JPH08283439A - 紫外線処理方法及びその装置 - Google Patents
紫外線処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH08283439A JPH08283439A JP9532195A JP9532195A JPH08283439A JP H08283439 A JPH08283439 A JP H08283439A JP 9532195 A JP9532195 A JP 9532195A JP 9532195 A JP9532195 A JP 9532195A JP H08283439 A JPH08283439 A JP H08283439A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- substrate
- ultraviolet
- organic compound
- ozone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
の削減を容易に実現することが可能な紫外線処理方法及
びその実施に使用する装置を提供すること。 【構成】 処理室１内上部には波長 185nm及び 254nmの
紫外線を放射する紫外線ランプ２が配設されている。紫
外線ランプ２の下側には平面的に揺動可能なガス供給管
３が設置されており、紫外線ランプ２の上側には反射板
４が取り付けられている。処理室１内底部には被処理物
５を載置するための、Al, ステンレス鋼等の材料からな
るステージ６が設置されている。ステージ６は平面視正
方形であり、上面の中央部には正方形の凹部6aを有す
る。またステージ６の下面にはステージ６の全面を加熱
するヒータ７を備える。さらに凹部6aには数本のピン８
が設けられており、このピン８にて被処理物５を支持す
るようになっている。
Description
り有機化合物を分解，除去するアッシング装置等の紫外
線処理装置に関する。
には、フォトリソグラフィ技術が最も一般的に使用され
ている。フォトリソグラフィは、ウエハに形成された被
エッチング層上にフォトレジストを塗布する工程と、パ
ターンが形成されているガラスマスクを介して露光を行
うことによりパターンを転写する工程と、パターン形成
されたフォトレジストをマスクとして被エッチング層を
加工（エッチング）する工程とを有する。その後マスク
として使用されたフォトレジストは除去される。
ク（ガラスマスク）は、透明ガラス基板上にクロム膜等
の遮光膜パターンが形成された構成をなしており、以下
のような工程で製造される。即ち先ずガラス基板の全面
にクロム膜が形成されたマスクブランクを用意し、クロ
ム膜上にフォトレジストを塗布しベーキングする。次に
パターン発生装置で設計パターン形状にフォトレジスト
を露光し現像してレジストパターンを作成する。そして
このレジストパターンをマスクとしてクロム膜をエッチ
ング加工し、最後にフォトレジストを除去してフォトマ
スクを完成する。
を除去する方法には剥離液に浸漬するＷＥＴ処理とアッ
シング処理等のＤＲＹ処理とがある。ＷＥＴ処理は、変
質したレジストを完全に除去することができない、薬液
が高コストである、環境汚染をもたらす等の問題があ
り、ＤＲＹ処理への移行が望まれている。アッシング処
理としては、真空排気された処理室内に反応ガスを導入
し、また高周波電力を印加することにより、プラズマ放
電を生じさせ、励起された反応ガスによって行われるプ
ラズマアッシング方式が一般的である。この方式では活
性なラジカル及びイオンにより反応が促進され高速処理
が可能である。しかしながらその一方で被処理物（特に
ウエハ）がプラズマに曝されるためイオンにより衝撃を
受けたり、電荷量が増大したりする所謂プラズマダメー
ジを受ける。回路パターンが微細であるほどこれによる
影響は大きい。
られている。この方式は、処理室内に載置された、レジ
スト層を有する被処理物に対し、上方（レジスト層側）
から紫外線を照射しまたアッシングガスを導入すること
により、レジストを分解する。この原理は以下のとおり
である。即ち紫外線ランプから放射される波長 185nm及
び 254nmの紫外線が有する光エネルギが有機化合物の結
合を切断しフリーラジカル及び励起状態の分子を生成す
る。また波長 185nmの紫外線が酸素に吸収されるとオゾ
ンが発生する。さらにオゾンに波長 254nmの紫外線が吸
収されると励起酸素原子が生成される。この強力な酸化
力を有する励起酸素原子が有機化合物のフリーラジカル
及び励起状態の分子と反応して、CO2 ,H2 O のような物
質が生成される。このようにして有機化合物は分解・除
去される。
式に比べ、ウエハ等の基板へのダメージは少ないが、ア
ッシング速度が遅いために処理に長時間を要し処理効率
が低い。一般に従来のこの方式では面内均一にアッシン
グするために、例えば被処理物の表面温度を均一（ 150
℃±５％又は 180℃±５％）に維持し、約5000Åのレジ
ストを４分で処理している。
ているレジストは、例えばスピンコートによる場合、周
縁部にレジストが集中して、中央部に比べ周縁部の膜厚
が厚く（２〜３倍）なることがある。特に四角形の材料
の場合は、これに対する前処理が施されていないのが現
状であり、アッシング処理において対策を講じる必要が
ある。そこで周縁部におけるレジストを完全に除去しよ
うとすると、中央部では被エッチング層が露出しダメー
ジを受ける。この工程がフォトマスクの製造工程に使用
されている場合、被エッチング層であるクロム膜が紫外
線に曝されることにより、光の透過率が変化する等して
品質が劣化することが多い。また露光時の光の反射を防
止するために、クロム膜とレジストとの間に酸化クロム
膜を形成する場合があるが、中央部における過剰なアッ
シングによりこの酸化クロム膜が蒸発することもある。
29号公報には、まず第１段階で周縁部に集中的にオゾン
を吹きつけ、第２段階で中央部にオゾンを吹きつけるア
ッシング方法が開示されている。この方法では処理の面
内均一化が可能であるが、従来の通常処理より時間がか
かるという問題がある。
つける方法も考えられるが、この場合２倍厚みの周縁部
を中央部と同じ時間で処理しようとすると、周縁部に中
央部の約２倍ガス濃度のオゾンを吹きつける必要があ
る。しかしながら通常のオゾン発生装置を使用する場合
は技術的に限界があり、２倍程度というガス濃度は容易
に得られない。
シング装置を列挙する。特開平４−307725号公報には、
オゾン含有ガスを供給するガス供給管の開口部を被処理
物表面に近接させ、ガス供給管内を流れるオゾンが紫外
線照射により分解されないように構成することにより、
アッシング速度向上を図るアッシング装置が開示されて
いる。また特開平４−307734号公報には、ウエハとステ
ージとの間にスペーサを設けてウエハ裏面における接触
面積を小さくして汚染を減少し、また裏面側に反射板を
設けることにより、側面及び裏面に付着したレジストの
除去効果を増大させるアッシング装置が開示されてい
る。さらに特開平４−307726号公報には、高出力型の低
圧水銀ランプを使用することにより、アッシング速度を
高め、またコスト削減を実現するアッシング装置が開示
されている。さらにまた特願平５−148462号公報には、
窒素等の紫外線吸収が少ないガスとオゾン含有ガスとを
交互に吹きつけることにより、レジストに到達する紫外
線強度を増してアッシング速度が向上するアッシング装
置が開示されている。
グ装置によりアッシング速度の向上は実現しつつある
が、処理時間を増大させずに面内均一に処理し、且つ品
質劣化を防止することは非常に困難である。
のであり、基板の角部の温度を中央部の温度より高くな
るように制御しながら紫外線処理することにより、処理
時間の短縮，均一処理及び品質劣化の削減を容易に実現
することが可能な紫外線処理方法及びその実施に使用す
る装置を提供することを目的とする。
理方法は、平面視矩形の基板上に塗布された有機化合物
を、紫外線及びオゾンの作用により分解・除去する方法
において、基板の角部の温度を中央部の温度より高く維
持しつつ紫外線を照射することを特徴とする。
面に有機化合物が塗布された平面視矩形の基板をステー
ジ上にて加熱し、紫外線及びオゾンを作用させて前記有
機化合物を分解・除去する紫外線処理装置において、前
記ステージは、基板の角部に近接する周縁部の厚みが中
央部の厚みより厚くなしてあることを特徴とする。
明において、前記ステージとの間隔を調節して前記基板
を支持するためのピンを備えることを特徴とする。
面に有機化合物が塗布された平面視矩形の基板をステー
ジ上にて加熱し、紫外線及びオゾンを作用させて前記有
機化合物を分解・除去する紫外線処理装置において、前
記ステージの全面を加熱する第１の加熱手段と、基板の
角部に近接するステージの周縁部を加熱する第２の加熱
手段とを備えることを特徴とする。
明において、前記ステージは、基板の角部に近接する周
縁部の厚みが中央部の厚みより厚くなしてあることを特
徴とする。
ダメージを与えることなく、周縁部及び中央部において
厚みが異なる有機化合物を、略同じ処理時間で処理する
ことができる。また従来より処理時間が長くなることも
ない。
間隔が、基板の周縁部と中央部とで異なるように、周縁
部におけるステージの厚みを中央部のそれより厚くする
ことにより、空気とステージ材料との熱伝導率の差を利
用して、基板の角部の温度を高く維持する。これにより
上述の第１発明の作用を実現することができる。
ジの周縁部又は中央部と、基板との間に形成される両間
隔を調整してピンにて支持するので、基板の設定温度を
微調整することができる。また基板がピンにて支持され
ることにより、接触面積が小さく基板裏面の汚染を低減
することができる。
ージのヒータ温度を中央部におけるそれより高くするこ
とにより、上述の第１発明の作用を実現することができ
る。
とヒータ温度の差を併用することにより、基板の周縁部
と中央部との温度差を容易に拡大することができる。
き具体的に説明する。 実施例１．図１は、本発明に係る紫外線処理装置を示す
模式的縦断面図である。図中１は処理室であり、処理室
１内上部には波長 185nm及び 254nmの紫外線を放射する
紫外線ランプ２が配設されている。紫外線ランプ２の下
側には揺動機構に接続されたノズル管３が設置されてお
り、紫外線ランプ２の上側には反射板４が取り付けられ
ている。処理室１内底部には被処理物５を載置するため
の、熱伝導率が高いAl, 耐腐食性が高いステンレス鋼等
の材料からなるステージ６がテーブル９上に設置されて
いる。
中央部にはステージ６の外縁と同心正方形の凹部6aを有
する。またステージ６の下面には面状のヒータ７を備え
ている。面状のヒータ７としては、例えば２枚のマイカ
板の間にカーボン等の発熱砥粒を面状に備えるもの、又
は面状に蛇行させた電熱線をマイカ板で挟んだようなも
のがある。ステージ６，テーブル９間はバネ及び連結ネ
ジで連結されており、その間隔はその締代で調節可能と
なしてある。さらに凹部6aに対応する位置のテーブル９
には、セラミックスからなる数本のピン８がステージ６
及びヒータ７を貫通して固定されており、被処理物５は
このピン８にて支持される。ステージ６，テーブル９間
の間隔を前記連結ネジで変化させると、ステージ６の上
面とピン８の先端との高低差が変更され、これにより被
処理物５とステージ６との間隔が変更される。
す下面図である。紫外線ランプ２は、１本の管を複数回
蛇行させた態様をなした低圧水銀ランプである。ノズル
管３は、平行な２本の横管の間に複数の縦管が並設され
た形態をなし、各縦管の下面にはノズル孔3aが多数設け
られている。ノズル孔3aはスリット状の開口でもよい。
そして紫外線ランプ２の直管部分がノズル管３の前記縦
管と平行となるように設置されている。一の横管の両端
は屈曲せしめられて揺動機構30のスライドガイド部31に
連結されている。揺動機構30は、モータ32に連結された
リニアヘッド33にてスライドガイド部31を、内部に気体
通路を有するスライド軸34に沿って揺動させるようにな
っている。オゾンガスは、図示しないオゾン発生装置か
ら揺動機構の内部を通ってノズル管３の前記一の横管へ
供給され、これによりノズル管３は、縦管の並設方向に
揺動しながらオゾンガスを被処理物５へ向けて噴射す
る。
て、アッシングを行った結果について述べる。被処理物
５は、フォトマスクの製造途中のものである。即ち５イ
ンチ角，厚み0.09インチのガラス基板5a上に、厚み800
Åのクロム膜5b及び厚み100 〜200 Åの酸化クロム膜5c
が真空蒸着法にて形成されており、その表面にスピンコ
ートにて厚み5000Åのフォトレジスト（ポジ型ＥＢレジ
スト）5dが塗布されており、これらクロム膜5b，酸化ク
ロム膜5c, 及びフォトレジスト5dは露光によりパターン
化されている。但しフォトレジスト5dの厚みは周縁部が
中央部の約２倍である。
倍のアッシング速度が得られることが公知である。そこ
で本発明装置の具体的な構成は以下のようになしてあ
る。ステージ６は、Alからなり220 mm角である。凹部6a
は115 mm角，深さ１mmとする。従ってステージ６の中央
部（凹部6a下側）の厚みは24mmであり、周囲の厚みは25
mmである。そしてヒータ出力を700 Ｗとし、被処理物５
の周縁部とステージ６との間隔を0.1 mm（被処理物５の
中央部とステージ６との間隔を1.1 mm）として、被処理
面の温度が中央部において 150℃, 周縁部において 200
℃となるように調整する。またノズル管３からのオゾン
ガス流量は10リットル／分であり、紫外線ランプ２の出
力は670 Ｗである。そして上述した被処理物５を、図３
に示す如く、ステージ６に対し平面内で45度回転させ、
被処理物５の角部の温度が高くなるようにしてアッシン
グ処理を行った。
部及び周縁部のフォトレジスト5dを全て除去することが
できた。また下地であるクロム膜5bについては光の透過
率の変化が見られず、また酸化クロム膜5cが蒸発するこ
となく残っており、均質なフォトマスクが得られた。な
おウエハ上のフォトレジストをアッシング処理した場合
でも、ウエハにダメージを与えることなく、中央部及び
周縁部について面内均一に処理することができる。
理装置の他の実施例を示す模式的平面図であり、図３に
相当する。本実施例では、制御装置９にてヒータ７とは
別に出力制御されるヒータ10を周縁部に備える。その他
の構成は実施例１と同様である。このようにヒータ７に
てステージ６の全面を加熱し、ステージ６の周縁部をヒ
ータ10にて別途加熱する構成とすることにより、ステー
ジ６の厚みの差を大きくしなくても中央部と周縁部との
温度格差をさらに拡大することができる。本実施例にお
いてもステージ６に対し、被処理物５を平面内で45度回
転させ、被処理物５の角部の温度が特に高くなるように
してアッシング処理を行うとよい。本実施例は、中央
部，周縁部におけるフォトレジスト5dの厚みの差が大き
い場合に適する。
ージ６の厚みを一定とし、ステージ６の全面を加熱する
ヒータ７及び周縁部を加熱するヒータ10を備える構成に
よっても、被処理物５の周縁部を中央部より高い温度を
維持することができ、実施例１と同様な効果が得られ
る。
をアッシング処理しているが、長方形のものにも適用可
能である。
度を中央部の温度より高く維持しながら紫外線処理す
る。例えば基板側のステージ面に凹凸を設けて基板との
間隔を変える構成では、ステージの形状を変えるだけで
基板の部分的加熱温度を変更することができるので回路
装置等の追加を要しない。また周縁部を加熱する第２の
加熱手段を備えた場合は、周縁部温度の調整が容易に行
える。このようにして紫外線処理を行うと、有機化合物
の厚みが異なる周縁部及び中央部の処理に要する時間の
差が短縮され、また有機化合物下の層に悪影響を及ぼす
ことがないので、面内均一処理及び品質劣化の削減を処
理時間を延長することなく実現することが可能である
等、本発明は優れた効果を奏する。
面図である。
る。
す模式的平面図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 平面視矩形の基板上に塗布された有機化
合物を、紫外線及びオゾンの作用により分解・除去する
紫外線処理方法において、基板の角部の温度を中央部の
温度より高く維持しつつ紫外線を照射することを特徴と
する紫外線処理方法。 - 【請求項２】 その表面に有機化合物が塗布された平面
視矩形の基板をステージ上にて加熱し、紫外線及びオゾ
ンを作用させて前記有機化合物を分解・除去する紫外線
処理装置において、前記ステージは、基板の角部に近接
する周縁部の厚みが中央部の厚みより厚くなしてあるこ
とを特徴とする紫外線処理装置。 - 【請求項３】 前記ステージとの間隔を調節して前記基
板を支持するためのピンを備えることを特徴とする請求
項２記載の紫外線処理装置。 - 【請求項４】 その表面に有機化合物が塗布された平面
視矩形の基板をステージ上にて加熱し、紫外線及びオゾ
ンを作用させて前記有機化合物を分解・除去する紫外線
処理装置において、前記ステージの全面を加熱する第１
の加熱手段と、基板の角部に近接するステージの周縁部
を加熱する第２の加熱手段とを備えることを特徴とする
紫外線処理装置。 - 【請求項５】 前記ステージは、基板の角部に近接する
ステージの周縁部の厚みが中央部の厚みより厚くなして
あることを特徴とする請求項４記載の紫外線処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9532195A JP3511728B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 紫外線処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9532195A JP3511728B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 紫外線処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08283439A true JPH08283439A (ja) | 1996-10-29 |
| JP3511728B2 JP3511728B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=14134486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9532195A Expired - Fee Related JP3511728B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | 紫外線処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3511728B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002036259A1 (fr) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Photoreacteur a rayonnement uv excimere |
| WO2004055879A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | オゾン処理装置 |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP9532195A patent/JP3511728B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002036259A1 (fr) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | Photoreacteur a rayonnement uv excimere |
| WO2004055879A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | オゾン処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3511728B2 (ja) | 2004-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5344522A (en) | Pattern forming process and process for preparing semiconductor device utilizing said pattern forming process | |
| KR20040105567A (ko) | 유기층 제거 방법 및 장치 | |
| US4741800A (en) | Etching method for the manufacture of a semiconductor integrated circuit | |
| JPH07253677A (ja) | 光オゾンアッシャ，光アッシング方法，及び半導体装置の製造方法 | |
| TW200307323A (en) | Method of removing resist using functional water and device thereof | |
| KR0170558B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
| JP3511728B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
| KR20000036020A (ko) | 레이저에 의한 기판 표면의 이물질 제거 방법 | |
| TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
| JP3663674B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
| JP3653735B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JP3878577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05304084A (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JP4234707B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JPH04307734A (ja) | アッシング装置 | |
| JP2579346Y2 (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPH07254556A (ja) | パターン形成方法および形成装置 | |
| JPH0794450A (ja) | 局所アッシング装置 | |
| JPH05283346A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3852627B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
| JPS63234526A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JPH06333814A (ja) | アッシング装置 | |
| KR100621788B1 (ko) | 오존 애셔 장치 | |
| JPH10199857A (ja) | 紫外線処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031229 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |