WO2000074120A1 - Procede et appareil d'exposition - Google Patents

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WO2000074120A1
WO2000074120A1 PCT/JP2000/003389 JP0003389W WO0074120A1 WO 2000074120 A1 WO2000074120 A1 WO 2000074120A1 JP 0003389 W JP0003389 W JP 0003389W WO 0074120 A1 WO0074120 A1 WO 0074120A1
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gas
chamber
exposure apparatus
exposure beam
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PCT/JP2000/003389
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Yutaka Hayashi
Osamu Yamashita
Masaya Iwasaki
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Nikon Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a device for manufacturing a device such as a semiconductor device, an imaging device (CCD, etc.), a liquid crystal display device, a plasma display device, or a thin-film magnetic head.
  • a device for manufacturing a device such as a semiconductor device, an imaging device (CCD, etc.), a liquid crystal display device, a plasma display device, or a thin-film magnetic head.
  • Exposure apparatus used to transfer a mask pattern onto a substrate during lithography, especially when using an exposure beam in the vacuum ultraviolet region (VUV) with a wavelength of about 200 nm or less. It is suitable.
  • VUV vacuum ultraviolet region
  • a wafer stage unit, a reticle stage unit, a projection optical system unit, and an illumination optical system unit are mechanically integrated integrally with each other.
  • the structure integrally connected in this way was supported on the floor via a vibration isolating structure.
  • a measurement system for measuring the position of the movable part of each stage with reference to the projection optical system was also attached to a part of the integrated structure.
  • a projection exposure apparatus it is also required to improve the throughput by increasing the illuminance of the exposure beam.
  • the exposure beam is shortened, the exposure beam generated by a gas (atmosphere) on the optical path is required. Absorption gradually increases. That is, when the wavelength of the exposure beam is in the vacuum ultraviolet region (VUV) of about 200 nm or less, such as ArF excimer laser light, oxygen, water vapor, The absorption of the exposure beam by a substance such as carbon dioxide (hereinafter referred to as “absorbing substance”) increases, and the absorption amount becomes particularly large when the wavelength becomes 180 nm or less.
  • VUV vacuum ultraviolet region
  • absorbing substance a substance such as carbon dioxide
  • the stage, the projection optical system, and the measurement system are integrally connected, so that the vibration of the movable part in the stage is directly transmitted to the measurement system, and the stage control is performed.
  • the vibration of the movable part in the stage is directly transmitted to the measurement system, and the stage control is performed.
  • the movement of the movable part caused deformation of a part of the measurement system, which could cause measurement errors, albeit very slight.
  • vacuum ultraviolet light such as ArF excimer laser light is used as the exposure light, it is necessary to purge most of the optical path of the exposure light with nitrogen or the like. It was not easy to make a good airtight structure at the boundary between the stage and the projection optical system.
  • a first object of the present invention is to provide an exposure method capable of improving the control accuracy of a movable portion of a stage.
  • the present invention is directed to a second aspect of the present invention in which when a gas having a high transmittance is supplied to at least a part of the optical path of the exposure beam, the mixing of an external gas is reduced. Aim.
  • a fourth object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can use such an exposure method.
  • a fifth object of the present invention is to provide a method for manufacturing such an exposure apparatus, and a method for manufacturing a device capable of manufacturing a highly accurate device using such an exposure apparatus or the exposure apparatus.
  • Disclosure of the invention A first exposure method according to the present invention illuminates a first object (R) with an exposure beam, and exposes a second object (W) via a projection system (PL) with an exposure beam having passed the pattern of the first object.
  • vibration is transmitted between the first stage system (63) for positioning the first object, the projection system, and the second stage system (64) for positioning the second object. We support it as difficult.
  • a first exposure apparatus illuminates a first object (R) with an exposure beam from an illumination system (62), and projects a projection system with an exposure beam passing through the pattern of the first object.
  • the first exposure method of the present invention can be used.
  • the projection system has a structure in which the internal optical member is substantially sealed, and the first chamber (6) surrounding the optical member on the first object side of the illumination system, and the first stage system.
  • Flexible to seal It is desirable to provide a connecting member (25, 36, 43) having a property. This makes it difficult for external gas to enter the optical path of the exposure beam at the boundary between the chambers or the like, so that the optical member is less clouded.
  • the exposure beam is vacuum ultraviolet light having a wavelength of 200 nm or less
  • the exposure beam is placed on an optical path inside the first chamber, the second chamber, the projection system, and the third chamber, respectively. It is desirable to supply a gas permeable to the exposure beam.
  • the boundary portion is a connecting member having flexibility, a decrease in purity of the gas is suppressed, so that the transmittance of the exposure beam is kept high.
  • a second exposure method provides an exposure method for exposing an object (R, W) with an exposure beam, wherein the object (R, W) is adjacent to at least a part of an optical path of the exposure beam and at least a part of a transport path of the object
  • two airtight chambers (108, 104) are provided, each of which substantially isolates the internal space from the outside air, and gas that transmits the exposure beam is supplied to the two adjacent airtight chambers.
  • the space between two adjacent airtight chambers is substantially sealed by a covering member (101B) formed of a flexible film-like material.
  • the light amount of the exposure beam can be kept high, and the covering member has flexibility. Even if vibration occurs in one of the hermetic chambers, the vibration is not transmitted to the other hermetic chamber. Therefore, for example, even if vibrations are generated by moving the object, the vibrations are not transmitted to the projection optical system or the like, and the imaging characteristics are not deteriorated, so that highly accurate exposure can be performed.
  • a second exposure apparatus is an exposure apparatus that exposes an object (R, W) with an exposure beam.
  • two airtight chambers (108, 104), which are arranged adjacent to at least a part of the transport path of the airtight chamber, respectively, and substantially isolate the internal space from the outside air.
  • a covering member (101B) provided so as to substantially seal the space between the two airtight chambers.
  • a third exposure apparatus is an apparatus for exposing a second object (W) with an exposure beam through a first object (R), the apparatus being adjacent to at least a part of the first object on a conveyance path.
  • Two airtight chambers (108, 117) that are arranged so as to substantially isolate the internal space from the outside air, and the exhaust of the gas in these two airtight chambers, and the A gas supply mechanism (113) for supplying gas passing through the exposure beam, and a space between two adjacent airtight chambers formed of a flexible film-like material.
  • a covering member (118 A) provided so as to substantially seal the air.
  • the second exposure method of the present invention can be performed.
  • the connecting member or the covering member may include a thin film of a first material (ethylene / vinyl / alcohol, polyamide, polyimide, polyester, or the like) having a good gas barrier property. Desirable. This keeps the purity of the gas passing through the exposure beam inside the hermetic chamber high.
  • a first material ethylene / vinyl / alcohol, polyamide, polyimide, polyester, or the like
  • a thin film made of a second material for example, an inorganic substance made of metal, etc.
  • a second material for example, an inorganic substance made of metal, etc.
  • a thin film made of a third material having good elasticity is applied to the outer surface of the first member of the connecting member or the covering member by laminating, and the connecting member or the covering member thereof is applied.
  • the third material at both ends of the connecting member or the covering member may be welded to each other so as to close the open end of the cylindrical shape.
  • the first material has excellent gas barrier properties, but may not have good elasticity, but this elasticity is supplemented by the third material.
  • the method for manufacturing the first and second devices of the present invention includes the steps of: forming a mask pattern (R) using the second exposure method of the present invention, or the second or third exposure apparatus of the present invention, respectively.
  • the process includes a step of transferring onto the substrate (W) as the object.
  • the second exposure method of the present invention by using the second exposure method of the present invention or the use of the second or third exposure apparatus of the present invention, it is possible to perform exposure with high accuracy while reducing the influence of vibration. And high-performance devices can be manufactured.
  • a first method for manufacturing an exposure apparatus includes illuminating a first object with an exposure beam from an illumination system, and exposing a second object via a projection system with an exposure beam having passed through the pattern of the first object.
  • a method of manufacturing an exposure apparatus for exposing an illumination system, a projection system, a first stage system for positioning a first object, a second stage system for positioning a second object, and a first stage system.
  • the assembly system, the projection system thereof, and the second stage system thereof are assembled independently of each other with a supporting member connected via a vibration isolation member in a predetermined positional relationship.
  • the mask pattern is formed by the first exposure method or the first exposure apparatus of the present invention, respectively.
  • the method includes a step of transferring onto a substrate as two objects. According to the present invention, by using the first exposure method or the first exposure apparatus of the present invention, it is possible to improve the control accuracy of the movable part of the movable part of the stage system and perform highly accurate exposure. It can manufacture high-performance devices.
  • a second method for manufacturing an exposure apparatus is a method for manufacturing an exposure apparatus that exposes an object with an exposure beam, wherein the second method is adjacent to at least a part of an optical path of the exposure beam and at least a part of a transfer path of the object.
  • Two hermetically sealed chambers each of which is arranged so as to substantially isolate the internal space from the outside air, exhausting the gas in the two hermetically sealed chambers, and supplying the gas that transmits the exposure beam to the hermetically sealed chambers
  • the third method for manufacturing an exposure apparatus is the method for manufacturing an exposure apparatus that exposes a second object with an exposure beam via a first object, wherein at least a part of the first object on a transport path is provided.
  • Two airtight chambers arranged adjacent to each other to substantially isolate the interior space from the outside air, the exhaust of the gas in the two airtight chambers, and the transmission of the exposure beam into the airtight chambers
  • the assembled covering member is assembled in a predetermined positional relationship.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus and an air conditioner according to a first embodiment of the present invention.
  • Figure 2 shows the gas circulation system of the embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram in which a part of a system is cut away.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a projection exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention, with a portion cut away.
  • FIG. 4 is a perspective view showing the film-shaped cover 101A of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the film-shaped cover 101A of FIG. 3 in an enlarged manner in the thickness direction.
  • FIG. 6A is a perspective view showing another example of the film-like cover 141 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 6B is an enlarged view of a part of the film-like cover 141 in the thickness direction.
  • the present invention is applied to a step-and-scan type projection exposure apparatus in which a gas having a high transmittance is supplied to most of the optical path of an exposure beam.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus and an air conditioner of the present embodiment.
  • a projection exposure apparatus is installed in a clean room on a floor F1 on a certain floor of a semiconductor manufacturing plant
  • An air conditioner is installed in the so-called machine room (utility space) on the floor F2 of the building to supply temperature-controlled air around the projection exposure apparatus on the floor.
  • a gas circulation device (see Fig. 2) that circulates gas with high transmittance in the optical path of the exposure beam of the projection exposure apparatus.
  • a projection exposure apparatus comprising a reticle stage system 63, a projection optical system PL, and a wafer stage system 64 is installed.
  • the light source system 61 and the illumination system 62 constitute an illumination optical system.
  • columns 8A and 8B are stably fixed on the floor F1, and the upper portions of the columns 8A and 8B are connected by a ceiling plate 8C.
  • the floor F 1 and the columns 8A and 8B correspond to the support members of the present invention.
  • a second embodiment FIG.
  • the exposure apparatus may be installed on the floor via a base member (102C), or the platen 39 on which the wafer stage system 64 is mounted may be provided with columns 8A and 8B by means of a frame or the like. It may be suspended from. In the former, the base member and column 8A, 8B force In the latter, the columns 8A, 8B correspond to the support member of the present invention.
  • the light source system 61 and the illumination system 62 are housed in the highly airtight box-shaped first sub-chamber 1 and second sub-chamber 6, respectively, and the first sub-chamber 1 is vibration-isolated on the floor F1.
  • the second sub-chamber 6 containing the lighting system 62 is directly fixed to the upper part of the column 8A and part of the ceiling plate 8C, which is installed via the tables 2A and 2B, and the columns 8A and 8B
  • the wafer stage system 64 is installed on the floor F1 between the two via the vibration isolation tables 40A and 40B.
  • the anti-vibration tables 4OA and 40B are active anti-vibration mechanisms combining, for example, an air damper and a voice coil motor (VCM) type electromagnetic damper.
  • VCM voice coil motor
  • the second sub-chamber 6 may be used as a housing, and the lens barrel of the illumination system 62 may be housed in this housing. It may be regarded as two sub-chambers 6 (corresponding to the first chamber of the present invention). In short, the sub-chamber is not limited to the housing.
  • a support plate 32 is installed between the columns 8A and 8B above the wafer stage system 64 via vibration isolating mechanisms 35A and 35B, and is provided at an opening in the center of the support plate 32.
  • the projection optical system PL is mounted.
  • Columns 8A and 8B A reticle stage system 63 is installed above the projection optical system PL via anti-vibration mechanisms 24 A and 24 B.
  • the vibration isolating mechanism 35A, 35B, 24A, 24B for example, an air damper or a hydraulic damper that can expand and contract in the horizontal direction can be used.
  • the reticle stage system 63 as the first stage system, the projection optical system PL as the projection system, and the wafer stage system 64 as the second stage system are arranged on the floor in a state where vibrations are not easily transmitted to each other. Supported by F 1 and columns 8A, 8B. Since the illumination system 62 hardly generates vibration, there is almost no adverse effect even if it is fixed directly to the column 8A or the like. However, at least a part of the illumination system 62 may be arranged separately from the columns 8A and 8B.
  • the illumination optical system is divided into two by a fixed blind 15 A described later, and the fixed blind 15 A and the optical system arranged on the reticle side are provided on the main body side (columns 8 A and 8 B), and the rest is provided. May be provided on a stand separate from columns 8A and 8B.
  • the movable or replaceable optical element (for example, movable blind 15B) in the illumination optical system should be placed on another stand.
  • the reticle stage system 63 and the wafer stage system 64 are housed in the highly airtight box-shaped third and fourth sub-chambers 23 and 42, respectively.
  • the space between the optical members in the interior is practically sealed to form an airtight chamber.
  • an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) is used as the exposure beam, but such vacuum ultraviolet light is greatly absorbed by oxygen, so in this example, the attenuation on the optical path is reduced.
  • nitrogen gas (N 2 ) is supplied as a chemically stable gas with high transmittance on the optical path of the exposure beam.
  • Helium gas (H e) can be used as a stable gas with high transmittance.
  • Nitrogen gas is used in this example because nitrogen has a sufficient transmittance up to a length of about 150 nm and nitrogen is inexpensive as compared with a helium. Therefore, in this example, high-purity nitrogen gas is respectively contained in the first subchannel 1, the second subchamber 6, the third subchamber 23, and the fourth subchamber 42 by the gas circulation system described later. It is supplied (purged), and high-purity nitrogen gas is also supplied to the airtight chamber in the projection optical system PL.
  • the boundary between the second sub-chamber 6 and the third sub-chamber 23, the boundary between the bottom surface of the reticle stage system 63 and the upper part of the projection optical system PL, the lower part of the projection optical system PL and the fourth sub-chamber Bellows 25, 36, 43 are attached to the boundary with 42.
  • a material such as a metal
  • a material coated with Teflon to prevent degassing may be used as the bellows 25, 36, 43.
  • the bellows 25, 36, and 43 can be made of a material such as synthetic resin or synthetic rubber. In this case, it is preferable to apply a coating for preventing degassing. Since these bellows 25, 36, and 43 substantially seal the boundary between them, the optical path of the exposure beam is almost completely sealed. As a result, the impurity gas hardly enters the optical path of the exposure beam from the outside, and the attenuation of the exposure beam is extremely low.
  • a beam matching unit including an exposure light source 3 composed of an ArF excimer laser light source in a first sub-chamber 1 and a movable mirror for positionally matching an optical path with an exposure main body. 4, and a pipe 5 formed of a light-shielding material and through which an exposure beam passes.
  • the ultraviolet pulse light IL having a wavelength of 193 nm as an exposure beam emitted from the exposure light source 3 reaches the second sub-chamber 6 via the inside of the BMU 4 and the pipe 5.
  • the ultraviolet pulse light IL passes through a variable attenuator 9 as an optical attenuator 9 and a beam shaping optical system composed of lens systems 10A and 10B, and then becomes an optical integrator.
  • the light enters the fly-eye lens 11 as a homogenizer.
  • An aperture stop system 12 of an illumination system for changing illumination conditions in various ways is arranged on the exit surface of the fly-eye lens 11.
  • the ultraviolet pulse light IL emitted from the fly-eye lens 11 and passing through a predetermined aperture stop in the aperture stop system 1 2 passes through the reflection mirror 13 and the condenser lens system 14 and is transmitted into the reticle blind mechanism 16.
  • the movable blind 15B reduces the moving stroke of the reticle stage in the scanning direction and the width of the light-shielding band of the reticle R.
  • the pulsed ultraviolet light IL shaped into a slit with the fixed blind 15 A of the reticle blind mechanism 16 passes through the reticle through the imaging lens system 17, the reflection mirror 18, and the main condenser lens system 19.
  • a slit-shaped illumination area on the R circuit pattern area is irradiated with a uniform intensity distribution.
  • the illumination system 62 is composed of optical members from the variable dimmer 9 to the main condenser lens system 19.
  • the image of the circuit pattern in the illumination area of the reticle R is transferred to the slit-like exposure area of the resist layer on the wafer W via the projection optical system PL. .
  • the exposure area is located on one shot area among a plurality of shot areas on the wafer.
  • Projection optics of this example The system PL is a dioptric system (refractive system). However, since glass materials that can transmit such short-wavelength ultraviolet light are limited, the projection optical system PL is changed to a cardio dioptric system (catadioptric system) or As a reflection system, the transmittance of the ultraviolet pulse light IL at the projection optical system PL may be increased.
  • the Z axis is taken parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, and the X axis is parallel to the plane of FIG. 1 in a plane perpendicular to the Z axis (almost horizontal in this example).
  • the explanation is given taking the Y axis perpendicular to the paper.
  • the reticle stage 20 can move on the reticle base 21 in the X direction (running direction) at a constant speed, and in the X and Y directions. It is mounted so that it can move slightly in the rotation direction.
  • a moving mirror (not shown) is fixed to a side surface of the reticle stage 20, and a reference mirror 22 is fixed to an upper side surface of the projection optical system PL.
  • a reticle interferometer main body 33 is fixed to a support plate 32 that supports the projection optical system PL, and an upper portion of the interferometer main body 33 is passed through an opening of the reticle base 21 to form a third sub-chamber 23. Has reached within.
  • the opening around the interferometer main body 33 is sealed with, for example, a resin having elasticity and low degassing.
  • the moving mirror of reticle stage 20 and the reference mirror 22 of projection optical system PL are irradiated with laser beams from interferometer main body 3 3, and reference mirror 2 2 (projection optical system)
  • the two-dimensional position and rotation angle of the reticle stage 20 are measured with reference to PL), and the measurement results are supplied to a drive control device (not shown).
  • a reticle stage system 63 is composed of the reticle stage 20 and the reticle base 21, and the interferometer main body 33 corresponds to the first measurement system.
  • wafer W is held by suction on wafer holder 37, wafer holder 37 is fixed on wafer stage 38, and wafer stage 38 is placed on surface plate 39.
  • the wafer stage 38 is an auto focus method By controlling the focus position (position in the Z direction) and the tilt angle of the wafer W to adjust the surface of the wafer W to the image plane of the projection optical system PL, the wafer W is scanned at a constant speed in the X direction, and X Stepping in the Y direction.
  • a moving mirror (not shown) is also fixed to a side surface of the wafer stage 38, and a reference mirror 41 is fixed to a lower side surface of the projection optical system PL.
  • a wafer interferometer main body 34 is fixed to a support plate 32 that supports the projection optical system PL.
  • the lower part of the interferometer main body 34 is placed on a surface plate 39 in the fourth sub-chamber 42. Has reached.
  • the gap between the opening of the fourth sub-chamber 42 and the interferometer main body 34 is sealed with, for example, a resin having elasticity and low degassing.
  • the reference mirror 41 of the PL is irradiated with a laser beam, and the interferometer body 34 receives the two-dimensional position and the rotation angle of the wafer stage 38 with respect to the reference mirror 41 (projection optical system PL). (Including the amount of jogging, pitching, and rolling) and supplies the measurement results to a drive controller (not shown).
  • the wafer stage system 64 is composed of the wafer holder 37, the wafer stage 38, the surface plate 39, and the like, and the interferometer main body 34 corresponds to the second measurement system.
  • the support plate 32 has a sensor for measuring the Z-direction interval and tilt angle of the reticle base 21 with respect to the projection optical system PL, and the Z-direction interval and tilt angle of the surface plate 39 with respect to the projection optical system PL. It is desirable to provide a sensor for measuring the temperature as a measurement system.
  • the reticle stage 3 is synchronized with the reticle R being scanned in the + X direction (or -X direction) at the speed Vr through the reticle stage 20 with respect to the illumination area of the ultraviolet pulse light IL.
  • the wafer W is scanned in the -X direction (or + X direction) at a speed of / 3 'Vr (/ 3 is a projection magnification from the reticle R to the wafer W) with respect to the exposure area via 8.
  • the scanning directions of the reticle R and the wafer W are opposite because the projection optical system PL performs reverse projection.
  • the columns 8A and 8B, the portion on the reticle side of the second sub-chamber 6 in which the illumination system 62 is housed, the third sub-chamber 23, the projection optical system PL, and the fourth sub-chamber 42 Is housed in a large box-shaped chamber 7 as a whole, and the upper part of the chamber 7 is supplied with temperature-controlled air from the air conditioner 52 on the floor F2 below the floor via piping 51.
  • the supplied air passes through the diffusing section 49 and is passed to a dust filter 50 such as a HEPA filter (high efficiency part iculate air-filter) and a filter 50 including a chemical filter that removes trace amounts of organic substances.
  • the air passing through the fill portion 50 flows downward around the second sub-chamber 6 to the fourth sub-chamber 42 (downflow), and is exhausted from an opening (not shown) on the bottom portion of the chamber 7. Have been. Thereby, the temperature around the second sub-chamber 6 to the fourth sub-chamber 42 in this example is maintained at a substantially constant state.
  • a load lock chamber 26 is provided to keep the device in a completely airtight state, and a reticle for transferring a reticle to and from a reticle library (not shown) so as to be in contact with the side of the load lock chamber 26.
  • Loader system 28 is arranged.
  • the reticle loader system 28 is fixed on the side surface of the column 8B and is fixed on a support plate 27 passing through the opening of the chamber 7, and a fifth sub-chamber 29 is provided so as to cover the reticle loader system 28. ing.
  • Openable and closable doors are respectively installed on the surfaces of the load lock chamber 26 facing the reticle loader system 28 and the reticle stage 21, and the periphery of the load lock chamber 26 is sealed.
  • the periphery is sealed to transfer the wafer between the wafer stage system 64 and the outside.
  • the load lock room 44 was installed at A wafer loader system 45 for transferring a wafer to and from a transfer line (not shown) is arranged so as to be in contact with the side surface of the load lock chamber 44.
  • Wafer opening system 45 is fixed on floor F 1, and a sixth sub-chamber 46 is provided so as to cover wafer loader system 45.
  • the load lock chamber 4 4 is also provided with a pair of openable and closable doors. Temperature-controlled air is supplied from the air conditioner 52 downstairs to the upper portions of the fifth subchamber 29 and the sixth subchamber 48 via the piping 31 and the piping 48, respectively, and the supplied air is filled. After passing through the evening portions 30 and 47, the gas flows downward around the reticle opening system 28 and the wafer opening system 45, respectively, and is exhausted.
  • the temperature-regulated air is also supplied to the periphery of the reticle loader system 28 and the Jehachi loader system 45, but the sub-chambers 29 and 46 and the sub-chambers 23 and 4 surrounding these are also provided. Mouth lock rooms 26 and 44 are located between the two. Therefore, for example, when replacing the reticle R, close the right door, store the reticle R in the load lock chamber 26, close the left and right doors, open the right door, and open the load lock chamber 26. Replace reticle R with another reticle. Then, in the load lock chamber 26 Close the left and right doors, evacuate the interior using the exhaust system described below, and then fill with nitrogen gas.
  • the reticle loader system 28 prevents air from entering the third sub-chamber 23. Is done. By the same operation, the air from the wafer porter system 45 is prevented from entering the fourth sub-chamber 42. Since the load lock chambers 26 and 44 as transfer chambers are provided, the temperature-controlled air can also flow around the reticle loader system 28 and the wafer loader system 45.
  • the materials of the sub-chambers 6, 23, and 42, or members disposed inside the sub-chambers, for example, a part of the interferometer main bodies 33 and 34 are made of stainless steel. It is desirable to reduce the outgassing as much as possible, for example, by using Teflon coating.
  • FIG. 2 shows a gas circulation system of the projection exposure apparatus of the present embodiment.
  • an exhaust device including a vacuum pump is provided on a floor F 2 below the floor F 1 where the projection exposure apparatus is installed. 5.
  • Nitrogen gas recovery device 6 6 Storage device 6 7 for storing high-purity nitrogen in the form of liquid nitrogen, etc., and temperature controller 68 8 for controlling the temperature of nitrogen gas and supplying it to the outside .
  • the exhaust device 65 selectively sucks gas to a vacuum state through two exhaust pipes 70 and 72, and supplies the sucked gas to the recovery device 66 via a pipe 74.
  • the recovery device 66 includes a suction unit that sucks gas from the exhaust pipe 73, a separation unit that separates nitrogen gas from the gas from this suction unit and the gas collected through the pipe 74, It is composed of a storage unit that performs temporary storage, and a supply unit that supplies the stored nitrogen gas to the temperature control device 68 through the pipe 75.
  • the storage device 67 supplies the stored nitrogen to the temperature control device 68 via a pipe 76 provided with a valve V22 as needed.
  • the temperature controller 68 controls the temperature of the gas (here, nitrogen gas) supplied through the pipes 75 and 76, and controls the temperature of the gas supplied from the temperature controller as necessary.
  • a filter section including a HEPA filter and a chemical filter that remove dust from the blown gas. The gas passing through the filter section is supplied to the air supply pipe. Is done.
  • impurities (contaminants) as well as dust and moisture are removed.
  • the impurities removed here adhere to the surface of each optical element of the exposure light source 3, the illumination optical system, and the projection optical system PL and cause clouding, or float in the optical path of the exposure beam.
  • a substance that changes the transmittance (illuminance) or the illuminance distribution of the illumination optical system or projection optical system PL, or a substance that adheres to the surface of the JEW (resist) and deforms the pattern image after development processing. is there.
  • Activated carbon filter for example, Gigasobu (trade name) manufactured by Niyu Co., Ltd.
  • Zeolite filter or a combination of these filters can be used as a part of filter in filter section 7.
  • the siloxane siloxane: S i —substance whose axis is the chain
  • silazane silazane: S i—N chain
  • the recovery device 66 and the temperature control device 68 correspond to the gas circulation device of the present invention.
  • the tip of the air supply pipe 69 from the downstairs branches into a first branch pipe having a valve V1 to a seventh branch pipe having a valve V7, and the valve V
  • the first branch with 1 is connected to the first subchamber 1 (light source system 6 1)
  • the second branch with the valve V 2 is connected to the second subchamber 6 (illumination system 6 2)
  • the third branch pipe with V3 The fourth branch pipe with valve V4 is connected to the airtight chamber of the projection optical system PL
  • the fifth branch pipe with valve V5 is connected to the subchamber 23 (reticle stage system 63).
  • a second branch pipe having a valve V6 and a seventh branch pipe having a valve V7 are connected to the load lock chambers 26 and 44, respectively. Therefore, the air blowing operation of the gas from the temperature control device 68 and the selective opening / closing operation of the valves V1 to V7 allow any of the airtight chambers from the first subchamber 1 to the mouth-to-lock chamber 44. It is also configured so that a gas (here, nitrogen gas) permeable to the exposure beam can be purged at any time.
  • a gas here, nitrogen gas
  • first sub-chamber 1 to the third sub-chamber 23, the hermetic chamber of the projection optical system PL, and the fourth sub-chamber 42 are connected to the exhaust pipe 7 via branch pipes having valves V11 to V15, respectively.
  • the exhaust pipe 71 is connected to the exhaust pipes 72 and 73 via valves V 20 and V 21. Therefore, by selectively opening and closing the valves V20 and V21, the gas in the first to fourth subchambers 1 to 42 can be exhausted by the exhaust device 65 or the recovery device 66 as needed.
  • the load lock chambers 26 and 44 are connected to the exhaust pipe 70 through branch pipes having valves V 16 and V 17, respectively, and selectively connect the valves V 16 and V 17.
  • the gas in the load lock chambers 26 and 44 can be evacuated to a vacuum state by the evacuation device 65 as needed by appropriate opening and closing.
  • a pressure sensor and an impurity sensor for detecting the concentration of impurities such as oxygen are provided in the first subchamber 1 to the load lock chamber 44, respectively. If the detection result of the impurity sensor exceeds the allowable range, after exhausting the corresponding chamber or airtight chamber, the pressure detected by the pressure sensor becomes a predetermined reference pressure (for example, atmospheric pressure). Until in the corresponding chamber or airtight chamber It is desirable to supply a permeable gas.
  • the valve V20 is closed, the valve 21 is opened to start the exposure operation, and during the exposure operation, the first subchamber 1 to the fourth subchamber 42 are closed.
  • the impurity concentration increases, a certain amount of gas is exhausted through the recovery device 66 in order to slightly replace the gas in the impurity concentration, and then the permeable gas is removed through the temperature control device 68. Perform a purge. By this operation, the amount of permeable gas used can be reduced, and the operating cost can be reduced.
  • the reticle or wafer to be used next is stored in the load lock chamber 26 or 44, and the left and right doors are locked.
  • the amount of impurities mixed into the optical path side of the exposure beam from the reticle loader system or the wafer loader system can be almost eliminated. For this reason, there is an advantage that the throughput of the exposure process hardly decreases.
  • the same is applied to the first subchamber 1 to the fourth subchamber 42.
  • a kind of gas that is stable and transmissive here, nitrogen gas
  • nitrogen gas is supplied.
  • parts that require particularly stable optical characteristics, such as in the projection optical system PL have different permeability.
  • Helium gas which is a stable gas, may be supplied.
  • helium gas is expensive, it has the advantage that the thermal conductivity is about six times that of nitrogen gas, so that it has excellent heat dissipation effect and that the fluctuation of the refractive index is small, so that the imaging characteristics are stable. By circulating and using the Helium gas, an increase in operating costs can be suppressed.
  • the recovered nitrogen is compressed to about 100 to 200 atm by a compressor, or liquefied by a liquefier using a turbine or the like and stored in an internal cylinder. You may do it.
  • the illumination optical system is housed in the second sub-chamber 6 and a part of the second sub-chamber 6 is installed in the chamber 7, but, for example, all of the second sub-chamber 6 is installed in the chamber 7. May be. In this case, the amount of impurities in the second sub-chamber 6 can be reduced.
  • a single gas (nitrogen or a rare gas such as helium or neon) is supplied into each of the first subchamber 1 to the fourth subchamber 42.
  • a gas in which nitrogen and helium are mixed at a predetermined ratio may be supplied.
  • the mixed gas is not limited to the combination of nitrogen and helium, but may be combined with neon, hydrogen, or the like.
  • a transparent and chemically stable gas provided in at least one of the first to fourth subchambers 1 to 4, the projection optical system PL, and the load lock chambers 26 and 44 and the other.
  • the purity (concentration) of impurities may be varied. In addition, it is divided into three or more groups, The same kind of gas may have different purities (impurity concentrations).
  • each unit such as an illumination optical system, a projection optical system, a reticle stage system, and a wafer stage system and a method of supporting the units are not limited to the above-described embodiment (FIGS. 1 and 2). Any unit may be used as long as it supports each unit so that vibrations are not easily transmitted to each other.
  • the bellows 25, 36, 43 need not be provided at all of the above-mentioned connection portions, but may be provided at least at one of the connection portions. Further, when the illumination optical system or the projection optical system is housed in a plurality of hermetic chambers separately, the above-mentioned bellows may be provided at the connection portion. This is the same when the reticle loader system 28 or the wafer loader system 45 is housed in a plurality of airtight chambers.
  • an optical system for example, an interferometer body 33, 34, a reticle alignment system, a wafer alignment system), a part of which is disposed outside the third subchamber 23 or the fourth subchamber 42, , An autofocus sensor, etc.
  • an optical system may be provided with a bellows at the connection between the lens barrel (housing) that houses the sub-chamber. Further, a bellows may be provided at a connection portion between each of the sub-chambers, the projection optical system, and the like and a purge gas supply / exhaust pipe.
  • a r F excimer one The in the exposure beam for example, K r F excimer one The (wavelength 2 4 8 nm), F 2 laser (wavelength 1 5 6 nm) , K r 2, single-tHE (wavelength 1 4 7 nm), or a r 2, single the may be used (wavelength 1 2 6 nm), etc., but the present invention to an exposure apparatus equipped with the light sources Can be applied.
  • an exposure apparatus using a KrF excimer laser it is not necessary to replace the air in the projection optical system with nitrogen, helium, or the like, and the air in the KrF excimer laser light source and the illumination optical system is replaced with nitrogen. It just needs to be replaced with etc.
  • an oscillation beam is used as an exposure beam, for example, at or near any of the wavelengths of 248 nm, 193 nm, and 157 nm.
  • the present invention is also applicable to a case where a harmonic of a solid-state laser such as a YAG laser having a vector is used.
  • the present invention is applied to a step-and-scan projection exposure apparatus using vacuum ultraviolet light as an exposure beam.
  • the inside of the reticle stage system, the wafer stage system, and the projection optical system is changed.
  • Each lens is housed in an airtight unit, and the space between adjacent airtight units is sealed by a bellows mechanism made of metal or the like.
  • the bellows mechanism installed between the airtight units is made of metal and has high rigidity, the vibration generated when the wafer stage system and the reticle stage system are driven, and the movement of the center of gravity of those stage systems
  • the deformation of the airtight unit due to (uneven load) may be transmitted to the projection optical system via the bellows mechanism, and the imaging characteristics of the projection optical system may be deteriorated.
  • the influence of the vibration or the unbalanced load generated from the stage system is transmitted to a laser interferometer alignment device or the like, and the measurement accuracy may be deteriorated.
  • the effects of such vibrations can be reduced to some extent by adjusting the rigidity of the bellows mechanism, but it is desirable to further reduce the effects.
  • the imaging characteristics of the projection optical system due to the effects of vibration and unbalanced load generated from those loader systems In order to reduce the deterioration of the measurement accuracy of the interferometer, etc., it is sufficient to provide an anti-vibration mechanism in the reticle loader system and the wafer loader system.
  • the disadvantage is that the manufacturing cost is high. Therefore, in the following second embodiment, an example in which the vibration isolation characteristics are further improved will be described.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing the projection exposure apparatus of this example.
  • the projection exposure apparatus of this example uses an ArF excimer laser light source (wavelength: 193 nm) as an exposure light source. While using, other F 2 laser light source (wavelength 1 57 nm), K r 2 laser light source (wavelength 146 nm), harmonic generator of YAG, single tHE, a semiconductor laser such as a harmonic generator A light source that generates vacuum ultraviolet light (light having a wavelength of 200 nm or less in this example) can also be used.
  • ArF excimer laser light source wavelength: 193 nm
  • other F 2 laser light source wavelength 1 57 nm
  • K r 2 laser light source wavelength 146 nm
  • harmonic generator of YAG single tHE
  • a semiconductor laser such as a harmonic generator
  • a light source that generates vacuum ultraviolet light light having a wavelength of 200 nm or less in this example
  • the present invention can be applied when the transmittance of the exposure beam is to be particularly increased. .
  • the vacuum ultraviolet light is absorbed by oxygen, water vapor, hydrocarbon gases (carbon dioxide, etc.), organic substances, and halides that are present in the normal atmosphere. Since the light is largely absorbed by the substance, the concentration of the gas of these light absorbing substances (impurities) must be suppressed to about 10 to 100 ppm or less in order to prevent the exposure beam from attenuating. Therefore, in this example, the gas on the optical path of the exposure beam is converted into a gas through which the exposure beam passes, that is, nitrogen (N 2 ) gas, or helium (He), neonone (Ne), argon (Ar), krypton.
  • nitrogen (N 2 ) gas or helium (He), neonone (Ne), argon (Ar), krypton.
  • purge gas a gas that is chemically stable with high transmittance to an exposure beam such as a rare gas, and has a high degree of removal of light-absorbing substances ( Hereinafter, it will be referred to as “purge gas”.
  • Nitrogen gas is also exposed up to a wavelength of about 150 nm even in the vacuum ultraviolet region. Although it can be used as a gas through which the beam passes (purge gas), it almost acts as a light-absorbing substance for light with a wavelength of about 150 nm or less. Therefore, it is desirable to use a rare gas as a purge gas for an exposure beam having a wavelength of about 150 nm or less.
  • a rare gas is desirable from the viewpoints of stability of refractive index and high thermal conductivity. However, helium is expensive. May be used.
  • the purge gas not only a single kind of gas may be supplied, but also a mixed gas such as a gas obtained by mixing nitrogen and helium at a predetermined ratio may be supplied.
  • helium gas is used as the purge gas with emphasis on the stability of the refractive index (stability of the imaging characteristics) and the high thermal conductivity (high cooling effect). Therefore, for example, a high-purity purge gas is supplied to a machine room below the floor where the projection exposure apparatus of this example is installed, and to a plurality of hermetic chambers in the projection exposure apparatus and the apparatus attached thereto, An air supply / exhaust mechanism 113 is installed to collect and reuse the gas flowing through the airtight chamber.
  • the main body of the projection exposure apparatus of this example is mounted on a base member 102C, and is substantially a gate including four or three legs (columns) on a base member 102C.
  • the first frame 102 A of the mold is installed.
  • the illumination optical system of this example is composed of an exposure light source and optical members such as an optical integrator (uniformizer or homogenizer), and the optical members except for the exposure light source are highly airtight box-shaped first sub-chambers.
  • the first sub-chamber 103 is housed in the first sub-chamber 103, and is installed above the first frame 102A.
  • An exposure beam (exposure light) composed of a pulse laser beam with a wavelength of 193 nm emitted from an exposure light source (not shown) of the illumination optical system is used as a mask. -Illuminates the pattern area on the bottom surface (lower surface).
  • the exposure beam transmitted through the reticle R passes through a projection optical system 104 as a projection system onto a pheno ⁇ (wafer) W as a substrate to project a pattern of the reticle R at a projection magnification j3 (; 3 is 1 Z 4, 1 Z 5 etc.).
  • the wafer W is, for example, a semiconductor such as silicon or a disc-shaped substrate such as SOI (silicon insulator), on which a photoresist is applied.
  • the reticle R and the wafer W of the present example respectively correspond to an object to be exposed according to the present invention.
  • one projection optical system 104 is used.
  • a straight cylindrical catadioptric system composed of a plurality of refractive lenses arranged along the optical axis and two concave mirrors each having an opening near the optical axis, and along one optical axis It is possible to use a straight-tube-type refraction system configured by disposing a refraction lens. Further, a double-cylinder catadioptric system or the like may be used as the projection optical system 104.
  • the Z axis is set parallel to the optical axis of the projection optical system 104
  • the X axis is set parallel to the plane of FIG.
  • the illumination area on reticle R has a slit shape elongated in the X direction, and the scanning direction of reticle R and wafer W during exposure is in the Y direction.
  • the reticle stage 107 b is held on the reticle base 107 b and moves continuously in the Y direction (scanning direction) on the reticle base 107 c in a linear mode, and the reticle in the XY plane. Fine-tune the R position.
  • the reticle base 107c is defined as a law of conservation of momentum in the direction opposite to the direction of movement of the reticle stage 107b on the base member 121 when the reticle stage 107b moves in the Y direction.
  • Reticle stage 107 b to suppress the occurrence of vibration when moving.
  • the base member 1 2 1 Through the anti-vibration members 12 A and 12 B on the four (or even three) support plates in the middle of the frame 102 A (only two are shown in Fig. 3) Supported.
  • the anti-vibration members 1 2 3 A and 1 2 3 B are active anti-vibration devices that combine an air damper (or a hydraulic damper or the like) and an electromagnetic actuator such as a voice coil motor. It is.
  • a reticle stage system RST is composed of a reticle holder 107 a, a reticle stage 107 b, a reticle base 107 c and the like, and the reticle stage system RST is a highly airtight box-shaped second subchamber 1. 0 8 (reticle chamber).
  • the anti-vibration members 124A and 124B are active vibration isolators similar to the anti-vibration members 123A and 123B.
  • the laser interferometer 1 1 1 (reticle interferometer) is installed on the upper surface of the second frame 102 B, and the movable mirror installed on the laser interferometer 1 1 1 and the reticle stage 107 b.
  • the position of the reticle stage 107 b (reticle R) in the X and Y directions, and the X-axis, Y-axis, and the rotation angle around the axis, if necessary, are measured by 1 and 9, and these measured values are used.
  • the position and moving speed of the reticle stage 107 b are controlled by a stage control system (not shown) based on the position.
  • a stage control system (not shown)
  • a reticle alignment support frame 112 is installed on the second frame 102 B.
  • a reticle alignment microscope (Not shown) is installed above the reticle stage 107 b of the support frame 112.
  • the wafer W is placed on the sample stage 105a via a wafer holder (not shown).
  • the sample stage 105 a is fixed on the XY stage 105 b, and the XY stage 105 b moves the sample stage 105 a (wafer W) on the wafer base 122 in the Y direction.
  • the sample table 105a is moved stepwise in the X and Y directions as necessary.
  • the sample stage 105a controls the focus position (position in the Z direction) of the wafer W, and the tilt angle around the X axis and the Y axis.
  • the XY stage 105b is driven by a drive unit (not shown) of, for example, a linear motor type so as to satisfy the law of conservation of momentum, and the generation of vibration when driving the XY stage 105b is suppressed. I have.
  • the wafer base 122 is connected to the base via four (or three, etc.) anti-vibration members 125 A and 125 B (only two are shown in FIG. 3).
  • the anti-vibration members 125A and 125B are mounted on the member 102C, and are the same active vibration isolator as the anti-vibration members 123A and 123B.
  • the wafer stage WST is composed of the sample stage 105a, the XY stage 105b, etc., and the wafer stage WST is housed in the highly airtight box-shaped third subchamber 106 (wafer chamber). Has been delivered.
  • a laser interferometer 109 (wafer interferometer) is fixed to a support plate in the middle of the second frame 102B, and the side surface of the sample stage 105a is machined into a movable mirror.
  • the position of the sample stage 105a (wafer W) in the X and Y directions, and the X-axis, Y-axis, and Z-axis The rotation angle of the rotation is measured, and the operation of the XY stage 105b is controlled by a stage control system (not shown) based on these measured values.
  • a multi-point optical auto-focus sensor (AF sensor) 110 of an oblique incidence type is fixed to a support plate in the middle of the second frame 102 B, and this auto-focus sensor 1 Based on the information on the focus positions at a plurality of measurement points on wafer W measured by 10, sample stage 105 a is moved to wafer W by autofocus method and auto repeller method. Controls the focus position, and the tilt angle around the X and Y axes. Thus, the surface of the wafer W is continuously focused on the image plane of the projection optical system 104 during the exposure.
  • AF sensor optical auto-focus sensor
  • a wafer alignment system 114 of an off-axis system and an imaging system for performing wafer W alignment is also fixed to the second frame 102 B.
  • a reticle loader system RRD for transferring a reticle R to and from a reticle stage system RST, and a wafer W is transferred to and from a wafer stage system WS.
  • the wafer loader system WRD is housed in the interface and column 1 17 is installed.
  • the reticle stage RST and the wafer stage system WST should be open to the outside air at the transfer port for transferring the reticle and the transfer port for transferring the reticle in column 1 17 of this interface.
  • Gate valves 115 and 116 are provided in order to minimize the number of gates.
  • the next shot area is moved to the scanning start position by the step movement of the XY stage 105b, and then the reticle stage 107 is moved.
  • b and the XY stage 105b on the eight side are synchronously scanned in the Y direction using the projection magnification of the projection optical system 104] 3 as the speed ratio, that is, the reticle R and the corresponding shot area on the wafer W.
  • the operation of scanning them while maintaining the imaging relationship is repeated in a step-and-scan manner.
  • the pattern image of the reticle R is sequentially transferred to each shot area on the wafer W.
  • the projection exposure apparatus of this embodiment is provided with a supply / exhaust mechanism 113 for replacing (purging) a gas in a space including the optical path of the exposure beam with a gas (purge gas) transmitted through the exposure beam.
  • a supply / exhaust mechanism 113 for replacing (purging) a gas in a space including the optical path of the exposure beam with a gas (purge gas) transmitted through the exposure beam.
  • the sub-chambers 103, 108, and 106 have high airtightness as a closed room, and the space between each optical member in the projection optical system 104 has a high airtightness. (This also corresponds to an airtight room).
  • a high-purity purge gas is supplied into the sub-chambers 103, 108 and 106 by an air supply / exhaust mechanism 113, and each of the lens chambers in the projection optical system 104 is also supplied with a high-purity purge gas.
  • a high-purity purge gas is supplied (details will be described later).
  • the second sub-chamber 108 and the third sub-chamber 106 and the gate valves 1 15 and 1 16 of the column 1 17 are also flexible.
  • a cylindrical film-like cover 1118A and 1188B having the properties are provided.
  • the film-shaped cover 110 A to 101 D, 118 A and 118 B correspond to the flexible film-shaped covering member of the present invention, and the film cover is a soft shield. It can also be called a member or a bellows with extremely low stiffness.
  • These film-shaped covers 110 A to 101 D, 118 A and 118 B substantially seal their boundaries, so that the optical path of the exposure beam is almost completely sealed. It will be. For this reason, the gas containing the light absorbing substance from the outside is hardly mixed into the optical path of the exposure beam, and the attenuation of the exposure beam can be suppressed to a very low level.
  • the supply / exhaust mechanism 113 of the present example includes a collection unit for collecting the purge gas, a storage unit for storing the high-purity purge gas, and a temperature control of the purge gas. It is composed of an air supply section and the like to be supplied to the outside. High-purity purge gas is supplied to the sub-chambers 103, 108, 106 and the projection optical system 104 via the air supply pipe 126, respectively. Purge gas supplied at a pressure slightly higher than atmospheric pressure (positive pressure) and containing impurities flowing through the subchambers 103, 108, 106 and the inside of the projection optical system 104 Are respectively recovered through exhaust pipes 1 27 with a valve V.
  • the supply / exhaust mechanism 113 separates the purge gas from the collected gas and compresses the separated purge gas to a high pressure or liquefies and temporarily stores the purge gas.
  • an impurity sensor for measuring, for example, the concentration of oxygen as a light-absorbing substance is installed inside the sub-chambers 103, 108, 106 and the projection optical system 104. If the concentration of the light-absorbing substance detected by the impurity sensor exceeds a predetermined allowable value, recover gas through the exhaust pipe 127 and replenish high-purity purge gas through the air supply pipe 126. However, the gas flow is controlled by flowing gas at a substantially constant (slightly positive) pressure.
  • the allowable value of the concentration may be changed according to the type of the light-absorbing substance, for example, by setting the allowable value of the concentration for the organic substance to be lower than the allowable value of the concentration of carbon dioxide or the like. Good. Also, the part for storing the reticle-port-type RRD and the wafer-port-type WRD in the interface * column 117 is made airtight, and purge gas may be supplied to these spaces. Good.
  • the purge gas obtained by treating the gas recovered from the sub-chamber 103 to the projection optical system 104 as described above is supplied into the interface face • column 117, and the sub-chamber 103 is supplied. Unused high-purity purge gas accumulated in the purge gas accumulation section may be supplied to the projection optical system 104. It should be noted that the concentration of impurities in each of the sub-chamber projection optical systems is not limited to the above-mentioned allowable value (10 to 100 ppm), and the allowable value may be varied depending on the location. .
  • the supply / exhaust mechanism 113 adjusts the temperature, humidity, pressure, etc. of the supplied purge gas when supplying the purge gas, and also removes dust by using a dust filter such as a HEPA filter (high efficiency particulate air filter).
  • a dust filter such as a HEPA filter (high efficiency particulate air filter).
  • the above-mentioned light-absorbing substances and the like are removed from the purge gas by a filter such as a chemical filter for removing the above-mentioned light-absorbing substances containing a trace amount of organic substances and the like.
  • the material to be removed here may be a substance that adheres to the optical element used in the projection exposure apparatus and causes fogging, or floats in the optical path of the exposure beam and causes the illumination optical system or the projection optical system 104 Substances that change transmittance (illuminance) or illuminance distribution, or substances that adhere to the surface of wafer W (photoresist) and deform the pattern image after development processing are also included.
  • an activated carbon filter eg, Gigasorb (trade name) manufactured by Niyu Co., Ltd.
  • a zeolite filter a filter combining these can be used.
  • silicon-based organic substances such as siloxane (a substance whose axis is a Si single chain) or silazane (a substance whose axis is a Si_N chain) are removed.
  • the transmittance for the exposure beam is maintained high, and the illuminance of the exposure beam incident on the wafer W is increased. Exposure time for each shot area can be shortened, and throughput can be improved.
  • the optical paths of the measurement beams of the optical measuring instruments such as the laser interferometers 109 and 111 and the autofocus sensor 110 are set in the atmosphere of the purge gas. Yotsute thereto, c which can suppress the generation of measurement error due to fluctuation of the gas on the optical path of the measurement beam of the optical measuring instrument
  • the film-shaped covers 101A to 101D, 118A, and 118B of this example will be described in detail with reference to FIGS.
  • the configuration of the film-shaped cover 101A will be described typically.
  • FIG. 4 shows a state in which the film-shaped cover 101 A of this example is attached.
  • both ends of the film-shaped cover 101 A are made of metal such as aluminum, ceramics, or the like.
  • the film-shaped cover 110 A is provided with the lower end of the first sub-chamber 3 and the second sub-chamber 1 in FIG. 3 through the flanges 130 and 13 1. It is mounted so as to cover the top of 08, and the flanges 130, 13 1 are screwed to the installation surface.
  • a ring or the like made of a material (for example, a fluorine-based resin) with a small outgassing may be arranged between the flanges 130 and 13 and the installation surface.
  • Fig. 5 shows a cross-sectional view of the film-shaped cover 101A of Fig. 3 enlarged in the thickness direction.
  • the film-shaped cover 101A of this example is made of an ethylene-vinyl-alcohol resin.
  • EVOH resin ethylene-vinyl-alcohol resin
  • a flexible stretchable protective film made of polyethylene (1- (CH 2 CH 2 ) n- ) is adhered to the outer surface of the film material 101 c via an adhesive
  • a stabilizing film 101b made of aluminum (A1) is coated on the inner surface of the film material 101c by vapor deposition or the like.
  • Ethylene vinyl alcohol resin (EVOH resin) is extremely excellent in gas barrier properties (gas barrier properties).
  • the stabilizing film 101b is formed of a substance that does not generate degassing or has extremely low degassing.
  • the film-like cover 101 A is basically composed of a protective film 10 Id (third material) having good elasticity and a film material 1 ⁇ 1 having good gas barrier property. c (first material) and a laminating process (multi-layer process), and a stabilizing film 101b (second material) with extremely low degassing is applied to the inner surface of the laminate film.
  • the overall thickness of the cover 101A is about 0.1 mm.
  • the end A is welded with a protective film 101d having excellent welding properties facing the other end, and the welded portion is bonded. The material is completely sealed with 101 e.
  • the protective film 101d has good stretchability, it has poor gas barrier properties, is easily degassed, and has the drawback that metal and the like are not easily adhered to the inner surface. Therefore, in this example, the film material 101 c having excellent gas barrier properties, preventing the inflow of outside air and the outflow of purge gas, and easily adhering metal or the like to the inner surface of the protective film 101 d. Is formed, and a stabilizing film 101 b is formed on the inner surface thereof.
  • the stabilizing film 101b prevents the adhesive used for forming the film-like cover 101A, the protective film 10ld, and degassing generated from heat sealing, etc., from the film-like cover. It is prevented from entering inside 101 A, that is, on the optical path of the exposure beam. Further, by coating the inner surface with the stabilizing film 101b, the barrier property against gas is further improved.
  • the film-shaped cover 101A of this example has a large flexibility such as a film material 101c, that is, is formed of a material having extremely small rigidity and excellent gas barrier properties. Compared to the case where a metal bellows mechanism is used, the same gas barrier property is obtained, and the sub-chamber 103 and the sub-chamber 108 (reticle chamber) shown in Fig. 3 are mutually connected. Vibration is hardly transmitted to
  • other film-shaped covers 110 B: L 0 1 D, 118 A, and 118 B are formed in the same manner as the film cover 110 A, and are formed between adjacent airtight chambers. This makes it difficult to transmit vibrations to each other.
  • the effects of vibrations and eccentric loads generated from the reticle stage system RST and the wafer stage system WS T in FIG. 3 are hardly transmitted to the projection optical system 104, the second frame 102, etc., and the wafer stage system WS Deterioration of the imaging characteristics of the projection optical system 104 due to vibration or uneven load generated from ⁇ can be suppressed, and high-precision exposure can be performed.
  • the laser interferometers 109 and 111 attached to the second frame 102 ⁇ , the support frame 112 for the reticle alignment system, the wafer alignment system 114, and the auto focus sensor 1 The occurrence of measurement errors such as 10 can be suppressed.
  • a film cover is provided between the reticle stage system RST (second subchamber 108) and the wafer stage system WS ⁇ (third subchamber 106) and the interface / column 117, respectively.
  • the 1 18 ⁇ and 1 ⁇ 8 ⁇ it is possible to prevent the vibration generated from the reticle loader system RRD and wafer loader system WRD in the interface column 1 117 from being transmitted to the projection exposure apparatus main body.
  • the gate valves 1 15 and 1 16 on the side of the interface 1 and column 1 17 the effects of vibrations that occur when the gate valves 1 1 5 and 1 16 open and close are suppressed. be able to.
  • the material of the film material 101c used for forming the film cover 101 1 to 118 1 is not limited to the ethylene / vinyl / alcohol resin of this example, but may be a polyamide (polyamide). ), Polyimide, polyester, or the like, as long as the material has good barrier properties against gas and is flexible.
  • ethylene / vinyl / alcohol resin is most desirable in terms of the best gas barrier properties
  • polyester is most desirable in terms of price and economy
  • polyamide or polyimide is most desirable in terms of cost performance. Is desirable.
  • the material coated on the inner surface of the film cover 101A to 118B as the protective film 101d is not limited to aluminum of this example, but may be other metals or inorganic materials such as ceramics. A material having low reactivity to an exposure beam such as vacuum ultraviolet light and low degassing as described above may be used.
  • the protective film 10 Id polypropylene or the like can be used in addition to polyethylene.
  • the film material is used only from the film material 101c and the stabilizing film 101b.
  • the cover 101 A to 118 B may be formed.
  • the film cover 110 A to 118 B can be formed only from the film material 101 c. May be formed.
  • the number and locations of the film-shaped covers 101A to 118B are not limited to the configuration of this example, but may be such that the optical path of the exposure beam is sealed or a portion (reticle) leading to the optical path. It is only necessary that a film-like cover be installed so as to hermetically seal the loader system RRD installation section. For example, when driving each stage system using the counter balance to satisfy the law of conservation of momentum, a film cover may be installed in the space between the counter balance and the movable stage of the stage system. Good.
  • FIG. 6 (a) shows the film-shaped cover 141 of this example, and the film-shaped cover 141 of this example is similar to the above-described film-shaped covers 101A to 118B. It is formed by laminating a film material with good gas barrier properties and a protective film with good elasticity.
  • the above-mentioned film-shaped cover 101 A-l 18 B Force Protective film 1 0 1 d
  • the film-shaped cover 14 1 of the present example has a protective film 14 1 a having excellent welding properties so as to cover the joining portion of the cylindrically wound member. It is formed in a cylindrical shape by joining. That is, as shown in FIG.
  • the film-like cover 14 1 of this example is made of polyethylene, which is bonded to the outer surface of a film material 14 1 c made of ethylene / vinyl / alcohol resin through an adhesive material 14 1 e.
  • a flexible stretchable protective film 141d is applied, and a protective film 1441a with excellent weldability is welded so as to cover the joint from the outer surface, or applied via an adhesive. It is formed by doing
  • a stabilizing film 144b made of aluminum is coated on the inner surface of the film material 141c by vapor deposition or the like.
  • the overall thickness d1 of the film-shaped cover 141 is about 0.1 mm.
  • the thickness d2 of the joining protective film 141a for closing the film-shaped cover 141 in a cylindrical shape is about 0.03 mm.
  • the cause of the impurities remaining on the inner surface of the film-like cover 141 is as follows. Therefore, there is an advantage that the inside of the film-like cover 141 can be more efficiently purged.
  • the outer surface of one end and the inner surface of the other end may be simply overlapped with a predetermined width and fixed by an adhesive or welding.
  • the film-shaped cover 110A to 118B and 141 are made of a flat material
  • the film-shaped cover as a covering member is formed in a bellows shape. You may.
  • the bellows shape facilitates installation or improves durability against external pressure differences May be.
  • the film-shaped covers 101 A to 118 B and 141 do not need to be provided at all the connection parts described above, and need only be provided at at least one connection part. Further, when the illumination optical system or the projection optical system is stored in a plurality of hermetic chambers separately, the above-mentioned film cover may be provided at the connection portion. This is the same when the reticle loader system RRD or the wafer loader system WRD is stored in a plurality of hermetic chambers. Further, an optical system (for example, a wafer alignment system 114, an auto focus sensor 110, a laser interference system), a part of which is disposed outside the second sub-chamber 108 or the third sub-chamber 106.
  • an optical system for example, a wafer alignment system 114, an auto focus sensor 110, a laser interference system
  • a film cover may be provided at the connection between the lens barrel (housing) that houses the total of 109, 111, etc.) and its sub-chamber. Further, a film-shaped cover may be provided at a connection portion between each of the above sub-chambers, the projection optical system, and the like and a pipe for supplying and discharging the purge gas.
  • the film-like cover of the second embodiment may be used instead of the bellows 25, 36, 43, or the bellows may be used.
  • the stabilizing film 101b of the second embodiment may be provided on the inner surfaces of 25, 36, and 43.
  • the bellows in the first embodiment or the film-like cover in the second embodiment has an inner surface made of a material with less degassing, but degassing from the inner surface. When this can occur, a suction tube may be connected to a portion of the bellows or film cover to recover the degassed gas.
  • the present invention is applied to a step-and-scan type projection exposure apparatus.
  • the present invention is applied to a step-and-stitch type scanning exposure apparatus. It can also be applied to a batch exposure type projection exposure apparatus such as a mirror, a stepper, etc., and also to a mirror type or proximity type exposure apparatus that does not use a projection optical system. It is clear that.
  • the optical system may be any one of a refraction system, a reflection system, and a catadioptric system, and may be any one of a reduction system, a unit magnification system, and an enlargement system. You may.
  • the present invention can be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate, a silicon wafer, or the like.
  • a transmissive reticle is generally used in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, and quartz glass, fluorine-doped quartz glass, or fluorescent glass is used as a reticle substrate. Stone, magnesium fluoride, quartz, or the like is used.
  • a reflection type mask is used in an exposure apparatus that uses EUV light (extreme ultraviolet light) as an exposure energy beam.
  • EUV light extreme ultraviolet light
  • a transmission type mask stencil mask, membrane
  • a mask is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.
  • a single-wavelength laser in the infrared or visible range oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser for example, Erbium (Er) (or Erbium and Ytterbium (Yb))
  • Erbium (Er) or Erbium and Ytterbium (Yb)
  • the present invention is also applied to a case where a harmonic is amplified by a doped fiber amplifier and wavelength-converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal.
  • the generation wavelength is in the range of 189 to 199 nm.
  • a 10th harmonic having a wavelength in the range of 151 to 159 nm is output.
  • the oscillation wavelength is within the range of 1.544 to 1.553 zm
  • the 8th harmonic within the range of 193 to 194 nm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the ArF excimer laser is obtained, and the oscillation wavelength is set within the range of 1.57 to 1.58 xm.
  • a 10th harmonic within the range of 157 to 158 nm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the F 2 laser is obtained.
  • the illumination optical system composed of a plurality of optical elements and the projection optical system are incorporated into the main body of the exposure apparatus to perform optical adjustment, and the reticle stage and wafer stage consisting of many mechanical parts are attached to the main body of the exposure apparatus and wired.
  • An exposure apparatus can be manufactured. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • a step of designing function and performance of the device a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and a reticle pattern by the exposure apparatus of the above-described embodiment. It is manufactured through the steps of exposing a wafer to a wafer, device assembly steps (including dicing, bonding, and packaging steps), and inspection steps.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can take various configurations without departing from the gist of the present invention.
  • Japanese Patent Application No. 111149598 filed on May 28, 1999, and Japanese Patent Filed on February 28, 2000, including the specification, claims, drawings and abstract.
  • the entire disclosure of application No. 2000-5110 is hereby incorporated by reference in its entirety.
  • Industrial applicability According to the first exposure method of the present invention, since the stage system and the projection system are supported so that vibrations are not easily transmitted to each other, the vibration of the movable part of the stage system is not easily transmitted to the projection system or the like. Therefore, the position of the movable part can be measured with high accuracy. Therefore, there is an advantage that the control accuracy of the movable part can be improved.
  • the stage system and the projection system are connected to the support member via the vibration isolating members independently of each other, the stage system and the projection system Vibration is hardly transmitted between them, and the first exposure method of the present invention can be used.
  • the projection system has an airtight structure
  • a chamber surrounding each part of the illumination system and each stage system is provided, and a flexible connecting member for sealing each chamber and the projection system is provided.
  • the light amount of the exposure beam can be kept high, and even if vibration occurs in one of the hermetic chambers, Is not transmitted to other hermetic chambers.For example, even if vibration is generated by moving the object, the imaging characteristics of the projection optical system and the measurement accuracy of the laser interferometer do not deteriorate. High-throughput and high-precision exposure can be performed.
  • highly accurate exposure can be performed by using the exposure method or the exposure apparatus of the present invention, and a highly functional device can be manufactured.

Description

露光方法及び装置
技術分野
本発明は、 例えば半導体素子明、 撮像素子 (C C D等) 、 液晶表示素子、 プラズマディスプレイ素子、 又は薄膜磁気へッ ド等のデバイスを製造す 田
るためのリソグラフイエ程でマスクパターンを基板上に転写するために 使用される露光装置に関し、 特に波長 2 0 0 n m程度以下の真空紫外域 ( V U V ) の露光ビームを使用する場合に使用して好適なものである。
背景技術
例えば半導体デバイスを製造する際に使用される従来のステッパー等 の露光装置は、 通常はウェハステージ部、 レチクルステージ部、 投影光 学系部、 及び照明光学系部が互いに一体的に機械的に結合されており、 このように一体的に結合された構造が床上に防振構造を介して支持され ていた。 また、 各ステージの可動部の位置を投影光学系を基準にして計 測するための計測システムも、 その一体的に結合された構造の一部に取 り付けられていた。
また、 この種の露光装置においては、 半導体デバイスの集積度及び微 細度の向上に対応するため、 特に解像力を高めることが要求されている。 その解像力は、 ほぼ露光光の波長に比例するため、 従来より露光波長は 次第に短波長化されており、 最近では K r Fエキシマレ一ザ光 (波長 2 4 8 n m) が使用されるようになっている。 現在は、 A r Fエキシマレ —ザ光 (波長 1 9 3 n m) 、 更には F 2 レーザ光 (波長 1 5 7 n m) 等 の使用が検討されている。 更に、 いわゆる極端紫外域 (E U V ) 中の波 長 5〜 2 0 n m程度の光を露光ビームとして使用することも検討されて いる。
また、 投影露光装置においては、 露光ビームの照度を増加してスルー プッ トを向上することも求められているが、 露光ビームを短波長化する と、 光路上の気体 (雰囲気) による露光ビームの吸収が次第に大きくな つてくる。 即ち、 露光ビームの波長が、 A r Fエキシマレ一ザ光のよう な波長 2 0 0 n m程度以下の真空紫外域 (V U V ) になると、 露光ビー ムの光路の雰囲気中に含まれる酸素、 水蒸気、 二酸化炭素等の物質 (以 下、 「吸光物質」 という。)による露光ビームの吸収が大きくなり、 波長 が 1 8 0 n m以下になるとその吸収量が特に大きくなる。
そこで、 露光ビームとして真空紫外光を使用する場合に、 露光ビーム を十分な照度でウェハの表面に到達させ、 実用的なスループッ卜で露光 を行うためには、 露光ビームの光路上の大部分の雰囲気を、 露光ビーム が透過する気体、 即ち露光ビームに対する透過率が上記の吸光物質に比 ベて大きいヘリウムや窒素等の気体 (パージガス) で置換する必要があ る。
このため真空紫外光を露光ビームとして使用するこれからの露光装置 は、 レチクルステージ系やウェハステージ系等を気密性の高いチャンバ 等にそれぞれ収納し、 また、 投影光学系内部の各レンズ間の空間を気密 性の高いレンズ室とし、 それらの内部を露光ビームが透過する気体で置 換することが望ましい。
上記の如き従来の露光装置では、 ステージ部、 投影光学系部、 及び計 測システムが一体的に結合されていたため、 ステージ部中の可動部の振 動が直接に計測システムに伝わり、 ステージ制御に悪影響を及ぼすとい う不都合があった。 また、 可動部の移動により計測システムの一部に変 形が生じ、 極めて僅かではあるが計測誤差を生ずる恐れがあった。 更に、 露光光として A r Fエキシマレーザ光のような真空紫外光を使 用する場合には、 露光光の光路の大部分を窒素等でパージする必要があ るが、 従来の露光装置では特にステージ部と投影光学系部との境界部を 良好な気密構造にするのが容易ではなかった。 そのため、 その境界部で も窒素等をパージするためには、 露光装置のほぼ全体を覆うチャンバ内 に窒素等を供給する必要が生じて、 装置構成が大がかりなものになると いう不都合があった。 一方、 その境界部では或る程度空気等が混入する ことを許容すると、 装置構成は比較的簡素化されるが、 その境界部で露 光光が減衰したり、 空気中の微量な有機物等と露光光との化学反応によ つて光学部材の表面に曇り物質等が付着して、 光学部品の光の透過率が 悪化するという不都合があった。
本発明は斯かる点に鑑み、 ステージの可動部の制御精度を向上できる 露光方法を提供することを第 1の目的とする。
また本発明は、 そのような露光装置において、 露光ビームの光路の少 なくとも一部に高透過率の気体を供給する場合に、 外部の気体の混入が 少なくなるようにすることを第 2の目的とする。
また本発明は、 ステージ系等を駆動する際に発生する振動の影響を低 減し、 高精度な露光を行うことができる露光方法を提供することを第 3 の目的とする。
更に本発明は、 そのような露光方法を使用できる露光装置を提供する ことを第 4の目的とする。
また本発明は、 そのような露光装置の製造方法、 及びそのような露光 露光方法又は露光装置を使用して高精度なデバイスを製造できるデバィ スの製造方法を提供することを第 5の目的とする。 発明の開示 本発明による第 1の露光方法は、 露光ビームで第 1物体 (R) を照明 し、 この第 1物体のパターンを経た露光ビームで投影系 (PL) を介し て第 2物体 (W) を露光する露光方法において、 その第 1物体を位置決 めする第 1ステージ系 (63) と、 その投影系と、 その第 2物体を位置 決めする第 2ステージ系 (64) とを相互に振動が伝わりにくいように 支持するものである。
斯かる本発明によれば、 第 1ステージ系、 及び第 2ステージ系で位置 決めや同期走査等の際に発生する振動は、 投影系には伝わりにくくなつ ている。 従って、 例えば投影系を支持する部材に各ステージ系の可動部 の位置を投影系を基準として計測する計測システムを配置することによ つて、 各ステージ系の可動部の位置を高精度に計測することができ、 こ の計測結果に基づいて駆動部を制御することで、 制御精度が向上する。 次に、 本発明による第 1の露光装置は、 照明系 (62) からの露光ビ —ムで第 1物体 (R) を照明し、 この第 1物体のパターンを経た露光ビ ームで投影系 (PL) を介して第 2物体 (W) を露光する露光装置にお いて、 その第 1物体を位置決めする第 1ステージ系 (63) と、 その第 2物体を位置決めする第 2ステージ系 (64) と、 その第 1ステージ系 とその投影系とその第 2ステージ系とが互いに独立にそれぞれ防振部材 ( 24 A, 24 B, 35 A, 3 5 B, 40 A, 40 B) を介して連結さ れる支持部材 (8A, 8 B, F 1 ) と、 を有するものである。 斯かる露 光装置によれば、 本発明の第 1の露光方法が使用できる。
この場合、 その投影系を内部の光学部材を実質的に密閉される構造と し、 その照明系のその第 1物体側の光学部材を囲む第 1チャンバ (6) と、 その第 1ステージ系を囲む第 2チャンバ (23) と、 その第 2ステ —ジ系を囲む第 3チャンバ (42) と、 その第 1チャンバとその第 2チ ャンバとその投影系とその第 3チャンバとの間をそれぞれ密閉する可撓 性を持つ連結部材 (2 5, 3 6 , 4 3 ) と、 を設けることが望ましい。 これによつて、 各チャンバ間等の境界部で外部の気体が露光ビームの光 路に混入しにくくなるため、 光学部材の曇り等が少なくなる。
また、 その露光ビームは、 波長 2 0 0 n m以下の真空紫外光である場 合に、 その第 1チャンバ、 その第 2チャンバ、 その投影系、 及びその第 3チャンバの内部の光路上にそれぞれその露光ビームに対して透過性の 気体を供給することが望ましい。 この場合に更に境界部が可撓性を持つ 連結部材である場合には、 その気体の純度の低下が抑制されるため、 そ の露光ビームの透過率が高く維持される。
次に、 本発明による第 2の露光方法は、 露光ビームで物体 (R, W) を露光する露光方法において、 その露光ビームの光路上、 及びその物体 の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように、 それぞれ内部の空間 を外気から実質的に隔離する 2つの気密室 ( 1 0 8 , 1 0 4 ) を配置し、 この隣り合う 2つの気密室内にその露光ビームを透過する気体を供給し、 その隣り合う 2つの気密室の間の空間を、 可撓性を有する膜状の材料よ り形成された被覆部材 ( 1 0 1 B ) によって実質的に密閉したものであ る。
斯かる本発明によれば、 その隣り合う 2つの気密室の間の空間をその 被覆部材によって密閉するため、 その露光ビームの光量を高く維持する ことができると共に、 その被覆部材が可撓性を有する材料より形成され ているため、 一方の気密室内で振動が生じても、 その振動が他方の気密 室に伝達しない。 従って、 例えばその物体を移動することにより振動が 発生しても、 その振動が投影光学系等に伝達して結像特性が悪化するよ うなことがなく、 高精度な露光を行うことができる。
次に、 本発明による第 2の露光装置は、 露光ビームで物体 (R, W) を露光する露光装置において、 その露光ビームの光路上、 及びその物体 の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置されて、 それぞれ 内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室 ( 1 0 8, 1 04) と、 この 2つの気密室内の気体の排気、 及びその気密室内へのその露光 ビームを透過する気体の給気を行う気体供給機構 ( 1 1 3) と、 可撓性 を有する膜状の材料より形成されると共に、 その隣り合う 2つの気密室 の間の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材 ( 1 0 1 B) とを有するものである。
また、 本発明による第 3の露光装置は、 第 1物体 (R) を介して露光 ビームで第 2物体 (W) を露光する装置において、 その第 1物体の搬送 経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置されて、 それぞれ内部の 空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室 ( 1 0 8 , 1 1 7 ) と、 この 2つの気密室内の気体の排気、 及びその気密室内へのその露光ビー ムを透過する気体の給気を行う気体供給機構 ( 1 1 3) と、 可撓性を有 する膜状の材料より形成されると共に、 その隣り合う 2つの気密室の間 の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材 ( 1 1 8 A) とを 有するものである。
斯かる本発明の第 2又は第 3の露光装置によれば、 本発明の第 2の露 光方法を実施することができる。
本発明の露光装置において、 その連結部材又はその被覆部材は、 気体 に対する遮断性の良好な第 1の材料 (エチレン · ビニル · アルコール、 ポリアミ ド、 ポリイミ ド、 又はポリエステル等) の薄膜を含むことが望 ましい。 これによつて、 その気密室の内側の露光ビームを透過する気体 の純度が高く維持される。
また、 その連結部材又はその被覆部材のその第 1の材料の薄膜の内面 に、 脱ガスの少ない第 2の材料 (例えば金属よりなる無機物等) よりな る薄膜が被着されることが望ましい。 その第 1の材料から発生する脱ガ スがその第 2の材料で遮られるため、 その気密室内の露光ビームを透過 する気体が高純度に維持される。
また、 その連結部材又はその被覆部材のその第 1の材料の外面に伸縮 性の良好な第 3の材料 (ポリエチレン膜等) よりなる薄膜をラミネート 加工によって被着し、 その連結部材又はその被覆部材を円筒状に巻くと 共に、 その連結部材又はその被覆部材の両端部のその第 3の材料同士を 溶着することによって、 その円筒状の形状の開放端を閉じるようにして もよい。 その第 1の材料はガス ·バリヤ性に優れるが、 伸縮性があまり よくない場合があるが、 この伸縮性がその第 3の材料によって補われる。 また、 本発明の第 1及び第 2のデバイスの製造方法は、 それぞれ本発 明の第 2の露光方法、 若しくは本発明の第 2又は第 3の露光装置を使用 してマスクパターン (R ) をその物体としての基板 (W) 上に転写する 工程を含むものである。 斯かる本発明によれば、 本発明の第 2の露光方 法、 若しくは本発明の第 2又は第 3の露光装置の使用により、 振動の影 響を低減して高精度な露光を行うことができ、 高機能のデバイスを製造 できる。
次に、 本発明による第 1の露光装置の製造方法は、 照明系からの露光 ビームで第 1物体を照明し、 この第 1物体のパターンを経た露光ビーム で投影系を介して第 2物体を露光する露光装置の製造方法において、 そ の照明系と、 その投影系と、 その第 1物体を位置決めする第 1ステージ 系と、 その第 2物体を位置決めする第 2ステージ系と、 その第 1ステ一 ジ系とその投影系とその第 2ステージ系とが互いに独立にそれぞれ防振 部材を介して連結される支持部材とを所定の位置関係で組み上げるもの である。
また、 本発明の第 3及び第 4のデバイスの製造方法は、 それぞれ本発 明の第 1の露光方法又は第 1の露光装置によりマスクパターンをその第 2物体としての基板上に転写する工程を含むものである。 斯かる本発明 によれば、 本発明の第 1の露光方法又は第 1の露光装置の使用により、 ステージ系の可動部の可動部の制御精度を向上して高精度な露光を行う ことができ、 高機能のデバイスを製造できる。
次に、 本発明による第 2の露光装置の製造方法は、 露光ビームで物体 を露光する露光装置の製造方法において、 その露光ビームの光路上、 及 びその物体の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置されて、 それぞれ内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室と、 この 2つの気密室内の気体の排気、 及びその気密室内へのその露光ビームを 透過する気体の給気を行う気体供給機構と、 可撓性を有する膜状の材料 より形成されると共に、 その隣り合う 2つの気密室の間の空間を実質的 に密閉するように設けられた被覆部材とを所定の位置関係で組み上げる ものである。
また、 本発明による第 3の露光装置の製造方法は、 第 1物体を介して 露光ビームで第 2物体を露光する露光装置の製造方法において、 その第 1物体の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置されて、 そ れぞれ内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室と、 この 2 つの気密室内の気体の排気、 及びその気密室内へのその露光ビームを透 過する気体の給気を行う気体供給機構と、 可撓性を有する膜状の材料よ り形成されると共に、 その隣り合う 2つの気密室の間の空間を実質的に 密閉するように設けられた被覆部材とを所定の位置関係で組み上げるも のである。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態の投影露光装置及び空調装置の概 略構成を示す断面図である。 図 2は、 その実施の形態の気体循環システ ムを示す一部を切り欠いた概略構成図である。 図 3は、 本発明の第 2の 実施の形態の投影露光装置を示す一部を切り欠いた概略構成図である。 図 4は、 図 3のフィルム状カバー 1 0 1 Aを示す斜視図である。 図 5は、 図 3のフィルム状カバー 1 0 1 Aを厚さ方向に拡大して示す横断面図で ある。 図 6 ( a ) は本発明の実施の形態の他の例のフィルム状カバー 1 4 1を示す斜視図、 図 6 ( b ) はフィルム状カバー 1 4 1の一部を厚さ 方向に拡大して示す横断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好適な第 1の実施の形態につき図面を参照して説明す る。 本例は、 露光ビームの光路の大部分に高透過率の気体が供給される ステップ ' アンド · スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用したも のである。
図 1は、 本例の投影露光装置、 及び空調装置の概略構成を示し、 図 1 において、 半導体製造工場の或る階の床 F 1上のクリーンルーム内に投 影露光装置が設置され、 その階下の床 F 2上のいわゆる機械室 (ユーテ イ リティスペース) 内に、 階上の投影露光装置の周囲に温調された空気 を供給する空調装置が設置されている。 床 F 2上にはその投影露光装置 の露光ビームの光路に対して高透過率の気体を循環させる気体循環装置 (図 2参照) も設置されている。 このように発塵し易いと共に、 振動発 生源となり易い装置を、 投影露光装置が設置されている階と別の階に設 置することによって、 投影露光装置が設置されているクリーンルーム内 の清浄度を極めて高く設定できると共に、 投影露光装置に対する振動の 影響を小さくできる。 なお、 後述の光源系 6 1も床 F 2上に配置しても よい。
先ず、 図 1の床 F 1上のクリーンルーム内に、 光源系 6 1、 照明系 6 2、 レチクルステージ系 6 3、 投影光学系 P L、 及びウェハステージ系 64よりなる投影露光装置が設置されている。 光源系 6 1及び照明系 6 2が照明光学系を構成している。 この投影露光装置を支持するために、 床 F 1上にコラム 8 A, 8 Bが安定に固定され、 コラム 8 A及び 8 Bの 上部は天井板 8 Cによって連結されている。 本実施の形態 (図 1 ) では、 床 F l、 及びコラム 8 A, 8 Bが本発明の支持部材に対応しているが、 後述する第 2の実施形態 (図 3) に示すように投影露光装置を床上にベ —ス部材 ( 1 0 2 C) 介して設置してもよいし、 あるいはウェハステ一 ジ系 6 4が載置される定盤 3 9をフレームなどによってコラム 8 A, 8 Bから吊り下げてもよい。 前者ではべ一ス部材及びコラム 8 A, 8 B力 後者ではコラム 8 A, 8 Bが本発明の支持部材に対応することになる。 そして、 光源系 6 1及び照明系 6 2はそれぞれ気密性の高い箱状の第 1サブチャンバ 1、 及び第 2サブチャンバ 6内に収納され、 第 1サブチ ヤンバ 1は床 F 1上に防振台 2 A, 2 Bを介して設置され、 コラム 8 A の上部及び天井板 8 Cの一部に照明系 6 2が収納された第 2サブチャン バ 6が直接固定され、 コラム 8 A, 8 Bの間の床 F 1上に防振台 40 A, 40 Bを介してウェハステージ系 64が設置されている。 防振台 4 O A, 40 Bは例えばエアダンパ及びボイスコイルモー夕 (VCM) 方式の電 磁ダンパ等を組み合わせた能動的な防振機構である。 なお、 第 2サブチ ヤンバ 6を筐体として、 この筐体に照明系 6 2の鏡筒を収納してもよい 、 その照明系 6 2の鏡筒の気密性を高めて、 この鏡筒を第 2サブチヤ ンバ 6 (本発明の第 1チャンバに対応する) とみなしてもよい。 要は、 サブチャンバは筐体には限定されない。
また、 コラム 8 A, 8 Bの間でウェハステージ系 64の上部に防振機 構 3 5 A, 3 5 Bを介して支持板 3 2が設置され、 支持板 3 2の中央部 の開口に投影光学系 P Lが載置されている。 また、 コラム 8 A, 8 Bの 間の投影光学系 P Lの上部に防振機構 2 4 A , 2 4 Bを介してレチクル ステージ系 6 3が設置されている。 防振機構 3 5 A, 3 5 B , 2 4 A , 2 4 Bとしては、 例えば水平方向に伸縮可能なエアダンパ又は油圧ダン パ等が使用できる。 即ち、 本例の第 1ステージ系としてのレチクルステ —ジ系 6 3、 投影系としての投影光学系 P L、 及び第 2ステージ系とし てのウェハステージ系 6 4は、 互いに振動が伝わりにくい状態で床 F 1 及びコラム 8 A , 8 Bに支持されている。 なお、 照明系 6 2は殆ど振動 を発生しないため、 直接コラム 8 A等に固定しても悪影響は殆どない。 但し、 照明系 6 2の少なくとも一部をコラム 8 A, 8 Bとは分離して配 置してもよい。 例えば、 後述の固定ブラインド 1 5 Aで照明光学系を 2 分割し、 固定ブラインド 1 5 A及びこれよりレチクル側に配置される光 学系を本体側 (コラム 8 A, 8 B ) に設け、 残りをコラム 8 A, 8 Bと は別の架台に設けてもよい。 このとき、 照明光学系内で可動又は交換可 能な光学素子 (例えば可動ブラインド 1 5 Bなど) はその別の架台に配 置しておくとよい。 また、 分離された照明系 6 2の少なくとも一部と本 体側 (レチクルステージ系 6 3及び投影光学系 P L等) との相対位置関 係を検出するセンサを設けておくことが望ましい。
また、 レチクルステージ系 6 3、 及びウェハステージ系 6 4はそれぞ れ気密性の高い箱状の第 3サブチャンバ 2 3、 及び第 4サブチャンバ 4 2内に収納されており、 投影光学系 P L中の各光学部材の間の空間は実 質的に密閉されて気密室とされている。 本例では露光ビームとして A r Fエキシマレーザ (波長 1 9 3 n m) が使用されているが、 このような 真空紫外光は酸素によって大きく吸収されてしまうため、 本例では光路 上での減衰を防止するために、 その露光ビームの光路上に高透過率で化 学的に安定な気体としての窒素ガス (N 2)を供給している。 なお、 高透 過率で安定な気体としてはヘリウムガス (H e ) 等も使用できるが、 波 長 1 5 0 n m程度までは窒素でも十分な透過率を有すると共に、 窒素は ヘリゥムに比べて安価であるため、 本例では窒素ガスを用いている。 そこで、 本例では、 後述の気体循環システムによって、 第 1サブチヤ ンノ 1、 第 2サブチャンバ 6、 第 3サブチャンバ 2 3、 及び第 4サブチ ヤンバ 4 2の内部にはそれぞれ高純度の窒素ガスが供給 (パージ) され ており、 投影光学系 P L内の気密室にも高純度の窒素ガスが供給されて いる。 更に、 第 2サブチャンバ 6と第 3サブチャンバ 2 3との境界部、 レチクルステージ系 6 3の底面と投影光学系 P Lの上部との境界部、 投 影光学系 P Lの下部と第 4サブチャンバ 4 2との境界部には、 それぞれ 或る程度の可撓性を有するがそれ程変形量は大きくならないステンレス 製の溶接べローズなどのべローズ 2 5 , 3 6, 4 3が取り付けられてい る。 このようにベロ一ズ 2 5, 3 6, 4 3の材料としては、 脱ガスが少 ない材料 (金属など) が好ましい。 あるいは、 ベローズ 2 5, 3 6, 4 3として脱ガス防止用にテフロンでコートされた材料を用いてもよい。 なお、 ベローズ 2 5 , 3 6, 4 3として合成樹脂や合成ゴムなどの材料 も可能であり、 この場合も脱ガス防止用のコーティングを施すことが好 ましい。 これらのベローズ 2 5, 3 6, 4 3によってそれらの境界部は 実質的に密閉されているため、 露光ビームの光路はほぼ全部が密封され ていることになる。 この結果、 外部から露光ビームの光路上に不純物の 気体が混入することは殆ど無く、 露光ビームの減衰量は極めて低く抑え られている。
以下、 本例の投影露光装置の構成につき詳細に説明する。 先ず、 第 1 サブチャンバ 1内に A r Fエキシマレーザ光源よりなる露光光源 3、 露 光本体部との間で光路を位置的にマッチングさせるための可動ミラー等 を含むビームマッチングユニッ ト (B M U ) 4、 及び遮光性の材料から 形成され内部を露光ビームが通過するパイプ 5が設置されている。 露光 時に、 露光光源 3から射出された露光ビームとしての波長 1 9 3 n mの 紫外パルス光 I Lは、 B M U 4及びパイプ 5の内部を経て第 2サブチヤ ンバ 6内に至る。 第 2サブチャンバ 6内において、 紫外パルス光 I Lは、 光アツテネ一夕としての可変減光器 9、 レンズ系 1 0 A, 1 0 Bよりな るビーム整形光学系を経てオプティカル ·インテグレ一夕 (ホモジナイ ザ一) としてのフライアイレンズ 1 1に入射する。 フライアイレンズ 1 1の射出面には照明条件を種々に変更するための照明系の開口絞り系 1 2が配置されている。
フライアイレンズ 1 1から射出されて開口絞り系 1 2中の所定の開口 絞りを通過した紫外パルス光 I Lは、 反射ミラ一 1 3、 及びコンデンサ レンズ系 1 4を経てレチクルブラインド機構 1 6内のスリツ ト状の開口 部を有する固定照明視野絞り (固定ブラインド) 1 5 A、 及び固定ブラ インド 1 5 Aとは別に照明視野領域の走査方向の幅を可変とするための 可動ブラインド 1 5 Bに入射する。 この可動ブラインド 1 5 Bによって レチクルステージの走査方向の移動ストロークの低減、 及びレチクル R の遮光帯の幅の低減を図っている。
レチクルブラインド機構 1 6の固定ブラインド 1 5 Aでスリッ ト状に 整形された紫外パルス光 I Lは、 結像用レンズ系 1 7、 反射ミラー 1 8、 及び主コンデンサレンズ系 1 9を介して、 レチクル Rの回路パターン領 域上のスリッ 卜状の照明領域を一様な強度分布で照射する。 本例では、 可変減光器 9からから主コンデンサレンズ系 1 9までの光学部材より照 明系 6 2が構成されている。
紫外パルス光 I Lのもとで、 レチクル Rの照明領域内の回路パターン の像が投影光学系 P Lを介してウェハ (waf er) W上のレジスト層のスリ ッ ト状の露光領域に転写される。 その露光領域は、 ウェハ上の複数のシ ョット領域内の 1つのショッ卜領域上に位置している。 本例の投影光学 系 P Lは、 ジォプトリック系 (屈折系) であるが、 このような短波長の 紫外光を透過できる硝材は限られているため、 投影光学系 P Lをカ夕ジ ォプトリック系 (反射屈折系) 、 又は反射系として、 投影光学系 P Lで の紫外パルス光 I Lの透過率を高めるようにしてもよい。 以下では、 投 影光学系 P Lの光軸 A Xに平行に Z軸を取り、 Z軸に垂直な平面 (本例 ではほぼ水平面である) 内で図 1の紙面に平行に X軸、 図 1の紙面に垂 直に Y軸を取って説明する。
このとき、 レチクル Rは、 レチクルステージ 2 0上に吸着保持され、 レチクルステージ 2 0は、 レチクルべ一ス 2 1上に X方向 (走查方向) に等速移動できると共に、 X方向、 Y方向、 回転方向に微動できるよう に載置されている。 レチクルステージ 2 0の側面には不図示の移動鏡が 固定され、 投影光学系 P Lの上部側面には参照鏡 2 2が固定されている。 そして、 投影光学系 P Lを支持する支持板 3 2にレチクル用の干渉計本 体部 3 3が固定され、 干渉計本体部 3 3の上部はレチクルベース 2 1の 開口を通して第 3サブチャンバ 2 3内に達している。 干渉計本体部 3 3 の周囲の開口は、 例えば弾性を有し、 脱ガスが少ない樹脂等で封止され ている。 干渉計本体部 3 3からレチクルステージ 2 0の移動鏡、 及び投 影光学系 P Lの参照鏡 2 2にそれぞれレーザビームが照射され、 干渉計 本体部 3 3では、 参照鏡 2 2 (投影光学系 P L ) を基準としてレチクル ステージ 2 0の 2次元的な位置、 及び回転角を計測し、 計測結果を不図 示の駆動制御装置に供給している。 レチクルステージ 2 0及びレチクル ベース 2 1等よりレチクルステージ系 6 3が構成され、 干渉計本体部 3 3が第 1計測系に対応している。
一方、 ウェハ Wはウェハホルダ 3 7上に吸着保持され、 ウェハホルダ 3 7はウェハステージ 3 8上に固定され、 ウェハステージ 3 8は定盤 3 9上に載置されている。 ウェハステージ 3 8は、 オートフォーカス方式 でウェハ Wのフォーカス位置 (Z方向の位置) 、 及び傾斜角を制御して ウェハ Wの表面を投影光学系 P Lの像面に合わせ込むと共に、 ウェハ W の X方向への等速走査、 及び X方向、 Y方向へのステッピングを行う。 ウェハステージ 3 8の側面にも不図示の移動鏡が固定され、 投影光学系 P Lの下部側面には参照鏡 4 1が固定されている。 そして、 投影光学系 P Lを支持する支持板 3 2にウェハ用の干渉計本体部 3 4が固定され、 干渉計本体部 3 4の下部は第 4サブチャンバ 4 2内の定盤 3 9上に達し ている。 第 4サブチャンバ 4 2の開口と干渉計本体部 3 4との間の隙間 は、 例えば弾性を有し、 脱ガスが少ない樹脂等で封止されている。
干渉計本体部 3 4からウェハステージ 3 8の移動鏡、 及び投影光学系
P Lの参照鏡 4 1にそれぞれレーザビームが照射され、 干渉計本体部 3 4では、 参照鏡 4 1 (投影光学系 P L ) を基準としてウェハステージ 3 8の 2次元的な位置、 及び回転角 (ョ Γング量、 ピッチング量、 及び ローリング量を含む) を計測し、 計測結果を不図示の駆動制御装置に供 給している。 ウェハホルダ 3 7、 ウェハステージ 3 8及び定盤 3 9等よ りウェハステージ系 6 4が構成され、 干渉計本体部 3 4が第 2計測系に 対応している。 また、 例えば支持板 3 2に、 投影光学系 P Lに対するレ チクルベース 2 1の Z方向の間隔及び傾斜角を計測するセンサ、 及び投 影光学系 P Lに対する定盤 3 9の Z方向の間隔及び傾斜角を計測するセ ンサを計測系として設けることが望ましい。 走査露光時には、 レチクル ステージ 2 0を介して紫外パルス光 I Lの照明領域に対してレチクル R が + X方向 (又は— X方向) に速度 V rで走査されるのに同期して、 ゥ ェハステージ 3 8を介して露光領域に対してウェハ Wが—X方向 (又は + X方向) に速度 /3 ' V r ( /3はレチクル Rからウェハ Wへの投影倍率) で走査される。 レチクル Rとウェハ Wとの走査方向が逆であるのは、 投 影光学系 P Lが反転投影を行うからである。 また、 本例では、 コラム 8 A, 8 B、 照明系 6 2が収納される第 2サ ブチャンバ 6のレチクル側の部分、 第 3サブチャンバ 2 3、 投影光学系 P L、 及び第 4サブチャンバ 42が全体として大型の箱状のチャンバ 7 内に収納されており、 チャンバ 7の上部には、 階下の床 F 2上の空調装 置 5 2から配管 5 1を介して温度制御された空気が供給され、 供給され た空気は、 拡散部 49を経て HE P Aフィル夕 (high efficiency part iculate air-filter) 等の除塵フィル夕や微量な有機物等を除去するケ ミカルフィルタを含むフィル夕部 5 0に入り、 フィル夕部 5 0を通過し た空気が第 2サブチャンバ 6〜第 4サブチャンバ 42の周囲を下方に流 れて (ダウンフロー) 、 チャンバ 7の底面部の不図示の開口から排気さ れている。 これによつて、 本例の第 2サブチャンバ 6〜第 4サブチャン バ 4 2の周囲は温度がほぼ一定の状態に維持されている。
更に、 レチクルベース 2 1上の端部からコラム 8 Bの開口部及びチヤ ンバ 7の開口部にかけて、 レチクルステージ系 6 3と外部との間でレチ クルの受け渡しを行うために、 一時レチクルをほぼ完全な気密状態で保 持しておくためのロードロック室 2 6が設置され、 ロードロック室 2 6 の側面に接するように、 不図示のレチクルライブラリとの間でレチクル の受け渡しを行うためのレチクルローダ系 2 8が配置されている。 レチ クルローダ系 2 8は、 コラム 8 Bの側面に固定されてチャンバ 7の開口 を通過した支持板 2 7上に固定され、 レチクルローダ系 2 8を覆うよう に第 5サブチャンバ 2 9が設けられている。 ロードロック室 2 6のレチ クルローダ系 2 8及びレチクルステージ 2 1に対向する面にそれぞれ開 閉自在の扉が設置され、 ロードロック室 2 6の周囲は密閉されている。 また、 定盤 3 9上の端部からコラム 8 Bの開口部及びチャンバ 7の開 口部にかけて、 ウェハステージ系 64と外部との間でウェハの受け渡し を行うために、 周囲が密閉された状態でロードロック室 44が設置され, ロードロック室 4 4の側面に接するように、 不図示の搬送ラインとの間 でウェハの受け渡しを行うためのウェハローダ系 4 5が配置されている。 ウェハ口一ダ系 4 5は、 床 F 1上に固定され、 ウェハローダ系 4 5を覆 うように第 6サブチャンバ 4 6が設けられている。 ロードロック室 4 4 にもそれぞれ開閉自在の 1対の扉が設置されている。 階下の空調装置 5 2から配管 3 1及び配管 4 8を介してそれぞれ第 5サブチャンバ 2 9及 び第 6サブチャンバ 4 8の上部に温度制御された空気が供給され、 供給 された空気はフィル夕部 3 0及び 4 7を通過してそれぞれレチクル口一 ダ系 2 8及びウェハ口一ダ系 4 5の周囲を下側に流れて排気されている。
このように本例では、 第 2サブチャンバ 6〜第 4サブチャンバ 4 2の 外部を温度制御された空気が流れているが、 第 2サブチヤンバ 6〜第 4 サブチャンバ 4 2の気密度は高いと共に、 ベローズ 2 5, 3 6 , 4 3が 設けられているため、 紫外パルス光 I Lの光路上に空気が混入すること は殆どなく、 紫外パルス光 I Lの利用効率は高く維持される。 これに対 して、 投影露光装置の各部を囲むサブチャンバの気密度が低い場合には、 チャンバ 7中にも全体として窒素ガス等のいわゆる不活性な高透過率の 気体を流すことが望ましくなるが、 このようにチャンバ 7中に全体とし て不活性な気体を流すのでは温調設備が高価なものとなり、 運転コスト も増大するという不都合がある。
更に本例では、 レチクルローダ系 2 8及びゥェ八ローダ系 4 5の周囲 にも温調された空気が供給されているが、 これらを囲むサブチヤンバ 2 9及び 4 6とサブチャンバ 2 3及び 4 2との間にはそれぞれ口一ドロッ ク室 2 6及び 4 4が配置されている。 従って、 例えばレチクル Rの交換 時には、 右側の扉を閉じてロードロック室 2 6内にレチクル Rを収納し て、 左右の扉を密閉した後、 右側の扉を開けてロードロック室 2 6内の レチクル Rを別のレチクルと交換する。 その後、 ロードロック室 2 6の 左右の扉を閉じて後述の排気装置を用いて内部を排気してから窒素ガス を封入する。 次に、 左側の扉を開けてロードロック室 2 6内のレチクル をレチクルステージ 2 0上にロードすることによって、 レチクルローダ 系 2 8側の空気の第 3サブチャンバ 2 3内への混入が防止される。 同様 の動作によって、 ウェハ口一ダ系 4 5側の空気の第 4サブチャンバ 4 2 内への混入が防止される。 受け渡し用のチャンバとしてのロードロック 室 2 6 , 4 4が設けられているため、 レチクルローダ系 2 8及びウェハ ローダ系 4 5の周囲にも温調された空気を流すことができる。
なお、 上記の実施の形態において、 サブチャンバ 6, 2 3, 4 2の材 料、 又はそれらの内部にそれぞれ配置される部材、 例えば干渉計本体部 3 3, 3 4の一部などは、 ステンレス製とするか、 あるいはテフロンコ ートを施す等として、 脱ガスをできるだけ少なくすることが望ましい。 次に、 本例の投影露光装置の気体循環システムの構成につき図 2を参 照して説明する。 なお、 図 2において、 図 1に対応する部分には同一符 号を付してその詳細説明を省略する。
図 2は、 本例の投影露光装置の気体循環システムを示し、 この図 2に おいて、 投影露光装置が設置されている床 F 1の階下の床 F 2上に真空 ポンプを含む排気装置 6 5、 窒素ガスの回収装置 6 6、 液体窒素等の形 で高純度の窒素を蓄積する蓄積装置 6 7、 及び窒素ガスを温度調整して 外部に供給する温調装置 6 8が設置されている。 排気装置 6 5は 2本の 排気管 7 0及び 7 2を介して選択的に気体を真空状態まで吸引し、 吸引 された気体を配管 7 4を介して回収装置 6 6に供給する。 回収装置 6 6 は、 排気管 7 3から気体を吸引する吸引部、 この吸引部からの気体及び 配管 7 4を介して回収された気体から窒素ガスを分離する分離部、 分離 された窒素ガスの一時的な蓄積を行う蓄積部、 及び蓄積された窒素ガス を配管 7 5を介して温調装置 6 8に供給する供給部より構成されている c 蓄積装置 6 7は、 蓄積された窒素を必要に応じてバルブ V 2 2が設けら れた配管 7 6を介して温調装置 6 8に供給する。 温調装置 6 8は、 配管 7 5及び 7 6を介して供給される気体 (ここでは窒素ガス) の温度を制 御する温度制御部と、 この温度制御部から供給される気体を必要に応じ て送風する送風部と、 送風された気体の除塵を行う H E P Aフィル夕や ケミカルフィル夕を含むフィル夕部 7 7とを有し、 フィルタ部 7 7を通 過した気体が給気管 6 9に供給される。
フィル夕部 7 7では、 塵埃や水分などの他に不純物 (汚染物質) も除 去される。 ここで除去される不純物は、 露光光源 3、 照明光学系、 及び 投影光学系 P Lの各光学素子の表面に付着してその曇りの原因となる物 質、 あるいは露光ビームの光路内に浮遊して照明光学系や投影光学系 P Lの透過率 (照度) 若しくは照度分布などを変動させる物質、 又はゥェ 八 W (レジスト) の表面に付着して現像処理後のパターン像を変形させ る物質などである。 フィルタ部 7 7中の一部のフィル夕として、 活性炭 フィル夕 (例えば、 ニッ夕株式会社製のギガソ一ブ (商品名) ) 、 又は ゼォライ トフィル夕、 あるいはこれらを組み合わせたフィル夕が使用で きる。 これにより、 照明光学系、 及び投影光学系 P Lの内部に存在する シロキサン (s i l oxane : S i —〇の鎖が軸となる物質) 又はシラザン ( s i l azane : S i— Nの鎖が軸となる物質) などのシリコン系有機物が 除去される。 図 2において、 回収装置 6 6及び温調装置 6 8が本発明の 気体循環装置に対応している。
そして、 床 F 1上の投影露光装置において、 階下からの給気管 6 9の 先端部がバルブ V 1を持つ第 1分岐管〜バルブ V 7を持つ第 7分岐管に 分岐しており、 バルブ V 1を持つ第 1分岐管が第 1サブチャンバ 1 (光 源系 6 1 ) に接続され、 バルブ V 2を持つ第 2分岐管が第 2サブチャン バ 6 (照明系 6 2 ) に接続され、 バルブ V 3を持つ第 3分岐管が第 3サ ブチャンバ 2 3 (レチクルステージ系 6 3 ) に接続され、 バルブ V 4を 持つ第 4分岐管が投影光学系 P Lの気密室に接続され、 バルブ V 5を持 つ第 5分岐管が第 4サブチャンバ 4 2 (ウェハステージ系 6 4 ) に接続 され、 バルブ V 6を持つ第 6分岐管及びバルブ V 7を持つ第 7分岐管が それぞれロードロック室 2 6及び 4 4に接続されている。 従って、 温調 装置 6 8からの気体の送風動作と、 バルブ V 1〜V 7の選択的な開閉動 作とによって、 第 1サブチャンバ 1〜口一ドロック室 4 4までの何れの 気密室にも随時露光ビームに対して透過性の気体 (ここでは窒素ガス) をパージできるように構成されている。
また、 第 1サブチャンバ 1〜第 3サブチャンバ 2 3、 投影光学系 P L の気密室、 及び第 4サブチャンバ 4 2がそれぞれバルブ V 1 1〜V 1 5 を持つ分岐管を介して排気管 7 1に接続され、 排気管 7 1はバルブ V 2 0及び V 2 1を介して排気管 7 2及び 7 3に接続されている。 従って、 バルブ V 2 0 , V 2 1の選択的な開閉によって、 第 1サブチャンバ 1〜 第 4サブチャンバ 4 2中の気体は随時排気装置 6 5又は回収装置 6 6に よって排気することができる。 そして、 ロードロック室 2 6及び 4 4は、 それぞれバルブ V 1 6及び V 1 7を持つ分岐管を介して排気管 7 0に接 続されており、 バルブ V 1 6及び V 1 7の選択的な開閉によってロード ロック室 2 6, 4 4中の気体は、 随時排気装置 6 5によって真空状態ま で排気することができる。
また、 第 1サブチャンバ 1〜ロードロック室 4 4の内部にはそれぞれ 圧力センサや、 酸素等の不純物の濃度を検出するための不純物センサ (酸素濃度計等が使用できる) が設けてある。 そして、 不純物センサの 検出結果が許容範囲を超えた場合には、 対応するチャンバ又は気密室中 の排気を行った後、 その圧力センサで検出される圧力が所定の基準圧力 (例えば大気圧等) になるまで、 その対応するチャンバ又は気密室中に 透過性の気体を供給することが望ましい。
次に、 投影露光装置の各部に透過性の気体を循環させるための動作の 一例につき説明する。 先ず露光装置の稼働開始時等で第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチャンバ 4 2中に空気が満ちている場合には、 バルブ V 1 〜V 5 , V 2 1を閉じてバルブ V 1 1〜V 1 5, V 2 0を開いて排気装 置 6 5を介して急速に排気を行う。 そして、 或る程度排気が行われた時 点でバルブ V 1 1〜V 1 5を閉じてバルブ V 1〜V 5を開いて、 温調装 置 6 8から第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチヤンバ 4 2中に透過性の気 体を供給する。 そして、 第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチャンバ 4 2中 の不純物 (酸素等) の濃度が許容範囲内に収まるまで、 排気装置 6 5に よる排気と温調装置 6 8からの給気とを繰り返す。
そして、 不純物濃度が許容範囲内に収まった後にバルブ V 2 0を閉じ て、 バルブ 2 1を開いて露光動作を開始して、 露光動作中に第 1サブチ ャンバ 1〜第 4サブチヤンバ 4 2中の不純物濃度が上昇したときに、 そ の中の気体を僅かに入れ換えるために、 回収装置 6 6を介して或る程度 の排気を行ってから、 温調装置 6 8を介して透過性の気体のパージを行 う。 この動作によって、 透過性の気体の使用量を低減することができ、 運転コストを低減することができる。
また、 レチクル又はウェハの交換時には、 既に説明したようにロード ロック室 2 6又は 4 4中に次に使用するレチクル又はウェハを収納して 左右の扉をロックした状態で、 排気装置 6 5による急速排気と温調装置 6 8からの気体の供給とを行うことによって、 レチクルローダ系又はゥ ェハローダ系から露光ビームの光路側への不純物の混入量を殆ど無くす ことができる。 このため、 露光工程のスループットが殆ど低下しない利 点がある。
なお、 本例では第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチャンバ 4 2中に同じ 種類の透過性で安定な気体 (ここでは窒素ガス) を供給しているが、 例 えば投影光学系 P L中のように光学特性の安定性が特に求められる部分 に対しては別の透過性で安定な気体であるヘリゥムガスを供給するよう にしてもよい。 ヘリウムガスは、 高価ではあるが、 熱伝導率が窒素ガス の 6倍程度で放熱効果に優れると共に、 屈折率の変動量が少ないために 結像特性等が安定する利点がある。 ヘリゥムガスも循環させて使用する ことによって、 運転コストの上昇を抑制できる。
更に、 図 2の回収装置 6 6においては、 回収した窒素をコンプレッサ によって 1 0 0〜2 0 0気圧程度に圧縮するか、 あるいはタービンなど を用いた液化機によって液化して内部のボンベに保存するようにしても よい。
更に、 本例では照明光学系の大部分を第 2サプチヤンバ 6に収納し、 第 2サブチヤンバ 6の一部をチヤンバ 7内に設置したが、 例えば第 2サ ブチャンバ 6の全てをチャンバ 7内に設置してもよい。 この場合、 第 2 サブチャンバ 6中の不純物の量を減少させることができる。
また、 上記の実施の形態では、 第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチャン バ 4 2内にそれぞれ単一の気体 (窒素、 又はヘリウムやネオンなどの稀 ガス等) を供給するものとしたが、 例えば窒素とヘリウムとを所定比で 混合した気体を供給するようにしてもよい。 この場合、 混合気体は窒素 とヘリウムとの組み合わせに限られるものではなく、 ネオン、 水素など と組み合わせてもよい。
更に、 第 1サブチャンバ 1〜第 4サブチャンバ 4 2、 投影光学系 P L, 及びロードロック室 2 6, 4 4の少なくとも 1つとそれ以外とで、 供 される透過性で化学的に安定な気体 (窒素、 ヘリウムなどのいわゆる不 活性な気体) の純度 (濃度) 、 即ち不純物 (酸素、 水蒸気、 有機物など) の濃度を異ならせてもよい。 また、 3グループ以上に分けて、 それぞれ 同じ種類の気体の純度 (不純物濃度) を異ならせてもよい。
なお、 照明光学系、 投影光学系、 レチクルステージ系、 及びウェハス テージ系等の各ュニッ 卜の構成やその支持方法は、 上記の実施の形態 (図 1、 図 2 ) に限られるものではなく、 各ユニッ トを互いに振動が伝 わりにくいように支持するものであれば、 いかなるものでもよい。
なお、 ベローズ 2 5, 3 6 , 4 3は前述した全ての接続部に設けなく てもよく、 少なくとも 1つの接続部に設けるだけでもよい。 また、 照明 光学系又は投影光学系を複数の気密室に分けて収納するときにその接続 部に前述のベローズを設けてもよい。 これは、 レチクルローダ系 2 8又 はウェハローダ系 4 5を複数の気密室に分けて収納するときも同様であ る。 さらに、 第 3サブチャンバ 2 3又は第 4サブチャンバ 4 2の外部に その一部が配置される光学系 (例えば、 干渉計本体部 3 3 , 3 4、 レチ クルァライメント系、 ウェハァライメント系、 オートフォーカスセンサ 等) を収納する鏡筒 (筐体) とそのサブチャンバとの接続部にベローズ を設けてもよい。 また、 上記各サブチャンバや投影光学系などとパージ ガスの給排気用の配管との接続部にベローズを設けてもよい。
また、 上記の実施の形態では、 A r Fエキシマレ一ザを露光ビームと して用いたが、 例えば K r Fエキシマレ一ザ (波長 2 4 8 n m) 、 F 2 レーザ (波長 1 5 6 n m) 、 K r 2 レ一ザ (波長 1 4 7 n m) 、 又は A r 2 レ一ザ (波長 1 2 6 n m) 等を用いてもよく、 これらの光源を備え た露光装置に対しても本発明を適用することができる。 但し、 例えば K r Fエキシマレーザを用いる露光装置では、 投影光学系内の空気を窒素、 又はヘリウム等に置換する必要はなく、 K r Fエキシマレーザ光源、 及 び照明光学系内の空気を窒素等に置換するだけでよい。
更に、 エキシマレ一ザの代わりに、 露光ビームとして例えば波長 2 4 8 n m、 1 9 3 n m, 1 5 7 n mの何れか、 又はこれらの近傍に発振ス ぺクトルを持つ Y A Gレ一ザ等の固体レーザの高調波を用いる場合にも 本発明が適用される。
次に、 本発明の好適な第 2の実施の形態につき図面を参照して説明す る。 本例は、 露光ビームとして真空紫外光を使用するステップ · アンド · スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用したものである。
上記の第 1の実施の形態の露光装置では、 露光ビームの光路上の雰囲 気を露光ビームが透過する気体で置換するために、 レチクルステージ系、 ウェハステージ系、 及び投影光学系の内部の各レンズを気密ュニット内 に収納し、 隣接する気密ュニッ ト間の空間を金属等のベローズ機構によ り密封している。
しかしながら、 気密ュニッ 卜間に設置されるべローズ機構が金属製で 剛性が高い場合には、 ウェハステージ系ゃレチクルステージ系を駆動し た際に発生する振動、 及びそれらのステージ系の重心の移動 (偏荷重) による気密ュニッ 卜の変形等が、 ベローズ機構を介して投影光学系に伝 達して、 投影光学系の結像特性が悪化する恐れがある。 また、 それらの ステージ系から発生する振動や偏荷重の影響が、 レーザ干渉計ゃァライ メン卜装置等に伝わり、 これらの測定精度が悪化する恐れもある。 この ような振動の影響はべローズ機構の剛性を調整することで或る程度は軽 減できるが、 更にその影響を軽減することが望ましい。
また、 レチクルステージ系やウェハステージ系の外気への開放を最小 限に抑えるために、 レチクルローダ系やウェハローダ系と露光装置本体 との間にもそれぞれ金属製のベローズ機構を設置することも検討されて いる。 しかしながら、 この場合にも、 それらのローダ系から発生する振 動や偏荷重の影響が露光装置本体に伝達し、 投影光学系の結像特性ゃレ 一ザ干渉計等の測定精度が悪化する恐れがある。 また、 それらのローダ 系から発生する振動や偏荷重の影響による投影光学系の結像特性ゃレ一 ザ干渉計等の測定精度の悪化を軽減するためには、 レチクルローダ系や ウェハローダ系にも防振機構を設ければよいが、 これでも振動等の影響 が残る恐れがあると共に、 露光装置の製造コス卜が高くなるという不都 合が生じる。 そこで、 以下の第 2の実施の形態では、 更に防振特性を向 上させた例について説明する。
図 3は本例の投影露光装置を示す概略構成図であり、 この図 3におい て、 本例の投影露光装置は、 露光光源として、 A r Fエキシマレーザ光 源 (波長 1 9 3 nm) を使用しているが、 それ以外の F2 レーザ光源 (波長 1 57 nm) 、 K r 2 レーザ光源 (波長 146 nm) 、 YAGレ 一ザの高調波発生装置、 半導体レーザの高調波発生装置等の真空紫外光 (本例では波長 200 nm以下の光) を発生する光源も使用することが できる。 但し、 露光光源として K r Fエキシマレーザ光源 (波長 248 nm) や水銀ランプ ( i線等) 等を使用する場合にも、 露光ビームの透 過率を特に高めたい場合には本発明が適用できる。
本例のように露光ビームとして真空紫外光を使用する場合、 真空紫外 光は、 通常の大気中に存在する酸素、 水蒸気、 炭化水素系ガス (二酸化 炭素等) 、 有機物、 及びハロゲン化物等の吸光物質によって大きく吸収 されるため、 露光ビームの減衰を防止するためには、 これらの吸光物質 (不純物) の気体の濃度を 1 0〜 1 00 p pm程度以下に抑える必要が ある。 そこで本例では、 その露光ビームの光路上の気体を、 露光ビーム が透過する気体、 即ち窒素 (N2 ) ガス、 又はヘリウム (He) 、 ネオ ン (N e) 、 アルゴン (A r) 、 クリプトン (K r) 、 キセノン (X e) 、 若しくはラドン (Rn) よりなる希ガス等の露光ビームに対して 高透過率で化学的に安定であると共に、 吸光物質が高度に除去された気 体 (以下、 「パージガス」 と呼ぶ。)で置換する。
なお、 窒素ガスは、 真空紫外域中でも波長 1 50 nm程度までは露光 ビームが透過する気体 (パージガス) として使用することができるが、 波長が 1 5 0 n m程度以下の光に対してはほぼ吸光物質として作用する ようになる。 そこで、 波長が 1 5 0 n m程度以下の露光ビームに対する パージガスとしては希ガスを使用することが望ましい。 また、 希ガスの 中では屈折率の安定性、 及び高い熱伝導率等の観点より、 ヘリウムガス が望ましいが、 ヘリウムは高価であるため、 運転コスト等を重視する場 合には他の希ガスを使用してもよい。 また、 パージガスとしては、 単一 の種類の気体を供給するだけでなく、 例えば窒素とヘリウムとを所定比 で混合した気体のような混合気体を供給するようにしてもよい。
そして、 本例では屈折率の安定性 (結像特性の安定性) 、 及び高い熱 伝導率 (高い冷却効果) 等を重視して、 そのパージガスとしてヘリウム ガスを使用するものとする。 そのため、 例えば本例の投影露光装置が設 置されている床の階下の機械室には、 投影露光装置及びこれに付属する 装置内の複数の気密室に対して高純度のパージガスを供給し、 それもの 気密室を流れた気体を回収して再利用するための給排気機構 1 1 3が設 置されている。
以下、 本例の投影露光装置の構成につき詳細に説明する。 本例の投影 露光装置の本体部はべ一ス部材 1 0 2 C上に載置されており、 ベース部 材 1 0 2 C上に 4本又は 3本の脚部 (コラム) を含むほぼ門型の第 1フ レーム 1 0 2 Aが設置されている。 そして、 本例の照明光学系は、 露光 光源及びオプティカル · インテグレー夕 (ュニフォマイザ、 又はホモジ ナイザ) 等の光学部材から構成され、 露光光源を除く光学部材は気密性 の高い箱状の第 1サブチャンバ 1 0 3内に収納され、 この第 1サブチヤ ンバ 1 0 3は第 1フレーム 1 0 2 Aの上部に設置されている。 照明光学 系の露光光源 (不図示) から射出された波長 1 9 3 n mのパルスレーザ 光よりなる露光ビ一ム (露光光) は、 マスク —ン面 (下面) のパターン領域を照明する。 レチクル Rを透過した露光 ビームは、 投影系としての投影光学系 1 0 4を介して基板としてのゥェ ノ λ (waf er) W上に、 レチクル Rのパターンを投影倍率 j3 ( ;3は 1 Z 4 , 1 Z 5等) で縮小した像を形成する。 ウェハ Wは例えばシリコン等の半 導体又は S O I (s i l i con on insu l ator)等の円板状の基板であり、 その 上にフォトレジス卜が塗布されている。 本例のレチクル R及びウェハ W がそれぞれ本発明の露光対象の物体に対応している。
投影光学系 1 0 4としては、 例えば日本国特願平 1 0— 3 7 0 1 4 3 号又は日本国特願平 1 1— 6 6 7 6 9号に開示されているように、 1本 の光軸に沿って複数の屈折レンズと、 それぞれ光軸の近傍に開口を有す る 2つの凹面鏡とを配置して構成される直筒型の反射屈折系や、 1本の 光軸に沿って屈折レンズを配置して構成される直筒型の屈折系等を使用 することができる。 更に、 投影光学系 1 0 4として双筒型の反射屈折系 等を使用してもよい。 以下、 投影光学系 1 0 4の光軸に平行に Z軸を取 り、 Z軸に垂直な平面内で図 3の紙面に平行に X軸を、 図 3の紙面に垂 直に Y軸を取って説明する。 この場合、 レチクル R上の照明領域は、 X 方向に細長いスリッ ト状であり、 レチクル R及びウェハ Wの露光時の走 查方向は Y方向である。 ジ 1 0 7 b上に保持され、 レチクルステージ 1 0 7 bは、 レチクルべ一 ス 1 0 7 c上でリニアモー夕方式で Y方向 (走査方向) に連続移動する と共に、 X Y平面内でのレチクル Rの位置の微調整を行う。 レチクルべ —ス 1 0 7 cは、 レチクルステージ 1 0 7 bが Y方向に移動する際に、 ベ一ス部材 1 2 1上をレチクルステージ 1 0 7 bの移動方向と反対方向 に運動量保存則を満たすように移動し、 レチクルステージ 1 0 7 bが移 動する際の振動の発生を抑制する。 また、 ベース部材 1 2 1は、 第 1フ レーム 1 0 2 Aの中間の 4箇所 (又は 3箇所等でも可) の支持板 (図 3 では 2箇所のみが現れている) 上に防振部材 1 2 3 A , 1 2 3 Bを介し て支持されている。 防振部材 1 2 3 A , 1 2 3 Bは、 エアーダンパ (又 は油圧式ダンパ等でもよい) とボイスコイルモー夕等の電磁式のァクチ ユエ一夕とを組み合わせた能動型の防振装置である。 レチクルホルダ 1 0 7 a、 レチクルステージ 1 0 7 b、 レチクルべ一ス 1 0 7 c等からレ チクルステージ系 R S Tが構成され、 レチクルステージ系 R S Tは気密 性の高い箱状の第 2サブチャンバ 1 0 8 (レチクル室) 内に収納されて いる。
また、 ベース部材 1 0 2 Cの上面の第 1コラム 1 0 2 Aの内側には、 4箇所 (又は 3箇所等でも可) の防振部材 1 2 4 A , 1 2 4 B (図 3で は 2箇所のみが現れている) を介してほぼ門型の第 2フレーム 1 0 2 B が設置され、 この第 2フレーム 1 0 2 Bの中間の支持板の中央部に投影 光学系 1 0 4が保持されている。 防振部材 1 2 4 A, 1 2 4 Bは防振部 材 1 2 3 A , 1 2 3 Bと同様の能動型の防振装置である。 そして、 第 2 フレーム 1 0 2 Bの上面に、 レーザ干渉計 1 1 1 (レチクル干渉計) が 設置されており、 レーザ干渉計 1 1 1とレチクルステージ 1 0 7 b上に 設置された移動鏡 1 1 9とによってレチクルステージ 1 0 7 b (レチク ル R ) の X方向、 Y方向の位置、 及び必要に応じて X軸、 Y軸、 軸の 回りの回転角が計測され、 これらの計測値に基づいて不図示のステージ 制御系によってレチクルステージ 1 0 7 bの位置及び移動速度が制御さ れる。 また、 第 2フレーム 1 0 2 B上には、 レチクルァライメント系の 支持フレーム 1 1 2が設置され、 この支持フレーム 1 1 2のレチクルス テ一ジ 1 0 7 bの上方にレチクルァライメント顕微鏡 (不図示) が設置 されている。
一方、 ウェハ Wは不図示のウェハホルダを介して試料台 1 0 5 a上に 保持され、 試料台 1 0 5 aは X Yステージ 1 0 5 b上に固定され、 X Y ステージ 1 0 5 bはウェハべ一ス 1 2 2上で試料台 1 0 5 a (ウェハ W) を Y方向に連続移動すると共に、 必要に応じて試料台 1 0 5 aを X方向、 Y方向にステップ移動する。 試料台 1 0 5 aは、 ウェハ Wのフォーカス 位置 (Z方向の位置) 、 並びに X軸及び Y軸の回りの傾斜角を制御する。 XYステージ 1 0 5 bは、 不図示の例えばリニアモー夕方式の駆動部に よって運動量保存則を満たすように駆動されており、 XYステージ 1 0 5 bを駆動する際の振動の発生が抑制されている。 また、 ウェハベース 1 2 2は、 4箇所 (又は 3箇所等でも可) の防振部材 1 2 5 A, 1 2 5 B (図 3では 2箇所のみが現れている) を介してべ一ス部材 1 0 2 C上 に載置され、 防振部材 1 2 5 A, 1 2 5 Bは防振部材 1 2 3 A, 1 2 3 Bと同様の能動型の防振装置である。 試料台 1 0 5 a、 XYステージ 1 0 5 b等からウェハステージ系 WS Tが構成され、 ウェハステージ系 W S Tは気密性の高い箱状の第 3サブチャンバ 1 0 6 (ウェハ室) 内に収 納されている。
また、 第 2フレーム 1 0 2 Bの中間の支持板にレーザ干渉計 1 0 9 (ウェハ干渉計) が固定され、 試料台 1 0 5 aの側面は移動鏡に加工さ れており、 そのレ一ザ干渉計 1 0 9及び試料台 1 0 5 aの移動鏡によつ て試料台 1 0 5 a (ウェハ W) の X方向、 Y方向の位置、 及び X軸、 Y 軸、 Z軸の回りの回転角が計測され、 これらの計測値に基づいて不図示 のステージ制御系によって XYステージ 1 0 5 bの動作が制御されてい る。 また、 例えば斜入射方式で多点の光学式のオートフォーカスセンサ (AFセンサ) 1 1 0が第 2フレーム 1 0 2 Bの中間の支持板に固定さ れており、 このォ一トフォーカスセンサ 1 1 0によって計測されるゥェ ハ W上の複数の計測点でのフォーカス位置の情報に基づいて、 試料台 1 0 5 aはォ一トフォ一カス方式及びォートレペリング方式でウェハ Wの フォーカス位置、 並びに X軸、 及び Y軸の回りの傾斜角を制御する。 こ れによって、 露光中継続してゥェ八 Wの表面が投影光学系 1 0 4の像面 に合焦される。
また、 第 2フレーム 1 0 2 Bには、 ウェハ Wのァライメントを行うた めのオフ · ァクシス方式で結像方式のウェハァライメント系 1 1 4も固 定されている。 更に、 第 1フレーム 1 0 2 Aの側面方向には、 レチクル ステージ系 R S Tとの間でレチクル Rの受け渡しを行うレチクルローダ 系 R R D、 及びウェハステージ系 W S丁との間でウェハ Wの受け渡しを 行うウェハローダ系 W R Dが収納されたィン夕フェース · コラム 1 1 7 が設置されている。 このイン夕フェース ' コラム 1 1 7中のレチクルの 受け渡しを行う搬送口、 及びゥェ八の受け渡しを行う搬送口には、 レチ クルステージ系 R S T及びウェハステージ系 W S Tの外気への開放を最 小限に抑えるため、 ゲートバルブ 1 1 5及び 1 1 6がそれぞれ設けられ ている。
そして走査露光時には、 ウェハ W上の一つのショッ ト領域への露光が 終わると、 X Yステージ 1 0 5 bのステツプ移動によって次のショッ ト 領域が走査開始位置に移動した後、 レチクルステージ 1 0 7 b及びゥェ 八側の X Yステージ 1 0 5 bを投影光学系 1 0 4の投影倍率 ]3を速度比 として Y方向に同期走査する、 即ちレチクル Rとウェハ W上の当該ショ ッ ト領域との結像関係を保った状態でそれらを走査するという動作がス テツプ · アンド ·スキャン方式で繰り返される。 これによつて、 ウェハ W上の各ショット領域に順次レチクル Rのパターン像が逐次転写される。
さて、 本例の投影露光装置には、 露光ビームの光路を含む空間内の気 体を露光ビームが透過する気体 (パージガス) で置換する (パージする) ための給排気機構 1 1 3が設けられている。 そして、 照明光学系の一部、 レチクステージ系 R S T、 及びウェハステージ系 W S Tは、 それぞれ気 密室としての気密性の高いサブチャンバ 1 0 3, 1 0 8, 1 0 6内に収 納されており、 投影光学系 1 0 4内の各光学部材間の空間が気密性の高 いレンズ室 (これも気密室に対応する) とされている。 そして、 サブチ ヤンバ 1 0 3 , 1 0 8, 1 0 6の内部には、 給排気機構 1 1 3によって 高純度のパージガスが供給されており、 投影光学系 1 0 4内の各レンズ 室にも高純度のパージガスが供給されている (詳細後述) 。
更に、 第 1サブチャンバ 1 0 3と第 2サブチャンバ 1 0 8の上部との 境界部、 ベ一ス部材 1 2 1の底面と第 2フレーム 1 0 2 Bの上面との境 界部、 投影光学系 1 0 4の上端部と第 2フレーム 1 0 2 Bの上面との境 界部、 及び第 2フレーム 1 0 2 Bの中間の支持板の底面と第 3サブチヤ ンバ 1 0 6の上面との境界部には、 それぞれ内部の空間を外部から隔離 するように、 高い可撓性を有する円筒状のフィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 0 1 Dが設けられている。 また、 第 2サブチャンバ 1 0 8及び第 3サ ブチヤンバ 1 0 6とィン夕フエ一ス ' コラム 1 1 7のゲ一卜バルブ 1 1 5及び 1 1 6との間にも、 それぞれ可撓性を有する円筒状のフィルム状 カバ一 1 1 8 A, 1 1 8 Bが設けられている。 フィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 0 1 D , 1 1 8 A , 1 1 8 Bが本発明の可撓性を有する膜状の被 覆部材に対応しており、 フィルム状カバーは軟性シールド部材、 又は極 めて低い剛性を有するベローズとも呼ぶことができる。 これらのフィル ム状カバ一 1 0 1 A〜: 1 0 1 D, 1 1 8 A , 1 1 8 Bによってそれらの 境界部が実質的に密閉されるため、 露光ビームの光路はほぼ完全に密封 されていることになる。 このため、 露光ビームの光路上への外部からの 吸光物質を含む気体の混入は殆ど無く、 露光ビームの減衰量は極めて低 く抑えられる。
そして、 本例の給排気機構 1 1 3は、 パージガスを回収する回収部、 高純度のパージガスを蓄積する蓄積部、 及びパージガスを温度調整して 外部に供給する給気部等から構成されており、 高純度のパージガスを給 気管 1 2 6を介してサブチャンバ 1 0 3 , 1 0 8, 1 0 6及び投影光学 系 1 0 4内にそれぞれ大気圧よりも僅かに高い程度の気圧 (陽圧) で供 給し、 サブチャンバ 1 0 3, 1 0 8 , 1 0 6及び投影光学系 1 0 4の内 部を流れた不純物を含んだパージガスを、 バルブ V付きの排気管 1 2 7 を介してそれぞれ回収する。 更に、 給排気機構 1 1 3は、 それらの回収 された気体からパージガスを分離して、 分離したパージガスを高圧に圧 搾するか、 又は液化して一時的に蓄積する。 一例として、 サブチャンバ 1 0 3, 1 0 8, 1 0 6及び投影光学系 1 0 4の内部には吸光物質とし ての例えば酸素の濃度を計測する不純物センサが設置されており、 これ らの不純物センサで検出される吸光物質の濃度が所定の許容値を超えた 場合に、 排気管 1 2 7を介しての気体の回収、 及び給気管 1 2 6を介し ての高純度のパージガスの補充が、 ほぼ一定 (僅かに陽圧) の気圧の気 体を流すガスフロー制御方式で行われる。 このため、 極めて可撓性の良 いフィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 Bが使用されていても、 これらの フィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 Bに過大な力が作用することは無い。 なお、 この場合に、 例えば有機系の物質に対する濃度の許容値を、 2 酸化炭素等の濃度の許容値よりも低くするなど、 吸光物質の種類に応じ て濃度の許容値を変えるようにしてもよい。 また、 イン夕フェース * コ ラム 1 1 7内のレチクル口一ダ系 R R D、 及びウェハ口一ダ系 W R Dを 収納する部分も気密化して、 これらの空間にもパージガスを供給するよ うにしてもよい。 この場合、 上記のようにサブチャンバ 1 0 3〜投影光 学系 1 0 4から回収された気体を処理したパージガスをィン夕フェース • コラム 1 1 7内に供給して、 サブチャンバ 1 0 3〜投影光学系 1 0 4 にはパージガスの蓄積部に蓄積されている未使用の高純度のパージガス を供給するようにしてもよい。 なお、 上記各サブチヤンバゃ投影光学系内での不純物の濃度は上記許 容値 ( 1 0〜 1 00 p pm) に限られるものではなく、 さらには場所に よってその許容値を異ならせてもよい。
また、 給排気機構 1 1 3はパージガスを供給する際に、 供給するパー ジガスの温度、 湿度、 気圧等を調整すると共に、 HEPAフィルタ(hig h efficiency particulate ai r- f i 1 ter)等の除塵フィル夕や微量な有機 物質等を含む上記の吸光物質を除去するためのケミカルフィルタ等のフ ィル夕によりそのパージガスから上記の吸光物質等の除去を行う。 ここ で除去される物質には、 投影露光装置に使用されている光学素子に付着 してその曇りの原因となる物質、 あるいは露光ビームの光路内に浮遊し て照明光学系や投影光学系 104の透過率 (照度) 若しくは照度分布等 を変動させる物質、 又はウェハ W (フォトレジスト) の表面に付着して 現像処理後のパターン像を変形させる物質等も含まれている。 また、 フ ィル夕としては、 活性炭フィル夕 (例えば、 ニッ夕株式会社製のギガソ ーブ (商品名) ) 、 又はゼォライ トフィルタ、 あるいはこれらを組み合 わせたフィル夕が使用できる。 これにより、 シロキサン (siloxane : S i一〇鎖が軸となる物質) 又はシラザン (silazane : S i _N鎖が軸と なる物質) 等のシリコン系有機物が除去される。
以上のように、 露光ビームの光路上の雰囲気を高純度のパージガスで 置換することによって、 露光ビームに対する透過率が高く維持されて、 ウェハ Wに入射する露光ビームの照度が高くなり、 ウェハ Wの各ショッ ト領域に対する露光時間が短縮でき、 スループッ 卜が向上する。
また本例では、 レーザ干渉計 1 09, 1 1 1及びオートフォーカスセ ンサ 1 1 0等の光学測定機器の計測ビームの光路がパージガスの雰囲気 内に設置されている。 これによつて、 これらの光学測定機器の計測ビー ムの光路上の気体の揺らぎによる測定誤差の発生を抑えることができる c 次に、 本例のフィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 0 1 D, 1 1 8 A, 1 1 8 Bについて図 4及び図 5を参照して詳細に説明する。 以下では代表的 にフィルム状カバ一 1 0 1 Aの構成につき説明する。
図 4は、 本例のフィルム状カバ一 1 0 1 Aを取り付けた状態を示し、 この図 4おいて、 フィルム状カバ一 1 0 1 Aの両端にはそれぞれアルミ ニゥム等の金属、 又はセラミックス等からなるフランジ 1 30 , 1 3 1 が設けられており、 フィルム状カバ一 1 0 1 Aはフランジ 1 30, 1 3 1を介して図 3の第 1サブチャンバ 3の下端と第 2サブチャンバ 1 08 の上端との間を覆うように取り付けられ、 フランジ 1 30, 1 3 1は設 置面にねじ止めされている。 この際に、 気密性を高めるために、 フラン ジ 1 30, 1 3 1と設置面との間に脱ガスが少ない材料 (例えばフッ素 系樹脂など) からなる〇リング等を配置してもよい。
図 5は、 図 3のフィルム状カバー 1 0 1 Aを厚さ方向に拡大した横断 面図を示し、 この図 5において、 本例のフィルム状カバー 1 0 1 Aは、 エチレン · ビニル · アルコール樹脂 (EVOH樹脂) よりなるフィルム 素材 1 0 1 cの外面に接着材を介してポリエチレン (一(CH2CH2)n ―) よりなる伸縮性の良好な保護膜 1 0 1 dを被着し、 更にそのフィル ム素材 1 0 1 cの内面にアルミニウム (A 1 ) よりなる安定化膜 1 0 1 bを蒸着等によってコ一ティングして形成されている。 エチレン · ビニ ル · アルコール樹脂 (EVOH樹脂) は気体に対する遮断性 (ガスバリ ャ性) に極めて優れており、 EVOH樹脂としては、 例えば株式会社ク ラレの 「商品名工バール (EVAL) 」 等を使用することができる。 ま た、 安定化膜 1 0 1 bは脱ガスの発生しない、 又は脱ガスの極めて少な い物質より形成されることが望ましい。
即ち、 フィルム状カバー 1 0 1 Aは、 基本的に伸縮性の良好な保護膜 1 0 I d (第 3の材料) と、 ガスバリヤ性の良好なフィルム素材 1 ◦ 1 c (第 1の材料) とをラミネート加工 (多層加工) して、 その内面に脱 ガスの極めて少ない安定化膜 1 0 1 b (第 2の材料) を被着したもので あり、 そのフィルム状カバー 1 0 1 Aの全体の厚さは約 0 . 1 mm程度 となっている。 また、 そのフィルム状カバ一 1 0 1 Aを円筒状に閉じる ために、 その端部 Aは溶着性にも優れた保護膜 1 0 1 dを対向させて溶 着すると共に、 その溶着部を接着材 1 0 1 eで完全に密閉している。
この場合、 保護膜 1 0 1 dは伸縮性が良好であるが、 ガスバリヤ性に 劣ると共に、 脱ガスが発生し易い上に、 内面に金属等が被着しにくいと いう欠点がある。 そこで、 本例では、 その保護膜 1 0 1 dの内面に、 ガ スバリヤ性に優れて外気の流入、 及びパージガスの流出を防止できると 共に、 金属等が被着し易いフィルム素材 1 0 1 cを形成し、 その内面に 安定化膜 1 0 1 bを形成している。 この安定化膜 1 0 1 bによって、 フ イルム状カバー 1 0 1 Aを形成する際に使用される接着材、 保護膜 1 0 l d、 及びヒートシール等から発生する脱ガスが、 フィルム状カバ一 1 0 1 Aの内側、 即ち露光ビームの光路上に侵入することを防止している。 また、 内面に安定化膜 1 0 1 bをコーティングすることによって、 気体 に対する遮断性が更に向上している。
以上のように、 本例のフィルム状カバ一 1 0 1 Aは、 フィルム素材 1 0 1 c等の大きい可撓性を有し、 即ち剛性が極めて小さいと共にガスバ リャ性に優れた材料より形成されており、 金属製のベローズ機構を使用 する場合に比べて、 同程度のガスバリヤ性を得た上で、 図 3のサブチヤ ンバ 1 0 3とサブチャンバ 1 0 8 (レチクル室) との間で相互に振動が 殆ど伝達しないようになっている。 また、 他のフィルム状カバ一 1 0 1 B〜: L 0 1 D , 1 1 8 A , 1 1 8 Bもフィルム状カバ一 1 0 1 Aと同様 に形成されており、 隣接する気密室間で相互に振動を伝達しにくいもの となっている。 従って、 図 3のレチクルステージ系 R S Tやウェハステージ系 WS T から発生する振動や偏荷重の影響が投影光学系 1 04や第 2フレーム 1 02 Β等に伝達することはほとんどなく、 ウェハステージ系 WS Τ等か ら発生する振動や偏荷重による投影光学系 1 04の結像特性の悪化を抑 えることができ、 高精度な露光を行うことができる。 また、 第 2フレー ム 1 02 Βに取り付けられているレ一ザ干渉計 1 09 , 1 1 1、 レチク ルァライメント系用の支持フレーム 1 1 2、 ウェハァライメント系 1 1 4、 及びオートフォーカスセンサ 1 1 0等の測定誤差の発生を抑えるこ とができる。
また本例のように、 レチクルステージ系 RST (第 2サブチャンバ 1 08) 及びウェハステージ系 WS Τ (第 3サブチャンバ 1 06) とイン 夕フェース · コラム 1 1 7との間にそれぞれフィルム状カバ一 1 1 8 Α, 1 1 8 Βを設置することによって、 インタフェース · コラム 1 1 7内の レチクルローダ系 R RD及びウェハローダ系 WRDから発生する振動が 投影露光装置本体に伝達することを防止できる。 また、 ゲートバルブ 1 1 5, 1 1 6をイン夕フェース ' コラム 1 1 7側に設置することによつ て、 ゲートバルブ 1 1 5, 1 1 6の開閉時に発生する振動の影響を抑え ることができる。
なお、 フィルム状カバー 1 0 1 Α〜 1 1 8 Βの形成に使用するフィル ム素材 1 0 1 cの材料は、 本例のエチレン · ビニル · アルコール樹脂に 限られるものではなく、 ポリアミ ド(polyamide) 、 ポリイミ ド(polyimi de) 、 又はポリエステル(polyester) 等のように気体に対する遮断性が 良好で可撓性を有する材料であればよい。 この際に、 ガスバリヤ性が最 も良好である点ではエチレン · ビニル · アルコール樹脂が最も望ましく、 価格的に安く経済的である点ではポリエステルが最も望ましく、 コスト パフォーマンスの観点からはポリアミ ド又はポリイミ ドが望ましい。 また、 フィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 1 8 Bの内面に保護膜 1 0 1 d としてコーティングする素材は、 本例のアルミニウムに限られるもので はなく、 他の金属、 又はセラミックス等の無機物のように真空紫外光等 の露光ビームに対する反応性が低く脱ガスの少ない材料であればよい。 更に、 保護膜 1 0 I dとしては、 ポリエチレンの他にポリプロピレン等 を使用することができる。
更に、 例えば気密室 (サブチャンバ 1 0 3等) の内部と外気との気圧 差をより小さくして使用する場合には、 フィルム素材 1 0 1 c及び安定 化膜 1 0 1 bのみからフィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 1 8 Bを形成して もよく、 例えば脱ガスの発生量が少ない場合には、 フィルム素材 1 0 1 cのみからフィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 Bを形成するようにして もよい。
また、 フィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 1 8 Bの設置数及び設置箇所は 本例の構成に限られるものではなく、 露光ビームの光路を密封するよう に、 又はその光路に通じる部分 (レチクルローダ系 R R Dの設置部等) を密閉するようにフィルム状カバーが設置されていればよい。 例えば各 ステージ系をカウン夕バランスを用いて運動量保存則を満たすように駆 動する場合に、 そのカウン夕バランスとステージ系の可動ステージとの 間の空間にフィルム状カバーを設置するようにしてもよい。
次に、 フィルム状カバー (被覆部材) の他の例について図 6を参照し て詳細に説明する。
図 6 ( a ) は、 本例のフィルム状カバ一 1 4 1を示し、 本例のフィル ム状カバー 1 4 1は、 前述のフィルム状カバー 1 0 1 A〜 1 1 8 Bと同 様にガスバリヤ性の良好なフィルム素材や伸縮性の良好な保護膜等をラ ミネ一ト加工して形成されたものであるが、 前述のフィルム状カバー 1 0 1 A〜 l 1 8 B力 保護膜 1 0 1 dを対向させて端部 Aを溶着するこ とにより円筒状に形成されていたのに対し、 本例のフィルム状カバー 1 4 1は、 溶着性に優れた保護膜 1 4 1 aにより円筒状に巻いた部材の接 合部を覆うように繋ぎ合わせることによって円筒状に形成されている。 即ち本例のフィルム状カバー 1 4 1は、 図 6 ( b ) に示すように、 ェ チレン · ビニル · アルコール樹脂よりなるフィルム素材 1 4 1 cの外面 に接着材 1 4 1 eを介してポリエチレンよりなる伸縮性の良好な保護膜 1 4 1 dを被着し、 その接合部を外面から覆うように溶着性に優れた保 護膜 1 4 1 aを溶着、 又は接着材を介して被着することによって形成さ れたものである。 また、 前述のフィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 Bと 同様に、 フィルム素材 1 4 1 cの内面にアルミニウムよりなる安定化膜 1 4 1 bが蒸着等によってコ一ティングされており、 フィルム状カバ一 1 4 1の全体の厚さ d 1は約 0 . 1 mm程度となっている。 また、 フィ ルム状カバ一 1 4 1を円筒状に閉じるための繋ぎ合わせ用の保護膜 1 4 1 aの厚さ d 2は約 0 . 0 3 mm程度となっている。
このように、 保護膜 1 4 1 a等の溶着性に優れた材料により両端部を 繋ぎ合わせフィルム状カバ一を形成する場合には、 フィルム状カバ一 1 4 1の内面に不純物が滞留する原因となる凹凸部が少なくなり、 且つパ ージガスのリーク量も少なくなり、 より効率的にフィルム状カバ一 1 4 1の内部をパージできる利点がある。
なお、 フィルム状カバ一の接続部の最も簡単な構造として、 単に一方 の端部の外面と他方の端部の内面とを所定幅で重ねて接着材又は溶着に より固定してもよい。
また、 上記のフィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 B, 1 4 1は平面状 の素材より形成されているが、 被覆部材としてのフィルム状カバーを蛇 腹 (ベローズ) 状に形成してもよい。 このように蛇腹状とすることによ つて取り付けが容易になるか、 又は 外の気圧差に対する耐久性が向上 する場合がある。
なお、 フィルム状カバ一 1 0 1 A〜 1 1 8 B , 1 4 1は前述した全て の接続部に設けなくてもよく、 少なくとも 1つの接続部に設けるだけで もよい。 また、 照明光学系又は投影光学系を複数の気密室に分けて収納 するときにその接続部に前述のフィルム状カバーを設けてもよい。 これ は、 レチクルローダ系 R R D又はウェハローダ系 W R Dを複数の気密室 に分けて収納するときも同様である。 さらに、 第 2サブチャンバ 1 0 8 又は第 3サブチャンバ 1 0 6の外部にその一部が配置される光学系 (例 えば、 ウェハァライメント系 1 1 4、 オートフォーカスセンサ 1 1 0、 レーザ干渉計 1 0 9 , 1 1 1等) を収納する鏡筒 (筐体) とそのサブチ ヤンバとの接続部にフィルム状カバーを設けてもよい。 また、 上記各サ ブチャンバや投影光学系などとパージガスの給排気用の配管との接続部 にフィルム状カバ一を設けてもよい。
なお、 第 1の実施の形態 (図 1 ) の投影露光装置でベローズ 2 5 , 3 6 , 4 3の代わりに、 第 2の実施の形態のフィルム状カバーを用いても よいし、 あるいはべローズ 2 5 , 3 6, 4 3の内面に第 2の実施の形態 の安定化膜 1 0 1 bを設けてもよい。 また、 第 1の実施の形態における ベロ一ズあるいは第 2の実施の形態におけるフィルム状カバ一はその内 面を脱ガスの少ない材料で構成されるものとしたが、 その内面から脱ガ スが生じる得るときには、 ベロ一ズあるいはフィルム状カバーの一部に 吸引管を接続してその脱ガスを回収するように構成してもよい。
また、 上記の各実施の形態は、 本発明をステップ · アンド ·スキャン 方式の投影露光装置に適用したものであるが、 本発明はステップ · アン ド · スティツチ方式方式等の走査露光型の露光装置、 及びステッパー等 の一括露光型の投影露光装置、 更にはミラープロジェクシヨン方式や、 投影光学系を使用しないプロキシミティ方式の露光装置等にも適用でき ることは明らかである。
なお、 投影光学系が使用される場合、 その光学系は屈折系、 反射系、 又は反射屈折系の何れであってもよいし、 更には縮小系、 等倍系、 又は 拡大系の何れであってもよい。
更に、 半導体素子、 液晶表示素子、 プラズマディスプレイ (ディスプ レイ装置) 、 薄膜磁気ヘッ ド、 及び撮像素子 (C CD) 等のマイクロデ バイスの製造に用いられる露光装置だけでなく、 レチクル、 又はマスク を製造するために、 ガラス基板、 又はシリコンウェハ等に回路パターン を転写する露光装置にも本発明を適用できる。 ここで、 DUV (遠紫外) 光や VUV (真空紫外) 光等を用いる露光装置では一般的に透過型レチ クルが用いられ、 レチクル基板としては石英ガラス、 フッ素がドープさ れた石英ガラス、 蛍石、 フッ化マグネシウム、 又は水晶等が用いられる。 また、 EUV光 (極端紫外光) を露光エネルギービームとする露光装置 では反射型マスクが用いられ、 プロキシミティ方式の X線露光装置、 又 は電子線露光装置等では透過型マスク (ステンシルマスク、 メンブレン マスク) が用いられ、 マスク基板としてはシリコンウェハ等が用いられ る。
また、 露光ビームとして、 例えば D F B半導体レーザやファイバ一レ —ザから発振される赤外域、 又は可視域の単一波長レ一ザを、 例えばェ ルビゥム (E r ) (又はエルビウムとイッテルビウム (Yb) との両方) がド一プされたファイバーアンプで増幅し、 非線形光学結晶を用いて紫 外光に波長変換した高調波を用いる場合にも本発明が適用される。
具体的には、 単一波長レーザの発振波長を 1. 5 1〜1. 59 mの 範囲内とすると、 発生波長が 1 89〜1 99 nmの範囲内である 8倍高 調波、 又は発生波長が 1 5 1〜 1 59 nmの範囲内である 1 0倍高調波 が出力される。 特に発振波長を 1. 544〜1. 553 zmの範囲内と すると、 1 9 3〜 1 94 nmの範囲内の 8倍高調波、 即ち A r Fエキシ マレーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られ、 発振波長を 1. 57〜 1. 58 xmの範囲内とすると、 1 57〜 1 58 nmの範囲内の 10倍 高調波、 即ち F2 レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
ところで、 複数の光学素子から構成される照明光学系、 及び投影光学 系を露光装置本体に組み込んで光学調整を行うと共に、 多数の機械部品 からなるレチクルステージやウェハステージを露光装置本体に取り付け て配線や配管を接続すると共に、 各サブチャンバや投影光学系等をそれ ぞれ気体循環装置等と接続し、 更に、 総合調整 (電気調整、 動作確認等) をすることにより上記 2つの実施の形態の露光装置を製造することがで きる。 なお、 露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリ ーンルームで行うことが望ましい。
また、 半導体デバイスは、 デバイスの機能 ·性能設計を行うステップ、 この設計ステツプに基づいたレチクルを製作するステップ、 シリコン材 料からウェハを制作するステップ、 前述の実施の形態の露光装置により レチクルのパターンをウェハに露光するステツプ、 デバイス組み立てス テツプ (ダイシング工程、 ボンディング工程、 パッケージ工程を含む) 、 検查ステツプ等を経て製造される。
本発明は上述の実施の形態に限定されず、 本発明の要旨を逸脱しない 範囲で種々の構成を取り得る。 更に、 明細書、 特許請求の範囲、 図面、 及び要約を含む、 1 999年 5月 28日付提出の日本国特許出願第 1 1 一 149 598号、 及び 2000年 2月 28日付提出の日本国特許出願 第 2000— 5 1 1 06号の全ての開示内容は、 そっく りそのまま引用 してここに組み込まれている。 産業上の利用の可能性 本発明の第 1の露光方法によれば、 ステージ系と、 投影系とを相互に 振動が伝わりにくいように支持しているため、 ステージ系の可動部の振 動が投影系等に伝わりにくなり、 可動部の位置を高精度に計測できる。 従って、 その可動部の制御精度を向上できる利点がある。
また、 本発明の第 1の露光装置によれば、 ステージ系と投影系とが互 いに独立にそれぞれ防振部材を介して支持部材に連結されているため、 ステージ系と、 投影系との間で振動が伝わりにくくなり、 本発明の第 1 の露光方法が使用できる。
この場合、 投影系を気密構造として、 照明系の一部及び各ステージ系 をそれぞれ囲むチャンバを設け、 各チヤンバと投影系との間をそれぞれ 密閉する可撓性を持つ連結部材を設けた場合には、 露光ビームの光路の 少なくとも一部に高透過率の気体を供給する際にに、 外部の気体の混入 が少なくなり、 露光ビームの照度を高く維持できるため、 露光工程のス ループッ 卜が向上する。
次に、 本発明の第 2の露光方法、 若しくは第 2又は第 3の露光装置に よれば、 その露光ビームの光量を高く維持できると共に、 一方の気密室 内で振動が生じても、 その振動が他の気密室に伝達しない利点があり、 例えばその物体を移動することにより振動が発生しても、 投影光学系の 結像特性やレーザ干渉計の測定精度等が悪化するようなことがなく、 高 スループッ卜且つ高精度な露光を行うことができる。
また、 本発明のデバイスの製造方法によれば、 本発明の露光方法又は 露光装置の使用により、 高精度な露光を行うことができ、 高機能のデバ イスを製造することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 露光ビームで第 1物体を照明し、 該第 1物体のパターンを経た露光 ビームで投影系を介して第 2物体を露光する露光方法において、
前記第 1物体を位置決めする第 1ステージ系と、 前記投影系と、 前記 第 2物体を位置決めする第 2ステージ系とを相互に振動が伝わりにくい ように支持することを特徴とする露光方法。
2 . 照明系からの露光ビームで第 1物体を照明し、 該第 1物体のパター ンを経た露光ビームで投影系を介して第 2物体を露光する露光装置にお いて、
前記第 1物体を位置決めする第 1ステージ系と、
前記第 2物体を位置決めする第 2ステージ系と、
前記第 1ステージ系と前記投影系と前記第 2ステージ系とが互いに独 立にそれぞれ防振部材を介して連結される支持部材と、
を有することを特徴とする露光装置。
3 . 前記投影系を内部の光学部材が実質的に密閉される構造とし、 前記照明系の前記第 1物体側の光学部材を囲む第 1チャンバと、 前記第 1ステージ系を囲む第 2チャンバと、
前記第 2ステージ系を囲む第 3チャンバと、
前記第 1チャンバと前記第 2チャンバと前記投影系と前記第 3チヤン バとの間をそれぞれ密閉する可撓性を持つ連結部材と、
を設けたことを特徴とする請求の範囲 2記載の露光装置。
4 . 前記露光ビームは、 波長 2 0 0 n m以下の真空紫外光であり、 前記第 1チャンバ、 前記第 2チャンバ、 前記投影系、 及び前記第 3チ ャンバの内部の光路上にそれぞれ前記露光ビームに対して透過性の気体 を供給することを特徴とする請求の範囲 3記載の露光装置。
5 . 前記投影系、 前記第 1チャンバ、 前記第 2チャンバ、 及び前記第 3 チヤンバの内部の気体を互いに独立にそれぞれ排気するための排気装置 と、
前記投影系、 前記第 1チャンバ、 前記第 2チャンバ、 及び前記第 3チ ャンバの内部に互いに独立にそれぞれ透過性の気体を実質的に循環させ る気体循環装置と、
を設けたことを特徴とする請求の範囲 3又は 4記載の露光装置。
6 . 前記第 1ステージ系の可動部の前記投影系に対する相対変位を計測 する第 1計測系、 及び前記第 2ステージ系の可動部の前記投影系に対す る相対変位を計測する第 2計測系をそれぞれ前記投影系又は該投影系の 支持部材に配置したことを特徴とする請求の範囲 3、 4、 又は 5記載の
7 . 前記連結部材は、 気体に対する遮断性の良好な第 1の材料の薄膜を 含むことを特徴とする請求の範囲 3記載の露光装置。
8 . 前記連結部材の前記第 1の材料の薄膜の内面に、 脱ガスの少ない第 2の材料よりなる薄膜が被着されたことを特徴とする請求の範囲 7記載 の露光装置。
9 . 前記連結部材の前記第 1の材料の外面に伸縮性の良好な第 3の材料 よりなる薄膜がラミネート加工によって被着され、 前記連結部材は円筒 状に巻かれると共に、
前記連結部材の両端部の前記第 3の材料同士を溶着することによって、 前記円筒状の形状の開放端が閉じられたことを特徴とする請求の範囲 7 又は 8記載の露光装置。
1 0 . 露光ビームで物体を露光する露光方法において、
前記露光ビームの光路上、 及び前記物体の搬送経路上の少なくとも一 部に隣り合うように、 それぞれ内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室を配置し、
前記隣り合う 2つの気密室内に前記露光ビームを透過する気体を供給 し、
前記隣り合う 2つの気密室の間の空間を、 可撓性を有する膜状の材料 より形成された被覆部材によって実質的に密閉したことを特徴とする露 光方法。
1 1 . 前記物体は、 投影系を介して露光されると共に、
前記隣り合う 2つの気密室は、 前記投影系内の第 1の気密室と、 前記 物体を含む空間を覆う第 2の気密室とから構成されることを特徴とする 請求の範囲 1 0記載の露光方法。
1 2 . 露光ビームで物体を露光する露光装置において、
前記露光ビームの光路上、 及び前記物体の搬送経路上の少なくとも一 部に隣り合うように配置されて、 それぞれ内部の空間を外気から実質的 に隔離する 2つの気密室と、
該 2つの気密室内の気体の排気、 及び前記気密室内への前記露光ビー ムを透過する気体の給気を行う気体供給機構と、
可撓性を有する膜状の材料より形成されると共に、 前記隣り合う 2つ の気密室の間の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材と を有することを特徴とする露光装置。
1 3 . 第 1物体を介して露光ビームで第 2物体を露光する装置において、 前記第 1物体の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置さ れて、 それぞれ内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室と、 該 2つの気密室内の気体の排気、 及び前記気密室内への前記露光ビー ムを透過する気体の給気を行う気体供給機構と、
可撓性を有する膜状の材料より形成されると共に、 前記隣り合う 2つ の気密室の間の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材と を有することを特徴とする露光装置。
1 4 . 前記被覆部材は、 気体に対する遮断性の良好な第 1の材料の薄膜 を含むことを特徴とする請求の範囲 1 2又は 1 3記載の露光装置。
1 5 . 前記被覆部材の前記第 1の材料の薄膜の内面に、 脱ガスの少ない 第 2の材料よりなる薄膜が被着されたことを特徴とする請求の範囲 1 4 記載の露光装置。
1 6 . 前記被覆部材の前記第 1の材料の外面に伸縮性の良好な第 3の材 料よりなる薄膜がラミネー卜加工によって被着され、 前記被覆部材は円 筒状に巻かれると共に、
前記被覆部材の両端部の前記第 3の材料同士を溶着することによって、 前記円筒状の形状の開放端が閉じられたことを特徴とする請求の範囲 1 4又は 1 5記載の露光装置。
1 7 . 前記露光ビームは波長 2 0 0 n m以下の紫外光で、 前記露光ビ一 ムを透過する気体はヘリゥムガスであり、
前記第 1の材料は、 エチレン, ビニル ' アルコール、 ポリアミ ド、 ポ リイミ ド、 又はポリエステルであり、
前記第 2の材料は無機物であり、
前記第 3の材料よりなる薄膜はポリエチレン膜であることを特徴とす る請求の範囲 1 6記載の露光装置。
1 8 . 請求の範囲 1 0記載の露光方法によりマスクパターンを前記物体 としての基板上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造 方法。
1 9 . 請求の範囲 1 2又は 1 3記載の露光装置によりマスクパターンを 基板上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
2 0 . 照明系からの露光ビームで第 1物体を照明し、 該第 1物体のパ夕 ーンを経た露光ビームで投影系を介して第 2物体を露光する露光装置の 製造方法において、
前記照明系と、
前記投影系と、
前記第 1物体を位置決めする第 1ステージ系と、
前記第 2物体を位置決めする第 2ステージ系と、
前記第 1ステージ系と前記投影系と前記第 2ステージ系とが互いに独 立にそれぞれ防振部材を介して連結される支持部材と、
を所定の位置関係で組み上げることを特徴とする露光装置の製造方法。
2 1 . 請求の範囲 1記載の露光方法によりマスクパターンを基板上に転 写する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
2 2 . 請求の範囲 2記載の露光装置によりマスクパターンを基板上に転 写する工程を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
2 3 . 露光ビームで物体を露光する露光装置の製造方法において、 前記露光ビームの光路上、 及び前記物体の搬送経路上の少なくとも一 部に隣り合うように配置されて、 それぞれ内部の空間を外気から実質的 に隔離する 2つの気密室と、
該 2つの気密室内の気体の排気、 及び前記気密室内への前記露光ビー ムを透過する気体の給気を行う気体供給機構と、
可撓性を有する膜状の材料より形成されると共に、 前記隣り合う 2つ の気密室の間の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材と を所定の位置関係で組み上げることを特徴とする露光装置の製造方法。
2 4 . 第 1物体を介して露光ビームで第 2物体を露光する露光装置の製 造方法において、
前記第 1物体の搬送経路上の少なくとも一部に隣り合うように配置さ れて、 それぞれ内部の空間を外気から実質的に隔離する 2つの気密室と、 該 2つの気密室内の気体の排気、 及び前記気密室内への前記露光ビー ムを透過する気体の給気を行う気体供給機構と、
可撓性を有する膜状の材料より形成されると共に、 前記隣り合う 2つ の気密室の間の空間を実質的に密閉するように設けられた被覆部材と を所定の位置関係で組み上げることを特徴とする露光装置の製造方法。
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