TWI839568B - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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大橋直史
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日商國際電氣股份有限公司
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Abstract

本發明可將副產物去除而抑制微粒之產生。 本發明之基板處理裝置具備有：處理室，其處理基板；及基板支撐部，其被設置於處理室內，具有載置基板的複數個載置部；上述處理室具有對基板供給處理氣體的處理區域、及沖洗基板的沖洗區域，沖洗區域具有以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、及以高於第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於一種基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式。
作為處理半導體基板的裝置，已知有旋轉型裝置，該旋轉型裝置係將複數個基板沿周向配置於基板載置台上，使該基板載置台旋轉並對複數個基板供給複數種氣體。又，已知有立式裝置，該立式裝置係於裝載有複數個基板的狀態下，使用沿基板之裝載方向所延伸存在的原料氣體噴嘴對複數個基板供給原料氣體。例如，參照專利文獻1、專利文獻2。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-34013號公報 [專利文獻2]日本專利特開2017-147262號公報
(發明所欲解決之問題)
伴隨半導體器件之三維構造化，要求於高縱橫比之槽內覆蓋性良好地進行成膜處理。於旋轉型裝置中，將處理室分隔成複數個處理區域，於各處理區域進行各處理。因此，必須將藉由成膜氣體所被生成的副產物自槽內去除。
本發明係解決上述課題者，提供一種將高縱橫比之槽內之副產物去除而抑制微粒之產生的技術。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具備有： 處理室，其處理基板；及 基板支撐部，其被設置於上述處理室內，具有載置上述基板的複數個載置部； 上述處理室具有對上述基板供給處理氣體的處理區域、及沖洗上述基板的沖洗區域， 上述沖洗區域具有以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、及以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域。 (對照先前技術之功效)
根據本發明，可去除副產物而抑制微粒之產生。
(1)基板處理裝置之構成 如圖1及圖2所示，反應器200具備有圓筒狀之氣密容器即處理容器203。處理容器203例如以不鏽鋼(SUS)、鋁合金等所構成。於處理容器203內構成有處理基板S的處理室201。於處理容器203連接有閘閥205，經由閘閥205將基板S搬入搬出。
處理室201具有供給處理氣體的處理區域206及對區域內進行沖洗的沖洗區域207。即，處理室201具有對基板S供給處理氣體的處理區域206、及沖洗基板S的沖洗區域207。此處，處理區域206與沖洗區域207係呈圓周狀交替地被配置。例如，在第1處理區域206a、沖洗區域207a、第2處理區域206b及沖洗區域207b之順序下進行配置。如下所述，向第1處理區域206a內供給原料氣體，向第2處理區域206b內供給反應氣體。藉此，配合被供給至第1處理區域206a與第2處理區域206b內的氣體，對基板S實施既定之處理。
沖洗區域207a及沖洗區域207b係分別將第1處理區域206a及第2處理區域206b在空間上進行分割的區域。沖洗區域207a、207b之頂壁208被構成為較作為頂板209之下表面的處理區域206之頂壁低，將於下文詳細地進行敍述。在沖洗區域207a、207b於與作為基板支撐部的旋轉台217對向的位置分別設置有頂壁208a、208b。藉由對該空間進行沖洗，而將基板S上之多餘之氣體去除。又，藉由對該空間進行沖洗，而劃分所相鄰之處理區域206。
於處理容器203之中央設置有旋轉台217，該旋轉台217例如於處理容器203之中心具有旋轉軸，且構成為旋轉自如。旋轉台217例如以石英、碳或SiC等材料所形成，使得基板S不受金屬污染之影響。
旋轉台217被構成為在處理容器203內將複數片(例如5片)基板S排列支撐於同一面上，且沿著旋轉方向排列支撐於同一圓周上。此處言及之「同一面」不限於完全之同一面，只要以當自上表面觀察旋轉台217時複數片基板S不相互重疊之方式排列即可。
於旋轉台217表面中之基板S之支撐位置，設置有作為載置基板S的載置部的複數個凹部217b。與所處理之基板S之片數相同數量的凹部217b相互地以等間隔(例如72°之間隔)被配置於從旋轉台217之中心在同心圓上的位置。再者，於圖1中，為了便於說明而省略了圖示。
各個凹部217b例如自旋轉台217之上表面觀察時呈圓形狀，自側面觀察時呈凹形狀。較佳為被構成為凹部217b之直徑略大於基板S之直徑。於該凹部217b之底部設置有基板載置面，藉由將基板S載置於凹部內，可將基板S載置於基板載置面。於各凹部217b，設置有下述之銷219所貫通的複數個貫通孔217a。
於處理容器203中旋轉台217下方且與閘閥205相對的部位，設置有圖3記載之基板保持機構218。基板保持機構218具有複數個銷219，銷219於基板S之搬入搬出時，將基板S頂起而支撐基板S之背面。銷219構成為可延伸，例如可收納於基板保持機構218本體。於移載基板S時，銷219被延伸並貫通貫通孔217a，並且保持基板S。其後，藉由銷219之前端移動至下方，而將基板S載置於凹部217b。基板保持機構218例如固定於處理容器203。基板保持機構218只要構成為於基板載置時可將銷219插入至孔217a即可，亦可固定於下述之內周凸部282、外周凸部283。
旋轉台217被固定於核心部221。核心部221被設置於旋轉台217之中心，具有將旋轉台217固定的作用。由於為支撐旋轉台217的構造，故而使用金屬，使得能夠承受重量。於核心部221之下方配置有軸222。軸222支撐核心部221。
軸222之下方以容器204覆蓋，該容器204係貫通被設置於處理容器203之底部的孔223，且在處理容器203外可實現氣密。又，軸222之下端被連接至旋轉部224。旋轉部224搭載旋轉軸、馬達等，且被構成為可根據下述之控制器300之指示使旋轉台217旋轉。即，控制器300藉由旋轉部224使旋轉台217以基板S外之某個點即核心部221為中心進行旋轉，而使基板S在第1處理區域206a、沖洗區域207a、第2處理區域206b及沖洗區域207b之順序下依次通過。
其以覆蓋核心部221之方式設置有石英蓋225。即，石英蓋225被設置於核心部221與處理室201之間。石英蓋225被構成為介隔有空間對核心部221進行覆蓋。石英蓋225例如以石英、SiC等之材料所形成，使得基板S不受金屬污染之影響。核心部221、軸222、旋轉部224、石英蓋225被統稱為支撐部。
於旋轉台217之下方，配置有包含作為加熱部之加熱器280的加熱器單元281。加熱器280對被載置於旋轉台217的各基板S進行加熱。加熱器280沿著處理容器203之形狀被構成為圓周狀。
加熱器單元281主要包括有：內周凸部282，其被設置於處理容器203之底部上且處理容器203之中心側；外周凸部283，其被配置於相較加熱器280更靠外周側；及加熱器280。內周凸部282、加熱器280、外周凸部283被配置成同心圓狀。於內周凸部282與外周凸部283之間形成有空間284。加熱器280被配置於空間284。內周凸部282、外周凸部283被固定於處理容器203，因此，亦可考慮作為處理容器203之一部分。
此處，雖對圓周狀之加熱器280進行說明，但只要能夠加熱基板S者則不受其所限制，亦可設為分割成複數個之構造。又，亦可設為在旋轉台217內含有加熱器280的構造。
於內周凸部282之上部而在加熱器280側形成有凸緣282a。窗285以凸緣282a與外周凸部283之上表面所支撐。窗285為使自加熱器280所產生之熱透過的材質，例如以石英所構成。窗285係藉由下述之排氣構造286之上部286a與內周凸部282所夾住而被固定。
於加熱器280連接有加熱器溫度控制部287。加熱器280被電性連接至下述之控制器300，根據控制器300之指示控制對加熱器280的電力供給，進行溫度控制。
於處理容器203之底部，設置有與空間284連通的惰性氣體供給管275。惰性氣體供給管275被連接至下述之惰性氣體供給部270。自惰性氣體供給部270所被供給的惰性氣體經由惰性氣體供給管275被供給至空間284。藉由將空間284設為惰性氣體氛圍，而防止處理氣體自窗285附近之間隙等侵入。
於外周凸部283之外周面與處理容器203之內周面之間配置有金屬製之排氣構造286。排氣構造286具有排氣槽288與排氣緩衝空間289。排氣槽288、排氣緩衝空間289係沿著處理容器203之形狀而被構成為圓周狀。
排氣構造286中與外周凸部283不接觸的部位被稱為上部286a。如上所述，上部286a係與內周凸部282一起固定窗285。
於如本實施形態般之旋轉型基板處理裝置中，理想的是使基板S之高度與排氣口為相同高度或使高度接近。假設排氣口之高度較低之情形時，存在有於旋轉台217之端部產生氣體之亂流之虞。與此相對，如設為相同高度或使高度接近時，可使得在排氣口側之基板邊緣亦不產生亂流。
於本實施形態中，將排氣構造286之上端設為與旋轉台217相同之高度。於該情形時，如圖2所示，上部286a產生自窗285伸出的部分，因此，就防止微粒擴散之觀點而言，於該部分設置石英蓋290。假設無石英蓋290之情形時，存在有氣體接觸至上部286a而使上部286a發生腐蝕，從而在處理室201內產生微粒之虞。於石英蓋290與上部286a之間設置有空間299。
於排氣構造286之底部設置有作為第1排氣部的排氣口291、排氣口292。排氣口291主要對被供給至第1處理區域206a的原料氣體進行排氣。排氣口292主要對被供給至處理空間206b的反應氣體進行排氣。各氣體經由排氣槽288、排氣緩衝空間289自排氣口291、排氣口292被排氣。
接下來，利用圖1及圖4(A)對原料氣體供給部240進行說明。如圖1中所記載般，於處理容器203之側方插入有朝向處理容器203之中心方向所延伸的噴嘴245。噴嘴245被配置於第1處理區域206a。於噴嘴245連接有氣體供給管241之下游端。
於氣體供給管241，自上游方向依次設置有原料氣體供給源242、作為流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)243、及作為開關閥的閥244。
原料氣體經由MFC243、閥244、氣體供給管241自噴嘴245被供給至第1處理區域206a內。
此處所述之「原料氣體」係處理氣體之一種，且成為薄膜形成時之原料的氣體。原料氣體例如包含有矽(Si)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、釕(Ru)、鎳(Ni)、及鎢(W)、鉬(Mo)之至少任一種，作為構成薄膜的元素。
具體而言，於本實施形態中，原料氣體例如為二氯矽烷(Si2 H2 Cl2 )氣體。於原料氣體之原料在常溫下為氣體之情形時，MFC243係氣體用之質量流量控制器。
本發明中，主要藉由氣體供給管241、MFC243、閥244、噴嘴245構成原料氣體供給部(亦可稱為第1氣體供給系統或原料氣體供給部)240。再者，亦可考慮將原料氣體供給源242包含在原料氣體供給部240內。
接下來，利用圖1及圖4(B)對反應氣體供給部250進行說明。如圖1中所記載般，於處理容器203之側方插入有朝向處理容器203之中心方向所延伸的噴嘴255。噴嘴255被配置於第2處理區域206b。
於噴嘴255連接有氣體供給管251。於氣體供給管251，自上游方向依次設置有反應氣體供給源252、MFC253及閥254。
反應氣體經由MFC253、閥254、氣體供給管251自噴嘴255被供給至第2處理區域206b內。
此處所述之「反應氣體」係處理氣體之一種，且係與利用原料氣體被形成於基板S上的第1層發生反應的氣體。反應氣體例如為氨氣(NH3 )、氮氣(N2 )、氫氣(H2 )及氧氣(O2 )之至少任一種。此處，反應氣體例如為NH3 氣體。
本發明中主要藉由氣體供給管251、MFC253、閥254、噴嘴255構成反應氣體供給部(第2氣體供給部)250。再者，亦可考慮將反應氣體供給源252包含在反應氣體供給部250內。
接下來，利用圖2及圖4(C)對惰性氣體供給部270進行說明。於惰性氣體供給管275連接有惰性氣體供給管271之下游端。於惰性氣體供給管271，自上游方向依次設置有惰性氣體供給源272、MFC273及閥274。惰性氣體經由MFC273、閥274、惰性氣體供給管271自惰性氣體供給管275被供給至空間284、容器204。
被供給至容器204的惰性氣體經由旋轉台217與窗285之間的空間自排氣槽288被排氣。藉由設成此種構造，可防止原料氣體、反應氣體迴繞至旋轉台217與窗285之間的空間。
本發明中主要藉由惰性氣體供給管271、MFC273、閥274、惰性氣體供給管275構成惰性氣體供給部270。再者，亦可考慮將惰性氣體供給源272包含在惰性氣體供給部270內。
此處，「惰性氣體」例如係氮氣(N2 )、氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等之稀有氣體之至少任一種。此處，惰性氣體例如為N2 氣體。
如圖1及圖2所示，於處理容器203設置有排氣口291與排氣口292。
排氣口291被設置在相較第1處理區域206a之旋轉方向R之下游側的旋轉台217更靠外側。藉此，可將被熱分解且被供給至基板S的原料氣體自第1處理區域206a排出而抑制藉由被熱分解之原料氣體所產生之對基板之影響。主要是對原料氣體進行排氣。以與排氣口291連通之方式設置作為排氣部234之一部分的排氣管234a。於排氣管234a，經由作為開關閥的閥234d、作為壓力調整器(壓力調整部)的自動壓力控制器(APC，Auto Pressure Controller)閥234c連接作為真空排氣裝置的真空泵234b，被構成為可以處理室201內之壓力成為既定壓力(真空度)之方式進行真空排氣。
排氣管234a、閥234d、APC閥234c被統稱為排氣部234。再者，亦可將真空泵234b包含在排氣部234內。
又，如圖1及圖2所示，以與排氣口292連通之方式設置有排氣部235。排氣口292被設置在相較第2處理區域206b之旋轉方向R之下游側的旋轉台217更靠外側。主要是對反應氣體進行排氣。
以與排氣口292連通之方式設置有作為排氣部235之一部分的排氣管235a。於排氣管235a，經由閥235d、APC閥235c連接真空泵235b，被構成為可以處理室201內之壓力成為既定壓力(真空度)之方式進行真空排氣。
排氣管235a、閥235d、APC閥235c被統稱為排氣部235。再者，亦可將真空泵235b包含在排氣部235內。
接下來，利用圖1與圖5對沖洗區域207a、207b之詳情進行說明。再者，由於沖洗區域207b為與沖洗區域207a相同之構成，故省略其說明。圖5係圖1所示之反應器之B-B'線剖面圖，且係自圖2之C方向觀察所得之剖面圖。
沖洗區域207a係自旋轉台217之旋轉方向即R方向(亦稱為基板S之搬送方向)上游側在第1區域207a-1、第2區域207a-2及第3區域207a-3之順序下被劃分成3個區域。再者，第2區域207a-2用作以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域。又，第1區域207a-1、第3區域207a-3用作以高於第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域。
於沖洗區域207a，與旋轉台217對向設置有頂壁208a。第1區域207a-1、第2區域207a-2、第3區域207a-3之頂壁208a被構成為高度各不相同。頂壁208a係被連接至構成處理室201的處理容器203之頂板209之下表面所構成。
於第1處理區域206a與第1區域207a-1之間，形成有將第1處理區域206a與第1區域207a-1分隔的分隔部402。又，於第1區域207a-1與第2區域207a-2之間，形成有將第1區域207a-1與第2區域207a-2分隔的分隔部403。又，於第2區域207a-2與第3區域207a-3之間，形成有將第2區域207a-2與第3區域207a-3分隔的分隔部404。又，於第3區域207a-3與第2處理區域206b之間，形成有將第3區域207a-3與第2處理區域206b分隔的分隔部405。分隔部402～405分別係頂壁208a之一部分，被形成為與頂壁208a連續。分隔部402～405之高度(自旋轉台217之上表面至各分隔部之下端為止的距離)係被載置於凹部217b的基板S可通過的高度，例如為3 mm～5 mm。
第1區域207a-1之頂壁208a之高度(自旋轉台217之上表面至頂壁208a之下表面為止的距離)被構成較第1處理區域206a之頂壁之高度(自旋轉台217之上表面至頂板209之下表面為止的距離)為低。又，第2區域207a-2之頂壁208a之高度被構成較第1區域207a-1之頂壁208a之高度為低，且成為分隔部403之下端位置以上的高度。又，第2區域207a-2之頂壁208a之高度被構成較第3區域207a-3之頂壁208a之高度為低，且成為分隔部404之下端位置以上的高度。又，第3區域207a-3之頂壁208a之高度被構成較第2處理區域206b之頂壁之高度為低。此處，將第1區域207a-1之頂壁208a之高度與第3區域207a-3之頂壁208a之高度設為同等。
於頂壁208a與頂板209，形成有與第1區域207a-1、第2區域207a-2及第3區域207a-3分別連通的排氣通路401a-1、401a-2、401a-3。排氣通路401a-1、401a-2、401a-3分別被連接至排氣配管236a、236b、236c。排氣配管236a、236b、236c分別經由閥236e、236f、236g被連接至排氣配管236d。排氣配管236d被連接至作為真空裝置的真空泵236j。又，於排氣配管236b之閥236f之上游側連接有分支路236h。分支路236h經由閥236i、輔助泵236k、排氣配管236d被連接至真空泵236j。作為閥236e、236f、236g、236i，例如可使用空氣閥、APC閥或其等之兩者。其被構成為可以第1區域207a-1、第2區域207a-2、第3區域207a-3內之壓力分別成為既定壓力(真空度)之方式進行真空排氣。
又，被連接至第2區域207a-2之排氣通路401a-2的排氣配管236b之內徑被構成較分別被連接至第1區域207a-1、第3區域207a-3之排氣通路401a-1、401a-3的排氣配管236a、236c之內徑為大。
即，被構成為對第1區域207a-1、第2區域207a-2、第3區域207a-3內之氣體自各區域之上方進行真空排氣。又，被構成於第2區域207a-2中，進而使用輔助泵236k，相較其他區域更進一步減壓，提高真空度而對第2區域207a-2內之氣體進行真空排氣。
排氣配管236a～236d、閥236e～236g、分支路236h、閥236i被統稱為排氣部236。再者，亦可將真空泵236j與輔助泵236k包含在排氣部236內。
同樣地，被連接至在沖洗區域207b中之各區域之排氣配管237a～237d、閥237e～237g、分支路237h、閥237i被統稱為排氣部237。再者，亦可將真空泵237j與輔助泵237k包含在排氣部237內。
本實施形態中，藉由使第1區域207a-1之頂壁208a之高度低於第1處理區域206a之頂壁之高度，而使在第1區域207a-1中之壓力低於在第1處理區域206a中之壓力。又，藉由使第2區域207a-2之頂壁208a之高度低於第1區域207a-1之頂壁208a之高度，而使在第2區域207a-2中之壓力低於在第1區域207a-1中之壓力。又，藉由使第3區域207a-3之頂壁208a之高度高於第2區域207a-2之頂壁208a之高度，而使在第3區域207a-3中之壓力高於在第2區域207a-2中之壓力。又，藉由使第2處理區域207b之頂壁之高度高於第3區域207a-3之頂壁208a之高度，而使在第3區域207a-3中之壓力低於在第2處理區域206b中之壓力。
如上所述，將沖洗區域207a內被構成為在第1區域207a-1中之壓力低於在第1處理區域206a中之壓力，在第2區域207a-2中之壓力低於在第1區域207a-1中之壓力(設為高真空)，在第3區域207a-3中之壓力高於在第2區域207a-2中之壓力，對第1區域207a-1、第2區域207a-2及第3區域207a-3進行沖洗並進行抽真空，藉此，對在沖洗區域207a內被搬送的基板S，一面交替地形成壓力差，一面進行真空排氣(沖洗)。藉此，可對基板S上之未反應之氣體、副產物進行去除。
又，在第2區域207a-2中之基板S之移動距離L2被構成較在第1、第3區域207a-1、207a-3中之基板S之移動距離L1、L3為長。藉由使低壓且在高真空之第2區域207a-2中之移動距離變長，可更有效地對基板S上之未反應之氣體、副產物進行去除。
再者，亦可設置有向第1區域207a-1、第3區域207a-3內供給N2 氣體等沖洗氣體的沖洗氣體供給部，一面向第1區域207a-1、第3區域207a-3內供給沖洗氣體，一面進行真空排氣。
又，亦可不存在上述之第1區域207a-1，亦可將沖洗區域207a自旋轉台217之旋轉方向即R方向(亦稱為基板S之搬送方向)上游側在以第1壓力進行沖洗的第2區域207a-2、及以高於第1壓力的第2壓力進行沖洗的第3區域207a-3之順序下而劃分成2個區域。
反應器200具有控制各部之動作的控制器300。控制器300如圖6中所記載般，至少具有運算部(CPU，Central Processing Unit)301、作為暫時記憶部的RAM(Random Access Memory)302、記憶部303及傳送接收部304。控制器300經由傳送接收部304被連接至基板處理裝置10之各構成，根據上位控制器、使用者之指示自記憶部303叫出程式、配方，並根據其內容控制各構成之動作。再者，控制器300亦可被構成為專用之電腦，亦可被構成為通用之電腦。例如，準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟性磁碟或硬式磁碟等之磁碟、CD(Compact Disc)或DVD(Digital Video Disc)等之光碟、MO等之磁光碟、USB(Universal Serial Bus)記憶體(USB快閃驅動器)或記憶卡等之半導體記憶體)312，使用外部記憶裝置312，將程式安裝至通用之電腦，藉此，可構成本實施形態之控制器300。又，用以對電腦供給程式的手段不限於經由外部記憶裝置312進行供給的情形。例如，亦可使用網際網路、專用線路等之通信手段，亦可自上位裝置320經由傳送接收部311接收資訊，不經由外部記憶裝置312而供給程式。又，亦可使用鍵盤、觸控面板等之輸入輸出裝置313而對控制器300進行指示。
再者，記憶部303及外部記憶裝置312被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，對該等亦統稱或簡稱為記錄媒體。再者，本說明書中當使用記錄媒體之用語時，包含有僅單獨含有記憶部303之情形、僅單獨含有外部記憶裝置312之情形、或含有其兩者之情形。
CPU301以如下方式所構成，即，自記憶部303讀取控制程式並予以執行，並且根據自輸入輸出裝置313的操作指令之輸入等而自記憶部303讀取製程配方。並且，CPU301被構成為按照所讀取之製程配方之內容而控制各組件。
(2)基板處理步驟 接下來，利用圖7及圖8，對本發明之一實施形態之基板處理步驟進行說明。圖7係表示本實施形態之基板處理步驟之流程圖。圖8係表示本實施形態之成膜步驟之流程圖。於以下之說明中，基板處理裝置10之反應器200之構成各部之動作係藉由控制器300被控制。
此處，對使用Si2 H2 Cl2 氣體作為原料氣體，使用NH3 氣體作為反應氣體，於基板S上以薄膜之形式形成氮化矽(SiN)膜之例作說明。
以下對基板搬入•載置步驟S110進行說明。於反應器200，使銷219上升，使銷219貫通旋轉台217之貫通孔217a。其結果，銷219成為相較旋轉台217表面而突出相當於既定高度量的狀態。繼而，打開閘閥205，使用未圖示之基板移載機，如圖3般將基板S載置於銷219上。載置後，使銷219下降，將基板S載置於凹部217b上。
繼而，以尚未載置有基板S的凹部217b為與閘閥205相對之方式，使旋轉台217旋轉。其後，同樣地將基板S載置於凹部217b。重複操作直至在所有凹部217b中載置有基板S為止。
將基板S搬入至凹部217b後，使基板移載機向反應器200外退避，關閉閘閥205而對處理容器203內進行密閉。
再者，將基板S搬入至處理室201內時，較佳為利用排氣部234、235對處理室201內進行排氣，並且對沖洗區域207a、207b進行沖洗。藉此，可抑制微粒侵入至處理室201內、微粒附著於基板S上。真空泵234b、235b、236j、237j及輔助泵236k、237k至少在自基板搬入•載置步驟(S110)至下述之基板搬出步驟(S170)結束之前之期間，一直設為作動狀態。
將基板S載置於旋轉台217時，預先對加熱器280供給電力，以基板S之表面成為既定溫度之方式進行控制。基板S之溫度例如為室溫以上且650℃以下，較佳為室溫以上且400℃以下。加熱器280至少在自基板搬入•載置步驟(S110)至下述之基板搬出步驟(S170)結束之前之期間，一直設為通電狀態。
與此並行地，自惰性氣體供給部270對處理容器203、加熱器單元281供給惰性氣體。惰性氣體至少在自基板搬入•載置步驟(S110)至下述之基板搬出步驟(S170)結束之前之期間進行供給。
以下對旋轉台旋轉開始步驟S120進行說明。基板S被載置至各凹部217b後，旋轉部224以使旋轉台217沿R方向旋轉之方式進行控制。藉由使旋轉台217旋轉，基板S在第1處理區域206a、沖洗區域207a、第2處理區域206b、沖洗區域207b之順序下進行移動。
以下對氣體供給開始步驟S130進行說明。加熱基板S使之到達至所需溫度，且旋轉台217到達至所需旋轉速度後，打開閥244，開始向第1處理區域206a內供給Si2 H2 Cl2 氣體。與此並行地，打開閥254而向第2處理區域206b內供給NH3 氣體。
此時，以Si2 H2 Cl2 氣體之流量成為既定流量之方式調整MFC243。再者，Si2 H2 Cl2 氣體之供給流量例如為50 sccm以上500 sccm以下。
又，以NH3 氣體之流量成為既定流量之方式調整MFC253。再者，NH3 氣體之供給流量例如為100 sccm以上5000 sccm以下。
再者，於基板搬入•載置步驟S110後，繼續利用排氣部234、235對處理室201內進行排氣，並且對沖洗區域207a內及沖洗區域207b內進行沖洗。又，藉由適當地調整APC閥234c、APC閥235c之閥開度，而將處理室201內之壓力設為既定之壓力。
以下對成膜步驟S140進行說明。此處，對成膜步驟S140之基本流程進行說明，詳情將於下文進行敍述。於成膜步驟S140中，各基板S於第1處理區域206a形成含矽層，在更進一步旋轉後之第2處理區域206b，含矽層與NH3 氣體發生反應，而於基板S上形成SiN膜。使旋轉台217旋轉既定次數，以成為所需之膜厚。
以下對氣體供給停止步驟S150進行說明。旋轉既定次數之後，關閉閥244、254，停止向第1處理區域206a供給Si2 H2 Cl2 ，且停止向第2處理區域206b供給NH3 氣體。
此處對旋轉台旋轉停止步驟S160進行說明。氣體供給停止步驟S150之後，使旋轉台217之旋轉停止。
對基板搬出步驟S170說明如下。使旋轉台217旋轉，以使基板S移動至與閘閥205對向的位置。其後，與基板搬入時同樣，使基板S支撐在銷219上。支撐後，打開閘閥205，使用未圖示之基板移載機將基板S搬出至處理容器203外。按已處理之基板S之片數重複該操作，將所有基板S搬出。搬出後，停止藉由惰性氣體供給部270供給惰性氣體。
繼而，利用圖8對成膜步驟S140之詳情進行說明。再者，自第1處理區域通過步驟S210至第2沖洗區域通過步驟S240為止，主要對被載置於旋轉台217上之複數片基板S中之一片基板S進行說明。
如圖8所示，於成膜步驟S140中，藉由旋轉台217之旋轉而使複數片基板S依次通過第1處理區域206a、沖洗區域207a、第2處理區域206b及沖洗區域207b。
對第1處理區域通過步驟S210進行說明如下。當基板S通過第1處理區域206a時，對基板S供給Si2 H2 Cl2 氣體。此時，第1處理區域206a內不存在有反應氣體，因此，Si2 H2 Cl2 氣體不與反應氣體發生反應，而直接接觸(附著)於基板S之表面。藉此，於基板S之表面形成第1層。
接下來，對沖洗區域通過步驟S220進行說明。基板S通過第1處理區域206a之後，移動至沖洗區域207a之第1區域207a-1。於第1區域207a-1，以低於第1處理區域206a的壓力進行抽真空，將在第1處理區域206a中未能在基板S上形成強力之結合的Si2 H2 Cl2 之成分自基板S上去除。
繼而，基板S通過第1區域207a-1之後，移動至第2區域207a-2。於第2區域207a-2，以低於第1區域207a-1的壓力進行抽真空，將第1區域207a-1中未能完全去除之附著於基板S上的副產物自基板S上去除。
繼而，基板S通過第2區域207a-2之後，移動至第3區域207a-3。於第3區域207a-3，以高於第2區域207a-2之壓力進行抽真空，將第2區域207a-2中自基板上浮起而未能完全去除的副產物自基板S上去除。
即，於沖洗區域207a中，使基板S通過存在有壓力差(真空度不同)的複數個區域，藉此，可將高縱橫比之槽內之副產物去除而抑制微粒之產生。
接下來，對第2處理區域通過步驟S230進行說明。基板S通過沖洗區域207a之後，移動至第2處理區域206b。當基板S通過第2處理區域206b時，於第2處理區域206b，第1層與作為反應氣體的NH3 氣體發生反應。藉此，於基板S上形成至少包含有Si及N的第2層。
接下來，對沖洗區域通過步驟S240進行說明。基板S通過第2處理區域206b之後，與上述之沖洗區域通過步驟S220同樣，通過沖洗區域207b之第1區域、第2區域及第3區域。即，於沖洗區域207b中，使基板S通過存在有壓力差(真空度不同)的複數個區域。當基板S通過沖洗區域207b之各區域時，將在第2處理區域206b中已自基板S上之第2層脫離的HCl、多餘之H2 氣體等自基板S上去除。
以此方式，對基板S依次供給相互地產生反應的至少2種氣體。將以上之第1處理區域通過步驟S210、沖洗區域通過步驟S220、第2處理區域通過步驟S230及沖洗區域通過步驟S240作為1循環。
對判定S250進行說明如下。控制器300判定是否將上述1循環實施了既定次數。具體而言，控制器300對旋轉台217之轉數進行計數。
當尚未將上述1循環實施既定次數時(S250中為否之情形)，進而使旋轉台217繼續旋轉，重複具有第1處理區域通過步驟S210、沖洗區域通過步驟S220、第2處理區域通過步驟S230、沖洗區域通過步驟S240的循環。藉由如此般進行積層而形成薄膜。
當將上述1循環實施了既定次數時(S250中為是之情形)，結束成膜步驟S140。如此，藉由將上述1循環實施既定次數，而形成有所積層之既定膜厚之薄膜。
(3)本實施形態之效果 根據上述之實施形態，可獲得以下所示之1個或複數個效果。
(a)可將基板上之副產物去除而抑制微粒之產生。 (b)於沖洗區域中，使基板S通過存在有壓力差(真空度不同)的複數個區域，藉此，可將高縱橫比之槽內之副產物去除而抑制微粒之產生。 (c)於沖洗區域中，使在壓力較低(高真空)之區域中之移動距離設為較長，藉此，可更有效地將基板S上之副產物去除。 (d)於沖洗區域中，使被連接至與壓力較低(高真空)之區域連通的排氣通路的排氣配管之內徑較被連接至與其他區域連通的排氣通路的排氣配管之內徑大，藉此，可容易地進行抽真空而容易將基板S上之副產物排出。 (e)於沖洗區域中，在被連通至排氣通路的排氣配管設置輔助泵，該排氣通路係被連通至壓力較低(高真空)之區域，藉此，與僅設置有真空泵之情形相比，可容易地進行抽真空而容易將基板S上之副產物排出。
(4)變形例 構成沖洗區域207a、207b之頂壁的形狀等並不限定於上述實施形態所示之態樣。例如，亦可如以下所示之實施形態般進行變更。以下，主要對與上述實施形態不同之部分進行記載。藉由以下之實施形態，亦可獲得與上述實施形態所示之態樣相同的效果。
(變形例1) 圖9係上述之圖1所示之反應器200之B-B'線剖面圖之變形例。於本變形例中，在沖洗區域207a、207b中之第2區域不同。此處，使用沖洗區域207a進行說明。
在本變形例中，未設置有在上述之實施形態中之將第1區域207a-1與第2區域207a-2分隔的分隔部403、及將第2區域207a-2與第3區域207a-3分隔的分隔部404。換言之，本變形例係表示第2區域207a-2之頂壁208a之高度為上述實施形態中之分隔部403、404之下端位置的例。進而，於本變形例中，被構成為第2區域207a-2之頂板209之上表面之高度(自旋轉台217之上表面至頂板209之上表面為止的距離)較第1區域207a-1、第3區域207a-3之頂板209之上表面之高度(自旋轉台217之上表面至頂板209之上表面為止的距離)低。
如此，藉由使第2區域207a-2之頂板209之上表面之高度較其他區域之頂板209之上表面之高度低，可縮短與第2區域207a-2連通的排氣通路401a-2之長度而容易進行真空排氣。即，藉由在沖洗區域中縮短與壓力較低(高真空)之區域所連通的排氣通路之長度，可容易地進行抽真空而容易將基板S上之副產物排出。
(變形例2) 圖10係上述之圖1所示之反應器200之B-B'線剖面圖之變形例。在本變形例中，沖洗區域207a、207b分別被劃分成4個區域。此處，使用沖洗區域207a進行說明。
在本變形例中，沖洗區域207a係自旋轉台217之旋轉方向即R方向(亦稱為基板S之搬送方向)上游側在第1區域407a-1、第2區域407a-2、第3區域407a-3及第4區域407a-4之順序下被劃分成4個區域。再者，在本變形例中，第3區域407a-3用作以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域。又，第2區域407a-2、第4區域407a-4用作以高於第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域。又，第1區域407a-1用作以第3壓力進行沖洗的第3沖洗區域。
於第1處理區域206a與第1區域407a-1之間，形成有將第1處理區域206a與第1區域407a-1分隔的分隔部502。又，於第1區域407a-1與第2區域407a-2之間，形成有將第1區域407a-1與第2區域407a-2分隔的分隔部503。又，於第2區域407a-2與第3區域407a-3之間，形成有將第2區域407a-2與第3區域407a-3分隔的分隔部504。又，於第3區域407a-3與第4區域407a-4之間，形成有將第3區域407a-3與第4區域407a-4分隔的分隔部505。又，於第4區域407a-4與第2處理區域206b之間，形成有將第4區域407a-4與第2處理區域206b分隔的分隔部506。分隔部502～506分別係頂壁208a之一部分，且連續地被形成。
於頂壁208a與頂板209，形成有與第1區域407a-1、第2區域407a-2、第3區域407a-3、第4區域407a-4分別連通的排氣通路507a-1、507a-2、507a-3、507a-4。排氣通路507a-1、507a-2、507a-3、507a-4分別經由排氣配管被連接至真空泵，且被構成為能夠以第1區域407a-1、第2區域407a-2、第3區域407a-3及第4區域407a-4內之壓力分別成為既定之壓力(真空度)之方式進行真空排氣。
又，於頂壁208a與頂板209，形成有與第1區域407a-1、第2區域407a-2、第4區域407a-4分別連通的供給路徑501a-1、501a-2、501a-3。於供給路徑501a-1、501a-2、501a-3，分別經由未圖示之閥而連接有供給沖洗氣體的沖洗氣體供給部。沖洗氣體供給部例如被固定於頂壁209。再者，此處，使用N2 氣體等之惰性氣體作為沖洗氣體。
在本變形例中，於壓力較低(高真空)之第3區域407a-3之基板S之搬送方向上游側設置有壓力高於第3區域407a-3的第2區域407a-2、及壓力高於第2區域407a-2的第1區域407a-1的2個區域。雖然第1區域407a-1之頂壁208a之高度與第2區域407a-2之頂壁208a之高度為同等，但由於第1區域407a-1與第1處理區域206a鄰接，故在第2區域407a-2中之壓力低於在第1區域407a-1中之壓力。即，在第1區域407a-1中之壓力低於在第1處理區域206a中之壓力，且高於在第2區域407a-2中之壓力。
又，於本變形例中，一面向第1區域407a-1、第2區域407a-2及第4區域407a-4內供給沖洗氣體，一面對各區域進行真空排氣，因此，N2 氣體在分隔部503與旋轉台217之間的空間高速地流動。即，藉由壓力較高之區域與壓力較低之區域的分隔而形成有流速較高之區域。並且，可藉由分隔部503下方之N2 氣體之高速流動而將基板上之高縱橫比之槽內的氣體分子排出。
並且，CPU300係以在第1區域407a-1中之壓力低於在第1處理區域206a中之壓力且高於在第2區域407a-2中之壓力的方式，控制在第2區域407a-2與第1區域407a-1中之排氣量、及藉由沖洗氣體供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。藉此，可於分隔部503之下方形成N2 氣體之高速流動而將基板上之縱橫比特別高之槽內的氣體分子排出。即，於沖洗區域207a、207b中，一面對存在有壓力差(真空度不同)的複數個區域供給沖洗氣體，一面使基板S通過該複數個區域，藉此，可有效率地將高縱橫比之槽內之副產物去除。
以上，對本發明之實施形態具體地進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，其可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
再者，於上文中，雖已對作為半導體裝置之製造步驟的一步驟之成膜步驟作記載，但其亦可適用於其他處理。例如，亦可為對基板於每一個循環進行熱處理、電漿處理的步驟。可將在槽內所被生成的副產物、從已被形成於基板的膜中所脫離的氣體(分子)有效率地去除。又，不限於該等處理，其亦可適用對被形成於基板的膜於每一原子層(分子層)進行蝕刻的處理。藉由如上述之沖洗蝕刻氣體，可將因蝕刻而所被生成的槽內之副產物、存在於槽內的蝕刻氣體等有效率地去除。
(本發明之較佳之態樣) 以下，對本發明之較佳之態樣進行附記。 (附記1) 一種基板處理裝置，其具有： 處理室，其處理基板；及 基板支撐部，其被設置於上述處理室內，具有載置上述基板的複數個載置部； 上述處理室具有對上述基板供給處理氣體的處理區域、及沖洗上述基板的沖洗區域， 上述沖洗區域具有以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、及以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域。 (附記2) 如附記1之基板處理裝置，其中 於上述沖洗區域設置有：頂壁，其被設置為與上述基板支撐部對向；及分隔部，其被形成為與上述頂壁連續，將上述第1沖洗區域與上述第2沖洗區域分隔； 上述第1沖洗區域之頂壁之高度被構成較上述第2沖洗區域之頂壁之高度為低且為上述分隔部之下端位置以上之高度。 (附記3) 如附記1或2之基板處理裝置，其中 被連接至上述第1沖洗區域的排氣配管之直徑被構成較被連接至上述第2沖洗區域的排氣配管之直徑為大。 (附記4) 如附記2之基板處理裝置，其中 藉由構成上述處理室的處理容器之頂板之下表面而構成有上述頂壁， 上述第1沖洗區域之頂板之上表面之高度被構成較上述第2沖洗區域之頂板之上表面之高度為低。 (附記5) 如附記1至4中任一項之基板處理裝置，其中 在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。 (附記6) 如附記1至5中任一項之基板處理裝置，其中 在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離被構成較在上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長。 (附記7) 如附記1至6中任一項之基板處理裝置，其中 上述沖洗區域進而具有以第3壓力進行沖洗的第3沖洗區域， 該基板處理裝置具有： 沖洗氣體供給部，其對上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域供給沖洗氣體；及 控制部，其被構成在以上述第3沖洗區域中之壓力較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高的方式，控制在上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域中之排氣量、及藉由上述沖洗氣體供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。 (附記8) 一種半導體裝置之製造方法，其係在處理室內執行下列步驟；上述處理室具備有基板支撐部，且具備有供給處理氣體的處理區域、以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、及以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域；該基板支撐部係具有載置基板的複數個載置部；上述步驟具有： 對上述基板供給上述處理氣體的步驟； 對上述基板以上述第1壓力進行沖洗的步驟；及 對上述基板，在上述第1壓力之至少之前或之後，以上述第2壓力進行沖洗的步驟。 (附記9) 一種程式，其係藉由電腦使基板處理裝置在基板處理裝置之處理室內執行下列程序；上述基板處理裝置之處理室具備有基板支撐部，且具備有供給處理氣體的處理區域、以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、及以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域；該基板支撐部係具有載置基板的複數個載置部；上述程序包含： 對上述基板供給上述處理氣體的程序； 對上述基板以上述第1壓力進行沖洗的程序；及 對上述基板，在上述第1壓力之至少之前或之後，以上述第2壓力進行沖洗的程序。
200:反應器 201:處理室 203:處理容器 204:容器 205:閘閥 206:處理區域 206a:第1處理區域 206b:第2處理區域 207,207a,207b:沖洗區域 207a-1,407a-1:第1區域 207a-2,407a-2:第2區域 207a-3,407a-3:第3區域 208,208a:頂壁 209:頂板 217:旋轉台(基板支撐部) 217a:貫通孔 217b:凹部(載置部) 218:基板保持機構 219:銷 221:核心部 222:軸 223:孔 224:旋轉部 225,290:石英蓋 234,235,236,237:排氣部 234a,235a:排氣管 234b,235b,236j,237j:真空泵 234c,235c,234d,235d,236e,236f,236g,236i,237e～237g,237i,244,254,274:APC閥 236a,236b,236c,236d,237a～237d:排氣配管 236h,237h:分支路 236k,237k:輔助泵 240:原料氣體供給部 241,251:氣體供給管 242:原料氣體供給源 243,253,273:MFC 245,255:噴嘴 250:反應氣體供給部 252:反應氣體供給源 270:惰性氣體供給部 271,275:惰性氣體供給管 272:惰性氣體供給源 280:加熱器 281:加熱器單元 282:內周凸部 282a:凸緣 283:外周凸部 284,299:空間 285:窗 286:排氣構造 286a:上部 287:加熱器溫度控制部 288:排氣槽 289:排氣緩衝空間 291,292:排氣口 300:控制器(控制部) 301:運算部 302:RAM 303:記憶部 304,311:傳送接收部 312:外部記憶裝置 313:輸入輸出裝置 320:上位裝置 401a-1,401a-2,401a-3,507a-1,507a-2,507a-3,507a-4:排氣通路 402～405,502～506:分隔部 407a-4:第4區域 501a-1,501a-2,501a-3:供給路徑 L1,L2,L3:移動距離 S:基板 R:旋轉方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之反應器之橫截面概略圖。 圖2係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之反應器之縱截面概略圖，且係圖1所示之反應器之A-A'線剖面圖。 圖3係對本發明之第1實施形態之基板支撐機構進行說明之說明圖。 圖4(A)係對本發明之一實施形態之原料氣體供給部進行說明之說明圖。圖4(B)係對本發明之一實施形態之反應氣體供給部進行說明之說明圖。圖4(C)係對本發明之一實施形態之惰性氣體供給部進行說明之說明圖。 圖5係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之反應器之縱截面概略圖，且係圖1所示之反應器之B-B'線剖面圖。 圖6係對本發明之一實施形態之控制器進行說明之說明圖。 圖7係對本發明之一實施形態之基板處理步驟進行說明之流程圖。 圖8係對本發明之一實施形態之成膜步驟進行說明之流程圖。 圖9係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之反應器之縱截面概略圖，且係圖1所示之反應器之B-B'線剖面圖之變形例。 圖10係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之反應器之縱截面概略圖，且係圖1所示之反應器之B-B'線剖面圖之變形例。
200:反應器
203:處理容器
205:閘閥
206:處理區域
206a:第1處理區域
206b:第2處理區域
207,207a,207b:沖洗區域
217:旋轉台(基板支撐部)
234,235,236,237:排氣部
234a,235a:排氣管
234b,235b,236j,237j:真空泵
234c,235c,234d,235d,236e,236f,236g,236i,237e~237g,237i:APC閥
236a,236b,236c,236d,237a~237d:排氣配管
236h,237h:分支路
236k,237k:輔助泵
245,255:噴嘴
288:排氣槽
291,292:排氣口
S:基板
R:旋轉方向

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：處理室，其處理基板；及基板支撐部，其被設置於上述處理室內，具有載置上述基板的複數個載置部；上述處理室具有對上述基板供給處理氣體的處理區域、及沖洗上述基板的沖洗區域，上述沖洗區域具有：被連接至排氣配管且以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、與上述第1沖洗區域鄰接設置且被連接至上述排氣配管且以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域及以第3壓力進行沖洗的第3沖洗區域；上述第3沖洗區域中之壓力係較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，於上述沖洗區域設置有：頂壁，其被設置為與上述基板支撐部對向；及分隔部，其被形成為與上述頂壁連續，將上述第1沖洗區域與上述第2沖洗區域分隔；上述第1沖洗區域之頂壁之高度被構成較上述第2沖洗區域之頂壁之高度為低且為上述分隔部之下端位置以上之高度。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，被連接至上述第1沖洗區域的排氣配管之直徑被構成較被連接至上述第2沖洗區域的排氣配管之直徑為大。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，藉由構成上述處理室的處理容器之頂板之下表面而構成有上述頂壁，上述第1沖洗區域之頂板之上表面之高度被構成較上述第2沖洗區域之頂板之上表面之高度為低。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離被構成較在上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中，在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離被構成較在上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長。
  7. 如請求項3之基板處理裝置，其中，在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離被構成較在上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有：沖洗氣體供給部，其對上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域供給沖洗氣體；及控制部，其被構成以在上述第3沖洗區域中之壓力較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高的方式，控制在上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域中之排氣量、及藉由上述沖洗氣體供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。
  9. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 該基板處理裝置具有：沖洗氣體供給部，其對上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域供給沖洗氣體；及控制部，其被構成以在上述第3沖洗區域中之壓力較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高的方式，控制在上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域中之排氣量、及藉由上述沖洗氣體供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。
  10. 如請求項3之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有：沖洗氣體供給部，其對上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域供給沖洗氣體；及控制部，其被構成以在上述第3沖洗區域中之壓力較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高的方式，控制在上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域中之排氣量、及藉由上述沖洗氣體供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。
  11. 如請求項5之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置具有：沖洗氣體供給部，其對上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域供給沖洗氣體；及控制部，其被構成以在上述第3沖洗區域中之壓力較在上述處理區域中之壓力為低且較在上述第2沖洗區域中之壓力為高的方式，控制在上述第2沖洗區域與上述第3沖洗區域中之排氣量、及藉由上述沖洗氣體 供給部所供給之沖洗氣體之供給流量之任一者或兩者。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。
  13. 如請求項2之基板處理裝置，其中，在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。
  14. 如請求項3之基板處理裝置，其中，在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其係在處理室內執行下述步驟者；上述處理室具備有基板支撐部，且具備有供給處理氣體的處理區域、被連接至排氣配管且以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、與上述第1沖洗區域鄰接設置且被連接至上述排氣配管且以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域及以較在上述處理區域中之壓力為低且較上述第2壓力為高之第3壓力進行沖洗的第3沖洗區域；該基板支撐部係具有載置基板的複數個載置部；上述步驟具有：(a)在上述處理區域中對上述基板供給上述處理氣體的步驟；(b)在上述第1沖洗區域中對上述基板以上述第1壓力進行沖洗的步驟；及(c)在上述第2沖洗區域中，對上述基板在上述第1壓力之至少之前或之後，以上述第2壓力進行沖洗的步驟。
  16. 如請求項15之半導體裝置之製造方法，其中，在上述(b)中，以在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離較在上述(c)之上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長的方式使上述基板移動。
  17. 如請求項15之半導體裝置之製造方法，其中，在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。
  18. 一種藉由電腦使基板處理裝置在基板處理裝置之處理室內執行下列程序之程式；上述基板處理裝置之處理室具備有基板支撐部，且具備有供給處理氣體的處理區域、被連接至排氣配管且以第1壓力進行沖洗的第1沖洗區域、與上述第1沖洗區域鄰接設置且被連接至上述排氣配管且以高於上述第1壓力的第2壓力進行沖洗的第2沖洗區域及以較在上述處理區域中之壓力為低且較上述第2壓力為高之第3壓力進行沖洗的第3沖洗區域；該基板支撐部係具有載置基板的複數個載置部；上述程序包含：(a)在上述處理區域中對上述基板供給上述處理氣體的程序；(b)在上述第1沖洗區域中對上述基板以上述第1壓力進行沖洗的程序；及(c)在上述第2沖洗區域中，對上述基板在上述第1壓力之至少之前或之後，以上述第2壓力進行沖洗的程序。
  19. 如請求項18之程式，其中，在上述(b)中，以在上述第1沖洗區域中之上述基板之移動距離較在上 述(c)之上述第2沖洗區域中之上述基板之移動距離為長的方式使上述基板移動。
  20. 如請求項18之程式，其中，在上述第2沖洗區域中之壓力被構成較在上述處理區域中之壓力為低。
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