WO1995029039A1

WO1995029039A1 - Plaque support de surface de meulage separable et appareil associe

Info

Publication number: WO1995029039A1
Application number: PCT/JP1995/000793
Authority: WO
Inventors: Takanobu Nishimura
Original assignee: Kabushiki Kaisha Toshiba
Priority date: 1994-04-22
Filing date: 1995-04-21
Publication date: 1995-11-02
Also published as: KR970702124A; EP0756917A1; US6083083A; KR100213855B1; EP0756917A4

Description

明細書

分離型研磨定盤およびそれを用ゝた研磨装置技術分野

本発明は、半導体ゥェハ、レーザー用や光学用プリズム等の精密ポリッシングに用いられる分離型研磨定盤およびそれを用いた研磨装置に関する。背景技術

従来から、半導体ゥヱハ、レーザー用や光学用プリズム、さらには各種ガラス板ゃ金属板等を精密研磨する方法として、遊離砥粒を用いたポリッシングが適用されている。

研磨装置の代表例として、片面ポリッシングについて説明する。表面に研磨布を張り付けた研磨定盤を水平面上で回転駆動させ、その表面に別の回転駆動される平板に接合された被研磨物を摺接させる。この摺接の際、研磨布と被研磨物との間に研磨液（研磨粒子とポリツシング溶液のスラリー）を供給することにより研磨が行われる。

図 7および図 8に示されるように、従来の研磨定盤 1は、図示を省略した駆動部に接続された駆動軸 2にボルト 3により固定された水冷ジャケット 4上に、半 7 久的に分解することがないものとして、 50本以上のボルト 5で固定されている。このようにてた後、研磨定盤 1は必要な寸法精度に仕上げ加工される。研磨布は、上記したような研磨定盤 1の表面に張り付けられるものである。

ところで、例えば半導体ウェハのポリツシングの場合、半導体ウェハ表面での軟質な化学的生成物の形成と、砥粒による機械的研磨の少なくとも一方のメカ二ズムにより精密な研磨面力形成される。このため、研磨定盤の表面は約 25〜 50K '程度の温度上昇が生じる。また、半導体ウェハ面の均一な研磨を実現するためには、研磨布の面に残留する研磨材を清掃したり、また適度な研磨布の硬さを維持する必要がある。このため、研磨布の張り替えが日常管理として頻繁に行われている。

上述したような従来の研磨定盤は、研磨装置から容易に取り外すことができないと共に、研磨定盤を研磨装置から取り外した場合にはその後に寸法精度の調整が必要となるため、上記したような研磨布の張り替え作業は、必然的にクリーンルーム内に設置された研磨装置上で行われている。このため、研磨布の張り付け精度を確保することが困難であり、また大きな労力と時間を要していた。さらに、このような作業をクリーンルーム内で行うと、クリーンルームのクリーン度が低下するという問題も招いていた。特に、半導体ゥヱハは年々大型化しており、 4 〜 5インチから 8インチウェハの時代に入るとされている状況にある。従って、研磨定盤も必然的に ^化する傾向にあり、より一層研磨布の張り替え作業等が困難になってきている。

そこで、例えば特公平 2-30827号公報ゃ特開平 4-206929号公報に記載されているように、研磨布を張り付けた研磨盤と駆動部に接続される定盤本体とを分離可能に構成し、研磨盤を定盤本体から取り外して研磨布の張り替え作業を行うことが提案されている。特公平 2-30827号公報ゃ特開平 4-206929号公報に記載されている分 ¾Ι 研磨定盤は、定盤本体側に固着されたピンを研磨盤の外周側に設けた孔に挿入し、研磨盤の外周部を機械的に固定することによって、研磨盤を定盤本体に取付けている。このため、研磨作業時に生じる熱により研磨盤が熱膨張した際に、研磨盤と定盤本体との間の温度勾配や研磨盤と定盤本体との熱膨張差、および研磨盤の外周部を機械的に固定していること等に起因して、研磨盤の中央付近が盛上がるように変形してしまうという問題があつた。このような研磨盤の変形は、当然研磨精度の低下をもたらす。

上述したように、従来の分離型研磨定盤は、清掃や研磨布の張り替え作業を容易にすることは可能であるものの、研磨作業時の熱に伴う研磨盤の変形により研磨精度が低下しゃすいという問題を有していた。

本発明の目的は、定盤清掃作業や研磨布の張り替え作業等の精度確保と労力低減を実現した上で、熱変形等による研磨精度の低下を防止した分離型研磨、およびそれを用いた研磨装置を提供することにある。発明の開示

本発明の分離型研磨定盤は、研磨装置の駆動部に接続される定盤本体と、前記定盤本体に、定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に真空吸着または磁力により保持され、被研磨物と直接あるいは研磨布を介して接触する研磨部用円盤とを具備することを特徴としている。より具体的には、上記分離型研磨定盤において、定盤本体には研磨部用円盤を真空吸着するための吸引孔が設けられていること、あるいは研磨部用円盤を定盤本体に磁力により保持する電磁石や永久磁石等の磁石系を有することを特徴としている。

本発明における第 1の研磨装置は、吸引孔を有する定盤本体と、前記定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に真空吸着により定盤本体に保持される研磨部用円盤とを有する分研磨定盤と、研磨部用円盤を前記吸弓 1孔を介して真空吸引して、研磨部用円盤を定盤本体に保持する真空系と、定盤本体に接続された駆動軸を介して分離型研磨定盤を回転駆動させる駆動系と、研磨部用円盤上に研磨液を供給する研磨液供給手段とを具備することを特徴としている。

本発明における第 2の研磨装置は、定盤本体と、前記定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に定盤本体に保持される研磨部用円盤と、研磨部用円盤を定盤本体に磁力により保持する磁石系とを有する分離型研磨定盤と、定盤本体に接続された駆動軸を介して分 β研磨定盤を回転駆動させる駆動系と、研磨部用円盤上に研磨液を供給する研磨液供給手段とを具備することを特徵としている。また、上記第 1または第 2の研磨装置において、さらに研磨部用円盤を定盤本体から取り外す際に、定盤本体と研磨部用円盤との間に気体を供給する気体供給系を具備することを特徴としている。

本発明の分離型研磨定盤においては、定盤本体に真空吸着または磁力により研磨部用円盤を着脱自在に取付けることによって、定盤本体と研磨部用円盤との分割を実現している。このように、定盤本体と研磨部用円盤との分割を可能にすることによって、研磨部用円盤を定定盤清掃や研磨布の張り替え等の日常管理作業を、管理作業の対象となる研磨面を構成する研磨部用円盤を定盤本体から取り外した後に行うことができる。また、研磨部用円盤を軽量化することにより、運搬等も容易に行うことができる。従って、上記したような日常管理作業を外段取り化することができ、例えば研磨布の張り替え作業等は a«化することも可能となる。このことは、研磨布の張り替え作業等の精度確保や労力低減につながり、研磨精度や研磨装置の稼働率の向上を図ることか^!能となる。

そして、本発明の分離型研磨定盤において、定盤本体への研磨部用円盤の取付け方法として適用している真空吸着および磁力は、いずれも横方向に対する固定力が小さいため、定盤本体と研磨部用円盤との間で熱膨張量に差が生じたとしても、例えば研磨部用円盤が膨張方向に比較的自由に伸びることができる。すなわち、研磨部用円盤をその厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さい真空吸着力または磁力で定盤本体に保持することが、言い換えると研磨部用円盤をその厚さ方向の変形が許容範囲を維持するように、研磨部用円盤の面方向にずれ得る真空吸着力または磁力で、定盤本体に保持することができる。

このように、研磨部用円盤の膨張方向への伸びの自由度を高めることによって、研磨部用円盤の熱変形を防止することが可能となる。これに対して、例えばピンやクランプ等による的な固定では、膨張方向への伸びを拘束してしまうため、研磨部用円盤に変形が生じる危険性が高い。さらに、真空吸着によれば、 "^に金属との固定が困難であつたセラミックス材の固定が可能であり、研磨部用円盤をセラミックス系材料で構成すること力可能となる。

本発明の研磨装置においては、上述したような分離型研磨定盤を用いているため、良好な研磨精度を確保した上で、研磨布の張り替え作業等の精度確保や労力低減が実現できると共に、装置稼働率の向上を図ることが可能となる。また、気体供給系をさらに具備することによって、研磨部用円盤を定盤本体から容易に取り外すことが可能となる。図面の簡単な説明

図 1は本発明の一実施例による研磨装置の構成を模式的に示す図、図 2は図 1に示す研磨装置の分離型研磨定盤を拡大して示す断面図、図 3は図 1に示す研磨装置における分離型研磨定盤の取り付け方法の変形例を示す平面図、図 4は図 3に示す分離型研磨定盤の断面図、図 5は本発明の他の実施例による研磨装置の要部構成を模式的に示す図、図 6は図 5に示す研磨装置の変形例を示す図、図 7 は従来の研磨定盤およびそれに付随する研磨装置の要部を示す平面図、図 8は図 7に示す従来の研磨定盤および研磨装置の断面図である。発明をするための形態

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。

図 1は、本発明の一実施例による研磨装置の構成を示す図である。同図において、 1 1は分離型研磨定盤であり、この分離型研磨定盤 1 1は定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3とから構成されている。定盤本体 1 2は、図 2に拡大して示すように、その内部に真^ 1 2 aが設けられており、この真空室 1 2 aから上面に達するように、多数の吸引孔 1 2 bが形成されている。

表面に研磨布 1 4を張り付けた研磨部用円盤 1 3は、上記定盤本体 1 2の吸引孔 1 2 aが穿設された面上に載置されると共に、真空室 1 2 aおよび吸引孔 1 2 bを介して真空吸引されて、定盤本体 1 2にされている。すなわち、研磨部用円盤 1 3は、真空吸着により定盤本体 1 2に保持されている。なお、ここで言う真空吸弓 Iとは、大気圧未満の圧力への吸弓 Iを意味するものである。

定盤本体 1 2の下面側には、駆動軸 1 5が固着されている。この駆動軸 1 5は、図 7および図 8に示した従来の分 β研磨定盤と同様に、水冷ジャケットを介して定盤本体 1 2に接続することも可能である。駆動軸 1 5は、駆動系としてのモ一夕 1 6に駆動ベルト 1 7を介して接続されており、これら駆動系により分離型研磨定盤 1 1は所定の回転速度で回転駆動される。

研磨部用円盤 1 3を定盤本体 1 2に保持する真空吸着力は、分離型研磨定盤 1 1を回転駆動する際に、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3とが一体回転可能なように設定されている。そして、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との一体回転を維持した上で、研磨部用円盤 1 3はその厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さい真空吸着力で、定盤本体 1 2に保持されている。言い換えると、研磨部用円盤 1 3はその厚さ方向の変形が許容範囲を維持するように、研磨部用円盤 1 3の面方向にずれ得る真空吸着力で、定盤本体 1 2に保持されている。このように真空吸着力を調整することによって、研磨部用円盤 1 3の許容範囲を超える熱変形を防止することができる。ここで、研磨部用円盤 1 3の厚さ方向の変形許容量は、被研磨物による要求精度によっても異なるが、例えばシリコンウェハでは 800 μπι程度、またパターンを形成したゥヱハでは 500 //in程度である。また、例えば図 3および図 4に示すように、研磨部用円盤 1 3の外周部に部分的に切欠き部 1 3 aを形成すると共に、定盤本体 1 2の上面に切欠き部 1 3 aに対応させて自由回転防止用凸部 1 2 cを設けることによって、真空吸着による研磨部用円盤 1 3の保持を補助することも可能である。このような研磨部用円盤 1 3の自由回転防止手段を用いることによって、小さい真空吸着力で定盤本体 1 2 と研磨部用円盤 1 3との一体回転を実現することができる。切欠き部 1 3 aおよび自由回転防止用凸部 1 2 cは、少なくと 1ケ所形成することによって効果を発揮する。また、研磨部用円盤 1 3の中央に穴を設け、この穴に定盤本体 1 2の中央に設けた固定ピンを差込むことにより、回転中心からのずれを防止することも、研磨部用円盤 1 3の保持の補助となる。

上述した駆動軸 1 5内には、真空配管 1 8が揷通されており、この真空配管 1 8は研磨部用円盤脱着制御系 1 9を介して真空吸引装置 2 0、例えば真空ポンプに接続されている。また、研磨部用円盤脱着制御系 1 9には、上記真空吸引装置 2 0と共に、研磨部用円盤 1 3を本体 1 2から取り外す際に定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との間に加圧気体を供給する加圧気体供給系としてエアーボンプ 2 1が接続されている。

研磨作業時は、研磨部用円盤脱着制御系 1 9を真空吸引装置 2 0側に接続すると共に、真空吸引装置 2 0を作動させる。研磨部用円盤 1 3は、真空配管 1 8、真空室 1 2 aおよび吸引孔 1 2 bを介して真空吸引されて、定盤本体 1 2に保持される。また、研磨部用円盤 1 3を取り外す際には、研磨部用円盤脱着制御系 1 9をエアーポンプ 2 1側に切替えると共に、エアーポンプ 2 1を作動させる。ェァーポンプ 2 1から供給される加圧気体は、真空配管 1 8、真空室 1 2 aおよび吸引孔 1 2 bを介して研磨部用円盤 1 3の T®に吹付けられ、研磨部用円盤 1 3 はブローアップされて容易に取り外すことができる。

研磨部用円盤 1 3の真空吸着によれば、定盤本体 1 2側の吸引孔 1 2 bの数や径を適宜設定することにより、研磨部用円盤 1 3全体に均等に力を加えることができると共に、保持力自体を制御することができる。これらにより、研磨部用円盤 1 3の定盤本体 1 2との一体回転を実現した上で、その横方向に対する保持力を小さくすることができる。具体的な保持力は前述した通りである。よって、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との間の温度勾配や熱膨張率の差等に起因して、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との間で熱膨張量に差が生じたとしても、研磨部用円盤 1 3が膨張方向に比較的自由に伸びることができる。このように、研磨部用円盤 1 3の膨張方向への伸びの自由度を高めることによって、研磨部用円盤 1 3の熱変形を防止することができるため、研磨精度を維持することが可能となる。上述したような分離型研磨定盤 1 1は、直径が 300腿を超えるような； ^の定盤に対して特に有効である。

研磨部用円盤 1 3の表面に張り付けられた研磨布 1 4上には、トップリング 2 2に固定された被研磨物 2 3、例えば半導体ウェハがセットされる。また、研磨布 1 4上には、研磨液供給装置 2 4から研磨液供給管 2 5を介して、研磨粒子とポリッシング溶液との混合スラリ一等からなる研磨液が供給される。研磨液供給装置 2 4は、例えば温度制御が可能な研磨液タンクを有している。上記研磨液を供給しつつ、研磨部用円盤 1 3を定盤本体 1 2に真空吸着により固定した研磨定盤 1 1を回転させると共に、被研磨物 2 3を所定の圧力で研磨布 1 4に押圧した状態で、研磨定盤 1 1とは逆方向に自転させながら研磨定盤 1 1上を回転移動させる。このようにして被研磨物 2 3の研磨作業力く行われる。

また、所定数の被研磨物 2 3の研磨作業を行い、研磨布 1 4の張り替え作業が必要になった場合には、前述したように研磨部用円盤脱着制御系 1 9をエアーポンプ 2 1側に切替えると共にエアーポンプ 2 1を作動させ、研磨部用円盤 1 3をブローアップして取り外す。次いで、予め研磨布 1 4を張り付けておいた他の研磨部用円盤 1 3を定盤本体 1 2上にセットして研磨作業を続行する。このように、この実施例の研磨装置においては、研磨布 1 4の取替え作業を短時間で行うことができるため、研磨布 1 4の取替え作業に伴って研磨装置の稼働率を低下させることがない。

さらに、研磨装置から取り外した研磨部用円盤 1 3は、研磨布 1 4の張り替え作業を行った後、例えば別途設置した研磨布 1 4の面出し装置等により面出し作業を行う。このように、研磨装置外で研磨布 1 4の張り替え作業を行うことによつて、研磨布 1 4の張り替え精度、ひいては研磨精度の維持が容易となると同時に、面出し工程を外段取り化できるので、生産性の向上が図れる。

上述した第 1の実施例は、研磨部用円盤 1 3の定盤本体 1 2への固定を真空吸着により実施した例であるが、本発明においては真空吸着以外に磁力を適用することができる。図 5は、電磁力を利用して研磨部用円盤 1 3が定盤本体 1 2に保持される研磨装置の要部構成を示す図である。なお、図 5においては、駆動系や研磨液供給装置等の図示を省略したが、研磨部用円盤 1 3の保持機構以外は、図 1に示した研磨装置と同様な構成を有している。

図 5に示す研磨装置においては、定盤本体 1 2内に磁石系として複数の電磁石 2 5力埋め込まれている。これら電磁石 2 5は、研磨部用円盤 1 3を定盤本体 1 2に電磁力吸着するものである。すなわち、研磨部用円盤 1 3は、電磁石 2 5の電磁吸着力により定盤本体 1 2に保持されており、これらにより分 ¾Ι 研磨定盤 2 6が構成されている。ただし、このような;^を適用する場合には、研磨部用円盤 1 3は強磁性体により形成されたものを使用する。また、電磁石 2 5に代えて、 7 久磁石を磁石系として用いることも可能である。

また、非磁性材料により構成された研磨部用円盤 1 3を使用する場合には、例えば図 6に示すように、支持リング 2 7に永久磁石 2 8を固着した外周部固定治具 2 9、あるいは支持体 3 0に永久磁石 2 8を固着した中央部固定治具 3 1を磁石系として用いると共に、定盤本体 1 2を磁性材料により構成する。外周部固定治具 2 9と中央部固定治具 3 1は併用してもよい。研磨部用円盤 1 3は、その上部に配置される固定治具 2 9、 3 1の磁力により定盤本体 1 2に保持される。また、研磨部用円盤 1 3を取り外す際には、第 1の実施例と同様に、エアーポンプ 2 1を用いてブローアップすることによって、研磨部用円盤 1 3を容易に取り外すことができる。なお、図 5および図 6に示す研磨部用円盤 1 3の保持機構には、図 3および図 4に示した研磨部用円盤 1 3の自由回転防止手段等を併用することができる。

図 5および図 6に示した電磁石 2 5や永久磁石 2 8等による吸着力（磁力）は、第 1の実施例における真空吸着力と同様に、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との一体回転を維持し得る範囲内で、研磨部用円盤 1 3の厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さく設定されている。言い換えると、研磨部用円盤 1 3 はその厚さ方向の変形が許容範囲を維持するように、研磨部用円盤 1 3の面方向にずれ得る磁力で、定盤本体 1 2に保持されている。研磨部用円盤 1 3の厚さ方向の変形許容量は前述した通りである。

上述した研磨部用円盤 1 3の保持に利用する磁力は、研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2との一体回転を実現すると共に、その強さを調整することで横方向に対する保持力を小さくすることができる。このため、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との間の温度勾配や熱膨張率の差等に起因して、定盤本体 1 2と研磨部用円盤 1 3との間で熱膨張量に差が生じたとしても、研磨部用円盤 1 3が膨張方向に比較的自由に伸びることができる。このように、研磨部用円盤 1 3の膨張方向への伸びの自由度を高めることによって、研磨部用円盤 1 3の熱変形を防止することができる。従って、研磨精度を維持することが可能となる。

上記第 1の実施例および第 2の実施例における研磨部用円盤 1 3は、研磨面を提供するものであり、このような研磨部用円盤 1 3は研磨布にしわがなく平坦に張った状態を維持することが可能な強度を有する必要がある。さらに、研磨装置への脱着作業、研磨布 1 4の張替え作業、運搬作業等の際に、塑性変形しない程度の強度が必要である。一方、作業者力水平に腕を延ばした状態で持上げること力ことが可能な程度の軽さが要求される。このような軽量性と強度とを満足させるために、研磨部用円盤 1 3の構成材料は比降伏強さが 10Nm/g以上であることが好ましい。比降伏強さが 10Nm/g未満であると、例えば研磨布 1 4の張替え作業時にしわや変形等が生じやすくなる。

研磨部用円盤 1 3による研磨面の精度は、その面精度（板厚精度）と定盤本体 1 2上面の面精度により決定される。上述したような真空吸着や磁力により研磨部用円盤 1 3を定盤本体 1 2に保持した場合、定盤本体 1 2上面の面精度にならつた形で研磨面精度をだすことができるため、研磨部用円盤 1 3は弾性変形内であれば変形してもよい。よって、研磨部用円盤 1 3の構成材料によっては、板厚を薄くすることで軽量化を図ることができる。ただし、基本的な面精度は予め確保する必要があるため、研磨部用円盤 1 3の板厚精度は 500 / m以下であることが、さらに面粗さは R_m。

a A≤ 500 mであることが好ましい。ここで、研磨部用円盤 1 3の板厚精度は、例えば超音波パルス反射法（JIS Z 2355) を用いて測定した値とする。超音波パルス反射法は、材料の音速を予め設定し、材料中のパルス伝搬時間を厚さに換算する方法である。例えば、板厚が 6mm以下の鉄系材料の場合には周波数 10〜40MHzが用いられる。

また、例えば半導体ウェハのポリッシングの際には、研磨面は 298〜323K程度温度が上昇するため、研磨面近傍と定盤下部の間には温度勾配が生じる。このような温度勾配による熱変形をより一層抑制するためには、研磨部用円盤 1 3の構成材料は熱膨張係数が低いことが好ましい。さらに、研磨液には、 ~«に弱い酸やアルカリ溶液が用いられるため、研磨部用円盤 1 3の構成材料は酸やアルカリに対して耐食性を有することが好ましい。研磨部用円盤 1 3が腐食されると、腐食生成物が被研磨物の汚染原因となるためである。またさらに、研磨面の温度を研磨定盤 1 1を強制冷却して制御する場合があるが、このような場合には研磨部用円盤 1 3の構成材料は熱伝導性に優れることが好ましい。

研磨部用円盤 1 3の構成材料は、上述したような基本的な要求特性や使用用途に応じた要求特性、さらには研磨液や温度等の研磨条件等を考慮して選択することが好ましく、種々の材料を適用することが可能である。例えば、温度勾配等による熱変形をより一層抑制するためには、 Niおよび Coから選ばれる少なくとも 1種を含有する低熱膨張性鉄系材料や繊維強化複合材料等が研磨部用円盤 1 3の構成材料として好適である。上記低熱膨張性鉄系材料の具体例としては、インバ一合金 (Fe- 36wt%Ni)、スーパーインバー合金 (Fe- 31wt%Ni-5wt¾iCo) 、コバール合金 (Fe- 29wt%Ni-17wt¾Co)等が例示される。なお、繊維強化複合材料については後に詳述する。

また、前述したような強度を確保した上で、研磨液への耐食性を高めるためには、 Niおよび Crから選ばれる少なくとも 1種を含有する耐食性鉄系材料等が好適であり、具体的にはステンレス鋼、 Ni鋼、 Cr鋼等が例示される。さらに、 Fe、 Ni、 Cr、 Co等の重金属イオンの混入が許容されない半導体の研磨等の場合には、 Al、 Mg、 Ti等の軽量非鉄金属やその合金等が好ましい。水冷による冷却等を重視する場合には、銅系またはアルミニウム系の高熱伝導性金属やその合金等力好ましい。 —切の金属イオンを許容できない場合には、アルミナ、炭化ゲイ素、ジルコニァ、マグネシア、ガラス、岩石等のセラミックス材料やそれをマトリックスとする繊維強化複合材料等を用いることもできる。これらは比較的低熱膨張性である。さらに、上述したような各種金属材料からなる研磨部用円盤 1 3の表面に、各種の表面処理を施すことも有効である。表面処理の具体例としては、セラミックスコーティングゃフッ素樹脂コーティングのような被膜形成や、浸炭、窒化、熱拡散等の拡散処理による表面改質等が挙げられる。上記した被膜は、例えば耐食性被膜として利用される。被膜の形成方法は特に限定されるものではなく、例えばめつき法、イオンプレーティング法、 C V D法、塗布法等、種々の被膜形成法を使用することができる。上述したような金属材料の表面に耐食性被膜を形成した研磨部用円盤 1 3によれば、耐食性のほかに、低熱膨張性、高靭性、軽量性等の特性を基地の金属材料が担うことで、より幅広い使用条件への対応を図ることができる。

図 5に示した電磁石 2 5等による研磨部用円盤 1 3の保持定機構を適用する場合には、研磨部用円盤 1 3の構成材料として、例えばインバー合金、電磁鉄板

(Fe- 2〜 7wt!¾Si、 Fe- Si-Al等）、炭素鋼、フヱライト系ステンレス等の強磁性金属材料を用いる。

次に、研磨部用円盤 1 3の構成材料の一種である繊維強化複合材料について詳述する。繊維強化複合材料は、マトリックス材を適宜選択することにより種々の特性を付与することができ、また強化繊維の種類や量等により軽量、高強度 *高剛性の材料を得ることもできる。例えば、寸法精度および形状精度を維持し得る高剛性および高耐カを満足した上で、軽量化することが可能な材料、具体的には比降伏強さが 150Nm/g以上で、かつ比ヤング率が 20 Χ ΐΟ^ϋ Nm/g以上であるような材料とすることもできる。

上記繊維強化複合材料中の強化繊維としては、炭素繊維、ガラス繊維、アルミナ繊維、 SiC繊維、 SiCゥイスカー、チタン酸カリウムゥイスカー、ホウ酸アルミニゥムゥイスカー等が挙げられる。表 1に代表的な強化繊維の特性等を示す。

本発明においては、表 1に示したような各種繊維を用いることが可能であるが、特に熱膨張係数が低く、かつ密度が小さい炭素繊維を用いることが好ましい。強化繊維の形状は特に限定されるものではないが、長繊維や短繊維の場合には平均直径が 3〜 6 / in程度のものが、またウイスカーの場合には平均直径が 0. 5〜 2 程度のものが好ましい。また、強化繊維の複合量は、用いる強化繊維の種類、マトリックス材の材質等に応じて、必要特性が得られるように設定するものとす。

また、繊維強化複合材料のマトリックス材としては、プラスチック、カーボンを含むセラミックス、アルミ合金のような軽合金が挙げられる。特に、低熱膨張化することが可能なプラスチックゃセラミックスをマトリックス材として用いることが好ましい。また、研磨定盤 1 1を強制冷却するような場合には、熱伝導性に優れるアルミ合金等をマトリックス材として用いることが好ましい。アルミ合金は熱伝導率が高いため、温度制御が容易である。

上述したような強化繊維とマトリックス材とを用いた繊維強化複合材料の具体例としては、繊維強化プラスチック（特に炭素繊維強化プラスチックが有効）、繊維強化セラミックス（特に炭素繊維強化セラミックスが有効）、繊維強化アルミ合金等が挙げられる。

例えば、炭素繊維強化プラスチックは、炭素の長繊維の織物に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレダを金型に装着し、オートクレープゃホットプレス等で加熱成形したものである。本発明では回転円盤（研磨部用円盤 1 3) として用いるため、例えば縦横に織った繊維シートを水平面に数段、放射状に重ねることによつて、半径方向への熱応力を全方位でほぼ同一とすることが好ましい。

また、繊維強化セラミックスとしては、マトリックス材としてカーボン、窒化ゲイ素、炭化ゲイ素、アルミナ、安定化ジルコ二ァ等を用いたものが例示される。このような繊維強化セラミックスは、セラミックス粉末と強化繊維との混合物を通常の製造方法に従って成形、焼成することにより得られる。あるいは、強化繊維で予め予備成形体を作製し、これにセラミックススラリ一を含浸した後、焼成する等によっても得られる。繊維強化セラミックスのうち、特に炭素繊維強化力一ボンが有効である。また、このような繊維強化セラミックスで研磨部用円盤 1 3を構成する場合には、その表面に Niメツキやフッ素樹脂コーティング等を施すことが好ましく、これにより耐食性の向上を図ることができる。なお、繊維強化軽合金の製造方法としては、溶湯含浸法、粉末冶金法、熱間プレス法等が適用でさ

研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2とは、研磨時に同等の熱膨張量となるように構成することが好ましい。例えば、研磨時の！^張量の差が直径 600匪の定盤とした場合に、 1〜 5/ mの範囲内となるように構成することが望ましい。これは、研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2との熱膨張差による熱変形等をより一層有効に防止するためである。上述したような構成は、例えば研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2の熱膨張係数（研磨時の温度に対して）力洞等となるようにそれぞれ構成材料を選択したり、また例えば定盤本体 1 2の温度管理を行うことにより実現できる。定盤本体 1 2の具体的な構成材料としては、通常の研磨定盤と同様な低膨張铸鉄等を用いてもよいし、また研磨部用円盤 1 3と同様な材料を用いることも可能である。

次に、上述した第 1の実施例および第 2の実施例の具体例およびその評価結果について述べる。

餓例 1

まず、繊維径 8.5 μπιのポリアクリロニトリル (PAN) 系高剛性炭素長繊維を多本数平行に揃え、これに熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含浸させて、 700 X 700mmのシート（プリブレダ、厚さ =0.2mm) を 60枚準備した。

次いで、これらシートを、半径方向の繊維の配向性が均一となるように、各シートの中央を中心として繊維方位を 72° ずれるように積層した。この積層物を平坦度の精度が高い円盤状の金型に装着した後、オートクレイブを用いて温度 403K、加圧 0.5MPa、 90分の硬化条件で加 «型し、直径 ø 600匪、肉厚約 10腿、重量 5 kgの炭素繊維強化プラスチック（CFRP) 製研磨部用円盤 13をした。上記 CFRP製研磨部用円盤 13は、炭素繊維の体積率が約 40%であり、熱膨張係数（室温〜 373Κ) は 9.0X10— ⁶/Κであった。また、密度は 1.6X10³ kg/i³ 、降伏強さは 1.4GN/m²、ヤング率は 220GN/m²、比降伏強さは 875Nm/g、比ヤング率は 137.5X10³さであった。また、この CFRP製研磨部用円盤 13に研磨布 14を張り付けた。

—方、直径 ø 600議の定盤本体 12を、 288〜323Kの熱膨張係数が約 8.5x10 ^_6/Κの低膨張铸鉄（JIS G5511 の FCDLE4相当材）で作製し、上面を 2 πι以下の平坦度に仕上げた。また、この上面には、直径 ø 2nmiの真空吸引孔 12bを合計 50個均一にドリル加工により形成した。

このようにして得た CFRP製研磨部用円盤 13と低膨張铸鉄製定盤本体 12 とを用いて、図 2に示した分離型研磨定盤 11を構成すると共に、図 1に示した研磨装置に搭載した。 CFRP製研磨部用円盤 13は、低膨張铸鉄製定盤本体 1 2に真空吸着により固定されている。この際の真空吸着力は、前述した通りであるが、具体的には 0.9気圧で真空吸引した。

上述したような分 ,研磨定盤 11を用いることによって、 CFRP製研磨部用円盤 13を定盤本体 12から容易に脱着でき、かつ軽量であるために研磨部用円盤 13を容易に運搬することができる。このため、研磨布 14の張り替え作業等を研磨装置から研磨部用円盤 13を取り外した状態で実施することができる。さらには、研磨布 14の張り替え作業等を、外段取りとして研磨作業環境外例えばクリーンルーム外で実施することができる。これにより、研磨布 1 4の張り付け精度を容易に確保できると共に、張り替え工数を低減することができ、さらにクリーンルーム等の研磨作業環境の汚染を防止することが可能となる。また、研磨布 1 4の張り替え作業等の外段取り化によって、研磨装置の稼働率を向上させることができる。

また、上述した分 β研磨定盤 1 1を搭載した研磨装置を用いて、実際に 6ィンチ径の半導体ゥヱハの研磨を行ったところ、 C F R P製研磨部用円盤 1 3は高剛性であるため、形状精度が低下することもなかった。さらに、 C F R P製研磨部用円盤 1 3を適度な真空吸着力により定盤本体 1 2に密着させているので、研磨部用円盤 1 3の平坦度は定盤本体 1 2に追従して、良好な平坦度が得られた。これに加えて、 C F R Ρ製研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2との熱膨張量をほぼ同等としているので、研磨熱による熱変形等が生じることもなかった。これらによって、良好なポリッシングが実現できた。

このような効果は、径の大きな半導体ウェハほど顕著に得られるもので、半導体ゥヱハの^ 化に極めて有効であることが確認された。

実施例 2

PAN系炭素短繊維 1000フィラメントで織った織物（形状： 100 X 100 X厚さ 0. 2mm) を、バインダとしてコロイダルシリカを用いて、実施例 1と同様に積層して、炭素短繊維の体積率 30%、直径 ø 600mm, 高さ 8nimのプリフォームを作製した。溶湯緞造装置を用いて、上記プリフォームを金型内に装着し、溶湯温度 1073K、圧力 80MPaの条件で、 ADC12アルミ合金を含浸させることにより、実施例 1と同形状の炭素繊維強化ァルミ合金製研磨部用円盤 1 3を作製した。

上記炭素繊維強化アルミ合金製研磨部用円盤 1 3は、熱膨張係数（室温〜 373K) 18x lO^_6/K、密度 2. 2 X 10³ kg/m°、降伏強さ 1. 0GN/n^、ヤング率 160GN/m²、比降伏強さ 454. 5Nm/g、比ヤング率 72. 7 xl0³ Nm/gであり、また研磨部用円盤 1 3の重量は約 5kgであった。

—方、 SUS316ステンレス鋼を用いて、実施例 1と同寸法の定盤本体 1 2を作製した。この SUS316製定盤本体 1 2の室温付近の熱膨張係数は 16x l(T^D/Kである。上述した炭素繊維強化アルミ合金製研磨部用円盤 1 3と SUS316製定盤本体 1 2 とを用いて、実施例 1と同様にして分離型研磨定盤 1 1を構成した。この分離型研磨定盤 1 1によっても、実施例 1と同様に、熱変形を防止した良好な研磨作業が実現できた。また、研磨部用円盤 1 3の取り外しおよび運搬作業と研磨布 1 4 の張り替え作業が容易に実施でき、クリーンルーム等の研磨作業環境の汚染防止が実現できた。

実施例 3

体積率 40¾の炭素繊維を含む炭素繊維強化カーボンを用いて、実施例 1と同寸法の研磨部用円盤 1 3を作製した後、その表面に真空蒸着法により膜厚約 30 ium の Niコーティングを施した。この Niコーティングによって、炭素繊維強化カーボンが幾分多孔質であつても、研磨液の浸透や炭素繊維強化力一ボンからのパ一ティクルの発生等を防ぐことができる。

上記炭素繊維強化カーボン製研磨部用円盤 1 3は、騰張係数（室温〜 373K) 0. 5 X 10_⁶/K、密度 1. 76 X 10³ kg/m³、降伏強さ 2. OGN/m²、ヤング率 150GN/ m²、比降伏強さ 1. 1 X 10³ Nm/g、比ヤング率 85 X 10³ Nm/gであり、また研磨部用円盤の重量は約 5kgであった。

—方、室温付近の熱膨張係数が約 0. 5xl(T⁶/Kの低膨張铸鋼を用いて、実施例 1と同寸法の定盤本体 1 2を作製した。

上述した炭素繊維強化力一ボン製研磨部用円盤 1 3と低膨張铸鋼製定盤本体 1 2とを用いて、実施例 1と同様にして分研磨定盤 1 1を構成した。この分離型研磨定盤 1 1によっても、実施例 1と同様に、熱変形を防止した良好な研磨作業が実現できた。また、研磨部用円盤 1 3の取り外しおよび運搬作業と研磨布 1 4の張り替え作業が容易に実施でき、クリーンルーム等の研磨作業環境の汚染防止力く実現できた。

実施例 4

まず、 PAN系炭素賺維（直径約 7 / m、長さ約 50〜 100//m ) と Si₃ N ₄粉末（平均粒径約 8/ m ) とを体積比で 1 :2の割合で混合した。これに焼結助剤と水を加えてスラリー化したものを、アルミナボールミルで 48時間混合した。このスラリーを石膏型に流し込み、グリーン成形体を作製した。この後、このダリーン成形体を 1923Kの窒素ガス中で焼成し、機 ¾[1ェにて直径 ø 600匪、高さ 8mm の研磨部用円盤 13を作製した。

上記炭素繊維強化セラミックス製研磨部用円盤 13は、熱膨張係数（室温〜 373K) 3.0X10一⁶/ K、密度 2.2X10³ kg/m³、曲げ降伏強さ 5GN/i²、ヤング率 200GN/E²、比降伏強さ 2.3X10³ Nm/g、比ヤング率 91x10 Nm/gであり、また研磨部用円盤の重量は 5.2kgであった。

—方、室温付近の熱膨張係数が約 2.0〜 2.5X10^_6/Kの低膨張铸鉄を用いて、実施例 1と同寸法の定盤本体 12を作製した。

上述した炭素繊維強化セラミックス製研磨部用円盤 13と低膨張铸鋼製定盤本体 12とを用いて、実施例 1と同様にして分研磨 11を構成した。この分離型研磨定盤 11によっても、例 1と同様に、熱変形を防止した良好な研磨作業が実現できた。また、研磨部用円盤 13の取り外しおよび運搬作業と研磨布 14の張り替え作業力容易に実施でき、クリーンルーム等の研磨作業環境の汚染防止が実現できた。

実施例 5〜10

研磨部用円盤 13の構成材料として、ステンレス鋼 *SUS 316L (^例 5)、ィンバー合金 · Fe-36wt¾Ni (実施例 6 ) 、チタン合金 · Ti-6wt¾Al-4wt¾V (実施例 7)、アルミ合金 ·2014Α1 (実施例 8)、アルミナ（実施例 9)、銅（実施例 10) をそれぞれ用意し、実施例 1と同一形状の研磨部用円盤 13をそれぞれ作製した。なお、研磨部用円盤 13は、いずれも板厚精度 500/zm以下、面粗さ (R_m。_v ) 50 /m以下とした。

実施例 5は、例えば ρΗが 2〜 3程度の強い酸性の研磨液（例えば硝酸系研磨液）を用いる場合に有効であり、例えばアルミニウム系材料等では耐食性が不十分な場^である。定盤本体 12の材質も同様に、ステンレス鋼 *SUS 316Lを用いた。研磨熱が 303〜353Kと高くなつても、研磨部用円盤 13の表面には不動態膜が形成されて腐食は進行しない。このようなステンレス製研磨部用円盤 13とステンレス製定盤本体 12とを用いて、実施例 1と同様にして分 «研磨定盤 11を構成した。

実施例 6は、実施例 1と同様に、熱変形をより一層低減することが要求される場合に有効である。定盤本体 12の構成材料には、室温から 373Κの温度範囲において、インバー合金とほぼ同じ ι. ΐχΐο^_6/κの熱膨張係数を有する低膨張铸鉄を採用した。この低膨張铸鉄の主要成分は、 CI. 1¾-Si0. 2¾-MnO. 2¾-Ni30¾-Co5¾- Mg0. 03¾ (重量 ¾；)である。これらの材料は、 Niを 25重量 ¾ί以上含有する鉄合金であるため、研磨液がアルカリ性や、塩酸系、硝酸系等のように酸性の場合でも十分な耐食性を示す。このようなインバー製研磨部用円盤 1 3と低膨張铸鉄製定盤本体 1 2とを用いて、実施例 1と同様にして分 «研磨 1 1を構成した。

実施例 7は耐食性と軽量化に対して有効である。実施例 8は軽量 ·高強度化に有効である。実施例 9は耐食性、軽量化、ある程度の低熱膨張性等に対して有効である。さらに、実施例 1 0は良熱伝導化等に対して有効である。これらについても同様に、研磨部用円盤 1 3と表 2に材質を示す各^本体 1 2とを用いて、実施例 1と同様にして分 ¾Ι 研磨定盤 1 1を構成した。

上述した各分離型研磨定盤 1 1を実施例 1と同様に、図 1に示した研磨装置に搭載し、半導体ウェハの研磨作業を実施したところ、いずれも研磨部用円盤 1 3 の熱変形が防止でき、良好な研磨作業を実現することか能であつた。

実施例 1 1

実施例 6と同様に、インバー合金により形成した研磨部用円盤 1 3と、低膨張铸鉄により形成した定盤本体 1 2のそれぞれ表面に、厚さ約 1〜 2 / mの酸化クロムの緻密な被膜を形成した。酸化クロム（Cr₂ 0 ₃ ) の被膜は、 Cr0₃ の 60% 水溶液に上記各部品を浸潰した後、 773〜873Kの温度で焼成することにより形成した。 1〜の厚さとするためには、上記浸漬および焼成工程を数回繰り返せばよい。

上記 Cr₂ 0 ₃被膜を形成した研磨部用円盤 1 3と定盤本体 1 2とを用いて、実施例 1と同様にして分離型研磨定盤 1 1を構成した。この分離型研磨定盤 1 1を実施例 1と同様に、図 1に示した研磨装置に搭載し、半導体ゥヱハの研磨作業を実施したところ、いずれも研磨部用円盤 1 3の熱変形が防止でき、良好な研磨作業を実現することが可能であった。また、 333〜343Kの硝酸系研磨液のように、耐食性が極めて強い研磨液に対しても、十分な耐食性を確保することができた。表 2に実施例 1〜 1 1による各研磨部用円盤の構成材料の諸特性等を示す。表 2

*：コーティング

9 実施例 1 2

インバー合金 (Fe-36wt¾Ni) を用いて、図 5に示した電磁吸着用の研磨部用円盤 1 3と、電磁石 2 5を埋め込んだ定盤本体 1 2を作製した。なお、研磨部用円盤 1 3は、板厚精度 500// Π1以下、面粗さ（R_m。_v ) 50 ^m以下とした。

このようなインバー製研磨部用円盤 1 3とインバー製定盤本体 1 2とを用いて、図 5に示した電磁力による分離型研磨定盤 2 6を構成した。このような分,研磨定盤 2 6を図 5に示す研磨装置に搭載し、実施例 1と同様に半導体ウェハの研磨作業を実施したところ、インバー製研磨部用円盤 1 3が熱変形するようなこともなく、良好に研磨作業を行うことができた。

上記分離型研磨定盤 2 6においては、電磁石 2 5への直流電源の開閉や磁極の回転等により、任意にかつ容易にインバー製研磨部用円盤 1 3を固定状態または解放状態とすることができた。また、吸着力を 0. 5MPa程度の適当な磁力に設定することによって、熱膨張や研磨による応力を解放することができるため、インバ一製研磨部用円盤 1 3の変形を防止することか可能であつた。

実施例 1 3

非磁性のオーステナイト系ステンレス材 * SUS 316 を用いて、図 6に示した研磨部用円盤 1 3を作製すると共に、強磁性の铸鉄で定盤本体 1 2を ί«した。また、支持リング 2 7に SmCo系磁石 2 8を取付けて外周部固定治具 2 9を作製した。これらを用いて、図 6に示した電磁力による分離型研磨定盤 2 6を構成した。すなわち、铸鉄製定盤本体 1 2上にステンレス製研磨部用円盤 1 3を載置すると共に、その上に外周部固定治具 2 9を配置して、外周部固定治具 2 9の磁力によりステンレス製研磨部用円盤 1 3を固定した。

このような分離型研磨定盤 2 6を図 6に示す研磨装置に搭載し、実施例 1と同様に半導体ウェハの研磨作業を実施したところ、ステンレス製研磨部用円盤 1 3 が熱変形するようなこともなく、良好に研磨作業を行うことができた。

比較例 1

実施例 1と同一寸法の研磨部用円盤と定盤本体とを、ステンレス鋼 * SUS 316L で作製した。この研磨部用円盤と定盤本体との固定は、研磨部用円盤の外周 8ケ所をボルト締めすることにより行った。この研磨定盤を実施例 1と同様に研磨装置に搭載し、半導体ウェハの研磨作業を実施したところ、研磨温度が 313Kに上昇した。この際、研磨部用円盤の表面温度は 313Kであったが、定盤本体の温度は 303Kであり、研磨部用円盤と定盤本体との間に温度勾配が生じた。そのため、定盤本体に比べて研磨部用円盤の熱膨張量が大きくなり、研磨部用円盤の中央付近が凸状に変形したことが観察された。また、その結果として、半導体ウェハの平坦度は大きく低下した。

上記比較例 1から明らかなように、研磨部用円盤と定盤本体とを部分的にボトル等で «的に固定した場合には、熱膨張の拘束や残留歪みの解放、研磨時の摩擦による回転応力が固定部分に集中すること等によつて、研磨部用円盤に変形が生じて研磨精度が低下してしまう。一方、本発明による真空吸着や磁力による保持機構においては、これらの応力は拘束されることがないため、研磨部用円盤は定盤本体に押付けられた状態が維持される。すなわち、良好な面精度が維持されるため、優れた研磨精度を得ること力 <可能となる。産業上の利用可能性

以上説明したように、本発明の分離型研磨定盤は、管理作業の対象となる研磨面を構成する研磨部用円盤を容易に着脱および運搬可能な構成とした上で、熱変形を防止し得る真空吸着または磁力により定盤本体に保持している。このため、良好な研磨精度を維持した上で、定盤清掃や研磨布の張り替え作業等の精度確保と労力低減が実現できる。そして、このような分離型研磨を用いた本発明の研磨装置は、研磨精度と装置稼働率を共に向上させることができる。従って、本発明の研磨装置は、半導体ゥヱハゃプリズム等の精密研磨に有用である。

Claims

請求の範囲

1. 研磨装置の駆動部に接続される定盤本体と、

前記本体に、前記定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に真空吸着または磁力により保持され、被研磨物と直接あるいは研磨布を介して接触する研磨部用円盤と

を具備する分離型研磨定盤。

2. 請求項 1記載の分離型研磨定盤において、

前記研磨部用円盤は、その厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さい真空吸着力または磁力で、前記定盤本体に保持されている分離型研磨定盤。

3. 請求項 1記載の分離型研磨定盤において、

前記研磨部用円盤は、その厚さ方向の変形量が許容範囲を維持するように、前記研磨部用円盤の面方向にずれ得る真空吸着力または磁力で、前記定盤本体に保持されている分離型研磨定盤。

4. 請求項 1記載の分離型研磨定盤において、

前記定盤本体には、前記研磨部用円盤を真空吸着するための吸引孔が設けられている分離型研磨定盤。

5. 請求項 4記載の分翻研磨において、

前記吸引孔は、前記定盤本体にほぼ均等に多数設けられている分離型研磨定盤。

6. 請求項 1記載の分離型研磨定盤において、

前記研磨部用円盤を前記定盤本体に磁力により保持する磁石系を有する分離型研磨定盤。

7. 請求項 6記載の分離型研磨定盤において、

前記磁石系は、前記定盤本体.の内部に配置され、前記研磨部用円盤を前記定盤本体に磁力吸着する複数の電磁石または永久磁石を有する分離型研磨定盤。

8. 請求項 6記載の分 ,研磨定盤において、

前記磁石系は、支¾¾*に固着された状態で、前記研磨部用円盤の上部に配置される永久磁石を有する分 ¾I 研磨定盤。

9. 請求項 1記載の分離型研磨定盤において、前記研磨部用円盤は、 Niおよび Coから選ばれる少なくとも 1種を含有する低熱膨張性鉄系材料により構成されている分研磨定盤。

10. 請求項 1記載の分 β研磨定盤において、

前記研磨部用円盤は、 Niおよび Crから選ばれる少なくとも 1種を含有する耐食性鉄系材料により構成されている分離型研磨定盤。

11. 請求項 1記載の分,研磨定盤において、

前記研磨部用円盤は、軽量非鉄金属材料により構成されている分 ¾Ι 研磨定盤。

12. 請求項 1記載の分 ¾Ι 研磨定盤において、

前記研磨部用円盤は、銅系またはアルミニゥム系の高熱伝導性金属材料により構成されている分離型研磨定盤。

13. 請求項 1記載の分醒研磨において、

前記研磨部用円盤は、繊維強化複合材料により構成されている分 β研磨定盤。

14. 請求項 1記載の分讓研磨において、

前記研磨部用円盤と前記定盤本体とは、研磨時に同等の熱膨張量となるように構成されている分離型研磨定盤。

15. 吸引孔を有する定盤本体と、前記定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に真空吸着により前記定盤本体に保持される研磨部用円盤とを有する分研磨定盤と、

前記研磨部用円盤を前記吸引孔を介して真空吸引して、前記研磨部用円盤を前記定盤本体に保持する真と、

前記定盤本体に接続された駆動軸を介して前記分離型研磨定盤を回転駆動させる駆動系と、

前記研磨部用円盤上に研磨液を供給する研磨液供給手段と

を具備する研磨装置。

16. 請求項 1 5記載の研磨装置において、

前記真空系は、前記研磨部用円盤の厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さい真空吸着力で、前記研磨部用円盤を真空吸引する分離型研磨定盤。

17. 請求項 1 5記載の研磨装置において、

さらに、前記研磨部用円盤を前記定盤本体から取り外す際に、前記定盤本体と前記研磨部用円盤との間に加圧気体を供給する加圧気体供給系を具備する研磨装

18. 定盤本体と、前記定盤本体と一体回転可能で、かつ着脱自在に前記本体に保持される研磨部用円盤と、前記研磨部用円盤を前記定盤本体に磁力により保持する磁石系とを有する分離型研磨定盤と、

前記研磨部用円盤上に研磨液を供給する研磨液供給手段と

を具備する研磨装置。

19. 請求項 1 8記載の研磨装置において、

前記磁石系は、前記研磨部用円盤の厚さ方向の変形量が許容範囲を超える応力より小さ Lゝ磁力を有する分離型研磨定盤。

20. 請求項 1 8記載の研磨装置において、