TWM529277U - 顯示模組封裝結構 - Google Patents

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何信儒
吳建霖
江歡
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上海和輝光電有限公司
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Description

顯示模組封裝結構
本新型涉及顯示元件技術領域，尤其涉及一種顯示模組的封裝結構。
在電子設備的顯示元件中，用於產生光源的諸如無極發光二極體（LED）或有機發光二極體（OLED）等顯示電子元件是顯示元件能否正常工作的關鍵元件，但上述的電子元件極易受到外部環境中的濕氣及氧氣等的侵蝕，故為了確保電子元件的正常運行需要對顯示電子元件進行隔離保護。
目前，主要是利用玻璃膠（Frit）將蓋板玻璃固定在陣列基板上，以將設置在陣列基板上的顯示電子元件予以密封；如第一圖所示，傳統的顯示模組的封裝結構中，陣列基板11上設置有顯示模組12，通過利用玻璃膠13將蓋板玻璃14黏貼在陣列基板11之上，以將顯示模組12予以密封。
但是，由於玻璃膠13本身的特性及蓋板玻璃14與陣列基板11之間具有空隙等缺陷，使得第一圖中所示的封裝結構的機械強度較弱，當遇到外部衝力時極易產生破損，尤其是在使用壽命測試時上述的封裝結構極易產生縫隙而使得外部的環境中的破壞性氣體侵入至封裝結構中，致使上述的顯示模組12受到侵蝕，甚至會直接導致顯示模組12在外部衝擊時受到損傷，進而致使顯示元件無法正常工作。
鑒於上述技術問題，本申請提供了一種顯示模組封裝結構，包括： 陣列基板，表面設置有顯示模組； 凸起結構，設置於所述陣列基板的表面且位於所述顯示模組的周邊； 第一薄膜層，覆蓋所述顯示模組及介於所述顯示模組與所述凸起結構之間所述陣列基板的部分表面，以將所述顯示模組密封； 第二薄膜層，覆蓋所述第一薄膜層及所述凸起結構的部分表面；以及 第三薄膜層，覆蓋所述第二薄膜層、所述凸起結構的部分表面和所述陣列基板的部分表面。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述陣列基板上還設置有與所述顯示模組連接的薄膜電晶體顯示電路，用以驅動所述顯示模組工作。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述陣列基板為低溫多晶矽基板。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述顯示模組具有用於光線射出的發光表面及相對於所述發光表面的背光表面；以及 所述顯示模組的背光表面貼合於所述陣列基板表面上，所述第一薄膜層覆蓋所述顯示模組的發光表面。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述顯示模組為OLED顯示模組。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述凸起結構為多層薄膜疊加結構。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述凸起結構的材質為含有亞胺基團和苯環的雜環聚合物。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述凸起結構的厚度大於所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的厚度之和。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述第一薄膜層和所述第三薄膜層的材質均為無機材料，所述第二薄膜層的材質為有機材料。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述第一薄膜層的材質為具有阻水氧及透明特性的金屬氧化物或氮化矽。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述第二薄膜層的材質為具有緩衝及透明特性的丙烯酸樹脂類化合物。
作為一個優選的實施例，上述的顯示模組封裝結構中： 所述第三薄膜層的材質為氮化矽。
上述技術方案具有如下優點或有益效果： 本申請中的技術方案中的顯示模組的封裝結構，可用於製備AMOLED等相關的顯示元件，主要是通過利用薄膜封裝結構（Thin Film Encapsulation Structure）將顯示模組（如OLED顯示模組）予以密封保護，即利用具有阻水氧特性且透明的無機薄膜層將顯示模組予以密封，並通過在無機薄膜層之外製備有機模組來緩衝膜層內外部應力，製作柔性元件時，可抑制因彎曲應力造成膜層脫落。同時多層疊加形成的凸起結構能夠有效抑制無機層鍍膜擴散效應，增加薄膜元件側面阻水擋牆的數量，可有效提升封裝效果。且在鍍膜工藝中起支撐金屬掩膜版作用，防止其損傷到基板面圖案。再者，利用薄膜封裝代替玻璃Frit膠封裝技術而言，整個顯示元件的機械強度得到有效提升。
下面結合附圖和具體的實施例對本新型作進一步的說明，但是不作為本新型的限定。
本申請中提供的顯示模組的封裝結構及其製備方法，主要是通過利用薄膜封裝技術（Thinning Film Encapsulation ）對設置在陣列基板上的顯示模組（如OLED顯示等）進行封裝，即利用具有阻擋水氧的無機薄膜層對顯示模組進行密封後，再利用具有緩衝性能的有機薄膜層覆蓋上述的無機薄膜層，以緩衝膜層內外部應力，利於柔性元件製作；同時，在顯示模組的週邊還設置有用於一定強度的凸起結構，阻擋無機層鍍膜擴散效應，增加薄膜元件側面阻水效果。且在鍍膜工藝中起支撐金屬掩膜版作用，防止其損傷到基板面圖案。再者，利用薄膜封裝代替玻璃Frit膠封裝技術而言，整個顯示元件的機械強度得到有效提升。
下面結合附圖和具體實施例對本新型的顯示模組的封裝結構進行詳細說明。
實施例一
第二圖~第五圖為本申請實施例中製備顯示模組封裝結構的流程示意圖；如第二圖~第五圖所示，本申請提供了一種顯示模組封裝結構的製備方法，可包括如下步驟：
首先，如第一圖所示，基於一襯底基板（如低溫多晶矽（Low Temperature Poly Silicon ，簡稱LTPS）基板）的基礎上進行顯示元件的陣列（array）工藝，以形成陣列基板21；上述的陣列基板21上可設置有顯示區和鄰接顯示區而設定的非顯示區中，在顯示區的陣列基板21上主要用於顯示元件的貼附和製備；同時，在陣列基板21之上或之中還可設置有薄膜電晶體顯示電路，以用於驅動後續製備的顯示模組工作。
另外，在上述陣列工藝的過程中還在緊鄰顯示區的非顯示區中的陣列基板21的表面上形成凸起結構23，該凸起結構23可為多層薄膜疊置結構（Bank），如可在上述陣列工藝的過程中通過利用曝光、顯影、蝕刻等工藝製備出的具有一定高度的凸起圖形（pattern），且該凸起結構23可為條柱狀或帶柱狀等形狀。
優選的，上述的凸起結構23的材質可為主要成分含碳（C）、氮（N）、氧（O）的物質，如含有亞氨基團和苯環的雜環聚合物；較佳的，該凸起結構23的材質為聚醚醯亞胺等。
其次，於上述的陣列基板21的顯示區中貼附顯示模組（如OLED顯示模組等發光模組）22，且該顯示模組22與上述的薄膜電晶體顯示電路連接，即上述的凸起結構23設置在顯示模組22的周邊，可用於顯示後續製備的第一、二薄膜層等結構，以形成第二圖所示的結構；該顯示模組22與凸起結構23之間具有一定的間隙（相互不接觸），即在位於顯示模組22與凸起結構23之間陣列基板21的表面予以暴露。
優選的，上述的顯示模組22可包括陰極、陽極及設置在陰極與陽極之間的有機發光層等結構；同時，上述的顯示模組22還具有用於光線射出的發光表面（即第三圖中所示的上表面）及相對於所述發光表面的背光表面（即第三圖中所示的下表面），即該顯示模組22通過上述的背光表面貼附於陣列基板21的表面上。
之後，採用薄膜封裝工藝依次製備第一薄膜層24、第二薄膜層25和第三薄膜層26，具體的：
先通過採用諸如原子沉積（Atomic Layer Deposition ，簡稱ALD）等工藝沉積諸如氧化鋁（AlO x）、氮化矽（SiN x）、氧化鈦（TiO 2）等無機材料，以形成具有阻水氧且透明特性的無極薄膜層，即形成上述的第一薄膜層24，且該第一薄膜層24覆蓋上述的顯示模組22暴露的表面及在介於顯示模組22與凸起結構23之間陣列基板21的表面予以暴露的表面（第一薄膜層24覆蓋在凸起結構23所限定的顯示模組22的區域中，其並未延伸至凸起結構23遠離顯示模組22一側的區域中）。
優選的，為了使得製備的第一薄膜層24具有較佳的密封及透明特性，可選用氧化鋁製備300~500埃厚度的無機薄膜層；同時，該無機薄膜層在覆蓋陣列基板21暴露表面的同時可與少部分的凸起結構23接觸。
然後採用諸如噴墨印帥（Ink Jet Printer，簡稱IJP）等工藝噴塗如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料，以在上述第一薄膜層24之上形成有機薄膜層（monomer），即第二薄膜層25；該第二薄膜層25可起到諸如包裹缺陷顆粒（particle）以減輕DP等問題（issue）、消除應力以提升顯示元件的機械強度及改善第一薄膜層24薄膜的平整度（類似平坦層的功能）等作用；較佳的，為了使得第二薄膜層25具有良好的上述減輕DP、消除應力及提升平整度等性能，可使得該第二薄膜層25的厚度選定在15000~20000埃的範圍內。
需要注意的是，第二薄膜層25與上述陣列基板21不接觸，且該第二薄膜層25僅覆蓋上述凸起結構23臨近顯示模組一側的部分表面，即此時凸起結構23的頂端表面、遠離顯示模組的一側表面及臨近顯示模組的一側的部分表面均予以暴露，即凸起結構23的高度（即第五圖中沿垂直於顯示模組發光表面方向的厚度）大於第一薄膜層24與第二薄膜層25的厚度之和（即第五圖中沿垂直於顯示模組發光表面方向的厚度）。
最後可採用諸如化學氣相沉積（chemical vapor deposition，簡稱CVD）、原子層沉積工藝（ALD）或等離子體增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD）等工藝沉積諸如氮化矽（SiN x）、氧化鋁（AlO x）、氧化矽（SiO x）等無機材料，以形成覆蓋第二薄膜層25表面及凸起結構23暴露表面的無機薄膜層，即第三薄膜層26，且該第三薄膜層26將上述的凸起結構23包裹的同時將在凸起結構23外側臨近該凸起結構23的陣列基板21的表面均予以覆蓋。
需要注意的是，第三薄膜層26與上述陣列基板21相接觸，且該第三薄膜層26不僅覆蓋上述第二薄膜層25暴露的表面及上述凸起結構23暴露的表面，還覆蓋凸起結構23遠離顯示模組22一側的陣列基板21的部分表面（即非顯示區），以使得由第一薄膜層24、第二薄膜層25和第三薄膜層26構成的薄膜封裝結構將上述的凸起結構予以包裹。
較佳的，為了使得第三薄膜層26具有良好的阻水氧特性及膜層厚度，可採用氧化鋁來製備5000~10000埃厚度的無機薄膜作為上述的第三薄膜層26，即該第三薄膜層26跨越上述的凸起結構23同時覆蓋在第二薄膜層25的表面和陣列基板21的非顯示區的表面上。
本實施例中，在完成上述薄膜封裝結構（即第一薄膜層24、第二薄膜層25和第三薄膜層26）的製備工藝後，後續可將用於形成顯示元件的蓋板玻璃等元件結構粘貼固定於上述形成的薄膜封裝結構上，以最終完成顯示元件的製備工藝。
在本實施例中，由於上述的無機薄膜（即第一薄膜層24和第三薄膜層26）具有阻水氧密封性能，且透光性能優異，故可將顯示模組有效的密封隔離使其不會受到外部環境中的水氧等侵蝕氣體的侵害；而設置在無機薄膜之間的有機薄膜（即第二薄膜層25）又能有效的緩衝內部應力及外部應力，同時被薄膜封裝結構包裹的凸起結構又能抑制無機鍍膜工藝擴散，且支撐整個顯示元件，所以基於本實施例製備的顯示模組的封裝結構及顯示元件具有優異的密封性能及較強的整體機械強度和柔性程度。
實施例二
可基於上述實施例一的基礎上，如第五圖所示，本申請實施例中還提供了一種顯示模組封裝結構，且該顯示模組封裝結構可用於製備各種顯示元件（如OLED顯示元件等），上述顯示模組封裝結構包括：
陣列基板21，可為完成陣列（array）工藝的基板，可包括但不局限於LTPS基板等；該陣列基板21可具有用於設置元件的正面表面（即第五圖中所示的上表面）及相對於該上表面的下表面（即第五圖、第六圖中所示的下表面）；該基板的材質可選為玻璃，也可以用硬質基底或柔性基底來形成該陣列基板21，且該陣列基板21中或之上可設置有用於驅動顯示模組發光的驅動電路等元件結構。
另外，上述陣列基板21設置有用於設置顯示元件結構的顯示區及臨近該顯示區的非顯示區，且與顯示區的陣列基板21的正面表面上設置有顯示模組（如OLED顯示模組）22，該顯示模組22具有用於光線射出的發光表面（即第五圖中所示的上表面）及相對於該發光表面的背光表面（即第五圖中所示的下表面），即上述的顯示模組22的背光表面貼合於基板21的正面表面上。
優選的，上述OLED顯示模組22可為有機發光（OLED）模組也可為其他類型的發光模組，如可包括陰極、陽極及設置在陰極與陽極之間的有機發光層等結構，且該顯示模組22與上述的驅動電路連接。
同時，在上述陣列基板22的正面表面上還設置有包括多層薄膜疊加薄膜（bank）的凸起結構23（如條柱狀或帶柱狀等形狀的凸起），且凸起結構23可為在上陣列工藝中通過曝光、顯影、刻蝕等工藝製備的具有一定高度的凸起圖形，且該凸起結構23可設置於上述顯示模組的周邊；另外，凸起結構23可為主要成分包括碳、氮、氧等具有一定硬度的物質，如含有亞氨基團和苯環的雜環聚合物，較佳的為聚醚醯亞胺等物質。
第一薄膜層24，覆蓋上述顯示模組22暴露的表面及介於顯示模組22與凸起結構23之間陣列基板21所暴露的表面，以將顯示模組22予以密封；該第一薄膜層24可為無機薄膜層，如其材質可為氧化鋁、氧化鈦或氮化矽等無機材料，其要具有優良的阻水氧及透明特性；例如該第一薄膜層24可為300~500埃厚度氧化鋁薄膜，且該第一薄膜層24要與上述陣列基板21的表面予以接觸（相應的，在凸起結構23與顯示模組22之間具有一定的間隙，且上述的第一薄膜層24填充並覆蓋該間隙所暴露的陣列基板21的表面上）。
第二薄膜層25，覆蓋上述第一薄膜層24暴露的表面及部分凸起結構23的表面；該第二薄膜層25可為諸如丙烯酸樹脂類化合物等有機材料薄膜，其可包裹缺陷顆粒（particle）減輕DP問題的同時，還能消除應力提升元件機械強度，同時還可改善上述第一薄膜層24的表面平整度（類似平坦化層）；但是，該第二薄膜層25（厚度可在15000~20000埃之間）被凸起結構23所阻擋不與上述的陣列基板21接觸，且凸起結構23的厚度要大於第一薄膜層24和第二薄膜層25的厚度之和。
第三薄膜層26，覆蓋第二薄膜層25暴露的表面、凸起結構23暴露的表面和臨近凸起結構23且遠離顯示模組22一側的陣列基板21的表面；該第三薄膜層26也可為諸如氮化矽、氧化鋁或氧化矽等無機材料薄膜，並與上述的第一薄膜層24、第二薄膜層25一起將上述的凸起結構23包裹於陣列基板21的正面表面上。
優選的，為了使得顯示元件具有良好的密封性能，上述的第三薄膜層的材質可為厚度約5000~10000埃厚度的氮化矽（SiN）薄膜。
需要注意的是，本實施例中所提供的結構可基於上述實施例一中記載的方法來製備，故在實施例一中描述的製備工藝、膜層材質及膜層之間的位置關係等技術特徵均可適用於本實施的結構中，故在此便不予累述。
綜上，本申請實施例中顯示模組封裝結構及其製備方法，通過利用薄膜封裝工藝形成的顯示模組封裝結構直接將顯示模組封裝於基板之上，且該模組封裝結構同時兼具阻水氧特性及緩衝性能，進而在確保顯示模組密封效果的同時，又能有效的緩衝內部應力及外部應力，可避免製作柔性元件時膜層脫落，也可使得成品後所形成的顯示元件結構在摔落、受到碰撞等所產生外部衝擊力也能得到有效的緩衝，以大大降低顯示模組因受外部衝擊力而致使的應力集中等所造成的裂屏、碎屏等缺陷的產生，進而提高了顯示元件整體的結構強度，以有效地提高製備顯示元件的性能及良率。同時，被薄膜封裝結構包裹的凸起結構又能抑制無機鍍膜工藝擴散，同時支撐整個顯示元件，所以基於本實施例製備的顯示模組的封裝結構及顯示元件具有優異的密封性能及較強的整體機械強度和柔性程度。
本領域技術人員應該理解，本領域技術人員在結合現有技術以及上述實施例可以實現變化例，這樣的變化例並不影響本新型的實質內容，在此不予贅述。
以上對本新型的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本新型並不局限於上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設備和結構應該理解為用本領域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本新型技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本新型技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這並不影響本新型的實質內容。因此，凡是未脫離本新型技術方案的內容，依據本新型的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬於本新型技術方案保護的範圍內。
11‧‧‧陣列基板
12‧‧‧顯示模組
13‧‧‧玻璃膠
14‧‧‧蓋板玻璃
21‧‧‧陣列基板
22‧‧‧顯示模組
23‧‧‧凸起結構
24‧‧‧第一薄膜層
25‧‧‧第二薄膜層
26‧‧‧第三薄膜層
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本新型及其特徵、外形和優點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。並未可以按照比例繪製附圖，重點在於示出本新型的主旨。 第一圖為先前技術中顯示模組的封裝結構； 第二圖~第五圖為本申請實施例中製備顯示模組封裝結構的流程結構示意圖； 其中，第五圖還為本申請實施例中顯示模組封裝結構的結構示意圖。
21‧‧‧陣列基板
22‧‧‧顯示模組
23‧‧‧凸起結構
24‧‧‧第一薄膜層
25‧‧‧第二薄膜層
26‧‧‧第三薄膜層

Claims (12)

  1. 一種顯示模組封裝結構，其特徵在於，所述顯示模組封裝結構包括： 陣列基板，表面設置有顯示模組；         凸起結構，設置於所述陣列基板的表面且位於所述顯示模組的周邊；         第一薄膜層，覆蓋所述顯示模組及介於所述顯示模組與所述凸起結構之間所述陣列基板的部分表面，以將所述顯示模組密封；         第二薄膜層，覆蓋所述第一薄膜層及所述凸起結構的部分表面；以及         第三薄膜層，覆蓋所述第二薄膜層、所述凸起結構的部分表面和所述陣列基板的部分表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述陣列基板上還設置有與所述顯示模組連接的薄膜電晶體顯示電路，用以驅動所述顯示模組工作。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述陣列基板為低溫多晶矽基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述顯示模組具有用於光線射出的發光表面及相對於所述發光表面的背光表面；以及 所述顯示模組的背光表面貼合於所述陣列基板表面上，所述第一薄膜層覆蓋所述顯示模組的發光表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述顯示模組為OLED顯示模組。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述凸起結構為多層薄膜疊加結構。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述凸起結構的材質為含有亞胺基團和苯環的雜環聚合物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述凸起結構的厚度大於所述第一薄膜層與所述第二薄膜層的厚度之和。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述第一薄膜層和所述第三薄膜層的材質均為無機材料，所述第二薄膜層的材質為有機材料。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述第一薄膜層的材質為具有阻水氧及透明特性的金屬氧化物或氮化矽。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述第二薄膜層的材質為具有緩衝及透明特性的丙烯酸樹脂類化合物。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之顯示模組封裝結構，其中，所述第三薄膜層的材質為氮化矽。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105742525A (zh) * 2016-03-02 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件的封装结构及显示装置
KR102604282B1 (ko) * 2016-05-23 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102322016B1 (ko) * 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102618595B1 (ko) * 2016-06-30 2023-12-29 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 갖는 표시장치와 그 구동방법
CN106684259B (zh) * 2017-01-18 2018-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
KR20180085423A (ko) 2017-01-18 2018-07-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN206685388U (zh) * 2017-03-14 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 一种封装结构、显示面板及显示装置
KR20190009020A (ko) * 2017-07-17 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107302014B (zh) * 2017-07-17 2020-06-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板，其显示装置及其制作方法
CN107706214B (zh) * 2017-09-13 2019-11-22 上海天马微电子有限公司 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置
CN107863447B (zh) * 2017-10-23 2019-10-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 制备oled薄膜封装层的方法、oled薄膜封装结构及oled结构
KR102370712B1 (ko) 2017-11-30 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102488080B1 (ko) 2018-02-05 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10381531B1 (en) * 2018-02-06 2019-08-13 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot LED and manufacturing method for the same
JP6983084B2 (ja) * 2018-02-07 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN108365135A (zh) * 2018-02-11 2018-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled封装方法与oled封装结构
CN109148517B (zh) * 2018-08-02 2022-03-22 广州国显科技有限公司 显示面板以及显示装置
US10790472B2 (en) * 2018-08-03 2020-09-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film encapsulation layer and organic light emitting diode display device
US10707452B2 (en) 2018-09-27 2020-07-07 OLEDWorks LLC Method for making OLED with pass-through hole
CN109686760B (zh) * 2018-12-13 2020-11-13 云谷（固安）科技有限公司 一种显示器件及其封装方法
KR20200119454A (ko) * 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110246983B (zh) * 2019-06-17 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法、封装薄膜
CN110137238A (zh) * 2019-06-21 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN113193156A (zh) * 2021-03-25 2021-07-30 合肥维信诺科技有限公司 封装层的制备方法、显示面板及其制备方法
CN114420867A (zh) * 2022-01-11 2022-04-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044613A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Seiko Epson Corp 発光装置の製造方法および発光装置
TWI385193B (zh) * 2004-12-07 2013-02-11 Sumitomo Chemical Co 高分子材料及使用該高分子材料之元件
KR100647340B1 (ko) * 2006-01-11 2006-11-23 삼성전자주식회사 평판표시장치
KR101363022B1 (ko) * 2008-12-23 2014-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101155904B1 (ko) * 2010-01-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101454064B1 (ko) 2010-07-07 2014-10-23 주식회사 엘지화학 봉지 구조를 포함하는 유기 발광 소자
KR101430173B1 (ko) * 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120109081A (ko) * 2011-03-24 2012-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120138168A (ko) * 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US9853245B2 (en) * 2011-10-14 2017-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US8933468B2 (en) * 2012-03-16 2015-01-13 Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing Electronic device with reduced non-device edge area
CN103325960B (zh) 2012-03-23 2016-03-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机光电子器件的薄膜封装方法
KR102086545B1 (ko) * 2012-07-19 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101963810B1 (ko) * 2012-08-22 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101420332B1 (ko) * 2012-11-14 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR102048926B1 (ko) * 2012-11-19 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9349988B2 (en) * 2012-11-20 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR102071330B1 (ko) * 2012-12-27 2020-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102134845B1 (ko) * 2013-07-12 2020-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102092842B1 (ko) * 2013-08-07 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR20150025994A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6282832B2 (ja) * 2013-10-01 2018-02-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
US9130195B2 (en) 2013-11-22 2015-09-08 Universal Display Corporation Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices
KR101692351B1 (ko) * 2013-11-27 2017-01-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN104037360A (zh) 2014-06-25 2014-09-10 上海和辉光电有限公司 有机发光器件、封装结构及封装方法
KR102262598B1 (ko) * 2014-09-03 2021-06-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법

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