WO2004015761A1

WO2004015761A1 - 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法

Info

Publication number: WO2004015761A1
Application number: PCT/JP2003/010056
Authority: WO
Inventors: Ryoji Setaka; Terukazu Kokubo; Koji Seno; Takeo Hara
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2002-08-09
Filing date: 2003-08-07
Publication date: 2004-02-19
Also published as: AU2003254854A1; EP1553622B1; TW200408816A; KR100714327B1; ATE363729T1; CN1675756A; EP1553622A1; DE60314164T2; EP1553622A4; US20050272282A1; US7131851B2; TWI239404B; KR20050027251A; CN100369226C; DE60314164D1

Abstract

　直径が８インチ以上の大面積で、被検査電極のピッチが小さいウエハであっても、それに対する位置合わせおよび保持固定が容易で、繰り返し使用しても良好な導電性が維持される異方導電性コネクターおよびその応用が開示されている。上記異方導電性コネクターは、ウエハの全てのまたは一部の集積回路の電極領域に対応して複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、各異方導電膜配置用孔内に配置された複数の弾性異方導電膜とよりなり、弾性異方導電膜は、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部とこれらを相互に絶縁する絶縁部とを有し、前記導電性粒子は、磁性を示す芯粒子に高導電性金属が被覆されてなり、芯粒子に対する高導電性金属の割合が１５質量％以上で、下記ｔが５０ｎｍ以上である。ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕　［Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは高導電性金属の比重（ｋｇ／ｍ3）、Ｎは（高導電性金属の質量／導電性粒子全体の質量）］

Description

明細書異方導電性コ.ネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにゥェハ検查装置およびウェハ検査方法

技術分野

本発明は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクタ一およびこの異方導電性コネクターを得るための導電性ペースト組成物、この異方導電性コネクターを具えたプローブ部材、並ぴにこのプローブ部材を具えたゥェハ検査装置およびこのプロ一ブ部材を使用したウェハ検查方法に関し、更に詳しくは、例えば直径が 8インチ以上のウェハであって、これに形成された集積回路における被検査電極の総数が 5 0 0 0点以上であるものについて、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために好適に用いられる異方導電性コネクターおよびこの異方導電性コネクターを得るための導電性ペースト組成物、この異方導電性コネクターを具えたプロ一ブ部材並びにこのプローブ部材を具えたウェハ検查装置およびこのプローブ部材を使用したウェハ検査方法に関する。背景技術

一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、例えばシリコンよりなるウェハに多数の集積回路を形成し、その後、これらの集積回路の各々について、基礎的な電気特性を検査することによって、欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験が行われる。次いで、このウェハを切断することによつで半導体チップが形成され、この半導体チップが適宜のパッケージ内に収納されて封止される。更に、パッケージ化された半導体集積回路装置の各々について、高温環境下において電気特性を検査することによって、潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置を選別するバ一ンィン試験が行われる。このようなプローブ試験またはパーンィン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検査電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブ部材が用いられている。このようなプローブ部材としては、被検查電極のパターンに対応するパターンに従って検查電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性エラストマ一シートとよりなるものが知られている。

力かる異方導電性エラストマ一シートとしては、従来、種々の構造のものが知られており、例えば特開昭 5 1 - 9 3 3 9 3号公報等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマ一シート（以下、これを「分散型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、また、特開昭

5 3 - 1 4 7 7 7 2号公報等には、導電 ¾ί磁性体粒子をエラストマ一中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマ一シート（以下、これを

「偏在型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、更に、特開昭

6 1 - 2 5 0 9 0 6号公報等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示されている。

そして、偏在型異方導電性エラストマ一シートは、検査すべき集積回路の被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて導電部が形成されているため、分散型異方導電^4ェラストマ一シートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。

このような偏在型異方導電性エラストマ一シートにおいては、検査用回路基板および検査対象物との電気的接続作業において、それらに対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。

然るに、異方導電性エラストマ一シートは柔軟で容易に変形しやすいものであつて、その取扱い性が低いものである。しかも、近年、電気製品の小型化あるいは高密度配線化に伴い、これに使用される集積回路装置は、電極数が増加し、電極の配列ピッチが一層小さくなつて高密度化する傾向にある。そのため、検査対象物の被検査電極に対する電気的接続を行う際に、偏在型異方導電性エラストマーシートの位置合わせおよび保持固定が困難になりつつある。

また、バーンイン試験においては、一旦は集積回路装置と偏在型異方導電性ェラストマ一シートとの所要の位置合わせおよび保持固定が実現された場合であつても、温度変化による熱履歴を受けると、熱膨張率が、検査対象である集積回路装置を構成する材料（例えばシリコン）と偏在型異方導電性エラストマ一シートを構成する材料（例えばシリコーンゴム）との間で大きく異なるため、偏在型異方導電性エラストマーシートの導電部と集積回路装置の被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されない、という問題がある。

このような問題を解決するため、開口を有する金属製のフレーム板と、このフレーム板の開口に配置され、その周縁部が当該フレーム板の開口縁部に支持された異方導電性シートとよりなる異方導電性コネクターが提案されている（特開平 1 1 - 4 0 2 2 4号公報参照）。

この異方導電性コネクタ一は、一般に、以下のようにして製造される。

図 2 3に示すように、上型 8 0およびこれと対となる下型 8 5よりなる異方導電性エラストマ一シート成形用の金型を用意し、この金型内に、開口 9 1を有するフレーム板 9 0を位置合わせして配置すると共に、硬化処理によって弹性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料を、フレーム板 9 0の開口 9 1およびその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層 9 5を形成する。ここで、成形材料層 9 5に含有されている導電性粒子 Pは、当該成形材料層 9 5中に分散された状態である。

上記の金型における上型 8 0および下型 8 5の各々は、成形すべき異方導電性エラストマ一シートの導電部のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の強磁性体層 8 1， 8 6と、これらの強磁性体層 8 1 , 8 6が形成された個所以外の個所に形成された非磁性体層 8 2， 8 7とからなる成形面を有し、対応する強磁个生体層 8 1， 8 6が互いに対向するよう配置されている。

そして、上型 8 0の上面およひ下型 8 5の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、成形材料層 9 5には、上型 8 0の強磁性体層 8 1とこれに対応する下型 8 5の強磁性体層 8 6との間の部分すなわち導電部となる部分において、それ以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層 9 5の厚み方向に作用される。その結果、成形材料層 9 5中に分散されている導電性粒子 Pは、当該成形材料層 9 5における大きい強度の磁場が作用されている部分、すなわち上型 8 0の強磁性体層 8 1とこれに対応する下型 8 5の強磁性体層 8 6 との間の部分に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材料層 9 5の硬化処理を行うことにより、導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とよりなる異方導電性エラストマ一シートが、その周縁部がフレーム板の開口縁部に支持された状態で成形され、以て異方導電性コネクタ一が製造される。

このような異方導電性コネクタ一によれば、異方導電性エラストマーシ一トが金属製のフレーム板に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予めフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔）を形成することにより、集積回路装置の電気的接続作業において、当該集積回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、フレーム板を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、異方導電性シートの熱膨張がフレーム板によって規制されるため、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、偏在型異方導電性エラストマーシートの導電部と集積回路装置の被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。

ところで、ウェハに形成された集積回路に対して行われるプローブ試験においては、従来、多数の集積回路のうち例えば 1 6個または 3 2個の集積回路が形成された複数のェリアにウェハを分割し、このエリアに形成された全ての集積回路について一括してプローブ試験を行い、順次、その他のエリアに形成された集積回路についてプロ一ブ試験を行う方法が採用されている。

そして、近年、検査効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ゥェハに形成された多数の集積回路のうち例えば 6 4個若しくは 1 2 4個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。

一方、バーンイン試験においては、検査対象である集積回路装置は微小なものであってその取扱いが不便なものであるため、多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うためには，長い時間を要し、これにより、検査コストが相当に高いものとなる。このような理由から、ウェハ上に形成された多数の集積回路について、それらのバーンイン試験をウェハの状態で一括して行う WL B I (W a f e r L e b e l B u r n— i n) 試験が提案されている。

しかしながら、検査対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大型のものであって、その被検査電極の数が例えば 5 0 0 0以上、特に 1 0 0 0 0以上のものである場合には、各集積回路における被検査電極のピッチが極めて小さいものであるため、プローブ試験または WL B I試験のためのプローブ部材として上記の異方導電性コネクターを適用すると、以下のような問題がある。

すなわち、直径が例えば 8ィンチ（約 2 0 c m) のゥェハを検査するためには、異方導電性コネクタ一として、その異方導電性エラストマ一シートの直径が 8 インチ程度のものを用いることが必要となる。然るに、このような異方導電性ェラストマーシートは、全体の面積が大きいものであるが、各導電部は微細で、当該異方導電性エラストマーシート表面に占める導電部表面の面積の割合が小さいものであるため、当該異方導電性エラストマ一シートを確実に製造することは極めて困難である。従って、異方導電性エラストマ一シートの製造においては、歩留りが極端に低下する結果、異方導電性エラストマ一シートの製造コストが増大し、延いては検查コストが増大する。

また、プローブ試験のためのプローブ部材として上記の異方導電性コネクターを用いる場合には、以下のような問題がある。

異方導電性エラストマ一シートにおける導電性粒子としては、一般に、例えば二ッケルなどの強磁性体よりなる芯粒子の表面に、例えば金などの高導電性金属よりなる被覆層が形成されてなるものが使用されている。

そして、プロ一ブ試験においては、前述したように、ウェハを 2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行う方法が利用されているが、直径が 8インチまたは 1 2 インチのウェハに高い集積度で形成された集積回路についてプローブ試験を行う場合には、一つのウェハについて複数回の検査処理工程が必要となる。従って、多数のウェハについてプローブ試験を行うためには、用いられる異方導電性エラストマ一シートとして、繰り返し使用における耐久性の高いものであることが要求される。然るに、従来の異方導電性エラストマ一シートにおいては、多数回にわたって繰り返して使用した場合には、導電性粒子における芯粒子が表面に露出するため、当該導電性粒子の導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することが困難である。

また、 W L B I試験のためのプロ一ブ部材として上記の異方導電性コネクターを用いる場合には、以下のような問題がある。

W L B I試験においては、異方導電性エラストマ一シートは、その導電部が、検査対象であるウェハにおける被検査電極と検査用回路基板の検査用電極とによつて挟圧され、この状態で、長時間高温環境下に晒される。然るに、このような過酷な条件下で異方導電性エラストマ一シートが繰り返し使用された場合には、導電性粒子における芯粒子を構成する強磁性体、被覆層を形成する高導電性金- 属中に移行するため、当該導電性粒子の導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。

また、異方導電性エラストマ一シートは、その導電部において、ウェハにおける被検査電極と検査用回路基板の検査用電極とによつて挟圧されることにより、当該導電部を形成する基材が厚み方向に圧縮されて面方向に伸びるよう変形する。その結果、導電性粒子が基材の変形に追従して移動するため、当該導電性粒子の連鎖が湾曲した状態となる。更に、この状態で、異方導電性エラストマーシートが高温環境下に晒されることにより、導電部を形成する基材が大きく膨張する結果、導電性粒子は基材の膨張に追従して移動するため、導電性粒子の連鎖の状態が変化する。そして、このような WL B I試験に異方導電性エラストマーシートが繰り返し使用された場合には、導電部を構成する基材に永久歪みが発生し、更に、この永久歪みによって導電粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することができない。

また、ウェハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は 3 . 3 X 1 0 " ⁶ ZK程度であり、一方、異方導電性エラストマ一シートを構成する材料例えばシリコーンゴムの線熱膨張係数は 2 . 2 X 1 0 ·¹/Κ程度である。従って、例えば 2 5 °Cにおいて、それぞれ直径が 2 0 c mのウェハおよび異方導電性エラストマーシートの各々を、 2 0 °Cから 1 2 0 °Cまでに加熱した場合には、理論上、ゥェハの直径の変化は 0 . 0 0 6 6 c mにすぎないが、異方導電性エラストマーシートの直径の変化は 0 . 4 4 c mに達する。

このように、ウェハと異方導電性エラストマ一シートとの間で、面方向における熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、異方導電性エラストマ一シートの周辺部を、ウェハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有するフレーム板によって固定しても、 WL B I試験を行う場合において、ウェハにおける被検査電極と異方導電性エラストマ一シートにおける導電部との位置ずれを防止することは極めて困難である。

また、 WL B I試験のためのプローブ部材としては、例えばウェハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有するセラミックスよりなる検査用回路基板上に、異方導電性エラストマ一シートが固定されてなるものが知られている（例えば特開平 7— 2 3 1 0 1 9号公報，特開平 8— 5 6 6 6号公報等参照）。このようなプローブ部材において、検查用回路基板に異方導電性エラストマ一シートを固定する手段としては、例えば螺子等によつて異方導電性ェラストマーシートにおける周辺部を機械的に固定する手段、接着剤等によって固定する手段などが考えられる。

しかしながら、螺子等によって異方導電性エラストマ一シートにおける周辺部を固定する手段では、前述のフレーム板に固定する手段と同様の理由により、ゥェハにおける被検查電極と異方導電性エラストマーシー卜における導電部との間の位置ずれを防止することは極めて困難である。

一方、接着剤によって固定する手段においては、検査用回路基板に対する電気的接続を確実に達成するためには、異方導電性エラストマ一シートにおける絶縁部のみに接着剤を塗布することが必要となるが、 WL B I試験に用いられる異方導電性エラストマ一シートは、導電部の配置ピッチが小さく、隣接する導電部間の離間距離が小さいものであるため、そのようなことは実際上極めて困難である。また、接着剤によって固定する手段においては、異方導電性エラストマ一シートが故障した場合には、当該異方導電性エラストマ一シートのみを新たなものに交換することができず、検査用回路基板を含むプローブ部材全体を交換することが必要となり、その結果、検査コストの増大を招く。発明の開示

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第 1の目的は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、検査対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検查電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、良好な導電性が維持され、繰り返し使用による耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクターを提供することにある。

本発明の第 2の目的は，上記の第 1の目的に加え、高温環境下における試験に繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持され、熱的耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 3の目的は、上記の目的に加えて、更に、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持される異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 4の目的は、上記の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するために好適な導電性ぺースト組成物を提供することにある。

本発明の第 5の目的は、検査対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたつて良好な導電性が維持され、熱的耐久性が高くて長い使用寿命が得られるプロ一ブ部材を提供することにある。

本発明の第 6の目的は、上記のプローブ部材を使用して、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置およびウェハ検査方法を提供することにある。

本発明の第 7の目的は、直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成された集積回路についてプローブ試験を行う場合において、繰り返し使用における耐久性の高い異方導電性コネクターおよびプロ一ブ部材を提供することにある。

本発明の第 8の目的は、大面積のウェハに高い集積度で形成された、突起状電極を有する集積回路について電気的検査を行う場合において、繰り返し使用における耐久性の高い異方導電性コネクターおよぴプ口一ブ部材を提供することにある。

本発明の異方導電性コネクタ一は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電 '生コネクターにおいて、

検查対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弹性異方導電膜とよりなり、

前記弾性異方導電膜の各々は、弾性高分子物質により形成され、検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周 03010056

辺部に固定された被支持部とよりなり、

前記弾性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなり、当該芯粒子に対する高導電性金属の割合が 15質量％以上であり、力つ、下記式（1) によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 50 nm以上であることを特徴とする。式（1) t = [1/ (Sw · p) X 〔N/ (1一 N) 〕

〔但し、 tは高導電性金属による被覆層の厚み（m) 、 Swは芯粒子の BET比表面積（m² /k g) 、 pは高導電性金属の比重 (k g/m³ ) 、 Nは（高導電性金属の質量/導電性粒子全体の質量）の値を示す。

本発明の異方導電性コネクタ一においては、前記導電性粒子は、下記に示す電気抵抗値 Rの値が 0. 3 Ω以下であることが好ましい。

電気抵抗値 R：導電性粒子 0. 6 gと液状ゴム 0. 8 gとを混練することによつてペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、 0. 5 mmの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が 1 mmの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に 0. 3 Tの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記導電性粒子は、 BET 比表面積が 10〜50 Om² gであることが好ましい。

また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記フレーム板の線熱膨張係数が 3 X 10 ·⁵/Κ以下であることが好ましい。

また、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その 150°Cにおける圧縮永久歪みが 10%以下で、かつ、デュロメータ一 A硬度が 10〜60のものであることが好ましく、デュロメ一タ一 A硬度が 25〜40のものであることが特に好ましい。

また、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、その引き裂き強度が 8 k NZm以上のものであることが好ましい。

本発明の導電性ペースト組成物は、硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子とを含有してなり、前記導電性粒子は、芯粒子に対する高導電性金属の割合が 1 5質量％以上であり、かつ、前記数式によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 5 0 n m以上であることを特徴とする。

このような導電性ペースト組成物は、上記の異方導電性コネクターにおける弹性異方導電膜を形成するための導電性ペースト組成物として好適である。

本発明のプローブ部材は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるプローブ部材であって、

検査対象であるウェハに形成された集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて検查電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された上記の異方導電性コネクタ一とを具えてなることを特徴とする。

■ 本発明のプローブ部材においては、前記異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱 J1彭張係数が 3 X 1 0 ⁵/K以下であり、前記検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵/'Κ以下であることが好ましい。

また、前記異方導電性コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸ぴ、被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていてもよい。

本発明のウェハ検査装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置において、上記のプロ一ブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とする。

本発明のウェハ検査方法は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、上記のブローブ部材を介してテスタ一に電気的に接続し、当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とする。

上記の異方導電性コネクタ一によれば、フレーム板には、検査対象であるゥェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の異方導電膜配置用孔が形成されており、当該異方導電膜配置用孔の各々に、弾性異方導電膜が配置されているため、変形しにくくて取り极ぃ易く、ウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよぴ保持固定を容易に行うことができる。

また、弾性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、その高導電性金属の割合が芯粒子に対して 1 5質量％以上で、当該高導電性金属による被覆層の厚み tが 5 O n m以上であるため、多数回にわたって繰り返し使用した場合においても、導電性性粒子における芯粒子が表面に露出することが抑制され、その結果、所要の導電性が確実に維持される。

また、高温環境下において繰り返し使用した場合において、導電性粒子における芯粒子を構成する材料が高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子の表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子の導電性が著しく低下することが防止される。

また、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質として、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その 1 5 0 Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下で、かつ、デュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものを用いることにより、多数回にわたって繰り返し使用した場合においても、接続用導電部に永久歪みが発生することが抑制され、これにより、接続用導電部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、所要の導電性が一層確実に維持される。

更に、弹性異方導電膜を形成する弾性高分子物質として、デュロメーター A硬度が 2 5〜4 0のものを用いることにより、高温環境下における試験に繰り返し使用した場合にも、接続用導電部に永久歪みが発生することが抑制され、これにより、接続用導電部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、長期間にわたって所要の導電性が確実に維持される。

また、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のゥェハに対して W L B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。図面の簡犁な説明

図 1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。図 2は、図 1に示す異方導電性コネクターの--部を拡大して示す平面図である図 3は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 4は、図 1に示す異方導電性コネクタ一における弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置の構成を示す説明用断面図である図 6は、弾性異方導電膜成形用の金型に成形材料が塗布されて成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 7は、弾性異方導電成形用の金型をその一部を拡大して示す説明用断面図でめる。

図 8は、図 6に示す金型の上型および下型の間にスぺーサーを介してフレーム板が配置された状態を示す説明用断面図である。

図 9は、金型の上型と下型の間に、目的とする形態の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 0は、図 9に示す成形材料層を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 1は、図 1 0に示す成形材料層にその厚み方向に強度分布を有する磁場が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクターを使用したウェハ検査装置の一例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 3は、本発明に係るプローブ部材の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネクターを使用したウェハ検査装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 7は、実施例で使用した試験用ウェハの上面図である。

図 1 8は、図 1 7に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。

図 1 9は、図 1 7に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極を示す説明図である。

図 2 0は、実施例で作製したフレーム板の上面図である。

図 2 1は、図 2 0に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。図 2 2は、実施例で作製した金型の成形面を拡大して示す説明図である。図 2 3は、従来の異方導電性コネクターを製造する工程において、金型内にフレーム板が配置されると共に、成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

〔符号の説明〕

1 プローブ部材 2 異方導電性コネクター

3 加圧板 4 ウェハ载置台

5 加熱器 6 ウェハ

7 被検査電極 1 0 フレーム板

1 1 異方導電膜配置用孔

1 5 空気流通孔

1 6 位置決め孔 2 0 弾性異方導電膜 T/JP2003/010056 A 成形材料層 21 機能部

接続用導電部 23 絶縁部

突出部 25 被支持部

非接続用導電部 27 突出部

検査用回路基板 31 検査電極

絶縁性シ一ト 40 シート状コネクタ、

電極構造体 43 表面電極部

裏面電極部 45 短絡部

チャンバ一 51 排気管

O—リング

金型 61 上型

基板 63 強磁性体層

非磁性体層 64 a 凹所

下型 66 基板

強磁性体層 68 非磁性体層

a 囬所

a, 69 b スぺ- -サー

セノレ 72 側壁材

蓋材 73H 貫通孔 '

磁石 75 電極部

電気抵抗測定機

上型 81 強磁性体層

非磁性体層 85 下型

強磁性体層 87 非磁性体層

フレーム板 91 開口

成形材料層 P 導電性粒子発明を実施するための最良の形態 P T/JP2003/010056

1 6 以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。

〔異方導電性コネクター〕

図 1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図、図 2は、図 1に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、図 3は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面図、図 4は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 1に示す異方導電性コネクタ一は、例えば複数の集積回路が形成されたゥェハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるものであって、図 2に示すように、それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の異方導電膜配置用孔 1 1 (破線で示す）が形成されたフレーム板 1 0を有する。このフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1は、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応して形成されている。フレーム板 1 0の各異方導電膜配置用孔 1 1内には、厚み方向に導電性を有する弾性異方導電膜 2 0が、当該フレーム板 1 0の当該異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に支持された状態で、かつ、隣接する弾性異方導電膜 2 0と互いに独立した状態で配置されている。また、この例におけるフレーム板 1 0には、後述するウェハ検査装置において、減圧方式の加圧手段を用いる場合に、当該異方導電性コネクターとこれに隣接する部材との間の空気を流通させるための空気流通孔 1 5が形成され、更に、検査対象であるウェハおよぴ検查用回路基板との位置決めを行うための位置決め孔 1 6が形成されている。

弾性異方導電膜 2 0は、弹性高分子物質によって形成されており、図 3に示すように、厚み方向（図 3において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2と、この接続用導電部 2 2の各々の周囲に形成され、当該接続用導電部 2 2の各々を相互に絶縁する絶縁部 2 3とよりなる機能部 2 1を有し、当該機能部 2 1は、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1に位置するよう配置されている。この機能部 2 1における接続用導電部 2 2は、検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置され、当該ウェハの検査において、その被検查電極に電気的に接続されるものである。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されている。具体的には、この例における被支持部 2 5は、二股状に形成されており、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。

弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1における接続用導電部 2 2には、図 4に示すように、磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部 2 3は、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。この例においては、弾性異方導電膜 2 0における被支持部 2 5には、導電性粒子 Pが含有されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部 2 4が形成されている。

フレーム板 1 0の厚みは、その材質によって異なるが、 2 5〜6 0 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは' 4 0〜4 0 O ^ mである。

この厚みが 2 5 /i m未満である場合には、異方導電性コネクターを使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板 1 0の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクターの取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが 6 0 0 /i mを超える場合には、異方導電膜配置用孔 1 1に形成される弾性異方導電膜 2 0は、その厚みが過大なものとなつて、接続用導電部 2 2における良好な導電性および隣接する接続用導電部 2 2間における絶縁性を得ることが困難となることがある。

フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1における面方向の形状および寸法は、検査対象であるウェハの被検查電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設 g十 eれ。

フレーム板 1 0を構成する材料としては、当該フレーム板 1 0が容易に変形せ JP2003/010056

ず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板 1 0を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板 1 0の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよレ、。

フレーム板 1 0を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジゥム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

フレーム板 1 0を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。

また、フレーム板 1 0は、後述する方法により、弾性異方導電膜 2 0における被支持部 2 5に導電性粒子 Pを容易に含有させることができる点で、少なくとも異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部すなわち弾性異方導電膜 2 0を支持する部分が磁性を示すもの、具体的にはその飽和磁化が 0 . l Wb Zm² 以上のものであることが好ましく、特に、当該フレーム板 1 0の作製が容易な点で、フレーム板 1 0全体が磁性体により構成されていることが好ましい。

このようなフレーム板 1 0を構成する磁性体の具体例としては、鉄、二ッケル、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金またはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

また、異方導電性コネクターを W L B I試験に用いる場合には、フレーム板 1 0を構成する材料としては、線熱膨張係数が 3 X 1 0 5/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは一 1 X 1 0 ⁷〜1 X 1 0 ⁵ZK、特に好ましくは I X 1 0 ⁶〜8 Χ 1 0 ⁶/Κである。

このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバ一などのェリンバー型合金、スーパーィンバ一、コバール、 4 2合金などの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。

弾性異方導電膜 2 0の全厚（図示の例では接続用導電部 2 2における厚み）は、 5 0 ~ 2 0 0 0 であることが好ましく、より好ましくは 7 0〜1 0 0 0 μ m、特に好ましくは 8 0〜5 0 0 / mである。この厚みが 5 0 m以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜 2 0が確実に得られる。一方、この厚みが 2 0 0 0 m以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部 2 2が確実に得られる。

突出部 2 4の突出高さは、その合計が当該突出部 2 4における厚みの 1 0 %以上であることが好ましく、より好ましくは 2 0 %以上である。このような突出高を有する突出部 2 4を形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部 2 2 が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。

また、突出部 2 4の突出高さは、当該突出部 2 4の最短幅または直径の 1 0 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 7 0 %以下である。このような突出高さを有する突出部 2 4を形成することにより、当該突出部 2 4が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。

また、被支持部 2 5の厚み（図示の例では二股部分の一方の厚み）は、 5〜2 5 0 μ ΐΏであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜1 5 0 z m、特に好ましくは 1 5〜1 0 0 μ πιである。

また、被支持部 2 5は二股状に形成されることは必須のことではなく、フレーム板 1 0の一面のみに固定されていてもよい。

弾性異方導電膜 2 0を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。力かる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のをものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。

液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基と S i—Η結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基および S i _H結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよび S i— H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましレ、。付加型液状シリコーンゴムとしては、その 2 3 °Cにおける粘度が 1 0 0〜 1，. 2 5 0 P a · sのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 5 0〜8 0 0 P a · s、特に好ましくは 2 5 0 ~ 5 0 0 P a · sのものである。この粘度が 1 0 0 P a · s未満である場合には、後述する弾性異方導電膜 2 0を得るための成形材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、成形材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が 1， 2 5 0 P a · sを超える場合には、得られる成形材料が粘度の高いものとなるため、金型内に成形材料層を形成しにくいものとなることがあり、また、成形材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。

このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計によって測定することができる。

弾性異方導電膜 2 0を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 8 °/₀以下、さらに好ましくは 6 %以下である。この圧縮永久歪みが 1 0 %を超える場合には、得られる異方導電性コネクターを多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、接続用導電部 2 2に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおけるデュロメ一ター A硬度が 1 0〜6◦のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 5〜6 0、特に好ましくは 2 0〜6 0のものである。このデュロメータ一 A硬度が 1 0未満である場合には、加圧されたときに、接続用導電部 2 2 を相互に絶縁する絶縁部 2 3が過度に歪みやすく、接続用導電部 2 2間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーター A硬度が 6 0を超える場合には、接続用導電部 2 2に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、例えば検査対象であるウェハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。

また、シリコーンゴム硬化物として、デュロメーター A硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクターを多数回にわたって繰り返し使用したときときには、接続用導電部 2 2に永久歪みが発生しやすく、これにより、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

更に、異方導電コネクタ一を高温環境下における試験例えば W L B I試験に用いる場合には、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおけるデュロメータ一 A硬度が 2 5〜4 0のものであることが好ましいシリコーンゴム硬化物として、デュロメーター A硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性コネクターを高温度環境下における試験に繰り返し使用したときときには、接続用導電部 2 2に永久歪みが発生しゃすく、これにより、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおける引き裂き強度が 8 k N/m以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 0 k NZm以上、より好ましくは 1 5 k N/m以上、特に好ましくは 2 0 k N/m以上のものである。この引き裂き強度が 8 k N/m未満である場合には、弹性異方導電膜 2 0に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしゃすい。ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

このような特性を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、信越化学工業株式会社製の液状シリコーンゴム「K E 2 0 0 0」シリーズ、「K E 1 9 5 0」シリーズとして市販されているものを用いることができる。

本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金一不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビエルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と 1， 3—ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスフアイトと白金とのコンプレックス、ァセチルァセテート白金キレート、環状ジェンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。

硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択される力通常、付加型液状シリコーンゴム 1 0 0重量部に対して 3〜1 5 重量部である。

また、付加型液状シリコーンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エア口ゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。

このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくなレ、。

弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2および被支持部 2 5に含有される導電性粒子 Pとしては、磁性を示す芯粒子（以下、「磁性芯粒子」ともいう。 ) の表面に高導電性金属が被覆されてなるものが用いられる。

導電性粒子 Pを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が 3〜 4 0 μ mのものであることが好ましい。

ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。

上記数平均粒子径が 3 μπι以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い接続用導電部 22が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が 40 μπι以下であれば、微細な接続用導電部 22を容易に形成することができ、また、得られる接続用導電部 22は、安定な導電性を有するものとなりやすい。また、磁性芯粒子は、その BET比表面積が 10〜500m² /k gであることが好ましく、より好ましくは 20〜 500m² /k g、特に好ましくは 50〜 400m- /k gである。

この B E T比表面積が 10 m² /k g以上であれば、当該磁性芯粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメツキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きレ、導電 '性粒子 Pを得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この BET比表面積が 500 m² /k g以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。

また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が 50%以下のものであることが好ましく、より好ましくは 40%以下、更に好ましくは 30%以下、特に好ましくは 20%以下のものである。

ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ/Dn) X I 00 (但し、 σは、粒子径の標準偏差の値を示し、 Dnは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。

上記粒子径の変動係数が 50%以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい接続用導電部 22を形成することかできる。

磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が 0. lWb m'² 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましく 6

24 は 0. 3Wb/m² 以上、特に好ましくは 0. 5Wb/m² 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金などが挙げられる。この飽和磁化が 0. lWb/m² 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜 20を形成するための成形材料層中において導電性粒子 Pを容易に移動させることができ、これにより、当該成形材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子 Pを確実に移動させて導電性粒子 Pの連鎖を形成することができる。

接続用導電部 22を得るために用いられる導電性粒子 Pは、上記の磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなるものである。

ここで、「高導電性金属」とは、 0°Cにおける導電率が 5 X 10⁶ Ω 'm ¹以上のものをいう。

このような高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。

導電性粒子 Pは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量 Z芯粒子の質量） X I 00〕が 15質量％以上とされ、好ましくは 25〜35質量％とされる。

高導電性金属の割合が 15質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクタ一を高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。

また、導電†生粒子 Pは、下記の式（1) によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 50 nm以上のものとされ、好ましくは 100〜200 n mのものとされる。

式 (1) t = 〔1/ (S w p) 〕 X 〔NZ (1 - N) 〕

〔但し、 tは高導電性金属による被覆層の厚み（m) 、 Swは芯粒子の BET比表面積（m¹¹ k g) 、 _Pは高導電性金属の比重（k g/m³ ) 、 Nは（高導電性金属の重量 Z導電性粒子全体の重量）の値を示す。〕

上記の数式は、次のようにして導かれたものである。 0056

25

( i ) 磁性芯粒子の重量を Mp (k g) とすると、磁性： K粒子の表面積 S (m² ) は、

S = S w · Mp 式（2)

によって求められる。

(ii) 高導電性金属による被覆層の重量を m (k g) とすると、当該被覆層の体積 V (m³ ) は、

V = m p 式 S )

によって求められる。

(iii)ここで、被覆層の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、 =VZSであり、これに上記式（2) および式（3) を代入すると、被覆層の厚み tは、

t = (m _P ) / (S · Mp) =m/ (S w · p · Mp) 式 (4) によって求められる。

(iv) また、 Nは、導電性粒子全体の質量に対する被覆層の質量の比であるから、この Nの値は、

N = m/ (Mp +m) 式（5)

によって求められる。

(V) この式（5) の右辺における分子 '分母を Mpで割ると、

N= (m/Mp) / (1 +m/Mp) となり、両辺に（1 +m/Mp) をかけると、

N ( 1 +m/Mp) =m/Mp、更には、

N + N (m/Mp) =m/Mpとなり、 N (m/Mp) を右辺に移行すると、 N = m/Mp -N (m/ p) = (m/Mp) (1一 N) となり、両辺を（1 -N) で割ると、

N ( 1 -N) =ra/Mpとなり、

従って、磁性芯粒子の重量 M pは、

Mp =m/ [N/ ( 1 -N) 〕 -m ( 1一 N) /N 式（6)

によって求められる。 (vi) そして、式 (4) に式 (6) を代入すると、

t =1/ 〔Sw · · (1 -N) /N〕

= [1/ (Sw · ) ] X 〔N/ (1 - N) 〕

が導かれる。

この被覆層の厚み tが 5 Onm以上であれば、当該異方導電性コネクターを高温環境下に繰り返し使用した場合において、磁性芯粒子を構成する強磁性体が被覆層を構成する高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子 Pの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下することがなく、所期の導電性が維持される。

また、導電性粒子 Pは、その BET比表面積が 10〜50 Om² /k gであることが好ましい。

この BET比表面積が 1 Om² /k g以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大きレ、被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この BET比表面積が 500m² Zk g以下であれば、当該導電性粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。

また、導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜40μπιであることが好ましく、より好ましくは 6〜25 μπιである。

このような導電性粒子 Ρを用いることにより、得られる弾性異方導電膜 20は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜 20における接続用導電部 22において導電性粒子 Ρ間に十分な電気的接触が得られる。

また、導電性粒子 Ρの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した 2次粒子による塊状のものであることが好ましい。

また、導電性粒子 Ρは、下記に示す電気抵抗値 Rが 0. 3 Ω以下となるものであることが好ましく、より好ましくは 0. 1 Ω以下のものである。電気抵抗値 R：導電性粒子 0 . 6 gと液状ゴム 0 . 8 gとを混練することによつてペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、 0. 5 mmの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が l mmの一対の電極間に配置し、当該一対の電極間に 0 . 3 Tの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

具体的には、この電気抵抗値 Rは、以下のようにして測定される。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置であり、 7 1は試料室 Sを形成するセラミック製のセルであって、筒状の側壁材 7 2と、それぞれ中央に貫通孔 7 3 Hを有する一対の蓋材 7 3とにより構成されている。 7 4は導電性を有する一对の磁石であって、それぞれ表面から突出する、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hに適合する形状の電極部 7 5を有し、この電極部 7 5が蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hに嵌合された状態で、当該蓋材 7 3に固定されている。 7 6は電気抵抗測定機であって、一対の磁石 7 4の各々に接続されている。セル 7 1の試料室 Sは、直径 d lが 3 m m, 厚み d 2が 0 . 5 mmの円板状であり、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hの内径すなわち磁石 7 4の電極部 7 5の直径 rは 1 mmである。

そして、セル 7 1の試料室 Sに、上記のペースト組成物を充填し、磁石 7 4の電極部 7 5間に当該試料室 Sの厚み方向に 0 . 3 Tの平行磁場を作用させながら、電気抵抗測定機 7 6によって磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値を測定する。その結果、ペースト組成物中に分散されていた導電性粒子が、平行磁場の作用により磁石 7 4の電極部 7 5間に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向し、この導電性粒子の移動に伴って、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が低下した後安定状態となり、このときの電気抵抗を測定する。ペースト組成物に平行磁場を作用させてから、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が安定状態に達するまでの時間は、導電性粒子の種類によって異なるが、通常、ペースト組成物に平行磁場を作用させてから 5 0 0秒間経過した後における電気抵抗値を電気抵抗値 Rとして測定する。

この電気抵抗値 Rが 0 . 3 Ω以下であれば、高い導電性を有する接続用導電部 2 2が確実に得られる。導電†生粒子 Pの含水率は、 5質量％以下であることが好ましく、より好ましくは 3質量。 /₀以下、さらに好ましくは 2質量％以下、特に好ましくは 1質量％以下である。このような条件を満足することにより、成形材料の調製または弹性異方導電膜 2 0の形成において、硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。

また、導電性粒子 Pは、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものあってもよい。導電性粒子 Pの表面がカツプリング剤で処理されることにより、当該導電性粒子 Pと弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる弾性異方導電膜 2 0は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。

カツプリング剤の使用量は、導電性粒子 Pの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子 Pの表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性粒子の表面積に対する力ップリング剤の被覆面積の割合）が 5 %以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記ネ皮覆率が 7〜 1 0 0 °/₀、さらに好ましくは 1 0〜1 0 0 %、特に好ましくは 2 0〜1 0 0 %となる量である。

このような導電性粒子 Pは、例えは以下の方法によって得ることができる。先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁性芯粒子を調製する。

ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。

また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。

次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することによつて、導電性粒子が得られる。

ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸など PC霞謹画

2 9 を拳げることができる。

高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メツキ法、置換メツキ法等を用いることができるが、これらの方法に限定されるものではなレ、。 ,

無電解メツキ法または置換メツキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メツキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁性芯粒子を添カ卩してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子の無電解メツキまたは置換メツキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメツキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子が得られる。

また、磁性芯粒子の表面に下地メツキを行って下地メツキ層を形成した後、当該下地メツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成してもよい。下地メツキ層およびその表面に形成されるメツキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メツキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メツキ層を形成し、その後、置換メツキ法により、下地メツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成することが好ましい。

無電解メツキまたは置換メツキに用いられるメツキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。

また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。

導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。

機能部 2 1の接続用導電部 2 2における導電性粒子 Pの含有割合は、体積分率で 1 0〜 6 0。/₀、好ましくは 1 5〜 5 0 %となる割合で用いられることが好ましい。この割合が 1 0 %未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部 2 2が得られないことがある。一方、この割合が 6 0 %を超える場合には、得られる接続用導電部 2 2は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部 2 2として必要な弾性が得られないことがある。

また、被支持部 2 5における導電性粒子 Pの含有割合は、弾性異方導電膜 2 0 を形成するための成形材料中の導電性粒子の含有割合によって異なるが、弹性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好ましく、また、十分な強度を有する被支持部 2 5が得られる点で、体積分率で 3 0 %以下であることが好ましい。

上記の異方導電性コネクタ一は、例えば以下のようにして製造することができる。

先ず、検查対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応して異方導電膜配置用孔 1 1が形成された磁性金属よりなるフレーム板 1 0を作製する。ここで、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1を形成する方法としては、例えばェツチング法などを利用することがでぎる。

次いで、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料好ましくは付加型液状シリコーンゴム中に、磁性を示す導電性粒子が分散されてなる導電性べ一スト組成物を調製する。そして、図 6に示すように、弾性異方導電性膜成形用の金型 6 0を用意し、この金型 6 0における上型 6 1およぴ下型 6 5の各々の成形面に、弾性異方導電膜用の成形材料として上記の導電性ペースト組成物を、所要のパターンすなわち形成すべき弾性異方導電膜の配置パターンに従って塗布することによって成形材料層 2 O Aを形成する。

ここで、金型 6 0について具体的に説明すると、この金型 6 0は、上型 6 1およびこれと対となる下型 6 5が互いに対向するよう配置されて構成されている。上型 6 1においては、図 7に拡大して示すように、基板 6 2の下面に、成形すべき弾性異方導電性奠 2 0の接続用導電部 2 2の配置パターンに対掌なバタ一ンに従って強磁性体層 6 3が形成され、この強磁性体層 6 3以外の個所には、非磁性体層 6 4が形成されており、これらの強磁性体層 6 3および非磁性体層 6 4によって成形面が形成されている。また、上型 6 1の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して四所 6 4 aが形成されている。

—方、下型 6 5においては、基板 6 6の上面に、成形すべき弾性異方導電膜 2 0の接続用導電部 2 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 6 7 が形成され、この強磁性体層 6 7以外の個所には、非磁性体層 6 8が形成されており、これらの強磁性体層 6 7および非磁性体層 6 8によつて成形面が形成されている。また、下型 6 5の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して凹所 6 8 aが形成されている。

上型 6 1および下型 6 5の各々における基板 6 2， 6 6は、強磁性体により構成されていることが好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄—コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属が挙げられる。この基板 6 2， 6 6は、その厚みが 0 . 1〜5 O mmであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。

また、上型 6 1および下型 6 5の各々における強磁性体層 6 3 , 6 7を構成する材料としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄一コバルト合金、ニッケル、コバノレトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層 6 3 , 6 7は、その厚みが 1 0 i m以上であることが好ましい。この厚みが 1 0 μ πι以上であれば、成形材料層 2 O Aに対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることができ、この結果、当該成形才料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分に導電性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性を有する接続用導電部 2 2が得ら;^る。

また、上型 6 1および下型 6 5の各々における非磁性体層 6 4 , 6 8を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィ一の手法により容易に非磁性体層 6 4， 6 8を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を好ましく用いることができ、その材料として、例えばアタリノレ系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。

上型 6 1および下型 6 5の成形面に成形材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。このような方法によれば、成形材料を所要のパターンに従って塗布することが容易で、しかも、適量の成形材料を塗布することができる。

次いで、図 8に示すように、成形材料層 2 O Aが形成された下型 6 5の成形面上に、スぺーサー 6 9 aを介して、フレーム板 1 0を位置合わせして配置すると共に、このフレーム板 1 0上に、スぺーサ一 6 9 bを介して、成形材料層 2 O A が形成された上型 6 1を位置合わせして配置し、更に、これらを重ね合わせることにより、図 9に示すように、上型 6 1と下型 6 5との間に、目的とする形態（形成すべき弾性異方導電膜 2 0の形態）の成形材料層 2 O Aが形成される。この成形材料層 2 0 Aにおいては、図 1 0に示すように、導電性粒子 Pは成形材料層 2 O A全体に分散された状態で含有されている。

このようにフレーム板 1 0と上型 6 1および下型 6 5との間にスぺーサー 6 9 a , 6 9 bを配置することにより、目的とする形態の弾性異方導電膜を形成することができると共に、隣接する弾性異方導電膜同士が連結することが防止されるため、互いに独立した多数の弾性異方導電膜を確実に形成することができる。その後、上型 6 1における基板 6 2の上面および下型 6 5における基板 6 6の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型 6 1および下型 6 5が強磁性体層 6 3 , 6 7を有するため、上型 6 1の強磁性体層 6 3 とこれに対応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材料層 2 O Aにおいては、当該成形材料層 2 0 A中に分散されていた導電性粒子 Pが、図 1 1に示すように、上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に位置する接続用導電部 2 2となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。以上において、フレーム板 1 0が磁性金属よりなるため、上型 6 1および下型 6 5の各々とフレーム板 1 0との間においてその付近より大きい強度の磁場が形成される結果、成形材料層 2 O Aにおけるフレーム板 1 0の上方および下方にある導電性粒子 Pは、上型 6 1の強磁性体層 6 3と下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に集合せず、フレーム板 1 0の上方および下方に保持されたままとなる。そして、この状態において、成形材料層 2 0 Aを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2が、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが含有されてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5 が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

以上において、成形材料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分および被支持部 2 5となる部分に作用させる外部磁場の強度は、平均で 0 . 1〜 2 · 5 テスラとなる大きさが好ましい。

成形材料層 2 O Aの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。加熱により成形材料層 2 O Aの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層 2 O Aを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。

上記の異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2を有する機能部 2 1の周縁に被支持部 2 5が形成されており、この被支持部 2 5がフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2に含有された導電性粒子 Pは、その高導電性金属の割合が芯粒子に対して 1 5質量％以上で、当該高導電 -

3 4 性金属による被覆層の厚み tが 5 0 n m以上であるため、多数回にわたって繰り返し使用した場合においても、導電性性粒子 Pにおける芯粒子が表面に露出することが抑制され、その結果、所要の導電性を確実に維持することができる。また、高温環境下において繰り返し使用した場合において、導電性粒子 Pにおける芯粒子を構成する材料が高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子の表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子の導電性が著しく低下することを防止することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0を形成する弾性高分子物質として、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下で、かつ、デュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものを用いることにより、多数回にわたって繰り返し使用した場合においても、接続用導電部 2 2に永久歪みが ¾生することが抑制され、これにより、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、所要の導電性を一層確実に維持することができる。

• 更に、弹性異方導電膜 2 0を形成する弾性高分子物質として、デュロメ一ター A硬度が 2 5〜4 0のものを用いることにより、高温環境下における試験例えば WL B I試験に繰り返し使用した場合にも、接続用導電部 2 2に永久歪みが発生することが抑制され、これにより、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、長期間にわたって所要の導電性を確実に維持することができる。

また、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、検査対象であるゥェハに形成された全ての集積回路の被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔 1 1の各々に配置される弹性異方導電 )J12 0は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜 2 0の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜 2 0は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

また、上記の異方導電性コネクタ一は、その弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分に例えば磁場を作用させることによつて当該部分に導電性粒子 Pが存在レたままの状態で、当該成形材料層 2 0 Aの硬化処理を行うことにより得られるため、成形材料層 2 0 Aにおける被支持部 2 5となる部分すなわちフレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部の上方おょぴ下方に位置する部分に存在する導電性粒子 Pが、接続用導電部 2 2となる部分に集合することがなく、その結果、得られる弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが防止される。従って、成形材料層 2 O A中の導電性粒子 Pの含有量を少なくする必要もないので、弾性異方導電膜 2 0の全ての接続用導電部 2 2について、良好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電部 2 2との絶縁性が確実に得られる。

また、フレーム板 1 0に位置決め孔 1 6が形成されているため、検查対象であるウェハまたは検査用回路基板に対する位置合わせを容易に行うことができる。また、フレーム板 1 0に空気流通孔 1 5が形成されているため、後述するゥェハ検査装置において、プローブ部材を押圧する手段として減圧方式によるものを利用した場合には、チャンバ一内を減圧したときに、異方導電性コネクターと検查用回路基板との間に存在する空気がフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより、異方導電性コネクターと検查用回路基板とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。〔ウェハ検査装置〕

図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検査装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。このウェハ検査装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うためのものである。

図 1 2に示すウェハ検査装置は、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブ部材 1を有する。このプロ一ブ部材 1においては、図 1 3にも拡大して示すように、検査対象であるウェハ 6の被検查電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極 3 1が表面（図において下面）形成された検査用回路基板 3 0を有し、この検査用回路基板 3 0 の表面には、図 1〜図 4に示す構成の異方導電性コネクター 2が、その弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々が検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1の各々に対接するよう設けられ、この異方導電性コネクター 2の表面（図において下面）には、絶縁性シート 4 1に検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従つて複数の電極構造体 4 2が配置されてなるシート状コネクター 4 0力当該電極構造体 4 2の各々が異方導電性コネクター 2 の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々に対接するよう設けられている。

また、プローブ部材 1における検査用回路基板 3 0の裏面（図において上面）には、当該プローブ部材 1を下方に加圧する加圧板 3が設けられ、プローブ部材 1の下方には、検查対象であるウェハ 6が載置されるウェハ載置台 4が設けられており、加圧板 3およびウェハ載置台 4の各々には、加熱器 5が接続されている検査用回路基板 3 0を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フエノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。

また、 WL B I試験を行うためのウェハ検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは 1 X 1 0 ⁷〜1 X 1 0 5/κ：、特に好ましくは 1 X 1 0 ⁶〜6 X 1 0 6/Kであるこのような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケィ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。

プローブ部材 1におけるシート状コネクター 4 0について具体的に説明すると、このシート状コネクター 4 0は、柔軟な絶縁性シート 4 1を有し、この絶縁性シート 4 1には、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる電極構造体 4 2が、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁性シート 4 1の面方向に互いに離間して配置されている。

電極構造体 4 2の各々は、絶縁性シート 4 1の表面（図において下面）に露出する突起状の表面電極部 4 3と、絶縁性シート 4 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 4 4とが、絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通して伸びる短絡部 4 5によつて互いに一体に連結されて構成されている。

絶縁性シート 4 1としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシ' ートなどを用いることができる。

また、絶縁性シート 4 1の厚みは、当該絶縁性シ一ト 4 1が柔軟なものであれば特に限定されないが、 1 0〜5 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜2 5 mである。

電極構造体 4 2を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体 4 2としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであってもよい。

また、電極構造体 4 2における表面電極部 4 3および裏面電極部 4 4の表面には、当該電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていることが好ましい。

電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の突出高さは、ウェハ 6の被検査電極 7に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、 1 5〜5 O /z mであることが好ましく、より好ましくは 1 5〜3 0 μ πιである。また、表面電極部 4 3の径は、ウェハ 6の被検査電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが、例えば 3 0〜8 0 であり、好ましくは 3 0〜5 0 μ πιである。

電極構造体 4 2における裏面電極部 4 4の径は、短絡部 4 5の径より大きく、かつ、電極構造体 4 2の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、異方導電 ¾iコネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極部 4 4の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 2 0〜5 0 ^u mであることが好ましく、より好ましくは 3 5〜 5 0 ^u mである。

電極構造体 4 2における短絡部 4 5の怪は、十分に高い強度が得られる点で、 3 0〜8 0 μ ιηであることが好ましく、より好ましくは 3 0〜 5 0 μ ιηである。シート状コネクター 4 0は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、絶縁 ¾feシート 4 1上に金属層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シート 4 1に対して、レ一ザ加工、ドライエツチング加工等によって、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、形成すべき電極構造体 4 2のパターンに対応するパターンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィ一おょぴメツキ処理を施すことによって、絶 H"生シート 4 1の貫通孔内に金属層に一体に連結された短絡部 4 5を形成すると共に、当該絶縁性シート 4 1の表面に、短絡部 4 5に一体に連結された突起状の表面電極部 4 3を形成する。その後、積層材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、裏面電極部 4 4を形成して電極構造体 4 2を形成し、以てシート状コネクター 4 0が得られる。

このような電気的検査装置においては、ウェハ載置台 4上に検査対象であるゥェハ 6が載置され、次いで、加圧板 3によってプローブ部材 1が下方に加圧されることにより、そのシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の各々力ウェハ 6の被検査電極 7の各々に接触し、更に、当該表面電極部 4 3の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電 B莫 2 0における接続用導電部 2 2の各々は、検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1とシート状コネクター 4 0 の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、加熱器 5によって、ウェハ載置台 4およぴカ [1 圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなウェハ検査装置によれば、前述の異方導電性コネクター 2を有するプローブ部材 1を介して、検査対象であるウェハ 6の被検查電極 7に対する電気的接続が達成されるため、被検查電極 7のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下における試験例えば WL B I 試験に繰り返し使用した場合にも、所要の電気的検査を長期間にわたって安定して実行することができる。

また、異方導電性コネクター 2における弾性異方導電膜 2 0は、それ自体の面積が小さいものであり、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線熱)]彭張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のゥェハに対して W L B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検查装置の他の例における構成の概略を示す説明用断面図である。

このウェハ検查装置は、検查対象であるウェハ 6が収納される、上面が開口した箱型のチャンバ一 5 0を有する。このチャンバ一 5 0の側壁には、当該チャンバー 5 0の内部の空気を排気するための排気管 5 1が設けられており、この排気 „ハ

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4 0 管 5 1には、例えば真空ポンプ等の排気装置（図示省略）が接続されている。チャンバ一 5 0上には、図 1 2に示すウェハ検査装置におけるプローブ部材 1 と同様の構成のプローブ部材 1が、当該チャンバ一 5 0の開口を気密に塞ぐよう配置されている。具体的には、チャンバ一 5 0における側壁の上端面上には、弾性を有する O—リング 5 5が密着して配置され、プローブ部材 1は、その異方導電性コネクター 2およぴシート状コネクター 4 0がチャンバ一 5 0内に収容され、かつ、その検査用回路基板 3 0における周辺部が O—リング 5 5に密着した状態で配置されており、更に、検查用回路基板 3 0が、その裏面（図において上面 ) には設けられた加圧板 3によって下方に加圧された状態とされている。

また、チャンバ一 5 0および加圧板 3には、加熱器 5が接続されている。このようなウェハ検查装置においては、チャンバ一 5 0の排気管 5 1に接続された排気装置を駆動させることにより、チヤンバー 5 0内が例えば 1 0 0 0 P a 以下に減圧される結果、大気圧によって、プローブ部材 1が下方に加圧される。これにより、 O—リング 5 5が弾性変形するため、プロ一ブ部材 1が下方に移動する結果、シート状コネクター 4 0の電極 ^(冓造体 4 2における表面電極部 4 3の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々は、検査用回路基板 3 0の検查電極 3 1とシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、加熱器 5によって、チャンパ一 5 0および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなゥェハ検査装置によれば、図 1 2に示すゥェハ検査装置と同様の効果が得られ、更に、大型の加圧機構が不要であるため、検査装置全体の小型化を図ることができると共に、検查対象であるウェハ 6が例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであっても、当該ウェハ 6全体を均一な力で押圧することができる。し力も、異方導電性コネクター 2におけるフレーム板 1 0には、空気流通孔 1 5が形成されているため、チャンバ一 5 0内を減圧したときに、異方導電性コネクター 2と検査用回路基板 3 0との間に存在する空気が、異方導電性コネクタ一 2におけるフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより、異方導電性コネクター 2と検査用回路基板 3 0とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。

〔他の実施の形態〕

本発明は、上記の実施の形態に限定されず、次のような種々の変更を加えることが可能である。

( 1 ) 異方導電性コネクタ一においては、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2以外に、ウェハにおける被検査電極に電気的に接続されない非接続用導電部が形成されていてもよい。以下、非接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクタ一につレ、て説明する。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電性コネクターの弾性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検查対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続される厚み方向（図 1 5において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って 2列に並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 2の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相互に絶縁されている。

そして、接続用導電部 2 2が並ぶ方向において、最も外側に位置する接続用導電部 2 2とフレーム板 1 0との間には、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電个生粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって、接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接 - - - 0056

4 2 続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部 2 6およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部 2 4 および突出部 2 7が形成されている。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、この被支持部 2 5には、導電性粒子が含有されている。

その他の構成は、基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。

図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクタ一の更に他の例における弹性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電性コネクターの弾性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続される厚み方向（図 1 6において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 2の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相互に絶縁されている。

これらの接続用導電部 2 2のうち中央に位置する互いに隣接する 2つの接続用導電部 2 2は、その他の互いに隣接する接続用導電部 2 2間における離間距離より大きい離間距離で配置されている。そして、中央に位置する互いに隣接する 2 つの接続用導電部 2 2の間には、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3 によって、接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部 2 6およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部 2 4 および突出部 2 7が形成されている。 · - -

4 3 機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、この被支持部 2 5には、導電性粒子が含有されている。

その他の具体的な構成は、基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。

図 1. 5に示す異方導電性コネクターおよび図 1 6に示す異方導電性コネクターは、図 7に示す金型の代わりに、成形すべき弾性異方導電性膜 2 0の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6の配置パターンに対応するパターンに従って強磁性体層が形成され、この強磁性体層以外の個所には、非磁性体層が形成された上型おょぴ下型からなる金型を用いることにより、前述の図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターを製造する方法と同様にして製造することができる。

すなわち、このような金型によれば、上型における基板の上面および下型における基板の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、当該上型および当該下型の間に形成された成形材料層においては、当該成形材料層における機能部 2 1となる部分に分散されていた導電性粒子が、接続用導電部 2 2となる部分および非接続用導電部 2 6となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向し、一方、成形材料層におけるフレーム板 1 0の上方および下方にある導電性粒子は、フレーム板 1 0の上方おょぴ下方に保持されたままとなる。そして、この状態において、成形ネオ料層を硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6が、導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によつて相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

図 1 5に示す異方導電性コネクターにおける非接続用導電部 2 6は、弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接繞用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分とフレーム板 1 0との間に存在する導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため、当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、導電性粒子が、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、比較的多数の接続用導電部 2 2を有するものであっても、当該弾性異方導電膜 2 0における最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

また、図 1 6に示す異方導電性コネクタ一における非接続用導電部 2 6は、弹性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分の間に存在する導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため、当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、導電性粒子が、成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、それぞれ大きい離間距離で配置された 2っ以上の接続用導電部 2 2を有するものであっても、それらの接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

( 2 ) 異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4は必須のものではなく、一面または両面が平坦面のもの、或いは凹所が形成されたものであってもよい。

( 3 ) 弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の表面には、金属層が形成されていてもよレ、。

( 4 ) 異方導電性コネクターの製造において、フレーム板 1 0の基材として非磁性のものを用いる場合には、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分 0056

4 5 に磁場を作用させる方法として、当該フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に磁性体をメツキしてまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、金型 6 0に、弾性異方導電膜 2 0の被支持部 2 5に対応して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用することができる。

( 5 ) 成形材料層の形成において、スぺ一サーを用いることは必須のことではなく、他の手段によって、上型および下型とフレーム板との間に弾性異方導電 11莫成形用の空間を確保してもよい。

( 6 ) プローブ部材においては、シート状コネクター 4 0は、必須のものではなく、異方導電性コネクタ一 2における弾性異方導電膜 2 0が検查対象であるゥェ八に接触して電気的接続を達成する構成であってもよい。

( 7 ) 本発明の異方導電性コネクタ一は、そのフレーム板の異方導電膜配置用孔、検査対象であるウェハに形成された一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成され、これらの異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜が配置されたものであってもよい。

このような異方導電^ liコネクタ一によれば、ウェハを 2以上のェリァに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行うことができる。

すなわち、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材を使用したウェハの検査方法においては、ウェハに形成された全ての集積回路について一括して行うことは必須のことではなレ、。

バーンイン試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数時間と長いため、ウェハに形成された全ての集積回路について一括して検査を行えば高い時間的効率が得られるが、プローブ試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数分間と短いため、ウェハを 2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行っても、十分に高い時間的効率が得られる。

このように、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検査を行う方法によれば、直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板の検查電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。

そして、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検査を行う方法に用いる場合には、異方導電性コネクターに故障が生じて新たなものに交換する頻度が小さくなるので、検查コストの低減化を図ることができる。

( 8 ) 本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、アルミ二ゥムよりなる平面状の電極を有する集積回路が形成されたウェハの検査の他に、金またははんだなどよりなる突起状電極（バンプ）を有する集積回路が形成されたウェハの検査に用いることもできる。

金やはんだなどよりなる電極は、アルミニウムよりなる電極に比較して、表面に酸化膜が形成されにくいものであるため、このような突起状竈極を有する集積回路が形成されたウェハの検査においては、酸化膜を突き破るために必要な大きな荷重で加圧することが不要となり、シート状コネクターを用いずに、異方導電性コネクターの接続用導電部を被検査電極に直接接触させた状態で検査を実行することができる。

被検査電極である突起状電極に異方導電性コネクターの接続用導電部を直接接触させた状態でウェハの検查を行う場合においては、当該異方導電性コネクターを繰り返し使用すると、その接続用導電部が突起状電極によって加圧されることにより摩耗したり永久的に圧縮変形したりする結果、当該接続用導電部には、電気抵抗の増加や被検査電極に対する接続不良が発生するため、高い頻度で異方導電性コネクターを新たなものに交換することが必要であった。

而して、本発明の異方導電性コネクタ一または本発明のプロ一ブ部材によれば、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、検査対象であるウェハが、直径が 8インチまたは 1 2インチであって高い集積度で集積回路が形成されたものであっても、長期間にわたって所要の導電性が維持され、これにより、異方導電性コネクターを新たなものに交換する頻度が少なくなるので、検査コストの低減化を図ることができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

〔磁性: S粒子 [A] の調製〕

市販のニッケル粒子（We s t a i m社製，「FC 1000」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子 [A] を調製した。

日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC 一 1 5N」によって、ニッケル粒子 2 k gを、比重が 8. 9、風量が 2. 5m³ ノ m i n、ローター回転数が 1， 600 r pm、分級点が 25 //m、ニッケル粒子の供給速度が 16 g /m i nの条件で分級処理し、二ッケル粒子 1. 8 k gを捕集し、更に、このニッケル粒子 1. 8 k gを、比重が 8. 9、風量が 2. 5m ³ Zm i n、ローター回転数が 3， 000 r p m、分級点が 10 m、ニッケル粒子の供給速度が 14 g/m i nの条件で分級処理し、ニッケル粒子 1. 5 k g を捕集した。

次いで、筒井理ィ匕学機器株式会社製の音波ふるい器「SW— 20AT形」によつて、空気分級機によって分級されたニッケル粒子 120 gを更に分級処理した。具体的には、それぞれ直径が 200 mmで、開口径が 25 /xm、 20 m、 1 6 μπιおよび 8 μπιの 4つのふるいを上からこの順で 4段に重ね合わせ、ふるいの各々に直径が 2 mmのセラミックボーノレ 10 gを投入し、最上段のふるい（開口径が 25 i m) にニッケル粒子 20 gを投入し、 55H zで 12分間および 1 25Hzで 1 5分間の条件で分級処理し、最下段のふるい（開口径が 8 μπι) に捕集されたニッケル粒子を回収した。この操作を合計で 25回行うことにより、磁性芯粒子 [A] 1 10 gを調製した。

得られた磁性芯粒子 [A] は、数平均粒子径が 10 μπι、粒子径の変動係数が 10°/。、 BET比表面積が 0. 2 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6Wb/ m" でめつに o 〔磁性芯粒子 [B] 〜磁性芯粒子 [I] の調製〕

空気分級機および音波ふるい器の条件を変更したこと以外は磁性芯粒子 [A] の調製と同様にして、下記の磁性芯粒子 CB] 〜磁性芯粒子 [I] を調製した。磁性芯粒子 [B] ：

数平均粒子径が 12 μ m、粒子径の変動係数が 40%、 BE T比表面積が 0 · 1 X 10³ m² Zk g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [C] ：

数平均粒子径が 10 μ m、粒子径の変動係数が 10%、 BE T比表面積が 0. 038 X 10 ^y m- /k g, 飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [D] ：

数平均粒子径が 10 μ m、粒子径の変動係数が 15%、 BE T比表面積が 0. 1 5 X 10³ m² Zk g、飽和磁化が 0. 6WbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [E] ：

数平均粒子径が 8 μ m、粒子怪の変動係数が 32%、 BE T比表面積が 0. 0 5 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性粒子 [F] (比較用）：

数平均粒子径が 6 m、粒子径の変動係数が 40 %、 B E T比表面積が 0. 8 X 10³ m² /k g, 飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [G] ：

数平均粒子径が 10 m、粒子径の変動係数が 20。 B E T比表面積が 0. 008 X 10³ m² Zk g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [H] (比較用）：数平均粒子径が 8 μ m、粒子径の変動係数が 25 %、 B E T比表面積が 0. 0 2 X10³ m² Zk g、硫黄元素濃度が 0. 1質量％、酸素元素濃度が 0. 6質量。/。、炭素元素濃度が 0. 12質量％、飽和磁化が 0. SWbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [I] ：

数平均粒子径が 45 μ m、粒子径の変動係数が 33 %、 B E T比表面積が 0. 8 X 10³ m² Zk g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

〔導電性粒子 [a] の調製〕

粉末メツキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子 [A] 100 gを投入し、更に、 0 . 32 Nの塩酸水溶液 2 Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子 [A] を含有するスラリ一を得た。このスラリーを常温で 30分間攪拌することにより、磁性芯粒子 [A ] の酸処理を行い、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。

次いで、酸処理が施された磁性芯粒子 [A] に純水 2 Lを加え、常温で 2分間攪拌し、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、磁性芯粒子 [A] の洗浄処理を行った。

そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子 [A] に、金の含有割合が 20 gZLの金メツキ液 2 Lを力 Dえ、処理層内の温度を 90°Cに昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子 [A] に対して金の置換メツキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、本発明用の導電性粒子 [a] を調製した。

このようにして得られた導電性粒子 [ a ] に純水 2 Lを加え、常温で 2分閬攪拌し、その後、 1分間静置して導電性粒子 [a] を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返し、その後、 90°Cに加熱した純水 2 Lを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子 [a] を回収した - JP2003/010056

50

。そして、この導電性粒子 [a] を、 90°Cに設定された乾燥機によって乾燥処理した。

得られた導電性粒子 [a] は、数平均粒子径が 1 2 μπι、 BET比表面積が 0 . 1 5 X l 0³ m² /k g、被覆層の厚み tが 1 1 1 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [a] 全体の質量）の値 Nが 0. 3、電気抵抗値尺が 0. 025 Ωであった。

〔導電性粒子 [ a 1 ] の調製〕

金メツキ液中の金の含有割合を 5 gZLに変更したこと以外は導電性粒子 [a ] の調製と同様にして、比較用の導電性粒子 [a 1] の調製した。

得られた導電性粒子 [a 1] は、数平均粒子径が 1 2^m、 BET比表面積が 0. 1 7 X 1 0^:i m² /k g、被覆層の厚み tが 35 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [a 1] 全体の質量）の値 Nが 0. 12、電気抵抗値 Rが 0. 1 3 Ωであった。

〔導電性粒子 [b] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [B] を用いたこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、本発明用の導電性粒子 [b] を調製した。

得られた導電性粒子 [b] は、数平均粒子径が 1 3 / m、 BET比表面積が 0 . 08 X 10³ m² ノ k g、被覆層の厚み tが 129 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [b] 全体の質量）の値 Nが 0. 2、電気抵抗値が 0. 1 Ωであった。

〔導電性粒子 [c] および導電性粒子 [c 1] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [C] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [c] および導電性粒子 [c 1] を調製した。

導電性粒子 [c] (本発明用）：

数平均粒子径が 14 μπι 8£丁比表面積が0. 01 5 X 10³ m² /k g、被覆層の厚み tが 299 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [ c] 全体の質量）の値 Nが 0. 18、電気抵抗値 Rが 0. 1 2 Ωである導電性粒子。

導電性粒子 [ c 1 ] (比較用）：

数平均粒子径が 12 μ m、 BE T比表面積が 0. 035 Xl 0³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 103 nm、（被覆層を形成する金の質量） Z (導電性粒子 [ c 1] 全体の質量）の値 Nが 0. 07、電気抵抗値 Rが 0. 14Ωである導電性粒子。

〔導電性粒子 [d] および導電性粒子 [d l] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [D] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [d] および導電性粒子 [d 1] を調製した。

導電性粒子 [d] (本発明用）：

数平均粒子径が 12 μ m、 BE T比表面積が 0. 12 X l 0³ m² ./k g、被覆層の厚み tが 134 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [d ] 全体の質量）の値 Nが 0. 28、電気抵抗値 Rが 0. 015 Ωである導電性粒子。

導電性粒子 [ d 1 ] (比較用）：

•数平均粒子径が 14 μ m、 BE T比表面積が 0. 14 X 10³ m² /k g、被覆層の厚み tが 43 n m、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [ d 1 ] 全体の質量）の値 Nが 0. 11、電気抵抗値 Rが 0. 1 Ωである導電性粒子。

〔導電性粒子 [e l] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [E] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [e l] を調製した。

導電性粒子 [e l] (比較用）：

数平均粒子径が 10 μ m、 BE T比表面積が 0. 03 x i 0³ m² /k g、被覆層の厚み tが 54 n m、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [ e 1 ] 全体の質量）の値 Nが 0. 05、電気抵抗値 Rが 0. 15 Ωである導電性粒子 - 0056

52

〔導電性粒子 [ f 1 ] の調製〕

磁性粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [F] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [f 1] を調製した。

導電性粒子 [f 1] (比較用）：

数平均粒子径が 7 μ m、 BE T比表面積が 0. 7X 10³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 35 nra、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [ f 1 ] 全体の質量）の値 Nが 0. 35、電気抵抗値 Rが 0. 33 Ωである導電性粒子。〔導電性粒子 [ g 1 ] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [G] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [g 1] を調製した。

導電性粒子 [g 1] (比較用）：

数平均粒子径が 11 μ m、 B E T比表面積が 0. 006 X l 0³ m² /k g、被覆層の厚み tが 54rim、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [g 1] 全体の質量）の値 Nが 0. 01、電気抵抗値 Rが 0. 18 Ωである導電性粒子。

〔導電性粒子 [h i] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [H] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [h i] を調製した。

導電性粒子 [h i] (比較用）：

数平均粒子径が 10 μ m、 B E T比表面積が 0. 01 X 10³ m² /k g、被覆層の厚み tが 23 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [h 1 ] 全体の質量）の値 Nが 0. 01、電気抵抗値 Rが◦. 08 Ωである導電性粒子

〔導電性粒子 [ i 1 ] の調製〕

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [ I] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は導電性粒子 [a] の調製と同様にして、下記の導電性粒子 [i 1] を調製した。

導電性粒子 Π 1 ] (比較用）： ' 数平均粒子径が 46 μ m、 BE T比表面積が 0. 56 X l 0³ m² /k g、被覆層の厚み tが 9 · 7 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [ i

1] 全体の質量）の値 Nの割合が 0. 13、電気抵抗値が0. 07Ωである導電性粒子。

調製した導電性粒子の特性および当該導電性粒子に使用した磁性芯粒子の特性を、下記表 1にまとめて示す。

ι瑯：挪

翻した磁立子の特性導電性粒子の特

数平均粒子径の BET餘面積觸瞎匕数平均 BET職面積被 ¾B (金の動

種類粒子径変動碰 (m² Zkg) (wb /m²) 立子 ί の厚み (纏立体の II)

導電性粒子 (um) (%) (um) (nm) の値 N (Ω)

本 [a] [A] 1 0 1 0 0.2 X10³ 0. 6 1 2 0.1 5 xlO³ 1 1 1 0. 3 0.02 5

発 [b] [B] 1 2 40 0.1 X10³ 0. 6 1 3 0.08 XlO³ 1 29 0. 2 0.1

明 [c] [C] 1 0 1 0 0.0 38 X10³ 0. 6 1 4 0.0 1 5 xlO³ 29 9 0. 1 8 0.1 2

用 [d] [D] 1 0 1 5 0.1 5 X10³ 0. 6 1 2 0.1 2 XlO³ 1 34 0. 2 8 0.0 1 5

Ca 1 ] [A] 1 0 1 0 0.2 X10³ 0. 6 1 2 0.1 7 XlO³ 3 5 0. 1 2 0.1 3

en

[c 1 ] [C] 1 0 1 0 0.038 X10³ 0. 6 1 2 0.03 5 xlO³ 1 03 0. 07 0.1 4

[d 1 ] [D] 1 0 1 5 0.1 5 X10³ 0. 6 1 4 0.1 4 XlO³ 4 3 0. 1 1 0.1

比

[e 1 ] [E] 8 32 0.0 5 X10³ 0. 6 1 0 0.03 xlO³ 54 0. 0 5 0.1 5

較

[f 1 ] [F] 6 40 0.8X10³ 0. 6 7 0.7 lO³ 3 5 0. 3 5 0.3 3

用

[g 1 ] [G] 1 0 20 0.008 X10³ 0. 6 1 1 0.00 6 xlO³ 54 0. 0 1 0.1 8

[h 1 ] [H] 8 2 5 0.02X10³ 0. 6 1 0 0.0 1 xlO³ 2 3 0. 0 1 0.08

[i 1 ] [ I ] 4 5 33 0.8X10³ 0. 6 46 0.5 6 XlO³ 9. 7 0. 1 3 0.07

〔高分子物質形成材料〕

硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料として、下記表 2に示す特性を有する二液型の付加型液状シリコーンゴムを用意した。

〔表 2〕

差替え用紙（規則 26) 2003/010056

56 上記表 2に示す付加型液状シリコーンゴムの特性は、次のようにして測定したものである。

(1) 付加型液状シリコーンゴムの粘度：

Β·型粘度計により、 23±2°Cにおける粘度を測定した。

(2) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：

二液型の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による月兑泡処理を行つた後、 120 °C、 30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが 12. 7 mm, 直径が 29 mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、 200°C、 4時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 J I S K 62 49に準拠して 150士 2°Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(3) シリコーンゴム硬化物の引裂強度：

上記（ 1 ) と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびボストキュアを行うことにより、厚みが 2. 5 mmのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、 J I S K 6249に準拠して 23士 2°Cにおける引裂強度を測定した。

(4) デュロメーター A硬度：

上記（3) と同様にして作製されたシートを 5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、 J I S K 6249に準拠して 23 ±2°Cにおけるデュ口メータ一 A硬度を測定した。

〔試験用ウェハの作製〕

図 1 7に示すように、直径が 8インチのシリコン（線熱膨張係数 3. 3 X 10 6/K) 製のウェハ 6上に、それぞれ寸法が 6. 5mmX 6. 5mmの正方形の集積回路 Lを合計で 596個形成した。ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、図 18に示すように、その中央に被検査電極領域 Aを有し、この被検査電極領域 Aには、図 19に示すように、それぞれ縦方向（図 19において上下方向）の寸法が 200 / mで横方向（図 19において左右方向）の寸法が 80 μιηの矩形の 2 6個の被検査電極 7が 1 2 0 μ mのピッチで横方向に二列（一列の被検査電極 7の数が 1 3個）に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極 7の間の離間距離は、 4 5 0 /i mである。また、 2 6個の被検査電極 7のうち 2個ずつが互いに電気的に接続されている。このウェハ 6全体の被検査電極 7の総数は 1 5 4 9 6個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ W l」という。

また、直径が 6インチのシリコン製のウェハ上に、それぞれ寸法が 6 . 5 mm X 6 . 5 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 2 2 5個形成した。ウェハに形成された集積回路の各々は、その中央に被検査電極領域を有し、この被検査電極領域には、それぞれ縦方向の寸法が 1 0 0 mで横方向の寸法が 5 0 μ mの矩形の 5 0個の被検查電極が 1 0 0 μ mのピッチで横方向に二列（一列の被検査電極の数が 2 5個）に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極の間の離間距離は、 3 5 0 mである。また、 5 0個の被検查電極のうち 2個ずつが互いに電気的に接続されている。このウェハ全体の被検査電極の総数は 1 1 2 5 0個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ W 2」という。

〈実施例 1〉 '

( 1 ) フレーム板：

図 2 0および図 2 1に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ゥェハ W 1における各被検查電極領域に対応して形成された 5 9 6の異方導電膜配置孔を有する直径が 8ィンチのフレーム板を作製した。

このフレーム板 1 0の材質はコパール（飽和磁化 1 . 4 W b /m² ，線熱膨張係数 5 X 1 0— ⁶ノ1：) で、その厚みは、 6 0 mである。 ' 異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、その横方向（図 2 0および図 2 1において左右方向）の寸法が 1 8 0 0 μ mで縦方向（図 2 0およぴ図 2 1において上下方向）の寸法が 6 0 0 μ τηである。

縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔 1 1の間の中央位置には、円形の空気流入孔 1 5が形成されており、その直径は 1 0 0 0 μ πιである。

( 2 ) スぺ一サー：

下記の条件により、試験用ウェハ W 1における被検査電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスぺーサーを 2枚作製したこれらのスぺーサ一の材質はステンレス（SUS 304) で、その厚みは 20 μ mである。

各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 2500 μ mで縦方向の寸法が 1400 μπιである。

(3) 金型：

図 7および図 22に示す構成に従い、下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。

この金型における上型 61および下型 65は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる基板 6 2, 66を有し、この基板 62， 66上には、試験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (6 7 a) が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) の各々の寸法は 60 m (横方向） X 200 m (縦方向） X 100 μ m (厚み）で、 26個の強磁性体層 63 (67) が 120 μ mのピッチで横方向に二列（一列の強磁性体層 63 (67) の数が 13個で、縦方向に隣接する強磁性体層 63 (67) の間の離間距離が 450 m) に配列されている。また、強磁性体層 63 (67) が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層 63 (67) の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (6 7 a) が配置されている。各強磁性体層 63 a (67 a) の寸法は、 80 /xm ( 横方向） X 300 / m (縦方向） Χ Ι Ο Ο μπι (厚み）である。

そして、 26個の接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が形成された領域が、試験用ウェハ W1における被検査電極領域に対応して合計で 596個形成され、基板全体で 1 5496個の接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) および 1 1 92個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が形成されているまた、非磁性体層 64 (6 8) は、ドライフィルムレジストを硬化処理することによって形成され、接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 (6 7) が位置する囬所 64 a (6 8 a) の各々の寸法は、 70 m (横方向） X 2 10 μ m (縦方向） X 25 /im (深さ）で、非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (6 7 a ) が位置する回所 64 b (6 8 b) の各々の寸法は、 90 μπι (横方向） Χ 2 6 0 μτα (縦方向） Χ 25 μιη (深さ）で、凹所以外の部分の厚みは 1 25 μ m ( 回所部分の厚み 1 00 m) である。

(4) 弾性異方導電膜：

上記のフレーム板、スぺーサ一および金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。

シリコーンゴム（ 1 ) 1 00重量部に、導電性粒子 [ a ] 3 0重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1— a) 」とする。上記の金型の上型および下型の表面に、弾性異方導電膜用の成形材料として調製したペースト（1— a) をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弾性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺ一サーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサーを介して上型を位置合わせして重ねた。そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 00 °C、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成し、以て、異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1」という。得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、弾性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が 2 500 /1 m、縦方向の寸法が 1 400 mである。弾性異方導電膜の各々における機能部には、 26個の接続用導電部が 1 20 / mのピッチで横方向に二列（一列の接続用導電部の数が 1 3個で、縦方向に隣接する接続用導電部の間の離間距離が 4 5 Ο μπι) に配列されており、接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 60 μ m、縦方向の寸法が 200 X m、厚みが 150 μ mであり、機能部における絶縁部の厚みが 100 μπιである。また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 80 μιη、縦方向の寸法が 300 μ m、厚みが 150 μ mである。また、弾性異方導電膜の各々における被支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 20 μπιである。

得られた異方導電性コネクター C 1の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 30 %であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(5) 検査用回路基板：

基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数 4. 8 X 10 ^β/Κ) を用い、試験用ウェハ W1における被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が形成された検查用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 30 cmX 30 c mの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が 60 mで縦方向の寸法が 200 /imである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 T l J という。

(6) シート状コネクター：

厚みが 20 μιηのポリイミドよりなる絶縁性シートの一面に厚みが 1 5 μπιの銅層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工を施すことによって、当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、それぞれ直径が 30 μπιの 1 5496個の貫通孔を、試験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成した。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィ一およびニッケルメツキ処理を施すことによつて、絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結された短絡部を形成すると共に、当該絶縁性シートの表面に、短絡部に一体に連結された突起状の表面電極部を形成した。この表面電極部の径は 4 0 mであり、絶縁性シートの表面からの高さは 2 0 つであった。その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、 7 0 μ πι Χ 2 1 0〃mの矩形の裏面電極部を形成し、更に、表面電極部および裏面電極部金メッキ処理を施すことによって電極構造体を形成し、以てシート状コネクターを製造した。以下、このシート状コネクターを「シート状コネクター M l」とレ、う。

( 7 ) 試験 1 ：

試験用ウェハ W 1を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W 1上に異方導電性コネクター C 1をその接続用導雩部の各々が当該試験用ゥェハ W 1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター C 1上に、検査用回路基板 T 1をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクター C 1の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検查用回路基板 T 1を下方に 3 2 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 2 g ) で加圧した。そして、室温（2 5 °C) 下において、検查用回路基板 T 1における 1 5 4 9 6個の検査電極について、異方導電性コネクタ一 C 1および試験用ウェハ W 1を介して互いに電気的に接続された 2個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の 2分の 1の値を異方導電性コネクター C 1における接続用導電部の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。以上の操作を「操作（1 ) 」とする。

次いで、検査用回路基板 T 1を加圧する荷重を 1 2 6 k gに変更し（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8 g ) 、その後、試験台を 1 2 5 °Cに加熱し、試験台の温度が安定した後、上記の操作（1 ) と同様にして異方導電性コネクター C 1における接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。その後、この状態で 1時間放置した。以上の操作を「操作（2 ) 」とする。

次いで、試験台を室温まで冷却し、その後、検査用回路基板に対する加圧を解除した。以上の操作を「操作（3 ) 」とする。そして、上記の操作（1 ) 、操作（2 ) および操作（3 ) を 1サイクルとして、合計で 5 0 0サイクル連続して行つた。

以上において、接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、ウェハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。

以上の結果を下記表 3に示す。

( 8 ) 試験 2 ：

試験台に配置された試験用ゥェハ W 1上に、シート状コネクタ一 M 1をその表面電極部が当該試験用ウェハ W 1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状コネクター M l上に異方導電性コネクタ一 C 1をその接続用導電部がシート状コネクター M lにおける裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 1を下方に 6 3 lc _gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 4 g ) で加圧したこと以外は、上記試験 1と同様にして接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。

以上の結果を下記表 4に示す。

〈実施例 2 >

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ b ] を用いたこと以外は、実施例 1 と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1—b ) 」とする。

ペースト.（1一 a ) の代わりにペースト（1一 b ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 2」という。

得られた異方導電性コネクター C 2の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 ° /。であつた。

異方導電性コネクタ一 C 1の代わりに異方導電性コネクター C 2を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3おょぴ表 4に示す。

〈実施例 3 >

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ c ] を用いたこと以外は、実施例 1 と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1— c ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（l—c ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 3」という。

得られた異方導電性コネクター C 3の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0。/。であった。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 3を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3および表 4に示す。

〈実施例 4 )

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ d ] を用いたこと以外は、実施例 1 と同様にして導電性ペースト糸且成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1一 d ) 」とする。

ペースト（1一 a ) の代わりにペースト（1一 d ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 4」という。

得られた異方導電性コネクター C 4の弾性異方導電膜の各々における接続用導 PC蘭 003/010056

6 4 電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電' 14コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 4を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3および表 4に示す。

〈比較例 1〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ a 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性べ一スト組成物を調製した。この導電性べ一スト組成物を「ペースト（1一 a 1 ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（1一 a l ) を用いたこと以外は実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 1 1」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 1の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電' I 粒子がほとんど存在していないことが確認された。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 1を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 および表 4に示す。

〈比較例 2〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ c 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1— c 1 ) 」とする。ペースト（1一 a ) の代わりにペースト（1一 c 1 ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 2」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 2の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電 '14コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクタ一 C 1 2を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 およぴ表 4に示す。

〈比較例 3〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電' I"生粒子 [ d l ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1—d 1 ) 」とする。

ペースト（l— a ) の代わりにペースト（1— d l ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 3」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 3の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 3を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 および表 4に示す。〈比較例 4〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ e 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1一 e 1 ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（1一 e l ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 4」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 4の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶緣部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 4を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 およぴ表 4に示す。

〈比較例 5〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ f 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト,組成物を「ペースト（1一 f 1 ) 」とする。

ペースト（l— a ) の代わりにペースト（1一 f l ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 5」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 5の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 5を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 およぴ表 4に示す。

〈比較例 6 >

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ g 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1—g 1 ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（l— g l ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 6 J という。

得られた異方導電性コネクター C 1 6の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 °/。であつた。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 6を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 およぴ表 4に示す。

〈比較例 7 >

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ h i ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1一 h 1 ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（1一： h i ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 7」という。

得られた異方導電性コネクター C 1 7の弾性異方導電膜の各々における接続用 0056

6 8 導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 7を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 および表 4に示す。

〈比較例 8〉

導電性粒子 [ a ] の代わりに導電性粒子 [ i 1 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（1— i 1 ) 」とする。

ペースト（l—a ) の代わりにペースト（1一 i l ) を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 1 8」とレヽう。

得られた異方導電性コネクター C 1 8の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部おょぴ機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

異方導電性コネクター C 1の代わりに異方導電性コネクター C 1 8を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして試験 1および試験 2を行った。結果を下記表 3 およぴ表 4に示す。唯 i

—

¾3 瑯 ¾ I；

〇

¾4 表 3および表 4の結果から明らかなように、実施例 1〜実施例 4に係る異方導電性コネクター C 1〜異方導電性コネクター C 4によれば、弾性異方導電膜における接続用導電部のピッチが小さいものであっても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られ、しかも、温度変化による履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、更に、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持されることが確認された

〈実施例 5 )

(1) フレーム板：

下記の条件により、上記の試験用ウェハ W 2における各被検査電極領域に対応して形成された 225の異方導電膜配置孔を有する直径が 6インチのフレーム板を作製した。

このフレーム板の材質はコバール（飽和磁化 1. 4Wb/m² ，線熱膨張係数 5 X 10 V ) で、その厚みは、 80 /mである。

異方導電膜配置用孔の各々は、その横方向の寸法が 2740 μ mで縦方向の寸法が 600 μπιである。

縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔の間の中央位置には、円形の空気流入孔が形成されており、その直径は 1000 μ mである。

(2) スぺーサ一：

下記の条件により、試験用ウェハ W 2における被検査電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスぺーサーを 2枚作製したこれらのスぺーサ一の材質はステンレス（SUS 304) で、その厚みは 30 μ mである。

各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 3500 μ mで縦方向の寸法が 1400 μ mである。

(3) 金型：

下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。 - - -

7 2 この金型における上型および下型は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる基板を有し、この基板上には、試験用ウェハ W 2における被検査電極のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層および非接続用導電部形成用の強磁性体層が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層の各々の寸法は 5 0 μ ΐΏ. (横方向） X 1 0 0 μ ιη (縦方向） X 1 0 0 μ m (厚み）で、 5 0個の強磁性体層が 1 0 0 μ のピッチで横方向に二列（一列の強磁性体層の数が 2 5個で、縦方向に隣接する強磁性体層の間の離間距離が 3 5 0 μ ιη) に配列されている。また、強磁性体層が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層が配置されている。この強磁性体層の寸法は、 5 0 μ πι (横方向） Χ 2 0 0 μ m (縦方向） X 1 0 0 μ m (厚み）である。

そして、 5 0個の接続用導電部形成用の強磁性体層および 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層が形成された領域が、試験用ウェハ W 2における被検查電極領域に対応して合計で 2 2 5個形成され、基板全体で 1 1 2 5 0個の ·接続用導電部形成用の強磁性体層および 4 5 0個の非接続用導電部形成用の強磁性体層が形成されている。

また、非磁性体層は、ドライフィルムレジストを硬化処理することによって形成され、接続用導電部形成用の強磁性体層が位置する凹所の各々の寸法は、 5 0 μ ΐη (横方向） X l O O / m (縦方向） X 3 0 m (深さ）で、非接続用導電部形成用の強磁性体層が位置する凹所の各々の寸法は、 5 0 μ πι (横方向） X 2 0 0 (縦方向） Χ 3 0 μ πι (深さ）で、囬所以外の部分の厚みは 1 3 0 μ m ( 囬所部分の厚み 1 0 0 m) である。

( 4 ) 弾性異方導電膜：

上記のフレーム板、スぺーサ一および金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。 .

上記の金型の上型および下型の表面に、弾性異方導電膜用の成形材料として、実施例 1と同様にして調製したペースト（1一 a ) をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弹性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサーを介して上型を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 0 0 °C.、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成し、以て、異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 2 1」という得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、弹性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が 3 5 0 0 μ m、縦方向の寸法が 1 4 0 0 mである。弹性異方導電膜の各々における機能部には、 5 0個の接続用導電部が 1 0 0 μ mのピッチで横方向に二列（一列の接続用導電部の数が 2 5個で、縦方向に隣接する接続用導電部の間の離間距離が 3 5 0 / m) に配列されており、接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 5 0 _μ m、縦方向の寸法が 1 0 0 ^ m、厚みが 2 0 0 _μ であり、機能部における絶縁部の厚みが 1 4 0 μ πιである。また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 5 0 _μ πι、縦方向の寸法が 2 0 0 μ m、厚みが 2 0 0 mである。また、弾性異方導電膜の各々における被支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 3 0 mである。

得られた異方導電性コネクタ一 C 2 1の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

( 5 ) 検査用回路基板：

基板材料としてガラス繊維補強型エポキシ樹脂を用い、試験用ウェハ W 2にお - - -

7 4 ける被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 1 6 c m X 1 6 c mの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が 5 0 mで縦方向の寸法が l O O /x mである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 T 2」という

( 6 ) シート状コネクター：

厚みが 2 0 // mのポリイミドよりなる絶縁性シートの一面に厚みが 1 5 μ πιの銅層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工を施すことによって、当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、それぞれ直径が 3 0 μ πιの 1 1 2 5 0個の貫通孔を、試験用ウェハ W 2における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成した。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィ一およびニッケルメツキ処理を施すことによつて、絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結された短絡部を形成すると共に、当該絶縁性シートの表面に、短絡部に一体に連結された突起状の表面電極部を形成した。この表面電極部の径は 4 0〃 mであり、絶縁性シートの表面からの高さは 2 0 /z mであった。その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、 2 0 μ ιη Χ 6 0 /i mの矩形の裏面電極部を形成し、更に、表面電極部および裏面電極部に金メッキ処理を施すことによって電極構造体を形成し、以てシート状コネクターを製造した。以下、このシート状コネクターを「シート状コネクター M 2」という。

( 7 ) 試験 3 ：

試験用ウェハ W 2を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W 2上に異方導電性コネクタ一 C 2 1をその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 2の被検查電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター C 2 1.上に、検查用回路基板 T 2をその検查電極の各々が当該異方導電性コネクター C 2 1の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 2を下方に 9 0 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8 g ) で加圧した。そして、室温（2 5 °C) 下において、異方導電性コネクター C 2 1における接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。以上の操作を「操作（1 ) 」とする。

次いで、検査用回路基板 T 2を加圧したままの状態で、試験台の温度を 8 5 °C に昇温して 1分間保持した後、異方導電性コネクター C 2 1における接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。そして、検査用回路基板に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温まで冷却した。以上の操作を「操作（2 ) 」とする。

そして、上記の操作（1 ) および操作（2 ) を 1サイクルとして、合計で 5 0 0 0 0サイクノレ連続して行った。

以上の結果を下記表 5に示す。

〈実施例 6〉

ペースト（1— a ) の代わりに実施例 4と同様にして調製したペースト（ 1一 d ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 2 4」という得られた異方導電性コネクター C 2 4の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 2 4を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。実施例 7〉シリコーンゴム（1 ) の代わりにシリコーンゴム（2 ) を用いたこと以外は、実施例 4と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト（2— d ) 」とする。

ペースト（1— a ) の代わりにペースト（2 _ d ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 2 5」という。

得られた異方導電性コネクター C 2 5の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 °/。であつた。

また、弾性異方導電膜の被支持部およぴ機能部における絶縁部を観察したと.ころ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 2 5を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5'に示す。〈実施例 8 >

シリコーンゴム（1 ) の代わりにシリコーンゴム（3 ) を用いたこと以外は、実施例 4と同様にして導電性ペースト組成物を調製した。この導電性ペースト組成物を「ペースト ( 3— a ) J とする。

ペースト（1一 a ) の代わりにペースト（3— a ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 2 6」という。

得られた異方導電性コネクター C 2 6の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0。/。であった。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 2 6を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3をつた。結果を下記表 5に示す。〈比較例 9〉

ペースト（1— a ) の代わりに比較例 1と同様にして調製したペースト（1— a 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、 .この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 1」という。

得られた異方導電性コネクター C 3 1の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 3 1を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。〈比較例 1 0〉

ペースト（1一 a ) の代わりに比較例 2と同様にして調製したペースト（1— c 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 2」という。

得られた異方導電性コネクター C 3 2の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認、され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認、された。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 3 2を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。

〈比較例 1 1〉ペースト（l—a ) の代わりに比較例 3と同様にして調製したペースト（1一 d 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 3」とい得られた異方導電性コネクター C 3 3の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 3 3を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。〈比較例 1 2〉

ぺ一スト（l—a ) の代わりに比較例 4と同様にして調製したペースト（1一 e l ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 3 4」という。

得られた異方導電性コネクター C 3 4の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクタ一 C 2 1の代わりに異方導電性コネクタ一 C 3 4を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。

〈比較例 1 3 >

ペースト（l _ a ) の代わりに比較例 5と同様にして調製したペースト（ 1一 f 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造 0056

7 9 した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 5」という。

得られた異方導電性コネクター C 3 5の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であつた。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 3 5を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。

〈比較例 1 4〉

ペースト（1一 a ) の代わりに比較例 6と同様にして調製したペースト（1一 g 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 6」とい

5。

得られた異方導電性コネクター C 3 6の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクタ一 C 3 6を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。〈比較例 1 5 >

ペースト（1— a ) の代わりに比較例 7と同様にして調製したペースト（1一 h i ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 7」とい 5 ο 得られた異方導電性コネクター C 3 7の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電' 粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクター C 2 1の代わりに異方導電性コネクタ一 C 3 7を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。〈比較例 1 6 >

ペースト（ 1一 a ) の代わりに実施例 8と同様にして調製したペースト（1— i 1 ) を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター C 3 8」という。

得られた異方導電性コネクター C 3 8の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 %であった。

異方導電性コネクタ一 C 2 1の代わりに異方導電性コネクター C 3 8を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして試験 3を行った。結果を下記表 5に示す。〔表 5〕

表 5の結果から明らかなように、実施例 5〜実施例 8に係る異方導電性コネクター C 21および異方導電性コネクター C24〜異方導電性コネクター C26に

差替え用紙（規則 26) よれば、弾性異方導電膜における接続用導電部のピツチが小さいものであっても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、良好な導電性が維持されることが確認された。発明の効果

本発明に係る異方導電性コネクターによれば、弹性異方導電膜には、接続用導電部を有する機能部の周縁に被支持部が形成されており、この被支持部がフレーム板の異方導電膜配置用孔の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、弹性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、その高導電性金属の割合が芯粒子に対して 1 5質量％以上で、当該高導電性金属による被覆層の厚み tが 5 0 n m以上であるため、多数回にわたつて繰り返し使用した場合においても、導電性性粒子における芯粒子が表面に露出することが抑制され、その結果、所要の導電性を確実に維持することができる。

また、高温環境下において繰り返し使用した場合において、導電性粒子における芯粒子を構成する材料が高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子の表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子の導電性が著しく低下することを防止することができる。

また、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質として、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下で、かつ、デュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものを用いることにより、多数回に' わたって繰り返し使用した場合においても、接続用導電部に永久歪みが発生することが抑制され、これにより、接続用導電部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、所要の導電性を一層確実に維持することができる更に、弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質として、デュロメーター A硬度が 2 5〜4 0のものを用いることにより、高温環境下における試験に繰り返し 6

8 3 使用した場合にも、接続用導電部に永久歪みが発生することが抑制され、これにより、接続用導電部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じることが抑制される結果、長期間にわたって所要の導電性を確実に維持することができる。

また、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々は、検査対象であるウェハに形成された集積回路の被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弹' ι·生異方導電膜の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

本発明に係る導電性ペースト組成物によれば、上記の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を有利に形成することができる。

本発明に係るプローブ部材によれば、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、所要の導電性を維持することができる。

また、異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質として特定のシリコーンゴムを用いることにより、高温環境下における試験に繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって所要の導電性を維持することがでさる。

本発明に係るウェハ検査装置およびウェハ検査方法によれば、上記のプローブ部材を介して、検査対象であるウェハの被検査電極に対する電気的接続が達成されるため、被検查電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下における試験に繰り返し使用した場合にも、所 3 010056

8 4 要の電気的検査を長期間にわたって安定して実行することができる。

本発明に係るウェハの検査方法によれば、信頼性の高い検査を行うことができるので、ウェハに形成された多数の集積回路の中から欠陥または潜在的欠陥を有する集積回路を高い確率で選別することができ、これにより、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、欠陥または潜在的欠陥を有する半導体集積回路を除外して良品のみを確実に得ることができる。

本発明に係るウェハの検査方法を、半導体集積回路装置の製造プロセスの検査工程に適用することにより、半導体集積回路装置の生産性を向上させることができ、しかも、大量に生産された半導体集積回路装置の中に、欠陥または潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置が含まれる確率を低減化することができる。従つて、このような製造プロセスによって得られる半導体集積回路装置によれば、当該半導体集積回路装置が組み込まれる最終製品である電子機器において、高い信頼性が得られる。更に、潜在的欠陥を有する半導体集積回路が最終製品である電子機器に組み込まれることを高い確率で防止することができるので、得られる電子機器においては、長期間の使用による故障の発生の頻度を低減ィヒすることができる。

Claims

請求の範囲

1- ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、検査対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、

前記弾性異方導電膜の各々は、弾性高分子物質により形成され、検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、

前記弾性異方導電膜における接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなり、当該芯粒子に対する高導電性金属の割合が 1 5質量 °/₀以上であり、かつ、下記式（1) によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 5 Onm以上であることを特徴とする異方導電性コネクタ一。

式 (1) t = {\/ (S w p) ] X 〔N/ (1-N) 〕

〔但し、 tは高導電性金属による被覆層の厚み（m) 、 Swは芯粒子の BET比表面積（m² /k g) 、 pは高導電性金属の比重（k gZm³ ) 、 Nは（高導電性金属の質量/導電性粒子全体の質量）の値を示す。〕

2. 導電性粒子は、下記に示す電気抵抗値 Rの値が 0. 3 Ω以下であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の異方導電性コネクター。

電気抵抗値 R ：導電性粒子 0. 6 gと液状ゴム 0. 8 gとを混練することによつてペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、 0. 5 mmの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が 1 mmの一対の電極間に配置し、この一対の電極間に 0 . 3 Tの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

3 . 導電性粒子は、 B E T比表面積が 1 0〜 5 0 0 m² / k gであることを特徴とする請求の範囲第 1項または第 2項に記載の異方導電性コネクタ一。

4 . 弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、付加型液状シリコーンゴムの硬化物であって、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下で、かつ、デュロメータ一 A硬度が 1 0〜6 0のものであることを特徴とする請求の範囲第 1 項乃至第 3項のいずれかに記載の異方導電性コネクター。

5 . 弾性異方導電膜を形成する弹性高分子物質は、そのデュロメーター A硬度が 2 5〜 4 0のものであることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の異方導電性コネクター。

6 . 弾性異方導電膜を形成する弾性高分子物質は、その引き裂き強度が 8 k N/ m以上のものであることを特徴とする請求の範囲第 4項または第 5項に記載の異方導電性コネクター。

7 . フレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵ノ K以下であることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 6項のいずれかに記載の異方導電性コネクタ一。

8 . 硬化可能な液状シリコーンゴムと、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子とを含有してなり、前記導電性粒子は、芯粒子に対する高導電性金属の割合が 1 5質量％以上であり、つ、請求項 1に記載の数式によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 5 0 n m以上であることを特徴とする導電性ペースト組成物。

9 . 請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載の異方導電性コネクタ一における弾性異方導電膜を形成するためのものであることを特徴とする請求の範囲第 8項に記載の導電性ペースト組成物。

1 0 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために用いられるプロ一プ部材であって、

検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検查用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載の異方導電性コネクタ一とを具えてなることを特徴とするプローブ部材。

1 1 . 異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0— ⁵Z K以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が 3 X 1 0— ⁵ ノ K以下であることを特徴とする請求の範囲第 1 0項に記載のプローブ部材。

1 2 . 異方導電性コネクタ一上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸ぴ、被検査電極のバターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクタ一が配置されていることを特徴とする請求の範囲第 1 0項または第 1 1項に記載のプローブ部材。

1 3 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うウェハ検査装置において、

請求の範囲第 1 0項乃至第 1 2項のいずれかに記載のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とするウェハ検査装置。

1 4 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、請求の範囲第 1 0項乃至第 1 2項のいずれかに記載のプローブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とするウェハ検査方法。