WO1997005758A1 - Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten leiterplatten oder mehrlagenleiterplatten (multilayer) - Google Patents

Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten leiterplatten oder mehrlagenleiterplatten (multilayer) Download PDF

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WO1997005758A1
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water
rinse
acid
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Jürgen Hupe
Sabine Fix
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Blasberg Oberflächentechnik GmbH
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    • H05K3/0055After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes

Definitions

  • the present invention relates to a process for the production of plated-through circuit boards or multilayer printed circuit boards based on polymers with conductive polymers using a combined desmear and direct metallization process (multilayer), in which the polymer-based base materials provided with boreholes are subjected to a series of process steps become.
  • Multi-layer circuits must be chemically cleaned after the drilling process in order to remove the so-called smear (resin smearings which arise during the drilling process on the copper inner layers) from the inner layers. This is necessary in order to ensure a perfect connection of the copper layer of the subsequent through-contacting process to the inner layer.
  • the cleaning process is also called "Desmear” and usually takes place in an alkaline permanganate solution which, after a previous swelling of the resin with solvents, removes the smear oxidatively.
  • the via process follows, in the course of which the borehole walls are metallized with copper.
  • This metallization takes place either by chemical copper plating or by direct metallization.
  • Such direct metallization processes are described in many different ways. For example, there are processes in which the non-conductive borehole wall is activated by Pd nucleation, or by covering it with carbon particles.
  • DE-PS 38 06 884 describes a direct metallization process which includes a treatment step in permanganate to produce a conductive polymer film on the borehole wall.
  • the permanganate solution for forming the polymer film is generally used in the pH range from 5 to 9.
  • DE-A-40 40 226 proposes a process sequence which contains two permanganate steps connected in series in order to solve the aforementioned problems. In fact, it is possible with this workflow to produce good quality circuit boards.
  • New polythiophenes and their use are known from EP 0 339 340, including 3,4-ethylenedioxythiophene. These substances are primarily intended to be antistatic. Equipment of the electrical current not or only poorly conductive substrates are used.
  • the object of the invention is to develop a simplified and yet very reliable method for the production of plated-through circuit boards, which manages with only one permanganate step and nevertheless leads to optimal results.
  • the surprising solution to the problem is probably due to the fact that the brown stone which was formed on the perforated walls after the permanganate treatment is superficially changed by the treatment with an acid solution (step 4) in such a way that the later polymer film formation can be better controlled and realized with a very wide working window becomes.
  • a possible explanation is based on the fact that the deposited manganese dioxide contains an amount of hydroxidium that cannot be defined. If necessary, this could delay the polymerization step in the initial phase.
  • To avoid premature polymerization of the now weak on the surface acid brown stone is rinsed again and neutralized with a very weakly alkaline solution (step 6). Reproducible good practical results can only be achieved by using this rinsing sequence.
  • Polystyrene sulfonic acid is preferably used as the acid in the subsequent fixation, but also with other acids, e.g. H “So, naphthalene-1,5-disulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, polyphosphoric acid and polystyrene sulfonic acid, optionally with the addition of 3,4-ethylenedioxythiophene, good results can be achieved.
  • the described method can be used in conventional immersion systems as well as in horizontal continuous systems. If necessary, the steps catalyzing (8) and fixing (9) can also be combined into one step.
  • Glass fiber reinforced epoxy resin base material (FR-4) was used for all examples. The material was drilled and deburred.
  • the materials thus desmeared were further processed (plated through) in standard direct metallization processes based on conductive polymers.
  • circuit boards were copper-plated to approx. 25 to 30 ⁇ m. A plate was removed after 3 minutes to carry out a transmitted light test (see table for result).
  • the fully coppered plates were immersed in a solder bath of 288 ° C for 10 seconds to simulate the conditions of the soldering process (thermal stress). A cross section was then made and the Cu / Cu deposition on the inner layer and the complete coverage of the borehole wall were assessed (for results see table).
  • the plates were diversified after these two steps and processed directly after different work steps.
  • d n means a complete, error-free assignment.
  • the evaluation of d. to d stand for increasing poorer and incomplete copper coverage.
  • the test specimens are sawn out of the circuit so that the borehole is halved vertically, so that the plated-through area is visible. Then the sample is illuminated from below and viewed through a microscope.
  • Drilled and deburred substrates are treated as follows
  • step i) is carried out with
  • Acidic rinse 0.1 to 200 g / 1 H 2 S0 4 10 to 120 see Alkaline rinse: pH 8 to 9.5 10 to 120 see Catalyst: 3, 4-ethylenedioxy 10 see to 5 min thiophene + emulsifier 0. 1 to 10 g / 1
  • Fix acid, preferably 10 to 5 min polystyrene sulfonic acid 0.5 to 100 g / 1 other acids 5 to 200 g / 1

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Abstract

Das Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten oder Mehrlagenleiterplatten auf Polymerbasis mit leitfähigen Polymeren mit einem kombinierten Desmear- und Direktmetallisierungsprozeß (Multilayern) erfolgt dadurch, daß die mit Bohrlöchern versehenen Basismaterialien auf Polymerbasis folgenden Verfahrensschritten unterworfen werden: 1) Quellen in einer an sich bekannten Behandlungsflüssigkeit und Spülen mit Wasser, 2) Behandlung mit einer alkalischen Permanganatlösung (Desmear), 3) Spülen mit Wasser, 4) Spülen mit saurer, wäßriger Lösung (pH-Wert ca. 1, Spüldauer je nach Säuregehalt 10 bis 120 sek.), 5) Spülen mit Wasser, 6) Spülen mit alkalischer, wäßriger Lösung (pH 8 bis 9,5), 7) Spülen mit Wasser, 8) Spülen mit einer Mikroemulsion von Ethylen-3,4-dioxythiophen (Katalysator), 9) Spülen mit Säure (Fixierung), 10) Spülen mit Wasser, 11) Verkupfern, 12) Spülen mit Wasser, und 13) Trocknen, 14) übliche Prozeßschritte zum Leiterbildaufbau.

Description

Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten oder Mehrlagenleiterplatten (Multilayer)
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten oder Mehr¬ lagenleiterplatten auf Polymerbasis mit leitfähigen Polymeren mit einem kombinierten Desmear- und Direktmetallisierungs¬ prozeß (Multilayem) , bei welchem die mit Bohrlöchern ver¬ sehenen Basismaterialien auf Polymerbasis einer Reihe von Verfahrensschritten unterworfen werden.
Mehrlagenschaltungen müssen nach dem Bohrprozeß chemisch gereinigt werden, um den sogenannten Smear (Harzverschmie¬ rungen, die beim Bohrprozeß auf den Kupferinnenlagen ent¬ stehen) von den Innenlagen zu entfernen. Dies ist notwendig, um eine einwandfreie Anbindung der Kupferschicht des späteren Durchkontaktierungsprozesses an die Innenlage zu gewähr¬ leisten.
Das Reinigungsverfahren wird auch "Desmear" genannt und er¬ folgt üblicherweise in einer alkalischen Permanganatlösung, die nach einem vorhergehenden Anquellen des Harzes mit Lö¬ sungsmitteln den Smear oxidativ entfernt.
Nach dem "Desmear" schließt sich der Durchkontaktierungs- prozeß an, in dessen Verlauf die Bohrlochwandungen mit Kupfer metallisiert werden.
Diese Metallisierung geschieht entweder durch chemische Ver¬ kupferung oder durch Direktmetallisierung.
Solche Direktmetallisierungsverfahren sind in vielfältiger Art beschrieben. So gibt es Verfahren, bei denen die Aktivie¬ rung der nichtleitenden Bohrlochwandung mittels Pd-Bekeimung erfolgt, oder aber durch eine Belegung mit Kohlenstoffparti¬ kelchen. In der DE-PS 38 06 884 wird ein Direktmetallisierungsver- fahren beschrieben, das zur Erzeugung eines leitfähigen Poly¬ merfilms auf der Bohrlochwandung einen Behandlungsschritt in Permanganat beinhaltet .
Demgemäß sollte es prinzipiell möglich sein, die Bohrlochrei¬ nigung und den Durchkontaktierungsprozeß miteinander zu ver¬ knüpfen, indem für beide Schritte das gleiche Permanganatbad benutzt wird. Da der beim Permanganatangriff auf dem Harz entstehende Braunstein im Direktmetallisierungsprozeß als Oxidationsmittel bei der Polymerbildung fungiert, kann zusätz¬ lich sogar auf die sonst notwendige Entfernung des Braun¬ steins im Desmearprozeß (im allgemeinen mit H-,S0 /H_0„) ver¬ zichtet werden.
Diese Prozeßabläufe können durch die folgenden Verfahrens- schritte beschrieben werden:
I. Desmear-Prozeß a) Quellen b) Spülen c) Alkalisches Permanganat d) Spülen e) Entfernen der Braunsteinablagerungen f) Spülen g) Trocknen
II. Direktmetallisierung mittels leitfähigem Polymer a) Anätzen b) Spülen c) Konditionieren d) Permanganat e) Spülen f) Katalysieren mit organischem Monomer g) Fixieren (mit Säure)
Bildung des leitfähigen Polymerfilms h) Spülen i) Verkupfern j ) Spülen k) Trocknen.
Bereits in der DE-A-39 31 003 wird dieser Gedanke aufgegrif¬ fen und führt zu einer vereinfachten Prozeßführung.
Es hat sich jedoch in der praktischen Anwendung solcher ver¬ einfachter Systeme gezeigt, daß bei der Benutzung eines alka¬ lischen Permanganatbades für Desmear mit Durchkontaktierung erhebliche Schwierigkeiten auftreten. Diese sind vor allem darin begründet, daß die Verweilzeiten in einem handelsüb¬ lichen Desmear-Permanganat ca. 10 bis 20 min oder bei einer Verfahrensführung im horizontalen Durchlauf ca. 1 bis 2,5 min betragen. Die Expositionszeiten im Permanganat, welches der Bildung einer leitfähigen Polymerschicht dient, betragen erfahrungsgemäß etwa 2 bis 4 min oder 30 bis 60 see im hori¬ zontalen Durchlauf. Um einen ausreichenden Desmeareffekt (Reinigung) zu erzielen, können die oben genannten Zeiten - nicht weiter reduziert werden.
Ferner ist zu beachten, daß die Permanganatlösung zur Bildung des Polymerfilms im allgemeinen im pH-Bereich von 5 bis 9 angewandt wird.
Wird der Arbeitsprozeß wie in DE-A-39 31 003 beschrieben durchgeführt, so sind Durchkontaktierungsfehler wie mangelnde Kupferbedeckung von Harz und bevorzugt Glas des Basismateri¬ als unausweichlich und führen zum Totalausfall der so produ¬ zierten Leiterplatte.
In Kenntnis dieser Erfahrungen wird in der DE-A-40 40 226 ein Verfahrensablauf vorgeschlagen, der zwei Permanganat- schritte hintereinandergeschaltet enthält, um so die vorge¬ nannten Probleme zu lösen. In der Tat ist es möglich, mit diesem Arbeitsablauf Leiterplatten von guter Qualität zu produzieren.
Dennoch kann auch dieser Prozeß nicht befriedigen, da zwei Behandlungsstufen mit Kaliumpermanganat vorhanden sind, die sehr genau aufeinander abzustimmen sind. Darüber hinaus ist wieder ein erhöhter Platzbedarf vorhanden, und beim Einsatz von Horizontal-Durchlaufanlagen sind zwei sehr teure Anlagen¬ teile notwendig, da ein Einsatz von Edelstahl als zu verar¬ beitendes Material unumgänglich ist.
Aus der WO 91/08324 sind Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern durch Oxidation von 5-gliedrigen Heterocyclen bekannt. Es wird hierin erwähnt, daß prinzipiell außer Pyrrol auch andere 5-gliedrige Heterocyclen verwendet werden können; vgl. Seite 4, Absatz 3. Alle Ausführungsbeispiele benutzen aber ausschließlich Pyrrol.
Aus der EP 0 339 340 sind neue Polythiophene und ihre Verwen¬ dung bekannt, unter anderem auch 3,4-Ethylendioxy-thiophen. Diese Substanzen sollen vor allem zur antistatischen . Aus¬ rüstung von den elektrischen Strom nicht oder nur schlecht leitenden Substraten verwendet werden.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein verein¬ fachtes und dennoch sehr zuverlässiges Verfahren zur Her¬ stellung von durchkontaktierten Leiterplatten zu entwickeln, welches mit nur einem Permanganatschritt auskommt und dennoch zu optimalen Ergebnissen führt.
Überraschenderweise wurde jetzt gefunden, daß ein äußerst einfacher kombinierter Arbeitsgang gemäß DE-A-40 40 226 mög¬ lich ist, wenn Ethylen-3 ,4-dioxythiophen als monomere Aus¬ gangsverbindung eingesetzt wird, die Säure des Fixierschrit¬ tes genauestens auf das Monomersystem abgestimmt wird und nach dem Permanganatbehandlungsschritt eine sehr spezielle Spülfolge als Nachbehandlung eingesetzt wird. Dieses Verfahren kann somit wie folgt beschrieben werden:
1) Quellen in einer an sich bekannten Behandlungsflüssig¬ keit und Spülen mit Wasser,
2) Behandlung mit einer alkalischen Permanganatlösung (De¬ smear) ,
3) Spülen mit Wasser,
4) Spülen mit saurer, wäßriger Lösung (pH-Wert ca. 1, Spül- dauer je nach Säuregehalt 10 bis 120 sek.) ,
5) Spülen mit Wasser,
6) Spülen mit alkalischer, wäßriger Lösung (pH 8 bis 9,5) ,
7) Spülen mit Wasser,
8) Spülen mit einer Mikroemulsion von Ethylen-3, 4-dioxy- thiophen (Katalysator) ,
9) Spülen mit Säure (Fixierung) ,
10) Spülen mit Wasser,
11) Verkupfern,
12) Spülen mit Wasser und
13) Trocknen,
14) übliche Prozeßschritte zum Leiterbildaufbau.
Mit diesem Verfahren gelingt es, in einem sehr kurzen Prozeß qualitativ einwandfreie und hochwertige Mehrlagenschaltungen herzustellen.
Die überraschende Problemlösung beruht wahrscheinlich darauf, daß der Braunstein, der nach der Permanganatbehandlung auf den Lochwandungen gebildet worden ist, durch die Behandlung mit einer Säurelösung (Schritt 4) oberflächlich so verändert wird, daß die spätere Polymerfilmbildung besser steuerbar und mit einem sehr weiten Arbeitsfenster realisierbar wird. Eine mögliche Erklärung beruht darauf, daß der abgelagerte Braunstein eine nicht fest definierbare Menge Hydroxidium beinhaltet. Diese könnte gegebenenfalls den Polymerisations- schritt in der Anfangsphase verzögern. Zur Vermeidung einer vorzeitigen Polymerisation des an der Oberfläche nun schwach sauren Braunsteins wird nochmals gespült und mit einer sehr schwach alkalischen Lösung (Schritt 6) neutralisiert. Nur durch Anwendung dieser Spülfolge können reproduzierbar gute praktische Ergebnisse erzielt werden.
Weiterhin hat sich gezeigt, daß die bisher vorzugsweise ver¬ wendete Monomerlösung auf der Basis von Pyrrol und Lösungs¬ mittel selbst mit der beschriebenen Spülsequenz nicht zu verwertbaren und reproduzierbaren Ergebnissen führt.
Erst durch die Verwendung einer Mikroemulsion von Ethylen- 3 , 4-dioxythiophen auf wäßriger Basis in Kombination mit dem zuvor erwähnten Spülsystem und einer abgestimmten Fixier¬ lösung können einwandfreie Ergebnisse erzielt werden. Äußerst bemerkenswert ist dabei die Tatsache, daß das laterale Kupferwachstum auf dem vergleichsweise angesprochenen Poly- pyrrolfilm erheblich langsamer ist als auf dem erfindungsge¬ mäß eingesetzten Polyethylendioxythiophenfilm. In grober Näherung kann gesagt werden, daß mit gleichen Kupferelektro¬ lyten (CUPROSTAR LP-1 der Anmelderin) die Kupferabscheidung mit dem Polythiophenfilm etwa zehnmal schneller verläuft als auf dem Polypyrrolfilm. Naturgemäß führt dies zu einer erheb¬ lich schnelleren vollständigen Verkupferung der Bohrlochhülse und somit zu einem Qualitätsbonus.
Als Säure in der anschließenden Fixierung wird vorzugsweise Polystyrolsulfonsäure verwendet, aber auch mit anderen Säuren, z.B. H„So , Naphthalin-1, 5-disulfonsäure, Dodecyl- benzolsulfonsäure, Polyphosphorsäure und Polystyrolsulfon¬ säure gegebenenfalls mit einem Zusatz von 3,4-Ethylendioxy- thiophen können gute Ergebnisse erzielt werden.
Das beschriebene Verfahren kann in konventionellen Tauchan¬ lagen ebenso eingesetzt werden wie in horizontalen Durchlauf¬ anlagen. Gegebenenfalls können auch die Schritte Katalysieren (8) und Fixieren (9) zu einem Schritt zusammengefaßt werden.
Beispiel 1
Für alle Beispiele wurde glasfaserverstärktes Epoxidharz- Basismaterial (FR-4) verwendet. Das Material war gebohrt und entgratet.
1 Die Substrate wurden einer konventionellen Bohrlochreini¬ gung unterzogen.
a) Quellen (Condisolve ML) 8 min 60°C b) Spülen c) Alkalisches Permanganat
(Permaprep MSH) 8 min 70°C d) Spülen e) Neutralisieren (Remover Mn) 1 min 20 - 30°C f) Spülen g) Trocknen
Die so desmearten Materialien wurden in Standard-Direktme- tallisierungsprozessen auf Basis leitfähiger Polymere weiterverarbeitet (durchkontaktiert) .
1.1 Direktmetallisierungsprozeß "DMS-2" (Pyrrolbasis)
a) Anätzen (BLACID DMA) 1 min 30°C b) Spülen c) Konditionieren (BLASOLIT DMS 2/4) 2 min 45°C d) Spülen e) Kaliurrpej-Tnanganat (pH 9,5)
(wäßrige Lösung) 2 min 92°C f) Spülen g) Katalysieren (Katalysator DMS 2)
(Pyrrolbasis) 1 min 20 - 25°C h) Fixieren (Schwefelsäure 180 g/1) 1 min 20 - 25°C i) Spülen j) Verkupfern (CUPROSTAR LP-1) ca. 60 min 1 = 2 A/dm k) Spülen
1) Trocknen
Die Leiterplatten wurden auf ca. 25 bis 30 μm aufgekupfert . Eine Platte wurde nach 3 min zur Durchführung eines Durch- lichttestes entnommen (Ergebnis siehe Tabelle) .
Die voll aufgekupferten Platten wurden 10 see in ein Lotbad von 288°C getaucht, um die Bedingungen des Lötprozesses (thermische Belastung) zu simulieren. Anschließend wurde ein Querschliff angefertigt und die Cu/Cu-Abscheidung an die Innenlage sowie die vollständige Belegung der Bohrlochwandung begutachtet (Ergebnisse siehe Tabelle) .
1.2 Direktmetallisierungsprozeß "DMS-E" (3 ,4-Ethylendioxythiophen-Basis)
a) Anätzen (BLACK) DMA) 1 min 30°C b) Spülen c) Konditionieren (BIASOLIT V) 2 min 45°C d) Spulen e) Kaliurnpermanganat (pH 9,5)
(wäßrige Lösung) 2 min 80°C f) Spülen g) Katalysieren (Catalyst DMS E)
(Thiophenbasis, ca. 1 %) 1 min 20 - 30°C h) Fixieren
(z .B . Polystyrolsulf onsäure 2 , 5 %) 1 min 20 - 30°C i) Spülen j ) Verkupfern (CUPROSTAR LP-1) ca. 60 rnin 1 = 2 A/dm2 k) Spülen 1) Trocknen
Verarbeitung und Auswertung wie unter 1 . 1 . 2 Die Substrate wurden einem kombinierten Desmear- und Direktmetall isierungsprozeß unterzogen
a) Quellen (Condisolve ML) 5 min 60°C b) Spülen c) Kaliumpermanganat , alkalisch 5 min 85°C
Die Platten wurden nach diesen beiden Schritten diversi - f iziert und nach unterschiedlichen Arbeitsgängen direkt weiterverarbeitet .
2 . 1 d) Spülen e) Schritte g) - 1) gemäß Beispiel 1.1
2.2 d) Spülen e) Schritte g) - 1) gemäß Beispiel 1.1, aber in der Fixierung [Schritt 1.1, h) ] wurde 2,5 % wäßrige Lösung von Polystyrolsulfonsäure verwendet.
2.3 d) Spülen e) Schritte g) - 1) gemäß Beispiel 1.2
2.4 d) Spülen e) Schritte g) - 1) gemäß Beispiel 1.2, aber statt Poly¬ styrolsulfonsäure wurde in der Fixierung (Schritt h) H-SO , 250 g/1, eingesetzt.
2.5 d) Spülen e) Sauer Spülen (ca. pH 1, eingestellt mit H SO ) f) Spülen g) Alkalisch Spülen (pH 8 bis 9,5, eingestellt mit NaOH) h) Spülen
Die Platten wurden wiederum vereinzelt und unterschied¬ lich weiterverarbeitet: 2.5.1 i) Schritt e) gemäß Beispiel 2.1
2.5.2 i) Schritt e) gemäß Beispiel 2.2
2.5.3 i) Schritt e) gemäß Beispiel 2.3
2.5.4 i) Schritt e) gemäß Beispiel 2.4
Die Weiterbehandlung erfolgte wie unter 1.1 beschrieben.
Ergebnisse
Beispiele Durchlichttest nach Querschliffbeurteilung
3 min Verkupferung mit 2 A/dπu Voids Ring Voids Cu/Cu-Anbindung
1.1 dQ - ä^ - - o.k.
1.2 d - - o.k.
2.1 d_ 0 - 5 % - o.k.
2.2 d^ 0 - 5 % - 50 % o.k.
2.3 60 % nicht belegt - - o.k.
2.4 70 % nicht belegt - 20 % nicht bewertet
2.5.1 d-., - - o.k.
2.5.2 50 % nicht belegt - 0 - 5 % o.k.
2.5.3 d - - o.k.
2.5.4 dQ - d^ - - o.k.
Im Durchlichtest bedeutet dn eine vollständige, fehlerfreie Belegung. Die Bewertung d. bis d stehen für zunehmend schlechtere und unvollständigere Belegung mit Kupfer. Dazu werden die Prüflinge so aus der Schaltung gesägt, daß das Bohrloch vertikal halbiert wird, wodurch die durchkontaktierte Fläche sichtbar wird. Dann wird die Probe von unten beleuch¬ tet und durch ein Mikroskop betrachtet.
Die Auswertung der Beispiele zeigt deutlich, daß nur mit dem erfindungsgemäßen Arbeitsgang einwandfreie Ergebnisse erzielt werden können. Werden die gleichen Versuche in einer horizon¬ talen Durchlaufanläge durchgeführt, zeigt sich ein gleiches Bild.
Vergleichbar gute Ergebnisse erhält man, wenn man den Schritt h) durchführt mit
Naphthalin-1, 5-disulfonsäure 80 g/i
Dodecylbenolsulfonsäure 20 g/i
Polystyrolsulfonsäure 40 g/i
+ 3,4-Ethylendioxythiophen 0, 15 g/i
Beispiel 2
Gebohrte und entgratete Substrate werden wie folgt behandelt
a) Quellen (Condisolve ML) 5 min 60°C b) Spülen c) Alkalisches Permanganat 5 min 85°C d) Spülen e) Sauer Spülen (ca. pH 1) f) Spülen . g) Alkalisch Spülen (ca. pH 8 bis 9,5) h) Spülen i) Katalysieren, wäßrige Lösung von ca.
0,1 % 3,4-Ethylendioxythiophen und ca.
0,33 % Polystyrolsulfonsäure 1 itiin 20 bis 30°C j) Spülen k) Verkupfern 1) Spülen m) Trocknen
Beurteilung
Durchlichttest "0 "1 Querschliff : keine Beanstandungen
Vergleichbar gute Ergebnisse erhält man , wenn der Schritt i ) durchgeführt wird mit
Naphthalin- 1 , 5 -disulf onsäure 8 g/i + 3 , 4 -Ethylendioxythiophen 0,2 g/i
Polyphosphorsäure 20 g/i
+ 3 , 4 -Ethylendioxythiophen 1 g/i
Bevorzugte Verfahrensbedingungen für das erfindungsgemäße Verfahren
Quellen: 1 bis 10 min 40 bis 70°C Kaliumpermanganat : 1 bis 10 min 70 bis 95 °C
KMnO. 4 40 bis 100 g/1
NaOH oder KOH 10 bis 60 g/1
Saure Spüle: 0, 1 bis 200 g/1 H2S04 10 bis 120 see Alkalische Spüle : pH 8 bis 9, 5 10 bis 120 see Katalysieren: 3 , 4 -Ethylendioxy¬ 10 see bis 5 min thiophen + Emulgator 0, 1 bis 10 g/1
Fixieren: Säure, bevorzugt 10 see bis 5 min Polystyrolsulf onsäure 0, 5 bis 100 g/1 andere Säuren 5 bis 200 g/1

Claims

Patentansprüche
Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiter¬ platten oder Mehrlagenleiterplatten auf Polymerbasis mit leitfähigen Polymeren mit einem kombinierten Desmear- und Direktmetallisierungsprozeß (Multilayem) , bei welchem die mit Bohrlöchern versehenen Basismaterialien auf Polymerbasis folgenden Verfahrensschritten unter¬ worfen werden:
1) Quellen in einer an sich bekannten Behandlungsflüssig¬ keit und Spülen mit Wasser,
2) Behandlung mit einer alkalischen Permanganatlösung
(Desmear) ,
3) Spülen mit Wasser,
4) Spülen mit saurer, wäßriger Lösung (pH-Wert ca. 1, Spüldauer je nach Säuregehalt 10 bis 120 sek.) ,
5) Spülen mit Wasser,
6) Spülen mit alkalischer, wäßriger Lösung (pH 8 bis 9,5) ,
7) Spülen mit Wasser,
8) Spülen mit einer Mikroemulsion von Ethylen-3 ,4-dioxy- thiophen (Katalysator) ,
9) Spülen mit Säure (Fixierung) ,
10) Spülen mit Wasser,
11) Verkupfern,
12) Spülen mit Wasser und
13) Trocknen,
14) übliche Prozeßschritte zum Leiterbildaufbau.
Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Säure in Stufe 4 Schwefelsäure iεt in Mengen von 0,1 bis 200 g/1. 3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich¬ net, daß das Alkali in Stufe 6 Natronlauge ist.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge¬ kennzeichnet, daß die Säure in Stufe 9 Polystyrolsulfon¬ säure ist in Mengen von 0,5 bis 100 g/1.
5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge¬ kennzeichnet, daß die Schritte 8 und 9 zusammengefaßt werden und mit einem Gemisch aus Ethylen-3, 4-dioxythio- phen und einer säure durchgeführt werden.
PCT/EP1996/003134 1995-07-25 1996-07-17 Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten leiterplatten oder mehrlagenleiterplatten (multilayer) WO1997005758A1 (de)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19903108A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Bayer Ag Verfahren zur direkten galvanischen Durchkontaktierung von Leiterplatten
DE10124631C1 (de) * 2001-05-18 2002-11-21 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren von elektrisch nichtleiteitenden Substratoberflächen
DE10220684B4 (de) * 2002-05-10 2011-12-08 Enthone Inc. Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung leitender Polymere mit hoher Metallisierungsfähigkeit zur Durchmetallisierung von kaschierten Basismaterialien zur Leiterplattenherstellung
US20050227049A1 (en) * 2004-03-22 2005-10-13 Boyack James R Process for fabrication of printed circuit boards
EP1870491B1 (de) * 2006-06-22 2015-05-27 Enthone, Inc. Verbessertes Verfahren zur Direktmetallisierung von elektrisch nicht leitfähigen Substratoberflächen, insbesondere Polyimidoberflächen
CN104018196A (zh) * 2013-02-28 2014-09-03 武汉孟鼎电化学技术有限公司 印制线路板无化学镀直接电镀方法
CN107278056A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 东莞市斯坦得电子材料有限公司 一种用于印制电路板有机导电膜孔金属化的工艺
CN110483819B (zh) * 2019-07-09 2022-05-17 江苏大学 一种基于溶胀-原位聚合反应的形状记忆聚合物基线路板的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0339341A2 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Bayer Ag Elektrisch leitfähige Polyheteroaromaten und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4040226A1 (de) * 1990-12-15 1992-06-17 Hoellmueller Maschbau H Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten leiterplatten oder multilayern
WO1992020204A1 (de) * 1991-04-26 1992-11-12 Blasberg Oberflächentechnik GmbH Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht
EP0553671A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-04 Bayer Ag Verfahren zur Durchkontaktierung von zweilagigen Leiterplatten und Multilayern
EP0707440A1 (de) * 1994-10-12 1996-04-17 Bayer Ag Verfahren zur direkten galvanischen Durchkontaktierung von zweilagigen Leiterplatten und Multilayern

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4315045A (en) * 1978-12-19 1982-02-09 Crown City Plating Co. Conditioning of polyamides for electroless plating
DE3843412A1 (de) * 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3928832C2 (de) * 1989-08-31 1995-04-20 Blasberg Oberflaechentech Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten und Leiterplatten-Halbzeug
DE3931003A1 (de) * 1989-09-14 1991-03-28 Schering Ag Verfahren zur direkten metallisierung von leiterplatten
DE3939676C2 (de) * 1989-11-28 1994-01-27 Schering Ag Metallisierung von Nichtleitern

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0339341A2 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Bayer Ag Elektrisch leitfähige Polyheteroaromaten und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4040226A1 (de) * 1990-12-15 1992-06-17 Hoellmueller Maschbau H Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten leiterplatten oder multilayern
WO1992020204A1 (de) * 1991-04-26 1992-11-12 Blasberg Oberflächentechnik GmbH Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht
EP0553671A1 (de) * 1992-01-29 1993-08-04 Bayer Ag Verfahren zur Durchkontaktierung von zweilagigen Leiterplatten und Multilayern
EP0707440A1 (de) * 1994-10-12 1996-04-17 Bayer Ag Verfahren zur direkten galvanischen Durchkontaktierung von zweilagigen Leiterplatten und Multilayern

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