WO2000052728A1

WO2000052728A1 - Dispositif etanche a l'air, dispositif a faisceau electronique, et dispositif de formation d'images

Info

Publication number: WO2000052728A1
Application number: PCT/JP2000/001341
Authority: WO
Inventors: Mitsutoshi Hasegawa; Yutaka Arai; Kazuya Shigeoka; Ihachiro Gofuku
Original assignee: Canon Kabushiki Kaisha
Priority date: 1999-03-04
Filing date: 2000-03-06
Publication date: 2000-09-08

Description

明細書

気密装置及び電子線装置及び画像形成装置技術分野

本願にかかわる発明は、内部に気密な空間を有する気密装置に関する。特に内部圧力が外部圧力よりも低い気密装置に関する。また、内部に内部空間の変形を抑制するスぺーサを有する気密装置に関する。特にはそれらの気密装置を用いた電子線装置及び画像形成装置に関する。

背景技術

電子源より放出された電子ビームを画像表示部材である蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画像を表示する装置においては、電子源と画像形成部材を内包する真空容器の内部を高真空に保持しなければならない。それは、真空容器内部にガスが発生し、圧力が上昇すると、その影響の程度はガスの種類により異なるが、電子源に悪影響を及ぼして電子放出量を低下させ、明るい画像の表示ができなくなるためである。また、発生したガスが、電子ビームにより電離されてイオンとなり、これが電子を加速するための電解により加速されて電子源に衝突することで、電子源の損傷を与えることもある。さらに、場合によっては、内部で放電を生じさせる場合もあり、この場合は装置を破壊することもある。

通常、画像表示装置の真空容器はガラス部材を組み合わせて、接合部をフリツトガラスなどにより接着して形成されており、一旦接合が完了した後の圧力の維持は、真空容器内に設置されたゲッ夕一によつて行われる。通常の C R Tでは、 B aを主成分とする合金を、真空容器内で通電あるいは高周波により加熱し、容器内壁に蒸着膜を形成し、これにより内部で発生したガスを吸着して高真空を維持している。

近年は、多数の電子放出素子を平面基板上に配置した電子源を用いた平面状デイスプレイの開発が進んでいる。第 1 5図は平面型の画像表示装置をなす表示パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。上記気密容器の内部は 1 0のマイナス 6乗 T o r r程度の真空に保持されており、画像表示装置の表示面積が大きくなるにしたがい、気密容器内部と外部の気圧差によるリアプレート 3 1 1 5およびフェースプレート 3 1 1 7の変形あるいは破壊を防止する手段が必要となる。リアプレー卜 3 1 1 5およびフェースプレー卜 3 1 1 6を厚くすることによる方法は、画像表示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見たときに画像のゆがみや視差を生ずる。これに対し、第 1 5図においては、比較的薄いガラス板からなり大気圧を支えるための構造支持体（スぺーサあるいはリブと呼ばれる） 3 1 2 0が設けられている。このようにして、マルチビーム電子源が形成された基板 3 1 1 1と蛍光膜 3 1 1 8が形成されたフェースプレート 3 1 1 6間は通常サブミリないし数ミリに保たれ、前述したように気密容器内部は真空に保持されている。

一方、真空度の確保に関しても、画像表示部材から発生したガスが、ゲッ夕のところまで拡散する前に電子源に到達し、局所的な圧力上昇とそれに伴うに電子源劣化を引き起こすことが特徴的な問題となっている。この問題を解決するため、特定の構造を有する平板状画像表示装置では、画像表示領域内にゲッ夕材を配置して、発生したガスを即座に吸着するようにした構成が開示されている。例えば特開平 4一 1 2 4 3 6号公報では、電子ビームを引き出すゲート電極を有する電子源において、該ゲート電極をゲッ夕材で形成する方法が開示されており、円錐状突起を陰極とする電界放出型の電子源と、 p n接合を有する半導体電子源が例示されている。また、特開昭 6 3— 1 8 1 2 4 8号公報では、力ソード（陰極）群と真空容器のフエースプレートとの間に、電子ビームを制御するための電極（グリツドなど）を配置する構造の平板状ディスプレイにおいて、この制御用電極上にゲッ夕材の膜を形成する方法が開示されている。

以上説明した画像表示装置の表示パネルにおいては、以下のような問題点があつた。

平板ディスプレイに使用する電子源を構成する電子放出素子としては、構造と製造方法が簡単なものが、生産技術、製造コスト等の観点から見て望ましいことはいうまでもない。製造プロセスが、薄膜の積層と簡単な加工で構成されているもの、あるいは、大型のものを製造する場合は、印刷法などの真空装置を必要としない技術により製造できるものが求められている。しかしながら、上述の特開平 4 - 1 2 4 3 6号公報に開示された、ゲー卜電極をゲッ夕材により構成した電子源は、円錐状の陰極チップの製造、あるいは半導体の接合の製造などが真空装置中での煩雑な工程を要し、また大型化するには製造装置による限界がある。

また特開昭 6 3— 1 8 1 2 4 8号公報のように、電子源とフェースプレ一卜の間に、制御電極などを設けた装置では、構造が複雑になり、製造工程ではこれらの部材の位置合わせなど煩雑な工程が伴うことになる。

また、米国特許第 5， 4 5 3 , 6 5 9号に開示された、ゲッ夕材をアノードプレート上に形成する方法は、ゲッ夕材と蛍光体の間の電気的な絶縁を取ることが必要で精密な微細加工のために、フォトリソグラフィに用いる装置の大きさなどから、製造できる画像表示装置の大きさが制限される。

これに対し、製造工程が容易であると言う上述の要求を満たしうる構造を持つた電子放出素子としては、横型の電界放出型電子放出素子や、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。横型の電界放出型電子放出素子は、平面基板上に尖った電子放出部を有する陰極（ゲート）を対向させて形成したもので、蒸着、スパッ夕、メツキ法などの薄膜堆積法と、通常のフォトリソグラフィ一技術により製造できる。また、表面伝導型電子放出素子は、一部に高抵抗部を有する導電性薄膜に電流を流すことにより、電子が放出されるもので、本出願人による出願、特開平 7— 2 3 5 2 5 5号公報にその一例が示されている。

これらの素子を用いた電子源では、特開平 4 - 1 2 4 3 6号公報に開示された様な形状のゲート電極や特開昭 6 3 - 1 8 1 2 4 8号公報に開示された様な制御電極を有しないため、これらと同様な手法で、画像表示領域内にゲッ夕を配置することはできず、画像表示領域の外側にゲッ夕を配置することになる。

先にも述べたように、画像表示装置において、ガスの発生源として最も寄与の大きいものは高エネルギーの電子によって衝撃を受ける蛍光膜などの画像表示部材と電子源自身である。もちろん、高温で時間をかけてベーキングするなど、十分に脱ガス処理が実行できれば、ガスの発生は避けられるが、実際の装置では、電子放出素子その他の部材が熱的なダメージを受けるため、十分に脱ガス処理が行えない場合があり、この様な場合には、ガスが発生する可能性が高い。また、局所的 ·瞬間的にガスの圧力が高くなつた場合には、電界により加速されたイオンが、別のガス分子に衝突して、次々にイオンを生成し、放電を生じせしめるおそれがある。この場合には電子源が部分的に破壊され、電子放出特性の劣化を引き起こすおそれがある。画像表示部材からのガスの発生は、画像表示装置形成後に、電子を放出させ、これにより蛍光体に含まれる水等のガスが急激に放出される。これにより駆動開始初期に画像の輝度が目立って低下するなどの現象を引き起こす場合がある。更にこの後、駆動を継続することにより、電子源周辺などからもガスが放出され、徐々に特性が劣化する。従来の如く、表示領域の外側にゲッ夕領域を設けた場合には、画像表示領域の中央付近で発生したガスは、外側のゲッ夕領域に到達するまでに時間がかかるだけでなく、ゲッ夕に吸着される前に電子源に再吸着して、電子放出特性を劣化させるのを防止するのに、十分な効果を発揮できず、特に画像表示領域の中央で、画像の輝度低下が目立つ場合がある。

特に、特開平 3— 5 5 7 3 8号公報で示されるような平板状画像表示装置においては、スぺ一サ 3 1 2 0の近傍から放出された電子の一部がスぺ一サ 3 1 2 0 に当たることにより、あるいは放出電子の作用で発生したガスの影響により、スぺ一サ隣接素子とそうでない素子で電子放出特性にばらつきが生じたり、スぺーサとスぺ一サに挟まれた空間に発生したガスが排気されにくく、スぺ一ザとスぺーサに挟まれた素子の方が挟まれていない素子に比べはやく劣化し、輝度の低下が目立つ場合がある。

発明の開示

本願にかかわる発明は好適な気密装置、及び電子線装置.及び画像形成装置を実現するものである。

本願にかかわる気密装置の発明のひとつは以下のように構成される。

内部の圧力が外部の圧力よりも低い気密装置であって >内部の形状の変形を抑制する複数の板状スぺーサを有しており、 2つの前記板状のスぺーザの間の空間にゲッ夕材を有することを特徴とする気密装置。

特に、 2つの前記板状スぺーサに挟まれる空間を 2つ以上有している場合，該 2 つ以上の空間にゲッ夕材を有すると好適である。更には板状スぺーサで挟まれるすべての空間にゲッ夕材を有する構成がより好適である。

なおここで、 2つの板状スぺーザで挟まれる領域とは、該 2つの板状スぺーザの一方のスぺーザの一端と他方のスぺーザの一端を結ぶ面（第 1の面）と、前記一方のスぺーザの他端と前記他方のスぺーザの他端とを結ぶ面（第 2の面；この面は、ここでいう 2つの板状スぺーザで挟まれる領域内においては,第 1の面とは交差しない面である）と、前記 2つのスぺーザが当接する面（スぺ一ザが気密装置の内壁に当接する場合は該内壁面）である 2つの面と、 2つの板状スぺーザで囲まれる領域である。なお、この領域を規定する上記いずれの面も平面である必要はない。この領域にゲッ夕材が露出しているとよい。

また、上記各発明は >前記板状のスぺーザが、該スぺ一ザが維持しょうとする間隔に直交する方向に長手方向を有するものであるときに特に好適に採用しうる。またこのとき、前記板状のスぺーザの長手方向の長さは、該スぺ一ザが維持しようとする間隔の 2 0倍よりも長いものである場合、本願発明を好適に適用できる。 5 0倍以上であるときはより好適に本願発明を適用でき， 1 0 0倍以上であるときには更に好適に本願発明が適用できる。また、前記板状スぺ一ザの長手方向の長さは、該長手方向の延長線が、気密装置の内壁に達した 2点間の距離の 5 6パ一セント以上の長さである場合に本願発明は好適に適用できる。

なおここで、ひとつの板状スぺーサがひとつで前記長手方向の長さの条件を満たすスぺ一サ部材で構成されている場合に本願発明は特に好適に適用できるが、本願発明はこれに限るものではない。所定の方向に複数のスぺーサ部材が並べられており、各スぺーサ部材それぞれは前記長さ方向の条件を満たすものでない場合でも >該スぺ一サ部材間の間隙がひとつのスぺーサ部材の前記所定方向の長さの 2 0パーセント以下であれば、スぺ一ザに挟まれる空間の孤立の問題は生じるので、そのような構成の場合は、該複数のスぺ一サ部材はひとつの板状スぺーサを構成するとみなされ、上記発明は好適に適用できる。

また上記各発明において，前記スぺーザの設置面積よりも前記ゲッ夕材の設置面積のほうが大きいと好適である。ここでスぺーサの設置面積とは，スぺーサが気密容器内壁と接している面積のことである。後述のように，電子線装置や画像形成装置として用いる場合は，気密容器内壁は電子源基板の気密空間側の面や画像形成部材の気密空間側の面であったりする。

また上記各発明において、前記ゲッ夕材としては様々な形状及び組成のものを用いることができる力その材料として > T i , Z r , あるいは B aの少なくともいずれかを含むものが特に好ましい。また、前記ゲッ夕材が、非蒸発型のゲッ夕である構成も好適である。

また本願は、電子線装置の発明として、上記各発明の気密装置と、該気密装置内部空間に電子を放出する電子源とを有することを特徴とする電子線装置の発明を含む。なおこれは電子源が気密装置の気密維持構造の一部を兼ねる構成も含む。たとえば、電子放出部を有する電子源基板と該電子源基板と対向する基板とその周囲を囲む枠部とで気密容器を構成する場合などである。

前記ゲッ夕材は電子源の電子放出部以外の位置に設けるのが好適である。

また上記電子線装置の発明において、前記電子源は、複数の電子放出部（電子放出素子）を有している構成を好適に採用できる。より具体的には複数の電子放出部をマトリックス状に配置した構成を好適に採用できる。複数の行方向配線と複数の列方向配線とで単純マトリクス状配置を構成することができる。また、並列に配置した電子放出部の個々を両端で接続した電子放出部の行を複数配し（行方向と呼ぶ）、この配線と直行する方向（列方向と呼ぶ）に沿って、電子放出部の上方に配した制御電極（グリッドとも呼ぶ）により電子放出部からの電子を制御するはしご状配置を採用してもよい。

また、電子放出部としては、冷陰極素子を好適に採用できる。電界放出型の電子放出素子、特には横型の電界放出型の電子放出素子や、表面伝導型の電子放出素子を好適に採用できる。

また上記電子線装置の各発明において、前記電子源が放出する電子を制御する電極を有する構成を好適に採用できる。例えば電子線装置におし ^て電子を制御する電極を設ける場合がある。例えば集束電極や加速電極などである。グリッド電極やアノード電極と称されるものもこの制御電極の一種である。またメタルバックと称されるものも制御電極の一種である。このような制御電極を設ける場合、ゲッ夕材は制御電極とは別に設けるとよく、特にゲッ夕材と制御電極とは別の材料組成で設け、制御電極よりもゲッ夕材のほうのゲッ夕特性を良好にするのが好適である。なお、ゲッ夕材の電位が電子の軌道に対して影響を及ぼす構成を本願は排除しないが，ゲッ夕材の電位が電子の軌道に対して及ぼす悪影響は抑制することが望ましい。これはゲッ夕材の配置を注意深く行うこと等により回避できる。また本願は画像形成装置の発明として、上記各発明の気密装置と、該気密装置内部空間に電子を放出する電子源と、該電子源からの電子の照射により画像を形成する画像形成部材とを有することを特徴とする画像形成装置の発明を含む。この画像形成装置の発明も >電子源や画像形成部材が気密装置の気密維持構造の一部を兼ねる構成を含む。画像形成部材は、電子の照射により発光する蛍光体を有するものを好適に採用できる。この構成においても，電子源が複数の電子放出部を有する構成、特には複数の電子放出部をマ卜リックス状に配置した構成を好適に採用できる。

上記画像形成装置の発明において、前記ゲッ夕材が前記画像形成部材上に位置する構成を好適に採用できる。画像形成部材が蛍光体を有するものである場合、該蛍光体とゲッ夕材を画像形成部材に設けることができる。また画像形成部材がブラックストライプやブラックマトリクスのような黒色体を有するものである場合は黒色体上にゲッ夕材を設けてもよい。また画像形成部材がメタルバックのような加速電極を有する場合は、ゲッ夕材を該加速電極と接して設けてもよい。また、本発明の思想によれば、表示用として好適な画像形成装置に限るものでなく、感光性ドラムと発光ダイオード等で構成された光プリン夕の発光ダイォード等の代替の発光源として、上述の画像形成装置を用いることもできる。またこの際、上述の m本の行方向配線と n本の列方向配線を、適宜選択することで、ライン状発光源だけでなく、 2次元状の発光源としても応用できる。この場合、画像形成部材としては、以下の実施例で用いる蛍光体のような直接発光する物質を用いたものに限るものではなく、電子の帯電による潜像画像が形成されるような部材を用いることもできる。

また、本発明の思想によれば、例えば電子顕微鏡のように、電子源からの放出電子の被照射部材が、蛍光体等の画像形成部材以外のものである場合についても、本発明は適用できる。従って、本発明は被照射部材を特定しない- 般的電子線装置としての形態もとりうる。図面の簡単な説明

第 1図は、本発明の画像形成装置の 1例を示す模式図である。

第 2図は、本実施例 2の画像形成装置を示す模式図である。

第 3図は、本実施例 3の画像形成装置を示す模式図である。

第 4図は、本実施例 4の画像形成装置を示す模式図である。

第 5図は、本実施例 5の画像形成装置を示す模式図である。

第 6図は、本発明に用いられる、蛍光体、及び黒色導電材の配置パターンを示す。

第 7図は、本発明が適用される、表面伝導型電子放出素子を、単純マトリクス配置した一例を示す模式図である。

第 8図は、本発明の画像形成装置に、 N T S C方式のテレビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路の一例を示すブロック図である。

第 9図は、本発明を適用して形成した、単純マトリクス配置された電子源の一例を示す模式図のうち、平面図である。

第 1 0図は、本発明を適用して形成した、単純マトリクス配置された電子源の一例を示す模式図のうち、断面図である。

第 1 1図は、本発明を適用して形成した、表面伝導型電子放出素子を配列した基板を形成するプロセスを示す。

第 1 2図は、本発明の画像形成装置フォーミング、活性化工程を行うための真空排気装置の模式図である。

第 1 3図は、本発明の画像形成装置の、フォーミング、活性化工程のための結線方法を示す模式図である。

第 1 4図は、本発明の画像形成装置の、フォーミングの際に用いられる電圧波形を示す模式図である。

第 1 5図は、従来の技術を示す。

発明を実施するための最良の形態

本発明を適用し得る基本的構成について説明する。

第 1図は、本発明の画像形成装置の構成の一例を模式的に示すものである。 1 は電子源で、複数の電子放出素子を基板上に配置し、適当な配線を施したものである。 2はリアプレート、 3は支持枠、 4はフェースプレート、 9、 1 4はゲッ夕、 1 5は板状スぺーサ、接合部において、フリットガラスなどを用いて互いに接着され、外囲器 5を形成している。

フェースプレート 4は、ガラス基体 6の上に蛍光膜 7、メタルバック 8が形成されてなり、この部分は画像表示領域となる。蛍光膜 7は白黒画像の場合には、蛍光体のみからなるが、カラー画像を表示する場合には、赤、緑、青の 3原色の蛍光体によりピクセルが形成され、その間を黒色導電材で分離した構造とする。黒色導電材はその形状により、ブラックストライプ、ブラックマトリクスなどと呼ばれる。詳細は後述する。

メタルバック 8は A 1などの導電性薄膜により構成される。メタルバック 8は、蛍光体から発生した光のうち、電子源 1の方に進む光をガラス基体 6の方向に反射して輝度を向上させるとともに、外囲器 5内に残留したガスが、電子線により電離され生成したイオンの衝撃によって、蛍光体が損傷を受けるのを防止する働きもある。またフェースプレート 4の画像表示領域に導電性を与えて、電荷が蓄積されるのを防ぎ、電子源 1に対してアノード電極の役割を果たすものである。続いて蛍光膜 7について説明する。第 6図（a ) は、蛍光体 1 3がストライプ状に並べられた場合で、赤（R ) 、緑（G) 、青（B ) の 3原色の蛍光体 1 3が順に形成され、その間が黒色導電材 1 2によって分離されている。この場合、黒色導電材 1 2の部分はブラックストライプと呼ばれる。第 6図（b ) は蛍光体 1 3のドットが格子状に並び、その間を黒色導電材 1 2によって分離したものである。この場合には、黒色導電材 1 2はブラックマトリクスと呼ばれる。

蛍光体 1 3の各色の配置方法は数種あり、これに応じてドットの並び型は、図示した三角格子のほか、正方格子などを採用する場合もある。ガラズ基体 6上への黒色導電材 1 2と蛍光体 1 3のパターニング法としては、スラリー法や印刷法などが使用できる。蛍光膜 7を形成した後、さらに A iなどの金属を形成し、メタルバック 8とする。

第 7図（a ) 、（b ) は、 2次元的に配置された電子源を、マトリクス配線で接続された構成を模式的に示したものである。第 7図（a )は平面図、第 7図（b ) は A— A ' に沿った断面の構成を示す。 7 2は X方向配線（上配線）、 7 3は丫方向配線（下配線）で、電子放出素子 7 8にそれぞれ接続されている。 Y方向配線 7 3は絶縁性基体 7 1上に設置され、さらにその上に絶縁層 7 4が形成され、その上に X方向配線 7 2、電子放出素子 7 8、が形成され、 Y方向配線 7 3と電子放出素子 7 8はコンタクトホール 7 7を介して接続される。上記各種配線は、スパッ夕法、真空蒸着法、メツキ法などの各種薄膜堆積法と、フォトリソグラフィ一技術の組み合わせ、あるいは印刷法などにより形成される。

上記のようにして形成されたフェースプレー卜と電子源基板に対し、ゲッ夕 9 を設置する位置としては、スぺーサとスぺーサの間でフェースプレート側ではメタルバック上あるいは黒色導電材上、電子源基板上では X方向配線上があげられる。設置はいずれか一方に行ってもよいし、双方に行ってもよい。また設置領域は、画像表示領域内全域に、まんべんなく分散して配置されることが望ましい。さらに、ゲッ夕 9の設置面積としては、前記板状スぺ一ザと前記電子源基板および前記画像形成部材との設置面積より大きく配設されていることが望ましい。一方、ゲッ夕 1 4を配置する位置としては、画像形成装置内でかつ画像表示領域外でメタルバック、電子源に対し絶縁されてあれば、フェースプレート 4上でもリアプレート上に設置しても良い。

上記のゲッ夕 9 , 1 4は、その材料として T i、 Z r , C r， A 1 , V, N b , T a， W， M o , T h， N i , F e， M nのうちから選ばれる一種以上の金属、またはその合金からなるもの、あるいは B aが使われ、適当なマスクをのせて真空蒸着法またはスパッ夕リング法、ゲッタフラッシュ法によつて製造可能である。フェースプレート 4と、支持枠 3、リアプレー卜 2、板状スぺーサ 1 5と、電子源 1やその他の構造体と組み合わせ、支持枠 3と、フエ一スプレート 4、リアプレート 2、板状スぺ一サ 1 5を接合する。接合は、接合部にフリットガラスをつけ、 4 0 0〜4 5 0 °Cに加熱して行う。電子源 1などの内部構造体の固定も同様に行う。実際の操作としては、フリットガラス中にバインダーとして含まれる成分を除去するために、まず酸素を含む雰囲気中で、低温での加熱焼成（このェ程を「仮焼成」と呼ぶ）を行う。この時の酸素濃度と温度は可能な範囲で下げることが望ましい。具体的な条件はフリツ卜の種類によって異なるが、温度については 250°C以下が望まれる。この後、 A rなどの不活性ガス（ i n e r t g a s)中で、 400〜450 °Cの加熱処理を行い、接合部を溶着する（封着工程）。こうして作成した画像形成装置は、広い面積で、しかも最もガスを放出する部分の近傍にゲッ夕材が配置されているので、封着工程後に外囲器内に発生したガスはゲッ夕材により速やかに吸着され、外囲器内の真空度が良好に維持されるので、電子放出素子からの電子放出量が安定する。

次に、上記の画像形成装置により、 NTS C方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う為の駆動回路の構成例について、第 8図を用いて説明する。第 8図において、 8 1は画像表示装置、 82は走査回路、 83は制御回路、 84 はシフトレジス夕である。 85はラインメモリ、 86は同期信号分離回路、 87 は変調信号発生器、 V Xおよび V aは直流電圧源である。

画像形成装置 8 1は、端子 Do x 1乃至 Do xm、端子 Doy 1乃至 Doy n、及び高圧端子 Hvを介して外部の電気回路と接続している。端子 Dox 1乃至 D oxmには、画像形成装置内に設けられている電子源、即ち、 M 行 N 列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群を一行（N素子）ずつ順次駆動する為の走査信号が印加される。

端子 Doy 1 乃至 Doyn には、前記走査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。高圧端子 H Vには、直流電圧源 V aより、例えば 10 k Vの直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。

走査回路 82について説明する。同回路は、内部に M 個のスイッチング素子を備えたもので（図中， S 1ないし Smで模式的に示している）ある。各スイツチング素子は、直流電圧源 Vxの出力電圧もしくは 0 V (グランドレベル）のいずれか一方を選択し、画像形成装置 8 1の端子 D o X 1 ないし Doxm と電気的に接続される。 S 1 乃至 Smの各スイッチング素子は、制御回路 83が出力する制御信号 T s c a n に基づいて動作するものであり、例えば F ET のようなスィツチンゲ素子を組み合わせることにより構成することができる。直流電圧源 Vxは、本例の場合には表面伝導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定されている。

制御回路 83は、外部より入力する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる機能を有する。制御回路 83は、同期信号分離回路 86より送られる同期信号 T s y n c に基づいて、各部に対して T s c a n および T s f tおよび Tm r yの各制御信号を発生する。

同期信号分離回路 86は、外部から入力される NTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分離（フィル夕一）回路等を用いて構成できる。同期信号分離回路 86により分離された同期信号は、垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上 T s yn c 信号として図示した。前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分は便宜上 DAT A信号と表した。該 DAT A信号はシフトレジス夕 84に入力される。

シフトレジス夕 84は、時系列的にシリアルに入力される前記 DAT A信号を、画像の 1ライン毎にシリアル Zパラレル変換するためのもので、前記制御回路 8 3より送られる制御信号 T s f tに基づいて動作する（即ち、制御信号 T s f t は，シフトレジスタ 84のシフトクロックであるということもできる。）。シリアル/パラレル変換された画像 1 ライン分（電子放出素子 N 素子分の駆動デ一夕に相当）のデータは、 I d l 乃至 I d n の N 個の並列信号として前記シフトレジス夕 84より出力される。

ラインメモリ 85は、画像 1 ライン分のデ一夕を必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、制御回路 83より送られる制御信号 Tm r yに従って適宜 I d 1 乃至 I d n の内容を記憶する。記憶された内容は、 I ' d 1乃至 I ' d nとして出力され、変調信号発生器 87に入力される。

変調信号発生器 87は、画像データ Γ d 1乃至 I ' d nの各々に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その出力信号は、端子 D o y 1乃至 D o y nを通じて表示パネル 8 1内の表面伝導型電子放出素子に印加される。本発明を適用可能な電子放出素子は放出電流 I eに対して以下の基本特性を有している。即ち、電子放出には明確なしきい値電圧 V t hがあり、 V t h以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化する。このことから、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、パルスの波高値 Vmを変化させる事により出力電子ビームの強度を制御することが可能である。また、パルスの幅 P wを変化させることにより出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能である。従って、入力信号に応じて、電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器 8 7として、一定長さの電圧パルスを発生し、入力されるデ一夕に応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いることができる。

パルス幅変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器 8 7として、一定の波高値の電圧パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いることができる。シフトレジス夕 8 4やラインメモリ 8 5は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のものをも採用できる。画像信号のシリアル/パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。

デジタル信号式を用いる場合には、同期信号分離回路 8 6の出力信号 D A T A デジタル信号化する必要があるが、これには 8 6の出力部に AZD 変換器を設ければ良い。これに関連してラインメモリ 8 5の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信号発生器 8 7に用いられる回路が若干異なったものとなる。即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式の場合、変調信号発生器 8 7には、例えば D ZA変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器 8 7には、例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み合せた回路を用いる。必要 1341

14 に応じて、比較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。

アナログ信号を用いた電圧変調方式の場合、変調信号発生器 8 7には、例えばオペアンプなどを用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフ卜回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式の場合には、例えば、電圧制御型発振回路（V O C ) を採用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。

このような構成をとり得る本発明の画像形成装置においては、各電子放出素子に、容器外端子 D o x 1乃至 D o xm、 D o y 1乃至 D o y nを介して電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端子 H vを介してメタルバック 8は透明電極（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電子は、蛍光膜 7に衝突し、発光が生じて画像が形成さる。

ここで述べた画像形成装置の構成は、本発明を適用可能な画像形成装置の一例であり、発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号については、 N T S C方式を挙げたが入力信号はこれに限られるものではなく、 P A L， S E C AM 方式など他、これよりも、多数の走査線からなる T V信号（例えば、 M U S E方式をはじめとする高品位 T V) 方式をも採用できる。

本発明の画像形成装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピュータ一等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリン夕一としての画像形成装置等としても用いることができる。

以下、好ましい実施例を挙げて、本発明を更に詳述するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

(実施例 1 )

本実施例の画像形成装置は、第 1図に模式的に示された装置と同様の構成を有し、ゲッ夕 9は、画像表示領域内の、 X方向配線（上配線）上に、ゲッ夕 1 4は画像表示領域外にそれぞれ配置されている。 2はリアプレート、 3は支持枠、 4 はフェースプレート、 1 5は板状スぺーサ、接合部において、フリットガラスなどを用いて互いに接着され、外囲器 5を形成している。また、本実施例の画像形成装置は、基板上に、複数（240行 X 720列）の表面伝導型電子放出素子が、単純マトリクス配線された電子源 1を備えている。電子源 1の一部平面図を第 9図に示す。また、図中 B— B' 断面図、 C一 C' 断面図を第 1 0図に示す。但し、第 9図、第 1 0図で、同じ記号を付したものは同じ物を示す。ここで 1 0 1は電子源基板、 1 02は第 1図の Doxmに対応する X方向配線（上配線とも呼ぶ）、 1 03は第 1図の Doy nに対応する Y方向配線（下配線とも呼ぶ）、 1 08は電子放出部を含む導電性膜、 1 05， 106 は素子電極、 1 04は層間絶縁層、 107は素子電極 105と下配線 103と電気的接続のためのコンタク卜ホールである。

以下に、本実施例の画像形成装置の製造方法について、第 1 1図を参照しつつ説明する。

工程一 a 基板 1を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分に洗浄した。この上に厚さ 0. 5 mのシリコン酸化膜をスパッ夕法で形成し、電子源基板 1とした。この上にホトレジスト（AZ 1 370へキス卜社製）をスピンナ一により回転塗布、ベークした後、ホトマスク像を露光、現像して、下配線 103のレジス卜パターンを形成した。さらに、真空蒸着により、幅 100 / m、厚さ 5 nmの C r、厚さ 600 nmの Auを順次積層した後、 A u ZC r堆積膜をリフトオフにより不要の部分を除去して、所望の形状の下配線 1 03を形成した。

工程一 b 次に、厚さ 1. 0 /mのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜 104 を RFスパッ夕法により堆積する（第 1 1図（b) ) 。

工程— c 前記工程 bで堆積したシリコン酸化膜にコンタク卜ホール 107を形成するためのホトレジストパターンを作り、これをマスクとして層間絶縁層 1 04をエッチングしてコンタク卜ホール 1 07を形成する。エッチングは CF 4 と H 2ガスを用いた R I E (R e a c t i V e I o n E t c h i ng) 法によった（第 1 1図（c) ) 。

工程一 d コンタクトホール 1 07部分以外にレジス卜を塗布するようなパ夕ーンを形成し、真空蒸着により厚さ 5 nmの T i、厚さ 500 nmの Auを順次堆積した。リフトオフにより不要の部分を除去することにより、コンタクトホール 1 07を埋め込んだ（第 1 1図（〔1 ) ) 。工程一 e その後、素子電極 1 05と素子電極間ギャップ Gとなるべきパターンをホトレジス卜（RD— 200 ON— 41日立化成社製）で形成し、真空蒸着法により、厚さ 5 nmの丁し厚さ 1 00 nmの N iを順次堆積した。ホトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、 N i ZT i堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔 Gは 3 μπι、素子電極の幅は 300 / mとし、素子電極 105， 106を形成した（第 1 1図（e) ) 。

工程— f 素子電極 1 05， 1 06の上に上配線 102のホトレジストパターンを形成した後、厚さ 5 nmの T i、厚さ 500 nmの Auを順次、真空蒸着により堆積し、リフトオフにより不要の部分を除去して、所望の形状の幅 400 / mの上配線 1 02を形成した（第 1 1図（ f ) ) 。

工程一 g 膜厚 100 nmの C r膜 1 0 19を真空蒸着により堆積 ·パ夕一二ングし、その上に Pdアミン錯体の溶液（c c p4230奥野製薬（株）社製）をスピンナ一により回転塗布、 300°Cで 10分間の加熱焼成処理をした。また、こうして形成された、主元素として P dよりなる微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜 108の膜厚は 8. 5 nm、シート抵抗値は 3. 9 X 10⁴ΩΖ口であった。なおここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさし、その粒径とは、前記状態で粒子形状が認識可能な微粒子についての径を言う（第 1 1図（g) )。工程一 h C r膜 1 0 1 9及び焼成後の電子放出部形成用の導電性膜 108を酸エッチヤン卜によりエッチングして所望のパターンを形成した。（第 1 1図 (h) ) 。以上の工程により電子源基板 10 1上に複数（240行 X 720列）の電子放出部形成用の導電性膜 1 08力上配線 1 02と下配線 1 03よりなる単純マトリクスに、接続されたものとした。

工程— X メタルマスクを用いて画像表示領域内の上配線 102上に、スパッタリング法により Z r— V— F e合金よりなるゲッ夕層 109を形成する。ゲッ夕層 9の厚さは 2 mとなるように調整し、ゲッタ 9の幅 400 で板状スぺ一サの幅 200 mより太く、かつ長く形成した。非蒸発型ゲッ夕を形成した。使用したスパッタリング夕ーゲッ卜の組成は、 Z r : 70%、 V ; 25%、 F e ; 5 % (重量比）である。（第 1 1図（ i ) )

以上により、ゲッ夕 9を備えた電子源 1を形成した。

工程一 i 次に、第 1図に示すフェースプレー卜 4を、以下のように作成した。ガラス基体 6を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分に洗浄した。この上に、スパッ夕法により I TOを 0. 1 堆積し、透明電極]. 0 1 1を形成した。続いて、印刷法により蛍光膜 7を塗布し、表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。 ) して、蛍光体部を形成した。なお、蛍光膜 7はストライプ状の蛍光体（R， G, B) 1 3と、黒色導電材（ブラックストライプ） 1 2とが交互に配列された第 6図（a) に示される蛍光膜とした。更に、蛍光膜 7の上に、 A 1薄膜よりなるメタルバック 8をスパッタリング法により 0. 1 xmの厚さに形成した。

工程一 j 次に、第 1図に示す外囲器 5を、以下のように作成した。

前述の工程により作成された電子源 1をリアプレート 2に固定した後、支持枠 3、上記フエ一スプレー卜 4、および電子源 1の上配線 102上に板状スぺ一サ 1 5を組み合わせ、電子源 1の下配線 103及び上配線 102を行選択用端子 1 0及び信号入力端子 1 1と各々接続し、電子源 1とフェースプレート 4と板状スぺーサ 1 5の位置を厳密に調整し、封着して外囲器 5を形成した。封着の方法は、接合部にフリットガラスを塗布し、 1~ガス中450°(：、 30分の熱処理を行い接合した。なお、電子源 1とリアプレート 2の固定も同様の処理により行った。また、リアプレート 2とフェースプレート 4及び板状スぺーサ 1 5を配置する際には、同時に画像表示領域外に B aを主成分とする蒸発型ゲッ夕のリング状ゲッ夕 14を配置した。

なお、板状スぺーサの Z方向の高さは 2mmであり、 X方向（長手方向）の長さは 1 1. 4 cmとした。板状スぺーザの長手方向の延長線が外囲器内壁に達する 2点間の距離は 20. 3 cmである。

次の工程を説明する前に、以後の工程にて用いられた真空装置について、第 1 2図を用いて述べる。画像形成装置 1 2 1は、排気管 1 2 2を介して真空容器 1 2 3に接続され、該真空容器 1 2 3には、排気装置 1 2 5が接続されており、その間にゲートバルブ 1 2 4が設けられている。真空容器 1 2 3には、圧力計 1 2 6、四重極質量分析器（Q— m a s s ) 1 2 7が取り付けられており、内部の圧力及び、残留ガスの各分圧をモニタできるようになつている。外囲器 5内の圧力や分圧を直接測定することは困難なので、真空容器 1 2 3の圧力と分圧を測定し、この値を外囲器 · 5 内のものとみなす。排気装置 1 2 5はソープシヨンポンプとイオンポンプからなる超高真空用排気装置である。真空容器 1 2 3には、複数のガス導入装置が接続されており、物質源 1 2 9に蓄えられた物質を導入することができる。導入物質はその種類に応じて、ボンべまたはアンプルに充填されており、ガス導入量制御手段 1 2 8によって導入量が制御できる。ガス導入量制御手段 1 2 8は、導入物質の種類、流量、必要な制御精度などに応じて、ニードルバルブ、マスフローコントローラ一などが用いられる。本実施例では、ガラスアンプルに入れたベンゾ二トリルを物質源 1 2 9として用い、ガス導入量制御手段 1 2 8として、スローリークバルブを使用した。以上の真空処理装置を用いて以後の工程を行った。工程一 k 外囲器 5の内部を排気し、圧力を I X 1 0— ³ P a以下にし、電子源基板 1 0 1上に配列された前述の複数の電子放出部形成用の導電性膜 1 0 8 (第 1 1図（j ) ) に、電子放出部を形成するための以下の処理（フォーミングと呼ぶ）を行った。第 1 3図に示すように、 Y方向配線 1 0 3を共通結線してグランドに接続する。 1 3 1は制御装置で、パルス発生器 1 3 2とライン選択装置 1 3 4を制御する。 1 3 3は電流計である。ライン選択装置 1 3 4により、 X方向配線 1 0 2から 1ラインを選択し、これにパルス電圧を印加する。フォーミング処理は X方向の素子行に対し、 1行（3 0 0素子）毎に行った。印加したパルスの波形は第 1 4図（a )に示すような三角波パルスで、波高値を徐々に上昇させた。パルス幅 T 1 = 1 m s e c、パルス間隔 T 2 = 1 0 m s e cとした。また、三角波パルスの間に、波高値 0 . 1 Vの矩形波パルスを挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定した。抵抗値が 3 . 3 k Ω ( 1素子当たり 1 M Ω ) を越えたところで、その行のフォーミングを終了し、次の行の処理に移った。これをすベての行について行い、すべての前記導電性膜（電子放出部形成用の導電性膜 1 08) のフォーミングを完了し、各導電性膜に電子放出部を形成して、複数の表面伝導型電子放出素子が、単純マ卜リクスに配線された電子源 1を作成した。工程一 1 真空容器 123内に、ベンゾニトリルを導入し、圧力が 1. 3 X 1 0" P aとなるように調整し、素子電流 I f を測定しながら上記電子源 1にパルスを印加して、各電子放出素子の活性化処理を行った。パルス発生器 132により生成したパルス波形は、第 14図（b) に示した矩形波で、波高値は 14V、パルス幅 T 1 = 1 00 s e c、パルス間隔は 167 s e cである。ライン選択装置 134により、 167 /i s e c毎に選択ラインを Dx lから Dx l O Oまで順次切り替え、この結果、各素子行には T 1 = 100 s e c、 T2= 16. 7ms e cの矩形波が行毎に位相を少しずつシフ卜されて印加されることになる。電流計 1 33は、矩形波パルスのオン状態（電圧が 14 Vになっている時）での電流値の平均を検知するモードで使用し、この値が 600mA (1素子当たり 2mA) となったところで、活性化処理を終了し、外囲器 5内を排気した。工程一 m 排気を続けながら、不図示の加熱装置により、画像形成装置 121 及び真空容器 123の全体を 300 に、 10時間保持した。この処理により、外囲器 5及び真空容器 123の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾニ卜リル及びその分解物が除去された。これは Q - ma s s 127による観察で確認された。

この工程においては、画像形成装置の加熱/排気保持により、内部からのガスの除去が行われるだけでなく、非蒸発型ゲッ夕の活性化処理も兼ねて行われる。工程一 n 圧力が 1. 3 X 1 (T⁵P a以下となったことを確認してから、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。続いて、画像表示領域外に設置されたリング状の蒸発型ゲッ夕 14を高周波加熱でフラッシュさせた。

以上により本実施例の画像形成装置を作成した。

(実施例 2 )

本実施例の画像形成装置を第 2図に示す。

工程 Xを行わない以外は工程一 a〜 iまで、実施例 1と同様の工程を行った。次に以下の工程— yを行った。工程 y フェースプレート 4の全てのブラックマトリクス 1 2上にスパッ夕リング法により T i - A 1合金よりなるゲッ夕層 9を形成した。 T i 一 A 1合金のゲッ夕層 1 0 9の厚さは 5 mとし、幅は板状スぺーサの幅 1 5 0 mより太く、長く形成した。スパッタリングに用いたターゲットの組成は、 T i 8 5 %、 A l l 5 %の合金である。

工程 j 〜n 実施例 1と共通。

以上により本実施例の画像形成装置を作成した。

(実施例 3 )

本実施例の画像形成装置を第 3図に示す。

本実施例では、実施例 1の工程の工程一 j中の蒸発型ゲッ夕が第 3図に示すヮィャ一状のものであることと、工程一 nにおいてゲッ夕フラッシュを抵抗加熱で行った以外は、実施例 1と同様に画像形成装置を作成した。

(実施例 4 )

本実施例の画像形成装置を第 4図に示す。

本実施例では、実施例 1とはスぺーサの大きさ及び配置を異ならせ、 X方向の長さ 2 0 mmの板状スぺ一サが 5 0 mmおきに千鳥に画像表示領域の全ての上配線上に配置し、ゲッ夕 9をスぺーサとスぺーサの間に形成した以外は、実施例 1と同様に画像形成装置を作成した。

(実施例 5 )

本実施例の画像形成装置を第 5図に示す。

本実施例では、実施例 1の工程の工程一 Xと実施例 2の工程の工程一 yをそれぞれ行い、上配線 1 0 2上とブラックマトリクス 1 2上にゲッ夕 9を形成した以外は、実施例 1と同様に画像形成装置を作成した。

上記各実施例の構成によると、長時間の動作をおこなっても輝度の低下を好適に抑制することができた。

以上述べたように上記実施例は、外囲器内に複数の電子放出素子が基板上に配置し対向する電極と配線で結線された電子源基板と、前記基板に対向して設けられた蛍光膜を有する画像形成部材を有し、前記電子源基板と前記画像形成部材との間に板状スぺーサ部材を有する画像形成装置において、前記板状スぺーサとスぺーサとの間に少なくとも 1種類のゲッタ材が配設し、前記ゲッ夕材の設置面積は前記板状スぺーザと前記電子源基板および前記画像形成部材との設置面積より大きく配設されていることにより、広い面積で、しかも、最もガスを放出する部分の近傍にゲッ夕材が配置されることになる。

その結果、外囲器内に発生したガスはゲッタ材に速やかに吸着され、外囲器内の真空度が良好に維持されるので、電子放出素子からの電子放出量が安定し、特性の劣化を抑制でき、結果的に、長時間動作させた場合の輝度の低下、とりわけ、画像表示領域の外側付近での輝度の低下、および輝度むらを抑制することができる。

以上具体的に実施例を挙げて説明したように、本願発明によれば、好適な気密装置を実現でき、電子線装置、特には画像形成装置を好適に実現することができる。産業上の利用可能性

本願発明は、内部に気密空間を有する装置である気密装置の分野で用いることができる。特に画像形成装置のような電子線放出装置の分野で用いることができる。

Claims

請求の範囲

1 .内部の圧力が外部の圧力よりも低い気密装置であって、内部の形状の変形を抑制する複数の板状スぺーサを有しており， 2つの前記板状のスぺーサの間の空間にゲッ夕材を有することを特徴とする気密装置。

2 . 2つの前記板状スぺ一ザに挟まれる空間を 2つ以上有しており、該 2つ以上の空間にゲッ夕材を有する請求の範囲 1に記載の気密装置。

3 .前記板状のスぺーサは,該スぺ一ザが維持しょうとする間隔に直交する方向に長手方向を有するものである請求の範囲 1もしくは 2に記載の気密装置。

4 . 前記板状のスぺーサの長手方向の長さは、該スぺーサが維持しょうとする間隔の 2 0倍よりも長い請求の範囲 3に記載の気密装置。

5 . 前記板状スぺーザの長手方向の長さは，該長手方向の延長線が,気密装置の内壁に達した 2点間の距離の 5 6パーセント以上の長さである請求の範囲 3もしくは 4に記載の気密装置。

6 . 前記スぺーザの設置面積よりも前記ゲッ夕材の設置面積のほうが大きい請求項の範囲 1乃至 5いずれかに記載の気密装置。

7 . 前記ゲッ夕材が、その材料として、 T i， Z r , あるいは B aの少なくともいずれかを含むものである請求の範囲. 1乃至 6いずれかに記載の気密装置。

8 .前記ゲッ夕材が、非蒸発型のゲッ夕である請求の範囲 1乃至 7いずれかに記載の気密装置。

9 . 請求の範囲 1乃至 8いずれかに記載の気密装置と、該気密装置内部空間に電子を放出する電子源とを有することを特徴とする電子線装置。

1 0 .前記電子源は，複数の電子放出部を有している請求の範囲 9に記載の電子線

1 1 . 前記電子源が放出する電子を制御する電極を有する請求の範囲 9もしくは 1 0に記載の電子線装置。

1 2 . 前記ゲッ夕材は前記電極とは別に設けられる請求の範囲 1 1に記載の電子

1 3 . 前記ゲッ夕材は前記電極とは異なる組成を有する請求の範囲 1 1もしくは 1 2に記載の電子線装置。

1 4 . 請求の範囲 1乃至 8いずれかに記載の気密装置と、該気密装置内部空間に電子を放出する電子源と、該電子源からの電子の照射により画像を形成する画像形成部材とを有することを特徴とする画像形成装置。

1 5 . 前記ゲッ夕材が前記画像形成部材上に位置する請求項 1 4に記載の画像形

1 6 . 前記電子源が放出する電子を制御する電極を有する請求の範囲 1 4もしくは 1 5に記載の画像形成装置。

1 7 . 前記ゲッ夕材は前記電極とは別に設けられる請求の範囲 1 6に記載の画像形成装置。

1 8 . 前記ゲッ夕材は前記電極とは異なる組成を有する請求の範囲 1 6もしくは 1 7に記載の画像形成装置。