WO2004077465A1 - 固体電解コンデンサ - Google Patents

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foil
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electrolytic capacitor
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Satoru Yoshimitsu
Kazumasa Fujimoto
Hiromu Saito
Yasushi Yoshida
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Sanyo Electric Co., Ltd.
Saga Sanyo Industries Co., Ltd.
Japan Capacitor Industrial Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a solid electrolytic capacitor in which an anode foil and a cathode foil are wound.
  • FIG. 2 is a cross-sectional front view of a conventional solid electrolytic capacitor (1)
  • FIG. 4 is a perspective view of a conventional capacitor element (2) (for example, see Japanese Patent Publication No. 4-196595). According to the children, this is because the capacitor element (2) is housed in an aluminum case (3) with an open top, and the case (3) opening is sealed with a rubber packing (30). I have. The upper end of the case (3) is curled to fix the packing (30), and a plastic seat plate (31) is attached to the upper surface of the case (3). The lead wires (21, 21) extending from the capacitor element (2) penetrate the packing (30) and the seat plate (31) and are bent sideways.
  • the capacitor element (2) is composed of an anode foil (4), which is an aluminum foil having a dielectric oxide film formed thereon, and a cathode foil (5), which is an aluminum foil. It is wound into a roll via a separator (6), which is an insulator, etc., and stopped with tape (26), and has TCNQ (7, 7, 8, 8—tetrasianoquinodimethane) inside Either impregnated with a solid electrolyte such as a complex salt, or a conductive polymer layer is formed. A pair of lead tabs (25) and (25) are drawn out of the anode foil (4) and the cathode foil (5), and the lead wires (21) and (21) are drawn from the lead tabs (25) and (25). Is extending.
  • anode foil (4) which is an aluminum foil having a dielectric oxide film formed thereon
  • a cathode foil (5) which is an aluminum foil. It is wound into a roll via a separator (6), which is an
  • Such a solid electrolytic capacitor (1) is widely used, but a large-capacity and small-sized capacitor is desired from the market.
  • a cathode foil (5) in which a coating made of a metal nitride is formed (see, for example, Japanese Patent Publication No. 2000-1114).
  • the capacitance C of the capacitor is a capacitance in which the capacitance C a on the anode foil (4) side and the capacitance C c on the cathode foil (5) side are connected in series. It is.
  • the cathode foil (5) has the capacitance Cc, the capacitance C of the capacitor is smaller than the capacitance C a on the anode foil (4) side. Therefore, a metal nitride film such as TiN is formed on the cathode foil (5) by a sputtering method or vapor deposition, and the aluminum base of the cathode foil (5) is electrically connected to the metal nitride. As a result, since the cathode foil (5) has no capacitance, the capacitance can be increased without increasing the external shape of the capacitor. However, the applicant has found that even if such a cathode foil (5) is formed, the effect of increasing the capacitance of the solid electrolytic capacitor (1) is small.
  • An object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor having a large anode-side capacitance, and in particular, to provide a solid electrolytic capacitor having a low rated voltage.
  • the solid electrolytic capacitor (1) is formed by winding an anode foil (4) and a cathode foil (5) through a separator (6), and has a solid electrolyte layer or a conductive polymer layer formed inside.
  • Capacitor element (2), and a dielectric oxide film is formed on the anode foil (4).
  • a film made of a nitride of a single metal or a composite metal compound is formed, and the dielectric oxide film is formed of an oxide of a nitride of the single metal or a composite metal compound.
  • the single metal nitride is any of titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, and niobium nitride, and is a valve metal nitride.
  • the nitride of the composite metal compound is any of aluminum titanium nitride, chromium titanium nitride, zirconia titanium nitride, and titanium carbonitride.
  • Figure 1 is a perspective view of a conventional capacitor element
  • FIG. 2 is a cross-sectional front view of a conventional solid electrolytic capacitor.
  • the capacitor element (2) consists of an anode foil (4), which is an aluminum foil with a chemical conversion coating, and a cathode foil (5), which is an aluminum foil. It is wound up in a roll through the evening (6) and stopped with tape (26).
  • the inside of the capacitor element (2) is impregnated with a solid electrolyte such as a TCNQ complex salt or a conductive polymer layer is formed.
  • a pair of lead wires (21, 21) extends from the capacitor element (2).
  • the capacitor element (2) is formed by the following procedure. First, a strip-shaped aluminum foil to be an anode foil (4) cut out of an aluminum sheet is etched. The etching is performed to roughen the surface of the aluminum foil, increase the surface area, and increase the capacitance. Next, a film of titanium nitride (TiN) is formed on the aluminum foil by vapor deposition. Instead of vapor deposition, the coating may be formed by an ion plating method, a sputtering method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, a photo CVD method, or a laser-CVD method.
  • TiN titanium nitride
  • the aluminum foil on which the titanium nitride film is formed is immersed in a chemical conversion solution, and a voltage of about 5 V is applied.
  • the film of titanium nitride is oxidized to form a dielectric oxide film, and this aluminum foil is used as the anode foil (4).
  • This dielectric oxide film is composed of titanium oxide.
  • solutions of phosphate, borate and adipic acid are known, but solutions of other acid salts may be used.
  • TiN titanium nitride
  • the anode foil (4) and the cathode foil (5) are wound in a roll via an insulating insulator (6) and fixed with a tape (26) to form a capacitor element (2).
  • the positive electrode foil (4) is formed by cutting out from an aluminum sheet, so that the dielectric oxide film is not formed on the end face of the positive electrode foil (4). Therefore, the capacitor element (2) is cut to form a dielectric oxide film on the end face of the anode foil (4). Thereafter, the capacitor element (2) is heat-treated at 280 ° C. to stabilize the characteristics of the dielectric oxide film.
  • the capacitor element (2) is immersed in a mixed solution of 3,4-ethylenedioxythiophene containing ethyl alcohol as a diluent and iron (II) p-toluenesulfonate, and then thermally polymerized to form the foil (4).
  • a conductive polymer layer is formed between (5) and the capacitor element (2) is completed.
  • p—Toluene iron sulfonate ( ⁇ ) is contained in ethyl alcohol at 40-60 weight percent, which is a practical viscosity in the capacitor manufacturing process.
  • the capacitor element (2) is sealed in the case (3) to complete the solid electrolytic capacitor (1).
  • the conductive polymer layer is formed of a polythiophene-based conductive polymer, but a polypyrrol-based or polyaniline-based functional polymer may be used. Further, instead of the conductive polymer layer, a solid electrolyte layer such as a TCNQ complex salt may be formed.
  • the relative dielectric constant of titanium oxide is about 100, which is higher than that of aluminum oxide. Therefore, the capacitance of the anode foil (4) and, consequently, the solid electrolytic capacitor (1) can be increased.
  • a dielectric oxide film made of titanium oxide obtained by oxidizing a nitride of a single metal or a composite metal compound has more stable characteristics than a film formed by directly oxidizing titanium.
  • an applied voltage of about 5 V is sufficient to form an oxide film on the nitride of the composite metal compound. Since the applied voltage needs to be about three times the rated voltage of the target solid electrolytic capacitor (1), the voltage applied to the anode foil (4) of the solid electrolytic capacitor (1) with a lower rated voltage can be reduced. Also, a film made of titanium oxide can be formed.
  • the applicant made a solid electrolytic capacitor (1) using an anode foil (4) on which an oxide film of titanium nitride (TiN), which is a single metal nitride, was formed.
  • a solid electrolytic capacitor (1) using an anode foil (4) formed with an oxide film of aluminum titanium nitride (TiA1N), which is a nitride of a composite metal compound, instead of titanium nitride was used in Example 2.
  • a conventional method namely, an anode foil (5) is formed by forming an oxide film on an aluminum foil, and a cathode foil (5) is formed by forming a titanium nitride (TiN) film on another aluminum foil.
  • TiN titanium nitride
  • Each of the solid electrolytic capacitors (1) is a capacitor with a rated voltage of 2.5 V, a capacitance of 390 zF, and a case (3) with a diameter of 6.3 mm and a height of 6.0 mm. .
  • the capacitance (C a, unit: ii F) was measured at the frequency of 120 Hz for the capacitors of the embodiment and the conventional example, and the equivalent series resistance (ESR) was measured at the frequency of 100 k ⁇ ⁇ . , Unit: ⁇ ) was measured.
  • ESR equivalent series resistance
  • the leakage current (LC, unit: / XA) was measured. Table 1 shows the measurement results.
  • the electrical characteristic value is an average value of 20 pieces. (table 1 )
  • TiN titanium nitride
  • Ti A 1 N aluminum titanium nitride
  • valve metals are examples of single metals.
  • the valve metal is one whose surface is uniformly covered with the metal oxide.
  • the composite metal compound mainly includes a compound of titanium and a valve metal.
  • the aluminum foil serving as the anode foil (4) may not be subjected to the etching treatment.
  • the anode foil (4) and the cathode foil (5) are formed from aluminum foil, they may be formed from valve metal foil.
  • the upper opening of the case (3) may be closed with epoxy resin.
  • the shape of the capacitor may be a radial lead type.
  • the dielectric oxide film on the anode foil (4) is composed of an oxide of a nitride of a single metal or a composite metal compound, specifically, titanium oxide. Since the dielectric constant of the dielectric oxide film is high, the capacitance of the anode foil (4) and, consequently, the solid electrolytic capacitor (1) can be increased. In addition, a dielectric oxide film made of titanium oxide obtained by oxidizing a nitride of a single metal or a composite metal compound has more stable characteristics than a film formed by directly oxidizing titanium.
  • an applied voltage of about 5 V is sufficient to form an oxide film on the nitride of the composite metal compound.
  • a coating made of titanium oxide can be formed on the anode foil (4) of the solid electrolytic capacitor (1) whose rated voltage is as low as about 2-3 V.

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Abstract

固体電解コンデンサ1は、陽極箔4と陰極箔5をセパレータ6を介して巻き取って構成され、内部に固体電解質層又は導電性高分子層が形成されたコンデンサ素子2を具えている。陽極箔4上には誘電体酸化被膜が形成されている。陽極箔4上には、単金属又は複合金属化合物の窒化物から成る被膜が形成され、前記誘電体酸化被膜は、該単金属又は複合金属化合物の窒化物の酸化物から形成される。単金属の窒化物は、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化タンタル、窒化ニオブの何れかであり、複合金属化合物の窒化物は、窒化アルミニウムチタン、窒化クロムチタン、窒化ジルコニウムチタン、炭窒化チタンの何れかである。

Description

固体電解コンデンサ
技術分野
本発明は、 陽極箔と陰極箔を巻取った固体電解コンデンサに関する。 背景技術
明
図 2は、従来の固体電解コンデンサ（1 )の断面正面図であり、 図 1は、 細 1
従来のコンデンサ素子（2 )の斜視図である（例えば、 日本国特許公告公 報 平 4— 1 9 6 9 5号参照）。 童曰 これは、 上面が開口したアルミニウム製のケース（ 3 )内に、 コンデン サ素子（2 )を収納して、 ゴム製のパッキング（30)にてケース ( 3 )の開口 を封止している。 ケ一ス (3 )の上端部をカールしてパッキング（30)を固 定し、 ケース（3 )の上面には、 プラスチック製の座板（31)が取り付けら れている。 コンデンサ素子（2 )から延びたリ一ド線 (21) (21)はパッキン グ（30)及び座板（31)を貫通した後、 横向きに折曲されている。
コンデンサ素子（2 )は、 図 1に示すように、, 誘電体酸化被膜を形成し たアルミニウム箔である陽極箔（4 )と、 アルミ二ゥム箔である陰極箔 (5 )とを、 紙等の絶縁体であるセパレー夕 (6 )を介してロール状に巻回 し、 テープ（26)で止めて構成され、 内部に T C N Q (7、 7、 8、 8—テト ラシァノキノジメタン）錯塩等の固体電解質を含浸するか、 又は導電性 高分子層が形成されている。 陽極箔（4)と陰極箔（5 )からは一対のリ一 ドタブ（25) (25)が引き出され、 該リ一ドタブ（25) (25)から前記リ一ド線 (21) (21)が延びている。
両箔（4) (5 )間に導電性高分子層を形成するには、 希釈剤としてェチ ルアルコールを含む 3， 4一エチレンジォキシチォフェン及び p— トル エンスルホン酸鉄（Π)の混合溶液に、 コンデンサ素子（2)を浸漬して、 熱重合させる。
かかる固体電解コンデンサ（1 )は、 広く用いられているが、 市場から は大容量且つ小型のコンデンサが所望されている。 そこで、 陰極箔（5 ) に金属窒化物からなる被膜を形成したものが提案されている（例えば、 日本国特許公開公報 2 0 0 0— 1 1 4 1 0 8号参照）。
一般に、陰極箔（5 )上には誘電体酸化被膜を意図的には形成しないが、 実際には自然酸化により酸化被膜が形成される。 従って、 コンデンサの 静電容量 Cは、 陽極箔（4)側の静電容量 C aと陰極箔（5 )側の静電容量 C cとが直列に接続された容量となり、 以下の式で示される。
(数 1 )
C = CaX Cc/(Ca+ Cc) = CaX 1 / (C a/ C c+ 1 )
即ち、 陰極箔（5 )が静電容量 Ccを有すれば、 コンデンサの静電容量 Cは陽極箔（4)側の静電容量 C aよりも小さくなる。 従って、 陰極箔（5) にスパッ夕リング法や蒸着により、 T i N等の金属窒化物の被膜を形成 し、 陰極箔（5 )のアルミニウム基材と金属窒化物とを導通させている。 これにより、 陰極箔（5)は容量を有さないから、 コンデンサの外形を大 きくすることなく、静電容量を大きくでさる。 しかし、かかる陰極箔（5 ) を形成しても、 固体電解コンデンサ（1 )の静電容量を大きくする効果は 小さいことを出願人は見い出している。
そこで、 陽極箔（4)の誘電率を高めて、 陽極箔（4)側の静電容量 Ca を大きくすることが提案されている（例えば、 日本国特許公開公報 平 5 - 1 2 1 2 7 5号参照）。 これは、 チタンからなる陽極を、 電解質含 有溶液内にて酸化して、 陽極の表面にチタンの誘電体被膜を形成する。 酸化チタンは比誘電率が約 1 0 0 (無単位）と酸化アルミニウム等に比べ て高く、 静電容量は比誘電率に比例するから、 これにより陽極側の静電 容量を大きくせんとするものである。
しかし、 チタンを直接酸化して誘電体被膜を形成しても、 一度形成さ れた被膜が時間の経過により劣化する事象が見られる、 即ち、 チタンの 表面に酸化被膜を安定して形成するのが難しい。 また、 日本国特許公開 公報 平 5 — 1 2 1 2 7 5号にも記載しているように、 チタンの表面に 酸化被膜を形成するには、 最低でも 1 0 — 2 0 Vの電圧を印加する必要 があり、 目的とする固体電解コンデンサ（1 )の定格電圧の 3倍程度の電 圧で行われる。 出願人の実験では、 酸化チタンを陽極上に被覆する固体 電解コンデンサ（ 1 )には、 定格電圧 6 . 3 V以上必要であり、 定格電圧 が 2 — 3 V程度の低い'固体電解コンデンサ（ 1 )には、 酸化チタンを陽極 上に被覆することはできなかった。
発明の開示
本発明の目的は、 陽極側の静電容量が大きい固体電解コンデンサを提 供することにあり、 特に定格電圧の低い固体電解コンデンサを提供する ことにある。
固体電解コンデンサ（ 1 )は、 陽極箔（4 )と陰極箔（5 )をセパレ一夕 ( 6 )を介して巻き取って構成され、 内部に固体電解質層又は導電性高分 子層が形成されたコンデンサ素子（2 )を具え、 陽極箔（4 )上には誘電体 酸化被膜が形成されている。
陽極箔（4 )上には、 単金属又は複合金属化合物の窒化物から成る被膜 が形成され、 前記誘電体酸化被膜は、 該単金属又は複合金属化合物の窒 化物の酸化物から形成される。
単金属の窒化物は、 窒化チタン、 窒化ジルコニウム、 窒化タンタル、 窒化ニオブの何れかであり、 弁金属の窒化物である。 また、 複合金属化 合物の窒化物は、 窒化アルミニウムチタン、 窒化クロムチタン、 窒化ジ ルコニゥムチタン、 炭窒化チタンの何れかである。 図面の簡単な説明
図 1は、 従来のコンデンサ素子の斜視図、
図 2は、 従来の固体電解コンデンサの断面正面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の一例を図を用いて詳述する。 .
固体電解コンデンサ（1 )の全体形状は、 図 2に示す従来品と同様であ る。 コンデンサ素子（2)は、 図 1に示すように、 化成被膜を形成したァ ルミ二ゥム箔である陽極箔（4)と、アルミニウム箔である陰極箔（5 )を、 絶縁体であるセパレー夕 (6 )を介してロール状に巻回し、 テープ（26)で 止めて構成される。 コンデンサ素子（2)の内部に T C N Q錯塩等の固体 電解質が含浸され、 又は導電性高分子層が形成されている。 コンデンサ 素子（2 )からは一対のリード線（21) (21)が延びている。
コンデンサ素子（2)は、 以下の手順で形成される。 先ず、 アルミニゥ ム製シ一卜から切り出された陽極箔（4)となるべき帯状のアルミニウム 箔にエッチング処理行なう。 エッチング処理を行うのは、 アルミニウム 箔の表面を粗面化して、 表面積を拡大し、 静電容量を大きくする為であ る。 次に、 該アルミニウム箔上に、 窒化チタン（T i N)の被膜を蒸着に より形成する。 尚、 蒸着に代えて、 イオンプレーティング法、 スパッタ リング法、 熱 C VD法、 プラズマ CVD法、 光 CVD法、 レーザ一 C V D法にて被膜を形成してもよい。
次に、 窒化チタンの被膜を形成したアルミニウム箔を化成液に漬け、 約 5 Vの電圧を印加する。 窒化チタンの被膜を酸化して、 誘電体酸化被 膜を形成し、 このアルミニウム箔を陽極箔（4)とする。 この誘電体酸化 被膜は、 酸化チタンから構成される。 化成液には、 リン酸塩、 ホウ酸塩、 ァジピン酸塩の溶液が知られているが、 他の酸塩の溶液でもよい。
これとは別に、 アルミニウム箔上に、 窒化チタン（T i N)の被膜を蒸 着により形成し、 陰極箔（5 )とする。
陽極箔（4 )と、 陰極箔（5 )を、 絶縁体であるセパレ一夕（6 )を介して ロール状に卷回し、 テープ（26)で止め、 コンデンサ素子（2 )とする。 陽 極箔（4 )は、 前記の如く、 アルミニウム製シートから切り出されて作成 されるので、 陽極箔（4 )の端面には、 誘電体酸化被膜が形成されていな い。 従って、 コンデンサ素子（2 )の切り口化成を行って、 陽極箔（4 )の 端面に誘電体酸化被膜を形成する。 この後、 コンデンサ素子（2 )を 2 8 0 °Cで熱処理して、 誘電体酸化被膜の特性を安定させる。
次に、 希釈剤としてエチルアルコールを含む 3， 4 一エチレンジォキ シチォフェン及び p - トルエンスルホン酸鉄（Π )の混合溶液に、 コンデ ンサ素子（2 )を浸漬後、 熱重合して両箔（4 ) ( 5 )間に導電性高分子層を 形成し、 コンデンサ素子（2 )が完成する。 p — トルエンスルホン酸鉄 ( Π )は、 4 0 - 6 0重量パーセン卜でエチルアルコールに含まれ、 これ はコンデンサの製造工程に於いて、実用的な粘度である。従来と同様に、 コンデンサ素子（2 )を前記ケース ( 3 )に封入して、 固体電解コンデンサ ( 1 )が完成する。
本例では、 ポリチォフェン系の導電性高分子で導電性高分子層を形成 しているが、 ポリピロ一ル系又はポリァニリン系の機能性高分子を用い てもよい。 また、 導電性高分子層に代えて、 T C N Q錯塩等の固体電解 質層を形成してもよい。
酸化チタンの比誘電率は、 約 1 0 0であり、 酸化アルミニウムの約 1 0に比して高い。従って、 陽極箔（4 )、ひいては固体電解コンデンサ（ 1 ) の静電容量を大きくできる。 また、 単金属又は複合金属化合物の窒化物 を酸化した酸化チタンからなる誘電体酸化被膜は、 チタンを直接酸化し て作るよりも、 特性が安定する。
また、 窒素分子が該誘電体酸化被膜内の欠陥を被覆するから、 漏れ電 流の増大を防 でき、 コンデンサの大容量化が図れる。 更に、 複合金属 化合物の窒化物上に、 酸化被膜を形成するには、 印加電圧が 5 V程度で 足りる。 印加電圧は、 目的とする固体電解コンデンサ（1 )の定格電圧の 3倍程度の電圧が必要であるから、 これにより、 定格電圧が低い固体電 解コンデンサ（1 )の陽極箔（4)上にも、 酸化チタンからなる被膜を形成 することができる。
出願人は、 上記の如く、 単金属の窒化物である窒化チタン（T i N)の 酸化被膜を形成した陽極箔（4)を用いた固体電解コンデンサ（ 1 )を実施 例 1 とした。 また、 窒化チタンの代わりに、 複合金属化合物の窒化物で ある窒化アルミニウムチタン（T i A 1 N)の酸化被膜を形成した陽極箔 (4)を用いた固体電解コンデンサ（1 )を実施例 2とした。 また、 従来の 方法、 即ちアルミニウム箔上に酸化被膜を形成して陽極箔（5 )を形成す るとともに、 別のアルミニウム箔上に窒化チタン（T i N)の被膜を形成 した陰極箔（5 )を用いて、 固体電解コンデンサ（1 )を作成し、 これを従 来例とした。
固体電解コンデンサ（ 1 )は 何れも定格電圧 2. 5 Vで 静電容量 3 9 0 z F、 ケース（3)の外形寸法が直径 6. 3 mmで高さ 6. 0 mmのコ ンデンサである。
実施例及び従来例のコンデンサに 1 2 0 H zの周波数にて、 静電容量 (C a , 単位 ： ii F)を測定し、 1 0 0 k Η ζの周波数にて、 等価直列 抵抗（E S R、 単位 ： ιτιΩ)を測定した。 また、 直流定格電圧を 2分印加 した後に、 漏れ電流（L C、 単位 ： / X A)を測定した。 測定結果を表 1に 示す。 電気的特性値は、 2 0ケの平均値である。 (表 1 )
Figure imgf000009_0001
上記の比較結果から、 単金属の窒化物である窒化チタン（T i N)の誘 電体酸化被膜を形成した陽極箔（ 4 )、 又は複合金属化合物の窒化物であ る窒化アルミニウムチタン（T i A 1 N )の誘電体酸化被膜を形成した陽 極箔（4)を用いることによって、 静電容量を大きくし、 等価直列抵抗及 び漏れ電流を小さ <することが可能になった。
尚、上記例では単金属の窒化物として窒化チタン (T i N)を挙げたが、 これに代えて、 窒化ジルコニウム（Z r N)、 窒化夕ンタル（T a N)、 窒 化ニオブ（N b N )の何れかでも同様の結果が得られると考えられる。 即 ち、 単金属として弁金属が挙げられる。 ここで弁金属とは表面がその金 属の酸化物で一様に覆われるものである。
また、 複合金属化合物の窒化物として、 窒化アルミニウムチタン（T i A 1 N)を挙げたが、 これに代えて、 窒化クロムチタン（T i C r N)、 窒化ジルコニウムチタン（T i Z r N)、 炭窒化チタン（T i C N)の何れ かでも同様の結果が得られると考えられる。 即ち、 複合金属化合物とし て、 主にチタンと弁金属の化合物が挙げられる。 上記例にて、 陽極箔（4 )となるアルミニウム箔には、 エッチング処理 を施さなくともよい。 また、 陽極箔（4 )及び陰極箔（5 )は、 アルミニゥ ム箔から形成されるとしたが、弁金属の箔から形成されればよい。更に、 ケース（3 )の上面開口は、 エポキシ樹脂で塞いでも構わない。 更に、 コ ンデンサの形状は、 ラジアルリードタイプでもよい。
産業上の利用可能性
陽極箔（4 )上の誘電体酸化被膜は、 単金属又は複合金属化合物の窒化 物の酸化物からなり、 具体的には、 酸化チタンである。 誘電体酸化被膜 の比誘電率が高いから、 陽極箔（4 )、 ひいては固体電解コンデンサ（1 ) の静電容量を大きくできる。 また、 単金属又は複合金属化合物の窒化物 を酸化した酸化チタンからなる誘電体酸化被膜は、 チタンを直接酸化し て作るよりも、 特性が安定する。
また、 窒素分子が該誘電体酸化被膜内の欠陥を被覆するから、 漏れ電 流の増大を防止でき、 コンデンサの大容量化が図れる。 更に、 複合金属 化合物の窒化物上に、 酸化被膜を形成するには、 印加電圧が 5 V程度で 足りる。 これにより、 定格電圧が 2 _ 3 V程度の低い固体電解コンデン サ（1 )の陽極箔（4 )上にも、 酸化チタンからなる被膜を形成することが できる。 ·

Claims

請求の範囲
1 . 陽極箔（4 )と陰極箔（5 )をセパレー夕（6 )を介して巻き取って 構成され、 内部に固体電解質層又は導電性高分子層が形成されたコンデ ンサ素子（2 )を具え、 陽極箔（4 )上には誘電体酸化被膜が形成された固 体電解コンデンザに於いて、
陽極箔（4 )上には、 単金属又は複合金属化合物の窒化物から成る被膜 が形成され、 前記誘電体酸化被膜は、 該単金属又は複合金属化合物の窒 化物の酸化物から形成されることを特徴とする固体電解コンデンサ。
2 · 単金属の窒化物は、 窒化チタン、 窒化ジルコニウム、 窒化タン タル、 窒化ニオブの何れかであり、 弁金属の窒化物である請求項 1に記 載の固体電解コンデンサ。
3 . 複合金属化合物の窒化物は、 窒化アルミニウムチタン、 窒化ク ロムチタン、 窒化ジルコニウムチタン、 炭窒化チタンの何れかである請 求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
4 . コンデンサ素子（2 )内の電解質は、 ボリチォフェン系導電性高 分子を用いる請求項 1に記載の固体電解コンデンサ。
5 . 陽極箔（4 )及び陰極箔（5 )は、 弁金属の箔から形成される請求 項 1 に記載の固体電解コンデンサ。
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