WO2000078102A1 - Dispositif electroluminescent - Google Patents

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WO2000078102A1
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light
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diffraction grating
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Tomoko Koyama
Takeo Kaneko
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Seiko Epson Corporation
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    • G02B6/423Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device using EL (Electro-Magnetic Luminescence).
  • EL Electro-Magnetic Luminescence
  • a semiconductor laser is used as a light source used in an optical communication system.
  • Semiconductor lasers are preferable because they have excellent wavelength selectivity and can emit single-mode light, but they require many times of crystal growth and are not easy to fabricate. Further, the semiconductor laser has a drawback that the light emitting material is limited and light of various wavelengths cannot be emitted.
  • An object of the present invention is to provide a light-emitting device that has a much narrower spectral width of an emission wavelength than conventional EL light-emitting elements, has directivity, and can be applied not only to a display but also to optical communication and the like. It is in.
  • a first light emitting device has a substrate and a light emitting element portion
  • the light emitting element section The light emitting element section
  • a light-emitting layer capable of emitting light by electoluminescence
  • a pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer A pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer
  • a light propagation unit for propagating light generated in the light emitting layer is a light propagation unit for propagating light generated in the light emitting layer
  • the light emitting layer may be disposed between the pair of electrode layers and partially have an opening, and function as a current confinement layer that defines a region through which current supplied to the light emitting layer flows through the opening.
  • An insulating layer An insulating layer,
  • a diffraction grating for light propagating through the light propagating portion According to this light-emitting device, electrons and holes are respectively injected into the light-emitting layer from the pair of electrode layers, that is, the cathode and the anode, and the electrons and holes are recombined in the light-emitting layer, whereby molecules are formed. Light is generated when returning from the excited state to the ground state.
  • the light generated in the light emitting layer is wavelength-selective and diffracted by a diffraction grating for light propagating in the light propagating portion, that is, a grating in which two kinds of media having different refractive indexes are alternately and periodically arranged. And directivity.
  • the light propagating part is a part of the light emitting element part and a part for supplying the light obtained in the light emitting layer of the light emitting element part to the waveguide part side, and has at least a function of giving wavelength selectivity.
  • a member for example, one of the electrode layers for coupling the core layer of the waveguide section to the diffraction grating section having the above.
  • the insulating layer functions as a current confinement layer, so that the region of the current supplied to the light emitting layer can be defined. Therefore, current intensity and current distribution can be controlled in a region where light emission is desired, and light can be generated with high luminous efficiency.
  • the insulating layer functions as a clad, assuming a waveguide composed of a light emitting layer as a core and an insulating layer as a cladding, the light propagation portion is defined by defining an opening of the insulating layer. The waveguide mode of the light propagating to the waveguide through the waveguide can be controlled.
  • the waveguide mode can be set to a predetermined value.
  • the waveguide mode and the waveguide generally have a relationship represented by the following equation.
  • n ⁇ refractive index of the waveguide core
  • n 2 refractive index of waveguide cladding
  • N max the maximum value of the possible waveguide modes.
  • the width of the light emitting layer (core) defined by the width of the opening of the current confinement layer You just have to select That is, the refractive index of the light emitting layer provided inside the current confinement layer and the refractive index of the insulating layer serving as the current confinement layer are defined as the refractive index of the core of the waveguide and the refractive index of the cladding of the above formula, respectively.
  • the width (2a) of the light emitting layer corresponding to the core can be obtained by the above equation.
  • the width of the core layer on the side of the waveguide to which the light from the light emitting element is supplied is also calculated by the above equation based on the width of the light emitting layer determined as described above and the desired waveguide mode. It is preferable to determine a preferable value in consideration of the obtained calculated value and the like.
  • the width of the light emitting layer and the width of the core layer are set to appropriate values in this manner, light in a desired mode is propagated from the light emitting element portion to the waveguide portion with excellent coupling efficiency.
  • the light-emitting layer in the current confinement layer formed by the insulating layer may not always be in a uniform light-emitting state.
  • the light emitting device preferably has a waveguide mode of about 0 to 100, particularly about 0 to 10 for communication. If the waveguide mode of light in the light emitting layer can be defined in this way, light of a predetermined waveguide mode can be obtained efficiently.
  • a second light emitting device integrally has a light emitting element portion and a waveguide portion that transmits light from the light emitting element portion on a substrate,
  • the light emitting element section The light emitting element section
  • a light-emitting layer capable of emitting light by elect-emission luminescence
  • a pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer A pair of electrode layers for applying an electric field to the light emitting layer
  • a light propagation unit for propagating light generated in the light emitting layer is a light propagation unit for propagating light generated in the light emitting layer
  • An insulating layer that is disposed in contact with the light propagation unit and can function as a cladding layer; anda diffraction grating for light propagating through the light propagation unit.
  • a core layer that is integrally continuous with at least a part of the light propagation portion
  • a cladding layer that is integrally continuous with the insulating layer.
  • light having high wavelength selectivity and high directivity can be generated by the same principle as that of the first light emitting device.
  • the second light emitting device at least a part of the light propagation portion of the light emitting element portion and the core layer of the waveguide portion are physically continuous, and the insulating layer (cladding layer) of the light emitting element portion ) And the cladding layer of the waveguide section are physically continuous, so that the light emitting element section and the waveguide section are optically coupled with high coupling efficiency, and efficient light propagation is achieved. I can go.
  • a material that functions as a cladding layer for the light propagation portion is selected for the insulating layer.
  • the opening of the insulating layer has a slit shape extending in a period direction of the diffraction grating, that is, in a light waveguide direction.
  • the diffraction grating is a distributed feedback type or a distributed Bragg reflection type diffraction grating.
  • the light obtained in the light emitting layer is resonated.
  • wavelength selectivity, narrow emission spectrum width, and excellent light emission are obtained.
  • Light having directivity can be obtained.
  • the pitch and depth of the diffraction grating are set according to the wavelength of the emitted light.
  • the diffraction grating of the distributed feedback type may be configured as a quarter-phase shift structure or a gain coupling type. With this structure, the emitted light can be made into a single mode.
  • “in” indicates the wavelength of light in the light propagation unit.
  • the diffraction grating is a distributed feedback type and further has a human / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure.
  • the diffraction grating only needs to be able to achieve the function of the diffraction grating described above, and its formation region is not particularly limited.
  • the diffraction grating may be a layer in the light propagation portion or in contact with the light propagation portion.
  • the light emitting layer preferably contains an organic light emitting material as a light emitting material.
  • an organic light emitting material By using an organic light emitting material, the range of material selection can be expanded as compared with the case where a semiconductor material or an inorganic material is used, for example, and light of various wavelengths can be emitted.
  • the light emitting device of the present invention can take various modes. For example, representative modes are described below.
  • the light emitting element section The light emitting element section
  • An insulating layer having an opening facing the diffraction grating
  • a light emitting layer at least partially present in the opening of the insulating layer
  • the light emitting element section The light emitting element section
  • a diffraction grating formed on a part of the substrate
  • An insulating layer having an opening facing the anode
  • a light emitting layer at least partially present in the opening of the insulating layer
  • the light emitting element section The light emitting element section
  • a grating substrate disposed on the substrate, a diffraction grating being partially formed on the grating substrate;
  • An insulating layer having an opening facing the anode
  • a light emitting layer at least partially present in the opening of the insulating layer
  • the light emitting devices of the first to third aspects further include the waveguide portion formed integrally with the light emitting element portion.
  • the waveguide portion is formed on the substrate or the lattice substrate, and has a core layer that is optically continuous with the anode, a cladding that covers an exposed portion of the core layer, and is optically continuous with the insulating layer. And a layer.
  • a light-emitting device having a spectral width of a light-emitting wavelength that is much narrower than conventional EL light-emitting elements, has directivity, and can be applied not only to a display but also to optical communication and the like. Can be provided.
  • the material of the light emitting layer is selected from known compounds to obtain light of a predetermined wavelength.
  • the material of the light emitting layer may be either an organic compound or an inorganic compound, but is preferably an organic compound from the viewpoint of abundant types and film forming properties.
  • an organic light emitting material By using an organic light emitting material, a wider range of materials can be selected than in the case of using a semiconductor material or an inorganic material, for example, and light of various wavelengths can be emitted.
  • Examples of such an organic compound include, for example, an aromatic diamine derivative (TPD), an oxdiazole derivative (PBD), and an oxidiazole disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-13967.
  • JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135353, JP-A-135359, and Known ones such as those described in JP-A-3-152184, JP-A-8-248276 and JP-A-10-153967 can be used. These compounds may be used alone or as a mixture of two or more. Inorganic compounds include ZnS: Mn (red area), ZnS: Tb0F (green area), SrS: Cu, SrS: Ag, SrS: Ce (blue area), etc. Is exemplified.
  • the optical waveguide includes a layer functioning as a core and a layer having a smaller refractive index than the core and functioning as a clad.
  • these layers include a light propagation portion (core) and an insulating layer (cladding) of the light emitting element portion, a core layer and a cladding layer of the waveguide portion, and a substrate (cladding).
  • Known layers of inorganic and organic materials can be used for the layers constituting the optical waveguide.
  • Typical examples of the inorganic materials for example as disclosed in JP-A-5 _ 273427, T i 0 2 , T I_ ⁇ 2 _ S i 0 2 mixtures, Z nO, Nb 2 0 5 , S i 3 N 4, Ta 2 0 5 , Hf 0 2 or Z r 0 2, etc. can be exemplified.
  • thermoplastic resins such as various thermoplastic resins, thermosetting resins, and photocurable resins
  • photocurable resins are appropriately selected in consideration of the layer forming method and the like. For example, by using a resin that can be cured by at least one of heat and light energy, a general-purpose exposure apparatus, a baking oven, a hot plate, and the like can be used.
  • No. 9 discloses an ultraviolet curable resin.
  • an acrylic resin is preferable.
  • Specific examples of the basic constitution of the ultraviolet-curable acryl-based resin include a prepolymer, an oligomer, and a monomer.
  • prepolymers or oligomers examples include acrylates such as epoxy acrylates, urethane acrylates, polyester acrylates, polyether acrylates, spiro acetal acrylates, epoxy methacrylates, Urea methacrylates such as urea methacrylates, polyester methacrylates, and polyether methacrylates can be used.
  • Examples of the monomer include 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methyl acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, and carbitolua.
  • Monofunctional monomers such as acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 1,3-butanediol acrylate, and 1,6-hexanediol dia Acrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, etc.
  • Trifunctional monomer Trimethy Lumpur pro bunt Ria chestnut rate, trimethylolpropane van trimethacrylate, pen evening erythritol tall triacrylate Ichito, polyfunctional monomers one such Kisaakurireto to Jipen evening erythritol Bok Ichiru available.
  • the inorganic material or the organic material considering only the confinement of light has been exemplified.
  • the structure of the light emitting element section includes a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer and an electrode layer, at least one of these layers functions as a core or a clad.
  • the materials constituting these layers can also be employed.
  • a hole transport layer When an organic light emitting layer is used in the light emitting element portion, a hole transport layer can be provided between the electrode layer (anode) and the light emitting layer as needed.
  • the material of the hole transport layer a material used as a hole injection material of a known photoconductive material or a known material used for a hole injection layer of an organic light emitting device can be selected and used.
  • the material of the hole transport layer has a function of injecting holes or blocking electrons, and may be either an organic substance or an inorganic substance. Specific examples thereof include, for example, those disclosed in JP-A-8-248276.
  • an electron transport layer can be provided between the electrode layer (cathode) and the light emitting layer as needed.
  • the material of the electron transporting layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the organic light emitting layer, and the material can be selected from known substances. Specific examples thereof include, for example, those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-248276.
  • As the cathode electron injecting metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof having a low work function (for example, 4 eV or less) can be used.
  • As such an electrode material for example, those disclosed in JP-A-8-248276 can be used.
  • anode a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a large work function (for example, 4 eV or more) can be used.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a large work function for example, 4 eV or more
  • an optically transparent material for example, C ul, ITO, S n 0 2
  • a conductive transparent material such as Z N_ ⁇ , if you do not need transparency gold etc.
  • Metal can be used.
  • the method of forming the diffraction grating is not particularly limited, and a known method can be used. Representative examples are shown below.
  • Techniques for patterning polyimide by photolithography include, for example, JP-A-7-181689 and JP-A-11221741. Further, as a technique for forming a diffraction grating of polymethyl methacrylate or titanium oxide on a glass substrate by using laser abrasion, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-59743.
  • a diffraction grating is formed by irradiating light having a wavelength that causes a change in the refractive index to the optical waveguide portion of the optical waveguide and periodically forming portions having different refractive indexes in the optical waveguide portion.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-31 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-31
  • thermoplastic resin Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-1990
  • stamping using an ultraviolet-curable resin Japanese Patent Application No. Hei 10-27949
  • electron beam The diffraction grating is formed by stamping such as stamping using a curable resin (Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235705).
  • the thin film is selectively removed and patterned using lithography and etching techniques to form a diffraction grating.
  • the diffraction gratings are different from each other. It is sufficient if it is composed of two regions with different refractive indices.
  • the two regions with different refractive indices have different refractive indices, such as a method of forming two regions, and a method of partially modifying one material. It can be formed by a method of forming two regions.
  • each layer of the light emitting device can be formed by a known method.
  • a suitable film forming method is selected for each layer of the light emitting device depending on its material, and specific examples include a vapor deposition method, a spin coating method, an LB method, and an ink jet method.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is a partial sectional view taken along line X1-X1 in FIG. 2
  • FIG. 3B is a partial sectional view taken along line X2-X2 in FIG.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along the line Y--Y of FIG.
  • FIG. 5A is a plan view showing a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention
  • FIGS. 5B to 5D are AA lines of the plan view shown in FIG. It is sectional drawing along the B-B line and the C-C line.
  • FIG. 6A is a plan view showing a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention
  • FIGS. 6B to 6D are A_A lines of the plan view shown in FIG. 8—: A cross-sectional view along line 6—line 0—C.
  • FIG. 7A is a plan view showing the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention
  • FIGS. 7B to 7D are AA lines of the plan view shown in FIG. It is sectional drawing along the B-B line and the C-C line.
  • FIG. 8A is a plan view showing a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention
  • FIGS. 8B and 8C are sectional views taken along line BB of FIG. 8A
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line C-C.
  • FIG. 9A is a plan view showing a manufacturing step of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line BB of the plan view shown in FIG. 9A.
  • FIG. 10A is a plan view showing a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10B and 10C are B-B of the plan view shown in FIG. 1OA.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line B and a line C-C.
  • FIG. 11 is a plan view schematically showing a light emitting device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12A is a partial cross-sectional view along the line X1-X1 of FIG. 11, and FIG. 12B is a partial cross-sectional view along the line X2-X2 of FIG.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along the line Y--Y of FIG.
  • FIGS. 14A to 14D are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing the light emitting device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 158 to 15D are cross-sectional views showing the steps of manufacturing the light emitting device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a sectional view schematically showing a light emitting device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
  • FIG. 19 is a plan view schematically showing a light emitting device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
  • FIG. 21 is a perspective view schematically showing a light emitting device according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing the light emitting device 100 according to the present embodiment
  • FIG. 2 is a plan view schematically showing the light emitting device 100
  • FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view taken along a line X 1—X 1 in FIG. 2
  • FIG. 3B is a sectional view taken along a line X 2 _X 2 in FIG.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view
  • FIG. 4 is a cross-sectional view along the line YY in FIG.
  • the light emitting device 100 has a substrate 10, a light emitting element 100, and a waveguide 200 formed on the substrate 10.
  • an anode 20 and a diffraction grating 12 serving as a light propagation section, and a light emitting layer 14 and a cathode 22 are arranged in this order on a substrate 10.
  • An insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed around the diffraction grating 12 except for a part thereof.
  • a core layer 30 and a clad layer 32 that covers an exposed portion of the core layer 30 are arranged on a substrate 10.
  • a first electrode extraction section 24 and a second electrode extraction section 26 are arranged adjacent to the waveguide section 200.
  • protective layer 60 is formed so as to cover light emitting element portion 100.
  • the protective layer 60 By covering the light emitting element portion 100 with the protective layer 60, the deterioration of the cathode 12 and the light emitting layer 14 can be prevented.
  • the surface of the waveguide portion 200 is exposed without forming the protective layer 60 on the entire light emitting device.
  • the protective layer 60 may be formed so as to cover the entire light emitting device as needed.
  • the anode 20 of the light emitting element section 100 is made of an optically transparent conductive material and forms a light propagation section.
  • the anode 20 and the core layer 30 of the waveguide section 200 are formed integrally and continuously.
  • the transparent conductive material forming the anode 20 and the core layer 30 the above-mentioned materials such as ITO can be used.
  • the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100 and the cladding layer 32 of the waveguide section 200 are formed integrally and continuously.
  • the material constituting the insulating layer 16 and the cladding layer 32 may be any material as long as it is insulating, has a lower refractive index than the anode 20 and the core layer 30 and can confine light. Not limited.
  • the insulating layer 16 is formed so as to cover the exposed portion of the diffraction grating 12, as shown in FIGS. 2 and 3A.
  • the insulating layer 16 has a slit-like opening 16a extending in the periodic direction of the diffraction grating 12, that is, the direction in which medium layers having different refractive indexes are periodically arranged.
  • This opening 16a An anode 20 and a cathode 22 are arranged with the diffraction grating 12 and the light-emitting layer 14 interposed therebetween.
  • the insulating layer 16 is interposed between the anode 20 and the cathode 22.
  • the insulating layer 16 functions as a current confinement layer. Therefore, when a predetermined voltage is applied to the anode 20 and the cathode 22, a current mainly flows in the area CA corresponding to the opening 16a.
  • a current confinement layer 16 By providing the insulating layer (current confinement layer) 16 in this manner, current can be concentrated along the light guiding direction, and luminous efficiency can be increased.
  • the diffraction grating 12 is formed above the light propagating portion, and is configured by periodically arranging two medium layers having different refractive indexes.
  • One medium layer of the diffraction grating 12 is made of a material constituting the anode 20, and the other medium layer is made of a material constituting the light emitting layer 14.
  • the diffraction grating 12 is preferably a distributed feedback type diffraction grating.
  • the diffraction grating 12 preferably has a human / 4 phase shift structure or a gain coupling type structure.
  • the human / 4 phase shift structure or the gain coupling type structure in this way, the emitted light can be made into a single mode.
  • the first electrode extraction portion 24 and the second electrode extraction portion 26 adjacent to the waveguide portion 200 are formed of an insulating cladding layer 3 continuous with the insulating layer 16. They are electrically separated by two.
  • the first electrode extraction section 24 is integrally continuous with the anode 20 of the light emitting element section 100 and functions as an anode extraction electrode.
  • the second electrode extraction portion 26 is formed so as to extend toward the light emitting element portion 100, and a part thereof is electrically connected to the cathode 22. Therefore, the second electrode extraction section 26 functions as an extraction electrode of the cathode 22.
  • the first and second electrode extraction portions 24 and 26 are formed in the same film forming step as the anode 20.
  • the cathode 22 By applying a predetermined voltage to the anode 20 and the cathode 22, electrons are injected from the cathode 22 and holes are injected from the anode 20 into the light emitting layer 14. Emitting layer 1 4 Inside, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. As described above, the area CA through which the current flows is defined by the insulating layer 16 interposed between the anode 20 and the cathode 22, so that the current can be efficiently supplied to the area where light emission is desired. it can.
  • Part of the light generated in the light-emitting layer 14 is reflected by the cathode 22 and the insulating layer 16 functioning as a cladding layer, and is introduced into the light transmission section including the anode 20 and the diffraction grating 12.
  • the light introduced into the light propagating portion is distributed-propagation-type propagating by the diffraction grating 12 formed on a part of the light propagating portion, and propagates the light propagating portion toward the end face (the waveguide portion 200 side). Further, the light propagates through the core layer 30 of the waveguide portion 200 which is formed integrally and continuously with a part (anode 20) of the light propagation portion, and exits from the end face.
  • the emitted light is distributed and fed back by the diffraction grating 12 of the light propagation section and is emitted, so that it has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity. Further, by providing the diffraction grating 12 with a ⁇ phase shift structure or a gain-coupling structure, the emitted light can be made to have a single mode.
  • the person represents the wavelength of light in the light propagation unit.
  • the light generated in the light emitting layer 14 is reflected by utilizing the reflection function of the cathode 22.
  • a reflection film having a large reflectance outside the cathode 22 may be used.
  • a dielectric multilayer mirror or the like can also be formed.
  • the thickness of the cathode 22 is small, light generated in the light emitting layer 40 can pass through the cathode 22.
  • a reflection film can be formed between the substrate 10 and the anode 20. By forming such a reflective film, light can be more reliably confined, so that the emission efficiency can be increased.
  • This modified example can be similarly applied to other embodiments.
  • either the first medium layer or the second medium layer constituting the diffraction grating 12 may be a layer of a gas such as air.
  • the diffraction grating when a diffraction grating is formed by a gas layer, the diffraction grating can be configured within a range of a general material used for a light emitting device. The difference between the refractive indices of the two media to be formed can be increased, and an efficient diffraction grating can be obtained for a desired light wavelength.
  • This modified example can be similarly applied to other embodiments.
  • At least one of a hole transport layer and an electron transport layer can be provided as necessary.
  • This modified example can be similarly applied to other embodiments.
  • At least a part (anode 20) of the light propagating portion of the light emitting element portion 100 and the core layer 30 of the waveguide portion 200 are integrally continuous.
  • the light emitting element section 100 and the waveguide section 200 are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated.
  • the light propagation portion including the anode 20 and the core layer 30 can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified.
  • the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100 and the cladding layer 32 of the waveguide section 200 are integrally continuous.
  • the light emitting element section 100 (particularly, the light propagating section) and the waveguide section 200 are optically coupled with high coupling efficiency, and efficient light propagation can be achieved.
  • the insulating layer 16 and the cladding layer 32 can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified.
  • the light emitting element unit 100 and the waveguide unit 200 are connected with high coupling efficiency, so that highly efficient light emission is achieved. You can get light.
  • the anode 20 and the cathode 22 are electrically connected to each other through the opening 16a of the insulating layer 16, and the region through which the current flows is defined by the opening 16a. Therefore, the insulating layer 16 functions as a current confinement layer, efficiently supplies current to the light emitting region, and can increase the light emission efficiency.
  • the light emitting region can be set in a state of being aligned with the core layer 30, and from this point also, the light coupling efficiency with respect to the waveguide portion 200 can be improved. Can be increased.
  • FIGS. 5 to 10 (A) is a plan view, and (B) to (D) are A-A line, B-B line, and C-C line in the plan view shown in (A).
  • FIG. 4 is a cross-sectional view along one of the above.
  • Reference numerals 100 a and 200 a in FIGS. 5 to 8 indicate regions where the light emitting element portion 100 and the waveguide portion 200 are formed, respectively.
  • a conductive layer 20a is formed on a substrate 10 using an optically transparent conductive material.
  • the method for forming the conductive layer 20a is selected depending on the material of the conductive layer 20a and the like, and the above-described method can be used. For example, when the conductive layer 20a is formed of ITO, an evaporation method can be preferably used.
  • an uneven portion 12a for forming one medium layer of the diffraction grating is formed on the surface portion of the conductive layer 20a in the region 100a where the light emitting element portion 100 is formed.
  • the method of forming the uneven portion 12a is selected depending on the material of the conductive layer 20a and the like, and the above-described method such as lithography and stamping can be used.
  • the conductive layer 20 a is selected depending on the material of the conductive layer 20a and the like, and the above-described method such as lithography and stamping can be used.
  • the conductive layer 20 a is selected depending on the material of the
  • the uneven portion 12a for the diffraction grating is formed so that the unevenness having a predetermined pitch in the Y direction is continuous in FIG.
  • the anode 20, the first and second electrode extraction portions are formed by patterning the conductive layer 20 a by, for example, lithography.
  • the anode 20 and the first electrode extraction portion 24 are formed continuously.
  • the second electrode extraction section 26 is separated from the anode 20 and the first electrode extraction section 24 by an opening 28.
  • the uneven portion 12a for the diffraction grating is formed integrally with the anode 20, and a part of the anode 20 including the uneven portion 12a also functions as a light propagation portion.
  • the core layer 30 is formed integrally and continuously with the anode 20 (the uneven portion 12 a), and via the first and second electrode extraction portions 24 and 26 and the opening portion 28. Are separated.
  • the light propagation part including the diffraction grating and the electrode (in this example, the anode and the electrode extraction part) are formed.
  • Optical parts such as a core layer can be formed simultaneously.
  • an insulating layer 16 having a predetermined pattern is formed so as to fill the opening 28.
  • the insulating layer 16 has an opening 16a from which a part of the uneven portion 12a for the diffraction grating is exposed.
  • the opening 16a has a slit shape extending in the light waveguide direction. Since the opening 16a defines a region through which current flows, the length and width of the opening 16a are set in consideration of the desired current density and current distribution.
  • the insulating layer 16 functions not only as a current confinement layer but also as a cladding layer for confining light, its material is selected in consideration of the insulating properties and the optical characteristics such as the refractive index.
  • polyimide, polyimide, polyethylene terephthalate, polyester tersulfone, silicon polymer, or the like can be used as the insulating layer 16, for example.
  • the insulating layer 16 electrically separates the anode 20 and the first electrode lead-out part 24 from the second electrode lead-out part 26, and forms a part of the uneven part 12a for the diffraction grating.
  • the cladding layer functions as a cladding layer and further covers the exposed portion of the core layer 30 to form a cladding layer 32.
  • the light emitting layer 14 is formed in a predetermined region of the region 100a where the light emitting element portion 100 is formed.
  • the light emitting layer 14 has a light emitting portion 14a in which at least an opening 16a formed in the insulating layer 16 is filled with a light emitting material.
  • the material forming the light emitting layer 14 is filled in the concave portions of the concave and convex portions 12a for the diffraction grating, thereby forming the diffraction grating 12. Therefore, as a material for forming the light emitting layer 14, a material having an optical function for forming one medium layer of the diffraction grating 12 together with the light emitting function is selected.
  • a cathode 22 is formed in a region 100a where the light emitting element portion 100 is formed.
  • the cathode 22 is formed so as to cover the light emitting portion 14 a of the light emitting layer 14, and one end thereof is formed so as to overlap the second electrode extraction portion 26. In this way, the light emitting element section 100 and the waveguide section 200 are formed.
  • a protective layer 60 is formed so as to cover at least the light emitting element portion 100.
  • the protective layer 60 is desirably formed so that the cathode 22, the light emitting layer 14, and the anode (light propagation portion) 20 do not contact the outside.
  • the cathode 22 usually made of an active metal and the light emitting layer 14 made of an organic material are easily deteriorated by the atmosphere or moisture, the protective layer 60 is formed so as to prevent such deterioration.
  • a resin material such as an epoxy resin, a silicone resin, and an ultraviolet curable resin.
  • the light-emitting device 100 is formed.
  • the manufacturing method by selecting the material of the conductive layer 20a in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the electrode member (in this example, the anode 20 and the electrode extraction portions 24, 2) 6), the optical member such as the light propagation portion (20) including the uneven portion 12a for the diffraction grating and the core layer 30 can be formed in the same process, thereby simplifying the manufacturing process. Can be.
  • FIG. 11 is a plan view schematically showing the light emitting device 2000 according to the present embodiment.
  • FIG. 12A is a partial cross-sectional view taken along line X1-X1 in FIG. Yes
  • FIG. 12B is a partial cross-sectional view along X2-X2 of FIG. 11
  • FIG. 13 is a cross-sectional view along YY line of FIG.
  • the light emitting device 2000 differs from the light emitting device 100 according to the first embodiment in the formation positions of the diffraction grating and the anode. Portions having substantially the same functions as those of the light emitting device 100 will be described with the same reference numerals.
  • the light-emitting device 2000 includes a substrate 10, a light-emitting element 100, and a waveguide 200 formed on the substrate 10.
  • the light emitting element section 100 is provided on a substrate 10 with a diffraction grating 12 and a The anode 20, the light emitting layer 14 and the cathode 22 are arranged in this order.
  • the substrate 10 has a linear convex portion 10a extending over the light emitting element portion 100 and the waveguide portion 200.
  • the diffraction grating 12 is formed on the convex portion 10a. I have.
  • an anode 20 is formed so as to cover the diffraction grating 12.
  • an insulating layer 16 which also functions as a cladding layer and a current confinement layer is formed.
  • a core layer 30 and a cladding layer 32 that covers an exposed portion of the core layer 30 are arranged on a substrate 10.
  • the core layer 30 is formed on the convex portion 10 a of the substrate 10.
  • a first electrode extraction section 24 and a second electrode extraction section 26 are arranged adjacent to the waveguide section 200.
  • protective layer 60 is formed so as to cover light emitting element portion 100.
  • the protective layer 60 By covering the light emitting element portion 100 with the protective layer 60, the deterioration of the cathode 12 and the light emitting layer 14 can be prevented.
  • the surface of the waveguide portion 200 is exposed without forming the protective layer 60 on the entire light emitting device.
  • the anode 20 of the light emitting element section 100 is made of an optically transparent conductive material and forms a light propagation section.
  • the anode 20 and the core layer 30 of the waveguide section 200 are formed integrally and continuously.
  • the transparent conductive material forming the anode 20 and the core layer 30 the above-mentioned materials such as ITO can be used.
  • the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100 and the cladding layer 32 of the waveguide section 200 are formed integrally and continuously.
  • the material constituting the insulating layer 16 and the cladding layer 32 may be any material as long as it is insulating, has a lower refractive index than the anode 20 and the core layer 30 and can confine light. Not limited.
  • the insulating layer 16 is formed so as to cover the anode 20 and the exposed portion of the substrate 10 as shown in FIGS. 11 and 12 (A).
  • the insulating layer 16 has a slit-like opening 16a extending in the period direction of the diffraction grating 12.
  • the anode 20 and the cathode 22 are arranged with the light emitting layer 14 interposed therebetween.
  • An insulating layer 16 is interposed between the anode 20 and the cathode 22. Therefore, the insulating layer 16 functions as a current confinement layer.
  • the diffraction grating 12 is formed on the protrusion 10 a of the substrate 10, and includes two different medium layers.
  • One medium layer of the diffraction grating 12 is made of a material forming the anode 20, and the other medium layer is made of a material forming the substrate 10.
  • the diffraction grating 12 in this embodiment is formed so as to overlap the region CA defined by the current confinement layer 16.
  • the diffraction grating 12 is preferably a distributed feedback diffraction grating, and the diffraction grating 12 preferably has a ⁇ / 4 phase shift structure or a gain coupling structure. The reason for this is the same as in the first embodiment, and will not be described.
  • the first electrode extraction portion 24 and the second electrode extraction portion 26 adjacent to the waveguide portion 200 are formed of an insulating cladding layer continuous with the insulating layer 16. It is electrically separated by 32.
  • the first electrode extraction portion 24 is integrally continuous with the anode 20 of the light emitting element portion 100 and functions as an anode extraction electrode.
  • the second electrode extraction portion 26 is formed so as to extend toward the light emitting element portion 100, and a part thereof is electrically connected to the cathode 22. Therefore, the second electrode extraction section 26 functions as an extraction electrode for the cathode 22.
  • the first and second electrode extraction portions 24 and 26 are formed in the same film forming step as the anode 20.
  • the cathode 22 By applying a predetermined voltage to the anode 20 and the cathode 22, electrons are injected from the cathode 22 and holes are injected from the anode 20 into the light emitting layer 14. In the light emitting layer 14, the electrons and holes are recombined to generate excitons, and when the excitons are deactivated, light such as fluorescence or phosphorescence is generated. As described above, the area CA through which the current flows is defined by the insulating layer 16 interposed between the anode 20 and the cathode 22, so that the current can be efficiently supplied to the area where light emission is desired. Can You.
  • Part of the light generated in the light emitting layer 14 is reflected by the cathode 22 and the insulating layer 16 functioning as a cladding layer, and is introduced into the light propagation portion.
  • the light guided into the light propagating section is distributed-propagation-type propagating by the diffraction grating 12, and propagates inside the light propagating section constituting the anode 20 toward the end face side.
  • the light propagates through the core layer 30 of the waveguide portion 200 integrally formed continuously with a part (anode 20) of the laser beam and exits from the end face.
  • the emitted light is distributed and returned in the light propagation section by the diffraction grating 12 and is emitted, so that it has wavelength selectivity, a narrow emission spectrum width, and excellent directivity.
  • At least a part (anode 20) of the light propagating portion of the light emitting element portion 100 and the core layer 30 of the waveguide portion 200 are integrally continuous.
  • the light emitting element section 100 and the waveguide section 200 are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated.
  • the light propagation portion including the anode 20 and the core layer 30 can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified.
  • the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100 and the cladding layer 32 of the waveguide section 200 are integrally continuous.
  • the light emitting element section 100 and the waveguide section 200 are optically coupled with high coupling efficiency, and light can be efficiently propagated.
  • the insulating layer 16 and the cladding layer 32 can be formed and patterned in the same process, there is an advantage that manufacturing is simplified.
  • the light emitting element unit 100 and the waveguide unit 200 are connected with high coupling efficiency, so that highly efficient emission is achieved. You can get light.
  • the anode 20 and the cathode 22 are electrically connected to each other through the opening 16a of the insulating layer 16, and the region through which the current flows is defined by the opening 16a. Therefore, the insulating layer 16 functions as a current confinement layer, efficiently supplies current to the light emitting region, and can increase the light emission efficiency.
  • the light emitting region can be set in a state of being aligned with the core layer 30, From this point as well, the efficiency of light coupling to the waveguide portion 200 can be increased.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line X3-X3.
  • an uneven portion 12a for forming one medium layer of the diffraction grating is formed in a predetermined region on the substrate 10.
  • a predetermined portion of the substrate 10 is removed by lithography or the like so as to leave a part of the uneven portion 12a, and a convex portion 10a continuous with the substrate 10 is formed.
  • An uneven portion 12a for a diffraction grating is formed on the convex portion 10a.
  • the uneven portion 12a for the diffraction grating is formed such that the unevenness having a predetermined pitch is continuous in a direction perpendicular to the paper surface in FIG.
  • a conductive layer 20a is formed on the entire surface of the substrate 10 by using an optically transparent conductive material.
  • the anode 20 and the first electrode extraction portion 24 are formed by patterning the conductive layer 20 a by, for example, lithography.
  • a second electrode extraction part 26, a diffraction grating 12 and a core layer 30 are formed.
  • the first medium layer is made of a material forming the substrate 10
  • the second medium layer is made of a material forming the anode 20.
  • the anode 20 and the first electrode extraction portion 24 are formed continuously.
  • the second electrode extraction section 26 is separated from the anode 20 and the first electrode extraction section 24 by an opening 28.
  • the core layer 30 is formed integrally and continuously with the anode 20 and is separated from the first and second electrode extraction portions 24 and 26 and the opening portion 28.
  • the material of the conductive layer 20a is selected in consideration of the optical characteristics such as the refractive index.
  • the optical part such as the diffraction grating, a part of the light propagation part and the core layer can be formed simultaneously with the electrode part (in this example, the anode and the electrode extraction part).
  • an insulating layer 16 having a predetermined pattern is formed so as to fill the opening 28.
  • the insulating layer 16 has an opening 16a.
  • the opening 16a has a slit shape extending along the light waveguide direction. Since the opening 16a defines a region through which current flows, the length and width of the opening 16a are set in consideration of the desired current density and current distribution.
  • the insulating layer 16 functions not only as a current confinement layer but also as a cladding layer for confining light, its material is selected in consideration of the insulating properties and the optical characteristics such as the refractive index.
  • the insulating layer 16 electrically separates the anode 20 and the first electrode extraction portion 24 from the second electrode extraction portion 26 and forms one of the anodes 20 forming a part of the light propagation portion.
  • the cladding layer 32 covers the exposed portion of the core layer 30 and functions as a cladding layer.
  • the light emitting layer 14 is formed in a predetermined region of the region where the light emitting element portion 100 is formed.
  • the light-emitting layer 14 has a light-emitting portion 14a in which at least an opening 16a formed in the insulating layer 16 is filled with a light-emitting material.
  • a cathode 22 is formed in a region where the light emitting element portion 100 is to be formed.
  • the cathode 22 is formed so as to cover the light emitting portion 14 a of the light emitting layer 14, and one end thereof is formed so as to overlap the second electrode extraction portion 26.
  • the light emitting element section 100 and the waveguide section 200 are formed.
  • a protective layer 60 is formed so as to cover at least the light emitting element portion 100.
  • the description of the protective layer 60 is omitted because it is the same as in the first embodiment.
  • the light-emitting device 2000 is formed.
  • this manufacturing method By selecting the material of the conductive layer 20a in consideration of the optical characteristics such as the refractive index, the diffraction grating can be formed together with the electrode portion (in this example, the anode 20 and the electrode extraction portions 24, 26). 12. At least a part of the optical member such as the light propagation portion and the core layer 30 can be formed in the same step, and the manufacturing process can be simplified.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a light-emitting device 300 according to the present embodiment, and shows a portion corresponding to FIG. 13 used for describing the second embodiment.
  • the light emitting device 300 is different from the light emitting device 1000 according to the first embodiment and the light emitting device 2000 according to the second embodiment in the formation position of the diffraction grating. Portions having functions substantially similar to those of the light-emitting devices 100 and 2000 are denoted by the same reference numerals, and mainly, a light-emitting device 300 different from the light-emitting devices 100 and 2000. Only the main features of 0 are described.
  • the light-emitting device 300 has a substrate 10, a light-emitting element 100, and a waveguide 200 formed on the substrate 10.
  • a diffraction grating 12 and an anode 20, which constitute a light propagation section, a light emitting layer 14 and a cathode 22 are arranged on a first substrate 10 in this order.
  • a second substrate (grating substrate) 11 for forming a diffraction grating 12 is disposed on the first substrate 10.
  • the second substrate 11 As described above, as the second substrate 11, as described above, a resin to which a method such as lithography, formation of a refractive index distribution by light irradiation, and stamping can be applied, for example, a resin that is cured by irradiation with ultraviolet light or electron beam It can be formed by using.
  • the first medium layer is made of a material forming the second substrate 11
  • the second medium layer is made of a material forming the anode 20 forming the light propagation portion. Consists of
  • a material that is advantageous for forming the diffraction grating 12 can be selected as the material of the second substrate 11, and there is an advantage that the formation of the diffraction grating 12 is facilitated.
  • a flexible substrate material can be used.
  • Oka ij When the material of the second substrate 11 is applied to the first substrate 10 using a mold having a property and cured by heating, and then the mold is peeled off to form a lattice portion, The peeling process becomes easier and the accuracy of the grating is improved.
  • an optimal material can be selected for the substrate, and optimal characteristics can be obtained in the final light emitting device. it can.
  • the configuration, operation, and effect of the other parts of the light emitting device 300 according to the present embodiment are the same as those of the light emitting device 2000 according to the second embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 17 is a perspective view schematically showing the light emitting device 400 according to the present embodiment
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • the light emitting device 400 differs from the light emitting device according to the first embodiment or another embodiment in the structure of the waveguide section. Portions having substantially the same functions as the light-emitting device 100 are denoted by the same reference numerals, and mainly, only the main features of the light-emitting device 400 different from the light-emitting device 100 will be described. I do.
  • the light emitting device 400 has a substrate 10, a light emitting element section 100 formed on the substrate 10, and a waveguide section 200.
  • the present embodiment is characterized in that the optical fiber 300 is mounted on the waveguide section 200.
  • the optical fiber 300 has a core layer 310, a cladding layer 320, and a coating layer (not shown).
  • the optical fiber accommodating section 330 includes a first groove 32 a having a rectangular cross section formed in the cladding layer 32 and a second groove 1 having a triangular cross section formed in the substrate 10. 0 b.
  • the core layer 30 of the waveguide 200 is made of an optical fiber. It is formed so as to face the core layer 310 of 300.
  • the optical fiber 300 can be fixed to the waveguide 200 by a method such as bonding.
  • the light generated by the light emitting element unit 100 is guided.
  • the light can be efficiently propagated to the optical fiber 300 via the waveguide path 200. Since the light emitting device 400 has the optical fiber 300, it can be preferably applied to, for example, the use of an optical communication device.
  • the configuration and operation and effect of the other parts of the light emitting device 400 according to the present embodiment are the same as those of the light emitting device according to the first or other embodiments, and therefore description thereof is omitted.
  • the light emitting device 400 has the optical fiber 300 integrally, but is not limited to this.
  • the light emitting device 400 may not have an optical fiber, and may have a structure in which an optical fiber housing portion 330 is formed in a waveguide portion 200. In the case of this device, an optical fiber may be connected to the optical fiber housing 330 when necessary.
  • the protective layer 60 is formed not only in the light emitting element 100 but also at least at the end of the optical fiber 300 and the optical waveguide.
  • the optical fiber 300 may be structured so as to cover a part of the optical fiber 300 in a state including a contact portion of the optical fiber 300 with the core layer 300. In this case, the fixation of the optical fiber 300 is further ensured.
  • FIG. 19 is a plan view schematically showing a part of the light-emitting device 500 according to the present embodiment
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 19 shows the substrate 10, the anode 20, the electrode extraction portions 24 and 26 and the diffraction grating 12 shown in FIG. 20, and the light-emitting layer 14 and the cathode 22 are omitted.
  • the light-emitting device 500 differs from the light-emitting device 100 according to the first embodiment in the structures of the diffraction grating and the anode. Portions having substantially the same function as the light emitting device 100 are denoted by the same reference numerals, and mainly, only the main characteristic portions of the light emitting device 500 different from the light emitting device 100 will be described. .
  • the light-emitting device 500 has a substrate 10, a light-emitting element unit 100 formed on the substrate 10, and a waveguide unit 200.
  • the light emitting element section 100 is arranged on the substrate 10 in the order of the anode 20, the diffraction grating 12, the light emitting layer 14, and the cathode 22 constituting at least a part of the light propagation section. .
  • the exposed portion of the diffraction grating 12 also has a cladding layer and a current confinement layer.
  • a functional insulating layer 16 is formed.
  • the insulating layer 16 has an opening 16a in the periodic direction of the diffraction grating 12. In the opening 16a, the anode 20 and the cathode 22 are arranged with the diffraction grating 12 and the light emitting layer 14 interposed therebetween. In a region other than the opening 16a, the insulating layer 16 is interposed between the anode 20 and the cathode 22.
  • the diffraction grating 12 is formed above the anode 20 and has the same width as the core layer 30 of the waveguide portion 200 described later.
  • One medium layer of the diffraction grating 12 is made of a material constituting the anode 20, and the other medium layer is made of a material constituting the light emitting layer 14.
  • the waveguide section 200 has a core layer 30 and a cladding layer 32 that covers an exposed portion of the core layer 30 on the substrate 10, and is adjacent to the waveguide section 200.
  • a first electrode extraction section 24 and a second electrode extraction section 26 are arranged.
  • the anode 20 of the light emitting element section 100 is made of an optically transparent conductive material, and forms at least a part of the light propagation section.
  • the anode 20 and the core layer 30 of the waveguide portion 200 are integrally and continuously formed.
  • the insulating layer (cladding layer) 16 of the light emitting element section 100 and the cladding layer 32 of the waveguide section 200 are integrally and continuously formed.
  • the feature of this embodiment is that the area S of the anode 20 overlapping the insulating layer 16 is small as shown in FIG. This can be clearly understood by comparing, for example, FIG. 6A showing a method for manufacturing the light emitting device 100 according to the first embodiment. As described above, since the area S of the anode 20 overlapping the insulating layer 16 is small, the plane area of the capacity formed by the anode 20, the insulating layer 16, and the cathode 22 is reduced, and the capacitance is reduced. Can be reduced.
  • the light-emitting device 500 is suitably used for a device in which the influence of the parasitically formed capacitance is small.
  • a light emitting device 500 can suppress a delay effect due to capacity in a communication device using a high frequency.
  • FIG. 21 is a perspective view schematically showing a light emitting device 600 according to the present embodiment, and is a view corresponding to FIG. 1 showing the first embodiment.
  • the light emitting device 600 differs from the light emitting device according to the first embodiment or another embodiment in the structure of the electrode extraction portion. Portions having substantially the same functions as the light-emitting device 100 are denoted by the same reference numerals, and mainly, only the main characteristic portions of the light-emitting device 600 different from the light-emitting device 100 will be described. .
  • the light-emitting device 600 has a substrate 10, a light-emitting element unit 100 formed on the substrate 10, and a waveguide unit 200.
  • the waveguide section 200 has a core layer 30 and a cladding layer 32 covering an exposed portion of the core layer 30 on a substrate 10.
  • the waveguide section 200 is adjacent to the waveguide section 200.
  • a first electrode extraction section 24 and a second electrode extraction section 26 are arranged.
  • a feature of the present embodiment is that at least one of the first electrode extraction portion 24 and the second electrode extraction portion 26 has an electronic element such as an IC driver mounted thereon. is there. That is, the exposed portion of the electrode can be used as a mounting surface of the electronic element.
  • FIG. 21 schematically illustrates a state where the electronic element 400 is mounted on the first electrode extraction portion 24. Although not shown in FIG. 21, the electrode extraction portion is patterned so as to form a predetermined pattern of wiring as needed.
  • a device with a high degree of integration can be configured by using the exposed portion of the electrode as a mounting surface for an electronic element.

Description

明 細
[技術分野]
本発明は、 E L (エレク ト口ルミネッセンス) を用いた発光装置に関する。
[背景技術]
例えば、 光通信システムで用いられる光源としては、 半導体レーザが用いられ る。 半導体レーザは、 波長選択性に優れ、 単一モードの光を出射できる点で好ま しいが、 多数回にわたる結晶成長が必要であり、 作成が容易でない。 また、 半導 体レーザでは、 発光材料が限定され、 種々の波長の光を発光することができない という難点を有する。
また、 従来の E L発光素子は、 発光波長のスペクトル幅が広く、 表示体などの 一部の用途では適用されているものの、 光通信などのスぺク トル幅が狭い光を要 求される用途には不向きであった。
本発明の目的は、 発光波長のスぺクトル幅が従来の E L発光素子に比べて格段 に狭く、 かつ指向性があり、 表示体だけでなく光通信などにも適用できる、 発光 装置を提供することにある。
[発明の開示]
本発明に係る第 1の発光装置は、 基板と、 発光素子部とを有し、
前記発光素子部は、
エレクト口ルミネッセンスによつて発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、
前記発光層において発生した光を伝播するための光伝播部と、
前記一対の電極層の間に配置され、 かつ、 一部に開口部を有し、 該開口部を介 して前記発光層に供給される電流の流れる領域を規定する電流狭窄層として機能 しうる絶縁層と、
前記光伝播部を伝播する光のための回折格子と、 を含む。 この発光装置によれば、 前記一対の電極層、 すなわち陰極と陽極とからそれそ れ電子とホールとが発光層内に注入され、 この電子とホールとを発光層で再結合 させて、 分子が励起状態から基底状態に戻るときに光が発生する。 そして、 発光 層で発生した光は、 光伝播部を伝播する光のための回折格子、 つまり互いに屈折 率の異なる 2種の媒質が交互に周期的に配置された格子により、 波長選択性およ び指向性を有する。
なお、 光伝播部とは、 発光素子部の一部分であって、 かつ、 発光素子部の発光 層において得た光を導波路部側に供給する部分であって、 少なくとも波長選択性 を付与する機能を持つ回折格子部分と、 導波路部のコア層とを結合するための部 材 (例えば一方の電極層) とを含む部分である。
そして、 この発光装置によれば、 前記発光素子部において、 前記絶縁層が電流 狭窄層として機能するため、 前記発光層に供給される電流の領域を規定できる。 したがって、 発光させたい領域で電流強度や電流分布をコントロールでき、 高い 発光効率で光を発生できる。 そして、 前記絶縁層がクラッドとして機能する場合 には、 コアとしての発光層とクラッ ドとしての絶縁層からなる導波路を想定する と、 絶縁層の開口部を規定することで、 光伝播部を介して導波路部側に伝播され る光の導波モードをコントロールできる。 すなわち、 前記絶縁層 (クラッ ド) に より、 光が閉じ込められる領域の幅 (光の進行方向に対して垂直な面における 幅) を規定することで、 発光層 (コア) 内を伝播する光の導波モードを所定の値 に設定できる。 導波モードと導波路とは、 一般に以下の式で示す関係を有する。
Nm a 1 ≥ K。 · a · ( n 2
+ n 2 2 ) 1 / 2/ ( ΤΓ/ 2 ) ここで、
K 0 : 2 7Τ /え、
a :導波路のコアの幅の 1 / 2、
n } :導波路のコアの屈折率、
n 2 :導波路のクラッ ドの屈折率、 N m a x :取り得る導波モードの最大値である。
したがって、 得たい導波モードによって、 上記式のパラメ一夕、 例えばコアお よびクラッドの屈折率が特定されている場合、 電流狭窄層の開口部の幅で規定さ れる発光層 (コア) の幅を選択すればよい。 すなわち、 電流狭窄層の内部に設け られる発光層の屈折率および電流狭窄層となる絶縁層の屈折率を、 それそれ上記 式の導波路のコアの屈折率およびクラッ ドの屈折率とし、 得たい導波モードを定 めて上記式によってコアに相当する発光層の幅 (2 a ) を求めることができる。 そして、 発光素子部からの光が供給される導波路部側のコア層の幅についても、 上述したように求めた発光層の幅、 および得たい導波モ一ドに基づいて上記式に よって得られた計算値などを考慮して、 好ましい値を求めることが好ましい。 こ のように発光層の幅およびコア層の幅などを適正な値とすることにより、 優れた 結合効率で発光素子部から導波路部側に所望のモ一ドでの光が伝播される。 なお、 発光素子部においては、 絶縁層で形成された電流狭窄層内における発光層が必ず しも均一な発光状態とならないこともあるため、 これを考慮して、 上記式で求め たコア (発光層) の幅 (2 a ) を基準として、 各部材の結合効率が良好となるよ うに、 発光層、 光伝播部および導波路部などの各部材の設計値が最適に調整され ることが好ましい。
発光装置として、 導波モードは好ましくは 0〜 1 0 0 0、 特に通信用途では 0 〜1 0程度であることが好ましい。 このように発光層での光の導波モードを規定 できれば、 所定の導波モードの光を効率よく得ることができる。
本発明に係る第 2の発光装置は、 基板上に、 発光素子部と、 該発光素子部から の光を伝達する導波路部とを一体的に有し、
前記発光素子部は、
エレクト口ルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、
前記発光層において発生した光を伝播するための光伝播部と、
前記光伝播部に接して配置され、 クラッ ド層として機能しうる絶縁層と、 前記光伝播部を伝播する光のための回折格子と、 を含み、 前記導波路部は、
前記光伝播部の少なくとも一部と一体的に連続するコァ層と、
前記絶縁層と一体的に連続するクラッ ド層と、 を含む。
この第 2の発光装置によれば、 第 1の発光装置と同様の原理により、 波長選択 性および指向性の高い光を発生できる。
そして、 第 2の発光装置によれば、 発光素子部の光伝播部の少なくとも一部と、 導波路部のコア層とがー体的に連続し、 かつ、 発光素子部の絶縁層 (クラッド 層) と、 導波路部のクラッ ド層とがー体的に連続していることにより、 発光素子 部と導波路部とが、 高い結合効率で光学的に結合され、 効率のよい光の伝播がで ぎる。
この構成の場合、 前記絶縁層は、 前記光伝播部に対してクラッ ド層として機能 する材質が選択される。 また、 この構成の発光装置によれば、 発光素子部の光伝 播部と、 導波路部のコア層とは、 同一の工程で成膜およびパターニングできるの で、 製造が簡易となる利点を有する。 同様に、 発光素子部の絶縁層 (クラッド 層) と、 導波路部のクラッ ド層とは、 同一の工程で成膜およびパターニングでき るので、 製造が簡易となる利点を有する。
第 1および第 2の発光装置において、 前記絶縁層の前記開口部は、 前記回折格 子の周期方向、 つまり光の導波方向に延びるスリッ ト形状を有することが望まし い。 また、 前記発光層は、 少なくとも一部が前記絶縁層に形成された開口部に存 在することが望ましい。 この構成によれば、 電流を供給したい発光層の領域と、 電流狭窄層によって規定される領域とを自己整合的に位置決めできる。
第 1および第 2の発光装置において、 前記回折格子は、 分布帰還型または分布 ブラッグ反射型の回折格子であることが望ましい。 このように、 分布帰還型また は分布ブラッグ反射型の回折格子を形成することにより、 発光層で得られた光を 共振させ、 その結果、 波長選択性があり発光スペクトル幅が狭く、 かつ優れた指 向性を有する光を得ることができる。 これらの回折格子においては、 出射光の波 長によって回折格子のピツチおよび深さが設定される。
さらに、 分布帰還型の前記回折格子をえ / 4位相シフト構造または利得結合型 構造とすることにより、 出射光をより単一モード化することができる。 ここで、 入は、 光伝播部内の光の波長を表す。
特に、 回折格子が分布帰還型であって、 さらに人 / 4位相シフ ト構造あるいは 利得結合型構造を有することは、 本発明に係る発光装置において共通した望まし い構成である。 そして、 この回折格子は、 上述した回折格子の機能を達成できれ ばよく、 その形成領域は特に限定されず、 例えば光伝播部内あるいは光伝播部に 接する層であればよい。
前記発光層は、 発光材料として有機発光材料を含むことが好ましい。 有機発光 材料を用いることにより、 例えば半導体材料や無機材料を用いた場合に比べて材 料の選択の幅が広がり、 種々の波長の光を発光することが可能となる。
本発明の発光装置は、 種々の態様をとることができ、 例えば以下に代表的な態 様を記載する。
( a ) 第 1の態様の発光装置は、
前記発光素子部は、
前記基板上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部として機能しうる透明 な陽極と、
前記陽極の一部に形成された回折格子と、
前記回折格子に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む。
( b ) 第 2の態様の発光装置は、
前記発光素子部は、
前記基板の一部に形成された回折格子と、
前記回折格子上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部として機能しうる 透明な陽極と、
前記陽極に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む。 ( c ) 第 3の態様の発光装置は、
前記発光素子部は、
前記基板上に配置され、 一部に回折格子が形成された格子基板と、
前記格子基板の前記回折格子上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部と して機能しうる透明な陽極と、
前記陽極に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む。
そして、 これらの第 1〜第 3の態様の発光装置は、 さらに前記発光素子部と一 体的に形成された前記導波路部を有することが好ましい。 この導波路部は、 前記 基板上または前記格子基板上に形成され、 前記陽極と光学的に連続するコア層と、 前記コア層の露出部分を覆い、 前記絶縁層と光学的に連続するクラッ ド層と、 を 含む。
このように、 本発明によれば、 発光波長のスペクトル幅が従来の E L発光素子 に比べて格段に狭く、 かつ指向性があり、 表示体だけでなく光通信などにも適用 できる、 発光装置を提供することができる。
次に、 本発明に係る発光装置の各部分に用いることができる材料の一部を例示 する。 これらの材料は、 公知の材料の一部を示したにすぎず、 例示したもの以外 の材料を選択できることはもちろんである。
(発光層)
発光層の材料は、 所定の波長の光を得るために公知の化合物から選択される。 発光層の材料としては、 有機化合物および無機化合物のいずれでもよいが、 種類 の豊富さや成膜性の点から有機化合物であることが望ましい。 有機発光材料を用 いることにより、 例えば半導体材料や無機材料を用いた場合に比べて材料の選択 の幅が広がり、 種々の波長の光を発光することが可能となる。
このような有機化合物としては、 例えば、 特開平 1 0 _ 1 5 3 9 6 7号公報に 開示された、 ァロマティックジァミン誘導体 (T P D ) 、 ォキシジァゾール誘導 体 (P B D ) 、 ォキシジァゾールダイマ一 (O X D— 8 ) 、 ジスチルァリーレン 誘導体 ( D S A) 、 ベリリウム一ベンゾキノリノ一ル錯体 ( B e b q ) 、 トリフ ェニルァミン誘導体 (MTDATA) 、 ノレプレン、 キナクリ ドン、 ト リァゾ一ル 誘導体、 ポリフエ二レン、 ポリアルキルフルオレン、 ポリアルキルチオフェン、 ァゾメチン亜鉛錯体、 ポリフィ リン亜鉛錯体、 ベンゾォキサゾール亜鉛錯体、 フ ェナントロリンユウ口ピウム錯体などが使用できる。
また、 有機発光層の材料としては、 特開昭 63 - 702 57号公報、 同 63_ 1 75860号公報、 特開平 2— 1 35 3 6 1号公報、 同 2— 1 35 35 9号公 報、 同 3 _ 1 52 1 84号公報、 さらに、 同 8— 248276号公報および同 1 0 - 1 53967号公報に記載されているものなど、 公知のものが使用できる。 これらの化合物は単独で用いてもよく、 2種類以上を混合して用いてもよい。 無機化合物としては、 ZnS : Mn (赤色領域) 、 Z n S : T b 0 F (緑色領 域) 、 S r S : Cu、 S r S : Ag、 S r S : C e (青色領域) などが例示され る。
(光導波路)
ここで光導波路とは、 コアとして機能する層、 および該コアより屈折率が小さ くクラッ ドとして機能する層を含む。 これらの層は、 具体的には、 発光素子部の 光伝播部 (コア) および絶縁層 (クラッ ド) 、 導波路部のコア層およびクラッ ド 層、 さらに基板 (クラッ ド) などを含む。 光導波路を構成する層は、 公知の無機 材料および有機材料を用いることができる。
代表的な無機材料としては、 例えば特開平 5 _ 273427号公報に開示され ているような、 T i 02、 T i〇2_ S i 02混合物、 Z nO、 Nb205、 S i 3 N4、 Ta 205、 Hf 02または Z r 02などを例示することができる。
また、 代表的な有機材料としては、 各種の熱可塑性樹脂、 熱硬化性樹脂、 およ び光硬化性樹脂など、 公知の樹脂を用いることができる。 これらの樹脂は、 層の 形成方法などを考慮して適宜選択される。 例えば、 熱および光の少なくとも一方 のエネルギーによって硬化することができる樹脂を用いることで、 汎用の露光装 置やべィク炉、 ホットプレートなどが利用できる。
このような物質としては、 例えば、 本願出願人による特願平 1 0— 27943 9号に開示された紫外線硬化型樹脂がある。 紫外線硬化型樹脂としては、 ァクリ ル系樹脂が好適である。 様々な市販の樹脂や感光剤を利用することで、 透明性に 優れ、 また、 短期間の処理で硬化可能な紫外線硬化型のアクリル系樹脂を得るこ とができる。
紫外線硬化型のァクリル系樹脂の基本構成の具体例としては、 プレボリマー、 オリゴマー、 またはモノマーがあげられる。
プレボリマ一またはオリゴマーとしては、 例えば、 エポキシァクリレート類、 ウレタンァクリレート類、 ポリエステルァクリレート類、 ポリエーテルァクリレ —ト類、 スピロァセタール系ァクリレート類等のァクリレート類、 エポキシメタ クリレート類、 ウレ夕ンメ夕クリレート類、 ポリエステルメ夕クリレート類、 ポ リエーテルメタクリレート類等のメ夕クリレート類等が利用できる。
モノマーとしては、 例えば、 2—ェチルへキシルァクリレート、 2—ェチルへ キシルメタクリレート、 2—ヒドロキシェチルァクリレート、 2—ヒドロキシェ チルメ夕クリレート、 N—ビニルー 2—ピロリ ドン、 カルビトールァクリレート、 テトラヒドロフルフリルァクリレート、 イソボルニルァクリレート、 ジシクロぺ ンテニルァクリレート、 1 , 3—ブタンジオールァクリレート等の単官能性モノ マー、 1 , 6—へキサンジオールジァクリレート、 1 , 6—へキサンジオールジ メタクリレート、 ネオペンチルグリコールジァクリレー卜、 ネオペンチルグリコ 一ルジメ夕クリレート、 エチレングリコ一ルジァクリレート、 ポリエチレングリ コールジァクリレート、 ペン夕エリスリ ト一ルジァクリレート等の二官能性モノ マー、 トリメチロールプロバントリァクリレート、 トリメチロールプロバントリ メタクリレート、 ペン夕エリスリ トールトリアクリレ一ト、 ジペン夕エリスリ 卜 一ルへキサァクリレート等の多官能性モノマ一が利用できる。
以上、 光の閉じ込めのみを考慮した無機材料あるいは有機材料を例示した。 光 導波路を構成する層としては、 発光素子部の構造が、 発光層、 ホール輸送層、 電 子輸送層および電極層を備える場合に、 これらの少なくとも一層がコアあるいは クラッドとして機能する場合には、 これらの層を構成する材料も採用し得る。
(ホール輸送層) 発光素子部において有機発光層を用いる場合、 必要に応じて電極層 (陽極) と 発光層との間にホール輸送層を設けることができる。 ホール輸送層の材料として は、 公知の光伝導材料のホール注入材料として用いられているもの、 あるいは有 機発光装置のホール注入層に使用されている公知のものの中から選択して用いる ことができる。 ホール輸送層の材料は、 ホールの注入あるいは電子の障壁性のい ずれかの機能を有するものであり、 有機物あるいは無機物のいずれでもよい。 そ の具体例としては、 例えば、 特開平 8— 2 4 8 2 7 6号公報に開示されているも のを例示することができる。
(電子輸送層)
発光素子部において有機発光層を用いる場合、 必要に応じて電極層 (陰極) と 発光層との間に電子輸送層を設けることができる。 電子輸送層の材料としては、 陰極より注入された電子を有機発光層に伝達する機能を有していればよく、 その 材料は公知の物質から選択することができる。 その具体例としては、 例えば、 特 開平 8— 2 4 8 2 7 6号公報に開示されたものを例示することができる。 陰極としては、 仕事関数の小さい (例えば 4 e V以下) 電子注入性金属、 合金 電気伝導性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。 このような電極 物質としては、 例えば特開平 8— 2 4 8 2 7 6号公報に開示されたものを用いる ことができる。
陽極としては、 仕事関数の大きい (例えば 4 e V以上) 金属、 合金、 電気伝導 性化合物またはこれらの混合物を用いることができる。 陽極として光学的に透明 な材料を用いる場合には、 C u l, I T O , S n 0 2 , Z n〇などの導電性透明 材料を用いることができ、 透明性を必要としない場合には金などの金属を用いる ことができる。
本発明において、 回折格子の形成方法は特に限定されるものではなく、 公知の 方法を用いることができる。 その代表例を以下に例示する。
①リソブラフィ一による方法
ポジまたはネガレジストを紫外線や X線などで露光および現像して、 レジスト 層をパ夕一ニングすることにより、 回折格子を作成する。 ポリメチルメタクリレ ートあるいはノボラック系樹脂などのレジストを用いたパターニングの技術とし ては、 例えば特開平 6— 2 2 4 1 1 5号公報、 同 7— 2 0 6 3 7号公報などがあ る。
また、 ポリイミ ドをフォトリソブラフィ一によりパターニングする技術として は、 例えば特開平 7— 1 8 1 6 8 9号公報および同 1一 2 2 1 7 4 1号公報など がある。 さらに、 レ一ザアブレーシヨンを利用して、 ガラス基板上にポリメチル メタクリレートあるいは酸化チタンの回折格子を形成する技術として、 例えば特 開平 1 0— 5 9 7 4 3号公報がある。
②光照射による屈折率分布の形成による方法
光導波路の光導波部に屈折率変化を生じさせる波長の光を照射して、 光導波部 に屈折率の異なる部分を周期的に形成することにより回折格子を形成する。 この ような方法としては、 特に、 ポリマーあるいはポリマー前駆体の層を形成し、 光 照射などにより部分的に重合を行い、 屈折率の異なる領域を周期的に形成させて 回折格子とすることが好ましい。 この種の技術として、 例えば、 特開平 9— 3 1
1 2 3 8号公報、 同 9一 1 7 8 9 0 1号公報、 同 8— 1 5 5 0 6号公報、 同 5—
2 9 7 2 0 2号公報、 同 5— 3 2 5 2 3号公報、 同 5— 3 9 4 8 0号公報、 同 9 - 2 1 1 7 2 8号公報、 同 1 0— 2 6 7 0 2号公報、 同 1 0 _ 8 3 0 0号公報、 および同 2 _ 5 1 1 0 1号公報などがある。
③スタンビングによる方法
熱可塑性樹脂を用いたホットスタンピング (特開平 6— 2 0 1 9 0 7号公報) 、 紫外線硬化型樹脂を用いたスタンビング (特願平 1 0— 2 7 9 4 3 9号) 、 電子 線硬化型樹脂を用いたスタンビング (特開平 7 _ 2 3 5 0 7 5号公報) などのス タンピングによって回折格子を形成する。
④エッチングによる方法
リソグラフィ一およびエッチング技術を用いて、 薄膜を選択的に除去してパ夕 —ニングし、 回折格子を形成する。
以上、 回折格子の形成方法について述べたが、 要するに、 回折格子は互いに異 なる屈折率を有する 2領域から構成されていればよく、 屈折率の異なる 2種の材 料により 2領域を形成する方法、 一種の材料を部分的に変性させるなどして、 屈 折率の異なる 2領域を形成する方法、 などにより形成することができる。
また、 発光装置の各層は、 公知の方法で形成することができる。 たとえば、 発 光装置の各層は、 その材質によって好適な成膜方法が選択され、 具体的には、 蒸 着法、 スピンコート法、 L B法、 インクジェッ ト法などを例示できる。
[図面の簡単な説明]
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図であ る。
図 2は、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す平面図であ る。
図 3 Aは、 図 2の X 1—X 1線に沿った部分断面図であり、 図 3 Bは図 2の X 2— X 2線に沿った部分断面図である。
図 4は、 図 2の Y— Y線に沿った断面図である。
図 5 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図 であり、 図 5 B〜図 5 Dは、 図 5 Aに示す平面図の A— A線、 B— B線および C 一 C線に沿った断面図である。
図 6 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図 であり、 図 6 B〜図 6 Dは、 図 6 Aに示す平面図の A _ A線、 8—:6線ぉょび0 — C線に沿った断面図である。
図 7 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図 であり、 図 7 B〜図 7 Dは、 図 7 Aに示す平面図の A— A線、 B— B線および C 一 C線に沿った断面図である。
図 8 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図 であり、 図 8 Bおよび図 8 Cは、 図 8 Aに示す平面図の B— B線および C一 C線 に沿った断面図である。
図 9 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面図 であり、 図 9 Bは、 図 9 Aに示す平面図の B— B線に沿った断面図である。 図 1 0 Aは、 本発明の第 1の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す平面 図であり、 図 1 0 Bおよび図 1 0 Cは、 図 1 O Aに示す平面図の B— B線および C一 C線に沿った断面図である。
図 1 1は、 本発明の第 2の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す平面図で ある。
図 1 2 Aは、 図 1 1の X 1—X 1線に沿った部分断面図であり、 図 1 2 Bは図 1 1の X 2— X 2線に沿った部分断面図である。
図 1 3は、 図 1 1の Y— Y線に沿った断面図である。
図 1 4八〜図1 4 Dは、 本発明の第 2の実施の形態に係る発光装置の製造工程 を示す断面図である。
図 1 5八〜図 1 5 Dは、 本発明の第 2の実施の形態に係る発光装置の製造工程 を示す断面図である。
図 1 6は、 本発明の第 3の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す断面図で ある。
図 1 7は、 本発明の第 4の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図で ある。
図 1 8は、 図 1 7の X— X線に沿った断面図である。
図 1 9は、 本発明の第 5の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す平面図で ある。
図 2 0は、 図 1 9の X— X線に沿った断面図である。
図 2 1は、 本発明の第 6の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図で ある。
[発明を実施するための最良の形態]
(第 1の実施の形態)
(デバイス)
図 1は、 本実施の形態に係る発光装置 1 0 0 0を模式的に示す斜視図であり、 図 2は、 発光装置 1 0 0 0を模式的に示す平面図であり、 図 3 Aは、 図 2におけ る X 1— X 1線に沿った部分断面図であり、 図 3 Bは図 2の X 2 _ X 2に沿った 部分断面図であり、 図 4は図 2の Y— Y線に沿った断面図である。
発光装置 1 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
発光素子部 1 0 0は、 基板 1 0上に、 光伝播部となる陽極 2 0および回折格子 1 2、 さらに発光層 1 4および陰極 2 2が、 この順序で配置されている。 そして、 回折格子 1 2の周囲には、 その一部を除いて、 クラッド層および電流狭窄層とし ても機能する絶縁層 1 6が形成されている。
導波路部 2 0 0は、 基板 1 0上に、 コア層 3 0と、 このコア層 3 0の露出部分 を覆うクラッド層 3 2とが配置されている。 この導波路部 2 0 0に隣接して、 第 1の電極取出部 2 4と、 第 2の電極取出部 2 6とが配置されている。
さらに、 本実施の形態では、 発光素子部 1 0 0を覆うように、 保護層 6 0が形 成されている。 保護層 6 0によって発光素子部 1 0 0を覆うことにより、 陰極 1 2および発光層 1 4の劣化を防止することができる。 本実施の形態では、 電極取 出部 2 4, 2 6を形成するために、 保護層 6 0を発光装置全体に形成せず、 導波 路部 2 0 0の表面を露出させている。 保護層 6 0は、 必要に応じ、 発光装置の全 体を覆うように形成してもよい。
発光素子部 1 0 0の陽極 2 0は、 光学的に透明な導電材料で構成され、 光伝播 部を構成する。 そして、 この陽極 2 0と導波路部 2 0 0のコア層 3 0とは一体的 に連続して形成されている。 これらの陽極 2 0およびコア層 3 0を構成する透明 導電材料としては、 I T Oなどの前述したものを用いることができる。 また、 発 光素子部 1 0 0の絶縁層 (クラッド層) 1 6と、 導波路部 2 0 0のクラッ ド層 3 2とは一体的に連続して形成されている。 これらの絶縁層 1 6およびクラッド層 3 2を構成する材料としては、 絶縁性であって、 かつ陽極 2 0およびコア層 3 0 より屈折率が小さく、 光の閉じ込めが可能な材料であれば特に限定されない。 発光素子部 1 0 0において、 絶縁層 1 6は、 図 2および図 3 Aに示すように、 回折格子 1 2の露出部分を覆うように形成されている。 そして、 絶縁層 1 6は、 回折格子 1 2の周期方向、 すなわち屈折率の異なる媒質層が周期的に配列される 方向に伸びるスリット状の開口部 1 6 aを有する。 この開口部 1 6 aにおいて、 回折格子 1 2および発光層 1 4を介在させた状態で、 陽極 2 0と陰極 2 2とが配 置されている。 また、 開口部 1 6 a以外の領域においては、 陽極 2 0と陰極 2 2 との間に絶縁層 1 6が介在する。 そのため、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層として機 能する。 したがって、 陽極 2 0および陰極 2 2に所定の電圧が印加されると、 開 口部 1 6 aに対応する領域 C Aにおいて主として電流が流れる。 このように絶縁 層 (電流狭窄層) 1 6を設けることにより、 光の導波方向に沿って電流を集中さ せることができ、 発光効率をあげることができる。
回折格子 1 2は、 図 3 Aおよび図 4に示すように、 光伝播部の上部に形成され、 かつ、 異なる屈折率を有する 2つの媒質層が周期的に配列して構成されている。 回折格子 1 2の一方の媒質層は、 陽極 2 0を構成する材料からなり、 他方の媒質 層は発光層 1 4を構成する材料からなる。 そして、 回折格子 1 2は、 分布帰還型 の回折格子であることが好ましい。 このように分布帰還型の回折格子を形成する ことにより、 光を光伝播部 2 0内で共振させ、 波長選択性および指向性に優れ、 発光スペクトル幅の狭い光を得ることができる。 さらに、 回折格子 1 2は、 図示 はしないが、 人 / 4位相シフト構造または利得結合型構造を有することが好まし い。 このように人 / 4位相シフト構造または利得結合型構造を有することにより、 出射光をより単一モ一ド化することができる。
導波路部 2 0 0に隣接する第 1の電極取出部 2 4と第 2の電極取出部 2 6とは、 図 2に示すように、 絶縁層 1 6と連続する絶縁性のクラッ ド層 3 2によって電気 的に分離されている。 第 1の電極取出部 2 4は、 発光素子部 1 0 0の陽極 2 0と 一体的に連続し、 陽極の取出電極として機能する。 また、 第 2の電極取出部 2 6 は、 発光素子部 1 0 0側に伸びるように形成され、 その一部は陰極 2 2と電気的 に接続されている。 したがって、 第 2の電極取出部 2 6は陰極 2 2の取出電極と して機能する。 本実施の形態では、 第 1および第 2の電極取出部 2 4および 2 6 は、 陽極 2 0と同一の成膜工程で形成される。
次に、 この発光装置 1 0 0 0の動作および作用について説明する。
陽極 2 0と陰極 2 2とに所定の電圧が印加されることにより、 陰極 2 2から電 子が、 陽極 2 0からホールが、 それそれ発光層 1 4内に注入される。 発光層 1 4 内では、 この電子とホールとが再結合されることにより励起子が生成され、 この 励起子が失活する際に蛍光や燐光などの光が発生する。 そして、 前述したように、 陽極 2 0と陰極 2 2との間に介在する絶縁層 1 6によって電流の流れる領域 C A が規定されているので、 発光させたい領域に効率よく電流を供給することができ る。
発光層 1 4において発生した光は、 一部は陰極 2 2およびクラッ ド層として機 能する絶縁層 1 6によって反射されて、 陽極 2 0および回折格子 1 2を含む光伝 播部内に導入される。 光伝播部内に導入された光は、 その一部に形成された回折 格子 1 2によって分布帰還型の伝播が行われ、 光伝播部をその端面 (導波路部 2 0 0側) に向けて伝播し、 さらに、 光伝播部の一部 (陽極 2 0 ) に連続して一体 的に形成された導波路部 2 0 0のコア層 3 0内を伝播し、 その端面より出射する。 この出射光は、 光伝播部の回折格子 1 2によって分布帰還されて出射されるため、 波長選択性があり、 発光スペク トル幅が狭く、 かつ優れた指向性を有する。 さら に、 回折格子 1 2をえ / 4位相シフト構造または利得結合型構造とすることによ り、 出射光をより単一モード化することができる。 ここで、 人は、 光伝播部内の 光の波長を表す。
図示の例では、 陰極 2 2の反射機能を利用して、 発光層 1 4で発生した光を反 射させているが、 必要に応じて陰極 2 2の外側に反射率の大きな反射膜、 例えば 誘電体多層膜ミラー等を形成することもできる。 例えば、 陰極 2 2の膜厚が薄い 場合には、 発光層 4 0において発生した光が陰極 2 2を透過することができる。 この場合には、 陰極 2 2の外側に、 反射膜を形成することが望ましい。 また、 基 板 1 0と陽極 2 0との間に反射膜を形成することもできる。 このような反射膜を 形成することにより、 光の閉じ込めをより確実に行うことができるので、 出射効 率を高めることができる。 この変形例は、 他の実施の形態についても同様に適用 できる。
さらに、 回折格子 1 2を構成する第 1の媒質層あるいは第 2の媒質層のいずれ かは、 空気などの気体の層であってもよい。 このように、 気体の層で回折格子を 形成する場合には、 発光装置に用いる一般的な材料の選択範囲で、 回折格子を構 成する二媒質の屈折率差を大きくすることができ、 所望の光の波長に対して効率 のよい回折格子を得ることができる。 この変形例は、 他の実施の形態についても 同様に適用できる。
また、 発光素子部において、 必要に応じて、 ホール輸送層および電子輸送層の 少なくとも一方を設けることもできる。 この変形例は、 他の実施の形態について も同様に適用できる。
本実施の形態の主要な作用効果を、 以下にあげる。
( a ) 発光素子部 1 0 0の光伝播部の少なくとも一部 (陽極 2 0 ) と、 導波路 部 2 0 0のコア層 3 0とが一体的に連続している。 このことにより、 発光素子部 1 0 0と導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で光学的に結合され、 効率のよい光 の伝播ができる。 また、 陽極 2 0を含む光伝播部とコア層 3 0とは、 同一の工程 で成膜およびパターニングできるので、 製造が簡易となる利点を有する。
また、 発光素子部 1 0 0の絶縁層 (クラッド層) 1 6と、 導波路部 2 0 0のク ラッ ド層 3 2とが一体的に連続している。 このことにより、 発光素子部 1 0 0 (特に光伝播部) と導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で光学的に結合され、 効 率のよい光の伝播ができる。 また、 絶縁層 1 6とクラッ ド層 3 2とは、 同一のェ 程で成膜およびパ夕一二ングできるので、 製造が簡易となる利点を有する。
このように、 本実施の形態に係る発光装置 1 0 0 0によれば、 発光素子部 1 0 0と導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で接続されることにより、 高効率な出射 光を得ることができる。
( b ) 絶縁層 1 6の開口部 1 6 aを介して陽極 2 0と陰極 2 2とが電気的に接 続され、 この開口部 1 6 aによって電流の流れる領域が規定される。 したがって、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層として機能し、 発光領域に効率よく電流を供給し、 発 光効率を高めることができる。 そして、 電流を供給する領域を電流狭窄層 1 6で 規定することにより、 発光領域をコア層 3 0と位置合わせした状態で設定でき、 この点からも導波路部 2 0 0に対する光の結合効率を高めることができる。
以上の作用効果は、 他の実施の形態でも同様である。
(製造: 次に、 図 5〜図 1 0を参照しながら、 本実施の形態に係る発光装置 1 0 0 0の 製造例を説明する。 図 5〜図 1 0の各図において、 (A ) は平面図であり、 ( B ) 〜 (D ) は (A ) に示す平面図における A— A線, B—B線, C— C線の いずれかに沿った断面図である。 図 5〜図 8における、 符号 1 0 0 aおよび 2 0 0 aは、 それそれ発光素子部 1 0 0および導波路部 2 0 0が形成される領域を示 す。
( 1 ) 導電層および回折格子の形成
まず、 図 5 A〜図 5 Dに示すように、 基板 1 0上に、 光学的に透明な導電材料 によって導電層 2 0 aを形成する。 導電層 2 0 aの形成方法は、 導電層 2 0 aの 材料などによって選択され、 前述した方法を用いることができる。 例えば、 導電 層 2 0 aを I T Oで形成する場合には、 蒸着法を好ましく用いることができる。 次いで、 発光素子部 1 0 0が形成される領域 1 0 0 aの導電層 2 0 aの表面部に、 回折格子の一方の媒質層を構成するための凹凸部 1 2 aを形成する。 凹凸部 1 2 aの形成方法は、 導電層 2 0 aの材質などによって選択され、 リソグラフィーゃ スタンビングなどの前述した方法を用いることができる。 例えば導電層 2 0 aが
1 T Oから構成される場合には、 リソグラフィ一およびエッチング、 あるいは液 状の I T Oを用いたィンクジエツト法などの液相法によって形成することができ る。 回折格子のための凹凸部 1 2 aは、 図 5において、 Y方向に所定のピッチを 有する凹凸が連続するように形成される。
次いで、 図 6 A〜図 6 Dに示すように、 導電層 2 0 aを例えばリソグラフィー によってパターニングすることにより、 陽極 2 0、 第 1および第 2の電極取出部
2 4 , 2 6およびコア層 3 0を形成する。
陽極 2 0と第 1の電極取出部 2 4とは連続して形成されている。 第 2の電極取 出部 2 6は、 開口部 2 8によって、 陽極 2 0および第 1の電極取出部 2 4と分離 されている。 回折格子のための凹凸部 1 2 aは陽極 2 0と一体に形成され、 凹凸 部 1 2 aを含む陽極 2 0の一部は光伝播部としても機能する。 さらに、 コア層 3 0は、 陽極 2 0 (凹凸部 1 2 a ) と一体に連続して形成され、 かつ第 1および第 2の電極取出部 2 4および 2 6と開口部 2 8を介して分離されている。 このように、 屈折率などの光学特性を考慮して導電層 2 0 aの材料を選択する ことにより、 電極 (この例の場合、 陽極および電極取出部) とともに、 回折格子 を含む光伝播部およびコア層などの光学部を同時に形成することができる。
( 2 ) 絶縁層の形成
図 7 A〜図 7 Dに示すように、 開口部 2 8を埋める状態で、 所定のパターンを 有する絶縁層 1 6を形成する。 絶縁層 1 6は、 回折格子のための凹凸部 1 2 aの 一部が露出する開口部 1 6 aを有する。 開口部 1 6 aは、 光の導波方向に沿って 伸びるスリット形状を有する。 この開口部 1 6 aによって、 電流の流れる領域が 規定されるため、 開口部 1 6 aの長さや幅は、 得たい電流密度や電流分布などを 考慮して設定される。 また、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層の機能とともに、 光を閉 じこめるためのクラッド層としても機能するため、 絶縁性とともに屈折率などの 光学特性を考慮してその材料が選択される。 導電層として例えば I T Oを用いた 場合には、 絶縁層 1 6としては、 例えばポリイミ ド、 ポリアミ ド、 ポリエチレン テレフタレ一ト、 ポリエ一テルスルホン、 ケィ素ポリマ一などを用いることがで きる。
絶縁層 1 6は、 陽極 2 0および第 1の電極取出部 2 4と第 2の電極取出部 2 6 とを電気的に分離するとともに、 回折格子のための凹凸部 1 2 aの一部を覆って クラッド層として機能し、 さらに、 コア層 3 0の露出部を覆って、 クラッ ド層 3 2を構成している。
( 3 ) 発光層の形成
図 8 A〜図 8 Cに示すように、 発光素子部 1 0 0が形成される領域 1 0 0 aの 所定領域に、 発光層 1 4を形成する。 発光層 1 4は、 少なくとも絶縁層 1 6に形 成された開口部 1 6 aに発光材料が充填された発光部 1 4 aを有する。 さらに、 発光層 1 4を構成する材料は回折格子のための凹凸部 1 2 aの凹部に充填され、 回折格子 1 2を構成する。 従って、 発光層 1 4を構成するための材料としては、 発光機能とともに回折格子 1 2のひとつの媒質層を構成するための光学的機能を 有するものが選択される。
( 4 ) 陰極の形成 図 9 Aおよび図 9 Bに示すように、 発光素子部 1 0 0が形成される領域 1 0 0 aに陰極 2 2を形成する。 陰極 2 2は、 発光層 1 4の発光部 1 4 aを覆う状態で 形成され、 かつ、 その一端は第 2の電極取出部 2 6と重なる状態で形成される。 このようにして、 発光素子部 1 0 0および導波路部 2 0 0が形成される。
( 5 ) 保護層の形成
図 1 O A〜図 1 0 Cに示すように、 少なくとも発光素子部 1 0 0が覆われるよ うに、 保護層 6 0が形成される。 この保護層 6 0は、 陰極 2 2 , 発光層 1 4およ び陽極 (光伝播部) 2 0が外部と接触しないように形成されることが望ましい。 特に、 通常活性な金属から構成される陰極 2 2および有機材料からなる発光層 1 4は雰囲気や水分で劣化しやすので、 保護層 6 0はこれらの劣化を防止するでき るように形成される。 保護層 6 0は、 エポキシ樹脂、 シリコーン系樹脂、 紫外線 硬化性樹脂などの樹脂材料を用いることが好ましい。
以上の工程によって、 発光装置 1 0 0 0が形成される。 この製造方法によれば、 屈折率などの光学特性を考慮して導電層 2 0 aの材料を選択することにより、 電 極部材 (この例の場合、 陽極 2 0および電極取出部 2 4 , 2 6 ) とともに、 回折 格子のための凹凸部 1 2 aを含む光伝播部 (2 0 ) およびコア層 3 0などの光学 部材を同一の工程で形成することができ、 製造工程を簡易にすることができる。
(第 2の実施の形態)
図 1 1は、 本実施の形態に係る発光装置 2 0 0 0を模式的に示す平面図であり、 図 1 2 Aは、 図 1 1における X 1—X 1線に沿った部分断面図であり、 図 1 2 B は図 1 1の X 2— X 2に沿った部分断面図であり、 図 1 3は図 1 1の Y— Y線に 沿った断面図である。
発光装置 2 0 0 0は、 回折格子および陽極の形成位置が第 1の実施の形態に係 る発光装置 1 0 0 0と異なる。 発光装置 1 0 0 0と実質的に同様な機能を有する 部分には同一の符号を付して説明する。
発光装置 2 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
発光素子部 1 0 0は、 基板 1 0上に、 光伝播部を構成する回折格子 1 2および 陽極 2 0、 発光層 1 4および陰極 2 2が、 この順序で配置されている。 基板 1 0 は、 発光素子部 1 0 0および導波路部 2 0 0にわたつて延びるライン状の凸部 1 0 aを有し、 この凸部 1 0 a上に回折格子 1 2が形成されている。 そして、 回折 格子 1 2上を覆うように陽極 2 0が形成されている。 さらに、 陽極 2 0および露 出する基板 1 0の上には、 その一部を除いて、 クラッ ド層および電流狭窄層とし ても機能する絶縁層 1 6が形成されている。
導波路部 2 0 0は、 基板 1 0上に、 コア層 3 0と、 このコア層 3 0の露出部分 を覆うクラッ ド層 3 2とが配置されている。 そして、 コア層 3 0は、 基板 1 0の 凸部 1 0 a上に形成されている。 導波路部 2 0 0に隣接して、 第 1の電極取出部 2 4と、 第 2の電極取出部 2 6とが配置されている。
さらに、 本実施の形態では、 発光素子部 1 0 0を覆うように、 保護層 6 0が形 成されている。 保護層 6 0によって発光素子部 1 0 0を覆うことにより、 陰極 1 2および発光層 1 4の劣化を防止することができる。 本実施の形態では、 電極取 出部 2 4 , 2 6を形成するために、 保護層 6 0を発光装置全体に形成せず、 導波 路部 2 0 0の表面を露出させている。
発光素子部 1 0 0の陽極 2 0は、 光学的に透明な導電材料で構成され、 光伝播 部を構成する。 そして、 この陽極 2 0と導波路部 2 0 0のコア層 3 0とは一体的 に連続して形成されている。 これらの陽極 2 0およびコア層 3 0を構成する透明 導電材料としては、 I T Oなどの前述したものを用いることができる。 また、 発 光素子部 1 0 0の絶縁層 (クラッド層) 1 6と、 導波路部 2 0 0のクラッ ド層 3 2とは一体的に連続して形成されている。 これらの絶縁層 1 6およびクラッド層 3 2を構成する材料としては、 絶縁性であって、 かつ陽極 2 0およびコア層 3 0 より屈折率が小さく、 光の閉じ込めが可能な材料であれば特に限定されない。 発光素子部 1 0 0において、 絶縁層 1 6は、 図 1 1および図 1 2 ( A ) に示す ように、 陽極 2 0および基板 1 0の露出部分を覆うように形成されている。 そし て、 絶縁層 1 6は、 回折格子 1 2の周期方向に伸びるスリッ ト状の開口部 1 6 a を有する。 この開口部 1 6 aにおいて、 発光層 1 4を介在させた状態で、 陽極 2 0と陰極 2 2とが配置されている。 また、 開口部 1 6 a以外の領域においては、 陽極 2 0と陰極 2 2との間に絶縁層 1 6が介在する。 そのため、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層として機能する。 したがって、 陽極 2 0および陰極 2 2に所定の電圧 が印加されると、 開口部 1 6 aに対応する領域 C Aにおいて主として電流が流れ る。 このように絶縁層 (電流狭窄層) 1 6を設けることにより、 光の導波方向に 沿って電流を集中させることができ、 発光効率をあげることができる。
回折格子 1 2は、 図 1 2 Aおよび図 1 3に示すように、 基板 1 0の凸部 1 0 a の上に形成され、 異なる 2つの媒質層からなる。 回折格子 1 2の一方の媒質層は、 陽極 2 0を構成する材料からなり、 他方の媒質層は基板 1 0を構成する材料から なる。 この実施の形態での回折格子 1 2は、 第 1の実施の形態の場合と異なり、 電流狭窄層 1 6によって規定される領域 C Aと重なる状態で形成される。 そして、 回折格子 1 2は、 分布帰還型の回折格子であることが好ましく、 さらに、 回折格 子 1 2は、 λ/ 4位相シフト構造または利得結合型構造を有することが好ましい。 その理由については、 第 1の実施の形態と同様であるので、 記載を省略する。 導波路部 2 0 0に隣接する第 1の電極取出部 2 4と第 2の電極取出部 2 6とは、 図 1 1に示すように、 絶縁層 1 6と連続する絶縁性のクラッ ド層 3 2によって電 気的に分離されている。 第 1の電極取出部 2 4は、 発光素子部 1 0 0の陽極 2 0 と一体的に連続し、 陽極の取出電極として機能する。 また、 第 2の電極取出部 2 6は、 発光素子部 1 0 0側に伸びるように形成され、 その一部は陰極 2 2と電気 的に接続されている。 したがって、 第 2の電極取出部 2 6は陰極 2 2の取出電極 として機能する。 本実施の形態では、 第 1および第 2の電極取出部 2 4および 2 6は、 陽極 2 0と同一の成膜工程で形成される。
次に、 この発光装置 2 0 0 0の動作および作用について説明する。
陽極 2 0と陰極 2 2とに所定の電圧が印加されることにより、 陰極 2 2から電 子が、 陽極 2 0からホールが、 それそれ発光層 1 4内に注入される。 発光層 1 4 内では、 この電子とホールとが再結合されることにより励起子が生成され、 この 励起子が失活する際に蛍光や燐光などの光が発生する。 そして、 前述したように、 陽極 2 0と陰極 2 2との間に介在する絶縁層 1 6によって電流の流れる領域 C A が規定されているので、 発光させたい領域に効率よく電流を供給することができ る。
発光層 1 4において発生した光は、 一部は陰極 2 2およびクラッド層として機 能する絶縁層 1 6によって反射されて光伝播部内に導入される。 光伝播部内に導 入された光は、 回折格子 1 2によって分布帰還型の伝播が行われ、 陽極 2 0を構 成する光伝播部内をその端面側に向けて伝播し、 さらに、 光伝播部の一部 (陽極 2 0 ) に連続して一体形成された導波路部 2 0 0のコア層 3 0内を伝播し、 その 端面より出射する。 この出射光は、 回折格子 1 2によって光伝播部で分布帰還さ れて出射されるため、 波長選択性があり、 発光スペクトル幅が狭く、 かつ優れた 指向性を有する。
本実施の形態の主要な作用効果を、 以下にあげる。
( a ) 発光素子部 1 0 0の光伝播部の少なくとも一部 (陽極 2 0 ) と、 導波路 部 2 0 0のコア層 3 0とが一体的に連続している。 このことにより、 発光素子部 1 0 0と導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で光学的に結合され、 効率のよい光 の伝播ができる。 また、 陽極 2 0を含む光伝播部とコア層 3 0とは、 同一の工程 で成膜およびパターニングできるので、 製造が簡易となる利点を有する。
また、 発光素子部 1 0 0の絶縁層 (クラッ ド層) 1 6と、 導波路部 2 0 0のク ラッ ド層 3 2とが一体的に連続している。 このことにより、 発光素子部 1 0 0と 導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で光学的に結合され、 効率のよい光の伝播が できる。 また、 絶縁層 1 6とクラッ ド層 3 2とは、 同一の工程で成膜およびパ夕 —二ングできるので、 製造が簡易となる利点を有する。
このように、 本実施の形態に係る発光装置 2 0 0 0によれば、 発光素子部 1 0 0と導波路部 2 0 0とが、 高い結合効率で接続されることにより、 高効率な出射 光を得ることができる。
( b ) 絶縁層 1 6の開口部 1 6 aを介して陽極 2 0と陰極 2 2とが電気的に接 続され、 この開口部 1 6 aによって電流の流れる領域が規定される。 したがって、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層として機能し、 発光領域に効率よく電流を供給し、 発 光効率を高めることができる。 そして、 電流を供給する領域を電流狭窄層 1 6で 規定することにより、 発光領域をコア層 3 0と位置合わせした状態で設定でき、 この点からも導波路部 2 0 0に対する光の結合効率を高めることができる。
( c ) 回折格子 1 2の形成領域と、 電流狭窄層 1 6によって規定される電流が 流れる領域 C Aとがほぼ一致するので、 より電流効率のよい発光が可能となる。
(発光装置の製造方法)
次に、 図 1 4および図 1 5を参照しながら、 本実施の形態に係る発光装置 2 0
0 0の製造例を説明する。 図 1 4および図 1 5の各図 (八) 〜 (0 ) は図1 1の
X 3—X 3線に沿った断面図である。
( 1 ) 導電層および回折格子の形成
まず、 図 1 4 Aに示すように、 基板 1 0上の所定領域に、 回折格子の一方の媒 質層を構成するための凹凸部 1 2 aを形成する。 次いで、 図 1 4 Bに示すように、 凹凸部 1 2 aの一部を残すように、 基板 1 0の所定部分をリソグラフィーなどに よって除去し、 基板 1 0と連続する凸部 1 0 aと、 この凸部 1 0 a上に回折格子 のための凹凸部 1 2 aを形成する。 回折格子のための凹凸部 1 2 aは、 図 1 4に おいて、 紙面と垂直な方向に所定のピッチを有する凹凸が連続するように形成さ れる。
次いで、 図 1 4 Cに示すように、 基板 1 0の全面に、 光学的に透明な導電材料 によって導電層 2 0 aを形成する。 次いで、 図 1 4 ( D ) に示すように、 導電層 2 0 aを例えばリソグラフィ一によってパ夕一ニングすることにより、 陽極 2 0、 第 1の電極取出部 2 4 (図 1 1参照) 、 第 2の電極取出部 2 6、 回折格子 1 2お よびコア層 3 0 (図 1 1参照) を形成する。 回折格子 1 2は、 第 1の媒質層は基 板 1 0を構成する材料からなり、 第 2の媒質層は陽極 2 0を構成する材料からな る。
陽極 2 0と第 1の電極取出部 2 4とは連続して形成されている。 第 2の電極取 出部 2 6は、 開口部 2 8によって、 陽極 2 0および第 1の電極取出部 2 4と分離 されている。 さらに、 コア層 3 0は、 陽極 2 0と一体に連続して形成され、 かつ 第 1および第 2の電極取出部 2 4および 2 6と開口部 2 8を介して分離されてい る。
このように、 屈折率などの光学特性を考慮して導電層 2 0 aの材料を選択する ことにより、 電極部 (この例の場合、 陽極および電極取出部) とともに、 回折格 子、 光伝播部の一部およびコァ層などの光学部を同時に形成することができる。
( 2 ) 絶縁層の形成
図 1 5 Aに示すように、 開口部 2 8を埋める状態で、 所定のパターンを有する 絶縁層 1 6を形成する。 絶縁層 1 6は、 開口部 1 6 aを有する。 開口部 1 6 aは、 光の導波方向に沿って伸びるスリット形状を有する。 この開口部 1 6 aによって、 電流の流れる領域が規定されるため、 開口部 1 6 aの長さや幅は、 得たい電流密 度や電流分布などを考慮して設定される。 また、 絶縁層 1 6は、 電流狭窄層の機 能とともに、 光を閉じこめるためのクラッド層としても機能するため、 絶縁性と ともに屈折率などの光学特性を考慮してその材料が選択される。
絶縁層 1 6は、 陽極 2 0および第 1の電極取出部 2 4と第 2の電極取出部 2 6 とを電気的に分離するとともに、 光伝播部の一部を構成する陽極 2 0の一部を覆 つてクラッド層として機能し、 さらに、 コア層 3 0の露出部を覆って、 クラッ ド 層 3 2を構成している。
( 3 ) 発光層の形成
図 1 5 Bに示すように、 発光素子部 1 0 0が形成される領域の所定領域に、 発 光層 1 4を形成する。 発光層 1 4は、 少なくとも絶縁層 1 6に形成された開口部 1 6 aに発光材料が充填された発光部 1 4 aを有する。
( 4 ) 陰極の形成
図 1 5 Cに示すように、 発光素子部 1 0 0が形成される領域に陰極 2 2を形成 する。 陰極 2 2は、 発光層 1 4の発光部 1 4 aを覆う状態で形成され、 かつ、 そ の一端は第 2の電極取出部 2 6と重なる状態で形成される。 このようにして、 発 光素子部 1 0 0および導波路部 2 0 0が形成される。
( 5 ) 保護層の形成
図 1 5 Dに示すように、 少なくとも発光素子部 1 0 0が覆われるように、 保護 層 6 0が形成される。 保護層 6 0については、 第 1の実施の形態と同様であるの で記載を省略する。
以上の工程によって、 発光装置 2 0 0 0が形成される。 この製造方法によれば、 屈折率などの光学特性を考慮して導電層 2 0 aの材料を選択することにより、 電 極部 (この例の場合、 陽極 2 0および電極取出部 2 4, 2 6 ) とともに、 回折格 子 1 2、 少なくとも一部の光伝播部およびコア層 3 0などの光学部材を同一のェ 程に形成することができ、 製造工程を簡易にすることができる。
(第 3の実施の形態)
図 1 6は、 本実施の形態に係る発光装置 3 0 0 0を模式的に示す断面図であり、 第 2の実施の形態を説明するために用いた図 1 3に相当する部分を示す。
発光装置 3 0 0 0は、 回折格子の形成位置が第 1の実施の形態に係る発光装置 1 0 0 0および第 2の実施の形態に係る発光装置 2 0 0 0と異なる。 発光装置 1 0 0 0および 2 0 0 0と実質的に同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、 主として、 発光装置 1 0 0 0および 2 0 0 0と異なる発光装置 3 0 0 0の主要な 特徴部分のみを説明する。
発光装置 3 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
発光素子部 1 0 0は、 第 1の基板 1 0上に、 光伝播部を構成する回折格子 1 2 および陽極 2 0、 発光層 1 4および陰極 2 2が、 この順序で配置されている。 本 実施の形態では、 第 1の基板 1 0の上に、 回折格子 1 2を形成するための第 2の 基板 (格子基板) 1 1が配置されている。 第 2の基板 1 1は、 第 1の基板 1 0に 比べて回折格子 1 2が形成しやすい材料や、 第 1の基板より屈折率の高い材料を 選択することが望ましい。 このような第 2の基板 1 1としては、 前述したように、 リソグラフィー、 光照射による屈折率分布の形成、 スタンビングなどの方法を適 用できる樹脂、 例えば紫外線や電子線の照射で硬化する樹脂を用いて形成するこ とができる。 図示の例では、 回折格子 1 2において、 第 1の媒質層は第 2の基板 1 1を構成する材料からなり、 第 2の媒質層は光伝播部を構成する陽極 2 0を構 成する材料からなる。
この実施の形態では、 第 2の基板 1 1の材質として回折格子 1 2の形成に有利 な材質を選択でき、 回折格子 1 2の形成が容易となる利点がある。 例えば、 第 1 の基板 1 0とは異なりフレキシブルな基板材料を用いることができる。 特に、 岡 ij 性のある型を用いて、 第 2の基板 1 1の材料を第 1の基板 1 0上に塗布し加熱に より硬化した後、 型を剥離して格子部分を形成する場合には、 型の剥離工程が容 易となり格子の精度も向上する。 また、 第 2の基板 1 1上に発光素子部のみなら ず他の部材ゃデバイスを設ける場合には、 当該基板として最適な材料を選択でき、 最終的な発光装置において最適な特性を得ることができる。
本実施の形態に係る発光装置 3 0 0 0のその他の部分の構成および作用効果は、 第 2の実施の形態に係る発光装置 2 0 0 0と同様であるので、 記載を省略する。
(第 4の実施の形態)
図 1 7は、 本実施の形態に係る発光装置 4 0 0 0を模式的に示す斜視図であり、 図 1 8は図 1 7における X— X線に沿った断面図である。
発光装置 4 0 0 0は、 導波路部の構造が第 1の実施の形態または他の実施の形 態に係る発光装置と異なる。 発光装置 1 0 0 0と実質的に同様な機能を有する部 分には同一の符号を付し、 主として、 発光装置 1 0 0 0と異なる発光装置 4 0 0 0の主要な特徴部分のみを説明する。
発光装置 4 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
本実施の形態においては、 導波路部 2 0 0に光ファイバ 3 0 0が搭載されてい る点に特徴を有する。 光ファイバ 3 0 0は、 コア層 3 1 0、 クラッ ド層 3 2 0お よび図示しない被覆層を有する。
導波路部 2 0 0には、 光ファイバ 3 0 0の端部が載置、 固定される光フアイノ^; 収容部 3 3 0が形成されている。 光ファイバ収容部 3 3 0は、 クラッ ド層 3 2に 形成された断面形状が矩形の第 1の溝部 3 2 aと、 基板 1 0に形成された断面形 状が三角形の第 2の溝部 1 0 bとから構成される。 光ファイバ収容部 3 3 0は、 光ファイバ 3 0 0の端部を光ファイバ収容部 3 3 0に収容して位置合わせたとき に、 少なくとも導波路部 2 0 0のコア層 3 0が光ファイバ 3 0 0のコア層 3 1 0 に対向するように形成される。 光ファイバ 3 0 0は、 接着などの方法によって導 波路部 2 0 0に固定することができる。
この発光装置 4 0 0 0によれば、 発光素子部 1 0 0によって発生させた光を導 波路部 2 0 0を介して光ファイバ 3 0 0に効率よく伝播させることができる。 こ の発光装置 4 0 0 0は、 光ファイバ 3 0 0を有するので、 例えば光通信デバイス の用途などに好ましく適用することができる。
本実施の形態に係る発光装置 4 0 0 0のその他の部分の構成および作用効果は、 第 1または他の実施の形態に係る発光装置と同様であるので、 記載を省略する。 さらに、 図示の例では、 発光装置 4 0 0 0は、 光ファイバ 3 0 0を一体的に有 するが、 これに限定されない。 例えば、 発光装置 4 0 0 0は、 光ファイバを有さ ず、 導波路部 2 0 0に光ファイバ収容部 3 3 0が形成された構造でもよい。 この デバイスの場合、 必要なときに光ファイバを光ファイバ収容部 3 3 0に接続すれ ばよい。
また、 図 1 7のように光ファイバ 3 0 0が組み込まれたデバイスでは、 保護層 6 0は、 発光素子部 1 0 0のみならず、 さらに少なくとも光ファイバ 3 0 0の端 部と光導波部 2 0 0のコア層 3 0との当接部を含んだ状態で、 光ファイバ 3 0 0 の一部を被覆するような構造としてもよい。 この場合、 光ファイバ 3 0 0の固定 がより確保される。
(第 5の実施の形態)
図 1 9は、 本実施の形態に係る発光装置 5 0 0 0の一部を模式的に示す平面図 であり、 図 2 0は図 1 9おける X— X線に沿った断面図である。 図 1 9は、 図 2 0に示す基板 1 0, 陽極 2 0 , 電極取出部 2 4 , 2 6および回折格子 1 2を示し、 発光層 1 4および陰極 2 2を省略して示している。
発光装置 5 0 0 0は、 回折格子および陽極の構造が第 1の実施の形態に係る発 光装置 1 0 0 0と異なる。 発光装置 1 0 0 0と実質的に同様な機能を有する部分 には同一の符号を付し、 主として、 発光装置 1 0 0 0と異なる発光装置 5 0 0 0 の主要な特徴部分のみを説明する。 発光装置 5 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基 板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
発光素子部 1 0 0は、 基板 1 0上に、 光伝播部の少なくとも一部を構成する陽 極 2 0、 回折格子 1 2、 発光層 1 4および陰極 2 2力 この順序で配置されてい る。 そして、 回折格子 1 2の露出部には、 クラッド層および電流狭窄層としても 機能する絶縁層 1 6が形成されている。 そして、 絶縁層 1 6は、 回折格子 1 2の 周期方向に開口部 1 6 aを有する。 この開口部 1 6 aにおいて、 回折格子 1 2お よび発光層 1 4を介在させた状態で、 陽極 2 0と陰極 2 2とが配置されている。 また、 開口部 1 6 a以外の領域においては、 陽極 2 0と陰極 2 2との間に絶縁層 1 6が介在する。
回折格子 1 2は、 陽極 2 0の上部に形成され、 かつ、 後述する導波路部 2 0 0 のコア層 3 0と同じ幅を有する。 回折格子 1 2の一方の媒質層は、 陽極 2 0を構 成する材料からなり、 他方の媒質層は発光層 1 4を構成する材料からなる。
導波路部 2 0 0は、 基板 1 0上に、 コア層 3 0と、 このコア層 3 0の露出部分 を覆うクラッ ド層 3 2を有し、 この導波路部 2 0 0に隣接して、 第 1の電極取出 部 2 4と、 第 2の電極取出部 2 6とが配置されている。
発光素子部 1 0 0の陽極 2 0は、 光学的に透明な導電材料で構成され、 光伝播 部の少なくとも一部を構成する。 そして、 この陽極 2 0と導波路部 2 0 0のコア 層 3 0とは一体的に連続して形成されている。 また、 発光素子部 1 0 0の絶縁層 (クラッド層) 1 6と、 導波路部 2 0 0のクラッ ド層 3 2とは一体的に連続して 形成されている。
本実施の形態で特徴的なことは、 図 1 9に示すように、 絶縁層 1 6と重なる陽 極 2 0の面積 Sが小さいことである。 このことは、 例えば第 1の実施の形態に係 る発光装置 1 0 0 0の製造方法を示す図 6 Aと比較するとよくわかる。 このよう に、 絶縁層 1 6と重なる陽極 2 0の面積 Sが小さいことにより、 陽極 2 0 , 絶縁 層 1 6および陰極 2 2で形成されるキャパシ夕の平面積が小さくなり、 そのキヤ パシ夕ンスを小さくできる。
したがって、 この発光装置 5 0 0 0は、 寄生的に形成されるキャパシ夕の影響 が小さいことが望まれるデバイスに好適に用いられる。 例えば、 このような発光 装置 5 0 0 0は、 高周波が用いられる通信デバイスにおいて、 キャパシ夕による 遅延効果を抑制できる。
本実施の形態に係る発光装置 5 0 0 0のその他の部分の構成および作用効果は、 第 1または他の実施の形態に係る発光装置と同様であるので、 記載を省略する。 (第 6の実施の形態)
図 2 1は、 本実施の形態に係る発光装置 6 0 0 0を模式的に示す斜視図であり、 第 1の実施の形態を示す図 1に対応する図である。
発光装置 6 0 0 0は、 電極取出部の構造が第 1の実施の形態または他の実施の 形態に係る発光装置と異なる。 発光装置 1 0 0 0と実質的に同様な機能を有する 部分には同一の符号を付し、 主として、 発光装置 1 0 0 0と異なる発光装置 6 0 0 0の主要な特徴部分のみを説明する。
発光装置 6 0 0 0は、 基板 1 0と、 この基板 1 0上に形成された、 発光素子部 1 0 0と、 導波路部 2 0 0とを有する。
導波路部 2 0 0は、 基板 1 0上に、 コア層 3 0と、 このコア層 3 0の露出部分 を覆うクラッド層 3 2とを有し、 この導波路部 2 0 0に隣接して第 1の電極取出 部 2 4と、 第 2の電極取出部 2 6とが配置されている。 そして、 本実施の形態で 特徴的なことは、 第 1の電極取出部 2 4および第 2の電極取出部 2 6の少なくと も一方に、 I Cドライバなどの電子素子が実装されていることである。 つまり、 電極の露出部を電子素子の実装面として利用することができる。 図 2 1において は、 電子素子 4 0 0が第 1の電極取出部 2 4上に搭載されている状態を模式的に 表している。 また、 図 2 1には図示しないが、 電極取出部は必要に応じて所定パ 夕一ンの配線を形成するようにパターニングされる。
この発光装置 6 0 0 0によれば、 電極の露出部を電子素子の実装面として利用 することにより、 集積度の高いデバイスを構成できる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 基板と、 発光素子部と、 を有し、
前記発光素子部は、
エレクト口ルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、
前記発光層において発生した光を伝播するための光伝播部と、
前記一対の電極層の間に配置され、 かつ、 一部に開口部を有し、 該開口部を介 して前記発光層に供給される電流の流れる領域を規定する電流狭窄層として機能 しうる絶縁層と、
前記光伝播部を伝播する光のための回折格子と、 を含む発光装置。
2 . 請求項 1において、
前記発光素子部と一体的に形成された導波路部を有し、
前記導波路部は、
前記光伝播部の少なくとも一部と光学的に連続するコア層と、
前記絶縁層と光学的に連続するクラッド層と、 を含む発光装置。
3 . 基板上に、 発光素子部と、 該発光素子部からの光を伝達する導波路部とを 一体的に有し、
前記発光素子部は、
エレクト口ルミネッセンスによって発光可能な発光層と、
前記発光層に電界を印加するための一対の電極層と、
前記発光層において発生した光を伝播するための光伝播部と、
前記光伝播部に接して配置され、 クラッド層として機能しうる絶縁層と、 前記光伝播部を伝播する光のための回折格子と、 を含み、
前記導波路部は、
前記光伝播部の少なくとも一部と一体的に連続するコア層と、
前記絶縁層と一体的に連続するクラッ ド層と、 を含む発光装置。
4 . 請求項 3において、 前記発光層は、 少なくとも一部が前記絶縁層に形成された開口部に存在する発
5 . 請求項 1, 2または 4において、
前記絶縁層の前記開口部は、 前記回折格子の周期方向に延びるスリッ ト形状を 有する発光装置。
6 . 請求項 1 , 2 , 4または 5において、
前記発光層は、 少なくとも一部が前記絶縁層に形成された前記開口部に存在す る発光装置。
7 . 請求項 2〜 6のいずれかにおいて、
前記一対の電極層の一方は、 透明な導電材料からなり、 該電極層は前記光伝播 部の少なくとも一部および前記コア層としても機能しうる発光装置。
8 . 請求項 2〜 7のいずれかにおいて、
前記コア層は、 少なくとも前記回折格子の形成領域に連続する発光装置。 9 . 請求項 1〜8のいずれかにおいて、
前記回折格子は、 前記光伝播部に形成される発光装置。
1 0 . 請求項 1 ~ 9のいずれかにおいて、
少なくとも前記発光素子部は、 保護層によって覆われた発光装置。
1 1 . 請求項 2 ~ 1 0のいずれかにおいて、
さらに、 前記導波路部は、 その表面に電極取出部を有する発光装置。
1 2 . 請求項 1 1において、
前記電極取出部は、 陽極および陰極のための第 1および第 2の電極取出部から なり、 該第 1および第 2の電極取出部は、 前記一対の電極層の一方と同じ材料か らなる発光装置。
1 3 . 請求項 1において、
前記発光素子部は、
前記基板上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部として機能しうる透明 な陽極と、
前記陽極の一部に形成された回折格子と、 前記回折格子に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む発光装置。
1 4 . 請求項 1において、
前記発光素子部は、
前記基板の一部に形成された回折格子と、
前記回折格子上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部として機能しうる 透明な陽極と、
前記陽極に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む発光装置。
1 5 . 請求項 1 3または 1 4において、
前記発光素子部と一体的に形成され、 該発光素子部からの光を伝達する導波路 部を有し、
前記導波路部は、
前記基板上に形成され、 前記陽極と光学的に連続するコア層と、
前記コア層の露出部分を覆い、 前記絶縁層と光学的に連続するクラッ ド層と、 を含む発光装置。
1 6 . 請求項 1において、
前記発光素子部は、
前記基板上に配置され、 一部に回折格子が形成された格子基板と、
前記格子基板の前記回折格子上に形成され、 前記光伝播部の少なくとも一部と して機能しうる透明な陽極と、
前記陽極に面して開口部を有する絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層の開口部に存在する発光層と、
陰極と、 を含む発光装置。
1 7 . 請求項 1 6において、
前記発光素子部と一体的に形成され、 該発光素子部からの光を伝達する導波路 部を有し、
前記導波路部は、
前記格子基板上に形成され、 前記陽極と光学的に連続するコア層と、 前記コア層の露出部分を覆い、 前記絶縁層と光学的に連続するクラッド層と、 を含む発光装置。
1 8 . 請求項 2〜 1 7のいずれかにおいて、
前記導波路部は、 光ファイバを位置あわせした状態で配置できる光ファイバ収 容部を有する発光装置。
1 9 . 請求項 1 8において、
前記光ファイバ収容部に光ファイバの端部が装着された、 光ファイバを有する
2 0 . 請求項 1〜 1 9のいずれかにおいて、
前記一対の電極層の少なくとも一方は前記回折格子の一部と接続され、 該電極 層が前記絶縁層と重なる面積を規定してキャパシタンスをコントロールした発光 装置。
2 1 . 請求項 1〜2 0のいずれかにおいて、
さらに、 電子素子が実装される面を有する発光装置。
2 2 . 請求項 1〜2 1のいずれかにおいて、
前記回折格子は、 分布帰還型の回折格子である発光装置。
2 3 . 請求項 2 2において、
前記回折格子は、 人 / 4位相シフ ト構造を有する発光装置。
2 4 . 請求項 2 2において、
前記回折格子は、 利得結合型構造を有する発光装置。
2 5 . 請求項 1〜 2 1のいずれかにおいて、
前記回折格子は、 分布ブラッグ反射型の回折格子である発光装置。
2 6 . 請求項 1〜2 5のいずれかにおいて、
前記発光層は、 発光材料として有機発光材料を含む発光装置。
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