WO2002036259A1

WO2002036259A1 - Photoreacteur a rayonnement uv excimere

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Publication number: WO2002036259A1
Application number: PCT/JP2001/009314
Authority: WO
Inventors: Tadatomo Ohnoda; Ikuo Sakai
Original assignee: Shin-Etsu Engineering Co., Ltd.
Priority date: 2000-11-01
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2002-05-10
Also published as: AU2002210927A1; EP1348483A1; JP3990979B2; JPWO2002036259A1; KR100733803B1; TWI251506B; US20040040496A1; CN1216680C; KR20030048075A; CN1449303A

Description

明細書エキシマ U Vフォトリアク夕一技術分野

本発明は、例えば液晶ディスプレイなどのガラス基板ゃシリコン半導体ゥェ一ハなどの表面に付着した有機化合物の汚れを除去するためのェキシマ U V · オゾン洗浄装置（ドライ洗浄装置）や、オゾンガスとの光化学反応により半導体製造工程においてシリコンゥェ一ハ上の不要になつたフォトレジストを除去するためのァヅシング（ashing :灰化）装置、又は水素ガスとの光化学反応によってシリコンゥェ一ハ表面の結晶完全性を高めるための水素ァニール装置、或いは有機金属化合物の気化ガスとの光化学反応によってシリコンゥェ一ハ上に金属膜を形成すための有機金属（M O ) C V D装置等として使用されるエキシマ U Vフォトリァク夕一（photo reactor :光反応装置）に関する。

詳しくは、複数本のエキシマ（exc imer) U V (紫外線）ランプを被照射体と対向して並列状に配置し、これらエキシマ U Vランプから被照射体に向けエキシマ U Vを反応性ガスの雰囲気中で照射することにより、被照射体表面で光化学反応させるエキシマ U Vフォトリアクターに関する。背景技術

従来、この種のエキシマ U Vフォトリアク夕一として、例えば特許第 2 7 0 5 0 2 3号公報に開示される如く、合成石英ガラスからなる光取り出し窓を有するランプ装置の容器内に、複数本のエキシマ U Vランプ

(誘導体バリァ放電ランプ）が並列状に配置されると共に窒素ガスを流し、これらエキシマ U Vランプから放射したエキシマ U V (真空紫外光 ) が光取り出し窓を通して、被照射体（被処理物）の表面へ向け照射され、光化学反応によって被照射体との間に存在するォゾン及び活性酸化性分解物を生成せしめ、このオゾン及び活性酸化性分解物を被照射体に接触させて酸化したものがある。

一方、本出願人は、上述したランプ装置を使い、並列されたエキシマ U Vランプからエキシマ U Vを被照射体に向けて照射させると共に、これらランプ装置及び被照射体が配備される閉鎖空間内に反応性ガスとしてオゾンを供給しながら、常温又はそれに近い低温雰囲気で光化学反応させる実験を行った。

その結果、その実験後の被照射体の表面において各エキシマ U Vランプの直下に位置する狭い領域は、ある程度の光化学反応が得られたものの、その領域から離れるのに従って反応度が徐々に低下し、隣り合うェキシマ U Vランプ間の境目直下に相当する領域が最も劣った。

その理由は、被照射体の表面においてエキシマ U Vランプ直下の最短距離でエキシマ U V照射量が多い細長い領域では、その受光エネルギーが必要量に達するため十分な光化学反応を得られたが、この活性領域から離れるのに従ってエキシマ U Vランプとの距離が徐々に長くなると共に、そこに照射されたエキシマ U Vが被照射体の周囲に存在する酸素に吸収されオゾン化して弱くなるため、この各エキシマ U Vランプ直下から離れた領域では受光エネルギーが必要量まで達せず、光化学反応が不足したと考えられる。

しかし乍ら、このような従来のエキシマ U Vフォトリアクタ一では、しばしば被照射体の表面近くで反応性ガスを要求の濃度まで上げられないため、安定した光化学反応を低温雰囲気（例えば常温）で速やかに発生できないという問題や、オゾン層の厚みが大きくなり、 U V光の吸収が大きくなって十分な反応効果が得られないという問題がある。

この問題を解決するために、例えばオゾン発生機などの反応ガス供給源から大量の反応性ガスを閉鎖空間内に供給し続けることにより、被照射体の表面近くを高濃度にすることも考えられるが、この場合には、ガス供給能力が極端に大きな反応ガス供給源を必要として、その結果、製造コストが著しく高くなるという問題がある。

また、被照射体の大型化に伴って光取り出し窓を大型化した場合には、被照射体の大型化に伴って光取り出し窓の合成石英ガラスも大型化が必要であるため、製造コストが高価になるという問題もある。

更に、上述した従来のエキシマ U V ·オゾン洗浄装置では、洗浄後の被照射体において各エキシマ U Vランプ直下の活性領域とそれより離れた領域とで洗浄度に明らかな差が生ずるため、特に面積の大きな被照射体の全体を効率良く洗浄することは不可能であるという問題がある。

また、被照射体の大型化に伴って光取り出し窓を大型化した場合には、これら被照射体と光取り出し窓との間に挟まれた閉鎖空間の面積も広くなるが、この広い閉鎖空間に反応に必要なガスを供給するには、被照射体の対向する一辺から他辺へ向けて反応ガスを一方向へ供給しなければならず、完全な給換気には時間を要するため、有機汚染の酸化除去に伴って発生した汚れ物質が該閉鎖空間内に浮遊し続け、この浮遊した汚れ物質が光取り出し窓に付着し易いという問題がある。

一方、近年、またエキシマ U Vによる光化学反応領域において、過度の光フォトンエネルギーによる反応ダメージが大きいため、エキシマ U Vによる光化学反応処理後も活性状態が持続し、その結果として、反応処理後に大気中の汚れが吸い寄せられて付着することが解った。

そこで、本発明のうち請求項 1記載の発明は、光化学反応を簡単な構造でしかもより低温雰囲気で安定して行うことを目的としたものである請求項 2記載の発明は、請求項 1に記載の発明の目的に加えて、反応性ガスを速やかに反応領域に導入して置換することを目的としたものである。

請求項 3記載の発明は、洗浄に寄与しなかったエキシマ U Vを有効利用して洗浄効率を向上させることを目的としたものである。

請求項 4記載の発明は、請求項 3に記載の発明の目的に加えて、ェキシマ U Vによる反応処理後の活性化を抑制して反応処理後に汚れが付着し難い状態に安定化させることを目的としたものである。

請求項 5記載の発明は、請求項 1、 2、 3または 4に記載の発明の目的に加えて、エキシマ U Vランプの電極を保護しながら電極から被照射体までの距離を適正に保つことを目的としたものである。

請求項 6記載の発明は、請求項 5に記載の発明の目的に加えて、洗浄に伴って発生した汚れ物質が保護管やその近傍へ付着するのを防止しながら洗浄効率を更に向上することを目的としたものである。

請求項 7記載の発明は、請求項 1、 2、 3または 4に記載の発明の目的に加えて、光化学反応のムラをなくしながら反応時間を短縮化することを目的としたものである。発明の開示

前述した目的を達成するために、本発明のうち請求項 1記載の発明は、エキシマ U Vランプからのエキシマ U V照射量が多い被照射体上の活性領域へ向けて、反応性ガスを強制的に供給するための反応ガス供給手段を、被照射体の表面近くに設けことを特徴とするものである。

ここで言う反応性ガスとは、エキシマ U Vランプ照射された 1 7 2 n _mのエキシマ U Vと光化学反応する例えばオゾンや水素や有機金属化合物の気化ガスなどである。

このような構成から生じる請求項 1記載の発明の作用は、反応ガス供給手段から反応性ガスを被照射体上の活性領域のみに集中して供給することにより、エキシマ U Vと反応性ガスの光化学反応が低温雰囲気で促進されると共に、この光化学反応が活発に発生しない領域には反応性ガスが供給されず、無駄に消費されないから、ガス供給能力が大きな反応ガス供給源でなくても足りるものである。

請求項 2記載の発明は、請求項 1記載の発明の構成に、前記反応ガス供給手段より被照射体と離れた位置に、反応用補助ガスを被照射体へ向けて強制的に供給するための反応用補助ガス供給手段を設けた構成を加えたことを特徴とする。

ここで言う反応用補助ガスとは、例えば窒素ガスや不活性ガス（アルゴン、ヘリウム、その他）などのキヤリヤーガスである。

このような構成から生じる請求項 2記載の発明の作用は、反応性ガスが供給される活性領域以外の空間は、反応用補助ガスで満たされると共に、既反応の不要ガスを反応領域より速やかに排出する。

請求項 3記載の発明は、エキシマ U Vランプの間に、エキシマ U Vの透過性に優れた一対の光透過壁からなる流路を夫々区画形成し、これら流路の入口には、適正量の反応用補助ガスと酸素を強制的に供給する供給手段を設けて、エキシマ U Vランプ直下の領域から離れたエキシマ U V照射の弱い領域近くの雰囲気がオゾンリツチとなるように、各流路内で生成されたオゾンをその出口から被照射体へ向け強制的に流し込むことを特徴とするものである。

このような構成から生じる請求項 3記載の発明の作用は、各エキシマ U Vランプから光透過壁を透過して流路内へ照射ざれたエキシマ U Vが、該流路中の反応用補助ガスで吸収されずに酸素と反応してオゾンを生成し、このオゾン量が流路の出口まで移動する間に増えて高濃度となり、この出口から被照射体へ向け強制的に流して、エキシマ U Vランプ直下の領域から離れたエキシマ U V照射の弱い領域近くの雰囲気をオゾンリッチにすることにより、該領域の受光エネルギーが有機汚染の酸化除去に十分な量に達するものである。

請求項 4記載の発明は、請求項 3記載の発明の構成に、前記反応用補助ガス及び酸素に加えて水の分子又は水素を供給する加湿手段を設けた構成を加えたことを特徴とする。

このような構成から生じる請求項 4記載の発明の作用は、エキシマ U Vで生成されたオゾン（0₃) と、水の分子（H ₂0 ) 又は水素（H ₂) が更に分解され、これらが反応して多量の [ · O H ] ラジカル（基）を生成し、これらの [ · Ο Η ] ラジカル（基）が、エキシマ U Vによる反応処理後の活性化された被照射体の表面に結合して、反応領域の表面改質効果が更に高まり、特に濡れ性が改善される。

請求項 5記載の発明は、請求項 1、 2、 3または 4記載の発明の構成に、前記光透過壁が、各エキシマ U Vランプの外周を囲むように設けた保護管であり、これらエキシマ U Vランプと保護管との間に窒素ガスを供給した構成を加えたことを特徴とする。

このような構成から生じる請求項 5記載の発明の作用は、各エキシマ U Vランプの外周を保護管で覆うことにより、エキシマ U Vランプの電極が直接活性化した酸素に触れて酸化物を生成するのを防止すると共に、該ランプの管壁から保護管外までのエキシマ U V吸収が抑えられて光強度の劣化を防げる。

請求項 6記載の発明は、請求項 5記載の発明の構成に、前記被照射体近くの雰囲気に存在するオゾン及び反応用補助ガスを、該被照射体の周囲から吸引して強制的に排気する吸気手段を設けた構成を加えたことを特徴とする。

このような構成から生じる請求項 6記載の発明の作用は、被照射体近くの雰囲気に存在する有機汚染の酸化除去に寄与した洗浄後のオゾン及び反応用補助ガスが、被照射体の周囲から吸引されて停滞することなく直ちに強制排気されることにより、有機汚染の酸化除去に伴って発生した汚れ物質も一緒に素早く排除され、この排気に伴い、流路の出口からフレッシュなオゾン及び反応用補助ガスが順次供給されて、有機汚染の酸化除去が更に促進される。

請求項 7記載の発明は、請求項 1、 2、 3または 4記載の発明の構成に、前記エキシマ U Vランプ又は被照射体のどちらか一方を他方に対して両者間の距離を保ちながら移動させる移送手段を設けた構成を加えたことを特徴とする。

このような構成から生じる請求項 7記載の発明の作用は、エキシマ U Vランプと被照射体の相対移動で被照射体の全面がエキシマ U Vランプの直下位置を通過することにより、エキシマ U Vの照射量のバラヅキが改善されると同時に、被照射体の表面全体に亘るエキシマ U Vの照射時間が短縮化される。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の一実施例を示すエキシマ U Vフォトリアクターの部分的な縦断正面図である。

図 2は、本発明の変形例を示すエキシマ U Vフォトリアクターの部分的な縦断正面図である。

図 3は、本発明の変形例を示すエキシマ U Vフォトリアク夕一の横断平面図である。

図 4は、本発明の他の実施例を示すエキシマ U Vフォトリアクターの部分的な縦断正面図である。

図 5は、加湿手段の概略構成図である。

図 6は、簡略化して示す横断平面図である。

図 7は、本発明の変形例を示すエキシマ U Vフォトリアクターの部分的な縦断正面図である。

図 8は、本発明の変形例を示すエキシマ U Vフォトリアクターの部分的な縦断正面図である。発明を実施するための最良な形態

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

この実施例は、図 1に示す如く、エキシマ U Vフォトリアクタ一 Rの内部に形成された空間 S内に、被照射体 Aと対向して複数本のエキシマ U Vランプ B…を並列状に配置し、これらの各エキシマ U Vランプ Bが、網状の円筒形に形成された内部電極 B 1 と、その外側に配置された網状円筒形の外部電極 B 2とを同軸状に配置することによって、 1 7 2 η mのエキシマ U Vを放射状に照射する二重円筒型構造であり、更にその外側を透明な保護管 B 3で覆った場合を示したものである。

上記保護管 B 3は、エキシマ U Vの透過性に優れた例えば合成石英ガラスなどで中空な円筒状に形成され、各エキシマ U Vランプ Bの外部電極 B 2の外側に該保護管 B 3を同軸状に配置する。

これら外部電極 B 2と保護管 B 3 との間には、窒素ガスを供給することにより、エキシマ U Vの吸収をなくして光エネルギーの減衰が防止され、外部電極 B 2及び内部電極 B 1の酸化を防止すると共に、必要に応じて各エキシマ U Vランプ Bの背面側へ発光したエキシマ光が被照射体 Aへ反射されるように反射体 B 4を配設しても良い。

上記被照射体 Aは、例えばシリコン半導体ゥェ一ハゃ液晶ディスプレィのガラス基板などであり、図示例の場合には、約直径 2 0 0舰又はそれより大口径なシリコン半導体ゥヱ一ハを示している。

この被照射体 Aの表面において、並列なエキシマ U Vランプ B…の直下に位置する該エキシマ U Vランプ B…に沿った細長い領域 A 1…は、その他の領域 A 2…に比べてエキシマ U V照射量が多くて活性に優れ、これら活性領域 A 1…へ向けて、反応性ガス Cを強制的に供給するための反応ガス供給手段 1…が、被照射体 Aの表面近くに設けられる。

これら反応ガス供給手段 1…は、本実施例の場合、各エキシマ U Vランプ B…と略平行な複数のガス導入管 1 a…を、各エキシマ U Vランプ B…から活性領域 A 1…へ照射されるエキシマ U Vと干渉しないように配設し、これらガス導入管 1 a…の外周面に、被照射体 A上の活性領域 A 1…へ向けノズル孔 1 b…を、夫々の軸方向へ適宜間隔毎に多数開穿することにより構成される。

図示例の場合には、並列なエキシマ U Vランプ B…の間及びそれらの両端に夫々一本ずつガス導入管 1 aを配設し、特にエキシマ U Vランプ B…の間に配置されたガス導入管 1 a…は、各エキシマ U Vランプ B〜直下の隣り合う活性領域 A 1 , A 1へ向けノズル孔 1 b…を断面ハの字形に閧穿して、各ガス導入管 1 a…の反応性ガス Cを分岐させて供給している。

更に、これらガス導入管 1 a…の上流端には、反応性ガス Cの供給源 (図示せず）に配管接続され、この反応ガス供給源から導入される反応性ガス Cを夫々のノズル孔 1 b…から被照射体 A上の活性領域 A 1…へ夫々吹き付ける。

この反応性ガス Cは、前記エキシマ U Vフォトリアク夕一 Rの使用目的に応じて異なるものが使用される。

即ち、このエキシマ U Vフォトリアク夕一 Rを、例えばシリコンゥェ —ハ上の不要になったフォトレジストを除去するためのァヅシング装置や、液晶ディスプレイのガラス基板の表面に付着した有機化合物の汚れを除去するためのエキシマ U V ·オゾン洗浄装置（ドライ洗浄装置）として使用する場合には、上記反応性ガス Cがオゾンであり、反応ガス供給源はォゾン発生機となる。

また、それ以外にエキシマ U Vフォトリアク夕一 Rを、例えば水素との光化学反応によりシリコンゥェ一ハ表面の結晶完全性を高めるための水素ァニール装置として使用する場合には、上記反応性ガス Cが水素であり、反応ガス供給源は水素ボンベとなる。

更に、前記反応ガス供給手段 1…より被照射体 Aと離れた位置には、反応用補助ガス（キヤリャ一ガス） Dを被照射体 Aへ向けて強制的に供給するための反応用補助供給手段 2…が設けられる。

この反応用補助ガス供給手段 2は、本実施例の場合、並列なエキシマ U Vランプ B…の上方にそれらと交互に複数の導入室 2 a…を適宜間隔毎に区画形成し、これら導入室 2 aの下端に、隣り合う保護管 B 3…の間に区画形成した通路 S 1…と、それらの両端に形成された通路 S 2 , S 2に夫々向けてノズル 2 b…を開設している。

上記導入室 2 a…には、反応用補助ガス Dとして、例えば窒素ガスや不活性ガス（アルゴン、ヘリウム、その他）が導入され、これがキヤリャ一ガスとしてノズル 2 b…から上記通路 S 1 ··· , S 2 , S 2を介して前記反応ガス供給手段 1…へ向けて下向きに供給される。

そして、前記被照射体 Aは、並列なエキシマ U Vランプ B…との間隔が所定距離となるように支持され、これらエキシマ U Vランプ B…と被照射体 Aのどちらか一方を他方に対して両者間の距離を保ちながら移動させる移送手段 3が設けられる。

図示例の場合には、この移送手段 3が例えば回転テ一プルなどの回転搬送機構 3 aであり、その上面に被照射体 Aを移動不能に載置した状態で、エキシマ U Vランプ B…の照射時間と連動して適宜速度で円弧状に回転移動させている。

次に、斯かるエキシマ U Vフォトリァク夕一: Rの作動について説明する。

先ず、被照射体 Aに向けて並列なエキシマ U Vランプ B…からエキシマ U Vが夫々放射状に照射されるものの、その照射量は被照射体 Aの表面全体に亘つて均等にならず、各エキシマ U Vランプ B…直下の細長い領域 A 1…が、その他の領域 A 2…に比べ格段に強い。

この状態で、図 1に示す如く、反応ガス供給手段；！…の反応ガス供給源（図示せず）からガス導入管 1 a…へ反応性ガス Cを夫々導入すれば、各ガス導入管 1 a…のノズル孔 1 b…から、被照射体 A上のエキシマ U V照射量が多い活性領域 A 1…のみに集中して供給される。

実験によって、これら活性領域 A 1…における反応性ガス Cの濃度を計測したところ、安定した光化学反応に必要な例えば約 l，000ppm 以上まで上げることができた。

それにより、エキシマ U Vと反応性ガス Cの光化学反応が、従来技術での温度より低い低温雰囲気で促進されると共に、この光化学反応が活発に発生しない領域 A 2…には反応性ガス Cが供給されず、無駄に消費されないから、ガス供給能力が大きな反応ガス供給源でなくても足りる ο

その結果、光化学反応を簡単な構造でしかもより低温雰囲気で安定して行うことができた。

具体的には、エキシマ U Vフォトリアク夕一 Rをァヅシング装置として使用するために、反応性ガス Cとしてオゾンを供給した場合には、被照射体 Aとしてシリコンゥ工一ハ上の不要になったフォトレジストを完全に除去できた。

エキシマ u V ·オゾン洗浄装置（ドライ洗浄装置）として使用するために、反応性ガス Cとしてオゾンを供給した場合には、被照射体 Aの表面に付着した有機化合物の汚れを完全に除去できた。

水素ァニール装置として使用するために、反応性ガス Cとして水素を供給した場合には、被照射体 Aとしてシリコンゥェ一ハ表面の結晶完全性を高めることが確認できた。

特に、従来発表されている半導体製造装置での U V光によるレジストアッシャー装置は、オゾン層が厚く、 U V光による光エネルギーは、ォゾン層の通過により吸収が大きくなって反応効率が著しく低下してしまうが、本発明の装置は、オゾン吹き出しノズル（ノズル孔） l b…を設け、またその流量をコントロールすることにより、反応効率が格段に優れたフォトリアクターが実現した。

これに加えて、被照射体 Aの載置面に面状ヒー夕一（図示せず）を付設したり、被照射体 Aに向けて加熱光（図示せず）を照射するなどして、被照射体 Aを加熱させれば、上述した光化学反応の速度を更に高速化することもできる。

更に、前記反応用補助ガス供給手段 2のノズル 2 b…から通路 S 丄… , S 2 , S 2を経て被照射体 Aへ向け、反応用補助ガス Dがキヤリャ一ガスとして窒素ガスや不活性ガス（アルゴン、ヘリウム、その他）が下向きに供給されるため、反応性ガス Cが供給される活性領域 A 1…以外の領域 A 2…及びこれら以外の閉鎖空間 S内は、反応用補助ガス Dで満たされると共に、既反応の不要ガスを反応領域より速やかに排出する。その結果、反応性ガス Cを速やかに活性領域（反応領域） A 1…に導入して置換できる。

しかも、反応性ガス Cが大量に充満するのを防止でき、反応性ガス C が例えばオゾンや水素などように危険性の高い気体であっても安全性が確保できる。

また、移送手段 3の作動によって、エキシマ U Vランプ B…と被照射体 Aの相対移動で被照射体 Aの全面がエキシマ U Vランプ B…の直下位置を通過する。

それにより、エキシマ U Vの照射量のバラヅキが改善されると同時に、被照射体 Aの表面全体に Sるエキシマ U Vの照射時間が短縮化される ο

その結果、光化学反応のムラをなくしながら反応時間を短縮化できる特に図示例の場合には、回転搬送機構 3 aの作動によりエキシマ U V ランプ B…に対して被照射体 Aを相対的に回転移動させるため、被照射体 Aの大きさが、隣り合う複数のェキシマ U Vランプ B…に亘つて広がるものであっても、その表面全体に亘つてエキシマ U Vが均等に照射されるので、被照射体 Aを全体的にむらなく光化学反応できるという利点がめる。

そして、図 2と図 3に示すものは、夫々が本発明の変形例である。図 2に示すものは、前記反応ガス供給手段 1…のガス導入管 1 a ' … を、各エキシマ U Vランプ B…毎に一対ずっ配設し、各エキシマ U Vランプ: B…直下の各活性領域 A 1 …へ向けノズル孔 1 b ' …を一方向のみに開穿して、各ガス導入管 l a ' …の反応性ガス Cを分岐させずに総て供給した構成が、前記図 1に示した実施例とは異なり、それ以外の構成は図 1に示した実施例と同じものである。

その結果、図 2に示すものは、各活性領域 A 1…に対して前記図 1に示した実施例よりも多量の反応性ガス Cを供給でき、その分だけ反応性ガス Cの濃度を上げることができるという利点がある。更に前記被照射体 Aが例えば液晶ディスプレイのガラス基板のような面積の大きなものの場合には、前記移送手段 3 として、図 1に示した回転搬送機構 3 aに代えて例えばローラ一コンペャなどの連続搬送機構 3 bを設け、その作動で被照射体 Aがエキシマ U Vランプ B…の軸方向と直角に交差する方向へ該エキシマ U Vランプ B…間のピッチと同じ長さ又はそれより長く連続搬送されることにより、エキシマ U Vランプ … の直下位置を順次通過させることが好ましい。

その結果、エキシマ U Vランプ B…の直下位置を複数の被照射体八… が順次通過するので、多数の被照射体 A…を連続して光化学反応させることができるという利点がある。

また図 3に示すものは、前記移送手段 3 として、図 1に示した回転搬送機構 3 aや図 2に示した連続搬送機構 3 bに代えて、例えば中心の太陽歯車 3 c 1と、それの周囲に同軸状に配置された内歯歯車 3 c 2と、これらに嚙み合う遊星キヤリャ 3 c 3とからなる遊星運動機構 3 cを設け、この遊星キヤリャ 3 c 3内には、例えば半導体ゥェ一ハなどの被照射体 Aを単数又は複数夫々着脱自在に保持して作動することにより、この遊星キヤリャ 3 c 3及び被照射体 Aを太陽歯車 3 c 1の周りに沿って自転しながら公転させる構成が、前記図 1及び図 2に示した実施例とは異なり、それ以外の構成は図 1及び図 2に示した実施例と同じものである。

その結果、被照射体 Aを単に回転移動させただけの場合、その回転中心に部分と、回転中心から離れた部分とでは、それらの移動量に差が生じるため、エキシマ U Vの照射量にも差ができてムラを発生する恐れがあるが、被照射体 Aを自転しながら公転させれば、被照射体 Aの各部分における移動量の差が生じないため、移動量の差による照射ムラを防止できる。従って、大きな被照射体 Aほど移動量の差が発生し易いため、特に大口径な半導体ゥェ一ハをエキシマ洗浄する際に有効であるという利点がめる。

尚、前記実施例では、エキシマ U Vフォトリアクタ一 Rの使用例としてアツシング装置やエキシマ U V ·オゾン洗浄装置（ドライ洗浄装置）や水素ァニール装置の場合を記載したが、これに限定されず、有機金属化合物の気化ガスとの光化学反応によってシリコンゥヱ一ハ上に金属膜を形成すための有機金属（M O ) C V D装置としても使用できる。

一方、図 4〜図 6に示すものは、本発明の他の実施例であり、エキシマ U Vフォトリアクタ一 Rが、例えば液晶ディスプレイに用いられる大型なガラス基板などの被照射体 Aの表面に付着した有機汚染を酸化除去するエキシマ U V ·オゾン洗浄装置（ドライ洗浄装置）である場合を示している。

この他の実施例は、前記エキシマ U Vランプ B…の間に配置する一対の光透過壁が、夫々隣り合うエキシマ U Vランプ B， Bの外周を囲むように設けた円筒形の保護管 B 3 , B 3であり、これら隣り合う保護管 B 3…の間に、上下中間部分の間隔が最も狭い流路 S 3…を夫々区画形成している。

これら流路 S 3…は、被照射体 Aから離れた上側部分を入口 S 31…とすると共に、これと逆に被照射体 Aと対向する下側部分を出口 S 32…とし、入口 S 31…には、適正量の反応用補助ガスと酸素を強制的に供給する供給手段 2 ' が設けられ、この反応用補助ガスとして、例えば窒素ガスゃ不活性ガス（アルゴン、ヘリウム、その他）などのキヤリャ一ガスを供給する。

この供給手段 2 ' は、他の実施例の場合、反応用補助ガスとフレツシュな空気が混合室 2 cの内部に供給されて所定比率で混合し、この混合室 2 cから上記流路 S 3…の入口 S 31 '"に向けてノズル 2 d…を夫々適宜間隔毎に突設し、これらノズル 2 d…から流路 S 3…の入口 S 31…へ混合された反応用補助ガスと空気を吹き出すことにより、適正量の反応用補助ガスと酸素が流路 S 3…内に供給される。

これら各流路 S 3の入口 S 31へ適正量の反応用補助ガスと酸素が供給されることにより、各流路 S 3内の気体を出口 S 32から被照射体 Aへ向け強制的に押し流して、各エキシマ U Vランプ B直下の領域 A 1から離れたエキシマ U V照射の弱い領域 A 2近くの雰囲気 4に流し込む。

更に、上記反応用補助ガス及び酸素に加えて、水の分子又は水素を供給する。

他の実施例の場合には、図 2に示す加湿手段 Eにより、反応用補助ガス（キヤリャ一ガス）として供給される窒素ガスに、水の分子を含ませている。

この加湿手段 Eは、例えば窒素ボンベなどの窒素ガス供給源 E 1に通じる給気管 E 2の先端部が、密閉容器 E 3内に貯留した純水中に浸潰され、それに開設した微小孔 E 4から窒素ガスが発泡して浮上すると共に、この加湿された窒素ガスを導管 E 5により回収して前記供給手段 3の混合室 3 aへ導くものである。

なお、上記密閉容器 E 3と純水の給水夕ンク E 6とを連絡する給水管 E 7の途中には、水位調整弁 E 8が配設され、密閉容器 E 3の近くに配備された高低 2個の水位センサー E 9 , E 9から信号に基づいて密閉容器 E 3内の純水の水位が常に一定となるように水位調整弁 E 8を作動制御している。

また、前記エキシマ U Vランプ B…と被照射体 Aのどちらか一方を他方に対して両者間の距離を保ちながら移動させる移送手段 3として、ェキシマ U Vランプ B…の軸方向と直角に交差する方向へ該エキシマ U V ランプ B…間のピッチ Pと同じ長さ又はそれより長く移動させる搬送機構 3 dを設けている。

図示例の場合には、被照射体 Aが水平な基板 5に突設された複数の支柱 6…により基板の表面 5 aから離して真空吸着され、被照射体 Aの搬送手段 3 dとして、上記基板 5に例えばリニアモー夕などの駆動源を連設し、この駆動源 3 dの作動により、被照射体 Aを基板 5と共に水平方向へ上記ピヅチ Pと同じ長さ分だけ、前記エキシマ U Vランプ B…の照射時間と連動して適宜速度で直線移動させている。

更に、上記被照射体 Aの周囲には、被照射体 A近くの雰囲気に存在するオゾン及び反応用補助ガスを吸引して強制的に排気する吸気手段 Ί , 7を夫々設ける。

これら吸気手段 7 , 7は、被照射体 Aの周囲全周に亘つて配置することが好ましいが、例えば図 6に示す如く、エキシマ U Vランプ B…の軸方向と直角に交差する方向へ対向する両辺 A 3， A 3側のみ平行に配置しても良い。

この場合には、エキシマ U Vランプ B…と被照射体 Aとの間に挟まれた空間から、そこに存在する前記流路 S 3…の出口 S 32…から供給されたオゾン及び反応用補助ガスを、上記搬送手段 3 dによる被照射体 Aの移動方向と直角に交差する夫々反対方向へ吸引している。

次に、斯かるエキシマ U V ·オゾン洗浄装置の作動について説明する先ず、図 1に示す如く並列状に配置したエキシマ U Vランプ B…からエキシマ U Vが保護管 B 3…を介して夫々の放射方向へ照射される。

これら放射状のエキシマ U Vのうち被照射体 Aへ向かう一部の照射光によって、被照射体 Aとの間にオゾンを生成し、このオゾンが被照射体 Aの表面に接触することにより、被照射体 Aの表面に付着した有機汚染を酸化除去する。

その際、この被照射体 Aにおいて各エキシマ UVランプ Bまでの距離が最も短い直下の領域 A 1では、エキシマ UVの照射が強くて、その受光エネルギーが必要量に達するため十分な有機汚染の酸化除去を得られるが、その領域から離れるのに従ってエキシマ UVランプとの距離が徐々に長くなるため、そこに照射されるエキシマ UVは酸素に吸収されてオゾン化して弱くなる。

その結果、各エキシマ UVランプ B直下の領域 A 1から離れたエキシマ UV照射の弱い領域 A 2では、受光エネルギーが必要量まで達せず、有機汚染の酸化除去が不足するため、各エキシマ UVランプ B直下の領域 A 1における洗浄度に比べて洗浄度が低下することになる。

換言すれば、各エキシマ UVランプ B直下の狭い領域 A 1から離れるのに従って洗浄度が徐々に低下し、隣り合うエキシマ UVランプ B, B 間の境目直下に相当する領域が最も劣ることになる。

これに対し、上述した各エキシマ UVランプ Bから被照射体 Aへ向け照射されるエキシマ UV以外で、隣り合うエキシマ UVランプ： B， B間の流路 S 3へ向かうエキシマ UVは、対向する光透過壁 B 3， B 3である保護管を透過して各流路 S 3内へ夫々入る。

これら光透過壁 B 3 , B 3を透過して流路 S 3内へ照射されたエキシマ UVは、供給手段 2' から流路 S 3内に供給された窒素などの反応用補助ガスで吸収されずに酸素と反応してオゾンを生成し、このオゾン量が流路 S 3の出口 S 32まで移動する間に増えて高濃度となる。

この高濃度のオゾンは、各流路 S 3の出口 S32から被照射体 Aへ向け強制的に押し出され、これら出口 S 32の直下に位置したエキシマ UVランプ B， B間の境目直下に相当する領域を中心として、エキシマ UVランプ B直下の領域 A 1から離れたエキシマ UV照射の弱い領域 A 2近くの雰囲気 4がオゾンリツチになる。

それにより、エキシマ UV照射の弱い領域 A 2の受光エネルギーが有機汚染の酸化除去に十分な量に達する。

その結果、洗浄に寄与しなかったエキシマ UVを有効利用して洗浄効率を向上でき、被照射体 Aが例えば液晶ディスプレイのガラス基板のような面積の大きなものであっても効率良く洗浄できる。

更に、上記反応用補助ガス及び酸素に加えて水の分子（H₂0) が供給された場合には、エキシマ UVで水の分子（H₂0) が更に分解されて [H · ] ラジカル（基）と [ · OH] ラジカル（基）を多量に生成し、これらの [ · ΟΗ] ラジカル（基）が、エキシマ U Vによる反応処理後の活性化された被照射体 Αの表面に結合して、反応領域 A 1 , A2の表面改質効果が更に高まり、特に濡れ性が改善される。

上記水の分子に代えて水素（H₂) が供給された場合には、エキシマ UVで生成されたオゾン（0₃) と水素（H₂) が更に分解され、これらが反応して多量の [ · OH] ラジカル（基）を生成し、これらの [ · 0 H] ラジカル（基）が、エキシマ UVによる反応処理後の活性化された被照射体 Aの表面に結合して、反応領域 A 1， A 2の表面改質効果が更に高まり、特に濡れ性が改善される。

その結果、エキシマ UVによる反応処理後の活性化を抑制して反応処理後に汚れが付着し難い状態に安定化させることができる。

なお、他の実施例の場合には、反応用補助ガス（窒素ガス）自体を加湿して水の分子が供給されるようにしたので、水蒸気を直接供給する方法のように反応領域が水滴化せず、それを除去する手間も必要なくて、作業性に優れるという利点がある。

また、他の実施例の場合には、搬送機構 3 dの作動によって、エキシマ UVランプ: B…と被照射体 Aが相対移動し、その移動長さを該エキシマ U Vランプ B…間のピッチ Pと同じ長さ又はそれより長くすれば、被照射体 Aの全体がエキシマ U Vランプ B…の直下位置を通過する。

それにより、エキシマ U Vの照射強度のバラヅキが改善されると同時に、被照射体 Aの全体に亘るエキシマ U Vの照射時間が短縮化される。その結果、洗浄ムラをなくしながら洗浄時間を短縮化できる。

更に、吸気手段 7 , 7の作動によって、図 6に示す如く、被照射体 A 近くの雰囲気に存在する有機汚染の酸化除去に寄与した洗浄後（既反応 ) のオゾン及び反応用補助ガスが、被照射体 Aの周囲か又は対向する両辺 A 3， A 3側から夫々反対方向へ吸引されて停滞することなく直ち（速やか）に強制排気される。

それにより、有機汚染の酸化除去に伴って発生した汚れ物質も一緒に素早く排除され、この排気に伴い、各流路 S 3の出口 S 32からフレツシュなオゾン及び反応用補助ガスが順次供給されて、有機汚染の酸化除去が更に促進される。

その結果、洗浄に伴って発生した汚れ物質が保護管 B 3…やその近傍へ付着するのを防止しながら洗浄効率を更に向上できる。

更にまた、各エキシマ U Vランプ Bの外周を保護管 B 3で覆ったので、該エキシマ U Vランプ Bの内部電極 B 1及び外部電極 B 2に被照射体 Aが直接触れるのを防止し、保護管: B 3内に供給した窒素ガスにより、内部電極 B 1及び外部電極 B 2が直接活性化した酸素に触れて酸化物を生成するのを防止すると共に、該ランプ Bの管壁（外部電極 B 2 ) から保護管 B 3外までのエキシマ U V吸収が抑えられて光強度の劣化を防げる

その結果、エキシマ U Vランプ Bの電極を保護しながら電極から被照射体までの距離を適正に保つことができ、被照射体 Aが例えば液晶ディスプレイのガラス基板のような面積の大きなものであっても製造コストを低減できる。

そして、図 7と図 8に示すものは、夫々が本発明の変形例である。図 7に示すものは、前記供給手段 2 ' が混合室 2 cからノズル 2 d 3 b…に代えて、例えばパンチングメタルなどの多孔板 2 eを介して流路 S 3…の入口 S 31…へ適正量の反応用補助ガスと酸素を強制的に供給した構成が、前記図 4〜図 6に示した他の実施例とは異なり、それ以外の構成は図 4〜図 6に示した他の実施例と同じものである。

従って、図 7に示すものは、供給手段 2 ' の構成が簡素化できて製造コストの低減が図れるという利点がある。

図 8に示すものは、前記光透過壁 B 3 , B 3が、夫々隣り合うエキシマ U Vランプ B , Bの外周を囲むように設けた四角筒形の保護管であり、隣り合う垂直状の保護管 B 3， B 3によって上下方全長に亘つて同じ間隔の流路 S 3が夫々区画形成される構成が、前記図 4〜図 6に示した他の実施例とは異なり、それ以外の構成は図 4〜図 6に示した他の実施例と同じものである。

従って、図 8に示すものは、図 4〜図 6に示した実施例と同様に各ェキシマ U Vランプ Bと四角筒形の保護管 B 3との間に窒素ガスを供給することにより、内部電極 B 1及び外部電極 B 2からのエキシマ U Vが吸収されずに保護管 B 3外まで確実に届くと共に、この四角筒形の保護管 B 3の直線状底面から被照射体 Aまでの距離が均一化される。

その結果、被照射体 Aにおいて四角筒形の保護管 B 3の直線状底面と平行に対向する領域 A 1 ' は、どこでもエキシマ U Vの照射が強くて、その受光エネルギーが必要量に達するため十分な有機汚染の酸化除去を得られ、これら以外のエキシマ U V照射の弱い領域 A 2 ' の面積が、前記図 1に示した実施例よりも遙かに小さく、しかもこの部分の雰囲気 4 はォゾンリヅチになるため、更に洗浄効率を向上できるという利点がある。

更に図 7及び図 8に示すものは、被照射体 Aの移送手段 3として、例えばローラ一コンペャなどの連続搬送機構 3 bを設けているが、これに限定されず、連続搬送機構 3 bに代えて、図 1に示した回転搬送機構 3 aや図 3に示した遊星運動機構 3 cや図 4に示した搬送機構 3 dを使用しても良い。

尚、上述した各実施例及び変形例では、各エキシマ U Vランプ Bが、網状筒形の内部電極 A 1と外部電極 A 2とを同軸状に配置した二重円筒型構造である場合を示したが、これに限定されず、エキシマ U Vを放射状に照射するものであれば、他の構造であっても良く、更にその外側を覆った透明な保護管 B 3は、円筒形以外の図 8に示す四角筒形以外の多角形の筒形であっても良い。

また、エキシマ U Vランプ: B…の間に配置した一対の光透過壁 B 3 ,

B 3が、夫々隣り合うエキシマ U Vランプ B , Bの外周を囲むように設けた円筒形又は四角筒形の保護管である場合を示したが、これに限定されず、筒形の保護管に代えて、露出した外部電極 A 2との間を非筒状の光透過壁で仕切るだけでも良い。産業上の利用可能性

以上説明したように、本発明のうち請求項 1記載の発明は、反応ガス供給手段から反応性ガスを被照射体上の活性領域のみに集中して供給することにより、エキシマ U Vと反応性ガスの光化学反応が低温雰囲気で促進されると共に、この光化学反応が活発に発生しない領域には反応性ガスが供給されず、無駄に消費されないから、ガス供給能力が大きな反応ガス供給源でなくても足りるので、光化学反応を簡単な構造でしかも低温雰囲気で安定して行える。従って、高効率な光化学反応が可能となって経済的である。

請求項 2の発明は、請求項 1の発明の効果に加えて、反応性ガスが供給される活性領域以外の空間は、反応用補助ガスで満たされると共に、既反応の不要ガスを反応領域より速やかに排出するので、反応性ガスを速やかに活性領域（反応領域）に導入して置換できる。

請求項 3記載の発明は、各エキシマ U Vランプから光透過壁を透過して流路へ照射されたエキシマ U Vが、該流路中の反応用補助ガスで吸収されずに酸素と反応してオゾンを生成し、このオゾン量が流路の出口まで移動する間に増えて高濃度となり、この出口から被照射体へ向け強制的に流して、エキシマ U Vランプ直下の領域から離れたエキシマ U V 照射の弱い領域近くの雰囲気をオゾンリッチにすることにより、該領域の受光エネルギーが有機汚染の酸化除去に十分な量に達するので、洗浄に寄与しなかったエキシマ U Vを有効利用して洗浄効率を向上できる。従って、被照射体において各エキシマ U Vランプ直下の領域とそれより離れた領域とで洗浄度に明らかな差が生ずる従来のものに比べ、例えば液晶ディスプレイのガラス基板のような面積が大きな被照射体であつても効率良く洗浄できる。

請求項 4の発明は、請求項 3の発明の効果に加えて、エキシマ U Vで生成されたオゾン（0₃) と、水の分子（H ₂0 ) 又は水素（H ₂) が更に分解され、これらが反応して多量の [ · O H ] ラジカル（基）を生成し、これらの [ · O H ] ラジカル（基）が、エキシマ U Vによる反応処理後の活性化された被照射体の表面に結合して、反応領域の表面改質効果が更に高まり、特に濡れ性が改善されるので、エキシマ U Vによる反応処理後の活性化を抑制して反応処理後に汚れが付着し難い状態に安定化させることができる。

その結果、有機汚染の酸化除去を更に促進できる。請求項 5の発明は、請求項 1、 2、 3または 4の発明の効果に加えて、各エキシマ U Vランプの外周を保護管で覆うことにより、エキシマ U Vランプの電極が直接活性化した酸素に触れて酸化物を生成するのを防止すると共に、該ランプ Bの管壁（外部電極 B 2 ) から保護管 B 3外までのエキシマ U V吸収が抑えられて光強度の劣化を防げるので、エキシマ U Vランプの電極を保護しながら電極から被照射体までの距離を適正に保てる。

従って、被照射体の大型化に伴って光取り出し窓の合成石英ガラスも大型化が必要な従来のものに比べ、例えば液晶ディスプレイのガラス基板のような面積の大きな被照射体であっても製造コストを低減できる。請求項 6の発明は、請求項 5の発明の効果に加えて、被照射体近くの雰囲気に存在する有機汚染の酸化除去に寄与した洗浄後のオゾン及び反応用補助ガスが、被照射体の周囲から吸引されて停滞することなく直ちに強制排気されることにより、有機汚染の酸化除去に伴って発生した汚れ物質も一緒に素早く排除され、この排気に伴い、流路の出口からフレッシュなオゾン及び反応用補助ガスが順次供給されて、有機汚染の酸化除去が更に促進されるので、洗浄に伴って発生した汚れ物質が保護管やその近傍へ付着するのを防止しながら洗浄効率を更に向上できる。

請求項 7の発明は、請求項 1、 2、 3または 4の発明の効果に加えて、エキシマ U Vランプと被照射体の相対移動で被照射体の全面がエキシマ U Vランプの直下位置を通過させることにより、エキシマ U Vの照射量のバラツキが改善されると同時に、被照射体の全体に亘るエキシマ U Vの照射時間が短縮化されるので、光化学反応のムラをなくしながら反応時間を短縮化できる。

Claims

請求の範囲

1. 被照射体（A) と対向して複数本のエキシマ UVランプ（B) を並列状に配置し、これらエキシマ UVランプ（B) から被照射体（A) に向けエキシマ UVを反応性ガス（C) の雰囲気中で照射することにより、被照射体（A) 表面で光化学反応させるエキシマ UVフォトリァク夕一において、

前記エキシマ UVランプ（B) からのエキシマ UV照射量が多い被照射体（A) 上の活性領域（A 1) へ向けて、反応性ガス（C) を強制的に供給するための反応ガス供給手段（ 1) を、被照射体（A) の表面近くに設けことを特徴とするエキシマ U Vフォトリァク夕一。

2. 前記反応ガス供給手段（ 1) より被照射体（A) と離れた位置に、反応用補助ガス（D) を被照射体（A) へ向けて強制的に供給するための反応用補助ガス供給手段（2) を設けた請求項 1記載のエキシマ U Vフォトリアクタ一。

3. 被照射体（A) と対向して複数本のエキシマ UVランプ（B) を並列状に配置し、これらエキシマ UVランプ（B) からエキシマ UVを被照射体（A) に向け照射してオゾンが生成されることにより、被照射体（A) の表面に付着した有機汚染を酸化除去するエキシマ UVフォトリァク夕一において、

前記エキシマ UVランプ（B) の間に、エキシマ UVの透過性に優れた一対の光透過壁（B 3 ) からなる流路（S 3) を夫々区画形成し、これら流路（S 3) の入口（S31) には、適正量の反応用補助ガスと酸素を強制的に供給する供給手段（2 ' ) を設けて、エキシマ UVランプ（ B) 直下の領域（A 1) から離れたエキシマ UV照射の弱い領域（A2 ) 近くの雰囲気（4) がオゾンリヅチとなるように、各流路（S 3) 内で生成されたオゾンをその出口（S32) から被照射体（A) へ向け強制的に流し込むことを特徴とするエキシマ UVフォトリァク夕一。

4. 前記反応用補助ガス及び酸素に加えて水の分子又は水素を供給する加湿手段（E) を設けた請求項 3記載のエキシマ UVフォトリアク夕一。

5. 前記光透過壁（B 3 ) が、各エキシマ UVランプ（B) の外周を囲むように設けた保護管であり、これらエキシマ UVランプ（B) と保護管（B 3) との間に窒素ガスを供給した請求項 1、 2、 3または 4記載のエキシマ UVフォトリアク夕一。

6. 前記被照射体（A) 近くの雰囲気に存在するオゾン及び反応用補助ガスを、該被照射体（A) の周囲から吸引して強制的に排気する吸気手段（ 7) を設けた請求項 5記載のエキシマ UVフォトリアクター。

7. 前記エキシマ UVランプ（B) 又は被照射体 '（A) のどちらか一方を他方に対して両者間の距離を保ちながら移動させる移送手段（ 3 ) を設けた請求項 1、 2、 3または 4記載のエキシマ UVフォトリアク夕

補正書の請求の範囲

[2002年 3月 26日（26. 03. 02) 国際事務局受理：出願当初の請求の範囲 1，5

は補正された；他の請求の範囲は変更なし。（2頁） ]

1. 被照射体（A) と対向して複数本のエキシマ UVランプ（B) を並列状に配置し、これらエキシマ UVランプ（B) から被照射体（A) に向けェキシマ UVを反応性ガス（C) の雰囲気中で照射することにより、被照射体 (A) 表面で光化学反応させるエキシマ UVフォトリアクターにおいて、前記エキシマ UVランプ（B) からのエキシマ UV照射量が多い被照射体 (A) 上の活性領域（A 1) へ向けて、反応性ガス（C) を強制的に供給するための反応ガス供給手段（1) を、被照射体（A) の表面近くに設け、各エキシマ UVランプ（B) の外側を透明な保護管（B 3) で覆い、これらェキシマ UVランプ（B) と保護管（B 3) との間に窒素ガスを供給したことを特徴とするエキシマ UVフォトリアクター。

2. 前記反応ガス供給手段（1) より被照射体（A) と離れた位置に、反応用補助ガス（D) を被照射体（A) へ向けて強制的に供給するための反応用補助ガス供給手段（2) を設けた請求項 1記載のエキシマ UVフォトリアクタ一。

3. 被照射体（A) と対向して複数本のエキシマ UVランプ（B) を並列状に配置し、これらエキシマ UVランプ，（B) からエキシマ UVを被照射体 (A) に向け照射してオゾンが生成されることにより、被照射体（A) の表面に付着した有機汚染を酸化除去するエキシマ UVフォトリアクターにおいて、

前記エキシマ UVランプ（B) の間に、エキシマ UVの透過性に優れた一対の光透過壁（B 3) からなる流路（S 3) を夫々区画形成し、これら流路 (S 3) の入口（S31) には、適正量の反応用補助ガスと酸素を強制的に供給する供給手段（2 ) を設けて、エキシマ UVランプ（B) 直下の領域（ A 1) から離れたエキシマ UV照射の弱い領域（A2) 近くの雰囲気（4)

補正された紙 (条約第 19条）がオゾンリッチとなるように、各流路（S 3) 内で生成されたオゾンをその出口（S32) から被照射体（A) へ向け強制的に流し込むことを特徴とするエキシマ UVフォトリアクター。

4. 前記反応用補助ガス及び酸素に加えて水の分子又は水素を供給する加湿手段（E) を設けた請求項 3記載のエキシマ UVフォトリアクター。

5.. 前記光透過壁（B 3) 、各エキシマ UVランプ（B) の外周を囲むように設けた保護管であり、これらエキシマ UVランプ（B) と保護管（B 3) との間に窒素ガスを供給した請求項 3または 4記載のエキシマ UVフォトリアクター。

6. 前記被照射体（A) 近くの雰囲気に存在するオゾン及び反応用補助ガスを、該被照射体（A) の周囲から吸引して強制的に排気する吸気手段（7 ) を設けた請求項 5記載のエキシマ UVフォトリアクター。

■ 7. 前記エキシマ UVランプ（B) 又は被照射体（A) のどちらか一方を他方に対して両者間の距離を保ちながら移動させる移送手段（3) を設けた請求項 1、 2、 3または 4記載のエキシマ UVフォトリアクター。

補正された用紙 (条約第 19条) 条約 1 9条に基づく説明書

請求の範囲第 1項は、「各エキシマ UVランプ（B) の外側を透明な保護管（B 3) で覆い、これらエキシマ UVランプ（B) と保護管（B 3) との間に窒素ガスを供給した」を減縮限定して明確にした。

引用文献には、エキシマ UVランプの外側を透明な保護管で覆う構成が無レ、。

請求の範囲第 1項に係る発明は、請求の範囲第 5項と同じ効果が得られるものである。

請求の範囲第 5項は、その引用する請求の範囲として第 1項及び第 2項を削除した。