WO2001024252A1 - Electronic device and method of manufacture thereof - Google Patents

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WO2001024252A1
WO2001024252A1 PCT/JP2000/006646 JP0006646W WO0124252A1 WO 2001024252 A1 WO2001024252 A1 WO 2001024252A1 JP 0006646 W JP0006646 W JP 0006646W WO 0124252 A1 WO0124252 A1 WO 0124252A1
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electrode
connection electrode
electronic component
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Kozo Murakami
Kunihiro Fujii
Satoshi Matsuo
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic component in which an electronic component element is housed in a package such as a surface acoustic wave (S AW) device, and a method of manufacturing the electronic component.
  • a package such as a surface acoustic wave (S AW) device
  • FIG. 5 is a top view of a conventional SAW device
  • FIG. 6 is a sectional view of the same.
  • a first ceramic frame 101 is laminated on one surface of a ceramic substrate 100, and a first ceramic frame 101 is formed.
  • a second ceramic frame 102 is laminated thereon and fired after being laminated, and these are integrated to obtain a package 103.
  • an internal connection electrode 104 and a shield electrode 105 are formed at predetermined positions of the package 103, and a seam ring 110 is soldered to the upper end surface of the package.
  • gold plating is performed on the surfaces of the internal connection electrode 104, the shield electrode 105, and the seam ring 110.
  • the S AW element 107 is obtained by forming a comb-shaped electrode for input and output on a piezoelectric substrate (not shown), and a reflector electrode and connection electrodes electrically connected to the comb-shaped electrode on both sides of the comb-shaped electrode.
  • the S AW element 107 is provided with an adhesive layer 106 on the inner bottom surface of the package 103, that is, on the shield electrode 105 on one side of the ceramic substrate 100. And implement it.
  • image recognition is performed from the upper surface side of the package 103, that is, from the seam ring 110 side to the SAW element 107 side, and the second ceramic frame 102 of the package 103 is connected to the second ceramic frame 102.
  • the boundary between the ceramic frame 101 and the internal connection electrode 104 and the part where the internal connection electrode is not formed 108a and 108b is detected, and the two boundaries and the package 103 are detected.
  • the position to be connected to the wire 109 in the internal connection electrode 104 is determined from the dimensions.
  • the SAW element 107 and the internal connection electrode 104 are connected with the wire 109, and the lid 111 is welded to the shim ring 110 of the package 103.
  • the lid 111 is welded to the shim ring 110 of the package 103.
  • connection electrode 104 cannot be normally connected.
  • an object of the present invention is to provide an electronic component and a method for manufacturing the same, which can accurately determine the position of the electronic component element and determine the connection position of the internal connection electrode with the wire with high accuracy. It is. Disclosure of the invention
  • the gist of the electronic component of the present invention is as follows.
  • a positioning pattern suitable for positioning an electronic component element such as a SAW element, which is mounted on a child component, or a wire connected to the electronic component element at a predetermined position of the package is provided.
  • the gist of the electronic component manufacturing method of the present invention is that an inner wall of a package has a step, and a boundary between the step and an inner bottom surface of the package is accurately detected, and at least the elements and wires are removed. One of the positionings is determined.
  • the electronic component of the present invention includes a package having a step on its inner wall, an internal connection electrode provided on an upper end surface of the step on the inner wall, a shield electrode provided on an inner bottom surface of the package, An element disposed on the field electrode and a wire connecting the element and the internal connection electrode, and an electrode used to determine at least one of the position of the element and the wire on a part of the internal bottom surface. It is an electronic component provided with a pole non-forming portion. The non-electrode-formed portion can be used as a positioning pattern when at least one of the element and the wire is positioned at a predetermined position of the package.
  • the non-electrode-formed portion is easily distinguishable from the shield electrode formed on the inner bottom surface of the package by color, if this non-electrode-formed portion is adopted, the mounting position of the element and the internal connection electrode and wire It is possible to accurately determine the connection position with.
  • another electronic component of the present invention includes a ceramic substrate, a first ceramic frame formed on one surface of the ceramic substrate, and a first ceramic frame formed on the first ceramic frame.
  • An electrode, and the internal connection electrode is also formed on the other surface of the ceramic substrate via the first ceramic frame and a side surface of the ceramic substrate, and one of the ceramic substrates is further provided.
  • a shield electrode for arranging the element is formed on a surface, the element is fixed on the shield electrode, and a wire connecting the element and the internal connection electrode is provided.
  • An electronic component provided with an electrode non-forming portion used for determining at least one position of the element and the coil.
  • the electrode non-formed portion can be recognized as a positioning pattern for determining the positioning of at least one of the element and the wire. This makes it possible to accurately determine the mounting position of the element and the connection position between the internal connection electrode and the wire.
  • another feature of the electronic component of the present invention is an electronic component in which the electrode non-forming portion is provided in at least two places, and the element is arranged on the shield electrode connecting the two electrode non-forming portions, Further, according to the present invention, there is provided an electronic component in which one side of the non-electrode-formed portion is on the same line as one side of the internal connection electrode when viewed from above the package. Further, the electronic component is such that one side or an extension of the internal connection electrode is substantially orthogonal to one side or an extension thereof of the electrode non-formed portion. In addition, it is an electronic component in which the width between the lower portions of the steps is wider than the width between the upper portions of the steps facing the inner wall of the package.
  • the electronic component of the present invention realizes more accurate element implementation.
  • the mounting position and the connection position between the internal connection electrode and the wire can be determined.
  • the electronic component of the present invention is an electronic component in which the upper surfaces of the internal connection electrode and the element are present on substantially the same plane. Thereby, it is possible to focus on both the internal connection electrode and the element, so that the connection position between the internal connection electrode and the wire can be determined with higher accuracy.
  • the length of the portion where the shield electrode is not formed in the direction between the internal connection electrode and the element is larger than the width of the defocus of the lens for recognizing the boundary between the internal connection electrode and the portion where the electrode is not formed. It is a long electronic component. Thereby, the boundary between the internal connection electrode and the electrode non-formed portion can be accurately recognized.
  • the present invention is the electronic component in which the length of the side on the internal connection electrode side of the shield electrode non-formed portion is longer than the length between the internal connection electrodes. This makes it possible to reliably recognize the boundary between the internal connection electrode and the shield electrode even if the position of the shield electrode non-formed portion is displaced.
  • the method for manufacturing an electronic component includes: a first step of mounting an element in a package having a step on opposing inner walls and having a plurality of internal connection electrodes on an upper end surface of the step; A second step of detecting at least two points of a boundary between the step and the inner bottom surface of the package when viewed from above, and determining a wire connection position between the internal connection electrode and the element based on the detection result; A method of manufacturing an electronic component, comprising: a third step of electrically connecting the element and the internal connection electrode with the wire; and a fourth step of sealing an opening of the package with a lid. is there.
  • the internal connection electrode and the element can be reliably connected by a wire.
  • the package in addition to having a shield electrode on the inner bottom surface of the package, the package also has a shield electrode non-formed portion on the inner bottom surface of the package adjacent to the step when the package is viewed from the upper surface, and the shield in the first step.
  • the present invention provides a package having a step on inner walls facing each other and having a plurality of internal connection electrodes on an upper end face of the step, detecting at least two boundaries between the step and the inner bottom face when viewed from above.
  • a method of manufacturing an electronic component comprising: a third step to be continued; and a fourth step of sealing an opening of the package with a lid.
  • the package when the package has a shield electrode on an inner bottom surface of the package and a shield electrode non-formed portion at an end of the inner bottom surface on the side of the internal connection electrode, the package is viewed from the top surface in the first step.
  • An electronic component manufacturing method for determining a mounting position of an element by detecting at least two intersections of one side or an extension of the shield electrode non-formed portion and one side or an extension of the internal connection electrode. .
  • the element can be more reliably mounted on the package.
  • the present invention provides a package having a step on inner walls opposed to each other, and having an internal connection electrode on an upper end face of the step, wherein at least a boundary between the step and the inner bottom face is reduced when viewed from the top of the package.
  • a method of manufacturing an electronic component comprising: a fourth step of electrically connecting with a wire; and a fifth step of sealing an opening of the package with a lid. This makes it possible to more reliably mount the element on the package and connect the element and the internal connection electrode with a wire.
  • a shield electrode is formed on an inner bottom surface of the package, and an end portion of the internal connection electrode side is a shield electrode non-formed portion.
  • a first step one side of the shield electrode non-formed portion or an extension thereof and the shield electrode are formed.
  • the mounting position of the element is determined, and in the third step, one side or an extension line of the shield electrode non-formed portion is determined.
  • FIG. 1 is a top view of the SAW device according to Embodiments 1 to 3 of the present invention before sealing with a SAD device lid according to Embodiments 1 to 3 of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the device,
  • FIG. 3 is a top view of a SAW element according to another embodiment of the present invention,
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of another embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a top view of a conventional SAW device before sealing with a lid
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional SAW device. It is. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a top view of the SAW device from the lid side before sealing the ridge of the SAW device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AB of the AW device.
  • Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to these drawings.
  • the first ceramic frame 11 and the second ceramic frame 12 are placed on one surface of the ceramic substrate 10, that is, on the surface on which the SAW element 17 is mounted.
  • a package 13 having steps 26 is formed in this order.
  • connection electrode 14 is connected to one surface (front surface) of the first ceramic frame 11, the outer surface of the ceramic substrate 10 and the first ceramic frame 11, and the outer surface of the first ceramic frame 11. It is formed on a part of the other surface (back surface) of the backing substrate 10.
  • Shield electrode 15 is ceramic on which S AW element 17 is mounted
  • the SAW element 17 is formed on the front side of the substrate 10 and is fixed on the shield electrode 15 via an adhesive layer 16.
  • the shield electrode non-formed portions 18 a and 18 b are provided at the step 26 side end of the inner bottom surface of the package 13, and the shield electrode 1 connecting the shield electrode non-formed portions 18 a and 18 b is provided.
  • the SAW element 17 is arranged at a predetermined position on 5.
  • a plating underlayer is formed on the front surface, the back surface, and the outer surface of the ceramic substrate 10 where the shield electrode 15 and the internal connection electrode 14 are formed.
  • a first ceramic frame 11 is formed on the front side of the ceramic substrate 10.
  • a plating underlayer having the same shape as the internal connection electrode 14 to be formed on the surface and the outer surface of the first ceramic frame 11 is formed.
  • the second ceramic frame 12 having the same outer peripheral shape as that of the first ceramic frame 11 and having a smaller width than the first ceramic frame 11 is replaced with the first ceramic frame. Formed on 11 and formed a step 26 inside the package 13 and fired to integrate the ceramic substrate 10 with the first and second ceramic frames 11 1 and 12 Then, a package 13 is manufactured. A plating base layer is also formed on the upper surface of the second ceramic frame 12.
  • the ceramic substrate 10, the first ceramic frame 11 and the second ceramic frame 12 were mainly composed of aluminum oxide, and the plating underlayer was mainly composed of tungsten.
  • a sealing ring 20 having the same or similar thermal expansion coefficient as that of the package 13 was provided using silver brazing in the W portion.
  • a plurality of internal connection electrodes 14 are provided on the upper end face of the step 26 of the inner wall of the package 13 (the upper end face of the first ceramic frame 11).
  • the first ceramic frame 11 is formed so as to reach the inner peripheral end thereof, and each side thereof is parallel to each side of the package 13 (each side of the first ceramic frame 11). That is, the internal connection electrodes 14 are substantially rectangular or square.
  • the sides of the shield electrode non-formed portions 18a and 18b on the inner bottom surface of the package 13 are parallel to the respective sides of the package 13 and the lower end of the inner periphery of the first ceramic frame 11 Provided.
  • the shield electrode non-formed portions 18a and 18b are also substantially rectangular or pentagonal, and the internal connection electrode 14 and the shield electrode non-formed portions 18a and 18b are formed substantially orthogonally. It is configured so that:
  • the internal connection electrode 14 and the shield electrode non-formed portion 180 Two shield electrode non-forming portions 18a and 18b are formed so that a and 18b are adjacent to each other and on both sides of the SAW element 17.
  • a plurality of comb electrodes 22 for input and output on the piezoelectric substrate, and a plurality of connection electrodes 24 electrically connected to the reflector electrode 23 and the comb electrodes 22 on both sides of the comb electrodes 22 are formed.
  • a SAW element 17 was obtained.
  • SAW element 17 on shield electrode 15 of package 13 Is fixed via the adhesive layer 16.
  • the internal connection electrode 14 and the connection electrode 24 of the SAW element 17 are configured to have substantially the same height.
  • the shield electrode non-formed portions 18a and 18b exist between the internal connection electrode 14 and the connection electrode 24 of the SAW element 17. did.
  • the package 13 is image-recognized from the upper surface, and at each of the steps 26 facing each other, the boundary point between the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and the internal connection electrode 14 is detected, and these two points are detected.
  • the midpoint of the connecting straight line is determined, and the connection position between the internal connection electrode 14 and the wire 19 is determined based on the midpoint as a reference and the various dimensions of the package 13.
  • electrode patterns such as the comb-shaped electrode 22 and the connection electrode 24 provided on the surface of the SAW element 17
  • the position at which the connection electrode 24 is connected to the coil 19 is also determined.
  • one end of the wire 19 is electrically connected to the internal connection electrode 14 and the other end is connected to the connection electrode 24 of the SAW element 17.
  • the SAW element 17 is sealed in the package 13 by welding the lip 21 to a seam ring 20 provided on the upper end surface of the package 13.
  • Embodiment 2 relates to a procedure for determining a mounting position of the SAW element 17 and will be described with reference to FIG.
  • a package 13 and an SAW element 17 having an internal connection electrode 14 and a shield electrode 15 similar to those of the first embodiment are formed.
  • the SAW element 17 is mounted on the shield electrode 15 of the knockout 13 via the adhesive layer 16.
  • the package 13 is image-recognized from the top side, and internally connected to the shield electrode non-formed portions 18a and 18b. The intersection of the electrodes 14 is detected, and the mounting position of the SAW element 17 is determined from the various dimensions of the package 13 with reference to the midpoint of the straight line connecting these two points.
  • At least two non-electrode-forming portions 18a and 18b are provided, and the SAW element 17 is arranged on a line connecting the two portions.
  • the SAW element 17 is mounted on the shield electrode 15 of the package 13 via the adhesive layer 16.
  • the lid 21 is welded to the seam ring 20 provided on the upper end surface of the package 13.
  • the SAW element 17 is sealed in the package 13.
  • Embodiment 3 relates to a procedure for determining a connection portion between the internal connection electrode 14 and the wire 19.
  • the parts with the same numbers as FIG.1 have the same functions.
  • the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and the internal connection electrode 14 are adjacent to each other. Are formed such that the shield electrode non-formed portions 18 a and 18 b are separated from the internal connection electrode 14.
  • the extension line on one side of the step 26 side of the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and the inner bottom surface of the package 13 of the internal connection electrode 14 The intersection of the extension lines of one side is detected, and the midpoint of the straight line connecting these two points Then, the connection portion between the internal connection electrode 14 and the wire 19 is determined from various dimensions of the package 13.
  • the SW element 17 is sealed in the package 13 by welding the ridge 21 to a shim ring 20 provided on the upper end surface of the package 13.
  • image recognition is performed from the top side of the package 13, and This is performed by recognizing a boundary point between the inner bottom surface of the die 13 and the internal connection electrode 14 for the following reason.
  • the distance between recognition points is as long as possible. Therefore, it is sufficient to recognize the boundary point between the sealing ring 20 and the first ceramic frame 11 when viewed from the upper surface side of the package 13.
  • the sealing 20 is the second ceramic frame. Since it is fixed to the upper end surface of the body 12 with the silver solder 25, the positional accuracy is displaced. However, since the first ceramic frame 11 is formed by punching, the displacement of its shape accuracy is smaller than that of the position accuracy of the seam ring 20.
  • a metal layer is formed on the upper end surface of the second ceramic frame 12 not only when welding the rim 21 using the seam ring 20 but also when sealing it with a hang. In this case, the shape accuracy is inferior to that of the first ceramic frame 11. It is desirable to perform positioning using the boundary between the ceramic frame 11 and the inner bottom surface of the package 13.
  • the shield electrode non-formed portions 18a and 18b are internally connected to the shield electrode non-formed portions 18a and 18b when the package 13 is viewed from the top side.
  • the electrodes 14 may be formed so that the corners are adjacent.
  • the fourth embodiment will be described with reference to FIG. 3 as in the third embodiment.
  • the parts having the same numbers as those in FIG. 1 are the same as those described in the first and second embodiments, and thus description thereof will be omitted.
  • the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and the internal connection electrode 14 are not adjacent to each other as in the third embodiment. . However, one side of the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and one side of the internal connection electrode 14 are arranged on the boundary between the step 26 and the internal bottom surface.
  • package 13 is image-recognized from the top side and package At each of the opposing steps 26 of the cage 13, an orthogonal point between the extension of one side of the shield electrode non-forming portions 18 a and 18 b and the extension of the other side of the internal connection electrode 14 is detected. Based on the midpoint of the straight line connecting these two points, the mounting position of the SAW element 17 is determined from the various dimensions of the package 13.
  • Embodiment 5 is characterized by the shape of the first ceramic frame 11. Embodiment 5 will be described with reference to FIG. Note that the parts denoted by the same reference numerals as in FIG. 1 are the same as those described in the first embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the angle formed between the inner peripheral side surface and the upper end surface of the first ceramic frame 11 is a right angle, but in Embodiment 5, the inner peripheral surface of the first ceramic frame 11 is formed.
  • the angle between the side surface and the top surface is set to be acute. Thereby, the width between the opposing steps 26 is wider at the lower part than at the upper part.
  • the first ceramic frame 11 is formed by punching a ceramic sheet into a desired shape.
  • the inner peripheral side surface of the ceramic frame 11 can be processed into a desired shape, for example, a tapered shape. If the angle between the inner peripheral side surface and the upper end surface of the ceramic frame 11 is selected to be an acute angle, when the package 13 is image-recognized from the upper surface, one side of the shield electrode non-formed portion 18a, 18b Alternatively, it is possible to accurately detect an orthogonal line between the extension and one side of the internal connection electrode 14 or the extension.
  • connection point 24 of the SAW element 17 and the internal connection electrode 14 are reliably connected by the wire 19 by recognizing the orthogonal point of the extension line.
  • the shield electrode non-formed portions 18 a and 18 b as viewed from the top side of the package 13 are formed.
  • the mounting position of the SAW element 17 is determined.
  • one side of the shield electrode non-formed portion 18a, 18b or an extension thereof is substantially perpendicular to one side of the internal connection electrode 14 or an extension thereof.
  • the mounting position of the SAW element 17 and the connection position of the internal connection electrode 14 and the wire 19 can be specified.
  • image recognition may be performed twice in order to specify the mounting position of the SAW element 17 and the connection position between the internal connection electrode 14 and the wire 19.
  • the intersection of one side of the shield electrode non-formed portion 18a, 18b and one side of the internal connection electrode 14 is detected.
  • the boundary with the inner bottom surface can be reliably recognized.
  • the package 1 in order to detect the orthogonal point between the extension of one side of the shield electrode non-formed portion 18a, 18b and the extension of one side of the internal connection electrode 14, for example, the package 1 When the shape 3 is displaced, the position recognition accuracy is slightly reduced as compared with the first and second embodiments.
  • the shield electrode is formed such that the shield electrode non-formed portions 18a and 18b and the internal connection electrode 14 are adjacent to each other. It is desirable to form the non-formed portions 18a and 18b. Also, when forming the shield electrode non-formed portions 18a and 18b, the distance between the internal connection electrodes 14 of the same step 26 should be more It is desirable to lengthen the side of the electrode non-formed portions 18a and 18b on the side of the internal connection electrode 14.
  • one ceramic frame 11 Features shape. That is, the angle formed between the inner peripheral side surface and the upper end surface of the first ceramic frame 11 is an acute angle. Thereby, the distance between the steps 26 facing each other can be configured to be wider at the lower part than at the upper part. Therefore, when the package 13 is image-recognized from the top surface, one side of the shield electrode non-formed portion 18a, 18b or an extension thereof and one side of the internal connection electrode 14 or an orthogonal point of the extension thereof are accurately determined. It can be detected well. Such a configuration of the ceramic frame 11 can be applied to all of the first to fourth embodiments.
  • the shield electrode non-forming portions 18a and 18b are provided adjacent to the opposing steps 26, respectively.
  • Two shield electrode non-formed portions 18a and 18b are provided so as to be adjacent to only one step 26, and one side of the shield electrode non-formed portions 18a and 18b or an extension line thereof and the inside are formed.
  • Positioning can be performed by recognizing an orthogonal point of one side of the connection electrode 14 or an extension thereof. For more accurate recognition, it is desirable to form the shield electrode non-formed portions 18 a and 18 b on both sides of the Saw element 17 at the bottom of the package 13.
  • the boundary between the step 26 and the bottom surface can be recognized with high accuracy when viewed from the top side of the package 13, and the mounting position of the SAW element 17 can be determined. Can be reduced to the minimum necessary for mounting the S AW element 17. Therefore, the size of the SAW device can be reduced.
  • a SAW device has been described as an example. However, similar effects can be obtained in an electronic component in which electrodes are provided on the top and bottom surfaces of a package and elements are mounted inside. is there. Industrial applicability

Landscapes

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Description

明 細 書 電子部品及びその製造方法 技術分野
本発明は例えば S AW (Surface Acoust ic Wave；弾性表面波） デバイスなどパッケージ内に電子部品素子を収納した電子部品 及びその製造方法に関するものである。 背景技術
F I G. 5は従来の S AWデバイスの上面図、 F I G. 6は 同断面図である。 これらの図面に示したように、 従来の S AW デバイスは、 まずセラミック基板 1 0 0の一方の面に第 1 のセ ラミック枠体 1 0 1 を積層し、 第 1 のセラミック枠体 1 0 1 の 上に第 2のセラミック枠体 1 0 2 を積層後焼成し、 これらを一 体化してパッケージ 1 0 3を得る。 次にパッケージ 1 0 3の所 定の箇所に内部接続電極 1 0 4及びシールド電極 1 0 5 を形成 するとともに、 シームリ ング 1 1 0をパッケージ上端面に銀ろ う付けする。 次いで内部接続電極 1 0 4、 シールド電極 1 0 5、 シームリング 1 1 0の表面に金メッキを行う。
S AW素子 1 0 7 は図示しない圧電基板上に入、 出力用の櫛 形電極、 この櫛形電極の両側に反射器電極及び櫛形電極に電気 的に接続した接続電極を形成して得られるが、 S AW素子 1 0 7は、 パッケージ 1 0 3の内部底面、 すなわちセラミ ック基板 1 0 0の一方の面のシールド電極 1 0 5上に接着層 1 0 6 を介 して実装する。 次いでパッケージ 1 0 3の上面側、 すなわち、 シームリ ング 1 1 0側から S A W素子 1 0 7側に向かって画像 認識を行い、 パッケージ 1 0 3の第 2 のセラミ ック枠体 1 0 2 と第 1 のセラミック枠体 1 0 1 の境界、 内部接続電極 1 0 4 と 内部接続電極非形成部 1 0 8 a , 1 0 8 bの境界を検知し、 こ の二つの境界とパッケージ 1 0 3の寸法から内部接続電極 1 0 4においてワイヤ 1 0 9 と接続する位置を決定する。
次いでこの位置決めに基づいて、 S A W素子 1 0 7 と内部接 続電極 1 0 4とをワイヤ 1 0 9で接続し、 パッケージ 1 0 3の シ一ムリング 1 1 0 にリ ツ ド 1 1 1 を溶接していた。
上記の従来技術においては、 シームリ ング 1 1 0 を銀ろう付 けすると形成位置が変位するため高精度な位置決めを行うのが 極めて困難であった。
このような位置決めが的確に行われなくなると、 例えばワイ ャ 1 0 9 をたとえばシールド電極 1 0 5上に接続してしまうと いう間違った位置決めが行われたり、 また、 ワイヤ 1 0 9 と内 部接続電極 1 0 4 とを正常に接続できないという不都合が生じ る。
そこで本発明は、電子部品素子の配置を精度よく位置決めし、 また、 内部接続電極のワイヤとの接続位置を精度よく決定する ことのできる電子部品及びその製造方法を提供することを目的 とするものである。 発明の開示
上記目的を達成するために、 本発明の電子部品の要旨は、 電 子部品に実装するたとえば S A W素子などの電子部品素子ゃ電 子部品素子に接続するワイヤなどをパッケージの所定の位置に 位置決めするに好適な位置決めパターンを設けるものである。
また本発明の電子部品の製造方法の要旨は、 パッケージの内 壁には段差を有し、 その段差と、 前記パッケージの内部底面と の境界を精度良く検出して、 前記素子及びワイヤの少なく とも 一方の位置決めを決定するものである。
具体的には本発明の電子部品は、 その内壁に段差を有するパ ッケージと、前記内壁の段差の上端面に設けた内部接続電極と、 前記パッケージの内部底面に設けたシールド電極と、 このシー ルド電極上に配置した素子と、 この素子と前記内部接続電極と を接続するワイヤとを備え、 前記内部底面の一部に前記素子及 び前記ワイヤの少なく とも一方の位置を決めるときに用いる電 極非形成部を設けた電子部品である。 前記電極非形成部は素子 及びワイヤの少なく とも一方をパッケージの所定の位置に位置 合わせするときの位置決めパターンとして採用することができ る。 前記電極非形成部はパッケージの内部底面に形成されたシ —ルド電極とは色別が容易であるので、 この電極非形成部を採 用するならば、 素子の実装位置及び内部接続電極とワイヤとの 接続位置を精度良く決定することができる。
また本発明のもう 1つの電子部品は、 セラミ ック基板と、 前 記セラミ ック基板の一方の面に形成される第 1 のセラミック枠 体と、 前記第 1 のセラミ ック枠体に形成される第 2 のセラミツ ク枠体と、 前記セラミック基板と前記第 1 のセラミ ック枠体及 び、 前記第 1 のセラミ ック枠体と前記第 2 のセラミ ック枠体と の間に形成される段差と、 前記第 1 のセラミ ック枠体と前記第 2の枠体との接合面側にあって前記第 1 のセラミック基板の一 方の面に形成される内部接続電極を備え、 かつ、 前記内部接続 電極は前記第 1 のセラミ ック枠体及び前記セラミック基板の側 面を介して前記セラミック基板の他方の面にも形成され、 さら に前記セラミツク基板の一方の面には前記素子を配置するため のシールド電極が形成され、 前記シールド電極上には前記素子 が固定され、 前記素子と前記内部接続電極とを接続するワイヤ を備え、 前記パッケージ内部底面の一部に前記素子及び前記ヮ ィャの少なく とも一方の位置を決めるときに用いる電極非形成 部を設けた電子部品である。電極非形成部は前に述べたように、 素子及びワイヤの少なく とも一方の位置決めを決定するときの 位置決めパターンと認識することができる。 これによつて、 素 子の実装位置及び内部接続電極とワイヤとの接続位置を精度良 く決定することができる。
また本発明の電子部品の他の特徴は、 前記電極非形成部を、 少なく とも二箇所設け、 前記二箇所の電極非形成部を結ぶ前記 シールド電極上に前記素子を配置した電子部品であり、 また本 発明は、 パッケージ上面から見たとき前記電極非形成部の一辺 は前記内部接続電極の一辺と同一線上に存在する電子部品であ る。 さらに、 前記内部接続電極の一辺あるいはその延長線と前 記電極非形成部の一辺あるいはその延長線とがほぼ直交してい る電子部品である。 また、 パッケージの内壁の対向する段差上 部間の幅より段差下部間の幅を広く した電子部品である。 本発 明の電子部品はこれらの特徴によって、 より高精度に素子の実 装位置及び、 内部接続電極とワイヤとの接続位置を決定するこ とができる。 また本発明の電子部品は、 内部接続電極と素子の 上面を略同一平面上に存在するようにした電子部品である。 こ れによって、 内部接続電極及び素子の両方に焦点を合わせるこ とができるので、 より高精度に内部接続電極とワイヤとの接続 位置を決定することができる。
また本発明の電子部品は、 内部接続電極と素子間方向のシー ルド電極非形成部の長さを前記内部接続電極と電極非形成部と の境界を画像認識するレンズのピントずれの幅より も長く した 電子部品である。 これによつて、 内部接続電極と電極非形成部 との間の境界を精度良く認識することができる。また本発明は、 シールド電極非形成部の内部接続電極側の辺の長さを、 前記内 部接続電極間の長さより も長く した電子部品である。 これによ つて、 シールド電極非形成部にたとえ、 位置ずれが生じたとし ても、 内部接続電極とシールド電極との境界を確実に認識する ことができる。
加えて、 本発明の電子部品の製造方法は、 相対向する内壁に 段差を有し、 前記段差の上端面に複数の内部接続電極を有する パッケージ内に素子を実装する第 1工程と、 前記パッケージ上 面から見たとき前記段差と前記パッケージの内部底面との境界 を少なく とも二箇所検出し、 この検出結果に基づき前記内部接 続電極と前記素子とをワイヤ接続位置を決定する第 2工程と、 前記素子と前記内部接続電極とを前記ワイヤで電気的に接続す る第 3工程と、 前記パッケージの開口部をリ ツ ドで封止する第 4工程とを備えた電子部品の製造方法である。 これによつて、 内部接続電極と素子とをワイヤで確実に接続することができる。 さらに、 パッケージの内部底面にシールド電極を有すると共 に、 パッケージを上面から見たときに前記段差に隣接するパッ ケージ内部底面にシールド電極非形成部を有し、 第 1工程にお いて前記シールド電極非形成部と前記段差との境界を少なく と も二箇所検出することにより、 ワイヤの接続位置を決定する電 子部品の製造方法である。 これによつて、 より正確に内部接続 電極と素子のワイヤとの接続位置を決定することができる。
また本発明は、 相対向する内壁に段差を有し、 この段差の上 端面に複数の内部接続電極を有するパッケージにおいて、 上面 から見たとき前記段差と内部底面との境界を少なく とも二箇所 検出し、 この検出結果に基づき素子の実装位置を決定する第 1 工程と、 前記パッケージの内部底面に前記素子を実装する第 2 工程と、 前記素子と前記内部接続電極とをワイヤで電気的に接 続する第 3工程と、 前記パッケージの開口部をリ ツ ドで封止す る第 4工程とを備えた電子部品の製造方法である。 これによつ て、 素子を確実にパッケージに実装することができる。
また本発明は、 パッケージの内部底面にシールド電極を有す ると共に、 前記内部底面の前記内部接続電極側端部にシールド 電極非形成部を有し、 第 1工程においてパッケージを上面から 見たとき前記シールド電極非形成部の一辺あるいはその延長線 と前記内部接続電極の一辺あるいはその延長線の交点を少なく とも二箇所検出することにより、 素子の実装位置を決定する電 子部品の製造方法である。 これによつて、 素子をより確実にパ ッケージに実装することができる。 また本発明は、 相対向する内壁に段差を有し、 前記段差の上 端面に内部接続電極を有するパッケージにおいて、 このパッケ ージ上面から見たとき前記段差と内部底面との境界を少なく と も二箇所検出し、 この検出結果に基づき素子の実装位置を決定 する第 1工程と、 前記素子を前記パッケージの内部に実装する 第 2工程と、 前記パッケージの上面から見たとき前記段差と内 部底面との境界を少なく とも二箇所検出し、 この検出結果に基 づき前記内部接続電極と前記素子とを接続するワイヤを設ける 位置を決定する第 3工程と、 前記素子と前記内部接続電極とを ワイヤで電気的に接続する第 4工程と、 前記パッケージの開口 部をリ ツ ドで封止する第 5工程とを備えた電子部品の製造方法 である。 これによつて、 より確実に素子をパッケージに実装し、 素子と内部接続電極とをワイヤで接続することができる
また本発明は、 パッケージの内部底面にシールド電極を形成 すると共に、内部接続電極側端部はシールド電極非形成部とし、 第 1工程において前記シールド電極非形成部の一辺あるいはそ の延長線と前記内部接続電極の一辺あるいはその延長線との交 点を少なく とも二箇所検出することにより、 素子の実装位置を 決定し、 第 3工程において前記シールド電極非形成部の一辺あ るいはその延長線と前記内部接続電極の一辺あるいはその延長 線の交点を少なく とも二箇所検出することにより、 ワイヤの接 続位置を決定する電子部品の製造方法である。 これによつて、 より確実に素子をパッケージに実装し、 素子と内部接続電極と をワイヤで接続することができる。 図面の簡単な説明
F I G. 1 は本発明の実施の形態 1〜 3 における S AWデバ イスのリ ツ ドで封止する前の上面図、 F I G. 2は、 本発明の 実施の形態 1〜 3 における S AWデバイスの断面図、 F I G . 3は、 本発明の他の実施の形態における S AW素子の上面図、
F I G . 4は、 本発明の他の実施の形態の断面図、 F I G. 5 は従来の S A Wデバイスのリ ッ ドで封止前の上面図、 F I G . 6は従来の S AWデバイスの断面図である。 発明を実施するための最良の形態
(実施の形態 1 )
F I G . 1は本発明の実施の形態 1 の S A Wデバイスのリ ツ ドを封止する前にリ ッ ド側から S A W素子側を見た上面図、 F I G. 2は F I G. 1 に示す S AWデバイスの A— B断面図で ある。
以下、 本発明の実施形態 1 をこれらの図面を参照して説明す る。 セラミック基板 1 0の一方の面、 すなわち、 S AW素子 1 7が実装される表面側に、 その大きさが相異なる第 1のセラミ ック枠体 1 1及び第 2のセラミック枠体 1 2をこの順序で形成 し、 段差 2 6 を有したパッケージ 1 3 を形成する。
また、 内部接続電極 1 4を第 1 のセラミ ック枠体 1 1 の一方 の面 （表面） 及び、 セラミ ック基板 1 0並びに第 1 のセラミ ツ ク枠体 1 1 の外側面、 及びセラミ ック基板 1 0の他方の面 （裏 面） の一部に形成する。
シールド電極 1 5は S AW素子 1 7が実装されるセラミック 基板 1 0 の表面側に形成され、 S A W素子 1 7はシールド電極 1 5の上に接着層 1 6を介して固定される。 シールド電極非形 成部 1 8 a及び 1 8 bは、 パッケージ 1 3の内部底面の段差 2 6側端部に設け、 シールド電極非形成部 1 8 a と 1 8 b とを結 ぶシールド電極 1 5上の所定の位置に S A W素子 1 7を配置す る。
また、 本発明の電子部品を製造するにあたっては、 まずメッ キ下地層を、 シールド電極 1 5及び内部接続電極 1 4が形成さ れる箇所のセラミック基板 1 0の表面、 裏面及び外側面に形成 する。 次に、 このセラミ ック基板 1 0 の表面側に第 1 のセラミ ック枠体 1 1 を形成する。 この第 1 のセラミ ック枠体 1 1 の表 面及び外側面にも形成しようとする内部接続電極 1 4 と同じ形 状のメツキ下地層を形成する。
次いで、 この第 1 のセラミ ック枠体 1 1 と外周形状が同じで その幅が第 1 のセラミック枠体 1 1 よりも小さい第 2のセラミ ック枠体 1 2 を第 1 のセラミック枠体 1 1 の上に形成してパッ ケージ 1 3の内側に段差 2 6 を構成して焼成し、 セラミ ック基 板 1 0 と第 1及び第 2のセラミック枠体 1 1， 1 2 を一体化さ せてパッケージ 1 3 を作製する。 この第 2のセラミック枠体 1 2の上面にもメツキ下地層を形成している。
ここでセラミ ック基板 1 0、 第 1 のセラミック枠体 1 1及び 第 2のセラミ ック枠体 1 2は酸化アルミニウムを主成分とし、 メツキ下地層はタングステンを主成分とした。
その後、 ノ ッケージ 1 3のメツキ下地層上にニッケルメツキ を行い、 パッケージ 1 3の第 2のセラミ ック枠体 1 2の上端面 W 部分に銀ろうを用いてパッケージ 1 3 と同じか同等の熱膨張係 数を有するシ一ムリ ング 2 0を設けた。
次に再びニッケルメツキを行った後金メッキを行い、 内部接 続電極 1 4及びシールド電極 1 5を形成する。
5 F I G . 1から明らかなように、 内部接続電極 1 4はパッケ —ジ 1 3の内壁の段差 2 6の上端面 （第 1のセラミ ック枠体 1 1 の上端面） にそれぞれ複数個、 第 1 のセラミック枠体 1 1 の 内周端部に至るように形成され、 その各辺はパッケージ 1 3の 各辺 （第 1 のセラミ ック枠体 1 1 の各辺） に平行である。 すな0 わち内部接続電極 1 4は略長方形あるいは正方形である。
また、 パッケージ 1 3の内部底面のシールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bの各辺はパッケージ 1 3の各辺に平行で、 第 1 の セラミ ック枠体 1 1 の内周下端部に至るように設けた。 すなわ ちシールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bも略長方形あるいは正5 方形であり、内部接続電極 1 4とシールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bは略直交して形成されるように構成する。
更に、 パッケージ 1 3 をその上面側、 すなわち、 F I G . 2 を参照するとシームリ ング 2 0側から S A W素子 1 7側に向か つて見たときに内部接続電極 1 4 とシールド電極非形成部 1 80 a , 1 8 bとが隣接するように、 かつ S A W素子 1 7の両側に シールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bを二つ形成する。
一方、 圧電基板上に入、 出力用の櫛形電極 2 2、 この櫛形電 極 2 2の両側に反射器電極 2 3及び櫛形電極 2 2に電気的に接 続された接続電極 2 4を複数形成して S A W素子 1 7を得た。5 次にパッケージ 1 3のシールド電極 1 5上に S A W素子 1 7 を接着層 1 6 を介して固定する。 この時、 内部接続電極 1 4と S AW素子 1 7の接続電極 2 4とは略同一の高さになるように 構成している。 またパッケージ 1 3の上面側から見たときに内 部接続電極 1 4 と S AW素子 1 7の接続電極 2 4の間にシール ド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bが存在するようにした。
次いでパッケージ 1 3を上面から画像認識し、 相対向する段 差 2 6のそれぞれにおいてシールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bと内部接続電極 1 4の境界点を検出し、 この二点を結ぶ直線 の中点を求め、 この中点を基準としてパッケージ 1 3の各種寸 法とから内部接続電極 1 4 とワイヤ 1 9 との接続位置を決定す る。 また、 S AW素子 1 7の表面に設けた櫛形電極 2 2、 接続 電極 2 4などの電極パターンの認識を行い、 接続電極 2 4 とヮ ィャ 1 9 とを接続する位置も決定する。 その後ワイヤ 1 9の一 端を内部接続電極 1 4に、 その他端を S AW素子 1 7の接続電 極 2 4にそれぞれ電気的に接続する。 次いで、 リ ツ ド 2 1 をパ ッケージ 1 3の上端面に設けたシームリ ング 2 0に溶接するこ とにより、 S A W素子 1 7 をパッケージ 1 3内に封止する。
(実施の形態 2 )
実施の形態 2は、 S AW素子 1 7の実装位置を決定する手順 に係わり、 F I G. 2を参照して説明される。 まず、 実施の形 態 1 と同.様の内部接続電極 1 4及びシールド電極 1 5を有する パッケージ 1 3及び S AW素子 1 7 を形成する。 次に、 ノ ッケ ージ 1 3のシールド電極 1 5上に接着層 1 6を介して S AW素 子 1 7 を実装する。 次にパッケージ 1 3 をその上面側から画像 認識を行い、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 b と内部接続 電極 1 4の交点を検出し、 この二点を結ぶ直線の中点を基準と し、 パッケージ 1 3の各種寸法とから S AW素子 1 7の実装位 置を決定する。
すなわち、 言い換えるならば、 電極非形成部 1 8 a、 1 8 b を少なく とも二箇所設け、 この二箇所を結ぶ線上に S AW素子 1 7を配置する。
その後、 パッケージ 1 3のシールド電極 1 5上に接着層 1 6を 介して S AW素子 1 7 を実装する。
次いで S AW素子 1 7の接続電極 2 4と内部接続電極 1 4 と をワイヤ 1 9で接続した後、 パッケージ 1 3の上端面に設けた シームリ ング 2 0にリ ツ ド 2 1 を溶接して S AW素子 1 7 をパ ッケージ 1 3内に封止する。
(実施の形態 3 )
実施の形態 3は内部接続電極 1 4とワイヤ 1 9 との接続部を 決定する手順に係わる。 F I G. 3 を参照して説明されるが、 F I G. 1 と同番号を付した部分は、 同じ機能を有する。 以下、 実施の形態 1 と異なる点についてのみ説明する。 実施の形態 1 ではパッケージ 1 3 をその上面側から見たときに、 シールド電 極非形成部 1 8 a， 1 8 bと内部接続電極 1 4とを隣接させて いるが、 本実施の形態においては、 シールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bと内部接続電極 1 4 とを離して形成している。
従って、 パッケージ 1 3 をその上面側から画像認識する際、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bの段差 2 6側の一辺の延 長線と内部接続電極 1 4のパッケージ 1 3の内部底面側の一辺 の延長線の交点を検出し、 この二点を結ぶ直線の中点を基準と し、 パッケージ 1 3の各種寸法とから内部接続電極 1 4 とワイ ャ 1 9 との接続部を決定する。
その後ワイヤ 1 9の一端を内部接続電極 1 4 と、 その他端を S A W素子 1 7の接続電極 2 4とそれぞれ電気的に接続する。 次いで、 リ ツ ド 2 1 をパッケージ 1 3の上端面に設けたシ一 ムリング 2 0に溶接することにより、 S A W素子 1 7 をパッケ ージ 1 3内に封止する。
以下、 本実施の形態の特徴について記載する。
( 1 ) 本実施の形態においては、 S A W素子 1 7の実装位置 あるいはワイヤ 1 9 と内部接続電極 1 4 との接続部を決定する ために、 パッケージ 1 3の上面側から画像認識し、 パッケ一ジ 1 3の内部底面と内部接続電極 1 4 との境界点を認識すること により行うがその理由は次の通りである。
まず認識誤差を小さくするためにはできるだけ認識点間の距 離が長い方が好ましい。 従ってパッケージ 1 3の上面側から見 たときシ一ムリ ング 2 0 と第 1のセラミック枠体 1 1 との境界 点を認識すればよいのであるが、 シームリ ング 2 0は第 2のセ ラミック枠体 1 2の上端面に銀ろう 2 5で固定するため、 その 位置精度に変位が生じる。 しかしながら第 1 のセラミ ック枠体 1 1は打ち抜きにより形成するためその形状精度の変位はシー ムリング 2 0の位置精度に比べて変位量が少ない。
また、 シ一ムリ ング 2 0を用いてリ ツ ド 2 1 を溶接する場合 だけでなく、 ハングで封止する場合も第 2のセラミ ック枠体 1 2の上端面にはメツキ層を形成する必要があり、 第 1 のセラミ ック枠体 1 1 に比べて形状精度は劣るので、 この場合も第 1 の セラミック枠体 1 1 とパッケージ 1 3の内部底面との境界を使 用して位置決めを行う ことが望ましい。
( 2 ) 内部接続電極 1 4及びシールド電極 1 5 とは同じ金メ ツキにより形成されているので、 パッケージ 1 3の上面側から 画像認識を行うと両者の区別が付きにくい。 そこでシールド電 極非形成部 1 8 a， 1 8 bを内部接続電極 1 4に隣接して設け ることにより、 これと内部接続電極 1 4との色彩の違いによる コントラス トを利用して、 より正確に位置決めを行う ことがで さる。
なお、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bは、 F I G . 1 に示すようにパッケージ 1 3 を上面側から見たときに、 シール ド電極非形成部 1 8 a， 1 8 と内部接続電極 1 4の角部が隣 接するように形成してもよい。
(実施の形態 4 )
実施の形態 4は実施の形態 3 と同様に F I G . 3 を参照して 説明される。 F I G . 1 と同番号を付している部分については、 実施の形態 1 、 2で説明した通りであるので説明を省略する。
以下に実施の形態 1 、 2 と異なる点についてのみ説明する。 実施の形態 1 、 2ではパッケージ 1 3 をその上面側から見たと きに、 実施の形態 3 と同様にシールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bと内部接続電極 1 4を隣接させていない。 しかしながら、 シールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bの一辺と内部接続電極 1 4の一辺は段差 2 6 と内部底面との境界線上に存在するように している。
従って、 パッケージ 1 3 をその上面側から画像認識し、 パッ ケージ 1 3の相対向する段差 2 6それぞれにおいてシールド電 極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺の延長線と内部接続電極 1 4 の他の一辺の延長線の直交点を検出し、 この二点を結ぶ直線の 中点を基準とし、 パッケージ 1 3の各種寸法とから S AW素子 1 7の実装位置を決定する。
(実施の形態 5 )
実施の形態 5は第 1のセラミ ック枠体 1 1の形状に特徴を有 する。 実施の形態 5は F I G. 4を参照して説明される。 なお、 F I G. 1 と同じ符号の箇所は実施の形態 1で説明した通りで あるので詳細な説明は省略する。
以下に実施の形態 1 と異なる点についてのみ説明する。 実施 の形態 1において第 1のセラミ ック枠体 1 1の内周側面と上端 面とのなす角は直角であるが、 本実施の形態 5においては第 1 のセラミック枠体 1 1の内周側面と上端面とのなす角が鋭角と なるように構成した。 これによつて、 相対向する段差 2 6間の 幅は、 上部より下部の方が広くなる。
第 1のセラミック枠体 1 1は、 セラミ ックシートを所望の形 状に打ち抜く ことにより形成する。 こう してセラミ ック枠体 1 1の内周側面を所望の形状、 たとえばテーパー状に加工するこ とができる。 セラミ ック枠体 1 1の内周側面と上端面とのなす 角を鋭角に選ぶと、 パッケージ 1 3を上面から画像認識したと き、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺あるいはその 延長線と内部接続電極 1 4の一辺あるいはその延長線の直交点 を精度良く検知することができる。
このことは実施の形態 2から実施の形態 4の S AW素子 1 7 についても同様のことが言える。
ここで以上に述べた実施の形態 1〜 5の特徴を整理してみる と次の通りである。
( 1 ) 実施の形態 1、 3においては、 パッケージ 1 3 を上面 側から見たときシールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺あ るいはその延長線と内部接続電極 1 4の一辺あるいはその延長 線の直交点を認識し、 S AW素子 1 7の接続電極 2 4 と内部接 続電極 1 4 とをワイヤ 1 9で確実に接続することが奏される。
また、 実施の形態 2、 4においては、 S AW素子 1 7 をパッ ケージ 1 3内に実装する前に、 パッケージ 1 3の上面側から見 てシールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bの一辺あるいはその延 長線と内部接続電極 1 4の一辺あるいはその延長線の直交点を 認識し、 S AW素子 1 7の実装位置を決定することが奏される。
このようにパッケージ 1 3の上面側から見たときシールド電 極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺あるいはその延長線を内部接 続電極 1 4の一辺あるいはその延長線と略直交するように形成 することにより、 S A W素子 1 7の実装位置や内部接続電極 1 4 とワイヤ 1 9の接続位置を特定することができる。 もちろん 一つの S A Wデバイスを製造する際に、 S AW素子 1 7の実装 位置と内部接続電極 1 4 とワイヤ 1 9 との接続位置を特定する ために二度画像認識を行っても構わない。
( 2 ) 実施の形態 1、 3のように、 内部接続電極 1 4 とワイ ャ 1 9 の接続位置を特定するために画像認識を行う場合、 シー ルド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bの幅を画像認識を行うレンズ のピン トずれの幅より も広くすることにより、 誤認識を防止す ることができる。
( 3 ) また、 S AW素子 1 7の上面と内部接続電極 1 4とを 略同一面上に存在するようにすることにより、 画像認識の際、 焦点が S AW素子 1 7の内部接続電極 1 4の両方に合うことと なり、 シールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bの一辺あるいはそ の延長線と内部接続電極 1 4の一辺あるいはその延長線の直交 点と、 S AW素子 1 7の接続電極や櫛形電極などの電極パター ンの認識を同時に行う ことができる。
( 4 ) さ らに実施の形態 1、 2においては、 シールド電極非 形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺と、 内部接続電極 1 4の一辺の交 点を検出するので、 パッケージ 1 3 と内部底面との境界を確実 に認識できる。 一方、 実施の形態 3、 4においてはシールド電 極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺の延長線と内部接続電極 1 4 の一辺の延長線の直交点を検出するため、 例えばパッケージ 1 3の形状が変位すると、 実施の形態 1 、 2 に比較してその位置 認識精度も少しは低下する。
従って、 実施の形態 1 、 2のようにパッケージ 1 3 を上面側 から見たときに、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bと内部 接続電極 1 4 とが隣接するように、 シールド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bを形成することが望ましい。 またシールド電極非形 成部 1 8 a , 1 8 bを形成する際、 多少の位置ずれが生じても 影響のないように、 同一段差 2 6の内部接続電極 1 4間の距離 よりも、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bの内部接続電極 1 4の側の辺の長さを長く しておく ことが望ましい。
( 5 ) 実施の形態 5 においては、 1 のセラミ ック枠体 1 1 の 形状に特徴を持たせた。 すなわち、 第 1 のセラミ ツク枠体 1 1 の内周側面と上端面とのなす角が鋭角となるように構成した。 これによつて、 相対向する段差 2 6の間の距離は上部より下部 の方を広く構成することができる。 従って、 パッケージ 1 3 を 上面から画像認識したとき、 シールド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺あるいはその延長線と内部接続電極 1 4の一辺ある いはその延長線の直交点を精度良く検知することができる。 こ うしたセラミック枠体 1 1 の構成は実施の形態 1〜 4の全てに 適用できる
( 6 ) また、 上記各実施の形態においては、 シールド電極非 形成部 1 8 a， 1 8 bを相対向する段差 2 6にそれぞれに隣接 して設けている。 一方の段差 2 6のみに隣接するようにシール ド電極非形成部 1 8 a， 1 8 bを二つ設けて、 シールド電極非 形成部 1 8 a， 1 8 bの一辺あるいはその延長線と内部接続電 極 1 4の一辺あるいはその延長線の直交点を認識し、 位置決め を行う ことができる。 より精度良く認識するためには、 シール ド電極非形成部 1 8 a , 1 8 bをパッケージ 1 3の底部の S A W素子 1 7の両側に形成することが望ましい。
( 7 ) 本発明は、 パッケージ 1 3の上面側から見たとき段差 2 6 と底面との境界認識が精度よくでき、 S AW素子 1 7の実 装位置を決定できるので、 パッケージ 1 3の内部の大きさを S AW素子 1 7 を実装できる必要最小限にすることができる。 従 つて、 S A Wデバイスの小型化を行う ことができる。
なお、 本発明において、 シールド電極 1 5はできるだけ大き い方がそのシールド効果も大きい。 また、 シールド電極非形成 部 1 8 a , 1 8 bは三つ以上形成しても構わないが、 二つ形成 すれば S A W素子 1 7の実装位置を決定するには充分である。 また、 本発明の実施の形態においては S A Wデバイスを例に説 明したが、 パッケージの上端面と底面に電極を設けて、 内部に 素子を実装する電子部品においては同様の効果が得られるもの である。 産業上の利用可能性
以上説明したように本発明によると、 内部接続電極とワイヤ との接続位置を精度良く設定できる電子部品及びその製造方法 を提供することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . その内壁に段差を有するパッケージと、 前記内壁の段差 の上端面に設けた複数の内部接続電極と、 前記パッケージの内 部底面に設けたシールド電極と、 このシールド電極上に配置し た素子と、 この素子と前記内部接続電極とを接続するワイヤと を備え、 前記内部底面に前記素子を位置決めするとき及び前記 ワイヤを前記内部接続電極に位置決めするときの少なく とも一 方の位置決め時に用いる電極非形成部を設けた電子部品。
2 . セラミ ック基板と、 前記セラミ ック基板の一方の面に形 成される第 1 のセラミック枠体と、 前記第 1 のセラミック枠体 上に形成される第 2のセラミ ック枠体と、 前記セラミック基板 と前記第 1 のセラミ ック枠体及び、 前記第 1のセラミック枠体 と前記第 2のセラミ ック枠体との間に形成される段差部と、 前 記第 1 のセラミ ック枠体と前記第 2のセラミ ック枠体との接合 面側にあって前記第 1 のセラミック枠体の主面に形成される内 部接続電極を備え、 かつ、 前記内部接続電極は前記第 1 のセラ ミ ック枠体及び前記セラミ ック基板の外側面を介して前記セラ ミック基板他方の面にも形成され、 さらに前記セラミック基板 の一方の面には素子を配置するためのシールド電極が形成され 前記シールド電極上には素子が実装され、 前記素子と前記内部 接続電極とを接続するワイヤを備え、 前記セラミック基板に前 記素子を位置決めするとき及び前記ワイヤを前記内部接続電極 に位置決めするときの少なく とも一方の位置決め時に用いる電 極非形成部を設けた電子部品。
3 . 前記電極非形成部は、 少なく とも二箇所設けられ、 前記 二箇所の電極非形成部を結ぶ前記シールド電極上に前記素子を 配置した請求項 1又は請求項 2記載の電子部品
4 . 前記電極非形成部の一辺は前記内部接続電極の一辺とほ ぼ同一線上に存在する請求項 1又は請求項 2記載の電子部品。
5 . 上面側から見たときに前記内部接続電極の一辺と前記電 極非形成部の一辺とがほぼ直交している請求項 1又は請求項 2 記載の電子部品
6 . パッケージの内壁の段差間の幅は上方より下方を広く し た請求項 1又は請求項 2 に記載の電子部品。
7 . 内部接続電極と素子の上面を略同一平面上に存在するよ うにした請求項 1又は請求項 2に記載の電子部品。
8 . 内部接続電極と素子間方向のシールド電極非形成部の長 さを前記内部接続電極とシールド'電極非形成部との境界を画像 認識するレンズのピントずれの幅より も長く した請求項 1又は 請求項 2 に記載の電子部品。
9 . シールド電極非形成部の内部接続電極側の長さは、 内部 接続電極間の長さよりも長く した請求項 1又は請求項 2に記載 の電子部品。
1 0 . 相対向する内壁に段差を有し、 前記段差の上端面に複 数の内部接続電極を有するパッケージ内に素子を実装する第 1 工程と、 前記段差と前記パッケージの内部底面との境界を少な く とも二箇所検出し、 この検出結果に基づき前記内部接続電極 と前記素子とをワイヤ接続位置を決定する第 2工程と、 前記素 子と前記内部接続電極とを前記ワイヤで電気的に接続する第 3 工程と、 前記パッケージの開口部をリ ツ ドで封止する第 4工程 とを備えた電子部品の製造方法。
1 1 . パッケージの内部底面にシールド電極を有すると共に、 前記パッケージを上面側から見たときに前記内部接続電極の一 辺あるいはその延長線と、 その一辺あるいはその延長線が直交 するようなシールド電極非形成部を有し、 第 1工程において前 記シールド電極非形成部の一辺あるいはその延長線と前記内部 接続電極一辺あるいはその延長線の交点を少なく とも二箇所検 出することにより、 ワイヤの接続位置を決定する請求項 1 0に 記載の電子部品の製造方法。
1 2 . 相対向する内壁に段差を有し、 この段差の上端面に複 数の内部接続電極を有するパッケージにおいて、 このパッケ一 ジを上面側から見て、 前記段差と内部底面の境界を少なく とも 二箇所検出し、 この検出結果に基づき素子の実装位置を決定す る第 1工程と、 前記パッケージの内部底面に前記素子を実装す る第 2工程と、 前記素子と前記内部接続電極とをワイヤで電気 的に接続する第 3工程と、 前記パッケージの開口部をリ ツ ドで 封止する第 4工程とを備えた電子部品の製造方法。
1 3 . パッケージの内部底面にシールド電極を有すると共に、 前記パッケージを上面側から見たときに前記内部接続電極の一 辺あるいはその延長線と、 その一辺あるいはその延長線が直交 するようなシールド電極非形成部とを有し、 第 1工程において 前記シールド電極非形成部の一辺あるいはその延長線と前記内 部接続電極の一辺あるいはその延長線の交点を少なく ともニ箇 所検出することにより、 素子の実装位置を決定する請求項 1 2 に記載の電子部品の製造方法。
1 4 . 相対向する内壁に段差を有し、 前記段差の上端面に内 部接続電極を有するパッケージにおいて、 このパッケージを上 面側から見て前記段差と内部底面との境界を少なく とも二箇所 検出し、 この検出結果に基づき素子の実装位置を決定する第 1 工程と、 前記素子を前記パッケージの内部に実装する第 2工程 と、 前記パッケージを上面側から見て、 前記段差と内部底面と の境界を少なく とも二箇所検出し、 この検出結果に基づき前記 内部接続電極と前記素子とを接続するワイヤを設ける位置を決 定する第 3工程と、 前記素子と前記内部接続電極とをワイヤで 電気的に接続する第 4工程と、 前記パッケージの開口部をリ ツ ドで封止する第 5工程とを備えた電子部品の製造方法。
1 5 . パッケージの内部底面にシールド電極を形成すると共 に、 前記パッケージを上面側から見たとき内部接続電極の一辺 あるいはその延長線と、 その一辺あるいはその延長線が直交す るようなシールド電極非形成部を有し、 第 1工程において前記 シールド電極非形成部の一辺あるいはその延長線と前記内部接 続電極の一辺あるいはその延長線との交点を少なく とも二箇所 検出することにより、 素子の実装位置を決定し、 第 3工程にお いて前記シールド電極非形成部の一辺あるいはその延長線と前 記内部接続電極の一辺あるいはその延長線の交点を少なく とも 二箇所検出することにより、 ワイヤの接続位置を決定する請求 項 1 4に記載の電子部品の製造方法。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7059511B2 (en) * 2004-03-15 2006-06-13 Honeywell International Inc. Adjustable force and position pre-load welding fixture
US7649270B2 (en) * 2004-08-06 2010-01-19 A. L. M. T. Corp. Collective substrate, semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
US7327015B2 (en) * 2004-09-20 2008-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
JP2007158039A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Epson Toyocom Corp 電子部品
JP5823043B2 (ja) * 2013-01-31 2015-11-25 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および撮像モジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS578737U (ja) * 1980-06-16 1982-01-18
JPS5742138A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS64332U (ja) * 1987-06-18 1989-01-05
JPH01123342U (ja) * 1988-02-15 1989-08-22
JPH0256446U (ja) * 1988-10-14 1990-04-24
JPH04213845A (ja) * 1990-12-11 1992-08-04 Nec Yamagata Ltd 半導体用パッケージ
JPH0677265A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Mitsui Petrochem Ind Ltd 半導体実装時の位置合わせ精度を向上させた箱形樹脂 成形体

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS578737A (en) 1980-06-17 1982-01-18 Nisshin Flour Milling Co Ltd Preparation of snack type food
JPS64332A (en) 1987-06-20 1989-01-05 Japan Electron Control Syst Co Ltd Electronic control fuel injection device for internal combustion engine
JPH01123342A (ja) 1987-11-09 1989-05-16 Oki Electric Ind Co Ltd メモリの書込保護回路
JPH0256446A (ja) 1988-08-22 1990-02-26 Nitto Kasei Co Ltd 液晶材料
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
US5483413A (en) * 1991-02-28 1996-01-09 Hewlett-Packard Company Apparatus for controlling electromagnetic interference from multi-layered circuit boards
US5422717A (en) 1991-08-22 1995-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for analyzing a lighting environment
US5804870A (en) * 1992-06-26 1998-09-08 Staktek Corporation Hermetically sealed integrated circuit lead-on package configuration
SG48955A1 (en) * 1992-07-27 1998-05-18 Murata Manufacturing Co Multilayer electronic component method of manufacturing the same and method of measuring characteristics thereof
JP3372065B2 (ja) * 1992-09-18 2003-01-27 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
US5438413A (en) 1993-03-03 1995-08-01 Kla Instruments Corporation Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication
JP3355020B2 (ja) * 1994-04-12 2002-12-09 キンセキ株式会社 弾性表面波装置
JP3291910B2 (ja) * 1994-05-25 2002-06-17 松下電器産業株式会社 Ｓａｗデバイスおよびその製造方法
JP3154640B2 (ja) * 1995-04-21 2001-04-09 三菱電機株式会社 表面弾性波装置のパッケージ
JP3366497B2 (ja) 1995-07-12 2003-01-14 松下電器産業株式会社 部品検出方法
JPH09162691A (ja) * 1995-12-14 1997-06-20 Rohm Co Ltd 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法
JP3372419B2 (ja) 1996-02-26 2003-02-04 松下電工株式会社 物体認識方法
JP3447908B2 (ja) * 1997-02-13 2003-09-16 富士通株式会社 ボールグリッドアレイパッケージ
GB9725960D0 (en) * 1997-12-08 1998-02-04 Westinghouse Brake & Signal Encapsulating semiconductor chips
JP2000228451A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品
US6459489B1 (en) 2000-06-01 2002-10-01 Veeco Instruments, Inc. Alignment of magnetic heads for automatic identification of regions of interest for interferometric measurement
US6847460B2 (en) 2000-06-01 2005-01-25 Veeco Instruments, Inc. Alignment and correction template for optical profilometric measurement
US6462818B1 (en) 2000-06-22 2002-10-08 Kla-Tencor Corporation Overlay alignment mark design
US6917433B2 (en) 2000-09-20 2005-07-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to an etch process
US20030002043A1 (en) 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS578737U (ja) * 1980-06-16 1982-01-18
JPS5742138A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS64332U (ja) * 1987-06-18 1989-01-05
JPH01123342U (ja) * 1988-02-15 1989-08-22
JPH0256446U (ja) * 1988-10-14 1990-04-24
JPH04213845A (ja) * 1990-12-11 1992-08-04 Nec Yamagata Ltd 半導体用パッケージ
JPH0677265A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Mitsui Petrochem Ind Ltd 半導体実装時の位置合わせ精度を向上させた箱形樹脂 成形体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1143504A4 *

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Publication number Publication date
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CN1322375A (zh) 2001-11-14
US20050036278A1 (en) 2005-02-17
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CN100392835C (zh) 2008-06-04
EP1143504A1 (en) 2001-10-10
KR20010080607A (ko) 2001-08-22

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