回収筒 3 0にレーザ光通過孔 3 3を形成してレーザ光 Lが回収筒 3 0内を通過させるようにしているが、回収筒 3 0内をレ一ザ光 Lが通過することなく、回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過するように構成してもよい。

図 3 ( a) は図 1 ( a) に対応する図であり、回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過するように構成した実施例 2を示している。図 3 ( b ) は図 3 ( a) の A— A断面を示している。実施例 1と共通する部分については適宜説明を省略する。

図 3に示すように回収筒 3 0内にはデブリ回収穴 3 2が形成されており図 1 と異なりレ一ザ光通過孔 3 3は形成されていない。回収筒 3 0の外周には、円環状の凹面ミラー 2 2が鉛直軸に対して斜めに配置されている。

レーザ発振器 1 0の後段にはレーザ光分岐光学系 2 1が設けられている。レ一ザ光分岐光学系 2 1は、レーザ光 Lを複数本のレーザ光 L ' に分岐して凹面ミラ一 2 2の全周の各部位に入射させる。

なお図 3ではレーザ光 Lを複数本のレーザ光 L ' に分岐することでレーザ光 L ' を凹面ミラ一 2 2の全周にわたり照射させているが、レーザ光 Lを断面が略円形となるように凹面ミラ一 2 2に面照射することで、凹面ミラ一の全周の各部位に入射させてもよい。

凹面ミラー 2 2に複数本のレーザ光 L ' が入射されると複数本のレーザ光 L ' は図中上方つまり夕一ゲット 1の進行方向に対向する方向に反射されて、収束する。複数本のレーザ光 L ' が収束する点でこれらレーザ光 L ' がターゲット 1に照射される。

この実施例 2によれば、回収筒 3 0に、レーザ光 Lを通過させる空間（レ一ザ光通過孔 3 3 ) を形成する必要がなく、その分を回収用の空間（デブリ回収穴 3 2 ) として使用することができるのでデブリ 3の回収効率を更に高めることができる。

この実施例 2においても、実施例 1と同様な構成（a )、（b ) を備えているので実施例 1と同様に、デブリ回収効率が高まるという効果が得られる。また実施例 2に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。

(実施例 3 )

上述した実施例 1、実施例 2は、「夕一ゲット 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置される」という構成（b ) を備えている。

しかしこの構成 (b ) を省略した実施も可能であり、その実施例を図 4に実施例 3として示す。

同図 4に示すように、実施例 3では、図 1 1に示す構成と同様に、夕ーゲット 1の進行方向に垂直な方向に、レーザ光 Lが照射されるようにレーザ発振器 1 0、ミラ一 2 0が配置されている。

すなわちノズル 4 0の左側方には回収筒 3 0が設けられている。回収筒 3 0 の図中左方向にはミラ一 2 0が配置されている。ミラ一 2 0の図中下方にはレ一ザ発振器 1 0が配置されている。レーザ発振器 1 0からレーザ光 Lが図中上方向に出射されミラ一 2 0に入射される。レ一ザ光 Lはミラー 2 0で反射されて 9 0 ° 向きが変えられ図中右方向に進行する。

レーザ光 Lは回収筒 3 0のレーザ光通過孔 3 3を通過して、図中下方向に滴下される夕一ゲット 1の左面に照射される。

なお図 1 ( a ) ではミラー 2 0を設けることによってレーザ発振器 1 0を、回収筒 3 0の下側に配置可能としているが、回収筒 3 0と同じ高さ位置で回収筒 3 0の左側にレーザ発振器 1 0を配置して、ミラ一 2 0を介することなくレ —ザ発振器 1 0から直接右方向にレーザ光 Lを出射してもよい。

実施例 3によれば、

( a ) ターゲット 1の各面のうち、レーザ光照射面（左面）に対向させて、回収筒 3 0が設けられている。このため夕一ゲット 1のレーザ光照射面側に大量に発生したデブリ 3が、回収筒 3 0のデブリ回収穴 3 2に効率よく回収される。デブリ 3は集光ミラー 4 1等のチヤンバ 4内の光学機器に衝突したり付着することなく効率よく回収されることになる。このためチャンバ 4内の集光ミラー 4 1を含む光学機器の耐久性が向上し、チャンバ 4の真空度が維持され、 E UV光の出力低下が抑制さ実施例 3において、図 3と同様に、回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過するように構成してもよい。また実施例 3に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。

(実施例 4 )

本発明者は、デブリ 3の発生量はレーザ照射初期が最も多く、レーザ光 Lの照射エネルギーが小さいほどデブリ 3が発生しにくくなり、レーザ照射初期における照射エネルギーを小さくすればデブリ 3の発生量を抑制できるという知見を得た。そこでレ一ザ照射初期における照射エネルギーを小さくしてデブリ 3の発生量を抑制できる実施例 4について図 5を参照して説明する。

実施例 4では、図 1 ( a) と同様な配置態様で、回収筒 3 0の下方にミラ一 2 0が配置され、ミラ一 2 0の右方に、図 1 ( a) のレーザ発振器 1 0の代わりにプラズマ生成用レーザ発振器 1 1が配置される。プラズマ生成用レーザ発振器 1 1からは、夕ーゲヅト 1をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光 L 1が出射される。

また夕一ゲット 1の進行方向に垂直な方向にプラズマ加熱用レーザ光 L2 が照射されるように、ブラズマ加熱用レ一ザ発振器 1 2が回収筒 3 0の右側方に配置されている。プラズマ加熱用レーザ発振器 1 2からは、プラズマ状態にされた夕一ゲット 1を加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光 L 2が出射される。

まずプラズマ生成用レーザ発振器 1 1からプラズマ生成用レ一ザ光 L 1 が図中左方向に出射されミラ一 2 0に入射される。プラズマ生成用レーザ光 L 1 はミラ一 2 0で反射されて 9 0 ° 向きが変えられ図中上方向に進行する。

なお図 5ではミラー 2 0を設けることによってブラズマ生成用レ一ザ発振器 1 1を、回収筒 3 0の側方に配置可能としているが、プラズマ生成用レーザ発振器 1 1を回収筒 3 0の直下に配置し、ミラー 2 0を介することなく直接上向きにプラズマ生成用レ一ザ光 L 1を出射してもよい。

図 5の構成によれば、プラズマ生成用レーザ発振器 1 1を、回収筒 3 0の側方に配置できるため、装置の上下方向の場積を小さくすることができる。

プラズマ生成用レーザ光 L 1 は回収筒 3 0のレーザ光通過孔 3 3を通過して、図中下方向に滴下される夕ーゲット 1の下面に照射される。比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レーザ光 L I が夕一ゲット 1 に照射されることによって、ターゲット 1はプラズマ 2 ' となるが、このブラズマ 2 ' は E UV光を発生できる程度に高温とはなっていない。比較的ェネルギ一レベルの低いプラズマ生成用レーザ光 L 1 をターゲット 1に照射することで、初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができる。

プラズマ生成用レーザ光 L 1 の出射から時間をおいて、プラズマ加熱用レ一ザ発振器 1 2からプラズマ加熱用レーザ光 L2 が図中左方に出射され、プラズマ化されたターゲット 1の右面にプラズマ加熱用レ一ザ光 L2が照射される。プラズマ化された夕一ゲヅト 1に、比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レ一ザ光 L2 が照射されると、 E UV光を発生できる程度のプラズマ 2 となり、 E UV光が発生する。発生した E UV光はプラズマ 2を中心に全方位に発散する。全方位に発散する E UV光は、集光ミラー 4 1により集光され、集光した E UV光を反射して照明光学系に導かれる。

この実施例 4によれば、実施例 1と同様な構成（a )、 ( b ) を備えているので実施例 1と同様に、デブリ 3の回収効率を高めるという効果が得られる。更にこの実施例 4によれば、

( d ) まず、ターゲット 1をプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光 L1 をターゲット 1に照射し、つぎにプラズマ状態にされたターゲット 1を加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光 L2を出射する。

という構成を備えている。このため、デブリ 3の初期的な発生量を減らすことができ、デブリ 3の回収効率を更に向上させることができる。

また実施例 4に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例 4において、図 3と同様に、回収筒 3 0の外側をレ一ザ光 Lが通過するように構成してもよい。

上述した実施例 4は、「夕一ゲット 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置される」という構成（b ) を備えているが、この構成（b ) を省略し構成（a)、 ( d ) のみとする実施も可能である。すなわち図 4のレーザ発振器 1 0と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ発振器 1 1を配置して、プラズマ生成用レ一ザ光 L 1 をターゲット 1の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である o

(実施例 5 )

実施例 4に対しては種々の変形が可能である。

図 6は、実施例 5の構成を示しており、プラズマ加熱用レーザ発振器 1 2が、図 5のプラズマ生成用レーザ発振器 1 1と同一位置に配置され、プラズマ生成用レーザ光 L 1とプラズマ加熱用レーザ光 L2の両方が、夕一ゲット 1の進行方向に対向する方向に照射される。

また実施例 5に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例 5において、図 3と同様に、回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過するように構成してもよい。

この実施例 5は、「夕一ゲヅト 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置される jという構成（b ) を備えているが、この構成 ( b ) を省略し構成（a )、 ( d ) のみとする実施も可能である。すなわち図 4のレーザ発振器 1 0と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ発振器 1 1、プラズマ加熱用レーザ発振器 1 2を配置して、プラズマ生成用レ一ザ光 L l、プラズマ加熱用レーザ光 L2の両方を夕 —ゲット 1の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である。

(実施例 6 )

図 7は、実施例 6の構成を示しており、レーザ発振器 1 0が、図 5のプラズマ生成用レーザ発振器 1 1と同一位置に配置され、レーザ発振器 1 0からブラズマ生成用レ一ザ光 L 1とブラズマ加熱用レ一ザ光 L 2の両方が出射され、夕一ゲット 1の進行方向に対向する方向に照射される。

すなわち、レーザ発振器 1 0から、まず比較的エネルギーレベルの低いブラズマ生成用レーザ光 L 1 が出射されターゲット 1に照射される。これにより初期的なデブリ 3の発生量を低減させることができる。つぎにプラズマ生成用レ —ザ光 L 1 の出射から時間をおいてレーザ発振器 1 0から比較的エネルギーレベルの高いプラズマ加熱用レーザ光 L2 が出射され、プラズマ状態にされた夕一ゲット 1に照射される。これにより E UV光が発生する。そして実施例 4、実施例 5と同様に、発生したデブリ 3が、ターゲット 1の照射面側に配置された回収筒 3 0によって効率良く回収される。

この実施例 6では、同一のレ一ザ発振器 1 0からブラズマ生成用レ一ザ光 L 1 と、プラズマ加熱用レーザ光 L2とが出射され夕一ゲット 1に照射されるので、レーザ発振器を別々に設けた実施例 4、実施例 5と比較して、装置構成を簡易なものとすることができる。

また実施例 6に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。また実施例 6において、図 3と同様に、回収筒 3 0の外側をレ一ザ光 Lが通過するように構成してもよい。

この実施例 6は、「夕一ゲット 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置される」という構成（b ) を備えているが、この構成 ( b ) を省略し構成（a)、 ( d ) のみとする実施も可能である。すなわち図 4と同様な配置態様でプラズマ生成用レーザ光 L l、プラズマ加熱用レーザ光 L2の両方を夕ーゲット 1の進行方向に垂直な方向に照射するような実施も可能である。

(実施例 7 ) つぎに、荷電粒子を含むデブリ 3を、効率よく回収できる実施例 7について説明する。

図 8 ( a ) は実施例 7の構成を示し、図 1 ( a ) と同様な配置態様で、回収筒 3 0、ミラ一 2 0、レーザ発振器 1 0が配置されている。円環状のコイル 5 0は、回収筒 3 0が同コイル 5 0の円環中心軸上に位置されるように配置されている。円環状コイル 5 0は電流が通電されることによって超伝導マグネットとして機能し、円環状コイル 5 0の通鼋方向の周囲に、磁力線 5 1が形成される。磁力線 5 1は回収筒 3 0のデブリ回収穴 3 2に収束されるように形成される。ここで磁力線 5 1を回収筒 3 0の上端面に収束させるためには、回収筒 3 0の上端面を円環状コイル 5 0の中心の水平面よりも僅かにノズル 4 0側にォフセットさせて配置することが望ましい。

夕ーゲット 1にレーザ光 Lが照射されるとデブリ 3が発生し、デブリ 3は速度 Vをもって図中下方に拡散する。

図 8 ( b ) に示すように、デブリ 3の速度 Vは、磁力線 5 1に垂直な方向の成分の速度 vl と磁力線 5 1に平行な方向の成分の速度 v2 とを合成したものである。荷電粒子であるデブリ 3には、電荷と速度 vl と磁束密度とで定まるローレンヅ力が付与され磁力線 5 1に捕捉される。すなわちデブリ 3は、垂直成分速度 vl に応じた半径でサイクトロン運動をしつつ磁力線 5 1と平行な方向に平行成分速度 v2で移動して、回収筒 3 0に導かれる。

実施例 7によれば、

( e )磁力線 5 1によってデブリ 3を捕捉して回収筒 3 0に導く。

という構成を備えているので、本来であれば拡散されてしまい回収困難であつたデブリ 3を、磁力線 5 1に確実に捕捉して回収筒 3 0に確実に導くことができるので、デブリ 3の回収効率を高めることができる。

また、この実施例 7は、夕ーゲット 1の進行方向に、回収筒 3 0が配置され、かつレーザ照射方向と、ターゲット 1の進行方向とを対向させており、実施例 1と同様な構成（a )、 ( b ) を備えている。

実施例 7によれば、図 8 ( a) に示すように、夕一ゲヅト 1の進行方向に対向するようにレーザ光 Lが照射されるので、ターゲヅト 1の照射面側である夕ーゲット 1の進行方向側に最も大量にデブリ 3が発生する。

この大量に発生したデブリ 3は、夕ーゲット 1の進行方向の運動量を保存して速度 Vで拡散する。デブリ 3の磁力線 5 1と平行な方向の成分の速度 v2は、夕一ゲヅト 1の進行速度に応じて大きくなる。デブリ 3が夕一ゲヅト 1の進行速度に応じた速度 v2 で磁力線 5 1に沿って進行し回収筒 3 0側に速やかに進行するためデブリ 3が広範囲に拡散する前にデブリ 3を回収筒 3 0に到達させることができる。このためデブリ 3の回収効率が更に向上する。また実施例 7に構成（c ) を組み合わせて、更にデブリ回収効率を高める実施も可能である。

図 1 0 ( a)、（b ) は、ターゲヅト 1を加速しない場合（図 1 0 ( a)) と、加速器を用いて夕一ゲヅト 1を加速する場合（図 1 0 ( b )) とを比較して示している。

夕ーゲット 1を加速することによって、ターゲット 1の進行速度はそうでない場合の速度 Vから V' へと大きくなり、その速度変化に応じて、磁力線 5 1 と平行な方向成分のデブリ 3の速度が v2から v ' 2へと大きくなる。このためデブリ 3が回収筒 3 0に到達するまでの時間を、より短くすることができ、デプリ 3が拡散する前にデブリ 3を回収筒 3 0で回収することができ、デブリ 3 の回収効率を一層高めることができる。

また実施例 7において、図 3と同様に、回収筒 3 0の外側をレーザ光 Lが通過するように構成してもよい。これにより回収筒 3 0に、レーザ光 Lを通過させる空間（レーザ光通過孔 3 3 ) を形成する必要がなくなり、その分を回収用の空間（デブリ回収穴 3 2 ) として使用することができるのでデブリ 3の回収効率を更に高めることができる。

実施例 7では、レーザ照射方向と、ターゲット 1の進行方向とを対向させているが、レーザ照射方向は任意であり必ずしも夕一ゲット 1の進行方向と対向させる必要はなく、ターゲット 1の進行方向に回収筒 3 0があればよい。たとえば夕一ゲット 1の進行方向に垂直な方向にレ一ザ光 Lを照射してもよい。また実施例 7と、図 5で説明した実施例 4とを組み合わせた実施も可能である。夕一ゲヅト 1に比較的エネルギーレベルの低いプラズマ生成用レ一ザ光 L 1 を照射することでデブリ 3の初期的な発生量を減らすことができ、より一層デプリ 3の回収効率を高めることができる。

また実施例 7と、図 6で説明した実施例 5を組み合わせて実施してもよく、図 7で説明した実施例 6とを組み合わせて実施してもよい。実施例 6と組み合わせて実施することで、デブリ 3の初期的な発生量を減らすことができ、より —層デブリ 3の回収効率を高めることができるとともに、同一のレ一ザ発振器 1 0で両レーザ光 L l、 L2を出射でき装置構成を簡易なものとすることができる。

回収筒 3 0に、レーザ光 Lを通過させる空間を形成する必要がなく、その分を回収用の空間として使用することができるのでデブリ 3の回収効率を更に高めることができる。

図 9は装置の外観を例示している。同図 9は、チャンバ 4の外側に円環状コィル 5 0を設けた構成例を示している。しかしチャンバ 4の内部に円環状コィル 5 0を設ける実施も可能である。

Claims

請求の範囲

1 . レーザ光照射手段からレーザ光が夕ーゲットに対して照射されることによってターゲットがブラズマ状態にされ E U V光が発生する E U V光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした E UV光発生装置におけるデブリ回収装置において、

を特徴とする E U V光発生装置におけるデブリ回収装置。

2 . レーザ光照射手段からレ一ザ光が、進行する夕ーゲットに対して照射されることによってターゲットがプラズマ状態にされ E U V光が発生する E UV光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした E UV光発生装置におけるデブリ回収装置において、

を特徴とする E U V光発生装置におけるデブリ回収装置。

3 . 夕一ゲヅトをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レ一ザ光を夕ーゲットに照射するブラズマ生成用レ一ザ光照射手段と、プラズマ状態にされた夕ーゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギ一レベルのブラズマ加熱用レーザ光を夕ーゲヅトに照射するブラズマ加熱用レーザ光照射手段と

が設けられ、

夕一ゲットの各面のうち、プラズマ生成用レーザ光が照射される照射面に対向させて、デブリ回収手段が配置されていること

を特徴とする請求の範囲 1記載の E U V光発生装置におけるデブリ回収装置。

4 . 夕一ゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光をタ一ゲットに照射するプラズマ生成用レーザ光照射手段と、プラズマ状態にされた夕ーゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光を夕一ゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と

が設けられ、

プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、夕一ゲット進行方向とが対向するように、ブラズマ生成用レ一ザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする請求の範囲 2記載の E U V光発生装置におけるデブリ回収装置。

5 . 夕ーゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされたターゲットを加熱して

EUV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レーザ光をそれそれターゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

6. 夕一ゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされた夕一ゲットを加熱して EUV光を発生させる程度のエネルギーレベルのプラズマ加熱用レ一ザ光をそれそれターゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

を特徴とする請求の範囲 2記載の EUV光発生装置におけるデブリ回収装置。

7. デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レ一ザ光を通過させる空間が形成されていること

8. デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること

9. デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレ一ザ光が通過するように光学系が配置されていること

を特徴とする請求の範囲 1記載の EUV光発生装置におけるデブリ回収装置。

10. デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレーザ光が通過するように光学系が配置されていること

1 1. レーザ光照射手段からレーザ光が、進行する夕一ゲットに対して照射されることによって夕一ゲヅトがプラズマ状態にされ EUV光が発生する EUV光発生装置に適用され、プラズマが生成される過程で発生するデブリを回収するようにした EUV光発生装置におけるデブリ回収装置において、前記デブリには荷電粒子が含まれ、

を特徴とする E UV光発生装置におけるデブリ回収装置。

12. レーザ照射方向と、ターゲット進行方向とが対向するように、レ一ザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする請求の範囲 1 1記載の EUV光発生装置におけるデブリ回収装

1 3 . 夕一ゲヅトをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのブラズマ生成用レ一ザ光を夕ーゲットに照射するブラズマ生成用レ一ザ光照射手段と、

プラズマ状態にされた夕ーゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のェネルギ一レベルのプラズマ加熱用レ一ザ光をターゲットに照射するプラズマ加熱用レーザ光照射手段と

が設けられ、

プラズマ生成用レーザ光の照射方向と、夕一ゲット進行方向とが対向するように、プラズマ生成用レーザ光照射手段が配置されていること

を特徴とする請求の範囲 1 2記載の E UV光発生装置におけるデブリ回収装置。

1 4 . 夕一ゲットをプラズマ状態にする程度のエネルギーレベルのプラズマ生成用レーザ光を先に、つぎにプラズマ状態にされた夕一ゲットを加熱して E UV光を発生させる程度のエネルギーレベルのブラズマ加熱用レーザ光をそれそれ夕ーゲットに照射するレーザ光照射手段

が設けられていること

1 5 . デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒に、レーザ光を通過させる空間が形成されていること

を特徴とする請求の範囲 1 2記載の E UV光発生装置におけるデブリ回収装

1 6 . デブリ回収手段は、デブリが収容される空間を有する筒であって、当該筒の外側をレ一ザ光が通過するように光学系が配置されていることを特徴とする請求の範囲 1 2記載の E U V光発生装置におけるデブリ回収装