WO2002010486A1 - Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin - Google Patents

Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin Download PDF

Info

Publication number
WO2002010486A1
WO2002010486A1 PCT/JP2001/006528 JP0106528W WO0210486A1 WO 2002010486 A1 WO2002010486 A1 WO 2002010486A1 JP 0106528 W JP0106528 W JP 0106528W WO 0210486 A1 WO0210486 A1 WO 0210486A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
melting
completion
single crystal
melt
raw material
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/006528
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Urano
Hideki Shigeno
Original Assignee
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. filed Critical Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Priority to JP2002516396A priority Critical patent/JP3704710B2/ja
Publication of WO2002010486A1 publication Critical patent/WO2002010486A1/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé qui permet de déterminer un état de fusion d'une matière première en silicium polycristallin, et donc de détecter la dernière phase de la fusion; de déterminer efficacement la température appropriée de dépôt d'un monocristal, température à laquelle le silicium en fusion doit être refroidi après la dernière phase de la fusion; de réduire la perte en cours de traitement et donc d'économiser sur la main d'oeuvre et les coûts. L'invention concerne également un appareil de production d'un silicium monocristallin mettant en oeuvre le procédé de l'invention. Parmi les procédés décrits, celui qui permet de détecter la dernière phase de la fusion d'une matière première en silicium polycristallin se caractérise en ce que la température superficielle du silicium pendant la fusion de la matière première en silicium polycristallin est mesurée par un moyen optique; que la marge de fluctuation de la température est comparée avec la valeur préétablie; que le moment où la marge de fluctuation de la température superficielle est pour la première fois identique ou inférieure à la valeur préétablie est utilisé comme le premier point d'achèvement de la fusion; et que la fusion d'une matière première en silicium polycristallin est jugée terminée lorsqu'elle arrive au premier point d'achèvement de la fusion.
PCT/JP2001/006528 2000-07-28 2001-07-30 Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin WO2002010486A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002516396A JP3704710B2 (ja) 2000-07-28 2001-07-30 種結晶着液温度の設定方法及びシリコン単結晶の製造装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000228273 2000-07-28
JP2000-228273 2000-07-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002010486A1 true WO2002010486A1 (fr) 2002-02-07

Family

ID=18721593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2001/006528 WO2002010486A1 (fr) 2000-07-28 2001-07-30 Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3704710B2 (fr)
WO (1) WO2002010486A1 (fr)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1498514A1 (fr) 2003-07-14 2005-01-19 Toyo Tanso Co., Ltd. Dispositif et procédé de contrôle d'un bain de sel fondu électrolytique
JP2009155162A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Sharp Corp 融解装置
JP2009161400A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置
JP2009196830A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Sharp Corp 析出板製造装置および析出板製造方法
US7635798B2 (en) 2001-08-31 2009-12-22 Dow Agrosciences, Llc Nucleic acid compositions conferring altered metabolic characteristics
JP2012500775A (ja) * 2008-08-25 2012-01-12 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド シリコン島の高さを連続的に測定するための方法および装置
CN105603512A (zh) * 2016-01-26 2016-05-25 中山大学 一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备
JP2017114709A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 信越半導体株式会社 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
JP2017193461A (ja) * 2016-04-20 2017-10-26 株式会社Sumco 単結晶の製造方法および装置
WO2022185789A1 (fr) * 2021-03-01 2022-09-09 信越半導体株式会社 Procédé de détection d'état de surface d'une matière première fondue, procédé de production d'un monocristal et dispositif de production de monocristal cz
JP7571618B2 (ja) 2021-03-01 2024-10-23 信越半導体株式会社 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びｃｚ単結晶製造装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101317198B1 (ko) * 2011-10-24 2013-10-15 한국생산기술연구원 성장로 감시 장치
TWI766600B (zh) * 2021-03-02 2022-06-01 環球晶圓股份有限公司 熔湯的檢測方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259381A (ja) * 1995-03-27 1996-10-08 Nippon Steel Corp 単結晶引上げ制御方法
JPH09175890A (ja) * 1995-12-25 1997-07-08 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引上炉の液温制御方法
US5846318A (en) * 1997-07-17 1998-12-08 Memc Electric Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
JP2000264780A (ja) * 1999-03-19 2000-09-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体単結晶引き上げ装置における溶融検知方法および装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259381A (ja) * 1995-03-27 1996-10-08 Nippon Steel Corp 単結晶引上げ制御方法
JPH09175890A (ja) * 1995-12-25 1997-07-08 Sumitomo Sitix Corp 単結晶引上炉の液温制御方法
US5846318A (en) * 1997-07-17 1998-12-08 Memc Electric Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
JP2000264780A (ja) * 1999-03-19 2000-09-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体単結晶引き上げ装置における溶融検知方法および装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M.J. WARGO ET AL.: "Real time thermal imaging for analysis and control of crystal growth by the Czochralski technique", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 116, no. 1-2, January 1992 (1992-01-01), pages 213 - 224, XP002945487 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7635798B2 (en) 2001-08-31 2009-12-22 Dow Agrosciences, Llc Nucleic acid compositions conferring altered metabolic characteristics
EP1498514A1 (fr) 2003-07-14 2005-01-19 Toyo Tanso Co., Ltd. Dispositif et procédé de contrôle d'un bain de sel fondu électrolytique
KR100579385B1 (ko) 2003-07-14 2006-05-12 도요탄소 가부시키가이샤 용융염 전해욕의 제어 장치와 그 제어 방법
CN1303258C (zh) * 2003-07-14 2007-03-07 东洋炭素株式会社 熔盐电解浴的控制装置及其控制方法
US7316765B2 (en) 2003-07-14 2008-01-08 Toyo Tanso Co., Ltd. Apparatus and method for molten salt electrolytic bath control
JP2009155162A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Sharp Corp 融解装置
JP2009161400A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置
JP2009196830A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Sharp Corp 析出板製造装置および析出板製造方法
JP2012500775A (ja) * 2008-08-25 2012-01-12 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド シリコン島の高さを連続的に測定するための方法および装置
JP2017114709A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 信越半導体株式会社 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
CN105603512A (zh) * 2016-01-26 2016-05-25 中山大学 一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备
CN105603512B (zh) * 2016-01-26 2018-10-16 中山大学 一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备
JP2017193461A (ja) * 2016-04-20 2017-10-26 株式会社Sumco 単結晶の製造方法および装置
WO2022185789A1 (fr) * 2021-03-01 2022-09-09 信越半導体株式会社 Procédé de détection d'état de surface d'une matière première fondue, procédé de production d'un monocristal et dispositif de production de monocristal cz
JP2022132995A (ja) * 2021-03-01 2022-09-13 信越半導体株式会社 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びｃｚ単結晶製造装置
JP7571618B2 (ja) 2021-03-01 2024-10-23 信越半導体株式会社 原料融液の表面の状態の検出方法、単結晶の製造方法、及びｃｚ単結晶製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3704710B2 (ja) 2005-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002010486A1 (fr) Procede pour detecter la derniere phase de fusion d'un silicium polycristallin, procede de reglage de la temperature de contact du cristal germe avec la matiere en fusion, et appareil de production d'un silicium monocristallin
TW278203B (en) Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon
AU2003237489A1 (en) Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals
WO2000000674A3 (fr) Procede de cristallogenese permettant d'obtenir des cristaux de silicium exempts de defauts et de diametres arbitraires
EP1408015A3 (fr) Creuset en verre de silice, son procédé de fabrication et son ultilisation
DK1866466T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af en monokrystallinsk skive med tilnærmelsesvis polygonalt tværsnit
WO2009140406A3 (fr) Appareil de croissance des cristaux pour fabrication de pile solaire
TW200643233A (en) Production process of silicon single crystal
CN102392301B (zh) 定向凝固法中籽晶熔化状态判断方法以及引晶控制系统
WO2011072278A3 (fr) Lingots/tranches de germanium ayant une faible densité de micro-cavités (mpd) ainsi que systèmes et procédés pour leur fabrication
EP0751242A4 (fr) Procede permettant d'obtenir la croissance d'un cristal massif
EP1780314A3 (fr) Procédé pour la production d'un monocristal de silicium
WO1992005579A1 (fr) Procede de traitement thermique de tranches de semi-conducteurs
CN104480527B (zh) 一种多晶硅铸锭炉全功率控制铸锭工艺
US20090038537A1 (en) Method of pulling up silicon single crystal
WO2008146439A1 (fr) Procédé de croissance d'un silicium monocristallin
TW200500507A (en) Process for producing single crystal
CN110172731A (zh) 一种自动转肩工艺
EP1413652B1 (fr) Procédé d'évaluation de la réaction entre verre de silice et silicium fondu et de mesurer les vibrations à la surface du silicium fondu
JPH07300388A (ja) シリコン単結晶の製造方法
CN204727983U (zh) 一种带有石墨纸夹层的硅料加热埚
RU2261297C1 (ru) Способ выращивания монокристаллов из расплава методом амосова
WO2010053586A3 (fr) Systèmes, procédés et substrats de croissance cristalline de germanium monocristallin
JPS5926996A (ja) 単結晶の製造方法
CN117518814A (zh) 一种用于单晶炉拉晶收尾阶段自动匹配温度及拉速的方法及系统

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2002 516396

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase