TWM507059U - 改良式薄膜熱敏電阻 - Google Patents
改良式薄膜熱敏電阻 Download PDFInfo
- Publication number
- TWM507059U TWM507059U TW104205287U TW104205287U TWM507059U TW M507059 U TWM507059 U TW M507059U TW 104205287 U TW104205287 U TW 104205287U TW 104205287 U TW104205287 U TW 104205287U TW M507059 U TWM507059 U TW M507059U
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polymer resin
- brackets
- thin film
- resin layer
- film thermistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本創作是有關於一種薄膜熱敏電阻,特別是有關於一種使用高分子樹脂來包覆感測晶片,以提升對感測晶片之保護性之改良式薄膜熱敏電阻。
熱敏電阻(thermistor)是一種感測器電阻,電阻值隨著溫度的變化而改變,且體積隨溫度的變化較一般的固定電阻要大很多。熱敏電阻屬於非線性電阻的一類,廣泛應用於各種電子元件中,例如湧流電流限制器、溫度傳感器、可復式保險絲等。
薄膜熱敏電阻為熱敏電阻的一種,可應用於溫度感測器等方面,如第1及2圖所示,習知之薄膜熱敏電阻100包含有相互連接之支架1及感測晶片2,並包含有包覆支架1及感測晶片2之絕緣薄膜層3。然而,習知利用絕緣薄膜包覆感測晶片2具有下列缺點:
1、機械強度差。
2、絕緣薄膜較薄,機械強度較不足以保護感測晶片承受外界衝擊力。
有鑑於上述習知技藝之問題,本創作之目的就是在提供一種改良式薄膜熱敏電阻,以解決習知之薄膜熱敏電阻對感測晶片之保護較為不足之問題。
根據本創作之目的,提出一種改良式薄膜熱敏電
阻,其包含:複數個支架,係為並列設置;一感測晶片,係連接複數個支架朝向同一方向之一端;一高分子樹脂層,係包覆感測晶片;以及一絕緣薄膜層,係包覆各支架之一部份並銜接高分子樹脂層。
較佳地,各支架可為金屬所製。
較佳地,絕緣薄膜層與高分子樹脂層之銜接處係部份交疊。
較佳地,感測晶片與各支架舉例來說係以銲錫相接合。
較佳地,高分子樹脂層所包含之高分子樹脂舉例來說可為環氧樹脂。
根據本創作之目的,又提出一種改良式薄膜熱敏電阻,其包含:複數個支架,各支架為金屬所製,且複數個支架係為並列設置;一感測晶片,係連接複數個支架朝向同一方向之一端;一高分子樹脂層,係包覆感測晶片,其中高分子樹脂層所包含之高分子樹脂為環氧樹脂;以及一絕緣薄膜層,係包覆各支架之一部份並銜接高分子樹脂層。
承上所述,本創作之改良式薄膜熱敏電阻係利用高分子樹脂來包覆感測晶片,相較於習知採用之絕緣薄膜係較具有更大之機械強度,絕緣性及承受衝擊力度亦較為提升,可達到較佳保護感測晶片之功效。
100‧‧‧薄膜熱敏電阻
1、10‧‧‧支架
2、20‧‧‧感測晶片
3、40‧‧‧絕緣薄膜層
200‧‧‧改良式薄膜熱敏電阻
30‧‧‧高分子樹脂層
第1圖 為習知之薄膜熱敏電阻之第一示意圖。
第2圖 為習知之薄膜熱敏電阻之第二示意圖。
第3圖 為本創作之改良式薄膜熱敏電阻之第一實施例之第
一示意圖。
第4圖 為本創作之改良式薄膜熱敏電阻之第一實施例之第二示意圖。
第5圖 為本創作之改良式薄膜熱敏電阻之第二實施例之示意圖。
為利 貴審查員瞭解本創作之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效,茲將本創作配合附圖,並以實施例之表達形式詳細說明如下,而其中所使用之圖式,其主旨僅為示意及輔助說明書之用,未必為本創作實施後之真實比例與精準配置,故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本創作於實際實施上的權利範圍,合先敘明。
請參閱第3圖及第4圖,其分別係為本創作之改良式薄膜熱敏電阻之第一實施例之第一示意圖及第二示意圖。圖中,此改良式薄膜熱敏電阻200可用於電極接觸測溫、電池等方面,其包含有複數個支架10、感測晶片20、高分子樹脂層30及絕緣薄膜層40。
各支架10係為金屬所製,且複數個支架10係為並列設置。感測晶片20係連接複數個支架10朝向同一方向之一端,意即,各支架10的一端係共同連接感測晶片20,另一端則朝向同一方向做為接腳使用,以插設於電路板上,其中,感測晶片20與各支架10係透過銲錫方式相接合。絕緣薄膜層40係包覆各支架10之一部份,而支架10做為接腳之部份則是裸露於外。
本創作之特徵在於,感測晶片20外圍部份係經由高分子樹脂層30所包覆,由於高分子樹脂層30之材質較絕緣薄膜硬,故可承受較大之衝擊,可降低感測晶片20受外力衝擊而損壞
之機率。高分子樹脂層30包覆於感測晶片20時係銜接絕緣薄膜層40,而高分子樹脂層30與絕緣薄膜層40之銜接處係部份交疊。其中,高分子樹脂層30所包含之高分子樹脂較佳可為環氧樹脂,但不以此為限。
另外,可參閱第5圖,其係為本創作之改良式薄膜熱敏電阻之第二實施例之示意圖。第二實施例之改良式薄膜熱敏電阻200相較於第一實施例之差異在於,包覆住感測晶片20之高分子樹脂層30之形狀,係對應於感測晶片20而呈下寬上窄之態樣。
綜上所述,本創作之改良式薄膜熱敏電阻,係將原先習知包覆感測晶片之絕緣薄膜更改為採用高分子樹脂,藉此,可得到下列優點:
1、具有更好的絕緣效果。
2、機械強度較大。
3、材質較硬,可承受較大的衝擊力。
綜觀上述,可見本創作在突破先前之技術下,確實已達到所欲增進之功效,且也非熟悉該項技藝者所易於思及,再者,本創作申請前未曾公開,且其所具之進步性、實用性,顯已符合專利之申請要件,爰依法提出專利申請,懇請 貴局核准本件創作專利申請案,以勵創作,至感德便。
以上所述之實施例僅係為說明本創作之技術思想及特點,其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本創作之內容並據以實施,當不能以之限定本創作之專利範圍,即大凡依本創作所揭示之精神所作之均等變化或修飾,仍應涵蓋在本創作之專利範圍內。
200‧‧‧改良式薄膜熱敏電阻
10‧‧‧支架
20‧‧‧感測晶片
30‧‧‧高分子樹脂層
40‧‧‧絕緣薄膜層
Claims (6)
- 一種改良式薄膜熱敏電阻,其包含:複數個支架,係為並列設置;一感測晶片,係連接該複數個支架朝向同一方向之一端;一高分子樹脂層,係包覆該感測晶片;以及一絕緣薄膜層,係包覆各該支架之一部份並銜接該高分子樹脂層。
- 如請求項1所述之改良式薄膜熱敏電阻,其中各該支架係為金屬所製。
- 如請求項1所述之改良式薄膜熱敏電阻,其中該絕緣薄膜層與該高分子樹脂層之銜接處係部份交疊。
- 如請求項1所述之改良式薄膜熱敏電阻,其中該感測晶片與各該支架係以銲錫相接合。
- 如請求項1所述之改良式薄膜熱敏電阻,其中該高分子樹脂層所包含之高分子樹脂為環氧樹脂。
- 一種改良式薄膜熱敏電阻,其包含:複數個支架,各該支架為金屬所製,且該複數個支架係為並列設置;一感測晶片,係連接該複數個支架朝向同一方向之一端;一高分子樹脂層,係包覆該感測晶片,其中該高分子樹脂層所包含之高分子樹脂為環氧樹脂;以及一絕緣薄膜層,係包覆各該支架之一部份並銜接該高分子樹脂層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104205287U TWM507059U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 改良式薄膜熱敏電阻 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104205287U TWM507059U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 改良式薄膜熱敏電阻 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM507059U true TWM507059U (zh) | 2015-08-11 |
Family
ID=54340282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104205287U TWM507059U (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | 改良式薄膜熱敏電阻 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWM507059U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI753262B (zh) * | 2018-05-31 | 2022-01-21 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 熱感測器 |
-
2015
- 2015-04-09 TW TW104205287U patent/TWM507059U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI753262B (zh) * | 2018-05-31 | 2022-01-21 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 熱感測器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200921068A (en) | Temperature sensor with lead wires | |
US8502638B1 (en) | Thermistor | |
WO2017113787A1 (zh) | 一种热敏电阻及其制作方法和其制成的温度传感器 | |
TWI676187B (zh) | 過電流保護元件 | |
JP2007093453A (ja) | 表面実装型温度センサ | |
JP2010073731A (ja) | リード線付き電子部品 | |
JP2010114167A (ja) | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 | |
TWI545606B (zh) | 複合保護裝置 | |
JP2011249615A (ja) | 表面実装型電子部品およびその製造方法 | |
US9704770B2 (en) | Electronic component module | |
TWM507059U (zh) | 改良式薄膜熱敏電阻 | |
JP6365603B2 (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
JP3195208U (ja) | 金属抵抗体 | |
JP2008166666A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2014241190A (ja) | Ptcヒータ | |
EP3324416A1 (en) | Electronic component | |
CN108106750A (zh) | 一种薄片型温度传感器及其制备方法 | |
TWI582799B (zh) | Metal plate micro resistance | |
JP2008267855A (ja) | 液面検出センサおよびこれを用いた液体用タンク | |
JP4487825B2 (ja) | 温度検出素子 | |
JP4952771B2 (ja) | ラジアルリード電子部品 | |
JP6028770B2 (ja) | 温度センサ | |
JPH0798203A (ja) | ひずみゲージ | |
KR101179196B1 (ko) | 투명한 재료로 밀봉된 와이어 타입 전자부품 | |
JP2017157767A (ja) | チップ抵抗器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4K | Annulment or lapse of a utility model due to non-payment of fees |