WO1993002022A1 - Materiau dur a revetement en diamant et procede de fabrication de ce materiau - Google Patents

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WO1993002022A1
WO1993002022A1 PCT/JP1992/000919 JP9200919W WO9302022A1 WO 1993002022 A1 WO1993002022 A1 WO 1993002022A1 JP 9200919 W JP9200919 W JP 9200919W WO 9302022 A1 WO9302022 A1 WO 9302022A1
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WO
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diamond
base material
coating layer
hard material
coated hard
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PCT/JP1992/000919
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Naoya Omori
Mitsunori Kobayashi
Toshio Nomura
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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Publication date
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Definitions

  • the present invention relates to a diamond-coated hard material having extremely high abrasion resistance and excellent adhesion strength to a substrate, and a method for producing the same. It is suitable for use in mountain tools, electronic parts, machine parts, grinding wheels, etc.
  • Diamond has extremely high hardness, is chemically stable, has high thermal conductivity characteristics, and has many excellent characteristics such as the speed of sound wave propagation.
  • Tayu says as a diamond
  • a 1 A 1-SloW-tips, doughs used for cutting light alloys such as Si alloys, plastics, rubber, graphite, etc.
  • Cutting tools such as lills, micro drills, end mills, and routers,
  • a polycrystalline diamond sintered body obtained by sintering diamond fine powder under ultra-high pressure is described in, for example, Japanese Patent Publication No. 52-121266.
  • diamond powder is arranged so as to be in contact with a molded or sintered body of a cemented carbide, and a liquid phase of the cemented carbide is generated.
  • the sintering is performed at a temperature higher than a certain temperature and under an ultra-high pressure.
  • part of Co in the cemented carbide penetrates into the diamond powder and acts as a bonding metal.
  • the diamond sintered body obtained in this way is machined into a desired shape, and is then roasted to various alloys. For example, cutting tools, wear-resistant tools, excavating tools, dressing tools, etc. Sir is widely used as a drawing die.
  • a diamond-coated hard material in which a polycrystalline diamond is coated on the surface of a hard material is also widely used as in the case of the above-described diamond sintered body.
  • Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Sho 62-57802, Sho 62-57804, Sho 62-166904, Sho 63-64 1 4 8 6 9 There are a number of publications, including the publications in each publication, which cover the surface of a hard material of any shape with a polycrystalline diamond synthesized from the gas phase. This has the effect of significantly improving the abrasion resistance of the base material.
  • the diamond-coated hard material obtained by this method has a great advantage that it has a high degree of freedom in shape and can be mass-produced inexpensively, for example, cutting tools, wear-resistant tools, It is widely used as a drilling tool, dresser, and drawing die.
  • a diamond coating layer is formed on the surface of the base material from the gas phase, and the base material is removed by etching to produce a multi-bonded diamond plate.
  • methods of coating polycrystalline diamond on the substrate surface from the gas phase include micro-wave plasma CVD, RF-plasma CVD, EA-CVD, and magnetic-field-induced microscopy.
  • Wave plasma CVD, RF thermal plasma CVD, DC plasma CVD, DC plasma jet CVD, filament thermal CVD, combustion and many other methods are known as effective methods for producing diamond-coated hard materials.
  • a diamond-coated hard material in which a diamond coating layer is provided on the surface of a base material processed into a desired shape has been widely developed.
  • a diamond-coated hard material it is conceivable to first use a WC-based cemented carbide having excellent physical properties as a base material, and when this material is used as a base material, it has a high degree of freedom in shape, and It can have higher strength than the one obtained by roasting a sintered ceramic and a polycrystalline diamond plate, and it can be provided in large quantities at lower cost. Can be expected.
  • Diamond has no intermediate phase with any substance, and therefore has poor wettability with other substances.
  • the base material contains metal elements such as Fe, Co, Ni, etc., which easily diffuse carbon such as WC-based cemented carbide cermet, Graphite, which is an isotope of diamond, is more likely to be generated preferentially, which lowers the initial diamond nucleation density during diamond coating. Therefore, the adhesion strength between the diamond coating layer and the substrate decreases, and the wear resistance of the coating layer itself also decreases.
  • a material having the same thermal expansion coefficient as that of diamond as a base material for example, a sintered body or SiC having Si 3 N 4 as a main component.
  • Methods for selecting a sintered body as a main component are proposed in Japanese Patent Publication No. 60-59086 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-219493.
  • a columnar crystal structure of gay nitride is crystallized on the surface of a base material mainly containing gay nitride (Si 3 N 4 ). The state in which the surface has irregularities is created, and the diamond coating layer is provided on this surface to geometrically entangle the diamond coating layer and the base material.
  • a method has been proposed to increase the adhesion strength of the diamond coating layer. As a result of these improvements, the adhesion between the substrate and the diamond coating layer has been significantly increased. However, when applied to cutting tools, for example, if used under severe conditions, the strength of the base materials Si 3 N 4 and S i C is insufficient, and the base material may cause blasting. More often than not.
  • an intermediate layer is coated on the surface of the base material, and a diamond coating is applied to this surface.
  • a method of forming a layer if an appropriate material is selected for the intermediate layer, the diamond coating layer and the intermediate layer can be bonded with high adhesion.
  • the present inventors have conducted research. When the adhesion was investigated under harsh conditions, the adhesion was sufficient to withstand simultaneous use at the two interfaces of the substrate-intermediate layer interface and the intermediate layer-diamond coating layer interface. It was not possible to find a material for the intermediate layer that gained strength. Furthermore, this method has the disadvantage that the manufacturing cost is also high.
  • the surface of a cemented carbide substrate is etched with an acid solution to bond.
  • a corroded layer may be present on the surface of the base material, and the strength of the base material itself is reduced, and the base material is dispersed due to removal of the binder phase. Since the hard phase is easily removed, the diamond coating layer is easily separated from the hard phase.
  • the surface of the base material is scratched with diamond abrasive grains or a grindstone to form a diamond coating layer.
  • Methods have been devised to increase the nucleation density.
  • sufficient adhesion between the WC-based cemented carbide and the diamond coating layer cannot be obtained, and the cutting tool has sufficient adhesion as a wear-resistant tool. It was difficult to obtain a diamond-coated hard material.
  • an object of the present invention is to provide a diamond-coated hard material having excellent adhesion strength, high toughness, and high shape flexibility, and a method for producing the same.
  • a hard phase composed of carbonized tungsten or carbonized tungsten is combined with 4A, 5A, 6A of the periodic table.
  • a hard phase consisting of at least one or more solid solutions of carbides, nitrides, or carbonitrides of Group A elements (excluding tungsten), and a tan containing a bonded phase and unavoidable impurities
  • the diamond-coated hard material of the present invention is a diamond-coated hard material obtained by using a WC-based cemented carbide as a base material and providing a diamond coating layer on the surface of the base material.
  • a surface-modified layer is present on the outermost surface of the substrate, and the surface-modified layer contains no binder or has a smaller composition ratio of the binder phase than inside the substrate.
  • the surface-modified layer in the present invention refers to a layer having a different composition or Z or texture from the base material portion.
  • the above object of the present invention is to provide a diamond-coated hard material having a diamond coating layer provided on the surface of the substrate, wherein the diamond-coated hard material has a diamond coating on the surface of the substrate. Achieved by providing a coating layer.
  • Still another object of the present invention is to provide, for example, a diamond-coated hard material having a diamond coating layer provided on the base surface, the diamond-coated hard material having a diamond coating on the heat-treated skin on the substrate surface. This is achieved by providing a metal coating layer.
  • the present invention provides a diamond-coated hard material comprising a WC-based cemented carbide as a base material and a diamond coating layer provided on the base material surface, wherein the top surface of the base material is A surface-modified layer, and the surface-modified layer does not contain a binder or has a smaller composition ratio of the binder than the inside of the substrate.
  • the hard phase of the surface-modified layer is composed of (1) WC or (2) carbides and nitrides of WC and Group 4A, 5A, 6A elements (excluding W) of the periodic table.
  • a solid solution with at least one of the following: a solid, carbonitride, oxide, boride, borocarbide, borocarbonitride One of carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, and carbonitrides of Group 4A, 5A, and & A elements (excluding W)
  • a diamond-coated hard material that is at least one kind of solid solution consisting of at least one kind or two or more kinds thereof.
  • the diamond-coated hard material of the present invention performs, for example, sintering of a cemented carbide as a base material in an atmosphere in which the partial pressure of N 2 and / or CO is 1 Torr or more.
  • FIG. 1 is a diagram showing a tip of a chip according to a first embodiment of the present invention. It is explanatory drawing which shows the schematic example of a process.
  • diamonds are carbides, nitrides, borides, and oxides of elements 4A, 5A, and 6A (excluding W) in the periodic table, including WC, metals W, and Ti.
  • Nucleation density on carbides, carbonitrides, nitrides or carbonitrides of carbides, carbonitrides, boronitrides, and their solid solutions, and therefore exhibit good adhesion strength are known. Also, since diamond has a linear expansion coefficient close to that of metal W or W C compared to cemented carbide, diamond exhibits particularly good adhesion strength on these materials.
  • a WC-based cemented carbide is used as the base material, and a layer having a different composition and / or structure from the inside of the base material (the present invention) is formed on the base material surface.
  • this layer is referred to as a surface-modified layer), and the surface-modified layer does not contain a binder phase or has a composition ratio of a binder smaller than that in the base material. , Preferably less than 1% by weight, more preferably less than 0.5% by weight, having a surface modified layer. The old one was decided.
  • a diamond coating layer having high adhesion strength can be formed on this surface modified layer, and at the same time, the original high strength of WC-based cemented carbide is expected as the base material strength. It can be. Further, since the surface-modified layer is formed integrally with the base material, there is no problem of separation as in the above-mentioned intermediate layer, and the hard phase is hardened by etching. Also, there is no problem of a decrease in strength that occurs when the binder phase is removed at a time or a decrease in strength due to the formation of a corroded layer.
  • the typical composition of the cemented carbide as the base material is
  • WC-based cemented carbide containing 0.5 to 30% by weight of Co as a binder phase component and having a composition of WC and unavoidable impurities as a hard dispersed phase forming component .
  • Co 0.5 to 30% by weight as a binder phase component, and (a) WC and (b) elemental periodic rules excluding W as a hard dispersed phase forming component Group 4A, 5A and 6A metals or their carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, A WC-based cemented carbide having a solid solution with one or more of carbides, borocarbides, boronitrides, and borocarbonitrides, and (c) WC and unavoidable impurities.
  • Co 0.5 to 30% by weight as a bond-forming component, and (a) WC and (b) a periodic table except for W as a hard dispersed phase-forming component.
  • WC-based cemented carbide having a composition consisting of one or more solid solutions of nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, boronitrides, borocarbonitrides, and inevitable impurities Exclude those that overlap with (3)].
  • the above composition is shown in a general range, and the meaning of the limitation is particularly good when the balance between the hard dispersed phase and the binder phase is in these ranges, and the high strength of the base material is obtained. Can be maintained.
  • the WC-based cemented carbide described above may further comprise, as a hard phase, at least one kind of carbide, nitride, or metal of Group 4A, 5A, or 6A metal (excluding W) of the periodic table.
  • at least one type of carbonitride is contained, the inclusion of these carbides, nitrides or carbonitrides has the effect of increasing the high-temperature hardness of the base material, If the content is less than 0.2% by weight, there is no effect, and if it exceeds 40% by weight, the strength of the base material is reduced. Therefore, the range of 0.2 to 40% by weight is preferable.
  • the composition ratio of the binder phase containing no binder phase or the binder phase is smaller than that inside the base material, and
  • the hard phase consists of WC or WC and carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, and borides of Group 4A, 5A, and 6A elements (excluding W) in the periodic table. At least one of carbide, boronitride or borocarbonitride may be mentioned.
  • composition ratio of the (or) binder phase containing no binder phase or the binder phase is smaller than that of the inside of the base material, and the hard phase of the surface modification layer is 4A in the periodic table.
  • At least one of carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, boronitrides or borocarbonitrides of Group 5A, 6A elements (excluding W) include the above.
  • the composition ratio of at least one solid solution of at least one of carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides and borocarbonitrides of the elements (except W) Higher than inside It is characterized by that.
  • the surface modified layer of the present invention needs to be a material having excellent adhesion to the diamond, and is formed integrally with the substrate on the surface of the WC-based cemented carbide substrate. It is something.
  • Method A When mixing, molding, sintering, and cooling the WC-based cemented carbide base material powder, the atmosphere during sintering and Z or cooling is adjusted to the above-mentioned equilibrium of the hard phase. 0 2 and sintering in an atmosphere gas greater than the partial pressure of Z or N 2 . Also, 0 to 2 partial pressure is adjusted to the minute ⁇ degree of interest, it may be used CO gas atmosphere.
  • Method opening Further, after arbitrarily sintering and once grinding the base material, it is heat-treated again under the above-mentioned conditions, and the surface properties of the base material are close to the sintered surface. By doing so, a surface-modified layer can be formed in the same manner as described above.
  • the substrate surface thus obtained is referred to as a heat-treated skin.
  • Method c A slurry having a composition equivalent to the surface modification layer rich in the hard phase alone or rich in the hard phase and a slurry having a composition equivalent to the base material containing a predetermined binder phase are contained in one mold. A method of sequentially injecting and sintering the obtained compact.
  • Method 2 A powder having a composition equivalent to a hard phase alone or a surface modification rich in a hard phase and a powder corresponding to a base material including a predetermined binder phase are sequentially filled in one mold. Press and get Method of sintering the compact.
  • Method E A powder having a composition equivalent to the surface modification layer rich in the hard phase alone or rich in the hard phase and a powder corresponding to the base material containing the predetermined binder phase are separately molded and calcined. A method in which the sintered bodies are laminated and sintered under pressure.
  • the sintering temperature and time may be the same as those used for sintering ordinary cemented carbide. Specifically, at a temperature of 130 ° C. to 150 ° C., the time is generally 30 to 3 hours. Also, for the 0 2 Contact good beauty Z or the N 2 gas atmosphere described above, even a sintered initial or al, in metaphase or al, may it be a cooling stage, 9 0 0 ° Celsius to If the temperature is not maintained for at least 10 minutes within the range of 150 ° C., the movement of the hard phase to the interface is not sufficient, and the generation of a surface-modified layer is not observed. In the present invention, the substrate surface thus obtained is referred to as a sintered surface.
  • the heat treatment conditions in the production method (mouth) of the present invention are the same as those of the sintering, and at a temperature of 130 to 150 ° C. 30 to 3 hours are common.
  • the atmosphere higher than the partial pressure of Z or N 2 may be at the beginning of the heat treatment, during the middle stage, or at the cooling stage.
  • the surface roughness referred to here includes not only the measurement generally performed by a stylus meter but also the surface roughness in a minute section.
  • the surface roughness in a minute section refers to the surface roughness within this reference length, where the reference length is a minute section such as 5 O / m at the interface between the diamond coating layer and the outermost surface of the base material. That is. This is done by lapping and observing the cross section of the substrate after diamond coating, taking photographs, and coating the substrate with the diamond coating layer-substrate boundary line. The surface roughness was calculated. Where the maximum height of the border within the reference length and The difference from the minimum height was expressed as R max *. However, in this case, macroscopic undulation was calculated by linear approximation.
  • etching refers not to the purpose of corroding the base material described in the description of the prior art but to the removal of exuded bound citrus fruits.
  • the surface-modified layer does not contain a binder phase, there is no corrosive layer on the substrate, and when the binder phase is present, the component ratio is extremely small, so that the substrate strength does not deteriorate. Processing.
  • the removal treatment of the exuded binder phase is the same for the heat-treated skin.
  • the base material before the formation of the diamond coating layer is subjected to a scratching treatment.
  • a scratching treatment that physically presses the abrasive grains removes the preformed surface-modified layer or reduces the microscopic surface roughness.
  • the adhesion strength between the diamond coating layer and the substrate decreases. In order to avoid this, it is desirable to use a commonly used wound treatment using ultrasonic vibration.
  • the base material before the formation of the diamond coating layer and hard particles such as diamond particles and BN particles are poured into a solvent such as water or alcohol, and the solvent is subjected to ultrasonic wave.
  • a solvent such as water or alcohol
  • the macroscopic surface roughness scale of the substrate surface 111 &, 1 ⁇ &, 13 ⁇ 42 (described in JISB 0601), the microscopic surface roughness Rmax *, and the composition ratio of the surface constituent elements
  • the surface of the substrate can be damaged without changing the
  • cemented carbide material used as the base material is as described in (1) above.
  • Any WC-base cemented carbide having the composition of (4) may be used, but as a result of many tests, in method (a) and method (mouth), W is preferably excluded as a hard carrier component.
  • Carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, boronitrides, or borocarbonitrides of metals from Groups IV, 5 and 6 of the Periodic Table of the Elements It was found that (3) and (4) also contained two or more solid solutions containing these WCs.
  • the reason for this is not surprising, but from the perspective of the linear expansion coefficient, it was composed of WC and Z or W. Although it is desirable that the hard phase exists on the surface of the substrate, the chemical bond with the diamond coating layer is determined by “WC and the periodic table 4A, 5A and 6A”.
  • a Metal (excluding W) carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, one or more solid solutions of boronitrides or borocarbonitrides " Excellent, studying the best base metal composition for these two effects of giving priority to the linear expansion coefficient and giving priority to the chemical bonding force.At the same time, the effect of improving the adhesion by the linear expansion coefficient was slightly sacrificed. Even so, we thought that increasing the chemical bonding force would provide a higher adhesion of the diamond coating layer.
  • the particle size of the various hard phases constituting the cemented carbide is 1 m or more, a more excellent diamond coating layer is obtained, and the adhesion to the substrate is excellent. It turned out. The cause of this is not yet known, and it has been guessed that if this condition is satisfied, it is because the physical consistency between the diamond coating layer and the substrate is the best.
  • the distribution of the binder phase ratio in the surface modified layer varies depending on the sintering conditions and heat treatment conditions, and may be continuously reduced toward the surface or may be intermittent. It may be a decrease.
  • the strength deterioration due to the coarsening of the crystal grains is reduced at least.
  • defects inside the substrate (Pore) can be expected to improve strength by lowering the sintering temperature, preferably 1200 ° C.
  • the sintering and Z or heat treatment steps and the step of forming the diamond coated layer are performed in the same vessel or a small number of steps.
  • Using two or more containers, each part of which is continuous, in a cycling manner has the effect that it can be manufactured at a low cost from an industrial point of view.
  • the thickness of the surface-modified layer is 0.01 ⁇ m or less, the influence of the binder phase component in the base material becomes stronger, and the thickness of the diamond coating layer is reduced.
  • the adhesion strength improving to completely block the effect of contribution Shinano rather Do that £ this, 0. 1 m or more, rather then favored by Luo Ru 0.5 der than m.
  • the upper limit is preferably 200 m or less in order to maintain the strength of the base material.
  • the surface roughness of the surface of the substrate manufactured by the methods (a) and (mouth) of the present invention, as measured by the stylus method, is JIS standard It has been confirmed that when R max is 1.5 zm or more, the adhesion is greatly improved. Also, it was confirmed that even when the microscopic surface roughness according to the above observation was 2 ⁇ m or more at R max *, it was highly effective in improving the adhesion. did.
  • the hardness of the surface of the base material was higher than that of the inside. More specifically, when the cross section of the base material was wrapped and the Pitch hardness was measured under a load of 500 g, the surface of the base material became harder by 5% or more. It turned out that there was. As a result of extensive research, it was also found that a diamond coating layer coated on a substrate harder than 10% showed excellent adhesion.
  • A is preferably less than 0.5, more preferably less than 0.1.
  • the residual stress existing in the WC phase on the surface of the Higaki diamond coated hard material is present on the ground surface of a general WC-based cemented carbide sintered body in the range of 0.7 to 1. It was found that there were cases where the size was smaller than 6 GPa.
  • the carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides of the metals 4a, 5a, 6a of the periodic table existing at the interface of the base material of the diamond-coated hard material in the present invention B-1 solid solution having a face-centered cubic crystal structure composed of at least one of boron, borocarbide, boronitride, borocarbonitride, and at least one of these solid solutions It was also found that the lattice constant of the WC-based cemented carbide substrate after grinding was sometimes smaller than that of the WC-based cemented carbide substrate.
  • the diamond coating layer of the present invention may be either diamond or diamond-like carbon or a composite layer thereof, and may further contain boron, nitrogen, hydrogen and the like. Also, any known method such as a CVD method can be used for the formation.
  • the layer thickness of the diamond coating layer may be a layer thickness necessary for each application. However, in applications where wear resistance is required, when the layer thickness is less than 0.5 m, no improvement in various properties such as abrasion resistance due to the coating layer is observed, and more than 300 m. Even if a coating layer of No significant performance improvement is observed anymore, so for economic reasons, 0.5 ⁇ ⁇ ! ⁇ 300 ⁇ m is desirable.
  • the present invention is applicable to the case where the diamond-like carbon and a multilayer of the diamond and the diamond-like carbon are formed. All have the same effect. The same is true even when these coating layers contain gaseous elements such as boron and N 2 .
  • any of the methods described in the related art may be used for the diamond coating method.
  • the present invention can be applied. Superiority in adhesion to the substrate is not impaired.
  • the present invention when the present invention is applied to a cutting tool or a wear-resistant tool, specifically, when the surface roughness of the diamond coating layer surface of these working surfaces is smoothed, the cutting resistance is reduced. This leads to improved surface roughness, improved ashamedness, and improved welding resistance of the work material or workpiece.
  • the effect is large when smoothing is performed to 0.5 m or less with Rmax defined in JISSB0601.
  • a vibrating mill As a base material, a vibrating mill was used with raw material powder having the composition shown in Table 1 Then, press-forming and forming the product with the binder added, debinding at 300, then sintering under the conditions shown in Table 1-2. , Inscribed circle: 12.7 mm, thickness: 3.18 mm, corner radius: 0.8 mm, clearance angle: 20 °, described in JISB 4103 We manufactured a WC-based cemented carbide throwaway chip of SEGN 422 shape. In addition, the binder phase was removed as necessary.
  • Table 1 1 Base metal composition (% by weight) a W C-4% Co
  • Fig. 1 shows a schematic example of chip edge treatment.
  • Fig. 1 shows the cutting edge treatment, commonly referred to as chanfer honing, where 25 °, 20 ° and L were 0.05 mm, respectively. Note that a commercially available resin-bonded diamond wheel was used for the edge treatment surface processing, upper / lower surface grinding, and side surface grinding. Table 1 3
  • the chip base material prepared in this way, the sintering conditions, the surface roughness R max before forming the diamond coating layer, the R max binding phase removal content, and the chip processing method are also combined.
  • the results are shown in Table 1-4.
  • Table 4 also shows the diamond coating layer thickness for each chip.
  • the microscopic surface roughness in Table 14 is the surface roughness in this minute section at the interface between the base material and the diamond coating layer, with the reference length taken as the reference length. Then, the cross section of this chip was wrapped and photographed, and the surface roughness of the base material after coating was determined using the boundary line between the diamond coating layer and the base material. The difference between the maximum height and the minimum height within the reference length was expressed as Rmax *. R max was measured by the stylus method in accordance with JISB0601. From this cross-sectional observation, the thickness of the surface-modified layer on the sintered surface was also measured, and the results are shown in Table 14. 93 202
  • the chip surface of the chip 21 of the present invention 21 before the formation of the diamond coating layer is c, and the residual stress of the WC phase on the surface of the base material subjected to the grinding process.
  • 4a, 5a, 6a of the periodic table Metals (excluding W) carbides, nitrides, carbonitrides, oxides, borides, borocarbides, boronitrides, borocarbonitrides The lattice constants of the solid solution and the B-1 type solid solution having a face-centered cubic crystal structure composed of at least one or more of these solid solutions were measured by a known X-ray diffraction method. When the same physical property values were measured for chip 7 of the present invention, whereas 1.5 GPa and 4.365 A were obtained, the values were 0.1 GPa or less, respectively. , 4.36 OA Met.
  • the coating layer deposited on the surface of the base material had peaks at 133.33 cm- 1, which is a characteristic of diamond, by Raman spectroscopy.
  • carbide chips of the same shape whose base metal compositions are a, b, and c in Table 1 (comparative chips A, B, and C, respectively)
  • the surface of the Si substrate was coated for 200 hours, and then the substrate was etched and removed with an acid to form a 0.3 mm substantially.
  • a polycrystalline diamond chip that does not contain a binder phase is roasted on a cemented carbide base (b composition in Table 1) and ground to produce a polycrystalline diamond chip of the same shape.
  • a diamond nitride ceramic substrate on which a diamond coating layer is formed after the substrate on which crystals have been precipitated is subjected to a scratching treatment in the same manner as described above.
  • a covering chip (comparative chip F) was also prepared.
  • the comparative tips A to E were not treated with the cutting edge. Using these cutting tips,
  • the amount of wear exceeded 0.3 mm.
  • the diamond coating layer thickness is the average layer thickness near the cutting edge of the chip.
  • R max and R max * of the ground surface were 1.0 / m.
  • the chip of the present invention especially the surface of the sintered skin, It can be seen that the adhesion strength of the diamond coating layer is excellent.
  • a tough cemented carbide is used for the base material, which is compared with diamond sintered compacts and polycrystalline diamond plate tools with a row. It can be seen that they have high toughness.
  • Carbide chips without a diamond coating layer (Comparative Chips A to C) have a workpiece material welded to the cutting edge to form a constituent cutting edge, and the cutting resistance is improved and chipping occurs. On the other hand, according to the present invention, the tendency can be greatly reduced.
  • a base material mixed powders having various compositions shown in Table 1 were prepared, mixed and molded in the same manner as in Example 1 (however, no binder treatment was performed at 300 ° C). Then, sintering was performed under (condition 1) in Table 2 and the processing shown in Table 13 was performed to prepare a base material chip having the same shape as in Example 1. These were heat-treated under the conditions shown in Table 1 and the chip surface was treated as a heat-treated skin. This chip was further processed as shown in Table 15 to prepare a chip of the present invention having partially or entirely heat-treated skin. .
  • the base material, the processing method after sintering, the heat treatment conditions, the thickness of the modified layer existing on the surface of the heat treated skin, the surface roughness R max of the heat treated skin, Table 6 also shows the processing methods after the heat treatment.
  • the oscillation frequency of 2.45 was obtained using a well-known micro-wave plasma CVD method.
  • GH z Chi-up surface temperature 8 7 0, total pressure 5 0 T 0 rr of H 2 2% - holds 1-1 5 hours CH 4 gas to form a die algicidal down de coating layer
  • the diamond coating chip of the present invention 24 to 5 1 was manufactured.
  • chips 50 and 51 of the present invention the process of heat treatment and the process of forming a diamond coating layer were performed using the same container.
  • the flank of the chip is reduced by a diamond brush.
  • the surface roughness of the diamond-coated surface near the cutting edge of the surface and / or the edge-treated surface is set to Rmax of 0.
  • the chip hardness of the base metal surface and the inside of chip Nos. 24 to 51 where the cross section was observed was measured with a load of 200 g.
  • the surface hardness was improved by 5 to 15%.
  • the diffraction curve was measured on the surface where the diamond coating layer was formed on the heat-treated skin with Cu— ⁇ rays, and as a result, the above-mentioned ⁇ value was obtained when the base material compositions were c, d, and e. It was confirmed that the value was between 0.5 and 1.0. For example, for Chip No. 30 of the present invention, the A value was 0.0688.
  • the residual stress of the WC phase on the substrate surface and the lattice constant of the B-1 type solid solution were measured for chip 30 of the present invention in the same manner as in Example 1, it was 0.1 GPa or less for each. 4.33 It was one person.
  • No.40 * surface modified layer is the same as No.9 * in Table-4, where the binding bond component is higher than the inside and the presence of hard phase components such as TiC and TaC The ratio was decreased, and a surface modified layer different from that of the present invention was formed (Comparative Example). In addition, the results of the continuous test for No. 40 * were equivalent to Comparative Chip C in Table-4.
  • Rmax and Rmax * of the ground surface were 1.0 m.
  • the diamond coating layer thickness is the average layer thickness near the cutting edge of the chip.
  • No surface modification means that the cross section is below the observation limit by an optical microscope.
  • Composition f Carbonized tungsten ⁇ (w c)
  • Composition g W C -— 0.5 W t% c 0
  • Composition h W C 4 W t% C 0
  • composition i W C 5 W t% C 0 0.5 w t%
  • Composition j W C 10 w t% C 0 10 t%
  • composition k Wings (W) Each powder having the composition shown in Table 7 was combined and, according to the methods listed in the text, a tungsten steel having a surface-modified layer shown in Table 8 below. However, the sintering conditions were as follows.For those containing powder of composition E, the temperature was 135 ° C in N2 gas and the pressure was 1000 atra. The temperature was set to 1 hour at a temperature of 135 ° C. and a pressure of 5 atm in Ar gas. The shape of the base material is described in JISB 4103 with an inscribed circle of 12.7 mm, a thickness of 3.18 mm, a corner radius of 0.8 mm and a clearance angle of 20 °. The shape of the SEGN 4 2 2 shape was made into a throw-away chip shape.
  • Each manufactured substrate is thrown into ethyl alcohol together with 2 g of diamond abrasive grains having a particle size of 8 to 16 m, and the A sonic vibration was applied to perform a scratching treatment. Thereafter, each substrate was placed in a 2.45 GHz microwave plasma CVD apparatus, heated to 900 ° C, and mixed with hydrogen-2% methane at a total pressure of 8 OTor. By holding the film for 1.5 to 30 hours to form a diamond coating layer having a layer thickness of 2 to 40 m, the diamond coating of the present invention example shown in Table 8 below was formed. Chips 52 to 60 were prepared.
  • a tungsten-based cemented carbide base with the same slow-way chip shape and uniform composition (without a surface modification layer) as a whole by the ordinary sintering method was used for comparison.
  • Each material was manufactured.
  • a diamond coating layer was formed on each base material in the same manner as above without performing a scratching treatment by ultrasonic vibration, and a diamond coating cutting chip of a comparative example shown in Table 8 below was formed. Tips 61 to 63 were prepared.
  • the obtained diamond coating layers of the chips 52 to 63 of the present invention and comparative examples are characterized by the Raman spectroscopic analysis method. A peak of 3 3 3 cm— 1 was confirmed.
  • composition of the base material D-B in chip 53 means that the composition is changed step by step, and the composition is composition D on the inner side and composition B on the surface modification layer side.
  • the composition of the surface modification layer of Chip 60 was slightly mixed with W (F) and W C.
  • the intermittent cutting test was conducted under the following conditions, and the flank wear after 20 minutes for the chips of the present invention 52 to 60 and the relief after 1 minute for the chips of the comparative examples 61 to 63.
  • the surface wear was measured, and the wear condition of the cutting edge was observed. The results are shown in Table 9 below.
  • the chips 52 to 60 of the present invention are superior in the adhesive strength of the diamond coating layer to the chips 61 to 63 of the comparative example, and are considered as cutting tools. This indicates that the abrasion resistance is excellent. Further, in the examples of the present invention, the chips 52, 54, 56, 58, 60, which do not contain a binder phase in the surface-modified layer, did not cause minute separation at the cutting edge, and the diamond Of the coating layer It can be seen that the adhesion strength is particularly excellent.
  • the material is WC-9% by weight Ti 16% by weight Ta C-3% by weight NbC-7% by weight Co
  • Twisted shape of JIS ⁇ 4301 A drill with a diameter of ⁇ 8 mm was prepared for the drill (all ground surface).
  • the this drill Le, 1 3 5 0 present invention was heat-treated for 60 minutes at 1 0 0 Torr of New 2 atmosphere ° C drill Le preform one drill Le (Oh), 1 3 5 0 ° C Drill base material of the present invention, which was heat-treated for 60 minutes in a CO atmosphere of 100 OT orr, at a temperature of 130 ° C in a N 2 atmosphere of 100 atm.
  • a drill material of the present invention which had been heat-treated for 1 minute, was prepared. Drills (A), (I), and (U) of the present invention in which the end coating was formed at a depth of 3 Omm from the drill tip in the direction of the shank were manufactured. Further, the drill of the present invention in which a part of the surface of the drill of the present invention is polished up to 0.2 m at Rmax using a diamond whetstone and a diamond brush. (E) was also prepared.
  • the drill before heat treatment was used as the comparative drill (O), and the drill was formed by forming the same diamond coating layer on the drill without heat treatment. Prepared a drill. Drilling was performed on these drills until the end of their service life under the following conditions.
  • the drill of the present invention has a very high adhesion between the diamond coating layer and the substrate. I understand. In addition, by polishing the surface, the occurrence of burrs was reduced and the quality of the drilled hole was improved. The results also show that the life can be extended. This made it difficult to produce inexpensively and in large quantities using the conventional brazing method.
  • the present invention it is possible to form a strongly adhered diamond coating layer even on a three-dimensionally shaped base material. It is easy to guess that the present invention can be used for end mills.
  • a push-up pin which is a tool for mounting electronic components
  • a push-up pin As the base material, a push-up pin having the same composition as that of Example 3 and a diameter of 0.6 mm, a total length of 1 Omm, and a tip R of 30 m was manufactured. This is heat-treated in a N 2 atmosphere of 100 O atm at 130 ° C. for 60 minutes, and a diamond layer having a thickness of 3 / zm is formed in the same manner as in Example 2. It was formed on the surface of the coating layer. For comparison, a comparative pin made of a natural diamond having the same shape and a carbide pin having a diamond coating layer without heat treatment were also prepared for comparison.
  • the electronic components (2 mm X 3 mm x O.3 mmt) conveyed by a tape with a thickness of 80 to 90 ⁇ m are thrust up with a load of 40 to 50 g and a thrust amount.
  • the separation resistance of the diamond film is better than that of the conventional diamond-coated hard material, and the natural diamond and the diamond are hardened. It is clear that it has the same abrasion resistance and high strength as a sintered compact or a polycrystalline diamond.
  • natural diamond, diamond sintered body Compared to the case where crystal diamond is used, it also has the advantage that it has a high degree of freedom in shape and can be mass-produced at low cost.
  • the case of the cutting tool and the wear-resistant tool is shown as an example of the present invention. However, when the present invention is applied to various cutting tools, wear-resistant tools, various machine parts, grinding wheels, etc. It is quite predictable that good results will be obtained.

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Description

明 細 書
ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料お よ びその製造法 技術分野
本発明は、 極めて高い耐磨耗性及び基材 との密着強度 に優れたダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料お よ びその製造法に 関する も のであ り 、 本発明品は切削工具、 耐摩工具、 鉱 山工具、 電子部品、 機械部品、 砥石な どに利用 して好適 であ る。
背景技術
ダイ ヤモ ン ドは極めて硬度が高 く 、 化学的に安定 し、 高い熱伝導率特性、 音波伝搬速度をばじめ とする数多 く の優れた特性を持ってい る。 現在、 市場に於いて、 多結 曰 ダイ ヤ モ ン ド と して
• ダイ ヤ モ ン ドの含有量が 7 0 体積%以上で ダイ ヤ モ ン ド粒子が互いに結合 した多結晶ダイ ヤモ ン ド焼結体、 • 硬質材料の表面にダイ ヤモ ン ド多結晶を被覆 したダイ ャモ ン ド被覆硬質材料、
• ダイ ヤモ ン ド多結晶を ロ ウ付け した硬質材料が、
① A 1 、 A 1 — S i 合金な どの軽合金や、 プラ スチ ッ ク 、 ゴム、 グラ フ ア イ ト などを切削加工する際に用 い る 、 スロ ーァ ウ ェ イ チ ッ プ、 ド リ ル、 マ イ ク ロ ド リ ル エ ン ド ミ ル、 ルー タ ー な どの切削工具、
② 岩石採掘工具、
③ ボ ン デ ィ ン グツ ー ルや、 プ リ ン 夕 へ ッ ド、 ダイ ス、 熱間加工用ガイ ドロ 一ラ ーや製管用ロ ールな どの各種 耐摩工具、 耐摩治具、 酎環境治具、
④ 放熱板をは じめ とする各種機械部品、
⑤ ス ピーカ ーをは じめ とする各種振動板、
⑥ 各種電子部品、
⑦ 電着砥石な どの各種研磨加工用砥石や ド レ ッ サ一、 用 に広 く 実用に供されている。
ダイ ヤモ ン ド微粉末を超高圧下で焼結した多結晶ダイ ャモ ン ド焼結体は、 例えば特公昭 5 2 — 1 2 1 2 6 号公 報に記載されている。 こ の先行技術に記載された製造方 法では、 ダイ ヤモ ン ドの粉末を超硬合金の成型体若 し く は焼結体に接する よ う に配置 し、 超硬合金の液相を生 じ る温度以上の温度でかつ超高圧下にて焼結を行な う 。 焼 結に際 しては、 超硬合金中の C o の一部がダイ ヤモ ン ド 粉末中に侵入 し、 結合金属 と して作用する。 こ の よ う に して得たダイ ヤモ ン ド焼結体を目的形状加工 し、 各種合 金に ロ ウ付けする こ とによ り 、 例えば切削工具、 耐摩ェ 具、 掘削工具、 ド レ ッ サー、 線引きダイ ス と して広 く 用 い られてレ、る。
硬質材料の表面に多結晶ダイ ヤモ ン ドを被覆 したダイ ャモ ン ド被覆硬質材料も前述のダイ ヤモ ン ド焼結体同様 広 く 用い られている。 先行技術と しては、 特開昭 6 2 — 5 7 8 0 2 、 特開昭 6 2 — 5 7 8 0 4 、 特開昭 6 2 — 1 6 6 9 0 4 、 特開昭 6 3 — 1 4 8 6 9 、 特開昭 6 3 — 1 4 0 0 8 4 各号公報をは じめ と して多 く が存在 し、 こ れ ら は任意の形状の硬質材料の表面に気相よ り 合成 した ダ ィ ャモ ン ド多結晶を被覆する こ と に よ り 、 基材の耐磨耗 性を著 し く 向上さ せる効果があ る。 こ の方法に よ る ダイ ャモ ン ド被覆硬質材料は、 高い形状自 由度を有 し、 かつ 安価に、 大量に製造でき る とい う 大き な長所を持ち、 例 えば切削工具、 耐摩工具、 掘削工具、 ド レ ッ サー、 線引 き ダイ ス と して広 く 用 レ、 られている。
ま た、 基材表面に気相よ り ダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 し、 こ の基材をエ ッ チ ン グ除去する こ と に よ り 、 多結 ダイ ヤモ ン ド板を製造 し、 こ れを 目 的形状加工 し、 各種 台金に ロ ウ付けする こ と に よ り 、 前記 2 種同様の用途や ス ピーカ 一の振動板を初め とする各種振動板やフ ィ ルタ 一、 窓材等にて広 く 用い られている。
現在、 気相よ り 基材表面に多結晶ダイ ヤモ ン ドを被覆 する方法 と して、 マイ ク ロ波プラ ズマ C V D法、 R F — プラ ズマ C V D法、 E A— C V D法、 誘磁場マイ ク ロ 波 プラ ズマ C V D法、 、 R F熱プラ ズマ C V D法、 D C プ ラ ズマ C V D法、 D Cプラ ズマ ジ ェ ッ ト C V D法、 フ ィ ラ メ ン ト熱 C V D法、 燃焼法な ど数多 く の方法が知 られ てお り 、 こ れ ら はダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料製造の有力 な方法であ る。
と こ ろで上記 した従来技術の う ち、 ダイ ヤモ ン ド焼結 体を台金に ロ ウ付け して作成でき る各種工具等には形状 に制約があ る。 具体的には、 4 枚刃エ ン ド ミ ノレの よ う な 形状のすべての刃部に優れた精度でダイヤモ ン ド焼結体 を ロ ウ付けする のは、 現状の技術では困難であ る。 こ の ため、 丸棒形状のダイ ヤモ ン ド焼結体を作成し、 こ れを 放電加工して 目的形状を得なければな らず、 実際に耐摩 耗性向上に要求される部分以外も ダイ ヤモ ン ド焼結体に て構成される ため非常に高価とな り 、 かつ生産性も低い。 こ れ と同様の こ とが、 多結晶ダイ ヤモ ン ド板をロ ウ付け した場合に も言える。
上記短所を克服する ため、 目的形状に加工 した基材表 面にダイ ヤモ ン ド被覆層を設ける ダイ ヤモ ン ド被覆硬質 材料の開発が広 く 行われている。 ダイ ヤモ ン ド被覆硬質 材料は、 基材と して各種物理特性に優れる W C基超硬合 金の使用がまず考え られ、 これを基材と した場合、 高い 形状自 由度を持ち、 かつダイ ヤモ ン ド焼結体お よ び多結 晶ダイ ヤモ ン ド板をロ ウ付け した も の よ り 高い強度を有 する こ とができ、 さ ら に安価にて大量に提供でき る こ と が十分予想でき る。 こ のため、 多 く の研究者によ り その 性能向上が図 られているが、 現状ではダイ ヤモ ン ド被覆 層 と基材との密着力が不足 してお り 、 使用に於てダイ ヤ モ ン ド被覆層が剝離する場合が多 く 、 ダイ ヤモ ン ド焼結 体 と同等の寿命を得る に至っ ていない。 こ の原因 と して、
( 1 ) 基材と ダイ ヤモ ン ドの線膨張係数の違いよ り 、 熱残留応力が発生 し、 ダイ ヤモ ン ド被覆層が剝離 しゃす く な る。
( 2 ) ダイ ヤモ ン ドは、 あ ら ゆる物質 と中間相を持た. ないため、 他物質 との濡れ性が悪い。
( 3 ) 基材が W C基超硬合金ゃサー メ ッ ト の よ う に炭 素の拡散が容易な F e、 C o、 N i 等の金属元素を含む 場合、 こ れ らの金属元素上にダイ ヤモ ン ドの同位体であ る グラ フ ア イ ト が優先的に生成 しやす く 、 こ のためダイ ャモ ン ド被覆時の初期ダイ ヤモ ン ド核発生密度が低下 し、 こ のため ダイ ヤ モ ン ド被覆層 と基材 と の密着強度が低下 し、 ま た被覆層 自体の耐摩耗性 も低下する、
の ( 1 ) 〜 ( 3 ) が挙げ られてい る。
( 1 ) を改良する ため, 基材材質 と して ダイ ヤ モ ン ド と同 じ熱膨張係数を持っ た材質、 例えば S i 3 N 4 を主 成分 とす る焼結体や S i C を主成分 とする焼結体を選択 する方法が、 特公昭 6 0 — 5 9 0 8 6 、 特開昭 6 1 一 2 9 1 4 9 3 各号公報にて提案さ れている。 さ ら に特願平 2 - 2 6 9 2 1 4 号明細書では窒化ゲイ 素 ( S i 3 N 4 ) を主成分 とする基材の表面に窒化ゲイ素の柱状晶組織を 晶出 させ、 表面に凹凸の存在する状態をつ く り だ し、 こ の表面に対 して ダイ ヤモ ン ド被覆層を設ける こ と に よ り ダイ ヤモ ン ド被覆層 と基材 とを幾何学的に絡ま せる こ と に よ り 、 ダイ ヤモ ン ド被覆層の密着強度を高め る方法が 提案さ れている。 こ れ らの改良に よ り 、 基材 と ダイ ヤモ ン ド被覆層 との密着力 は格段に高 く はな っ た。 しか し、 例えば切削工具に適用 した場合、 過酷な条件 にて使用すれば、 基材であ る S i 3 N 4 , S i C の強度 が不足 している ため基材か ら破壌が生 じ、 その使用 に酎 えない場合が増加する。
( 2 ) に対する解決策と しては、 特公昭 6 2 - 7 2 6 7 号公報に記載されている よ う に、 基材表面に中間層を 被覆 し、 こ の表面にダイ ヤモ ン ド被覆層を形成する方法 があ る。 こ の方法に よ り 、 中間層に適切な材質を選択す ればダイ ヤモ ン ド被覆層 と中間層 とは高い密着力 にて接 合されるが、 しか し、 本発明者等が研究を行い、 過酷な 条件にてその密着力を調査 した と こ ろ、 基材ー 中間層界 面と、 中間層一 ダイ ヤモ ン ド被覆層界面の 2 界面におい て、 同時に十分使用 に耐え う る密着力を得る 中間層材質 を見いだすこ とが出来なかっ た。 さ らに、 本方法では、 製造コ ス ト も高 く なる とい う 欠点がある。
( 3 ) に対する解決策と しては、 特開平 1 一 2 0 1 4 7 5 号公報に記載の如 く 、 超硬合金の基材表面を酸溶液 にてエ ッ チ ン グ して結合栢の F e や C 0 等の金属元素を 除去する方法があ る。 しか し、 エ ッ チ ン グを行な っ た場 合、 基材表面に腐食層が存在する場合があ り 基材その も のの強度が低下し、 また結合相の除去によ り 分散 してい る硬質相が欠落 し易 く なる ので、 ダイ ヤモ ン ド被覆層が 硬質相 ご と剝離 し易 く な る。
ま た、 特開昭 6 1 ― 1 2 4 5 7 3 号公報に記載の ご と く 、 ダイ ヤモ ン ド砥粒ま たは砥石に よ り 、 基材表面に傷 付け処理を行な う こ と に よ り 、 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成. 時の初期のダイ ヤモ ン ドの核発生密度を向上さ せる方法 も考案さ れている。 しか しなが ら、 こ れ らの技術で も W C基超硬合金 と ダイ ヤモ ン ド被覆層 との十分な密着力 は 得 られず、 切削工具ゃ耐摩工具 と して十分な密着力を持 つダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料を得る こ と は困難であ っ た。
以上の よ う に、 現状では超硬合.金基材 と高い密着力を もつダイ ヤモ ン ド被覆層を安価に大量に製造す る技術は ま だ未完であ る と言わざる を得ない。
上述の問題点に鑑み、 本発明は優れた密着強度、 高い 靭性と、 高い形状自 由度を備えたダイ ヤモ ン ド被覆硬質 材料お よ びその製造法の提供を 目 的 とする。
発明の開示
上記目的を達成する ために、 本発明の ダイ ヤモ ン ド被 覆硬質材料では、 炭化タ ン グステ ンか らな る硬質相又は 炭化タ ン グステ ン と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (タ ン グステ ンを除 く ) の炭化物、 窒化物又は炭窒化物 の少な く と も ί 種以上の固溶体 とか らな る硬質相 と、 結 合相及び不可避的不純物を含むタ ン グス テ ン基超硬合金 か らな る基材と、 基材の表面に形成さ れた表面改質層 と、 表面改質層上に形成さ れたダイ ヤモ ン ド又はダイ ヤモ ン ド状炭素か らな る ダイ ヤモ ン ド被覆層 とを備え、 前記表 面改質層は結合相を含ま ないタ ン グステ ン及びノ又は炭 化夕 ン グステ ンか、 若し く は基材内部に比べ組成割合が 少ない結合相 と 夕 ン グステ ン及び Z又は炭化夕 ン グステ ンか らな る こ とを特徵とする。
例えば、 本発明のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料は、 W C 基超硬合金を基材材質と し、 該基材表面にダイ ヤモ ン ド 被覆層を設けてなる ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料において、 該基材最表面に表面改質層が存在 し、 該表面改質層は結 合栢を含ま ない若 し く は結合相の組成割合が該基材内部 に比べ少ない も のであ る こ とを特徴とする。 こ こ で、 本 発明における表面改質層 とは、 当該基材內部とはその組 成お よ び Zま たは組織の異な る層をいう 。
ま た本発明の上記目的は、 例えば該基材表面にダイ ヤ モ ン ド被覆層を設けてなる ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料に おいて、 該基材表面の焼結肌にダイ ヤモ ン ド被覆層を設 けた も のに よ っ て達成される。
ま た更に本発明の上記目 的は、 例えば該基 表面にダ ィ ャモ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料において、 該基材表面の熱処理肌にダイ ヤモ ン ド被覆 層を設けた も の に よ っ て達成される。
さ ら には、 本発明は W C基超硬合金を基材材質と し、 該基材表面にダイ ヤモ ン ド被覆層を設けてなる ダイ ヤ乇 ン ド被覆硬質材料において、 該基材最表面に表面改質層 が存在 し、 該表面改質層は結合栢を含ま ない若し く は結 合栢の組成割合が該基材内部に比べ少ない も のであ り 、 且つ該表面改質層の硬質相が、 ( 1 ) W Cお よ び ま た は ( 2 ) W C と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (W を除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ウ化 物、 ホウ炭化物、 ホウ炭窒化物の う ちの 1 種以上 との固 溶体の少な く と も 1 種以上、 お よ び ま たは ( 3 ) 周期 律表の 4 A、 5 A、 & A族元素 (Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ウ化物、 ホ ウ炭化物、 ホ ゥ炭窒化物の う ち の 1 種以上ま たはその 2 種以上か らな る 固溶体の少な く と も 1 種以上であ る ダイ ヤモ ン ド被覆 硬質材料を提供する。 本発明の ダイ ヤモ ン ド被覆硬質 材料は、 例えば基材 とな る超硬合金の焼結を、 N 2 お よ び/ま たは C Oの分圧が 1 T o r r 以上の雰囲気にて行 い、 得 られた焼結体の少な く と も一部表面を焼結肌 と し、 少な く と も該焼結肌の一部表面に ダイ ヤモ ン ド被覆層を 設ける こ とを特徵 とする方法、 も し く は基材 とな る超硬 合金の焼結を行い、 目 的形状に加工 した後、 9 0 0 〜 1 5 0 0 °C以上の温度で、 N 2 お よ び ま たは C Oの分 圧が 1 T o r r 以上の雰囲気にて 1 0 分間〜 5 時間熱処 理を行い、 該基材の少な く と も一部表面を熱処理肌 と し、 次いで該熱処理肌の少な く と も一部にダイ ヤモ ン ド被覆 層を設ける こ とを特徴 とする方法に よ り 製造でき、 こ れ らの工程を連続的に行う こ と も可能であ る。
図面の簡単な説明
第 1 図は、 本発明の実施例 1 における チ ッ プの刃先処 理の概略例を示す説明図である。
発明を実施する ための最良の形態
一般に、 ダイ ヤモ ン ドが W C、 金属 W、 T i をは じめ とする周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 ホウ化物、 酸化物、 炭窒化物、 ホウ 窒化物の炭化物、 窒化物ま たは炭窒化物上およ びこ れ ら の固溶体上には高い核発生密度を示し、 こ のため良好な 密着強度を示すこ とが知 られている。 また、 ダイ ヤモ ン ドは、 超硬合金に比べ金属 Wや、 W C に近い線膨張係数 であ る ため、 こ れ らの材料の上には特に良好な密着強度 を示す。 と こ ろが、 W Cを結合相無しで作成する場合、 良好な焼結性を示す とは言えず、 ホ ッ ト プ レス法な どで 製造する必要があ り、 形状自 由度が低 く 、 かつ製造コ ス ト も高 く な り 、 さ ら にこ の よ う な方法にて作製さ れた W C は靭性が低 く 、 窒化珪素、 炭化珪素を基材と した場合 と同 じ問題を抱える こ とになる。 また、 金属 Wでは、 強 度が不足する場合が多い。
こ のため、 本発明においては、 基材と して W C基超硬 合金を用いるが、 その基材表面に、 該基材内部 と は組成 お よ び/ま たは組織の異な る層 (本発明ではこ の層を表 面改質層 とい う ) が存在する も の と し、 該表面改質層は 結合相を含まない若 し く は結合栢の組成割合が基材内部 よ り 少な く 、 好ま し く は 1 重量%未満の、 更に好ま し く は 0 . 5 重量%以下の結合相が存在する表面改質層を有 ふる も の と した。 こ の表面改質層上には高い密着強度を 持つダイ ヤモ ン ド被覆層を形成する こ とができ、 同時に . 基材強度 と して、 W C基超硬合金本来の高い強度を期待 する こ とができ る。 さ らに、 表面改質層は基材 と一体に て形成さ れてい る ため、 前述の中間層の よ う な剝離の問 題はな く 、 ま たエ ッ チ ン グに よ り 硬質相の回 り の結合相 を除去 した と き に発生 した強度の低下や腐食層生成に よ る強度低下の問題 も発生 しない。
本発明において基材 とな る超硬合金の組成の代表を下
5己に不 した。
( 1 ) 結合相成分 と して C o : 0 . 5 〜 3 0 重量%を含 有 し、 硬質分散相形成成分 と して W C と不可避的不純物 とか らな る組成を有する W C基超硬合金。
( 2 ) 結合相成分 と して C o 0 . 5 〜 3 0 重量%を含 有 し、 硬質分散相形成成分 と して、 ( a ) W C と、 ( b ) Wを除 く 元素周期律表の 4 A、 5 A、 お よ び 6 A族金属 ま たは こ れ らの炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ゥ化物、 ホウ炭化物、 ホウ窒化物、 ホウ炭窒化物の う ち の 1 種以上 との固溶体 と、 不可避的不純物か らな る組成 を有する W C基超硬合金。
( 3 ) 結合相成分 と して C o : 0 . 5 〜 3 0 重量%を含 有し、 硬質分散相形成成分 と して、 ( a ) W C と、 ( b ) Wを除 く 元素周期律表の 4 A、 5 A、 お よ び 6 A族金属 またはこれ らの炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ゥ化物、 ホウ炭化物、 ホウ窒化物、 ホウ炭窒化物の う ち の 1 種以上との固溶体及び ( c ) W C及び不可避的不純 物か らな る組成を有する W C基超硬合金。
( 4 ) 結合栢形成成分と して C o : 0 . 5〜 3 0 重量% を含有 し、 硬質分散相形成成分 と して ( a ) W C と、 ( b ) Wを除 く 元素周期律表の 4 A、 5 A、 お よ び 6 A 族金属 ま たはこ れ ら の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化 物、 ホ ウ化物、 ホウ炭化物、 ホウ窒化物、 ホウ炭窒化物 の う ちの 1 種以上との固溶体及び ( c ) W C及び Z又は ( d ) W C と Wを除 く 元素周期律表の 4 A、 5 Aおよ び 6 A族金属 ま たはこ れ らの炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホウ炭化物、 ホウ窒化物、 ホウ炭窒 化物の う ちの 1 種以上の固溶体及び不可避的不純物か ら なる組成を有する W C基超硬合金 〔た し ( 3 ) と重複 する も のは除 く 〕 。
なお、 上記の組成は一般的な範囲で示 してお り 、 特に 限定する意味は、 硬質分散相 と結合相 とのバラ ンスがこ れらの範囲では良好であ り 、 基材の高い強度が保てるか らであ る。
又、 上記の W C基超硬合金が、 硬質相 と して更に周期 律表の 4 A、 5 A、 6 A族金属 (Wを除 く ) の少な く と も 1 種の炭化物、 窒化物又は炭窒化物の少な く と も 1 種 含む場合には、 こ れ らの炭化物、 窒化物又は炭窒化物を 含むこ とに よ って、 基材の高温硬度を高める効果があ り 、 その含有量は 0 . 2 重量%未満では効果がな く 、 4 0 重 量%を越える と基材の強度が低下する ので、 0 . 2〜 4 0 重量%の範囲が好ま しい。
本発明の表面改質層 と しては、 例えば (ィ ) 結合相を 含ま ない若し く は結合相の組成割合が該基材内部に比べ 少ない も のであ り 、 且つ該表面改質層の硬質相は W C お よ び ま たは W C と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ゥ化物、 ホウ炭化物、 ホ ウ窒化物ま たはホ ウ炭窒化物の 少な く と も 1 種以上 とか らな る も のが挙げ られる。
ま た、 (口) 結合相を含ま ない若 し く は結合相の組成 割合が該基材内部に比べ少ない も のであ り 、 且つ該表面 改質層の硬質相が周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ゥ化物、 ホウ炭化物、 ホウ窒化物ま たはホウ炭窒化物の 少な く と も 1 種以上 とか らな る も のが挙げ られる。
さ ら に (ハ) 該基材の表面における ( 1 ) W C と周期律 表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wをのぞ く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ウ化物、 ホ ウ炭化物、 ホ ゥ炭窒化物の う ちの少な く と も 1 種以上の固溶体お よ び /"ま たは (2)周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wを のぞ く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化 物、 ホウ炭化物、 ホ ウ炭窒化物の う ちの少な く と も 1 種 以上の固溶体の組成割合が、 内部に比べて高 く な つ てい る こ とを特徴とする こ とが挙げ られる。
本発明の表面改質層は先に説明 した とお り、 ダイ ヤモ ン ド との密着性に優れる材料であ る必要があ り 、 W C基 超硬合金基材表面に基材と一体に形成される も のであ る。
こ の表面改質層を有する状態をつ く り 出す方法の例を 下記に示す。
(方法ィ ) : W C基超硬合金基材原料粉末を混合、 成 型、 焼結、 冷却する際に、 焼結中およ び Zま たは冷却中 の雰囲気を、 前述の硬質相の平衡 0 2 お よ び Zまたは N 2 分圧よ り大と した雰囲気ガスにて焼結する。 ま た、 0 2 分圧を目的の分圧程度に調整する には、 C O ガス雰囲気 を用いれば良い。
(方法口) : さ ら に、 任意の焼結を行い、 一度研削を 行っ た基材に対 して も、 前述の条件にて再度熱処理 し、 基材表面性状を焼結肌に近い状態にする こ とに よ っ て も、 先ほ ど同様に表面改質層を形成でき る。 本発明において、 こ の よ う に して得た基材表面を熱処理肌と呼ぶ。
(方法ハ) : 硬質相のみ又は硬質相に富む表面改質層 相当の組成のス ラ リ ー と、 所定の結合相を含む基材相当 の組成のス ラ リ ー とを 1 つの型内に順次射出 し、 得 られ た成形体を焼結する方法。
(方法二) : 硬質相のみ又は硬質相に富む表面改質曆 相当の組成の粉末 と、 所定の結合相を含む基材相当の組 成の粉末 とを 1 つの型内に順次充塡 してプ レス し、 得ら れた成形体を焼結する方法。
(方法ホ) : 硬質相のみ又は硬質相に富む表面改質層 相当の組成の粉末 と、 所定の結合相を含む基材相当の組 成の粉末 とを別々 に成形 して中焼 し、 得 られた中焼体を 積層 して加圧 した状態で焼結する方法。
(方法へ) : 所定の結合相を含む基材相当の組成か ら な る成形体を焼結する際に、 成形体表面にタ ン グス テ ン 粉末及びノ又は炭化夕 ン グス テ ン粉末を吹き付けなが ら 焼結する方法。
尚、 上記 ( 口 ) 〜 (へ) の方法は、 結合相の移動を極 力少な く する ため、 加圧炉を用いて低温で焼結する こ と が好ま しい。
本発明の製法 (ィ ) において、 焼結温度お よ び時間は、 通常の超硬合金の焼結に使用 さ れる条件でよ い。 具体的 には、 1 3 0 0 °C〜 1 5 0 0 °Cの温度にて、 3 0 〜 3 時 間が一般的であ る。 ま た、 前述の 0 2 お よ び Zま たは N 2 ガス雰囲気にする のは、 焼結初期か らで も、 中期か らで も、 冷却段階で も よいが、 9 0 0 °C〜 1 5 0 0 °Cの範囲 で少な く と も 1 0 分以上保持 しな ければ、 硬質相の界面 への移動が十分ではな く 、 表面改質層の発生が認め られ ない。 本発明において、 こ の よ う に して得た基材表面を 焼結肌 と 呼ぶ。
ま た本発明の製法 ( 口) においての熱処理条件 も、 焼 結条件 と同様であ り 1 3 0 0 で〜 1 5 0 0 °Cの温度にて、 3 0 〜 3 時間が一般的であ る。 硬質相の平衡 0 2 および
Zまたは N 2 分圧よ り大と した雰囲気 とするのは、 熱処 理初期か らでも、 中期からでも、 冷却段階で も よいが、
9 0 0 °C〜 1 5 0 0 。Cの範囲で少な く と も 1 0 分間以上 保持しなければ、 硬質栢の界面への移動が十分ではな く 、 表面改質層の発生が認め られないため、 好ま し く ない。 また、 1 0 0 0 分間を越える長時間に渡 り熱処理を行つ た場合、 基材超硬合金の硬質相粒子の粗大化等によ り 強 度劣化する ため望ま し く ない。
方法 (ィ ) 、 方法 (口) にて得た焼結肌およ び熱処理 肌の表面性状およ び断面をさ らに観察した と こ ろ、 その 表面面粗度が通常の研削肌と比較して悪 く なっている こ とが判 っ た。 こ のため、 ダイ ヤモ ン ド被覆層 と基材との 物理的結合力が増大 し これによ り ダイ ヤモ ン ド被覆層 と 基材との密着力が向上 したこ とが推測でき る。
尚、 こ こ で言う 面粗度 と は、 一般に行われている触針 計に よ る測定のみな らず、 微小区間における面粗度 も含 む。 微小区間における面粗度 とは、 ダイ ヤモ ン ド被覆層 一基材最表面の界面において、 基準長さを 5 O / mな ど の微小区間 と した、 この基準長さ 内における面粗度の こ とであ る。 こ れは、 ダイ ヤモ ン ド被覆後の基材の断面を ラ ッ ピ ン グ観察 し、 写真撮影を行い、 ダイ ヤモ ン ド被覆 層 -基材の境界線を も つ て被覆後の基材の表面面粗度計 算を行っ た。 こ こで、 基準長さ内の境界線の最高高さ と 最低高さ との差を も っ て R ma x * と表現 した。 但 し、 こ の際、 巨視的な う ね り は直線近似 して計算 した。
上記焼結肌お よ び熱処理肌を形成 した場合、 焼結体中 の炭素量、 焼結方法等に よ り 、 表面に結合相の滲み出 し が見 られる場合 も あ る。 滲み出 した結合相表面に形成さ れたダイ ヤモ ン ド被覆層は容易 に剝離 して し ま う ので、 滲み出 した結合相を除去する必要があ る。 滲み出 した結 合相の除去方法 と して、 エ ッ チ ン グ、 ブラ ス ト 、 バ レ ル 等の処理が挙げ られる。 こ こ で、 ブラ ス ト 、 バ レ ル等の 機械加工では、 その表面面粗度が向上 して し ま い、 面粗 度劣化に よ る密着強度向上の効果が薄 く な っ て し ま う た め、 エ ッ チ ン グ除去が望ま しい。 こ こ で言う エ ッ チ ン グ と は、 従来の技術を説明 した欄に述べた基材を腐食さ せ る 目 的ではな く 、 滲み出 した結合柑を除去する ためであ り 、 従っ て表面改質層が結合相を含有 しない場合、 基材 に腐食層は全 く 存在せず、 結合相が存在する場合 も そ の 成分割合が極めて小さ いため、 基材強度劣化は生 じない 程度の処理であ る。 こ の滲み出 し結合相に対する 除去処 理は、 熱処理肌に関 して も 同様の こ とが言え る。
ま た、 一般的に、 ダイ ヤ モ ン ド被覆層形成初期のダイ ャモ ン ド核発生密度を向上さ せる ため、 基材に何 らかの 傷つけ処理を施す こ とが広 く 行われてい る。 本発明 にお いて も、 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成前の母材に対 して、 傷 つけ処理を施す こ とが望ま しい。 と こ ろが、 砥石等に よ る傷つけ処理や、 砥粒を物理的に押 しつける傷つけ処理 は、 せっ か く 形成した表面改質層が除去された り 、 あ る いは微視的面粗度が低下し、 こ のためダイ ヤモ ン ド被覆 層 と基材の密着強度が低下する。 これを避ける ため、 一 般的に行われている超音波振動を利用 した傷つけ処理が 望ま しい。 具体的には、 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成前の基 材と、 ダイ ヤモ ン ド粒子や B N粒子な どの硬質粒子を、 水、 アルコ ール類な どの溶媒中に投 じ、 溶媒に超音波振 動を与える こ と に よ り 、 硬質粒子が基材に衝突する方法 であ る。 こ の方法を用いた場合、 基材表面の巨視的面粗 度尺 111& 、 1^ & 、 1¾ 2 ( J I S B 0 6 0 1 記載) や 微視的面粗度 R max * や表面構成元素組成割合を変化さ せる こ とな く 、 基材表面に傷つけ処理を行う こ とができ る σ
こ こ で、 基材とな る超硬合金材質は、 上記 ( 1 ) 〜
( 4 ) の組成の W C基超硬合金であればよいが、 多 く の 試験の結果、 方法 (ィ) 、 方法 (口) においては好ま し く は硬質栢成分と して、 Wを除 く 元素周期律表の 4 Α、 5 Αおよび 6 Α族金属の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸 化物、 ホウ化物、 ホウ炭化物、 ホ ウ窒化物ま たはホ ウ炭 窒化物な ら びに こ れ らの W Cを含む 2種以上の固溶体 も 含有 した ( 3 ) 、 ( 4 ) であ る こ とが判 っ た。
こ の原因については推測の域を脱 しないが、 線膨張係 数の見地か らは、 W Cおよ び Zまたは Wにて構成された 硬質相が基材表面に存在する こ とが望ま しいのではあ る が、 ダイ ヤモ ン ド被覆層 との化学的結合は、 「 W C と、 . 周期律表 4 A、 5 Aお よ び 6 A金属 ( Wを除 く ) の炭化 物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホ ウ炭化物、 ホウ窒化物ま たはホウ炭窒化物の 1 種以上の固溶体」 の ほ う が優れ、 こ れ らの相反する線膨張係数優先 と化学的 結合力優先の二つの効果について最善の母材組成を研究 した と こ ろ、 線膨張係数に よ る密着力向上の効果を若干 犠牲に して も、 化学的結合力を高めた方がさ ら に高いダ ィ ャモ ン ド被覆層の密着力を得る こ とができ る ためであ る、 と考えた。
さ ら に、 当該超硬合金を構成する各種硬質相の粒径が、 1 m以上であ る場合、 さ ら に良好な ダイ ヤモ ン ド被覆 層 とな り 基材 と の密着力が優れる こ とが判 っ た。 こ の原 因については未だ不明であ り 、 こ の条件を満たす場合、 ダイ ヤモ ン ド被覆層 と基材 との物理的整合性が最 も優れ る ため と推測 したが定かではない。
本発明において、 表面改質層中の結合相割合の分布は、 その焼結条件お よ び熱処理条件に よ り変わ り 、 表面に向 か っ て連続的に減少 して も良い し、 断続的減少であ っ て も よい。
ま た、 方法 (ィ ) 、 方法 ( 口) にて基材焼結お よ び研 削加工後の基材の熱処理を行なう 際、 結晶粒粗大化に よ る強度劣化を少 しで も低減させ、 同時に基材内部の欠陥 (ポア) を減少させる こ とによ り 強度向上も期待でき る 焼結温度と比較 して低い温度、 好ま し く は 1 2 0 0 °C〜
1 4 5 0 で、 さ らに好ま し く は 1 3 0 0 °C〜 1 3 5 0 °C の温度で、 熱間静水圧プ レスを行な う こ とが望ま しい。 こ の と きの静水圧圧力は高圧のほ う がよ り 優れた効果を 期待でき るが、 工業的見地か ら 1 0 気圧〜 3 0 0 0 気圧 が望ま しい。
ま た、 いま まで述べた本発明ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料の製造法において、 焼結およ び Zまたは熱処理の工程 と、 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成の工程を同一容器または少 な く と も 1 部が連続 した 2 つ以上の容器を用いて連鐃的 に行う こ とは、 工業的見地か ら低コス ト にて製造でき る とい う 効果があ る。 また、 方法ハ、 二、 ホ、 へについて も結合相の基材表面への移動を極力少な く する ために加 圧炉を用いて低温にて焼結する事が望ま しい。
こ こ で、 表面改質層の層厚に関 しては、 0 . 0 1 〃 m 以下であれば、 基材中の結合相成分の影響が強 く な り 、 ダイ ヤモ ン ド被覆層の密着強度向上には寄与 しな く な る £ こ の影響を完全に遮断する ためには、 0 . 1 m以上、 さ ら に好ま し く は 0 . 5 m以上であ る。 ま た、 上限に つていは、 基材強度を維持する ために 2 0 0 m以下が 望ま しい。
本発明の方法 (ィ) 、 (口) にて製造した基材表面の 表面面粗度は、 触針法にて測定した場合、 J I S規格の R max にて 1 . 5 z m以上の場合、 その密着力向上に大 き く 効果があ る こ とを確認 した。 ま たは、 前述の断面観. 察に よ る微視的面粗度が、 R max * にて 2 〃 m以上の場 合に も その密着力向上に大き く 効果があ る こ と を確認 し た。
本発明ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料においては、 基材表 面部の硬度が、 内部に比べて高 く な つ ている こ とが判明 した。 具体的には、 基材断面をラ ッ ピ ン グ し、 5 0 0 g の荷重にて ピ ツ カ 一ス硬度を測定 した と こ ろ、 5 %以上 基材表面部が硬 く な つ ている こ とが判明 した。 研究を重 ねた結果、 1 0 %以上硬い基材に被覆 したダイ ヤ モ ン ド 被覆層が優れた密着力を示すこ と も判 っ た。
さ らに、 本発明ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料においては、 表面よ り C υ 一 Κ α線に よ る回折曲線を測定 した場合、 炭化タ ン グステ ン の ( 1 0 1 ) 面の回折強度比率 と、 周 期律表 4 Α、 5 Αお よ び 6 Α族金属の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホ ウ炭化物、 ホ ウ窒化物 ま たはホウ炭窒化物の 1 種以上の Β 1 型固溶体 ( 2 0 0 ) 面の回折強度比率 と を比較 して、 前者の方が小さ い こ と も判明 した。 さ ら に調査を行っ た結果、 下記数 1 の よ う に Α値を定義 した場合、
(炭化タ ン グステ ンの(101) 面の回折強度比率〕
= A
〔 B 1 型固溶体の回折強度比率〕
Aが小さ いほ どダイ ヤモ ン ド被覆層が優れた密着力 を示 し、 好ま し く は Aが 0 . 5 、 更に好ま し く は 0 . 1 以下 であ る こ と も見いだ した。
さ らに、 本癸明ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料の表面の W C相に存在する残留応力は、 一般的な W C基超硬合金焼 結体の研削加工面に存在する 0 . 7〜 1 . 6 G P a と比 較して小さ く な る場合が存在する こ とが判っ た。
さ ら に、 本発明における ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料の 基材界面に存在する周期律表の 4 a、 5 a、 6 a 金属の 炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホ ウ化物、 ホ ウ炭 化物、 ホウ窒化物、 ホウ炭窒化物およ びこ れ らの固溶体 の う ちの少な く と も 1 種以上で構成される面心立方晶系 の結晶構造を有する B - 1 型固溶体の格子定数が、 研削 仕上げを行っ た W C基超硬合金基材のそれ と比較 して小 さ く なる場合が存在する こ と も判 っ た。
本発明のダイ ヤモ ン ド被覆層は、 ダイ ヤモ ン ド又はダ ィ ャモ ン ド状炭素のいずれで も或いは こ れ らの複合層で も良い し、 更にホウ素、 窒素、 水素等を含んで も良 く 、 その形成方法は C V D法等の従来公知のいずれの方法も 使用でき る。
なお、 ダイ ヤモ ン ド被覆層の層厚に関 しては、 各々 の 用途に応じて必要な層厚とすればよい。 但 し、 耐摩耗性 が要求される使用用途においては、 層厚が 0 . 5 m以 下では被覆層によ る耐摩耗性な ど諸性能の向上が認め ら れず、 また 3 0 0 m以上の被覆層を形成した場合でも、 もはや大き な性能の向上が認め られないため、 経済上の 理由 よ り、 0 . 5 〃 π!〜 3 0 0 〃 mが望ま しい。
こ こ まで、 ダイ ヤモ ン ド被覆層を中心に説明 したが、 本発明はダイ ヤモ ン ド状炭素お よ びダイ ヤモ ン ド と ダイ ャモ ン ド状炭素 との複層を形成 した場合に も全 く 同様の 効果があ る。 さ ら に、 こ れ らの被覆層がホウ素、 N 2 な どの気体元素を含んだ場合で も 同 じであ る。 ま た、 ダイ ャモ ン ド被覆の方法は、 従来の技術にて説明 したいずれ の方法を用いて も良い。
ま た、 所定の面粗度お よ び /ま たは寸法精度を得る た めに、 ダイ ヤモ ン ド被覆層表面を砥石や熱処理等にて平 滑化、 鏡面化 して も、 本発明の基材 との密着性について の優秀性は損なわれない。 例えば、 本発明を切削工具や 耐摩工具に適用 した場合、 つま り 具体的には、 こ れ ら の 作用面の ダイ ヤモ ン ド被覆層表面の面粗度を平滑化 した 場合、 切削抵抗の低減、 加工面面粗度の向上、 憎動性の 向上、 被削 材ま たは被加工物の耐溶着性の向上につな がる。 特に、 J I S B 0 6 0 1 に定義さ れてレ、る R m a x で 0 . 5 m以下まで平滑化 した場合、 その効果が大 き い。
次に、 本発明を実施例に よ り 、 具体的に説明するが、 本発明は こ れに限定さ れる も のではない。
〔実施例 1 〕
母材 と して、 表一 1 の組成の原料粉末を振動 ミ ルを用 いて粉砕 し、 バイ ンダーを添加 した ものをプ レ ス成形お よ び成形加工し、 3 0 0 でにて脱バイ ン ダー後、 表一 2 に示した各条件にて焼結 し、 形状が、 内接円 : 1 2 . 7 m m、 厚み : 3 . 1 8 m m、 コ ーナ一 R : 0 . 8 m m、 逃げ角 : 2 0 ° であ る、 J I S B 4 1 0 3 に記載され ている S E G N 4 2 2 形状の W C基超硬合金製ス ロ ーァ ウ ェ イ チ ッ プを製造 した。 ま た、 必要に応 じて結合相除 去処理も施 した。
表一 1 母 材 組 成 (重量% ) a W C - 4 % C o
b W c - 5 % C o - 0. 4 ^ T a C - O. 2 % N b C c W C - 5. 5 % 0 0 9 % Ύ i C -
1 0 % T a C - 5 % N b C d W C - 1 1 % C o 1 0 % T i C -
1 2 % T a C e W C - 0. 5 1 I % C o
lIDL )^ 時間 (分) 雰 ffi気ガス ィ 1 4 *t00 CO ガス 80ΤΟΓΓ 口 1 Ί / V N2 ガス lOTorr
1 400 N2 ガス 200Torr
1 41Π UΩ V N2 ガス lOOatm
1 1Ω υΩI 90 N2 ガス lOOOatm へ
Figure imgf000027_0001
k ] (] () (]
I J / U
キ u υ
リ 1300 N2 ガス 200Torr ヌ 1400 1
ル 1400 10
ヲ 1400 1000
1400 90 N2 ガス 10一2 Torr まず、 研削肌 と焼結肌の比較を行う ため、 表一 3 に示 した内容の方法にて母材チ ッ プを加工 した。 なお、 チ ッ プの刃先処理の概略例を図 1 に示 した。 図 1 は、 一般に チ ヤ ン フ ァ ー ホ ーニ ン グ加工 と呼ばれてい る刃先処理で 、 図中 ひ は 2 5 ° 、 は 2 0 ° 、 L は 0 . 0 5 m m と し た。 なお、 刃先処理面加工、 上下面研削加工およ び側面 研削加工には、 市販の レ ジ ン ボ ン ド · ダイ ヤモ ン ド砥石 を用いた。 表一 3
Figure imgf000028_0001
こ の よ う に して準備 したチ ッ プの母材材質、 焼結条件 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成前の表面面粗度 R max 、 R max 結合相除去内容、 チ ッ プ加工方法を併せて表一 4 に示 し た。
こ れ らの準備チ ッ プを、 8 〜 1 6 z mのダイ ヤモ ン ド 砥粒を純粋に浮遊分散させてな溶液に浸漬 し、 当該溶液 に 5 分間、 4 5 k H z の超音波振動を与える こ と に よ り.、 傷つけ処理を行っ た。 公知の熱フ ィ ラ メ ン ト C V D法を 用いて下記条件にてダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 して、 本 発明ダイ ヤモ ン ド被覆ス ロ ーア ウ エ ィ チ ッ プ 1 )〜 23 ) を 製造 した。
反応管 石英 2 0 O m m
フ ィ ラ メ ン ト材質 W
フ イ ラ ン メ ン ト温度 2 1 0 0 °C
チ ッ プ表面温度 8 5 0 °C
雰囲気ガス 水素一 メ タ ン 2 ,
8 0 T 0 r r
被覆時間 1 〜 1 2 時間
各チ ッ プのダイ ヤモ ン ド被覆層層厚 も併せて表— 4 に 示 した。
なお、 表一 4 中の微視的面粗度 と は、 基材ー ダイ ヤモ ン ド被覆層界面において、 基準長さ を と した、 こ の微小区間内の面粗度の こ とであ り 、 本チ ッ プの断面 をラ ッ ピ ン グ観察 し、 写真撮影を行い、 ダイ ヤモ ン ド被 覆層 -基材の境界線を も つて被覆後の基材の表面面粗度 と し、 基準長さ 内の最高高 さ と最低高 さ の差を も っ て R ma x * と表現 した。 ま た、 R ma x は J I S B 0 6 0 1 に従い、 触針法にて測定 した。 こ の断面観察に よ り 、 焼結肌の表面改質層の層厚 も測定 し、 併せて表一 4 に示 93 202
- 28- した。
さ ら に、 断面観察を行っ たチ ッ プ No. 1 〜 No. 2 0 に 対 して、 母材表面部 と、 内部との ビッ カ ース硬度を、 2 0 0 g の荷重にて測定 した結果、 表面部硬度が比較例 チ ッ プ No. 9 * を除いて 5 〜 1 5 %向上している こ とを 確認 した。 さ らに、 C u — 線にて焼結肌上にダイ ヤ モ ン ド被覆層を形成した表面について回折曲線を測定 し た結果、 前記 した Α値が、 母材組成が c, d, e の も の に関 しては 0 . 0 5 〜 1 . 0 である こ とを確認 した。 例 えば、 本発明チ ッ プ No. 7 については、 A値は 0 . 0 7 であ っ た。 こ こで、 比較のため、 No. 2 1 のチ ッ プに関 して同様の調査を行っ た と こ ろ、 表面部の硬度上昇は認 め られず、 A値は 2 . 0 であ る こ とを確認 した。
ま た、 本発明チ ッ プ 2 1 のダイ ヤモ ン ド被覆層形成前 のチ ッ プ表面つま り母材組成が c であ り 、 研削加工を行 つ た母材表面の W C相の残留応力お よび周期律表の 4 a 、 5 a、 6 a 金属 (Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化 物、 酸化物、 ホ ウ化物、 ホ ウ炭化物、 ホウ窒化物、 ホ ウ 炭窒化物およびこれ らの固溶体の う ちの少な く と も 1 種 以上で構成される面心立方晶系の結晶構造を有する B ― 1 型固溶体の格子定数をそれぞれ公知の X線回折法にて 測定 した と こ ろ、 1 . 5 G P a、 4 . 3 6 5 Aであ っ た のに対 し、 本発明チ ッ プ 7 について同様の物性値を測定 した と こ ろ、 それぞれ 0 . l G P a 以下、 4 . 3 6 O A であ っ た。
本実施例において、 基材の表面に析出 した被覆層は、 ラ マ ン分光分析法に よ っ て、 ダイ ヤモ ン ドの特徴であ る 1 3 3 3 c m - 1に ピー ク が存在する こ とを確認 した。 ま た、 比較のため、 母材組成が表一 1 の a、 b、 c であ る 同形状の超硬チ ッ プ (それぞれ比較チ ッ プ A、 B、 C ) 上記の熱フ ィ ラ メ ン ト C V D法と同 じ条件にて、 S i 基 材の表面に 2 0 0 時間被覆を行い、 その後基材を酸にて エ ッ チ ン グ除去 し製造 した 0 . 3 m mの実質的に結合相 を含ま ない多結晶ダイ ヤ モ ン ド板を、 超硬台金 (表一 1 の b組成) にロ ウ付け し、 研削加工 して製造 した同形状 の多結晶ダイ ヤモ ン ドチ ッ プ (比較チ ッ プ D ) 、 市販の 結合相を 1 0体積%含有 したダイ ヤモ ン ド焼結体を超硬 合金 (表一 1 の b組成) にロ ウ付け し、 研削加工 して製 造 した同形状のダイ ヤモ ン ド焼結体チ ッ プ (比較チ ッ プ E ) 、 お よ び組成が S i 3 N 4 - 3 A 1 2 03 - 5 Z r 02 で同形状のチ ッ プを準備 し (全面研削肌、 図 1 の刃 先処理あ り ) 、 こ れを 1 8 0 0 °C、 5 a t mにて 1 時間 保持 し、 表面に長径 8 m、 短径 1 . の 自 由成長 した S i 3 N 4 柱状晶を析出させた基材に対 して、 上記 と同様の方法にて傷つけ処理を行っ た後ダイ ヤ モ ン ド被 覆層を形成 した窒化ゲイ 素セ ラ ミ ッ ク基材ダイ ヤモ ン ド 被覆チ ッ プ (比較チ ッ プ F ) を併せて準備 した。 なお、 比較チ ッ プ A〜 Eには刃先処理は施さ なか っ た。 これ らの切削チ ッ プを用いて、
〔旋盤に よ る連続切削試験 -耐摩耗性確認〕
被削材 A 1 - 1 8重量% S i 合金 (丸棒) 切削速度 1 0 0 0 m / m i n
送 り 0 . 2 mm/ r e v
切込み 1 . 0 mm
切削油 水溶性
切削時間 1 5分間
〔フ ラ イ ス盤に よ る断続切削試験一刃先強度確認〕 被削材 : A 1 - 1 8重量% S 合金 (プロ ク材)
切削速度 : 1 0 0 0 m / m i n
送 り : 0 . 4 m m r e v
切込み : 2. O mm
切削油 : 水溶性
切削時間 : 1 分間
の二条件にて切削 ^行い、 連続切削試験においては、 逃 げ面摩耗量、 切 り 刃の摩耗状態を観察 し、 断続切削試験 においては 1 6 コ ーナーを切削 し、 欠損 した刃先数を計 上 した。 こ の結果を、 併せて表— 4 に示 した。 表一 4
チ 焼 表 面 5)
ッ n 焼結肌面粗度 結合相 チップ ダイヤモンド 連 続 試 験 結 果 断続 プ 条 層 厚 太 丄
逃げ面摩耗量
No. 件 ( ) 丄:、 ρ * +方法2) 方法 ( m) 切 れ 刃 状 態 (mm) 結果4)
1 a 2. 0 1. 7 2. 1 一 5. 2 正 常 摩 耗 0. 1 6 1
2 a /ヽ 1. 5 1. 5 2. 1 ― 5. 0 正 常 摩 耗 0. 1 5 2
3 b ィ 4. 5 1. 6 2. 2 ― 4. 8 正 常 摩 耗 0. 1 4 2
4 b ハ 2. 5 1. 7 2. 6 ― 4. 7
I 正 常 摩 耗 0. 1 5 1
5 c ィ 1 0. 0 1. 8 2. 4 5. 2 正 常 摩 耗 0. 0 9 1
1
6 c Ρ 3. 0 4, 5 5. 7 * 1 5. 4 正 常 摩 耗 0. 0 8 2 04
1
7 c ノヽ 3. 5 6. 2 8. 9 5. 1 正 常 摩 耗 0. 0了 2
1
8 c リ 2. 5 3. 5 4. 5 5. 1 正 常 摩 耗 0. 0 7 3
1
9 c ヮ 3. 0 1. 3 1. 5 * 2 4. 5 2分間切削した時点で逃け面摩 7
耗量 0. 3 mmを越えた。
10 d ィ 1 5. 5 2. 2 2. 8 * 2 5. 3 正 常 摩 耗 0. 1 2 4
11 d ノヽ 3. 8 5. 5 7. 2 * 2 5. 1 正 常 摩 耗 0. 1 1 3
12 e 4. 0 2. 0 2. 2 * 2 4. 7 正 常 摩 耗 0. 1 8 3
13 e ノヽ 2. 4 1. 5 1. 8 * 2 5. 0 正 常 摩 耗 0. 1 6 5
4 (つづき)
Figure imgf000034_0001
なお、 表一 4 中、 注記は以下を意味する。
) : o . 9 *の表面には、 内部 と組成の異な る層が存 在したが、 結合相内部よ り 高 く な つ ていたため、 本発明にい う 表面改質層 と は異な る層が形成さ れ ていた (比較例) 。
) : 結合層除去方法
* 1 : 硝酸 5 % , 3 0 °Cにて 5 分間洗浄。 こ れに よ り 、 表面の滲み出 し C o は除去さ れた。 断面観 察の結果、 滲み出 し C o の下には硬質相にて形成 さ れた表面改質相が く ま な く 表面を覆っ てお り 、 こ れに よ り 基材内部に腐蝕相の存在は全 く 認め ら れなかっ た。
* 2 : * 1 と同 じ条件にで結合相除去。 表面に滲 み出 した結合相は除去さ れたが、 表面改質相に存 在する結合相 も腐蝕を受けた。
) : ダイ ヤモ ン ド被覆層層厚はチ ッ プの切 り 刃近傍 での平均層厚であ る。
) : 断続試験結果は、 比較チ ッ プ D、 E に関 して、 図 1 の刃先処理を施 し、 再度断続試験を行っ た結 果、 欠損 した刃数はそれぞれ、 1 0 、 8 コ ーナ一 に減少す る こ とを確認 した。
) : 面粗度については、 研削肌の R ma x 、 R ma x * は 1 . 0 / mであ っ た。
表 - 4 の結果か ら、 本発明チ ッ プの特に焼結肌の面の ダイヤモ ン ド被覆層の密着強度が優れる こ とが判る。 ま た、 本凳明チ ッ プにおいては基材に強靭な超硬合金を使 用 してお り 、 ダイ ヤモ ン ド焼結体、 多結晶ダイ ヤモ ン ド 板のロ ウ付工具と比較 して高い靭性を備える こ とが判る。 ダイ ヤモ ン ド被覆層を設けなかっ た超硬チ ッ プ (比較チ ッ プ A〜 C ) は、 刃先に被削材が溶着 して構成刃先を形 成し、 切削抵抗が向上して欠損 しやす く な つている のに 対 して、 本発明に よ る ものはその傾向 も大き く 低減可能 となる。 本結果よ り、 結合相の組成割合が高い母材を用 いた場合、 結合栢除去処理が必要な場合が多 く 、 こ のた め母材の強度が低下する場合 も あ る。 しか し、 その低下 の程度は少な く 、 超硬合金の強度を大き く 損な う も ので はない。 今回の実施例、 比較例の結果か ら は、 結合相成 分が比較的少な く 、 T i C、 T a C等が比較的多い組成 c を用いたチ ッ プが概して良好な結果を与えている こ と が判る。
〔実施例 2 〕
本実施例では、 熱処理肌と研削肌の比較を行う 。 母材 と して表一 1 の各種組成の混合粉末を準備 し、 実施例 1 と同様の方法にて、 混合、 成形 し (但 し 3 0 0 °Cにおけ る脱バイ ンダー処理を行わなかっ た) 、 表 2 の (条件ヮ) にて焼結を行い、 表一 3 に示 した加工を施 して実施例 1 と同形状の母材チ ッ プを準備 した。 こ れ らを、 表一 2 の 条件にて熱処理を行い、 チ ッ プ表面を熱処理肌と した。 このチ ッ プをさ ら に表一 5 に示 した加工を施す こ と に よ り、 一部表面ま たは全表面が熱処理肌 とな っ ている本発 明母材チ ッ プを準備 した。
表一 5
Figure imgf000037_0001
こ の よ う に して準備 したチ ッ プの、 母材材質、 焼結後 の加工方法、 熱処理条件、 熱処理肌表面に存在する改質 層層厚、 熱処理肌の表面面粗度 R max 、 熱処理後の加工 方法を併せて表— 6 に示 した。
これ らの母材チ ッ プに、 実施例 1 と同様の超音波振動 に よ る傷つけ処理を施 した後、 公知のマイ ク ロ波プラ ズ マ C V D法を用 いて、 発振周波数 2 . 4 5 G H z 、 チ ッ プ表面温度 8 7 0 で、 全圧 5 0 T 0 r r の H 2 2 % - C H 4 ガス中にて 1 〜 1 5 時間保持 して、 ダイ ヤモ ン ド 被覆層を形成 して本発明ダイ ヤモ ン ド被覆チ ッ プ 2 4 〜 5 1 を製造 した。 こ 、 で本発明チ ッ プ 5 0、 5 1 は熱処 理のプロ セス とダイ ヤモ ン ド被覆層形成のプロ セスを同 —の容器を用いて行っ た。 また、 本発明のダイ ヤモ ン ド 被覆チ ッ プ 5 2、 5 3 については、 ダイ ヤモ ン ド被覆層 形成後、 ダイ ヤモ ン ドブラ シによ り 本チ ッ プの逃げ面お よ びす く い面の切れ刃近傍およ び/ま たは刃先処理面の ダイ ヤモン ド被覆表面の面粗度を、 R m a xで 0 .
となる までラ ッ ピ ン グ加工を施 した。 本実施例において、 基材の表面に析出 した被覆層は、 ラマ ン分光分析法に よ つ て、 ダイ ヤモ ン ドの特徵であ る 1 3 3 3 c m -1に ピ一 ク が存在する こ とを確認 した。 ダイ ヤモ ン ド被覆層形成 後の断面観察によ る R max * も併せて表— 6 に示 した。
さ ら に、 断面観察を行っ たチ ッ プ No. 2 4〜 5 1 に対 し、 母材表面部 と、 内部 との ピッ カ ース硬度を、 2 0 0 g の荷重にて測定 した結果、 表面部硬度が 5 〜 1 5 %向 上 している こ とを確認 した。
さ ら に、 C u — Κ α線にて熱処理肌上にダイ ヤモ ン ド 被覆層を形成 した表面について回折曲線を測定 した結果、 前記 した Α値が、 母材組成が c、 d、 e の ものに関 して は、 0 . 0 . 5〜 1 . 0 であ る こ とを確認 した。 例えば、 本発明チ ッ プ No . 3 0 については、 A値は 0 . 0 6 8 で あ っ た。 ま た本発明チ ッ プ 3 0 について実施例 1 と同様 基材表面の W C相の残留応力および B - 1 型固溶体の格 子定数を測定 した と こ ろ それぞれ 0 . l G P a 以下で 4 . 3 6 1 人であ っ た。
こ れ らの製造チ ッ プを用いて、 実施例 1 と全 く 同 じ 続切削試験お よ び断続切削試験を行っ た。 こ の結果 も併 せて表一 6 に示 した。 表一 4 の結果 と照 ら し合わせてみ る と、 熱処理肌上の ダイ ヤモ ン ド被覆層 も焼結肌上の ダ ィ ャモ ン ド被覆層 と同様、 高い密着力を示す こ とが判る。 ま た、 熱処理肌チ ッ プを母材 と した場合で も 、 ダイ ヤモ ン ド焼結体、 多結晶ダイ ヤモ ン ド板の ロ ウ付け工具 と比 較 して高い靭性を備える こ とが判 る。 特開昭 6 1 一 1 2 4 5 7 3 号公報等にて開示さ れている ダイ ヤモ ン ド被覆 層の密着力を高める技術 と して、 ダイ ヤモ ン ド砥石等に よ る傷付け処理があ るが、 こ れを 3 次元の複雑形状を有 する基材に対 して適用する のは困難であ る。 しか し、 本 発明に よれば、 いかな る複雑な形状を有する基材に対 し て も高い密着力を もつダイ ヤモ ン ド被覆層を形成する こ とができ る ので、 本発明は表面処理 と しての 自 由度 も高 い とい う 大き な特長 も あ る。 本実施例では、 焼結肌 と熱 処理肌が混在 しない場合についてのみの評価を行っ たが、 こ れ らが混在 して も ダイ ヤモ ン ド被覆層の密着力 に変化 はなレ、こ とが予想さ れる。 表— 6
チ 母 s 、, f ,、
アc.、
ツ ノ 埶 M 8) —c
衣 El
熱処理肌面粗度 結合相 ダイヤモンド
'ソ 連
材 fi 験 結
後チソプ 果
改鶴 断続 プ ネオ 加ェ 理 "T" 被覆層
試験
No. 方法 条 刀 ■fi Un 丄 暦 厚 除去
層厚 9)
れ 刃 状 逃げ面摩耗量
件 方法 ( m ) Λ max R * 切
方法7) β τη) (mm) 結果
24 a VI ィ K 1. 9 1. 6 9 9 ― 6. 7 正 常 摩 耗 0. 1 5 2
25 a VI κ 1. 6 1. 8 9 R ― 7. 1 正 摩 耗 0. 1 4 2
26 b m ィ κ 4. 7 1. 5 2. 4 6. 8 正 吊 摩 耗 0. 1 4 3
27 b vm κ 2. 4 1. 8 2. 8 ― 6. 5 正 常 摩 耗 0. 1 5 2
28 c \ι ィ K 1 2. 5 2. 5 3 7 6. 9 正 常 耗 0. 0 8 2
29 c VI P κ 3. 5 4. 7 6 0 * 1 6. 3 正 常 耗 0. 0 7 2
30 c VI κ 00
3. 6 6. 5 8. 1 7. 0 正 常 0. 0 6 2
31 c vm 二 κ 4. 5 6. 6 8. 8 ― 6. 6 正 常 耗 0. 0 6 1
32 c ホ κ 5. 5 6. 6 9. 5 * 1 6. 5 正 常 0. 0 6 0
33τ c w へ κ な I? 1. 0 1. 3 被覆層が冷却中に自発的 {: :剝離した
34 c w 卜 κ 1. 0 1. 1 1. 5 6. 8 微 小 剝 離 有 0. 2 3 1
35 c m チ κ 2. 0 1. 7 2. 5 7. 2 正 常 耗 0. 1 8 2
36 c m リ κ 3. 2 2. 5 3. 7 * 1 7. 1 正 常 摩 耗 0. 0 8 2
表一 6 (つづき)
チ 母 埶
チップ 熱 相 ダイヤモンド 続 5J 験 果 断 fee ッ ォ -処理 表 面
後 ソフ 改質層 熱処理肌面粗 sf 結合
被覆層
プ 材 加ェ 加ェ 除去 げ面摩耗量 試験 ffS- ヽ
N 切 れ 刃 状 態 逃
o. m 万法 万 法 (鋒) R max A niax 方法 (mm 結果
37 c \ ヌ 7よし 1. 0 1. 4 被覆層が冷却中に自発的 ίニ剝離した
38 c VI ノレ IX 0. D 1. 2 1. 7 6. 7 微 小 剝 離 有 0. 2 2 2 on c Vi TV
プ 1Λ 5. 5 7. 0 9. 1 * 2 6. 9 正 常 耗 0. 0 8 1 2
4U c vm TV
V 5. U 2. 7 3. 5 木 L 6. 2 2分間切削した時点で逃げ面摩耗量 3· 0咖越えた。 3
41 c Vll ノヽ A 0. 0 6. 5 8. 1 6. 2 すくい面に微小剥離有 0. 1 5 4 c Vll ノヽ ν τ
X I o. b 6. 5 8. 1 7. 1 逃げ面に微小剥離有 0. 2 6 4
4 c Vll /ヽ ν Aτl τl o. b 6. 5 8. 1 6. 9 N L面に微小剝離有 0. 1 5 3
44 c vm ノヽ 1Λ . b 6. 5 8. 1 0. 4 正 常 耗 0. 3 5 2
40 c VJll ノヽ 1Λ . b 6. 5 8. 1 1 5. 1 正 常 耗 0. 0 5 3 ノ
4b c Vlll ΐΛ 1 b 2. 5 3. 0 氺乙 6. 9 正 常 耗 0. 1 1 4
4 / c 環 /ヽ TV Q
ΙΛ 0. 0 0. Z に ί ^ L 6. 4 正 常 耗 0. 1 2 3
4只 V Q [ ^ o
し Vltl ィ T
1 ΙΛ ό. J 4. 0 4. 3 C 6. 5 正 常 耗 0. 1 9 5
49 c \1 ノヽ K 2. 5 1. 3 1. 6 * 2 6. 5 正 常 耗 0. 1 7 4
50 c m ィ IX 1 2. 4 3. 8 7. 5 正 常 耗 0. 0 7 2
51 c m ノヽ K 3. 6 8. 0 7. 0 正 常 耗 0. 0 7 3
52 c w ノヽ κ 3. 6 5. 3 7. 5 1 5. 2 正 常 耗 0. 0 4 4
53 c m ハ κ 3. 7 5. 5 7. 7 1 4. 7 正 常 耗 0. 0 5 2
なお、 表— 6 中、 注記は以下を意味する。
6 ) : No.40 * の表面改質層 とは、 表— 4 の No.9* 同 様、 結合栢成分が内部よ り 高 く 、 T i C、 T a C 等の硬質相成分の存在割合が減少 してお り 、 本発 明にい う もの と は異な る表面改質曆が形成されて いた (比較例) 。 また、 No.40 * の連続試験結果 は表— 4 の比較チ ッ プ C と同等であ っ た。
) : 結合層除去方法における * 1 、 * 2 の内容は 表— 4 と同 じであ る。
) : 研削肌の R max 、 R max * は 1 . 0 mであ つ た。
) : ダイ ヤモ ン ド被覆層層厚はチ ッ プの切 り 刃近傍 での平均層厚の こ とであ る。
0 ) : 表面改質曆な し、 とは断面の光学顕微鏡によ る観察限界以下の こ とである。
〔実施例 3 〕
原粉末 と して、 下記表 7 に示す組成 A〜 F の粉末を準 した :
組成 f : 炭化夕 ン グス τ ン ( w c )
組成 g : W C -— 0. 5 W t % c 0
組成 h : W C 4 W t % C 0
組成 i : W C 5 W t % C 0 0. 5 w t %
T a C 0. 5 t % N b C
組成 j : W C 1 0 w t % C 0 1 0 t %
T i C 1 1 t % T a c
組成 k : 夕 ン グス丁 ン ( W ) 表 7 の組成を有する各粉末を組み合わせ、 本文中に列 挙 した方法に よ っ て、 下記表 8 に示す表面改質層を有す る タ ン グステ ン基超硬合金製の基材をそれぞれ製造 した ただ し焼結条件は、 組成 E の粉末を含む ものについては N 2 ガス中において 1 3 5 0 °Cの温度及び 1 0 0 0 atra の圧力で 1 時間 と し、 それ以外については A r ガス中に おいて 1 3 5 0 °Cの温度及び 5 a t mの圧力で 1 時間 と した。 尚、 基材の形状は、 内接円 1 2 . 7 m m、 厚み 3 . 1 8 m m、 コ ーナ一 R 0 . 8 m m及び逃げ角 2 0 ° の J I S B 4 1 0 3 に記載さ れてレ、 る S E G N 4 2 2 形状のス ロ ーァ ウ ェイ チ ッ プ形状と した。
製造 した各基材を粒径 8 〜 1 6 mのダイ ャモ ン ド砥 粒 2 gと共にエチルアルコ ール中に投 じ、 1 5 分間の超 音波振動を与えて傷付け処理を行っ た。 その後、 各基材 を 2 . 4 5 G H z の 〃 波プラ ズマ C V D装置に入れて 9 0 0 °Cに加熱 し、 全圧を 8 O T o o r と した水素— 2 % メ タ ン の混合プラ ズマ中に 1 . 5 〜 3 0 時間保持 して 層厚 2 〜 4 0 mのダイ ヤモ ン ド被覆層を形成する こ と に よ り 、 下記表 8 に示す本発明例のダイ ヤモ ン ド被覆切 削チ ッ プ 5 2 〜 6 0 を作製 した。
比較のため、 通常の焼結法に よ り 上記 と同一のスロ ー ァ ウェイ チ ッ プ形状で全体が均一組成の (表面改質層を 有 しない) タ ン グステ ン基超硬合金製の基材をそれぞれ 製造 した。 各基材に、 超音波振動によ る傷付け処理を行 わずに、 上記 と同様に してダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 し、 下記表 8 に示す比較例のダイ ヤモ ン ド被覆切削チ ッ プ 6 1 〜 6 3 を作製 した。 尚、 得 られた本発明例及び比較 例の各チ ッ プ 5 2 〜 6 3 のダイ ヤモ ン ド被覆層について、 ラ マ ン分光分析法によ っ てダイ ヤモ ン ドの特徴であ る 1 3 3 3 c m—1の ピー ク を確認した。
表一 8
チップ 製造 基材 表面改質層 ダンャモ ン ド
み口 —ヽ 被覆層厚
Να 方法 組成 成 層〗字 ( m) ( ra)
52 (ィ) C A 20 10
53 (ィ) D - Β A 30 8
54 (ィ) Ε A 15 6
55 (ィ) Ε B ¾0 20
56 (口) D A 80 40
57 (口) Ε B 200 2
58 (ハ) C A 100 6
59 (ハ) C F 15 12
60 (二) Ε A 25 10
61 常法 C な し 0 10
62 常法 D な し 0 8
63 常法 Ε な し 0 15
(註) チ ッ プ 5 3 の基材組成 D — B は、 組成が段階的に 変化 してお り 、 内部側が組成 D及び表面改質層側が 組成 B であ る こ とを意味する。 又、 チ ッ プ 6 0 の表 面改質層組成は W ( F ) に W C が若干混合 さ れてい た。
得 られた各ダイ ヤ モ ン ド被覆切削チ ッ プ 5 2 〜 6 3 を いて、 被削材 : A 1 — 1 8 w % S i 合金 (ブロ ッ ク材)
切削速度 : 7 0 0 m m i n .
送 り : 0 . 3 mmZ r e v .
切 り込み : 2 . O mm
の各条件で断続切削試験を行い、 本発明例チ ッ プ 5 2〜 6 0 については 2 0 分後の逃げ面摩耗量及び比較例チ ッ プ 6 1 〜 6 3 については 1 分後の逃げ面摩耗量をそれぞ れ測定する と共に、 切れ刃の摩耗状態を観察 し、 結果を 下記表 9 に示 した。
表一 9 チ ッ プ Να 逃げ面摩耗量 ( mm ) 切れ刃等の状態
5 2 0. 0 8 正常摩耗
5 3 0. 0 6 正常摩耗
5 4 0. 0 9 正常摩耗
5 5 0. 1 1 微小剝離ぁ り
5 6 0. 0 9 正常摩耗
5 7 0. 1 3 微小剝離あ り
5 8 0. 0 9 正常摩耗
5 9 0. 1 2 正常摩耗
6 0 0. 0 6 正常摩耗
6 1 * 0. 2 4 正常摩耗
6 2 * 0. 3 0 正常摩耗
6 3 * 0. 2 8 正常摩耗 註) 表中の * 印は比較例であ る。
【 0 0 6 8 】
上記試験結果か ら、 本発明例のチ ッ プ 5 2〜 6 0 は比 較例のチ ッ プ 6 1 〜 6 3 に比べてダイ ヤモ ン ド被覆層の 密着強度に優れ、 切削工具 と して耐摩耗性に優れてい る こ とが分かる。 更に本発明例の中では、 表面改質層 に結 合相を含ま ないチ ッ プ 5 2、 5 4 、 5 6 、 5 8 、 6 0 が 切れ刃 に微小な剝離 も発生せず、 ダイ ヤモ ン ド被覆層の 密着強度が特に優れている こ とが分かる。
〔実施例 4 〕
本実施例では ド リ ルへの適用を示す。 母材と して、 材 質が W C - 9 重量% T i 一 6 重量 T a C - 3 重量% N b C — 7重量% C o、 形状が J I S · 4 3 0 1 の ツ イ ス ト ド リ ルで、 径 ø 8 m mの超硬 ド リ ルを準備 した (全 面研削面) 。 こ の ド リ ルを、 1 3 5 0 °Cの 1 0 0 Torrの Ν 2 雰囲気にて 6 0 分間熱処理 した本発明 ド リ ル母材一 ド リ ル (あ) 、 1 3 5 0 °Cの 1 0 O T o r r の C O雰囲 気にて 6 0 分間熱処理した本発明 ド リ ル母材一 ド リ ル (レヽ) 、 1 3 0 0 °Cの l O O a t mの N 2 雰囲気にて 6 0 分間熱処理 した本発明 ド リ ル母材一 ド リ ル ( う ) を 準備 し、 各々 に実施例 2 と同様の公知のマイ ク 口波ブラ ズマ C V D法を用いて、 約 4 / mのダイ ヤモ ン ド被覆曆 を ド リ ル先端か ら シ ャ ン ク方向にむかっ て 3 O m mの深 さ に形成 した本発明 ド リ ル (あ) 、 (い) 、 ( う ) を製 造 した。 さ らに、 本発明 ド リ ル ( う ) の一部表面をダイ ャモ ン ド砥石お よ びダイ ヤモ ン ドブラ シを用いて R max で 0 . 2 mまで研磨加工 した本発明 ド リ ル (え) も準 備 した。
なお、 比較のため、 熱処理前の ド リ ルを比較 ド リ ル (お) と して、 熱処理を行わなかっ た ド リ ルに同様のダ ィ ャモ ン ド被覆層を形成 して作成 した比較 ド リ ル (か) を準備 した。 こ れ らの ド リ ルに対 して、 下記条件にて寿命ま で穴明 け加工を行っ た。
被削材 : A 1 — 2 1 重量% S i 合金
切削速度 : l O O m Zm i n
送 り 速度 : 0 . 2 4 m m / r e v
深 さ : 5 0 m m
切削油 : 水溶性
寿命判断 : 外周逃げ面摩耗量が 0. 1 mmに達する 時点、 ま たは折損 した時点
こ の試験結果を下記表一 1 0 に示す。
表一 1 0
Figure imgf000049_0001
表— 1 0 に示す結果か ら も、 本発明 ド リ ルは、 非常に 高いダイ ヤモ ン ド被覆層 と基材 と の密着力を有する こ と が判る。 さ らに、 その表面を研磨加工する こ と に よ り 、 バ リ の発生が低減、 加工穴品質が向上 した。 さ らに こ の 結果か らその寿命を延長でき る こ と も判る。 こ れによ り 、 従来ロ ウ付け法では安価かつ大量な製造が困難と された
3 次元形状の基材に対 して も、 本発明を用いれば強固に 密着 したダイ ヤモ ン ド被覆層の形成が可能 とな る。 本発 明は、 エ ン ド ミ ル等に も利用でき る こ とは容易 に推測で き る こ とであ る。
〔実施例 5 〕
本実施例では酎摩工具への適用例 と して、 電子部品実 装用工具であ る突き上げ ピ ンへの適用を示す。 母材材質 と して、 実施例 3 と同組成で、 直径 0 . 6 m m、 全長 1 O m m、 先端 Rが 3 0 mの突き上げ ピ ンを製造 した。 こ れを、 1 3 0 0 °Cの 1 0 O a t mの N 2 雰囲気にて 6 0 分間熱処理 し、 さ ら に実施例 2 と同様の方法にて層 厚 3 /z mのダイ ヤ モ ン ド被覆層表面に形成 した。 こ こ で、 比較のために同形状の天然ダイ ヤモ ン ド製の比較ピ ン と、 熱処理を施さずダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 した超硬 ピ ン も併せて準備 した。
こ れ らを、 厚さ 8 0 〜 9 0 〃 mの拈着テープにて搬送 さ れる電子部品 ( 2 m m X 3 m m x O . 3 m m t ) を突 き上げ荷重 4 0 〜 5 0 g、 突き上げ量 1 . 4 m mにて突 き上げ耐摩試験を行っ た。 本 ピ ン の寿命は、 ピ ンが粘着 テープを突き破る こ とが出来な く な っ た時点を も っ て寿 命 と した。 各 ピ ン の寿命を表— 1 1 に示す
表一 1 1
Figure imgf000051_0001
表一 1 1 に示す結罘か り 、 本発明 ピ ン は天然ダイ ヤモ ン ド ピ ン と同 じ寿命を持つ こ とが判 る。
本発明を T A B ツ ール、 ルー タ ー等の耐摩工具や各種 機械部品等に応用 して も、 良好な結果が得 られる こ と は 容易に類推でき る
産業上の利用可能性
本発明のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料においてはいずれ も、 従来のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 と比べダイ ヤモ ン ド膜の耐剝離性が良好であ り 、 かつ天然ダイ ヤモ ン ドや ダイ ヤモ ン ド焼結体や多結晶ダイ ヤモ ン ド と同等の耐摩 耗性を持ち、 かつ高い強度を持つ こ と は明 らかであ る。 ま た、 天然ダイ ヤモ ン ドや、 ダイ ヤモ ン ド焼結体や多結 晶ダイ ヤモ ン ドを用いた場合 と比べて、 高い形状自 由度 を持ち且つ安価に、 大量に製造でき る とい う 長所 も備え ている。 また、 本発明の実施例と して切削工具、 耐摩ェ 具の場合を示したが、 こ の他各種切削工具、 耐摩工具、 各種機械部品、 砥石な どに本発明を適用 した場合 も、 良 好な結果が得 られる こ とは、 十分予想でき る。

Claims

請 求 の 範 囲
. 炭化タ ン グステ ンか らな る硬質相又は炭化タ ン グス テ ン と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( タ ン グス テ ンを除 く ) の炭化物、 窒化物又は炭窒化物の少な く と も 1 種以上の固溶体 とか らな る硬質相 と、 結合相及 び不可避的不純物を含むタ ン グステ ン基超硬合金か ら な る基材 と、 基材の表面に形成された表面改質層 と、 表面改質層上に形成さ れた ダイ ヤモ ン ド又はダイ ヤモ ン ド状炭素か らな る ダイ ヤモ ン ド被覆層 と を備え、 前 記表面改質層 は結合相を含ま ない夕 ン グステ ン及び / 又は炭化タ ン グステ ンか、 若 し く は基材内部に比べ組 成割合が少ない結合相 と 夕 ン グステ ン及び /又は炭化 タ ン グステ ンか らな る こ と を特徵 とする ダイ ヤモ ン ド 被覆硬質材料。
. W C基超硬合金を基材材質 と し、 該基材表面に ダイ ャモ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料において、 該基材最表面に表面改質層が存在 し、 該 表面改質層 は結合相を含ま ない若 し く は結合相の組成 割合が該基材内部に比べ少ない も のであ る こ と を特徵 とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
. W C 基超硬合金を基材材質 と し、 該基材表面に ダイ ャモ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料において、 該基材の表面におけ る (1)W C お よ び ま たは (2)W C と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素
(Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホウ炭化物、 ホウ炭窒化物の う ちの 1 種以 上 との固溶体の少な く と も 1 種以上 およ び Zま たは (3)周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホ ゥ炭化物、 ホウ炭窒化物の う ちの少な く と も 1 種以上 または 2種以上の固溶体か らな る硬質層の組成割合が、 該基材の内部のそれに比べて高 く な っ ている こ とを特 徵とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
. W C基超硬合金を基材材質と し、 該基材表面にダイ ャモ ン ド被覆層を設けてなる ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料において、 該基材最表面に表面改質層が存在 し、 該 表面改質層は結合相を含まない若 し く は結合相の組成 割合が該基材内部に比べ少ない も のであ り 、 且つ該表 面改質層の硬質栢は (1)W Cおよ び Zま たは (2)W C と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (Wを除 く ) の 炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホウ 炭化物、 ホウ炭窒化物の う ちの 1 種以上との固溶体の 少な く と も 1 種以上、 および Zまたは (3)周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 (Wを除 く ) の炭化物、 窒化 物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホウ炭化物、 ホウ 炭窒化物の う ち の少な く と も 1 種以上または 2種以上 の固溶体、 お よ び (4)不可避的不純物か らな る も ので あ る こ とを特徵とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
. 上記表面改質層の層厚が 0 . 0 1 〜 2 0 0 〃 mであ る こ とを特徵 とする請求の範囲第 1 項ない し請求の範 囲第 4 項のいずれかに記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料。
. W C基超硬合金を基材材質 と し、 基材表面に ダイ ヤ モ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 において、 少な く と も基材表面の一部は焼結肌と し、 少な く と も 当該焼結肌の部分にダイ ヤモ ン ド被覆層を 形成 してのダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
. W C基超硬合金を基材材質 と し、 基材表面にダイ ヤ モ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 において、 少な く と も基材表面の一部は焼結肌と し、 該焼結肌表面に存在する結合相を除去 した少な く と も 当該焼結肌の部分にダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 してな る こ とを特徴 とする請求の範囲第 1 項ない し請求の範 囲第 6 項のいずれかに記載の ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材 料。
. W C基超硬合金を基材材質 と し、 基材表面にダイ ヤ モ ン ド被覆層を設けてな る ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 において、 基材を任意の形状に加工 した後、 当該基材 を熱処理する こ と に よ り 、 基材表面性状の少な く と も 一部は熱処理肌と した基材の少な く と も一部表面ま た は全表面上に ダイ ヤモ ン ド被覆層を形成 してな る こ と を特徴 とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
9 . W C基超硬合金を基材材質 と し、 基材表面にダイ ヤ モ ン ド被覆層を設けてなる ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 において、 基材を任意の形状に加工 した後、 当該基材 を熱処理する こ と によ り 、 基材表面性状の少な く と も —部は熱処理肌と し、 表面の結合相を除去 した該熱処 理肌表面の少な く と も一部表面または全表面上にダイ ャモ ン ド被覆層を形成してなる こ とを特徵とする請求 の範囲第 1 項ない し請求の範囲第 8 項のいずれかに記 載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
0. 上記ダイ ヤモ ン ドを被覆する基材表面の表面面粗度 が、 R ma x で 1 . 5 m以上であ る こ とを特徴とする 請求の範囲第 1 項ない し請求の範囲第 9 項のいずれか に記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
1 . 上記基材はその内部か ら表面に向かって結合相がほ ぼ連続的または段階的に減少 している も のであ る こ と を特徵とする請求の範囲第 1 項ない し請求の範囲第 1 0 項のいずれかに記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
2. 上記基材中の硬質相の粒径が、 l m以上であ る こ とを特徵 とする請求の範囲第 1 項ない し請求の範囲第
1 1 項のいずれかに記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。3. 上記ダイ ヤモ ン ド被覆層の層厚が 0 . 5 〜 3 0 0 mであ る こ とを特徵 とする請求の範囲第 1 項ない し請 求の範囲第 1 2 項のいずれかに記載のダイ ヤモ ン ド被 覆硬質材料。
14. 上記ダイ ヤモ ン ド被覆層の表面の面粗さ が R m a x で 0 . 5 z m以下であ る こ とを特徵 とする請求の範囲 第 1 項ない し請求の範囲第 1 3 項のいずれかに記載の ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
15. 上記基材表面部の硬度が、 該基材内部に比べて少な く と も ビ ッ カ ース硬度にて 5 %以上高い こ と を特徴 と する請求の範囲第 1 項ない し請求の範囲第 1 4 項のい ずれかに記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
16. 上記ダイ ヤモ ン ド被覆層の表面か らの C u — Α α:線 に よ る回折曲線において、 炭化タ ン グステ ン の ( 101) 面の回折強度比率 と、 周期律表 4 Α、 5 Αお よ び 6 Α 金属 ( Wを除 く ) の炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化 物、 ホ ウ化物、 ホ ウ窒化物ま たはホ ウ炭窒化物の 1 種 以上の Β 1 型固溶体の ( 2 0 0 ) 面の回折強度比率と を比較 して、 前者の方が小さ い こ と を特徴 とする請求 の範囲第 1 項ない し請求の範囲第 1 5 項のいずれかに 記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料。
17. 上記基材材質が、 (1)W C およ び Ζま たは (2)W C と周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wを除 く ) の 炭化物、 窒化物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ 化物、 ホ ウ 炭化物、 ホ ウ炭窒化物の う ちの 1 種以上 との固溶体の 少な く と も 1 種以上、 お よ び /ま たは (3)周期律表の 4 A、 5 A、 6 A族元素 ( Wを除 く ) の炭化物、 窒化 物、 炭窒化物、 酸化物、 ホウ化物、 ホウ炭化物、 ホ ウ 炭窒化物の う ちの少な く と も 1 種以上ま たは 2 種以上 の固溶体か らな る硬質相、 (4) 鉄系金属か らな る結合 相、 およ び (5)不可避的不純物を含む W C基超硬合金 である こ とを特徵 とする請求の範囲第 1 項ない し請求 の範囲第 1 6 項のいずかに記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬 質材料。
1 8. 上記基材となる超硬合金の焼結を、 N 2 および/ま たは C Oの分圧が 1 T o r r 以上の雰囲気にて行い、 得られた焼結体の少な く と も一部表面を焼結肌と し、 少な く と も該焼結肌の一部表面にダイ ヤモ ン ド被覆層 を設ける こ とを特徴とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料 の製造法。
1 9. 上記基材とな る超硬合金の焼結を行い、 目 的形状に 加工した後、 9 0 0 〜 1 5 0 0 °C以上の温度で、 N 2 およ び Zまたは C O の分圧が 1 T o r r 以上の雰囲気 にて 1 0 分間〜 5 時間熱処理を行い、 該基材の少な く と も一部表面を熱処理肌と し、 次いで該熱処理肌の少 な く と も一部にダイ ヤモ ン ド被覆層を設ける こ とを特 徵とする ダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料の製造法。
20. 上記熱処理は、 焼結圧力を 1 0 〜 3 0 0 0 気圧の条 件で熱間静水圧プ レスを行な う こ とを特徵 とする請求 の範囲第 1 8 項記載のダイ ヤモ ン ド被覆硬質材料の製 造法。
21 . 熱処理工程と ダイ ヤモ ン ド被覆層形成工程を同一容 器ま たは一部が連続 した複数の容器を用いて こ れ らの 工程を連続的に行う こ とを特徵 とする請求の範囲第 1 8 項ない し請求の範囲第 2 0 項の何れかに記載のダイ ヤ モ ン ド被覆硬質材料の製造法。
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