KR20110027641A - 프로브 검사 방법 및 경화성 수지 조성물 - Google Patents

Abstract

피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브의 상태를 확인하는 프로브 검사 방법과 그에 이용되는 경화성 수지 조성물을 제공한다. 본 발명에 의하면 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고, 경화체에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브의 상태를 확인하고, 또한 프로브의 침적을 전사한 후에 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 프로브의 침적을 소거하는 공정을 포함하고, 반복 검사에 제공하는 프로브의 검사 방법이 제공된다.

Description

프로브 검사 방법 및 경화성 수지 조성물{PROBE INSPECTING METHOD AND CURABLE RESIN COMPOSITION}

본 발명은 프로브 상태를 검사하는 검사 방법, 프로브 검사 공정에 이용하는 경화성 수지 조성물 및 이 경화성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화체, 및 이 경화체로 이루어진 시트를 구비하는 검사 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정에서 웨이퍼 위에 형성된 IC 칩의 양부를 판정할 때 일반적으로 프로브 장치를 이용해 전기적 특성을 검사하고 있다. 프로브 장치를 이용해 IC 칩의 전기적 특성을 검사할 때에는 IC 칩 위의 전극 패드와 프로브 카드에 마련된 프로브를 접촉시키기 위해서 프로브의 위치 맞춤을 실시할 필요가 있다.

종래, 프로브의 위치 맞춤은 CCD 카메라 등으로 프로브의 침선 (針先, needle tip)을 촬영하고 이때의 X, Y의 좌표 위치에 근거해 프로브 선단의 위치를 결정하고 있었다. 그러나 이 방법에서는 프로브 선단에 카메라의 포커스를 맞추는데 시간이 걸리기 때문에 프로브의 위치 맞춤에 장시간이 걸린다고 하는 문제점이 있었다.

또, IC 칩 위의 전극 패드와 프로브가 전기적으로 접촉하려면 어느 소정의 깊이까지 프로브 선단을 밀어넣을 필요가 있지만, 프로브에 따라서는 밀어넣을 때에 프로브 선단의 위치가 일정 방향으로 어긋나는 경우가 있다. 그러나 종래의 프로브의 위치 맞춤 방법은 비접촉 상태로 프로브 선단의 위치를 결정하고 있어 접촉시의 어긋남을 고려하지 않았다.

상기의 문제를 해결하기 위해 침적 (針跡, probe mark)을 전사하는 부재를 마련하고 그 부재에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브의 위치 맞춤을 실시하는 프로브 검사 방법 및 프로브 검사 장치가 제안되고 있다.

예를 들면 특허 문헌 1에서는 검사 전에 프로브 카드의 복수의 프로브의 선단적 (先端跡)을 변형체에 전사하고, 이 침적 개구의 크기에 근거해 프로브의 전극에 대한 밀어넣음 깊이를 산출하여 프로브의 위치 맞춤에 필요로 하는 시간을 단축하고 있다.

또, 특허 문헌 2에서는 프로브 검사 장치 내에 지지대를 마련하는 동시에 그 지지대 위에 프로브의 침적을 남기기 위한 시트를 마련하고 전사된 침적을 기초로 프로브의 위치 맞춤을 실시하는 검사 방법 및 검사 장치가 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 3에서는 침적 평가용 웨이퍼에 전사한 침적을 화상 인식하고 가상의 전극 패드와 화상 인식된 상기 침적을 겹쳐 맞추어 상기 침적을 평가하는 프로브의 침적 평가 방법이 제안되고 있다.

또, 특허 문헌 4에는 엘라스토머 조성물로 이루어진 프로브 위치 조정용 필름에 프로브를 접촉시켜 상흔을 남기고 이 상흔과 집적회로의 전극부의 위치 관계를 확인해 그 위치 관계를 기초로 프로브의 위치를 조정하는 방법이 기재되어 있다.

또, 특허 문헌 5에는 전극을 형성한 검출용 기판 위에 투명 필름을 붙여 투명 필름 위에 전사시킨 침적의 위치와 기판 위의 전극의 위치를 비교함으로써 스테이지 이동의 반복 정밀도에 영향을 받는 일 없이 고정밀도로 프로브의 위치 맞춤을 실시하는 방법이 기재되어 있다.

그렇지만, 특허 문헌 1에 있어서는 변형체를 가열해 침적을 다시 메워서 재이용하는 것이 기재되어 있기는 하지만, 변형체의 재료로는 저융점의 금속, 합금 또는 유기 절연물을 들 수 있을 뿐이고 재이용을 실시하기 위한 구체적인 재료나 가열 조건은 나타나 있지 않다. 또, 특허 문헌 2에 있어서는 복수회 침적을 전사할 때에는 그때마다 침적의 전사 위치를 옮기지 않으면 안 되기 때문에 반복 수에 제한이 있고, 더욱이 프로브가 소정의 위치로부터 어긋나 있는 경우에는 전회 (前回) 전사한 침적과 겹쳐 버릴 가능성이 있다. 또, 침적 전사 위치를 옮기는 것 이외에 시트를 재이용하는 방법은 나타나 있지 않다.

또, 특허 문헌 3, 4에서는 침적 전사용 부재의 재이용에 대해서는 언급하지 않고, 특히 특허 문헌 4에 있어서는 침적이 사라지지 않게 침적의 내열 잔존성을 부여하고 있는 것으로부터 침적을 소실시켜 재이용하는 것은 곤란하다.

또, 특허 문헌 5에서는 자외선 조사에 의해 투명 필름의 접착성을 저하시켜 필름을 박리함으로써 검출용 기판의 재이용을 가능하게 하고 있지만, 투명 필름의 재이용 방법에 대해서는 나타나 있지 않다.

일본 특개 2001-189353호 공보 일본 특개 2004-327805호 공보 일본 특개 2007-200934호 공보 일본 특개 2005-308549호 공보 미국 특허 출원 공개 제2007/0229098호 명세서

본 발명의 목적은 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있는 검사 방법을 제공하는 것이다. 또, 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있어 간단한 방법으로 용이하게 침적을 소거할 수 있는 경화성 수지 조성물을 제공하는 것이다.

즉, 본 발명에 의하면 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고, 경화체에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브 상태를 확인하고, 또한, 프로브의 침적을 전사한 후에 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 프로브의 침적을 소거하는 공정을 포함하고, 반복 검사에 제공하는 프로브의 검사 방법이 제공된다.

상기 검사 방법에 의하면 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명에 의하면 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 것을 특징으로 하는 프로브의 침적을 전사하기 위한 경화성 수지 조성물이 제공된다.

상기 경화성 수지 조성물에 의하면 침적을 전사하는 부재와 프로브를 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 침적을 전사하는 부재를 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명에 의하면, (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화체로 이루어진 시트와, 시트를 재치하는 지지대와, 시트를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열하기 위한 가열 장치와, 피검사체를 재치하는 재치대와, 프로브를 가지는 프로브 카드와, 시트에 전사된 프로브의 침적 상태를 확인하기 위한 촬상 장치를 구비하는 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치가 제공된다.

상기 검사 장치에 의하면 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있기 때문에 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있다.

도 1은 본 실시 형태 2의 검사 장치를 설명하는 도면이다.

[용어의 설명]

본 명세서에 있어서, 「경화성 수지 조성물」이란 빛의 조사나 가열에 의해 경화해 경화체가 되는 혼합물을 의미한다. 그리고 일반적으로 경화성 수지 조성물은 다음에 설명하는 유리 전이 온도로 알려진 온도 영역을 가진다.

본 명세서에 있어서, 「유리 전이 온도」란 액체 상태 (고무 상태)로부터 비정질 고체 (유리 상태)로 가역적으로 변화하는 온도 또는 비정질 고체 (유리 상태)로부터 액체 상태 (고무 상태)로 가역적으로 변화하는 온도를 의미한다. 일반적으로 유리 전이 온도는 예를 들면 JIS C 6481 등에 의해 정의되고 있다.

또, 본 명세서에 있어서, 「~」라고 하는 기호는 「이상」 및 「이하」를 의미해, 예를 들면 「A~B」라고 하는 것은 A 이상이며 B 이하이다라고 하는 의미이다.

[발명의 경위]

본 발명자는 경화성 수지 조성물의 경화체에 프로브를 접촉시킴으로써 침적을 전사시키는 것이 가능하고, 계속해서 이 경화체를 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 상기 침적을 소거할 수 있는 것, 게다가 상기 경화성 수지 조성물의 경화체를 박막으로 얻음으로써 경화체 위에 전사된 침적과 웨이퍼 위에 형성된 기준 위치를 동일한 포커스로 동시에 관찰할 수 있다라는 지견을 얻어 본 발명에 도달한 것이다.

[실시 형태 1: 경화성 수지 조성물]

본 실시 형태와 관련된 경화성 수지 조성물은 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 것을 특징으로 하는 프로브의 침적을 전사하기 위한 경화성 수지 조성물이다.

상기 경화성 수지 조성물에 의하면 침적을 전사하는 부재와 프로브를 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 침적을 전사하는 부재를 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

우선, 본 실시 형태와 관련된 경화성 수지 조성물의 구성에 대해서 설명한다.

(경화성 수지 조성물)

경화성 수지 조성물로는 특별히 한정되지 않지만 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 것을 특징으로 한다.

이하, 경화성 수지 조성물의 각 성분에 대해서 설명한다.

경화성 수지 조성물은 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 모노머 또는 (메타)아크릴아미드를 함유하는 것이 바람직하다. 아크릴계 경화성 수지 조성물의 경화체를 사용함으로써 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있다.

(단관능 (메타)아크릴레이트 모노머)

여기서, 단관능 (메타)아크릴레이트 모노머로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 이소미리스틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 페닐 (메타)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 메톡시화 시클로데카트리엔 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 폴리카프로락톤 변성 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일 말단 폴리아크릴레이트, 카프로락톤 변성 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 3-클로로-2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 에톡시카보닐메틸 (메타)아크릴레이트나 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트 등의 알콕시알킬 (메타)아크릴레이트, 페놀 에틸렌 옥사이드 변성 아크릴레이트, 페놀 (에틸렌 옥사이드 2몰 변성) 아크릴레이트, 페놀 (에틸렌 옥사이드 4몰 변성) 아크릴레이트, 파라쿠밀 페놀 에틸렌 옥사이드 변성 아크릴레이트, 노닐페놀 에틸렌 옥사이드 변성 아크릴레이트, 노닐페놀 (에틸렌 옥사이드 4몰 변성) 아크릴레이트, 노닐페놀 (에틸렌 옥사이드 8몰 변성) 아크릴레이트, 노닐페놀 (프로필렌 옥사이드 2.5몰 변성) 아크릴레이트, 2-에틸헥실카비톨 아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 변성 프탈산 (메타)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드 변성 숙신산 (메타)아크릴레이트, 트리플루오로에틸 (메타)아크릴레이트, ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메타)아크릴레이트, 프탈산 모노히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 다이머, β-(메타)아크릴로일옥시에틸히드로젠 숙시네이트, n-(메타)아크릴로일옥시알킬헥사히드로프탈이미드 등을 들 수 있다.

이들 단관능 (메타)아크릴레이트 모노머는 침적 전사성을 부여하는 점에서 바람직하다.

이들 중에서는 효과가 큰 점에서 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군 중 1종 또는 2종 이상이 바람직하다.

경화성 수지 조성물로서 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트만을 사용하는 경우, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 이소데실 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군 중 1종 또는 2종 이상이 바람직하고, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및/또는 이소데실 (메타)아크릴레이트가 보다 바람직하며, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 이소데실 (메타)아크릴레이트의 병용이 가장 보다 바람직하다.

이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 이소데실 (메타)아크릴레이트를 병용했을 경우, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 이소데실 (메타)아크릴레이트의 병용 비율은 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 이소데실 (메타)아크릴레이트의 합계 100 중량부에 대해서 이소보닐 (메타)아크릴레이트:이소데실 (메타)아크릴레이트=80~99 중량부:1~20 중량부가 바람직하고, 85~95 중량부:5~15 중량부가 보다 바람직하다.

이에 의해 실온으로부터 고온의 온도 영역에 있어서, 침적 전사성을 부여할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

경화성 수지 조성물로서 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 병용하는 경우, (A) 단관능 (메타)아크릴레이트로는 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및/또는 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트의 병용이 보다 바람직하다.

이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트를 병용했을 경우, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트의 병용 비율은 이소보닐 (메타)아크릴레이트 및 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트의 합계 100 중량부에 대해서 이소보닐 (메타)아크릴레이트:부톡시에틸 (메타)아크릴레이트=40~80 중량부:20~60 중량부가 바람직하고, 50~70 중량부:30~50 중량부가 보다 바람직하다.

이에 의해 경화성 수지 조성물의 접착성이 향상한다는 효과를 얻을 수 있다.

((메타)아크릴아미드)

또, (메타)아크릴아미드로는 N-이소프로필 (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸 (메타)아크릴아미드, N,N-디에틸 (메타)아크릴아미드, N-히드록시에틸 (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴로일 몰포린 등을 들 수 있다.

이들 아크릴아미드는 표면 경화성이 양호하다는 점에서 바람직하다.

이들 중에서는 효과가 큰 점에서 N,N-디에틸 (메타)아크릴아미드 및/또는 (메타)아크릴로일 몰포린이 바람직하고, N,N-디에틸 (메타)아크릴아미드가 보다 바람직하다.

(A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드 중에서는 효과가 큰 점에서 단관능 (메타)아크릴레이트가 바람직하다.

(A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드의 첨가량은 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 후술하는 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트 성분의 합계량 100 중량부 중 40~100 중량부가 바람직하고, 45~55 중량부가 보다 바람직하다. 이와 같은 배합량은 경화 후의 수지에 충분한 깊이의 침흔 (針痕)을 전사시킬 수 있다고 하는 점에서 바람직하다.

또, 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.

((B) 다관능 (메타)아크릴레이트)

상기 경화성 수지 조성물은 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 추가로 함유하고 있어도 된다.

여기서, (B) 다관능 (메타)아크릴레이트로는 특별히 한정되지 않지만 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머/폴리머/모노머를 사용하는 것이 바람직하다. 경화성 수지 조성물에 다관능 (메타)아크릴레이트를 첨가함으로써 가열시에 수지가 용융하는 것을 막을 수 있다.

다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머/폴리머로는 특별히 한정되지 않지만 1,2-폴리부타디엔 말단 우레탄 (메타)아크릴레이트 (예를 들면, 니폰 소다사제, 「TE-2000」, 「TEA-1000」), 상기 수소 첨가물 (예를 들면, 니폰 소다사제, 「TEAI-1000」), 1,4-폴리부타디엔 말단 우레탄 (메타)아크릴레이트 (예를 들면, 오사카 유기화학사제, 「BAC-45」), 폴리이소프렌 말단 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르계 우레탄 (메타)아크릴레이트, 폴리에테르계 우레탄 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 비스페놀 A형 에폭시 (메타)아크릴레이트 (예를 들면, 오사카 유기화학사제, 「비스코트 #540」, 쇼와 고분자사제, 「비스코트 VR-77」)등을 들 수 있다.

이들 중에서는 효과가 큰 점에서 1,2-폴리부타디엔 말단 우레탄 (메타)아크릴레이트 및/또는 상기 수소 첨가물이 바람직하고, 1,2-폴리부타디엔 말단 우레탄 (메타)아크릴레이트의 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 이들 다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머/폴리머는 취급성의 향상 및 가열시의 용융 방지라는 점에서 바람직하다.

또, 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로는 특별히 한정되지 않지만 다음과 같은 것이 바람직하다.

2 관능 (메타)아크릴레이트 모노머로는 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 디(메타)아크릴레이트, 2-에틸-2-부틸-프로판디올 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 스테아린산 변성 펜타에리트리톨 디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시디에톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시프로폭시페닐)프로판, 2,2-비스(4-(메타)아크릴옥시테트라에톡시페닐)프로판 등을 들 수 있다.

3 관능 (메타)아크릴레이트 모노머로는 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 트리스[(메타)아크릴옥시에틸]이소시아누레이트 등을 들 수 있다.

4 관능 이상의 (메타)아크릴레이트 모노머로는 디메틸올프로판 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 에톡시 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

상기 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머는 가열시 용융 방지라는 점에서 바람직하다.

(A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트의 조합에 대해서는 가열 후에 용이하게 침적을 소거할 수 있다는 점에서 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드를 사용하고 다관능 (메타)아크릴레이트를 사용하지 않는 것이 바람직하다.

경화성 수지 조성물로서 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 병용하는 경우 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트의 첨가량은 (A) 및 (B) 성분의 합계량 100 중량부 중 60 중량부 이하가 바람직하고, 45~55 중량부가 보다 바람직하다.

(B) 다관능 (메타)아크릴레이트의 첨가량이 60 중량부 이하이면 경화 후의 수지에 침적을 인식하는데 충분한 깊이의 침적을 전사시킬 수 있다.

또, 상기 (A) 및 (B) 성분의 배합 조성에 (메타)아크릴로일옥시에틸 애시드 포스페이트, 디부틸 2-(메타)아크릴로일옥시에틸 애시드 포스페이트, 디옥틸 2-(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, 디페닐 2-(메타)아크릴로일옥시에틸 포스페이트, (메타)아크릴로일옥시에틸 폴리에틸렌글리콜 애시드 포스페이트 등의 비닐기 또는 (메타)아크릴로일기를 가지는 인산 에스테르를 병용해도 된다.

이에 의해 금속면에 대한 밀착성을 한층 더 향상시킬 수 있다.

((C) 광중합 개시제)

상기 경화성 수지 조성물은 상기 (A) 및 (B)에 더하여 광중합 개시제를 추가로 포함하고 있어도 된다. (C) 광중합 개시제는 가시광선이나 자외선의 활성 광선에 의해서 증감시켜 수지 조성물의 광경화를 촉진하기 위해서 배합하는 것으로, 공지의 각종 광중합 개시제가 바람직하게 이용된다.

여기서 (C) 광중합 개시제로는 특별히 한정되지 않지만 벤조페논 및 그 유도체, 벤질 및 그 유도체, 안트라퀴논 및 그 유도체, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등의 벤조인 유도체, 디에톡시아세토페논, 4-t-부틸트리클로로아세토페논 등의 아세토페논 유도체, 2-디메틸아미노에틸벤조에이트, p-디메틸아미노에틸벤조에이트, 디페닐 디설파이드, 티오크산톤 및 그 유도체, 캠퍼퀴논, 7,7-디메틸-2,3-디옥소비시클로[2.2.1]헵탄-1-카르복시산, 7,7-디메틸-2,3-디옥소비시클로[2.2.1]헵탄-1-카르복시-2-브로모에틸 에스테르, 7,7-디메틸-2,3-디옥소비시클로[2.2.1]헵탄-1-카르복시-2-메틸 에스테르, 7,7-디메틸-2,3-디옥소비시클로[2.2.1]헵탄-1-카르복시산 클로라이드 등의 캠퍼퀴논 유도체, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부탄온-1 등의 α-아미노알킬페논 유도체, 벤조일디페닐포스핀 옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥사이드, 벤조일디에톡시포스핀 옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디메톡시페닐포스핀 옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디에톡시페닐포스핀 옥사이드 등의 아실포스핀 옥사이드 유도체 등을 들 수 있다.

이들 중에서는 효과가 큰 점에서 벤조인 유도체와 α-아미노알킬페논 유도체가 바람직하고, 벤질디메틸케탈과 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.

광중합 개시제로는 상기 물질을 1종 또는 2종 이상 조합해 이용할 수 있다.

(C) 광중합 개시제의 첨가량은 상기 (A) 및 (B)의 합계량 100 중량부에 대해서 0.1~20 중량부가 바람직하다. (C) 광중합 개시제의 첨가량이 0.1 중량부 이상이면 경화 촉진의 효과를 확실히 얻을 수 있고, 20 중량부 이하이면 충분한 경화 속도를 달성할 수 있다.

(C) 광중합 개시제의 첨가량은 0.5~10 중량부가 더욱더 바람직하다. 이와 같은 첨가량으로 함으로써 충분한 접착 강도를 가지는 경화체를 얻을 수 있다.

(중합 금지제)

상기 경화성 수지 조성물은 그 저장 안정성 향상을 위해 중합 금지제를 포함하고 있어도 된다.

중합 금지제로는 특별히 한정되지 않지만 메틸히드로퀴논, 히드로퀴논, 2,2-메틸렌-비스(4-메틸-6-터셔리-부틸페놀), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-(3,5-디-터셔리-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 옥타데실-3-(3,5-디-터셔리-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 이소옥틸-3-(3,5-디-터셔리-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 카테콜, 히드로퀴논 모노메틸 에테르, 모노터셔리-부틸히드로퀴논, 2,5-디터셔리-부틸히드로퀴논, p-벤조퀴논, 2,5-디페닐-p-벤조퀴논, 2,5-디터셔리-부틸-p-벤조퀴논, 피크린산, 시트르산, 페노티아진, 터셔리-부틸카테콜, 2-부틸-4-히드록시아니솔, 2,6-디터셔리-부틸-p-크레졸 및 4-메톡시-1-나프톨 등을 들 수 있다.

이들 중에서는 효과가 큰 점에서 2,2-메틸렌-비스(4-메틸-6-터셔리-부틸페놀)이 바람직하다.

이들 중합 금지제의 함유량은 상기 (A) 및 (B)의 합계량 100 중량부에 대해 0.001~3 중량부가 바람직하다. 중합 금지제의 함유량이 0.001 중량부 이상이면 저장 안정성이 충분하고, 3 중량부 이하이면 확실한 접착성을 얻을 수 있어 미경화 될 우려도 없다.

나아가서는, 중합 금지제의 함유량은 0.01~2 중량부가 보다 바람직하다. 이에 의해 저장 안정성 및 내구성이 한층 더 향상한다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 상기 경화성 수지 조성물은 일반적으로 사용되고 있는 아크릴 고무, 우레탄 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 고무 등의 각종 엘라스토머, 무기 필러, 용제, 증량재, 보강재, 가소제, 증점제, 염료, 안료, 난연제, 실란 커플링제 및 계면활성제 등의 첨가제를 포함하고 있어도 된다.

(경화체의 두께)

상기 경화성 수지 조성물의 경화체는 박막으로 얻는 것이 가능하다. 경화성 수지 조성물의 경화체를 박막으로 얻음으로써 상기 경화성 수지 조성물의 경화체에 전사한 침적과 웨이퍼 위의 기준 위치를 동일한 포커스로 동시에 관찰할 수 있기 때문에 작업시간의 단축으로 연결된다.

여기서 상기 경화체의 두께는 20~100㎛인 것이 바람직하고, 40~60㎛인 것이 보다 바람직하다. 경화체의 두께가 20㎛ 이상이면 연속한 경화체를 확실히 얻는데 충분하다. 또, 경화체의 두께가 100㎛ 이하이면 일반적인 반도체 웨이퍼의 두께에 대응할 수 있어 경화체에 전사한 침적과 웨이퍼 위의 기준 위치를 동일한 포커스로 동시에 관찰할 수 있다.

[실시 형태 2: 프로브의 검사 방법]

본 실시 형태와 관련된 프로브의 검사 방법은 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고, 경화체에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브 상태를 확인하고, 또한, 프로브의 침적을 전사한 후에 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 프로브의 침적을 소거하는 공정을 포함하고, 반복 검사에 제공하는 프로브의 검사 방법이다.

상기 검사 방법에 의하면 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다. 단, 「교환하지 않고」라고 해도 침적을 전사하는 부재를 영구히 교환하지 않는 것은 아니다. 즉, 열화나 마모 등에 의해서 교환이 필요한 경우에는 적당히 교환하지만 적어도 2회 이상은 반복해 사용할 수 있으면 된다.

다음에, 상기 프로브의 검사 방법을 설명한다.

먼저, 검사에 이용하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고 이 경화체에 이 프로브의 침적을 전사한다. 그리고 전사된 프로브의 침적의 확인을 실시한 후 이 프로브를 이용한 웨이퍼의 검사를 실시한다. 이때 상기 확인 조작에 의해서 프로브의 위치가 적절하지 않은 것이나 밀어넣음 깊이가 충분하지 않은 것이 판명되었을 경우에는 적당히 프로브의 조정을 실시할 수 있다.

여기서 접촉이란 경화체 표면에 프로브의 침적이 형성되도록 프로브를 경화체 표면에 밀어붙이는 것을 의미한다. 이 조작에 의해서 경화체 표면에 프로브의 침적이 형성된다. 또, 전사란 상기의 접촉 조작에 의해서 경화체 표면에 프로브의 침적이 형성되는 것이다. 이와 같이 경화체 표면에 프로브의 침적이 전사됨으로써 프로브의 위치나 밀어넣음 깊이, 프로브 선단 상태 등을 알 수 있다.

그리고 확인이란 전사된 프로브의 침적을 CCD 카메라 등의 촬상 장치에 의해서 눈으로 보는 것이다. 침적의 확인은 눈으로 보는 것에 의해 실시하는 것이 확실하므로 바람직하지만, 예를 들면 상기 촬상 장치에 의해서 얻은 화상을 소프트웨어에 의해서 해석해 자동적으로 프로브의 배열을 수정하도록 해도 된다.

또한, 접촉 및 전사시의 온도는 IC 칩의 전기적 특성을 검사하는 온도와 동일한 온도이며, 예를 들면 20~30℃의 실온이나 80~90℃의 고온을 들 수 있다. 또, 확인시의 온도는 상기 온도와 동일하거나 그 이하의 온도이다.

그리고 소정 매수의 웨이퍼 검사가 종료한 후 상기 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 상기 프로브의 침적을 소거한다. 또, 침적의 소거는 상이한 종류의 웨이퍼 검사마다 행해도 된다.

여기서 침적의 소거란 경화체를 가열함으로써 경화체의 온도를 유리 전이 온도 이상으로 상승시켜 경화체 표면에 형성된 프로브의 침적을 지우는 것이다. 침적의 소거는 침적이 완전하게 사라진 상태로 되지 않아도 된다.

예를 들면 침적의 최하부와 경화체 표면의 높이의 갭이 100nm 이하가 되면 소거된 것으로 한다. 더욱 바람직하게는, 50nm 이하가 되면 소거된 것으로 한다.

침적이 소거되었는지 아닌지는 촬상 장치를 이용한 눈으로 보는 것 등에 의해서 확인할 수 있다. 경화체 표면에 형성된 침적을 지움으로써 하나의 경화체로 복수 회 검사를 반복해 실시할 수 있다.

상기 검사에 있어서, 경화체란 빛의 조사나 가열에 의해 경화성 수지 조성물을 경화하여 이루어지는 경화체이며, 특별히 한정은 되지 않지만 상기 실시 형태 1에 기재된 경화성 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하다.

이에 의해 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있으므로 상기 프로브의 검사에 바람직하게 이용된다. 그리고 침적을 소거한 후 접촉, 전사 및 확인시의 온도까지 냉각함으로써 재이용할 수 있다.

상기 검사 방법에 의하면 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브 검사를 반복해 실시할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 피검사체의 검사를 고온에서 실시하는 경우에는 유리 전이 온도 이하이면 경화체에 침적을 전사하는 것이 가능하고, 경화체의 온도도 피검사체의 검사시의 온도와 동일하게 할 수 있다. 유리 전이 온도 이상이어도 경화체에 침적을 전사하는 것이 가능하면 경화체의 온도도 피검사체의 검사시의 온도와 동일하게 할 수 있다. 즉, 고온시에서의 프로브의 침선의 위치를 검출할 수 있다. 이에 의해 피검사체의 검사를 고온에서 실시하는 경우에도 프로브의 침선 위치가 검출시의 위치로부터 어긋나는 일 없이 프로브를 전극 패드에 정확하게 접촉시킬 수 있다.

(검사 장치)

상기 프로브의 검사에는 도 1에 나타내는 바와 같은, 경화체로 이루어진 시트 (10)와, 이 시트 (10)를 재치하는 지지대 (12)와, 이 시트 (10)를 이 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열하기 위한 가열 장치 (도시하지 않음)와, 이 피검사체를 재치하는 재치대 (13)와, 프로브 (15)를 가지는 프로브 카드 (14)와, 이 시트 (10)에 전사된 상기 프로브 (15)의 침적 (11) 상태를 확인하기 위한 촬상 장치 (16)를 구비하는 검사 장치가 바람직하게 이용된다.

여기서 검사 장치의 구성 부재는 상기의 것으로 한정되는 것은 아니고, 그 밖에 진공 펌프나 가스 공급원, 재치대의 움직임을 제어하는 제어 기구 등을 구비하고 있어도 된다. 또, 상기 검사 장치는 진공 챔버 등의 장치 내에 조립되어 있어도 된다.

(경화성 수지 조성물의 가열 방법)

실시 형태 1 및 2와 관련된 경화성 수지 조성물은 경화 후에 프로브를 접촉시켜 침적을 전사한 후 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 침적을 소거하는 것이 가능하다.

실시 형태 1 및 2에 있어서, 경화성 수지 조성물의 유리 전이 온도는 간편한 가열 방법으로 얻을 수 있다. 가열 방법으로는 특별히 한정되지 않지만 용이하게 사용할 수 있기 위해 전기 히터, 건조기 등을 이용하는 것이 바람직하다.

가열 온도로는 180℃ 이하가 바람직하고, 50~150℃가 보다 바람직하다. 가열 온도가 180℃ 이하이면 경화성 수지 조성물이 복수 회 사용에 견딜 수 있기 때문에 바람직하다.

또, 실시 형태 2에 있어서, 가열 장치란 예를 들면 전기 히터, 건조기 등을 의미한다. 가열 장치는 시트 (10)의 온도를 유리 전이 온도 이상으로 가열할 수 있는 것이 필요하지만 다른 부재나 피검사체에 영향을 미치지 않도록 장치하는 것이 바람직하다.

침적의 소거 방법은 가열만이 아니고, 가열과 가압을 조합하는 것도 가능하다. 가압함으로써 경화체의 표면을 한층 더 평탄하게 유지할 수 있다. 여기서 경화성 수지 조성물의 가압 방법으로는 프레스기 등의 종래 공지의 장치를 이용하는 것이 바람직하다.

(유리 전이 온도)

상기 실시 형태 1 및 2에 있어서, 유리 전이 온도는 40℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하다. 이 범위이면 전기 히터, 건조기 등으로 용이하게 가열을 실시할 수 있다. 게다가 유리 전이 온도는 40℃ 이상 120℃ 이하인 것이 바람직하고, 50℃ 이상 100℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 범위이면 실온으로부터 고온의 온도 영역에 있어서, 경화체에 충분한 깊이의 침적을 전사할 수 있다.

또, 실시 형태 1 및 2의 경화성 수지 조성물은 반복 사용할 수 있지만 반복 회수는 2회 이상이 바람직하고, 비용 면에 있어서는 30회 이상 반복 사용할 수 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 실시 형태와 관련된 프로브의 검사 방법은 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고, 경화체에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브 상태를 확인하고, 또한, 프로브의 침적을 전사한 후에 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 프로브의 침적을 소거하는 공정을 포함하고, 반복 검사에 제공하는 프로브의 검사 방법이다.

상기 검사 방법에 의하면 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

상기 경화성 수지 조성물의 경화체의 두께는 20~100㎛여도 된다. 40~60㎛인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해 경화체에 전사된 프로브의 침적과 웨이퍼 위에 형성되어 있는 기준 위치를 동일한 포커스로 동시에 관찰할 수 있어 작업시간을 단축할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 기준 위치로서 상기 경화성 수지 조성물의 경화체 위에 마크를 제작해도 된다. 마크의 제작 방법은 잉크젯에 의한 잉크 도포나 스크린 인쇄, 금속 증착, 레이저 어블레이션 등을 들 수 있지만, 작업성 및 반복 사용에 견딜 수 있다는 관점으로부터 잉크젯에 의한 잉크 도포가 바람직하다.

또, 상기 프로브의 검사 방법에 있어서, 경화성 수지 조성물이 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하여도 된다.

이에 의해 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있으므로 프로브의 검사에 반복해 이용할 수 있다.

또, 상기 프로브의 검사 방법에 있어서, 경화성 수지 조성물이 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 추가로 함유하고 있어도 된다. 이에 의해 가열시에 수지가 용해하는 것을 막을 수 있다.

또, 상기 프로브의 검사 방법에 있어서, 경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 추가로 함유하고 있어도 된다. 이에 의해 저장 안정성 및 내구성이 향상한다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

본 발명의 실시 형태와 관련된 경화성 수지 조성물은 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 것을 특징으로 하는 프로브의 침적을 전사하기 위한 경화성 수지 조성물이다.

상기 경화성 수지 조성물에 의하면 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 상기 경화성 수지 조성물이 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 추가로 함유하고 있어도 된다. 이에 의해 가열 후에 수지가 용융하는 것을 막을 수 있다.

또, 상기 경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 추가로 함유하고 있어도 된다. 이에 의해 저장 안정성 및 내구성이 향상한다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 상기 경화성 수지 조성물이 (A)와 (B)의 합계량 100 중량부에 대해서 (A)를 40~100 중량부, (B)를 60 중량부 이하, (C)를 0.1~20 중량부 함유하고 있어도 된다. 이에 의해 충분한 접착 강도를 가지는 경화체를 얻을 수 있다.

상기 경화성 수지 조성물을 경화해서 이루어는 경화체는 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있으므로 프로브의 검사에 반복해 이용할 수 있다.

또, 본 발명에 의하면, 상기 경화체로 이루어진 시트와, 상기 시트를 재치하는 지지대와, 상기 시트를 상기 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열하기 위한 가열 장치와, 상기 피검사체를 재치하는 재치대와, 프로브를 가지는 프로브 카드와, 상기 시트에 전사된 상기 프로브의 침적 상태를 확인하기 위한 촬상 장치를 구비하는 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치가 제공된다.

이 검사 장치에서는 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있기 때문에 검사공정의 시간을 단축하는 것이 가능하다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 기술했지만, 이들은 본 발명의 예시이며 상기 이외의 여러 가지 구성을 채용할 수 있다.

실시예

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 자세히 설명한다.

[실시예 1]

이하의 조성으로 각 재료를 배합해 경화성 수지 조성물을 제작했다.

·(A) 단관능 (메타)아크릴레이트

이소보닐 메타크릴레이트 (쿄에이샤 화학사제, 「라이트 에스테르 IB-X」, 이하 「IB-X」라 약칭함) 30 중량부 및 부톡시에틸메타크릴레이트 (쿄에이샤 화학사제, 「라이트 에스테르 BO」, 이하 「BO」라 약침함) 20 중량부.

·(B) 다관능 (메타)아크릴레이트

수첨(水添) 1,2-폴리부타디엔 말단 우레탄 아크릴레이트 (니폰 소다사제, 「TEAI-1000」, 이하 「TEAI-1000」이라 약칭함) 50 중량부.

·(C) 광중합 개시제

상기 (A) 및 (B)로 이루어진 조성물 100 중량부에 대해서 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-1-온 (치바·스페셜티·케미컬즈사제, 「IRGACURE 907」, 이하 「I-907」이라 약칭함) 1 중량부.

·중합 금지제

상기 (A) 및 (B)로 이루어진 조성물 100 중량부에 대해서 2,2-메틸렌-비스(4-메틸-6-터셔리-부틸페놀) (이하, 「MDP」라 약칭함) 0.1 중량부.

얻어진 경화성 수지 조성물을 사용하여, 이하에 나타내는 평가방법으로 인장 전단 접착 강도의 측정, 침적 전사성 및 침적 소거성의 평가를 실시했다.

(유리 전이 온도의 측정)

유리 전이 온도는 시차주사 열량계 「SII EXSTAR DSC6220」 (세이코 인스트루먼트사제)에 의해 측정했다 (온도상승 속도 10℃/min).

(인장 전단 접착 강도의 측정)

인장 전단 접착 강도는 JIS K 6850에 따라 측정했다. 구체적으로는 피착재로서 내열 파이렉스 (등록상표) 유리 (25mm×25mm×2.0mm)를 이용하여 접착 부위를 직경 8 mm로 제작한 경화성 수지 조성물로 2매의 내열 파이렉스 (등록상표) 유리를 붙여 맞추고, 무전극 방전 램프를 사용한 퓨전사제 경화 장치에 의해 365nm 파장의 적산 광량 2000mJ/cm² 조건에서 경화시켜 인장 전단 접착 강도 측정용 시험편을 제작했다. 그리고 만능 시험기를 사용하여 온도 23℃, 습도 50%의 환경 하, 인장 속도 10mm/min으로, 제작한 시험편의 인장 전단 접착 강도를 측정했다.

(침적 전사성 및 침적 소거성의 평가)

실리콘 웨이퍼 위에 경화성 수지 조성물을 50㎛ 두께로 도포하고, 무전극 방전 램프를 사용한 퓨전사제 경화 장치에 의해서 365nm 파장의 적산 광량 4000mJ/cm² 조건에서 경화시켜 시험편을 제작했다. 메뉴얼 프로버 (manual prober)를 이용하여 프로브를 속도 약 15㎛/s의 조건으로 40㎛ 하강시켜 실리콘 웨이퍼 위의 경화성 수지 조성물의 경화체에 접촉시켰다. 프로브 접촉시 경화성 수지 조성물의 경화체의 온도는 25℃이다.

그리고 공초점 레이저 현미경으로 경화성 수지 조성물의 경화체 표면의 침적 전사의 유무를 관찰했다. 여기서 표 1의 침적 전사성은 상기 프로브의 침적이 경화성 수지 조성물의 경화체 표면에 형성되었을 경우 침적의 깊이를 측정했다. 침적의 깊이는 공초점 레이저 현미경 (올림푸스사제, 「OLS1100」)에 의해서 측정했다.

그리고 침적이 전사된 시험편에 대해서는, 140℃에서 10분 가열한 후 침적이 소거하고 있는지 확인했다. 침적의 유무 및 침적의 깊이는 공초점 레이저 현미경 (올림푸스사제, 「OLS1100」)으로 측정했다.

상기의 실험 결과를 표 1에 나타낸다.

[실시예 2~9]

표 1에 나타내는 종류의 원재료를 표 1에 나타내는 조성으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 경화성 수지 조성물을 제작했다. 얻어진 경화성 수지 조성물에 대해서 실시예 1과 동일하게 상기 평가를 실시했다. 이들 실험 결과를 표 1에 나타낸다.

또한, 실시예 9의 침적 전사성은 85℃에서 평가했다.

(사용 재료)

이하에 실시예 2~9로 사용한 각 재료와 그 약칭을 명기한다. 또한, 이 약칭은 표 1과 대응하고 있다.

TEA-1000: 1,2-폴리부타디엔 말단 우레탄 아크릴레이트 (니폰 소다사제, 「TEA-1000」)

ACMO: 아크릴로일 몰포린 (쿄진사제, 「ACMO」)

2-HEMA: 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 (미츠비시 가스 화학사제, 「2-HEMA」)

DEAA: 디에틸 아크릴아미드 (쿄진사제, 「DEAA」)

IB-XA: 이소보닐 아크릴레이트 (쿄에이샤 화학사제, 「IB-XA」)

ID: 이소데실 메타크릴레이트 (쿄에이샤 화학사제, 「ID」)

BDK: 벤질디메틸케탈

[비교예 1 및 2]

표 1에 나타내는 종류의 원재료를 표 1에 나타내는 조성으로 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 해 수지 조성물을 제작했다. 얻어진 수지 조성물에 관해서 실시예 1과 동일하게 평가를 실시했다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.

(사용 재료)

이하에 비교예 1 및 2로 사용한 각 재료와 그 약칭을 명기한다. 또한, 이 약칭은 표 1과 대응하고 있다.

R-684: 디시클로펜타닐 디아크릴레이트 (니폰 카야쿠사제, 「KAYARAD R-684」)

[고찰]

표 1로부터 알 수 있듯이 실시예 1~9에서는 침적을 전사할 수 있고, 또한 가열에 의해서 침적을 소거할 수 있었다. 즉, 본 발명에 관한 경화성 수지 조성물을 사용함으로써 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브 검사를 반복해 실시할 수 있다.

그러나 실시예 1~9에 대조적으로 비교예 1은 침적을 전사할 수 있었지만 유리 전이 온도 이상으로 가열하지 않았기 때문에 가열에 의해서 침적을 소거할 수 없었다. 또, 비교예 2에서는 가교 밀도가 높고, 인식하는데 충분한 침적을 전사시킬 수 없었다.

또, 표 1로부터 알 수 있듯이 본 발명에 관한 경화성 수지 조성물의 경화체는 대체로 20~100㎛의 두께로 형성할 수 있다. 경화체를 이와 같은 두께로 형성함으로써 일반적인 반도체 웨이퍼의 두께에 대응할 수 있다. 즉, 경화체에 전사된 프로브의 침적과 웨이퍼 위에 형성되어 있는 기준 위치를 동일한 포커스로 동시에 관찰할 수 있어 작업시간을 단축할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

게다가 실시예 1~3, 5 및 7에서는 경화성 수지 조성물의 조성이, (A)가 5~100 중량부, (B)가 60 중량부 이하, (A)와 (B)의 합계량 100 중량부에 대해서 (C)가 0.1~20 중량부이다. 표 1로부터 알 수 있듯이 이와 같은 조성으로 함으로써 10MPa 이상의 충분한 접착 강도를 가지는 경화체를 얻을 수 있다.

또, 실시예 9에 나타내는 바와 같이 유리 전이 온도가 높으면 고온에서의 이용도 가능하고, 게다가 침적 전사시의 온도를 올림으로써 깊은 침적을 전사시키는 것이 가능하다. 고온에서 프로브의 침적을 경화체에 전사하고 싶은 경우, (A) 단관능 (메타)아크릴레이트를 사용하고 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 사용하지 않는 것이 침적 깊이가 크고 침적 전사하기 쉬운 점에서 바람직하다 (실시예 9). 접착성을 크게 하고 싶은 경우, (A) 단관능 (메타)아크릴레이트와 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 병용하는 것이 바람직하다 (실시예 1).

이상과 같이 본 발명에 의하면 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지의 경화체를 접촉시키고, 상기 경화체에 상기 프로브의 침적을 전사해 상기 프로브 상태를 확인하는 프로브의 검사 방법으로서, 상기 프로브의 침적을 전사한 후에 상기 경화체를 상기 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 상기 프로브의 침적을 소거하여 반복 검사에 제공하는 것을 특징으로 하는 프로브의 검사 방법이 제공된다.

상기 검사 방법에 의하면 침적을 전사하는 부재를 검사마다 혹은 웨이퍼의 종류대로 교환하지 않고 프로브의 검사를 반복해 실시할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

또, 본 발명에 의하면 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 것을 특징으로 하는 프로브의 검사에 이용하기 위한 경화성 수지 조성물이 제공된다.

상기 경화성 수지 조성물에 의하면 프로브와 접촉시켜 침적을 용이하게 전사할 수 있고, 게다가 유리 전이 온도 이상으로 가열함으로써 용이하게 침적을 소거할 수 있다고 하는 효과를 얻을 수 있다.

10 시트
11 침적
12 지지대
13 재치대
14 프로브 카드
15 프로브
16 CCD 카메라 (촬상 장치)
W 웨이퍼

Claims (11)

1. 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 경화성 수지 조성물의 경화체를 접촉시키고,
   경화체에 프로브의 침적을 전사해 전사된 침적을 기초로 프로브 상태를 확인하고,
   또한, 프로브의 침적을 전사한 후에 경화체를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열해 프로브의 침적을 소거하는 공정을 포함하고, 반복 검사에 제공하는 프로브의 검사 방법.
2. 청구항 1에 있어서,
   경화성 수지 조성물의 경화체의 두께가 20~100㎛인 프로브의 검사 방법.
3. 청구항 1에 있어서,
   경화성 수지 조성물이 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 프로브의 검사 방법.
4. 청구항 1에 있어서,
   경화성 수지 조성물이 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 추가로 함유하는 프로브의 검사 방법.
5. 청구항 1에 있어서,
   경화성 수지 조성물이 중합 금지제를 추가로 함유하는 프로브의 검사 방법.
6. (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (C) 광중합 개시제를 함유하고, 유리 전이 온도가 130℃ 이하인 프로브의 침적을 전사하기 위한 경화성 수지 조성물.
7. 청구항 6에 있어서,
   (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 추가로 함유하는 경화성 수지 조성물.
8. 청구항 6에 있어서,
   중합 금지제를 추가로 함유하는 경화성 수지 조성물.
9. 청구항 6에 있어서,
   (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드와 (B) 다관능 (메타)아크릴레이트의 합계량 100 중량부에 대해서 (A) 단관능 (메타)아크릴레이트 및/또는 (메타)아크릴아미드를 40~100 중량부, (B) 다관능 (메타)아크릴레이트를 60 중량부 이하, (C) 광중합 개시제를 0.1~20 중량부 함유하는 경화성 수지 조성물.
10. 청구항 6에 기재된 경화성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화체.
11. 청구항 10에 기재된 경화체로 이루어진 시트와,
    시트를 재치하는 지지대와,
    시트를 경화체의 유리 전이 온도 이상으로 가열하기 위한 가열 장치와,
    피검사체를 재치하는 재치대와,
    프로브를 가지는 프로브 카드와,
    시트에 전사된 프로브의 침적 상태를 확인하기 위한 촬상 장치를 구비하는 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치.

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