WO1999066351A1 - Procede de depot de fil organique - Google Patents

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WO1999066351A1
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film
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Takuya Homme
Toshio Takabayashi
Hiroto Sato
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Hamamatsu Photonics K.K.
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens

Definitions

  • the present invention relates to an organic film deposition method for depositing a moisture-resistant protective film on a scintillator panel used for medical X-ray photography or the like.
  • X-ray photosensitive films have been used in medical and industrial X-ray photography, but radiation imaging systems using radiation detection elements have become widespread in terms of convenience and preservation of imaging results.
  • pixel data based on two-dimensional radiation is acquired as an electric signal by a radiation detecting element, and this signal is processed by a processing device and displayed on a monitor.
  • a radiation detecting element disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-196472 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63-219587 is known. I have.
  • This radiation detecting element forms a scintillator on the image sensor or the FOP, and converts the radiation incident from the scintillator side into light and detects it in the scintillator.
  • CsI which is a typical material for scintillation
  • CsI is a hygroscopic material, which absorbs water vapor (moisture) in the air and deliquesces, degrading the characteristics of scintillation, especially the resolution.
  • the moisture-impermeable moisture barrier is formed above the scintillation layer to protect the scintillation layer from moisture.
  • a polyparaxylylene film is used as a moisture barrier to protect the scintillator from moisture.
  • This polyparaxylylene film is deposited by a CVD method (gas phase growth method).
  • the substrate on which the scintillator is formed is placed on a flat plate-shaped deposition table and mesh.
  • the evaporator is placed in the evaporator of the evaporator while the evaporator is placed on the evaporator, and the polyparaxylylene film is deposited.
  • the polyparaxylylene film is deposited by the above-described method, so that the substrate is difficult to remove from the deposition table.
  • a polyparaxylylene film could not be formed on the entire surface of the substrate where the overnight was formed.
  • An object of the present invention is to provide an organic film deposition method for depositing an organic film for protecting a scintillation panel over the entire surface of a substrate on which the scintillation panel is formed. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a first step of supporting a substrate, which is arranged on a vapor deposition table and has a scintillation pattern formed by at least three projections of a sample support at a distance from the vapor deposition table,
  • the second step in which the deposition table supported by the support is introduced into the deposition chamber of the CVD apparatus, and the scintillation of the substrate on which the scintillator introduced into the deposition chamber is formed
  • a third step of depositing a film in which the deposition table supported by the support is introduced into the deposition chamber of the CVD apparatus, and the scintillation of the substrate on which the scintillator introduced into the deposition chamber is formed.
  • the organic film is also deposited on the back side of the substrate supported by the sample support.
  • the organic film can be deposited by a CVD method on the entire surface of the substrate on which the scintillation has been formed and on the entire surface of the substrate. Further, the substrate can be easily removed from the deposition table after the organic film is deposited.
  • the sample support of the present invention is characterized by comprising at least three sample support needles. Further, the sample support is characterized by being constituted by a rope. Further, the invention is characterized in that the organic film in the organic film deposition method is a polyparaxylylene film. According to the present invention, a polyparaxylylene film can be vapor-deposited by a CVD method on the entire surface of the substrate on which the scintillation has been formed and on the entire surface of the substrate. Can be. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a polyparaxylylene vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a vapor deposition chamber of a polyparaxylylene vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a support state of the substrate on the turntable of the polyparaxylylene vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4A is a diagram showing a manufacturing process of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4B is a diagram showing a manufacturing step of the scintillating light panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is a diagram showing a manufacturing step of the scintillating light panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5B is a diagram showing a manufacturing step of the scintillation panel according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a modification of the sample support according to the embodiment of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a polyparaxylylene vapor deposition apparatus used in a polyparaxylylene film vapor deposition method.
  • This polyparaxylylene vapor deposition apparatus includes a vaporization chamber 1 for introducing and vaporizing diparaxylylene as a raw material of polyparaxylylene, a thermal decomposition chamber 2 for heating and raising the temperature of vaporized diparaxylylene, and a radicalization chamber 2 for radicalizing Diparaxylylene in the state
  • the apparatus is provided with a vapor deposition chamber 3 for vapor deposition on the substrate on which the ink is formed, a cooling chamber 4 for deodorization and cooling, and an exhaust system 5 having a vacuum pump.
  • the vapor deposition chamber 3 has an inlet 3a for introducing radicalized polyparaxylylene in the pyrolysis chamber 2 and an outlet 3b for discharging extra polyparaxylylene in the pyrolysis chamber 2, as shown in FIG.
  • it has an evening table (evaporation table) 3c for supporting a sample on which a polyparaxylylene film is deposited.
  • a disk-shaped or rectangular-plate-shaped substrate 10 on which a scintillator 12 is formed is supported by a sample support needle 20 on a turntable 3 c of a vapor deposition chamber 3.
  • a sample support needle 20 on a turntable 3 c of a vapor deposition chamber 3.
  • the three sample support needles 20 constitute a sample support.
  • the sample support needle 20 has a sharply pointed sample support portion 20a at one end, and a disk-shaped installation portion 2Ob at the other end in contact with the upper surface of the evening table 3c. .
  • the substrate 10 on which the scintillation layer 12 is formed is formed on one surface of a disk-shaped or rectangular plate-shaped substrate 10 made of A1 (thickness 0.5 mm). Then, a columnar crystal of CsI doped with T1 was grown to a thickness of 250 m by vapor deposition to form a scintillator layer 12.
  • the turntable 3c on which the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is arranged is introduced into the vapor deposition chamber 3, and is heated to 175 ° C. in the vaporization chamber 1 to be vaporized, and is thermally decomposed.
  • diparaxylylene radicalized by heating to 69 ° C. was introduced into the vapor deposition chamber 3 through the inlet 3a, and the first polyparaxylene was added to the entire surface of the scintillator 12 and the substrate 10 A xylylene film 14 is deposited to a thickness of 10 m (see Figure 4B).
  • the first polyparaxylylene film 14 can be deposited not only on the front surface of the substrate 12 and the front surface of the substrate 10 but also on the back surface of the substrate 10.
  • the inside of the vapor deposition chamber 3 is maintained at a degree of vacuum of 13 Pa.
  • the evening table 3c is designed so that the first polyparaxylylene film 14 is uniformly deposited.
  • the substrate 10 on which the first polyparaxylylene film 14 was deposited was taken out of the deposition chamber 3, and the surface of the first polyparaxylylene film 14 on the side of the scintillator 12 was Si 0. 2
  • a film 16 is formed to a thickness of 300 nm by sputtering (see FIG. 5A).
  • the 5 i 0 2 film 16 is intended to improve the moisture resistance of the scintillator 12, it is formed in a range covering the scintillator 12.
  • a second poly-xylylene film 14 on the surface of the Si 0 2 film 16 and the substrate 10 side where the S i 0 2 film 16 is not formed is again subjected to the second CVD method.
  • a polyparaxylylene film 18 is deposited to a thickness of 10 ⁇ m (see FIG. 5B). That is, in this case, as in the case where the first polyparaxylylene film 14 is deposited, the substrate 10 is placed on the turntable 3 c of the deposition chamber 3 by three sample supporting needles 20. To support. That is, similarly to the case where the first polyparaxylylene film 14 is deposited, the bottom surface of the substrate 10 is supported by three sample supporting needles 20 arranged so as to form a substantially equilateral triangle.
  • the position where the substrate 10 was supported by the sample supporting needle 20 and the sample being deposited when depositing the second polyparaxylylene film 18 were determined.
  • the substrate 10 is supported by shifting the position at which the substrate 10 is supported by the support needle 20.
  • the evening table 3c was introduced into the vapor deposition chamber 3, heated to 175 ° C in the vaporization chamber 1 and vaporized, and heated and heated to 690 ° C in the thermal decomposition chamber 2.
  • the radicalized diparaxylylene was introduced into the vapor deposition chamber 3 from the inlet 3a, and a second polyparaxylylene film 18 was formed on the entire surface of the scintillator 12 and the substrate 10 to a thickness of 10 ⁇ m. Evaporation I do.
  • the production of the scintillator panel 30 is completed.
  • the scintillator panel 30 is used as a radiation detector by bonding an unillustrated image sensor (CCD) to the scintillator panel 12 side and making X-rays incident from the substrate 10 side.
  • CCD unillustrated image sensor
  • the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is placed on the sample table 3 c by the sample support 2 of the sample support needle 20. Since the contact area between the bottom of the substrate 10 and the tip of the sample support 2 Oa is small because it is supported only at the tip of the substrate 10 a, polyparaxylylene is also applied to the back of the substrate 10. The film can be deposited uniformly. Further, after depositing the first polyparaxylylene film 14 and the second polyparaxylylene film 18, the substrate 10 can be easily taken out from the turntable 3 c.
  • the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is supported by the three sample supporting needles 20.
  • the substrate 10 is supported by four or more sample supporting needles. You may do it.
  • the sample support needle 20 has the sample support portion 20a sharply pointed at one end, and has the disk-shaped installation portion 20b at the other end.
  • the shape of the sample supporting needle 20 can be appropriately changed as long as the contact area with the bottom surface of the substrate 10 is small and the substrate 10 can be stably supported on the turntable 3c. is there.
  • the substrate may be supported by a rope (sample support) 40.
  • the substrate 10 is supported by at least three convex portions 40a of the rope 40, the bottom surface of the substrate 10 and the net 40 The contact area with the substrate can be reduced, and the polyparaxylylene film can be uniformly deposited on the back surface of the substrate 10 and the like.
  • S i 0 2 film 16 as a transparent inorganic film
  • S i 0 2 film 16 as a transparent inorganic film
  • a 1 2 0 3 is not limited thereto, T i 0 2, I n 2 0 3, S n 0 2, M gO, MgF 2, L i F, CaF 2, AgC l, may be used an inorganic film to the material to S i N ⁇ and S i n and the like.
  • Cs I (T 1) is used as scintillation light 12, but the present invention is not limited to this, and C si (Na), Na I (T l), L i I (E u), KI (T 1), etc. may be used.
  • a substrate made of A1 is used as the substrate 10, but any substrate having good X-ray transmittance may be used.
  • a substrate mainly made of carbon, such as a substrate made of), a substrate made of Be, a substrate made of SiC, or the like may be used.
  • a glass substrate or FOP Fiber Optical Plate
  • polyparaxylylene in addition to polyparaxylylene, polymonoxylylene, polymonoclox paraxylylene, polydichloroparaxylylene, polytetracloxparaxylylene, polyfluoroparaxylylene, polydimethylparaxylylene, poly Including getyl paraxylylene.
  • the organic film deposition method of the present invention the organic film can be deposited on the entire surface of the scintillator and the substrate on which the scintillation has been formed. Can easily be picked up from the evening table.
  • the scintillator panel and the radiation image sensor according to the present invention are suitable for use in medical and industrial X-ray photography.

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Description

明糸田書
有機膜蒸着方法 技術分野
この発明は、 医療用の X線撮影等に用いられるシンチレ一夕パネルに耐湿性の 保護膜を蒸着させる有機膜蒸着方法に関するものである。 技術背景
医療、 工業用の X線撮影では、 X線感光フィルムが用いられてきたが、 利便性 や撮影結果の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステ ムが普及してきている。 このような放射線イメージングシステムにおいては、 放 射線検出素子により 2次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、 この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
従来、 代表的な放射線検出素子として、 特開平 5— 1 9 6 7 4 2号公報、 特開 昭 6 3— 2 1 5 9 8 7号公報に開示されている放射線検出素子等が知られている。 この放射線検出素子は、 撮像素子又は F O P上にシンチレ一夕を形成し、 シンチ レ一夕側から入射する放射線をシンチレ一夕で光に変換して検出している。
ここで典型的なシンチレ一夕材料である C s Iは、 吸湿性材料であり、 空気中 の水蒸気 （湿気） を吸収して潮解し、 シンチレ一夕の特性、 特に解像度が劣化す ることから、 上述の放射線検出素子においては、 シンチレ一夕層の上部に水分不 透過性の防湿ノ リャを形成することにより、 シンチレ一夕を湿気から保護してい る
ところでシンチレ一夕を湿気から保護するための防湿バリヤとして、 ポリパラ キシリレン膜等が用いられている力 このポリパラキシリレン膜は、 C V D法（気 相成長法） により蒸着されている。 ここで C V D法によりポリパラキシリレン膜 を蒸着する場合には、 シンチレ一タを形成した基板を平板状の蒸着台ゃメッシュ 状の蒸着台上に置いた状態で蒸着台を蒸着装置の蒸着室に入れ、 ポリパラキシリ レン膜の蒸着を行っている。
しかしながら、 上述の方法によりポリパラキシリレン膜の蒸着を行うと、 基板 のみならず蒸着台にもポリパラキシリレン膜が形成されるため、 基板を蒸着台か ら取り上げにく く、 また、 シンチレ一夕を形成した基板の全面にポリパラキシリ レン膜を形成することができなかった。
この発明は、 シンチレ一夕パネルを保護する有機膜をシンチレ一夕を形成した 基板の全面に蒸着する有機膜蒸着方法を提供することを目的とする。 発明の開示
この発明は、 蒸着台上に配置され、 試料支持体の少なくとも 3点以上の凸部に よりシンチレ一夕が形成された基板を蒸着台から離間して支持する第 1の工程と、 基板が試料支持体により支持されている蒸着台を C V D装置の蒸着室に導入する 第 2の工程と、 蒸着室に導入されたシンチレー夕が形成された基板のシンチレ一 夕及 基板の全面に C V D法により有機膜を蒸着させる第 3の工程とを備えるこ とを特徴とする。
この発明によれば、 基板が蒸着台上に配置された試料支持体により蒸着台から 離間して支持されているため、 試料支持体により支持されている基板の裏面側に も有機膜を蒸着させることができ、 シンチレ一夕が形成された基板のシンチレ一 夕及び基板の全面に C V D法により有機膜を蒸着させることができる。 また、 有 機膜を蒸着した後に基板を蒸着台から容易に取り上げることができる。
この発明の試料支持体は、 少なくとも 3本の試料支持針により構成されること を特徴とする。 また、 試料支持体は、 綱体により構成されることを特徴とする。 また、 この発明は、 有機膜蒸着方法の前記有機膜がポリパラキシリレン膜であ ることを特徴とする。 この発明によれば、 シンチレ一夕が形成された基板のシン チレ一夕及び基板の全面に C V D法によりポリパラキシリレン膜を蒸着させるこ とができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 この発明の実施の形態にかかるポリパラキシリレン蒸着装置の構成図 である。
図 2は、 この発明の実施の形態にかかるポリパラキシリレン蒸着装置の蒸着室 の概略図である。
図 3は、 この発明の実施の形態にかかるポリパラキシリレン蒸着装置のターン テ一ブル上での基板の支持状態を示す図である。
図 4 Aは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 4 Bは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 5 Aは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 5 Bは、 この発明の実施の形態にかかるシンチレ一夕パネルの製造工程を示 す図である。
図 6は、 この発明の実施の形態にかかる試料支持体の変形例である。 発明を実施するための最良な形態
以下、 図面を参照して、 この発明の実施の形態にかかるポリパラキシリレン膜 (有機膜） の蒸着方法の説明を行う。 図 1は、 ポリパラキシリレン膜の蒸着方法 に用いられるポリパラキシリレン蒸着装置の構成図である。
このポリパラキシリレン蒸着装置は、 ポリパラキシリレンの原料であるジパラ キシリレンを揷入し気化させる気化室 1、気化したジパラキシリレンを加熱昇温 してラジカル化する熱分解室 2、 ラジカル化された状態のジパラキシリレンをシ ンチレ一夕が形成された基板に蒸着させる蒸着室 3、 防臭、 冷却を行う冷却室 4 及び真空ポンプを有する排気系 5を備えて構成されている。ここで、蒸着室 3は、 図 2に示すように熱分解室 2においてラジカル化されたポリパラキシリレンを導 入する導入口 3 a及び余分なポリパラキシリレンを排出する排出口 3 bを有する と共に、 ポリパラキシリレン膜の蒸着を行う試料を支持する夕一ンテーブル （蒸 着台） 3 cを有する。
このポリパラキシリレン蒸着装置においては、 まず、 シンチレ一夕 1 2を形成 した円板状又は矩形板状の基板 1 0を蒸着室 3のターンテーブル 3 c上に試料支 持針 2 0により支持する。 即ち、 図 2及び図 3に示すように基板 1 0の底面を、 略正三角形を形成するように配置されたを 3本の試料支持針 2 0により支持し、 ターンテーブル 3 c上に配置する。 この 3本の試料支持針 2 0が試料支持体を構 成する。 ここで試料支持針 2 0は、 一端に鋭く尖った試料支持部 2 0 aを有する と共に他端に夕一ンテーブル 3 cの上面に接する円板状の設置部 2 O bを有して いる。 なお、 シンチレ一夕 1 2を形成した基板 1 0は、 図 4 Aに示すように、 円 板状又は矩形平板状の A 1製の基板 1 0 (厚さ 0 . 5 mm) の一方の表面に、 T 1をド一プした C s Iの柱状結晶を蒸着法によって 2 5 0〃mの厚さで成長させ てシンチレ一夕 1 2を形成したものである。
次に、 このシンチレ一夕 1 2を形成した基板 1 0を配置したターンテーブル 3 cを蒸着室 3内に導入し、 気化室 1において 1 7 5 °Cに加熱して気化させ、 熱分 解室 2において 6 9 0 °Cに加熱昇温してラジカル化したジパラキシリレンを、 導 入口 3 aから蒸着室 3に導入して、 シンチレ一夕 1 2及び基板 1 0の全面に第 1 のポリパラキシリレン膜 1 4を 1 0〃mの厚さで蒸着する （図 4 B参照）。即ち、 シンチレ一夕 1 2を形成した基板 1 0は、 夕一ンテ一プル 3 c上において試料支 持針 2 0の試料支持部 2 0 aの先端部のみで支持されているため、 シンチレ一夕 1 2の表面及び基板 1 0の表面のみならず基板 1 0の裏面等にも第 1のポリパラ キシリレン膜 1 4を蒸着させることができる。 なお、 この場合に、 蒸着室 3内は真空度 1 3 P aに維持されている。 又、 夕一 ンテ一ブル 3 cは、第 1のポリパラキシリレン膜 1 4が均一に蒸着されるように、
4 r p mの速度で回転させている。 また、 余分なポリパラキシリレンは、 排出口 3 bから排出され、 防臭、 冷却を行う冷却室 4及び真空ポンプを有する排気系 5 に導かれる。
次に、 第 1のポリパラキシリレン膜 1 4が蒸着された基板 1 0を蒸着室 3から 取り出し、 シンチレ一夕 1 2側の第 1のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に S i 0 2膜 1 6をスパッ夕リングにより 3 0 0 n mの厚さで成膜する（図 5 A参照）。
5 i 0 2膜 1 6は、シンチレ一夕 1 2の耐湿性の向上を目的とするものであるた め、シンチレ一夕 1 2を覆う範囲で形成される。
更に、 S i 0 2膜 1 6の表面及び基板 1 0側の S i 0 2膜 1 6が形成されてい ない第 1 のポリパラキシリレン膜 1 4の表面に、再度 C V D法により第 2のポリ パラキシリレン膜 1 8を 1 0〃m厚さで蒸着する（図 5 B参照）。即ち、この場合に おいても第 1 のポリパラキシリレン膜 1 4を蒸着させたときと同様に、基板 1 0 を蒸着室 3のターンテーブル 3 c上において 3本の試料支持針 2 0により支持す る。即ち、第 1 のポリパラキシリレン膜 1 4を蒸着したときと同様に、基板 1 0の 底面を、略正三角形を形成するように配置されたを 3本の試料支持針 2 0により 支持し夕一ンテーブル 3 c上に配置する（図 2及び図 3参照）。この場合において は、第 1 のポリパラキシリレン膜 1 4を蒸着する際に試料支持針 2 0により基板 1 0を支持した位置と第 2のポリパラキシリレン膜 1 8を蒸着する際に試料支持 針 2 0により基板 1 0を支持する位置とをずらすようにして基板 1 0を支持す る。
そして、夕一ンテ一ブル 3 cを蒸着室 3内に導入し、気化室 1において 1 7 5 °C に加熱して気化させ、 熱分解室 2において 6 9 0 °Cに加熱昇温してラジカル化し たジパラキシリレンを、 導入口 3 aから蒸着室 3に導入して、 シンチレ一夕 1 2 及び基板 1 0の全面に第 2のポリパラキシリレン膜 1 8を 1 0〃mの厚さで蒸着 する。この工程を終了することによりシンチレ一夕パネル 3 0の製造が終了する。 このシンチレ一夕パネル 3 0は、 シンチレ一夕 1 2側に図示しない撮像素子 （C C D ) を貼り合わせると共に、 基板 1 0側から X線を入射させることにより放射 線検出器として用いられる。
この実施の形態にかかるポリパラキシリレン膜の蒸着方法によれば、 シンチレ —夕 1 2を形成した基板 1 0は、 夕一ンテ一ブル 3 c上において試料支持針 2 0 の試料支持部 2 0 aの先端部のみで支持されているため、 基板 1 0の底面と試料 支持部 2 O aの先端部との接触面積が小さくなることから、 基板 1 0の裏面等に もポリパラキシリレン膜を均一に蒸着させることができる。 また、 第 1のポリパ ラキシリレン膜 1 4、 第 2のポリパラキシリレン膜 1 8を蒸着させた後に、 基板 1 0をターンテーブル 3 c上から容易に取り上げることができる。
また、 第 1のポリパラキシリレン膜 1 4を蒸着する際に試料支持針 2 0により 基板 1 0を支持した位置と第 2のポリパラキシリレン膜 1 8を蒸着する際に試料 支持針 2 0により基板 1 0を支持した位置とをずらしているため、 第 1のポリパ ラキシリレン膜 1 4及び第 2のポリパラキシリレン膜 1 8の剥がれを防止するこ とができ、 また、 シンチレ一夕 1 2の耐湿性を向上させることができる。
なお、 上述の実施の形態においては、 シンチレ一夕 1 2が形成された基板 1 0 を 3本の試料支持針 2 0により支持しているが、 4本以上の試料支持針により支 持するようにしても良い。
また、 上述の実施の形態においては、 試料支持針 2 0がー端に鋭く尖った試料 支持部 2 0 aを有すると共に他端に円板状の設置部 2 0 bを有しているが、 試料 支持針 2 0の形状は、 基板 1 0の底面との接触面積が小さく、 かつ、 ターンテ一 ブル 3 c上において基板 1 0を安定に支持できるものであれば、 その形状は適宜 変更可能である。 例えば、 図 6に示すように、 綱体 （試料支持体） 4 0により基 板を支持するようにしてもよい。 この場合においても綱体 4 0の少なくとも 3点 の凸部 4 0 aにより基板 1 0が支持されることから、 基板 1 0の底面と網体 4 0 との接触面積が小さくでき基板 10の裏面等にもポリパラキシリレン膜を均一に 蒸着させることができる。
また、 上述の実施の形態においては、 透明無機膜として S i 02膜 16を用い ているが、これに限らず S i 02, A 1203, T i 02， I n 203, S n 02, M gO, MgF2、 L i F、 CaF2、 AgC l、 S i N◦及び S i N等を材料と する無機膜を使用しても良い。
また、 上述の実施の形態においては、 シンチレ一夕 12として Cs I (T 1) が用いられているが、 これに限らず C s i (Na)、 Na I (T l)、 L i I (E u)、 K I (T 1) 等を用いてもよい。
また、 上述の実施の形態においては、 基板 10として A 1製の基板が用いられ ているが、 X線透過率の良い基板であればよいことから、 アモルファスカーボン 製の基板、 C (グラフアイ ト） 製の基板等炭素を主成分とする基板、 Be製の基 板、 S i C製の基板等を用いてもよい。 また、 ガラス製の基板、 FOP (フアイ バオプティカルプレート） を用いてもよい。
また、 上述の実施の形態における、 ポリパラキシリレンには、 ポリパラキシリ レンの他、 ポリモノクロ口パラキシリレン、 ポリジクロロパラキシリレン、 ポリ テトラクロ口パラキシリレン、 ポリフルォロパラキシリレン、 ポリジメチルパラ キシリレン、 ポリジェチルパラキシリレン等を含む。
この発明の有機膜蒸着方法によれば、 シンチレ一夕が形成された基板のシンチ レ一タ及び基板の全面に有機膜を蒸着させることができ、 また、 有機膜を蒸着さ せた後に、 基板を夕一ンテ一ブル上から容易に取り上げることができる。 産業上の利用可能性
以上のように、 この発明にかかるシンチレ一夕パネル及び放射線イメージセンサ は、 医療、 工業用の X線撮影等の用いるのに適している。

Claims

言青求の範囲
1 . 蒸着台上に配置され、 試料支持体の少なくとも 3点以上の凸部により シンチレ一夕が形成された基板を前記蒸着台から離着して支持する第 1の工程と、 前記基板が前記試料支持体により支持されている蒸着台を C V D装置の蒸着室 に導入する第 2の工程と、
前記蒸着室に導入された前記シンチレ一夕が形成された前記基板の前記シンチ レー夕及び前記基板の全面に C V D法により有機膜を蒸着させる第 3の工程と、 を備えることを特徴とする有機膜蒸着方法。
2 . 前記試料支持体は、 少なくとも 3本の試料支持針により構成されるこ とを特徴とする請求項 1記載の有機膜蒸着方法。
3 . 前記試料支持体は、 綱体により構成されることを特徴とする請求項 1 記載の有機膜蒸着方法。
4 . 前記有機膜は、 ポリパラキシリレン膜であることを特徴とする請求項 1〜請求項 3記載の有機膜蒸着方法。
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