JP2000082428A

JP2000082428A - 画像表示装置

Info

Publication number: JP2000082428A
Application number: JP10248725A
Authority: JP
Inventors: Ihachirou Gofuku; 伊八郎五福
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-09-02
Filing date: 1998-09-02
Publication date: 2000-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】輝度の経時変化（経時的低下）が少なく、画
像形成領域内での経時的な輝度ばらつきの発生の少ない
画像表示装置を提供する。【解決手段】電子源基板は、ガラス基体１０１上に電
子放出素子の配列の内Y方向を選択するための下配線１
０３と、下配線１０３を絶縁するための層間絶縁膜１０
４と、層間絶縁膜１０４上に設けた電子放出素子と、電
子放出素子の配列の内X方向を選択するための上配線１
０２とを有し、上配線１０２をゲッタ材料で被覆し、外
囲器に1又は2以上の真空計を取り付けて、内部の真空度
をモニタし、所定真空度より高真空の場合に、上配線10
2に通電してゲッタ材を活性化し、外囲器内のアウトガ
スを吸着させて、外囲器内の真空を維持するようにして
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置に関
し、特に、内部の真空度をモニタし、所定真空度より高
真空の場合にゲッタ材を活性化して外囲器内のアウトガ
スを吸着させ、真空を維持する画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子源より放出された電子ビームを画像
表示部材である蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画
像を表示する装置においては、電子源と画像形成部材を
内包する真空容器の内部を高真空に保持しなければなら
ない。

【０００３】それは、真空容器内部にガスが発生し、圧
力が上昇すると、その影響の程度はガスの種類により異
なるが、電子源に悪影響を及ぼして電子放出量を低下さ
せ、明るい画像の表示ができなくなるためである。ま
た、発生したガスが、電子ビームにより電離されてイオ
ンとなり、これが電子を加速するための電界により加速
されて電子源に衝突することで、電子源の損傷を与える
こともある。さらに、場合によっては、内部で放電を生
じさせる場合もあり、この場合は装置を破壊することも
ある。

【０００４】通常、画像表示装置の真空容器はガラス部
材を組み合わせて、接合部をフリットガラスなどにより
接着して形成されており、一旦接合が完了した後の圧力
の維持は、真空容器内に設置されたゲッターによって行
われる。

【０００５】通常のＣＲＴでは、Ｂａを主成分とする合
金を、真空容器内で通電あるいは高周波により加熱し、
容器内壁に蒸着膜を形成し、これにより内部で発生した
ガスを吸着して高真空を維持している。

【０００６】近年は、多数の電子放出素子を平面基体上
に配置した電子源を用いた平面状ディスプレイの開発が
進み、真空度の確保に関しても、画像表示部材から発生
したガスが、ゲッタのところまで拡散する前に電子源に
到達し、居所的な圧力上昇とそれに伴うに電子源劣化を
引き起こすことが特徴的な問題となっている。

【０００７】この問題を解決するため、特定の構造を有
する平板状画像表示装置では、画像表示領域内にゲッタ
材を配置して、発生したガスを即座に吸着するようにし
た構成が開示されている。

【０００８】例えば特開平４−１２４３６号公報では、
電子ビームを引き出すゲート電極を有する電子源におい
て、該ゲート電極をゲッタ材で形成する方法が開示され
ており、円錐状突起を陰極とする電界放出型の電子源
と、ｐｎ接合を有する半導体電子源が例示されている。

【０００９】また、特開昭６３−１８１２４８号公報で
は、カソード（陰極）群と真空容器のフェースプレート
との間に、電子ビームを制御するための電極（グリッド
など）を配置する構造の平板状ディスプレイにおいて、
この制御用電極上にゲッタ材の膜を形成する方法が開示
されている。

【００１０】また米国特許５，４５３，６５９号“Anod
e Plate for Flat Panel Display havingu Integrated
Getter",issured 26 Sept.1995 to Wallace et al．
では、画像表示部材（アノードプレード）上の、ストラ
イプ状の蛍光体同士の隙間にゲッタ部材を形成したもの
が開示されている。この例では、ゲッタ材は、蛍光体及
びそれと電気的に接続された導電体とは電気的に分離さ
れており、ゲッタに適当な電位を与えて電子源の放出し
た電子を照射・加熱することで、ゲッタの活性化を行う
ものである。

【００１１】然し乍ら、上述の特開平４−１２４３６号
公報に開示された、ゲート電極をゲッタ材により構成し
た電子源は、円錐状の陰極チップの製造、あるいは半導
体の接合の製造などが真空装置中での煩雑な工程を要
し、また大型化するには製造装置による限界がある。

【００１２】また特開昭６３−１８１２４８号公報のよ
うに、電子源とフェースプレートの間に、制御電極など
を設けた装置では、構造が複雑になり、製造工程ではこ
れらの部材の位置合わせなど煩雑な工程が伴うことにな
る。

【００１３】また、米国特許第５，４５３，６５９号に
開示された、ゲッタ材をアノードプレート上に形成する
方法は、ゲッタ材と蛍光体の間の電気的な絶縁を取るこ
とが必要で精密な微細加工のために、フォトリソグラフ
ィーに用いる装置の大きさなどから、製造できる画像表
示装置の大きさが制限される。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】これに対し、製造工程
が比較的容易であると言う上述の要求を満たしうる構造
を持った電子放出素子としては、横型の電界放出型電子
放出素子や、表面伝導型電子放出素子を挙げることがで
きる。

【００１５】横型の電界放出型電子放出素子は、平面基
体上に尖った電子放出部を有する陰極（ゲート）を対向
させて形成したもので、蒸着、スパッタ、メッキ法など
の薄膜堆積法と、通常のフォトリソグラフィー技術によ
り、形成されるもので、特開平７−２３５２５５号公報
にその一例が示されている。

【００１６】又、局所的なガス放出による圧力上昇を抑
制するには、画像表示領域全面にゲッタ材を分布させる
具体的な手法として、例えば特開平９−８２２４５号公
報に示される構造が考案されている。

【００１７】然し乍らこの例に示されるように、ゲッタ
の活性化のための専用のヒータ配線を敷設する場合に
は、簡略化した工程を再び煩雑にしてしまう。また、電
子線照射によってゲッタ活性化を行うと、電子源に負荷
がかかってしまい、駆動時意外の時点で電子源の劣化を
引き起こすおそれがある。さらにゲッタ部材をスパッタ
などの蒸着法にて固着させる場合には、ゲッタ部材の厚
みや膜構造などに制約があり、充分なゲッタ特性が得ら
れないおそれもある。

【００１８】そこで、本発明は、輝度の経時変化（経時
的低下）の少ない画像表示装置の提供を目的としてい
る。

【００１９】また、本発明は、画像形成領域内での経時
的な輝度ばらつきの発生の少ない画像表示装置の提供を
目的としている。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の画像形成装置は、複数の電子放出素子を配
列した電子源を搭載したリアプレートと、前記電子放出
素子から放出された電子を受けて発光する発光部材を搭
載したフェースプレートとを、たとえば支持枠を介して
フリットで真空封着することにより周囲を密閉して外囲
器となした画像表示装置であって、前記電子源基板は、
ガラス基体上に前記電子放出素子の配列の内Y方向を選
択するための下配線と、前記電子放出素子の配列の内X
方向を選択するための上配線と、前記下配線を絶縁する
ための層間絶縁膜とを有し、前記上配線をゲッタ材料で
被覆し、必要に応じて前記外囲器に1又は2以上の真空計
を取り付けて、内部の真空度をモニタし、所定真空度よ
り高真空の場合に、前記上配線に通電してゲッタ材を活
性化し、前記外囲器内のアウトガスを吸着させて、前記
外囲器内の真空を維持・向上するようにしている。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。

【００２２】図１は、本発明の表面伝導型電子放出素子
を用いた表示装置の１例を示す模式図である。図１にお
いて、９は上述の非蒸発型ゲッタ（ＮＥＧ）部材であ
り、上配線１０２上に配置されている。実用の画像表示
装置では、配線１０２のピッチは０．５〜１ｍｍ程度、
配線自身の幅は数百μｍであり、ＮＥＧ部材を活性化す
るために専用のヒーター及びその配線を組み込むとすれ
ば、パターンの微細化が必要となり、大面積のパネル化
においては大きな障壁となる。また微細化を避けるため
に積層化を図るとすれば、プロセスの複雑化を招くこと
となってしまう。いずれにしても、簡略な工程で大面積
パネルを実現できると言う表面伝導型電子放出素子ない
しは、横型の電界放出型電子放出素子の特徴が失われて
しまう。

【００２３】これに対し、本発明ではゲッタの加熱／活
性化を、素子部につながるマトリクス配線のうち、ゲッ
タを配置する上配線により直接行うため、加熱のための
専用配線の場所の確保や、専用配線作りのための特別な
工程導入の必要がない。基本的にはゲッタ部材配置の工
程を付加するだけですむので、上述の表面伝導型電子放
出素子ないしは、横型の電界放出型電子放出素子の特徴
を失わずに真空改善、素子の長寿命化が図れる。

【００２４】また、配線でＮＥＧを加熱／活性化を行う
際には、配線自身がおよそ３００℃以上の温度に加熱さ
れるため、配線が真空部から外部に取り出される封着部
では、フリット等の接合部材を軟化させ、場合によって
は真空部の維持ができなくなるおそれがある。図２は配
線に流す電流と配線の温度の関係の一例を示す図であ
る。温度の上昇は、電流の２乗にほぼ比例し、ジュール
の法則に従っている。これは抵抗を小さくすれば、それ
に比例して温度が下がることを意味している。即ち、封
着部の配線の抵抗を数倍程度小さくするだけでジュール
熱の発生がかなり抑えられ、ゲッタ活性化を行うことに
よる画像表示装置自体の破壊の確率を充分低減できる。
この結果、本発明により高い歩留まりの確保が可能にな
る。

【００２５】図３は、ゲッタ活性化を行っている際に放
出されるガス量を、時間変化で見ているものである。例
えば３５０℃でゲッタを活性化した場合、ピークでの放
出ガスレートは、およそ３×１０^-5Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ・
ｃｍ２である。これに対し、排気管や周辺に配置したゲ
ッタによる排気は、画像形成領域及び排気管のコンダク
タンスに依存する。一方、ゲッタは１．３×１０^-4Ｐａ
以上の圧力で活性化を行うと、充分な性能が得られなく
なるおそれがあるが、上述の放出ガス量と排気量の関係
は、無秩序な活性化を行うとゲッタが充分に機能しない
ことを示している。このような点から、画像表示装置内
の圧力を、ゲッタ活性化時にモニタする手段を備えさせ
ることが、良好な真空を確保するためには好ましいこと
がわかる。即ち、本発明により真空改善、さらに素子の
長寿命化をより確実に行うことができる。

【００２６】図１は、本発明の画像表示装置の構成の一
例を模式的に示すものである。１は電子源基板で、複数
の電子放出素子を基体上に配置し、マトリクス配線を施
したものである。２はリアプレート、３は支持枠、４は
フェースプレートで、接合部において、フリットガラス
などを用いて互いに接着され、周囲を密閉し、外囲器５
を形成している。尚、排気管は省略した。

【００２７】フェースプレート４は、ガラス基体６の上
に発光部材である蛍光膜７、メタルバック８が形成され
てなり、この部分は画像表示領域となる。蛍光膜７は白
黒画像の場合には、蛍光体のみからなるが、カラー画像
を表示する場合には、赤、緑、青の３原色の蛍光体によ
りピクセルが形成され、その間を黒色部材で分離した構
造とする。黒色部材はその形状により、ブラックストラ
イプ、ブラックマトリクスなどと呼ばれる。

【００２８】メタルバック８はＡｌなどにより構成され
る。メタルバック８は、蛍光体から発生した光のうち、
電子源１の方に進む光をガラス基体６の方向に反射して
輝度を向上させるとともに、フェースプレート４の画像
表示領域に導電性を与えて、電荷が蓄積されるのを防
ぎ、電子源１に対してアノード電極の役割を果たすもの
である。

【００２９】図４（ａ）、（ｂ）は、２次元的に配置さ
れた電子源を、マトリクス配線で接続された構成を模式
的に示したものである。図４（ａ）は平面図、図４
（ｂ）はＡ−Ａ′に沿った断面の構成を示す。図４(a)
には層間絶縁膜が省略されているが、必ずしも図(４(b)
のように基体４１全面に層間絶縁層を形成する必要はな
く、例えば、上配線４２とした配線４３の交差部のみに
形成してもよい。４２はＸ方向配線（上配線）、４３は
Ｙ方向配線（下配線）で、電子放出素子４８にそれぞれ
接続されている。Ｙ方向配線４３は絶縁性基体４１上に
設置され、さらにその上に絶縁層４４が形成され、その
上にＸ方向配線４２、インクジェット法等で形成された
表面伝導型電子放出素子４８、が形成され、Ｙ方向配線
４３と電子放出素子４８はコンタクトホール４７を介し
て接続される。

【００３０】上記各種配線は、スパッタ法、真空蒸着
法、メッキ法などの各種薄膜堆積法と、フォトリソグラ
フィー技術の組み合わせ、あるいは印刷法などにより形
成される。

【００３１】上記の配線上に設置されるＮＥＧは、その
材料としてＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｔｈ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちから選ばれる
一種以上の金属、またはその合金（Ｔｉ−Ｖ−Ｆｅ等）
からなるものが使われる。

【００３２】設置方法は、スパッタ法、ＥＢ蒸着法など
の公知の真空成膜法を用いることができる。そのほか、
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕなどの金属またはその合金、も
しくは炭素繊維を含む複合炭素材料などの板材または線
材の基体上に、上記ＮＥＧ材を焼結などで固定し、チッ
プ化したものを、接着剤などで固定する手段も用いられ
る。さらに、ボンディング、スポット溶接など、金属同
士の接合用いられる手段が適用できる。

【００３３】以上のようにして形成されたフェースプレ
ート４と、支持枠３、リアプレート２と、電子源基板１
やその他の構造体と組み合わせ、支持枠３と、フェース
プレート４、リアプレート２を接合する。接合は、接合
部にフリットガラスをつけ、Ａｒなどの不活性ガス（ｉ
ｎｅｒｔｇａｓ）中で、４００〜４５０℃に加熱して
行う（封着工程と呼ぶ）。電子源基板１などの内部構造
体の固定も同様に行う。尚、ここでは、電子源基板１と
リアプレート２を別部材としたが、リアプレート２が電
子源基板１を兼ねてもよい。

【００３４】この後、表面伝導型電子放出素子を用いる
場合には、外囲器５の内部を一度排気して、かく電子放
出素子に公知の活性化処理など必要な処理を行う。続い
て排気と加熱脱ガス（ベーキング）により、外囲器５の
内部に十分な真空を確保し、排気管（不図示）をバーナ
ーで加熱して封じ切る。最後に、ゲッタ処理を行うが、
これは外囲器５内に設けた蒸発型ゲッタ１４（図では、
模式的にリング状ゲッタを表示）を加熱して外囲器５の
内壁に蒸着してゲッタ材の膜を形成する処理である（ゲ
ッタの「フラッシュ」と言う）。これによって形成され
るゲッタ膜は、外囲器５内の画像表示領域の外に位置す
る。

【００３５】ここで、配線上に設置したＮＥＧの加熱に
よる活性化について述べる。まず活性化に必要な電流に
ついては、配線の形状と配線材の抵抗率に応じて決めら
れる。図２に、形状が幅３００μｍ×厚み１０μｍ×長
さ１００ｍｍで、抵抗値が２Ωの配線の、電流と温度の
関係を示す。抵抗率としては、５×１０^-6Ω・ｃｍであ
る。例えば３００℃の温度上昇をさせるためには、約
２．４Ａの電流を流せばよい。これを他の配線材で実現
するには、（Ｗ／Ｗｒ）×√（ρｒ／ρ×ｄ／ｄｒ）の
ファクターをかけて得られる電流を、配線に流せばよ
い。ここで、ρｒ、Ｗｒ、ｄｒは図２に例としてあげた
配線の抵抗率と配線の幅、厚みであり、ρ及びＷ、ｄは
別の配線を使う際の、抵抗率と配線の幅、厚みである。

【００３６】また、上述の電流値は直流で流した場合の
値であるが、パルス電流や三角波でもよい。この場合は
デューティー比との積が、直流での値になるようピーク
値を増やせばよい。また、電流を流す手段は、各配線に
直接プローバーを当たって流すことでもよいし、実装用
のフレキ基体を取り付けてから行ってもよい。

【００３７】つぎに、封着部にかかる配線の低抵抗化に
ついて述べる。第一に配線の断面積を大きくする方法が
挙げられる。断面積は、線幅と厚みで決まり、配線幅は
配線ピッチ以内の範囲で大きくできる。配線の厚みにつ
いては、膜剥れや段差が問題にならない範囲で厚くすれ
ばよい。第二に配線材料の抵抗率を小さくする方法があ
る。使われている配線材よりも抵抗率の小さい材料を、
封着部に用いてやればよい。また、もともと抵抗率の低
い材料を用いている場合でも、例えば膜厚を得やすい材
料を選び、抵抗率と膜厚の組み合わせで抵抗を下げるよ
うにしてもよい。いずれにせよ、上記手段の組み合わせ
でより容易に封着部の低抵抗化がはかれる。

【００３８】つぎに、ＮＥＧ活性化の際の圧力モニター
について述べる。圧力計は、例えば図５に示すように、
例えば画像表示装置の一部に、排気管のような形態で予
め管ごと組み込んでおく。種類はヌードイオンゲージの
ようなエミッションタイプでもよいし、スピニングロー
タゲージのような磁気を利用したものでもよい。圧力計
の数と設置位置は可能であれば、上配線の中央付近にで
きるだけ多く並べるのが望ましいが、通常はおよその計
算が可能であるので、画像表示装置の端部に少なくとも
一つ以上あればよい。

【００３９】これらの圧力計を用い、加熱時のＮＥＧか
らの放出ガスによる圧力上昇が、１．３×１０^-4Ｐａ以
下になるように、一度に活性化を行うＮＥＧラインの本
数や、何本置きに活性化を行うかなど調節する。

【００４０】図６には活性化を行うラインの選択パター
ンの一例を示す。（ａ）は連続したラインを複数本選ん
だ例であり、（ｂ）はｍ本置きにｎ本のラインを選んだ
例である。これらの選び方は、活性化時に圧力が１．３
×１０^-4Ｐａを越えないようにすれば自由である。

【００４１】次に、上記の画像表示装置により、ＮＴＳ
Ｃ方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う
為の駆動回路の構成例について、図７を用いて説明す
る。図７において、７１は画像表示装置、７２は走査回
路、７３は制御回路、７４はシフトレジスタである。７
５はラインメモリ、７６は同期信号分離回路、７７は変
調信号発生機、ＶｘおよびＶａは直流電圧源である。

【００４２】画像表示装置７１は、端子Ｄｏｘ１乃至Ｄ
ｏｘｍ、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎ、及び高圧端子Ｈｖ
を介して外部の電気回路と接続している。端子Ｄｏｘ１
乃至Ｄｏｘｍには、画像表示装置内に設けられている電
子源、即ち、Ｍ行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された
表面伝導型電子放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆
動する為の走査信号が印加される。

【００４３】端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎには、前記走査
信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の
各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加
される。高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、例え
ば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは表面伝導
型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を励
起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧で
ある。

【００４４】走査回路７２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは
０Ｖ（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、画像
表示装置７１の端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍと電気的に
接続される。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制
御回路７３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動
作するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチング
素子を組み合わせることにより構成することができる。

【００４５】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
よう設定されている。

【００４６】制御回路７３は、外部より入力する画像信
号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路７３は、同期信号
分離回路７６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに基づい
て、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよびＴｍ
ｒｙの各制御信号を発生する。

【００４７】同期信号分離回路７６は、外部から入力さ
れるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分離
（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信号分
離回路７６により分離された同期信号は、垂直同期信号
と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Ｔｓ
ｙｎｃ信号として図示した。前記テレビ信号から分離さ
れた画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表し
た。該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ７４に入力され
る。

【００４８】シフトレジスタ７４は、時系列的にシリア
ルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎
にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制御
回路７３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作
する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ７４
のシフトクロックであるということもできる。）。シリ
アル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出素
子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ１乃
至ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジスタ７
４より出力される。

【００４９】ラインメモリ７５は、画像１ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、
制御回路７３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従って適
宜Ｉｄ１乃至Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶された内容
は、Ｉ′ｄ１乃至Ｉ′ｄｎとして出力され、変調信号発
生器７７に入力される。

【００５０】変調信号発生器７７は、画像データＩ′ｄ
１乃至Ｉ′ｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子
の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その出
力信号は、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて表示パネ
ル７１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【００５１】本発明は適用可能な電子放出素子は放出電
流Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。即ち、電
子放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以
上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。電子放
出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の
変化に応じて放出電流も変化する。このことから、本素
子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾
値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子
放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出
力される。その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させる事
により出力電子ビームの強度を制御することが可能であ
る。また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力
される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能であ
る。

【００５２】従って、入力信号に応じて、電子放出素子
を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調
方式等が採用できる。電圧変調方式を実施するに際して
は、変調信号発生器７７として、一定長さの電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高
値を変調するような電圧変調方式の回路を用いることが
できる。

【００５３】パルス幅変調方式を実施するに際しては、
変調信号発生器７７として、一定の波高値の電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの
幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるこ
とができる。シフトレジスタ７４やラインメモリ７５
は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のものを
も採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や記
憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。

【００５４】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路７６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化す
る必要があるが、これには７６の出力部にＡ／Ｄ変換器
を設ければ良い。これに関連してラインメモリ７５の出
力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信
号発生器７７に用いられる回路が若干異なったものとな
る。即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式の場合、
変調信号発生器７７には、例えばＤ／Ａ変換回路を用
い、必要に応じて増幅回路などを付加する。パルス幅変
調方式の場合、変調信号発生器７７には、例えば高速の
発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器
（カウンタ）及び計数器の出力値と前記メモリの出力値
を比較する比較器（コンパレータ）を組み合わせた回路
を用いる。必要に応じて、比較器の出力するパルス幅変
調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
にまで電圧増幅するための増幅器を付加することもでき
る。

【００５５】アナログ信号を用いた電圧変調方式の場
合、変調信号発生器７７には、例えばオペアンプなどを
用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフト
回路などを付加することもできる。パルス幅変調方式の
場合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＯＣ）を採
用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電
圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもでき
る。

【００５６】このような構成をとり得る本発明の画像表
示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏ
ｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを介して電圧
を印加することにより、電子放出が生ずる。高圧端子Ｈ
ｖを介してメタルバック８、あるいは透明電極（不図
示）に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速され
た電子は、蛍光膜７に衝突し、発光が生じて画像が形成
される。

【００５７】ここで述べた画像表示装置の構成は、本発
明を適用可能な画像表示装置の一例であり、発明の技術
思想に基づいて種々の変形が可能である。入力信号につ
いては、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限ら
れるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式など他、こ
れよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、Ｍ
ＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用で
きる。

【００５８】

【実施例】以下、好ましい実施例を挙げて、本発明を更
に詳述するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

【００５９】［実施例１］本実施例の画像表示装置は、
図１に模式的に示された装置と同様の構成を有し、ＮＥ
Ｇ膜９は、画像表示領域内の、Ｘ方向配線（上配線）上
のほぼ全面に配置されている。

【００６０】また、本実施例の画像表示装置は、基体上
に、複数（１００行×３００列）の表面伝導型電子放出
素子が、単純マトリクス配線された電子源１を備えてい
る。電子源１の一部平面図を図８に示す。また、図中Ｂ
−Ｂ′断面図を図９に示す。但し、図８、図９で、同じ
記号を付したものは同じ物を示す。ここで１０１は電子
源基板、１０２は図１のＤｏｘｍに対応するＸ方向配線
（上配線とも呼ぶ）、１０３は図１のＤｏｙｎに対応す
るＹ方向配線（下配線とも呼ぶ）、１０８は電子放出部
を含む導電性膜、１０５，１０６は素子電極、１０４は
層間絶縁層、１０７は素子電極１０５と下配線１０３と
電気的接続のためのコンタクトホールである。

【００６１】以下に、本実施例の画像表示装置の製造方
法について、図１０を参照しつつ説明する。

【００６２】工程−ａ基体１を洗剤、純水および有機溶剤を用いて十分に洗浄
した。この上に厚さ０．５μｍのシリコン酸化膜をスパ
ッタ法で形成し、電子源基板１０１とした。この上にホ
トレジスト（ＡＺ１３７０ヘキスト社製）をスピンナ
ーにより回転塗布、ベークした後、ホトマスク像を露
光、現像して、下配線１０３のレジストパターンを形成
した。さらに、真空蒸着により、厚さ５ｎｍのＣｒ、厚
さ６００ｎｍのＡｕを順次積層した後、Ａｕ／Ｃｒ堆積
膜をリフトオフにより不要の部分を除去して、所望の形
状の下配線１０３を形成した（図１０の（ａ））。

【００６３】工程−ｂ次に、厚さ１．０μｍのシリコン酸化膜からなる層間絶
縁膜１０４をＲＦスパッタ法により堆積する（図１０の
（ｂ））。

【００６４】工程−ｃ前記工程ｂで堆積したシリコン酸化膜にコンタクトホー
ル１０７を形成するためのホトレジストパターンを作
り、これをマスクとして層間絶縁層１０４をエッチング
してコンタクトホール１０７を形成する。エッチングは
ＣＦ₄とＨ₂ガスを用いたＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩ
ｏｎＥｔｃｈｉｎｇ) 法によった（図１０の
（ｃ））。

【００６５】工程−ｄコンタクトホール１０７部分以外にレジストを塗布する
ようなパターンを形成し、真空蒸着により厚さ５ｎｍの
Ｔｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕを順次堆積した。リフトオ
フにより不要の部分を除去することにより、コンタクト
ホール１０７を埋め込んだ（図１０の（ｄ））。

【００６６】工程−ｅその後、素子電極１０５と素子電極間ギャップＧとなる
べきパターンをホトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ−４１
日立化成社製）で形成し、真空蒸着法により、厚さ５
ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＮｉを順次堆積した。ホ
トレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ｎｉ／Ｔｉ堆
積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｇは３μｍ、素子電
極の幅は３００μｍとし、素子電極１０５，１０６を形
成した（図１０の（ｅ））。

【００６７】工程−ｆ素子電極１０５，１０６の上に上配線１０２のホトレジ
ストパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５
００ｎｍのＡｕを順次、真空蒸着により堆積し、リフト
オフにより不要の部分を除去して、所望の形状の上配線
１０２を形成した。この時、上配線の線幅は３００μ
ｍ、ピッチは７００μｍとした（図１０の（ｆ））。

【００６８】工程−ｇ膜厚１００ｎｍのＣｒ膜１０１９を真空蒸着により堆積
・パターニングし、その上にＰｄアミン錯体の溶液（ｃ
ｃｐ４２３０奥野製薬（株）社製）をスピンナーによ
り回転塗布、３００℃で１０分間の加熱焼成処理をし
た。また、こうして形成された、主元素としてＰｄより
なる微粒子からなる電子放出部形成用の導電性膜１０８
の膜厚は８．５ｎｍ、シート抵抗値は３．９×１０⁴Ω
／□であった。なおここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互い
に隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜
をさし、その粒径とは、前記状態で粒子形状が認識可能
な微粒子についての径を言う（図１０の（ｇ））。

【００６９】工程−ｈＣｒ膜１０１９及び焼成後の電子放出部形成用の導電性
膜１０８を酸エッチャントによりエッチングして所望の
パターンを形成した。（図１０（ｈ））。

【００７０】以上の工程により電子源基板１０１上に複
数（１００行×３００列）の電子放出部形成用の導電性
膜１０８が、上配線１０２と下配線１０３よりなる単純
マトリクスに、接続されたものとした。

【００７１】工程−ｉ電子源基板１０１上に、Ｘ方向配線（上配線）の形状に
対応した開口を有するメタルマスクを被せ、位置合わせ
を行って固定し、スパッタリング装置内に設置する。タ
ーゲットにＺｒ−Ｖ−Ｆｅ＝７０ｗｔ％：２５ｗｔ％：
５ｗｔ％の合金を用い、スパッタリング法により、厚さ
３００ｎｍの合金層を形成し、ＮＥＧ膜とした。これに
より、面内ゲッタを備えた電子源１を形成した。

【００７２】工程−ｊ次に、図１に示すフェースプレート４を、以下のように
作成した。

【００７３】ガラス基体６を洗剤、純水および有機溶剤
を用いて十分に洗浄した。この上に、スパッタ法により
ＩＴＯを０．１μｍ堆積し、透明電極１０１１を形成し
た。続いて、印刷法により蛍光膜７を塗布し、表面の平
滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）し
て、蛍光体部を形成した。なお、蛍光膜７はストライプ
状の蛍光体（Ｒ，Ｇ，Ｂ）１３と、黒色導電材（ブラッ
クストライプ）１２とが交互に配列された図６の（ａ）
に示される蛍光膜とした。更に、蛍光膜７の上に、Ａｌ
薄膜よりなるメタルバック８をスパッタリング法により
０．１μｍの厚さに形成した。

【００７４】工程−ｋ次に、図１に示す外囲器５を、以下のように作成した。

【００７５】前述の工程により作成された電子源１をリ
アプレート２に固定した後、支持枠３、上記フェースプ
レート４を組み合わせ、電子源１と下配線１０３及び上
配線１０２を行選択用端子１０及び信号入力端子１１と
各々接続し、電子源１とフェースプレート４の位置を厳
密に調整し、封着して外囲器５を形成した。封着の方法
は、接合部にフリットガラスを塗布し、Ａｒガス中４５
０℃、３０分の熱処理を行い接合した。なお、電子源１
とリアプレート２の固定も同様の処理により行った。ま
た、リアプレート、フェースプレート配置の際には、同
時に所定の位置にＢａのリングゲッターを配置した。

【００７６】次の工程を説明する前に、以後の工程にて
用いられた真空装置について、図１１を用いて述べる。

【００７７】画像表示装置１１１は、排気管１１２を介
して真空容器１１３に接続され、該真空容器１１３に
は、排気装置１１５が接続されており、その間にゲート
バルブ１１４が設けられている。真空容器１１３には、
圧力計１１６、四重極質量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）１１
７が取り付けられており、内部の圧力及び、残留ガスの
各分圧をモニタできるようになっている。外囲器５内の
圧力や分圧を直接測定することは困難なので、真空容器
１１３の圧力と分圧を測定し、この値を外囲器５内のも
のとみなす。排気装置１１５はソープションポンプとイ
オンポンプからなる超高真空用排気装置である。真空容
器１１３には、複数のガス導入装置が接続されており、
物質源１１９に蓄えられた物質を導入することができ
る。導入物質はその種類に応じて、ボンベまたはアンプ
ルに充填されており、ガス導入量制御手段１１８によっ
て導入量が制御できる。ガス導入量制御手段１１８は、
導入物質の種類、流量、必要な制御精度などに応じて、
ニードルバルブ、マスフローコントローラーなどが用い
られる。本実施例では、ガラスアンプルに入れたベンゾ
ニトリルを物質源１１９として用い、ガス導入量制御手
段１１８として、スローリークバルブを使用した。

【００７８】以上の真空処理装置を用いて以後の工程を
行った。

【００７９】工程−ｌ外囲器５の内部を排気し、圧力を１×１０^-3Ｐａ以下に
し、電子源基板１０１上に配列された前述の複数の電子
放出部形成用の導電性膜１０８（図１０（ｌ））に、電
子放出部を形成するための以下の処理（フォーミングと
呼ぶ）を行った。図１２に示すように、Ｙ方向配線１０
３を共通結線してグランドに接続する。１２１は制御装
置で、パルス発生器１２２とライン選択装置１２４を制
御する。１２３は電流計である。ライン選択装置１２４
により、Ｘ方向配線１０２から１ラインを選択し、これ
にパルス電圧を印加する。フォーミング処理はＸ方向の
素子行に対し、１行（３００素子）毎に行った。印加し
たパルスの波形は図１３（ａ）に示すような三角波パル
スで、波高値を徐々に上昇させた。パルス幅Ｔ１＝１ｍ
ｓｅｃ、パルス間隔Ｔ２＝１０ｍｓｅｃとした。また、
三角波パルスの間に、波高値０．１Ｖの矩形波パルスを
挿入し、電流を測ることにより各行の抵抗値を測定し
た。抵抗値が３．３ｋΩ（１素子当たり１ＭΩ）を越え
たところで、その行のフォーミングを終了し、次の行の
処理に移った。これをすべての行について行い、すべて
の前記導電性膜（電子放出部形成用の導電性膜１０８）
のフォーミングを完了し、各導電性膜に電子放出部を形
成して、複数の表面伝導型電子放出素子が、単純マトリ
クスに配線された電子源１を作成した。

【００８０】工程−ｍ真空容器１１３内に、ベンゾニトリルを導入し、圧力が
１．３×１０^-3Ｐａとなるように調整し、素子電流Ｉｆ
を測定しながら上記電子源１にパルスを印加して、各電
子放出素子の活性化処理を行った。パルス発生器１２２
により生成したパルス波形は、図１３（ｂ）に示した矩
形波で、波高値は１４Ｖ、パルス幅Ｔ１＝１００μｓｅ
ｃ、パルス間隔は１６７μｓｅｃである。ライン選択装
置１２４により、１６７μｓｅｃ毎に選択ラインをＤｘ
１からＤｘ１００まで順次切り替え、この結果、各素子
行にはＴ１＝１００μｓｅｃ、Ｔ２＝１６．７ｍｓｅｃ
の矩形波が行毎に位相を少しずつシフトされて印加され
ることになる。

【００８１】電流計１３３は、矩形波パルスのオン状態
（電圧が１４Ｖになっている時）での電流値の平均を検
知するモードで使用し、この値が６００ｍＡ（１素子当
たり２ｍＡ）となったところで、活性化処理を終了し、
外囲器５内を排気した。

【００８２】工程−ｎ排気を続けながら、不図示の加熱装置により、画像表示
装置１１１及び真空容器１１３の全体を３００℃に、１
０時間保持した。この処理により、外囲器５及び真空容
器１１３の内壁などに吸着されていたと思われるベンゾ
ニトリル及びその分解物が除去された。これはＱ−ｍａ
ｓｓ１１７による観察で確認された。

【００８３】工程−ｏ続いて、配線上ＮＥＧの活性化処理を行った。これは、
上配線に０．９Ａの電流を流し、配線温度を１０分間４
００℃とすることにより行った。

【００８４】工程−ｐ圧力が１．３×１０^-5Ｐａ以下となったことを確認して
から、排気管をバーナーで加熱して封じ切る。続いて、
画像表示領域の外に予め設置された蒸発型ゲッタを高周
波加熱によりフラッシュさせる。

【００８５】以上により本実施例の画像表示装置を作成
した。

【００８６】［実施例２］工程−ａ〜ｅは、実施例１と
共通である。そして、これに続く工程−ｆにおいては、
上配線のパターンを、封着部分でのみ幅が５００μｍと
なるよう設計し、電流密度を小さくできるようにした。

【００８７】又、工程−ｇ〜ｎは、実施例１と共通であ
る。そして、これに続く工程−ｏにおいては、上配線に
通電する電流を１．１Ａとした。これにより、ＮＥＧを
５００℃で１０分間活性化した。この時封着部での上配
線温度は、約１８０℃であった。又、工程−ｐは、実施
例１と共通である。

【００８８】以上の工程を行って、本実施例による画像
表示装置を作成した。

【００８９】［実施例３］工程−ａ〜ｊは、実施例２と
共通である。そして、これに続く工程−ｋにおいては、
図１に示す外囲器５を、以下のように作成した。

【００９０】前述の工程により作成された電子源１をリ
アプレート２に固定した後、支持枠３、上記フェースプ
レート４を組み合わせ、電子源１の下配線１０３及び上
配線１０２を行選択用端子１０及び信号入力端子１１と
各々接続し、電子源１とフェースプレート４の位置を厳
密に調整し、封着して外囲器５を形成した。この際用い
る支持枠には、図５（ｂ）に示す真空測定のためのゲー
ジを作り込んでおく。ゲージの種類はスピニングロータ
ゲージとした。封着の方法は、接合部にフリットガラス
を塗布し、Ａｒガス中４５０℃、３０分の熱処理を行い
接合した。なお、電子源１とリアプレート２の固定も同
様の処理により行った。また、リアプレート、フェース
プレート配置の際には、同時に所定の位置にＢａのリン
グゲッターを配置した。そして、これに続く工程−ｌ〜
ｎは、実施例２と共通である。

【００９１】次に、工程−ｏにおいては、上配線に通電
する電流を１．１Ａとし、ＮＥＧを５００℃で１０分間
活性化した。この時配線の通電は、３０本に１本の割合
で行い、順次活性化ラインをずらしてゆき、３０回の通
電操作で全ラインの活性化を終了した。活性化時の圧力
は、図１４に示すように、３０インチのパネルでも３０
ラインごとに活性化を行えば、１．３×１０^-4Ｐａ以下
となる。また、サイズが小さくなればもっと多くのライ
ンを同時に活性化でき、例えば１０インンチになると５
本に１本の割合まで増やせる。そして、これに続く工程
−ｐは、実施例２と共通である。

【００９２】以上の工程を行って、本実施例による画像
表示装置を作成した。

【００９３】［比較例］工程−ａ〜eは、実施例１と共
通である。そして、これに続く工程−ｆにおいては、素
子電極１０５，１０６の上に上配線１０２のホトレジス
トパターンを形成した後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５０
０ｎｍのＡｕを順次、真空蒸着により堆積し、リフトオ
フにより不要の部分を除去して、所望の形状の上配線１
０２、及びＮＥＧ活性化用配線１０２２を形成した（図
１５）。

【００９４】引き続く工程g,hは実施例１と共通であ
る。

【００９５】次に、工程−ｉにおいては、電子源基板１
０１上に、Ｘ方向配線（上配線）の形状、及び隣接する
１組の素子電極間の秋スペースの形状に対応した開口を
有するメタルマスクを被せ、位置合わせを行って固定
し、スパッタリング装置内に設置する。ターゲットにＺ
ｒ−Ｖ−Ｆｅ＝７０ｗｔ％：２５ｗｔ％：５ｗｔ％の合
金を用い、スパッタリング法により、厚さ３００ｎｍの
合金層を形成し、ＮＥＧ膜とした。これにっより、ゲッ
タを備えた電子原器版１を形成した。

【００９６】これに続く工程−ｊ〜mは、実施例１と共
通である。

【００９７】次に、工程−ｎにおいて、ＮＥＧ層１０１
０の活性化を行う。電子源の活性化処理（工程−ｌに記
載）の時と同様なパルスを印加し、電子放出素子１０８
から電子ビームを放出させる。高圧端子Ｈ_Vには−１ｋ
Ｖを印加、ＮＥＧ活性化用配線１０２２には＋５０Ｖを
印加した。これにより電子放出素子１０８から放出され
た電子は、近くに置かれたゲッタ層１０１０に引き寄せ
られ衝突し、エネルギーを与える。この結果ＮＥＧ１０
１０の活性化が行われる。

【００９８】次に、工程-n'において、ＮＥＧ層１０１
１の活性化を行う。電子源の活性化処理（工程−ｌに記
載）の時と同様なパルスを印加し、電子放出素子１０８
から電子ビームを放出させる。高圧端子Ｈ_Vには−１ｋ
Ｖを印加、ＮＥＧ活性化用配線１０２２には−５０Ｖを
印加した。これにより電子放出素子１０８から放出され
た電子は、近くに置かれたゲッタ層１０１１に引き寄せ
られ衝突し、エネルギーを与える。この結果ＮＥＧ１０
１１の活性化が行われる。

【００９９】次に、工程−ｏにおいては、圧力が１．３
×１０^-5Pa以下となったことを確認してから、排気管を
バーナーで加熱して封じ切る。続いて、画像表示領域の
外に予め設置された蒸発型ゲッタを高周波加熱によりフ
ラッシュさせる。

【０１００】以上により比較例となる画像表示装置を作
成した。

【０１０１】図１６には本発明による画像表示装置の各
実施例と、従来の比較例との、輝度の経時変化を示して
いる。

【０１０２】破線で示される従来の比較例の経時変化と
比べると、実線で示される実施例は、いずれも輝度の低
下が同等以下に抑えられた。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、輝度の経
時的低下の少ない画像表示装置が得られる。

【０１０４】また、本発明によれば、画像形成領域内で
の経時的な輝度ばらつきの発生の少ない画像表示装置が
得られる。

【０１０５】すなわち、本発明によれば、簡略なプロセ
スで、高輝度で動作安定性に優れた画像を形成可能な画
像表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表面伝導型電子放出素子の１例を示す
模式図である。

【図２】本発明の作用を説明するための図で、配線に通
電する電流値と温度の関係を示す。

【図３】本発明の作用を説明するための図で、本発明に
用いられるＮＥＧの活性化時のガス放出特性を示す。

【図４】本発明が適用される、表面伝導型電子放出素子
を、単純マトリクス配置した一例を示す模式図である。

【図５】本発明に用いられる、圧力計の配置の一例を示
す図である。

【図６】本発明で行われる、ＮＥＧ活性化のパターン例
を示す図である。

【図７】本発明の画像表示装置に、ＮＴＳＣ方式のテレ
ビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路の一例を示
すブロック図である。

【図８】本発明を適用して形成した、単純マトリクス配
置された電子源の一例を示す模式的平面図である。

【図９】本発明を適用して形成した、単純マトリクス配
置された電子源の一例を示す模式的断面図である。

【図１０】本発明を適用して形成した、表面伝導型電子
放出素子を配列した基体を形成するプロセスを示す工程
図である。

【図１１】本発明の画像表示装置フォーミング、活性化
工程を行うための真空排気装置の模式図である。

【図１２】本発明の画像表示装置の、フォーミング、活
性化工程のための結線方法を示す模式図である。

【図１３】本発明の画像表示装置の、フォーミングの際
に用いられる電圧波形を示す模式図である。

【図１４】本発明の実施例において、同時に活性化を行
うＮＥＧライン数と、活性化時のピーク圧力の関係を示
すグラフである。

【図１５】比較例における活性化用配線と、ＮＥＧの配
置を示す平面図である。

【図１６】本発明の効果を示すグラフである。

【符号の説明】

１電子源基板２リアプレート３支持枠４フェースプレート５外囲器６ガラス基体７蛍光体８メタルバック９ＮＥＧ膜１０行選択用端子１１信号入力端子１２黒色導電材１３蛍光体パターン１４蒸発型ゲッタ４１ガラス基体４２上配線（Ｘ方向配線）４３下配線（Ｙ方向配線）４４層間絶縁膜４５，４６素子電極４７コンタクトホール４８電子放出部７１画像表示装置７２走査回路７３制御回路７４シフトレジスタ７５ラインメモリ７６同期信号分離回路７７変調信号発生器１０１ガラス基体１０２上配線１０３下配線１０４層間絶縁層１０５，１０６素子電極１０７コンタクトホール１０８電子放出部１０９ＮＥＧ膜１１１画像表示装置１１２排気管１１３真空容器１１４ゲートバルブ１１５排気装置１１６圧力計１１７四重極質量分析器（Ｑ−ｍａｓｓ）１１８ガス導入量制御手段１１９物質源１２１制御装置１２２パルス発生器１２３電流計１２４ライン選択装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の電子放出素子を配列した電子源基
板を有するリアプレートと、前記電子放出素子から放出
された電子を受けて発光する発光部材を有するフェース
プレートとを、その周囲を密閉して外囲器となした画像
表示装置であって、前記電子源は、前記電子放出素子の配列の内Y方向を選
択するための下配線と、前記電子放出素子の配列の内X
方向を選択するための上配線と、前記下配線及び前記上
配線とを絶縁するための層間絶縁膜とを有し、前記上配線をゲッタ材料で被覆し、前記上配線に通電して前記ゲッタ材料を活性化すること
を特徴とする画像表示装置。
【請求項２】前記外囲器に1又は2以上の真空計を取り
付けて、内部の真空度をモニタし、所定真空度より高真空の場合に、前記上配線をに通電し
てゲッタ材を活性化し、前記外囲器内のアウトガスを吸
着させて、前記外囲器内の真空を維持することを特徴と
する請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】前記封着された部分の前記上配線の幅
は、前記封着された部分以外の部分の前記上配線の幅よ
り大きいことを特徴とする請求項1記載の画像表示装
置。
【請求項４】前記封着された部分の前記上配線の抵抗
値は、前記封着された部分以外の部分の前記上配線の抵
抗値より小さいことを特徴とする請求項1記載の画像表
示装置。
【請求項５】前記所定真空度は、１×１０^-6Torrであ
ることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項６】密閉容器と、前記密閉容器内に設けられ
る電子放出素子と、前記密閉容器内に設けられ前記電子
放出素子から放出された電子により画像を生じさせるた
めの画像形成部材と、前記密閉容器内で前記電子放出素
子に接続される配線とを有する画像形成装置であって、前記密閉容器内において、前記配線上にゲッタ材料を有
しており、前記ゲッタ材料は前記配線に通電することに
より活性化されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】複数の電子放出素子を配列した電子源を
有するリアプレートと、前記電子放出素子から放出され
た電子を受けて発光する発光部材を有するフェースプレ
ートとを、その周囲を密閉して外囲器となした画像表示
装置の製造方法であって、前記リアプレート上に、前記電子放出素子の配列の内Y
方向を選択するための下配線を形成し、前記下配線を絶縁するための層間絶縁膜を形成し、前記電子放出素子の配列の内X方向を選択するための上
配線を形成し、前記上配線をゲッタ材料で被覆し、前記上配線に通電し、前記ゲッタ材料を活性化する工程
を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項８】前記外囲器に1又は2以上の真空計を取り
付けることを特徴とする請求項７記載の画像表示装置の
製造方法。
【請求項９】密閉容器と、前記密閉容器内に設けられ
る電子放出素子と、前記密閉容器内に設けられ前記電子
放出素子から放出された電子により画像を生じさせるた
めの画像形成部材と、前記密閉容器内で前記電子放出素
子に接続される配線とを有する画像形成装置の製造方法
であって、前記密閉容器内の前記配線上に設けられたゲッタ材料
を、前記配線に通電することにより活性化することを特
徴とする画像形成装置の製造方法。