WO2004064105A1 - 陰極線管装置 - Google Patents

陰極線管装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2004064105A1
WO2004064105A1 PCT/JP2004/000219 JP2004000219W WO2004064105A1 WO 2004064105 A1 WO2004064105 A1 WO 2004064105A1 JP 2004000219 W JP2004000219 W JP 2004000219W WO 2004064105 A1 WO2004064105 A1 WO 2004064105A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
electron beam
grid
lens
force
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/000219
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hirofumi Ueno
Tsutomu Takekawa
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kabushiki Kaisha Toshiba filed Critical Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority to KR1020047013639A priority Critical patent/KR100662938B1/ko
Publication of WO2004064105A1 publication Critical patent/WO2004064105A1/ja
Priority to US10/942,913 priority patent/US7030548B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns
    • H01J29/488Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48Electron guns
    • H01J29/50Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
    • H01J29/503Three or more guns, the axes of which lay in a common plane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/48Electron guns
    • H01J2229/4834Electrical arrangements coupled to electrodes, e.g. potentials
    • H01J2229/4837Electrical arrangements coupled to electrodes, e.g. potentials characterised by the potentials applied
    • H01J2229/4841Dynamic potentials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2229/00Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2229/48Electron guns
    • H01J2229/4844Electron guns characterised by beam passing apertures or combinations
    • H01J2229/4848Aperture shape as viewed along beam axis

Definitions

  • the present invention relates to a cathode ray tube device, and more particularly to a power line configured to form fine beam spots on the entire surface of a phosphor screen to stably provide high resolution and good image quality.
  • the present invention relates to a single cathode ray tube device.
  • a method of forming a small beam spot on the phosphor screen a method of forming a small virtual object diameter of the electron beam is generally known (for example, , Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-3
  • the third grid is connected to an anode and a resistor for dividing a voltage.
  • the second grid and the third grid are supplied with a high voltage i> o, and a low voltage supplied to the second daid constituting the prefocus lens.
  • a large potential difference is formed between the ridge and the ridge. That is, a prefocus lens having a strong prefocus action is formed.
  • ⁇ ss- greatly penetrates into the ss- of the second Daridot G 2 through which the electron beam passes, and the effect of reducing the virtual object diameter can be obtained.
  • the deflection yoke generates an asymmetric deflection magnetic field. It is composed of Due to the effect of this deflection magnetic field, the phosphor screen
  • Beam spots formed on the V-line cause bleeding, especially at the periphery of the screen.
  • a method of forming a V-force lens having an astigmatism effect in which the forcible force in the vertical direction is stronger than the horizontal direction is generally used. It has been adopted regularly. Specifically, a method of forming a horizontal z-slit around the electron beam M hole on the third grid side of the second grid, and the second grid of the third grid V The grid has a vertically long V around the electron beam passage hole on the side.
  • V causes distortion, resulting in poor image quality
  • the slit formed in the second grid or the third grid it is necessary to design the slit formed in the second grid or the third grid to have a shallow depth ⁇ to reduce the astigmatism effect.
  • the beam spot shape becomes more sensitive to variations in the molding accuracy of electronic components and the accuracy of electronic assembly. For this reason, problems such as image quality degradation tend to occur. As a result, it is difficult to stably obtain good image quality.
  • the beam spot is small over the entire phosphor screen and has little elliptical distortion.
  • -It is necessary to form ⁇
  • a high voltage electrode for example, the third grid
  • a high voltage for example, an electrode potential on the low voltage side that constitutes the main lens.
  • a high voltage for example, an electrode potential on the low voltage side that constitutes the main lens.
  • the permeation voltage to the electron beam passage hole of the low voltage side ⁇ pole (for example, the second grid) constituting the lens is increased. This makes it possible to form a small beam spot on the phosphor screen.
  • the change in the lens action per unit size of the electrode constituting the pre-forcing lens becomes large.
  • the electrode constituting the pre-focus lens is provided with a structure such as a structure that gives an astigmatism effect, the intensity of the pre-focus lens effect will vary, resulting in a stable and favorable operation. It becomes impossible to form a beam spot having a complicated shape. In other words, the above-mentioned method cannot provide a sufficiently small and stable beam spot.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and has as its object to provide a cathode ray tube device capable of stably displaying a fine and high-resolution image.
  • the cathode ray tube device is:
  • An electron beam generating unit for generating an electron beam; a pre-force lens unit for accelerating an electron beam generated from the electron beam generating unit; and a pre-force lens unit for pre-focusing the electron beam.
  • a sub-lens section for further pugi-forcing the electron beam pre-focused by the lens section, and an electron beam pre-focused by the sub-lens section on the phosphor screen.
  • An electron gun assembly having a main lens that accelerates and focuses toward A deflection magnetic field for deflecting the electron beam emitted from the gun body horizontally and vertically.
  • the pre-force lens portion is constituted by a screen power and a first force pole on which the first level voltage is applied, at least. At the same time, it is formed substantially rotationally symmetric with respect to the traveling direction of the electron beam,
  • the sub-lens section includes at least the first force electrode, a second force electrode to which a second level voltage lower than the first level tu is applied, Composed by
  • the soil lens portion is composed of at least the second force pole and an anode pole to which a third level voltage higher than the target U level is applied.
  • the electron gun assembly has an asymmetric electron lens portion such that the horizontal diameter of the electron beam of the BU incident on the main lens portion is larger than the vertical diameter.
  • An electron beam generating section for generating an electron beam; a pre-focus lens section for accelerating an electron beam generated from the electron beam generating section and forcing the electron beam; A sub-lens section that further pre-focuses the electron beam prefocused by the pre-force lens section, and an electron beam that is pre-focused by the sub-lens section.
  • An electron gun assembly having a main lens portion that accelerates the beam toward the phosphor screen and also focuses, and A deflection magnetic field that generates a deflection magnetic field that deflects the electron beam emitted from the electron gun assembly in a horizontal direction and a vertical direction.
  • the pre-focus lens section is composed of at least a screen electrode and a first focus electrode to which a first-level voltage is applied. Is formed substantially rotationally symmetric with respect to the traveling direction of the
  • the sub-lens unit includes at least the first focus electrode, a second focus electrode to which a second level m pressure lower than the first level U is applied, and the first focus electrode. Force electrode and the
  • the main lens portion includes at least the second focus electrode, and an anode electrode to which a third level pressure higher than the first level is applied.
  • the intermediate electrode is electrically connected to the screen electrode, and a force ⁇ , a fourth level lower than the second level is applied to the intermediate electrode and the screen electrode. Voltage is applied,
  • the electron gun assembly is characterized in that it has an asymmetric electron lens portion such that the horizontal diameter of the electron beam before entering the main lens portion is larger than the vertical diameter.
  • FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a structure of a cathode ray tube device according to one embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 shows an electron gun structure applicable to the cathode ray tube device shown in Fig. 1. It is a horizontal sectional view showing roughly the structure of the body.
  • FIG. 3A is a perspective view schematically showing a structure of a first dalid applicable to the electron gun structure shown in FIG.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing a structure around the electron beam passage hole of the first grid shown in FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a perspective view schematically showing a structure of a second dalid applicable to the electron gun structure shown in FIG.
  • FIG. 5 is a perspective view schematically showing a structure of a third grid applicable to the electron gun structure shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the voltage applied to the focus electrode and the deflection current in the electron gun structure shown in FIG.
  • FIG. 7 is a horizontal sectional view schematically showing another structure of the electron gun structure applicable to the cathode ray tube device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a perspective view schematically showing a structure of a first dalid applicable to the electron gun structure shown in FIGS. 2 and 7.
  • FIG. 9 is a perspective view schematically showing the structure of a third dalid applicable to the electron gun structure shown in FIGS.
  • FIG. 10 is a perspective view schematically showing a structure of a first segment applicable to the electron gun structure shown in FIG. 2 and FIG.
  • FIG. 11 is a perspective view schematically showing a structure of an intermediate electrode applicable to the electron gun structure shown in FIGS. 2 and 7.
  • FIG. 12 is a horizontal sectional view schematically showing another structure of an electron gun structure applicable to the cathode ray tube device shown in FIG.
  • FIG. 13 is a perspective view schematically showing the structure of a cylindrical body applied to the electron gun structure shown in FIG.
  • FIG. 14 is a horizontal sectional view schematically showing another structure of the electron gun structure applicable to the cathode ray tube device shown in FIG.
  • a cathode ray tube device that is, a self-compensation type in-line type color cathode ray tube device has an outer neck 9 made of glass.
  • the outer periphery 9 has a panel 1 and a funnel 2 integrally joined to the nonel 1.
  • the panel 1 has a green, red and green color on its inner surface. Equipped with a phosphor screen 3 consisting of three-color phosphor layers that emit light, dots, or stripes, respectively.
  • a phosphor screen 3 consisting of three-color phosphor layers that emit light, dots, or stripes, respectively.
  • o Shak mask 4 faces phosphor screen 3.
  • the shadow of the shadow, Kumas'k 4 has many electron beam passage holes in its plane.
  • the in-line type electron gun structure 7 is disposed inside a cylindrical neck 5 corresponding to the small diameter portion of the funnel 2.o
  • the electron gun structure 7 is a center passing through the same horizontal plane.
  • Beam 6 G Yo-i 3 mr child beam 6 B, 6 consisting of paired beams 6 B, 6 R
  • the deflector H 8 is mounted along the outer surface extending from the large diameter portion of the funnel 2 to the neck 5.
  • This deflection 3-8 is a non-uniform deflection that deflects the 3 electron beams 6B6G6R emitted from the S-Ienna gun structure 7 in the horizontal (X) and vertical (Y) directions.
  • the asymmetric magnetic field of o that generates the magnetic field is a pink x It is formed for the deflection magnetic field and the vertical deflection magnetic field of the barrel type.
  • the three-beams 6B, 6G, and 6R emitted from the electron gun assembly 7 are converted into shadows and electron beams of a mask 4. While undergoing self-conduction near the passage hole, it is deflected by the non-uniform magnetic field generated by deflection shock 8.
  • the three electron beams 6R, 6G, and 6B run the phosphor screen 3 through the shadow mask 4 in the horizontal direction X and the vertical direction Y.
  • a color image is displayed by shaping each electron beam and landing it on a phosphor layer of a specific color.
  • the electron gun assembly 7 includes three force sources (R, G ⁇ B) arranged in a row in the horizontal direction X, and these cathodes K (R, G, B). It has three heaters and six electrodes that are individually heated. 6 electrodes, i.e. the first grid,
  • 2nd, 3rd grid, (1st focus electrode) G3, 4th grid (2nd focus electrode) G4, and 5th grid (anode electrode) G5 is sequentially arranged along the tube axis Z from the input source K (RG, B) to the phosphor screen.
  • the dalid G 4 is composed of at least two segments arranged in order along the pipe axis Z, namely the first segment G 4 _ 1 and the second segment G 4 12. ing. These cathodes K (R, G, B) and the six electrodes are fixed to the body by a pair of insulating supports
  • the first grid G1 is composed of a plate-like electrode.
  • This plate-shaped electrode has three force sources K (R, G,
  • the electron beam passage hole 11 A is provided in the horizontal direction. It is formed in a horizontally long rectangular shape having a long side in X and a short side in the vertical direction Y
  • the first good 'G 1 of ⁇ has a slit 11 B long in the horizontal direction X around the electron beam passage hole 11 A on the opposite side to the second grid KG 2.
  • 1B has a long side extending in the horizontal direction X longer than the horizontal diameter of the thunderbolt beam 11A and the electron beam passage hole 11
  • It is longer than the vertical diameter of A and is formed in a horizontally long rectangular shape with a short side extending in the vertical direction Y.
  • such a first grid, G 1 is constituted by a plate-like electrode having a plate thickness T of, for example, less than 1 mm. Thickness T is 0 • 15 to 0.2
  • the electron beam passage hole 11A has a horizontal diameter of about 0.6 mm and a vertical diameter of about 0.4 mm.
  • the plate t around the formed child beam passage hole 11A is about 30 to 60% of the plate thickness T. In the embodiment of ⁇ , 0.06 to 0.0%. 9 mm.
  • the second grid, G 2 is composed of a plate-like electrode. ⁇ This plate-like electrode is ⁇ attached to its plate tfi with three force sources K (R, G, It has three electron beam passage holes formed in a row in the horizontal direction X corresponding to B). That is, as shown in FIG. 4, the second dalid G 2 has a circular electron beam passage hole 12.
  • the third grid G3 is formed by a cylindrical electrode having an integral structure.
  • This cylindrical electrode has three force sources K (R, G, B) corresponding to the surface facing the second grid G2 and the surface facing the fourth grid G4. It has three electron beam passage holes formed in a line in the horizontal direction X. That is, as shown in FIG. 5, the third grid G3 has a circular electron beam passage hole slightly larger than the electron beam passage hole 12 on the surface facing the second dalide G2. It has 1 3. Further, the third grid G3 has an electron beam passage hole larger than the electron beam passage hole 13 on the surface facing the fourth grid G4.
  • the first segment G4-1 of the fourth dalyd G4 is constituted by a cylindrical electrode having an integral structure.
  • This cylindrical electrode has three force sources K (R, G, B) on the surface facing the third Daridot G3 and the surface facing the second segment G4-2.
  • it has three electron beam passage holes formed in a row in the horizontal direction X.
  • the electron beam passage hole formed on the surface facing the third grid G3 is circular and formed on the surface facing the second segment G412.
  • the electron beam passage hole has a vertically long shape having a major axis in the vertical direction Y.
  • the second segment G4-2 of the fourth dalyd G4 is formed by a cylindrical electrode having an integral structure.
  • This cylindrical electrode is the first On the surface facing segment G 4-1 and the surface facing fifth Darid G 5, one row in horizontal direction X corresponding to three force sources K (R, G, B) It has three electron beam passage holes formed in the hole.
  • the electron beam passage hole formed on the surface facing the first segment G4-1 has a horizontally long shape having a major axis in the horizontal direction X.
  • the electron beam passage hole formed on the surface facing the grid G5 is circular.
  • the fifth grid G5 is formed by a cylindrical electrode having an integral structure.
  • This cylindrical electrode has three force sources K (R, G, B) on the surface facing the second segment G4-2 and on the phosphor screen side. It has three electron beam passage holes formed in a row in the horizontal direction X. In this embodiment, the electron beam passage holes formed on both end faces of the cylindrical electrode are circular.
  • a voltage obtained by superimposing a video signal on a DC voltage of about 190 V is applied to the cathode K.
  • the first grid G1 is grounded.
  • a DC voltage of about 800 V is applied to the second grid G2.
  • a fixed DC voltage of about 8.0 kV, that is, a focus voltage Vf1 is applied to the first segment G4-1 of the fourth grid G4.
  • the second segment G 4 — 2 of the fourth grid G 4 has a fixed DC voltage V f 2 of approximately 8.0 kV, which is almost the same as the focus voltage V f 1, and a parabolic shape.
  • a dynamic focus voltage on which a changing AC voltage component Vd is superimposed is applied. As shown in Fig. 6, this dynamic focus voltage is synchronized with the sawtooth-like deflection current and changes with the change in the electron beam deflection amount. It changes into a labora shape.
  • the link force voltage is 8.0 kV at the lowest and, for example, about 9.0 kV at the highest.
  • An anode voltage Eb of about 30 kV is applied to the fifth grid G5.
  • the third grid G3 is applied with a voltage of a level higher than the force voltage Vf1 and lower than the anode voltage Eb, for example, a voltage of about 12.0 kV. .
  • the third grid G3 of ⁇ is connected to a resistor R disposed near the gun body 7 in the neck 5 of the cathode ray tube device. One end is electrically connected to the fifth grid G5, and the other end of the resistor R is grounded.
  • a voltage obtained by dividing the anode and the mi pressure Eb by a resistor R is applied.
  • the third grid G3 is connected to the voltage supply terminal Ra of the resistor R, and a predetermined level of voltage is applied through the resistor R.
  • the electron gun assembly 7 having the above-described configuration, by applying the above-described voltage to each grid, a child beam generating section, a pre-focus lens section, a sub-lens section, and the like are provided. ., The main lens part is formed respectively.
  • the electron beam generating section is formed by the power grid K, the first grid G1, and the second grid G2.
  • the electron beam generating section generates an electron beam and forms an object point with respect to the main lens section.
  • the pre-force lens portion is formed by at least two electrodes, that is, the second grid V G2 and the third grid G 3.
  • This pre-focus lens section The electron beam generated from the electron beam generating section is formed substantially rotationally symmetrical with respect to the traveling direction of the electron beam, and accelerates the electron beam. Pre-focus with force. That is, the pugi-focal lens portion has no astigmatism effect.
  • the suppress portion is formed by at least two electrodes, that is, the first segment G411 of the third grid G3 and the fourth grid G4.
  • This sub lens portion further reduces the divergence angle when the pre-forced electron beam is further pre-forced.
  • the main lens part is formed by the fourth grid G4 and the fifth grid G5, and the main lens part of the main lens is formed by the pre-focused electron beam and the phosphor screen V3.
  • the electron beam is deflected toward the periphery of the phosphor screen, the electron beam is deflected toward the periphery of the phosphor screen. 4 First segment of grid G 4 G 4 —
  • a non-axisymmetric lens portion having a different force in the horizontal direction X and the vertical direction Y is formed between the first segment and the second segment G4-2. That is, at the time of deflection, first segmenting preparative G 4 one first and second segmenting Bok G 4 - potential power s electron beam one beam deflection amount increased accompanied to connexion expand between 2. Is the electron beam deflection angle
  • the maximum potential difference between the first and second segments G4-1 and G4-2 causes a horizontal force X between the first segment G4-1 and the second segment G4-2.
  • a quadrupole lens having a diverging action in the vertical direction Y is formed in addition to having a swelling action.
  • the potential difference between the two-segment G4 — 2 and the fifth dalyd G5 is small, and the lens strength of the main lens is weak. That is, the electron beam is emitted from the phosphor screen.
  • the intensity of the main lens is reduced in response to the fact that the distance from the electron gun structure to the phosphor screen is increased due to the deflection toward the periphery of the screen, and the image point becomes farther. To compensate for the defocus of the electron beam,
  • the electron beam 6 (R, G, ⁇ ) is ⁇ the second grid G
  • the light enters the pre-focus lens portion formed by the second and third grids G 3 and undergoes a pre-focus action.
  • Yo electronic
  • the electron beam 6 (R, G, ⁇ ) is the third grid G
  • (R, G, B) compensates for the deflection aberration when passing through the quadrupole lens section formed by the first segment h G4 11 and the second segment G 4-2 That is, the electron beam 6 (R, G, B) receives a force action in the horizontal direction X and a divergent action in the vertical direction Y. The transverse distortion of the beam spot of the electron beam reaching the periphery of the phosphor screen is relaxed. Also, the electron beam is directed toward the center of the phosphor screen. 6 (RGB) is the t finally incident on the a ⁇ main lens eligible to receive the action of the quadrupole lens section, electron beams one beam 6 (R, G, B) is the fourth grid KG
  • the electron beam 6 (R 5G, B) finally enters the phosphor screen due to the main lens portion formed by the fourth and fifth darlids, G5. When accelerated toward the screen, it is finally focused on the corresponding phosphor layer. Also, the synergy between the pre-focus lens sound
  • the sub gun 7 is incident on the main lens unit. It has an asymmetrical pen lens section so that the horizontal diameter of the electron beam before the scanning is larger than the vertical diameter. That is, the electric field formed between the first grid VKG1 and the second grid V, G2 having the horizontally elongated electron beam passage holes 11A and the horizontally elongated slits 11B is an electron beam. Constructs an asymmetric electron lens part with one horizontal section
  • the first child VG1 is formed with a horizontal child beam passage hole 11A and a horizontal slit 11B together with the first slit VG1. If one of the elongated electron beam passage hole 11A and the elongated slot 11B is formed in the first grid V1 and G1, the first grid is formed.
  • An asymmetric electron lens portion can be formed between G1 and the second grid, G2.o By combining them, the asymmetric electron lens portion can be more effectively formed. The lens action can be easily adjusted.
  • the electron beam generated from the electron beam generating section is generated.
  • the electron beam 6 (R, G, B) is formed between the first Darid, G1 and the second VV de G2 after emitting each force K (R, G ⁇ B). Due to the applied electric field, a stronger focusing action is applied in the vertical direction Y than in the horizontal direction X. For this reason, the electron beam 6 (R, G, B) is shaped so as to have a horizontally long shape (a shape in which the horizontal diameter is larger than the vertical diameter) in a cross section perpendicular to the tube axis Z. It will be incident on the pre-focus lens. Therefore, it is possible to compensate for the effect of the deflection aberration caused by the deflection magnetic field, and to reduce the shape of the beam spot on the phosphor screen. Can be effectively suppressed.
  • the first grid and the second grid in the electron beam generating portion having a relatively low potential difference are not applied to the prefocal lens portion having a large potential difference, but to the astigmatism effect.
  • the astigmatism effect is provided between the y-axis and the y-axis. For this reason, it is possible to suppress the variation of the astigmatism effect with respect to the variation of the addendum of the first grid and the second grid, and to secure stable performance even when mass-produced.
  • the secondary gun structure 7 shown in Fig. 7 has the same configuration as the electron gun structure shown in Fig. 2, but also the third grid, G3, and the second + The fourth good that constitutes
  • An intermediate electrode G M is provided between the first segment G 41 of G 4 and o
  • This intermediate electrode GM is composed of a plate-like electrode.
  • This plate-shaped electrode has three force rods K (R G)
  • This intermediate electrode GM is separated from the second electrode KG 7 by 7
  • the lens strength of the sub-lens portion can be further enhanced, and the light intensity before entering the main lens portion can be improved.
  • the asymmetric electron lens portion may be formed by an electric field other than the electric field between G1 and the second grid G2. That is, the first grid G1 is
  • Fig. 8 As shown in Fig. 8, it has neither a horizontally long e-beam passing hole nor a horizontally long slit, and has a circular e-beam passing hole.
  • the sub-lens portion forms an asymmetric electron lens portion having astigmatism.
  • That third glycidyl Tsu de G 3 are vertical ⁇ Ka s horizontal by direction diameter Ri large of Rere elongated electron Bee surface facing the ⁇ first segmenting Bok G 4 one 1 thereof Remind as in FIG. 9 It has a system passage hole.
  • the electron beam passage hole of the third grid G3 is formed in a vertically long rectangular shape having a short side in the horizontal direction X and a long side in the vertical direction Y.
  • the first segment G4-1 is shown in Fig. 1.
  • the first segment is used.
  • the electron beam passage hole of the unit G4-1 has a long side in the horizontal direction X and especially in the vertical direction.
  • the sub-lens portion has a lens action in which the force in the vertical direction Y is stronger than that of the focus in the horizontal direction X.
  • the electron beam generated from the sub-beam generator passes through the pre-force lens while maintaining a substantially circular shape in a cross section orthogonal to the tube axis z, and then enters the sub-lens sound. You. Then, the sub-beam is subjected to a stronger focusing action in the vertical direction Y than in the horizontal direction X by the astigmatism action formed by the sub-lens portion. Since the electron beam is horizontally long in a cross section perpendicular to the tube axis z, a sufficiently small size and low distortion beam spot is formed on the phosphor screen as in the above-described embodiment. This makes it possible to stably display high-definition and high-resolution images.
  • the third lens G, G 3 and the first segment in the sub-lens portion having a relatively low potential difference are not provided.
  • G 4-1 is configured so as to provide a non-point-harvesting effect between and. For this reason, it is possible to suppress the variation of the astigmatism effect with respect to the fluctuation of the addition accuracy of the third grid and the first segment, and to achieve stable performance even in mass production. Can be secured o
  • an asymmetric electron lens portion may be formed by using an electric field other than the electric field between the first grid G1 and the second grid G2. That is, the first grid G1 has a circular electron beam passage hole as shown in FIG.
  • the sub lens unit has a vertical ⁇ ⁇ Construct an asymmetric electron lens having astigmatism stronger than the forcing force.
  • O The sub-lens having such astigmatism is composed of the third grid G3 and the first segment G4. This is formed by forming a horizontally long electron beam passage hole as shown in FIG.
  • the electron beam passage hole of the intermediate electrode GM is formed in a horizontally long rectangular shape having a long side in the horizontal direction X and a short side in the vertical direction Y.
  • the intermediate electrode GM having such a horizontally elongated electron beam passage hole, and the third grid G3 and the 1-segment having a vertically elongated electron beam passage hole on the surface facing the intermediate electrode GM.
  • the lens strength of the sub-lens part can be further enhanced in addition to the effect of the sub gun structure described above.
  • the astigmatism effect can be more effectively applied to the electron beam of the eye [J incident on the lens unit.
  • a beam spot having a sufficiently small size and a small distortion can be formed on the phosphor screen. fine and high the resolution for displaying the images stably for a possible force s o also, mass production was play a Niore, stable performance even Ru can and child secured.
  • the main lens portion and the extended field electron lens may be used, that is, as shown in FIG.
  • the second segment G4-12 of G4 is constituted by two cylindrical electrodes and one electric field compensator. That is, the second segment G 4-2 is constituted by sandwiching an electric field correction plate G 4 22 1 having an electron beam passage hole between two cylindrical electrodes G 4 2-1 and G 4 2 13. I have.
  • the first cylindrical electrode G42-1 is arranged so as to face the first segment G411. This first cylindrical electrode G 4 2 1 1
  • the electric field correction plate G422 is a plate-like electrode arranged on the side of the fifth tubular member G5 of the first cylindrical electrode G42-1.
  • the electric field correction plate G 4 2 — 2 has three electron beam passage holes formed in a row in the horizontal direction corresponding to three force sources K (R, G, B) on the plate tfi.
  • the two cylindrical electrodes G 4 2 — 3 having the electrodes are connected to the fifth grid G of the electric field compensator G 42-2.
  • This second cylindrical electrode G42-3 is
  • the fifth grid G5 is composed of two cylindrical electrodes and one electric field correction plate. That is, the fifth grid G5 is
  • An electric field correction plate G512 having an electron beam passage hole is interposed between two cylindrical electrodes G5-1 and G5-3.
  • the first cylindrical electrode G5-1 is arranged so as to face the second segment G4-2.
  • the first cylindrical electrode G51-11 has an opening on the surface facing the second segment G4-2, through which the three electron beams are commonly passed.
  • the electric field compensator G 5 — 2 is the first cylindrical electric It is a plate-like electrode arranged on the light screen side of pole G511.
  • the electric field compensator G 5 — 2 was formed on the plate surface in a row in the horizontal direction corresponding to the three cathodes ⁇ (R, G, B).
  • No. 3 is located on the phosphor screen side of the electric field compensator G5-2.
  • the poles G5-13 are formed in a row in the horizontal direction corresponding to ⁇ 3 cathodes K (R, ⁇ G, B) With electron beam passage holes
  • the first cylindrical electrode G5-1 of 5D and V5 is formed as a cylindrical body as shown in Fig.13. If an electric field expansion type main lens is constructed, It is only necessary that at least a part of the electrodes constituting the main lens part be provided with a cylindrical body.
  • At least one of the surfaces opposed to 2 has a cylindrical body extending in the electron beam traveling direction.
  • An electric field expansion type main lens unit was configured for V ⁇ G 5, and at least one intermediate ⁇ ⁇ pole was arranged between the fourth and fifth G 5 VKG 5.
  • An intermediate electrode GM 'for the main lens may be arranged between V and V.
  • the middle pole GM is connected to the resistor R. Then, a voltage obtained by dividing the anode voltage E b is applied. For this reason, the voltage applied to the intermediate electrode GM ′ is higher than the voltage applied to the second segment G412 and lower than the voltage applied to the fifth grid G5.
  • At least one of the facing surfaces of the M ', and the fifth good G5 may be provided with a cylindrical body or a cylindrical electrode as shown in Fig. 13.
  • the main lens portion is a large-diameter superimposed expansion type electronic lens, it is possible to sufficiently reduce the magnification, and as a result, it is possible to reduce the magnification on the phosphor screen. , It is possible to form a smaller beamhot ⁇
  • a low potential is supplied to the two grids G2 constituting the prefocus lens unit, and 3 grid,
  • G 3 is higher than the potential of the fourth grid G 4 ⁇ and the fifth grid
  • a potential lower than the potential of G5 is supplied.
  • the potential of the third grid G3 of ⁇ is supplied through the resistor R from the fifth Darido, G5 force, and thus is supplied.
  • a large potential difference between the second grid G 2 and the third grid G 3 forms a pre-focus lens portion having a strong pre-force action.
  • the potential penetration from the third grid G3 side to the electron beam passage hole of the second grid G2 increases, and the virtual object diameter is reduced.o
  • the strong prefocus lens portion The action suppresses the expansion of the divergence angle of the child beam.
  • X The electron beam flux before entering the lens is reduced.
  • the second grid G2 and the third grid G3 have substantially circular electron beam passage holes, and the tube axis Z is formed between these grids.
  • a rotationally symmetric center lens is formed at the center.
  • this pre-focus lens section does not have an astigmatism effect.
  • a pre-focus lens portion with a strong lens action was formed, and the pre-focus lens sound [5]
  • the processing accuracy of the electrodes constituting the variance varied, and the axis deviation occurred when assembling the handgun. influence can and suppress Ru this to a minimum of the case, it is the degradation of by that beam spot Bok shape to these effects to suppress the force s possible ⁇
  • the electron gun assembly includes the asymmetric electron lens portion such that the horizontal diameter of the electron beam incident on the main lens is larger than the vertical diameter. ing "
  • the electron formed on the first grid G1 shall be a horizontal -pz shape that is long in the K-direction.
  • a force source is provided around the beam passing hole formed in the first grid, G 1,
  • Deflection magnetic field can reduce the influence of the deflection aberration and prevent the deterioration of the beam spot shape on the phosphor screen.
  • the action can be further enhanced by forming the oblong hole and the oblong slit of the de G 1 together.
  • the electrode on the high potential side ( The seedlings passing through the electron beam formed on G 3) have a vertically long shape.
  • the hole has a long horizontal shape in the direction of the force source array. ⁇ Due to these effects, the electron beam before entering the main lens receives a stronger focusing action in the vertical direction than in the horizontal direction.
  • the applied force S can reduce the influence of the deflection aberration caused by the deflection magnetic field, and can prevent the beam spot shape from deteriorating on the phosphor screen. .
  • the action can be further enhanced by combining these third grids, the elongated holes of G3, and the elongated holes of the first segment G411.
  • the sub-lens portion is formed by placing an intermediate pole UrM between the third grid G3 and the first segment G4-1 to further increase the lens strength. Also good. This makes it possible to more effectively force the electron beam before it enters the main lens unit.
  • a cathode ray tube device capable of stably displaying a high-definition and high-resolution image.

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

明 細 書
陰極線管装置
技 分野
こ の発明は、 陰極線管装置に係り 、 特に、 蛍光体ス ク リ ー ン全面において細かレヽビームスポッ ト を形成し 、 高解像度で 良好な画質を安定して提供する よ う に構成された力 ラ一陰極 線管装置に関する。
背景技術
近年、 ハイ ビジョ ン放送の一般化ゃィ ンターネ ク 卜テ レビ の普及に伴い、 よ り 高精細な画像を正確に再現する こ と が要 求されている。 このよ う な要求に伴い、 画素を ·細か < する必 要がある。 高精細な画像を表示するためには、 蛍光体ス ク リ ーン全面でサイ ズが小さ く 、 且つ歪が少ない形状のビ一ムス ポッ ト を形成する こ と が要求される。
そこで、 蛍光体スク リ ーン上に小さなビ一ムスポヽク ト を形 成する方法と して、 電子ビーム の仮想物点径を小さ < 形成す る方法が一般的に知られている (例えば 、 特開 2 0 0 0 - 3
3 1 6 2 4号公報参照。 ) 。 すなわち、 プリ フ ォ 力ス レン ズを構成する電極の う ち、 第 3 グリ ツ ドは、 ァノ ド、電圧を 分圧するための抵抗器に接続されている 」れに り 、 第 3 グリ ッ ドには高電圧が供給さ i > o フ 、 プリ フォ一カ ス レ ンズを構成する第 2 ダリ ッ ドには低電圧が供給される o によ り 、 第 2 グリ ッ ドと第 3 グ リ ツ ドとの間に大さな電位差 が形成される。 つま り 、 強いプリ フォーカ ス作用を有するプ リ フォーカス レンズが形成される。 これによ り ヽ 第 2 ダリ ッ ド G 2 の電子ビーム通過孑しへ ss- へ 位 が大き く 浸透し 、 仮想物点径を小さ < する作用が得られる □ のため 、 蛍光体ス ク リ ー ン上に小さなビ一ム スポッ ト を形 成する こ とが可能となる o J- <- s 5虽いプリ フ ォ一力ス作用に よ り 、 m ¾1子ビ一ムの発散角を縮小する こ と ちでさ る ο このた め 、 主レンズを通過する際の収差の影響を軽減する こ とが可 能と なる o
と ころで、 水平方向に一列に並んだ 3つの電子ビ一ムを発 生させるィ ンラィ ン型電子銃構体を採用 した力 ラ一陰極線管 装置では 、 偏向ヨーク は 、 非斉一な偏向磁界を発生する よ ラ に構成されている。 この偏向磁界の影響によ り ヽ 蛍光体スク
V一ン上に形成される ビ一ムスポッ 卜は、 特に画面周辺部に レ、て、 滲みを発生する ο
>- の滲みを軽減する方法と しては 、 水平方向よ り ¾直方向 の フ ォ一力ス力が強い非点収差作用を有するプ V フ ォ一力ス レ ンズを構成する方法が一般的に採用 されている 。 具体的に はヽ 第 2 グリ ク ドの第 3 グ リ ッ ド側における電子ビ一ム M過 孔周辺に横 zのス リ ッ ト を形成する方法や、 第 3 グリ V ド、の 第 2 グリ ッ ド、側における電子ビーム通過孔周辺に縦長のス V
V 卜を形成する方法などが挙げられる ο
しかしなが ら 、 小さいビームスポ V トを形成するために第
3 グリ ッ ドに高電圧を供給する と と ちに第 2 グ V V ド、の電子 ビ一ム通過孑しへの電位浸透を増加させる方法を採用 し 、 しか あヽ 滲みを軽減するために第 2 グリ ク ドあるいは第 3 グ リ ク ド、における 子ビーム通過孔の周辺にス リ ツ 卜 を形成して非 点収差作用を与える方法も採用 した 口 、 プリ フ ォーカ ス レ ンズの レンズ作用の強化に伴つて非点収差作用 も強化される つま り 、 プリ フ ォー力ス レ ンズを通過する電子ビームは、 垂直方向に過剰にフ ォー力ス される と と もに水平方向に過剰 に発散される 。 このため 、 蛍光体スク リ一ン上のビームスポ
V トに歪を生じ、 画質の劣化を招く
こ の対策と して、 第 2 グリ ク ドあるいは第 3 グリ ッ ドに形 成されるス リ ッ トの深さ を浅 < する こ と で非点収差作用を小 さ く 設計する こ とができ る o しかしなが ら 、 第 2 グリ ッ ドや 第 3 グリ ツ ド、のス リ ッ ト を浅 < 形成し、 且つ強いプリ フ ォー 力ス レンズを形成する こ と は 、 ス リ ッ 卜の成形精度及び電子 の組み立て精度のばらつさに対する ビ ム スポッ ト形状の 化が敏感になる。 こ のためヽ 画質劣化が起こ り やすいとい つた問題が発生する。 その結果 、 安定して良好な画質を得る こ とは困難となる。
上述したよ う に、 カラ一陰極線管装置において、 高精細か つ高解像度の品位良好な画像を表示するためには、 蛍光体ス ク リ ーン全面で小さ く 、 且つ楕円歪みの少ないビームスポッ
- を形成する必要がある ο また 、 の性能を提供するために は 、 少ない - ばらつきで安 Atして製造する とが必要である。 これに対 J心するためにヽ プリ フ才一力ス レンズを構成する 高電圧側の電極 (例えば第 3 グリ ッ ド) に高電圧(例えば、 主レ ンズを構成する低電圧側の電極電位よ り 高く しかも主レ ンズを構成する高電圧側の電極電位よ り 低い電圧)を印加す る。 これによ り 、 レ ンズ作用を高め、 且つ、 プリ フ ォーカ ス レンズを構成する低電圧側の ^極 (例えば第 2 グリ ッ ド) の 電子ビ一ム通過孔への浸透電圧を増加させる。 これによ り 、 蛍光体スク リ ーン上に小さ なビ一ムスポッ ト を形成する こ と が可能となる。
しかしなが ら、 プリ フ ォー力ス レ ンズを構成する電極の単 位寸法あた り の レ ンズ作用の変化も大き く なる。 こ のため、 プリ フ ォ一カ ス レンズを構成する電極に非点収差作用を与え るス ジ ク ト構造など付加すれば、 プリ フ ォーカ ス レンズ作用 の強度にばらつき を生じ、 安定して良好な形状のビームスポ ッ 卜を形成する こ とができなく なる。 すなわち、 上述した方 法では 、 十分小さ く 安定した特性の ビームス ポ ッ ト を提供す るこ と はできない
発明の開示
この発明は、 上述した問題点に鑑みなされ.たものであって、 その 的は、 尚 細かつ高解像度の画像を安定して表示可能 な陰極線管装置を提供する こ と にある。
こ の発明の第 1 の様態による陰極線管装置は、
子 ビームを発生する電子 ビーム発生部と 、 前記電子ビ 一ム発生部から発生された電子ビームを加速する と と もにプ リ フォ カスするプリ フォー力ス レンズ部と、 前記プリ フ ォ 一力ス レンズ部によ り プリ フォ―カス された電子ビームをさ らにプジ フォー力スするサブレンズ部と、 前記サブレンズ部 によ り プリ フォーカス された電子ビームを蛍光体ク リ ーン上 に向けて加速する と と もにフォ―カスする主レ ンズ部と、 を 有する電子銃構体と、 前 子銃構体から放出された電子ビ ムを水平方向及び 垂直方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向 3 ク と を備 え、
前記プリ フ ォ 力 ス レ ンズ部は、 少な < と も 、 スク リ ―ン 電 と、 第 1 レベルの電圧が印カ卩される第 1 フ ォ 力ス 極 と、 によつて構成される と と もに、 電子ビ ム の進行方向に 対して実質的に回転対称に形成され、
則記サブレンズ部は、 少なく と も 、 前記第 1 フ ォ 力ス電 極と 、 tu記第 1 レベルよ り 低い第 2 レべノレの電圧が印加され る第 2 フォ一力ス電極と、 によって構成され
§し土 レ ンズ部は 、 少なく と も、 前記第 2 フ ォ 力ス 極 と、 目 U記 l レベルよ り 高い第 3 レベルの電圧が印加される ァノ ド 極と 、 によって構成され、
さ らに電子銃構体は、 刖記主レ ンズ部に入射する BU の電子 ビ ムの水平方向径が垂直方向径よ り 大さ く なる よ う な非対 称電子レンズ部を備えたこ と を特徴とす 。
·>- の発明の第 2 の様態による陰極線管 は、
電子ビ ムを発生する電子ビーム発生部と 、 目 U記電子ビ ム発生部から発生された電子ビームを加速する と と もにプ リ フ ォ 力スするプリ フ ォーカ ス レ ンズ部と 、 刖記プ リ フ ォ 力ス レンズ部によ り プリ フオーカス された電子ビ ムをさ らにプリ フ ォ 力スするサブレ ンズ部と 、 刖記サブ レンズ部 によ り プリ フ ォ 力ス された電子ビームを蛍光体ク リ ン上 に向けて加速する と と もにフオーカスする主レンズ部と 、 を 有する電子銃構体とヽ 前記電子銃構体から放出された電子ビームを水平方向及ぴ 垂直方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向 3ーク と、 を備 え、
前記プリ フオーカス レ ンズ部は、 少なく と も 、 ス ク リ ー ン 電極と 、 第 1 レベルの電圧が印力 Πされる第 1 フ オーカス電極 と、 によって構成される と と もに、 電子ビ一ムの進行方向に 対して実質的に回転対称に形成され、
前記サブレンズ部は、 少な く と も、 前記第 1 フォーカ ス電 極と、 目 U記第 1 レベルよ り 低い第 2 レベルの m圧が印加され る第 2 フ ォーカ ス電極と、 前記第 1 フ ォー力ス電極と前記第
2 フォーカス電極と の間に配置される 中間電極と、 によって 構成され、
前記主レンズ部は、 少なく と も、 前記第 2 フ オーカス電極 と、 刖記第 1 レベルよ り 高い第 3 レベルの 圧が印カ卩される ァノー ド電極と、 によって構成され、
前記中間電極は前記ス ク リ ー ン電極と電 的に接続され、 し力 λ 、 目 IJ記中間電極及び前記ス ク リ ーン 極には前記第 2 レベルよ り さ らに低い第 4 レベルの電圧が印加され、
さ らに電子銃構体は、 前記主レンズ部に入射する前の電子 ビームの水平方向径が垂直方向径ょ り 大き く なる よ う な非対 称電子レンズ部を備えたこ と を特徴とする。
図面の簡単な説明
図 1 は、 こ の発明の一実施形態に係る陰極線管装置の構造 を概略的に示す水平断面図である。
図 2 は、 図 1 に示した陰極線管装置に適用可能な電子銃構 体の構造を概略的に示す水平断面図である。
図 3 Aは、 図 2 に示した電子銃構体に適用可能な第 1 ダリ ッ ドの構造を概略的に示す斜視図である。
図 3 Bは、 図 3 Aに示した第 1 グリ ッ ドの電子ビーム通過 孔周辺の構造を概略的に示す断面図である。
図 4 は、 図 2 に示した電子銃構体に適用可能な第 2 ダリ ッ ドの構造を概略的に示す斜視図である。
図 5 は、 図 2 に示した電子銃構体に適用可能な第 3 グリ ツ ドの構造を概略的に示す斜視図である。
図 6 は、 図 2 に示した電子銃構体におけるフォーカス電極 に印加される電圧と偏向電流との関係を示す図である。
図 7 は、 図 1 に示した陰極線管装置に適用可能な電子銃構 体の他の構造を概略的に示す水平断面図である。
図 8 は、 図 2及び図 7 に示した電子銃構体に適用可能な第 1 ダリ ッ ドの構造を概略的に示す斜視図である。
図 9 は、 図 2及び図 7 に示した電子銃構体に適用可能な第 3 ダリ ッ ドの構造を概略的に示す斜視図である。
図 1 0 は、 図 2及び図 7 に示した電子銃構体に適用可能な 第 1 セグメ ン トの構造を概略的に示す斜視図である。
図 1 1 は、 図 2及ぴ図 7 に示した電子銃構体に適用可能な 中間電極の構造を概略的に示す斜視図である。
図 1 2 は、 図 1 に示した陰極線管装置に適用可能な電子銃 構体の他の構造を概略的に示す水平断面図である。
図 1 3 は、 図 1 2 に示した電子銃構体に適用 される筒状体 の構造を概略的に示す斜視図である。 図 1 4 は、 1 に示した陰極線管装置に 用可能な電子銃 構体の他の構造を概略的に示す水平断面図である
発明を実施するための最良の形態
以下 、 この発明の一実施の形態に係る陰極線管 置につレヽ て図面を参 i昭い、して説明する。
図 1 に示すよ ラ に、 陰極線管装置、 すなわちセルフコンパ 一ジェ ンス方式のイ ンラ イ ン型カラー陰極線管装置はヽ ガラ ス製の首 外囲 9 を備えている。 こ の真 外囲 9 は 、 パ ネル 1 及び 、 ノ ネル 1 と一体的に接合されたフ ァ ンネル 2 を有してレ、る o パネル 1 は、 その内面に 、 冃 、 緑ヽ 赤にそれ ぞれ発光する ド、ッ ト状またはス トライプ状の 3色蛍光体層か らなる蛍光体スク リ ーン 3 を備えている o シャ Kクマス ク 4 は、 蛍光体スク リ ーン 3 に対向 して配置されてレ、る o 、 のシ ャ ド、クマス'ク 4 は 、 その面内に多数の電子ビ ム通過孔を している 0
ィ ンラィ ン型電子銃構体 7 は、 フ ァ ンネル 2 の径小部に相 当する円筒状のネ ッ ク 5 内部に配設されている o この電子銃 構体 7 は 、 同一水平面上を通るセンタービ ム 6 G よぴー 対のサイ ビ ム 6 B , 6 R力 らなる 3 mr子ビ ム 6 B , 6
G , 6 Rを放出する 0
偏向 H 一ク 8 は 、 フ ァ ンネル 2 の径大部からネ -yク 5 に H る外面に沿つて装着されている。 この偏向 3 一ク 8 は S - ヽ iェナ 銃構体 7 から放出された 3電子ビーム 6 B 6 G 6 Rを水 平方向 ( X ) 及ぴ垂直方向 (Y ) に偏向する非斉一な偏向磁 界を発生する o の非斉一磁界は、 ピンク クシ 3 ン型の水平 偏向磁界及ぴパレル型の垂直偏向磁界に つて形成される。 このよ う な力ラ • ~陰極線管装置におレ、ては、 電子銃構体 7 から放出された 3 子 ビーム 6 B 、 6 G 、 6 Rは、 シャ ド、ク マスク 4 の電子ビ ―ム通過孔付近でセルフ コ ンノ ージエ ンス しつつ 、 偏向 ョ ク 8 が発生する非斉一磁界によ り偏向され
Ό れによ り 、 3 電子ビーム 6 R 、 6 G 、 6 Bは、 シャ ド ゥマス ク 4 を介して蛍光体ス ク リ ーン 3 を水平方向 X及ぴ垂 直方向 Yに走查する 。 この と き 、 各電子ビームを整形して特 定の色の蛍光体層にランディ ングさせる と によ り 、 カラー 画像が表示される
図 2 に示すよ う に 、 電子銃構体 7 は 、 水平方向 Xに一列に 配置された 3個の力 ソー ド ( R 、 G ヽ B ) 、 これらカ ソー ド K ( R 、 G 、 B ) を個別に加熱する 3個のヒ ータ、 及ぴ 6 個の電極を有している。 6個の電極 、 すなわち第 1 グリ ッ ド、
(グリ ッ ド電極 ) G 1 , 第 2 グリ ツ ド、 (スク リ ーン電極) G
2 , 第 3 グリ ツ ド、 (第 1 フ ォーカ ス電極 ) G 3 , 第 4 グリ ッ ド (第 2 フ ォー力ス電極) G 4 , 及びヽ 第 5 グリ ツ ド (ァノ ー ド電極) G 5 はヽ 力 ソー ド K ( R G 、 B ) 力 ら蛍光体ス ク リ ーンに向力 つて管軸 Z に沿って順次配置されている。
4 ダリ ッ ド G 4 は 管軸 Z に沿つて順に配置された少なく と も 2つのセグメ ン 卜 、 すなわち第 1 セグメ ン ト G 4 _ 1 及ぴ 第 2セグメ ン ト G 4 一 2 によって構成されている。 これらカ ソー ド K ( R 、 G 、 B ) 、 及ぴ、 6 個の電極は、 一対の絶縁 支持体によって ―体に固定されている
第 1 グ リ ッ ド G 1 は、 板状電極によつて構成されている。 こ の板状電極は、 その板面に、 3個の力 ソー ド K ( R 、 G 、
B ) に対応して水平方向 Xに一列に形成された 3 個の電子ビ ーム通過孔を有している o すなわち 、 図 3 Aに示すよ う に、 こ の第 1 グ V V ド、 G 1 は、 水平方向径が垂直方向径よ り 大き い横長の電子ビ一ム 過孔 1 1 Aを有している o の実施の 形態では、 電子ビ一ム通過孔 1 1 Aは、 水平方向 Xに長辺を 有する と と もに垂直方向 Yに短辺を有する横長の長方形状に 形成されている
また 、 ~の第 1 グジ ッ ド' G 1 は 、 第 2 グリ ツ K G 2 と の対 向面の電子ビ一ム通過孔 1 1 A周辺に水平方向 Xに長いス リ ッ 卜 1 1 B を有してレ、る こ の実施の形態では 、 ス リ ッ 卜 1
1 Bは 雷子ビ ム通過孔 1 1 Aの水平方向径よ り長い水平 方向 Xに延ぴた長辺を有する と と もに電子ビ一ム通過孔 1 1
Aの垂直方向径よ り長ぃ垂直方向 Yに延びた短辺を有する横 長の長方形状に形成されている
このよ う な第 1 グリ ッ ド、 G 1 は、 図 3 B に示すよ う に 、 例 えば 1 m m未満の板厚 Tを有する板状電極によって構成され ている 、 の実施の形態では、 板厚 Tは 、 0 • 1 5〜 0 . 2
O m mである また 、 電子ビ一ム通過孔 1 1 Aは、 水平方向 径が約 0 . 6 m mであつて垂直方向径が約 0 . 4 m mである また、 ス リ V 卜 1 1 Bが形成された 子ビ一ム通過孔 1 1 A の周辺の板 t は 、 板厚 Tの約 3 0 〜 6 0 %程度であ り 、 ~ の実施の形 では 、 0 . 0 6〜 0 . 0 9 m mである。
第 2 グリ ク ド、 G 2 は 、 板状電極によつて構成されてい ο この板状電極はヽ その板 tfiに、 3個の力 ソ一ド K ( R 、 G、 B ) に対応して水平方向 Xに一列に形成された 3個の電子ビ ーム通過孔を有している。 すなわち、 図 4 に示すよ う に、 こ の第 2 ダリ ッ ド G 2 は、 円形の電子ビーム通過孔 1 2 を有し ている。
第 3 グリ ッ ド G 3 は、 一体構造の筒状電極によって構成さ れている。 この筒状電極は、 第 2 グリ ッ ド G 2 と の対向面及 ぴ第 4 グリ ッ ド G 4 と の対向面に、 3個の力 ソー ド K ( R、 G、 B ) に対応して水平方向 Xに一列に形成された 3個の電 子ビーム通過孔を有している。 すなわち、 図 5 に示すよ う に、 こ の第 3 グリ ッ ド G 3 は、 第 2 ダリ ッ ド G 2 と の対向面に、 電子ビーム通過孔 1 2 よ り 若干大きな円形の電子ビーム通過 孔 1 3 を有している。 また、 こ の第 3 グリ ッ ド G 3 は、 第 4 ダリ ッ ド G 4 と の対向面に、 電子ビーム通過孔 1 3 よ り さ ら に大きな電子ビーム通過孔を有している。
第 4 ダリ ッ ド G 4 の第 1 セグメ ン ト G 4 — 1 は、 一体構造 の筒状電極によって構成されている。 この筒状電極は、 第 3 ダリ ッ ド G 3 と の対向面及ぴ第 2セグメ ン ト G 4 — 2 との対 向面に、 3個の力 ソー ド K ( R、 G、 B ) に対応して水平方 向 Xに一列に形成された 3個の電子ビーム通過孔を有してい る。 この実施の形態では、 第 3 グリ ッ ド G 3 と の対向面に形 成された電子ビーム通過孔は、 円形であ り 、 第 2 セグメ ン ト G 4 一 2 との対向面に形成された電子ビーム通過孔は、 垂直 方向 Yに長軸を有する縦長の形状を有している。
第 4 ダリ ッ ド G 4 の第 2 セグメ ン ト G 4 — 2 は、 一体構造 の筒状電極によ って構成されている。 こ の筒状電極は、 第 1 セグメ ン ト G 4 — 1 と の対向面及び第 5 ダリ ッ ド G 5 と の対 向面に、 3個の力 ソー ド K ( R、 G、 B ) に対応して水平方 向 Xに一列に形成された 3個の電子ビーム通過孔を有してい る。 この実施の形態では、 第 1 セグメ ン ト G 4 — 1 と の対向 面に形成された電子ビーム通過孔は、 水平方向 Xに長軸を有 する横長の形状を有してお り 、 第 5 グリ ッ ド G 5 と の対向面 に形成された電子ビーム通過孔は、 円形である。
第 5 グリ ッ ド G 5 は、 一体構造の筒状電極によって構成さ れている。 こ の筒状電極は、 第 2セグメ ン ト G 4 — 2 との対 向面及び蛍光体ス ク リ ーン側に、 3個の力 ソー ド K ( R、 G、 B ) に対応して水平方向 Xに一列に形成された 3個の電子ビ ーム通過孔を有している。 この実施の形態では、 筒状電極の 両端面に形成された電子ビーム通過孔は、 円形である。
上述した構成の電子銃構体 7 において、 カ ソー ド Kには、 約 1 9 0 Vの直流電圧に映像信号が重畳された電圧が印加さ れる。 第 1 グ リ ッ ド G 1 は、 接地されている。 第 2 グリ ッ ド G 2 には、 約 8 0 0 Vの直流電圧が印加される。 第 4 グリ ツ ド G 4 の第 1 セグメ ン ト G 4 — 1 には、 約 8 . O k Vの固定 の直流電圧すなわちフォーカス電圧 V f 1 が印加される。
第 4 グ リ ッ ド G 4 の第 2 セグメ ン ト G 4 — 2 には、 フォー カス電圧 V f 1 と ほぼ同等の約 8 . O k Vの固定の直流電圧 V f 2 に、 パラボラ状に変化する交流電圧成分 V dが重畳さ れたダイナミ ック フォーカス電圧が印加される。 このダイナ ミ ック フォーカス電圧は、 図 6 に示すよ う に、 鋸歯状の偏向 電流に同期 し、 かつ、 電子ビームの偏向量の変化に伴ってパ ラボラ状に変化する。 こ のダイナへへ 、ンク フ ォ一力ス電圧は、 最も低いと きで 8 . 0 k Vで、 最も高いと きで例えば約 9 . 0 k V と なる。 第 5 グリ ッ ド G 5 には 、 約 3 0 k V のァノー ド電圧 E b が印加される。
第 3 グリ ッ ド G 3 には、 フォー力ス電圧 V f 1 よ り 高く 、 しかもァノ ー ド電圧 E b よ り 低いレベノレの電圧 、 例えば約 1 2 . 0 k V の電圧が印加される。 ゝ の第 3 グ リ -y ド G 3 は、 陰極線管装置のネ ック 5 内における 子銃構体 7 の近傍に配 置された抵抗器 Rに接続されている o すなわち こ の抵抗器 R の一端は、 第 5 グリ ッ ド G 5 に電 的に接続されている と と もに、 抵抗器 R の他端は、 接地されている。 第 3 グリ ッ ド G 3 には、 抵抗器 Rによ り ァノ ー ド、 mi圧 E b を分圧した電圧 が印加される。 こ の実施の形態では 第 3 グリ ク ド G 3 は、 抵抗器 R の電圧供給端子 R a に接 され、 抵抗 Rを介して 所定レベルの電圧が印カ卩される。
上述した構成の電子銃構体 7 では 、 各グリ ッ ド、に上述した よ う な電圧を印加する こ と によ り 子ビ一ム発生部、 プリ フ ォーカ ス レ ンズ部、 サブレ ンズ部 及ぴ .、 主レ ンズ部がそ れぞれ形成される。
すなわち、 電子ビーム発生部は 、 力 ソ一ド K 第 1 グリ ツ ド G 1 、 及び、 第 2 グリ ッ ド G 2 によつて形成される。 こ の 電子ビーム発生部は、 電子ビームを発生し 、 かつ主レンズ部 に対する物点を形成する。 プリ フ ォ一力ス レ ンズ部は、 少な く と も 2 つの電極すなわち第 2 グ V ク ド G 2及ぴ第 3 グリ ツ ド G 3 によって形成される。 こ のプリ フォ一力ス レンズ部は、 電子ビ—ム の進行方向に対して実質的に回転対称に形成され 電子ビーム発生部から発生された電子ビ ムを加速する と と もに水平方向 X及ぴ垂直方向 Yにそれぞれ同等のフォ一力ス 力でプリ フォ一カスする 。 すなわち 、 プジ フオーカス レンズ 部は、 非点収差作用を有していない
サプレ ンズ部は、 少なく と も 2つの電極すなわち第 3 グリ ッ ド G 3及び第 4 グリ ッ ド G 4 の第 1 セグメ ン ト G 4 一 1 に よって形成さ る。 このサプレンズ部は 、 プリ フォ 力ス さ れた電子ビームをさ らにプリ フォー力スする と と あに発散角 を小さ く する 。 主レ ンズ部は、 第 4 グリ ッ G 4及ぴ第 5 グ リ ッ ド、 G 5 によって形成 ^ ΑΊ の主レ ンズ部はヽ プリ フ オーカス された電子ビ一ムを蛍光体スク V ン 3 に向けて加 速する と と あに最終的に対応する蛍光体 t上に フ ォ一力スす また、 電子ビ一ムを蛍光体スク リ ーン周辺部に向けて偏向 する偏向時には、 第 4 グリ ッ ド G 4 の第 1 セグメ ン ト G 4 —
1 と第 2 セグメ ン ト G 4 ― 2 と の間に、 水平方向 X と垂直方 向 Y とでフォ一力ス力が異なる非軸対称レ ンズ部が形成され る 。 すなわち 、 偏向時には 、 第 1 セグメ ン ト G 4 一 1 と第 2 セグメ ン 卜 G 4 - 2 と の間の電位差力 s電子ビ一ムの偏向量の 増大に伴つて拡大する。 の電位差は、 電子ビ一ム の偏向角
- が最大の と ぎに最大と なる の電位差によ り 、 第 1 セグメ ン ト G 4 ― 1 と第 2セグメ ン ト G 4 - 2 と の間には、 水平方 向 X にフ ォ一力ス作用を有する と と もに 、 垂直方向 Yに発散 作用を有する 4極子レ ンズ部が形成される。 また同時に、 第 2セグメ ン ト G 4 — 2 と第 5 ダ リ ッ ド G 5 と の間の電位差が 小さ く な 、 主レ ンズ部の レンズ強度が弱 < なる ο すなわち、 電子ビ ムが蛍光体スク リ ーン周辺部に向けて偏向されたこ と に伴つて電子銃構体から蛍光体ス ク リ ーンまでの距離が拡 大し像点が遠く なる こ と に対応して、 主レンズ部の強度を弱 く する こ とで電子ビーム のデフォーカスを捕償する ,
この う な構成の電子銃構体 7 において 、 力 ソ ―ド K ( R 、
G 、 B ) か 'らそれぞれ出射された電子 ビ、 ム 6 ( R 、 G 、
B ) は 、 第 1 ダ リ ッ ド、 G 1 乃至第 2 グリ ッ ド、 G 2 を通過する 際、 一且ク ロ スォ ノ^を結ぶと と もに主レ ンズ部に対する仮 想物点を形成する 0 ~ の場合、 第 3 グリ ク ド、 G 3 の電位は、 第 2 グリ ッ ド G 2 の電位と比較して著し < 高ノ sru
\ HX.定されてい るため 、 第 3 ダリ ッ ド、 G 3側からの第 2 グジ ッ ド、 G 2 の電子 ビーム 過孔 1 2 への電位浸透が増加し 、 形成される仮想物 点は十分小さ く な 。
続いて 、 電子ビ一ム 6 ( R 、 G 、 Β ) はヽ 第 2 グリ ツ ド G
2 と第 3 グリ ッ ド G 3 と によって形成されるプリ フ オーカス レンズ部に入射し 、 プリ ブオーカス作用を受ける o この と き 第 3 グ V ッ ド、 G 3 の電位が相対的に高い と によ 、 電子ビ
—ム 6 ( R 、 G 、 Β ) は、 水平方向 X及ぴ 直方向 Yに同等 の強レ、 フ オーカス作用を受け、 小さい電子ビ一ム束を形成す
X
O 0
続いて 、 電子ビ一ム 6 ( R 、 G 、 Β ) は 第 3 グリ ツ ド G
3及ぴ第 4 グリ ツ ド G 4 の第 1 セグメ ン 卜 G 4一 1 によって 形成されるサブレンズ部に入射しヽ さ らなるプリ フオーカス 作用 を受ける。 こ の と き 同時に、 電子 ビー ム 6 ( R、 G、
B ) は、 その発散角が小さ く 抑 X.られ 、 さ らに小さい電子ビ 一ム束を形成す
続いて、 蛍光体スク リ一ンの 辺部に向かラ 電子ビ一ム 6
( R、 G、 B ) は、 第 1 セ グメ ン h G 4 一 1 と 2 セ グメ ン ト G 4 — 2 と によつて形成される 4極子レンズ部を通過する 際に、 偏向収差を補償する作用を受ける すなわちヽ 子ビ ーム 6 ( R、 G 、 B ) は 、 水平方向 Xにフ ォ一力ス作用を受 ける と と もに、 垂直方向 Yに発散作用を受ける れに り 、 蛍光体ス ク リ ー ンの周辺部に到 した電子 ビ一ム の ビ一ム ス ポッ ト の横長歪み力 緩和される またヽ 蛍光体スク リ一ンの 中央部に向力 う 電子ビ一ム 6 ( R G B ) は 、 この 4極子 レンズ部の作用を受ける こ と な < 主レンズ部に入射する t 最後に、 電子ビ一ム 6 ( R、 G 、 B ) は 、 第 4 グリ ッ K G
4及び第 5 ダリ ッ ド、 G 5 によつて形成される主レ ンズ部に入 '3 れ しよ り 、 電子ビ一ム 6 ( R ヽ G 、 B ) は、 最終 的に蛍光体ス ク リ一ンに向けて加速される と と あに 、 対応す る蛍光体層上に最終的にフ ォ一力ス される またヽ プリ フ ォ 一カス レンズ音 |5とサブレンズ部と の相乗効果によ り 主レンズ 部に入射する前に小さな 子ビ一ム束が形成されるため 、 主 レンズ部の レ ンズ収差の影響が少な < ヽ ビ一ムスポッ 卜 を小 さ く 形成す'る こ と ができ る 。 したがつて 、 蛍光体スク リ一ン 上に、 十分小さな径を有する と と もに歪みの少なレ、 ビ一ム ス ポッ トを形成する こ とができ る
この実施の形態では、 子銃 体 7 は 、 主レンズ部に入射 する前の電子ビ一ムの水平方向径が 直方向径よ り 大さ く な る よ う な非対称 ¾ナ レンズ部を備 ている。 すなわち 、 横長 の電子ビーム通過孔 1 1 A及び横長のス リ ツ 1 1 B を備え た第 1 グリ V K G 1 と第 2 グ V ッ ド、 G 2 との間に形成される 電界は、 電子ビ一ム断面を横長にする非対称電子レンズ部を 構成する o
なお、 こ こでは、 第 1 グ リ V G 1 に横長の 子ビ一ム通 過孔 1 1 A及ぴ横長のス V ッ 卜 1 1 B を と もに形成している 0 しカゝしながら、 第 1 グ V ッ ド、 G 1 に 、 横長の電子ビ一ム通過 孔 1 1 A及び横長のス ッ 卜 1 1 B のいずれか一方が形成さ れてレヽれば、 第 1 グリ ク ド G 1 と第 2 グリ ッ ド、 G 2 と の間に 非対称電子レ ンズ部を形成する とができ る o また、 両者を 組み合わせる こ と によ り 、 非対称電子レ ンズ部をよ り 効果的 に作用させる こ と がでさ る と と もに 、 その レンズ作用を容易 に調整するこ とができる o
これによ り 、 電子ビ ム発生部から発生された電子ビ一ム
6 ( R、 G、 B ) はゝ 各力 ソ一 K ( R、 Gヽ B ) を出射し た後に第 1 ダリ ッ ド、 G 1 と第 2 グ V V ド G 2 と の間に形成さ れた電界によ り 垂直方向 Yについて水平方向 Xよ り 強いフォ 一カ ス作用を受ける。 こ のため、 電子 ビーム 6 ( R、 G、 B ) は、 管軸 Z に垂直な断面において横長の形状 (水平方向 径が垂直方向径よ り 大きい形状) を有する よ う に整形された 後、 プリ フ ォーカ ス レンズ部に入射する こ と になる。 したが つて、 偏向磁界によって受ける偏向収差の影響を捕償する こ と ができ、 蛍光体ス ク リ ーン上でのビームスポッ ト形状の劣 化を効果的に抑制する こ とができ る。
このよ う に、 電位差の大きなプリ フォ 力ス レンズ部にお いて非点収差作用を付与するのではなく 相対的に低電位差 の電子ビ一ム発生部における第 1 グリ ツ ド、と第 2 グ y ッ ド、と の間において非点収差作用を付与する よ う に構成している。 このため、 第 1 グリ ッ ド及び第 2 グリ ツ ド、の加ェ n度の変動 に対して非点収差作用のばらつき を抑える こ と がでさ 、 大量 生産した場合においても安定した性能を確保する とができ 次に 他の実施の形 について説明する ,
例えば 図 7 に示した 子銃構体 7 は 図 2 に示した電子 銃構体の構成に加えて 第 1 フォ 力ス 極を構成する第 3 グリ ッ ド、 G 3 と第 2 +フ才 力ス電極を構成する第 4 グジ ッ ド、
G 4 の第 1 セグメ ン ト G 4 1 と の間に 中間電極 G Mを備 えてレヽる o
この中間 極 G Mは 板状電極によつて構成されている。 この板状電極は、 その板面に、 3個の力 ソ ド K ( R G
B ) に対応して水平方向 Xに 列に形成された 3個の電子ビ
' ~ Λ M.過孔を有している o これらの電子ビ ム通過孔は、 た と えば円形に形成されてい o
この中間電極 G Mは 第 2 グジ ク K G 2 的に 7|¾ れ - ている 0 すなわち、 の中間 極 G Mには、 第 2 グリ ッ ド、
G 2 と と もにフォ一力ス雷圧 V f 1 よ り 低い電圧 、 例えば約
8 0 0 Vの直流 %圧が印加される o そ して の中間電極 G
Mは、 第 3 グ リ ッ ド G 3 と第 1 セグメ ン 卜 G 4 1 と と もに サブレンズ部を構成する。
このよ う に構成された電子銃構体によれば、 上述した電子 銃構体による効果に加えて、 サブレ ンズ部のレ ンズ強度をさ らに強化する こ とができ、 主レンズ部に入射する前の電子ビ
―ムをさ らに効果的にプリ フォ一カスする こ と が可能と なる。
また 、 図 2 に示した電子銃構体 7 において、 第 1 グジ ッ 卜
G 1 と第 2 グリ ツ ド G 2 と の間の電界以外で非対称電子レン ズ部を構成しても良い。 すなわち 、 第 1 グリ ッ ド G 1 は 、 図
8 に示すよ に、 横長の電子ビ一ム通過孔も横長のス リ ッ 卜 も有しておらず、 円形の電子ビ ム通過孔を有している '
のよ う な電子銃構体 7 において、 サブレンズ部が非点収 差を有する非対称電子レンズ部を構成してち ょい 。 すなわち 第 3 グリ ツ ド G 3 は、 図 9 に示すよ う にヽ その第 1 セグメ ン 卜 G 4 一 1 と の対向面に垂直方向径カ s水平方向径よ り 大さレヽ 縦長の電子ビー ム通過孔を有している。 の実施の形態では 第 3 グリ ッ ド G 3 の電子ビーム通過孔は 、 水平方向 Xに短辺 を有する と と もに垂直方向 Yに長辺を有する縦長の長方形状 に形成されている。 また 、 第 1 セグメ ン 卜 G 4 — 1 は、 図 1
0 に示すよ う に、 第 3 グ リ ッ ド G 3 と の対向面に水平方向径 が垂直方向径よ り 大きい横長の電子ビーム通過孑しを有してい る の実施の形態では 第 1 セグメ ン 卜 G 4 - 1 の電子ビ 一ム通過孔は、 水平方向 Xに長辺を有する と と ちに垂直方向
Yに 辺を有する横長の長方形状に形成されている
こ のよ う な構成によ り 、 サブレ ンズ部は 、 垂直方向 Y の フ ォ 力ス力が水平方向 Xのフ ォーカスカよ り 強いレ ンズ作用 を有する。
つま Ό 、 子ビーム発生部から 生された電子ビームは、 管軸 z に直交する断面においてほぼ円形を維持した状態でプ リ フォ一力ス レンズ部を通 τήした後 、 サブレンズ音 に入射す る。 そして 、 子ビームは 、 サブレンズ部で形成される非点 収差作用によつて水平方向 Xよ り垂直方向 Yに強いフオーカ ス作用を受ける o これによ り 、 主レンズ部に入射する前の電 子ビームは 、 管軸 z に直交する断面において横長とな Ό のため 、 先に説明 した実施の形態と 様に、 蛍光体スタ リ ー ン上に 、 十分小さいサイズの歪の少ないビームスポッ ト を形 成する こ とがでさ 、 高精細力 つ高解像度の画像を安定して表 示する こ とが可能と なる。
このよ う にヽ 電位差の大きなプ y フオーカス レンズ部にお いて非点収差作用を付与するのではなく 、 相対的に低電位差 のサブレンズ部における第 3 グジ V ド、 G 3 と第 1 セグメ ン ト
G 4 — 1 と の間において非点収 作用を付与する よ う に構成 してレ、る。 こ のため、 第 3 グ リ ク ド及び第 1 セグメ ン ト の加 ェ精度の変動に対して非点収差作用のばらっき を抑える こ と ができ 、 大量生産した場合においても安定した性能を確保す る こ と がでさ る o
同様に、 図 7 に示した電子銃構体 7 において、 第 1 グリ ッ ド G 1 と第 2 グ y ッ ド G 2 と の間の電界以外で非対称電子レ ンズ部を構成しても良い。 すなわち 、 第 1 グ リ ッ ド G 1 は、 図 8 に示すよ に 、 円形の電子ビ ム通過孔を有している。 サブ レンズ部は 、 垂直方向 Υのフォ一カスカが水平方向 Xの フ ォー力ス力よ り強い非点収差を有する非対称電子レ ンズ部 を構成する o このよ う な非点収差を有するサブレンズ部は 第 3 グリ ク G 3 と第 1 セグメ ン ト G 4 _ 1 と の間に配置さ れる 中間 極 G Mに図 1 1 に示すよ う な横長の電子ビ ム通 過孔を形成する こ と によつて構成される。 こ の実施の形態で は、 中間電極 G Mの電子ビーム通過孔は、 水平方向 X に長辺 を有する と と もに垂直方向 Yに短辺を有する横長の長方形状 に形成されている。 なお、 こ の よ う な横長の電子ビ一ム通過 孔を有する中間電極 G Mと 、 中間電極 G Mと の対向面に縦長 の電子ビ ム通過孔を有する第 3 グリ ッ ド G 3及ぴ 1 セグ メ ン G 4 - 1 と を組み合わせても良い o この場合、 先に説 明 した 子銃構体による効果に加えて、 サブレ ンズ部の レ ン ズ強度をさ らに強化する こ と ができ、 主レンズ部に入射する 目【J の電子ビ一ムに対してさ らに効果的に非点収差作用を付与 する こ とが可能となる 0
このよ う な構成によ り 、 先に説明した実施の形態と 同様に、 蛍光体スタ リ ーン上に 、 十分小さいサイズの歪の少ないビ一 ムスポッ トを形成するこ と がで 、 fe"細かつ高解像度の画 像を安定して表示する と 力 s可能と なる o また、 大量生産し た場 a にぉレ、ても安定した性能を確保するこ とができ る。
また 、 上述した各実施の形態における電子銃構体 7 におい て 、 主レンズ部 、 ^界拡張型電子レンズによって構成して ち よレ、 すなわち、 図 1 2 に示すよ う に 、 第 4 グリ ッ ド G 4 の第 2セグメ ン ト G 4一 2 は、 2個の筒状電極と 1 個の電界 補正板と によつて構成されている。 すなわち、 第 2セグメ ン ト G 4 — 2 は、 2個の筒状電極 G 4 2 — 1 及び G 4 2 一 3 の 間に電子ビーム通過孔を有する電界補正板 G 4 2 一 2 を挟み 込むこ と によって構成されている。
第 1 筒状電極 G 4 2 — 1 は、 第 1 セグメ ン 卜 G 4 一 1 に対 向 .して配置されている。 この第 1筒状電極 G 4 2 一 1 は、 第
1 セグメ ン ト G 4 — 1 と の対向面に、 3 個の力 ソ一 ド K ( R、
G、 B ) に対応して水平方向に一列に形成された 3個の電子 ビーム通過孔を有している。 電界補正板 G 4 2 一 2 は 、 第 1 筒状電極 G 4 2 — 1 の第 5 ダリ ッ ド G 5側に配置された板状 電極である。 こ の電界補正板 G 4 2 — 2 は 、 その板 tfiに、 3 個の力 ソー ド K ( R、 G、 B ) に対応して水平方向に一列に 形成された 3個の電子ビーム通過孔を有している 2筒状 電極 G 4 2 — 3 は、 電界補正板 G 4 2 - 2 の第 5 グリ ッ ド G
5側に配置されている。 この第 2筒状電極 G 4 2 - 3 は、 第
5 グリ ッ ド G 5 と の対向面に、 3電子ビームを 通に通過す る開口 を有している。
第 5 グリ ッ ド G 5 は、 2個の筒状電極と 1 個の電界補正板 と によって構成されている。 す ^わち、 第 5 グリ ッ ド G 5 は、
2個の筒状電極 G 5 — 1 及び G 5 — 3 の間に電子ビ一ム通過 孔を有する電界補正板 G 5 一 2 を挟み込む と によつて構成 されている。
第 1 筒状電極 G 5 — 1 は、 第 2セグメ ン 卜 G 4 - 2 に対向 して配置されている。 この第 1 筒状電極 G 5 一 1 は、 第 2セ グメ ン ト G 4 — 2 と の対向面に、 3電子ビ一ムを共通に通過 する開口 を有している。 電界補正板 G 5 — 2 は 、 第 1 筒状電 極 G 5一 1 の 光体ス ク リ ン側に配 された板状電極であ る。 この電界補正板 G 5 — 2 はヽ その板面に 3個のカ ソー ド κ ( R 、 G 、 B ) に対応して水平方向に一列に形成された
3個の電子ビ一ム 過孔を有してレ、る 第 2 状電極 G 5 —
3 は、 電界補正板 G 5 - 2 の蛍光体スク 一ン側に配置され ている の第
Figure imgf000025_0001
状 極 G 5 一 3 は 、 その蛍光体スタ リ ー ン側の端面にヽ 3個のカ ソ一 K ( R ,ヽ G 、 B )· に対応して 水平方向に ―列に形成された 3個の電子ビ一ム通過孔を有し てレヽる
第 2 セグメ ン 卜 G 4 - 2 の第 2筒状電極 G 4 2 - 3及ぴ第
5 ダリ V ド、 G 5 の第 1筒状電極 G 5 ― 1 はヽ 図 1 3 に示すよ う な筒状体に つて形成されている なねヽ 電界拡張型主レ ンズを構成する場合 、 主レンズ部を構成する電極の少なく と も一部に筒状体を備えていれば良い 図 1 2 に示した電子銃 構体の m
¾5 口 では 、 ^3 2セグメ ン 卜 G 4 一 2 の第 5 ダリ ッ ド G
5 と の対向面及ぴ第 5 ダリ ク G 5 の第 2 セグメ ン ト G 4 -
2 との対向面の少なく と も一方に電子ビ一ム進行方向に延び た筒状体を備えてればよい
また 、 図 1 2 に示した例ではヽ 第 4 グジ ク ド、 G 第 5 グ
V ッ Κ G 5 と に つて電界拡張型主レンズ部を構成したが、 これら第 4 グジ ッ ド、 G 4 と第 5 グ V K G 5 と の間に少なく と も 1 個の中間 ύι極を配置しても良レ、 例 ば 、 図 1 4 に示 すよ う に、 第 4 グリ ッ ド G 4 の第 2 セグメ ン 卜 G 4 — 2 と第
5 ダリ V ド、 G 5 との間に主レ ンズ用中間電極 G M ' を配置し て も良い。 、― の ¾ 口 、 '中間 極 G M はヽ 抵抗器 Rに接続さ れ、 アノー ド電圧 E b を分圧した電圧が印加される。 このた め、 中間電極 G M ' に印加される電圧は、 第 2セグメ ン ト G 4 一 2 の印加電圧よ り 大き く 、 第 5 グリ ッ ド G 5 の印加電圧 よ り 小さい。 また、 第 2 セグメ ン ト G 4 — 2 、 中間電極 G
M ' 、 及ぴ 、 第 5 グジ ッ ド G 5 の各対向面の少な < と も 1 箇 所に、 図 1 3 に示したよ う な筒状体力、らなる筒状電極を設け ても良い。
このよ う に、 主レンズ部は、 大口径の重畳拡張型電子レ ン ズであるため、 十分に倍率を小さ く 抑える こ とが可能と なる これによ り 、 蛍光体スク リ ーン上において 、 よ り 小さいビ一 ムスホッ 卜を形成する とが可能と なる □
以上説明 したよ う にヽ これらの実施の形態に係る陰極線管 装置によれば、 プリ フォ一カス レンズ部を構成する 2 グリ ッ ド G 2 には低位の電位を供給する と と もに、 第 3 グリ ッ ド、
G 3 には第 4 グリ ツ G 4 の電位よ り 高 < 且つ第 5 グリ ッ ド、
G 5 の電位よ り低い電位を供給す Ό ο の第 3 グ リ ク ド G 3 の電位は、 第 5 ダリ ド、 G 5 力 ら抵抗器 Rを介して供給され このよ う に してヽ 第 2 グリ ッ ド G 2 と 3 グ y ッ ド、 G 3 と の間の大きな電位差によって強いプリ フォ一力ス作用を有す るプリ フォ一カス レンズ部が形成される o これによ り 、 第 3 グリ ッ ド G 3側から第 2 グリ ッ ド G 2 の電子ビ一ム通過孔へ の電位浸透が増加し 、 仮想物点径が縮小される o また 、 強い プリ フォ一カス レンズ部の作用によ り 、 子ビ一ムの発散角 の拡大を抑 X.、 王 レンズ部に入射する前の電子ビ一ム束を小 P T/JP2004/000219
25 さ く する こ と ができ る o のため、 主レ ンズ部における球面 収差の影響を軽減する とができ る。 これらの作用によ り 、 蛍光体スク リ一ン上に いてよ り小さなサイズのビ一ムスポ ッ ト を形成する こ とがでさる o
また、 第 2 グ V ッ ド G 2及ぴ第 3 グリ ッ ド G 3 は 、 ほぼ円 形の電子ビーム通過孔を有してお り 、 これらのグ V ッ ド、の間 で管軸 Z を中心と した回転対称のプリ フ ォー力ス レンズ部が 形成される。 当然の こ と なが ら 、 こ のプ リ フ ォ一力 ス レンズ 部は、 非点収差作用を有していない。 これによ りヽ 強いレン ズ作用のプリ フオーカス レンズ部を形成して ¾、 プリ フォ一 カス レンズ音 [5を構成する電極の加工精度のばらつさや、 子 銃組み立て時の軸ずれが発生した場合の影響を最小限に抑 る こ とができ 、 これらの影響によ る ビーム スポッ 卜形状の劣 化を抑制する と力 s可能となる ο
また、 こ の実施の形態によれば、 電子銃構体は 、 主レ ンズ 部に入射する刖 の電子ビ一ムの水平方向径が垂直方向径よ 大き < なる よ う な非対称電子レンズ部を備えている «
まずヽ 第 1 グ リ ッ ド G 1 と第 2 グリ ッ ド G 2 と の間に形成 される電界が非対称電子レンズ部を構成する場合について 、 例えば第 1 グリ ッ ド G 1 に形成された電子ビ ―ム 過孔は 力 ソ一 K配列方向に長い横 -pz形状とする。 あるいは 、 第 1 グ リ ッ ド、 G 1 に形成された ナビーム通過孔の周辺に力 ソ一ド、
>- 配列方向に長い横長形状のス V ッ ト を形成する。 れらの影 響によ り 、 主レ ンズ部に入射する前の電子ビ一ムは 、 垂直方 向に水平方向よ り 強いフォ一力ス作用を受ける。 したがつて、 T JP2004/000219
26 偏向磁界によ り 受け 偏向収差の影響を 減する こ とができ、 蛍光体スク リ ―ン上でのビ一ムスポッ 卜形状の劣化を防止す る こ とができ る れら第 1 ダリ V ド G 1 の横長孔と横長ス リ ッ トをと もに形成すれば 、 作用はよ り 高める こ とができ る。
. また、 第 3 グ リ ッ ド G 3 と第 1 セグメ ン 卜 G 4 ― 1 と の間 に形成されるサブレンズが非対称 ¾子レ ンズ部を構成する場 合について、 高電位側の電極 ( G 3 ) に形成された ¾子ビー ム通過孑しは、 垂直方向に長い縦長形状とする 0 あるレ、は、 低 電位側の電極 ( G 4一 1 ) に形成された電子ビ一ム通過孔は、 力 ソー ド配列方向に長い横長形状とする ο これらの影響によ つて ¾同様にヽ 主レンズに入射する前の電子ビ ムは 、 垂直 方向に水平方向よ り 強いフ オーカス作用を受ける o した力 Sつ て、 偏向磁界によ り 受ける偏向収差の影響を軽減する こ と 力 S でき 、 蛍光体スク リ ― ン上での ビ一ムスポク 卜形状の劣化を 防止する こ と ができ ό。 これら第 3 グリ ク ド、 G 3 の縦長孔と 第 1 セグメ ン 卜 G 4一 1 の横長孔と を組み合わせる とで、 作用はよ り 高める こ とができ る。
さ らに 、 サブレ ンズ部は 、 第 3 グリ ッ ド、 G 3 と第 1 セグメ ン ト G 4 ― 1 との間に中間 極 Ur Mを配置して レ ンズ強度を さ らに強く形成しても良い 。 これによ り ヽ 主レンズ部に入射 する前の電子ビ一ムをさ らに効果的にプジ フォ一力スする こ とが可能となる 0
したがつて 、 蛍光体スク リ ーン上において 、 歪の少ない小 さな形状のビ一ムスポッ 卜を形成する こ とがでさ 、 高精細且 つ髙解像度の画像を表示する こ とが可能と なる ο また 、 大量 生産した場合においても安定した性能を確保する こ とができ る。
なお、 この発明は上記各実施の形態に限定されるものではな く、 その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変 形 · 変更が可能である。 また、 各実施の形態は可能な限り適宜 組み合わせて実施されてもよく、 その場合組み合わせによる効 果が得られる。
産業上の利用可能性
この発明によれば、 高精細かつ高解像度の画像を安定して 表示可能な陰極線管装置を提供する こ とができる。

Claims

SB 求 の 範 囲
1 電子ビ ―ムを発生する電子ビーム発生部と、 前記電 子ビ一ム発生部から発生された電子ビームを加速する と と も にプ リ フ ォー力 スするプ フ ォーカ ス レンズ部と 、 刖記プ フ ォ一カ ス レンズ部によ り プリ フ ォー力ス された電子ビ ム を さ らにプリ フ ォ一力スするサブレ ンズ部と、 前記サプレ ン ズ部によ り プリ フ ォ 力ス された電子ビ一ムを蛍光体ク V ン上に向けて加速する と と もにフ ォー力スする主レ ンズ部と
、 を有する電子銃構体と
刖 S己電子銃構体から放出された電子ビ一ムを水平方向及び 直方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向 ョ ーク とヽ を備 免 、
刖記プリ フ ォ一力ス レンズ部は、 少なく と も、 スク リ一ン 極と 、 第 1 レベノレの電圧が印加される第 1 フ ォ一力ス電極 と 、 によって構成される と と もに、 電子ビーム の進行方向に 対して実質的に回転対称に形成され、
刖記サブレ ンズ部は 少なく と も、 前記第 1 フ ォ一力ス電 極と、 刖記第 1 レベルよ り 低い第 2 レべルの電圧が印加され る第 2 フ ォー力ス電極と によって構成され、
目 ϋ S己主レ ンズ部は 少なく と も、 前記第 2 フ ォ一力ス電極 と 、 刖 、 記第 1 レベルよ り 高い第 3 レべノレの電圧が印加される ァノ一ド電極と 、 によつて構成され、
さ らに電子銃構体は 刖 、 記主レンズ部に入射する刖 の電子 ビ一ム の水平方向径が垂直方向径よ り 大き く なる よ う な非対 称電子レ ンズ部を備 た .ゝ と を特徴とする陰極線管装' 2 雷
- 子ビ ムを 生する ¾子ビ ム発生部と、 刖記 子ビ ム発生部から発生され十に i子ビ ムを加速する と と も にプリ フォ 力スするプ V フォ 力ス レンズ部と BU記プジ フ ォ 力ス レンズ部によ り プリ フ ォ 力ス された電子ビ ム をさ らにプリ フ ォ 力スするサプレ ンズ部と 、 前記サブレン ズ部によ り プリ フォ ―力ス された ¾ナビ ムを蛍光体ク V ン上に向けて加速する と と もにフォ 力スする主レンズ部と を有する電子銃構体と
刖記電子銃構体から放出された電子ビ ムを水平方向及ぴ 方向に偏向する偏向磁界を発生する偏向 ョーク と を備 記プリ フ ォ 力ス レ ンズ部は 、 少な < と も、 スク リ ン 電極と 第 1 レベルの電圧が印加される第 1 フ ォ 力ス電極 と によつて構成される と と もに 雷子ビームの進行方向に 対して実質的に回転対称に形成され、
刖記サブレンズ部は 少な < と も、 刖記第 1 フ ォ 力ス電 極と 刖記第 1 レベルよ り低い第 2 レベルの電圧が印加され る 2 フォ一力ス電極と 己 1 フ ォ カ ス電極と前記整
2 フ ォ 力ス電極と の間に配置される中間電極と 、 によつて 構成され
刖記主レ ンズ部は 少な < と あ 、 刖記第 2 フ ォ一力ス電極 と 刖記第 1 レベルよ 高い第 3 レベルの電圧が印加される ァノ ド、電極と 、 によつて構成され、
目 U記中間電極は前記スク V ン電極と 気的に接続され しかも 目 U記中間電 及び目 U記スク リ ン電極には前記 2 レベルよ り さ らに低い第 4 レベルの電圧が印加され、 さ らに電子銃構体は、 前記主レ ンズ部に入射する前の電子 ビーム の水平方向径が垂直方向径ょ り 大き く なる よ う な非対 称電子レ ンズ部を備えたこ と を特徴とする陰極線管装置。
3 . 前記電子ビーム発生部は、 力 ソー ドと、 グリ ッ ド電 極と、 前記ス ク リ ー ン電極と によって構成され、
前記ダリ ッ ド電極と前記ス ク リ ーン電極と の間に形成され る電界は、 前記非対称電子レ ンズ部を構成する こ と を特徴と する請求項 1 または 2 に記載の陰極線管装置。
4 . 前記グリ ッ ド電極は、 水平方向径が垂直方向径よ り 大きい横長の電子ビーム通過孔を有する こ と を特徴とする請 求項 3 に記載の陰極線管装置。
5 . 前記グ リ ッ ド電極は、 前記ス ク リ ー ン電極と の対向 面の電子ビーム通過孔周辺に水平方向に長い横長のス リ ッ ト を有する こ と を特徴とする請求項 3 に記載の陰極線管装置。
6 . 前記サブレ ンズ部は、 垂直方向のフ ォ ーカスカが水 平方向のフ ォ ーカ ス カ よ り 強い非点収差を有する前記非対称 電子レンズ部を構成する こ と を特徴とする請求項 1 または 2 に記載の陰極線管装置。
7 . 前記第 1 フ ォーカ ス電極は、 前記第 2 フ ォーカ ス電 極との対向面に縦長の電子ビーム通過孔を有する こ と を特徴 とする請求項 1 に記載の陰極線管装置。
8 . 前記第 2 フ ォーカ ス電極は、 前記第 1 フ ォーカ ス電 極との対向面に横長の電子ビーム通過孔を有する こ と を特徴 とする請求項 1 に記載の陰極線管装置。
9 . 刖 13中間電極は、 横長の電子ビーム通過孔を有する こ と を特徴とす an求項 2 に記載の陰極線管装置。
1 0 • 前記第 1 フォーカ ス電極の前記中間電極と の対向
¾ 、 及ぴ 、 刖記第 2 フォーカス電極の前記中間電極と の対向 面に縦長の 子ビ一ム通過孔を有する こ と を特徴とする請求 項 9 に記載の陰極線管装置。
1 1 • 前記ァノ一 ド電極に印加された電圧を分圧する抵 抗器を懨え 、
刖曰匚 ¾ 1 フ才一力ス電極に印カロされる電圧は、 前記抵抗器 を介して供 される こ と を特徴とする請求項 1 または 2 に記 載の陰極線官装 m. 。
1 2 • 前記第 2 フォーカ ス電極は、 少なく と も 2 つのセ グメ ン ト によつて構成され、 電子ビームを偏向する際にこれ らのセグメ ン 卜 1曰コ V 水平方向にフォ一カス作用を有する と と もに垂直方向に発散作用を有する 4極子レンズ部を形成する こ と を特徴とす o Ik求項 1 または 2 に記載の陰極線管装置。
1 3 、
• 目【J記第 2 フォーカ ス電極を構成する前記セグメ ン トの少な < と も一つに、 基準電圧に前記偏向磁界に同期して 変化する交流成分を重畳したダイナミ ック フォーカス電圧が 印加される - と を特徴とする請求項 1 2 に記載の陰極線管装
1 4 、
• U記第 2 フォーカス電極の前記アノー ド電極.と の 対向面及び 、
目 U記ァノ一ド電極の前記第 2 フォーカス電極との 対向面の少な < と も —方に、 電子ビームの進行方向に延びた 筒状体を備えたこ と を特徴とする請求項 1 に記載の陰極線管
U000請 Zdf/ェ:) d SO 90請 OAV
PCT/JP2004/000219 2003-01-15 2004-01-15 陰極線管装置 WO2004064105A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020047013639A KR100662938B1 (ko) 2003-01-15 2004-01-15 음극선관장치
US10/942,913 US7030548B2 (en) 2003-01-15 2004-09-17 Cathode-ray tube apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003007102A JP2004265604A (ja) 2003-01-15 2003-01-15 陰極線管装置
JP2003-007102 2003-01-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/942,913 Continuation US7030548B2 (en) 2003-01-15 2004-09-17 Cathode-ray tube apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004064105A1 true WO2004064105A1 (ja) 2004-07-29

Family

ID=32709099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/000219 WO2004064105A1 (ja) 2003-01-15 2004-01-15 陰極線管装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7030548B2 (ja)
JP (1) JP2004265604A (ja)
KR (1) KR100662938B1 (ja)
CN (1) CN1698173A (ja)
WO (1) WO2004064105A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112516797B (zh) * 2020-12-01 2022-09-16 中国科学院近代物理研究所 一种用于同位素分离系统的静电聚焦和加速系统及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0393135A (ja) * 1989-09-04 1991-04-18 Matsushita Electron Corp カラー受像管装置
JPH04315736A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Nec Corp インライン型カラー受像管用電子銃
JPH07130299A (ja) * 1993-10-22 1995-05-19 Samsung Display Devices Co Ltd カラー陰極線管用電子銃
JPH07147145A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Hitachi Ltd 陰極線管用電子銃
JP2000331624A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Mitsubishi Electric Corp インライン型電子銃
JP2001084921A (ja) * 1999-07-12 2001-03-30 Toshiba Corp カラーブラウン管装置
JP2002279916A (ja) * 2001-01-09 2002-09-27 Toshiba Corp 陰極線管装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4764704A (en) * 1987-01-14 1988-08-16 Rca Licensing Corporation Color cathode-ray tube having a three-lens electron gun
JPH05290756A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Toshiba Corp カラー受像管
JP2000251757A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Toshiba Corp 陰極線管
JP2001283751A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Toshiba Corp 陰極線管装置
JP2002083557A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Toshiba Corp 陰極線管装置
KR100719526B1 (ko) * 2000-08-22 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 칼라 음극선관용 전자총
JP2002170503A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Toshiba Corp 陰極線管装置
KR100719533B1 (ko) * 2001-05-04 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 칼라 음극선관용 전자총
KR100468422B1 (ko) * 2002-05-14 2005-01-27 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 칼라음극선관용 전자총

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0393135A (ja) * 1989-09-04 1991-04-18 Matsushita Electron Corp カラー受像管装置
JPH04315736A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Nec Corp インライン型カラー受像管用電子銃
JPH07130299A (ja) * 1993-10-22 1995-05-19 Samsung Display Devices Co Ltd カラー陰極線管用電子銃
JPH07147145A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Hitachi Ltd 陰極線管用電子銃
JP2000331624A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Mitsubishi Electric Corp インライン型電子銃
JP2001084921A (ja) * 1999-07-12 2001-03-30 Toshiba Corp カラーブラウン管装置
JP2002279916A (ja) * 2001-01-09 2002-09-27 Toshiba Corp 陰極線管装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050008649A (ko) 2005-01-21
CN1698173A (zh) 2005-11-16
US20050057196A1 (en) 2005-03-17
US7030548B2 (en) 2006-04-18
KR100662938B1 (ko) 2006-12-28
JP2004265604A (ja) 2004-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3576217B2 (ja) 受像管装置
JP2605202B2 (ja) カラー陰極線管用電子銃
KR100345613B1 (ko) 칼라음극선관
WO2004064105A1 (ja) 陰極線管装置
US6927531B2 (en) Electron gun and color picture tube apparatus that attain a high degree of resolution over the entire screen
JP2002075240A (ja) 陰極線管装置
JPH0636706A (ja) カラー受像管
JP3315173B2 (ja) カラー受像管装置
KR100646910B1 (ko) 음극선관장치
JP2684996B2 (ja) インライン形カラー陰極線管
JP3053850B2 (ja) カラー受像管装置
JP3640694B2 (ja) カラー受像管
JP2804051B2 (ja) カラー受像管装置
JP2878731B2 (ja) カラー受像管装置
JP2765577B2 (ja) インライン形カラー受像管
KR20010089145A (ko) 음극선관 장치
JPH09219156A (ja) カラー陰極線管用電子銃
JP2563273B2 (ja) 受像管装置
JP2000285823A (ja) カラーブラウン管装置
JP2002008559A (ja) 陰極線管装置
JP2000231890A (ja) カラーブラウン管装置
JP2001057163A (ja) カラーブラウン管装置
JP2004022232A (ja) 陰極線管装置
JPH06162955A (ja) カラー受像管
JPH09134680A (ja) カラー受像管装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020047013639

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20048000504

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10942913

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020047013639

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase