CN103779379B - 可挠式电子装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种可挠式电子装置及其制造方法。该可挠式电子装置包括一第一可挠式衬底、一电子元件、一第一接口层以及一第一阻障(barrier)层。第一接口层的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合。电子元件设置于第一可挠式衬底上，第一接口层形成于电子元件上，第一阻障层形成于第一接口层上。
Description
技术领域
本发明内容是有关于一种可挠式电子装置及其制造方法，且特别是有关于一种具有阻隔水氧的阻障结构的可挠式电子装置及其制造方法。
背景技术
软性有机发光二极管显示器无法采用玻璃衬底(硬式衬底)对玻璃衬底的封装方式制作，必须采用可挠式衬底封装。然而，可挠式衬底(例如是塑料衬底)对于阻隔水气与氧气的效果较差，有机发光二极管对于水气又十分敏感，因此需要在有机发光二极管显示器中增加阻隔水气的结构。
一般常见的方式是在可挠式衬底上设置阻障层以达到阻隔水气的效果。然而，若是设置厚度较高的单层阻障层，虽然具有良好的阻隔水气的效果，但因为应力较强，显示器弯曲时可能会发生断裂。若是设置多层结构的阻障层，却有工艺繁杂且耗时较长的问题。因此，如何提供一种具有简单结构、简化工艺且能保持良好阻隔水气的效果的软性有机发光二极管显示器，乃为相关从业人员努力的课题之一。
发明内容
本发明内容是有关于一种可挠式电子装置及其制造方法。可挠式电子装置中，经由形成接口层于电子元件和阻障层之间或可挠式衬底和阻障层之间，可增加电子元件和阻障层之间或可挠式衬底和阻障层之间的附着性，因此无须设置多层阻障层(例如是三层以上的阻障层)就能够达到良好的阻隔水气与氧气的效果。
根据本发明内容的一实施例，提出一种可挠式(flexible)电子装置。可挠式电子装置包括一第一可挠式衬底、一电子元件、一第一接口层以及一第一阻障(barrier)层。第一接口层的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合。电子元件设置于第一可挠式衬底上，第一接口层形成于电子元件上，第一阻障层形成于第一接口层上。
根据本发明内容的另一实施例，提出一种可挠式电子装置的制造方法。可挠式电子装置的制造方法包括：提供一第一可挠式衬底；设置一电子元件于第一可挠式衬底上；以一热蒸镀工艺(thermalevaporationprocess)形成一第一接口层于电子元件上；以及形成一第一阻障层于第一接口层上。
为了对本发明内容的上述及其他方面有更好的了解，下文特举优选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1A绘示本发明内容的第一实施例的可挠式电子装置的示意图。
图1B绘示本发明内容的第二实施例的可挠式电子装置的示意图。
图2绘示本发明内容的第三实施例的可挠式电子装置的示意图。
图3绘示本发明内容的第四实施例的可挠式电子装置的示意图。
图4绘示本发明内容的第五实施例的可挠式电子装置的示意图。
图5绘示本发明内容的第六实施例的可挠式电子装置的示意图。
图6绘示本发明内容的第七实施例的可挠式电子装置的示意图。
图7绘示本发明内容的第八实施例的可挠式电子装置的示意图。
图8A至图8D绘示依照本发明的一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。
图9A至图9C绘示依照本发明的另一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。
图10A至图10C绘示依照本发明的又一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。
【主要元件符号说明】
100、100’、200、300、300’、500、600、600’：可挠式电子装置
110：第一可挠式衬底
120：电子元件
120a：阴极
130、130’：第一接口层
140：第一阻障层
150：封装胶材层
160：第二可挠式衬底
230：第二接口层
240：第二阻障层
370、670：功能性膜
530：第三接口层
540：第三阻障层
具体实施方式
本发明内容的实施例中，可挠式电子装置中，经由形成接口层于电子元件和阻障层之间或可挠式衬底和阻障层之间，可增加电子元件和阻障层之间或可挠式衬底和阻障层之间的附着性，因此无须设置多层阻障层(例如是三层以上的阻障层)就能够达到良好的阻隔水气与氧气的效果。以下参照所附附图详细叙述本发明内容的实施例。附图中相同的标号用于标示相同或类似之部分。需注意的是，附图是已简化以利于清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明内容欲保护的范围做限缩。具有通常知识的技术人员应当可以依据实际实施形式的需要对该些结构加以修饰或变化。
图1A绘示本发明内容的第一实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图1A，可挠式电子装置100包括第一可挠式(flexible)衬底110、电子元件120、第一接口层130及第一阻障(barrier)层140。电子元件120设置于第一可挠式衬底上，第一接口层130形成于电子元件120上，第一阻障层140形成于第一接口层130上。第一接口层130的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合。第一接口层130形成于电子元件120和第一阻障层140之间，可以增加电子元件120和第一阻障层140之间的附着性，提高电子元件120和第一阻障层140的密封性，进而提升第一阻障层140阻隔水气与氧气的效果，延长电子元件120的使用寿命。并且，经由第一接口层130形成于电子元件120和第一阻障层140之间，无须设置多层阻障层(例如是三层以上的阻障层)就能够达到良好的阻隔水气与氧气的效果。
实施例中，如图1A所示，第一接口层130例如是包覆电子元件120，第一阻障层140形成于第一接口层130且包覆第一接口层130及电子元件120。第一阻障层140并未接触于电子元件120。
实施例中，第一可挠式衬底110例如是塑料聚合物衬底或具有可挠性的金属衬底。实施例中，电子元件120例如是有机发光二极管、有机晶体管或有机太阳能电池等等的有机电子元件。
实施例中，金属元素例如是金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)或前述任两种以上的金属的合金。实施例中，无机金属氧化物例如是铟锡氧化物(ITO)、氧化银(Ag2O)、氧化铜(CuO)、氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)、氧化钛(TiO2)、氧化钒(V2O5)或前述任两种以上的材料的组合。实施例中，至少氧化钼(MoO3)、氧化钨(WO3)及氧化钒(V2O5)可以经由热蒸镀工艺(thermalevaporationprocess)形成于电子元件120上。
一实施例中，第一接口层130的材质例如还可包括一种或多种无机非金属元素。实施例中，无机非金属元素例如是硒(Se)、硫(S)、锑(Te)或前述任两种以上的金属的合金。
一实施例中，第一接口层130的材质例如还可包括一种或多种有机金属化合物。实施例中，有机金属化合物例如是铱错合物(iridiumcomplex)、锇错合物(osmiumcomplex)、铼错合物(rheniumcomplex)或前述任两种以上的材料的组合。实施例中，有机金属化合物是经由热蒸镀工艺形成于电子元件120上，如此则有机金属化合物不会在形成第一接口层130的过程中分解，而能够保持有机金属化合物形成于电子元件120上所具有的化合物结构。
实施例中，如前所述，第一接口层130的材质可以是包括多种前述材料的复合材料，因此除了可以增加电子元件120和第一阻障层140之间的附着性，尚能够经由复合材料具有的不同材质而具有特殊的特性。举例来说，第一接口层130所包括的复合材料也可以具有导电特性，例如是氧化钼/银(MoO3/Ag)复合材料、氧化钼/铜(MoO3/Cu)复合材料或氧化铝/铝(Al2O3/Al)复合材料。
以电子元件120是上发光式有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)为例，如图1A所示，有机发光二极管最上层具有阴极(cathode)120a，其厚度较薄，结构较脆弱，导电特性也较不好。当第一接口层130的材质包括一导电材料时，例如是金、银或铜的导电性金属元素，或者是氧化钼/银、氧化钼/铜或氧化铝/铝的导电性复合材料，则相当于增加了阴极120a的厚度，其导电特性提升，进而使得元件寿命大幅延长。
一实施例中，也可以选择性地在第一接口层130和第一阻障层140之间再设置一层阻障层(未绘示)，如此一来，两层阻障层搭配一层接口层可以达到更好的阻隔水气与氧气的效果。本发明内容的实施例中，仅需一层或两层阻障层搭配一层接口层，便可以达到良好的阻隔水气与氧气的效果。
实施例中，第一阻障层140的材质例如是无机陶瓷材料，例如是金属氧化物或金属氮化物，且不具有导电性。举例来说，第一阻障层140的材质例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。实施例中，第一阻障层140的材质与第一接口层130的材质为不同。
如图1A所示，可挠式电子装置100还可包括封装胶材层(encapsulationadhesivelayer)150及第二可挠式衬底160，封装胶材层150形成于第一阻障层140上，第二可挠式衬底160形成于封装胶材层150上。
实施例中，封装胶材层150的材质是高分子材料，例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMS)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)或环氧树脂(epoxy)，封装胶材层150用于黏合第二可挠式衬底160。实施例中，封装胶材层150由有机材质形成，因此也可以视作一有机层，搭配单层结构的第一阻障层140时，有助于舒缓整体结构的应力，防止断裂。
实施例中，第二可挠式衬底160例如是软性盖板，其材质例如塑料聚合物或具有可挠性的金属材料，可以是透明、半透明或不透明的。
图1B绘示本发明内容的第二实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图1B，本实施例与图1A的实施例的差别在于，可挠式电子装置100’中，第一接口层130’形成于电子元件120的上表面，第一接口层130’并未完全包覆电子元件120。第一阻障层140形成于第一接口层130’上且包覆第一接口层130’及电子元件120。第一阻障层140接触于电子元件120的侧面。实施例中，第一接口层130’的材质同前述实施例中关于第一接口层130的叙述，在此不再赘述。
图2绘示本发明内容的第三实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图2，本实施例与图1A的实施例的差别在于，可挠式电子装置200还包括第二接口层230及第二阻障层240，第二接口层230形成于第一可挠式衬底110上，第二阻障层240形成于第二接口层230和电子元件120之间。
如图2所示，实施例中，第二接口层230形成于第一可挠式衬底110和第二阻障层240之间，可以增加第一可挠式衬底110和第二阻障层240之间的附着性，提高两者的密封性，进而提升第二阻障层240阻隔水气与氧气的效果，延长电子元件120的使用寿命。并且，经由第二接口层230形成于第一可挠式衬底110和第二阻障层240之间，无须设置多层阻障层于第一可挠式衬底110上就能够达到良好的阻隔水气与氧气的效果。本实施例中与前述实施例相同的元件沿用同样的元件标号，且相同元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，第二接口层230的材质同前述实施例中关于第一接口层130的叙述，在此不再赘述。实际应用时，第一接口层130和第二接口层230可以选用相同或不同的材质。
实施例中，第二阻障层240的材质同前述实施例中关于第一阻障层140的叙述，在此不再赘述。实施例中，第二阻障层240的材质与第二接口层230的材质为不同。
图3绘示本发明内容的第四实施例的可挠式电子装置的示意图，图4绘示本发明内容的第五实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图3～图4，第四实施例及第五实施例与图2的实施例的差别在于，可挠式电子装置300、300’还包括功能性膜(functionalfilm)370，功能性膜370形成于第一可挠式衬底110和电子元件120之间。
第四实施例中，如图3所示，功能性膜370形成于第二阻障层240和电子元件120之间。第五实施例中，如图4所示，功能性膜370形成于第一可挠式衬底110和第二接口层230之间。实施例中，功能性膜370例如是彩色滤光片或触控式面板。
图5绘示本发明内容的第六实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图5，本实施例与图3的实施例的差别在于，可挠式电子装置500还包括第三接口层530及第三阻障层540，第三接口层530形成于第二可挠式衬底160上，第三阻障层540形成于第三接口层530和封装胶材层150之间。
如图5所示，实施例中，第三接口层530形成于第二可挠式衬底160和第三阻障层540之间，可以增加第二可挠式衬底160和第三阻障层540之间的附着性，提高两者的密封性，进而提升第三阻障层540阻隔水气与氧气的效果，延长电子元件120的使用寿命。并且，经由第三接口层530形成于第二可挠式衬底160和第三阻障层540之间，无须设置多层阻障层于第二可挠式衬底160上就能够达到良好的阻隔水气与氧气的效果。本实施例中与前述实施例相同的元件沿用同样的元件标号，且相同元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。
实施例中，第三接口层530的材质同前述实施例中关于第一接口层130的叙述，在此不再赘述。实际应用时，第一接口层130、第二接口层230及第三接口层530可以选用相同或不同的材质。
实施例中，第三阻障层540的材质同前述实施例中关于第一阻障层140的叙述，在此不再赘述。实施例中，第三阻障层540的材质与第三接口层530的材质为不同。
图6绘示本发明内容的第七实施例的可挠式电子装置的示意图，图7绘示本发明内容的第八实施例的可挠式电子装置的示意图。请参照图6～图7，第七实施例及第八实施例与图5的实施例的差别在于，可挠式电子装置600、600’还包括功能性膜670，功能性膜670形成于第二可挠式衬底160和封装胶材层150之间。
第七实施例中，如图6所示，功能性膜670形成于第三阻障层540和封装胶材层150之间。第八实施例中，如图7所示，功能性膜670形成于第二可挠式衬底160和第三接口层530之间。实施例中，功能性膜670例如是彩色滤光片或触控式面板。
以下就实施例作进一步说明。以下实施例及比较例1～2中，列出简化的结构配置，其中比较例1的结构不包括第一接口层130，比较例2的结构不包括第一接口层130及封装胶材层150。然而以下的实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明内容实施的限制。
(1)实施例的结构配置：第一可挠式衬底110/电子元件120/第一接口层130/阻障层/第一阻障层140/封装胶材层150。
(2)比较例1的结构配置：第一可挠式衬底110/电子元件120/阻障层/第一阻障层140/封装胶材层150。
(3)实施例的结构配置：第一可挠式衬底110/电子元件120/阻障层/第一阻障层140。
以下表1中，实施例及比较例1～2的样品的水气穿透率(WVTR)数据于60℃/90％相对湿度(relativehumidity，RH)的条件下所测得，其中折弯操作(bendingoperation)的条件为折弯曲率半径5公分且折弯次数为100次。
以下表2的数据是将实施例及比较例2的样品静置固定时间后测得的单位像素发光区域面积缩小的比例。
表1
[注1]低于仪器探测极限。
表2
[注2]未测量。
从表1中可看出，比较例1～2中，折弯操作之前的水气穿透率为2.1*10-2～5.1*10-2之间，且经过折弯操作之后，其水气穿透率大幅上升。相比之下，本发明内容的实施例中，折弯操作之前的水气穿透率为至少小于5.1*10-4，其阻隔水气的效果是比较例1～2的100倍以上，并且即使经过折弯操作之后，其水气穿透率也未有明显改变。换句话说，本发明内容的实施例中的样品，不但具有良好的阻隔水气的效果，并且具有良好抗应力的能力。
从表2中可看出，比较例2中，经过静置之后，其发光区域面积大幅缩小，显示其阻隔水气的能力不好。相比之下，本发明内容的实施例中，即使经过静置1000小时，其发光区域面积几乎没有改变，显示其阻隔水气的能力良好。换句话说，本发明内容的实施例中的样品，即使经过长时间静置仍具有良好的阻隔水气的效果。
以下提出实施例的一种可挠式电子装置的制造方法，但是该些步骤仅为举例说明之用，并非用于限缩本发明。具有本领域通常知识的技术人员应当可以依据实际实施形式的需要对该些步骤加以修饰或变化。请参照图8A至图8D、图9A至图9C及图10A至图10C。图8A至图8D绘示依照本发明的一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。图9A至第9CA图绘示依照本发明的另一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。图10A至图10C绘示依照本发明的又一实施例的一种可挠式电子装置的制造方法示意图。
以下说明图1A的半导体结构100的制造过程。请参照图8A至图8D。
请参照图8A，提供第一可挠式衬底110。接着，请参照图8B，设置电子元件120于第一可挠式衬底110上。
请参照图8C，以热蒸镀工艺形成第一接口层130于电子元件120上，以及形成第一阻障层140于第一接口层130上。实施例中，第一阻障层140需具有致密的结构以达到阻隔水气与氧气的效果，第一阻障层140例如是以溅射(sputtering)工艺、化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)工艺或任何其他适于形成致密结构膜层的工艺方式形成于第一接口层130上。
一般而言，阻障层必须具有致密的结构以达到阻隔水气与氧气的效果，因此通常以例如是溅射或化学气相沉积的方式制作。然而，化学气相沉积工艺与溅射工艺都会产生等离子体，当阻障层直接形成于电子元件上(例如是有机发光二极管)时，工艺中产生的等离子体可能会破坏电子元件。本发明内容的实施例中，先以热蒸镀工艺形成第一接口层130于电子元件120上，再形成第一阻障层140于第一接口层130上，可以利用第一接口层130保护电子元件120，达到使电子元件120免于受到等离子体破坏的效果。
再者，以电子元件120为有机发光二极管为例，有机发光二极管基本上是以热蒸镀工艺制作，因此同样以热蒸镀工艺形成第一接口层130于有机发光二极管(电子元件120)上，可以和有机发光二极管的制作在同一个工艺腔体中进行，不需使用额外的设备，可以简化工艺步骤以及缩短工艺时间。
接着，请参照图8D，形成封装胶材层150于第一阻障层上140，以及形成第二可挠式衬底160于封装胶材层150上。至此，形成如图8D(图1A)所示的可挠式电子装置100。
以下说明图2的半导体结构200的制造过程。请同时参照图8C至图8D及图9A至图9C。
请参照图9A，提供第一可挠式衬底110。接着，形成第二接口层230于第一可挠式衬底110上，以及形成第二阻障层240于第二接口层230上。实施例中，第二接口层230例如是以溅射工艺、化学气相沉积工艺、热蒸镀工艺、或其他任何适合的工艺方式形成于第一可挠式衬底110上。实施例中，第二阻障层240例如是以溅射工艺、化学气相沉积工艺或任何其他适于形成致密结构膜层的工艺方式形成于第二接口层230上。
请参照图9B，设置电子元件120于第二阻障层240上。实施例中，第二阻障层240形成于第二接口层230和电子元件120之间。
接着，请参照图9C，以类似于图8C至图8D所示的方式，以热蒸镀工艺形成第一接口层130于电子元件120上、形成第一阻障层140于第一接口层130上、形成封装胶材层150于第一阻障层上140，以及形成第二可挠式衬底160于封装胶材层150上。至此，形成如图9C(图2)所示的可挠式电子装置200。
一实施例中，也可选择性地形成功能性膜370于第一可挠式衬底110和电子元件120之间，以形成如图3所示的可挠式电子装置300或如图4所示的可挠式电子装置300’。
以下说明图5的半导体结构500的制造过程。请同时参照图8C、图9A至图9B及图10A至图10C。
请参照图10A，以类似于图8C及图9A至图9B所示的方式，提供第一可挠式衬底110、形成第二接口层230于第一可挠式衬底110上、形成第二阻障层240于第二接口层230上、设置电子元件120于第二阻障层240上、以热蒸镀工艺形成第一接口层130于电子元件120上以及形成第一阻障层140于第一接口层130上。
接着，请参照图10B～图10C，形成封装胶材层150于第一阻障层上140，形成第二可挠式衬底160于封装胶材层150上，形成第三接口层530于第二可挠式衬底160上，以及形成第三阻障层540于第三接口层530和封装胶材层150之间。实施例中，第三接口层530例如是以溅射工艺、化学气相沉积工艺、热蒸镀工艺、或其他任何适合的工艺方式形成于第二可挠式衬底160。实施例中，第三阻障层540例如是以溅射工艺、化学气相沉积工艺或任何其他适于形成致密结构膜层的工艺方式形成于第三接口层530上。
实施例中，形成第三阻障层540于第三接口层530和封装胶材层150之间的制造方法例如包括以下步骤：如图10B所示，提供第二可挠式衬底160，形成第三接口层530于第二可挠式衬底160上，以及形成第三阻障层540于第三接口层530上。接着，如图10C所示，接合第三阻障层540和封装胶材层150。至此，形成如图10C(图5)所示的可挠式电子装置500。
一实施例中，也可选择性地形成功能性膜670于第二可挠式衬底160和封装胶材层150之间，以形成如图6所示的可挠式电子装置600或如图7所示的可挠式电子装置600’。
综上所述，虽然本发明内容已以实施例揭露如上，然而其并非用于限定本发明内容的保护范围。本发明内容对于本领域技术人员，在不脱离本发明内容的精神和范围内，当可作各种的更改与修饰。因此，本发明内容的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (18)
1.一种可挠式电子装置，其特征在于，包括：
一第一可挠式衬底；
一电子元件设置于该第一可挠式衬底上；
一第一接口层形成于该电子元件上，其中该第一接口层的材质包括一或多种金属元素及一或多种无机金属氧化物的组合，且该第一接口层为一单层结构；以及
一第一阻障层形成于该第一接口层上，且该第一接口层的下表面与该电子元件接触，该第一接口层的上表面与该第一阻障层接触。
2.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，该金属元素选自于由金、银、铜、铝、钼、钨及其组合所构成的群组，该无机金属氧化物选自于由铟锡氧化物、氧化银、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化钒及其组合所构成的群组。
3.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，该第一接口层的材质还包括一或多种无机非金属元素，该无机非金属元素选自于由硒、硫、锑及其组合所构成的群组。
4.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，该第一接口层的材质还包括一或多种有机金属化合物，该有机金属化合物选自于由铱错合物、锇错合物、铼错合物及其组合所构成的群组。
5.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，该第一接口层的材质包括一导电材料。
6.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括一功能性膜形成于该第一可挠式衬底和该电子元件之间。
7.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括：
一第二接口层形成于该第一可挠式衬底上；以及
一第二阻障层形成于该第二接口层和该电子元件之间。
8.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括：
一封装胶材层形成于该第一阻障层上；以及
一第二可挠式衬底形成于该封装胶材层上。
9.根据权利要求8所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括：
一第三接口层形成于该第二可挠式衬底上；以及
一第三阻障层形成于该第三接口层和该封装胶材层之间。
10.根据权利要求8所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括一功能性膜形成于该第二可挠式衬底和该封装胶材层之间。
11.一种可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一可挠式衬底；
设置一电子元件于该第一可挠式衬底上；
以一热蒸镀工艺形成一第一接口层于该电子元件上，且该第一接口层为一单层结构；以及
形成一第一阻障层于该第一接口层上，且该第一接口层的下表面与该电子元件接触，该第一接口层的上表面与该第一阻障层接触。
12.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，该第一接口层的材质包括一或多种金属元素、一或多种无机非金属元素、一或多种无机金属氧化物、一或多种有机金属化合物或前述任两种以上的组合。
13.根据权利要求12所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，该无机金属氧化物选自于由铟锡氧化物、氧化银、氧化铜、氧化钼、氧化钨、氧化钛、氧化钒及其组合所构成的群组。
14.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成一功能性膜于该第一可挠式衬底和该电子元件之间。
15.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成一第二接口层于该第一可挠式衬底上；以及
形成一第二阻障层于该第二接口层和该电子元件之间。
16.根据权利要求11所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成一封装胶材层于该第一阻障层上；以及
形成一第二可挠式衬底于该封装胶材层上。
17.根据权利要求16所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成一第三接口层于该第二可挠式衬底上；以及
形成一第三阻障层于该第三接口层和该封装胶材层之间。
18.根据权利要求16所述的可挠式电子装置的制造方法，其特征在于，还包括：
形成一功能性膜于该第二可挠式衬底和该封装胶材层之间。
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