WO2002017504A1 - Module de commutation stratifié à haute fréquence - Google Patents

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WO2002017504A1
WO2002017504A1 PCT/JP2001/007186 JP0107186W WO0217504A1 WO 2002017504 A1 WO2002017504 A1 WO 2002017504A1 JP 0107186 W JP0107186 W JP 0107186W WO 0217504 A1 WO0217504 A1 WO 0217504A1
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WO
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circuit
frequency switch
switch module
transmission
capacitor
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/007186
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English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Tai
Shigeru Kemmochi
Mitsuhiro Watanabe
Original Assignee
Hitachi Metals, Ltd.
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Priority to EP01958401A priority patent/EP1313227B1/en
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching
    • H04B1/48Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter

Definitions

  • the present invention relates to a laminated high-frequency switch module used in a high-frequency band such as a microwave band, for controlling a signal path between a transmitting circuit and a receiving circuit of a plurality of transmitting / receiving systems and an antenna, and particularly from a transmitting circuit.
  • the present invention relates to a laminated high-frequency switch module having a function of detecting the power of a transmitted transmission signal.
  • GSM Global System for Mobile Communications
  • DCS1800 Digital Cellular System 1800
  • PCS Personal Communications Services
  • PDC Personal Digital Cellular
  • a mobile phone that supports multiple systems in this way is called a multi-port mobile phone, and is distinguished from a single-band mobile phone that supports only a single system.
  • a transmission system for each system for example, a filter that passes a transmission signal of a desired transmission frequency
  • a high-frequency switch for switching the transmitting and receiving circuits and an antenna for transmitting and receiving the transmitting and receiving signals are required.
  • a high-frequency circuit component such as a filter for passing a desired frequency among the received signals that have passed through the high-frequency switch is required.
  • FIG. 25 is a block diagram showing a basic configuration of a transmission unit of such a multi-band mobile phone.
  • This multi-band mobile phone has an antenna duplexer so that multiple systems can share one antenna, followed by multiple directional couplers CPn, detector diodes DKn, error amplifiers AEn, high-frequency amplifiers PAn, etc. Is provided.
  • the output end of the directional coupler CPn is connected to the detection diode DKn, and the transmission output level is controlled so that the power of the detected transmission signal becomes the target transmission output level.
  • the gain of the high-frequency amplifier PAn is not constant within the frequency band of the system, and may also fluctuate depending on the environmental temperature and the power supply voltage. Therefore, a chip-type directional coupler was mounted in each system, and an output proportional to the high-frequency signal was taken out by a connection line on the circuit board, and the output power of the high-frequency amplifier was detected.
  • components such as a directional coupler and a detection diode used in each system are duplicated. Since these discrete components are mounted on a circuit board, the transmission section of the multi-band mobile phone becomes large, and as a result, the mobile phone as a whole also becomes large. In addition, since the discrete components are connected by the connection lines on the circuit board, there is a problem that the characteristics of the transmission unit are deteriorated due to the loss of the connection lines.
  • the major issues for multi-band mobile phones that require further miniaturization are the increase in mounting area due to the increase in the number of components, the addition of accessory components such as matching capacitors and inductors for impedance matching between components, and an increase in insertion loss. And so on. Purpose of the invention
  • a laminated high-frequency switch module switches between a transmitting circuit and a receiving circuit of a plurality of different transmitting / receiving systems, and includes a duplexer that separates signals of a plurality of transmitting / receiving systems; A plurality of high-frequency switch circuits for switching a signal path of a reception signal coming from a transmitter to a reception circuit and a signal path of a transmission signal coming from a transmission circuit to the duplexer; and a means for detecting power of the transmission signal coming from the transmission circuit.
  • the laminate comprises a plurality of dielectric layers having an electrode pattern
  • the duplexer, the high-frequency switch circuit, and the power detection means comprise the electrode pattern in the laminate. Is characterized by the following.
  • the high-frequency switch circuit has a diode, a first distributed constant line and a first capacitor as main elements, the duplexer has a second distributed constant line and a second capacitor as main elements, and the filter circuit Has a third distributed parameter line and a third capacitor as main elements, and at least a part of the first to third distributed parameter lines and the first to third capacitors is It is preferably constituted by an electrode pattern, and the diode is preferably mounted on the surface of the laminate.
  • a laminated high-frequency switch module according to a second embodiment of the present invention switches between transmission circuits and reception circuits of a plurality of different transmission / reception systems, and includes a high-frequency switch circuit for switching a signal path of the plurality of transmission / reception systems, and the high-frequency switch circuit.
  • the laminate is configured by a plurality of dielectric layers having an electrode pattern, and the duplexer, the high-frequency switch circuit, and the power detection unit are configured by the electrode pattern in the laminate. It is characterized by the following.
  • the high-frequency switch circuit switches the signal paths of the plurality of transmission / reception systems to a transmission path and a reception path, and one of the duplexers acts to transmit the reception signal to one of the plurality of reception systems.
  • the demultiplexer functions to transmit a transmission signal coming from one operating transmission system among a plurality of transmission systems to the high-frequency switch circuit.
  • the high-frequency switch circuit has a field-effect transistor as a main element, and the field-effect transistor is mounted on a surface of the laminate.
  • the power detection means is a directional coupling circuit or a capacitive coupling circuit.
  • the directional coupling circuit has a fourth distributed constant line as a main element, and at least a part of the fourth distributed constant line is configured by the electrode pattern in the laminate.
  • the fourth distributed constant line is composed of a main line arranged in a signal path to a duplexer of a transmission signal coming from a transmission circuit, and a sub line arranged to be parallel to or opposed to the main line.
  • the main line may be constituted by a third distributed constant line of the filter circuit.
  • the capacitive coupling circuit has a fifth capacitor as a main element, and at least a part of the fifth capacitor is configured by the electrode pattern in the laminate.
  • the fifth capacitor is arranged in parallel with a signal path to a duplexer for a transmission signal coming from the transmission circuit.
  • the automatic gain control circuit compares the power detection result of the transmission signal by the directional coupling circuit or the capacitive coupling circuit with the power to be transmitted, and based on the comparison result, the variable gain amplifier Increase or decrease the gain.
  • the automatic gain control circuit includes a detector and an error amplifier, and a plurality of transmission / reception systems share one error amplifier.
  • the high-frequency amplifier includes an amplifier circuit having a transistor, an input matching circuit connected to an input side of the amplifier circuit, and an output matching circuit connected to an output side of the amplifier circuit.
  • Each has a capacitor and a inductor, and the transistor of the amplifier circuit is preferably mounted on the surface of the laminate. At least a part of the inductor is provided in the laminate as a distributed constant line. It is preferably formed. Further, it is preferable that at least a part of the capacitor is formed by a capacitor electrode opposed to the dielectric layer with the dielectric layer interposed therebetween. Further, the transistor of the amplifier circuit is preferably a field effect transistor.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a circuit of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the laminated high-frequency switch module according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of a laminated high-frequency switch module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of a laminated high-frequency switch module according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of a laminated high-frequency switch module according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit of a laminated high-frequency switch module according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing a laminated high-frequency switch module of the present invention
  • FIG. 8 is a perspective view showing a laminated body used for the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 9 is an exploded view showing a plurality of dielectric layers constituting a laminate used in the laminate type high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 10 is a graph showing an example of the insertion loss characteristic between TX1 and ANT according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 11 is a graph showing an example of an insertion loss characteristic between ANT-X1 according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 12 is a rough diagram showing an example of a force coupling characteristic between TX1 and PDP1 according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention
  • FIG. 13 is a graph showing an example of an isolation characteristic between TX1 and RC according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 14 is a graph showing an example of an input loss characteristic between TX2 and ANT according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 15 is a graph showing an example of the insertion loss characteristic between ANT-RX2 according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • Figure 16 is a graph showing an example of a force Ppuringu JP I 1 Raw between TX2 -PDP1 according to an embodiment of the laminate-type high-frequency switch module of the present invention
  • FIG. 17 is a graph showing an example of the isolation characteristic between TX2 and RC according to an embodiment of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 18 is a block diagram showing another example of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing another equivalent circuit of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 20 is a circuit block diagram showing another example of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 21 is a diagram showing an equivalent circuit of another example of the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 22 is a diagram showing an equivalent circuit of an example of an amplifier circuit used in the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram showing an equivalent circuit of another example of the amplifier circuit used in the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram showing an equivalent circuit of an example of a high-frequency amplifier used in the laminated high-frequency switch module of the present invention.
  • FIG. 25 is a block diagram showing a circuit of a conventional laminated high-frequency switch module. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the first transmission and reception system is GSM (transmission frequency 880 to 915 MHz, reception frequency 925 to 960 MHz)
  • the second transmission and reception system is DCS1800 (transmission frequency 1710 to 1785 MHz, reception frequency
  • the present invention is not limited to this case.
  • PCS transmission frequency: 1850 to: L910 MHz, reception frequency: 1930 to: 1990 MHz
  • TDMA Time Division Multiple Access
  • CDMA Code Division Multiple Access
  • W-CDMA Wideband CDMA
  • FIG. 1 is a block diagram showing an example of a laminated high-frequency switch module according to the present invention.
  • the laminated high-frequency switch module includes a first filter circuit F1 and a second filter circuit that split a signal incident from the antenna ANT into a first transmission / reception system reception signal and a second transmission / reception system reception signal.
  • a first duplexer which is disposed after the first filter circuit F1 and switches the first transmitting / receiving system transmitting circuit TX1 and receiving circuit RX1 by an external voltage supplied from the control circuit VC1.
  • the switching circuit SW1 and the second transmitting and receiving circuit TX2 and the receiving and transmitting circuit RX2 of the second transmitting and receiving system are arranged at the subsequent stage of the second filter circuit F2 by the external voltage supplied from the control circuit VC2.
  • This is a laminated high-frequency switch module including a second switch circuit SW2 for switching between the two, a power detection unit for a transmission signal coming from the transmission circuit, and a variable gain amplifier circuit.
  • a directional coupling circuit or a capacitive coupling circuit is preferable as the power detection means.
  • FIGS. Fig. 2 is an equivalent circuit diagram of a laminated high-frequency switch module using a directional coupling circuit as the transmission power detecting means.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a laminated high-frequency switch module using a capacitive coupling circuit as the transmitting power detecting means. It is.
  • the first and second filter circuits connected to the antenna ANT are distributed constants, respectively. It is composed of a line and a capacitor.
  • the first finolator circuit F1 which passes GSM transmission / reception signals but attenuates DCS1800 transmission / reception signals, has a low-pass filter.
  • the second filter circuit F2 for attenuating the signal has a high-pass filter.
  • the low-pass filter F1 includes a distributed constant line LF1 and a capacitor CF1, which are connected in parallel, and a capacitor CF3, which is connected between them and the ground.
  • the high-pass filter F2 is composed of a distributed constant line LF2 and a capacitor CF2 connected in parallel, a distributed constant line LF3 connected between them and the ground, and a capacitor CF connected in series with the distributed constant line LF2 and the capacitor CF2. Consists of four. With such a configuration, the received signals of the first transmitting / receiving system and the second transmitting / receiving system can be separated.
  • the distributed constant line and the capacitor constituting the duplexer are preferably constituted by an electrode pattern formed on a dielectric layer constituting the laminate.
  • the following configurations a to b can also be adopted.
  • the first filter circuit is composed of a notch filter and the second filter circuit is composed of a band-pass filter;
  • the first filter circuit is composed of a low-pass filter
  • the second filter circuit is composed of a band-pass filter
  • the first filter circuit is formed of a notch filter and the second filter circuit is formed of a high-pass filter;
  • a first switch circuit SW1 that is disposed after the first and second filter circuits and switches between the GSM transmission circuit TX1 and the reception circuit RX1, and a second switch circuit that switches between the transmission circuit TX2 and the reception circuit RX2 of the DCS1800
  • the switch circuit SW2 has a diode and a distributed constant line as main components, respectively.
  • the first switch circuit SW1 is an upper switch circuit in FIG. 2 and switches between a GSM transmission circuit TX1 and a reception circuit: RX1.
  • the switch circuit SW1 has two diodes DG1 and DG2 and two distributed constant lines LG1 and LG2 as main components, and the diode DG1 is arranged between the input / output terminal IP1 of the transmission / reception signal of GSM and the transmission circuit TX1. I have.
  • the anode of the diode DG1 is connected to the input / output terminal IP1, and the distributed constant line LG1 is connected between the force sword of the diode DG1 and the ground.
  • a distributed constant line LG2 is connected between the input / output terminal IP1 and the receiving circuit K1, and a cathode of a diode DG2 is connected between one end of the distributed constant line LG2 on the receiving circuit RX1 side and ground,
  • the capacitor CG6 is connected between the anode of the diode DG2 and the ground, and the series circuit of the inductor LG and the resistor RG is connected between the anode of the diode DG2 and the control circuit VC1.
  • Each of the distributed constant lines LG1 and LG2 has a line length such that its resonance frequency is within the frequency band of the GSM transmission signal.
  • the low-pass filter circuit inserted between the first filter circuit F1 and the transmission circuit TX1 is composed of a distributed constant path and a capacitor.
  • a ⁇ -type single-pass filter composed of a distribution constant line LG3 and capacitors CG3 and CG4 S CG7 is placed between the diode DG1 and the distributed constant line LG1.
  • the second switch circuit is the lower switch circuit in FIG. 2 and switches between the receiving circuit RX2 and the transmitting circuit TX2 of the DCS1800.
  • the switch circuit SW2 is The main components are two diodes DP1 and DP2 and two distributed constant lines LP1 and LP2, and a diode DPI is placed between the input / output terminal IP2 of the transmission / reception signal of the DCS1800 and the transmission circuit TX2.
  • the DPI node is connected, and a distributed parameter line LP1 is connected between the force sword of the diode DPI and the ground.
  • a distributed constant line LP2 is connected between the input / output terminal IP2 and the receiving circuit; RX2, and a cathode of the diode DP2 is connected between one end of the distributed constant line LP2 on the receiving circuit HX2 side and ground.
  • a capacitor CP6 is connected between the anode of the diode DP2 and the ground, and a series circuit including an inductor LP and a resistor RP is connected between the anode of the diode DP2 and the control circuit VC2.
  • Each of the distributed parameter lines LP1 and LP2 has a line length such that its resonance frequency is within the frequency band of the transmission signal of the DCS1800.
  • the low-pass filter circuit inserted between the second filter circuit F2 and the transmission circuit TX2 is composed of a distribution constant line and a capacitor.
  • a ⁇ -type low-pass filter composed of distributed constant line LP3 and capacitors CP3, CP4, and CP7 is inserted between diode DPI and distributed constant line LP1. .
  • the low-pass filter circuit is formed as a composite between the elements constituting the switch circuit, but may be arranged at any of the subsequent stage and the preceding stage of the switch circuit.
  • the distributed constant line and the capacitor constituting the switch circuit are preferably constituted by electrode patterns on the dielectric layers constituting the laminate.
  • the directional coupling circuit arranged after the switch circuit has a distributed constant line as a main component.
  • the first directional coupling circuit extracts a part of the GSM transmission signal, detects the power of the transmission signal coming from the transmission circuit TX1, and serially connects the transmission circuit TX1 and the distributed constant line LG3.
  • the connected distributed parameter line LG4 is the main line, and the distributed parameter line LC1 coupled to it is the sub-line.
  • the second directional coupling circuit extracts a part of the transmission signal of the DCS1800 and detects the power of the transmission signal coming from the transmission circuit.
  • the transmission circuit TX2 and the distributed constant The distributed parameter line LP4 connected in series with the line LP3 is a main line, and the distributed parameter line LC1 is a common sub-line with the first directional coupling circuit. One end of the distributed parameter line LC1 is grounded via a resistance almost equal to the characteristic impedance. In a dual-band mobile phone, high-frequency signals corresponding to two systems (for example, GSM and DCS1800) are not transmitted simultaneously.
  • the distributed constant lines LG4, LP4, and LCI for the directional coupling device are composed of electrode patterns in a laminate formed by laminating dielectric sheets having electrode patterns, and the distributed constant line LC1 is the distributed constant line LG4. Partially opposes LP4 in the stacking direction via a dielectric layer. Further, the distribution constant line LC1 may be opposed to the distributed constant lines LG4 and LP4 in the same layer.
  • a directional coupling circuit is constructed by using a distributed constant line that constitutes a low-pass filter circuit as the main line and arranging multiple lines so as to couple with this. May be.
  • the high-frequency amplifier including the main line of the directional coupling circuit is designed so that the impedance at the time of reception as viewed from the high-frequency amplifier side is almost open. It is preferable to set the connection line length because the isolation characteristics of the antenna ANT from the transmission terminal TX during reception are improved.
  • the connection line length with the high-frequency amplifier including the main line of the directional coupling circuit is , ( ⁇ . ⁇ 6 ⁇ ⁇ , 3) + ⁇ ⁇ / 2 ( ⁇ is an integer) Is preferred.
  • FIG. 22 is a block diagram showing an amplifier circuit connected to or integrated with the laminated high-frequency switch module.
  • this variable gain amplifier circuit a part of the transmission signal extracted from the coupling terminal PDP1 is attenuated by the attenuator 16 having resistance (used as necessary) to a power that can be handled by the subsequent circuit.
  • the detection signal After being rectified by the detection diode DK1 in the detector 15, the detection signal is converted into a voltage by the smoothing capacitor CK1 and the load resistor RK1, and is input to the control circuit 12.
  • the detection signal is input to one error amplifier EA1 and compared with a control signal representing a predetermined transmission signal level, and is fed back to the variable gain amplifier DA1 or DA2 so as to reduce this difference, and the gain is increased or decreased. It is controlled to the target transmission power level.
  • the detector 15 and the control circuit 12 constitute an automatic gain control circuit (APC).
  • variable gain amplifier circuit By sharing the detector 15, control circuit 16, etc. in multiple systems compared to conventional amplifier circuits, the number of component parts of the variable gain amplifier circuit can be reduced and the circuit can be downsized. Accordingly, the overall dimensions of the laminated high-frequency switch module to be combined can be reduced.
  • the transistors and MMICs Microwave Monolithic Integrated Circuits
  • PA1 and PA2 consume large amounts of power and generate large amounts of heat. Therefore, the detector 15 is equipped with a temperature-sensitive element (thermistor) to guarantee temperature fluctuations. Alternatively, the temperature characteristics of the detector 15 may be managed.
  • FIG. 23 is a block diagram showing an amplifier circuit connected to or integrated with a laminated high-frequency switch module having two force pulling terminals as shown in FIG.
  • the difference from the above amplifier circuit is that, because it has two coupling terminals (PDP1 and PDP2), the power extracted from the coupling terminals PDP1 and PDP2 is input to two detection diodes DK1 and DK2, respectively, and rectified. And the smoothing capacitor CK1 and the negative This is the point where it is input to the common error amplifier EA1 as a detection signal whose voltage has changed due to the load resistance RK1. Also in this case, the number of components of the amplifier circuit can be reduced as compared with the related art, and the circuit can be made smaller.
  • FIG. 24 shows an example of an equivalent circuit of a high-frequency amplifier used in the amplifier circuit, which includes an input matching circuit having an inductor 19 and a capacitor 18, an output matching circuit 26 having an inductor 20 and a capacitor 21, a resistor and a capacitor. And oscillation stabilizing circuits 24 and 25 each including an inductor and a field effect transistor.
  • a field-effect transistor 27 that constitutes a high-frequency amplifier is mounted on the surface of the multilayer body, and inductors that constitute the input matching circuit 23 and the output matching circuit 26 are distributed constant lines (formed on a dielectric layer that constitutes the multilayer body).
  • the capacitor is formed by the capacitor electrodes facing each other across the dielectric layer in the laminate, and the detection diode DK1 etc. that constitutes the APC circuit is formed on the surface of the laminate.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a laminated high-frequency switch module using a capacitive coupling circuit as a means for detecting the power of a transmission signal.
  • the capacitive coupling circuit located downstream of the switch circuit has a capacitor as the main component.
  • the first capacitive coupling circuit consists of a capacitor CC1 connected in parallel with the capacitor CG2 between the capacitor CG2 and the distributed constant line LG3, and extracts a part of the transmission signal of the GSM transmission circuit TX1 and transmits it. This circuit detects the power of the transmission signal coming from the circuit TX1.
  • the second capacitive coupling circuit is composed of a capacitor CC2 connected in parallel with the capacitor CP2 between the capacitor CP2 and the distributed parameter line LP3, extracts a part of the transmission signal of the transmission circuit TX2 of the DCS1800, and This is to detect the power of the transmitted signal coming from.
  • Capacitors CC1 and CC2 are connected to the electrode pattern formed on the dielectric layer that constitutes the laminate.
  • the electrode patterns face each other via a dielectric layer in the stacking direction and are coupled by electrostatic capacitance to form a capacitive coupling circuit.
  • the degree of capacitive coupling can be adjusted variously according to factors such as the area of the electrode pattern of the capacitor constituting the capacitive coupling circuit, the facing distance, the dielectric constant of the intervening dielectric layer, and the like.
  • the capacitors CC1 and CC2 may be formed by connecting the electrode patterns in parallel in the same layer so as to face each other, and in this case, various degrees of coupling can be obtained by the edge lengths of the facing electrode patterns. .
  • the stacked high-frequency switch module according to the present invention is configured such that an external voltage is supplied from a power supply means (control circuit) to control the diode switch to be in an on / off state. Choose one.
  • control circuit control circuit
  • a positive voltage is supplied from the control circuit VC1.
  • the positive voltage supplied from the control circuit VC1 is applied to the circuit including the diodes DG2, DG1 by applying a DC component to the capacitors CG6, CG5, CG4, CG7, CG3, CG2, and CGI.
  • DG1 turns ON.
  • the diode DG1 is turned on, the impedance between the first transmitting circuit TX1 and the connection point IP1 decreases.
  • the distributed parameter line LG2 is resonated by being grounded at a high frequency, and the impedance seen from the connection point IP1 to the first receiving circuit RX1 is very large. Become. Therefore, the transmission signal coming from the first transmission circuit TX1 is transmitted to the first filter circuit F1 without leaking to the first reception circuit RX1.
  • APC automatic gain control circuit
  • a positive voltage is supplied from the controller VC2.
  • the positive voltage supplied from the control circuit VC2 is cut off the DC component by the capacitors CP6, CP5, CP4, CP7, CP3, CP2 and CF4, and is applied to the circuit including the diodes DP2 and DPI, and the diode DP2 , DPI is turned on.
  • the diode DPI is turned on, the impedance between the second transmitting circuit TX2 and the connection point IP2 is reduced.
  • the distribution constant line LP2 is grounded at a high frequency to cause resonance, and the impedance seen from the connection point IP2 to the second reception circuit RX2 is very large. Become. Therefore, the transmission signal coming from the second transmission circuit TX2 is transmitted to the second filter circuit F2 without leaking to the second reception circuit RX2.
  • the voltage of the controller VC2 becomes zero.
  • the diodes DP1 and DP2 are turned off.
  • the connection point IP2 and the second reception circuit RX2 are connected via the distributed constant line LP2 by the diode DP2 in the OFF state.
  • the diode DPI is turned off, the communication between the connection point IP2 and the second transmission circuit TX2 is performed. Impedance increases. Therefore, the reception signal coming from the second filter circuit F2 is transmitted to the second reception circuit RX2 without leaking to the second transmission circuit TX2.
  • FIG. 7 is a plan view of a laminated body type high-frequency switch module according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 8 is a perspective view of the laminated body portion
  • FIG. 9 is an exploded view showing the internal structure of the laminated body.
  • the first and second filter circuits, the one-pass filter circuit, the distributed constant line of the switch circuit, and the distributed constant line of the directional coupling circuit are formed in a laminate, and a diode and a built-in Chip capacitors with high capacitance values, which cannot be obtained, are mounted on a multilayer body to form a one-chip multilayer high-frequency switch module.
  • This laminate is formed by printing a conductive paste mainly composed of Ag on a green sheet having a thickness of 20 ⁇ to 200 ⁇ made of a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature to form a desired electrode pattern. Green sheets having a pattern are appropriately laminated and fired to be integrated.
  • the width of the line electrode is approximately 100 ⁇ to 400 ⁇ .
  • the ground electrode 31 is formed on almost the entire surface of the lowermost Darine sheet 15 and is connected to the terminal electrodes 81, 83, 85, 87, 89, 91, 95, 96 formed on the side surfaces. Department is provided.
  • a dummy green sheet 14 on which no electrode pattern is printed is laminated on the green sheet 15.
  • the green sheet 13 laminated thereon has three line electrodes 41, 42, 43 formed thereon, and the green sheet 12 laminated thereon has four line electrodes 44, 45, 46, 47 formed thereon.
  • a green sheet 11 on which four through-hole electrodes (shown by black circles in the figure) are formed is laminated on the green sheet 12, and four through-hole electrodes and an electrode 61 for a capacitor are formed thereon. Further, the green sheet 9 on which the ground electrode 32 is formed is laminated.
  • Line electrodes formed in the area between the two ground electrodes 31 and 32 are connected appropriately Thus, distributed constant lines for the first and second switch circuits SW1 and SW2 are formed.
  • the line electrodes 42 and 46 are connected by through-hole electrodes to form a distributed constant line LG1 of an equivalent circuit.
  • the line electrodes 43 and 47 are connected by through-hole electrodes to form a distributed constant line LG2 of an equivalent circuit.
  • 41 and 44 are connected by through-hole electrodes, and constitute a distributed constant line LP1 of an equivalent circuit, and the line electrode 45 constitutes a distributed constant line LP2 of an equivalent circuit.
  • Electrodes 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69 for capacitors are formed on the green sheet 8 laminated on the Darling sheet 9.
  • electrodes 70, 71, 72, 73 for capacitors are also formed.
  • a capacitor electrode 74 is formed on the green sheet 6 laminated thereon.
  • a green sheet 5 on which line electrodes 48, 49, 50, and 51 are formed is further laminated thereon, and a dull sheet 4 on which line electrodes 52, 53, 54, 55, 56, and 57 are formed is laminated thereon. I do.
  • a green sheet 3 on which line electrodes 58, 59 and 60 are formed is laminated thereon.
  • a green sheet 2 on which connection line electrodes are formed is laminated thereon.
  • On the uppermost green sheet 1, lands for connecting on-board elements are formed.
  • Each of the ten capacitor electrodes 61 and the ground electrode 32 form a capacitance.
  • the capacitor electrode 62 forms a capacitor CP3
  • the capacitor electrode 63 forms a capacitor CP4
  • the capacitor electrode 65 forms a capacitor CG4
  • the capacitor electrode 64 forms a capacitor CG3.
  • the capacitor electrode 67 forms a capacitor CF3
  • the capacitor electrode 69 forms a capacitor CP6, and the capacitor electrodes 61 and 66 form a capacitor CG6.
  • the capacitor electrodes formed on the green sheets 6, 7, and 8 form a capacitance between each other, a capacitor CF4 is formed between the capacitor electrodes 68 and 73, and similarly, between the capacitor electrodes 62, 63, and 70.
  • Capacitor CP7 is configured
  • capacitor CF1 is configured between capacitor electrodes 72 and 74
  • capacitor CF3 is configured between capacitor electrodes 73 and 74.
  • the capacitor electrode 73 forms a capacitance in opposition to the capacitor electrode 68, but a notch is formed in the ground electrode 32 so as not to face the ground electrode 32.
  • a through-hole electrode that conducts to the distributed constant line is formed by using the notch.
  • the line electrodes 52 and 58 constitute the distributed constant line LF1
  • the line electrodes 48, 53, and 59 constitute the distributed line LF2
  • the line electrodes 51 and 57 constitute the distributed line LF3.
  • the line electrodes 50 and 56 constitute a distributed constant line LG3
  • the line electrodes 55 and 61 constitute a distributed constant line LP3.
  • the line electrode 60 forms a distributed parameter line LP4, and the line electrode 49 forms a distributed parameter line LG4.
  • the line electrodes of the green sheet 2 are wiring lines.
  • the line electrode 54 constituting the distributed parameter line LC1 partially faces the line electrode 60 formed on the green sheet 3 and the line electrode 49 formed on the green sheet 5 in the laminating direction.
  • a directional coupler is constituted by those opposing portions.
  • One end of the line electrode 54 is led out to the outer surface of the multilayer body through a through hole, and is connected to a chip resistor RC substantially equal to the characteristic impedance.
  • Terminal electrodes 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96 are formed on the side surfaces of the laminate 100.
  • Fig. 8 shows the appearance of the obtained laminate 100.
  • FIG. 7 is a plan view showing a state where these elements are mounted. Fig. 7 also shows the mounting configuration (connection structure of each terminal) of this laminated high-frequency switch module.
  • GND means a terminal connected to the ground.
  • the distributed constant lines CG5, CP5, LG, and LP are formed on the chip component mounting circuit of this embodiment.
  • the switch circuit and the duplexer In addition, interference with the low-pass filter circuit is prevented. If the area sandwiched by the ground electrodes is arranged at the bottom of the laminate, the ground potential can be easily obtained.
  • An electrode that constitutes a capacitor connected to the ground is formed so as to face the upper ground electrode.
  • each terminal is formed on the side surface of the laminate, surface mounting is possible.
  • the terminals on the side are the ANT terminal, the TX2 terminal of the DCS1800, the TX1 terminal of the GSM, the RX1 terminal of the GSM, the RX2 terminal of the DCS1800, the coupling terminal, the ground terminal GND, and the control terminals VC1 and VC2, respectively.
  • At least one ground terminal is arranged on each side surface of the laminate 100.
  • the TX2 terminal of the DCS and the TX1 terminal of the GSM are on the opposite side of the ANT terminal from which the laminate 100 is bisected by a plane perpendicular to the mounting surface. And the RX1 terminal of GSM and the RX2 terminal of DCS.
  • a transmission TX terminal group is formed on one end, and a reception RX terminal group is formed on the other end.
  • the ANT terminal, the TX terminal group, and the RX terminal group are sandwiched between the ground terminals.
  • VC1 and VC2 are also sandwiched between ground terminals.
  • Table 1 shows the control logic of each control circuit VC1 and VC2 of the laminated high-frequency switch module of this embodiment. This changes the mode of GSM and DCS1800.
  • FIG. 18 is a circuit block diagram of a laminated high-frequency switch module of the present invention
  • FIG. 19 is a diagram showing an example of an equivalent circuit thereof.
  • the first and second filter circuits and the first switch circuit SW1 of the first transmission / reception system are equivalent in circuit to the first embodiment.
  • the second switch circuit SW2 includes one switch circuit SW2-1 for switching between the reception circuit RX2 of the second transmission / reception system (DCS1800) and the reception circuit RX3 of the third transmission / reception system (PCS), and the transmission circuit of DCSZPCS. It has another switch circuit SW2-2 that switches between TX2 and switch circuit SW2-1.
  • the switch circuit SW2-1 for switching between the DCS receiving circuit KX2 and the PCS receiving circuit RX3 has two diodes DP3 and DP4 and two distributed constant lines LP5 and LP6 as main components.
  • another switch circuit SW2-2 for switching between the DCS / PCS transmission circuit TX2 and the switch circuit SW2-1 is arranged in front of the switch circuit SW2-1.
  • This switch circuit SW2-2 has two diodes DP1, DP2 and two distributed constant lines LP1, LP2 as main components.
  • Table 2 shows the control logic of each control circuit VC1, VC2, VC3 of the laminated high-frequency switch module of this embodiment. This control logic changes each mode of GSM, DCS and PCS. Table 2
  • the impedance matching circuit that was conventionally required is unnecessary, and in each communication mode, excellent input loss characteristics and isolation characteristics can be obtained in a desired frequency band, and a transmission power detection function is provided. Also, a compact and high-performance laminated high-frequency switch module can be obtained. '' (3) Third embodiment
  • the laminated high-frequency switch module has a high-frequency switch (SPDT switch) SW at the subsequent stage of the antenna, and the high-frequency switch SW has a transmission signal path and a reception signal path of two transmission / reception systems. And. There are two duplexers downstream of the high-frequency switch SW, and one duplexer DIP1 is connected to the two transmission systems TX1 and ⁇ 2, and combines transmission signals.
  • the term “combining transmission signals” means passing transmission signals transmitted from one operating transmission system among a plurality of transmission systems TXl, # 2.
  • the other splitter DIP2 is connected to the two reception systems RX1 and RX2, and splits the received signal.
  • the stacked high-frequency switch module also includes a power detection unit (for example, a directional coupling circuit) PD for a transmission signal coming from the transmission circuits TXl and TX2.
  • this high-frequency switch forms a switch circuit using four transistor FETs.
  • Transistors FET1 and FET4 are turned on during transmission, and transistors FET2 and FET3 are turned off. Turn on the FET2 and FET3, and turn off the transistors FET1 and FET, and switch between the transmission circuit and the reception circuit.
  • the duplexers MP1 and DIP2 are connected to the transmitting circuit side and the receiving circuit side, respectively.
  • a directional coupler is further arranged downstream of the duplexer DIP1 arranged on the transmission circuit side.
  • a duplexer a distributed constant line constituting a plurality of high-frequency switch circuits and a directional coupling circuit, a capacitor, and a transistor are formed by laminating a plurality of dielectric layers. It is integrated into.

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Description

- 明細書
積層体型高周波スィツチモジュール 技術分野
本発明はマイクロ波帯などの高周波帯域で用いられ、 複数の送受信系の送信 回路及び受信回路とアンテナとの間の信号経路を制御するための積層体型高周 波スィツチモジュールに関し、 特に送信回路から送給される送信信号の電力を 検出する機能を備えた積層体型高周波スィツチモジュールに関する。 背景技術
近年の無線通信装置、例えば携帯電話機の普及には、 目を見張るものがあり、 携帯電話機の機能及びサービスの向上が益々図られている (以下、 携帯電話機 を例にとって説明する)。 携帯電話機のシステムとしては、 例えば主に欧州で盛 んな GSM (Global System for Mobile Communications) 方式、 DCS1800 ( Digital Cellular System 1800 ) 方式、 米国で盛んな PCS ( Personal Communications Services)方式、日本で採用されている PDC (Personal Digital Cellular)方式等の様々なシステムがある。 しかしながら昨今の携帯電話機の急 激な普及にともない、 特に先進国の主要な大都市部においては各システムに割 り当てられた周波数帯ではシステム利用者を賄い切れず、 接続が困難であった り、 通話途中で接続が切断したりする等の問題が生じている。 そこで利用者が 複数のシステムを利用できるようにして、 実質的に利用可能な周波数の増加を 計り、 さらにサービス区域の拡充や各システムの通信インフラの有効活用する ことが行われている。 このように複数のシステムに対応した携帯電話機はマル チパンド携帯電話機と呼ばれ、 単一のシステムにのみ対応するシングルバンド 携帯電話機と区別される。
1 台の携帯電話機で複数のシステムを利用可能とするために単純に携帯電話 機にシステム毎の回路を設けると、 システム毎に送信系では、 例えば希望の送 信周波数の送信信号を通過させるフィルタ、 送受信回路を切り替える高周波ス ィツチ、及び送受信信号を入放射するアンテナが必要であり、また受信系では、 高周波スィツチを通過した受信信号のうち希望の周波数を通過させるフィルタ 等の高周波回路部品が必要となる。 このため携帯電話機が高価になるとともに、 体積 ·重量も増加してしまい、 携帯用としては不適である。 従って、 一台で複 数のシステムを利用可能な携帯電話機を実現するには、 複数のシステムの周波 数で動作する小型で複合機能化した高周波回路部品が必要である。
図 25は、 このようなマルチバンド携帯電話機の送信部の基本構成を示すプロ ック図である。 このマルチパンド携帯電話機は、 複数のシステムが一つのアン テナを共用するようにアンテナ共用器を有し、 その後段に複数の方向性結合器 CPn、 検波ダイオード DKn、 エラー増幅器 AEn、 高周波増幅器 PAn等を備え ている。 方向性結合器 CPnの出力端は検波ダイオード DKnに接続され、 検出 された送信信号の電力が目標の送信出力レベルとなるように送信出力レベルが 制御されている。 高周波増幅器 PAnの利得は前記システムの周波数帯域内にお いて一定でなく、 また環境温度や電源電圧によっても変動する場合もある。 そ のためシステム毎にチップタイプの方向性結合器が搭載され、 回路基板上の接 続線路により高周波信号に比例する出力が取り出され、 高周波増幅器の出力電 力が検出されていた。
このように従来のマルチバンド携帯電話機では、 各システムで用いられる方 向性結合器、 検波ダイオード等の部品が重複している。 これらのディスクリー ト部品は回路基板上に実装されているため、 マルチパンド携帯電話機の送信部 は大型化し、 その結果携帯電話機全体も大型化するという問題があった。 また ディスクリート部品は回路基板上の接続線路により接続されているので、 接続 線路の損失により送信部の特性が劣化するという問題もある。 さらに小型化を 必須とするマルチバンド携帯電話機にとって大きな問題は、 部品点数の増加に よる実装面積の増加、 部品間のインピーダンスマッチングのための整合容量や インダンクタ等の付属部品の付加、 挿入損失の増大等である。 発明の目的
従って本発明の目的は、 電力検出機能及び増幅回路を具備するとともに優れ た高周波特性を有する小型の積層体型高周波スィッチモジュールを提供するこ とである。 発明の開示
本発明の第一の実施態様による積層体型高周波スィツチモジュールは、 複数 の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えるもので、 複数の送受信系 の信号を分波する分波器と、 前記分波器から来る受信信号の受信回路への信号 経路と送信回路から来る送信信号の前記分波器への信号経路を切り換える複数 の高周波スィツチ回路と、 前記送信回路から来る送信信号の電力を検出する手 段とを有し、 前記積層体は電極パターンを有する複数の誘電体層により構成さ れており、 前記分波器、 前記高周波スィッチ回路及び前記電力検出手段は、 前 記積層体内の前記電極パターンにより構成されていることを特徴とする。
前記高周波スィツチ回路はダイォードと第一の分布定数線路と第一のコンデ ンサとを主要素子とし、 前記分波器は第二の分布定数線路と第二のコンデンサ とを主要素子とし、 前記フィルタ回路は第三の分布定数線路と第三のコンデン サとを主要素子とし、 前記第一〜第三の分布定数線路及び前記第一〜第三のコ ンデンサの少なくとも一部は、 前記積層体内の前記電極パターンにより構成さ れており、 前記ダイォードは積層体の表面に実装されているのが好ましい。 本発明の第二の実施態様による積層体型高周波スィツチモジュールは、 複数 の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換えるもので、 複数の送受信系 の信号経路を切り換える高周波スィッチ回路と、 前記高周波スィッチ回路の後 段に、 複数の送受信系の信号を分波する分波器と、 複数の送受信系の信号を合 成する分波器と、 送信回路から来る送信信号の電力を検出する手段とを有し、 前記積層体は電極パターンを有する複数の誘電体層により構成されており、 前 記分波器、 前記高周波スィッチ回路及び前記電力検出手段は、 前記積層体内の 前記電極パターンにより構成されていることを特徴とする。
好ましくは、 高周波スィツチ回路は複数の送受信系の信号経路を送信経路と 受信経路とに切り換え、 一方の分波器は受信信号を複数の受信系の 1つに送給 するように作用し、 他方の分波器は複数の送信系のうち動作している 1つの送 信系から来る送信信号を高周波スィツチ回路に送給するように作用する。 前記高周波スィツチ回路は電界効果型トランジスタを主要素子とし、 前記電 界効果型トランジスタは前記積層体の表面に実装されているのが好ましい。 第一及び第二の実施態様において、 送信回路から来るアンテナへの送信信号 の信号経路中にはフィルタ回路を備えるのが好ましい。
前記電力検出手段は方向性結合回路又は容量結合回路であるのが好ましい。 第一及び第二の実施態様において、 前記方向性結合回路は第四の分布定数線 路を主要素子とし、 前記第四の分布定数線路の少なくとも一部は前記積層体内 の前記電極パターンにより構成されているのが好ましい。 前記第四の分布定数 線路は送信回路から来る送信信号の分波器への信号経路中に配置された主線路 と、 前記主線路と平行又は対向するように配置された副線路とにより構成され ているのが好ましい。 前記主線路は前記フィルタ回路の第三の分布定数線路に より構成してもよい。
第一及び第二の実施態様において、 前記容量結合回路は第五のコンデンサを 主要素子とし、 第五のコンデンサの少なくとも一部は前記積層体内の前記電極 パターンにより構成されているのが好ましい。 前記第五のコンデンサは送信回 路から来る送信信号の分波器への信号経路と並列に配置されているのが好まし レ、。
第一及び第二の実施態様においては、 積層体内に高周波増幅器、 可変利得増 幅器及び自動利得制御回路を一体的に内蔵するのが好ましい。 この積層体型高 周波スィッチモジュールでは、 自動利得制御回路により前記方向性結合回路又 は容量結合回路による送信信号の電力検出結果と送信すべき電力とを比較し、 比較結果に基づいて可変利得増幅器の利得を増減させる。 自動利得制御回路は 検波器とエラー増幅器を備え、 複数の送受信系で一つのエラー増幅器を共用す るのが好ましい。
前記高周波増幅器は、 トランジスタを有する増幅回路と、 増幅回路の入力側 に接続された入力整合回路と、 増幅回路の出力側に接続された出力整合回路と を具備し、 入力整合回路及び出力整合回路はそれぞれコンデンサ及ぴィンダク タを有し、 増幅回路のトランジスタは積層体の表面に搭載されているのが好ま しい。 前記ィンダクタの少なくとも一部は分布定数線路として前記積層体内に 形成されているのが好ましい。 また前記コンデンサの少なくとも一部は、 前記 積層体内で前記誘電体層を挟んで対抗するコンデンサ電極により形成されてい るのが好ましい。 さらに前記増幅回路のトランジスタは電解効果トランジスタ であるのが好ましい。 図面の簡単な説明
図 1 は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの回路の一例を示すプロ ック図であり、
図 2 は本発明の一実施態様による積層体型高周波スィッチモジュールの等価 回路を示す図であり、
図 3 は本発明の別の実施態様による積層体型高周波スィッチモジュールの等 価回路を示す図であり、
図 4は本発明のさらに別の実施態様による積層体型高周波スィッチモジユー ルの等価回路を示す図であり、
図 5 は本発明のさらに別の実施態様による積層体型高周波スィッチモジユー ルの等価回路を示す図であり、
図 6 は本発明のさらに別の実施態様による積層体型高周波スィッチモジユー ルの等価回路を示す図であり、
図 7は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールを示す平面図であり、 図 8 は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールに用いる積層体を示す斜 視図であり、
図 9 は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールに用いる積層体を構成す る複数の誘電体層を示す分解図であり、
図 10は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの一実施態様による TX1 -ANT間の揷入損失特性の一例を示すグラフであり、
図 11 は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの一実施態様による ANT- X1間の揷入損失特性の一例を示すグラフであり、
図 12は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの一実施態様による TX1 -PDP1間の力ップリング特性の一例を示すダラフであり、 図 13は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの一実施態様による TX1 -RC間のアイソレーション特性の一例を示すグラフであり、
図 14は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの一実施態様による TX2 -ANT間の揷入損失特性の一例を示すグラフであり、
図 15 は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの一実施態様による ANT-RX2間の揷入損失特性の一例を示すグラフであり、
図 16は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの一実施態様による TX2 -PDP1間の力ップリング特 I1生の一例を示すグラフであり、
図 17は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの一実施態様による TX2 -RC間のアイソレーション特性の一例を示すグラフであり、
図 18は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの他の例を示すプロック 図であり、
図 19は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの他の等価回路を示す図 であり、
図 20は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの他の例を示す回路プロ ックであり、
図 21は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの他の例の等価回路を示 す図であり、
図 22は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールに用いる増幅回路の一例 の等価回路を示す図であり、
図 23は本発明の積層体型高周波スィツチモジュールに用いる増幅回路の他の 例の等価回路を示す図であり、
図 24は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールに用いる高周波増幅器の 一例の等価回路を示す図であり、
図 25は従来の積層体型高周波スィツチモジュールの回路を示すプロック図で ある。 発明を実施するための最良の形態
本発明の好ましい実施態様を、 添付図面を参照して以下詳細に説明する。 説 明の簡略化のために、 第一の送受信系を GSM (送信周波数 880〜915 MHz、受 信周波数 925〜960 MHz) とし、第二の送受信系を DCS1800 (送信周波数 1710 〜1785 MHz、 受信周波数 1805〜1880 MHz) とした場合を例にとるが、 勿論 本発明はこれに限定されることはなく、 例えば PCS (送信周波数 1850〜: L910 MHz、 受信周波数 1930〜: 1990 MHz) 等の他の通信システムにも適用すること ができる。 さらに、 これらの TDMA (Time Division Multiple Access) 方式の システムと W-CDMA (Wideband CDMA) のような CDMA (Code Division Multiple Access) 方式とをマルチパンド化した積層体型高周波スィッチモジュ ールに適用することも当然可能である。
[1] 積層体型高周波スィッチモジュールの構成
図 1は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの一例を示すプロック図 である。 この積層体型高周波スィッチモジュールは、 アンテナ ANTから入射す る信号を第一の送受信系の受信信号と第二の送受信系の受信信号とに分波する 第一のブイルタ回路 F1及び第二のフィルタ回路 F2力 らなる分波器と、 第一の フィルタ回路 F1の後段に配置され、 コントロール回路 VC1から送給する外部 電圧により第一の送受信系の送信回路 TX1と受信回路 RX1とを切り替える第一 のスィッチ回路 SW1と、 第二のフィルタ回路 F2の後段に配置され、 コント口 ール回路 VC2から送給する外部電圧により第二の送受信系の送信回路 TX2と第 二の送受信系の受信回路 RX2とを切り替える第二のスィッチ回路 SW2と、 送 信回路から来る送信信号の電力検出手段と、 可変利得増幅回路とを有する積層 体型高周波スィツチモジュールである。 電力検出手段として方向性結合回路又 は容量結合回路が好ましい。
本発明の積層体型高周波スィツチモジュールの等価回路を図 2及ぴ図 3を参 照して以下詳細に説明にする。 図 2は送信電力検出手段として方向性結合回路 を用いた積層体型高周波スィッチモジュールの等価回路図であり、 図 3は送信 電力検出手段として容量結合回路を用いた積層体型高周波スィツチモジュール の等価回路図である。
(1) 第一及び第二のフィルタ回路 (分波器)
アンテナ ANT と接続する第一及び第二のフィルタ回路はそれぞれ分布定数 線路及びコンデンサにより構成されている。 図 2等に示す等価回路では、 GSM の送受信信号を通過させるが DCS1800 の送受信信号を減衰させる第一のフィ ノレタ回路 F1はローパスフィルタを備えており、 DCS1800の送受信信号を通過 させるが GSMの送受信信号を減衰させる第二のフィルタ回路 F2はハイパスフ ィルタを備えている。 ローパスフィルタ F1は、並列接続した分布定数線路 LF1 及ぴコンデンサ CF1と、それらとアースとの間に接続したコンデンサ CF3とか らなる。 ハイパスフィルタ F2は、 並列接続した分布定数線路 LF2及ぴコンデ ンサ CF2と、それらとアースとの間に接続した分布定数線路 LF3と、分布定数 線路 LF2及ぴコンデンサ CF2に直列に接続したコンデンサ CF.4とからなる。 このような構成により、 第一の送受信系と第二の送受信系の受信信号を分波す ることができる。 前記分波器を構成する分布定数線路及びコンデンサは、 積層 体を構成する誘導体層上に形成された電極パターンにより構成されるのが好ま しレ、。
ここで第一及び第二のフィルタ回路 Fl, F2 として、 上記構成の他に、 下記 の a〜 の構成も採用できる。
a . 第 1のフィルタ回路がローパスフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路が ノッチフィルタからなる構成、
b . 第 1のフィルタ回路がノッチフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路がバ ンドパスフィルタからなる構成、
c 第 1のフィルタ回路がローパスフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路が バンドパスフィルタからなる構成、
d. 第 1のフィルタ回路がノッチフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路がノ ツチフィルタからなる構成、
e . 第 1のフィルタ回路がノッチフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路がハ ィパスフィルタからなる構成、
f . 第 1のフィルタ回路がパンドパスフィルタからなり、 第 2フィルタ回路が バンドパスフィルタからなる構成、
g . 第 1のフィルタ回路がバンドパスフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路 がノツチフィルタからなる構成、 h . 第 1のフィルタ回路がバンドパスフィルタからなり、 第 2のフィルタ回路 がハイパスフィルタからなる構成。
(2) スィツチ回路
第一及び第二のフィルタ回路の後段に配置され、 GSMの送信回路 TX1 と受 信回路 RX1とを切り替える第一のスィッチ回路 SW1と、 DCS1800の送信回路 TX2と受信回路 RX2とを切り替える第二のスィツチ回路 SW2は、 それぞれダ ィォード及ぴ分布定数線路を主構成素子としている。 '
(a)第一のスィツチ回路
第一のスィツチ回路 SW1は、 図 2の上側のスィツチ回路であり、 GSMの送 信回路 TX1と受信回路: RX1とを切り換えるものである。スィツチ回路 SW1は、 2つのダイォード DG1、 DG2と、 2つの分布定数線路 LG1、 LG2を主構成素子 とし、ダイォード DG1は GSMの送受信信号の入出力端子 IP1と送信回路 TX1 との間に配置されている。入出力端子 IP1にはダイォード DG1のアノードが接 続しており、 ダイォード DG1の力ソードとアースとの間に分布定数線路 LG1 が接続している。入出力端子 IP1と受信回路 K 1との間には分布定数線路: LG2 が接続しており、 受信回路 RX1側の分布定数線路 LG2の一端とアースとの間 にダイォード DG2のカソードが接続し、 ダイォード DG2のアノードとアース との間にコンデンサ CG6が接続し、 ダイオード DG2のアノードとコントロー ル回路 VC1との間にインダクタ LG及び抵抗 RGの直列回路が接続している。 分布定数線路 LG1及び分布定数線路 LG2の各々は、その共振周波数が GSM の送信信号の周波数帯域内となるような線路長を有する。 第一のフィルタ回路 F1と送信回路 TX1との間に挿入されたローパスフィルタ回路は、分布定数 路 及びコンデンサにより構成されている。 図 2に示す等価回路図においては、 分 布定数線路 LG3とコンデンサ CG3、 CG4S CG7とにより構成された π型の口 一パスフィルタは、 ダイォード DG1と分布定数線路 LG1との間に配置してい る。
(b)第二のスィツチ回路
第二のスィツチ回路は、 図 2の下側のスィツチ回路であり、 DCS1800の受信 回路 RX2と送信回路 TX2とを切り換えるものである。 スィッチ回路 SW2は、 2つのダイオード DP1、 DP2と 2つの分布定数線路 LP1、 LP2とを主構成素子 とし、 ダイォード DPIは DCS1800の送受信信号の入出力端子 IP2と送信回路 TX2との間に配置され、 送信回路 IP2にダイォード DPIのァノードが接続し、 ダイォード DPIの力ソードとアースとの間に分布定数線路 LP1が接続されてい る。 入出力端子 IP2と受信回路; RX2との間には分布定数線路 LP2が接続し、 受信回路 HX2側の分布定数線路 LP2の一端とアースとの間にダイォード DP2 のカソードが接続している。 ダイォード DP2のアノードとアースとの間にコン デンサ CP6が接続し、 ダイォード DP2のアノードとコント口ール回路 VC2と の間にィンダクタ LP及び抵抗 RPからなる直列回路が接続している。
分布定数線路 LP1 及ぴ分布定数線路 LP2 はそれぞれその共振周波数が DCS1800の送信信号の周波数帯域内となるような線路長を有する。第二のフィ ルタ回路 F2と送信回路 TX2との間に挿入されたローパスフィルタ回路は、 分 布定数線路とコンデンサとにより構成されている。 図 2に示す等価回路図にお いては、 分布定数線路 LP3及ぴコンデンサ CP3、 CP4、 CP7により構成された π型のローパスフィルタは、ダイオード DPIと分布定数線路 LP1との間に挿入 されている。
いずれのスィツチ回路においても、 ローパスフィルタ回路はスィツチ回路を 構成する素子間に複合的に構成したものであるが、 スィツチ回路の後段及ぴ前 段のいずれに配置しても良い。 またスィツチ回路を構成する分布定数線路及び コンデンサは、 積層体を構成する誘電体層上の電極パターンにより構成されて いるのが好ましい。
(3)方向性結合回路
スィツチ回路の後段に配置される方向性結合回路は、 分布定数線路を主構成 素子とする。 第一の方向性結合回路は、 GSMの送信信号の一部を取り出して、 送信回路 TX1 から来る送信信号の電力を検出するものであり、 送信回路 TX1 と分布定数線路 LG3 との間に直列に接続された分布定数線路 LG4を主線路と し、 これと結合する分布定数線路 LC1を副線路とする。
第二の方向性結合回路は、 DCS1800の送信信号の一部を取り出して、 送信回 路から来る送信信号の電力を検出するものであり、 送信回路 TX2及び分布定数 線路 LP3との間に直列に接続された分布定数線路 LP4を主線路とし、分布定数 線路 LC1 を第一の方向性結合回路と共通の副線路とする。 分布定数線路 LC1 の一端は、特性インピーダンスとほぼ等しい抵抗 を介して接地されている。 デュアルパンド携帯電話機においては、 2 つのシステム (例えば GSM及ぴ DCS1800) に対応する高周波信号を同時に送信することはない。 従って、 本発 明の積層体型高周波スィツチモジュールにおける方向性結合器としては、 どち らかの送信時において一つの主線路と一つの副線路が互いに結合していれば良 く、 副線路を 2つのシステムで共用化することができる。 そのため、 方向' f生結 合器用の分布定数線路 LG4、 LP4、 LCIは電極パターンを有する誘電体シート を積層してなる積層体中の電極パターンにより構成され、 分布定数線路 LC1は 分布定数線路 LG4、 LP4と積層方向に誘電体層を介して一部対向する。 また分 布定数線路 LC1を分布定数線路 LG4、 LP4と同一層で対向させてもよい。 このように方向性結合器を構成すれば、 主線路と副線路との結合により、 高 周波増幅器: PA1又は PA2から主線路に来た送信信号の一部は副線路に流れ、力 ップリング端子 PDP1に出力される。
以上副線路を 2つのシステムで共用化する場合について述べたが、 図 4に示 す等価回路図のように、 それぞれのシステムにおいて主線路となる分布定数線 路と結合するように複線路となる分布定数線路を配置して別々の方向性結合器 とし、 分布定数線路 LC1、 LC2の一端どうしを一つの抵抗 RCで終端しても良 い。 また図 5や図 6の等価回路図に示すように、 主線路としてローパスフィル タ回路を構成する分布定数線路を用い、 これと結合するように複線路を配置し て、 方向性結合回路を構成してもよい。
高周波増幅器 PA1、 PA2と方向性結合回路との接続点において、 高周波増幅 器側から見た受信時のィンピーダンスがほぼオープン状態となるように、 方向 性結合回路の主線路を含めた高周波増幅器との接続線路長を設定すれば、 受信 時の送信端子 TXからァンテナ ANTのアイソレーション特性が向上するので好 ましい。例えば GSMの送信信号 (880〜915 MHz)と DCS1800の送信信号 (1710 〜1785 MHz) との中間周波数 λに対して、 方向性結合回路の主線路を含めた高 周波増幅器との接続線路長は、 (λ.Ζ6〜λ,3) +ηΧ λ/2 (ηは整数) とするの が好ましい。
なお本明細書において使用する用語 「ほぼオープン状態」 とは、 スミスチヤ ート上でインピーダンス Zを Z = R + j Xで表すときの実数部 Rを 150 Ω以下 に調整した場合、及び虚数部 Xの絶対値を 100 Ω.以上に調整した場合と定義する。 (4)増幅回路
図 22は積層体型高周波スィツチモジュールに接続又は複合化された増幅回路 を示すプロック図である。 この可変利得増幅回路によれば、 カップリング端子 PDP1から取り出された送信信号の一部は、 抵抗を有するアツテネータ 16 (必 要に応じて使用する) により後段の回路で取り扱える程度の電力まで減衰され、 インピーダンス整合器(図示せず) を介して検波器 15に入力される。検波器 15 において検波ダイォード DK1により整流された後、 平滑コンデンサ CK1と負 荷抵抗 RK1により電圧変化された検波信号となり、制御回路 12に入力される。 検波信号は一つのェラ一増幅器 EA1に入力し、 所定の送信信号レベルを表す制 御信号と比較され、 この差が小さくなるように可変利得増幅器 DA1又は DA2 にフィードバックされて、 利得が増減され、 目標の送信出力レベルに制御され る。 検波器 15及び制御回路 12は自動利得制御回路 (APC) を構成する。
従来の増幅回路と比べて、 検波器 15や制御回路 16等を複数のシステムで共 用化することにより、 可変利得増幅回路の構成部品点数を削減できるとともに、 回路を小型化することもでき、 もって複合化する積層体型高周波スィツチモジ ュール全体の寸法を小さくできる。
高周波増幅器 PA1、 PA2 を構成するトランジスタや MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) は消費電力が大きく、 発熱量が大きいので、 検 波器 15に温度変動を保証するための感温素子 (サーミスタ) を設けて、 検波器 15の温度特性を管理してもよい。
図 23は、図 4に示すような力ップリング端子を 2つ備える積層体型高周波ス ィツチモジュールに接続又は複合化される増幅回路を示すプロック図である。 上記増幅回路と異なる点は、 2つのカップリング端子 (PDP1、 PDP2) を有す るために、 カップリング端子 PDP1、 PDP2から取り出された電力をそれぞれ 2 つの検波ダイオード DK1、 DK2に入力して整流し、 平滑コンデンサ CK1と負 荷抵抗 RK1により電圧変化した検波信号として、 共通のエラー増幅器 EA1に 入力する点である。 この場合も、 従来と比べて増幅回路の構成部品点数を削減 でき、 また回路を小型に構成することができる。
図 24は前記増幅回路で用いられる高周波増幅器の等価回路の一例であって、 インダクタ 19及ぴコンデンサ 18を有する入力整合回路と、インダクタ 20及ぴ コンデンサ 21を有する出力整合回路 26と、 抵抗、 コンデンサ及びインダクタ からなる発振防止用安定化回路 24、 25と、 電界効果トランジスタとを有する。 高周波増幅器を構成する電界効果トランジスタ 27を積層体表面に搭載し、入 力整合回路 23及び出力整合回路 26を構成するィンダクタを分布定数線路 (積 層体を構成する誘電体層上に形成された電極パターンにより形成される) によ り形成し、 かつコンデンサを積層体内で誘電体層を挟んで対向するコンデンサ 電極により形成したり、 また APC回路を構成する検波ダイォード DK1等を積 層体表面に実装することにより、 積層体型高周波スィツチモジュール全体の寸 法を小さくできる。
(5)容量結合回路
送信回路から来る送信信号の電力を検出する他の方法として、 容量結合回路 を用いる場合について説明する。
図 3は送信信号の電力を検出する手段として容量結合回路を用いた積層体型 高周波スィツチモジュールを示す等価回路図である。 スィツチ回路の後段に配 置される容量結合回路は、 コンデンサを主構成素子としている。 第一の容量結 合回路は、 コンデンサ CG2と分布定数線路 LG3との間にコンデンサ CG2と並 列に接続するコンデンサ CC1で構成され、 GSMの送信回路 TX1の送信信号の 一部を取り出して、 送信回路 TX1から来る送信信号の電力を検出するものであ る。
第二の容量結合回路は、コンデンサ CP2と分布定数線路 LP3との間にコンデ ンサ CP2と並列に接続するコンデンサ CC2で構成され、 DCS1800の送信回路 TX2 の送信信号の一部を取り出して、 送信回路から来る送信信号の電力を検出 するものである。
コンデンサ CC1、 CC2は、 積層体を構成する誘電体層に形成された電極パタ ーンにより構成され、 電極パターンは積層方向に誘電体層を介して対向するこ とにより静電容量で結合し、 容量結合回路を構成する。 容量結合度は、 容量結 合回路を構成するコンデンサの電極パターンの面積、 対向距離、 介在する誘電 体層の誘電率等の因子により様々に調節することができる。 また電極パターン を同一層内で平行に対向させて結合させてコンデンサ CC1、 CC2を構成しても 良く、 この場合には、 対向する電極パターンの縁部長さで様々な結合度を得る ことができる。
[2] 動作
本発明の積層体型高周波スィッチモジュールは、 電源供給手段 (コントロー ル回路) 力 ら外部電圧を給電してダイオードスィッチをオン/オフ状態に制御 することにより、第一及び第二の送受信系のいずれか一つを選択する。以下図 1 に示すブロック回路及び図 2に示す等価回路を有する積層体型高周波スィッチ モジュールの動作を説明する。
(1) GSM TXモード
第一の送信回路 TX1と第一のフィルタ回路 F1とを接続する場合、 コント口 ール回路 VC1から正の電圧が与えられる。 コントロール回路 VC1から与えら れた正の電圧は、 コンデンサ CG6、 CG5、 CG4、 CG7、 CG3、 CG2及び CGI によって直流分が力ットされ、 ダイォード DG2、 DG1を含む回路に印加され、 ダイオード DG2、 DG1が ON状態となる。 ダイオード DG1が ON状態になる と、 第一の送信回路 TX1と接続点 IP1との間のインピーダンスが低くなる。 ま た O N状態となったダイオード DG2及びコンデンサ CG6によって、 分布定数 線路 LG2が高周波的に接地されることにより共振し、接続点 IP1から第一の受 信回路 RX1を見たィンピーダンスは非常に大きくなる。 このため、 第一の送信 回路 TX1から来る送信信号は、第一の受信回路 RX1に漏洩することなく、第一 のフィルタ回路 F1に伝送される。
第一の送信回路 TX1 から来る送信信号の電力の一部はカップリング端子 PDP1 に現れ、 次いで自動利得制御回路 (APC) に導かれる。 またアンテナ側 から逆流する高周波電力の一部は抵抗 RCで吸収される。
(2) GSM EXモード 第一の受信回路 1と第一のフィルタ回路 Flとを接続する場合、 コント口 ール回路 VC1の電圧がゼロとなる。するとダイォード DG1、 DG2は OFF状態 となる。 OFF状態となったダイオード DG2によって、分布定数線路 LG2を介 して接続点 IP1 と第一の受信回路 1とは接続される。 またダイォード DG1 が OFF状態となることにより、 接続点 IP1と第一の送信回路 TX1との間のィ ンピーダンスが大きくなる。 このため、第一のフィルタ回路 F1から来る受信信 号は、第一の送信回路 TX1に漏洩することなく、第一の受信回路 K 1に伝送さ れる。
(3) DCS TXモード
第二の送信回路 TX2と第二のフィルタ回路 F2とを接続する場合、 コント口 一ノレ回路 VC2から正の電圧が与えられる。 コントロール回路 VC2から与えら れた正の電圧は、 コンデンサ CP6、 CP5、 CP4、 CP7、 CP3、 CP2及ぴ CF4に よって直流分がカットされ、 ダイオード DP2、 DPIを含む回路に印加され、 ダ ィオード DP2、 DPIが ON状態となる。 ダイオード DPIが ON状態となるこ とにより、第二の送信回路 TX2と接続点 IP2との間のィンピーダンスは低くな る。 また ON状態となったダイォード DP2及ぴコンデンサ CP6によって、 分 布定数線路 LP2が高周波的に接地されることにより共振が起こり、 接続点 IP2 から第二の受信回路 RX2を見たインピーダンスが非常に大きくなる。このため、 第二の送信回路 TX2から来る送信信号は、第二の受信回路 RX2に漏洩すること なく、 第二のフィルタ回路 F2に伝送される。
第二の送信回路 TX2から来る送信信号電力の一部は力ップリング端子 PDP2 に現れ、 次いで自動利得制御回路 (APC) に導かれる。 またアンテナ側から逆 流する高周波電力の一部は抵抗 で吸収される。
(4) DCS RXモード
第二の受信回路 K 2と第二のフィルタ回路 F2とを接続する場合、 コント口 一ノレ回路 VC2の電圧がゼロとなる。 これによりダイォード DP1、 DP2は OFF 状態となる。 O FF状態となつたダイォード DP2によって、 分布定数線路 LP2 を介して接続点 IP2と第二の受信回路 RX2が接続される。またダイォード DPI が OFF状態となることにより、 接続点 IP2と第二の送信回路 TX2との間のィ ンピーダンスは大きくなる。 このため、第二のフィルタ回路 F2から来る受信信 号は、第二の送信回路 TX2に漏洩することなく、第二の受信回路 RX2に伝送さ れる。
[3] 実施態様
(1)第一の実施態様
図 7は本発明の一実施態様による積層体型高周波スィッチモジュールの平面 図であり、 図 8はその積層体部分の斜視図であり、 図 9はその積層体の内部構 造を示す分解図である。 この実施態様では、 第一及び第二のフィルタ回路、 口 一パスフィルタ回路、 スィッチ回路の分布定数線路、 方向性結合回路の分布定 数線路は積層体内に構成し、 ダイオードと、 積層体内に内蔵できない高容量値 のチップコンデンサは積層体上に搭載され、 ワンチップ化した積層体型高周波 スィツチモジュールとなっている。
この積層体は、 低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなる厚さ 20 μηι 〜200 μιη のグリーンシート上に A gを主体とする導電ペーストを印刷して所 望の電極パターンを形成し、 電極パターンを有するグリーンシートを適宜積層 し、焼成することにより一体ィヒしたものである。 ライン電極の幅はほぼ 100 μηι 〜400 μπιである。
図 9を参照して、 積層体の内部構造を積層順に説明する。 まず最下層のダリ ーンシート 15には、 アース電極 31がほぼ全面に形成されており、 側面に形成 される端子電極 81、 83、 85、 87、 89、 91、 95、 96に接続するための接続部が 設けられている。
グリーンシート 15上に、電極パターンが印刷されていないダミーのグリーン シート 14を積層する。 その上に積層するグリーンシート 13には、 3つのライ ン電極 41、 42、 43が形成され、 その上に積層するグリーンシート 12には、 4 つのライン電極 44、 45、 46、 47が形成されている。 グリーンシート 12上に、 4つのスルーホール電極 (図中、 黒丸で示す。) が形成されたグリーンシート 11 を積層し、その上に 4つのスルーホール電極とコンデンサ用の電極 61が形成さ れ、 さらにアース電極 32が形成されたグリーンシート 9を積層する。
2つのアース電極 31、 32に挟まれた領域に形成されたライン電極は適宜接続 され、 第一及び第二のスィッチ回路 SW1, SW2用の分布定数線路を形成する。 ライン電極 42と 46はスルーホール電極で接続され、 等価回路の分布定数線路 LG1を構成し、 ライン電極 43と 47はスルーホール電極で接続され、 等価回路 の分布定数線路 LG2を構成し、ライン電極 41と 44はスルーホール電極で接続 され、 等価回路の分布定数線路 LP1を構成し、 ライン電極 45は等価回路の分 布定数線路 LP2を構成する。
ダリ一ンシート 9の上に積層するグリーンシート 8には、 コンデンサ用の電 極 62、 63、 64、 65、 66、 67、 68, 69が形成されている。 その上に積層するグ リーンシート 7にもコンデンサ用の電極 70、 71、 72、 73が形成されている。 その上に積層するグリーンシート 6には、コンデンサ電極 74が形成されている。 更にその上に、 ライン電極 48、 49、 50、 51が形成されたグリーンシート 5 を積層し、 その上にライン電極 52、 53、 54、 55、 56、 57が形成されたダリー ンシート 4を積層する。 その上にライン電極 58、 59、 60が形成されたグリーン シート 3を積層する。 その上に接続ライン電極が形成されたグリーンシート 2 を積層する。 最上部のグリーンシート 1 には、 搭载素子接続用のランドが形成 されている。
上側のアース電極 32が形成されたグリーンシート 9の上に積層されたダリー ンシート 8のコンデンサ用電極 62、 63、 64、 65、 66、 67、 68、 69と、 グリー ンシート 9の下のグリーンシート 10のコンデンサ電極 61とは、 それぞれァー ス電極 32との間で容量を形成する。 具体的には、 コンデンサ用電極 62はコン デンサ CP3を形成し、 コンデンサ用電極 63はコンデンサ CP4を形成し、 コン デンサ用電極 65はコンデンサ CG4を形成し、コンデンサ用電極 64はコンデン サ CG3を形成し、 コンデンサ用電極 67はコンデンサ CF3を形成し、 コンデン サ用電極 69はコンデンサ CP6を形成し、 コンデンサ用電極 61、 66はコンデン サ CG6を形成する。
グリーンシート 6、 7、 8に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成 し、 コンデンサ電極 68と 73の間でコンデンサ CF4を構成し、 同様にコンデン サ電極 62、 63と 70の間でコンデンサ CP7を構成し、 コンデンサ電極 72と 74 の間でコンデンサ CF1を構成し、 コンデンサ電極 73 と 74の間でコンデンサ CF2を構成し、 コンデンサ電極 64、 65と 71の間でコンデンサ CG7を構成す る。 コンデンサ電極 73はコンデンサ電極 68と対向して容量を形成するが、 ァ ース電極 32とは対向しないように、 アース電極 32には切り欠き部が形成され ている。 またこの切り欠き部を利用して、 分布定数線路に導通するスルーホー ル電極が形成されている。
グリーンシート 3、 4、 5において、 ライン電極 52、 58は分布定数線路 LF1 を構成し、 ライン電極 48、 53、 59は分布定数線路 LF2を構成し、 ライン電極 51、 57は分布定数線路 LF3を構成し、 ライン電極 50、 56は分布定数線路 LG3 を構成し、 ライン電極 55、 61は分布定数線路 LP3を構成する。 またライン電 極 60は分布定数線路 LP4を構成し、 ライン電極 49は分布定数線路 LG4を構 成する。 なおグリーンシート 2のライン電極は配線用ラインである。
グリ一ンシート 4において、分布定数線路 LC1を構成するライン電極 54は、 グリーンシート 3,に形成されたライン電極 60、 及びグリーンシート 5に形成さ れたライン電極 49 と積層方向に一部対向し、それらの対向部分で方向性結合器 を構成する。 ライン電極 54の一端はスルーホールを介して積層体の外面に導出 され、 特性インピーダンスとほぼ等しいチップ抵抗 RCと接続する。
これらのグリーンシートを圧着し、 一体的に焼成して、外形寸法が例えば 6.7 mm X 5.0 mm X 1.0 mmの積層体 100を得る。 この積層体 100の側面に端子 電極 81、 82、 83、 84、 85、 86、 87、 88、 89、 90、 91、 92、 93、 94、 95、 96 を形成する。 得られた積層体 100の外観を図 8に示す。
この積層体 100の上に、 ダイオード DG1、 DG2、 DPI及ぴ DP2、 チップコ ンデンサ CG1、 CG2及ぴ CP2、及ぴチップ抵抗 RG、 RP及ぴ RCを搭載する。 図 7は、 これらの素子を搭載した状態を示す平面図である。 図 7はこの積層体 型高周波スィツチモジュールの実装構成(各端子の接続構造)も合わせて示す。 図 7において、 GNDはアース接続される端子を意味する。
この実施態様では、 図 2に示す等価回路のうち、 分布定数線路 CG5、 CP5, LG及び LPは、 この実施態様のチップ部品搭載用回路の上に形成されている。 この実施態様では、 第一及び第二のスィツチ回路の分布定数線路は積層体内 のアース電極で挟まれた領域内に配置されているので、 スィツチ回路と分波器 及ぴローパスフィルタ回路との干渉が防止される。 アース電極で挟まれた領域 を積層体の下部に配置すると、 アース電位は取り易い。 アースとの間に接続さ れるコンデンサを構成する電極を、 その上側のアース電極に対向させて形成す る。
この実施態様では積層体の側面に各端子が形成されているので、 面実装が可 能である。 側面の端子は、 それぞれ ANT端子、 DCS1800の TX2端子、 GSM の TX1端子、 GSMの RX1端子、 DCS1800の RX2端子、 カップリング端子、 アース端子 GND、 及ぴコントロール端子 VC1、 VC2である。 積層体 100の各 側面には、 少なくとも 1つのアース端子が配置されている。
この実施態様の積層体 100の側面に形成された端子電極において、 ANT端子 に対して積層体 100を実装面に垂直な面で 2分した反対側に、 DCSの TX2端 子、 GSMの TX1端子、 GSMの RX1端子、 DCSの RX2端子をそれぞれ形成 して ヽる。
さらに TX端子群及ぴ RX端子群が形成されている ANT端子の反対側で、一 端側に送信 TX端子群が形成され、 他端側に受信 RX端子群が形成されている。 またこの実施態様では、 ANT端子、 TX端子群、 RX端子群をアース端子で挟 むように構成している。 また VC1、 VC2もアース端子で挟む構成としている。 この実施態様の積層体型高周波スィッチモジュールの各コントロール回路 VC1、 VC2の制御ロジックを表 1に示す。 これにより GSM及ぴ DCS1800の モードを変更する。
モード VC1 VC2
GSM TX High Low
GSM RX Low Low
DCS TX Low High
DCS RX Low Low 図 10〜図 17に示すように、 上記のように分波器、 高周波スィツチ、 方向性 結合器を積層体に一体化することにより、 従来必要であったィンピーダンスマ ツチング回路が不要となり、 各通信モードで所望の周波数帯域で優れた挿入損 失特性とアイソレーシヨン特性が得られるとともに、 送信電力の検出機能を備 えた小型かつ高性能の積層体型高周波スィッチモジュールが得られた。
(2)第二の実施態様
本実施態様は、 トリプルパンド積層体型高周波スィツチモジュールに関する。 図 18は本発明の積層体型高周波スィッチモジュールの回路ブロック図であり、 図 19はその等価回路の一例を示す図である。
第一及び第二のフィルタ回路、 及ぴ第一の送受信系 (GSM) の第一のスイツ チ回路 SW1は第一の実施態様と等価回路的に同じである。第二のスィツチ回路 SW2は、第二の送受信系(DCS1800)の受信回路 RX2と第三の送受信系(PCS) の受信回路 RX3とを切り替える一つのスィッチ回路 SW2-1、 及ぴ DCSZPCS の送信回路 TX2 とスィッチ回路 SW2-1 とを切り換えるもう一つのスィッチ回 路 SW2-2を有する。
DCSの受信回路 KX2と PCSの受信回路 RX3とを切り替えるスィツチ回路 SW2-1は、 2つのダイオード DP3、 DP4、 及び 2つの分布定数線路 LP5、 LP6 を主構成素子とする。 このスィッチ回路 SW2-1 の前段には、 DCS/PCS の送 信回路 TX2 とスィッチ回路 SW2-1 とを切り換えるもう一つのスィッチ回路 SW2-2が配置されている。このスィツチ回路 SW2-2は、 2つのダイォード DP1、 DP2、 及び 2つの分布定数線路 LP1、 LP2を主構成素子とする。
この実施態様の積層体型高周波スィツチモジュールの各コントロール回路 VC1、 VC2、 VC3の制御ロジックを表 2に示す。この制御ロジックにより、 GSM、 DCS及ぴ PCSの各モードを変更する。 表 2
Figure imgf000023_0001
この実施態様においても、 従来必要であったインピーダンスマッチング回路 が不要であり、 各通信モードで所望の周波数帯域で優れた揷入損失特性とアイ ソレーシヨン特性が得られるとともに、 送信電力の検出機能を備えた小型かつ 高性能の積層体型高周波スイツチモジュ一ルが得られる。 ' (3)第三の実施態様
本実施態様の積層体型高周波スィッチモジュールは、 図 20に示すように、 ァ ンテナの後段に高周波スィッチ (SPDTスィッチ) SWを有し、高周波スィッチ SWは 2つの送受信系の送信信号経路と受信信号経路とを切り換える。高周波ス イッチ SWの後段に 2つの分波器があり、 一方の分波器 DIP1は 2つの送信系 TX1, ΤΧ2 に接続していて、 送信信号を合成するようになっている。 ここで用 語 「送信信号を合成する」 とは、 複数の送信系 TXl, ΤΧ2のうち動作している 1つの送信系から送給された送信信号を通過させることを意味する。 また他方 の分波器 DIP2は 2つの受信系 RX1, RX2に接続していて、 受信信号を分波す るようになっている。 この積層体型高周波スィッチモジュールはまた、 送信回 路 TXl, TX2から来る送信信号の電力検出手段 (例えば方向性結合回路) PD を備えている。
この高周波スィッチは、 図 21に示すように、 4つのトランジスタ FETを使 用してスィツチ回路を構成する。送信時にはトランジスタ FET1、 FET4をオン 状態とし、 トランジスタ FET2、 FET3をオフ状態とし、受信時にはトランジス タ FET2、 FET3をオン状態とし、 トランジスタ FET1、 FET をオフ状態とし て、 送信回路と受信回路を切り換える。 送信回路側及び受信回路側にはそれぞ れ分波器 MP1、 DIP2が接続されている。送信回路側に配置される分波器 DIP1 の後段にはさらに方向性結合器が配置されている。 前記積層体型高周波スィッ チモジュールと同様に、 分波器、 複数の高周波スィッチ回路及び方向性結合回 路を構成する分布定数線路、 コンデンサ及びトランジスタは、 複数の誘電体層 を積層してなる積層体に一体化されている。
このため、 従来必要であったインピーダンスマッチング回路が不要であり、 各通信モードで所望の周波数帯域で優れた挿入損失特性とアイソレーション特 性が得られるとともに、 送信電力の検出機能を備えた小型かつ高性能の積層体 型高周波スィツチモジュールが得られる。

Claims

請求の範囲
1. 複数の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換える積層体型高周波 スィッチモジュールであって、 複数の送受信系の信号を分波する分波器と、 前 記分波器から来る受信信号の受信回路への信号経路と送信回路から来る送信信 号の前記分波器への信号経路を切り換える複数の高周波スィツチ回路と、 前記 送信回路から来る送信信号の電力を検出する手段を有し、 前記積層体は電極パ ターンを有する複数の誘電体層により構成されており、 前記分波器、 前記高周 波スィッチ回路及ぴ前記電力検出手段は、 前記積層体内の前記電極パターンに より構成されていることを特徵とする積層体型高周波スィッチモジュール。
2. 請求項 1に記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおいて、前記高周波 スィツチ回路はダイォードと第一の分布定数線路と第一のコンデンサとを主要 素子とし、 前記分波器は第二の分布定数線路と第二のコ。ンデンサとを主要素子 とし、 前記フィルタ回路は第三の分布定数線路と第三のコンデンサとを主要素 子とし、 前記第一〜第三の分布定 線路及び前記第一〜第三のコンデンサの少 なくとも一部は、 前記積層体内の前記電極パターンにより構成されており、 前 記ダイォードは積層体の表面に実装されていることを特徴とする積層体型高周 波スィツチモジユーノレ。
3. 複数の異なる送受信系の送信回路と受信回路を切り換える積層体型積層体 型高周波スィツチモジュールであって、 複数の送受信系の信号経路を切り換え る高周波スィッチ回路と、 前記高周波スィッチ回路の後段に、 複数の送受信系 の信号を分波する分波器と、 複数の送受信系の信号を合成する分波器と、 送信 回路から来る送信信号の電力を検出する手段とを有し、 前記積層体は電極パタ ーンを有する複数の誘電体層により構成されており、 前記分波器、 前記高周波 スィツチ回路及ぴ前記電力検出手段は、 前記積層体内の前記電極パターンによ り構成されていることを特徴とする積層体型高周波スィツチモジュール。
4. 請求項 3に記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおいて、前記高周波 スィツチ回路は電界効果型トランジスタを主要素子とし、 前記電界効果型トラ ンジスタは前記積層体の表面に実装されていることを特徴とする積層体型高周 波スィツチモジュール。
5. 請求項 1〜4のいずれかに記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおい て、 前記電力検出手段は方向性結合回路又は容量結合回路であることを特徴と する積層体型高周波スィッチモジュール。
6. 請求項 1〜5のいずれかに記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおい て、 送信回路から来るァンテナへの送信信号の信号経路中にフィルタ回路を備 えていることを特徴とする積層体型高周波スィツチモジュール。
7. 請求項 1〜6のいずれかに記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおい て、 前記方向性結合回路は第四の分布定数線路を主要素子とし、 前記第四の分 布定数線路の少なくとも一部は前記積層体内の前記電極パターンにより構成さ れていることを特徴とする積層体型高周波スィツチモジュール。
8. 請求項 Ίに記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおいて、前記第四の 分布定数線路は送信回路から来る送信信号の分波器への信号経路中に配置され た主線路と、 前記主線路と平行又は対向するように配置された副線路とにより 構成されていることを特徴とする積層体型高周波スィッチモジュール。
9. 請求項 8に記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおいて、前記主線路 として前記フィルタ回路の第三の分布定数線路を用いることを特徴とする積層 体型高周波スィツチモジュール。
10. 請求項 1〜6のいずれかに記載の積層体型高周波スィッチモジュールにお いて、 前記容量結合回路は第五のコンデンサを主要素子とし、 前記第五のコン デンサの少なくとも一部は前記積層体内の前記電極パターンにより構成されて いることを特徴とする積層体型高周波スィツチモジュール。
11. 請求項 10 に記載の積層体型高周波スィッチモジュールにおいて、 前記第 五のコンデンサは送信回路から来る送信信号の分波器への信号経路と並列に配 置されていることを特徴とする積層体型高周波スィッチモジュール。
12. 請求項 1〜: 11のいずれかに記載の積層体型高周波スィツチモジュールにお いて、 高周波増幅器、 可変利得増幅器、 及び自動利得制御回路を具備し、 それ ぞれ前記積層体に一体化されていることを特徴とする積層体型高周波スィツチ モジユーノレ o
13. 請求項 12 に記載の積層体型高周波スィッチモジュールにおいて、 前記自 動利得制御回路により前記方向性結合回路又は容量結合回路による送信信号の 電力検出結果と送信すべき電力とを比較し、 比較結果に基づいて可変禾 0得増幅 器の利得を増減させることを特徴とする積層体型高周波スィツチモジュール。
14. 請求項 13 に記載の積層体型高周波スィッチモジュールにおいて、 前記自 動利得制御回路は検波器及びエラー増幅器を備え、 複数の送受信系で一つのェ ラー増幅器を共用することを特徴とする積層体型高周波スィッチモジュール。
15. 請求項 12〜: 14のいずれかに記載の積層体型高周波スィツチモジュールに おいて、 前記高周波増幅器は、 トランジスタを有する增幅回路と、 前記増幅回 路の入力側に接続された入力整合回路と、 前記増幅回路の出力側に接続された 出力整合回路とを具備し、 前記入力整合回路及び前記出力整合回路はそれぞれ コンデンサ及ぴインダクタを有し、 前記増幅回路のトランジスタは前記積層体 の表面に搭載されており、 前記ィンダクタの少なくとも一部は分布定数線路と して前記積層体内に形成されていることを特徴とする積層体型高周波スィツチ モジュール。
16. 請求項 15 に記載の積層体型高周波スィッチモジュールにおいて、 前記コ ンデンサの少なくとも一部は、 前記積層体内で前記誘電体層を挟んで対抗する コンデンサ電極により形成されていることを特徴とする積層体型高周波スィッ チモジュ^ノレ。
17. 請求項 15又は 16に記載の積層体型高周波スィツチモジュールにおいて、 前記増幅回路のトランジスタは電解効果トランジスタであることを特徴とする 積層体型高周波スィツチモジュール。
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