TWI836755B

TWI836755B - 顯示器結構及其製造方法

Info

Publication number: TWI836755B
Application number: TW111145717A
Authority: TW
Inventors: 梁育馨; 黃婉真; 王脩華; 林威廷
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-11-29
Filing date: 2022-11-29
Publication date: 2024-03-21
Also published as: TW202423273A; CN115842082A

Abstract

一種顯示器結構包含第一基板、第二基板、第一凸塊、發光單元、連通柱、第二凸塊以及第三凸塊。第二基板設置於第一基板上。第一凸塊設置於第二基板之頂面上。發光單元設置於第一凸塊上。連通柱填充貫穿第一基板以及第二基板之通孔。第二凸塊設置於第二基板之頂面上並連接連通柱。第二凸塊之厚度大於第一凸塊之厚度。第三凸塊設置於第一基板之底面上並連接連通柱。

Description

顯示器結構及其製造方法

本揭露係有關於一種顯示器結構及其製造方法。

隨著電流驅動的功能增加，顯示器結構中的元件配置變得複雜，故面內的走線亦趨於複雜，進而產生空間不足的問題。此外，因現時用以製造走線的基板為軟板，因此存在基板漲縮問題，基板平整性也因此較難控制，進而導致導通孔搭接不良以及電鍍偏移的問題。如何提出一種可以解決上述問題的顯示器結構及其製造方法，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的顯示器結構及其製造方法。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種顯示器結構包含第一基板、第二基板、第一凸塊、發光單元、連通柱、第二凸塊以及第三凸塊。第二基板設置於第一基板上。第一凸塊設置於第二基板之頂面上。發光單元設置於第一凸塊上。連通柱填充貫穿第一基板以及第二基板之通孔。第二凸塊設置於第二基板之頂面上並連接連通柱。第二凸塊之厚度大於第一凸塊之厚度。第三凸塊設置於第一基板之底面上並連接連通柱。

於本揭露的一或多個實施方式中，顯示器結構進一步包含第一種子層以及第二種子層。第一種子層位於第一凸塊與第二基板之間以及第二凸塊與第二基板之間。第二種子層位於連通柱與通孔之間以及第三凸塊與第一基板之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，第二凸塊之厚度與第一凸塊之厚度之厚度差大於0.5微米。

於本揭露的一或多個實施方式中，第三凸塊之寬度大於第二凸塊之寬度。

於本揭露的一或多個實施方式中，第三凸塊之寬度大於17微米。

於本揭露的一或多個實施方式中，以俯視觀之，第二凸塊位於第一凸塊之周圍。

於本揭露的一或多個實施方式中，第二凸塊之厚度大於第一凸塊之厚度以及發光單元之厚度之總和。

於本揭露的一或多個實施方式中，顯示器結構進一步包含主動元件，且主動元件位於第二基板中。

於本揭露的一或多個實施方式中，主動元件藉由接觸件連接第一凸塊。

於本揭露的一或多個實施方式中，主動元件為薄膜電晶體。

為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種顯示器結構的製造方法包含：提供玻璃基板、第一基板以及第二基板，其中第一基板位於玻璃基板上，第二基板位於第一基板上；形成第一光阻層於第二基板上方，其中第一光阻層具有數個鏤空部；填充第一導電材料於第一光阻層之鏤空部中；去除第一光阻層並回蝕第一導電材料以形成圖案化之第一導電材料；去除玻璃基板；藉由蝕刻形成通孔穿過第一導電材料、第一基板以及第二基板；形成第二光阻層於第二基板之頂面以及第三光阻層於第一基板之底面，其中第二光阻層以及第三光阻層各具有鏤空部，第二光阻層之鏤空部以及第三光阻層之鏤空部分別連接通孔之兩端，且第二光阻層之鏤空部之高度大於第一導電材料之厚度；填充第二導電材料於第二光阻層之鏤空部、通孔以及第三光阻層之鏤空部中，其中第二導電材料於通孔中形成連通柱，且第二導電材料與第一導電材料相同；去除第二光阻層以及第三光阻層以形成圖案化之第二導電材料；回蝕圖案化之第一導電材料以及圖案化之第二導電材料以形成第一凸塊、第二凸塊以及第三凸塊；以及將發光單元設置於第一凸塊上，且第二凸塊之厚度大於第一凸塊之厚度。

於本揭露的一或多個實施方式中，顯示器結構的製造方法進一步包含形成第一種子層於第二基板上，且形成第一種子層於第二基板上的步驟係執行於形成第一光阻層於第二基板上方的步驟之前。

於本揭露的一或多個實施方式中，第一種子層位於第一凸塊與第二基板之間以及第二凸塊與第二基板之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，顯示器結構的製造方法進一步包含形成第二種子層於通孔之內表面以及第一基板之底面，且形成第二種子層於通孔之內表面以及第一基板之底面的步驟係執行於填充第二導電材料於第二光阻層之鏤空部、通孔以及第三光阻層之鏤空部中的步驟之前。

於本揭露的一或多個實施方式中，形成第二種子層於通孔之內表面以及第一基板之底面的步驟係執行於形成第二光阻層於第二基板之頂面以及第二光阻層於第一基板之底面的步驟之前。

於本揭露的一或多個實施方式中，第二種子層位於連通柱與通孔之間以及第三凸塊與第一基板之間。

於本揭露的一或多個實施方式中，去除玻璃基板的步驟係執行於去除第一光阻層並回蝕第一導電材料以形成圖案化之第一導電材料的步驟之後。

於本揭露的一或多個實施方式中，填充第一導電材料於第一光阻層之鏤空部中的步驟以及填充第二導電材料於第二光阻層之鏤空部、通孔以及第三光阻層之鏤空部中的步驟係利用電鍍製程。

於本揭露的一或多個實施方式中，藉由蝕刻形成通孔穿過第一導電材料、第一基板以及第二基板的步驟係利用雷射鑽孔製程。

綜上所述，在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於顯示器結構經過正反兩面的兩次電鍍，例如第二凸塊經過兩次電鍍(第一次電鍍於玻璃基板上方，第二次電鍍不具有玻璃基板)，可以滿足因正面所需解析度高而需要高黃光對位精準度的需求，並可以解決位於正面(第二基板的頂面)的第二凸塊的厚度不足還有通孔搭接的問題。在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於第二凸塊的厚度與第一凸塊的厚度有高度差，且第二凸塊設置於第一凸塊的周圍，因此可以增加發光單元轉置區之挺性，進而提升發光單元的轉置精準度。在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於第二凸塊的厚度至少大於第一凸塊的厚度以及發光單元的厚度的總和，因此第二凸塊之間可以作為發光單元的聚光堤(bank)，以提升發光單元的發光效能。

以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。在所有圖式中相同的標號將用於表示相同或相似的元件。

在圖式中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的圖式標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個圖式中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於圖式的特定取向。類似地，如果一個圖式中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

請參考第1圖以及第2圖。第1圖以及第2圖為根據本揭露之一實施方式之顯示器結構100的製造方法M的流程圖。如第2圖所示，在本實施方式中，顯示器結構100的製造方法M包含了步驟S101、步驟S102、步驟S103、步驟S104、步驟S105、步驟S106、步驟S107、步驟S108、步驟S109、步驟S110以及步驟S111。為了更佳理解步驟S101，請參考第1圖以及第3圖。為了更佳理解步驟S102，請參考第1圖、第4圖以及第5圖。為了更佳理解步驟S103，請參考第1圖以及第6圖。為了更佳理解步驟S104，請參考第1圖、第7圖以及第8圖。為了更佳理解步驟S105，請參考第1圖以及第9圖。為了更佳理解步驟S106，請參考第1圖以及第10圖。為了更佳理解步驟S107，請參考第2圖、第11圖以及第12圖。為了更佳理解步驟S108，請參考第2圖以及第13圖。為了更佳理解步驟S109，請參考第2圖以及第14圖。為了更佳理解步驟S110，請參考第2圖以及第15圖。為了更佳理解步驟S111，請參考第2圖以及第16圖。

以下詳細敘述步驟S101。

在步驟S101中，提供玻璃基板GS、第一基板S1以及第二基板S2。

請參考第3圖。第3圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第3圖所示，其提供了玻璃基板GS、第一基板S1以及第二基板S2。如第3圖所示，第一基板S1設置於玻璃基板GS上。第二基板S2設置於第一基板S1上。在一些實施方式中，玻璃基板GS的硬度大於第一基板S1的硬度，且玻璃基板GS的硬度大於第二基板S2的硬度。在本實施方式中，玻璃基板GS作為硬基板，第一基板S1以及第二基板S2作為軟基板。需要說明的是，於此處描述的硬或軟之性質為相對的性質，因此軟基板與硬基板同樣具有基本的支撐功能。

在一些實施方式中，第一基板S1可以是塑膠材料。在一些實施方式中，第一基板S1可以是例如聚醯亞胺(Polyimide；PI)或其他合適的材料。在一些實施方式中，第二基板S2可以是矽基(Silicon-Based)基板。在一些實施方式中，第二基板S2可以包含例如低溫多晶矽(Low-temperature Polysilicon；LTPS)或其他合適的材料。

以下詳細敘述步驟S102。

在步驟S102中，形成第一光阻層PR1於第二基板S2上方。

請參考第4圖以及第5圖。第4圖以及第5圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第4圖所示，第一種子層SL1首先形成於第二基板S2上。第一種子層SL1作為後續製程所需的導電層。接著，如第5圖所示，第一光阻層PR1形成於第二基板S2的上方。具體來說，第一光阻層PR1形成於第一種子層SL1上。如第5圖所示，第一光阻層PR1具有數個鏤空部O1。

在一些實施方式中，鏤空部O1可以藉由黃光製程或其他合適的方法來形成。

以下詳細敘述步驟S103。

在步驟S103中，填充第一導電材料CM1於第一光阻層PR1之鏤空部O1中。

請參考第6圖。第6圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第6圖所示，第一導電材料CM1形成於第一光阻層PR1的鏤空部O1中。具體來說，第一導電材料CM1位於第一種子層SL1上。在一些實施方式中，第一導電材料CM1的上表面與第一光阻層PR1的上表面不共平面。

在一些實施方式中，第一導電材料CM1可以是金屬材料。在一些實施方式中，第一導電材料CM1可以是例如銅或其他合適的導電材料。

在一些實施方式中，第一導電材料CM1可以藉由電鍍製程或其他合適的方法來形成。

以下詳細敘述步驟S104。

在步驟S104中，去除第一光阻層PR1並回蝕第一導電材料CM1以形成圖案化之第一導電材料CM1。

請參考第7圖以及第8圖。第7圖以及第8圖是根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第7圖所示，第一光阻層PR1自第二基板S2上方被去除。具體來說，第一光阻層PR1自第一種子層SL1上被去除。如第7圖所示，第一光阻層PR1被去除之後，經第一光阻層PR1圖案化的第一導電材料CM1保留在第二基板S2上方。具體來說，第一導電材料CM1保留在第一種子層SL1上。接著，如第8圖所示，第一導電材料CM1被回蝕，且第一種子層SL1的部位被去除。更詳細地說，上述第一種子層SL1被去除的部位是指原本位於圖案化的第一光阻層PR1正下方的第一種子層SL1的部位。當第一導電材料CM1被回蝕且第一種子層SL1的部位被去除之後，從而形成最終的圖案化的第一導電材料CM1，如第8圖所示。

在一些實施方式中，第一光阻層PR1以及第一種子層SL1的部位可以藉由蝕刻製程(例如，乾蝕刻或濕蝕刻)或其他合適的方法被去除。在一些實施方式中，第一導電材料CM1可以藉由蝕刻製程(例如，乾蝕刻或濕蝕刻)或其他合適的方法被回蝕。

在步驟S101至步驟S104中，圖案化的第一導電材料CM1在玻璃基板GS存在的情況下形成。由於玻璃基板GS提供了整體結構的挺性，因此第一導電材料CM1可以更精準地形成於目標位置上，從而滿足高解析度的需求。

以下詳細敘述步驟S105。

在步驟S105中，去除玻璃基板GS。

請參考第9圖。第9圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。如第9圖所示，玻璃基板GS被去除，從而暴露了第一基板S1的底面S1b。由於在步驟S104中形成了圖案化的第一導電材料CM1，第二基板S2的頂面S2t從而被暴露。

以下詳細敘述步驟S106。

在步驟S106中，藉由蝕刻形成通孔V穿過第一導電材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2。

請參考第10圖。第10圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第10圖所示，通孔V藉由蝕刻形成，且通孔V貫穿第一導電材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2。如第10圖所示，通孔V貫穿第一導電材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2而具有內表面Vsi。

在一些實施方式中，通孔V可以利用例如雷射鑽孔製程或其他合適的方法來形成。

以下詳細敘述步驟S107。

在步驟S107中，形成第二光阻層PR2於第二基板S2之頂面S2t以及第三光阻層PR3於第一基板S1之底面S1b。

請參考第11圖以及第12圖。第11圖以及第12圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第11圖所示，第二種子層SL2首先形成於通孔V的內表面Vsi以及第一基板S1的底面S1b。第二種子層SL2作為後續製程所需的導電層。接著，如第12圖所示，第二光阻層PR2形成於第二基板S2的頂面S2t上，第三光阻層PR3形成於第一基板S1的底面S1b上。具體來說，第三光阻層PR3形成於第二種子層SL2上。如第12圖所示，第二光阻層PR2以及第三光阻層PR3各具有數個鏤空部O2以及數個鏤空部O3。如第12圖所示，第二光阻層PR2的鏤空部O2以及第三光阻層PR3的鏤空部O3分別連接通孔V的兩端。在一些實施方式中，如第12圖所示，第二光阻層PR2的鏤空部O2的高度H _O2大於第一導電材料CM1的厚度T _CM1。在一些實施方式中，如第12圖所示，第二光阻層PR2覆蓋不與通孔V鄰接的第一導電材料CM1。

在一些實施方式中，鏤空部O2以及鏤空部O3可以藉由黃光製程或其他合適的方法來形成。

以下詳細敘述步驟S108。

在步驟S108中，填充第二導電材料CM2於第二光阻層PR2之鏤空部O2、通孔V以及第三光阻層PR3之鏤空部O3中。

請參考第13圖。第13圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第13圖所示，第二導電材料CM2形成於第二光阻層PR2的鏤空部O2、通孔V以及第三光阻層PR3的鏤空部O3中。具體來說，第二導電材料CM2位於第二種子層SL2上。如第13圖所示，第二導電材料CM2的填充通孔V的部位形成連通柱CV。如第13圖所示，第二導電材料CM2填充鏤空部O2，使得第二導電材料CM2的位於鏤空部O2的部位的高度大於第一導電材料CM1的高度(即第12圖所示的厚度T _CM1)。在一些實施方式中，第二導電材料CM2的位於鏤空部O2中的部位的上表面與第二光阻層PR2的上表面不共平面。在一些實施方式中，第二導電材料CM2的位於鏤空部O3中的部位的上表面與第三光阻層PR3的上表面不共平面。

在一些實施方式中，第二導電材料CM2可以是金屬材料。在一些實施方式中，第二導電材料CM2可以是例如銅或其他合適的導電材料。

在一些實施方式中，第二導電材料CM2可以藉由電鍍製程或其他合適的方法來形成。

在一些實施方式中，第二導電材料CM2與第一導電材料CM1相同。具體來說，第二導電材料CM2的材料與第一導電材料CM1的材料相同。

以下詳細敘述步驟S109。

在步驟S109中，去除第二光阻層PR2以及第三光阻層PR3以形成圖案化的第二導電材料CM2。

請參考第14圖。第14圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第14圖所示，第二光阻層PR2自第二基板S2上被去除，且第三光阻層PR3自第一基板S1上方被去除。具體來說，第三光阻層PR3自第二種子層SL2上被去除。如第14圖所示，第二光阻層PR2以及第三光阻層PR3被去除之後，經第二光阻層PR2以及第三光阻層PR3圖案化的第二導電材料CM2保留在第二基板S2以及第一基板S1上方。具體來說，第二導電材料CM2的位於第一基板S1上方的部位以及連通柱CV形成於第二種子層SL2上。

在一些實施方式中，第二光阻層PR2以及第三光阻層PR3可以藉由蝕刻製程(例如，濕蝕刻)或其他合適的方法被去除。

以下詳細敘述步驟S110。

在步驟S110中，回蝕圖案化之第一導電材料CM1以及圖案化之第二導電材料CM2以形成第一凸塊B1、第二凸塊B2以及第三凸塊B3。

請參考第15圖。第15圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第15圖所示，圖案化的第一導電材料CM1以及圖案化的第二導電材料CM2被回蝕。如第15圖所示，第二種子層SL2的部位被去除。更詳細地說，上述第二種子層SL2的部位是指原本位於圖案化的第三光阻層PR3正下方的第二種子層SL2的部位。當圖案化的第一導電材料CM1以及圖案化的第二導電材料CM2被回蝕且第二種子層SL2的部位被去除之後，從而形成第一凸塊B1、第二凸塊B2以及第三凸塊B3，如第15圖所示。更詳細地說，不與連通柱CV連接的第一導電材料CM1的部位形成第一凸塊B1，與連通柱CV鄰接的第一導電材料CM1的部位以及連接連通柱CV的第二導電材料CM2的部位形成第二凸塊B2，連接連通柱CV且位於第一基板S1上方的第二導電材料CM2的部位形成第三凸塊B3。

在一些實施方式中，如第15圖所示，第一凸塊B1具有厚度T _B1，第二凸塊B2具有厚度T _B2以及寬度W _B2，第三凸塊B3具有寬度W _B3。在一些實施方式中，第二凸塊B2的厚度T _B2大於第一凸塊B1的厚度T _B1。在一些實施方式中，第三凸塊B3的寬度W _B3大於第二凸塊B2的寬度W _B2。在一些實施方式中，第二凸塊B2的厚度T _B2與第一凸塊B1的厚度T _B1的厚度差大於0.5微米。在一些實施方式中，第三凸塊B3的寬度W _B3大於17微米。

在一些實施方式中，第二種子層SL2的部位可以藉由蝕刻製程(例如，乾蝕刻)或其他合適的方法被去除。在一些實施方式中，第一導電材料CM1以及第二導電材料CM2可以藉由蝕刻製程(例如，乾蝕刻)或其他合適的方法被回蝕。

以下詳細敘述步驟S111。

在步驟S111中，將發光單元LU設置於第一凸塊B1上。

請參考第16圖。第16圖為根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構100的中間階段的示意圖。在本實施方式中，如第16圖所示，在執行步驟S110以形成第一凸塊B1、第二凸塊B2以及第三凸塊B3之後，再將發光單元LU設置於第一凸塊B1上，從而形成本揭露的顯示器結構100。在一使用情境中，第一凸塊B1作為發光單元LU的轉置區，因此製造者可以將在其他產線製造完成的發光單元LU轉置到第一凸塊B1上。在一些實施方式中，如第16圖所示，第二凸塊B2的厚度T _B2大於第一凸塊B1的厚度T _B1以及發光單元LU的厚度T _LU的總和。由於發光單元LU被轉置到第一凸塊B1上之後，發光單元LU的上表面仍然低於第二凸塊B2的上表面(如第16圖所示)，且由於金屬材料高反射且高聚光的特性，因此位於發光單元LU旁的第二凸塊B2可以作為發光單元LU的聚光堤(bank)，以增加發光單元LU的出光效率。

在一些實施方式中，發光單元LU可以是發光二極體(Light-emitting Diode；LED)。在一些實施方式中，發光單元LU可以是微發光二極體(Micro-LED)。

接下來將詳細說明本揭露之另一實施方式之顯示器結構100A。

請參考第17圖。第17圖為根據本揭露之另一實施方式之顯示器結構100A的俯視圖。在本實施方式中，如第17圖所示，顯示器結構100A的結構配置與顯示器結構100的結構配置大致相似，故顯示器結構100A的詳細結構於此不再贅述。顯示器結構100A與顯示器結構100的不同之處在於，顯示器結構100A的一側(例如，第16圖所示的位於第二基板S2上方的一側)包含數行及數列的第一凸塊B1以及第二凸塊B2的排列。舉例來說，第17圖中的一列(例如，平行於方向X的一列)可以包含數個第一凸塊B1以及第二凸塊B2，第17圖的一行(例如，平行於方向Y的一列)可以包含數個第一凸塊B1或第二凸塊B2。如第17圖所示，以俯視觀之，上述排列使得第二凸塊B2位於第一凸塊B1的周圍。在一使用情境中，由於第二凸塊B2設置於第一凸塊B1的周圍，且第二凸塊B2的厚度T _B2大於第一凸塊B1的厚度T _B1，使得整個顯示器結構100的挺性增加。因此，製造者可以更精準地將發光單元LU轉置到第一凸塊B1上。

在一些實施方式中，如第17圖所示，連接第二凸塊B2的連通柱CV是沿著第17圖中的方向Z延伸。

在一些實施方式中，顯示器結構100A包含發光單元LU(未繪示)於第一凸塊B1上方。在第二凸塊B2位於第一凸塊B1的周圍的實施方式中，第二凸塊B2的厚度T _B2大於第一凸塊B1的厚度T _B1以及發光單元LU的厚度T _LU的總和。

接下來將詳細說明本揭露之再一實施方式之顯示器結構100B。

請參考第18圖。第18圖為根據本揭露之再一實施方式之顯示器結構100B的示意圖。在本實施方式中，如第18圖所示，顯示器結構100B的結構配置與顯示器結構100的結構配置大致相似。顯示器結構100B與顯示器結構100的不同之處在於，顯示器結構100B的第二基板S2進一步包含閘極絕緣層GI、層間介電質層ILD以及鈍化層PV。除此之外，顯示器結構100B進一步包含主動元件T、接觸件CT以及處理元件CE。主動元件T位於第二基板S2中並包含源極S、汲極D、閘極G以及通道層CH。閘極G藉由閘極絕緣層GI與通道層CH隔開。源極S以及汲極D連接通道層CH。源極S以及汲極D分別藉由層間介電質層ILD與閘極G隔開。如第18圖所示，主動元件T藉由接觸件CT連接第一凸塊B1。具體來說，接觸件CT的兩端分別連接第一凸塊B1以及汲極D。

在一些實施方式中。主動元件T可以是薄膜電晶體(Thin-film Transistor)。在一些實施方式中，主動元件T可以是例如底閘(bottom-gate)型薄膜電晶體、頂閘(top-gate)型薄膜電晶體或其它合適的薄膜電晶體。在一些實施方式中，通道層CH可以是半導體材料。在一些實施方式中，半導體材料可以是例如非晶矽、多晶矽、氧化物半導體或其它合適的半導體材料。

在一些實施方式中，如第18圖所示，連通柱CV在第一基板S1以及第二基板S2中是由上至下變窄，但本揭露不意欲針對連通柱CV的形狀進行限制。

綜上所述，藉由執行顯示器結構100(顯示器結構100A或顯示器結構100B)的製造方法M，可以製造出光學性能更佳的顯示器結構100(顯示器結構100A或顯示器結構100B)。

由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於顯示器結構經過正反兩面的兩次電鍍，例如第二凸塊經過兩次電鍍(第一次電鍍於玻璃基板上方，第二次電鍍不具有玻璃基板)，可以滿足因正面所需解析度高而需要高黃光對位精準度的需求，並可以解決位於正面(第二基板的頂面)的第二凸塊的厚度不足還有通孔搭接的問題。在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於第二凸塊的厚度與第一凸塊的厚度有高度差，且第二凸塊設置於第一凸塊的周圍，因此可以增加發光單元轉置區之挺性，進而提升發光單元的轉置精準度。在本揭露之顯示器結構及其製造方法中，由於第二凸塊的厚度至少大於第一凸塊的厚度以及發光單元的厚度的總和，因此第二凸塊之間可以作為發光單元的聚光堤(bank)，以提升發光單元的發光效能。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100,100A,100B:顯示器結構

B1:第一凸塊

B2:第二凸塊

B3:第三凸塊

CE:處理元件

CH:通道層

CM1:第一導電材料

CM2:第二導電材料

CT:接觸件

CV:連通柱

D:汲極

G:閘極

GI:閘極絕緣層

GS:玻璃基板

H _O2:高度

ILD:層間介電質層

LU:發光單元

M:方法

O1,O2,O3:鏤空部

PR1:第一光阻層

PR2:第二光阻層

PR3:第三光阻層

PV:鈍化層

S:源極

S1:第一基板

S1b:底面

S2:第二基板

S2t:頂面

S101,S102,S103,S104,S105,S106,S107,S108,S109,S110,S111:步驟

SL1:第一種子層

SL2:第二種子層

T:主動元件

T _B1,T _B2,T _CM1,T _LU:厚度

V:通孔

Vsi:內表面

W _B2,W _B3:寬度

X,Y,Z:方向

為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示根據本揭露之一實施方式之顯示器結構的製造方法的流程圖。第2圖繪示根據本揭露之一實施方式之接續第1圖的顯示器結構的製造方法的流程圖。第3圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第4圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第5圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第6圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第7圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第8圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第9圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第10圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第11圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第12圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第13圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第14圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第15圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第16圖繪示根據本揭露之一實施方式之製造顯示器結構的中間階段的示意圖。第17圖繪示根據本揭露之另一實施方式之顯示器結構的俯視圖。第18圖繪示根據本揭露之再一實施方式之顯示器結構的示意圖。

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100:顯示器結構