JPS61124574A - 化学蒸着法 - Google Patents
化学蒸着法Info
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- JPS61124574A JPS61124574A JP24489584A JP24489584A JPS61124574A JP S61124574 A JPS61124574 A JP S61124574A JP 24489584 A JP24489584 A JP 24489584A JP 24489584 A JP24489584 A JP 24489584A JP S61124574 A JPS61124574 A JP S61124574A
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- vapor deposition
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- substrate
- chemical vapor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基材表面に効率的に化学蒸着を行なう為の方法
に関する。
に関する。
（従来技術）
従来基材表面に化学蒸着を行なう方法として。
支持体は、高温では主に人造黒鉛を用い６円錐形状の頂
点で点接触状態で支持する方法が使用されている。しか
しこの方法では基材と支持体とが接する部分には蒸着膜
（被膜）が形成されず跡が残る為、裏返すか又は支持位
置をずらすかして、２回の蒸着を要する欠点があった。
点で点接触状態で支持する方法が使用されている。しか
しこの方法では基材と支持体とが接する部分には蒸着膜
（被膜）が形成されず跡が残る為、裏返すか又は支持位
置をずらすかして、２回の蒸着を要する欠点があった。
（発明の目的）
本発明は、上記欠点を解消し、支持跡の付かない化学蒸
着法を提供することを目的とする。
着法を提供することを目的とする。
発明者等は研究を重ねた結果、熱分解炭素又は炭化珪素
で被覆した炭素繊維の網を使用することにより、蒸着さ
れる基材の炭素繊維と接する部分に跡が付かず、基材全
面に化学蒸着を施こすことができることを見出し本発明
を完成するに至った。
で被覆した炭素繊維の網を使用することにより、蒸着さ
れる基材の炭素繊維と接する部分に跡が付かず、基材全
面に化学蒸着を施こすことができることを見出し本発明
を完成するに至った。
（発明の構成）
本発明は、熱分解炭素又は炭化珪素を被覆した炭素繊維
の網からなる支持体の上に被蒸着基材を載置して化学蒸
着を行なうことを特徴とする化学蒸着法に関する。
の網からなる支持体の上に被蒸着基材を載置して化学蒸
着を行なうことを特徴とする化学蒸着法に関する。
本発明に用いる炭素繊維は、原料、熱処理温度に関係な
くあらゆるものが使用可能である。網への熱分解炭素又
は炭化珪素の被覆は公知の蒸着法による。熱分解炭素又
は炭化珪素の被覆する原料に制限はないが、熱分解炭素
の場合はメタン、プロパン等の２炭化水素、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素、ジクロロエチレン、トリ
クロロエタン等の有機塩素化合物など、炭化珪素の場合
は例えばメチルクロロシラン、珪素源として四塩化珪素
、トリクロロシラン等、炭素源として四塩化炭素、トル
エン寺が好ましい。蒸着温度は原料の種類によるが通常
６００〜２２００℃である。基材に化学蒸着を行なうに
は。支持体の上に基材を載置し公知の方法により行なう
。蒸着する際の圧力はできるだけ低い方がよいが、同時
に蒸着速度も低下するので数ｍｍＨｇ付近にすれば支持
体と接する部分にも十分に蒸着できて好ましい。
くあらゆるものが使用可能である。網への熱分解炭素又
は炭化珪素の被覆は公知の蒸着法による。熱分解炭素又
は炭化珪素の被覆する原料に制限はないが、熱分解炭素
の場合はメタン、プロパン等の２炭化水素、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素、ジクロロエチレン、トリ
クロロエタン等の有機塩素化合物など、炭化珪素の場合
は例えばメチルクロロシラン、珪素源として四塩化珪素
、トリクロロシラン等、炭素源として四塩化炭素、トル
エン寺が好ましい。蒸着温度は原料の種類によるが通常
６００〜２２００℃である。基材に化学蒸着を行なうに
は。支持体の上に基材を載置し公知の方法により行なう
。蒸着する際の圧力はできるだけ低い方がよいが、同時
に蒸着速度も低下するので数ｍｍＨｇ付近にすれば支持
体と接する部分にも十分に蒸着できて好ましい。
（作用）
上記熱分解炭素又は炭化珪素を被覆した支持体の上に被
蒸着基材を載置して化学蒸着を行なう場合、支持体の炭
素繊維と基材とは線接触となり。
蒸着基材を載置して化学蒸着を行なう場合、支持体の炭
素繊維と基材とは線接触となり。
しかも支持体の表面の微細な凹凸によ）支持体と基材と
の間にも反応ガスが浸入して基材全面に蒸着被膜が形成
され、支持体には熱分解炭素又は炭化珪素が被覆されて
いるから化学蒸着後の基材と支持体は固着せず容易には
がれる。
の間にも反応ガスが浸入して基材全面に蒸着被膜が形成
され、支持体には熱分解炭素又は炭化珪素が被覆されて
いるから化学蒸着後の基材と支持体は固着せず容易には
がれる。
（実施例）
以下に実施例を説明する。
実施例１
嗜１Ｗ勲加熱炉仔寮亨宍芒芙瞥（内径１００口）の中に
、第１図（ａ）の平面図及び（ｂｌの側面図に示すよう
に炭素繊維の網（東し株式会社製、商品名トレカＴ３０
０）２を外径５０ｆｆ１ｍ、内径４００ｍ１゜厚さ５ｆ
ｆ１ｍの二つの人造黒鉛の枠３で挾んで固定した支持体
１を入れ、１ｍｍＨＨの減圧状態で１８００℃に加熱し
、プロパン２０容量チを含む窒素ガスを大気圧の流量で
毎分３１！ずつ１時間流し、支持体に熱分解炭素を蒸着
被覆した。、熱分解炭素の膜厚は４０μｍであった。
、第１図（ａ）の平面図及び（ｂｌの側面図に示すよう
に炭素繊維の網（東し株式会社製、商品名トレカＴ３０
０）２を外径５０ｆｆ１ｍ、内径４００ｍ１゜厚さ５ｆ
ｆ１ｍの二つの人造黒鉛の枠３で挾んで固定した支持体
１を入れ、１ｍｍＨＨの減圧状態で１８００℃に加熱し
、プロパン２０容量チを含む窒素ガスを大気圧の流量で
毎分３１！ずつ１時間流し、支持体に熱分解炭素を蒸着
被覆した。、熱分解炭素の膜厚は４０μｍであった。
実施例２
第１図に示す支持体１を実施例１と同様にしてガスを大
気圧の流量で３Ｊ／分の割合で１時間流し、支持体に炭
化珪素を蒸着被覆した。炭化珪素の膜厚は６０μｍであ
った。
気圧の流量で３Ｊ／分の割合で１時間流し、支持体に炭
化珪素を蒸着被覆した。炭化珪素の膜厚は６０μｍであ
った。
比較例
人造黒鉛材を加工し第２図＋ａ）の平面図、（ｂ）の側
面図に示すような高さ１０−の円錐状突起５を５０−φ
ｘ１０ｈの円板部６の中心から１２００ごとに等距離の
位置に設けた支持体４を作成した。
面図に示すような高さ１０−の円錐状突起５を５０−φ
ｘ１０ｈの円板部６の中心から１２００ごとに等距離の
位置に設けた支持体４を作成した。
上記実施例及び比較例の支持体の上に、外径３〇−及び
厚さ５１ｍ１１の人造黒鉛円盤の基材を載置して、実施
例１及び実施例２と同じ条件で熱分解炭素及び炭化珪素
を蒸着する実験を行なった結果を第１表に示した。
厚さ５１ｍ１１の人造黒鉛円盤の基材を載置して、実施
例１及び実施例２と同じ条件で熱分解炭素及び炭化珪素
を蒸着する実験を行なった結果を第１表に示した。
第１表から明らかなように、比較例の支持体を用いた場
合は基材の支持部分に蒸着されず基材と支持体が固着し
たのに対し、実施例の場合は支持部分の被膜厚さは他の
部分よシ若干薄い程度であり９基材と支持体が固着する
ことはなかった。
合は基材の支持部分に蒸着されず基材と支持体が固着し
たのに対し、実施例の場合は支持部分の被膜厚さは他の
部分よシ若干薄い程度であり９基材と支持体が固着する
ことはなかった。
上記実験では１回の蒸着で基材１枚であったが小さい基
材ならば、又は大きい加熱炉及び支持体を使えば多量の
基材の蒸着処理が可能である。
材ならば、又は大きい加熱炉及び支持体を使えば多量の
基材の蒸着処理が可能である。
（発明の効果）
本発明によれば、基材が支持体に固着することがなく、
１回の作業で基材全面に蒸着被膜を形成することができ
、効率的な化学蒸着が可能となる。
１回の作業で基材全面に蒸着被膜を形成することができ
、効率的な化学蒸着が可能となる。
第１図は９本発明の実施例になる支持体で（ａｌは平面
図、（ｂ）は側面図、第２図は比較例の支持体で（ａｌ
は平面図、（ｂ）は側面図である。 符号の説明 １・・・支持体 ２・・・網３・・・枠
４・・・支持体５・・・円錐状突起
６・・・円板部茅１閉 茅２０ （（Ｌ） （ａ）（
ｂ）
図、（ｂ）は側面図、第２図は比較例の支持体で（ａｌ
は平面図、（ｂ）は側面図である。 符号の説明 １・・・支持体 ２・・・網３・・・枠
４・・・支持体５・・・円錐状突起
６・・・円板部茅１閉 茅２０ （（Ｌ） （ａ）（
ｂ）
Claims (1)
- １、熱分解炭素又は炭化珪素を被覆した炭素繊維の網か
らなる支持体の上に被蒸着基材を載置して化学蒸着を行
なうことを特徴とする化学蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24489584A JPS61124574A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 化学蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24489584A JPS61124574A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 化学蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124574A true JPS61124574A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17125573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24489584A Pending JPS61124574A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 化学蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124574A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000067311A3 (de) * | 1999-04-30 | 2001-04-05 | Aixtron Ag | Verfarhen zur herstellung eines waferträgers in einem hochtemperatur-cvd-reaktor |
| US6762420B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
| JP2010100889A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Toyo Tanso Kk | 炭素基材表面への炭化珪素膜の形成方法 |
| US20130067761A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Drying apparatus |
| CN109825819A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 石墨基座 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24489584A patent/JPS61124574A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762420B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
| US6777690B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-08-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
| US7048967B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-05-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method and a scintillator panel |
| US7662427B2 (en) | 1998-06-18 | 2010-02-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Organic film vapor deposition method |
| US7897938B2 (en) | 1998-06-18 | 2011-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel |
| WO2000067311A3 (de) * | 1999-04-30 | 2001-04-05 | Aixtron Ag | Verfarhen zur herstellung eines waferträgers in einem hochtemperatur-cvd-reaktor |
| JP2010100889A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Toyo Tanso Kk | 炭素基材表面への炭化珪素膜の形成方法 |
| US20130067761A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Drying apparatus |
| CN109825819A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-31 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 石墨基座 |
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