CN112670300A - 显示模组、制备方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示模组、制备方法以及显示装置。所述显示模组制备方法包括提供显示面板，所述显示面板包括衬底玻璃、驱动电路层、发光功能层以及封装层；在所述封装层上贴附背板；对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃。本发明通过处理衬底玻璃得到超薄玻璃，并取代常规的PI柔性膜层支撑面板，进而不需要再采用激光剥离工艺使衬底玻璃和PI柔性膜层分开，以解决现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题。

Description

显示模组、制备方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示模组、制备方法以及显示装置。
背景技术
柔性有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示屏具有主动发光、可视角度大，色域宽、亮度高、响应速度快、低功耗，以及结构上可弯曲及可折叠等优点，越来越受到市场的欢迎。利用柔性OLED显示屏可弯曲可折叠的特性，可以制备多种形态的折叠显示装置，便于出门携带以及存放。
随着柔性OLED显示屏制造技术日趋发展成熟，目前柔性OLED显示屏的制作工艺一般可以包括：以衬底玻璃为衬底，在衬底玻璃上涂布PI(Polyimide，聚酰亚胺)柔性膜层，然后在PI柔性膜层上制作TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列和顶发射OLED器件，顶发射器件的像素阳极采用反射阳极，阴极采用透明阴极，所以光线向上发射。最后进行模组制程(Module)，在模组制程中，先进行绑定(bonding)工艺，然后用激光剥离(Laser LiftOff，LLO)工艺将衬底玻璃与PI柔性膜层分开。然而激光剥离工艺对洁净度以及激光均匀性要求都很高，并且很难实现大尺寸，一旦有异物颗粒(particle)落入将使PI柔性膜层破裂进而导致柔性OLED显示屏失效。
因此，现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种显示模组、制备方法以及显示装置，以解决现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种显示模组，其包括层叠设置在超薄玻璃上的驱动电路层、发光功能层、封装层以及支撑结构。所述驱动电路层设置于所述超薄玻璃的一侧。所述发光功能层设置于所述驱动电路层远离所述超薄玻璃的一侧。所述封装层设置于所述发光功能层远离所述驱动电路层的一侧。所述支撑结构设置于所述封装层远离所述发光功能层的一侧。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述支撑结构包括背板。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述支撑结构包括背板和不锈钢薄膜，所述背板贴附于所述封装层上，所述不锈钢薄膜贴附于所述背板上。
在本发明实施例提供的显示模组中，还包括偏光片，所述偏光片设置于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
在本发明实施例提供的显示模组中，还包括彩膜层，所述彩膜层设置于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
在本发明实施例提供的显示模组中，还包括触控功能层，所述触控功能层设置于所述超薄玻璃与所述驱动电路层之间。
在本发明实施例提供的显示模组中，还包括触控面板，所述触控面板贴附于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
在本发明实施例提供的显示模组中，所述超薄玻璃的厚度范围为30微米至60微米。
本发明实施例还提供一种显示模组制备方法，其包括：提供显示面板，所述显示面板包括衬底玻璃、驱动电路层、发光功能层以及封装层；在所述封装层上贴附背板；对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃；在所述超薄玻璃下方贴附偏光片。
在本发明实施例提供的显示模组制备方法中，所述在所述超薄玻璃下方贴附偏光片的步骤，包括：在所述超薄玻璃下方贴附触控面板；使用光学胶将所述偏光片贴附在所述触控面板下方。
在本发明实施例提供的显示模组制备方法中，所述显示面板还包括位于所述衬底玻璃和所述驱动电路层之间的触控功能层，所述在所述超薄玻璃下方贴附偏光片的步骤，包括：使用光学胶将所述偏光片直接贴附在所述超薄玻璃下方。
在本发明实施例提供的显示模组制备方法中，所述预设厚度的范围为30微米至60微米。
在本发明实施例提供的显示模组制备方法中，所述对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃之后，还包括：在所述背板上方贴附不锈钢薄膜。
在本发明实施例提供的显示模组制备方法中，所述对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃的步骤，包括：在所述背板上贴附保护膜，所述保护膜包覆所述背板以及所述驱动电路层、所述发光功能层及所述封装层的侧壁；将所述衬底玻璃置于预设浓度的蚀刻液中；在预设时长后，所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃，取出所述超薄玻璃；清洗所述超薄玻璃，并去除所述保护膜。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括前述实施例的显示模组。
本发明的有益效果为：本发明提供的显示模组及其制备方法以及显示装置直接在衬底玻璃上制作驱动电路层和发光功能层，然后对衬底玻璃进行减薄处理形成超薄玻璃，通过处理衬底玻璃得到超薄玻璃，并取代常规的PI柔性膜层支撑面板，进而不需要再采用激光剥离工艺使衬底玻璃和PI柔性膜层分开，避免了采用激光剥离工艺对洁净度和激光均匀性要求高，难以实现大尺寸，以及存在异物颗粒导致PI柔性膜层破裂等诸多问题，解决了现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题。同时本发明的显示模组采用底发射时，因减薄衬底玻璃形成的超薄玻璃的存在，不需要单独在出光面贴附超薄玻璃做盖板，避免了贴附超薄玻璃时发生超薄玻璃破裂，致使良率损失严重等问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的柔性显示面板的第一种剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的柔性显示面板的第二种剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示模组的第一种剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图5为图4中触控功能层的剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示模组的第二种剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的显示模组制备方法流程示意图；
图8至图20为本发明实施例提供的显示模组制备方法中各步骤制得的膜层结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
请参照图1，图1为本发明实施例提供的柔性显示面板的第一种剖面结构示意图。所述柔性显示面板11包括超薄玻璃(Ultra Thin Glass，UTG)1、驱动电路层2、发光功能层3以及封装层4。驱动电路层2设置于所述超薄玻璃1的一侧；发光功能层3设置于所述驱动电路层2远离所述超薄玻璃1的一侧；封装层4设置于所述发光功能层3远离所述驱动电路层2的一侧。其中，所述驱动电路层2用于驱动所述发光功能层3发光，为所述柔性显示面板11显示提供像素；所述封装层4用于保护所述发光功能层3的发光器件，避免水氧入侵导致发光器件失效。所述超薄玻璃1的厚度范围为30微米至60微米。
所述超薄玻璃1的厚度很薄，具有可弯折、可卷曲且不会碎裂的特性，以所述超薄玻璃1做衬底基板，除了能够支撑所述柔性显示面板11的各功能膜层(包括驱动电路层2、发光功能层3以及封装层4等)，还可使所述柔性显示面板11能够弯折或卷曲，同时所述超薄玻璃1的高模量特性，能够减缓所述柔性显示面板11在弯折或卷曲时各功能膜层所受的应力。
需要说明的是，所述超薄玻璃1上的各功能膜层是先制作在常规的衬底玻璃上，各功能膜层制作完成后，通过减薄工艺把常规的衬底玻璃减薄至预设厚度形成所述超薄玻璃1，所述预设厚度即为上述所述超薄玻璃1的厚度范围。
在本实施例的所述柔性显示面板11中，通过处理衬底玻璃得到超薄玻璃1，并取代常规的PI柔性膜层支撑面板，进而不需要再采用激光剥离工艺使衬底玻璃和PI柔性膜层分开，避免了采用激光剥离工艺对洁净度和激光均匀性要求高，难以实现大尺寸，以及存在异物颗粒导致PI柔性膜层破裂等诸多问题，解决了现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题。
在一种实施例中，请参照图2，图2为本发明实施例提供的柔性显示面板的第二种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述柔性显示面板11’还包括触控功能层20，所述触控功能层20设置于所述超薄玻璃1和所述驱动电路层2之间，所述触控功能层20采用incell触控方案。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述，且对于所述柔性显示面板各功能膜层的具体结构及作用将在下文中具体阐述。
请结合参照图3和图4，图3为本发明实施例提供的显示模组的第一种剖面结构示意图；图4为本发明实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。所述显示模组100包括显示面板10、设置于所述显示面板10出光侧的偏光片30、贴附于所述显示面板10非出光侧的支撑结构40，所述显示模组100采用底发射。所述显示面板10包括上述实施例中的任一所述柔性显示面板，具体地，所述显示面板10包括超薄玻璃1、依次层叠设置在所述超薄玻璃1上的触控功能层20、驱动电路层2、发光功能层3、封装层4，其中所述超薄玻璃1的厚度范围为30微米至60微米；所述显示面板10的出光侧也即面向所述发光功能层3出光方向的一侧。
下面将具体说明所述显示模组100的显示面板10以及贴附在所述显示面板10上的各构件的结构及功能：
请继续参照图4，所述触控功能层20设置于所述超薄玻璃1上，所述触控功能层20采用incell触控方案，直接把触控功能层20制作在所述显示面板10的所述超薄玻璃1上，以此可以减薄所述显示面板10的厚度，提高所述显示面板10的集成度。同时把触控功能层20先制作在所述超薄玻璃1上，然后再制作驱动电路层2和发光功能层3，可以采用高温制程制备触控功能层20，避免受所述发光功能层3的发光器件31低温特性的影响，能够提高显示模组100的触控精度。
具体地，请参照图5，图5为图4中触控功能层20的剖面结构示意图。所述触控功能层20采用互电容式触控，所述触控功能层20包括驱动电极201和感应电极203，且所述驱动电极201和所述感应电极203不同层设置，所述驱动电极201和所述感应电极203之间设置有绝缘层202。当然的，本发明不限于此，本发明的触控功能层20的驱动电极201和感应电极203也可以同层设置，驱动电极201和感应电极203交叠的部分通过桥接层桥接，或者所述触控功能层20也可采用自电容式触控，而且在采用incell触控方案时，所述触控功能层20也可设置在所述驱动电路层2和所述发光功能层3之间，或者也可以采用oncell触控方案，把所述触控功能层20设置在所述超薄玻璃1远离所述驱动电路层2的一侧。当然的，所述显示模组100也可以不设置所述触控功能层20，本发明不以此为限。
所述驱动电路层2设置于所述触控功能层20上，当然的，所述驱动电路层2与所述触控功能层20之间、以及所述触控功能层20与所述超薄玻璃1之间还设置有缓冲层(图未示)，所述缓冲层可以防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述超薄玻璃1扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。所述驱动电路层2包括依次层叠设置在所述触控功能层20上的有源层21、栅极绝缘层22、栅极23、层间绝缘层24、源极251和漏极252、平坦化层26、像素电极27及像素定义层28。所述有源层21包括沟道区211以及位于所述沟道区211两侧的源极掺杂区212和漏极掺杂区213，其中所述沟道区211与所述栅极23对应设置。所述源极251和所述漏极252分别通过所述层间绝缘层24的过孔与所述有源层21的所述源极掺杂区212和所述漏极掺杂区213连接。所述像素电极27通过所述平坦化层26的过孔与所述源极251或所述漏极252连接，如图4示出的所述像素电极27通过所述平坦化层26的过孔与所述漏极252连接。所述像素定义层28设置于所述像素电极27以及所述平坦化层26上，且所述像素定义层28图案化形成有像素开口，所述像素开口裸露出部分所述像素电极27，以定义出发光器件的设置区域。
因所述显示模组100采用底发射，为了提高光线的透过率，所述像素电极27采用透明电极，则所述像素电极27可以由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO或In2O3等透明导电材料形成。然而，所述像素电极27的材料不限于此，所述像素电极27可以由各种材料形成，并且也可以形成为单层或多层结构。
需要说明的是，所述驱动电路层2的膜层结构不限于图4示出的顶栅结构，所述驱动电路层2的膜层结构也可采用底栅结构或其他刻蚀阻挡型结构。
所述发光功能层3设置于所述驱动电路层2上，所述发光功能层3包括发光器件31、阴极32，所述发光器件31是由打印在所述像素定义层28的像素开口内的发光材料形成，所述阴极32覆盖所述发光器件31以及所述像素定义层28。所述发光器件31在所述驱动电路层2和所述阴极32的共同作用下发光，进而实现显示面板10的像素显示。所述阴极32可以是透明电极或反射电极，如果所述阴极32是透明电极，则所述阴极32可以包括由逸出功低的金属(如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的组合)形成的层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明导电层。如果所述阴极32是反射电极，则所述阴极32可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的组合形成。然而，所述阴极32不限于这些结构和材料，故可以将所述阴极32修改成各种形式。可以理解的是，把所述阴极32设置成反射电极，可进一步提高发光器件31发出光的利用率。
当然的，所述发光功能层3还可包括设置于所述发光器件31与所述像素电极27之间的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)；以及设置于所述发光器件31与所述阴极32之间的电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)。
所述封装层4设置于所述发光功能层3上，所述封装层4可以采用薄膜封装，所述薄膜封装可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构，用于保护所述发光功能层3的发光器件31，避免水氧入侵导致发光器件31失效。
请继续结合参照图3和图4，所述支撑结构40设置在所述封装层4上，所述支撑结构40包括背板50。所述背板50贴附在所述封装层4上，也即所述背板50设置在所述显示面板10的非出光面，用于支撑所述显示面板10的各膜层。当然地，所述支撑结构40还可包括设置于所述背板50上的泡棉(Foam)、铜箔(Copper)、石墨(Graphite)等形成的叠层结构。所述叠层结构除了能够进一步支撑所述显示面板10的各膜层，还能对所述显示面板10起到缓冲、散热的作用。
可以理解的，为了更好的实现所述显示模组100的弯折性能，还可在所述背板50上贴附不锈钢薄膜60，所述背板50和所述不锈钢薄膜60共同形成所述显示模组100的支撑结构40。所述不锈钢薄膜60通过光学胶贴附在所述背板50远离所述封装层4的一侧。所述不锈钢薄膜60的材料包括不锈钢(如SUS)等硬性材料，不锈钢是一种高模量材料，在受力时不易发生形变，可以很好的保证所述显示模组100的弯折形态，且进一步对所述背板50进行结构补强。
所述偏光片30通过使用透明光学胶(Optically Clear Adhesive，OCA)贴附于所述超薄玻璃1远离所述触控功能层20的一侧。所述偏光片30为圆偏光片，能够起到抗反射的作用，避免外界光线进入显示模组100后被显示面板内的金属膜层反射回来，影响观看效果和对比度。
在本实施例的所述显示模组100中，所述显示面板10的超薄玻璃1通过对衬底玻璃进行减薄处理形成，以超薄玻璃1取代常规的PI柔性膜层，进而不需要再采用激光剥离工艺使衬底玻璃和PI柔性膜层分开，避免了采用激光剥离工艺对洁净度和激光均匀性要求高，难以实现大尺寸，以及存在异物颗粒导致PI柔性膜层破裂等诸多问题，解决了现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题。同时本实施例的显示模组101采用底发射，且因减薄衬底玻璃形成的超薄玻璃1的存在，不需要单独在出光面贴附超薄玻璃做盖板，避免了贴附超薄玻璃时发生超薄玻璃破裂，致使良率损失严重等问题。
在一种实施例中，请参照图6，图6为本发明实施例提供的显示模组的第二种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，显示模组101的触控方案采用外挂TP(touch panel，触控面板)，即把触控面板70直接外挂在所述显示面板10上。具体地，所述显示模组101包括显示面板10、贴附于所述显示面板10出光侧的触控面板70以及彩膜层80、贴附于所述显示面板10非出光侧的背板50和不锈钢薄膜60。所述显示面板10包括超薄玻璃1、依次层叠设置在所述超薄玻璃1上的驱动电路层2、发光功能层3、封装层4，所述触控面板70直接贴附在所述超薄玻璃1远离所述驱动电路层2的一侧。
下面将具体说明本实施例的显示模组101相较于上述实施例的显示模组100结构不同的地方，相同的结构及结构对应的功能不再赘述。
请继续参照图6，显示模组101因采用外挂TP触控方案，所述显示面板10内不需要再设置触控功能层，则所述显示面板10包括层叠设置在超薄玻璃1上驱动电路层2、发光功能层3以及封装层4，当然的，所述驱动电路层2与所述超薄玻璃1之间还设置有缓冲层(图未示)。同时所述驱动电路层2采用双栅结构，具体地，所述驱动电路层2包括依次层叠设置在所述超薄玻璃1上的有源层21、第一栅极绝缘层221、第一栅极231、第二栅极绝缘层222、第二栅极232、层间绝缘层24、源极251和漏极252、平坦化层26、像素电极27及像素定义层28，所述第一栅极231和所述第二栅极232之间可形成存储电容。
触控面板70可通过透明胶(如OCA胶)贴附在所述显示面板10的出光侧，也即直接贴附在所述超薄玻璃1远离所述驱动电路层2的一侧。
彩膜层80可通过光学胶贴附在所述触控面板70上，所述彩膜层80能够替代常规偏光片的功能，也即采用POL-less技术，常规偏光片的厚度较厚，而该技术不仅能将功能层的厚度从大于100微米降低至小于5微米，还能够提高出光率。彩膜层80由红(Red)、绿(Green)、蓝(Blue)色阻以及黑色矩阵(Black Matrix)组成。在OLED显示面板中，R/G/B色阻分别承担着对应的R/G/B发光子像素单元的出光；而黑色矩阵则主要承担着防止面板的漏光与降低面板的反射的作用。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图7，图7为本发明实施例提供的显示模组制备方法的流程示意图。所述显示模组制备方法包括以下步骤：
S301：提供显示面板，所述显示面板包括衬底玻璃、驱动电路层、发光功能层以及封装层；
具体地，请参照图8至图14，图8至图14为本发明实施例提供的显示面板10制备过程中各步骤制得的膜层结构示意图。所述显示面板10的制备过程包括：
提供衬底玻璃6，对所述衬底玻璃6进行清洗、干燥等处理；
在所述衬底玻璃6上制备触控功能层20；具体地，在所述衬底玻璃6上沉积第一缓冲层51，并在所述第一缓冲层51上沉积驱动电极层，图案化驱动电极层形成驱动电极201；在所述驱动电极201以及所述第一缓冲层51上沉积绝缘层202，并在所述绝缘层202上沉积感应电极层，图案化所述感应电极层形成感应电极203，形成如图8所示的触控功能层20。其中所述驱动电极201和所述感应电极203的材料均可包括Al、Cu等金属或ITO等透明导电材料，当采用Al、Cu等金属时，可把驱动电极201和感应电极203均制作成网格(mesh)状的图案电极，以利于光线的透过。
在所述触控功能层20上制备驱动电路层2；具体地，在所述感应电极203以及所述绝缘层202上沉积第二缓冲层52，并在所述第二缓冲层52上沉积半导体材料，图案化所述半导体材料形成半导体图案作为有源层21，所述有源层21的厚度可以为450埃，但本发明不限于此。如图9所示，所述有源层21包括沟道区211以及位于沟道区211两侧的源极掺杂区212和漏极掺杂区213，所述源极掺杂区212和所述漏极掺杂区213可通过离子掺杂形成。所述半导体材料包括低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)、铝锌氧化物
(AlZnO)、铝锌锡氧化物(AlZnSnO)、镓锌锡氧化物(GaZnSnO)、铟镓氧化物(InGaO)、铟镓锌氧化物(InGaZnO)、铟锡锌氧化物(InSnZnO)、铟锌氧化物(InZnO)、铪铟锌氧化物(HfInZnO)或锆锡氧化物(ZrSnO)等金属氧化物。
进一步地，在所述有源层21以及所述第二缓冲层52上沉积第一栅极绝缘层221，并在所述第一栅极绝缘层221上沉积第一栅极层，图案化所述第一栅极层形成第一栅极231。在所述第一栅极231以及所述第一栅极绝缘层221上沉积第二栅极绝缘层222，并在所述第二栅极绝缘层222上沉积第二栅极层，图案化所述第二栅极层形成第二栅极232，形成如图10所示的膜层结构。当然的，在图案化所述第一栅极层和所述第二栅极层时，除了形成有所述第一栅极231和所述第二栅极232外，还可形成栅极扫描线等其他信号线。
进一步地，在所述第二栅极232以及所述第二栅极绝缘层222上沉积层间绝缘层24，图案化所述层间绝缘层24形成多个第一过孔241，所述第一过孔241贯穿所述层间绝缘层24、所述第二栅极绝缘层222以及所述第一栅极绝缘层221至所述有源层21。在所述层间绝缘层24以及所述第一过孔241内沉积源漏极层，图案化所述源漏极层形成源极251和漏极252，所述源极251和所述漏极252分别通过所述第一过孔241连接所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区，形成如图11所示的结构。当然的，在图案化所述源漏极层时，除了形成有所述源极251和所述漏极252外，还形成有数据线、电源线等信号线。
进一步地，在所述源极251、所述漏极252以及所述层间绝缘层24上沉积平坦化层26，图案化所述平坦化层26形成多个第二过孔261，所述第二过孔261贯穿所述平坦化层26以裸露出所述源极251或所述漏极252。在所述平坦化层26以及所述第二过孔261内沉积透明导电材料，如氧化铟锡等，图案化所述透明导电材料形成像素电极27，所述像素电极27通过所述第二过孔261与所述漏极252连接，形成如图12所示的结构。
进一步地，在所述像素电极27以及所述平坦化层26上沉积像素定义层28，图案化所述像素定义层28形成像素开口281，以裸露出部分所述像素电极27，如图13所示。
在所述驱动电路层2上制备发光功能层3；具体地，在所述像素开口281内蒸镀发光材料以形成发光器件31。在所述发光器件31以及所述像素定义层28上蒸镀金属材料，如Al等金属，图案化所述金属材料形成反射阴极32，形成如图13所示的发光功能层结构。其中，所述发光功能层3的阴极32制作成反射电极，能够提高光线的利用率。当然的，所述发光功能层3还可包括设置于所述发光器件31与所述像素电极27之间的空穴注入层、空穴传输层；以及设置于所述发光器件31与所述阴极32之间的电子注入层、电子传输层。
在所述发光功能层3上制备封装层4，形成如图14所示的膜层结构；具体地，所述封装层4可以采用薄膜封装，所述薄膜封装可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构，用于保护所述发光功能层3的发光器件31，避免水氧入侵导致发光器件31失效。
S302：在所述封装层4上贴附背板50；
具体地，通过使用光学胶(如OCA等)把背板50贴附在所述封装层4远离所述发光功能层3的一侧，形成如图15所示的膜层结构。所述背板50能够支撑所述显示面板10的各膜层。
S303：对所述衬底玻璃6进行减薄处理，将所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1；
具体地，对所述衬底玻璃6进行减薄处理，将所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1的步骤，包括：
在所述背板50上贴附保护膜80，所述保护膜80包覆所述背板50以及所述驱动电路层2、发光功能层3及封装层4的侧壁，形成如图16所示的结构，可以理解的是，因所述触控功能层20也设置在衬底玻璃6上，故所述保护膜80也包覆所述触控功能层20的侧壁；所述保护膜80需具有一定粘附性，能够贴附在所述背板50以及所述触控功能层20、所述驱动电路层2、发光功能层3及封装层4的侧壁；且所述保护膜80还需耐酸液等蚀刻液，防止酸液等蚀刻液侵蚀所述显示面板造成显示失效。所述保护膜80的材料可选用PET(Poly ethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等保护膜，所述PET保护膜具有抗化学药品稳定性好，吸水率低，耐弱酸和有机溶剂等性能。
将所述衬底玻璃6置于预设浓度的蚀刻液中；具体地，所述蚀刻液包括酸性蚀刻液等，所述酸性蚀刻液可以为氢氟酸(HF)，利用氢氟酸化学溶液可与玻璃表面的二氧化硅(SiO2)进行化学反应而使其溶解的原理，对衬底玻璃6进行咬蚀而将衬底玻璃6厚度变薄。
在预设时长后，所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1，取出所述超薄玻璃1，如图17所示；具体地，所述预设时长以及所述预设浓度均可根据所述衬底玻璃6要减薄至的预设厚度来设置，其中所述预设厚度的范围为30微米至60微米。
清洗所述超薄玻璃1，并去除所述保护膜80，形成如图18所示的结构。具体地，从所述蚀刻液中取出所述超薄玻璃1后，对所述超薄玻璃1进行清洗，避免所述蚀刻液残留在所述超薄玻璃1上。
在一种实施例中，所述对所述衬底玻璃6进行减薄处理，将所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1的步骤，还可以通过如下方式实现：
通过物理研磨的方式把所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1，并使所述超薄玻璃1表面形成凸凹结构。具体地，物理研磨的方式包括采用机械设备抛光，通过使用抛光粉加纯水形成抛光液的加工介质，在一定的压力下流经机台盛盘与所述衬底玻璃6之间，借机台运转做相对运动，使硬质磨粒直接接触所述衬底玻璃6表面进而切削所述衬底玻璃6表面厚度。使用物理研磨方式时，可通过控制研磨工艺使所述超薄玻璃1表面形成凸凹结构，凸凹结构能够增大待贴附构件(如偏光片)与所述超薄玻璃1的接触面积，增大两者之间的粘着力。
在另一种实施例中，所述对所述衬底玻璃6进行减薄处理，将所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1的步骤，还可以通过如下方式实现：
通过等离子蚀刻方式把所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1，并使所述超薄玻璃1表面形成凸凹结构。
进一步地，对所述衬底玻璃6进行减薄处理，将所述衬底玻璃6减薄至预设厚度形成超薄玻璃1之后，在所述背板50上方贴附不锈钢薄膜60，形成如图19所示的结构。所述不锈钢薄膜60通过透明光学胶贴附在所述背板50远离所述封装层4的一侧。所述不锈钢薄膜60的材料包括不锈钢(如SUS)等硬性材料，不锈钢是一种高模量材料，在受力时不易发生形变，可以很好的保证所述显示模组的弯折形态。
当然地，在所述背板50和所述不锈钢薄膜60之间还可设置由泡棉(Foam)、铜箔(Copper)、石墨(Graphite)等形成的叠层结构。所述叠层结构除了能够进一步支撑所述显示面板10的各膜层，还能对所述显示面板10起到缓冲、散热的作用。
S304：在所述超薄玻璃1下方贴附偏光片30，形成如图20所示的结构。
在一种实施例中，与上述实施例中显示模组制备方法不同的是，显示面板10上没有集成触控功能层20，显示模组要实现触控功能需外挂触控面板，故在所述超薄玻璃1下方贴附偏光片30的步骤，包括：在所述超薄玻璃1下方贴附触控面板；并使用光学胶将所述偏光片30贴附在所述触控面板下方。
需要说明的是，本发明的显示模组制备方法仅以制备上述实施例其中之一的显示模组为例详细说明，本发明不限于此，本发明的显示模组制备方法同样适用于制备上述实施例中的任一显示模组，在此不再赘述。
在一种实施例中，提供一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例其中之一的显示模组。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种显示模组、制备方法以及显示装置。所述显示模组制备方法包括提供显示面板，所述显示面板包括衬底玻璃、驱动电路层、发光功能层以及封装层；在所述封装层上贴附背板；对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃。通过处理衬底玻璃得到超薄玻璃，并取代常规的PI柔性膜层支撑面板，进而不需要再采用激光剥离工艺使衬底玻璃和PI柔性膜层分开，避免了采用激光剥离工艺对洁净度和激光均匀性要求高，难以实现大尺寸，以及存在异物颗粒导致PI柔性膜层破裂等诸多问题，解决了现有柔性OLED显示屏制作工艺需采用激光剥离衬底玻璃且效果不佳的问题。同时本发明的显示模组采用底发射时，因减薄衬底玻璃形成的超薄玻璃的存在，不需要单独在出光面贴附超薄玻璃做盖板，避免了贴附超薄玻璃时发生超薄玻璃破裂，致使良率损失严重等问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种显示模组，其特征在于，包括：
超薄玻璃；
驱动电路层，设置于所述超薄玻璃的一侧；
发光功能层，设置于所述驱动电路层远离所述超薄玻璃的一侧；
封装层，设置于所述发光功能层远离所述驱动电路层的一侧；以及
支撑结构，设置于所述封装层远离所述发光功能层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述支撑结构包括背板。
3.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述支撑结构包括背板和不锈钢薄膜，所述背板贴附于所述封装层上，所述不锈钢薄膜贴附于所述背板上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，还包括偏光片，所述偏光片设置于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
5.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，还包括彩膜层，所述彩膜层设置于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
6.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，还包括触控功能层，所述触控功能层设置于所述超薄玻璃与所述驱动电路层之间。
7.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，还包括触控面板，所述触控面板贴附于所述超薄玻璃远离所述驱动电路层的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述超薄玻璃的厚度范围为30微米至60微米。
9.一种显示模组制备方法，其特征在于，包括：
提供显示面板，所述显示面板包括衬底玻璃、驱动电路层、发光功能层以及封装层；
在所述封装层上贴附背板；
对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃；
在所述超薄玻璃下方贴附偏光片。
10.根据权利要求9所述的显示模组制备方法，其特征在于，所述在所述超薄玻璃下方贴附偏光片的步骤，包括：
在所述超薄玻璃下方贴附触控面板；
使用光学胶将所述偏光片贴附在所述触控面板下方。
11.根据权利要求9所述的显示模组制备方法，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述衬底玻璃和所述驱动电路层之间的触控功能层，所述在所述超薄玻璃下方贴附偏光片的步骤，包括：
使用光学胶将所述偏光片直接贴附在所述超薄玻璃下方。
12.根据权利要求9所述的显示模组制备方法，其特征在于，所述预设厚度的范围为30微米至60微米。
13.根据权利要求9所述的显示模组制备方法，其特征在于，所述对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃之后，还包括：
在所述背板上方贴附不锈钢薄膜。
14.根据权利要求9至13任一项所述的显示模组制备方法，其特征在于，所述对所述衬底玻璃进行减薄处理，将所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃的步骤，包括：
在所述背板上贴附保护膜，所述保护膜包覆所述背板以及所述驱动电路层、所述发光功能层及所述封装层的侧壁；
将所述衬底玻璃置于预设浓度的蚀刻液中；
在预设时长后，所述衬底玻璃减薄至预设厚度形成超薄玻璃，取出所述超薄玻璃；
清洗所述超薄玻璃，并去除所述保护膜。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的显示模组。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113651539A (zh) * 2021-08-16 2021-11-16 江西沃格光电股份有限公司 玻璃基板的减薄方法
WO2023115508A1 (zh) * 2021-12-22 2023-06-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103779379A (zh) * 2012-10-22 2014-05-07 财团法人工业技术研究院 可挠式电子装置及其制造方法
CN103943605A (zh) * 2014-03-31 2014-07-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于超薄玻璃的封装结构及方法
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法
CN107611286A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 信利半导体有限公司 一种柔性oled显示器的制备方法
CN107871822A (zh) * 2016-09-23 2018-04-03 上海和辉光电有限公司 柔性显示面板及制作方法
CN111162194A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN111276518A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及显示装置制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103779379A (zh) * 2012-10-22 2014-05-07 财团法人工业技术研究院 可挠式电子装置及其制造方法
CN103943605A (zh) * 2014-03-31 2014-07-23 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 基于超薄玻璃的封装结构及方法
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法
CN107871822A (zh) * 2016-09-23 2018-04-03 上海和辉光电有限公司 柔性显示面板及制作方法
CN107611286A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 信利半导体有限公司 一种柔性oled显示器的制备方法
CN111162194A (zh) * 2019-12-31 2020-05-15 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN111276518A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及显示装置制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113651539A (zh) * 2021-08-16 2021-11-16 江西沃格光电股份有限公司 玻璃基板的减薄方法
WO2023115508A1 (zh) * 2021-12-22 2023-06-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及显示装置

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