JPH06268532A - Ｍｍｉｃパッケージ - Google Patents
ＭｍｉｃパッケージInfo
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01L2924/161—Cap
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-
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Structure Of Receivers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 無線機器の送信用パワーブースタおよびその
周辺回路全体の形状が小さいＭＭＩＣパッケージを提供
するものである。 【構成】 無線機器の送信用パワーブースタの入力整合
回路、出力整合回路、出力ローパスフィルタ、出力バン
ドパスフィルタの少なくとも１つがセラミック多層基板
に内蔵されているものである。
周辺回路全体の形状が小さいＭＭＩＣパッケージを提供
するものである。 【構成】 無線機器の送信用パワーブースタの入力整合
回路、出力整合回路、出力ローパスフィルタ、出力バン
ドパスフィルタの少なくとも１つがセラミック多層基板
に内蔵されているものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動無線機器等に使用
される送信用パワーブースタチップ、受信回路のフロン
トエンドに関する。
される送信用パワーブースタチップ、受信回路のフロン
トエンドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、一般的な移動無線機器における
送信用パワーブースタチップおよびその周辺の回路と、
受信回路のフロントエンドとを示す図である。
送信用パワーブースタチップおよびその周辺の回路と、
受信回路のフロントエンドとを示す図である。
【０００３】この図において、送信用パワーブースタチ
ップ１２の周辺の回路は、プリアンプＰＡと、パワーブ
ースタ１２の前段に設けられた入力整合回路１１と、パ
ワーブースタ１２の後段に設けられた出力整合回路１３
と、高調波抑制用の出力ローパスフィルタ１４とを有す
る。
ップ１２の周辺の回路は、プリアンプＰＡと、パワーブ
ースタ１２の前段に設けられた入力整合回路１１と、パ
ワーブースタ１２の後段に設けられた出力整合回路１３
と、高調波抑制用の出力ローパスフィルタ１４とを有す
る。
【０００４】図４は、送信用パワーブースタチップおよ
びその周辺の回路を組み立てて形成した従来のＭＭＩＣ
パッケージ１を示す図である。
びその周辺の回路を組み立てて形成した従来のＭＭＩＣ
パッケージ１を示す図である。
【０００５】この従来例は、アルミヒートシンク板ＡＨ
にアルミナ基板ＡＢを付着し、このアルミナ基板ＡＢの
表面に、パワーブースタ１２を構成するＧａＡｓチップ
２２用の回路パターンがＡｇＰｄ等の導体で構成されて
いる。そして、その回路パターンの上に、コンデンサ、
抵抗、インダクタ等のチップ部品ＣＰが半田付けされ、
ボンディングワイヤＢＷ、回路パターンを介して、Ｇａ
Ａｓチップ２２がチップ部品ＣＰ、外部接続用のリード
ピンＬＰに接続されている。
にアルミナ基板ＡＢを付着し、このアルミナ基板ＡＢの
表面に、パワーブースタ１２を構成するＧａＡｓチップ
２２用の回路パターンがＡｇＰｄ等の導体で構成されて
いる。そして、その回路パターンの上に、コンデンサ、
抵抗、インダクタ等のチップ部品ＣＰが半田付けされ、
ボンディングワイヤＢＷ、回路パターンを介して、Ｇａ
Ａｓチップ２２がチップ部品ＣＰ、外部接続用のリード
ピンＬＰに接続されている。
【０００６】アルミナ基板ＡＢの回路パターンが構成さ
れている表面とは反対の面に、導電性接着剤等によっ
て、アルミヒートシンク板ＡＨが熱的、電気的に接続さ
れている。アルミヒートシンク板ＡＨは、ＧａＡｓチッ
プの発熱（３Ｗ程度の消費電力、効率５０％）を外部に
逃すために、１．５mm厚程度が必要である。
れている表面とは反対の面に、導電性接着剤等によっ
て、アルミヒートシンク板ＡＨが熱的、電気的に接続さ
れている。アルミヒートシンク板ＡＨは、ＧａＡｓチッ
プの発熱（３Ｗ程度の消費電力、効率５０％）を外部に
逃すために、１．５mm厚程度が必要である。
【０００７】また、トランスファモールド等で、上記の
構造物を樹脂封止することによって、ＭＭＩＣパッケー
ジ１が完成する。なお、出力ローパスフィルタ１４は、
送信用パワーブースタチップ１２から必ず出る２次、３
次高調波を抑圧するものであり、同軸誘電体等で構成さ
れており、ＭＭＩＣパッケージ１の別部品として構成さ
れている。
構造物を樹脂封止することによって、ＭＭＩＣパッケー
ジ１が完成する。なお、出力ローパスフィルタ１４は、
送信用パワーブースタチップ１２から必ず出る２次、３
次高調波を抑圧するものであり、同軸誘電体等で構成さ
れており、ＭＭＩＣパッケージ１の別部品として構成さ
れている。
【０００８】一方、移動無線機器における受信回路のフ
ロントエンドは、送受切り換え器１５と、トップバンド
パスフィルタ１６と、初段アンプ１７と、段間バンドパ
スフィルタ１８と、後段アンプ１９と、ミキサＭＩＸと
で構成されている。なお、受信回路のフロントエンド
は、送受切り換え器１５を除いたもの、つまり、初段ア
ンプ１７と、段間バンドパスフィルタ１８と、後段アン
プ１９と、ミキサＭＩＸとで構成されていると考えられ
る場合があり、また、移動無線機器における受信回路の
フロントエンドは、送受切り換え器１５とミキサＭＩＸ
とを除いたもの、つまり、トップバンドパスフィルタ１
６と、初段アンプ１７と、段間バンドパスフィルタ１８
と、後段アンプ１９とで構成されていると考えられる場
合もある。これら、移動無線機器における受信回路のフ
ロントエンドにおける従来の組み方は、上記送信用パワ
ーブースタチップおよびその周辺の回路における従来の
組み立て方と同様である。
ロントエンドは、送受切り換え器１５と、トップバンド
パスフィルタ１６と、初段アンプ１７と、段間バンドパ
スフィルタ１８と、後段アンプ１９と、ミキサＭＩＸと
で構成されている。なお、受信回路のフロントエンド
は、送受切り換え器１５を除いたもの、つまり、初段ア
ンプ１７と、段間バンドパスフィルタ１８と、後段アン
プ１９と、ミキサＭＩＸとで構成されていると考えられ
る場合があり、また、移動無線機器における受信回路の
フロントエンドは、送受切り換え器１５とミキサＭＩＸ
とを除いたもの、つまり、トップバンドパスフィルタ１
６と、初段アンプ１７と、段間バンドパスフィルタ１８
と、後段アンプ１９とで構成されていると考えられる場
合もある。これら、移動無線機器における受信回路のフ
ロントエンドにおける従来の組み方は、上記送信用パワ
ーブースタチップおよびその周辺の回路における従来の
組み立て方と同様である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例において、
送信用パワーブースタチップ１２を構成するＧａＡｓチ
ップ２２、入力整合回路２１、出力整合回路２３がアル
ミナ基板ＡＢの上に平面的に組まれているので、アルミ
ナ基板ＡＢの大きさは、上記各回路の占有スペースの合
計スペースを必要とするために、無線機器の送信用パワ
ーブースタチップおよびその周辺回路の出来上がり形状
が大きいという問題がある。また、送信用パワーブース
タチップおよびその周辺の回路としては、アルミヒート
シンクＡＨ、出力ローパスフィルタ１４が含まれ、出力
ローパスフィルタ１４はＭＭＩＣパッケージ１とは別部
品であるので、送信用パワーブースタチップおよびその
周辺の回路が必要とする形状はさらに大きくなるという
問題がある。
送信用パワーブースタチップ１２を構成するＧａＡｓチ
ップ２２、入力整合回路２１、出力整合回路２３がアル
ミナ基板ＡＢの上に平面的に組まれているので、アルミ
ナ基板ＡＢの大きさは、上記各回路の占有スペースの合
計スペースを必要とするために、無線機器の送信用パワ
ーブースタチップおよびその周辺回路の出来上がり形状
が大きいという問題がある。また、送信用パワーブース
タチップおよびその周辺の回路としては、アルミヒート
シンクＡＨ、出力ローパスフィルタ１４が含まれ、出力
ローパスフィルタ１４はＭＭＩＣパッケージ１とは別部
品であるので、送信用パワーブースタチップおよびその
周辺の回路が必要とする形状はさらに大きくなるという
問題がある。
【００１０】本発明は、無線機器の送信用パワーブース
タチップおよびその周辺回路全体の形状が小さいＭＭＩ
Ｃパッケージを提供するものである。
タチップおよびその周辺回路全体の形状が小さいＭＭＩ
Ｃパッケージを提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、無線機器の送
信用パワーブースタチップの入力整合回路、出力整合回
路、出力ローパスフィルタ、出力バンドパスフィルタの
少なくとも１つがセラミック多層基板に内蔵されている
ものである。
信用パワーブースタチップの入力整合回路、出力整合回
路、出力ローパスフィルタ、出力バンドパスフィルタの
少なくとも１つがセラミック多層基板に内蔵されている
ものである。
【００１２】
【作用】本発明は、無線機器の送信用パワーブースタチ
ップの入力整合回路、出力整合回路、出力ローパスフィ
ルタ、出力バンドパスフィルタの少なくとも１つがセラ
ミック多層基板に内蔵されているので、無線機器の送信
用パワーブースタチップおよびその周辺回路全体の形状
が小さい。
ップの入力整合回路、出力整合回路、出力ローパスフィ
ルタ、出力バンドパスフィルタの少なくとも１つがセラ
ミック多層基板に内蔵されているので、無線機器の送信
用パワーブースタチップおよびその周辺回路全体の形状
が小さい。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるＭＭＩＣパ
ッケージ２を示す図であり、図１（１）は、その平面図
であり、図１（２）は、図１（１）のＩ（２）−Ｉ
（２）線で縦断し、矢印方向から見た縦断面図である。
図２は、上記実施例の正面図である。
ッケージ２を示す図であり、図１（１）は、その平面図
であり、図１（２）は、図１（１）のＩ（２）−Ｉ
（２）線で縦断し、矢印方向から見た縦断面図である。
図２は、上記実施例の正面図である。
【００１４】ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回
路）パッケージ２は、無線機器の送信用パワーブースタ
チップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回路３３
と、出力ローパスフィルタ３４とがセラミック多層基板
に内蔵されているものである。
路）パッケージ２は、無線機器の送信用パワーブースタ
チップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回路３３
と、出力ローパスフィルタ３４とがセラミック多層基板
に内蔵されているものである。
【００１５】つまり、セラミックスＳの焼成前の薄い板
（グリーンシート）を多数積層することによってセラミ
ックス多層基板が構成され、それらグリーンシートを積
層する途中で、導電性インクを印刷等することによっ
て、必要な導電層を複数形成するとともに、グリーンシ
ートに透孔を設け、この透孔に導電性インクを印刷し、
同じ位置への透孔の設置、導電性インクの印刷を繰り返
すことによって、ヴィアホールＶＨが形成され、これを
焼成することによって、パッケージが形成され、この上
に送信用パワーブースタチップ３２、チップ部品ＣＰ等
を実装し、セラミックキャップＣＣによって封入し、Ｍ
ＭＩＣパッケージ２が形成される。
（グリーンシート）を多数積層することによってセラミ
ックス多層基板が構成され、それらグリーンシートを積
層する途中で、導電性インクを印刷等することによっ
て、必要な導電層を複数形成するとともに、グリーンシ
ートに透孔を設け、この透孔に導電性インクを印刷し、
同じ位置への透孔の設置、導電性インクの印刷を繰り返
すことによって、ヴィアホールＶＨが形成され、これを
焼成することによって、パッケージが形成され、この上
に送信用パワーブースタチップ３２、チップ部品ＣＰ等
を実装し、セラミックキャップＣＣによって封入し、Ｍ
ＭＩＣパッケージ２が形成される。
【００１６】この過程で、図１（２）中、パッケージ２
の最下層部分に、出力ローパスフィルタ３４が形成さ
れ、この上に、グランド層Ｇが形成され、このグランド
層Ｇの上に、入力整合回路３１と出力整合回路３３とが
形成され、この上に、グランド層Ｇが形成され、このグ
ランド層Ｇの上に、パッケージ２の表面で接続できない
破線を引き回す配線層が形成され、この配線層の上に、
送信用パワーブースタチップ３２、チップ部品ＣＰが搭
載され、送信用パワーブースタチップ３２がボンディン
グワイヤＢＷによって各配線に接続されている。
の最下層部分に、出力ローパスフィルタ３４が形成さ
れ、この上に、グランド層Ｇが形成され、このグランド
層Ｇの上に、入力整合回路３１と出力整合回路３３とが
形成され、この上に、グランド層Ｇが形成され、このグ
ランド層Ｇの上に、パッケージ２の表面で接続できない
破線を引き回す配線層が形成され、この配線層の上に、
送信用パワーブースタチップ３２、チップ部品ＣＰが搭
載され、送信用パワーブースタチップ３２がボンディン
グワイヤＢＷによって各配線に接続されている。
【００１７】また、入力整合回路３１と出力整合回路３
３とは、ストリップライン形伝送線路で形成されるコン
デンサ、インダクタによって構成されている。出力ロー
パスフィルタ３４は、ストリップラインによる共振器、
インダクタ、コンデンサ等によって形成されている。
３とは、ストリップライン形伝送線路で形成されるコン
デンサ、インダクタによって構成されている。出力ロー
パスフィルタ３４は、ストリップラインによる共振器、
インダクタ、コンデンサ等によって形成されている。
【００１８】送信用パワーブースタチップ３２のグラン
ド電極はヴィアホールＶＨによってグランド層Ｇに接続
され、このグランド層Ｇは、正面電極１ａ、１ｂ、ヴィ
アホールＶＨによって他のグランド層Ｇに接続され、こ
のようにグランド層Ｇは、複数層配置されている。
ド電極はヴィアホールＶＨによってグランド層Ｇに接続
され、このグランド層Ｇは、正面電極１ａ、１ｂ、ヴィ
アホールＶＨによって他のグランド層Ｇに接続され、こ
のようにグランド層Ｇは、複数層配置されている。
【００１９】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００２０】まず、無線機器の送信用パワーブースタチ
ップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回路３３と、
出力ローパスフィルタ３４とが、セラミックスＳで作ら
れたセラミック多層基板に内蔵されており、各回路が縦
方向に載置されているので、無線機器の送信用パワーブ
ースタチップおよびその周辺回路全体の形状を小さくす
ることができる。上記実施例におけるＭＭＩＣパッケー
ジ１の体積は、従来のＭＭＩＣパッケージ１の体積と出
力ローパスフィルタ１４の体積との合計体積の１／３〜
１／４程度に小さくなる。
ップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回路３３と、
出力ローパスフィルタ３４とが、セラミックスＳで作ら
れたセラミック多層基板に内蔵されており、各回路が縦
方向に載置されているので、無線機器の送信用パワーブ
ースタチップおよびその周辺回路全体の形状を小さくす
ることができる。上記実施例におけるＭＭＩＣパッケー
ジ１の体積は、従来のＭＭＩＣパッケージ１の体積と出
力ローパスフィルタ１４の体積との合計体積の１／３〜
１／４程度に小さくなる。
【００２１】また、上記実施例においては、ある回路と
これに隣接する回路とはグランド層によって仕切られて
いるので、各回路間の絶縁を充分に行うことができる。
これに隣接する回路とはグランド層によって仕切られて
いるので、各回路間の絶縁を充分に行うことができる。
【００２２】さらに、上記実施例において、送信用パー
ブースタ３２を形成するＧａＡｓチップの発熱部がヴィ
アホールＶＨを介してグランド層Ｇに接続されているの
で、グランド層Ｇに熱が分散され、そのグランド層Ｇが
複数層配置されているので、セラミックスＳへの熱分散
が充分に行われ、セラミックスＳ自体の熱伝導が良好な
ので、ヒートシンクを別設せずに、放熱が充分に行われ
る。また、グランド層Ｇが正面電極１ａ、１ｂに接続さ
れているので、正面電極１ａ、１ｂにおいても放熱が行
われる。
ブースタ３２を形成するＧａＡｓチップの発熱部がヴィ
アホールＶＨを介してグランド層Ｇに接続されているの
で、グランド層Ｇに熱が分散され、そのグランド層Ｇが
複数層配置されているので、セラミックスＳへの熱分散
が充分に行われ、セラミックスＳ自体の熱伝導が良好な
ので、ヒートシンクを別設せずに、放熱が充分に行われ
る。また、グランド層Ｇが正面電極１ａ、１ｂに接続さ
れているので、正面電極１ａ、１ｂにおいても放熱が行
われる。
【００２３】つまり、放熱用金属がセラミック多層基板
に内蔵されているようにしてもよく、また、放熱用金属
がセラミック多層基板の表面電極と接続されているよう
にしてもよい。なお、セラミック多層基板の表面電極
は、送信用パワーブースタチップ３２を構成するＧａＡ
ｓチップが搭載されているＭＭＩＣパッケージ２の上面
に形成される電極、ＭＭＩＣパッケージ２の正面、側
面、背面、底面に形成される電極を含むものである。
に内蔵されているようにしてもよく、また、放熱用金属
がセラミック多層基板の表面電極と接続されているよう
にしてもよい。なお、セラミック多層基板の表面電極
は、送信用パワーブースタチップ３２を構成するＧａＡ
ｓチップが搭載されているＭＭＩＣパッケージ２の上面
に形成される電極、ＭＭＩＣパッケージ２の正面、側
面、背面、底面に形成される電極を含むものである。
【００２４】上記実施例では、無線機器の送信用パワー
ブースタチップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回
路３３と、出力ローパスフィルタ３４とがセラミック多
層基板に内蔵されているが、このうちで、入力整合回路
３１、出力整合回路３３、出力ローパスフィルタ３４の
少なくとも１つがセラミック多層基板に内蔵されていれ
ばよい。また、出力ローパスフィルタ３４の代わりに、
出力バンドパスフィルタを使用するようにしてもよい。
つまり、無線機器の送信用パワーブースタチップ３２の
入力整合回路３１、出力整合回路３３、出力ローパスフ
ィルタ３４、出力バンドパスフィルタの少なくとも１つ
がセラミック多層基板に内蔵されていればよい。
ブースタチップ３２の入力整合回路３１と、出力整合回
路３３と、出力ローパスフィルタ３４とがセラミック多
層基板に内蔵されているが、このうちで、入力整合回路
３１、出力整合回路３３、出力ローパスフィルタ３４の
少なくとも１つがセラミック多層基板に内蔵されていれ
ばよい。また、出力ローパスフィルタ３４の代わりに、
出力バンドパスフィルタを使用するようにしてもよい。
つまり、無線機器の送信用パワーブースタチップ３２の
入力整合回路３１、出力整合回路３３、出力ローパスフ
ィルタ３４、出力バンドパスフィルタの少なくとも１つ
がセラミック多層基板に内蔵されていればよい。
【００２５】なお、正面電極１ａ、１ｂは曲面で構成さ
れているが、この代わりに、平面状の電極を使用しても
よい。
れているが、この代わりに、平面状の電極を使用しても
よい。
【００２６】また、上記実施例は、無線機器の送信用パ
ワーブースタチップおよびその周辺回路に関するもので
あるが、この考えを無線機器の受信回路のフロントエン
ドに応用することができる。つまり、図３における無線
機器の受信回路のフロントエンドのバンドパスフィルタ
１６、１８をセラミック多層基板に内蔵するようにして
もよく、この場合、バンドパスフィルタ１６、１８のい
ずれか一方をセラミック多層基板に内蔵するようにして
もよい。この場合も、放熱用金属がセラミック多層基板
に内蔵されているようにしてもよく、また、放熱用金属
がセラミック多層基板の表面電極と接続されているよう
にしてもよい。
ワーブースタチップおよびその周辺回路に関するもので
あるが、この考えを無線機器の受信回路のフロントエン
ドに応用することができる。つまり、図３における無線
機器の受信回路のフロントエンドのバンドパスフィルタ
１６、１８をセラミック多層基板に内蔵するようにして
もよく、この場合、バンドパスフィルタ１６、１８のい
ずれか一方をセラミック多層基板に内蔵するようにして
もよい。この場合も、放熱用金属がセラミック多層基板
に内蔵されているようにしてもよく、また、放熱用金属
がセラミック多層基板の表面電極と接続されているよう
にしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、無線機器の送信用パワ
ーブースタチップの入力整合回路、出力整合回路、出力
ローパスフィルタの少なくとも１つがセラミック多層基
板に内蔵されているので、無線機器の送信用パワーブー
スタチップおよびその周辺回路全体の形状を小さくする
ことができるという効果を奏する。
ーブースタチップの入力整合回路、出力整合回路、出力
ローパスフィルタの少なくとも１つがセラミック多層基
板に内蔵されているので、無線機器の送信用パワーブー
スタチップおよびその周辺回路全体の形状を小さくする
ことができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例であるＭＭＩＣパッケージ２
を示す図であり、図１（１）は、その平面図であり、図
１（２）は、図１（１）のＩ（２）−Ｉ（２）線で縦断
し、矢印方向から見た縦断面図である。
を示す図であり、図１（１）は、その平面図であり、図
１（２）は、図１（１）のＩ（２）−Ｉ（２）線で縦断
し、矢印方向から見た縦断面図である。
【図２】上記実施例の正面図である。
【図３】一般的な移動無線機器における送信用パワーブ
ースタチップおよびその周辺の回路と、受信回路のフロ
ントエンドとを示す図である。
ースタチップおよびその周辺の回路と、受信回路のフロ
ントエンドとを示す図である。
【図４】送信用パワーブースタチップおよびその周辺の
回路を組み立てて形成した従来のＭＭＩＣパッケージ１
を示す図である。
回路を組み立てて形成した従来のＭＭＩＣパッケージ１
を示す図である。
１ａ、１ｂ…正面電極、 ２…ＭＭＩＣパッケージ、 １６…トップバンドパスフィルタ、 １８…段間バンドパスフィルタ、 ３１…入力整合回路、 ３２…送信用パワーブースタチップ、 ３３…出力整合回路、 ３４…出力ローパスフィルタ、 Ｓ…セラミックス、 Ｇ…グランド層、 ＢＷ…ボンディングワイヤ、 ＶＨ…ヴィアホール、 ＣＰ…チップ部品。
Claims (3)
- 【請求項１】 無線機器の送信用パワーブースタチップ
の入力整合回路、出力整合回路、出力ローパスフィル
タ、出力バンドパスフィルタの少なくとも１つがセラミ
ック多層基板に内蔵されていることを特徴とするＭＭＩ
Ｃパッケージ。 - 【請求項２】 請求項１において、 放熱用金属が上記セラミック多層基板に内蔵されている
ことを特徴とするＭＭＩＣパッケージ。 - 【請求項３】 請求項２において、 上記放熱用金属が上記セラミック多層基板の表面電極と
接続されていることを特徴とするＭＭＩＣパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5078850A JPH06268532A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Ｍｍｉｃパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5078850A JPH06268532A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Ｍｍｉｃパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268532A true JPH06268532A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13673308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5078850A Pending JPH06268532A (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | Ｍｍｉｃパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268532A (ja) |
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-
1993
- 1993-03-12 JP JP5078850A patent/JPH06268532A/ja active Pending
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|---|---|---|---|
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