WO1996041722A1

WO1996041722A1 - Procede de creation d'une couche d'electrode auxiliaire pour une configuration d'electrode commune dans une tete thermique

Info

Publication number: WO1996041722A1
Application number: PCT/JP1996/001632
Authority: WO
Inventors: Hideaki Houki
Original assignee: Rohm Co., Ltd.
Priority date: 1995-06-13
Filing date: 1996-06-13
Publication date: 1996-12-27
Also published as: EP0775584B1; US5979040A; EP0775584A4; EP0775584A1; DE69603816T2; JP3825047B2; CN1161017A; KR100206622B1; CN1070113C; TW319744B; DE69603816D1; KR970704582A

Description

明糸田書サ一マルヘッドにおける共通電極ノ、'ターンに対する補助電極層の形成方法技術分野

本発明はサーマルへッドにおける共通電極パターンに対する補助電極層の形成方法に関する。背景技術

従来、ファクシミリ等の OA機器のプリン夕、券売機のプリン夕、並びにラベルブリン夕等にサーマルへッドが広く用いられている。周知のように、サーマルへッドは、感熱紙や熱転写インクリボン等の印字媒体に対して選択的に熱を付与して、必要な画像情報を形成するものである。

サーマルへッドは、その発熱抵抗体（発熱ドット）、電極用導体層等の形成方法により薄膜型サ一マルへッドと厚膜型サーマルへッドとに大きく分類される。薄膜型サーマルへッドでは、基板若しくはガラスグレーズ層上にスパッタリング等により発熱抵抗体や電極用導体層を薄膜状に形成するものである。これに対して、厚膜型サーマルヘッドでは、少なくとも発熱抵抗体がスクリーン印刷及び焼成等の工程を介して厚膜状に形成される。

一般に、サーマルへッドでは、列状の発熱ドットを絶縁性へッド基板の一方の長手縁部の近傍に設けるのが好ましい。その理由は、発熱ドット列をへッド基板の長手縁部の近傍に配置した方が、印字媒体との干渉を避け易いばかりでなく、へッド基板をプラテンに対して傾斜させることにより、配置の自由度や印字品質を高めることができるからである。

しかしながら、発熱ドット列をへッド基板の一方の長手縁部の近傍に配置すると、その分だけ共通電極パターンを形成するスペースが縮小するために、発熱に必要な十分な電流容量（電流路）を確保できなくなる。その結果、共通電極バターンにおける抵抗が問題となり、発熱ドット列の長手方向の電圧降下により発熱ドット間に発熱量のバラツキが生じて、印字品質が低下する。特に、最近普及率が高くなりつつあるカラ一印刷においては、全ての発熱ドットが同時に発熱するいわゆる「ベタ状印刷」が多用されるため、大きな電流容量の確保は極めて重要である。

このような要請に応えるべく、国際特許公開 WO 9 5 / 3 2 8 6 7において、本願出願人は本願添付図面の図 5及び図 6に示すような構成のサーマルへッドを先に提案した（但し、上記国際出願は、その公開日が 1 9 9 5年 1 2月 7日で、本願の優先日 1 9 9 5年 6月 1 3日よりも後であるため、本願に対する公知文献ではない。）。以下、このサーマルへッドについて説明する。

図 5及び図 6に示したサーマルへッドは、アルミナセラミック等の絶縁材料からなるヘッド基板 1 1を含んでおり、このヘッド基板 1 1は、断面矩形であり、表面 1 1 aと、この表面 1 1 aと反対の下面 1 1 bと、第 1長手縁面 1 1 cと、この第 1長手縁面 1 1 cと反対の第 2縁面 1 1 dと、を有している。へッド基板 1 1の表面 1 1 aには、蓄熱部材としてのガラスグレーズ層 1 2が形成されており、このグレーズ層 1 2は、ヘッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 cの近傍に断面湾曲状の凸状部 1 2 aを有している。

グレーズ層 1 2の表面には、薄膜状の抵抗体層 1 3が形成されている。この抵抗体層 1 3は、へッド基板 1 1の横切り方向（すなわち、へッド基板 1 1の長手縁面 1 l c、 1 I dに直交する方向）に延びるようにスリット S (図 3参照）により所定のピッチで分割されている。

抵抗体層 1 3の表面には、へッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 cに隣接する共通電極パターン 1 4と、これら共通電極パターン 1 4から離間し且つグレーズ層 1 2の凸状部 1 2 aからヘッド基板 1 1の第 2長手縁面 1 I dに向かって延びる個別電極 1 5と、が形成されている。前記スリット Sは個別電極 1 5を相互に電気的に分離するとともに、共通電極パターン 1 4の位置まで延びている。

上述したように、個別電極 1 5は共通電極パターン 1 4から離間している。従つて、抵抗体層 1 3は、共通電極パターン 1 4と個別電極 1 5との間において露出され、その露出部がへッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 cに沿って直線状に延びる発熱ドット（発熱領域） 1 3 aを構成する。

抵抗体層 1 3の発熱領域（発熱ドット） 1 3 a、共通電極パターン 1 4及び個別電極 1 5は保護層 2 0によって覆われている。この保護層 2 0は抵抗体層 1 3 の発熱領域 1 3 a、共通電極パターン 1 4及び個別電極 1 5が空気との接触により酸化されたり、印字媒体（図示せず）との接触により磨耗したりするのを防止する作用を発揮する。

そして、共通電極パ夕ーン 1 4は、へッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 cの側において、アルミニウム等の金属よりなる補助電極層 1 6に電気接続されている。従って、共通電極パターン 1 4の全ての部分は補助電極層 1 6を介して相互に電気的に導通し、同一の電位に保持される。言い換えると、補助電極層 1 6は、共通電極パターン 1 4の全ての部分に対する共通接続部として機能する。

補助電極層 1 6は、へッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 c、裏面 1 1 b及び第 2長手縁面 1 1 dを覆っている。このように、補助電極層 1 6は大きな面積を有していることから、電流路を拡大し、サーマルヘッドの長手方向の電圧降下を実質的に解消する。従って、全発熱ドット 1 3 aが同時に発熱する場合（いわゆる

「ベ夕状印刷」する場合）にも、十分な電流を流すことができ、印字品質の低下を招来することはない。

以上の構成を有するサーマルへッドは、例えば図 7 a〜7 jに示す方法により製造される。

先ず、図 7 aに示すように、複数のヘッド基板の大きさに対応するアルミナセラミック製マスター基板 1 1 ' を用意する。このマスター基板 1 1 ' は、後に長手分割ライン D L 1及び横切り分割ライン D L 2に沿って分割したときに、複数のへッド基板を与えるものである。

次に、図 7 bに示すように、マスタ一基板 1 1 ' の表面にガラスペーストを塗布して焼成することにより、マスターグレーズ層 1 2 ' を形成する。

次に、図 7 cに示すように、所定の長手分割ライン D L 1に沿って、ダイシングカッター（図示せず）によりマスターグレーズ層 1 2，を貫通してマスタ一基板 1 1 ' の肉厚内に至る溝 1 7を形成する。これにより、マスタ一グレーズ層 1 2 ' は個別のグレーズ層 1 2に分断される。

次に、図 7 dに示すように、マスター基板 1 Γ を約 8 5 0 °Cの温度に約 2 0 分間加熱することにより、グレーズ層 1 2のうち上記溝 1 7に隣接する凸状部 1 2 aを形成する。このように凸状部 1 2 aが形成されるのは、加熱により流動状となったガラス材料の表面張力に基づいている。

次に、図 7 eに示すように、グレーズ層 1 2上に反応性スパッタリングにより窒化タンタルを主成分とする抵抗体層 1 3を薄膜状に形成する。

次に、図 7 ίに示すように、抵抗体層 1 3の上にスパッタリングによりアルミニゥム等からなる導体層 1 8を形成する。

次に、図 7 gに示すように、抵抗体層 1 3及び導体層 1 8をエッチングしてスリット S (図 3参照）を形成した後、導体層 1 8のみの一部をエッチングにより除去して抵抗体層 1 3の発熱ドット 1 3 aとなるべき領域を露出させる。この結果、導体層 1 8は共通電極パターン 1 4及び個別電極 1 5に分割される。

次に、図 7 hに示すように、ダイシングカッター（図示せず）を用いてマスタ一基板 1 1 ' をそれぞれの分割ライン D L 1、 D L 2に沿って切断し、個別のへッド基板 1 1とする。

次に、図 7 iに示すように、各へッド基板 1 1を矢印 Xの方向に移動させつつ、下方から導電性金属をスパッタリングして、ヘッド基板 1 1の第 1長手縁面 1 1 c、下面 1 1ゎ及び第2長手縁面1 I dに付着させて、アルミニウム等からなる補助電極層 1 6を適度な膜厚で形成する。

最後に、図 7 jに示すように、共通電極パターン 1 4、個別電極 1 5及び抵抗体層 1 3の露出した発熱ドット 1 3 aの領域を覆うべく保護膜 2 0を形成する。以上述べた方法では、補助電極層 1 6の形成を、マスター基板 1 Γ を個別のへッド基板 1 1に分割した後に行っている（図 7 h及び図 7 i参照）。しかしながら、このような補助電極層 1 6の形成方法では、次のような問題があることが分かってきた。

先ず第 1に、マスタ一基板 1 Γ を複数の個別のヘッド基板 1 1に分割した上で補助電極層 1 6を形成するために、複数のへッド基板 1 1を個別に取り扱うための専用マガジンや専用治具を必要とするため、設備費がそれだけ高くつく。また、複数のへッド基板 1 1に個別に補助電極層 1 6を形成する作業は生産性が低くなり、設備費のアップと相まって生産コストを高くする。

第二に、個別のへッド基板 1 1ごとに補助電極層 1 6を形成すると、スパッ夕リングされる導電性金属がヘッド基板 1 1の表面に回り込み易くなり、共通電極パターンを越えて、抵抗体層 1 3の露出部分である発熱ドット 1 3 aにまで及ぶことがある。その結果、補助電極層 1 6が発熱ドット 1 3 aを部分的又は全体的に覆い、発熱ドット 1 3 aが発熱できない状態となる。

第三に、マスター基板 1 Γ を複数の個別のヘッド基板 1 1に分割した上で補助電極層 1 6を形成する場合、個別のヘッド基板 1 1のための搬送装置や支持装置が直接へッド基板 1 1と接触することになるため、得られるサーマルへッドに二次不良を生じ易い。尚、マスタ一基板 1 1 ' を分割する前は、マスター基板 1 Γ の外周余白部分を利用して搬送 ·支持ができるため、後に分割されるヘッド基板 1 1が損傷を受ける可能性はずつと低い。発明の開示

そこで、本発明の目的は、共通電極パターンに対する補助電極層の形成を複数のサーマルへッドへッドについて効率的且つ安価に行え、しかも共通電極パターンと補助電極層との間の電気的接続状態を容易に制御できる方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、表面に共通電極パターンを有し且つ複数のへッド基板に対応するマスター基板を用意し、

前記マスター基板に前記共通電極パターンに沿う少なくとも 1個のスリットを形成し、

前記マスタ一基板の裏面に補助電極層を形成して、当該補助電極層が前記スリットを介して前記共通電極パターンに電気的に導通するよう回り込むようにする、

サーマルへッドにおける共通電極パターンに対する補助電極層の形成方法を提供する。

前記補助電極層と共通電極パターンとの間の電気的接続状態を良好なものとするには、前記スリットの幅を好ましくは 0 . 5 mm以上、特に 0 . 8 mm以上にすれば良い。

また、本発明の好適な実施例によれば、前記マスタ一基板は、前記共通電極パターンに沿う少なくとも 1個の溝を有しており、前記共通電極パターンは前記溝内に延びており、前記溝内に前記スリットを当該溝よりも幅狭に形成することにより段部を形成し、前記補助電極層が前記段部に回り込んで前記共通電極パターンに電気的に導通するようにする。

本発明のその他の目的、特徴及び利点は、以下に添付図面に基づき詳細に説明する実施例から明らかになるであろう。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の好適な実施例に係るサ一マルへッドの要部を示す部分断面図である。

図 2は、同サ一マルへッドの部分平面図である。

図 3 a〜 3 hは図 1及び 2に示したサーマルへッドを製造する 11次の工程を示す図である。

図 4は、補助電極層を形成する際のスリット幅に対する抵抗値及び回り込み量の関係を示すグラフである。

図 5は、同一出願人の先願に係るサーマルへッドを示す断面図である。

図 6は、同先願のサ一マルへッドの平面図である。

図 7 a〜7 jは図 5及び 6に示したサーマルへッドを製造する順次の工程を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、添付図面に基づき本発明の好適な実施例を説明する。

図 1及び図 2は、本発明の製造方法により作製されたサ一マルへッドの一例を示す。このサーマルヘッドは、アルミナセラミック等の絶縁材料からなる長状のへッド基板 1を含んでおり、このへッド基板の厚さは例えば約 0 . 6〜 0 . 7 m m程度である。へッド基板 1は、断面略矩形であり、表面 1 aと、この表面 1 a と反対の裏面 1 bと、第 1長手縁面 1 cと、この第 1長手縁面 1 cと反対の第 2 長手縁面（図示せず）と、を有している。

へッド基板 1の表面 1 aには、蓄熱部材としてのガラスグレーズ層 2が例えば厚さ約 1 0 0〃m程度に形成されている。このグレーズ層 2は、ヘッド基板 1の第 1長手縁面 1 cの近傍において、湾曲状縁部 2 aを有する。

グレーズ層 2の表面には、薄膜状の抵抗体層 3が形成されている。この抵抗体層 3は、へッド基板 1の横切り方向（すなわち、へッド基板 1の第 1長手縁面 1 cに直交する方向）に延びるようにスリット S (図 2参照）により所定のピッチで個別の帯状に分割されている。

抵抗体層 3の表面には、へッド基板 1の第 1長手縁面 1 cに隣接する共通電極パターン 4と、これら共通電極パターン 4から離間し且つグレーズ層 2の湾曲状縁部 2 aからへッド基板 1の第 2長手縁面（図示せず）に向かって延びる個別電極 5と、が形成されている。前記スリット Sは個別電極 5を相互に電気的に分離するとともに、共通電極パターン 4の位置まで延びている。

上述したように、個別電極 5は共通電極パターン 4から離間している。従って、抵抗体層 3は、共通電極パターン 4と個別電極 5との間において露出され、その露出部がへッド基板 1の第 1長手縁面 1 cに沿って直線状に延びる発熱ドット (発熱領域） 3 aを構成する。

図示の実施例においては、へッド基板 1の第 1縁面 1 cには、段部 1 dが形成されており、抵抗体層 3及び共通電極パターン 4はこの段部 1 dまで延出している。そして、この段部 1 dに表面側から延出する共通電極パターン 4の延出部分が 1 aは、当該段部 1 dに裏面側から延出する補助電極層 6に電気接続されている。この補助電極層 6は、ヘッド基板 1の裏面 1 bの全体を覆っており、大きな面積を有していることから、電流路を拡大し、へッド基板 1の長手方向の電圧降下を実質的に解消する。

尚、図示はしていないが、抵抗体層 3の発熱領域（発熱ドット） 3 a、共通電極パターン 4及び個別電極 5は S i O ₂ 膜及びノ又は T a ₂ 0₅ 膜からなる保護層によって覆ってもよい。かかる保護層は抵抗体層 3の発熱領域 3 a、共通電極パターン 4及び個別電極 5が空気との接触により酸化されたり、印字媒体（図示せず）との接触により磨耗したりするのを防止する作用を発揮する。

また、同じく図示はしていないが、補助電極層 6は、へッド基板 1の第 1長手縁面 1 cのみならず、これとは反対の第 2長手縁面（図示せず）の全体を覆うように形成してもよく、これにより、さらに電流路の拡大を図ることができる。

以上の構成を有するサーマルへッドは、以下の方法により都合よく製造することができる。

先ず、図 3 aに示すように、後に長手分割ライン D L 1及び横切り分割ライン D L 2に沿って分割したときに、複数のヘッド基板を与える大きさのアルミナセラミック製マスター基板 Γ を用意する。図示の例では、マスタ一基板 Γ は長手方向に各 3個のへッド基板を 2列に配置した大きさに対応する。

次に、図 3 bに示すように、マスター基板 Γ の表面にガラスペーストを塗布して焼成することにより、マスターグレーズ層 2 ' を形成する。

次に、図 3 cに示すように、中央の長手分割ライン D L 1に沿って、ダイシングカツ夕一（図示せず）によりマスターグレーズ層 2 ' を貫通してマスター基板の肉厚内に至る溝 7を形成する。この結果、マスターグレーズ層 2 ' は個別のグレーズ層 2に分断される。尚、この溝 7は、後に段部 1 dを構成するものであな o

次に、同じく図 3 cに示すように、マスター基板 1 ' を約 8 5 0 °Cの温度に約 2 0分間加熱することにより、グレーズ層 2の上記溝 7に隣接する位置に湾曲状縁部 2 aを形成する。このように湾曲状縁部 2 aが形成されるのは、加熱により流動状となったガラス材料の表面張力に基づいている。

次に、図 3 dに示すように、グレーズ層 2及びマスタ一基板 1 ' の表面に T a S i 0₂ をスパッタリングして、抵抗体層 3を例えば約 0 . l mの薄膜状に形成する。この結果、抵抗体層 3はマスター基板 Γ の溝 7の内部まで延出するように形成される。尚、抵抗体層 3は、窒化タンタルを主成分として反応性スパッタリングにより形成してもよい。

次に、図 3 eに示すように、抵抗体層 3の上にスパッタリングにより導体層 8 を形成する。この導体層 8も、マスター基板 Γ の溝 7の内部まで延出する。導体層 8は、典型的にはアルミニウム（A £ ) で形成されるが、銅（C u ) や金 (A u ) で形成してもよい。

次に、図 3 f に示すように、抵抗体層 3及び導体層 8をエッチングしてスリツト S (図 2参照）を形成した後、導体層 8のみの一部をエッチングにより除去して抵抗体層 3の発熱ドット 3 aとなるべき領域を露出させる。この結果、導体層 8は共通電極パ夕一ン 4及び個別電極 5に分割される。

次に、図 3 gに示すように、スリット 9を溝 7に沿って形成する。但し、スリット 9の幅 W及び長さ Lは（図 3 g及び図 3 a参照）は、溝 7のそれよりも小さい。この結果、溝 7とスリット 9によって段部 1 dが形成される。しかしながら、マスター基板 Γ は未だ単位ヘッド基板 1 (図 1 ) に分断されておらず、以降の工程もマスター基板 1 ' (すなわち、複数の単位へッド基板 1 ) に対して効率よく行うことができる。スリット 9の形成は、ダイシング、レーザ又はウォー夕ジエツト等を利用して行える。

尚、図 3 gに示すように、スリット 9の幅 Wを溝 7のそれよりも小さくなるように切断する方法を、ステップカットという。これに対して、スリット 9と溝 7 とを同一の幅に切断する方法を、フルカットという。本発明では、ステップカツトに代えてフルカツトを行ってもよい。

次に、図 3 hに示すように、マスター基板 1 ' を矢印 Xの方向に移動させつつ、下方から導電性金属（例えば、アルミニウム又は銅）をスパッタリングして、マスター基板 1 ' の裏面に補助電極層 6を適度な膜厚（例えば約 2 μ. ) で形成する。この際、補助電極層 6はマスター基板 1 ' のスリット 9に入り込むと同時に段部 I dに回り込み、共通電極パターン 4との導通がとられる。しかも、スリット 9 内部における補助電極層 6の膜厚及び段部 1 dへの回り込み量はスリット 9の幅 Wによって制御することができる。

最後に、図示はしていないが、抵抗体層 3、共通電極パターン 4及び個別電極 5に対する保護層を形成した上で、マスター基板 Γ をそれぞれの分割ライン D L l、 D L 2 (図 3 a ) に沿って切断し、個別のサ一マルヘッド（図 1及び図 2 参照）を得る。

以上の製造方法によれば、補助電極層 6の形成を分割されていないマスタ一基板 Γ に対して行えばよく、複数のヘッド基板を個別に処理する必要はないので、生産効率が格段に向上し、製造コストを低減することができる。また、複数のへッド基板を取り扱うための専用のマガジンや治具を設ける必要はなく、設備費も安くできる。さらに、マスター基板 Γ を搬送 ·支持等するにあたっては、その余白部分を利用することができるので、搬送 ·支持のための装置が個別のへッド基板に直接接触して損傷を受けるなどの二次損傷を避けることも可能となる。

一方、補助電極層 6と共通電極パターン 4との電気的接続状態は、補助電極層 6の共通電極パターン 4に対する回り込み量 R (図 3 h) によって決定される。前述したように、この補助電極層 6の回り込み量 Rは、スリット 9の幅 Wによつて決定される。従って、このスリット 9の輻 Wを調整することにより、補助電極層 6と共通電極バタ一ン 4との電気的接続状態を制御することができる。以下、この点につき、図 4を参照して説明する。

図 4は、スリット 9の幅 Wを変更した場合に、補助電極層 6の回り込み量 R 並びに補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の電気抵抗がどのように変化するかを示すグラフである。図 4の横軸はスリット幅 W (mm) を示している。また、図 4の左側の縦軸は補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の電気抵抗を自然対数（^ η Ω) にて示しており、右側の縦軸は補助電極層 6の回り込み量 R ( t m) を示している。尚、補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の抵抗値は、ヘッド基板 1におけるグレーズ層 2の表面から 0 . 1 0 . 2 mm程度の共通電極パターン 4上の位置から 2 5 0 mm離れた補助電極層 6上の位置までの間を測定した。

図 4における曲線 Aは、スリット 9をステップカットした場合における、スリット幅 Wと補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の抵抗値の関係を示す。曲線 Bは、スリット 9をフル力ットした場合における、スリット幅 Wと補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の抵抗値の関係を示す。曲線 Cは、スリット幅 W と回り込み量 Rとの関係を示す。

図 4から分かるように、スリット幅 Wが 0 , 3 mm以下では、補助電極層 6は共通電極パターン 4に対して殆ど回り込むことができず（すなわち、回り込み量 Rがほぼゼロで、補助電極層 6は共通電極パターン 4に殆ど接触又はオーバラップしない）、補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の抵抗値も約 1 1 ΜΩと非常に高くなる。また、スリット ipMWが 0 . 3 0 . 5 mm ( 0 . 3 mmと 0 . 5 mmは含まず）の範囲では、補助電極層 6は共通電極パターン 4に対して徐々に回り込むようになり、補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の抵抗値は急速に低下する。さらに、スリット幅 Wが 0 . 5 mm以上になると、共通電極パターン 4に対する補助電極層 6の回り込み量 Rも 2 0 m以上となり、抵抗値が 2 . 2 Ω以下に安定する。従って、スリツト幅 Wを 0 . 5 mm以上にすれば、補助電極層 6と共通電極パターン 4との間の電気的接続状態が許容可能な程度に維持できることになる。特に、スリット Φ を 0 . 8 mm以上にすれば、共通電極パ夕 —ン 4に対する補助電極層 6の回り込み量 Rも 5 0 m以上となり、両者間の良好な電気的接続状態を達成できる。

以上のように、本発明の方法では、マスター基板 1 ' にスリツト 9を形成し、そのスリット幅 Wを調整することにより共通電極パターン 4に対する補助電極層 6の回り込み量 Rを制御するようにしているので、目的に合わせて補助電極層 6 と共通電極パターン 4との間の電気抵抗を設定することが可能となる。

以上、本発明の好適な実施例について説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例えば、抵抗体層、共通電極パターン、個別電極及び補助電極層の成膜方法としては、スパッタリングのみならず、 C V D法等の他の手法も適用可能である。また、へッド基板やその他の構成要素の材料や形状等の実施例のものに限定されない。さらに、本発明の方法は、薄膜型サーマルヘッドのみならず、厚膜型サーマルへッドの製造にも用いることができる。

Claims

O 96/41722 PCT/JP96/01632 1 2 言青求の範囲

1 . 表面に共通電極パターンを有し且つ複数のへッド基板に対応するマスター基板を用意し、

前記マスター基板の裏面に補助電極層を形成して、当該補助電極層が前記スリットを介して前記共通電極パターンに電気的に導通するよう回り込むようにする、

サーマルヘッドにおける共通電極、'ターン (こ対する補助電極層の形成方法。

2 . 前記スリットは 0 . 5 mm以上の幅を有している、請求項 1に記載の補助電極層の形成方法。

3 . 前記スリットは 0 . 8 mm以上の幅を有している、請求項 2に記載の補助電極層の形成方法。

4 . 前記マスター基板は、前記共通電極パターンに沿う少なくとも 1個の溝を有しており、前記共通電極パターンは前記溝内に延びており、前記溝内に前記スリットを当該溝よりも幅狭に形成することにより段部を形成し、前記補助電極層が前記段部に回り込んで前記共通電極パターンに電気的に導通するようにする、請求項 1に記載の補助電極層の形成方法。