TW201417224A - 可撓式電子裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種可撓式電子裝置及其製造方法。可撓式電子裝置包括一第一可撓式基板、一電子元件、一第一介面層以及一第一阻障(barrier)層。第一介面層之材質包括一或多種金屬元素及一或多種無機金屬氧化物之組合。電子元件設置於第一可撓式基板上，第一介面層形成於電子元件上，第一阻障層形成於第一介面層上。

Description

可撓式電子裝置及其製造方法
本揭露內容是有關於一種可撓式電子裝置及其製造方法，且特別是有關於一種具有阻隔水氧的阻障結構之可撓式電子裝置及其製造方法。
軟性有機發光二極體顯示器無法採用玻璃基板(硬式基板)對玻璃基板的封裝方式製作，必須採用可撓式基板封裝。然而，可撓式基板(例如是塑膠基板)對於阻隔水氣與氧氣的效果較差，有機發光二極體對於水氣又十分敏感，因此需要在有機發光二極體顯示器中增加阻隔水氣的結構。
一般常見的方式是在可撓式基板上設置阻障層以達到阻隔水氣的效果。然而，若是設置厚度較高的單層阻障層，雖然具有良好的阻隔水氣的效果，但因為應力較強，顯示器彎曲時可能會發生斷裂。若是設置多層結構的阻障層，卻有製程繁雜且耗時較長的問題。因此，如何提供一種具有簡單結構、簡化製程且能保持良好阻隔水氣的效果之軟性有機發光二極體顯示器，乃為相關業者努力之課題之一。
本揭露內容係有關於一種可撓式電子裝置及其製造方法。可撓式電子裝置中，經由形成介面層於電子元件和 阻障層之間或可撓式基板和阻障層之間，可增加電子元件和阻障層之間或可撓式基板和阻障層之間的附著性，因此無須設置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。
根據本揭露內容之一實施例，係提出一種可撓式電子裝置。可撓式電子裝置包括一第一可撓式基板、一電子元件、一第一介面層以及一第一阻障(barrier)層。第一介面層之材質包括一或多種金屬元素及一或多種無機金屬氧化物之組合。電子元件設置於第一可撓式基板上，第一介面層形成於電子元件上，第一阻障層形成於第一介面層上。
根據本揭露內容之另一實施例，係提出一種可撓式電子裝置之製造方法。可撓式電子裝置之製造方法包括：提供一第一可撓式基板；設置一電子元件於第一可撓式基板上；以一熱蒸鍍製程(thermal evaporation process)形成一第一介面層於電子元件上；以及形成一第一阻障層於第一介面層上。
為了對本揭露內容之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本揭露內容之實施例中，可撓式電子裝置中，經由形成介面層於電子元件和阻障層之間或可撓式基板和阻障 層之間，可增加電子元件和阻障層之間或可撓式基板和阻障層之間的附著性，因此無須設置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。以下係參照所附圖式詳細敘述本揭露內容之實施例。圖式中相同的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，實施例所提出的細部結構僅為舉例說明之用，並非對本揭露內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些結構加以修飾或變化。
第1A圖繪示本揭露內容之第一實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第1A圖，可撓式電子裝置100包括第一可撓式(flexible)基板110、電子元件120、第一介面層130及第一阻障(barrier)層140。電子元件120設置於第一可撓式基板上，第一介面層130形成於電子元件120上，第一阻障層140形成於第一介面層130上。第一介面層130之材質包括一或多種金屬元素及一或多種無機金屬氧化物之組合。第一介面層130形成於電子元件120和第一阻障層140之間，可以增加電子元件120和第一阻障層140之間的附著性，提高電子元件120和第一阻障層140的密封性，進而提升第一阻障層140阻隔水氣與氧氣的效果，延長電子元件120的使用壽命。並且，經由第一介面層130形成於電子元件120和第一阻障層140之間，無須設置多層阻障層(例如是三層以上的阻障層)就能夠達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。
實施例中，如第1A圖所示，第一介面層130例如是包覆電子元件120，第一阻障層140形成於第一介面層130且包覆第一介面層130及電子元件120。第一阻障層140並未接觸於電子元件120。
實施例中，第一可撓式基板110例如是塑膠聚合物基板或具有可撓性之金屬基板。實施例中，電子元件120例如是有機發光二極體、有機電晶體或有機太陽能電池等等之有機電子元件。
實施例中，金屬元素例如是金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)或前述任兩種以上之金屬的合金。實施例中，無機金屬氧化物例如是銦錫氧化物(ITO)、氧化銀(Ag2O)、氧化銅(CuO)、氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鈦(TiO2)、氧化釩(V2O5)或前述任兩種以上之材料的組合。實施例中，至少氧化鉬(MoO3)、氧化鎢(WO3)及氧化釩(V2O5)可以經由熱蒸鍍製程(thermal evaporation process形成於電子元件120上。
一實施例中，第一介面層130之材質例如更可包括一種或多種無機非金屬元素。實施例中，無機非金屬元素例如是硒(Se)、硫(S)、銻(Te)或前述任兩種以上之金屬的合金。
一實施例中，第一介面層130之材質例如更可包括一種或多種有機金屬化合物。實施例中，有機金屬化合物例如是銥錯合物(iridium complex)、鋨錯合物(osmium complex)、錸錯合物(rhenium complex)或前述任兩種以上之材料的組合。實施例中，有機金屬化合物係經由熱蒸鍍 製程形成於電子元件120上，如此則有機金屬化合物不會在形成第一介面層130的過程中分解，而能夠保持有機金屬化合物形成於電子元件120上所具有之化合物結構。
實施例中，如前所述，第一介面層130之材質可以是包括多種前述材料的複合材料，因此除了可以增加電子元件120和第一阻障層140之間的附著性，尚能夠經由複合材料具有的不同材質而具有特殊的特性。舉例來說，第一介面層130所包括的複合材料亦可以具有導電特性，例如是氧化鉬/銀(MoO3/Ag)複合材料、氧化鉬/銅(MoO3/Cu)複合材料或氧化鋁/鋁(Al2O3/Al)複合材料。
以電子元件120是上發光式有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)為例，如第1A圖所示，有機發光二極體最上層具有陰極(cathode)120a，其厚度較薄，結構較脆弱，導電特性亦較不佳。當第一介面層130之材質包括一導電材料時，例如是金、銀或銅之導電性金屬元素，或者是氧化鉬/銀、氧化鉬/銅或氧化鋁/鋁之導電性複合材料，則相當於增加了陰極120a的厚度，其導電特性提升，進而使得元件壽命大幅延長。
一實施例中，亦可以選擇性地在第一介面層130和第一阻障層140之間再設置一層阻障層(未繪示)，如此一來，兩層阻障層搭配一層介面層可以達到更佳的阻隔水氣與氧氣的效果。本揭露內容之實施例中，僅需一層或兩層阻障層搭配一層介面層，便可以達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果
實施例中，第一阻障層140之材質例如是無機陶瓷材 料，例如是金屬氧化物或金屬氮化物，且不具有導電性。舉例來說，第一阻障層140之材質例如是氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。實施例中，第一阻障層140之材質與第一介面層130之材質係為不同。
如第1A圖所示，可撓式電子裝置100更可包括封裝膠材層(encapsulation adhesive layer)150及第二可撓式基板160，封裝膠材層150形成於第一阻障層140上，第二可撓式基板160形成於封裝膠材層150上。
實施例中，封裝膠材層150之材質是高分子材料，例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMS)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)或環氧樹脂(epoxy)，封裝膠材層150用以黏合第二可撓式基板160。實施例中，封裝膠材層150係由有機材質形成，因此亦可以視作一有機層，搭配單層結構之第一阻障層140時，有助於舒緩整體結構之應力，防止斷裂。
實施例中，第二可撓式基板160例如是軟性蓋板，其材質例如塑膠聚合物或具有可撓性的金屬材料，可以是透明、半透明或不透明的。
第1B圖繪示本揭露內容之第二實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第1B圖，本實施例與第1A圖之實施例之差別在於，可撓式電子裝置100’中，第一介面層130’形成於電子元件120的上表面，第一介面層130’並未完全包覆電子元件120。第一阻障層140形成於第一介面層130’上且包覆第一介面層130’及電子元件120。第一阻障層140接觸於電子元件120之側面。實施例中，第一介 面層130’之材質同前述實施例中關於第一介面層130之敘述，在此不再贅述。
第2圖繪示本揭露內容之第三實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第2圖，本實施例與第1A圖之實施例之差別在於，可撓式電子裝置200更包括第二介面層230及第二阻障層240，第二介面層230形成於第一可撓式基板110上，第二阻障層240形成於第二介面層230和電子元件120之間。
如第2圖所示，實施例中，第二介面層230形成於第一可撓式基板110和第二阻障層240之間，可以增加第一可撓式基板110和第二阻障層240之間的附著性，提高兩者的密封性，進而提升第二阻障層240阻隔水氣與氧氣的效果，延長電子元件120的使用壽命。並且，經由第二介面層230形成於第一可撓式基板110和第二阻障層240之間，無須設置多層阻障層於第一可撓式基板110上就能夠達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
實施例中，第二介面層230之材質同前述實施例中關於第一介面層130之敘述，在此不再贅述。實際應用時，第一介面層130和第二介面層230可以選用相同或不同的材質。
實施例中，第二阻障層240之材質同前述實施例中關於第一阻障層140之敘述，在此不再贅述。實施例中，第二阻障層240之材質與第二介面層230之材質係為不同。
第3圖繪示本揭露內容之第四實施例之可撓式電子裝置之示意圖，第4圖繪示本揭露內容之第五實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第3~4圖，第四實施例及第五實施例與第2圖之實施例之差別在於，可撓式電子裝置300、300’更包括功能性膜(functional film)370，功能性膜370形成於第一可撓式基板110和電子元件120之間。
第四實施例中，如第3圖所示，功能性膜370形成於第二阻障層240和電子元件120之間。第五實施例中，如第4圖所示，功能性膜370形成於第一可撓式基板110和第二介面層230之間。實施例中，功能性膜370例如是彩色濾光片或觸控式面板。
第5圖繪示本揭露內容之第六實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第5圖，本實施例與第3圖之實施例之差別在於，可撓式電子裝置500更包括第三介面層530及第三阻障層540，第三介面層530形成於第二可撓式基板160上，第三阻障層540形成於第三介面層530和封裝膠材層150之間。
如第5圖所示，實施例中，第三介面層530形成於第二可撓式基板160和第三阻障層540之間，可以增加第二可撓式基板160和第三阻障層540之間的附著性，提高兩者的密封性，進而提升第三阻障層540阻隔水氣與氧氣的效果，延長電子元件120的使用壽命。並且，經由第三介面層530形成於第二可撓式基板160和第三阻障層540之間，無須設置多層阻障層於第二可撓式基板160上就能夠達到良好的阻隔水氣與氧氣的效果。本實施例中與前述實 施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
實施例中，第三介面層530之材質同前述實施例中關於第一介面層130之敘述，在此不再贅述。實際應用時，第一介面層130、第二介面層230及第三介面層530可以選用相同或不同的材質。
實施例中，第三阻障層540之材質同前述實施例中關於第一阻障層140之敘述，在此不再贅述。實施例中，第三阻障層540之材質與第三介面層530之材質係為不同。
第6圖繪示本揭露內容之第七實施例之可撓式電子裝置之示意圖，第7圖繪示本揭露內容之第八實施例之可撓式電子裝置之示意圖。請參照第6~7圖，第七實施例及第八實施例與第5圖之實施例之差別在於，可撓式電子裝置600、600’更包括功能性膜670，功能性膜670形成於第二可撓式基板160和封裝膠材層150之間。
第七實施例中，如第6圖所示，功能性膜670形成於第三阻障層540和封裝膠材層150之間。第八實施例中，如第7圖所示，功能性膜670形成於第二可撓式基板160和第三介面層530之間。實施例中，功能性膜670例如是彩色濾光片或觸控式面板。
以下係就實施例作進一步說明。以下實施例及比較例1~2中，係列出簡化的結構配置，其中比較例1之結構不包括第一介面層130，比較例2之結構不包括第一介面層130及封裝膠材層150。然而以下之實施例僅為例示說明 之用，而不應被解釋為本揭露內容實施之限制。
(1)實施例之結構配置：第一可撓式基板110/電子元件120/第一介面層130/阻障層/第一阻障層140/封裝膠材層150。
(2)比較例1之結構配置：第一可撓式基板110/電子元件120/阻障層/第一阻障層140/封裝膠材層150。
(3)實施例之結構配置：第一可撓式基板110/電子元件120/阻障層/第一阻障層140。
以下表1中，實施例及比較例1~2之樣品的水氣穿透率(WVTR)數據係於60℃/90%相對濕度(relative humidity，RH)之條件下所測得，其中折彎操作(bending operation)之條件為折彎曲率半徑5公分且折彎次數為100次。
以下表2之數據係將實施例及比較例2之樣品靜置固定時間後測得之單位畫素發光區域面積縮小之比例。
從表1中可看出，比較例1~2中，折彎操作之前的水氣穿透率係為2.1＊10-2~5.1＊10-2之間，且經過折彎操作之後，其水氣穿透率大幅上升。相較之下，本揭露內容之實施例中，折彎操作之前的水氣穿透率係為至少小於5.1＊10-4，其阻隔水氣的效果是比較例1~2的100倍以上，並且即使經過折彎操作之後，其水氣穿透率亦未有明顯改變。換句話說，本揭露內容之實施例中的樣品，不但具有良好的阻隔水氣之效果，並且具有良好抗應力的能力。
從表2中可看出，比較例2中，經過靜置之後，其發光區域面積大幅縮小，顯示其阻隔水氣的能力不佳。相較之下，本揭露內容之實施例中，即使經過靜置1000小時，其發光區域面積幾乎沒有改變，顯示其阻隔水氣的能力良好。換句話說，本揭露內容之實施例中的樣品，即使經過長時間靜置仍具有良好的阻隔水氣之效果。
以下係提出實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法，然該些步驟僅為舉例說明之用，並非用以限縮本發明。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些 步驟加以修飾或變化。請參照第8A圖至第8D圖、第9A圖至第9CA圖及第10A圖至第10C圖。第8A圖至第8D圖繪示依照本發明之一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。第9A圖至第9CA圖繪示依照本發明之另一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。第10A圖至第10C圖繪示依照本發明之又一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。
以下係說明第1A圖之半導體結構100之製造過程。請參照第8A圖至第8D圖。
請參照第8A圖，提供第一可撓式基板110。接著，請參照第8B圖，設置電子元件120於第一可撓式基板110上。
請參照第8C圖，以熱蒸鍍製程形成第一介面層130於電子元件120上，以及形成第一阻障層140於第一介面層130上。實施例中，第一阻障層140需具有緻密的結構以達到阻隔水氣與氧氣的效果，第一阻障層140例如是以濺鍍(sputtering)製程、化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程或任何其他適於形成緻密結構膜層的製程方式形成於第一介面層130上。
一般而言，阻障層必須具有緻密的結構以達到阻隔水氣與氧氣的效果，因此通常以例如是濺鍍或化學氣相沈積的方式製作。然而，化學氣相沈積製程與濺鍍製程都會產生電漿，當阻障層直接形成於電子元件上(例如是有機發光二極體)時，製程中產生的電漿可能會破壞電子元件。本揭 露內容之實施例中，先以熱蒸鍍製程形成第一介面層130於電子元件120上，再形成第一阻障層140於第一介面層130上，可以利用第一介面層130保護電子元件120，達到使電子元件120免於受到電漿破壞的效果。
再者，以電子元件120為有機發光二極體為例，有機發光二極體基本上係以熱蒸鍍製程製作，因此同樣以熱蒸鍍製程形成第一介面層130於有機發光二極體(電子元件120)上，可以和有機發光二極體的製作在同一個製程腔體中進行，不需使用額外的設備，可以簡化製程步驟以及縮短製程時間。
接著，請參照第8D圖，形成封裝膠材層150於第一阻障層上140，以及形成第二可撓式基板160於封裝膠材層150上。至此，形成如第8D圖(第1A圖)所示之可撓式電子裝置100。
以下係說明第2圖之半導體結構200之製造過程。請同時參照第8C圖至第8D圖及第9A圖至第9C圖。
請參照第9A圖，提供第一可撓式基板110。接著，形成第二介面層230於第一可撓式基板110上，以及形成第二阻障層240於第二介面層230上。實施例中，第二介面層230例如是以濺鍍製程、化學氣相沈積製程、熱蒸鍍製程、或其他任何適合的製程方式形成於第一可撓式基板110上。實施例中，第二阻障層240例如是以濺鍍製程、化學氣相沈積製程或任何其他適於形成緻密結構膜層的製程方式形成於第二介面層230上。
請參照第9B圖，設置電子元件120於第二阻障層240上。實施例中，第二阻障層240形成於第二介面層230和電子元件120之間。
接著，請參照第9C圖，以類似於第8C圖至第8D圖所示之方式，以熱蒸鍍製程形成第一介面層130於電子元件120上、形成第一阻障層140於第一介面層130上、形成封裝膠材層150於第一阻障層上140，以及形成第二可撓式基板160於封裝膠材層150上。至此，形成如第9C圖(第2圖)所示之可撓式電子裝置200。
一實施例中，亦可選擇性地形成功能性膜370於第一可撓式基板110和電子元件120之間，以形成如第3圖所示之可撓式電子裝置300或如第4圖所示之可撓式電子裝置300’。
以下係說明第5圖之半導體結構500之製造過程。請同時參照第8C圖、第9A圖至第9B圖及第10A圖至第10C圖。
請參照第10A圖，以類似於第8C圖及第9A圖至第9B圖所示之方式，提供第一可撓式基板110、形成第二介面層230於第一可撓式基板110上、形成第二阻障層240於第二介面層230上、設置電子元件120於第二阻障層240上、以熱蒸鍍製程形成第一介面層130於電子元件120上以及形成第一阻障層140於第一介面層130上。
接著，請參照第10B~10C圖，形成封裝膠材層150於第一阻障層上140，形成第二可撓式基板160於封裝膠 材層150上，形成第三介面層530於第二可撓式基板160上，以及形成第三阻障層540於第三介面層530和封裝膠材層150之間。實施例中，第三介面層530例如是以濺鍍製程、化學氣相沈積製程、熱蒸鍍製程、或其他任何適合的製程方式形成於第二可撓式基板160。實施例中，第三阻障層540例如是以濺鍍製程、化學氣相沈積製程或任何其他適於形成緻密結構膜層的製程方式形成於第三介面層530上。
實施例中，形成第三阻障層540於第三介面層530和封裝膠材層150之間的製造方法例如包括以下步驟：如第10B圖所示，提供第二可撓式基板160，形成第三介面層530於第二可撓式基板160上，以及形成第三阻障層540於第三介面層530上。接著，如第10C圖所示，接合第三阻障層540和封裝膠材層150。至此，形成如第10C圖(第5圖)所示之可撓式電子裝置500。
一實施例中，亦可選擇性地形成功能性膜670於第二可撓式基板160和封裝膠材層150之間，以形成如第6圖所示之可撓式電子裝置600或如第7圖所示之可撓式電子裝置600’。
綜上所述，雖然本揭露內容已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容之保護範圍。本揭露內容所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100’、200、300、300’、500、600、600’‧‧‧可撓式電子裝置
110‧‧‧第一可撓式基板
120‧‧‧電子元件
120a‧‧‧陰極
130、130’‧‧‧第一介面層
140‧‧‧第一阻障層
150‧‧‧封裝膠材層
160‧‧‧第二可撓式基板
230‧‧‧第二介面層
240‧‧‧第二阻障層
370、670‧‧‧功能性膜
530‧‧‧第三介面層
540‧‧‧第三阻障層
第1A圖繪示本揭露內容之第一實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第1B圖繪示本揭露內容之第二實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第2圖繪示本揭露內容之第三實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第3圖繪示本揭露內容之第四實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第4圖繪示本揭露內容之第五實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第5圖繪示本揭露內容之第六實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第6圖繪示本揭露內容之第七實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第7圖繪示本揭露內容之第八實施例之可撓式電子裝置之示意圖。
第8A圖至第8D圖繪示依照本發明之一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。
第9A圖至第9C圖繪示依照本發明之另一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。
第10A圖至第10C圖繪示依照本發明之又一實施例之一種可撓式電子裝置之製造方法示意圖。
100‧‧‧可撓式電子裝置
110‧‧‧第一可撓式基板
120‧‧‧電子元件
120a‧‧‧陰極
130‧‧‧第一介面層
140‧‧‧第一阻障層
150‧‧‧封裝膠材層
160‧‧‧第二可撓式基板

Claims (18)

  1. 一種可撓式(flexible)電子裝置，包括：一第一可撓式基板；一電子元件設置於該第一可撓式基板上；一第一介面層形成於該電子元件上，其中該第一介面層之材質包括一或多種金屬元素及一或多種無機金屬氧化物之組合；以及一第一阻障(barrier)層形成於該第一介面層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，其中該金屬元素係選自於由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)及其組合所構成之群組，該無機金屬氧化物係選自於由銦錫氧化物(ITO)、氧化銀、氧化銅、氧化鉬、氧化鎢、氧化鈦、氧化釩及其組合所構成之群組。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，其中該第一介面層之材質更包括一或多種無機非金屬元素，該無機非金屬元素係選自於由硒(Se)、硫(S)、銻(Te)及其組合所構成之群組。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，其中該第一介面層之材質更包括一或多種有機金屬化合物，該有機金屬化合物係選自於由銥錯合物(iridium complex)、鋨錯合物(osmium complex)、錸錯合物(rhenium complex)及其組合所構成之群組。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，其中該第一介面層之材質包括一導電材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置， 更包括一功能性膜形成於該第一可撓式基板和該電子元件之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，更包括：一第二介面層形成於該第一可撓式基板上；以及一第二阻障層形成於該第二介面層和該電子元件之間。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓式電子裝置，更包括：一封裝膠材層(encapsulation adhesive layer)形成於該第一阻障層上；以及一第二可撓式基板形成於該封裝膠材層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式電子裝置，更包括：一第三介面層形成於該第二可撓式基板上；以及一第三阻障層形成於該第三介面層和該封裝膠材層之間。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式電子裝置，更包括一功能性膜形成於該第二可撓式基板和該封裝膠材層之間。
  11. 一種可撓式電子裝置之製造方法，包括：提供一第一可撓式基板；設置一電子元件於該第一可撓式基板上；以一熱蒸鍍製程(thermal evaporation process)形成一第一介面層於該電子元件上；以及 形成一第一阻障層於該第一介面層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之可撓式電子裝置之製造方法，其中該第一介面層之材質包括一或多種金屬元素、一或多種無機非金屬元素、一或多種無機金屬氧化物、一或多種有機金屬化合物或前述任兩種以上之組合。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之可撓式電子裝置之製造方法，其中該無機金屬氧化物係選自於由銦錫氧化物(ITO)、氧化銀、氧化銅、氧化鉬、氧化鎢、氧化鈦、氧化釩及其組合所構成之群組。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之可撓式電子裝置之製造方法，更包括：形成一功能性膜於該第一可撓式基板和該電子元件之間。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之可撓式電子裝置，更包括：形成一第二介面層於該第一可撓式基板上；以及形成一第二阻障層於該第二介面層和該電子元件之間。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之可撓式電子裝置，更包括：形成一封裝膠材層於該第一阻障層上；以及形成一第二可撓式基板於該封裝膠材層上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之可撓式電子裝置，更包括：形成一第三介面層於該第二可撓式基板上；以及 形成一第三阻障層於該第三介面層和該封裝膠材層之間。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之可撓式電子裝置，更包括：形成一功能性膜於該第二可撓式基板和該封裝膠材層之間。
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