TWI815052B - 保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法 - Google Patents

保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI815052B
TWI815052B TW109137366A TW109137366A TWI815052B TW I815052 B TWI815052 B TW I815052B TW 109137366 A TW109137366 A TW 109137366A TW 109137366 A TW109137366 A TW 109137366A TW I815052 B TWI815052 B TW I815052B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
held object
holding device
chuck
predetermined
holding
Prior art date
Application number
TW109137366A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202121077A (zh
Inventor
山田周史
伊藤茂
Original Assignee
日商佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商佳能股份有限公司 filed Critical 日商佳能股份有限公司
Publication of TW202121077A publication Critical patent/TW202121077A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI815052B publication Critical patent/TWI815052B/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

為了提供能夠檢出被保持體的配置的緊湊且構造簡易的保持裝置,本發明的保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將被保持體吸附保持的吸附保持部;量測空間內的物理量的量測部;吸附在被吸附面形成預定的構造的被保持體時,從量測部所得的物理量的量測值來判斷被保持體是否以預定的狀態配置的判斷部。

Description

保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法
本發明係關於保持裝置、曝光裝置、及物品的製造方法。
曝光裝置中,有因應曝光基板的形狀或大小,交換保持基板的基板載台上的夾盤的情形。
此時,有在與曝光裝置內的設計位置不同的位置或方位錯誤將夾盤搬入的可能性。
此時,藉由在曝光裝置內將夾盤搬送至錯誤的位置,會與曝光裝置內的構成構件碰撞,藉此夾盤及構成構件會破損、或藉由在錯誤配置的夾盤上配置基板,產生基板落下的疑慮。
特開2004-158742號公報揭示具備檢出被保持體是否配置於預定的位置的檢出部的保持裝置。
特開2004-158742號公報所揭示的保持裝置中,因為另外設置用來檢出被保持體的配置的檢出部,構造變得複雜,裝置會大型化。
因此,本發明的目的為提供一種能夠檢出被保持體的配置的緊湊且構造簡單的保持裝置。
本發明的保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將被保持體吸附保持的吸附保持部;量測空間內的物理量的量測部;吸附在被吸附面形成預定的構造的被保持體時,從量測部所得的物理量的量測值來判斷被保持體是否以預定的狀態配置的判斷部。
10,20:保持裝置
12,32:夾盤
1:本體部
4,4a,4b:吸附保持部
7:檢出部
14:判斷部
5,5a:密封空間
8:真空配管
9:真空源
6:載置部
13,23a,23b,33a,33b:溝
22a,22b:夾盤
900:曝光裝置
902:照明光學系統
906:投影光學系統
901:光源
904:光罩載台
907:檢出系統
909:夾盤維護機構
910:控制部
913:基板載台
903:原版
908:基板
911,914:干涉計
912:反射鏡
917:基板保持部
916:插銷
915:天板
[圖1]第一實施形態的保持裝置的示意剖面圖。
[圖2]第一實施形態的保持裝置中保持的夾盤的正視圖。
[圖3]第一實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的正視圖。
[圖4A]第一實施形態的保持裝置中配置於錯誤位置的夾盤的正視圖。
[圖4B]第一實施形態的保持裝置中配置於錯誤位置的夾盤的一部分擴大剖面圖。
[圖5]第一實施形態的保持裝置中將夾盤吸附保持時的流程圖。
[圖6]第二實施形態的保持裝置的示意剖面圖。
[圖7A]第二實施形態的保持裝置中配置於正確位置的 夾盤的正視圖。
[圖7B]第二實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的正視圖。
[圖8A]第三實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的正視圖。
[圖8B]第三實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的一部分擴大正視圖。
[圖8C]第三實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的一部分擴大剖面圖。
[圖8D]第三實施形態的保持裝置中配置於正確位置的夾盤的一部分擴大剖面圖。
[圖9A]第三實施形態的保持裝置中配置於錯誤位置的夾盤的一部分擴大剖面圖。
[圖9B]第三實施形態的保持裝置中配置於錯誤位置的夾盤的一部分擴大剖面圖。
[圖10]具備本實施形態的保持裝置的曝光裝置的示意圖。
以下,根據附加的圖式詳細說明本實施形態的保持裝置。此外,以下所示的圖式,為了能容易理解本實施形態,以與實際不同的縮尺描繪。
[第一實施形態]
曝光裝置為在半導體裝置及液晶顯示裝置等製造工程即光蝕刻工程中,將原版(光罩或遮罩)的圖案經由投影光學系統轉印至感光性的基板(在表面形成光阻層的晶圓及玻璃板等)的裝置。
在曝光裝置中,若以在保持基板的夾盤上附有異物的狀態,在夾盤上搭載基板並開始曝光,則會成為局部失焦,產生發生解析不良的可能性。
為了解決這種問題,在曝光裝置中,設置夾盤維護機構定期進行夾盤的表面清理。
此時,利用搬送臂及機器人等將配置於基板載台上的夾盤搬送至夾盤維護機構進行清理,能盡可能地不降低裝置的產率而除去異物。
另一方面,伴隨基板的材質及形狀的多樣化,產生準備具有各種形狀的複數夾盤的需要,在曝光裝置中,發生因應基板交換夾盤的作業。
接著夾盤的交換一般以手動配置夾盤於搬送夾盤的機器人的手部、或機器人進入的載台(例如,設於夾盤維護機構的載台)。
此時,認為依夾盤的形狀,會錯誤的配置,亦即在夾盤維護機構中於與設計位置不同的位置或方位錯誤配置夾盤。
若將夾盤錯誤配置於夾盤維護機構,則在將夾盤清理後機器人等搬送機構從夾盤維護機構返回基板載台時,會有藉由與曝光裝置內的其他構成構件碰撞而發生 破損的疑慮。
除此之外,返回基板載台上的錯誤位置後,藉由基板未吸附在正確的位置,也會產生基板從夾盤上落下的疑慮。
作為防止這種誤配置的方法,從前,已知設置攝影機等量測機構來量測夾盤的配置的手法、或設置停止器等障壁機構而設成無法在特定的方位以外配置夾盤的手法。
但是,前者的手法須要設置新的量測機構,會造成裝置的大型化或成本增加。
又後者的方法中,以錯誤的狀態配置夾盤時夾盤會與停止器碰撞。此時,由於夾盤一般以陶瓷等脆性材料製作,因此會產生夾盤破損的可能性。
圖10表示具備本實施形態的保持裝置10的曝光裝置900的示意圖。
此外,在以下的說明中,將與照明光學系統902及投影光學系統906的光軸(曝光裝置900中為鉛直方向)平行的方向設為Z軸、將在垂直於Z軸的平面內相互垂直的二方向分別設為X軸及Y軸。
如圖10所示,曝光裝置900具備光源901、照明光學系統902、光罩載台904及投影光學系統906。又曝光裝置900具備檢出系統907、夾盤維護機構909(夾盤維護部)、控制部910及基板載台913。
曝光裝置900中,從光源901照射的照明光 (曝光光)經由照明光學系統902照射至光罩(原版)903。藉此,形成於被照明的光罩903的圖案的像經由投影光學系統906被投影(轉印)至基板908上的感光體。
此外,作為從光源901照射的照明光,不限於i線(波長365nm)等近紫外光區域的光,使用KrF光(波長248nm)及ArF光(波長193nm)等遠紫外光區域的光、或g線(波長436nm)等可見光區域的光也無妨。
光罩載台904保持光罩903並使其在X軸方向移動,基板載台913藉由線性馬達等未圖示的驅動機構使基板保持部917及保持於基板保持部917的基板908在X軸方向及Y軸方向移動。
曝光裝置900分別藉由光罩載台904及基板載台913相對掃描光罩903及基板908,同時在賦予至基板908的光阻形成圖案。
干涉計914及干涉計911分別在反射鏡905及反射鏡912照射雷射光後,藉由接收反射光而檢出光罩903及基板908的位置。
檢出系統907檢出形成於基板908的未圖示的對準標記及形成於基板載台913上的未圖示的基準標記。
又檢出系統907包含進行附著於夾盤12表面的異物的檢出的未圖示的異物檢測部。
基板保持部917具有夾盤12、內藏基板908的搬出入時支持基板908的插銷916的天板915、相對於插銷916使夾盤12及天板915升降的未圖示的升降機構。
控制部910統一控制光罩載台904、檢出系統907、夾盤維護機構909、干涉計911、基板載台913、干涉計914及基板保持部917。
例如,控制部910在曝光處理時基於檢出系統907的檢出結果決定圖案的形成位置,基於從干涉計914及911得到的位置資訊控制光罩載台904及基板載台913的位置。
又,控制部910在基板908的搬出入時控制基板保持部917的升降機構及基板載台913的移動。
此外,控制部910,設於收容圖10所示的曝光裝置900的構成構件的未圖示的框體內也可以、設於與該框體不同的框體內也無妨。
又,在夾盤12檢出異物時,控制部910,基於藉由檢出系統907檢出的異物的粒徑、及與附著於夾盤12的異物的大小有關的容許值設定,判斷異物的附著。
接著,控制部910判定為在夾盤12附著異物時,控制部910,使夾盤12搬送至用來除去附著於夾盤12的異物的清理機構即夾盤維護機構909。之後,實施夾盤12的清理。
又,在難以以清理除去的異物附著於夾盤12、在夾盤12檢出破損、或須要交換成別的夾盤12時,經由夾盤維護機構909從外部進行夾盤12的交換。
接著,清理或從外部的交換結束的夾盤12,從夾盤維護機構909被搬送至基板載台913,連接至天板915。
本實施形態的保持裝置10,為了防止交換夾 盤12時的錯誤配置,設於夾盤維護機構909。
接著,詳細說明關於本實施形態的保持裝置10。
圖1表示本實施形態的保持裝置10的示意剖面圖。又圖2表示本實施形態的保持裝置10中保持的夾盤12(被保持體)的被吸附面的正視圖。
如圖1所示,本實施形態的保持裝置10具備本體部1、用來將夾盤12保持的吸附保持部4。
又本實施形態的保持裝置10具備用來檢出吸附保持部4中的夾盤12的吸附保持狀態的檢出部7(量測部)、用來從檢出部7的檢出結果判斷夾盤12的吸附保持狀態的判斷部14。
接著,本實施形態的保持裝置10,在吸附保持部4與夾盤12的被吸附面之間形成的密封空間5與真空配管8連通並連接至真空源9。
接著,經由真空配管8藉由真空源9使密封空間5減壓形成負壓狀態,藉此吸附保持部4將夾盤12吸附保持。
本實施形態的保持裝置10,作為檢出部7使用壓力計,檢出部7檢出真空配管8內的壓力(物理量)。
本實施形態的保持裝置10具有二個吸附保持部4、及用來將夾盤12水平保持而設置的與吸附保持部4同形狀的二個載置部6。
接著,二個吸附保持部4及二個載置部6,以在本體部 1上配置夾盤12時任一者面對(接觸)形成於夾盤12的密封檢測構造13的方式,分別配置成90度旋轉對稱,亦即分別配置於四個角部。關於吸附保持部4及載置部6的配置也請參照圖3及圖4A。
此外,在本體部1上配置夾盤12時,另外設置插銷等補助定位機構也無妨。
又,本實施形態的保持裝置10,吸附保持部4及載置部6例如以樹脂形成。
如圖2所示,本實施形態的保持裝置10中被吸附保持的夾盤12為正方形。
又,在夾盤12的被吸附面的四個角部之中的二個角部,分別設置在角方向延伸,亦即相對於X軸及Y軸的各者呈略45度的角度延伸的作為密封檢測構造的溝13。
此外,作為密封檢測構造,不限於溝13,雖是貫通孔、及突起等凹凸形狀、包含錐狀的高度變化的傾斜形狀等的構造也無妨,但在夾盤12為了輕量化通常會形成複數溝,因此將這種溝用於密封檢測較佳。
圖3表示在本實施形態的保持裝置10中夾盤12配置於正確的位置時的夾盤12的被吸附面、吸附保持部4及載置部6的正視圖。
如圖3所示,在本實施形態的保持裝置10中夾盤12配置於正確的位置時,二個吸附保持部4與二個溝13不相互面對,亦即二個載置部6與二個溝13相互面對。
藉此,因為在夾盤12的被吸附面與二個吸附保持部4 之間形成的密封空間5被密閉,吸附保持部4能夠吸附夾盤12。
圖4A及圖4B分別表示在本實施形態的保持裝置10中夾盤12配置於錯誤的位置時的夾盤12的被吸附面、吸附保持部4及載置部6的正視圖及擴大剖面圖。
如圖4A及圖4B所示,在本實施形態的保持裝置10中夾盤12配置於錯誤的位置時,二個吸附保持部4的至少一者與二個溝13的至少一者面對。
此時,在夾盤12的被吸附面與吸附保持部4之間形成的密封空間5經由溝13與外部連通,亦即從外部經由溝13在密封空間5流入(洩漏)外氣,無法將密封空間5密閉。
因此,在密封空間5無法形成負壓狀態,吸附保持部4無法吸附夾盤12。
此外,如從圖3及圖4A可明白,即使相對於正方形的夾盤12從正確的位置旋轉成90度、180度及270度的任何角度時,二個吸附保持部4的至少一者也會與二個溝13的至少一者面對。
因此,本實施形態的保持裝置10中,在正方形的夾盤12中,90度的旋轉對稱的四個配置之中,能夠將一個配置辨識為正確的配置,將剩下的三個配置辨識為錯誤的配置。
圖5表示本實施形態的保持裝置10中將夾盤12吸附保持時的流程圖。
如圖5所示,若在保持裝置10的本體部1上配 置夾盤12(步驟S1),則吸附保持部4開始夾盤12的吸附動作(步驟S2)。
接著,檢出部7量測真空配管8內的壓力(步驟S3),判定真空配管8內的壓力是否正常地成為負壓(壓力是否成為預定的閾值未滿),亦即判定藉由吸附保持部4,夾盤12是否正常地被吸附(步驟S4)。
接著,判定為夾盤12的吸附非正常時,(例如即使於從減壓開始經過預定的時間後真空配管8內的壓力仍為接近大氣壓的值時)(步驟S4的No),通報吸附錯誤(步驟S5),返回步驟S1。
另一方面,判定為夾盤12的吸附正常時(步驟S4的Yes),結束保持動作,進行夾盤維護動作(步驟S6)。
如此這般操作,本實施形態的保持裝置10,能夠防止在本體部1上夾盤12維持錯誤配置進行夾盤維護動作的情形。
藉此,進行維護動作的夾盤12被搬送至基板載台913,能夠防止以錯誤的配置保持於基板載台913的情形。
如同以上,若根據本實施形態的保持裝置10,則吸附在被吸附面形成密封檢測構造的被保持構件時,藉由密封檢測構造與吸附保持部相互面對,能夠檢出被保持構件錯誤配置。
換言之,若根據本實施形態的保持裝置10,則能夠檢出被保持構件正確配置,亦即被保持構件以預定的狀態(預定的方位)配置。
藉此,能夠防止於在保持裝置10錯誤保持被保持構件的狀態下進行工程的情形,能夠防止藉由被保持構件與外部碰撞等,而被保持構件破損的情形。
又,若根據本實施形態的保持裝置10,則因為在被保持構件的錯誤配置的檢出也使用從前使用的吸附保持機構,能夠不產生新的成本或使用空間地實現具有上述效果的保持裝置。
此外,本實施形態的保持裝置10中,作為檢出部7雖使用壓力計,但不限於此,例如作為檢出部7使用流量計等,量測來自夾盤12的被吸附面與吸附保持部4之間形成的密封空間5的流量也可以。
又,密封檢測構造13只要不從被保持構件的被吸附面逸脫,是組裝入壓入部件等的構件的構造體也無妨。
又,本實施形態的保持裝置10中,作為吸附保持部4雖使用板狀構件,但不限於此。
又,本實施形態的保持裝置10,雖使用二個吸附保持部4,但不限於此,若設置至少一個吸附保持部4,則能夠檢出被保持構件的至少一個錯誤配置。
又,本實施形態的保持裝置10,雖在本體部1的表面上設置吸附保持部4,但不限於此,以本體部1的表面與吸附保持部4的被保持構件抵接的面成為相互相同的面的方式,在本體部1內設置吸附保持部4也無妨。
又,本實施形態的保持裝置10中,將夾盤12設為正方形,將吸附保持部4及載置部6與密封檢測構造13 分別配置成90度旋轉對稱,但不限於此。本實施形態的保持裝置10中,若以對應例如長方形及圓形等的被保持構件的形狀的方式,分別配置吸附保持部4及載置部6與密封檢測構造13即可。
又,本實施形態的保持裝置10,雖在本體部1上載置被保持構件並將被保持構件從下方吸附保持,但不限於此,將被保持構件從上方或側方吸附保持也無妨。
又,本實施形態的保持裝置10,雖設置用來將被保持構件吸附保持的吸附保持部4於本體部1,但不限於此,將吸附保持部4設於被保持構件也無妨。
又,本實施形態的保持裝置10,僅設置將作為密封檢測機構的檢出部7及真空配管8與二個吸附保持部4各者共通連接的一系統,但不限於此。
例如,藉由設置分別連接至二個吸附保持部4各者的二系統的檢出部7及真空配管8,能夠更詳細判斷被保持構件的配置。
又,上述雖示出清理夾盤12時的吸附保持的實施例,但不限於此,從外部經由夾盤維護機構909搬入夾盤12後進行初始搭載時也能夠同樣進行實施。又,不限於夾盤12,即使於光罩903及基板908的初始搭載中也能夠同樣適用。
又,上述雖示出將本實施形態的保持裝置10設於夾盤維護機構909的實施例,但不限於此,也可以設於基板保持部917。
此時,例如能夠在交換夾盤12後不經由夾盤維護機構909而檢出在基板保持部917直接初始搭載時的錯誤配置。
藉此,能夠防止在基板保持部917上的基板908的吸附保持的失敗。
[第二實施形態]
圖6表示第二實施形態的保持裝置20的示意剖面圖。又圖7A及圖7B分別表示在第二實施形態的保持裝置20中夾盤22a及22b配置於正確的位置時的夾盤22a及22b的被吸附面、吸附保持部4及載置部6的正視圖。
此外,本實施形態的保持裝置20,因為與第一實施形態的保持裝置10為相同的構造,對相同的構件附加相同符號省略說明。
如圖7A及圖7B所示,在夾盤22a及22b,於被吸附面的四個角部之中的一個角部設置作為檢測構造的溝23a及23b。
如圖6所示,本實施形態的保持裝置20,與第一實施形態的保持裝置10不同,將吸附保持部4面對密封檢測構造23a或23b的狀態設為夾盤22a或22b正確配置的狀態。
如此這般夾盤22a或22b配置於正確的位置時,若在本實施形態的保持裝置20中進行吸引,則外氣從密封檢測構造23a或23b流入至密封空間5。
藉此,真空配管8內發生壓力損失,藉由檢出部7檢出的壓力上升。
本實施形態的保持裝置20,如圖7A及圖7B所示,因應夾盤的種類,亦即以夾盤22a及22b中壓力損失量相互不同的方式使密封檢測構造23a及23b的容積相互不同。
亦即,本實施形態的保持裝置20中,在夾盤22a及22b各者的被吸附面作為檢測構造設置溝23a及23b。
接著,為了使溝23a及23b的容積相互不同,使溝23a及23b的長度、寬度及深度的至少一者相互不同即可。
接著,若在本實施形態的保持裝置20中對夾盤22a或22b進行吸引,則真空配管8內的壓力藉由檢出部7檢出。
此時,因為設於夾盤22a及22b各者的被吸附面的溝23a及23b的容積相互不同,對夾盤22a及22b各者進行吸引時檢出的真空配管8內的壓力相互不同。
因此,本實施形態的保持裝置20中,將藉由吸附保持部4進行吸引時的壓力相對於各個被保持構件預先進行量測,將量測到的量測值與被保持構件建立關聯預先記憶於未圖示的記憶部。
接著,對被保持構件進行吸引時,藉由對照(參照)藉由檢出部7檢出的值及記憶於記憶部的值,能夠特定出被保持構件。
如同以上,若根據本實施形態的保持裝置20,則藉由在複數被保持構件的各者的被吸附面設置容積相互不同的檢測構造,能夠特定出被保持構件。
換言之,若根據本實施形態的保持裝置20,則能夠檢出配置正確的被保持構件,亦即被保持構件以預定的狀態配置。
藉此,能夠防止錯誤搭載與所期望的被保持構件不同的被保持構件的情形。
此外,本實施形態的保持裝置20,雖使用二種夾盤22a及22b說明,但不限於此,準備三個以上容積不同的檢測構造,能夠從三個以上的夾盤特定出各個夾盤。
又,本實施形態的保持裝置20中,若於壓力源所造成的生成壓力有偏差,則因為將夾盤吸附保持時檢出的壓力值會變化,會有錯誤地特定出夾盤之疑慮。
因此,為了修正壓力源所造成的生成壓力的偏差,進一步設置調節器及空氣槽等機構較佳。
又,本實施形態的保持裝置20中,檢出部7檢出的值不限於壓力,若為因應壓力損失的發生而變化的值,則流量等其他的值也無妨。
[第三實施形態]
圖8A及圖8B分別表示在第三實施形態的保持裝置中夾盤32配置於正確的位置時的夾盤32的被吸附面與吸附保持部4a及4b與載置部6的正視圖及一部分擴大正視圖。
又,圖8C及圖8D分別表示在第三實施形態的保持裝置中夾盤32配置於正確的位置時的夾盤32的被吸附面與吸附保持部4a及4b的一部分擴大剖面圖。
此外,本實施形態的保持裝置,因為與第一實施形態的保持裝置10及第二實施形態的保持裝置20為相同的構造,對相同的構件附加相同符號省略說明。
如圖8A所示,在夾盤32,於被吸附面的四個角部之中的二個角部分別設置作為檢測構造的溝33a(第1溝)及溝33b(第2溝)。
具體來說,溝33a以在X軸方向延伸且寬度線性(更具體來說為錐狀)變窄的溝構成,溝33b以在吸附保持部4a的長度以上的預定距離相互離間的一對溝構成。
接著,本實施形態的保持裝置,與第一實施形態的保持裝置10不同,如圖8A所示將吸附保持部4a面對溝33a的狀態設為夾盤32正確配置的狀態。
如圖8A至圖8C所示,夾盤32配置於正確的位置時,若在本實施形態的保持裝置中進行吸引,則外氣從溝33a流入至吸附保持部4a的內部空間5a。
藉此,真空配管8內發生壓力損失,藉由檢出部7檢出的壓力上升。
另一方面,如圖8D所示,因為吸附保持部4b不與溝33b面對,外氣不會從溝33b流入至吸附保持部4b的內部空間5b,吸附保持部4b的內部空間5b被密閉。
此時,若夾盤32在X軸方向變位,則因應夾盤32的位置溝33a與外部連通的容積會線性地變化,因此藉由檢出部7檢出的壓力會線性地變化。
圖9A及圖9B分別表示在本實施形態的保持 裝置中夾盤32配置於錯誤的位置時的夾盤32的被吸附面與吸附保持部4a及4b的擴大剖面圖。
本實施形態的保持裝置中,將夾盤32從如圖8A至圖8D所示的正確的位置在X軸方向變位預定的距離p以上的情形作為配置於錯誤的位置的狀態。
如此這般夾盤32配置於錯誤的位置時,若在本實施形態的保持裝置中進行吸引,則如圖9B所示,除了吸附保持部4a的內部空間5a以外,外氣也從溝33b流入至吸附保持部4b的內部空間5b。
因此,真空配管8內的壓力,與夾盤32配置於正確位置的情形相比急遽上升,成為預定的閾值以上。
此時,本實施形態的保持裝置,構成為判定為夾盤32的吸附狀態並非正常,通報吸附錯誤。
因此,本實施形態的保持裝置,在夾盤32從正確的位置以預定的距離p未滿的距離在X軸方向變位時,錐形狀的溝33a與外部連通的容積線性地擴大或縮小。
伴隨此,藉由檢出部7檢出的真空配管8內的壓力之值也線性地變化。
因此,本實施形態的保持裝置,由量測值將夾盤32的X軸方向的變位量與真空配管8內的壓力之間的線性關係預先記憶至未圖示的記憶部。
具體來說,在X軸方向,事先將吸附保持部4a的一方及另一方的端部分別到達溝33a的一方及另一方的端部時的壓力的值作為最大值及最小值量測。接著,若至少先量 測在X軸方向夾盤32配置於預定的基準位置時的壓力之值即可。
接著,將夾盤32進行吸附保持時,藉由對照記憶於記憶部的值及藉由檢出部7檢出的值,能夠算出夾盤32的變位量。
接著,如圖9A及圖9B所示,若夾盤32變位預定的距離p以上,則在X軸方向,吸附保持部4b的一方的端部超過溝33b的一方的端部,吸附保持部4b的內部空間5b與溝33b的一方的溝連通。
此時,外氣經由溝33b的一方的溝流入至密閉的吸附保持部4b的內部空間5b。
因此,藉由檢出部7檢出的真空配管8內的壓力之值向大氣壓急遽上升。此時,本實施形態的保持裝置,藉由設置用來檢出壓力急遽上升的閾值,判定為夾盤32的吸附狀態非正常,亦即超過預定的範圍,通報吸附錯誤,停止之後的工程。
如同以上,若根據本實施形態的保持裝置,則藉由在被保持構件的被吸附面設置錐狀的溝,能夠算出被保持構件的變位量。又,藉由進一步設置對應上述錐狀的溝的一對溝,也能夠檢出被保持構件超過容許量而變位。
換言之,若根據本實施形態的保持裝置,則能夠檢出被保持構件正確配置,亦即被保持構件以預定的狀態(預定的位置)配置。
藉此,能夠檢出被保持構件變位所致的錯誤搭載,能夠在進行基於算出的變位量的修正後,搭載於基板保持部917。
此外,本實施形態的保持裝置,雖將沿著X軸方向寬度變化為錐狀的溝33a設於夾盤32的被吸附面,但不限於此,設置沿著X軸方向深度呈錐狀的溝也無妨。
又,本實施形態的保持裝置,檢出部7檢出的值不限於壓力,若為因應壓力損失的發生而變化的值,則流量等其他的值也無妨。
又,本實施形態的保持裝置,若於壓力源所造成的生成壓力有偏差,則因為將夾盤吸附保持時檢出的壓力值會變化,會有錯誤地算出夾盤的變位量之疑慮。
因此,為了修正壓力源所造成的生成壓力的偏差,進一步設置調節器及空氣槽等機構較佳。
又,上述第一至第三實施形態,藉由在被保持構件的被吸附面設置各用途的檢測構造,並以對應各檢測構造的方式在保持裝置設置吸附保持部及檢出部,而能夠並用。
以上,雖說明關於較佳的實施形態,但不限於該等實施形態,在不脫離該要旨的範圍內可以進行各種變形及變更。
又,上述雖示出將本實施形態的保持裝置設於曝光裝置900的情形,但不限於此。
例如,本實施形態的保持裝置,也能夠適用於藉由壓 印法在基板上形成光阻(壓印材)的圖案的圖案形成裝置、及照射雷射光或帶電粒子線在基板上描繪圖案的圖案形成裝置。
[物品製造方法的實施形態]
使用具備本實施形態的保持裝置的曝光裝置,物品藉由將塗佈感光劑的基板(晶圓、玻璃基板等)曝光的工程、將曝光的基板(感光劑)顯像的工程、將顯像的基板以其他習知的工程進行處理而製造。
其他習知的工程,包含蝕刻、光阻剝離、切割、接合、封裝等的加工物品的工程。
若,根據本實施形態的物品製造方法,則可製造相較於從高等級的物品。
若,根據本發明,則能夠提供一種能夠檢出被保持體的配置的緊湊且構造簡單的保持裝置。
1:本體部
4:吸附保持部
5:密封空間
6:載置部
7:檢出部
8:真空配管
9:真空源
10:保持裝置
12:夾盤
13:溝
14:判斷部

Claims (17)

  1. 一種保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將該被保持體吸附保持的吸附保持部;量測前述空間內的壓力或從前述空間的流量的量測部;吸附在前述被吸附面形成預定的構造的前述被保持體時,前述被保持體以預定的方位配置的情形,因前述預定的構造及前述吸附保持部未相互面對,前述量測部所得的前述壓力或前述流量的量測值成為預定的閾值未滿,前述被保持體未以前述預定的方位配置的情形,因前述預定的構造及前述吸附保持部相互面對,前述量測部所得的前述壓力或前述流量的量測值成為前述預定的閾值以上。
  2. 如請求項1記載的保持裝置,具備:根據前述量測值成為前述預定的閾值未滿來判斷為前述被保持體以前述預定的方位配置的判斷部。
  3. 如請求項2記載的保持裝置,其中,前述被保持體以前述預定的方位配置的情形,藉由前述預定的構造及前述吸附保持部不相互面對來密閉前述空間。
  4. 如請求項2記載的保持裝置,具備:記憶吸附配置成藉由前述預定的構造及前述吸附保持部相互面對而使前述空間與外部連通的前述被保持體時量測到的前 述量測值的記憶部;前述判斷部藉由參照記憶於前述記憶部的前述量測值,判斷前述被保持體的種類。
  5. 如請求項4記載的保持裝置,其中,前述預定的構造依每種前述被保持體的種類而異。
  6. 如請求項1記載的保持裝置,其中,前述預定的構造為溝或貫通孔。
  7. 如請求項2記載的保持裝置,具備:記憶吸附配置成藉由形成於前述被吸附面且在前述預定的方向延伸並且容積線性地變化的第1溝面對前述吸附保持部而使前述空間與外部連通的前述被保持體時量測到的前述量測值的記憶部;前述判斷部藉由參照記憶於前述記憶部的前述量測值,判斷前述被保持體的前述預定的方向的位置。
  8. 如請求項7記載的保持裝置,其中,前述第1溝,在前述預定的方向寬度或深度變化為錐狀。
  9. 如請求項7記載的保持裝置,其中,前述判斷部,在吸附配置成藉由形成於前述被吸附面且在前述預定的方向相互離間的一對溝即第2溝面對前述吸附保持部而使前述空間與外部連通的前述被保持體時,藉由前述量測值成為預定的閾值以上來判斷為前述被保持體的前述預定的方向的位置超過預定的範圍。
  10. 如請求項1記載的保持裝置,其中,前述被保持體為夾盤。
  11. 一種保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將該被保持體吸附保持的吸附保持部;量測前述空間內的壓力或從前述空間的流量的量測部;吸附在前述被吸附面形成預定的構造的前述被保持體時,根據前述量測部所得的前述壓力或前述流量的量測值為預定的閾值未滿,來判斷前述被保持體是否以預定的方位配置的判斷部;前述被保持體以前述預定的方位配置的情形,藉由前述預定的構造及前述吸附保持部未相互面對來密閉前述空間。
  12. 一種保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將該被保持體吸附保持的吸附保持部;量測前述空間內的壓力或從前述空間的流量的量測部;吸附在前述被吸附面形成預定的構造的前述被保持體時,從前述量測部所得的前述物理量的量測值來判斷前述被保持體是否以預定的狀態配置的判斷部;記憶吸附配置成藉由前述預定的構造及前述吸附保持部相互面對而使前述空間與外部連通的前述被保持體時量測到的前述量測值的記憶部;前述判斷部藉由參照記憶於前述記憶部的前述量測 值,判斷前述被保持體的種類。
  13. 一種保持裝置,具備:藉由使形成於與被保持體的被吸附面之間的空間成為負壓而將該被保持體吸附保持的吸附保持部;量測前述空間內的壓力或從前述空間的流量的量測部;吸附在前述被吸附面形成預定的構造的前述被保持體時,從前述量測部所得的前述物理量的量測值來判斷前述被保持體是否以預定的狀態配置的判斷部;記憶吸附配置成藉由形成於前述被吸附面且在前述預定的方向延伸並且容積線性地變化的第1溝面對前述吸附保持部而使前述空間與外部連通的前述被保持體時量測到的前述量測值的記憶部;前述判斷部藉由參照記憶於前述記憶部的前述量測值,判斷前述被保持體的前述預定的方向的位置。
  14. 一種夾盤,能夠藉由請求項1至13中任一項記載的保持裝置判斷配置或種類。
  15. 一種曝光裝置,以使用來自光源的曝光光將形成於原版的圖案轉印至基板的方式曝光前述基板,具備:如請求項1至13中任一項記載的保持裝置。
  16. 如請求項15記載的曝光裝置,其中,前述保持裝置設於夾盤維護部。
  17. 一種物品的製造方法,包含:使用請求 項15記載的曝光裝置將前述基板曝光的工程;將曝光的前述基板顯像的工程;將顯像的前述基板加工而得到物品的工程。
TW109137366A 2019-11-18 2020-10-28 保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法 TWI815052B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019207928A JP7419030B2 (ja) 2019-11-18 2019-11-18 保持装置、露光装置、及び物品の製造方法
JP2019-207928 2019-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202121077A TW202121077A (zh) 2021-06-01
TWI815052B true TWI815052B (zh) 2023-09-11

Family

ID=75964992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109137366A TWI815052B (zh) 2019-11-18 2020-10-28 保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7419030B2 (zh)
KR (1) KR20210060329A (zh)
TW (1) TWI815052B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595431A (zh) * 2007-01-17 2009-12-02 Asml荷兰有限公司 制造器件的方法和光刻设备
WO2015064613A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
TW201804262A (zh) * 2003-12-03 2018-02-01 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、元件製造方法
US20180257237A1 (en) * 2012-11-30 2018-09-13 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05267119A (ja) * 1992-03-19 1993-10-15 Hitachi Ltd 縮小投影露光装置
WO2002065519A1 (fr) 2001-02-13 2002-08-22 Nikon Corporation Dispositif de support, procede de support, dispositif d'exposition et procede de production des dispositifs
US7144539B2 (en) 2002-04-04 2006-12-05 Obducat Ab Imprint method and device
JP2006215470A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Nsk Ltd 露光装置の真空圧回路
JP4020938B2 (ja) 2005-08-22 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 半導体ウェハ用搬送トレイおよび半導体ウェハ搬送システム
US10654216B2 (en) 2016-03-30 2020-05-19 Canon Kabushiki Kaisha System and methods for nanoimprint lithography
JP2018200426A (ja) 2017-05-29 2018-12-20 キヤノン株式会社 保持装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201804262A (zh) * 2003-12-03 2018-02-01 尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、元件製造方法
CN101595431A (zh) * 2007-01-17 2009-12-02 Asml荷兰有限公司 制造器件的方法和光刻设备
US20180257237A1 (en) * 2012-11-30 2018-09-13 Nikon Corporation Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device
WO2015064613A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7419030B2 (ja) 2024-01-22
JP2021081549A (ja) 2021-05-27
TW202121077A (zh) 2021-06-01
KR20210060329A (ko) 2021-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6855010B6 (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP4288694B2 (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
US6239863B1 (en) Removable cover for protecting a reticle, system including and method of using the same
TWI643037B (zh) 圖案形成裝置、設置基板的方法及製造物品的方法
TWI402890B (zh) Measurement methods, measurement systems, inspection methods, inspection systems, exposure methods and exposure systems
KR20070048697A (ko) 노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법
JP5235566B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
WO2007105645A1 (ja) 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
US8456618B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device
JP2014165470A (ja) 搬送システム及び搬送方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI815052B (zh) 保持裝置、曝光裝置、夾盤及物品的製造方法
JP4348734B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4340270B2 (ja) リソグラフィ装置、パターニング組立体および汚染推定法
JP2015018904A (ja) マーク検出方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP2005044882A (ja) 搬送装置及び露光装置
JP2002328007A (ja) ステージ位置計測方法、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法
JP2005277117A (ja) 基板保持装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2007256577A (ja) 異物検査装置及び露光装置並びに光露光用マスク
JP2007115829A (ja) マスク搬送装置、マスク搬送方法、及び露光方法
JP6485687B2 (ja) 保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPH10247681A (ja) 位置ずれ検出方法及び装置、位置決め装置並びに露光装置
JP2006310683A (ja) 調整方法
JP7414570B2 (ja) 保持装置、およびリソグラフィ装置
TWI821436B (zh) 微影裝置、確定方法及製造物品的方法
JP2010040632A (ja) 計測条件最適化方法及びプログラムの作成方法、並びに露光装置