JP2000182899A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単位重量あたりの容量が大きく、漏れ電流値
のばらつきが小さく漏れ電流特性の良好なコンデンサの
製造方法を提供する。 【解決手段】 一部窒化したニオブの焼結体を一方の電
極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体
とから構成されたコンデンサの製造方法において、前記
焼結体の窒化を、ニオブ粉成型体の焼結後に、該焼結体
を窒素雰囲気中に放置することによって行う。これによ
り、焼結後にニオブの窒化が行われているため、漏れ電
流特性が良好で、漏れ電流値のばらつきの少ないコンデ
ンサを得ることができる。
のばらつきが小さく漏れ電流特性の良好なコンデンサの
製造方法を提供する。 【解決手段】 一部窒化したニオブの焼結体を一方の電
極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電体
とから構成されたコンデンサの製造方法において、前記
焼結体の窒化を、ニオブ粉成型体の焼結後に、該焼結体
を窒素雰囲気中に放置することによって行う。これによ
り、焼結後にニオブの窒化が行われているため、漏れ電
流特性が良好で、漏れ電流値のばらつきの少ないコンデ
ンサを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なコンデン
サ、とりわけ、単位重量あたりの容量が大きく、漏れ電
流（以下ＬＣと略す。）特性が良好でＬＣ値のばらつき
の小さいコンデンサの製造方法に関する。
サ、とりわけ、単位重量あたりの容量が大きく、漏れ電
流（以下ＬＣと略す。）特性が良好でＬＣ値のばらつき
の小さいコンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話やパーソナルコンピューター等
の電子機器に使用さるコンデンサは、小型大容量のもの
が望まれている。このようなコンデンサの中でもタンタ
ル電解コンデンサは、大きさの割には容量が大きく、し
かも性能が良好なため、好んで使用されている。通常タ
ンタル電解コンデンサの誘電体として酸化タンタルが使
用されているが、さらに容量を大きくするために、より
誘電率の高い酸化ニオブを誘電体としたニオブ電解コン
デンサが考えられている。本発明者等は、該ニオブ電解
コンデンサの中でも、一部を窒化したニオブの焼結体を
電極に用いた電解コンデンサは、とりわけ容量が大きく
ＬＣ特性が良好であることを提示した（特開平１０−２
４２００４号）。
の電子機器に使用さるコンデンサは、小型大容量のもの
が望まれている。このようなコンデンサの中でもタンタ
ル電解コンデンサは、大きさの割には容量が大きく、し
かも性能が良好なため、好んで使用されている。通常タ
ンタル電解コンデンサの誘電体として酸化タンタルが使
用されているが、さらに容量を大きくするために、より
誘電率の高い酸化ニオブを誘電体としたニオブ電解コン
デンサが考えられている。本発明者等は、該ニオブ電解
コンデンサの中でも、一部を窒化したニオブの焼結体を
電極に用いた電解コンデンサは、とりわけ容量が大きく
ＬＣ特性が良好であることを提示した（特開平１０−２
４２００４号）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】該公報では、一部を窒
化したニオブの焼結体を得る方法として、一部を窒化し
たニオブ粉末を焼結して焼結体を得る方法を例示した
が、この場合ある条件では、非窒化ニオブ粉末を使用し
た焼結体を電極としたコンデンサのＬＣ特性よりは良好
なものの、ＬＣ値にばらつきが生じることがあった。
化したニオブの焼結体を得る方法として、一部を窒化し
たニオブ粉末を焼結して焼結体を得る方法を例示した
が、この場合ある条件では、非窒化ニオブ粉末を使用し
た焼結体を電極としたコンデンサのＬＣ特性よりは良好
なものの、ＬＣ値にばらつきが生じることがあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前述したＬＣ値のばらつ
きの原因の一つが、焼結時の加熱によることを見出し、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明に従っ
て、ニオブ粉成型体の焼結後に、該焼結体を窒素雰囲気
中に放置することにより、一部が窒化したニオブの焼結
体を得、該焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両
電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデン
サを作製すると、ＬＣ特性が良好でばらつきの小さいコ
ンデンサが製造できる。
きの原因の一つが、焼結時の加熱によることを見出し、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明に従っ
て、ニオブ粉成型体の焼結後に、該焼結体を窒素雰囲気
中に放置することにより、一部が窒化したニオブの焼結
体を得、該焼結体を一方の電極とし、他方の電極と、両
電極との間に介在した誘電体とから構成されたコンデン
サを作製すると、ＬＣ特性が良好でばらつきの小さいコ
ンデンサが製造できる。
【０００５】上記コンデンサの誘電体は、好ましくは酸
化ニオブからなり、より好ましくは、前記、一部が窒化
したニオブ焼結体の電解酸化によって形成された酸化ニ
オブからなる。また、上記コンデンサの他方の電極は、
電解液、有機半導体及び無機半導体から選ばれた少なく
とも一種の化合物からなり、より好ましくは、電導度１
０-2Ｓ・ｃｍ-1〜１０3 Ｓ・ｃｍ-1である有機半導体お
よび無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物か
らなる。
化ニオブからなり、より好ましくは、前記、一部が窒化
したニオブ焼結体の電解酸化によって形成された酸化ニ
オブからなる。また、上記コンデンサの他方の電極は、
電解液、有機半導体及び無機半導体から選ばれた少なく
とも一種の化合物からなり、より好ましくは、電導度１
０-2Ｓ・ｃｍ-1〜１０3 Ｓ・ｃｍ-1である有機半導体お
よび無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物か
らなる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のコンデンサの製造方法に
おいて、該コンデンサの一方の電極を構成する、一部が
窒化したニオブの焼結体は、ニオブの焼結体を窒化して
得た焼結体である。 ニオブの焼結体は、例えばニオブ
粉末を真空下高温で焼結することによって得られる。一
例をあげると、ニオブを加圧成型した後、１０-1〜１０
-6Ｔｏｒｒで１０００℃〜２０００℃、数分〜数時間放
置することで焼結体が得られる。一般に焼結温度は、ニ
オブ粉の粒径によって変化するが粒径が小さい程低温で
良い。この場合、ニオブに結合した窒素量は１０〜１５
００００重量ｐｐｍ、好ましくは１００〜５００００重
量ｐｐｍとすることにより、ＬＣ値を小さくすることが
出来る。
おいて、該コンデンサの一方の電極を構成する、一部が
窒化したニオブの焼結体は、ニオブの焼結体を窒化して
得た焼結体である。 ニオブの焼結体は、例えばニオブ
粉末を真空下高温で焼結することによって得られる。一
例をあげると、ニオブを加圧成型した後、１０-1〜１０
-6Ｔｏｒｒで１０００℃〜２０００℃、数分〜数時間放
置することで焼結体が得られる。一般に焼結温度は、ニ
オブ粉の粒径によって変化するが粒径が小さい程低温で
良い。この場合、ニオブに結合した窒素量は１０〜１５
００００重量ｐｐｍ、好ましくは１００〜５００００重
量ｐｐｍとすることにより、ＬＣ値を小さくすることが
出来る。
【０００７】窒化する温度は２０００℃以下、時間は数
１０時間で目的とする窒素量のニオブ焼結体が得られる
が、一般に高温程短時間で窒化される。また、室温でも
窒素下で数１０時間ニオブ焼結体を放置しておくと、数
１００重量ｐｐｍの窒素量のニオブ焼結体が得られる。
また、窒素を加圧導入することにより、窒化の時間短縮
することが可能である。逆に窒素を減圧下に導入すると
窒化の時間が遅くなる。たとえば１／１００Ｔｏｒｒ等
の極端な減圧下に前記ニオブ焼結体を放置しても、工業
的な数１０時間の範囲で、窒化は、ほとんど起こらな
い。
１０時間で目的とする窒素量のニオブ焼結体が得られる
が、一般に高温程短時間で窒化される。また、室温でも
窒素下で数１０時間ニオブ焼結体を放置しておくと、数
１００重量ｐｐｍの窒素量のニオブ焼結体が得られる。
また、窒素を加圧導入することにより、窒化の時間短縮
することが可能である。逆に窒素を減圧下に導入すると
窒化の時間が遅くなる。たとえば１／１００Ｔｏｒｒ等
の極端な減圧下に前記ニオブ焼結体を放置しても、工業
的な数１０時間の範囲で、窒化は、ほとんど起こらな
い。
【０００８】前記コンデンサの誘電体としては、例え
ば、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質、セラミッ
ク化合物などを使用することができる。酸化タンタルを
誘電体として用いる場合、酸化タンタルは、タンタルを
含有する錯体、例えば、アルコキシ錯体、アセチルアセ
トナート錯体等を電極に付着後、加水分解および／また
は熱分解することによって作製することもできる。
ば、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質、セラミッ
ク化合物などを使用することができる。酸化タンタルを
誘電体として用いる場合、酸化タンタルは、タンタルを
含有する錯体、例えば、アルコキシ錯体、アセチルアセ
トナート錯体等を電極に付着後、加水分解および／また
は熱分解することによって作製することもできる。
【０００９】酸化ニオブを誘電体として用いる場合、酸
化ニオブは、一方の電極である一部窒化したニオブ焼結
体を電解液中で化成するか、またはニオブを含有する錯
体、たとえば、アルコキシ錯体、アセチルアセトナート
錯体等を電極に付着後、加水分解および／または熱分解
することによって作製することもできる。このように一
部窒化したニオブ焼結体を電解液中で化成するか、また
はニオブ含有錯体を、一部窒化したニオブ電極上で加水
分解および／または熱分解することによって、一部窒化
したニオブ電極上に酸化ニオブ誘電体を形成することが
できる。一部窒化したニオブ電極を電解液中で化成する
には、通常プロトン酸水溶液、たとえば０．１％りん酸
水溶液または硫酸水溶液を用いて行われる。一部窒化し
たニオブ電極を電解液中で化成して酸化ニオブ誘電体を
得る場合、本発明のコンデンサは、電解コンデンサとな
り、一部窒化したニオブ電極側が陽極となる。錯体を分
解して得る場合、該電極は、理論的に極性はなく、陽極
としても、陰極としても使用可能である。
化ニオブは、一方の電極である一部窒化したニオブ焼結
体を電解液中で化成するか、またはニオブを含有する錯
体、たとえば、アルコキシ錯体、アセチルアセトナート
錯体等を電極に付着後、加水分解および／または熱分解
することによって作製することもできる。このように一
部窒化したニオブ焼結体を電解液中で化成するか、また
はニオブ含有錯体を、一部窒化したニオブ電極上で加水
分解および／または熱分解することによって、一部窒化
したニオブ電極上に酸化ニオブ誘電体を形成することが
できる。一部窒化したニオブ電極を電解液中で化成する
には、通常プロトン酸水溶液、たとえば０．１％りん酸
水溶液または硫酸水溶液を用いて行われる。一部窒化し
たニオブ電極を電解液中で化成して酸化ニオブ誘電体を
得る場合、本発明のコンデンサは、電解コンデンサとな
り、一部窒化したニオブ電極側が陽極となる。錯体を分
解して得る場合、該電極は、理論的に極性はなく、陽極
としても、陰極としても使用可能である。
【００１０】高分子物質を誘電体とするには、例えば特
開平７−６３０４５号公報に記載されるように、金属の
細孔または空隙部にモノマーをガス状または液状で導入
して重合する方法、高分子物質を適当な溶媒に溶解して
導入する方法、高分子物質を融解して導入する方法が採
られる。高分子物質としては、例えば、フッ素樹脂、ア
ルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル樹脂、ビニル系樹脂、キシリレ
ン樹脂、フェノール樹脂等が用いられる。
開平７−６３０４５号公報に記載されるように、金属の
細孔または空隙部にモノマーをガス状または液状で導入
して重合する方法、高分子物質を適当な溶媒に溶解して
導入する方法、高分子物質を融解して導入する方法が採
られる。高分子物質としては、例えば、フッ素樹脂、ア
ルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ートなどのポリエステル樹脂、ビニル系樹脂、キシリレ
ン樹脂、フェノール樹脂等が用いられる。
【００１１】セラミック化合物を誘電体とするには、例
えば特開平７ー８５４６１号公報に記載されるように、
細孔または空隙部を有する金属の表面にペロプスカイト
型化合物を生成させる方法を採ることができる。ペロプ
スカイト型化合物の具体例としてはＢａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 、ＢａＳｎＯ3 等が挙げられる。
えば特開平７ー８５４６１号公報に記載されるように、
細孔または空隙部を有する金属の表面にペロプスカイト
型化合物を生成させる方法を採ることができる。ペロプ
スカイト型化合物の具体例としてはＢａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 、ＢａＳｎＯ3 等が挙げられる。
【００１２】一方、本発明のコンデンサの他方の電極は
格別限定されるものではなく、例えば、アルミ電解コン
デンサ業界で公知である電解液、有機半導体および無機
半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物が挙げられ
る。電解液の具体例としてはイソブチルトリプロピルア
ンモニウムボロテトラフルオライド電解質を５重量％溶
解したジメチルホルムアミドとエチレングリコールの混
合溶液、テトラエチルアンモニウムボロテトラフルオラ
イドを７重量％溶解したプロピレンカーボネートとエチ
レングリコールの混合溶液等が挙げられる。有機半導体
の具体例としては、ベンゾピロリン四量体とクロラニル
からなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分と
する有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分と
する有機半導体、下記一般式（１）または（２）で表さ
れる高分子にドーパントをドープした電導性高分子を主
成分とした有機半導体が挙げられる。無機半導体の具体
例としては二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とす
る無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などが挙
げられる。このような半導体は単独でも、または二種以
上組み合わせて使用しても良い。
格別限定されるものではなく、例えば、アルミ電解コン
デンサ業界で公知である電解液、有機半導体および無機
半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物が挙げられ
る。電解液の具体例としてはイソブチルトリプロピルア
ンモニウムボロテトラフルオライド電解質を５重量％溶
解したジメチルホルムアミドとエチレングリコールの混
合溶液、テトラエチルアンモニウムボロテトラフルオラ
イドを７重量％溶解したプロピレンカーボネートとエチ
レングリコールの混合溶液等が挙げられる。有機半導体
の具体例としては、ベンゾピロリン四量体とクロラニル
からなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分と
する有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分と
する有機半導体、下記一般式（１）または（２）で表さ
れる高分子にドーパントをドープした電導性高分子を主
成分とした有機半導体が挙げられる。無機半導体の具体
例としては二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とす
る無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などが挙
げられる。このような半導体は単独でも、または二種以
上組み合わせて使用しても良い。
【００１３】
【化１】
【００１４】
【化２】
【００１５】式（１）および（２）において、Ｒ１〜Ｒ
４は水素、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜
６のアルコキシ基を表し、これらは互いに同一であって
も相違してもよく、Ｘは酸素、イオウまたは窒素原子を
表し、Ｒ５はＸが窒素原子のときのみ存在して水素また
は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２および
Ｒ３とＲ４は互いに結合して環状になっていても良い。
式（１）または（２）で表される高分子としては、例え
ば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポニフェニ
レンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリ
ピロール、ポリメチルピロールなどが挙げられる。
４は水素、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜
６のアルコキシ基を表し、これらは互いに同一であって
も相違してもよく、Ｘは酸素、イオウまたは窒素原子を
表し、Ｒ５はＸが窒素原子のときのみ存在して水素また
は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１とＲ２および
Ｒ３とＲ４は互いに結合して環状になっていても良い。
式（１）または（２）で表される高分子としては、例え
ば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポニフェニ
レンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリ
ピロール、ポリメチルピロールなどが挙げられる。
【００１６】上記有機半導体および無機半導体として、
電導度１０-2Ｓ・ｃｍ-1〜１０3 Ｓ・ｃｍ-1の範囲のも
のを使用すると、作製したコンデンサのインピーダンス
値がより小さくなり、高周波での容量をさらに一層大き
くすることができる。
電導度１０-2Ｓ・ｃｍ-1〜１０3 Ｓ・ｃｍ-1の範囲のも
のを使用すると、作製したコンデンサのインピーダンス
値がより小さくなり、高周波での容量をさらに一層大き
くすることができる。
【００１７】さらに他方の電極が個体の場合には、例え
ば他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次
積層し、エポキシ樹脂のような材料で封口してコンデン
サが構成される。このコンデンサは、ニオブ焼結体と一
体に焼結成型された、または後で溶接されたニオブまた
はタンタルリードを有していてもよい。また他方の電極
が液体の場合には、前記両極と誘電体から構成されたコ
ンデンサを、例えば、他方の電極と電気的に接続した缶
に収納してコンデンサが形成される。この場合、一部窒
化したニオブ焼結体の電極側は、前記したニオブまたは
タンタルリードを介して外部に導出されると同時に、絶
縁性ゴム等により、缶との絶縁がはかられるように設計
されている。
ば他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次
積層し、エポキシ樹脂のような材料で封口してコンデン
サが構成される。このコンデンサは、ニオブ焼結体と一
体に焼結成型された、または後で溶接されたニオブまた
はタンタルリードを有していてもよい。また他方の電極
が液体の場合には、前記両極と誘電体から構成されたコ
ンデンサを、例えば、他方の電極と電気的に接続した缶
に収納してコンデンサが形成される。この場合、一部窒
化したニオブ焼結体の電極側は、前記したニオブまたは
タンタルリードを介して外部に導出されると同時に、絶
縁性ゴム等により、缶との絶縁がはかられるように設計
されている。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例についてさらに詳細に
説明する。 実施例１〜５ 粒径３μｍのニオブ粉末からなる成型体（体積約３×
３．５×１．８ｍｍ）を１２００℃、１０-6Ｔｏｒｒで
焼結し、焼結体を複数個得た。この焼結体を表１に示し
た手法で窒化し、一部窒化したニオブ焼結体とした。つ
いで、りん酸水溶液中で２０Ｖ化成することにより、焼
結体上に酸化ニオブの誘電体を形成した。さらに、該誘
電体上に、酢酸鉛３０％水溶液と過硫酸アンモニウム３
０％水溶液の等量混合液を複数回４０℃で接触させるこ
とにより他方の電極として、二酸化鉛と硫酸鉛の混合物
（二酸化鉛９７重量％）を形成した。ひきつづき、他方
の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層
し、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを作製した。第
３表に作製したコンデンサの容量（測定１００ｋＨ
ｚ）、４ＶでのＬＣ値とＬＣ値のばらつき（２σ）を示
した。なお各実施例、比較例の値は、各例のコンデンサ
２０個の平均値及び標準偏差の２倍（２σ）である。こ
こで、ＬＣ値は、電圧印可後１分経過したときの電流値
である。
説明する。 実施例１〜５ 粒径３μｍのニオブ粉末からなる成型体（体積約３×
３．５×１．８ｍｍ）を１２００℃、１０-6Ｔｏｒｒで
焼結し、焼結体を複数個得た。この焼結体を表１に示し
た手法で窒化し、一部窒化したニオブ焼結体とした。つ
いで、りん酸水溶液中で２０Ｖ化成することにより、焼
結体上に酸化ニオブの誘電体を形成した。さらに、該誘
電体上に、酢酸鉛３０％水溶液と過硫酸アンモニウム３
０％水溶液の等量混合液を複数回４０℃で接触させるこ
とにより他方の電極として、二酸化鉛と硫酸鉛の混合物
（二酸化鉛９７重量％）を形成した。ひきつづき、他方
の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層
し、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを作製した。第
３表に作製したコンデンサの容量（測定１００ｋＨ
ｚ）、４ＶでのＬＣ値とＬＣ値のばらつき（２σ）を示
した。なお各実施例、比較例の値は、各例のコンデンサ
２０個の平均値及び標準偏差の２倍（２σ）である。こ
こで、ＬＣ値は、電圧印可後１分経過したときの電流値
である。
【００１９】
【表１】
【００２０】実施例６〜１１ 実施例２で他方の電極として、表２で示した化合物を使
用した以外は、実施例２と同様にしてコンデンサを作製
した。作製したコンデンサの性能を表３に示した。
用した以外は、実施例２と同様にしてコンデンサを作製
した。作製したコンデンサの性能を表３に示した。
【００２１】
【表２】
【００２２】比較例１、２ 実施例１および６で焼結体の窒素処理を行わなかった以
外は、実施例１及び６と同様にしてコンデンサを作製し
た。作製したコンデンサの性能を表３に示した。
外は、実施例１及び６と同様にしてコンデンサを作製し
た。作製したコンデンサの性能を表３に示した。
【００２３】比較例３、４ 実施例３および４で窒素処理を焼結体作製後に行うかわ
りに、焼結体作製前のニオブ粉の状態で行った以外は実
施例３および４と同様にしてコンデンサを作製した。作
製したコンデンサの性能を表３に示した。
りに、焼結体作製前のニオブ粉の状態で行った以外は実
施例３および４と同様にしてコンデンサを作製した。作
製したコンデンサの性能を表３に示した。
【００２４】
【表３】
【００２５】実施例１２ 実施例３で、化成によって誘電体を形成するかわりに、
ベンタエチルニオベート液中に焼結体を浸漬し引き上げ
た後、８５℃蒸気中で反応させ、さらに３５０℃で乾燥
することにより酸化ニオブの誘導体を形成した以外は実
施例３と同様にしてコンデンサを作製した。作製したコ
ンデンサの性能を表４に示した。
ベンタエチルニオベート液中に焼結体を浸漬し引き上げ
た後、８５℃蒸気中で反応させ、さらに３５０℃で乾燥
することにより酸化ニオブの誘導体を形成した以外は実
施例３と同様にしてコンデンサを作製した。作製したコ
ンデンサの性能を表４に示した。
【００２６】実施例１３ 実施例３で化成によって誘電体を形成するかわりに、ベ
ンタエチルタンタレート液中に浸漬し引き上げた後、８
５℃蒸気中で反応させ、さらに４５０℃で乾燥すること
により焼結体上に酸化タンタルの誘電体層を形成した。
次にイソブチルトリプロピルアンモニウムテトラボロフ
ルオライド電解質を５％溶解したジメチルホルムアミド
とエチレングリコールの混合溶液からなる電解液を焼結
体に付着させ缶に入れて封口し、コンデンサを作製し
た。作製したコンデンサの性能を表４に示した。
ンタエチルタンタレート液中に浸漬し引き上げた後、８
５℃蒸気中で反応させ、さらに４５０℃で乾燥すること
により焼結体上に酸化タンタルの誘電体層を形成した。
次にイソブチルトリプロピルアンモニウムテトラボロフ
ルオライド電解質を５％溶解したジメチルホルムアミド
とエチレングリコールの混合溶液からなる電解液を焼結
体に付着させ缶に入れて封口し、コンデンサを作製し
た。作製したコンデンサの性能を表４に示した。
【００２７】比較例５、６ 実施例１２および１３で、焼結体の窒素処理を行わなか
った以外は実施例１２および１３と同様にしてコンデン
サを作製した。作製したコンデンサの性能を表４に示し
た。
った以外は実施例１２および１３と同様にしてコンデン
サを作製した。作製したコンデンサの性能を表４に示し
た。
【００２８】比較例７、８ 実施例１２及び１３で、窒素処理を焼結体作成後に行う
かわりに、焼結体作製前のニオブ粉の状態で行った以外
は、実施例１２及び１３と同様にしてコンデンサを作製
した。作製したコンデンサの性能を表４に示した。
かわりに、焼結体作製前のニオブ粉の状態で行った以外
は、実施例１２及び１３と同様にしてコンデンサを作製
した。作製したコンデンサの性能を表４に示した。
【００２９】
【表４】
【００３０】
【発明の効果】本発明のコンデンサの製造方法によれ
ば、ニオブ焼結体を窒素雰囲気中に放置して一部窒化し
た焼結体としているため、ＬＣ特性が良好で、ＬＣ値の
ばらつきが少ないコンデンサが得られる。特に前記手法
で得た焼結体を一方の電極とし、他方の電極を有機半導
体及び無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物
とし、電極間の誘電体を酸化ニオブとしたコンデンサを
製造すると、該コンデンサは、単位重量あたりの高周波
での容量が大きく、ＬＣ特性も良好でかつＬＣ値のばら
つきも小さい。このため電源の平滑回路に利用すると好
適である。
ば、ニオブ焼結体を窒素雰囲気中に放置して一部窒化し
た焼結体としているため、ＬＣ特性が良好で、ＬＣ値の
ばらつきが少ないコンデンサが得られる。特に前記手法
で得た焼結体を一方の電極とし、他方の電極を有機半導
体及び無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物
とし、電極間の誘電体を酸化ニオブとしたコンデンサを
製造すると、該コンデンサは、単位重量あたりの高周波
での容量が大きく、ＬＣ特性も良好でかつＬＣ値のばら
つきも小さい。このため電源の平滑回路に利用すると好
適である。
Claims (6)
- 【請求項１】 一部が窒化したニオブの焼結体を一方の
電極とし、他方の電極と、両電極との間に介在した誘電
体とから構成されたコンデンサの製造方法において、前
記焼結体の窒化を、ニオブ粉成型体の焼結後に、該焼結
体を窒素雰囲気中に放置することによって行うことを特
徴とするコンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 ニオブに結合した窒素量が１０〜１５０
０００重量ｐｐｍである請求項１記載のコンデンサの製
造方法。 - 【請求項３】 誘電体が酸化ニオブからなる請求項１ま
たは２記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 一部が窒化したニオブ電極を電解液中で
化成するか、または一部が窒化したニオブ電極上でニオ
ブ含有錯体を加水分解および／または熱分解することに
よって、酸化ニオブからなる誘電体が、一部窒化したニ
オブからなる電極上に形成されている請求項３記載のコ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 他方の電極が電解液、有機半導体および
無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物である
請求項１〜４のいずれかに記載のコンデンサの製造方
法。 - 【請求項６】 他方の電極が、電導度１０-2Ｓ・ｃｍ-1
〜１０3 Ｓ・ｃｍ-1を有する有機半導体および無機半導
体から選ばれた少なくとも一種の化合物である請求項１
〜４のいずれかに記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355767A JP2000182899A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | コンデンサの製造方法 |
| KR1020017007542A KR100636563B1 (ko) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | 니오브 콘덴서 및 그 제조방법 |
| EP99959774A EP1158552B2 (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
| US09/868,226 US6529367B1 (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
| DE69933792T DE69933792T3 (de) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
| CA002360789A CA2360789C (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
| PCT/JP1999/006971 WO2000036617A1 (fr) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Condensateur au niobium et procede de fabrication correspondant |
| CNB998161985A CN1201349C (zh) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | 铌电容器 |
| AT99959774T ATE343844T1 (de) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobkondensator und verfahren zu dessen herstellung |
| AU16846/00A AU1684600A (en) | 1998-12-15 | 1999-12-13 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
| TW88121903A TW477992B (en) | 1998-12-15 | 1999-12-14 | Niobium capacitor and process for producing same |
| US10/314,333 US6661646B2 (en) | 1998-12-15 | 2002-12-09 | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355767A JP2000182899A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000182899A true JP2000182899A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18445653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10355767A Pending JP2000182899A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000182899A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084687A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Showa Denko K.K. | Production process for niobium capacitor |
| WO2004077465A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| JP2008166849A (ja) * | 2003-03-28 | 2008-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| CN100587870C (zh) * | 2003-03-28 | 2010-02-03 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容及其制造方法 |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP10355767A patent/JP2000182899A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084687A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Showa Denko K.K. | Production process for niobium capacitor |
| US7110244B2 (en) | 2001-04-12 | 2006-09-19 | Showa Denko K.K. | Production process for niobium capacitor |
| WO2004077465A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 固体電解コンデンサ |
| US7391604B2 (en) | 2003-02-25 | 2008-06-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor |
| JP2008166849A (ja) * | 2003-03-28 | 2008-07-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| CN100587870C (zh) * | 2003-03-28 | 2010-02-03 | 三洋电机株式会社 | 固体电解电容及其制造方法 |
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