KR20170109599A - 프로세스 챔버를 위한 램프 가열 - Google Patents

프로세스 챔버를 위한 램프 가열 Download PDF

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Abstract

함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽을 포함하는 프로세스 챔버가 제공된다. 기판 지지체는 용적 내에 배치된다. 프로세스 챔버는 기판 지지체를 향하는 하나 이상의 램프헤드를 더 포함하고, 각각의 램프헤드는 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함한다. 램프들의 배열은 중심, 및 복수의 동심 링 형상 구역에 의해 정의된다. 각각의 링 형상 구역은 내측 에지 및 외측 에지에 의해 정의되고, 각각의 링 형상 구역은 하나 이상의 램프의 3개 이상의 정렬을 포함한다. 하나 이상의 램프의 각각의 정렬은 제2 단부에 선형으로 연장되는 제1 단부를 갖고, 제1 단부 및 제2 단부는 중심 주위에서 적어도 10도만큼 분리된다. 제1 단부 및 제2 단부 둘 다는 하나의 링 형상 구역 내에 위치된다. 동일한 링 형상 구역 내에 위치되는 각각의 정렬은 중심에 대해 등거리이다.

Description

프로세스 챔버를 위한 램프 가열
본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들을 처리하기 위해 이용되는 프로세스 챔버들의 램프 가열에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 기판들을 가열하기 위한 선형 램프들의 배열(arrangement)에 관한 것이다.
반도체 기판들 상에 전자 디바이스들을 형성하기 위해 다양한 프로세스들이 이용된다. 그러한 프로세스들은 화학적 기상 증착, 플라즈마 증강된 화학적 기상 증착, 원자 층 퇴적, 및 에피택시를 포함한다. 이러한 프로세스들은 프로세스 챔버들 내에서 수행되고, 프로세스 챔버들 내에서 배치되는 반도체 기판의 표면에 걸친 온도 제어는 처리 동안 균일하고 일관된 결과들을 촉진한다.
종종, 처리 동안 반도체 기판들을 가열하기 위해 램프들이 이용된다. 램프들은 종종 램프의 중심에 대해 방사상으로 배열된다. 예를 들어, 기판을 향해 연장되는 전구(bulb)를 갖는 복수의 수직 램프가 램프헤드의 중심으로부터 다양한 반경들을 따라 배열될 수 있다. 이러한 배열들이 처리 중인 기판들 상에서 방사상 위치들에 대한 적절한 온도 제어를 제공할 수 있긴 하지만, 기판의 상이한 각도 위치들(angular locations) 주위의 온도 제어는 여전히 불균일로 인한 어려움을 겪는다. 수백 개 또는 심지어는 수천 개의 램프를 갖는 벌집형 배열과 같은 다른 배열들은 개선된 온도 제어를 제공할 수 있지만, 수백 또는 수천 개의 램프를 갖는 것은 비용 효율적인 해법이 아니다.
그러므로, 반도체 프로세스 챔버들 내에서의 램프 가열을 위한 개선되고 더 효율적인 설계가 필요하다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 기판들을 처리하기 위해 이용되는 프로세스 챔버들의 램프 가열에 관한 것이다. 일 실시예에서, 프로세스 챔버가 제공된다. 프로세스 챔버는 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽을 포함한다. 기판 지지체는 용적 내에 배치된다. 프로세스 챔버는 기판 지지체를 향하는 하나 이상의 램프헤드를 더 포함하고, 각각의 램프헤드는 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함한다. 램프들의 배열은 중심, 및 중심 주위의 복수의 동심 링 형상 구역에 의해 정의된다. 각각의 링 형상 구역은 내측 에지 및 외측 에지에 의해 정의되고, 각각의 링 형상 구역은 하나 이상의 램프의 3개 이상의 정렬을 포함한다. 하나 이상의 램프의 각각의 정렬은 제2 단부에 선형으로 연장되는 제1 단부를 포함하고, 제1 단부 및 제2 단부는 중심 주위에서 적어도 10도만큼 분리된다. 각각의 정렬의 제1 단부 및 제2 단부 둘 다는 하나의 링 형상 구역 내에 위치된다. 동일한 링 형상 구역 내에 위치되는 각각의 정렬은 중심에 대해 등거리이다.
다른 실시예에서, 프로세스 챔버가 제공된다. 프로세스 챔버는 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽을 포함한다. 기판 지지체는 용적 내에 배치된다. 프로세스 챔버는 기판 지지체를 향하는 램프헤드를 더 포함하고, 램프헤드는 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함한다. 램프들의 배열은 중심, 및 3개 이상의 섹터에 의해 정의된다. 각각의 섹터는 중심으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그(leg), 중심으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 제1 외측 지점과 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의된다. 각각의 섹터는 복수의 선형 램프를 포함한다. 각각의 선형 램프는 중심 주위에서 적어도 10도만큼 분리되는 제1 단부 및 제2 단부를 갖는다. 각각의 선형 램프의 제1 단부 및 제2 단부 둘 다는 1개의 섹터 내에 위치된다. 섹터의 각각의 선형 램프는 중심으로부터 다른 거리에 위치된다.
다른 실시예에서, 프로세스 챔버가 제공된다. 프로세스 챔버는 함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽을 포함한다. 프로세스 챔버는 용적 내에 위치된 기판 지지체를 더 포함한다. 기판 지지체는 기판 지지체의 중심 위치 주위에 분산된 복수의 기판 위치를 갖고, 각각의 기판 위치는 기판 지지 표면을 갖는다. 프로세스 챔버는 기판 지지체를 향하는 램프헤드를 더 포함한다. 램프헤드는 기판 위치들의 기판 지지 표면들에 실질적으로 평행한 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함한다. 램프들의 배열은 중심, 3개 내지 7개의 링 형상 구역, 및 3개 내지 7개의 링 형상 구역에 중첩하는 3개 내지 7개의 섹터에 의해 정의된다. 각각의 링 형상 구역은 평면의 중심과 동심을 이루고, 각각의 링 형상 구역은 내측 에지 및 외측 에지에 의해 정의된다. 각각의 섹터는 중심으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그, 중심으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 제1 외측 지점과 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의된다. 각각의 선형 램프는 제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 제1 단부 및 제2 단부 둘 다는 하나의 링 형상 구역 및 1개의 섹터 내에 위치된다. 각각의 선형 램프는 평면의 중심 주위에서 적어도 30도 연장된다.
위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시내용은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시내용의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 측단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 일 실시예에 따른 램프들의 배열의 상부 단면 평면도이다.
도 2c는 일 실시예에 따른 도 2a 및 도 2b의 램프들의 배열에서 이용될 램프의 측단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 제2 실시예에 따른 램프들의 배열의 상부 단면 평면도이다.
도 3c는 제2 실시예에 따른 도 3a 및 도 3b의 램프들의 배열에서 이용될 램프들의 측단면도이다.
이해를 쉽게 하기 위해, 가능한 경우에는 도면들에 공통인 동일한 요소를 지정하는 데에 공통의 단어들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
본 개시내용은 일반적으로 반도체 기판들을 처리하기 위해 이용되는 프로세스 챔버들의 램프 가열에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 기판들을 가열하기 위한 선형 램프들의 배열에 관한 것이다.
본 개시내용에서, "최상부(top)", "최하부(bottom)", "측부(side)", "위에(above)", "아래에(below)", "위(up)", "아래(down)", "상향(upward)", "하향(downward)", "수평(horizontal)", "수직(vertical)" 등의 용어는 절대적인 방향들을 지칭하지 않는다. 대신에, 이러한 용어들은 챔버의 기준 평면, 예를 들어 챔버의 기판 처리 표면에 평행한 평면에 대한 방향들을 지칭한다. 또한, 본 출원은 기판 지지체 위에 또는 기판 지지체 아래에 제공될 수 있는 램프헤드들(200 및 300)을 개시하므로, 독자는 기판 지지체 위의 램프헤드 또는 램프 배열에 대해 주어지는 임의의 구체적인 예가, 기판 지지체 아래의 그러한 램프헤드 또는 램프 배열의 구체적인 언급 없이도 기판 지지체 아래에 유사한 또는 거울상(mirror image)의 램프헤드 또는 램프 배열을 또한 포함한다는 점을 이해해야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버(100)의 사시 단면도이다. 일반적으로, 프로세스 챔버(100)는 처리 표면(106) 상에 복수의 기판 위치(104)를 갖는 기판 지지체(102)를 특징으로 하며, 기판 지지체(102)는 처리 표면(106)에 걸쳐 균일한 가스 유동 및 노출을 제공하는 중심 개구(108)를 갖는다.
챔버(100)는 최상부(116) 및 최하부(118)를 갖고, 이들은 측벽(112)과 함께 프로세스 챔버(100)의 용적(120)을 정의한다. 기판 지지체(102)는 용적(120) 내에 배치된다.
프로세스 챔버(100)의 최상부(116)에는, 기판 지지체(102)를 향해 용적(120) 내로 열을 투영하는 램프들의 배열(207)을 포함하는 램프헤드(200)(도 2a 내지 도 2c 참조), 또는 램프들의 배열(307)을 포함하는 램프헤드(300)(도 3a 내지 도 3c 참조)가 결합된다. 램프헤드들(200, 300) 각각은 아래에 더 완전히 상세하게 설명되는 선형 램프들 및 수직 배향 램프들과 같은 하나 이상의 유형의 열원을 포함한다. 램프헤드(200) 또는 램프헤드(300)는 또한 최하부(118)에서 챔버(100)에 결합될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서는, 최상부(116) 및 최하부(118)에서 램프헤드(200) 및/또는 램프헤드(300)와 같은 램프헤드가 존재할 수 있다. 램프헤드들(200, 300)은 기판 지지체(102)의 처리 표면(106)에의 전력 전달의 효율성을 증가시키기 위한 반사성 내부 표면들을 가질 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 램프헤드들(200, 300) 내의 각각의 램프는 각각의 램프로부터의 전력 전달을 최대화하기 위해 반사성 튜브 내에 배치될 수 있다. 추가로, 기판 지지체(102)의 중심 개구(108)를 통해 과도한 전력을 복사하는 것을 방지하기 위해, 램프헤드(200, 300)의 중심 영역에서는 전력 전달이 약해질 수 있다.
분할기(129)는 챔버(100)의 최상부(116)에 있는 램프헤드(200, 300)를 처리 표면(106)에 인접한 용적(120)으로부터 분리할 수 있다. 분할기(129) 및 처리 표면(106)은 함께 처리 영역(130)을 정의한다. 분할기(129)는 석영과 같은 열 저항성 재료일 수 있고, 램프헤드(200)로부터 방출되는 에너지를 처리 영역(130) 내로 투과시키기 위해 그러한 에너지에 투명할 수 있다. 분할기(129)는 또한 램프헤드(200)와 처리 영역(130) 사이의 가스 유동에 대한 배리어일 수 있다.
요구되는 경우, 챔버(100)의 최상부(116)에서의 램프헤드(200 또는 300)의 내부 표면들은 분할기(129)의 표면을 제외하고 반사성 재료로 라이닝되거나(lined) 코팅될 수 있다. 반사성 재료는 램프헤드들(200, 300)의 환경을 견딜 수 있는 임의의 반사성 재료일 수 있다. 냉각 가스 소스(131)는 램프헤드(200)의 내부 표면들의 온도를 원하는 레벨로 유지하여 내부 표면들에 대한 손상을 방지하기 위해 가스 도관(132) 및 포털(134)을 통해 램프헤드(200)에 연결될 수 있다. 냉각 가스는 불활성 가스일 수 있다. 냉각 가스 소스(도시되지 않음)는 또한 기판 지지체(102) 아래에 배치된 램프헤드(200, 300)에 결합될 수 있다. 사용될 수 있는 반사성 재료들은 금, 은, 또는 다른 금속들, 및 유전성 반사체들(dielectric reflectors)을 포함한다. 요구되는 경우, 램프헤드(200, 300)를 향하는 분할기(129)의 표면은 반사 방지 재료로 코팅될 수 있다. 분할기(129)와 유사한 분할기가 기판 지지체(102) 아래에 배치된 램프헤드(200, 300)와의 사이에 배치될 수 있다.
기판 지지체(102)는 회전가능하고, 자기 회전 어셈블리와 같은 회전 어셈블리(도시되지 않음)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지체(102)가 예를 들어 중심 샤프트에 의해 기판 지지체(102)의 중심으로부터 회전된다면, 기판 지지체(102) 아래에 배치된 램프헤드(200, 300)는 그러한 설계를 수용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 램프헤드(200, 300)는 기판 지지체(102)에 대한 중심 샤프트의 연결을 허용하는 개구를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 기판 지지체(102) 아래에 배치된 램프헤드(200, 300)는 중심 샤프트 주위에 장착된 3개 내지 6개의 별개의 단편(separate pieces)과 같이 중심 샤프트 주위에 장착된 별개의 단편들을 포함할 수 있다. 중심 샤프트 주위에 장착된 별개의 단편들을 갖는 램프헤드 설계를 이용하면, 기판 지지체 및 기판 지지체를 위한 회전 메커니즘뿐만 아니라 램프헤드의 더 용이한 유지보수가 허용될 수 있다.
램프헤드(200, 300)가 기판 지지체(102) 아래에 배치되지 않는 실시예에서, 개구(108)를 통해 전파되거나 기판들 또는 기판 지지체(102)에 의해 투과 또는 복사되는 임의의 복사를 기판 지지체(102)의 기판 지지 표면(107)을 향해 다시 반사시키기 위해, 기판 지지체(102)의 내부(188) 내에 반사기(도시되지 않음)가 배치될 수 있다. 반사기는 반사성 부재 및 지지 부재를 가질 수 있다. 지지 부재는 챔버(100)의 최하부(118)에 결합될 수 있거나, 최하부를 통해 선택적인 액츄에이터로 연장될 수 있어, 반사성 부재를 연장(extend) 또는 수축(retract)시킬 수 있다.
고온계들과 같은 온도 센서들은 특정한 프로세스들에 중요할 수 있는 다양한 온도들을 모니터링하기 위해 챔버(100) 내의 다양한 위치들에 배치될 수 있다. 제1 온도 센서(139)가 기판의 온도를 모니터링하기 위해 기판에 제한없이 액세스하는 것을 허용하기 위해, 제1 온도 센서(139)는 기판 위치들(104) 중 하나 이상의 내부에 및/또는 기판 위치들 중 하나 이상을 통해 배치될 수 있다. 기판 지지체(102)가 회전되는 경우, 제1 온도 센서(139)는 무선 전력 및 데이터 전송을 가질 수 있다. 제2 온도 센서(135)는 기판 위치들(104) 및/또는 기판 지지 표면(107) 내에 배치된 기판들을 보도록 분할기(129) 내에, 분할기 상에, 또는 분할기를 통해 배치되어, 그러한 컴포넌트들의 온도를 모니터링할 수 있다. 제2 온도 센서(135)는 유선 또는 무선일 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 일 실시예에 따른 램프들의 배열(207)을 포함하는 램프헤드(200)의 상부 단면 평면도이다. 도 2a 및 도 2b는 상이한 관점에서 취해진, 램프헤드(200) 내의 램프들의 배열(207)에 대한 본질적으로는 동일한 도면이다. 도 2a 및 도 2b 둘 다는 중심(206)을 가지며 평면(205)을 따라 배치된 복수의 선형 램프(210)를 포함하는 램프들의 배열(207)을 도시한다. 도 2a는 동심 링 형상 구역들(201-203)로 분할된 램프들의 배열(207)을 보여주는, 방사상 관점(radial perspective)의 램프들의 배열(207)의 도면이다. 도 2b는 램프들의 배열(207)의 중심(206)으로부터 연장되는 섹터들(208)로 분할되는 램프들의 배열(207)을 보여주는, 각도 관점(angular perspective)을 이용한 램프들의 배열(207)의 도면이다.
도 2a 및 도 2b에서는 평면(205)이 원형이고, 본 명세서에서는 원형 기하형상에 대한 다른 언급들, 예컨대 방사상 관점이 이용될 수 있지만, 본 개시내용은 원형 기하형상에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 명세서에서 이용되는 "링 형상 구역"은 내측 에지가 내부 영역을 둘러싸고 외측 에지가 내측 에지를 둘러싸는 임의의 구조물을 지칭할 수 있다. 일부 실시예들에서는 이러한 내부 영역이 램프들 또는 다른 열원들을 갖지 않는 개방 영역으로서 보여지지만, 이러한 내부 영역은 램프들 또는 다른 열원들을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 이용되는 "섹터"는 중심점으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그, 중심점으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 제1 외측 지점과 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 형성되는 영역을 지칭한다. 연결 부분은 직선이거나 곡선일 수 있는 하나 이상의 세그먼트를 포함할 수 있다.
램프들의 배열(207)은 램프헤드(200)의 중심이기도 할 수 있는 중심(206)을 포함한다. 램프들의 배열(207)이 그 위에 배치되는 평면(205)은 기판 위치들(104)의 기판 지지 표면들(107)(도 1 참조)에 실질적으로 평행할 수 있다. 선형 램프들(210)은 기판 위치들(104)의 기판 지지 표면들(107) 상에 위치된 기판들을 향해 복사를 지향시킬 수 있다. 선형 램프들(210)로서 이용될 적절한 램프들의 예들은 텅스텐-할로겐 램프, 수은 증기 램프, 및 탄소 필라멘트 적외선 방출기를 포함할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 배열(207)은 복수의 링 형상 구역(201-203)으로 분할될 수 있다. 각각의 링 형상 구역(201-203)은 적어도 3개의 선형 램프(210)를 포함할 수 있다. 각각의 선형 램프(210)는 아래에 설명되는 바와 같이, 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지의 선형 램프(210)의 선형 연장으로 인해 하나의 램프의 정렬로 지칭될 수 있다. 각각의 링 형상 구역(201-203)은 내측 에지(예를 들어, 201IE, 202IE, 203IE) 및 외측 에지(예를 들어, 201OE, 202OE, 203OE)에 의해 정의될 수 있다. 링 형상 구역들(201-203)은 중첩되지 않을 수 있고, 그러한 경우 각각의 링 형상 구역이 다른 링 형상 구역을 둘러싸고/거나 다른 링 형상 구역에 의해 둘러싸인다. 또한, 각각의 링 형상 구역(201-203)은 다른 링 형상 구역들 중 하나와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제1 링 형상 구역(201)의 외측 에지(201OE)는 제2 링 형상 구역(202)의 내측 에지(202IE)와 동일할 수 있다.
각각의 링 형상 구역(201-203)은 복수의 선형 램프(210)를 포함한다. 각각의 선형 램프(210)는 제1 단부(211) 및 제2 단부(212)를 포함한다. 각각의 선형 램프(210)에 대한 제1 단부(211) 및 제2 단부(212) 둘 다는 제1 링 형상 구역(201)과 같은 하나의 링 형상 구역 내에 위치될 수 있다. 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 또한, 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206)으로부터 등거리에 있을 수 있다. 예를 들어, 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역(201-203) 내에 위치된 각각의 선형 램프(210)의 중심점(210C)은 중심(206)으로부터 등거리에 있을 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 주어진 선형 램프(210)에 대해, 그 주어진 선형 램프(210)로부터 180도 떨어져서 위치되고 그 주어진 선형 램프(210)에 평행하게 정렬된 대향 선형 램프(210)가 존재할 수 있다. 다른 실시예들에서, 링 형상 구역 내에 위치된 어떠한 2개의 선형 램프도 서로에 평행하게 정렬되지 않는다.
도 2a는 램프들의 배열(207)이 3개의 링 형상 구역(201-203)을 포함하는 것을 도시하지만, 일부 실시예들에서, 복수의 링 형상 구역은 2개 내지 11개의 링 형상 구역, 예를 들어 3개 내지 7개의 링 형상 구역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 링 형상 구역의 폭(즉, 링 형상 구역의 외측 에지와 내측 에지 사이의 거리)은 동일할 수 있고, 그에 의해 중심(206)으로부터 멀어지는 방향으로의 선형 램프들(210) 사이의 균일한 간격은 프로세스 챔버의 중심에 대해 대칭인 프로세스 챔버들의 온도 제어를 도울 수 있다. 또한, 각각의 링 형상 구역[예를 들어, 제1 링 형상 구역(201)]의 외측 에지[예를 들어, 외측 에지(201OE)]와 내측 에지[예를 들어, 내측 에지(201IE)] 사이의 거리는 최외측 링 형상 구역[예를 들어, 링 형상 구역(203)]의 외측 에지[예를 들어, 외측 에지(203OE)]와 배열(207)의 중심(206) 사이의 거리의 1/3보다 작을 수 있다.
일부 실시예들에서, 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206) 주위에서 그 선형 램프(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 적어도 10도 또는 적어도 15도 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206) 주위에서 그 선형 램프(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 적어도 30도 연장될 수 있다
제1 링 형상 구역(201) 내의 제1 선형 램프(2101)의 제1 단부(211)는 제2 링 형상 구역(202) 내의 제2 선형 램프(2102)의 제1 단부(211)와 비교하여 배열(207) 중심(206)에 대해 동일한 각도 위치(221)에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 동일한 각도 위치에 제1 단부가 위치된 선형 램프를 갖는 이러한 패턴이 모든 링 형상 구역에 대해 반복될 수 있거나, 2개의 링 형상 구역마다 하나씩 다른 패턴들이 이용될 수 있다.
램프들의 배열(207)은 복수의 수직 배향 램프(260) 및/또는 복수의 간섭성 복사 소스(270)와 같은 복수의 추가 열원(250)을 더 포함할 수 있다. 본 명세서에서 이용될 때, 간섭성 복사는 간섭성 복사 소스(270)와 기판 지지체(102) 사이의 거리보다 큰 간섭성 길이(coherence length)를 갖는 복사를 방출하는 복사 소스를 지칭한다. 수직 배향 램프들(260) 및 간섭성 복사 소스들(270)은 프로세스 챔버(100) 내부의 온도 제어(예를 들어, 핫 스폿들 및 콜드 스폿들)를 미세하게 조정(tune)하기 위해 이용될 수 있다. 수직 배향 램프(260) 및/또는 간섭성 복사 소스(270)와 같은 각각의 열원(250)은 도 2b의 각도 영역(250A)에 의해 도시된 바와 같이, 중심(206) 주위에서 몇 도로만, 예컨대 중심(206) 주위에서 10도 미만으로만, 또는 중심(206) 주위에서 5도 미만으로만 연장되는 복사를 방출하기 위한 표면[예를 들어, 수직 배향 램프(260)를 위한 전구]을 가질 수 있다. 수직 배향 램프(260) 및 간섭성 복사 소스(270)는 프로세스 챔버(100) 내의 온도 제어의 미세 조정을 제공하기 위해 램프헤드(200)에 추가될 수 있는 추가의 열원(250)의 2개의 예시일 뿐이고, 본 기술분야에 공지된 다른 열원들도 물론 이용될 수 있다.
수직 배향 램프(260)는 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역들(201-203) 중 일부 또는 전부 내부에 위치된 각각의 선형 램프(210) 사이의 각도 위치에 위치될 수 있다. 마찬가지로, 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역들의 일부 또는 전부 내부에 위치된 각각의 선형 램프(210) 사이의 각도 위치에 간섭성 복사 소스(coherent radiation source)(270)가 위치될 수 있다. 도 2a는 각각의 선형 램프(210) 사이에서 각도 방향으로 수직 배향 램프(260) 및/또는 간섭성 복사 소스(270)를 도시하지만, 다른 배열들이 가능하다. 예를 들어, 일부 배열들은 각도 방향의 행 내의(in a row in an angular direction) 선형 램프들(210)과 같은 2개 이상의 선형 램프, 또는 각도 방향의 행 내의 수직 배향 램프들(260)과 같은 2개 이상의 수직 배향 램프를 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 수직 배향 램프들(260)만이 또는 간섭성 복사 소스들(270)만이 이용될 수 있다. 추가로, 일부 실시예들에서, 선형 램프들(210)만이 이용될 수 있다.
수직 배향 램프들(260)은 챔버(100)(도 1 참조)의 최상부(116) 쪽을 향하는 제1 단부에서의 전력 연결부들, 및 기판 지지체(102)의 처리 표면(106) 쪽을 향하는 제2 단부로 연장되는 방출기들을 가질 수 있다. 수직 배향 램프들(260)로서 이용될 적합한 램프들의 예들은 텅스텐-할로겐 램프, 수은 증기 램프, 및 탄소 필라멘트 적외선 방출기를 포함할 수 있다. 각각의 수직 배향 램프(260)는 각각의 램프로부터의 전력 전달을 최대화하기 위해 반사성 튜브 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 간섭성 복사 소스들(270)은 챔버(100)의 최상부(116) 쪽을 향하는 전력 연결부들, 및 기판 지지체(102)의 처리 표면(106) 쪽을 향하는 방출기들을 갖는 레이저 다이오드 어레이들과 같은 레이저 소스일 수 있다. 수직 배향 램프들(260) 및/또는 간섭성 복사 소스들(270)에 공급되는 전력은 처리 동안 챔버 내의 온도들을 미세하게 조정하도록 조절될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상이한 유형들 또는 크기들의 수직 배향 램프들 및/또는 간섭성 복사 소스들이 램프헤드(200) 내의 상이한 위치들에서 이용될 수 있다. 예를 들어, 프로세스 챔버의 외측 영역들에서 발생할 수 있는 증가된 열 손실을 처리하기 위해, 램프헤드의 외측 영역들에서는 더 길거나 더 강력한 수직 배향 램프들이 이용될 수 있다.
도 2a는 3개씩의 세트들로 배열된 선형 램프들(210)을 도시하며, 여기서 세트 내의 각각의 선형 램프(210)의 제1 단부(211)는 배열(207)의 중심(206)으로부터 상이한 거리들에서 동일한 각도 위치[예를 들어, 각도 위치(221) 참조]에 위치된다. 마찬가지로, 도 2a는 5개씩의 세트들로 배열된 수직 배향 램프들(260) 및 간섭성 복사 소스들(270)을 도시하며, 여기서 각각의 수직 배향 램프(260) 및 각각의 간섭성 복사 소스(270)는 동일한 각도 위치를 따라 중심이 맞춰진다. 상이한 링 형상 구역들 내의 수직 배향 램프들(260) 및 간섭성 복사 소스들(270)뿐만 아니라 선형 램프들(210)도 각도 방향으로 스태거링되는 실시예들과 같이, 다른 실시예들도 물론 예상될 수 있다. 예를 들어, 제2 링 형상 구역(202) 내의 모든 선형 램프(210), 수직 배향 램프(260), 및 간섭성 복사 소스(270)는 제1 링 형상 구역(201) 내의 대응하는 선형 램프(210), 수직 배향 램프(260), 및 간섭성 복사 소스(270)로부터 5도씩 오프셋될 수 있다. 추가로, 세트들 내에서 상이한 개수의 램프들, 예를 들어 3개보다 많거나 적은 선형 램프(210)가 이용될 수 있고, 수직 배향 램프들(260) 및 간섭성 복사 소스들(270)의 세트들 내에서 5개보다 많거나 적은 부재가 이용될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 배열(207)은 복수의 섹터(208)로 분할될 수 있다. 각각의 섹터(208)는 배열(207)의 중심(206)으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그, 배열(207)의 중심(206)으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 제1 외측 지점과 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 섹터(2081)는 중심(206)으로부터 제1 외측 지점(208P1)으로 연장되는 제1 레그(208L1), 중심(206)으로부터 제2 외측 지점(208P2)으로 연장되는 제2 레그(208L2), 및 제1 외측 지점(208P1)과 제2 외측 지점(208P2) 사이의 연결 부분(208C1)에 의해 정의될 수 있다. 각각의 섹터(208)는 평면(205)의 상이한 각도 영역을 커버할 수 있다. 예를 들어, 제1 섹터(2081)는 각도(208A)에 의해 정의되는 각도를 커버한다. 일부 실시예들에서, 각각의 섹터는 각도(208A)에 의해 정의되는 영역과 같은 동일한 각도 영역에 걸쳐 이어질 수 있다. 각각의 섹터(208)의 제1 레그 및 제2 레그는 다른 섹터들(208)의 제1 레그 및 제2 레그와 접촉하거나 일치할 수 있으며, 그에 의해 평면(205)의 전체 영역이 섹터들(208)에 의해 채워질 수 있게 된다. 또한, 수직 배향 램프들(260) 및 간섭성 복사 소스들(270)은 제1 섹터(2081)와 제2 섹터(2082) 사이에서 배열(207)의 중심(206)으로부터 연장되는 공유 레그[예를 들어, 제1 레그(208L1)]를 따라 위치되는 것으로서 설명될 수 있다. 도 2b는 램프들의 배열(207)이 6개의 섹터(208)를 포함하는 것을 도시하지만, 일부 실시예들에서, 복수의 섹터는 2개 내지 11개의 섹터, 예를 들어 3개 내지 7개의 섹터를 포함할 수 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206) 주위에서 그 선형 램프(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 적어도 10도 또는 적어도 15도 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206) 주위에서 그 선형 램프(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 적어도 30도 연장될 수 있다. 예를 들어, 도 2a에서, 각각의 링 형상 구역 내에서 중심(206) 주위에 연장되는 6개의 선형 램프(210)가 도시되며, 따라서 이러한 선형 램프들(210)은 선형 램프들(210) 사이의 공간들로 인해, 중심(206) 주위에서 60도보다 약간 작은, 예를 들어 적어도 50도로 연장될 수 있다.
각각의 섹터(208)는 복수의 선형 램프(210)를 포함할 수 있다. 각각의 선형 램프(210)의 제1 단부(211) 및 제2 단부(212) 둘 다가 1개의 섹터(208) 내에 위치될 수 있다. 섹터(208) 내에 위치된 각각의 선형 램프(210)는 배열(207)의 중심(206)으로부터 상이한 거리에 배치될 수 있다. 또한, 섹터(208) 내에 위치된 각각의 선형 램프(210)의 제1 단부(211)는 동일한 섹터(208) 내에 위치된 다른 선형 램프들(210)의 제1 단부(211)와 동일한 각도 위치에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 각각의 섹터(208)는 별개의 기판 위치(104) 위에 놓일 수 있다. 그러한 설계는 기판 지지체가 회전하지 않을 때 유용할 수 있고, 그에 의해 각각의 기판의 온도가 주어진 섹터의 선형 램프들에 의해 대체로 제어될 수 있게 된다. 도 2b는 섹터들이 상이한 기판 지지 위치들 위에 놓이는 것으로 도시되지만, 이것은 본 명세서에 개시되는 램프 배열들과 함께 이용될 하나의 잠재적인 설계에 지나지 않는다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 2개 이상의 섹터가 1개의 기판 위치 위에 놓일 수 있거나, 1개의 섹터가 1개보다 많은 기판 위치 위에 놓일 수 있다. 추가로, 램프들의 이러한 배열은 또한 단일 기판 프로세스 챔버들(single-substrate process chambers)을 가열하는 것을 위한 이점들을 제공한다. 단일 기판 프로세스 챔버들에 대하여, 기판은 기판 지지체의 중심 영역 내에 배치될 수 있고, 선형 램프들은 외측 영역들뿐만 아니라 이러한 중심 영역 위에 놓일 수 있다. 단일 기판 프로세스 챔버들과 함께 이용될 일부 실시예들에서, 램프헤드의 중심은 조밀 패킹된(closely packed) 수직 배향 램프들 또는 조밀 패킹된 간섭성 복사 소스들의 배열을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 선형 램프들의 어레이는 기판 지지체의 중심 영역 위에 놓일 수 있다.
도 2c는 도 2a 및 도 2b의 램프들의 배열(207) 내에서 이용될 선형 램프(210)의 일 실시예의 측단면도이다. 각각의 선형 램프(210)는 그 선형 램프(210)의 제1 단부(211)와 제2 단부(212) 사이에 2개 이상의 필라멘트(213)를 포함할 수 있다. 전구(219)는 2개 이상의 필라멘트(213)를 둘러쌀 수 있다. 각각의 선형 램프(210)는 2개 이상의 전력 공급 단자(216)를 또한 포함할 수 있다. 선형 램프(210) 내의 각각의 필라멘트(213)는 그 선형 램프(210)의 상이한 전력 공급 단자(216)에 전기적으로 연결될 수 있다. 선형 램프(210) 내의 각각의 필라멘트(213)는 공통 접지 또는 중립(neutral) 단자와 같은 다른 단자(217)에 더 연결될 수 있다. 반대로, 일부 실시예들에서, 각각의 필라멘트는 공통의 전력 공급 단자, 및 전기적으로 연결부의 중립 또는 접지 측에 있는 별개의 전력 단자에 연결될 수 있다. 따라서, 각각의 필라멘트는 적어도 하나의 별개의 전력 단자[즉, 별개의 전력 공급 단자(216) 또는 별개의 접지 또는 중립 측 단자(217) 중 어느 하나]에 연결된다. 도 2a를 참조하면, 선형 램프(210) 내의 각각의 필라멘트(213)는 그 선형 램프(210) 내의 다른 필라멘트들(213)과 비교하여, 평면의 중심(206)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 또한, 제1 링 형상 구역(201)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 모든 선형 램프(210) 내의 각각의 필라멘트(213)는 제1 링 형상 구역 내에 위치된 선형 램프들(210)의 하나 이상의 다른 필라멘트(213)와 비교하여, 중심(206)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 필라멘트들(213)을 상이한 전력 공급 단자들에 연결하면, 상이한 필라멘트들에 공급되는 전력의 개별 제어가 허용되고, 이는 결국 프로세스 챔버(100) 내의 프로세스 용적(120)의 상이한 각도 위치들의 별개의 온도 제어를 허용한다. 기판 지지체가 회전하지 않는 실시예들에서, 선형 램프들(210)은 기판들의 상이한 각도 위치들에 대한 별개의 온도 제어를 허용할 수 있다.
도 2c는 램프헤드(200) 내에서 이용될 수 있는 선형 램프(210)의 일례를 보여준다. 도 2a는 상이한 링 형상 구역들(201-203) 내의 선형 램프들(210)이 이러한 선형 램프들(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 상이한 길이들을 갖는 것을 보여준다. 일부 실시예들에서, 배열(207)의 중심(206)에 더 가까운 다른 링 형상 구역들 내의 선형 램프들(210)과 비교하여 중심(206)으로부터 더 먼 링 형상 구역들 내의 선형 램프들(210)은 추가의 필라멘트들을 포함한다. 다른 실시예들에서, 배열(207)의 중심(206)으로부터 더 먼 링 형상 구역들 내의 선형 램프들은 배열(207)의 중심(206)에 더 가까운 링 형상 구역들 내의 선형 램프들과 동일한 개수의 필라멘트들을 포함한다. 그러한 실시예들에서, 배열(207)의 중심(206)으로부터 더 먼 구역들 내의 선형 램프들 내의 필라멘트들은 배열(207)의 중심(206)에 더 가까운 선형 램프들(210) 내의 필라멘트들보다 더 길 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 각각의 링 형상 구역 내의 램프들은 선형 램프(210)의 제1 단부(211)로부터 제2 단부(212)까지 동일한 길이를 가질 수 있다. 그러한 실시예들에서, 배열(207)의 중심(206)으로부터 더 먼 링 형상 구역들은 배열(207)의 중심(206)에 더 가까운 링 형상 구역들보다 더 많은 선형 램프들(210)을 포함할 수 있다. 링 형상 구역들 전부에 대해 한가지 유형 및 크기의 선형 램프(210)를 이용하면, 예비 부품 비용들(spare parts costs)을 감소시키는 데에 도움이 될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 제2 실시예에 따른 램프들의 배열(307)을 포함하는 램프헤드(300)의 상부 단면 평면도이다. 도 3a 및 도 3b는 상이한 관점에서 취해진, 램프헤드(300) 내의 램프들의 배열(307)에 대한 본질적으로는 동일한 도면이다. 도 3a 및 도 3b 둘 다는 중심(306)을 가지며 평면(305)을 따라 배치된 복수의 수직 배향 램프(360)를 포함하는 램프들의 배열(307)을 예시한다. 도 3a는 동심 링 형상 구역들(301-303)로 분할된 램프들의 배열(307)을 보여주는, 방사상 관점에서의 램프들의 배열(307)의 도면이다. 도 3b는 램프들의 배열(307)의 중심(306)으로부터 연장되는 섹터들(308)로 분할되는 램프들의 배열(307)을 보여주는, 각도 관점을 이용한 램프들의 배열(307)의 도면이다.
도 3a 및 도 3b에서는 평면(305)이 원형이고, 본 명세서에서는 원형 기하형상에 대한 다른 언급들, 예컨대 방사상 관점이 이용될 수 있지만, 본 개시내용은 원형 기하형상에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 명세서에서 이용되는 "링 형상 구역"은 내측 에지가 내부 영역을 둘러싸고 외측 에지가 내측 에지를 둘러싸는 임의의 구조물을 지칭할 수 있다. 일부 실시예들에서는 이러한 내부 영역이 램프들 또는 다른 열원들을 갖지 않는 개방 영역으로서 보여지지만, 이러한 내부 영역은 램프들 또는 다른 열원들을 포함할 수 있다.
램프들의 배열(307)은 램프헤드(300)의 중심이기도 할 수 있는 중심(306)을 포함한다. 램프들의 배열(307)이 그 위에 배치되는 평면(305)은 기판 위치들(104)의 기판 지지 표면들(107)(도 1 참조)에 실질적으로 평행할 수 있다. 수직 배향 램프들(360)은 기판 위치들(104)의 기판 지지 표면들(107) 상에 위치된 기판들을 향해 복사를 지향시킬 수 있다. 수직 배향 램프들(360)로서 이용될 적절한 램프들의 예들은 텅스텐-할로겐 램프, 수은 증기 램프, 및 탄소 필라멘트 적외선 방출기를 포함할 수 있다.
도 3a를 참조하면, 배열(307)은 복수의 링 형상 구역(301-303)으로 분할될 수 있다. 각각의 링 형상 구역(301-303)은 수직 배향 램프들(360)과 같은 열원들의 적어도 3개의 선형 세트(340)를 포함할 수 있다. 3개의 수직 배향 램프(360)를 포함하는 각각의 선형 세트(340)가 선형 세트(340)의 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)로 연장되는 선(343)을 따라 배치될 수 있다. 각각의 선형 세트(340)는 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지의 선형 세트(340)의 선형 연장으로 인해 램프들의 정렬로도 지칭될 수 있다. 선형 세트들(340)은 수직 배향 램프들(360)을 포함하는 것으로서 설명되지만, 다른 열원들이 이용될 수 있다. 도 3c는 램프헤드(300)의 선형 세트(340) 내에서 이용될 수 있는 수직 배향 램프들(360)의 일례의 추가 상세를 제공한다. 각각의 링 형상 구역(301-303)은 내측 에지(예를 들어, 301IE, 302IE, 303IE) 및 외측 에지(예를 들어, 301OE, 302OE, 303OE)에 의해 정의될 수 있다. 링 형상 구역들(301-303)은 중첩되지 않을 수 있고, 그러한 경우 각각의 링 형상 구역이 다른 링 형상 구역을 둘러싸고/거나 다른 링 형상 구역에 의해 둘러싸인다. 또한, 각각의 링 형상 구역(301-303)은 다른 링 형상 구역들 중 하나와 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제1 링 형상 구역(301)의 외측 에지(301OE)는 제2 링 형상 구역(302)의 내측 에지(302IE)와 동일할 수 있다.
각각의 링 형상 구역(301-303)은 수직 배향 램프들(360)과 같은 열원들의 복수의 선형 세트(340)를 포함한다. 각각의 선형 세트(340)는 예를 들어 3개 내지 15개의 수직 배향 램프(360), 예컨대 5개 내지 11개의 수직 배향 램프(360)를 포함할 수 있다. 주어진 선형 세트(340) 내의 각각의 수직 배향 램프(360)는 그 선형 세트(340) 내의 다른 수직 배향 램프들(360)에 대하여 선형으로 배치된다. 각각의 선형 세트(340)는 선형 세트(340) 내의 제1 단부(341)에서의 최초 수직 배향 램프(3601) 및 선형 세트(340)의 제2 단부(342)에서의 최종 수직 배향 램프(360n)를 포함한다. 각각의 선형 세트(340)의 제1 단부(341) 및 제2 단부(342) 둘 다는 제1 링 형상 구역(301)과 같은 하나의 링 형상 구역 내에 위치될 수 있다. 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 또한, 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306)으로부터 등거리에 있을 수 있다. 예를 들어, 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역(301-303) 내에 위치된 각각의 선형 세트(340)의 중심점(340C)은 중심(306)으로부터 등거리에 있을 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 각각의 주어진 선형 세트(340)에 대해, 그 주어진 선형 세트(340)로부터 180도 떨어져서 위치되고 그 주어진 선형 세트(340)에 평행하게 정렬된 대향 선형 세트(340)가 존재할 수 있다. 다른 실시예들에서, 링 형상 구역 내에 위치된 어떠한 2개의 선형 세트도 서로에 평행하게 정렬되지 않는다.
도 3a는 램프들의 배열(307)이 3개의 링 형상 구역(301-303)을 포함하는 것을 도시하지만, 일부 실시예들에서, 복수의 링 형상 구역은 2개 내지 11개의 링 형상 구역, 예를 들어 3개 내지 7개의 링 형상 구역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 링 형상 구역의 폭(즉, 링 형상 구역의 외측 에지와 내측 에지 사이의 거리)은 동일할 수 있고, 그에 의해, 중심(306)으로부터 멀어지는 방향으로의 선형 세트들(340) 사이의 균일한 간격은 프로세스 챔버의 중심에 대해 대칭인 프로세스 챔버들의 온도 제어를 도울 수 있다. 또한, 각각의 링 형상 구역[예를 들어, 제1 링 형상 구역(301)]의 외측 에지[예를 들어, 외측 에지(301OE)]와 내측 에지[예를 들어, 내측 에지(301IE)] 사이의 거리는 최외측 링 형상 구역[예를 들어, 링 형상 구역(303)]의 외측 에지[예를 들어, 외측 에지(303OE)]와 배열(307)의 중심(306) 사이의 거리의 1/3보다 작을 수 있다.
일부 실시예들에서, 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306) 주위에서 그 선형 세트(340)의 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지 적어도 10도 또는 적어도 15도 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306) 주위에서 그 선형 세트(340)의 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지 적어도 30도 연장될 수 있다. 예를 들어, 도 3a에서, 각각의 링 형상 구역 내에서 중심(306) 주위에서 연장되는 6개의 선형 세트(340)가 도시되며, 따라서 이러한 선형 세트들(340)은 선형 세트들(340) 사이의 공간들로 인해, 중심(306) 주위에서 60도보다 약간 작은, 예를 들어 적어도 50도로 연장될 것이다.
제1 링 형상 구역(301) 내의 제1 선형 램프(3401)의 제1 단부(341)는 제2 링 형상 구역(302) 내의 제2 선형 세트(3402)의 제1 단부(341)와 비교하여 배열(307)의 중심(306)에 대해 동일한 각도 위치(321)에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 동일한 각도 위치에 제1 단부가 위치된 선형 세트를 갖는 이러한 패턴이 모든 링 형상 구역에 대해 반복될 수 있거나, 예를 들어 2개의 링 형상 구역마다 하나씩 다른 패턴들이 이용될 수 있다.
램프들의 배열(307)은 상이한 유형들 또는 상이한 크기들의 수직 배향 램프(375) 및/또는 복수의 간섭성 복사 소스(370)와 같은 복수의 추가 열원(350)을 더 포함할 수 있다. 수직 배향 램프들(375) 및 간섭성 복사 소스들(370)은 프로세스 챔버(100) 내부의 온도 제어(예를 들어, 핫 스폿들 및 콜드 스폿들)를 미세하게 조정하기 위해 이용될 수 있다. 수직 배향 램프(375) 및/또는 간섭성 복사 소스(370)와 같은 각각의 열원(350)은 도 3b의 각도 영역(350A)에 의해 도시된 바와 같이, 중심(306) 주위에서 몇 도로만, 예컨대 중심(306) 주위에서 10도 미만으로만, 또는 중심(306) 주위에서 5도 미만으로만 연장되는 복사를 방출하기 위한 표면[예를 들어, 수직 배향 램프(375)를 위한 전구]을 가질 수 있다. 수직 배향 램프(375) 및 간섭성 복사 소스(370)는 프로세스 챔버(100) 내의 온도 제어의 미세 조정을 제공하기 위해 램프헤드(300)에 추가될 수 있는 추가의 열원(350)의 2가지 예시일 뿐이고, 본 기술분야에 공지된 다른 열원들도 물론 이용될 수 있다.
수직 배향 램프(375)와 같은 추가의 열원(350)은 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역들(301-303) 중 일부 또는 전부의 내부에 위치된 각각의 선형 세트(340) 사이의 각도 위치에 위치될 수 있다. 마찬가지로, 간섭성 복사 소스(370)는 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역들의 일부 또는 전부의 내부에 위치된 각각의 선형 세트(340) 사이의 각도 위치에 위치될 수 있다. 도 3a는 각도 방향으로 각각의 선형 세트(340) 사이에 수직 배향 램프(375) 및/또는 간섭성 복사 소스(370)를 도시하지만, 다른 배열들이 가능하다. 예를 들어, 일부 배열들은 각도 방향의 행 내의 2개 이상의 선형 세트(340), 또는 각도 방향의 행 내의 간섭성 복사 소스들(370)과 같은 2개 이상의 추가 열원(350)을 포함할 수 있다. 추가로, 일부 실시예들에서, 수직 배향 램프들(375) 또는 간섭성 복사 소스들(370)만이 추가의 열원들로서 이용될 수 있다. 추가로, 일부 실시예들에서, 임의의 추가의 열원들(350) 없이 선형 세트들(340)만이 이용될 수 있다. 간섭성 복사 소스들(370) 및 수직 배향 램프들(375)은 위에서 설명된 간섭성 복사 소스들(270) 및 수직 배향 램프들(260)과 각각 동일할 수 있고, 이러한 추가의 열원들(350)에 대한 추가의 상세는 여기에 반복되지 않는다.
도 3a는 3개의 그룹으로 배열된 선형 세트들(340)을 도시하며, 여기서 그룹 내의 각각의 선형 세트(340)의 제1 단부(341)는 배열(307)의 중심(306)으로부터 상이한 거리들에서 동일한 각도 위치[예를 들어, 각도 위치(321) 참조]에 위치된다. 마찬가지로, 도 3a는 5개씩의 세트로 배열된 수직 배향 램프들(375) 및 간섭성 복사 소스들(370)을 도시하며, 여기서 각각의 수직 배향 램프(375) 및 각각의 간섭성 복사 소스(370)는 동일한 각도 위치를 따라 중심이 맞춰진다. 상이한 링 형상 구역들 내의 수직 배향 램프들(375) 및 간섭성 복사 소스들(370)뿐만 아니라 선형 세트들(340)도 각도 방향으로 스태거링되는 실시예들과 같이, 다른 실시예들도 물론 예상될 수 있다. 예를 들어, 제2 링 형상 구역(302) 내의 모든 선형 세트(340), 수직 배향 램프(375), 및 간섭성 복사 소스(370)가 제1 링 형상 구역(301) 내의 대응하는 선형 세트(340), 수직 배향 램프(375), 및 간섭성 복사 소스(370)로부터 5도씩 오프셋될 수 있다. 추가로, 상이한 개수의 램프들, 예를 들어 3개보다 많거나 적은 선형 세트(340)가 그룹들 내에서 이용될 수 있고, 수직 배향 램프들(375) 및 간섭성 복사 소스들(370)의 세트들 내에서 5개보다 많거나 적은 부재가 이용될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 배열(307)은 복수의 섹터(308)로 분할될 수 있다. 각각의 섹터(308)는 배열(307)의 중심(306)으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그, 배열(307)의 중심(306)으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 제1 외측 지점과 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 섹터(3081)는 중심(306)으로부터 제1 외측 지점(308P1)으로 연장되는 제1 레그(308L1), 중심(306)으로부터 제2 외측 지점(308P2)으로 연장되는 제2 레그(308L2), 및 제1 외측 지점(308P1)과 제2 외측 지점(308P2) 사이의 연결 부분(308C1)에 의해 정의될 수 있다. 각각의 섹터(308)는 평면(305)의 상이한 각도 영역을 커버할 수 있다. 예를 들어, 제1 섹터(3081)는 각도(308A)에 의해 정의되는 각도를 커버한다. 일부 실시예들에서, 각각의 섹터는 각도(308A)에 의해 정의되는 영역과 같은 동일한 각도 영역에 걸쳐 이어질 수 있다. 각각의 섹터(308)의 제1 레그 및 제2 레그는 다른 섹터들(308)의 제1 레그 및 제2 레그와 접촉하거나 일치할 수 있으며, 그에 의해 평면(305)의 전체 영역이 섹터들(308)에 의해 채워질 수 있게 된다. 또한, 수직 배향 램프들(375) 및 간섭성 복사 소스들(370)은 제1 섹터(3081)와 제2 섹터(3082) 사이에서 배열(307)의 중심(306)으로부터 연장되는 공유 레그[예를 들어, 제1 레그(308L1)]를 따라 위치되는 것으로서 설명될 수 있다. 도 3b는 램프들의 배열(307)이 6개의 섹터(308)를 포함하는 것을 도시하지만, 일부 실시예들에서, 복수의 섹터는 2개 내지 11개의 섹터, 예를 들어 3개 내지 7개의 섹터를 포함할 수 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306) 주위에서 그 선형 세트(340)의 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지 적어도 10도 또는 적어도 15도 연장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306) 주위에서 그 선형 세트(340)의 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지 적어도 30도 연장될 수 있다.
각각의 섹터(308)는 수직 배향 램프들(360)과 같은 열원들의 복수의 선형 세트(340)를 포함할 수 있다. 각각의 선형 세트(340)의 제1 단부(341) 및 제2 단부(342) 둘 다는 1개의 섹터(308) 내에 위치될 수 있다. 섹터(308) 내에 위치된 각각의 선형 세트(340)는 배열(307)의 중심(306)으로부터 상이한 거리에 배치될 수 있다. 또한, 섹터(308) 내에 위치된 각각의 선형 세트(340)의 제1 단부(341)는 동일한 섹터(308) 내에 위치된 다른 선형 세트들(340)의 제1 단부(341)와 동일한 각도 위치에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 각각의 섹터(308)는 별개의 기판 위치(104) 위에 놓일 수 있다. 그러한 설계는 기판 지지체가 회전하지 않을 때 유용할 수 있고, 그에 의해, 각각의 기판의 온도가 주어진 섹터의 선형 세트들에 의해 대체로 제어될 수 있게 된다. 도 3b에는 섹터들이 상이한 기판 지지 위치들 위에 놓이는 것으로 도시되지만, 도 3b의 실시예는 본 명세서에 개시되는 램프 배열들과 함께 이용될 하나의 잠재적인 설계에 지나지 않는다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 2개 이상의 섹터가 1개의 기판 위치 위에 놓일 수 있거나, 1개의 섹터가 1개보다 많은 기판 위치 위에 놓일 수 있다. 추가로, 램프들의 이러한 배열은 또한 단일 기판 프로세스 챔버들을 가열하는 것을 위한 이점들을 제공한다. 단일 기판 프로세스 챔버들에 대하여, 기판은 기판 지지체의 중심 영역 내에 배치될 수 있고, 선형 세트들은 외측 영역들뿐만 아니라 이러한 중심 영역 위에 놓일 수 있다. 단일 기판 프로세스 챔버들과 함께 이용될 일부 실시예들에서, 램프헤드의 중심은 조밀 패킹된 수직 배향 램프들 또는 조밀 패킹된 간섭성 복사 소스들의 배열을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 수직 배향 램프들과 같은 열원들의 선형 세트들의 어레이는 기판 지지체의 중심 영역 위에 놓일 수 있다.
도 3c는 도 3a 및 도 3b에서의 램프들의 배열(307) 내의 선형 세트들(340)에서 이용될 수직 배향 램프(360)의 일 실시예의 측단면도이다. 각각의 수직 배향 램프(360)는 전구(369) 내에 위치된 하나 이상의 필라멘트(363)를 포함할 수 있다. 각각의 수직 배향 램프는 베이스(364)를 포함할 수 있다. 각각의 수직 배향 램프는 또한 전구(369)를 포함할 수 있고, 그 전구는 베이스(364)에 위치된 제1 단부로부터 베이스(364)에 대향하는 전구(369)의 에지에 위치된 제2 단부(362)까지 연장된다. 베이스(364)는 램프헤드(300)의 하우징(309)에 장착될 수 있다. 각각의 수직 배향 램프(360)는 전력 공급 단자(366), 및 공통 접지 또는 중립 단자와 같은 다른 단자(367)를 또한 포함할 수 있다. 단자들(366, 367)은 베이스(364) 내에 위치될 수 있고, 수직 배향 램프들(360)에 전력을 공급하기 위해 전기 회로에 연결될 수 있다. 각각의 수직 배향 램프(360)는 상이한 회로에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 각각의 수직 배향 램프(360)는 공통의 전기 회로에 연결될 수 있다. 다른 전기 구성들이 또한 가능하며, 예컨대 2개 또는 3개의 수직 배향 램프마다 공통의 전기 회로에 연결된다.
각각의 수직 배향 램프(360)는 반사성 튜브(380) 내에 배치될 수 있다. 각각의 반사성 튜브(380)는 하나 이상의 측벽(382)을 포함할 수 있다. 각각의 반사성 튜브(380)의 베이스(383)는 또한 반사성 재료로 형성될 수 있다. 하나 이상의 측벽(382) 및 베이스(383)를 위해 사용될 수 있는 반사성 재료들은 금, 은, 또는 다른 금속들, 및 유전성 반사체들(dielectric reflectors)을 포함한다. 반사성 튜브들(380)은 수직 배향 램프들(360)이 서로 간섭하는 것을 방지하고, 각각의 수직 배향 램프(360)가 도 1에 도시된 프로세스 챔버(100)의 특정 영역의 온도를 제어하는 능력을 증강시키기 위해 이용될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 선형 세트(340) 내의 각각의 수직 배향 램프(360)는 그 선형 세트(340) 내의 다른 수직 배향 램프들(360)과 비교하여, 배열(307)의 중심(306)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 또한, 제1 링 형상 구역(301)과 같은 링 형상 구역 내에 위치된 모든 선형 세트(340) 내의 각각의 수직 배향 램프(360)는 제1 링 형상 구역(301) 내에 위치된 선형 세트들(340)의 하나 이상의 다른 수직 배향 램프(360)와 비교하여, 중심(306)에 대해 상이한 각도 위치에 위치될 수 있다. 선형 세트(340) 내의 각각의 수직 배향 램프(360)가 상이한 전력 공급 회로에 연결되어, 각각의 수직 배향 램프(360)에 공급되는 전력의 개별 제어가 허용될 수 있고, 이는 결국 프로세스 챔버(100) 내의 프로세스 용적(120)의 상이한 각도 위치들의 별개의 온도 제어를 허용한다. 기판 지지체가 회전하지 않는 실시예들에서, 별개의 전력 공급 회로들을 갖는 수직 배향 램프들(360)은 기판들의 상이한 각도 위치들에 대한 별개의 온도 제어를 허용할 수 있다.
도 3c는 램프헤드(300) 내에서 이용될 수 있는 수직 배향 램프(360)의 일례를 보여준다. 도 3a는 링 형상 구역(303)과 같은 외측 구역들 내의 선형 세트들(340)이 링 형상 구역(301)과 같은 내측 구역들 내의 선형 세트들(340)과 비교하여 더 많은 수직 배향 램프들(360)을 포함하는 것으로 인해, 상이한 링 형상 구역들(301-303) 내의 선형 세트들(340)이 제1 단부(341)로부터 제2 단부(342)까지 상이한 길이들을 갖는 것을 보여준다. 그러나, 다른 실시예들에서, 배열(307)의 중심(306)으로부터 더 먼 링 형상 구역들 내의 선형 세트들은 배열(307)의 중심(306)에 더 가까운 링 형상 구역들 내의 선형 세트들과 동일한 개수의 수직 배향 램프들(360)을 포함할 수 있다. 그러한 실시예들에서, 배열(307)의 중심(306)으로부터 더 먼 링 형상 구역들은 배열(307)의 중심(306)에 더 가까운 링 형상 구역들보다 더 많은 선형 세트들(340)을 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 실시예들은 램프헤드를 위한 유지보수 비용뿐만 아니라 제조 비용들을 상당히 감소시킬 수 있는, 프로세스 챔버들 내에서 사용하기 위한 램프 배열들을 예시한다. 램프헤드 내에서 필요한 램프들의 개수를 감소시킴으로써 비용 절약이 달성된다. 더 적은 램프들은 더 적은 배선을 필요로 하고, 램프헤드 내에 장착할 시간을 더 적게 필요로 한다. 또한, 더 적은 램프들은 램프들의 덜 빈번한 교체를 야기할 것이고, 이는 더 적은 다운타임 및 유지보수를 야기할 것이다. 예를 들어, 프로세스 챔버들을 위한 일부 램프헤드들은 400개가 넘는 램프들, 또는 심지어는 1000개를 초과하는 램프들을 포함한다. 램프들을 결국 고장나고, 따라서 400개가 넘는 램프들을 갖는 프로세스 챔버를 운영하는 것은 램프헤드의 유효 수명에 걸쳐서 수천 개의 램프의 교체를 필요로 할 가능성이 높을 것이다. 위에 설명된 실시예들 중 다수에서, 램프들의 수는 100개 미만의 램프로 유지될 수 있다.
비용 절약에도 불구하고, 본 명세서에 개시된 램프 배열들은 처리 동안 프로세스 챔버의 상이한 영역들의 정밀한 온도 제어를 제공할 수 있다. 100개 미만의 램프를 포함했던, 이전에 사용되었던 램프헤드들은 일반적으로 방사상 온도 제어만을 제공했고, 방위각 온도 제어는 결핍되었다. 반대로, 본 명세서에 개시된 실시예들은 방사상 온도 제어는 물론, 방위각 온도 제어를 제공한다. 예를 들어, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 위에서 설명된 선형 램프들, 또는 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 위에서 설명된 램프들의 선형 세트들은 방사상 온도 제어를 제공하기 위해 링 형상 구역들 내에 배열될 수 있다. 또한, 선형 램프들, 및 램프들의 선형 세트들은 방위각 온도 제어를 제공하기 위해 섹터들로 배열될 수 있다. 추가로, 위에서 설명된 선형 램프들의 일부 실시예들은 복수의 필라멘트를 포함할 수 있고, 각각의 필라멘트는 램프헤드 내의 상이한 각도 위치에서 위치되고 개별적으로 전력을 공급받으며, 그에 의해, 프로세스 챔버 내에서 온도를 방위각으로 제어하는 능력을 더 개선한다. 도 3a 내지 도 3c에 도시된 실시예에 대해, 각각의 수직 배향 램프(360)는 램프헤드 내의 상이한 각도 위치에서 개별적으로 전력을 공급받고 위치되어, 프로세스 챔버 내의 온도를 방위각으로 제어하는 능력을 개선할 수 있다. 또한, 선형 램프들 또는 램프들의 선형 세트들 사이에 수직 배향 램프들 및/또는 간섭성 복사 소스들과 같은 다른 열원들을 이용하면, 프로세스 챔버 내의 온도 제어를 더 개선할 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 일부 실시예들은 기판 지지체의 양측으로부터의 온도 제어 능력을 갖기 위해, 기판 지지체 아래의 램프헤드들(200 또는 300) 중 하나뿐만 아니라, 기판 지지체 위의 램프들(200 또는 300) 중 하나를 포함할 수 있다.
상술한 것은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 추가의 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 만들어질 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 프로세스 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 용적 내에 배치된 기판 지지체; 및
    상기 기판 지지체를 향하는 하나 이상의 램프헤드
    를 포함하고, 각각의 램프헤드는 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함하고, 상기 램프들의 배열은 중심, 및 상기 중심 주위의 복수의 동심 링 형상 구역에 의해 정의되고, 각각의 링 형상 구역은 내측 에지 및 외측 에지에 의해 정의되고, 각각의 링 형상 구역은 하나 이상의 램프의 3개 이상의 정렬(three or more alignments of one or more lamps)을 포함하고,
    하나 이상의 램프의 각각의 정렬은 제2 단부에 선형으로 연장되는 제1 단부를 포함하고;
    상기 제1 단부 및 상기 제2 단부는 상기 중심 주위에서 적어도 10도만큼 분리되고,
    상기 제1 단부 및 상기 제2 단부 둘 다는 하나의 링 형상 구역 내에 위치되고,
    동일한 링 형상 구역 내에 위치되는 각각의 정렬은 상기 중심에 대해 등거리인, 프로세스 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 정렬은 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 연장되는 선형 램프를 포함하고, 각각의 선형 램프는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 2개 이상의 필라멘트를 갖는, 프로세스 챔버.
  3. 제2항에 있어서, 제1 링 형상 구역 내에 위치된 모든 선형 램프 내의 각각의 필라멘트는 상기 제1 링 형상 구역 내에 위치된 상기 선형 램프들의 하나 이상의 다른 필라멘트와 비교하여, 상기 중심에 대해 상이한 각도 위치(angular location)에 위치되는, 프로세스 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 각각의 선형 램프는 3개 이상의 전력 단자를 포함하고, 각각의 선형 램프 내의 각각의 필라멘트는 그 선형 램프 내의 다른 필라멘트들과는 다른 적어도 하나의 전력 단자에 전기적으로 연결되는, 프로세스 챔버.
  5. 제2항에 있어서, 각각의 선형 램프는 상기 중심 주위에서 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부까지 적어도 15도 연장되는, 프로세스 챔버.
  6. 제2항에 있어서, 각각의 선형 램프는 상기 중심 주위에서 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부까지 적어도 30도 연장되는, 프로세스 챔버.
  7. 제2항에 있어서, 상기 복수의 링 형상 구역은 3개 내지 7개의 링 형상 구역을 포함하는, 프로세스 챔버.
  8. 제2항에 있어서, 제1 링 형상 구역 내의 제1 선형 램프의 제1 단부는 제2 링 형상 구역 내의 제2 선형 램프의 제1 단부와 비교하여 상기 중심에 대해 동일한 각도 위치에 위치되는, 프로세스 챔버.
  9. 제2항에 있어서,
    제1 링 형상 구역의 각각의 선형 램프 사이의 각도 위치에 위치되는 열원 - 각각의 열원의 복사를 방출하기 위한 표면은 상기 중심 주위에 5도 미만으로 연장됨 - ; 및
    제1 링 형상 구역의 각각의 선형 램프 사이의 각도 위치에 위치되는 간섭성 복사 소스(coherent radiation source)
    를 더 포함하는 프로세스 챔버.
  10. 제1항에 있어서, 각각의 정렬은 상기 제1 단부로부터 상기 제2 단부로 연장되는 선을 따라 배치되는 3개 이상의 수직 배향 램프를 포함하고, 각각의 수직 배향 램프는 베이스, 및 상기 베이스로부터 상기 기판 지지체를 향해 연장되는 전구를 포함하는, 프로세스 챔버.
  11. 프로세스 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 용적 내에 배치된 기판 지지체; 및
    상기 기판 지지체를 향하는 램프헤드
    를 포함하고, 상기 램프헤드는 평면을 따라 배치되는 램프들의 배열을 포함하고, 상기 램프들의 배열은 중심 및 3개 이상의 섹터에 의해 정의되고, 각각의 섹터는 상기 중심으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그(leg), 상기 중심으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 상기 제1 외측 지점과 상기 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의되고, 각각의 섹터는 복수의 선형 램프를 포함하고,
    각각의 선형 램프는 상기 중심 주위에서 적어도 10도만큼 분리되는 제1 단부 및 제2 단부를 포함하고,
    각각의 선형 램프의 상기 제1 단부 및 상기 제2 단부 둘 다는 1개의 섹터 내에 위치되고,
    섹터의 각각의 선형 램프는 상기 중심으로부터 다른 거리에 위치되는, 프로세스 챔버.
  12. 제11항에 있어서, 각각의 선형 램프는 상기 제1 단부와 상기 제2 단부 사이에 2개 이상의 필라멘트를 더 포함하는, 프로세스 챔버.
  13. 제12항에 있어서, 제1 선형 램프 내의 각각의 필라멘트는 상기 제1 선형 램프 내의 하나 이상의 다른 램프와 비교하여, 상기 중심에 대해 상이한 각도 위치에 위치되는, 프로세스 챔버.
  14. 제11항에 있어서, 제1 섹터와 제2 섹터 사이의 공유 레그를 따라 배치되는 복수의 간섭성 복사 소스를 더 포함하는 프로세스 챔버.
  15. 프로세스 챔버로서,
    함께 결합되어 용적을 정의하는 최상부, 최하부, 및 측벽;
    상기 용적 내에 배치되는 기판 지지체 - 상기 기판 지지체는 상기 기판 지지체의 중심 위치 주위에 분산된 복수의 기판 위치를 갖고, 각각의 기판 위치는 기판 지지 표면을 가짐 - ; 및
    상기 기판 지지체를 향하는 램프헤드
    를 포함하고, 상기 램프헤드는 상기 기판 위치들의 상기 기판 지지 표면들에 실질적으로 평행한 평면을 따라 배치된 램프들의 배열을 포함하고, 상기 배열은 중심, 3개 내지 7개의 링 형상 구역, 및 상기 3개 내지 7개의 링 형상 구역에 중첩하는 3개 내지 7개의 섹터에 의해 정의되고,
    각각의 링 형상 구역은 상기 중심과 동심을 이루고, 각각의 링 형상 구역은 내측 에지 및 외측 에지에 의해 정의되고,
    각각의 섹터는 상기 중심으로부터 제1 외측 지점으로 연장되는 제1 레그, 상기 중심으로부터 제2 외측 지점으로 연장되는 제2 레그, 및 상기 제1 외측 지점과 상기 제2 외측 지점 사이의 연결 부분에 의해 정의되고,
    각각의 선형 램프는 제1 단부 및 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부 및 상기 제2 단부 둘 다는 하나의 링 형상 구역 및 1개의 섹터 내에 위치되고,
    각각의 선형 램프는 상기 평면의 상기 중심 주위에서 적어도 30도 연장되는, 프로세스 챔버.
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