CN103325960B - 有机光电子器件的薄膜封装方法 - Google Patents

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本发明涉及一种有机光电子器件的薄膜封装方法,其包括如下步骤:提供一基板(100),所述基板(100)上设有有机光电子器件(101);在所述有机光电子器件(101)周围形成环状第一无机薄膜(102);用非等离子体方法在有机光电子器件(101)上沉积薄膜(103);在所述薄膜(103)与第一无机薄膜(102)上沉积第二无机薄膜(104),并使所述第二无机薄膜(104)与第一无机薄膜(102)相接,从而将所述有机光电子器件(101)和薄膜(103)整个包覆住,实现更致密的薄膜而不危及器件,又能加强边缘的保护,且不改变原有材料体系。

Description

有机光电子器件的薄膜封装方法
技术领域
本发明涉及一种有机光电子器件如有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)或有机太阳能电池(OrganicPhotovoltaic,OPV)的薄膜封装方法。
背景技术
有机光电子器件,如有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED),具有优异性能和广泛应用,但因为材料性质,受到水分和氧气侵袭后极易变质,因此对封装性能要求很高。传统的玻璃盖或金属盖封装已经实现较好的效果,但不尽适用于一些重要或有潜力的应用场合,比如顶发射OLED显示技术、柔性OLED显示技术或柔性OPV等。为此业界开发了薄膜封装技术,用一层或若干层真空淀积的薄膜阻隔水氧,不遮挡光出射或入射的路径,也不影响衬底的可弯曲性。
各种薄膜封装的技术路径中,多次交替沉积无机-有机薄膜的技术开发较早也较为成熟,例如Vitex的Barix技术。然而,该项技术存在固有的局限,假如与有机光电子器件接触的第一层薄膜是在等离子体环境中沉积的(如溅射沉积或等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)),有机光电子器件很容易被等离子体损伤,因而需要非常严格地控制工艺,使沉积条件尽量温和。而这样温和的条件不利于提供无机薄膜材料所可能提供的最佳致密度,即工艺窗口非常窄,而且很可能在最优条件之外,不能实现该材料体系所能提供的最佳密封性能。另一方面,假如第一层薄膜是有机高分子薄膜,则在其之上包覆的无机薄膜的边缘由于台阶覆盖等问题密封性会劣于正面,水分和氧气容易从边缘渗透。
发明内容
本发明的目的在于提供一种既能防止被等离子体损伤,又能防止边缘渗透有机光电子器件的薄膜封装方法。
为实现前述目的,本发明采用如下技术方案:
一种有机光电子器件的薄膜封装方法,其包括如下步骤:
提供一基板,所述基板上设有有机光电子器件;
在所述有机光电子器件周围形成环状第一无机薄膜;
用非等离子体方法在所述有机光电子器件上沉积薄膜,使所述薄膜填充至所述第一无机薄膜所围绕的区域内;
在所述薄膜与第一无机薄膜上沉积与第一无机薄膜(102)材质和工艺相同的第二无机薄膜,并使所述第二无机薄膜与第一无机薄膜相接,从而将所述有机光电子器件和薄膜整个包覆住。
作为本发明的进一步改进,其还包括在所述第一、第二无机薄膜外沉积多层无机-有机薄膜对的步骤。
作为本发明的进一步改进,所述第一无机薄膜的厚度较有机光电子器件的厚度厚,所述第一无机薄膜的厚度范围为1000-10000埃米。
作为本发明的进一步改进,所述薄膜是无机-有机薄膜封装体系中的有机薄膜。
作为本发明的进一步改进,所述薄膜的厚度恰好填充至与所述第一无机薄膜平齐。
作为本发明的进一步改进,所述第一无机薄膜是通过溅射或等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)透过掩膜通孔沉积形成。
作为本发明的进一步改进,所述有机光电子器件为有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)或有机太阳能电池(OrganicPhotovoltaic,OPV)。
作为本发明的进一步改进,所述第一无机薄膜围成的形状为四方形。
本发明在有机光电子器件的周围形成环状第一无机薄膜,实现更致密的薄膜,从而可以防止薄膜封装后的边缘被渗透,加强边缘的保护,同时,等离子体薄膜沉积不在有机光电器件上直接进行,可避免等离子损伤,能够充分利用材料体系的潜力,不改变原有材料体系。
附图说明
图1为本发明的有机光电子器件的薄膜封装结构示意图。
图2a至图2b为本发明的有机光电子器件的薄膜封装过程示意图。
图3a为本发明的环状薄膜的示意图。
图3b至图3c为本发明的沉积所述环状薄膜的掩模设计示意图。
具体实施方式
请参见图1所示的本发明的有机光电子器件的薄膜封装结构示意图。本发明的有机光电子器件101可以是(但不限于)有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)或有机太阳能电池(OrganicPhotovoltaic,OPV)等,其设置在基板100上,所述有机光电子器件101周围沉积防侧方渗透的致密第一无机薄膜102,所述有机光电子器件101的上方是用非等离子体沉积方法(如蒸发、原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)等)沉积的薄膜103。在所述薄膜103的上方是一层第二无机薄膜104,该第二无机薄膜104采用与第一无机薄膜102同样的材料和工艺,并和第一无机薄膜102相接合。所述第一、第二无机薄膜102、104外有多层无机-有机薄膜对105,所述无机-有机薄膜对105是按照传统薄膜封装方式沉积。
请参见图2a至图2d所示的本发明的有机光电子器件的薄膜封装过程示意图。请参图2a所示,所述基板100上设有有机光电子器件101,先用第一掩模201遮挡有机光电子器件101,用溅射或等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)透过掩膜通孔沉积致密环形第一无机薄膜102,使所述第一无机薄膜102围在所述有机光电子器件101周围。本发明对该致密第一无机薄膜102的材料不作限定,只要是可阻隔水氧的介电材料,均在本发明的范围内,比如Al2O3,TiO2,ZrO2,SiO2,SiN,ZnO,a-C等。所述第一无机薄膜102的厚度较有机光电子器件101的厚度厚,其厚度范围为1000-10000埃米(Angstrom),这样,第一层封装边缘具有宏观厚度(0.1-1μm),可以有效地阻隔侧方渗透。
请参图2b所示,随后用另一层第二掩膜202遮挡环形第一无机薄膜102,用非等离子体方法在所述有机光电子器件101上沉积薄膜103,使其填充至第一无机薄膜102所围绕的区域,并让所述第一无机薄膜102的上面尽可能多地裸露。所述薄膜103可以是无机-有机薄膜封装体系中的有机薄膜,比如但不限于丙烯酸树脂,PET,PSA,PEN,聚对二甲苯等,也可以是用蒸镀等其他方法沉积的光取出薄膜材料,比如但不限于LiF等,或专门的等离子损伤防护薄膜,所述薄膜103的厚度以恰好填充至与第一无机薄膜102平齐为佳。
请参图2c所示,接下来,采用又一层第三掩模203,利用与沉积致密第一无机薄膜102相同的方法,沉积第二无机薄膜104,并使所述第二无机薄膜104与第一无机薄膜102相接,从而将所述有机光电子器件101和薄膜103整个包覆住。由于第一、第二无机薄膜102、104的材料与工艺相同,因此其所密封的界面可以非常密实。同时,等离子体薄膜沉积不在有机光电器件上直接进行,可不用考虑等离子损伤,工艺参数的设计可以只考虑薄膜的致密性。
请参图2d所示,最后,按照一般的薄膜封装方法交替沉积无机-有机薄膜105以巩固提高封装效果,由于上述特殊的封装方式能够显著增强封装效果,随后的无机-有机薄膜层数可以比传统薄膜封装所需层数少。
请参见图3a及图3b所示的本发明环状第一无机薄膜102和沉积该环状第一无机薄膜102的第一掩模201设计示意图。请参图3a所示的环状薄膜102的俯视图,所述环状第一无机薄膜102在本实施方式中为四方形,其包括两道平行的无机薄膜302及与无机薄膜302相垂直的两道无机薄膜304,所述第一掩模201包括两道平行的掩膜301及与掩膜301相垂直的两道掩膜303,欲沉积该形状的第一无机薄膜102,可先用图3b所示的掩模301沉积两道无机薄膜302,再用图3c所示的与第一掩模301垂直的第一掩模303沉积两道无机薄膜304,使无机薄膜304在环状第一无机薄膜102的四角处与无机薄膜302交叉。
最后应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (8)

1.一种有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板(100),所述基板(100)上设有有机光电子器件(101);
在所述有机光电子器件(101)周围形成环状第一无机薄膜(102);
用非等离子体方法在所述有机光电子器件(101)上沉积薄膜(103),使所述薄膜(103)填充至所述第一无机薄膜(102)所围绕的区域内;
在所述薄膜(103)与第一无机薄膜(102)上沉积与第一无机薄膜(102)材质和工艺相同的第二无机薄膜(104),并使所述第二无机薄膜(104)与第一无机薄膜(102)相接,从而将所述有机光电子器件(101)和薄膜(103)整个包覆住。
2.根据权利要求1所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:有机光电子器件的薄膜封装方法还包括在所述第一、第二无机薄膜(102、104)外沉积多层无机-有机薄膜对(105)的步骤。
3.根据权利要求1所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述第一无机薄膜(102)的厚度较有机光电子器件(101)的厚度厚,所述第一无机薄膜(102)的厚度为1000-10000埃米。
4.根据权利要求1所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述薄膜(103)是无机-有机薄膜封装体系中的有机薄膜。
5.根据权利要求1任意一项所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述薄膜(103)的厚度恰好填充至与所述第一无机薄膜(102)平齐。
6.根据权利要求1所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述第一无机薄膜(102)是通过溅射或等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)透过掩膜通孔沉积形成。
7.根据权利要求1所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述有机光电子器件(101)为有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)或有机太阳能电池(OrganicPhotovoltaic,OPV)。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的有机光电子器件的薄膜封装方法,其特征在于:所述第一无机薄膜(102)围成的形状为四方形。
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