WO2004040591A1

WO2004040591A1 - 固定ネットワーク抵抗器

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Publication number: WO2004040591A1
Application number: PCT/JP2003/013749
Authority: WO
Inventors: Takahiro Kuriyama
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2002-10-31
Filing date: 2003-10-28
Publication date: 2004-05-13
Anticipated expiration: 2005-04-30
Also published as: AU2003275693A1; US7227443B2; US20050285713A1

Abstract

　絶縁基板の上面に抵抗膜の複数個を並べて形成し、前記絶縁基板の長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極を長手側面に沿って所定の間隔ピッチで形成するとともに、各端子電極の間に凹み部を設けて成る固定ネットワーク抵抗器において、前記凹み部における長手側面に沿った幅寸法を、前記間隔ピッチの０．４４～０．４８倍にするか、或いは、０．５２５～０．６２５倍にすることにより、半田付け実装のときに前記各端子電極間に半田ブリッジが発生する率、及び、前記長手側面のうち前記各凹み部の間における端子電極形成部に欠けが発生する率を低くする。

Description

曰月糸田 » 固定ネッ卜ワーク抵抗器

[発明の属する技術分野]

本発明は、長方形にした一つの絶縁基板の上面に、少なくとも三つ以上の抵抗膜を並べて形成する一方、前記絶縁基板の長手側面に、前記各抵抗膜の各々に対する半田接続用の端子電極を形成して成る表面実装用固定ネッ卜ワーク抵抗器に関するものである。

[従来の技術]

従来、この種の固定ネッ卜ワーク抵抗器のうち、例えば、四つの抵抗膜を備えて成る四連式の固定ネッ卜ワーク抵抗器においては、図 1 2〜図 1 4に示すように、平面視において長さ寸法 Lで幅寸法 Wの長方形にした絶縁基板 1 ' の上面に四つの抵抗膜 2 ' を、当該絶縁基板 1 ' の長手方向に並べて形成する一方、前記絶縁基板 1 ' における左右両長手側面 3 ' に、前記各抵抗膜 2 ' の各々の両端に対する端子電極 4 ' を形成することにより、プリント基板等に対して、この各端子電極 4 ' の半田付けにて表面実装するという構成にしている。

.これに加えて、従来は、前記絶縁基板 1 ' における両長手側面 3 ' のうち前記各端子電極 4 ' 間の部分に凹み部 5 ' を設けることによリ、前記両長手側面 3 ' に対して各端子電極 4 ' を形成するときにおいて、この各端子電極 4 ' の相互間を、前記各凹み部 5 ' にて確実に分断するように構成している（例えば、特公昭 6 - 1 8 1 2 3号公報等を参照）。なお、前記絶縁基板 1 ' の上面には、ガラス等によるカバ一コ一卜 7 ' が、前記各抵抗膜 2 ' を覆うように形成されている。ところで、前記した構成の固定ネットワーク抵抗器においては、

( a) . この固定ネットワーク抵抗器を、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記各抵抗膜 2 ' の両端に対する各端子電極 4 ' のうち相隣接する相互間に、半田プリッジが発生することの率が低く。

( b ) . 前記絶縁基板 1 ' における両長手側面 3 ' に対して各端子電極 4 ' を、導電性ペース卜の塗布及び乾燥又は焼成にて形成するときにおいて、各端子電極

4 ' のうち相隣接する相互間に、導電性ペース卜の前記凹み部 5 ' 内での繋がりが発生することの率が低く。

( c ) . 前記絶縁基板 1 ' の長手側面 3 ' のうち前記各凹み部 5 ' 間における端子電極形成部 6 ' に、欠け又は折れが発生することの率が低く。

( d ) . 前記絶縁基板 1 ' が、前記各凹み部 5 ' の部分から割れることの発生率が低く。なるように構成にすることが必要である。

これに対し、従来の固定ネットワーク抵抗器においては、前記各端子電極 4 ' における絶縁基板 1 ' の長手側面 3 ' に沿った間隔ピッチを Pとした場合に、前記長手側面 3 ' のうち前記各凹み部 5 ' の間で前記各端子電極 4 ' を形成する部分 6 ' (以下、端子電極形成部と称する）における幅寸法 A' を、 =約 0 . 6 X Pにする一方、前記各凹み部 5 ' における絶縁基板 1 ' の長手方向 3 ' に沿つた幅寸法 B ' を、 B ' =約 0 . 4 X Pにし、更に、前記各凹み部 5 ' における長手方向 3 ' からの深さ寸法 C ' を、前記端子電極形成部 6 ' における幅寸法 A ' と略等しくするという構成にしている。

このような構成であるために、以下に述べるような問題があった。

すなわち、前記凹み部 5 ' における幅寸法 B ' は、前記各端子電極 4 ' の間隔ピッチ Pが 0 . 5 m mに規格されているサイズの固定ネッ卜ワーク抵抗器において、 B ' = 0 . 4 x 0 . 5 =約 0 . 2 m mになるというように、小さいから、この固定ネットワークチップ抵抗器を、プリント基板等に対して半田付けにて表面実装するときにおいて、前記各端子電極 4 ' のうち凹み部 5 ' を挟んで隣接する端子電極 4 ' の間に、半田が糸状に延びた状態で繋がるというように半田ブリツジが発生するおそれが大きい。

特に、前記各端子電極 4 ' の間隔ピッチ Pが 0 . 4 m mに規格されているサイズの固定ネットワーク抵抗器において、前記凹み部 5 ' における幅寸法 B ' は、 B ' = 0 . 4 X 0 . 4 =約 0 . 1 6 m mになるというように、更に小さくなるから、半田付け実装に際して、各端子電極 4 ' のうち相隣接する相互間に半田プリッジが発生する率は著しく高くなるのである。

これに加えて、前記間隔ピッチ Pが 0 . 4 m mに規格されているサイズの固定ネットワーク抵抗器においては、その各凹み部 5 ' における深さ寸法 C ' も、 C ' = 0 . 2 4 m mにもなリ、前記間隔ピッチ Pが 0 . 4 m mサイズでは絶縁基板

1 ' における幅寸法 Wが 0 . 6 m mであることから、前記深さ寸法 C ' の絶縁基板 1 ' における幅寸法 Wに対する割合が大きくなるから、絶縁基板 1 ' が、前記凹み部 5 ' の箇所において割れることが多発するのでぁリ、しかも、前記凹み部

5 ' における深さ寸法 C ' が深くなることで、この各凹み部 5 ' の間に位置している前記端子電極形成部 6 ' における突出長さ寸法が大きくなるから、この端子電極形成部 6 ' の部分に、欠け又は折れが多発することになる。

—方、前記凹み部 5 ' における深さ寸法 C ' を浅くすることは、この各凹み部

5 ' の間に位置している端子電極形成部 6 ' に、これに導電性ペーストを塗布することで端子電極 4 ' を形成するときにおいて、導電性ペース卜が前記凹み部 5 ' 内に垂れ込んで、互いに繋がることが多発することになる。

本発明は、これらの問題を解消した固定ネットワーク抵抗器を提供することを技術的課題とするものである。

[発明の開示]

本発明における第〗の局面は、平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜が絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピツチで形成される一方、前記絶縁基板における長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極が形成されるとともに、この端子電極間の部分に凹み部が設けられており、更に、前記各端子電極の前記長手側面に沿った間隔ピツチが 0 . 5 m m以上である固定ネットヮ一ク抵抗器において、前記各凹み部における前記長手側面に沿った幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 4 4 〜 0 . 4 8倍に設定する一方、前記凹み部間の端子電極形成部における前記長手側面に沿つた幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 5 6 〜 0 . 5 2倍に設定することを特徴としている固定ネットワーク抵抗器の半田付けに際して、各端子電極のうち凹み部を挟んで相隣接する端子電極の相互間に半田プリッジ発生することを無くするには、この各端子電極間の凹み部における幅寸法を、絶縁基板にお.ける端子電極形成部における幅寸法よリも大きくすれば良い。しかし、各端子電極における間隔ピッチを大きくしない状態のもとで、凹み部における幅寸法を、端子電極形成部における幅寸法よリも大きくすれば、前記端子電極形成部における幅寸法が狭くなリ、この端子電極形成部の強度が低下し、この部分に、欠け又は割れ等の欠損が発生することになる。

そこで、本発明者は、前記各端子電極における間隔ピッチを一定に保った状態で、前記端子電極形成部における幅寸法と、前記凹み部における幅寸法との関係について実験したところ、前記各凹み部における幅寸法を、前記間隔ピッチの 0 . 4 4〜 0 . 4 8倍に設定する一方、前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法を、前記間隔ピッチの 0 5 6〜 0 . 5 2倍に設定するのが好ましいことが判った。

すなわち、各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法と、各凹み部における幅寸法とを、前記したような寸法関係に構成することによリ、前記各抵抗膜における間隔ピッチを大きく、ひいては、絶縁基板を大型にすることのない状態のもとで、前記端子電極形成部に欠け又は割れ等の欠損が発生するのを確実に防止することができるものでありながら、半田付けに際して、前記凹み溝を挟む両側の端子電極の間に、半田プリッジが発生することを大幅に低減できるという効果を奏する。

本発明の第 2の局面は、平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜が絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピツチで形成される一方、前記絶縁基板における長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極が形成されるとともに、この端子電極間の部分に凹み部が設けられており、更に、前記各端子電極の前記長手側面に沿った間隔ピッチが 0 . 4 m m以下である固定ネッ卜ワーク抵抗器において、前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面に沿った幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 5 2 5〜 0 . 6 2 5倍に、前記絶縁基板における長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 4 7 5〜 0 . 3 7 5倍に設定することを特徴としている。

このように構成することによリ、前記各端子電極における間隔ピッチが 0 . 4 m mであ.る場合には、前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面に沿つた幅寸法は、 0 . 2 1 〜 0 . 2 5 mmに、前記絶縁基板における長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法は、 0 . 1 9〜 0 . 1 5 m mになるから、詳しくは以下の実施の形態において説明するように、前記したように固定ネッ卜ワーク抵抗器に要求される（ a ) , ( b ) 及び（ c ) の条件を同時に充足できる効果を有する。

また、この第 2の局面においては、前記したように、前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面に沿った幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピツチの 0 . 5 2 5〜 0 . 6 2 5倍に、前記絶縁基板における長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピツチの 0 . 4 7 5〜 0 . 3 7 5倍にすることに加えて、前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面からの深さ寸法を、前記端子電極形成部における幅寸法の 0 . 5 1 2 〜 0 . 6 4 5倍に設定することによリ、前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面からの深さ寸法は、 0 . 0 7 7〜 0 . 1 2 m mになるから、前記（ a ) , ( b ) ，（ c ) の条件に加えて、（ d ) の条件をも同時に充足できる効果を有する

[図面の簡単な説明]

図 1 は、本発明の第 1 実施の形態を示す斜視図である。

図 2 は、前記第 1 実施の形態を示す平面図である。

図 3 は、図 2の I I I - I I I 視拡大断面図である。

図 4 は、前記第 1 実施の形態に使用する絶縁基板を示す斜視図である。

図 5 は、本発明の第 1実施の形態を示す斜視図である。

図 6 は、前記第 2実施の形態に使用する絶縁基板を示す斜視図である。

図 7 は、本発明の第 3実施の形態を示す斜視図である。

図 8 は、本発明の第 4実施の形態に使用する絶縁基板を示す斜視図である。図 9 は、本発明の第 5実施の形態を示す平面図である。

図 1 0 は、図 9の X— X視拡大断面図である。

図 1 1 は、前記第 5実施の形態に使用する絶縁基板を示す斜視図である。

図 1 2 は、従来の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。

図 1 3は、前記従来の固定ネッ卜ワーク抵抗器の平面図である。図 1 4は、前記従来の固定ネットワーク抵抗器における絶縁基板を示す斜視図である。

[発明を実施するための最良の形態]

以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。

図 1 〜図 4 は、第 1 実施の形態を示す。

この図において、符号 1 は、平面視で、長さ寸法しを 2 . 0 m m、幅寸法 Wを 1 . 0 m mの長方形にしたセラミック製の絶縁基板を示し、この絶縁基板 1 の上面には、四つの抵抗膜 2が、絶縁基板 1 の長手方向に並べて形成されている。前記絶縁基板 1 における左右両側の長手側面 3 には、前記各抵抗膜 2 の両端に電気的に接続する端子電極 4が、前記長手側面 3 に沿って P = 0 . 5 m mの間隔ピッチで形成されている。また、前記絶縁基板 1 における左右両長手側面 3のうち前記各端子電極 4間の部分には、凹み部 5が設けられている。

なお、前記各端子電極 4 は、絶縁基板 1 における下面にも延びてぉリ、また、前記絶縁基板 1 の上面には、ガラス等による力バーコ一卜 7が、前記各抵抗膜 2 を覆うように形成されている。

そして、前記各凹み部 5 における前記長手側面 3 に沿った幅寸法 Bを、 B = 0 . 4 6 X P = 0 . 2 3 m mに構成する一方、この各凹み部 5間において前記端子電極 4を形成する部分 6、つまリ、各端子電極形成部 6 における前記長手側面 3 に沿った幅寸法 Aを、 A = 0 . 5 4 X P = 0 . 2 7 m mに構成する。

本発明者の実験によると、前記した構成にすることによリ、前記各端子電極形成部 6 に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを、従来の構成の場合によりも大幅に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記各端子電極 4のうち凹み部 5を挟んで隣接する端子電極 4の間に、半田ブリッジが発生することを、従来の構成の場合によりも大幅に低減できるのであった。

また、本発明者の実験によると、前記各凹み部 5 における幅寸法 Bは、 B = ( 0 . 4 8 〜 0 . 4 4 ) X Pに設定する一方、前記各端子電極形成部 6 における幅寸法 Aは、 A = ( 0 . 5 2 〜 0 . 5 6 ) X Pに設定することが好ましかった。すなわち、前記各端子電極形成部 6 における幅寸法 Aが 0 . 5 6 X P = 0 . 2 8 m mを越え、前記凹み部 5における幅寸法 Bが 0. 4 4 X P= 0. 2 2 mm未満である場合には、前記凹み部 5を挟んで隣接する端子電極 4の間に半田プリッジが発生する頻度が高くなるのであり、また、前記各端子電極形成部 6における幅寸法 Aが 0. 5 2 X P - 0. 2 6 mm未満で、前記凹み部 5における幅寸法 B か 0. 4 8 X P= 0. 2 4 m mを越える場合には、前記各端子電極形成部 6に欠け又は割れ等の欠損が発生する頻度が高くなるのであつた。

次に、図 5及び図 6は、第 2実施の形態を示す。

この第 2実施の形態は、平面視で長方形にした一つの絶縁基板 1 1 に、三つの抵抗膜 1 2を並べて形成する一方、前記絶縁基板 1 1 における左右両長手側面 1 3に、前記各抵抗膜 1 2の両端に対する端子電極〗 4を、前記長手側面 3に沿つて P = 0. 5 mmの間隔ピッチで形成するとともに、この各端子電極 1 4の間に凹み部 1 5を設け、更に、前記絶縁基板 1 1 の上面に、カバーコート 1 7を形成して成る三連式の固定ネットワーク抵抗器にした場合である。

この場合においても、前記各凹み部 1 5間の端子電極形成部 1 6における長手側面 1 3に沿った幅寸法 Aを、 A= ( 0. 5 2〜 0. 5 6 ) x Pに設定する一方、前記各凹み部 1 5における長手側面 1 3に沿った幅寸法 Bを、 B = ( 0. 4 8 〜 0. 4 4 ) X Pに設定することによリ、前記と同様に、前記各端子電極形成部 1 6に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部 1 5を挟んで隣接する端子電極 1 4の間に、半田ブリッジが発生することを確実に低減できるそして、図 7は、第 3実施の形態を示す。

この第 3実施の形態は、各端子電極における間隔ピッチ Pを、 0. 5 mmにしたサイズの固定ネッ卜ワーク抵抗器において、絶縁基板 2 〗における左右両長手側面 2 3 , 2 3 ' のうち一方の長手側面 2 3に、絶縁基板 2 1 の上面に並べて形成した四つの抵抗膜 2 2の一端の各々に対する個別の端子電極 2 4を、前記間隔ピッチ Ρ = 0 · 5 mmで形成するとともに、この各個別端子電極 2 4の間に凹み部 2 5を設ける一方、前記絶縁基板 2 1 における左右両長手側面 2 3 , 2 3 ' のうち他方の長手側面 2 3 ' に、前記四つの抵抗膜 2 2の他端に対して導体パターン 2 8を介して電気的に接続した少なくとも一つの共通端子電極 2 4 ' を各々形成し、更に、前記絶縁基板 2 1 の上面に、力バーコ一卜 2 7を形成して成るものである。

この場合においても、前記第 1 実施の形態と同様に、前記絶縁基板 2 1 の一方の長手側面 2 3 における各凹み部 2 5間の端子電極形成部 2 6 における幅寸法 A を、 Α = ( 0 . 5 2〜0 · 5 6 ) Χ Ρに設定する一方、前記各凹み部 2 5 における幅寸法 Bを、 B = ( 0 . 4 8〜0 . 4 4 ) x Pに設定することにょリ、前記と同様に、前記各端子電極形成部 2 6 に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリン卜基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部 2 5を挟んで隣接する端子電極 2 4の間に、半田ブリッジが発生することを確実に低減できる。

なお、この第 3実施の形態において、絶縁基板 2 1 における他方の長手側面 2 3 ' には、ダミーの端子電極 2 4 " と、これに対する凹み部 2 5 ' とが、一方の長手側面 1 3 における個別の端子電極 2 4及び凹み部 2 5 と同じ形態にして設けられている。

また、本発明は、前記各実施の形態のように、一つの絶縁基板に抵抗膜を三つ又は四つ設けた三連又は四連式の固定ネッ卜ワーク抵抗器に限らず、五つ以上の抵抗膜を設けた多連式の固定ネットワーク抵抗器にも適用できることはいうまで ¾ない。

図 8 は、本発明における第 4実施の形態を示す。

この第 4実施の形態は、長さ寸法 Lを 3 . 8 m mに幅寸法 Wを 1 . 6 m mにした絶縁基板 3 1 における長手側面 3 3 に、当該絶縁基板 3 1 の上面に形成した各抵抗膜 3 2の両端に対する端子電極を形成するための端子電極形成部 3 6を、長手側面 3 3に沿って P = 0 . 5 m mの間隔ピッチで設けるとともに、この各端子電極形成部 3 6の間に、凹み部 3 5を設けて成る多連式の固定ネットワーク抵抗器の場合である。

この場合においても、前記と同様に、前記絶縁基板 3 1 の長手側面 3 3 に設けた各凹み部 3 5間の端子電極形成部 3 6 における幅寸法 Aを、 A = ( 0 . 5 2〜 0 . 5 6 ) X Pに設定する一方、前記各凹み部 3 5 における幅寸法 Bを、 B = ( 0. 4 8〜 0. 4 4 ) x Pに設定することによリ、前記と同様に、前記各端子電極形成部 3 6に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリン卜基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部 3 5 を挟んで隣接する端子電極の間に、半田プリッジが発生することを確実に低減でぎるのである。

そして、図 9〜図 1 1 は、本発明の第 5実施の形態を示す。

この実施の形態は、各端子電極の相互間における間隔ピッチ Pを、 0. 4 mm にした四連式の固定ネッ卜ワーク抵抗器に適用した場合である。

この図において、符号 4 1 は、平面視で、長さ寸法 Lを 1 . 3 9 mm、幅寸法

Wを 0. 6 mmの長方形にしたセラミック製の絶縁基板を示し、この絶縁基板 4

1 の上面には、四つの抵抗膜 4 2が、絶縁基板 4 1 の長手方向に並べて形成されている。

前記絶縁基板 4 〗における左右両側の長手側面 4 3には、前記各抵抗膜 4 2の両端に電気的に接続する端子電極 4 4が、前記絶縁基板 4 1 における長手方向に沿って P = 0. 4 m mの間隔ピッチで形成されている。

また、前記絶縁基板 4 1 における左右両長手側面 4 3のうち前記各端子電極 4 4間の部分には、前記長手側面 4 3に沿って幅寸法 Bで、前記長手側面 4 3から適宜深さ寸法 Cにした凹み部 4 5が設けられている。換言すると、前記両長手側面 4 3のうち各凹み部 4 5間の部分には、長手側面 4 3に沿って幅寸法 Aの端子電極形成部 4 6が設けられ、前記端子電極 4 4の一部がこの端子電極形成部 4 6 に形成されている。

なお、前記各端子電極 4 4は、絶縁基板 4 1 における下面にも延びており、また、前記絶縁基板 4 1 の上面には、ガラス等によるカバーコート 4 7が、前記各抵抗膜 4 2の全体を覆うように形成されている。

前記絶縁基板 4 1 における左右両長手側面 4 3のうち前記各凹み部 4 5間の各端子電極形成部 4 6における幅寸法 Aを、 0. 1 9〜 0. 1 5 mmにするというように、 A= P x ( 0. 4 7 5〜 0. 3 7 5 ) にする一方、前記各凹み部 4 5における幅寸法 Bを、 0. 2 1 〜 0. 2 5 mmにするというように、 B = P x ( 0 . 5 2 5〜 0. 6 2 5 ) にする。更に、前記各凹み部 4 5における長手側面 4 3からの深さ寸法 Cを、 0. 0 7 7〜 0. 1 2 m mにするというように、前記端子電極形成部 4 6における幅寸法 Aの 0. 5 1 2〜 0. 6 4 5倍、つまり、 C = A x ( 0. 5 1 2〜 0. 6 4 5 ) にする。

ところで、本発明者の実験によると、プリン卜基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記各端子電極 4 4のうち凹み部 4 5を挟んで隣接する端子電極 4 4の間に半田プリッジが発生する率は、前記各凹み部 4 5における幅寸法 Bが 0. 2 0 m mである場合を境として、前記幅寸法 Bを 0. 2 O mm以上にした場合に、前記幅寸法 Bを 0. 2 0 m m未満にした場合の約 1 0分の 1 以下に低減できるのであつた。

また、本発明者の実験によると、前記各端子電極形成部 4 6に端子電極 4 4を導電性ペース卜の塗布にて形成するときにおいて、前記導電性ペース卜が前記凹み部 4 5内に垂れ込んで互いに繋がることが発生する率は、前記各凹み部 4 5における深さ寸法 Cが約 0. 0 7 7 m mである場合を境として、前記深さ寸法 Cを 0. 0 7 7 m m以上にした場合に、前記幅寸法 Cを 0. 0 7 7 mm未満にした場合の約〗 0分の〗以下に低減できるのであった。

これらことから、前記各凹み部 4 5における幅寸法 Bは、前記した寸法に若干の安全性を見んで、 0. 2 1 m m以上、つまリ、 B = P x O . 5 2 5以上に設定することが好ましく、また、前記各凹み部 4 5における深さ寸法 Cは、前記した寸法に若干の安全性を見込んで、 0. 0 7 7 m m以上、つまリ、 C = A X 0. 5 1 2以上に設定することが好ましいという結論を得た。

しかし、前記各端子電極 4 4の間に半田ブリッジが発生する率は、前記凹み部 4 5における幅寸法 Bを大きくすることで低減できるものの、前記幅寸法 Bを大きくすると、前記端子電極形成部 4 6における幅寸法 Aは、逆に、小さくなリ、また、前記各端子電極 4 4間に導電性べ一ストの繋がリが発生する率は、前記凹み部 4 5における深さ寸法 Cを大きくすることで低減できるものの、前記深さ寸法 Cを大きくすると、前記端子電極形成部 4 6における長さ寸法が増大するというように、前記端子電極形成部 4 6が細長い形状になるから、この端子電極形成部 4 6に欠け又は折れが発生する率が高くなるばかリ、前記凹み部 4 5における深さ寸法 Cを大きくすることで、絶縁基板 4 1 が、当該絶縁基板 4 1 のうちその両側の前記凹み部 4 5の部分において割れることが発生する率が高くなる。そこで、本発明者は、前記端子電極形成部 4 6における幅寸法 Aと、前記凹み部 4 5における深さ寸法 Cとの関係について実験を行った。

その結果、前記端子電極形成部 4 6における幅寸法 Aを、 0 . 1 5 m m以上、つまリ、 A = P X 0 . 3 7 5以上に設定する一方、前記凹み部 4 5における深さ寸法 Cを、 0 . 1 2 m m以下、つまリ、 C = A x O . 6 4 5以下に設定することによリ、前記端子電極形成部 4 6に欠け又は折れが発生する率と、前記絶縁基板 4 1 か凹み部 4 5の部分において割れることが発生する率との両方を、同時に大幅に低減できるのであった。

Claims

言青求の範囲

1 . 平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜が絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピツチで形成される一方、前記絶縁基板における長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極が形成されるとともに、この端子電極間の部分に凹み部が設けられてぉリ、更に、前記各端子電極の前記長手側面に沿った間隔ピッチが 0 . 5 m m以上である固定ネッ卜ワーク抵抗器において、

前記各凹み部における前記長手側面に沿つた幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 4 4〜 0 . 4 8倍に設定する一方、前記凹み部間の端子電極形成部における前記長手側面に沿つた幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピツチの 0 . 5 6 〜 0 . 5 2倍に設定することを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。

2 . 前記絶縁基板における左右両長手側面に、前記端子電極、凹み部及び端子電極形成部を備えていることを特徴とする前記請求の範囲 1 に記載した固定ネットヮ一ク抵抗器。

3 . 前記絶縁基板における左右両長手側面のうち少なくとも一方における長手側面に、前記端子電極、凹み部及び端子電極形成部を備えていることを特徴とする前記請求の範囲 1 に記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。

4 . 前記各端子電極における間隔ピッチが、 0 . 5 m m又は略 0 . 5 m mであることを特徴とする前記請求の範囲 1 〜 3のいずれかに記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。

5 . 前記絶縁基板における長さ寸法 Lが略 2 . 0 m mで、幅寸法 Wが略 1 . 0 m mであることを特徴とする前記請求の範囲 1 〜 3のいずれかに記載した固定ネットワーク抵抗器。

6 . 前記絶縁基板における長さ寸法 Lが略 3 . 8 m mで、幅寸法 Wが略 1 . 6 m mであることを特徴とする前記請求の範囲 1 〜 3のいずれかに記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。

7 . 平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜が絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピツチで形成される一方、前記絶縁基板における長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極が形成されるとともに、この端子電極間の部分に凹み部が設けられておリ、更に、前記各端子電極の前記長手側面に沿った間隔ピッチが 0 . 4 m m以下である固定ネッ卜ワーク抵抗器において、

前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面に沿つた幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 5 2 5〜 0 . 6 2 5倍に、前記絶縁基板における長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法を、前記各端子電極における間隔ピッチの 0 . 4 7 5〜 0 . 3 7 5倍に設定することを特徴とする固定ネッ卜ワーク抵抗器。

8 . 前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面からの深さ寸法を、前記端子電極形成部における幅寸法の 0. 5 1 2〜 0 . 6 4 5倍に設定することを特徴とする前記請求の範囲 7に記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。

9 . 前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面に沿った幅寸法を、 0 . 2 1 〜 0 . 2 5 mmにし、前記絶縁基板における長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法を、 0 . 1 9 ~ 0 . 〗 5 m mにしたことを特徴とする前記請求の範囲 7 に記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。

1 0 . 前記凹み部における前記絶縁基板の長手側面からの深さ寸法を、 0 . 0 7 了〜 0 . 1 2 mmにすることを特徴とする前記請求の範囲 8 に記載した固定ネッ卜ワーク抵抗器。