WO2003005577A1 - Procede de production de dispositifs de traitement des ondes acoustiques de surface - Google Patents

Procede de production de dispositifs de traitement des ondes acoustiques de surface Download PDF

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WO2003005577A1
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acoustic wave
conductor pattern
surface acoustic
wave device
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Inventor
Kiyoharu Yamashita
Kazuo Ikeda
Shunichi Seki
Mitsuhiro Furukawa
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
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    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a surface acoustic wave device and a method for measuring a film thickness of an electronic component such as a surface acoustic wave device.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-93333 proposes that a plurality of metal species having greatly different etching rates are laminated, and the elasticity of a plurality of film thicknesses is obtained by utilizing the difference in etching rates.
  • a method for forming a surface acoustic wave device is disclosed.
  • a first metal film is formed on a piezoelectric substrate, and this is etched to form a lower portion of the first conductor pattern.
  • This on the piezoelectric substrate A second metal film is formed on the surface where the lower part of the first conductor pattern exists, and a third metal film is formed on the second metal film.
  • the first conductor pattern and the second conductor pattern are formed by etching the first metal film, the second metal film, and the third metal film.
  • FIG. 1A to 1F are cross-sectional views of a surface acoustic wave filter in a manufacturing process according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views of a surface acoustic wave filter in a manufacturing process according to Embodiment 2 of the present invention.
  • 3A to 3H are cross-sectional views of the surface acoustic wave filter in a manufacturing process according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 1 As shown in A, L i T a 0 3 on the piezoelectric substrate 1 made of, the one case EbamakuAtsu is 2 5 O nm by sputtering a metal made of A 1 containing C u The metal film 2 is formed.
  • a resist 3 is applied on the first metal film 2, a desired pattern is exposed and developed by a photolithography method, and then, as shown in FIG. 1B, the first conductor is formed by a wet etching method.
  • the lower part 4 of the first conductor pattern is the first metal film region existing in a region where the first conductor pattern is formed before the final shape of the first conductor pattern is formed.
  • the first conductor pattern is formed as shown in FIG. 1C.
  • a second metal film 5 having a thickness of, for example, 10 nm is formed by sputtering a metal such as Ti.
  • a third metal film 6 having a thickness of, for example, 80 nm is formed on the metal such as A 1 by a sputtering method.
  • a resist 7 is applied on the third metal film 6, and a desired pattern is exposed and developed by a photolithography method. Then, as shown in FIG. 1D, the second conductor is formed by a dry etching method. Form pattern 8. Next, the resist is peeled off, whereby a high-frequency surface acoustic wave filter 11 composed of the second conductor pattern 8 is formed first.
  • a resist 9 is applied to the entire surface, and a desired pattern is exposed and developed while protecting the second conductor pattern by a photolithography method. Then, as shown in FIG. 1E, the first pattern is formed by a dry etching method. The conductor pattern 10 is formed.
  • the resist 9 is peeled off, and a low-frequency surface acoustic wave filter 12 composed of the first conductor pattern 10 is formed later as shown in FIG. 1F.
  • two types of surface acoustic wave devices having different metal film thicknesses are formed on the same piezoelectric substrate 1 first from the second conductor pattern 8 having a small film thickness, and the first conductive pattern 8 having a large film thickness is formed. Is formed later.
  • the combination of the formation of a plurality of metal films and the etching has different metal film thicknesses on the same piezoelectric substrate, and the deviation from the target frequency of the plurality of surface acoustic wave devices corresponding to different frequencies is reduced. Is performed. After that, it is divided into individual pieces of the surface acoustic wave device by cutting into predetermined dimensions.
  • the ratio of the thickness of the first conductor pattern 10 to the thickness of the second conductor pattern 8 in the present embodiment is about 3.8 based on the second conductor pattern 8.
  • the precision of the conductor patterns tends to deteriorate.
  • the ratio of the film thickness of the conductor pattern exceeds 2.0, the accuracy of the conductor pattern is reduced, but the accuracy of the conductor pattern is improved by separately forming the conductor pattern.
  • the center frequency of surface acoustic wave filter for low frequency 12 is 900 MHz
  • the center frequency of surface acoustic wave filter 11 for high frequency is 1.4 GHz
  • the first conductor pattern 10 and the second conductor pattern 8 are a comb electrode, a reflector electrode, and a lead electrode for forming the high-frequency surface acoustic wave filter 11 and the low-frequency surface acoustic wave filter 12. And pad electrodes.
  • the optimum conditions for etching the metal film differ depending on the film thickness. Therefore, if a thick metal film and a thin metal film are etched at the same time, the etching condition of one of the metal films deviates from the optimum condition, and the film thickness accuracy is reduced.
  • etching is performed under conditions suitable for a thin film thickness, and damage to the piezoelectric substrate 1 is reduced.
  • the first conductor pattern 10 after protecting the second conductor pattern 8 with the resist 9, damage to the film thickness of the second conductor pattern 8 ⁇ damage to the piezoelectric substrate 1 and the like are reduced. As a result, the frequency deviation from the target frequency of the surface acoustic wave device is reduced.
  • a uniform metal film having excellent orientation and a small thickness variation is formed, and a deviation from a target frequency and a frequency variation are reduced.
  • the use of the wet etching method in the step of etching the first metal film 2 allows a thick metal film to be efficiently etched in a short time.
  • the piezoelectric substrate 1 is hardly damaged, and since no metal film has yet been formed except for the first metal film 2, the second metal The metal film 5 and the third metal film 6 are not damaged at all.
  • the second conductor pattern 8 is formed with high precision, and the high-frequency surface acoustic wave filter 11 The deviation from the target frequency and the frequency variation are small.
  • the orientation of the metal film between the respective metal films is improved to improve the orientation.
  • Increases adhesion between metal films Thereby, the adhesion between the first conductor pattern 10 and the second conductor pattern 8 and the withstand power are increased.
  • the piezoelectric substrate 1 with L i T A_ ⁇ 3 it may be used any one so long as shows the piezoelectricity.
  • wet etching is used as an etching method for forming the lower part 4 of the first conductor pattern 10, wet etching is effective for improving the loss of the surface acoustic wave device. Since dry etching is effective in reducing the deviation from the target frequency and controlling the frequency variation, it is desirable to select either method according to the purpose.
  • first conductor pattern 1 for example, film thickness made of A 1 2 0 3 on the second conductor pattern 8 3 0 nm protective film is formed Ri by the anodic oxidation method.
  • film thickness made of A 1 2 0 3 on the second conductor pattern 8 3 0 nm protective film is formed Ri by the anodic oxidation method.
  • Protective film S i 0 2, S i in addition to A 1 2 0 3, may be formed with silicon nitride.
  • the protective film covers the entire surface of the first conductor pattern 10 and the second conductor pattern 8, the entire surface or a part of the surface excluding the external connection pad electrode, or the entire surface or a part of the piezoelectric substrate 1. It may be provided. However, in order to reduce the loss of the elastic surface wave device, a protective film should be provided on the piezoelectric substrate 1. It is desirable not to provide.
  • the first metal film 2 is made of A1 containing Cu
  • an A1 alloy containing A1 or another metal other than Cu may be used.
  • T i was used as the material of the second metal film 5, but the adhesiveness of a plurality of kinds of laminated metal layers was improved, and the alloy of D 1 alloy and J 1 ′′, Cr alloy, Ta, The alloy of Ta, the alloy of W, the alloy of W, the alloy of Ni, the alloy of Ni, the alloy of Mo, the alloy of Mg, the alloy of Mg, and the alloy of Mg may be used.
  • a 1 was used as the material, other alloys such as A 1 —T i, A 1 —W, and Al —T a may also be used.
  • the material of the first metal film 2 and the material of the third metal film 6 may be the same or different.
  • the thickness of the first metal film 2 on the piezoelectric substrate 1 on which the first metal film 2 is formed is measured using, for example, a fluorescent X-ray analyzer or the like. It is desirable to feed back and correct the ring conditions.
  • the film thickness of the second metal film 5 is measured using, for example, an X-ray fluorescence analyzer, and the total measurement data of the second metal film 5 and the third metal film 6 is obtained from the wavelength of the X-ray fluorescence. It is separated into a film thickness and a third metal film 6, and a film thickness corresponding to each film thickness is obtained. If there is a deviation from a target value, the deviation is fed back to the sputtering conditions and corrected.
  • the location where the film thickness is measured on the piezoelectric substrate 1 is set at the center of the piezoelectric substrate 1 so that the metal film is formed while securing mass productivity without significantly reducing the number of surface acoustic wave devices formed on the piezoelectric substrate 1.
  • the film thickness can be controlled.
  • the size of the region for measuring the film thickness on the piezoelectric substrate 1 it is desirable to secure a region where the influence of the surrounding steps is small and a uniform film thickness can be secured. Provision of multiple measurement points Is desirable. Thereby, the film thickness distribution of the metal film on the piezoelectric substrate 1 is measured, and the film thickness of the metal film is accurately controlled in the surface direction of the piezoelectric substrate 1.
  • the thickness of the second metal film 5 can be obtained.
  • the second metal film and the third metal film are formed on another piezoelectric substrate by sputtering under the same conditions, and the second metal film and the third metal film formed on another piezoelectric substrate are formed.
  • the film thicknesses of a plurality of types of metal films are measured in the middle of the manufacturing process, so that the film thickness of the metal film is accurately controlled.
  • the target characteristic of the electronic component with respect to the high frequency for example, the deviation frequency deviation from the target frequency is reduced.
  • FIGS. 2A to 2C are the same as the steps in FIGS. 1A to 1C in the first embodiment.
  • the lower portion 4 of the first conductive pattern is formed on the piezoelectric substrate 1, and the second metal film 5 and the third metal film 6 are formed thereon.
  • a resist 7 is applied on the third metal film 6, a desired pattern is exposed and developed by a photolithography method, and then, as shown in FIG. 2D, the third metal film is formed by a dry etching method. 6, second metal film 5.
  • the lower part 4 of the first conductor pattern is etched to form the first conductor pattern 10 and the second conductor pattern 8 simultaneously.
  • the resist 7 is peeled off, and the surface acoustic wave filter for low frequency 12 composed of the first conductor pattern 10 and the surface acoustic wave for high frequency composed of the second conductor pattern 8 are formed.
  • Forming Fillers 11 Simultaneously In this way, two types of surface acoustic wave devices having different metal film thicknesses are formed simultaneously on the same piezoelectric substrate 1.
  • the combination of the formation and etching of a plurality of metal films has different metal film thicknesses on the same piezoelectric substrate, and the deviation from the target frequency of the plurality of surface acoustic wave devices corresponding to different frequencies is reduced. You. Then, it is divided into individual pieces of surface acoustic wave devices by cutting into predetermined dimensions.
  • the etching must be performed at least twice.
  • the metal film and the piezoelectric substrate are affected by the etching to a considerable extent, and the deviation from the target frequency increases and the frequency variation increases.
  • the present invention simultaneously etches a thick metal film and a thin metal film, and reduces the number of etchings to reduce the effect of etching, reduce the deviation from the target frequency, and reduce the frequency. Reduce variation.
  • the effect of the etching will be specifically described below.
  • the characteristics may vary even if the etching conditions are set according to the set values. This is because the etching is actually over or under the setting due to the influence of the peripheral conditions every time the etching is performed, and the effect slightly changes every time the etching is performed. Therefore, if etching is performed multiple times, for example, the first etching is excessive, but the second etching is insufficient, the effect of the etching on the metal film and the piezoelectric substrate becomes complicated and cannot be simply corrected.
  • the effect can be easily corrected.
  • a metal film having a plurality of film thicknesses can be accurately controlled, and the deviation from the target frequency is reduced and the frequency variation is reduced.
  • Such an effect is obvious because the effect of the etching is greater as the thickness of the plurality of metal films to be formed is closer.
  • the man-hours can be reduced, and the investment in equipment can be reduced, so that the cost can be reduced.
  • FIGS. 3A to 3F show the same process as FIGS. 1A to 1F, and the second conductor pattern 14 and the first conductor pattern 13 are formed on the piezoelectric substrate 1. I do. However, the configuration is such that a part of the first conductor pattern is connected to a part of the second conductor pattern.
  • a resist 22 is applied to the entire surface, and portions other than the pad electrodes 19 and 21 in the second conductor pattern 14 and the first conductor pattern 13 are applied by photolithography. Expose and develop the desired pattern while protecting. Further, a fourth metal film 17 having a thickness of, for example, 100 nm made of a metal such as T i is formed by a vapor deposition method, and as shown in FIG. A fifth metal film 18 having a thickness of 300 nm is formed. Thereafter, as shown in FIG. 3H, the resist 22 and the fourth metal film and the fifth metal film formed on the resist 22 are removed by lift-off, and the first conductor pattern is removed. A fourth metal film 17 and a fifth metal film 18 are formed on 13.
  • the first conductor pattern 10 is formed by laminating first, second, and third metal films
  • the second conductor pattern 8 is formed by laminating second and third metal films. They are formed separately from each other.
  • a lead electrode 20 composed of a part of the first conductor pattern 13;
  • a fourth metal film 17 is formed on the third metal film 6, and a fifth metal film 18 is further formed thereon.
  • CSP chip size package
  • the fourth metal film 17 and the fifth metal film 18 are formed on the first conductor pattern 13, and the lead electrode 20 and the pad electrode 21 are provided. showed that.
  • the second conductor A fourth metal film and a fifth metal film may be provided on the pattern 14, and a lead electrode or a pad electrode may be provided on the second conductor pattern 14.
  • the extraction electrode 20 and the pad electrode 21 are connected to the first surface acoustic wave device 23, and the extraction electrode 1 is connected to the second surface acoustic wave device 24. 5 and pad electrodes 19 are provided.
  • the first surface acoustic wave device 23 but also the thin second surface acoustic wave device 24 has a thicker extraction electrode 15.
  • the connection impedance with the external connection terminal is reduced, and the loss of the surface acoustic wave device is reduced.
  • the thickness of the extraction electrode 15 is the fourth metal film. The thickness is increased without including the step of providing the 17 and the fifth metal film 18.
  • the bonding strength of the electrodes is increased and the power durability is increased.
  • the fourth metal film 17 not only improves the adhesion of the multi-layered metal film, but also reduces the adhesive strength of the electrode when the external connection terminal is connected on the fifth metal film 18. prevent.
  • Au in the Au bump has a property of diffusing through the fifth metal film 18 and deteriorating the adhesive strength of the electrode.
  • the fourth metal film 17 prevents the diffusion of Au, increases the bonding strength of the electrodes, and prevents the electrodes from peeling during bonding.
  • the second metal film 5 and the fourth metal film 17 are similar in material, but their purpose is clearly different, and each has its own effect.
  • the uppermost layer can be a soft metal film. For this reason, the bonding strength with an external connection terminal such as a wire-to-bonding / bump is increased, and the contact resistance is reduced. As a result, the loss of the surface acoustic wave device can be reduced, the bonding reliability can be increased, and the life can be improved.
  • the method of forming the first and second conductive patterns according to the first embodiment and then forming the fourth and fifth metal films has been described. Similar effects can be obtained by using the method described in the second embodiment. Industrial applicability
  • the surface acoustic wave devices having different film thicknesses are formed on the same piezoelectric substrate first, and the surface acoustic wave devices having different film thicknesses are different from each other. Form at the same time.
  • a metal film is formed by sputtering, a lower portion of the first conductive pattern is formed by etching, and then the other conductive pattern is formed by etching.
  • a conductor pattern is formed with high precision.
  • the joint strength with the external connection terminals is increased, and the contact resistance is reduced, thereby improving the loss of the surface acoustic wave device and improving the joint reliability. And improve the service life.

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Description

明 細 書
弾性表面波装置の製造方法 技術分野
本発明は弾性表面波装置の製造方法と弾性表面波装置などの電子 部品における膜厚測定方法に関する。 背景技術
従来、 同一基板上に独立した複数の周波数に対応した弾性表面波 装置を形成するには、 同一の膜厚で、 異なる間隔の電極パターンを 複数構成する方法が用いられている。 この方法では周波数の大きく 異なる複数の弾性表面波装置を形成する場合、 電極間隔の異なる複 数個のパターンを各々最適条件で設計、 製造するのは極めて困難で ある。
この問題を解決する手段として、 特開平 1 0 — 9 3 3 6 9号公報 には、 エッチング速度が大きく異なる金属種を複数積層し、 エッチ ング速度の差を利用して複数の膜厚の弾性表面波装置を形成する方 法が開示されている。
しかしながら、 このようなエッチング速度の差を利用する方法で は、 エッチング速度が大きく異なる金属の組み合わせは限定され、 電極パターン設計が制約される。 また、 金属膜のエッチングをドラ ィエッチングで行った場合はレジストのない部分の金属膜がダメー ジを受け易い。 一方、 ウエッ トエッチングで行った場合は金属膜の 側面方向からエッチングの影響を受ける。 したがっていずれのエツ チング方法を用いても電極パターンを精度-良く形成することは困難 であり、 そのため周波数バラツキが大きくなる。 発明の開示
圧電基板上に第 1の金属膜を形成し、 これをエッチングすること により第 1の導体パターンの下部を形成する。 圧電基板上の、 この 第 1 の導体パターンの下部が存在する面上に第 2の金属膜を形成し さらに第 2の金属膜上に第 3の金属膜を形成する。 これら第 1の金 属膜、 第 2の金属膜、 第 3の金属膜をエッチングすることにより、 前記第 1の導体パターンと第 2の導体パターンを形成する。 この方 法により、 同一圧電基板上に異なる金属膜厚を有し、 異なる周波数 に対応する複数の弾性表面波装置の目標周波数とのズレおよび周波 数バラツキを小さくする。 図面の簡単な説明
図 1 A〜図 1 Fは本発明の実施の形態 1の製造工程における弾性 表面波フィルタの断面図である。
図 2 A〜図 2 E は本発明の実施の形態 2の製造工程における弾性 表面波フィル夕の断面図である。
図 3 A〜図 3 Hは本発明の実施の形態 3の製造工程における弾性 表面波フィルタの断面図である。 発明を実施するための最良の形態
(実施の形態 1 )
図 1 A〜図 1 Fを参照しながら実施の形態 1の製造方法を説明す る。
図 1 Aに示すように、 L i T a 0 3などからなる圧電基板 1上に、 C uを含有する A 1 などからなる金属をスパッタリング法により例 えば膜厚が 2 5 O n mの第 1 の金属膜 2を形成する。
次に第 1の金属膜 2上にレジスト 3を塗布し、 フォ トリソグラフ ィ一法により所望のパターンを露光、 現像した後、 図 1 Bに示すよ うに、 ウエッ トエッチング法により第 1の導体パターンの下部 4を 形成する。 ここで、 第 1 の導体パターンの下部 4は、 第 1の導体パ ターンを形成する領域において最終形状の第 1の導体パターンを形 成する前の状態で存在する第 1 の金属膜領域のことを意味する。 次にレジスト 3を剥離した後、 図 1 Cに示すように第 1の導体パ ターンの下部 4が形成された圧電基板 1上に、 T i などからなる金 属をスパッ夕リング法により例えば膜厚が 1 0 n mの第 2の金属膜 5を形成する。 その上に A 1 などからなる金属をスパッ夕リング法 により例えば膜厚が 8 0 n mの第 3の金属膜 6を形成する。
次に第 3の金属膜 6の上にレジス ト 7を塗布し、 フォトリソダラ フィ一法により所望のパターンを露光、 現像した後、 図 1 Dに示す ように、 ドライエツチング法により第 2の導体パターン 8を形成す る。 次にレジストを剥離し、 これにより第 2の導体パターン 8から なる高周波用弾性表面波フィル夕 1 1を先に形成する。
次に全面にレジスト 9を塗布し、 フォ トリソグラフィ一法により 第 2の導体パターンを保護しながら所望のパターンを露光、 現像し た後、 図 1 Eに示すように、 ドライエッチング法により第 1の導体 パターン 1 0を形成する。
次にレジス ト 9を剥離し、 図 1 Fに示すように第 1の導体パター ン 1 0からなる低周波用弾性表面波フィル夕 1 2を後で形成する。
このようにして同一の圧電基板 1上に金属膜の膜厚が異なる 2種 類の弾性表面波装置を、 膜厚の薄い第 2の導体パターン 8から先に 形成し、 膜厚の厚い第 1の導体パターン 1 0を後で形成する。 この ように複数の金属膜の形成とエッチングの組み合わせにより同一圧 電基板上に異なる金属膜厚を有し、 異なる周波数に対応する複数の 弾性表面波装置の目標周波数とのズレゃ周波数バラツキが低減され る。 その後、 所定の寸法に切断することにより個片の弹性表面波装 置に分割する。
本実施の形態における第 1の導体パターン 1 0と第 2の導体パタ —ン 8の膜厚の比は、第 2の導体パターン 8を基準にした場合約 3 . 8である。 同一圧電基板 1上に異なる膜厚の複数の導体パターンを 形成する場合、 膜厚の差が大きい導体パターンを同時に形成すると 導体パターンの精度が悪くなる傾向がある。 特に導体パターンの膜 厚の比が 2 . 0を超えると導体パターンの精度が低下するが、 導体 パターンを別々に形成することにより導体パターン精度が向上する。 また本実施の形態における、 低周波用弾性表面波フィル夕 1 2の 中心周波数は 9 0 0 M H z、 高周波用弾性表面波フィルタ 1 1の中 心周波数は 1 . 4 G H zである。 ここで第 1の導体パターン 1 0と 第 2の導体パターン 8 とは高周波用弾性表面波フィルタ 1 1及び低 周波用弾性表面波フィルタ 1 2を形成するための櫛形電極、 反射器 電極、 引き出し電極及びパッ ド電極などから構成されている。
本発明は、 弾性表面波装.置を目標周波数とのズレが小さく周波数 バラツキを小さくするためには、 導体パターンの膜厚バラツキや損 傷を小さくすること、 それらの影響は目標周波数が高周波であるほ ど影響が大きいことに着目したことにより発案されている。
金属膜のエッチング条件は膜厚により最適条件は異なる。 そのた め厚い金属膜と薄い金属膜を同時にエッチングするとどちらかの金 属膜のエッチング条件が最適条件から外れるために膜厚精度が低下 する。 これを避けるために金属膜厚の薄い高周波用の第 2の導体パ ターン 8を先に形成することにより、 薄い膜厚に適した条件でエツ チングを行い、 圧電基板 1の損傷が少なくなる。 また、 第 2の導体 パターン 8をレジスト 9で保護した後第 1の導体パターン 1 0を形 成することにより、 第 2の導体パターン 8の膜厚損傷ゃ圧電基板 1 の損傷などが小さくなる。 これらにより弹性表面波装置の目標周波 数とのズレゃ周波数パラツキが小さくなる。
ここで第 2の導体パターン 8をレジストで保護して次工程のエツ チングを行うことにより、 膜厚の薄い第 2の導体パターン 8の目標 周波数とのズレゃ周波数バラツキが著しく大きくなることを防ぐ。
また、 金属膜の形成工程でスパッタリング法を用いることにより 配向性に優れ、 膜厚バラツキの小さい均質な金属膜が形成され、 目 標周波数とのズレゃ周波数バラツキが小さくなる。
さらに、 第 1の金属膜 2をエッチングする工程でゥエツ トエッチ ング法を用いていることにより、 厚い金属膜を短時間で効率良くェ ツチングする。 これにより圧電基板 1の損傷はほとんどなく、 第 1 の金属膜 2以外にはまだ金属膜が形成されていないため、 第 2の金 属膜 5や第 3の金属膜 6の損傷は全くない。
また、 第 2の金属膜 5と第 3の金属膜 6をエッチングする工程で ドライエッチング法を用いることにより、 第 2の導体パターン 8が 高精度に形成され、 高周波用弾性表面波フィルタ 1 1の目標周波数 とのズレゃ周波数バラツキが小さくなる。
また、 第 2の金属膜 5の材質を第 1の金属膜 2の材質および第 3 の金属膜 6の材質と異なるものを用いることにより、 各金属膜間の 金属膜の配向性を良く し各金属膜間の密着性を高める。 これにより 第 1の導体パターン 1 0と第 2の導体パターン 8の密着性ゃ耐電力 が高まる。
なお、 圧電基板 1 としては L i T a〇3 を用いたが、 圧電性を示 すものであればどのようなものを用いてもかまわない。
また、 第 1の導体パターン 1 0の下部 4を形成するためのエッチ ング方法としてはゥエツ トエッチングを用いたが、 弾性表面波装置 の損失を改善するためにはウエッ トエッチングが有効であり、 目標 周波数とのズレを小さくし、 周波数バラツキを制御するためにはド ライエッチングが有効であることから、 目的に応じてどちらかの方 法を選択するのが望ましい。
また、第 1の導体パターン 1 0と第 2の導体パターン 8上に A 1 2 0 3などからなる例えば膜厚が 3 0 n mの保護膜を陽極酸化法によ り形成することが望ましい。 これにより、 第 1の導体パターン 1 0 や第 2の導体パターン 8上に導電性の異物が付着しても特性が劣化 したりショー卜することがない。 また水分やガスなどが内部に侵入 しても金属膜の腐食や変質を抑制する。 したがって初期不良の低減 ゃ耐候性能などの信頼性が向上する。
保護膜は A 1 20 3以外に S i 0 2、 S i 、 窒化シリコンなどで形成 しても良い。 保護膜は、 第 1の導体パターン 1 0、 第 2の導体パタ ーン 8の全面又は外部接続用のパッ ド電極を除く面の全面又は一部 や、 圧電基板 1上の全面又は一部に設けてもかまわない。 しかし弾 性表面波装置の損失を低減するためには圧電基板 1上には保護膜を 設けない方が望ましい。
なお、第 1の金属膜 2の材質としては C uを含む A 1 を用いたが、 それ以外に A 1又は C u以外のその他の金属を含む A 1合金を用い てもよく、 例えば A 1 — T i 、 A 1 — W、 A 1 — T aなどでもよい。 また、 第 2の金属膜 5の材質としては T i を用いたが、 複数種類の 積層された金属層の密着性を改善する、 丁 1合金及びじ 1"、 C rの 合金、 T a、 T aの合金、 W、 Wの合金、 N i 、 N i の合金、 M o、 M oの合金、 M g、 M gの合金を用いてもかまわない。 また、 第 3 の金属膜 6の材質としては A 1 を用いたが、 それ以外に A 1合金を 用いてもよく、 例えば A 1 — T i 、 A 1 — W、 A l — T aなどでも よい。
また、 第 1の金属膜 2の材質と、 第 3の金属膜 6の材質は同じも のであっても異なるものであってもかまわない。
なお、 第 1の金属膜 2を形成した圧電基板 1 を例えば蛍光 X線分 析装置などを用いて第 1の金属膜 2の厚みを測定し、 目標の値とズ レがある場合はスパッ夕リング条件にフィードバックし補正するこ とが望ましい。
さらに第 1の導体パターンの下部 4と第 2の金属膜 5、 第 3の金 属膜 6を形成した圧電基板 1の、 第 2の金属膜 5 と第 3の金属膜 6 が形成された部分の膜厚を例えば蛍光 X線分析装置などを用いて測 定し、 第 2の金属膜 5 と第 3の金属膜 6の合計の測定データを蛍光 X線の波長から第 2の金属膜 5の膜厚と第 3の金属膜 6に分離し、 それぞれの膜厚に対応する膜厚を求め、 目標の値とズレがある場合 はスパッタリング条件にフィードバックし補正する。
圧電基板 1上で膜厚を測定する場所としては、 圧電基板 1の中央 部とすることにより圧電基板 1上で弾性表面波装置を形成する数量 をあまり減らすことなく量産性を確保しながら金属膜の膜厚制御を 行うことができる。 また、 圧電基板 1上で膜厚を測定する領域の大 きさとしては、 周囲の段差などの影響が少なく均一な膜厚が確保で きる領域を確保することが望ましい。 また測定点を複数設けること が望ましい。 これにより圧電基板 1上での金属膜の膜厚分布が測定 され、 金属膜の膜厚は圧電基板 1の面方向で精度良く制御される。 なお、 第 1の導体パターンの下部 4上に第 2の金属膜 5のみを形 成した場合でも圧電基板 1上で第 2の金属膜 5のみが形成された部 分を蛍光 X線分析することにより第 2の金属膜 5の膜厚を求めるこ とができる。
また、 圧電基板 1上で第 2の金属膜 5および第 3の金属膜 6を形 成した領域が小さい場合は、 蛍光 X線分析時に他の金属例えば第 1 の導体パターンの下部 4の影響を受け測定精度が悪くなる場合があ る。 そのような場合は別の圧電基板に第 2の金属膜および第 3の金 属膜を同じ条件でスパッタリングにより形成し、 別の圧電基板上に 形成した第 2の金属膜および第 3の金属膜の膜厚を蛍光 X線分析装 置により測定することにより圧電基板 1上の第 2金属膜 5および第 3の金属膜 6の膜厚とみなすことができる。
この膜厚測定方法によれば、 複数種類の金属膜の膜厚を製造工程 の途中の段階で測定するため、金属膜の膜厚が精度よく制御される。 これにより高周波に対する電子部品の目標特性、 例えば目標周波数 からのズレゃ周波数パラツキが小さくなる。 (実施の形態 2 )
図 2 A〜図 2 E を参照しながら実施の形態 2の製造方法を説明 する。 なお、 実施の形態 1で説明したものと同一の構成をなすもの は同一番号を付し、 詳細な説明は省略する。
図 2 A〜図 2 C の工程は実施の形態 1 における図 1 A〜図 1 C の 工程と同様である。 図 2 C までの工程では、 圧電基板 1上に第 1の 導電パターンの下部 4を形成し、 その上に第 2の金属膜 5と第 3の 金属膜 6を形成する。
次に第 3の金属膜 6の上にレジスト 7を塗布し、 フォ トリソダラ フィ一法により所望のパターンを露光、 現像した後、 図 2 Dに示す ように、 ドライエッチング法により第 3の金属膜 6、 第 2の金属膜 5、 第 1の導体パターンの下部 4をエッチングし、 第 1の導体パタ —ン 1 0 と第 2の導体パターン 8を同時に形成する。
次に図 2 E に示すように、 レジスト 7を剥離し第 1の導体パター ン 1 0からなる低周波用弾性表面波フィルタ 1 2と第 2の導体パタ —ン 8からなる高周波用弾性表面波フィル夕 1 1を同時に形成する このようにして同一の圧電基板 1上に金属膜の膜厚が異なる 2種 類の弹性表面波装置を同時に形成する。 このように複数の金属膜の 形成とエッチングの組み合わせにより同一圧電基板上に異なる金属 膜厚を有し、 異なる周波数に対応する複数の弾性表面波装置の目標 周波数とのズレゃ周波数バラツキが低減される。 その後、 所定の寸 法に切断することにより個片の弹性表面波装置に分割する。
厚い金属膜と薄い金属膜を別々にエッチングして形成すると少な く ともエッチングを 2回行わなければならない。 しかし金属膜のェ ツチング条件は膜厚により最適条件は異なるため、 金属膜や圧電基 板が少なからずエッチングの影響を受け、 目標周波数とのズレが大 きくなつたり周波数バラツキが大きくなったりする。
本発明はこれを避けるために膜厚の厚い金属膜と膜厚の薄い金属 膜を同時にエッチングし、 エッチング回数を減らすことによりエツ チングの影響を低減し目標周波数とのズレを小さくすると共に周波 数バラツキを小さくする。
以下にエッチングの影響を具体的に示す。 エッチングの際、 エツ チング条件を設定値通りに実施しても特性がばらつく ことがある。 これはエッチングの度毎に周辺条件の影響を受けエッチングが実際 は設定より過剰になったり、 不足になったりするためであり、 エツ チングの度毎にその影響は微妙に変化する。 そのためエッチングを 複数回行うと、 例えば 1回目はエッチング過剰であつたが、 2回目 はエッチング不足になった場合、 金属膜ゃ圧電基板が受けるエッチ ングの影響は複雑になり単純には補正できない。
ところが、 エッチングが 1回の場合はその影響を容易に補正する ことができる。 このようにエッチング回数を減らすことにより複数の膜厚の金属 膜を精度良く制御し、 目標周波数とのズレが小さくなると共に周波 数バラツキも小さくなる。 このような効果は形成する複数の金属膜 の膜厚が近いほどエツチングによる影響が大きいため、 効果が明白 である。
また、 エッチング回数を減らすことによりレジスト塗布後の熱処 理回数が減少し、 熱処理に伴う静電気の発生、 静電破壊などが減少 する。 これにより、 歩留及び信頼性を向上させることができる。
またエッチング回数を減らすことにより工数が低減でき、 設備投 資が少なくて済むことからコス トダウンが可能となる。
(実施の形態 3 )
図 3 A〜図 3 Hを参照しながら実施の形態 3の製造方法を説明 する。 なお、 実施の形態 1で説明したものと同一の構成をなすもの は同一番号を付し、 詳細な説明は省略する。
図 3において、 図 3 A〜図 3 Fは図 1 A〜図 1 Fと同様の工程 であり、 圧電基板 1上に第 2の導体パターン 1 4と第 1の導体パタ ーン 1 3を形成する。 ただし、 第 2の導体パターンの一部に第 1の 導体パターンの一部が接続している構成としている。
次に全面にレジス ト 2 2を塗布し、 フォ トリソグラフィ一法によ り第 2の導体パターン 1 4、 第 1の導体パターン 1 3の中のパッ ド 電極 1 9と 2 1以外の部分を保護しながら所望のパターンを露光、 現像する。 さらに蒸着法により T i などの金属からなる例えば膜厚 が 1 0 0 n mの第 4の金属膜 1 7を形成し、 図 3 Gに示すように、 その上に A 1 などの金属からなる例えば膜厚が 3 0 0 n mの第 5の 金属膜 1 8を形成する。 その後、 図 3 Hに示すように、 レジスト 2 2 とレジス 卜 2 2上に形成された第 4の金属膜及び第 5の金属膜を リフトオフすることにより除去し、 第 1の導体パ夕一ン 1 3上に第 4の金属膜 1 7及び第 5の金属膜 1 8を形成する。 次に所定の寸法 に切断して個片の弾性表面波装置に分割する。 その後、 このように して得られた個片の弾性表面波装置をパッケージなどの底部に配設 し、 パッ ド電極とパッケージの端子電極接続部をワイヤーボンディ ングゃバンプなどにより接続し、 パッケージを封止して電子部品を 作製する。
実施の形態 1においては、 第 1の導体パターン 1 0は第 1、 第 2 及び第 3の金属膜が積層されており、 第 2の導体パターン 8は第 2 及び第 3の金属膜が積層する構成になっており、 両者はそれぞれ分 離して形成される。 一方、 本実施の形態 3においては、
1 ) 第 1 の導体パターン 1 3の一部で第 2の導体パターン 1 4と接続した引き出し電極 1 5と、
2 ) 第 2の導体パターン 1 4の一部で第 1 の導体パターン 1 3 と接続したパターン 1 6 と、
3 ) 引き出し電極 1 5 に接続して第 1 の導体パターン 1 3 の一部からなるパッ ド電極 1 9と、
を備え、 パッ ド電極 1 9で ;は第 3の金属膜 6の上に第 4の金属膜 1 7が形成され、 さらにその上に第 5の金属膜 1 8が形成される。 さらに、
4 ) 第 1 の導体パターン 1 3の一部からなる引き出し電極 2 0 と、
5 ) 引き出し電極 2 0 と接続した第 1 の導体パターン 1 3 の一部からなるパッ ド電極 2 1 と、
を設けており、 パッ ド電極 2 1では第 3の金属膜 6の上に第 4の金 属膜 1 7が形成され、 さらにその上に第 5の金属膜 1 8が形成され ている。
なお、 電子部品の作製にあたっては、 個片の弾性表面波装置と同 一形状、 同一寸法の実装基板などにバンプや導電性ペーストを介し て実装し C S P (チップサイズパッケージ） としてもよい。
なお、 実施の形態 3においては第 1の導体パターン 1 3上に第 4 の金属膜 1 7 と第 5の金属膜 1 8を形成して引き出し電極 2 0、 パ ッ ド電極 2 1 を設ける構成を示した。 この構成以外に、 第 2の導体 パターン 1 4上に第 4の金属膜、 第 5の金属膜を設け、 第 2の導体 パターン 1 4上に引き出し電極又はパッ ド電極を設けてもよい。 以上実施の形態 3においては第 1の弾性表面波装置 2 3に接続し て引き出し電極 2 0 とパッ ド電極 2 1 を設け、 第 2の弾性表面波装 置 2 4に接続して引き出し電極 1 5 とパッ ド電極 1 9を設ける。 こ れにより、 第 1の弾性表面波装置 2 3だけでなく、 膜厚が薄い第 2 の弾性表面波装置 2 4もその引き出し電極 1 5の膜厚が厚くなる。 このため外部接続端子との接続ィンピ一ダンスが低くなり、 弾性表 面波装置の損失が低減される。 なお図 3 Hから明らかなように、 引 出し電極 1 5には第 4の金属膜 1 7や第 5の金属膜 1 8を含まない ので、 引出し電極 1 5の膜厚は第 4の金属膜 1 7や第 5の金属膜 1 8を設ける工程を含まなくとも厚くなる。
また、 パッ ド電極 1 9 とパッ ド電極 2 1に第 4の金属膜 1 7を介 して第 5の金属膜 1 8を設けることにより電極の接合強度が高まる と共に耐電力が高まる。
ここで第 4の金属膜 1 7は、 複数層積層された金属膜の密着性を 改善するだけではなく、 第 5の金属膜 1 8上で外部接続端子を接続 した際の電極の接着強度低下を防ぐ。 例えば A uバンプなどを設け て外部端子と接続した場合、 A uバンプ中の A uが第 5の金属膜 1 8中を拡散し電極の接着強度を劣化させる性質がある。 第 4の金属 膜 1 7は A uの拡散を防止し電極の接合強度を高め、 ボンディング 時の電極剥離を防止する。
このように、 第 2の金属膜 5 と第 4の金属膜 1 7は材質としては 類似しているが設ける目的は明確に異なり、 それぞれ独自の作用効 果を有する。
また第 5の金属膜 1 8を蒸着にて設けることにより、 最上層が柔 らかい金属膜とすることができる。 このため、 外部接続端子例えば ワイヤ一ボンディングゃバンプなどとの接合強度を高め、 接触抵抗 を低減する。 これにより弾性表面波装置の損失を低減し、 接合信頼 性を高め、 寿命を改善することができる。 なお、 上記の説明では、 実施の形態 1により第 1、 第 2の導電パ ターンを作成後、 第 4、 第 5の金属膜を形成する方法について説明 したが、 実施の形態 1に代えて実施の形態 2に説明した方法を用い ても同様の効果が得られる。 産業上の利用可能性
以上のように本発明によれば、 同一圧電基板上に膜厚の異なる弾 性表面波装置を膜厚の薄い弹性表面波装置の方から先に形成するか 膜厚の異なる弾性表面波装置を同時に形成する。 また金属膜の形成 方法をスパッ夕リングで行い、 まず第 1の導体パターンの下部をェ ツチングで形成し、 次にそれ以外の導体パターンをエッチングで形 成するという方法を有しており、 これにより導体パターンを高精度 に形成する。 これにより目標周波数とのズレゃ周波数バラツキを小 さくすることができ、 特に高周波用弾性表面波フィル夕の高性能化 を実現することができる。 また、 膜厚の厚い引き出し電極、 パッ ド 電極を設ける構成にすることにより、 外部接続端子との接合強度を 高め、 接触抵抗を低減することにより弾性表面波装置の損失を改善 し、 接合信頼性を高め、 寿命を改善することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 圧電基板上に第 1 の金属膜を形成する工程と、
前記第 1 の金属膜をエッチングすることにより第 1 の導体 パターンの下部を形成する工程と、
前記圧電基板の、 前記第 1の導体パターンの下部を形成した 面に第 2の金属膜を形成する工程と、
前記第 2の金属膜上に第 3の金属膜を形成する工程と、 前記第 1の金属膜、 前記第 2の金属膜、 前記第 3の金属膜を エッチングすることにより、 前記第 1の導体パターンと第 2の導体 パターンを形成する工程と、 を含む、
弾性表面波装置の製造方法。
2 . 前記第 1 の導体パターンと第 2の導体パターンを形成する 工程が、
前記第 1 の導体パターンの下部が形成された以外の 領域に存在する前記第 2の金属膜と第 3の金属膜をエッチ ングすることにより、 第 2の導体パターンを形成する工程と， 前記第 1 の導体パターンの下部が形成された領域の 前記第 3の金属膜、 前記第 2の金属膜、 前記第 1の金属膜を エッチングすることにより、 前記第 1の導体パターンを形成 する工程と、 を含む、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
3 . 前記第 2 の導体パターンを前記第 1 の導体パターンより先 に形成する、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
4 . 前記第 1 の導体パターンと第 2の導体パターンを形成する 工程において、 前記第 1の導体パターンと前記第 2の導体パターン を同時に形成する、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
5 . 前記第 1 の導体パターンの厚みを前記第 2 の導体パターン の厚みより厚くする、 請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
6 . 前記第 1の金属膜、 前記第 2の金属膜、 前記第 3の金属膜を 形成する方法のうち少なく とも 1つはスパッ夕リングである、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
7 . 前記第 1 の導体パターンの下部を形成する方法はウエッ ト エッチングである、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
8 . 前記第 1の導体パターン、 前記第 2の導体パターンを形成す る方法のうち少なくとも 1つはドライエッチングである、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
9 . 前記第 1の金属膜の成分は少なくとも A 1 を含む、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 0 . 前記第 2の金属膜は前記第 1の金属膜との密着性が高い性質 の金属材料からなる、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 1 . 前記第 2の金属膜の成分は T i 、 C r 、 T a、 W、 N i 、 M o、 M gのうちのすくなく ともいずれか一種を含む、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 2 . 前記第 3の金属膜の成分は少なくとも A 1 を含む、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 3 . 前記第 1 の導体パターンと前記第 2の導体パターンのうち 少なく とも一方の、 少なく とも一部に保護膜を設ける工程をさらに 含む、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 4 . 前記第 1 の導体パターンの膜厚と前記第 2の導体パターン との膜厚の比が、 膜厚の薄い方を基準にして 2倍以上とする、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 5 . 前記第 1 の導体パターンと前記第 2の導体パターンのうち 少なく とも一方の導体パターンで形成される弾性表面波装置の中心 周波数を 1 G H z以上とする、 請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 6 . 前記第 1 の導体パターンと第 2の導体パターンのうち少な く ともいずれか一方の上に第 4の金属膜を形成する工程と、
前記第 4の金属膜の上に第 5の金属膜を形成する工程と、 前記第 5 の金属膜と前記第 4の金属膜にパターンを形成す る工程と、 をさらに含む、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 7 . 前記第 4の金属膜を形成する工程、 前記第 5の金属膜を形成 する工程のうち少なくとも 1つは蒸着である、
請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 8 . 前記第 5の金属膜と前記第 4の金属膜にパターンを形成する 工程が、 レジスト及びレジスト上に形成された前記第 4の金属膜と 前記第 5の金属膜をリフ トオフする工程を含む、
請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
1 9 . 前記第 2 の導体パターンの一部に前記第 1 の導体パターン の一部を接続して設けた、
請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 0 . 前記第 2の導体パターンの一部に接続して設けた前記第 1 の導体パターンは引き出し電極と外部端子接続用のパッ ド電極のい ずれか一方である、
請求項 1 9に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 1 . 前記第 1の導体パターンと前記第 2の導体パターンのいずれ か一方に前記第 4の金属膜と前記第 5の金属膜を形成した部分は、 引き出し電極と外部端子接続用のパッ ド電極のいずれか一方である、 請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 2 . 前記第 4の金属膜は、 前記第 5の金属膜に接続される外部端 子を形成する金属の拡散を抑制する材質である、
請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 3 . 前記第 4の金属膜の成分は T i 、 C r 、 T a、 W、 N i 、 M o、 M gのうちのすくなくともいずれか一種を含む、 請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 4 . 前記第 5の金属膜の成分は少なくとも A 1 を含む、
請求項 1 6に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 5 . 前記第 1の導体パターンの下部を形成する工程において第 1 の金属膜がない領域を形成し、
前記第 1の金属膜を形成する工程の後に、 前記第 1の金属膜 の膜厚を測定する工程と、
少なく とも前記第 2の金属膜を形成する工程の後、 前記第 1 の金属膜がない領域の金属膜の膜厚を測定する工程と、
をさらに含む、
請求項 1 に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 6 . 前記第 1の金属膜がない領域の金属膜の膜厚を測定する工程 を、 前記第 2の金属膜を形成する工程と前記第 3の金属膜を形成す る工程の少なく とも一方の直後に行う、
請求項 2 5に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 7 前記第 1の金属膜がない領域を前記圧電基板の中央部に設け た、
請求項 2 5に記載の弾性表面波装置の製造方法。
2 8 前記第 1 の金属膜がない領域を前記圧電基板上に複数設け た、
請求項 2 5に記載の弾性表面波装置の製造方法,
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