WO2004064643A1 - 超音波深触子及び超音波診断装置 - Google Patents

超音波深触子及び超音波診断装置 Download PDF

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WO2004064643A1
WO2004064643A1 PCT/JP2004/000610 JP2004000610W WO2004064643A1 WO 2004064643 A1 WO2004064643 A1 WO 2004064643A1 JP 2004000610 W JP2004000610 W JP 2004000610W WO 2004064643 A1 WO2004064643 A1 WO 2004064643A1
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WO
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piezoelectric layer
ultrasonic
layer
axis direction
piezoelectric
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Application number
PCT/JP2004/000610
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hideki Okazaki
Mikio Izumi
Original Assignee
Hitachi Medical Corporation
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Publication date
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Priority to JP2005508127A priority patent/JP4310586B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G10MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
    • G10KSOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G10K11/00Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
    • G10K11/18Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound
    • G10K11/26Sound-focusing or directing, e.g. scanning
    • G10K11/32Sound-focusing or directing, e.g. scanning characterised by the shape of the source
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06BMETHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0622Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface

Definitions

  • the present invention relates to an ultrasonic probe that transmits and receives ultrasonic waves to and from a subject and an ultrasonic diagnostic apparatus equipped with the probe. More specifically, the present invention relates to changing the diameter in the minor axis direction. Ultrasonic probes that can be used.
  • an ultrasonic transducer is configured by arranging a pair of electrodes with a layer made of a piezoelectric material (hereinafter, referred to as a piezoelectric layer) interposed therebetween. The child is composed. Then, a predetermined number of transducers in the long axis direction in which a plurality of transducers are arranged are set as apertures, and the plurality of transducers belonging to the apertures are driven to converge the ultrasonic beam to a measurement site in the subject. It has a function of receiving the reflected echo of ultrasonic waves emitted from the subject by a plurality of transducers belonging to the aperture and converting the reflected echo into an electric signal.
  • a piezoelectric layer a layer made of a piezoelectric material
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-107595.
  • the ultrasonic probe of Patent Document 1 has a high response to high frequencies at the center by forming the piezoelectric layer at the center thinner along the short axis direction and thicker toward the ends. , And a high response to low frequency is obtained at the end in the short axis direction, so that a wide frequency characteristic can be obtained.
  • the diameter of the aperture in the minor axis direction of the ultrasonic probe changes in inverse proportion to the frequency, so that a fine beam diameter can be formed from a shallow depth to a deep depth.
  • An object of the present invention is to equalize the frequency response of an ultrasonic probe to low frequencies in the short axis direction.
  • the present invention solves the above problems by means described below.
  • the present invention relates to an ultrasonic probe formed by arranging a plurality of ultrasonic transducers each including a piezoelectric layer and a pair of electrodes provided with the piezoelectric layer interposed therebetween, wherein the piezoelectric layer is a common electrode. And a second piezoelectric layer disposed on the side opposite to the ultrasonic wave emitting side, and a second piezoelectric layer disposed on the opposite side. It has a low-frequency response distribution that is uniform over the entire diameter in the axial direction, and a high-frequency response distribution at the center in the short-axis direction.
  • Such a frequency response distribution can be specifically realized by the following means (1) to (9).
  • the first piezoelectric layer is formed such that the thickness of the end portion in the short axis direction is smaller than the thickness of the center portion, and the second piezoelectric layer is formed such that the thickness of the end portion is thicker than the center portion.
  • the surfaces of the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer that are in contact with the pair of electrodes are each formed in a plane, and the boundary surface between the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer is located at the center in the minor axis direction. Formed in a mountain shape with a ridgeline at
  • the surfaces of the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer that are in contact with the pair of electrodes are each formed in a plane, and the boundary surface between the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer is located at the center in the short axis direction.
  • the surface of the first piezoelectric layer on the ultrasonic wave emitting side is formed as a concave surface
  • the surface of the second piezoelectric layer on the ultrasonic wave reflecting side is formed as a convex surface
  • the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer are The boundary surface of the first piezoelectric layer is formed to be concave toward the second piezoelectric layer side with a curvature larger than the curvature of the surface of the first piezoelectric layer on the ultrasonic wave emission side
  • the surface of the first piezoelectric layer on the ultrasonic wave emitting side is formed as a concave surface
  • the surface of the second piezoelectric layer on the ultrasonic wave reflecting side is formed as a convex surface
  • the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer The boundary surface of which is formed in a mountain shape having a ridge line at the center in the short axis direction
  • the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer are each formed to have a constant thickness, and the first piezoelectric layer has a density of a piezoelectric material constituting the piezoelectric layer from the center to the end in the short axis direction. And the second piezoelectric layer is formed such that the density of the piezoelectric material forming the piezoelectric layer increases from the center to the end in the short axis direction.
  • an adjustment layer having an acoustic impedance close to that of the piezoelectric material forming the piezoelectric layer is provided on the side of the second piezoelectric layer where the ultrasonic waves are reflected.
  • the adjustment layer is formed such that the thickness in the short-axis direction gradually increases from the center to the end.
  • the piezoelectric layer has a two-layer structure, and the characteristics of the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer in terms of the frequency in the minor axis direction and the sound pressure are compensated for each other. It is characterized by equalizing the frequency response to low frequencies in the minor axis direction. In other words, the thickness of the second piezoelectric layer is formed so as to increase from the center to the end in the direction perpendicular to the arrangement direction of the ultrasonic transducers (hereinafter, referred to as the short axis direction). The part has excellent high-frequency response.
  • the thickness of the first piezoelectric layer is reduced from the center toward the end in the direction of the short axis, so that the center has an excellent low-frequency response.
  • the frequency response characteristics of the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer it is possible to equalize the response characteristics in the short axis direction to low frequencies. Therefore, according to the ultrasonic probe of the present invention, a high-frequency high response can be obtained at the center of the transducer in the short-axis direction, and a low-frequency uniform response can be obtained at all apertures.
  • Ultrasonic beam diameter can be formed from shallow to deep position, High resolution can be realized.
  • the adjustment layer having the configuration of (8) has an acoustic impedance close to that of the piezoelectric material, the difference in acoustic impedance between the adjustment layer and the backing layer provided on the anti-piezoelectric layer side is usually large. Therefore, the ultrasonic wave is effectively reflected by the adjustment layer, and the frequency characteristic of the reflection depends on the thickness. As a result, the response characteristics of the vibrator in the short axis direction with respect to the low frequency can be further equalized.
  • high-frequency components of the ultrasonic waves emitted from the oscillator to the rear side are reflected by the thin adjustment layer at the center of the oscillator and returned to the ultrasonic emission surface side. As a result, the high-frequency sound pressure emitted from the center portion of the ultrasonic probe in the short-axis direction to the subject increases, and a high-frequency response can be obtained at the center of the transducer in the short-axis direction.
  • the backing layer is made of a material whose acoustic impedance is very small compared to the acoustic impedance of the piezoelectric layer and whose attenuation rate is high.
  • the frequency characteristics can be changed in the short axis direction, and the aperture variable function according to the frequency can be realized.
  • the thickness distribution of the adjustment layer in the minor axis direction is set to a frequency characteristic so as to obtain a desired high-frequency response distribution.
  • the first piezoelectric layer and the second piezoelectric layer are each formed to have a constant thickness, and the piezoelectric layer is provided on the back surface of the electrode in contact with the second piezoelectric layer.
  • An adjustment layer made of a material having an acoustic impedance close to that of the piezoelectric material is provided. The thickness of the adjustment layer is gradually increased from the center in the axial direction of the ultrasonic transducer toward the end. It can be.
  • the response characteristics of the vibrator in the short axis direction with respect to the low frequency can be equalized, and the high-frequency High response can be obtained.
  • an ultrasonic diagnostic apparatus of the present invention uses the ultrasonic probe of the present invention, and a transmitting unit that supplies an ultrasonic signal for driving the vibrator of the ultrasonic probe according to a control instruction.
  • the reception processing means having a function of supplying an ultrasonic signal having the adjusted frequency to the ultrasonic probe, Has the function of selecting and receiving the reflected echo signal of
  • a high-frequency response can be obtained at the center of the vibrator in the short-axis direction, and the frequency characteristics in the short-axis direction for low frequencies can be equalized.
  • the sound beam beam diameter can be reduced, and high resolution can be realized.
  • FIG. 1 is a perspective view of a main part of an ultrasonic probe according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an overall configuration diagram of an ultrasonic diagnostic apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer of the embodiment of FIG.
  • FIG. 4 is a graph showing the frequency characteristics of the embodiment of FIG.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the frequency and the depth of focus in the embodiment of FIG.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the frequency and the relative sound pressure in the embodiment of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a sectional view of a portion related to the piezoelectric layer according to the eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer of the ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a sectional view of a portion related to the piezoelectric layer of the tenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer of the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view of a main part of an ultrasonic probe according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an ultrasonic diagnostic apparatus according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion related to the piezoelectric layer of the present embodiment.
  • the ultrasonic pulse output from the ultrasonic pulse generation circuit 31 is input to the transmission means 32, where transmission processing such as transmission focus processing and amplification processing is performed, and the transmission pulse is transmitted through the transmission / reception separation unit 33. And supplied to the ultrasonic probe 1.
  • the reflected echo signal received by the ultrasonic probe 1 is input to the reception processing means 35 via the transmission / reception separation unit 33, where reception processing such as amplification processing and reception phasing processing is performed. .
  • the reflected echo signal output from the reception processing means 35 is input to the image processing means 36, where predetermined image reconstruction processing is performed.
  • the ultrasound image reconstructed by the image processing means 36 is displayed on the monitor 37.
  • the above-described ultrasonic pulse generation circuit 31, transmission means 32, reception processing means 35, and image processing means 36 are controlled based on control commands from control means 38 constituted by a computer or the like. It has become. Further, the control means 38 executes various settings and controls based on a command input from the input means 39.
  • the control means 38 controls an aperture selection switch (not shown) to select a configuration for scanning the ultrasonic beam.
  • a part of the reception processing means 35 and the image processing means 36 can be constituted by a computer or the like.
  • the ultrasonic probe 1 of the present embodiment includes a piezoelectric layer 2, an acoustic matching layer 3 disposed on the ultrasonic emission surface side of the piezoelectric layer 2, and a back side of the piezoelectric layer 2. And an acoustic lens 5 disposed on the ultrasonic emission side of the acoustic matching layer 3.
  • the piezoelectric layer 2 and the acoustic matching layer 3 are separated into a plurality by a plurality of separation layers 6 arranged along the longitudinal direction of the ultrasonic probe 1, and each is configured to function as a transducer. ing. A part of the backing layer 4 on the side in contact with the piezoelectric layer 2 is also divided into a plurality by the plurality of separation layers 6.
  • the acoustic lens 5 is for focusing in the short-axis direction, and is formed of a material such as silicone rubber having an acoustic impedance close to that of a living body and a sound velocity lower than that of the living body.
  • the acoustic matching layer 3 has a two-layer structure, and each plays a role as a 1/4 wavelength plate for the center frequency.
  • the material of the lower layer of the acoustic matching layer 3 is, for example, ceramics whose acoustic impedance is smaller than that of the piezoelectric layer 2. You can.
  • the upper layer of the acoustic matching layer 3 is formed of a resin or the like whose acoustic impedance is closer to that of a living body than the lower layer.
  • the piezoelectric layer 2 is formed using a piezoelectric ceramic PZT, PZLT, a piezoelectric single crystal PZN-PT, ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , or an organic piezoelectric material PVDF, or a composite piezoelectric layer composed of them and a resin.
  • the backing layer 4 is formed using a material that has a high attenuation rate of ultrasonic waves and attenuates ultrasonic waves emitted toward the back of the piezoelectric layer 2.
  • the separation layer 6 is formed of a material having a large ultrasonic attenuation (for example, a material equivalent to a vacuum).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion of the piezoelectric layer 2 and the backing layer 4 of the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric layer 2 in a short axis direction orthogonal to the long axis direction.
  • the piezoelectric layer 2 has a two-layer structure in which a first piezoelectric layer 2-1 and a second piezoelectric layer 2-2 are stacked.
  • a pair of electrodes 7-1 and 7-2 are arranged on the ultrasonic emission surface of the first piezoelectric layer 2-1 and the back surface of the second piezoelectric layer 2-2.
  • a common electrode 8 is provided at a boundary between the first piezoelectric layer 2-1 and the second piezoelectric layer 2-2.
  • Electrodes 7-1, 7-2, and 8 are formed of a metal such as silver, platinum, gold, copper, and nickel to a thickness of 10 or less.
  • the first piezoelectric layer 2-1 is formed in a flat-convex shape in which the ultrasonic wave emitting surface is flat and the back surface is convex. The central portion is formed to have the largest thickness Tlmax, the thickness is reduced toward both ends, and the minimum thickness Tlmin is formed at the ends.
  • the second piezoelectric layer 2-2 is formed as a concave-flat type having a concave back surface for emitting ultrasonic waves and a flat back surface.
  • the central portion is formed to have the thinnest thickness T 2 min, the thickness is increased toward both ends, and the end portion is formed to have the maximum thickness T 2 max. Therefore, the surfaces of the piezoelectric layer 2 that are in contact with the electrodes 7-1 and 7-2 are formed as planes parallel to each other, and the boundary surface between the first piezoelectric layer 2-1 and the second piezoelectric layer 2-2 is the second piezoelectric layer.
  • the control means 38 calculates the control means 38 in accordance with the depth of the measurement site.
  • the measurement site can be input and set by the operator via the input means 39.
  • the control means 38 sends a command to the ultrasonic pulse generation circuit 31 and the transmission means 32 according to the depth of the measurement site to be set, and the frequency and focus position of the transmission signal are set. You. Further, the control means 38 sends a command to the reception processing means 35 to set the frequency and the focus position of the reflection echo signal to be received according to those of the transmission signal.
  • the piezoelectric layer 2-2 By driving the ultrasonic probe in this way, an ultrasonic wave is generated in the piezoelectric layer 2, and the ultrasonic wave is emitted from the surface on the electrode 7-1 side.
  • the piezoelectric layer 2-2 since the piezoelectric layer 2-2 is of a concave and flat type, it resonates at the end at a low frequency as in the prior art, and the low-frequency sound pressure becomes strong.
  • the piezoelectric layer 2-1 has a flat-convex shape and a small thickness near the end, so that the low-frequency sound pressure at the end is small. As a result, by stacking the piezoelectric layer 2-1 and the piezoelectric layer 2-2, it is possible to suppress the emphasis on the edge sound pressure at low frequencies.
  • FIG. 4 shows a graph of the frequency characteristic of the present embodiment
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the frequency and the depth of focus of the present embodiment
  • FIG. 6 shows the relationship between the frequency and the relative sound pressure of the present embodiment.
  • the horizontal axis represents frequency
  • the vertical axis represents relative sound pressure
  • the solid line 11 represents the frequency characteristic curve at the center in the short axis direction
  • the dashed line 12 represents the frequency characteristic at the intermediate position between the center and the end.
  • the curve, dotted line 13 shows the frequency characteristic curve at the end.
  • f center is the center frequency of the high frequency f high and the low frequency flQW .
  • the high frequency f high resonates at the center and the low frequency f lc) w resonates from the end to the center.
  • the aperture becomes smaller at the high frequency f high , and a narrow beam can be formed near the probe.
  • the aperture becomes large at low frequency f lf , w with small attenuation, and a narrow beam can be obtained in the deep part.
  • the horizontal axis represents the short-axis direction of the piezoelectric layer 2, and the vertical axis represents the depth. Therefore, as shown in Fig. 6, even at low frequency flQW , the sound pressure at the end is higher than that at the center. Because the sound pressure distribution is uniform, the SZN ratio does not decrease, and high-resolution images can be obtained from near to deep areas.
  • the conventional technology without the piezoelectric layer 2-1 the low frequency component resonates strongly at both ends in the short axis direction of the ultrasonic probe. Therefore, as shown by the dashed line in the characteristic diagram of low-frequency DW in Fig. 6, the relative sound pressure distribution is such that the sound pressure at the end in the axial direction increases and the sound pressure at the center decreases. Therefore, the S / N ratio decreases.
  • FIG. 7 shows a sectional view of a piezoelectric layer portion of a second embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that the piezoelectric layer 2 has a two-layer structure, and that an adjustment layer 9 is provided on the back surface of the piezoelectric layer 2.
  • the piezoelectric layer 2 is formed by laminating two identically formed flat-plate-shaped piezoelectric layers 2_3 and 2-4.
  • the adjustment layer 9 provided on the back surface of the piezoelectric layer 2-4 is a material having an acoustic impedance close to that of the piezoelectric layer 2, and is formed using a material such as ceramics or a metal such as aluminum or copper.
  • the backing layer 4 is made of a material having an acoustic impedance much smaller than that of the adjustment layer 9 and having a large attenuation rate.
  • a material having an acoustic impedance much smaller than that of the adjustment layer 9 and having a large attenuation rate for example, a mixture of rubber or resin and metal particles (for example, tungsten particles), or a material obtained by mixing beads or microballoons containing gas in rubber or resin or the like is used.
  • the adjustment layer 9 of the present embodiment has a flat surface in contact with the piezoelectric layers 2-4 and a concave surface on the opposite side. That is, it is characterized in that it is formed so that the thickness is the thinnest at the center in the minor axis direction and gradually increases toward the end.
  • the ultrasonic waves are effectively reflected on the adjustment layer 9 and the frequency characteristics of the reflection are reduced in thickness. Will depend on As a result, the ultrasonic probe according to the present embodiment can obtain frequency characteristics depending on the thickness of the adjustment layer 9 in the short axis direction, and can obtain the frequency characteristics shown in FIGS.
  • the effect of the characteristic can be obtained.
  • the large diameter responses from the high frequency f high in the central portion is reduced can be formed narrow beam in the vicinity of the beam at low frequencies 1 QW at all caliber have uniform sound pressure in the short axis direction, focus deep Is done.
  • the resolution from near to deep Image with high image quality can be obtained.
  • FIG. 8 shows a sectional view of a piezoelectric layer portion of a third embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that an adjustment layer 9 is provided on the back surface of the piezoelectric layer 2.
  • it is a combination of the features of the first and second embodiments.
  • the combined effects of the first and second embodiments can be obtained. In other words, it has an even sound in the short-axis direction at low frequencies, and it is possible to realize a narrower diameter variable function at each frequency.
  • FIG. 9 shows a sectional view of a piezoelectric layer portion of a fourth embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the cross-sectional shape of the piezoelectric layer 2 is concave as shown in the figure, and the cross section of the acoustic matching layer 3 is concave along the cross-sectional shape. That is, the piezoelectric layer 2 is formed so that the ultrasonic emission surface and the back surface are parallel concave surfaces, and the emission-side piezoelectric layer 2-1 is the thickest at the center, becomes thinner at both ends, and becomes thinner at both ends. It is formed with the thinnest structure in the part.
  • the piezoelectric layer 2-2 on the back side is formed so as to be thinnest at the center and thicker toward both ends and thickest at the ends.
  • the packing layer 4 has a shape along the concave surface on the back surface of the piezoelectric layer 2_2.
  • the acoustic lens is removed, and the cover material 10 is formed using a material whose acoustic impedance and sound velocity are close to those of a living body, such as polyurethane, flux, butadiene rubber, and polyether block amide. ing.
  • this shape is made to be a convex shape, so that contact with a living body can be improved.
  • a short-axis variable focusing function is provided, and the beam can be focused by the concave piezoelectric layer 2.
  • the beam can be focused without using an acoustic lens, the attenuation of ultrasonic waves can be reduced and a highly sensitive image can be obtained.
  • FIG. 10 shows a sectional view of a piezoelectric layer portion of a fifth embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • This embodiment is different from the second embodiment in that the cross-sectional shape of the piezoelectric layer 2 is concave as shown in the figure, and the cross section of the acoustic matching layer 3 is concave along the cross-sectional shape.
  • the piezoelectric layer 2 is formed so that the ultrasonic emission surface and the back surface are parallel concave surfaces, and furthermore, the adjustment layer 9 is disposed on the back surface of the piezoelectric layer 2, and the thickness of the adjustment layer 9 is set at the center.
  • the structure is thinnest, thicker at both ends, and thickest at the ends.
  • the structure is such that a cover material 10 is provided instead of the acoustic lens.
  • the materials of the adjustment layer 9 and the cover material 10 are the same as in the fourth embodiment.
  • the short-axis variable focus function is provided, and the beam can be focused by the concave piezoelectric layer 2. As a result, the beam can be focused without using an acoustic lens, so that the attenuation of ultrasonic waves can be reduced and a highly sensitive image can be obtained.
  • FIG. 11 shows a sectional view of a piezoelectric layer portion of a sixth embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • This embodiment is a combination of the fourth and fifth embodiments, and provides an effect combining the effects of the two embodiments. In other words, it has a uniform sound pressure in the short axis direction at a low frequency, and it is possible to realize a thinner variable aperture function of the beam at each frequency. Also, since no lens is used, attenuation can be reduced and a highly sensitive image can be obtained.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a piezoelectric layer portion of an ultrasonic probe according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the first piezoelectric layer 2-1 is formed in a flat-convex shape in which the ultrasonic wave emitting surface is flat and the back surface is convex.
  • the second piezoelectric layer 2_2 is formed in a concave flat shape with a concave back surface for emitting ultrasonic waves and a flat back surface.
  • the boundary between the first piezoelectric layer 2-1 and the second piezoelectric layer 2-2 is formed in a mountain shape having a ridge at the center in the minor axis direction, and the shared electrode 8 is provided on this boundary.
  • the sound pressure at the end is not higher than that at the center, and the sound pressure distribution is uniform, so the S / N ratio Does not decrease, and an image with high resolution can be obtained from near to deep.
  • the adjustment layer 9 of FIG. 7 can be provided on the back side of the second piezoelectric layer 2-2. (Eighth embodiment)
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a piezoelectric layer portion of an ultrasonic probe according to an eighth embodiment of the present invention.
  • the structure of the first piezoelectric layer 2-1 and the second piezoelectric layer 2_2 in the embodiment of FIG. 11 is similar to that of FIG. It is shaped like a mountain with ridges.
  • no lens since no lens is used, attenuation can be reduced and a highly sensitive image can be obtained.
  • the adjustment layer 9 in FIG. 7 can be provided on the back side of the second piezoelectric layer 2_2.
  • FIG. 14 shows a cross-sectional view of a piezoelectric layer portion of a ninth embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • an acoustic matching layer 3 is provided on the ultrasonic wave emitting side of the piezoelectric layer 2 in the embodiment of FIG. 12, and the shape of the acoustic lens 5 is changed to a concave acoustic lens 11.
  • the concave acoustic lens 11 there is a difference in sound pressure between the thin part and the thick part of the lens.
  • the ultrasonic beam becomes thinner in the short axis direction, and the low frequency ultrasonic beam becomes thinner due to the coupling with the structure of the piezoelectric layer 2. Therefore, the variable term function of the beam which is thinner at each frequency is provided. Can be realized.
  • This concave acoustic lens 11 can be applied to other embodiments. Further, also in the present embodiment, the adjustment layer 9 of FIG. 7 can be provided on the back side of the second piezoelectric layer 2-2.
  • FIG. 15 is a sectional view of a piezoelectric layer portion of a tenth embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • the first piezoelectric layer 12-1 is formed in a flat-convex shape in which the ultrasonic wave emitting surface is flat and the back surface is convex.
  • the second piezoelectric layer 12-2 is formed in a concave and flat shape with a concave back surface for emitting ultrasonic waves and a flat back surface.
  • the boundary between the first piezoelectric layer 12-1 and the second piezoelectric layer 12-2 has a flat portion protruding toward the second piezoelectric layer at the center in the short axis direction, and a first piezoelectric layer at both ends. layer And a flat portion formed so as to protrude to the side, and a shared electrode 8 is provided on this boundary surface.
  • the sound pressure at the end does not become higher than that at the center, and the SZN ratio is uniform because the sound pressure distribution is uniform.
  • An image with high resolution can be obtained from the vicinity to the deep part without lowering.
  • the adjustment layer 9 of FIG. 7 can be provided on the back side of the second piezoelectric layer 12-2.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the piezoelectric layer portion of the first embodiment of the ultrasonic probe according to the present invention.
  • the piezoelectric layer 13 is composed of a first piezoelectric layer 13-1 and a second piezoelectric layer 13-2 formed to have a constant thickness, respectively, and the first piezoelectric layer 13-1
  • the second piezoelectric layer is formed such that the density of the piezoelectric material decreases from the center in the short-axis direction to the end, and the density of the piezoelectric material increases in the direction from the center to the end in the short-axis direction. Is formed.
  • the first piezoelectric layer 13-1 has a large frequency constant from the center to both ends
  • the second piezoelectric layer 13-2 has a small frequency constant from the center to both ends, and the frequency in the short axis direction is small.
  • the response characteristics can be adjusted.
  • the density of the piezoelectric material can be adjusted by changing the porosity of the piezoelectric material such as the piezoelectric ceramic described above. It can be adjusted by mixing resin and the like.
  • the adjustment layer 9 of FIG. 7 is provided on the back side of the second piezoelectric layer 13-2, the piezoelectric layer is formed in a concave shape as shown in FIG.
  • the characteristic technology of other embodiments can be adopted as appropriate, such as providing a concave acoustic lens 11.
  • the same effect can be obtained by adjusting the elastic constant of the piezoelectric material instead of adjusting the density of the piezoelectric material in the present embodiment.
  • the first piezoelectric layer 13-1 is formed so that the elastic constant is small at the central portion in the short axis direction and the elastic constant increases toward the end, and the second piezoelectric layer is formed at the central portion in the short axis direction. It is formed so that the elastic constant is large and the elastic constant decreases toward the end.
  • the frequency response characteristic changes from the center in the short axis direction to the end, and the center has a wide band from low frequency to high frequency.
  • the section can have the characteristic of having a narrow band in which the high-frequency response is small.
  • the sound pressure at both ends does not increase, and uniform sound pressure can be obtained from the center to the ends.
  • the response from the center increases, and at low frequencies the image is focused deeper by the response of the whole aperture at low frequencies, and an image with high resolution is obtained.

Abstract

圧電層2とこの圧電層を挟んで設けられた一対の電極7-1、7-2を含んでなる超音波振動子を複数配列して形成され、前記圧電層2は共通電極8を挟んで超音波の射出側に配設された第1圧電層2-1と反対側に配設された第2圧電層2-2とを有してなり、前記各超音波振動子は、前記超音波振動子の配列方向に直交する短軸方向に均等な低周波応答分布を有し、前記短軸方向の中心部において高い高周波応答分布を有してなるものとし、第1圧電層と第2圧電層の短軸方向の周波数と音圧との特性を互いに補うことにより、短軸方向の低周波に対する周波数特性を均等化することを特徴とする。

Description

超音波探触子及び超音波診靳装置 技術分野
本発明は、 被検体との間で超音波を送受信する超音波探触子及びその探触子を 備えた超音波診断装置に係り、 具体明的には、 短軸方向の口径を変えることができ る超音波探触子に関する。
背景技術
一般に、 超音波の振動子は圧電材からなる層 (以下、 圧電層という。) を挟んで 一対の電極を配設して構成され、 複数の振動子を例えば 1次元配列して超音波探 触子が構成される。 そして、 複数の振動子が配列された長軸方向の所定数の振動 子を口径として設定し、 その口径に属する複数の振動子を駆動して被検体内の計 測部位に超音波ビームを収束させて照射すると共に、 その口径に属する複数の振 動子により被検体から発する超音波の反射エコー等を受信して電気信号に変換す る機能を有している。
一方、 上記の長軸方向に直交する短軸方向についても超音波の周波数を変える ことにより、 開口径を変えて超音波ビームのビーム径を細くして解像度を改善す る試みが行なわれている (特許文献 1:特開平 7— 1 0 7 5 9 5号公報)。 この特 許文献 1の超音波探触子は、 短軸方向に沿って中心部の圧電層の厚みを薄く、 端 部に向かうにつれて圧電層を厚く形成することにより、 中心部で高周波に対する 高い応答が得られ、 短軸方向の端部で低周波に対する高い応答が得られることか ら、 広帯域の周波数特性が得られる。 その結果、 超音波探触子の短軸方向の開口 径が周波数に反比例して変化するため、 浅い深度から深い深度まで細かいビーム 径を形成することができる。
しかしながら、 特許文献 1に記載された超音波探触子によれば、 短軸方向の両 端部における低周波応答が中心部の低周波応答よりも高くなり、 両端部の音圧が 中心部よりも高い不均一な音圧分布となるため、 分解能が低下してしまう問題が ある。 発明の開示
本発明は、 超音波探触子の短軸方向の低周波に対する周波数応答を均等化する ことを課題とする。
本発明は、 次に述べる手段により、 上記課題を解決するものである。
本発明は、 圧電層と該圧電層を挟んで設けられた一対の電極を含んでなる超音 波振動子を複数配列して形成された超音波探触子において、 前記圧電層を共通電 極を挟んで超音波の射出側に配設された第 1圧電層と反対側に配設された第 2圧 電層とを有して構成し、 前記超音波振動子の配列方向に直交する短軸方向の全口 径で均等な低周波応答分布を有し、 前記短軸方向の中心部において高い高周波応 答分布を有してなるものとする。
このような周波数応答分布は、 具体的には、 以下の (1 ) 乃至 (9 ) の手段に より実現できる。
( 1 ) 第 1圧電層は前記短軸方向の端部の厚みが中心部の厚みよりも薄く形成さ れ、 第 2圧電層は前記端部の厚みが前記中心部よりも厚く形成されてなるもの、
( 2 ) 第 1圧電層と第 2圧電層の前記一対の電極に接する面がそれぞれ平面に形 成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面が第 2圧電層側に凹ませた曲面に形 成されてなるもの、
( 3 ) 第 1圧電層と第 2圧電層の前記一対の電極に接する面がそれぞれ平面に形 成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面は、 前記短軸方向の中心部に稜線を 有する山形に形成されてなるもの、
( 4 ) 第 1圧電層と第 2圧電層の前記一対の電極に接する面がそれぞれ平面に形 成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面は、 前記短軸方向の中心部において 第 2圧電層側に突出させた平坦部と、 両端部において第 1圧電層側に突出させて 形成された平坦部とを有してなるもの、 ( 5 ) 第 1圧電層の超音波の射出側の面が凹面に形成され、 第 2圧電層の超音波 の反射出側の面が凸面に形成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面が第 1圧 電層の超音波の射出側の面の曲率よりも大きな曲率で第 2圧電層側に凹ませて形 成されてなるもの、
( 6 ) 第 1圧電層の超音波の射出側の面が凹面に形成され、 第 2圧電層の超音波 の反射出側の面が凸面に形成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面は、 前記 短軸方向の中心部に稜線を有する山形に形成されてなるもの、
( 7 ) 第 1圧電層と第 2圧電層がそれぞれ一定の厚みに形成され、 第 1圧電層は 前記短軸方向の中心部から端部に向かうにつれて該圧電層を構成する圧電材の密 度が小さくなるように形成され、 第 2圧電層は前記短軸方向の中心部から端部に 向かうにつれて該圧電層を構成する圧電材の密度が大きくなるように形成されて なるもの、
( 8 ) 上記の (1 ) 乃至 (7 ) の構成に加えて、 第 2圧電層の超音波の反射出側 に、 前記圧電層を構成する圧電材に近い音響インピーダンスを有する調整層が設 けられ、 該調整層は前記短軸方向の厚みが中心部から端部に向かうにつれて徐々 に厚く形成されてなるもの。
上記の (1 ) 乃至 (7 ) は、 圧電層を 2層構造とし、 第 1圧電層と第 2圧電層 の短軸方向の周波数と音圧との特性を互いに補うように構成することにより、 短 軸方向の低周波に対する周波数応答を均等化することを特徴とする。 つまり、 第 2圧電層の厚みは、 超音波振動子の配列方向に直交する方向 (以下、 短軸方向と いう。)の中心部から端部に向かうにつれて厚くなるように形成されるから、 中心 部において高周波の応答に優れたものとなる。 一方、 第 1圧電層の厚みは短軸方 向の中心部から端部に向かうにつれて薄く形成されるから、 中心部における低周 波の応答に優れたものとなる。 これら第 1圧電層と第 2圧電層の周波数応答特性 が合成されることにより、 低周波に対する短軸方向の応答特性を均等化すること ができる。 したがって、 本発明の超音波探触子によれば、 振動子の短軸方向中心 部で高周波の高応答を得ることができ、 全口径で低周波の均一な応答を得ること ができるから、深度の浅い位置から深い位置まで超音波ビーム径を細く形成でき、 高い分解能を実現することができる。
また、 (8 )の構成の調整層は、圧電材に近い音響インピーダンスを有するから、 通常、 調整層の反圧電層側に設けられるバッキング層と音響インピーダンスの差 が大きい。 したがって、 調整層で超音波が効果的に反射するとともに、 その反射 の周波数特性が厚みに依存することになる。 その結果、 振動子の低周波に対する 短軸方向の応答特性を一層均等化することができる。 また、 振動子から背面側に 射出される超音波のうち高周波成分は、 振動子中心部の薄い調整層により反射さ れて超音波射出面側に戻される。 これにより、 超音波探触子の短軸方向中心部か ら被検体に射出される高周波の音圧が高くなつて、 振動子の短軸方向中心で高周 波の応答を得ることができる。
ここで、 バッキング層は音響ィンピーダンスが圧電層の音響ィンピ一ダンスに 比べて非常に小さく、 かつ、 減衰率の高い素材とする。 これにより、 短軸方向に 周波数特性を変化させることができ、周波数に応じた口径可変機能を実現できる。 なお、 調整層の短軸方向の厚み分布は、 所望の高周波の応答分布を得るような周 波数特性に定める。
また、 上記 (1 ) 乃至 (8 ) に代えて、 (9 ) 第 1圧電層と第 2圧電層がそれぞ れ一定の厚みに形成され、 第 2圧電層に接する電極の背面に、 圧電層を構成する 圧電材に近い音響インピーダンスを有する材料からなる調整層を設け、 該調整層 の厚みを、 前記超音波振動子の端軸方向の中心部から端部に向かうにつれて徐々 に厚く形成されてなるものとすることができる。
このように形成された調整層を設けることにより、 上述したように、 振動子の 低周波に対する短軸方向の応答特性を均等化することができ、 かつ振動子の短軸 方向中心部で高周波の高応答を得ることができる。
また、 本発明の超音波診断装置は、 本発明の超音波探触子を用いるとともに、 超音波探触子の前記振動子を駆動する超音波信号を供給する送信手段は、 制御指 令に応じた周波数の超音波信号を前記超音波探触子に供給する機能を有し、 超音 波探触子により受信される反射エコー信号を受信処理する受信処理手段は、 前記 制御指令に応じた周波数の反射エコー信号を選択して受信処理する機能を有して なるものとすることにより、 振動子の短軸方向中心で高周波の応答を得ることが できるとともに、 低周波に対する短軸方向の周波数特性を均等化できるから、 深 度の浅い位置から深い位置まで超音波ピ一ム径を細くでき、 高い分解能を実現す ることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施形態に係る超音波探触子の主要部の斜視図である。 図 2は、 本発明の一実施形態の超音波診断装置の全体構成図である。
図 3は、 図 1の実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 4は、 図 1実施形態の周波数特性を示すグラフである。
図 5は、 図 1実施形態の周波数と焦点深度との関係を説明する線図である。 図 6は、 図 1実施形態の周波数と相対音圧の関係を説明する線図である。 図 7は、 本発明の第 2実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 8は、 本発明の第 3実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 9は、 本発明の第 4実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 0は、 本発明の第 5実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 1は、 本発明の第 6実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 2は、 本発明の第 7実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 3は、 本発明の第 8実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 4は、 本発明の第 9実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。
図 1 5は、 本発明の第 1 0実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。 図 1 6は、 本発明の第 1 1実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
(第 1の実施形態)
本発明の一実施形態を図 1〜図 3を用いて説明する。 図 1は本発明の一実施形 態に係る超音波探触子の主要部の斜視図、 図 2は本発明の一実施形態の超音波診 断装置の全体構成図、 図 3は本実施形態の圧電層に係る部分の断面図である。 図 2において、 超音波パルス発生回路 3 1から出力される超音波パルスは送信 手段 3 2に入力され、 ここにおいて送信フォーカス処理及び増幅処理などの送信 処理が施され、 送受分離部 3 3を介して超音波探触子 1に供給される。 超音波探 触子 1により受信された反射エコー信号は、 送受分離部 3 3を介して受信処理手 段 3 5に入力され、 ここにおいて増幅処理及び受信整相処理などの受信処理が施 される。 受信処理手段 3 5から出力される反射エコー信号は画像処理手段 3 6に 入力され、 ここにおいて所定の画像再構成処理が行なわれる。 画像処理手段 3 6 により再構成された超音波画像は、 モニタ 3 7に表示されるようになっている。 上述した超音波パルス発生回路 3 1、 送信手段 3 2、 受信処理手段 3 5、 画像処 理手段 3 6は、 コンピュータなどにより構成される制御手段 3 8からの制御指令 に基づいて制御されるようになっている。 また、 制御手段 3 8は、 入力手段 3 9 から入力される指令に基づいて各種の設定、 制御を実行するようになっている。 なお、 制御手段 3 8は、 図示していない口径選択スィッチを制御して、 超音波ビ —ムを走査する構成を選択するようになっている。 また、 受信処理手段 3 5の一 部及び画像処理手段 3 6は、 コンピュータなどによって構成することができる。 本実施形態の超音波探触子 1は、 図 1に示すように、 圧電層 2と、 圧電層 2の 超音波射出面側に配設された音響整合層 3と、 圧電層 2の背面側に配設されたバ ッキング層 4と、 音響整合層 3の超音波射出面側に配設された音響レンズ 5とを 有して構成される。 圧電層 2と音響整合層 3は、 超音波探触子 1の長軸方向にわ たって配列された複数の分離層 6によって複数に分離され、 それぞれが振動子と して機能するように構成されている。 また, バッキング層 4の圧電層 2に接する 側の一部も複数の分離層 6によって複数に区分されている。
ここで、 音響レンズ 5は、 短軸方向のフォーカスを行うためのものであり、 シ リコンゴムなど音響インピーダンスが生体に近く、 音速が生体より遅いものを材 料として形成されている。 音響整合層 3は、 2層構造であり、 それぞれ中心周波 数に対する 1ノ4波長板としての役割を果たしている。 また、 音響整合層 3の下 層の材料は、 音響インピーダンスが圧電層 2よりも小さいセラミックスなどが用 いられる。 また、 音響整合層 3の上層は下層よりも音響インピーダンスがより生 体に近い樹脂などを材料として形成される。 圧電層 2は、 圧電セラミックス P Z T、 P Z L T、 圧電単結晶 P Z N— P T、 Ρ ΜΝ— Ρ Τ、 あるいは有機圧電材料 P V D Fなど、 又はそれらと樹脂とで構成される複合圧電層などを用いて形成さ れる。 バッキング層 4は、 超音波の減衰率が大きく、 圧電層 2の背面方向に射出 される超音波を減衰させる素材を用いて形成される。 分離層 6は、 超音波の減衰 の大きい材料 (例えば、 真空相当の材料) により形成される。
図 3は、本実施形態の圧電層 2とバッキング層 4の部分の断面図を示している。 同図は、 圧電層 2を長軸方向に直交する短軸方向の断面図である。 圧電層 2は、 第 1圧電層 2 — 1と第 2圧電層 2— 2が積層された 2層構造になっている。 第 1 圧電層 2 — 1の超音波射出面と、 第 2圧電層 2— 2の背面側の面とに一対の電極 7— 1、 7— 2が配設されている。 また、 第 1圧電層 2— 1と第 2圧電層 2— 2 の境界に共通電極 8が配設されている。 これらの電極 7— 1、 7— 2、 8は、銀、 白金、 金、 銅、 ニッケルなどの金属により 1 0 以下の厚みに形成される。 ここで、 第 1圧電層 2— 1は、 超音波の射出面が平面で背面が凸面の平ー凸型 に形成されている。 そして、 中心部が最も厚い厚み T lmax に形成され、 両端部 に向かって厚みが薄くなるように形成され、 端部で最小の厚み T lmin に形成さ れている。 一方、 第 2圧電層 2— 2は、 超音波の射出面が凹面で、 背面が平面の 凹—平型に形成されている。そして、中心部が最も薄い厚み T 2 minに形成され、 両端部に向かって厚みが厚くなるように形成され、端部で最大の厚み T 2 maxに 形成されている。 したがって、 圧電層 2の電極 7— 1、 7— 2に接する面は互い に平行な平面に形成され、 第 1圧電層 2 — 1と第 2圧電層 2— 2との境界面は第 2圧電層 2 — 2側に凹ませて形成されている。 なお、 例えば、 T lmax= T 2 min に形成し、 Tlmin/T 2 max= 1 Z 4に形成することができる。
このように構成される本実施形態の超音波探触子を用いた超音波診断の動作に ついて説明する。 まず、 電極 7— 1と電極 7— 2を接地し、 共通電極 8に送信手 段 3 2から超音波の送信信号を印加する。 ここで、 超音波探触子を駆動する送信 信号の周波数は、 超音波パルス発生回路 3 1により制御される。 また、 超音波ビ —ムの焦点位置 (フォーカス位置) は、 計測部位の深度に応じて制御手段 3 8に より演算される。 計測部位は、 入力手段 3 9を介して、 操作者により入力設定す ることができる。 このようにして、 設定される計測部位の深度に応じて、 制御手 段 3 8から超音波パルス発生回路 3 1と送信手段 3 2に指令を送って、 送信信号 の周波数及びフォーカス位置が設定される。 また、 制御手段 3 8は、 受信処理手 段 3 5に指令を送って、 受信処理対象の反射エコー信号の周波数及びフォーカス 位置を送信信号のそれらに合せて設定する。
このようにして超音波探触子を駆動することにより、 圧電層 2において超音波 が発生し、 電極 7— 1側の面から超音波が放射される。 このとき、 圧電層 2— 2 は凹一平型であることから、 従来技術と同様に低周波では端部において共振して 低周波の音圧が強くなる。 一方、 圧電層 2 - 1は平ー凸型で端部付近で厚さが薄 いため、 端部における低周波の音圧が小さい。 その結果、 圧電層 2— 1と圧電層 2— 2を積層させることにより、 低周波における端部音圧の強調を抑制できる。 ここで、 本実施形態の超音波探触子の周波数特性に関する効果を、 図 4〜図 6 を参照して説明する。 図 4は、 本実施形態の周波数特性のグラフを示し、 図 5は 本実施形態の周波数と焦点深度との関係を説明する線図、 図 6は本実施形態の周 波数と相対音圧の関係を説明する線図である。 図 4において、 横軸は周波数、 縦 軸は相対音圧を示し、 実線 1 1は短軸方向の中心部における周波数特性曲線を、 一点鎖線 1 2は中心と端部との中間位置における周波数特性曲線、 点線 1 3は端 部における周波数特性曲線を示している。 また、 同図において、 f c e n t e rは高 周波 f h i g hと低周波 f l Q Wの中心周波数である。 同図から明らかなように、 本実 施形態によれば、 高周波 f h i g hは中心部において、 低周波 f l c) wは端部から中心 にかけて共振する。 これにより、 高周波 f h i g hでは口径が小さくなり、 探触子の 近傍で細いビームを形成することができる。 一方、 減衰の小さい低周波 f l f,wで は口径が大きくなり、 深部で細いビームを得ることができる。
その結果、図 5に示すように、周波数に応じた口径可変機能を持つことになる。 なお、 図 5は、 横軸が圧電層 2の短軸方向、 縦軸が深度を表している。 したがつ て、 図 6に示すように、 低周波 f l Q Wにおいても、 端部の音圧が中心に比べて高 くならず、 音圧分布が均一化されていることから S ZN比が低下せず、 近傍から 深部にかけて分解能の高い画像が得られる。 これに対して、 圧電層 2 — 1を備え ていない従来技術によれば、 超音波探触子の短軸方向の両端部で低周波成分が強 く共振する。 そのため、 図 6の低周波 ί l D Wの特性図に、 破線で示すように、 端 軸方向の端部の音庄が高くなり、 中心部の音圧が低くなる相対音圧分布になるこ とから、 S /N比が低下してしまうのである。
(第 2実施形態)
図 7に、 本発明に係る超音波探触子の第 2実施形態の圧電層部分の断面図を示 す。 本実施形態が第 1の実施形態と異なる点は、 圧電層 2の 2層構造の構成と、 圧電層 2の背面に調整層 9を設けたことにある。 まず、 圧電層 2を、 同一に形成 された 2つの平板状の圧電層 2 _ 3、 2— 4を積層して形成している。 この圧電 層 2— 4の背面に配設される調整層 9は、 音響インピーダンスが圧電層 2に近い 材料であって、 セラミックスやアルミや銅などの金属などの材料を用いて形成す る。 なお、 バッキング層 4は、 調整層 9よりも非常に小さい音響インピ一ダンス を持ち、 かつ減衰率の大きい材料を用いる。 例えば、 ゴムや樹脂と金属粒子 (例 えばタングステン粒子) などとの混合物、 又はゴムや樹脂などにガスを含むビー ズゃマイクロバルーンなどを混合した材料を用いる。
本実施形態の調整層 9は、 図 7に示すように、 圧電層 2— 4と接する面が平面 に、 反対側の面が凹面状に形成されている。 つまり、 短軸方向の中心で厚みが最 も薄く、端部に向かって徐々に厚くなるように形成されていることを特徵とする。 このように、 本実施形態によれば、 調整層 9とバッキング層 4と音響インピーダ ンスの差が大きいことから、 調整層 9において超音波が効果的に反射するととも に その反射の周波数特性が厚みに依存することになる。 これにより、 本実施形 態の超音波探触子は、短軸方向の調整層 9の厚みに依存した周波数特性が得られ、 第 1実施形態と同様に、 図 4〜図 6に示した周波数特性の効果を得ることができ る。つまり、 高周波 f h i g hでは中心部からの応答が大きく口径を小さくして近傍 で細いビームを形成でき、 低周波 1 Q Wでは全口径でビームが短軸方向に均等な 音圧をもち、 深部にフォーカスされる。 その結果、 近傍から深部にかけて分解能 の高い画像が得られる。
(第 3の実施形態)
図 8に、 本発明に係る超音波探触子の第 3実施形態の圧電層部分の断面図を示 す。 本実施形態が第 1の実施形態と異なる点は、 圧電層 2の背面に調整層 9を設 けたことにある。 言い換えれば、 第 1と第 2の実施形態の特徴部を組み合わせた ものであり、 本実施形態によれば第 1と第 2の実施形態の効果を合わせた効果が 得られる。 つまり、 低周波で短軸方向に均等な音庄をもち、 各周波数でよりビー ムの細い口径可変機能を実現することができる。
(第 4の実施形態)
図 9に、 本発明に係る超音波探触子の第 4実施形態の圧電層部分の断面図を示 す。 本実施形態が第 1の実施形態と異なる点は、 圧電層 2の断面形状を図のよう に凹状とし、それに沿って音響整合層 3の断面を凹状にしたことにある。つまり、 圧電層 2は、 超音波の射出面と背面とが平行な凹面となるように形成し、 射出側 の圧電層 2 — 1は中心部で最も厚く、 両端部に向かって薄くなり、 端部で最も薄 い構造に形成している。 一方、 背面側の圧電層 2— 2は、 中心部で最も薄く両端 部に向かって厚くなり、 端部で最も厚くなる構造に形成している。 また、 パツキ ング層 4は圧電層 2 _ 2の背面の凹面に沿った形状にされている。 また、 音響レ ンズを取り除き、 カバ一材 1 0としては、 音響インピーダンスと音速が被検体で ある生体に近い材料、 例えばポリウレタンやフラックス、 ブタジエンゴム、 ポリ エーテルブロックアミドなどの材料を用いて形成されている。 また、 この形状は 凸型とし、 生体との接触をよくすることができる。 この構造により、 短軸可変フ オーカス機能を備えるとともに、 凹面の圧電層 2によりビームをフォーカスする ことができる。 その結果、 音響レンズを使用しなくてもビームをフォーカスでき るため、 超音波の減衰を減らし、 高感度な画像を得ることができる。
(第 5の実施形態)
図 1 0に、 本発明に係る超音波探触子の第 5実施形態の圧電層部分の断面図を 示す。 本実施形態が第 2の実施形態と異なる点は、 圧電層 2の断面形状を図のよ うに凹状とし、 それに沿って音響整合層 3の断面を凹状にしたことにある。 つま り、 圧電層 2は超音波の射出面と背面とが平行な凹面となるように形成し、 さら に圧電層 2の背面に調整層 9を配設し、 調整層 9の厚みを中心部で最も薄く、 両 端部に向かって厚くし、 端部で最も厚くなる構造に形成している。 これにより、 厚みに依存した周波数特性が得られる。 また、 音響レンズに代えてカバー材 1 0 を設けた構造にしている。 調整層 9とカバ一材 1 0の材料は、 第 4実施形態と同 様である。 この第 5実施形態によれば、 短軸可変フォーカス機能を備えるととも に、 凹面の圧電層 2によりビームをフォーカスすることができる。 その結果、 音 響レンズを使用しなくてもビームをフォ一カスできるため、 超音波の減衰を減ら し、 高感度な画像を得ることができる。
(第 6の実施形態)
図 1 1に、 本発明に係る超音波探触子の第 6実施形態の圧電層部分の断面図を 示す。 本実施形態は、 第 4と第 5の実施形態を組み合わせたもので、 それら 2つ の実施形態の効果を合わせた効果が得られる。 つまり、 低周波で短軸方向に均等 な音圧をもち、 各周波数においてビームの一層細い可変口径機能を実現すること ができる。 また、 レンズを使用しないため減衰を減らすことができ高感度な画像 が得られる。
(第 7の実施形態) '
図 1 2に、 本発明に係る超音波探触子の第 7実施形態の圧電層部分の断面図を 示す。 本実施形態は、 図 3の実施形態と同様に、 第 1圧電層 2— 1は、 超音波の 射出面が平面で、 背面が凸面の平ー凸型に形成されている。 また、 第 2圧電層 2 _ 2は、 超音波の射出面が凹面で、 背面が平面の凹一平型に形成されている。 そ れら第 1圧電層 2— 1と第 2圧電層 2— 2との境界面は., 短軸方向の中心部に稜 線を有する山形に形成され、 この境界面に共有電極 8が設けられている
この実施形態によれば、 図 3の実施形態と同様に、 低周波においても、 端部の 音圧が中心に比べて高くならず、 音圧分布が均一化されていることから S /N比 が低下せず、 近傍から深部にかけて分解能の高い画像が得られる。
なお、 本実施形態においても、 第 2圧電層 2— 2の背面側に、 図 7の調整層 9 を設けることができる。 (第 8の実施形態)
図 1 3に、 本発明に係る超音波探触子の第 8実施形態の圧電層部分の断面図を 示す。 本実施形態は、 図 1 1の実施形態の第 1圧電層 2— 1と第 2圧電層 2 _ 2 の構造を、 図 1 2と同様に、 それらの境界面が短軸方向の中心部に稜線を有する 山形に形成されたものである。 これによつても、 図 1 1の実施形態と同様に、'低 周波で短軸方向に均等な音圧をもち、 各周波数においてビームの一層細い可変口 径機能を実現することができる。 また、 レンズを使用しないため減衰を減らすこ とができ高感度な画像が得られる。
なお、 本実施形態においても、 第 2圧電層 2 _ 2の背面側に、 図 7の調整層 9 を設けることができる。
(第 9の実施形態)
図 1 4に、 本発明に係る超音波探触子の第 9実施形態の圧電層部分の断面図を 示す。 本実施形態は、 図 1 2の実施形態の圧電層 2の超音波の射出側に音響整合 層 3を設け、 音響レンズ 5の形状を凹面の音響レンズ 1 1に代えたものである。 この凹面の音響レンズ 1 1によれば、 レンズの薄い部分と厚い部分で音圧の差が できる。 これにより、 超音波ビームが短軸方向に一層細くなり、 圧電層 2の構造 との結合により、 低周波の超音波ビームも細くなるから、 各周波数で一層細いビ —ムの可変項形機能を実現することができる。
この凹面の音響レンズ 1 1は、他の実施形態にも適用することができる。また、 本実施形態においても、 第 2圧電層 2— 2の背面側に図 7の調整層 9を設けるこ とができる。
(第 1 0の実施形態)
図 1 5に、 本発明に係る超音波探触子の第 1 0実施形態の圧電層部分の断面図 を示す。 本実施形態は、 図 3の実施形態と同様に、 第 1圧電層 1 2— 1は、 超音 波の射出面が平面で、 背面が凸面の平ー凸型に形成されている。 また、 第 2圧電 層 1 2 — 2は、 超音波の射出面が凹面で、 背面が平面の凹一平型に形成されてい る。 それら第 1圧電層 1 2— 1と第 2圧電層 1 2— 2との境界面は、 短軸方向の 中心部において第 2圧電層側に突出させた平坦部と、 両端部において第 1圧電層 側に突出させて形成された平坦部とを有して形成され、 この境界面に共有電極 8 が設けられている。
この実施形態によれば、 図 3の実施形態と同様に、 低周波においても、 端部の 音圧が中心に比べて高くならず、 音圧分布が均一化されていることから S ZN比 が低下せず、 近傍から深部にかけて分解能の高い画像が得られる。 また、 本実施 形態においても、 第 2圧電層 1 2— 2の背面側に図 7の調整層 9を設けることが できる。
(第 1 1の実施形態)
図 1 6に、 本発明に係る超音波探触子の第 1 1実施形態の圧電層部分の断面図 を示す。 本実施形態は、 圧電層 1 3を、 それぞれ一定の厚みに形成された第 1圧 電層 1 3— 1と第 2圧電層 1 3— 2とで構成し、 第 1圧電層 1 3— 1は短軸方向 の中心部から端部に向かうにつれて圧電材の密度が小さくなるように形成され、 第 2圧電層は短軸方向の中心部から端部に向かうにつれて圧電材の密度が大きく なるように形成されている。 これにより、 第 1圧電層 1 3— 1は中心から両端に 向かって周波数定数が大きく、 第 2圧電層 1 3— 2は中心から両端に向かって周 波数定数が小さくなり、 短軸方向の周波数応答特性を調整することができる。 圧 電材の密度は、 前述した圧電セラミックスなどの圧電材の気孔率を変えることに より調整できる。 また、 樹脂などを混入することにより、 調整できる。
本実施形態によれば、 低周波で短軸方向に均等な音圧を有する分布を形成する ことができ、広い周波数の範囲でビームの細い可変口径機能を実現できる。また、 本実施形態においても、 第 2圧電層 1 3— 2の背面側に図 7の調整層 9を設けた り、 図 9のように圧電層を凹面状に形成したり、 図 1 4の凹面音響レンズ 1 1を 設けたりするなど、 適宜、 他の実施形態の特徴技術を採用することができる。 また、 本実施形態における圧電材の密度を調整することに代えて、 圧電材の弹 性定数を調整することによつても、 同様の効果を得ることができる。 つまり、 第 1圧電層 1 3 — 1は短軸方向の中心部で弾性定数が小さく、 端部に向かうにつれ て弹性定数が大きくなるように形成され、 第 2圧電層は短軸方向の中心部で弾性 定数が大きく、 端部に向かうにつれて弹性定数が小さくなるように形成する。 以上述べたように、 本発明の各実施形態によれば、 短軸方向の中心から端部に かけて周波数の応答特性が変化し、 中心部では低周波から高周波までの広い帯域 をもち、 端部では高周波の応答が小さくなる狭い帯域を有する特性を持たせるこ とができる。 また、 低周波の場合も両端の音圧が高くならず、 中心から端にかけ て均等な音圧を得ることができる。 さらに、 高周波では中心部からの応答が大き くなり、プローブ近傍にフォーカスされ低周波では全口径の応答により深部にフ ォ一カスされ分解能の高い画像が得られる。

Claims

請求の範囲
1 . 複数の振動子を有してなる超音波探触子と、 該超音波探触子の前記振動 子を駆動する超音波信号を供給する送信手段と、 前記超音波探触子により受信さ れる反射エコー信号を受信処理する受信処理手段と、 該受信処理手段により処理 された前記反射エコー信号に基づいて超音波画像を再構成する画像処理手段と、 該画像処理手段により再構成された超音波画像を表示する画像表示手段とを備え た超音波診断装置において、
前記超音波探触子は、 圧電層と該圧電層を挟んで設けられた一対の電極を含ん でなる超音波振動子を複数配列して形成され、
前記圧電層は共通電極を挟んで超音波の射出側に配設された第 1圧電層と反対 側に配設された第 2圧電層とを有し、 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層は前記超 音波振動子の配列方向に直交する短軸方向の中心部における相対音圧が端部の相 対音圧より高くなるように構成されていることを特徴とする超音波診断装置。
2 . 前記各超音波振動子は、 前記超音波振動子の配列方向に直交する短軸方 向に均等な低周波応答分布を有し、 前記短軸方向の中心部において高い高周波応 答分布を有してなる請求項 1に記載の超音波診断装置。
3 . 前記第 1圧電層と前記第 2前記第 2圧電層との境界面が第 2圧電層側に 凹ませた曲面に形成されてなることを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装 置。
4 . 前記第 2圧電層の超音波の反射出側に、 前記圧電層を構成する圧電材に 近い音響インピーダンスを有する材料からなる調整層が設けられ、 該調整層は前 記短軸方向の厚みが中心部から端部に向かうにつれて徐々に厚く形成されてなる ことを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
5 . 前記一対の電極の一方の電極面側に配設された音響整合層と、 前記電極 の他方の電極面側に配設されたバッキング層とを備えてなる請求項 1に記載の超 音波診断装置。
6 . 前記第 1圧電層は前記短軸方向の端部の厚みが中心部の厚みよりも薄く 形成され、 前記第 2圧電層は前記端部の厚みが前記中心部よりも厚く形成されて なることを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
7 . 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層の前記一対の電極に接する面がそれぞ れ平面に形成され、 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層との境界面は、 前記短軸方 向の中心部に稜線を有する山形に形成されてなることを特徴とする請求項 1に記 載の超音波診断装置。
8 . 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層の前記一対の電極に接する面がそれぞ れ平面に形成され、 第 1圧電層と第 2圧電層との境界面は、 前記短軸方向の中心 部において第 2圧電層側に突出させた平坦部と、 両端部において第 1圧電層側に 突出させて形成された平坦部とを有してなることを特徴とする請求項 1に記載の 超音波診断装置。
9 . 前記第 1圧電層の超音波の射出側の面が凹面に形成され、 前記第 2圧電 層の超音波の反射出側の面が凸面に形成され、 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層 との境界面が第 1圧電層の超音波の射出側の面の曲率よりも大きな曲率で前記第 2圧電層側に凹ませて形成されてなることを特徴とする請求項 1に記載の超音波 診断装置。
1 0 . 前記第 1圧電層の超音波の射出側の面が凹面に形成され、 前記第 2圧 電層の超音波の反射出側の面が凸面に形成され、 前記第 1圧電層と前記第 2圧電 層との境界面は、 前記短軸方向の中心部に稜線を有する山形に形成されてなるこ とを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
1 1 . 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層がそれぞれ一定の厚みに形成され、 前記第 2圧電層に接する電極の背面に、 前記圧電層を構成する圧電材に近い音響 インピーダンスを有する材料からなる調整層を設け、 該調整層は前記超音波振動 子の配列方向に直交する方向の厚みが中心部から端部に向かうにつれて徐々に厚 く形成されてなることを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
1 2 . 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層がそれぞれ一定の厚みに形成され、 前記第 1圧電層は前記短軸方向の中心部から端部に向かうにつれて該圧電層を構 成する圧電材の密度が小さくなるように形成され、 前記第 2圧電層は前記短軸方 向の中心部から端部に向かうにつれて該圧電層を構成する圧電材の密度が大きく なるように形成されてなることを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
1 3 . 前記第 1圧電層と前記第 2圧電層がそれぞれ一定の厚みに形成され、 前記第 1圧電層は前記短軸方向の中心部で弾性定数が小さく、 端部に向かうにつ れて弾性定数が大きくなるように形成され、 前記第 2圧電層は前記短軸方向の中 心部で弾性定数が大きく、 端部に向かうにつれて弾性定数が小さくなるように形 成されてなることを特徴とする請求項 1に記載の超音波診断装置。
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