TWI808990B - 電路連接用接著劑膜及其製造方法、電路連接結構體的製造方法及接著劑膜收容套組 - Google Patents

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Abstract

一種電路連接用接著劑膜1，其包括：含有導電粒子4的第1接著劑層2、及積層於該第1接著劑層2上的第2接著劑層3，且第1接著劑層2的DSC放熱量相對於第2接著劑層3的DSC放熱量的比為0.4以下。

Description

電路連接用接著劑膜及其製造方法、電路連接結構體的製造方法及接著劑膜收容套組
本發明是有關於一種電路連接用接著劑膜及其製造方法、電路連接結構體的製造方法及接著劑膜收容套組。
先前，為了進行電路連接而使用各種接著材料。例如，作為用於液晶顯示器與帶載封裝體（tape carrier package，TCP）的連接、可撓性印刷配線基板（Flexible Printed Circuit，FPC）與TCP的連接、或FPC與印刷配線板的連接的接著材料，一直使用接著劑中分散有導電粒子且具有各向異性導電性的電路連接用接著劑膜。具體而言，利用由電路連接用接著劑膜所形成的電路連接部，將電路構件彼此接著，並且將電路構件上的電極彼此經由電路連接部中的導電粒子而電性連接，藉此而獲得電路連接結構體。
於使用具有各向異性導電性的電路連接用接著劑膜的精密電子設備的領域中，推進電路的高密度化，電極寬度及電極間隔變得極窄。因此，於微小電極上效率良好地捕捉導電粒子（提升導電粒子的捕捉率）來獲得高連接可靠性未必容易。
對此，例如專利文獻1中提出有使導電粒子偏向存在於各向異性導電性接著片的單側，將導電粒子彼此隔開的方法。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2005/54388號
[發明所欲解決之課題] 然而，專利文獻1的方法中，藉由電路連接時導電粒子流動，而存在導電粒子自相向的電極電路間流出的情況，就導電粒子的捕捉率的方面而言尚存改良的餘地。另外，當將使用現有的電路連接用接著劑膜而獲得的電路連接結構體放置於高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）時，存在電路構件與電路連接部之間產生剝離的情況。此種剝離會導致電路連接結構體的連接可靠性的降低。
因此，本發明的目的在於提供一種可提升電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率並且可獲得高溫高濕環境下難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體的電路連接用接著劑膜及其製造方法、使用該接著劑膜的電路連接結構體的製造方法、以及包括該接著劑膜的接著劑膜收容套組。 [解決課題之手段]
本發明的一方面的電路連接用接著劑膜包括：含有導電粒子的第1接著劑層、及積層於該第1接著劑層上的第2接著劑層，且第1接著劑層的DSC放熱量相對於第2接著劑層的DSC放熱量的比為0.4以下。
根據該電路連接用接著劑膜，可提升電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率。因此，根據該電路連接用接著劑膜，可降低電路連接結構體的相向電極的連接電阻。另外，根據該電路連接用接著劑膜，可獲得高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體。換言之，根據該電路連接用接著劑膜，可提升高溫高濕環境下的電路構件與電路連接部的密接性。進而，根據該電路連接用接著劑膜，於高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）亦可維持低連接電阻。即，根據該電路連接用接著劑膜，可提升電路連接結構體的連接可靠性。
本發明的一方面的電路連接用接著劑膜的製造方法包括：準備步驟，準備第1接著劑層；以及積層步驟，於第1接著劑層上積層包含第2硬化性組成物的第2接著劑層，且準備步驟包括藉由對包含含有導電粒子的第1硬化性組成物的層進行光照射或加熱而使第1硬化性組成物硬化，獲得第1接著劑層的硬化步驟，硬化步驟中，以第1接著劑層的DSC放熱量相對於第2接著劑層的DSC放熱量的比為0.4以下的方式使第1硬化性組成物硬化。根據該方法，可獲得可提升電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率、並且可獲得高溫高濕環境下難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體的電路連接用接著劑膜。
第1接著劑層可包含第1硬化性組成物的硬化物，第1硬化性組成物亦可含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物。
第2接著劑層可包含第2硬化性組成物，第2硬化性組成物亦可含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物。
第1接著劑層的厚度可為導電粒子的平均粒徑的0.2倍～0.8倍。
本發明的一方面的電路連接結構體的製造方法包括以下步驟：使以上所述的電路連接用接著劑膜介於具有第1電極的第1電路構件、與具有第2電極的第2電路構件之間，將第1電路構件及第2電路構件熱壓接，而使第1電極及第2電極彼此電性連接。根據該方法，電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率優異，並且可獲得高溫高濕環境下難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體。
本發明的一方面的接著劑膜收容套組包括以上所述的電路連接用接著劑膜、及收容該接著劑膜的收容構件，收容構件具有使得能夠自外部視認收容構件的內部的視認部，視認部對波長365 nm的光的透射率為10%以下。
但是，一般而言，使用電路連接用接著劑膜的環境是被稱為無塵室（clean room）且以一定水準管理室內的溫度、濕度及清潔度的房間。當電路連接用接著劑膜自生產現場出貨時，將電路連接用接著劑膜收容至包裝袋等收容構件中，以免直接暴露於外部氣體而因灰塵及濕氣導致品質下降。通常，於該收容構件設置有視認部，所述視認部是由透明的材料形成，以便自收容構件的外部亦可確認貼附於內部的接著劑膜上的製品名、批號、有效期等各種資訊。
然而，根據本發明者等人的研究得知，當收容於現有的收容構件來進行保管或搬運後使用以上所述的電路連接用接著劑膜時，有時會產生於高溫高濕環境下容易產生電路構件與電路連接部之間的剝離、因捕捉率的提升效果減小及流動性降低而接著劑膜的連接電阻的降低效果減小等不良狀況。基於此種研究結果，本發明者等人進一步進行研究，結果得知，當第1接著劑層包含光硬化性組成物的硬化物，第2接著劑層包含含有可與該光硬化性組成物中的光聚合起始劑反應的聚合性化合物的硬化性組成物時，於接著劑膜的保管中及搬運中第2接著劑層硬化，產生所述不良狀況。因此，基於藉由源自第1接著劑層中殘留的光聚合起始劑的自由基而進行第2接著劑層中的聚合性化合物的聚合這一推測，本發明者等人進一步進行研究，結果發現，藉由製成包括所述特定的收容構件的接著劑膜收容套組，可抑制保管時或搬運時的第2接著劑層的硬化，且可抑制所述不良狀況的產生。
即，根據本發明的一方面的接著劑膜收容套組，當使用可與第1接著劑層中的光聚合起始劑反應的化合物作為第2接著劑層中的聚合性化合物時，可抑制接著劑膜的保管時或搬運時第2接著劑層的硬化，可抑制於高溫高濕環境下容易產生電路構件與電路連接部之間的剝離、因捕捉率的提升效果減小及流動性降低而接著劑膜的連接電阻的降低效果減小等不良狀況的產生。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種可提升電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率並且可獲得高溫高濕環境下難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體的電路連接用接著劑膜及其製造方法、使用該接著劑膜的電路連接結構體的製造方法、以及包括該接著劑膜的接著劑膜收容套組。
以下，視情況參照圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本說明書中，個別記載的上限值及下限值能夠任意地組合。另外，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸酯」是指丙烯酸酯及與其所對應的甲基丙烯酸酯的至少一者。「(甲基)丙烯醯基」等其他類似的表述亦同樣。
＜電路連接用接著劑膜＞ 圖1為表示一實施形態的電路連接用接著劑膜的示意剖面圖。如圖1所示，電路連接用接著劑膜1（以下亦簡稱為「接著劑膜1」）包括第1接著劑層2、及積層於第1接著劑層2上的第2接著劑層3。第1接著劑層2含有導電粒子4。
接著劑膜1中，導電粒子4分散於第1接著劑層2中。因此，接著劑膜1為具有各向異性導電性的各向異性導電性接著劑膜。接著劑膜1用於介於具有第1電極的第1電路構件、與具有第2電極的第2電路構件之間，將第1電路構件及所述第2電路構件熱壓接，而使第1電極及第2電極彼此電性連接。
本實施形態中，第1接著劑層的DSC放熱量Cx相對於第2接著劑層3的DSC放熱量Cy的比（Cx/Cy）為0.4以下。此處，所謂「DSC放熱量」，是指藉由示差掃描熱量測定（Differential scanning calorimetry，DSC）而測定的放熱量（J/g），接著劑層的DSC放熱量大是指電路構件彼此連接時接著劑層的放熱量大。關於DSC放熱量，有接著劑層中藉由放熱反應而進行反應的成分（例如聚合性化合物等未硬化成分）的殘存量越多則越大的傾向。DSC放熱量Cx及DSC放熱量Cy可藉由利用實施例中記載的方法來進行第1接著劑層2及第2接著劑層3的DSC測定而求出。
根據接著劑膜1，DSC放熱量的比（Cx/Cy）為0.4以下，因而可提升電路連接結構體的相向電極間的導電粒子的捕捉率。因此，根據接著劑膜1，可降低電路連接結構體的相向電極的連接電阻。
進而，根據接著劑膜1，DSC放熱量的比（Cx/Cy）為0.4以下，因而可獲得高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）難以產生電路構件與電路連接部之間的剝離的電路連接結構體。
進而，根據接著劑膜1，DSC放熱量的比（Cx/Cy）為0.4以下，因而於高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）亦可維持低連接電阻。即，根據接著劑膜1，可提升電路連接結構體的連接可靠性。
另外，接著劑膜1有時於以形成於基材的其中一個表面上的帶有基材的接著劑膜的狀態切割為細寬後，捲繞於卷芯，藉此而以接著劑卷軸的形式保管及使用。對於該接著劑卷軸，要求具有良好的耐黏連性，即，當自接著劑卷軸輸出帶有基材的接著劑膜時，接著劑膜1不容易自基材剝落。然而，就現有的接著劑膜而言，於切割為寬度0.4 mm～1.0 mm左右的窄寬的情況下，可能難以獲得良好的耐黏連性。另一方面，本實施形態的接著劑膜1中，DSC放熱量的比（Cx/Cy）為0.4以下，因而可抑制第1接著劑層2與基材的貼附（黏連）。因此，藉由於第2接著劑層3的與第1接著劑層2為相反側的表面設置基材，於切割為如上所述的窄寬的情況下，亦有可獲得良好的耐黏連性的傾向。再者，耐黏連性例如可藉由將接著劑卷軸於30℃環境下放置24小時後確認是否可無問題地拉出的試驗而進行評價。
就可進一步提升導電粒子的捕捉率的觀點、及更難以產生高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）的電路構件與電路連接部之間的剝離的觀點而言，DSC放熱量的比（Cx/Cy）較佳為0.40以下，更佳為0.30以下，進而佳為0.20以下。就提高第1接著劑層與第2接著劑層的親和性、獲得更優異的連接可靠性的觀點而言，DSC放熱量的比（Cx/Cy）可為0.01以上，亦可為0.05以上。就該些觀點而言，DSC放熱量的比（Cx/Cy）可為0.01～0.40，亦可為0.01～0.30，亦可為0.01～0.20，亦可為0.05～0.40，亦可為0.05～0.30，亦可為0.05～0.20。
（第1接著劑層） 第1接著劑層2例如包含第1硬化性組成物的硬化物。第1硬化性組成物可為光硬化性組成物，亦可為熱硬化性組成物。第1硬化性組成物例如含有（A）聚合性化合物（以下亦稱為「（A）成分」）、（B）聚合起始劑（以下亦稱為「（B）成分」）、及（C）導電粒子4（以下亦稱為「（C）成分」）。於第1硬化性組成物為光硬化性組成物的情況下，第1硬化性組成物含有光聚合起始劑作為（B）成分，於第1硬化性組成物為熱硬化性組成物的情況下，第1硬化性組成物含有熱聚合起始劑作為（B）成分。此種第1接著劑層2例如可藉由以下方式獲得：藉由對包含第1硬化性組成物的層進行光照射或加熱而使（A）成分聚合，使第1硬化性組成物硬化。即，第1接著劑層2可包含導電粒子4、及使第1硬化性組成物的導電粒子4以外的成分硬化而成的接著劑成分5。第1接著劑層2可為使第1硬化性組成物完全硬化而成的硬化物，亦可為使第1硬化性組成物部分硬化而成的硬化物。即，於第1硬化性組成物含有（A）成分及（B）成分的情況下，接著劑成分5可含有未反應的（A）成分及（B）成分，亦可不含。
[（A）成分：聚合性化合物] （A）成分例如為藉由聚合起始劑（光聚合起始劑或熱聚合起始劑）因光（例如紫外光）的照射或加熱產生的自由基、陽離子或陰離子而聚合的化合物。（A）成分可為單體、寡聚物或聚合物的任一者。作為（A）成分，可單獨使用一種化合物，亦可組合使用多種化合物。
（A）成分具有至少一個以上的聚合性基。聚合性基例如為包含聚合性不飽和雙鍵（乙烯性不飽和鍵）的基。就容易獲得所期望的DSC放熱量的觀點、以及連接電阻的降低效果進一步提升且連接可靠性更優異的觀點而言，聚合性基較佳為藉由自由基而進行反應的自由基聚合性基。即，（A）成分較佳為自由基聚合性化合物。作為自由基聚合性基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、烯基、伸烯基、(甲基)丙烯醯基、馬來醯亞胺基等。關於（A）成分所具有的聚合性基的數量，就聚合後容易獲得用以降低連接電阻而所需的物性及交聯密度的觀點而言，可為兩個以上，就抑制聚合時的硬化收縮的觀點而言，可為10個以下。另外，為了取得交聯密度與硬化收縮的平衡，除使用聚合性基的數量為所述範圍內的聚合性化合物之外，可追加使用所述範圍外的聚合性化合物。
作為（A）成分的具體例，可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、乙烯基醚化合物、烯丙基化合物、苯乙烯衍生物、丙烯醯胺衍生物、納迪克醯亞胺（nadiimide）衍生物、天然橡膠、異戊二烯橡膠、丁基橡膠、腈橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯橡膠、羧基化腈橡膠等。
作為(甲基)丙烯酸酯化合物，可列舉：環氧(甲基)丙烯酸酯、(聚)胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚丁二烯(甲基)丙烯酸酯、矽酮丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸2-氰基乙酯、2-(2-乙氧基乙氧基)(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正月桂基酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸改質二官能(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸改質三官能(甲基)丙烯酸酯、三環癸基丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、2,2-二(甲基)丙烯醯氧基二乙基磷酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基酸式磷酸酯等。
作為馬來醯亞胺化合物，可列舉：1-甲基-2,4-雙馬來醯亞胺苯、N,N'-間苯雙馬來醯亞胺、N,N'-對苯雙馬來醯亞胺、N,N'-間甲苯雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-聯苯雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二甲基-聯苯)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二甲基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二乙基二苯基甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基丙烷雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯基醚雙馬來醯亞胺、N,N'-3,3-二苯基碸雙馬來醯亞胺、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(3-第二丁基-4-8(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、1,1-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)癸烷、4,4'-亞環己基-雙(1-(4-馬來醯亞胺苯氧基)-2-環己基)苯、2,2'-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)六氟丙烷等。
作為乙烯基醚化合物，可列舉：二乙二醇二乙烯基醚、二丙二醇二乙烯基醚、環己烷二甲醇二乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚等。
作為烯丙基化合物，可列舉1,3-二烯丙基鄰苯二甲酸酯、1,2-二烯丙基鄰苯二甲酸酯、三烯丙基異氰脲酸酯等。
就硬化反應速度與硬化後的物性的平衡優異的觀點而言，（A）成分較佳為(甲基)丙烯酸酯化合物。就兼具用以降低連接電阻的凝聚力與用以提升接著力的伸長率、獲得更優異的接著特性的觀點而言，（A）成分可為(聚)胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物（胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物或聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物）。另外，就提升凝聚力、降低連接電阻的觀點而言，（A）成分可為具有二環戊二烯等高Tg骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物。
就取得交聯密度與硬化收縮的平衡、進一步降低連接電阻、提升連接可靠性的觀點而言，（A）成分可為於丙烯酸樹脂、苯氧基樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等熱塑性樹脂的末端或側鏈導入有乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯基等聚合性基的化合物（例如聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯）。該情況下，就交聯密度與硬化收縮的平衡優異的觀點而言，（A）成分的重量平均分子量可為3000以上，亦可為5000以上，亦可為1萬以上。另外，就與其他成分的相容性優異的觀點而言，（A）成分的重量平均分子量可為100萬以下，亦可為50萬以下，亦可為25萬以下。再者，重量平均分子量是指依照實施例中記載的條件，藉由凝膠滲透層析儀（gel-permeation chromatograph，GPC）使用標準聚苯乙烯的校準曲線而測定出的值。
作為(甲基)丙烯酸酯化合物，（A）成分較佳為包含具有下述通式（1）所表示的磷酸酯結構的自由基聚合性化合物。該情況下，對於無機物（金屬等）的表面的接著強度提升，因此適於例如電極彼此（例如電路電極彼此）的接著。 [化1][式中，n表示1～3的整數，R表示氫原子或甲基]
所述具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物例如可藉由使無水磷酸與(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯反應而獲得。作為具有磷酸酯結構的自由基聚合性化合物的具體例，可列舉單(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酸式磷酸酯、二(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)酸式磷酸酯等。
就容易獲得用以降低連接電阻、提升連接可靠性而所需的交聯密度的觀點而言，以第1硬化性組成物的總質量基準計，（A）成分的含量可為5質量%以上，亦可為10質量%以上，亦可為20質量%以上。就抑制聚合時的硬化收縮的觀點而言，以第1硬化性組成物的總質量基準計，（A）成分的含量可為90質量%以下，亦可為80質量%以下，亦可為70質量%以下。
[（B）成分：聚合起始劑] （B）成分可為藉由包含150 nm～750 nm的範圍內的波長的光、較佳為包含254 nm～405 nm的範圍內的波長的光、進而佳為包含365 nm的波長的光（例如紫外光）的照射而產生自由基、陽離子或陰離子的光聚合起始劑（光自由基聚合起始劑、光陽離子聚合起始劑或光陰離子聚合起始劑），亦可為藉由熱而產生自由基、陽離子或陰離子的熱聚合起始劑（熱自由基聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑或熱陰離子聚合起始劑）。就容易獲得所期望的DSC放熱量的觀點、連接電阻的降低效果進一步提升且連接可靠性更優異的觀點、及低溫短時間下的硬化更容易的觀點而言，（B）成分較佳為自由基聚合起始劑（光自由基聚合起始劑或熱自由基聚合起始劑）。作為（B）成分，可單獨使用一種化合物，亦可組合使用多種化合物。例如，第1硬化性組成物亦可含有光聚合起始劑及熱聚合起始劑的兩者作為（B）成分。
光自由基聚合起始劑藉由光而分解，從而產生游離自由基。即，光自由基聚合起始劑為藉由賦予來自外部的光能量而產生自由基的化合物。作為光自由基聚合起始劑，可列舉具有肟酯結構、聯咪唑結構、吖啶結構、α-胺基苯烷基酮結構、胺基二苯甲酮結構、N-苯基甘胺酸結構、醯基氧化膦結構、苯偶醯二甲基縮酮結構、α-羥基苯烷基酮結構等結構的化合物。就容易獲得所期望的DSC放熱量的觀點、以及連接電阻的降低效果更優異的觀點而言，光自由基聚合起始劑較佳為具有選自由肟酯結構、α-胺基苯烷基酮結構及醯基氧化膦結構所組成的群組中的至少一種結構。
作為具有肟酯結構的化合物的具體例，可列舉：1-苯基-1,2-丁二酮-2-(鄰甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(鄰甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙二酮-2-鄰苯甲醯基肟、1,3-二苯基丙三酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基丙三酮-2-(鄰苯甲醯基)肟、1,2-辛二酮,1-[4-(苯硫基)苯基-,2-(鄰苯甲醯基肟)]、乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(鄰乙醯基肟)等。
作為具有α-胺基苯烷基酮結構的化合物的具體例，可列舉2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1等。
作為具有醯基氧化膦結構的化合物的具體例，可列舉：雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦等。
熱自由基聚合起始劑藉由熱而分解，從而產生游離自由基。即，熱自由基聚合起始劑為藉由賦予來自外部的熱能量而產生自由基的化合物。作為熱自由基聚合起始劑，可自現有已知的有機過氧化物及偶氮化合物中任意地選擇。就穩定性、反應性及相容性的觀點而言，熱自由基聚合起始劑可較佳地使用一分鐘半衰期溫度為90℃～175℃且重量平均分子量為180～1000的有機過氧化物。藉由1分鐘半衰期溫度處於該範圍內，儲存穩定性更優異，自由基聚合性亦足夠高，能夠於短時間內硬化。
作為有機過氧化物的具體例，可列舉：過氧化新癸酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化新癸酸枯基酯、過氧化二月桂醯、過氧化新癸酸-1-環己基-1-甲基乙酯、過氧化新癸酸第三己酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化三甲基乙酸第三丁酯、過氧化-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己醯基過氧化)己烷、過氧化-2-乙基己酸-第三己酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化新庚酸第三丁酯、過氧化-2-乙基己酸第三戊酯、過氧化六氫鄰苯二甲酸二-第三丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三戊酯、過氧化新癸酸-3-羥基-1,1-二甲基丁基酯、過氧化新癸酸第三戊酯、過氧化-2-乙基己酸第三戊酯、過氧化二(3-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化異丙基單碳酸第三己酯、過氧化馬來酸第三丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、過氧化月桂酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(3-甲基苯甲醯基過氧化)己烷、過氧化-2-乙基己基單碳酸第三丁酯、過氧化苯甲酸第三己酯、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲醯基過氧化)己烷、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化三甲基己二酸二丁酯、過氧化正辛酸第三戊酯、過氧化異壬酸第三戊酯、過氧化苯甲酸第三戊酯等。
作為偶氮化合物的具體例，可列舉：2,2'-偶氮雙-2,4-二甲基戊腈、1,1'-偶氮雙(1-乙醯氧基-1-苯基乙烷)、2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)、4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)、1,1'-偶氮雙(1-環己烷甲腈)等。
就快速硬化性優異的觀點、及連接電阻的降低效果優異的觀點而言，以第1硬化性組成物的總質量基準計，（B）成分的含量可為0.1質量%以上，亦可為0.5質量%以上。就貯存穩定性提升的觀點、及連接電阻的降低效果優異的觀點而言，以第1硬化性組成物的總質量基準計，（B）成分的含量可為20質量%以下，亦可為10質量%以下，亦可為5質量%以下。
就容易獲得所期望的黏度的觀點而言，第1硬化性組成物較佳為含有光聚合起始劑及熱聚合起始劑中的至少一者作為（B）成分，就電路連接用接著劑膜的製造容易的觀點而言，第1硬化性組成物更佳為含有光聚合起始劑。
[（C）成分：導電粒子] （C）成分若為具有導電性的粒子則並無特別限制，可為包含Au、Ag、Ni、Cu、焊料等金屬的金屬粒子；包含導電性碳的導電性碳粒子等。（C）成分亦可為包括核及被覆核的被覆層的被覆導電粒子，所述核包含非導電性的玻璃、陶瓷、塑膠（聚苯乙烯等）等，所述被覆層包含所述金屬或導電性碳。該些中，可較佳地使用包括如下核及被覆核的被覆層的被覆導電粒子，所述核包含由熱熔融性金屬形成的金屬粒子或塑膠，所述被覆層包含金屬或導電性碳。該情況下，容易藉由加熱或加壓而使第1硬化性組成物的硬化物變形，因此當將電極彼此電性連接時，可增加電極與（C）成分的接觸面積，而使電極間的導電性進一步提升。
（C）成分可為包括所述金屬粒子、導電性碳粒子或被覆導電粒子以及絕緣層的絕緣被覆導電粒子，所述絕緣層包含樹脂等絕緣材料，且被覆該粒子的表面。若（C）成分為絕緣被覆導電粒子，則即便於（C）成分的含量多的情況下，亦會因粒子的表面被樹脂被覆而可抑制由（C）成分彼此的接觸引發短路，另外，亦可提升相鄰電極電路間的絕緣性。（C）成分可單獨使用以上所述的各種導電粒子的一種或組合使用兩種以上。
（C）成分的最大粒徑需要較電極的最小間隔（相鄰電極間的最短距離）更小。就分散性及導電性優異的觀點而言，（C）成分的最大粒徑可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上，亦可為2.5 μm以上。就分散性及導電性優異的觀點而言，（C）成分的最大粒徑可為50 μm以下，亦可為30 μm以下，亦可為20 μm以下。本說明書中，對任意的300個（pcs）導電粒子，藉由使用掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）的觀察進行粒徑的測定，將所獲得的最大值設為（C）成分的最大粒徑。再者，於（C）成分具有突起的情況等（C）成分並非球形的情況下，（C）成分的粒徑設為與SEM的圖像中的導電粒子外切的圓的直徑。
就分散性及導電性優異的觀點而言，（C）成分的平均粒徑可為1.0 μm以上，亦可為2.0 μm以上，亦可為2.5 μm以上。就分散性及導電性優異的觀點而言，（C）成分的平均粒徑可為50 μm以下，亦可為30 μm以下，亦可為20 μm以下。本說明書中，對任意的300個（pcs）導電粒子，藉由使用掃描式電子顯微鏡（SEM）的觀察進行粒徑的測定，將所獲得的粒徑的平均值設為平均粒徑。
第1接著劑層2中，較佳為（C）成分均勻地分散。就可獲得穩定的連接電阻的觀點而言，第1接著劑層2中的（C）成分的粒子密度可為100 pcs/mm2 以上，亦可為1000 pcs/mm2 以上，亦可為2000 pcs/mm2 以上。就提升相鄰電極間的絕緣性的觀點而言，第1接著劑層2中的（C）成分的粒子密度可為100000 pcs/mm2 以下，亦可為50000 pcs/mm2 以下，亦可為10000 pcs/mm2 以下。
就可進一步提升導電性的觀點而言，以第1接著劑層中的總體積基準計，（C）成分的含量可為0.1體積%以上，亦可為1體積%以上，亦可為5體積%以上。就容易抑制短路的觀點而言，以第1接著劑層中的總體積基準計，（C）成分的含量可為50體積%以下，亦可為30體積%以下，亦可為20體積%以下。再者，第1硬化性組成物中的（C）成分的含量（以第1硬化性組成物的總體積為基準）可與所述範圍相同。
就可進一步提升導電性的觀點而言，以第1接著劑層的總質量為基準，（C）成分的含量可為0.05質量%以上，亦可為0.5質量%以上，亦可為2.5質量%以上。就容易抑制短路的觀點而言，以第1接著劑層的總質量為基準，（C）成分的含量可為25質量%以下，亦可為15質量%以下，亦可為10質量%以下。若（C）成分的含量為所述範圍，則有顯著發揮本申請案發明的效果的傾向。再者，以第1硬化性組成物的總質量為基準的（C）成分的含量可與所述範圍相同。
[其他成分] 第1硬化性組成物可更含有（A）成分、（B）成分及（C）成分以外的其他成分。作為其他成分，例如可列舉熱塑性樹脂、偶合劑及填充材。該些成分亦可含有於第1接著劑層2中。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉：苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸橡膠等。於第1硬化性組成物含有熱塑性樹脂的情況下，可容易地形成第1接著劑層。另外，於第1硬化性組成物含有熱塑性樹脂的情況下，可緩和第1硬化性組成物的硬化時產生的第1接著劑層的應力。另外，於熱塑性樹脂具有羥基等官能基的情況下，第1接著劑層的接著性容易提升。關於熱塑性樹脂的含量，例如以第1硬化性組成物的總質量基準計，可為5質量%以上，且可為80質量%以下。
作為偶合劑，可列舉具有(甲基)丙烯醯基、巰基、胺基、咪唑基、環氧基等有機官能基的矽烷偶合劑；四烷氧基矽烷等矽烷化合物；四烷氧基鈦酸酯衍生物、聚二烷基鈦酸酯衍生物等。於第1硬化性組成物含有偶合劑的情況下，可進一步提升接著性。關於偶合劑的含量，例如以第1硬化性組成物的總質量基準計，可為0.1質量%以上，且可為20質量%以下。
作為填充材，例如可列舉非導電性的填料（例如非導電粒子）。於第1硬化性組成物含有填充材的情況下，可進而期待連接可靠性的提升。填充材可為無機填料及有機填料的任一者。作為無機填料，例如可列舉二氧化矽微粒子、氧化鋁微粒子、二氧化矽-氧化鋁微粒子、二氧化鈦微粒子、氧化鋯微粒子等金屬氧化物微粒子；氮化物微粒子等無機微粒子。作為有機填料，例如可列舉矽酮微粒子、甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯微粒子、丙烯酸-矽酮微粒子、聚醯胺微粒子、聚醯亞胺微粒子等有機微粒子。該些微粒子可具有均勻的結構，亦可具有核-殼型結構。填充材的最大直徑較佳為小於導電粒子4的最小粒徑。關於填充材的含量，例如以第1硬化性組成物的總體積為基準，可為0.1體積%以上，且可為50體積%以下。另外，關於填充材的含量，例如以第1硬化性組成物的總質量為基準，可為0.05質量%以上，且可為25質量%以下。
第1硬化性組成物亦可含有軟化劑、促進劑、劣化抑制劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑等其他添加劑。以第1硬化性組成物的總質量基準計，該些添加劑的含量例如可為0.1質量%～10質量%。該些添加劑亦可含有於第1接著劑層2中。
第1硬化性組成物亦可含有熱硬化性樹脂來代替（A）成分及（B）成分，或者在（A）成分及（B）成分之外含有熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂為藉由熱而硬化的樹脂，具有至少一個以上的熱硬化性基。熱硬化性樹脂例如為藉由熱而與硬化劑反應並因此而進行交聯的化合物。作為熱硬化性樹脂，可單獨使用一種化合物，亦可組合使用多種化合物。
就容易獲得所期望的DSC放熱量的觀點、以及連接電阻的降低效果進一步提升且連接可靠性更優異的觀點而言，熱硬化性基例如可為環氧基、氧雜環丁烷基、異氰酸酯基等。
作為熱硬化性樹脂的具體例，可列舉作為表氯醇與雙酚A、雙酚F、雙酚AD等的反應產物的雙酚型環氧樹脂；作為表氯醇與苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等的反應產物的環氧酚醛清漆樹脂；具有含萘環的骨架的萘系環氧樹脂；縮水甘油胺、縮水甘油醚等一分子內具有兩個以上的縮水甘油基的各種環氧化合物等環氧樹脂。
於使用熱硬化性樹脂來代替（A）成分及（B）成分的情況下，例如以第1硬化性組成物的總質量為基準，第1硬化性組成物中的熱硬化性樹脂的含量可為20質量%以上，且可為80質量%以下。於在（A）成分及（B）成分之外使用熱硬化性樹脂的情況下，例如以第1硬化性組成物的總質量為基準，第1硬化性組成物中的熱硬化性樹脂的含量可為30質量%以上，且可為70質量%以下。
於第1硬化性組成物含有熱硬化性樹脂的情況下，第1硬化性組成物亦可含有以上所述的熱硬化性樹脂的硬化劑。作為熱硬化性樹脂的硬化劑，例如可列舉熱自由基產生劑、熱陽離子產生劑、熱陰離子產生劑等。關於硬化劑的含量，例如相對於熱硬化性樹脂100質量份，可為0.1質量份以上，且可為20質量份以下。
第1接著劑層2亦可包含未反應的（A）成分、（B）成分等源自第1硬化性組成物的成分。推測：當將本實施形態的接著劑膜1收容於現有的收容構件來進行保管及搬運的情況下，於第1接著劑層2中殘留未反應的（B）成分，因而於保管中及搬運中，第2接著劑層3中的第2硬化性組成物的一部分硬化，產生於高溫高濕環境下容易產生電路構件與電路連接部之間的剝離、因捕捉率的提升效果減小及流動性降低而接著劑膜1的連接電阻的降低效果減小等不良狀況。因此，就可抑制所述不良狀況的產生的觀點而言，以第1接著劑層的總質量為基準，第1接著劑層2中的（B）成分的含量可為15質量%以下，亦可為10質量%以下，亦可為5質量%以下。以第1接著劑層的總質量為基準，第1接著劑層2中的（B）成分的含量可為0.1質量%以上。再者，於第1接著劑層2包含光聚合起始劑作為（B）成分的情況下，藉由將接著劑膜1收容於後述的收容構件，而可抑制所述不良狀況的產生。
就於硬化後容易獲得用以獲得良好的可靠性而所需的凝聚力的觀點而言，第1硬化性組成物的DSC放熱量可為5 J/g以上，亦可為10 J/g以上，亦可為30 J/g以上。就減少硬化時的硬化收縮、獲得良好的可靠性的觀點而言，第1硬化性組成物的DSC放熱量可為300 J/g以下，亦可為200 J/g以下，亦可為150 J/g以下。
就提升與第2接著劑層3的密接性、獲得良好的可靠性的觀點而言，第1接著劑層2的DSC放熱量Cx可為0.1 J/g以上，亦可為1 J/g以上，亦可為2.5 J/g以上。就進一步提升導電粒子的捕捉率的觀點、及更難以產生高溫高濕環境下（例如85℃、85%RH）的電路構件與電路連接部之間的剝離的觀點而言，DSC放熱量Cx可為100 J/g以下，亦可為50 J/g以下，亦可為35 J/g以下。DSC放熱量Cx可藉由變更第1硬化性組成物的組成、變更第1硬化性組成物的硬化條件等而進行調整。
就容易抑制由導電粒子4的凝聚所引起的短路的觀點而言，第1接著劑層2的厚度d1可為導電粒子4的平均粒徑的0.2倍以上，亦可為0.3倍以上。就容易在電極間捕捉導電粒子4，另外於熱壓接時可使導電粒子效率良好地扁平，可進一步降低連接電阻的觀點而言，第1接著劑層2的厚度d1可為導電粒子4的平均粒徑的0.8倍以下，亦可為0.7倍以下。就該些觀點而言，第1接著劑層2的厚度d1可為導電粒子4的平均粒徑的0.2倍～0.8倍，亦可為0.3倍～0.7倍。於第1接著劑層2的厚度d1與導電粒子4的平均粒徑滿足如上所述的關係的情況下，例如，如圖1所示，第1接著劑層2中的導電粒子4的一部分可自第1接著劑層2突出至第2接著劑層3側。該情況下，第1接著劑層2與第2接著劑層3的邊界S位於相鄰的導電粒子4、導電粒子4的隔開部分。導電粒子4可不在第1接著劑層2的與第2接著劑層3側為相反側的表面2a露出，相反側的表面2a為平坦面。
第1接著劑層2的厚度d1可根據所接著的電路構件的電極高度等而適當設定。第1接著劑層2的厚度d1例如可為0.5 μm以上，且可為20 μm以下。再者，於導電粒子4的一部分自第1接著劑層2的表面露出（例如突出至第2接著劑層3側）的情況下，自第1接著劑層2的與第2接著劑層3側為相反側的表面2a至位於相鄰的導電粒子4、導電粒子4的隔開部分的第1接著劑層2與第2接著劑層3的邊界S為止的距離（圖1中以d1表示的距離）為第1接著劑層2的厚度，導電粒子4的露出部分不包含於第1接著劑層2的厚度中。導電粒子4的露出部分的長度例如可為0.1 μm以上，且可為20 μm以下。
（第2接著劑層） 第2接著劑層3例如包含第2硬化性組成物。第2硬化性組成物例如含有（a）聚合性化合物（以下亦稱為（a）成分）及（b）聚合起始劑（以下亦稱為（b）成分）。第2硬化性組成物可為含有熱聚合起始劑作為（b）成分的熱硬化性組成物，亦可為含有光聚合起始劑作為（b）成分的光硬化性組成物，亦可為熱硬化性組成物及光硬化性組成物的混合物。構成第2接著劑層3的第2硬化性組成物為電路連接時能夠流動的未硬化的硬化性組成物，例如為未硬化的硬化性組成物。
[（a）成分：聚合性化合物] （a）成分例如為藉由聚合起始劑（光聚合起始劑或熱聚合起始劑）因光（例如紫外光）的照射或加熱產生的自由基、陽離子或陰離子而聚合的化合物。作為（a）成分，可使用作為（A）成分而例示的化合物。就低溫短時間下的連接容易、容易獲得所期望的DSC放熱量的觀點、及連接電阻的降低效果進一步提升且連接可靠性更優異的觀點而言，（a）成分較佳為具有藉由自由基而反應的自由基聚合性基的自由基聚合性化合物。（a）成分中的較佳自由基聚合性化合物的例子及較佳自由基聚合性化合物的組合與（A）成分相同。於（a）成分為自由基聚合性化合物且第1接著劑層中的（B）成分為光自由基聚合起始劑的情況下，藉由將接著劑膜收容於後述的收容構件，而有顯著抑制接著劑膜的保管時或搬運時的第2硬化性組成物的硬化的傾向。
（a）成分可為單體、寡聚物或聚合物的任一者。作為（a）成分，可單獨使用一種化合物，亦可組合使用多種化合物。（a）成分可與（A）成分相同亦可不同。
就容易獲得用以降低連接電阻、提升連接可靠性而所需的交聯密度的觀點而言，以第2硬化性組成物的總質量基準計，（a）成分的含量可為10質量%以上，亦可為20質量%以上，亦可為30質量%以上。就抑制聚合時的硬化收縮，可獲得良好的可靠性的觀點而言，以第2硬化性組成物的總質量基準計，（a）成分的含量可為90質量%以下，亦可為80質量%以下，亦可為70質量%以下。
[（b）成分：聚合起始劑] 作為（b）成分，可使用與作為（B）成分而例示的聚合起始劑相同的聚合起始劑。（b）成分較佳為自由基聚合起始劑。（b）成分中的較佳自由基聚合起始劑的例子與（B）成分相同。作為（b）成分，可單獨使用一種化合物，亦可組合使用多種化合物。
就低溫短時間下的連接變容易的觀點、及連接可靠性更優異的觀點而言，以第2硬化性組成物的總質量基準計，（b）成分的含量可為0.1質量%以上，亦可為0.5質量%以上，亦可為1質量%以上。就適用期（pot life）的觀點而言，以第2硬化性組成物的總質量基準計，（b）成分的含量可為30質量%以下，亦可為20質量%以下，亦可為10質量%以下。
[其他成分] 第2硬化性組成物可更含有（a）成分及（b）成分以外的其他成分。作為其他成分，例如可列舉熱塑性樹脂、偶合劑、填充材、軟化劑、促進劑、劣化抑制劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑等。其他成分的詳細情況與第1接著劑層2中的其他成分的詳細情況相同。
第2硬化性組成物亦可含有熱硬化性樹脂來代替（a）成分及（b）成分，或者在（a）成分及（b）成分之外含有熱硬化性樹脂。於第2硬化性組成物含有熱硬化性樹脂的情況下，第2硬化性組成物亦可含有用於將熱硬化性樹脂硬化的硬化劑。作為熱硬化性樹脂及硬化劑，可使用與作為第1硬化性組成物中的其他成分所例示的熱硬化性樹脂及硬化劑相同的熱硬化性樹脂及硬化劑。於使用熱硬化性樹脂來代替（a）成分及（b）成分的情況下，例如以第2硬化性組成物的總質量為基準，第2硬化性組成物中的熱硬化性樹脂的含量可為20質量%以上，且可為80質量%以下。於在（a）成分及（b）成分之外使用熱硬化性樹脂的情況下，例如以第2硬化性組成物的總質量為基準，第2硬化性組成物中的熱硬化性樹脂的含量可為20質量%以上，且可為80質量%以下。硬化劑的含量可與作為第1硬化性組成物中的硬化劑的含量所記載的範圍相同。
關於第2接著劑層3中的導電粒子4的含量，例如以第2接著劑層的總質量基準計，可為1質量%以下，亦可為0質量%。第2接著劑層3較佳為不含導電粒子4。
就於硬化後容易獲得用以獲得良好的可靠性而所需的凝聚力、容易提升連接可靠性的觀點而言，第2接著劑層3的DSC放熱量Cy可為10 J/g以上，亦可為30 J/g以上，亦可為50 J/g以上。就抑制聚合時的硬化收縮、獲得良好的可靠性的觀點而言，DSC放熱量Cy可為300 J/g以下，亦可為200 J/g以下，亦可為150 J/g以下。DSC放熱量Cy可藉由變更第2硬化性組成物的組成等而進行調整。
第2接著劑層3的厚度d2可根據所接著的電路構件的電極高度等而適當設定。就可充分填充電極間的空間而將電極密封，獲得更良好的可靠性的觀點而言，第2接著劑層3的厚度d2可為5 μm以上，且可為200 μm以下。再者，於導電粒子4的一部分自第1接著劑層2的表面露出（例如突出至第2接著劑層3側）的情況下，自第2接著劑層3的與第1接著劑層2側為相反側的表面3a至位於相鄰的導電粒子4、導電粒子4的隔開部分的第1接著劑層2與第2接著劑層3的邊界S為止的距離（圖1中以d2表示的距離）為第2接著劑層3的厚度。
就可充分填充電極間的空間而將電極密封，獲得更良好的可靠性的觀點而言，第1接著劑層2的厚度d1相對於第2接著劑層3的厚度d2的比（第1接著劑層2的厚度d1/第2接著劑層3的厚度d2）可為1以上，且可為1000以下。
接著劑膜1的厚度（構成接著劑膜1的所有層的厚度的合計；圖1中，第1接著劑層2的厚度d1及第2接著劑層3的厚度d2的合計）例如可為5 μm以上，且可為200 μm以下。
以上，對本實施形態的電路連接用接著劑膜進行了說明，但本發明並不限定於所述實施形態。
例如，電路連接用接著劑膜可為包含第1接著劑層及第2接著劑層的兩層者，亦可為包括第1接著劑層及第2接著劑層以外的層（例如第3接著劑層）的包含三層以上的層者。第3接著劑層可為具有與以上關於第1接著劑層或第2接著劑層而所述的組成相同的組成的層，亦可為具有與以上關於第1接著劑層或第2接著劑層而所述的物性（例如DSC放熱量）相同的物性的層，亦可為具有與以上關於第1接著劑層或第2接著劑層而所述的厚度相同的厚度的層。電路連接用接著劑膜例如可於第1接著劑層的與第2接著劑層為相反側的表面上更包括第3接著劑層。即，電路連接用接著劑膜例如是以第2接著劑層、第1接著劑層及第3接著劑層的順序積層而成。該情況下，第3接著劑層例如與第2接著劑層同樣地包含第2硬化性組成物（例如熱硬化性組成物）。
另外，所述實施形態的電路連接用接著劑膜為具有各向異性導電性的各向異性導電性接著劑膜，但電路連接用接著劑膜亦可為不具有各向異性導電性的導電性接著劑膜。
＜電路連接用接著劑膜的製造方法＞ 本實施形態的電路連接用接著劑膜1的製造方法例如包括：準備以上所述的第1接著劑層2的準備步驟（第1準備步驟）；以及於第1接著劑層2上積層以上所述的第2接著劑層3的積層步驟。電路連接用接著劑膜1的製造方法亦可更包括：準備第2接著劑層3的準備步驟（第2準備步驟）。
於第1準備步驟中，例如，於基材上形成第1接著劑層2而獲得第1接著劑膜，藉此準備第1接著劑層2。具體而言，首先將（A）成分、（B）成分及（C）成分、以及視需要而添加的其他成分加入有機溶媒中，藉由攪拌混合、混煉等進行溶解或分散而製備清漆組成物。然後，於實施了脫模處理的基材上，使用刮刀塗佈機、輥塗機、敷料器等來塗佈清漆組成物後，藉由加熱而使有機溶媒揮發，從而於基材上形成包含第1硬化性組成物的層。繼而，藉由對包含第1硬化性組成物的層進行光照射或加熱而使第1硬化性組成物硬化，於基材上形成第1接著劑層2（硬化步驟）。藉此，獲得第1接著劑膜。
作為清漆組成物的製備中使用的有機溶媒，較佳為具有可將各成分均勻地溶解或分散的特性者，例如可列舉甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯等。該些有機溶媒可單獨使用或將兩種以上組合而使用。製備清漆組成物時的攪拌混合及混煉例如可使用攪拌機、磨碎機、三輥、球磨機、珠磨機或均質機來進行。
作為基材，於藉由光而使第1硬化性組成物硬化的情況下只要為具有可耐受使有機溶媒揮發時的加熱條件的耐熱性者則並無特別限制，於藉由加熱而使第1硬化性組成物硬化的情況下只要為具有可耐受使有機溶媒揮發時的加熱條件及使第1硬化性組成物硬化時的加熱條件的耐熱性者則並無特別限制。作為基材，例如可使用包含延伸聚丙烯（orientedpolypropylene，OPP）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚烯烴、聚乙酸酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、合成橡膠系、液晶聚合物等的基材（例如膜）。
使有機溶媒自塗佈於基材的清漆組成物揮發時的加熱條件較佳設為有機溶媒充分揮發的條件。加熱條件例如可為40℃以上且120℃以下、0.1分鐘以上且10分鐘以下。
硬化步驟中的光的照射中，較佳為使用包含150 nm～750 nm的範圍內的波長的照射光（例如紫外光）。光的照射例如可使用低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、金屬鹵化物燈等來進行。光的照射量可以DSC放熱量的比（Cx/Cy）成為0.4以下的方式進行調整。光的照射量例如以波長365 nm的光的累計光量計可為100 mJ/cm2 以上，亦可為200 mJ/cm2 以上，亦可為300 mJ/cm2 以上。光的照射量例如以波長365 nm的光的累計光量計可為10000 mJ/cm2 以下，亦可為5000 mJ/cm2 以下，亦可為3000 mJ/cm2 以下。光的照射量（光的累計光量）越大則有DSC放熱量Cx越小的傾向，且有DSC放熱量的比（Cx/Cy）越小的傾向。
硬化步驟中的加熱條件可以DSC放熱量的比（Cx/Cy）成為0.4以下的方式進行調整。加熱條件例如可為30℃以上且300℃以下、0.1分鐘以上且5000分鐘以下，亦可為50℃以上且150℃以下、0.1分鐘以上且3000分鐘以下。加熱溫度越高則有DSC放熱量Cx越小的傾向，且有DSC放熱量的比（Cx/Cy）越小的傾向。另外，加熱時間越長則有DSC放熱量Cx越小的傾向，且有DSC放熱量的比（Cx/Cy）越小的傾向。
於第2準備步驟中，除使用（a）成分及（b）成分以及視需要而添加的其他成分、及不實施硬化步驟（不進行光照射及加熱）以外，與第1準備步驟同樣地於基材上形成第2接著劑層3而獲得第2接著劑膜，藉此準備第2接著劑層3。
積層步驟中，可藉由將第1接著劑膜與第2接著劑膜貼合而於第1接著劑層2上積層第2接著劑層3，亦可藉由於第1接著劑層2上塗佈使用（a）成分及（b）成分以及視需要而添加的其他成分而獲得的清漆組成物，使有機溶媒揮發而於第1接著劑層2上積層第2接著劑層3。
作為使第1接著劑膜與第2接著劑膜貼合的方法，例如可列舉加熱壓製、輥層壓、真空層壓等方法。層壓例如可於0℃～80℃的加熱條件下進行。
＜電路連接結構體及其製造方法＞ 以下，對使用以上所述的電路連接用接著劑膜1作為電路連接材料的電路連接結構體及其製造方法進行說明。
圖2為表示一實施形態的電路連接結構體的示意剖面圖。如圖2所示，電路連接結構體10包括：具有第1電路基板11及形成於第1電路基板11的主面11a上的第1電極12的第1電路構件13；具有第2電路基板14及形成於第2電路基板14的主面14a上的第2電極15的第2電路構件16；以及配置於第1電路構件13及第2電路構件16之間，將第1電極12及第2電極15彼此電性連接的電路連接部17。
第1電路構件13及第2電路構件16彼此可相同亦可不同。第1電路構件13及第2電路構件16可為形成有電極的玻璃基板或塑膠基板、印刷配線板、陶瓷配線板、可撓性配線板、半導體矽IC晶片等。第1電路基板11及第2電路基板14可包括半導體、玻璃、陶瓷等無機物，聚醯亞胺、聚碳酸酯等有機物，玻璃/環氧等複合物等。第1電極12及第2電極15可包含金、銀、錫、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑、銅、鋁、鉬、鈦、銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，ITO）、銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide，IZO）、銦鎵鋅氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）等。第1電極12及第2電極15可為電路電極，亦可為凸塊（bump）電極。亦可為第1電極12及第2電極15的至少一者為凸塊電極。圖2中，第2電極15為凸塊電極。
電路連接部17是由以上所述的接著劑膜1而形成。電路連接部17例如包含接著劑膜1的硬化物。電路連接部17例如包括：第1區域18，位於第1電路構件13與第2電路構件16彼此相向的方向（以下「相向方向」）上的第1電路構件13側，包含以上所述的第1硬化性組成物的導電粒子4以外的（A）成分、（B）成分等成分的硬化物；第2區域19，位於相向方向上的第2電路構件16側，包含含有（a）成分、（b）成分等的以上所述的第2硬化性組成物的硬化物；以及導電粒子4，至少介於第1電極12及第2電極15之間來將第1電極12及第2電極15彼此電性連接。電路連接部可不像第1區域18及第2區域19那樣具有兩個區域，例如亦可包含以上所述的第1硬化性組成物的導電粒子4以外的成分的硬化物與以上所述的第2硬化性組成物的硬化物混合存在的硬化物。
圖3（a）、圖3（b）為表示電路連接結構體10的製造方法的示意剖面圖。如圖3（a）、圖3（b）所示，電路連接結構體10的製造方法例如包括以下步驟：使以上所述的接著劑膜1介於具有第1電極12的第1電路構件13、與具有第2電極15的第2電路構件16之間，將第1電路構件13及第2電路構件16熱壓接，而使第1電極12及第2電極15彼此電性連接。
具體而言，如圖3（a）所示，首先，準備具有第1電路基板11及形成於第1電路基板11的主面11a上的第1電極12的第1電路構件13、以及具有第2電路基板14及形成於第2電路基板14的主面14a上的第2電極15的第2電路構件16。
其次，以第1電極12與第2電極15彼此相向的方式配置第1電路構件13與第2電路構件16，於第1電路構件13與第2電路構件16之間配置接著劑膜1。例如，如圖3（a）所示，以第1接著劑層2側與第1電路構件13的安裝面11a相向的方式，將接著劑膜1層壓於第1電路構件13上。其次，以第1電路基板11上的第1電極12與第2電路基板14上的第2電極15彼此相向的方式，於層壓有接著劑膜1的第1電路構件13上配置第2電路構件16。另外，例如，亦可以第1接著劑層2側與第2電路構件16的安裝面14a相向的方式，將接著劑膜1層壓於第2電路構件16上。該情況下，以第1電路基板11上的第1電極12與第2電路基板14上的第2電極15彼此相向的方式，於層壓有接著劑膜1的第2電路構件16上配置第1電路構件13。
並且，如圖3（b）所示，一邊將第1電路構件13、接著劑膜1及第2電路構件16加熱一邊於厚度方向上對第1電路構件13與第2電路構件16進行加壓，藉此而將第1電路構件13與第2電路構件16彼此熱壓接。此時，如圖3（b）中箭頭所示，第2接著劑層3以填埋第2電極15、第2電極15間的空隙的方式流動，並且藉由所述加熱而硬化。藉此，將第1電極12及第2電極15介隔導電粒子4而彼此電性連接，另外，第1電路構件13及第2電路構件16彼此接著，獲得圖2所示的電路連接結構體10。再者，於第2硬化性組成物包含光硬化性組成物的情況下，亦可代替藉由加熱的熱壓接，而藉由進行加壓與光照射、或進行加壓與加熱及光照射而將第1電路構件13與第2電路構件16接合。
＜接著劑膜收容套組＞ 圖4為表示一實施形態的接著劑膜收容套組的立體圖。如圖4所示，接著劑膜收容套組20包括：電路連接用接著劑膜1、捲繞有該接著劑膜1的卷軸21、及收容接著劑膜1及卷軸21的收容構件22。
如圖4所示，接著劑膜1例如為帶狀。帶狀的接著劑膜1例如是藉由將片狀的整幅片材以根據用途的寬度裁斷為長條狀而製作。可於接著劑膜1的其中一個面上設置基材。作為基材，可使用以上所述的PET膜等基材。
卷軸21包括：具有用來捲繞接著劑膜1的卷芯23的第1側板24、以及以夾隔卷芯23而與第1側板24相向的方式配置的第2側板25。
第1側板24例如是包含塑膠的圓板，於第1側板24的中央部分設置有剖面圓形的開口部。
第1側板24具有的卷芯23為捲繞接著劑膜1的部分。卷芯23例如包含塑膠，形成為厚度與接著劑膜1的寬度相同的圓環狀。卷芯23以包圍第1側板24的開口部的方式固定於第1側板24的內側面。另外，於卷軸21的中央部設置有作為供捲繞裝置或輸出裝置（未圖示）的旋轉軸插入的部分的軸孔26。當於該軸孔26中塞入捲繞裝置或輸出裝置的旋轉軸的狀態下驅動旋轉軸時，卷軸21便會旋轉而不會空轉。亦可於軸孔26中嵌入收容乾燥劑的乾燥劑收容容器。
第2側板25與第1側板24同樣地，例如是包含塑膠的圓板，於第2側板25的中央部分設置有與第1側板24的開口部直徑相同的剖面圓形的開口部。
收容構件22例如呈袋狀，收容接著劑膜1及卷軸21。收容構件22具有用於將接著劑膜1及卷軸21收容（插入）至收容構件22的內部的插入口27。
收容構件22具有使收容構件22的內部自外部能夠視認的視認部28。圖4所示的收容構件22是以收容構件22的整體成為視認部28的方式構成。
視認部28具有對可見光的透射性。例如，當以波長450 nm～750 nm的範圍測定視認部28對光的透射率時，於波長450 nm～750 nm之間存在至少一個光的透射率的平均值為30%以上且波長寬度為50 nm的區域。視認部28的光的透射率可藉由製作將視認部28截取為規定大小的試樣，並利用紫外可見分光光度計測定試樣的光的透射率而獲得。收容構件22具有此種視認部28，因而自收容構件22的外部亦可確認到收容構件22內部的例如貼附於卷軸21的製品名、批號、有效期等各種資訊。藉此，可期待防止混入錯誤的製品、及提升分類作業的效率。
視認部28對波長365 nm的光的透射率為10%以下。視認部28對波長365 nm的光的透射率為10%以下，因此可抑制使用光聚合起始劑作為（B）成分的情況下的、由自收容構件22的外部入射至內部的光及第1接著劑層2中殘留的光聚合起始劑所引起的第2硬化性組成物的硬化。結果，可抑制於高溫高濕環境下容易產生電路構件與電路連接部之間的剝離、因捕捉率的提升效果減小及流動性降低而接著劑膜的連接電阻的降低效果減小等不良狀況的產生。就進一步抑制自光聚合起始劑產生活性種（例如自由基）的觀點而言，視認部28對波長365 nm的光的透射率較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而佳為1%以下，特佳為0.1%以下。
就同樣的觀點而言，視認部28對能夠自所述光聚合起始劑（（B）成分）產生自由基、陽離子或陰離子的波長區域下的光的透射率的最大值較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而佳為1%以下，特佳為0.1%以下。具體而言，視認部28對波長254 nm～405 nm的光的透射率的最大值較佳為10%以下，更佳為5%以下，進而佳為1%以下，特佳為0.1%以下。
視認部28（收容構件22）例如是由厚度10 μm～5000 μm的片材所形成。該片材包括視認部28對波長365 nm的光的透射率為10%以下的材料。此種材料可包含一種成分，亦可包含多種成分。作為該材料，例如可列舉低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、聚碳酸酯、聚酯、丙烯酸樹脂、聚醯胺、玻璃等。該些材料亦可包含紫外線吸收劑。視認部28亦可具有藉由積層透光性不同的多個層而形成的積層結構。該情況下，構成視認部28的各層可包含以上所述的材料。
為了防止收容時空氣自外部侵入，例如亦可藉由利用密封機等進行封口而將插入口27密閉。該情況下，較佳為於封閉插入口27前預先將收容構件22內的空氣抽吸去除。可期待自收容的初始階段起收容構件22內的濕氣變少，且防止空氣自外部進入。另外，藉由收容構件22的內表面與卷軸21密接，可防止因搬運時的振動使收容構件22的內表面與卷軸21的表面摩擦而產生異物，並且可防止對卷軸21的側板24、側板25的外側面的刮傷。
所述實施形態中，收容構件是以收容構件的整體成為視認部的方式構成，於另一實施形態中，收容構件亦可於收容構件的一部分具有視認部。例如，收容構件可於收容構件的側面的大致中央具有矩形形狀的視認部。該情況下，收容構件的視認部以外的部分例如可呈黑色，以便不透射紫外光及可見光。
另外，所述實施形態中，收容構件的形狀為袋狀，收容構件例如亦可為箱狀。收容構件較佳為帶有用於開封的切痕。該情況下，使用時的開封作業變容易。 [實施例]
以下，藉由實施例來更具體地說明本發明，但本發明並不限定於實施例。
＜聚胺基甲酸酯丙烯酸酯（UA1）的合成＞ 於具備攪拌機、溫度計、具有氯化鈣乾燥管的回流冷卻管、及氮氣導入管的反應容器中，歷時3小時均勻地滴加聚(1,6-己二醇碳酸酯)（商品名：杜南醇（Duranol）T5652，旭化成化學（Asahi Kasei Chemicals）股份有限公司製造，數量平均分子量為1000）2500質量份（2.50 mol）、及異佛爾酮二異氰酸酯（西格瑪奧德里奇（Sigma-Aldrich）公司製造）666質量份（3.00 mol）。繼而，向反應容器中充分地導入氮氣後，將反應容器內加熱至70℃～75℃來進行反應。其次，向反應容器中添加對苯二酚單甲基醚（西格瑪奧德里奇公司製造）0.53質量份（4.3 mmol）、及二月桂酸二丁基錫（西格瑪奧德里奇公司製造）5.53質量份（8.8 mmol）後，加入丙烯酸2-羥基乙酯（西格瑪奧德里奇公司製造）238質量份（2.05 mol），於空氣環境下以70℃反應6小時。藉此而獲得聚胺基甲酸酯丙烯酸酯（UA1）。聚胺基甲酸酯丙烯酸酯（UA1）的重量平均分子量為15000。再者，重量平均分子量是依照下述條件，藉由凝膠滲透層析儀（GPC）使用標準聚苯乙烯的校準曲線而測定出。 （測定條件） 裝置：東曹（Tosoh）股份有限公司製造的GPC-8020 檢測器：東曹股份有限公司製造的RI-8020 管柱：日立化成股份有限公司製造的Gelpack GLA160S+GLA150S 試樣濃度：120 mg/3 mL 溶媒：四氫呋喃 注入量：60 μL 壓力：2.94×106 Pa（30 kgf/cm2 ） 流量：1.00 mL/min
＜導電粒子的製作＞ 於聚苯乙烯粒子的表面上，以層的厚度為0.2 μm的方式形成包含鎳的層。以所述方式獲得平均粒徑為4 μm、最大粒徑為4.5 μm、比重為2.5的導電粒子。
＜第1硬化性組成物的清漆（清漆組成物）的製備＞ 將以下所示的成分以表1所示的調配量（質量份）混合，製備第1硬化性組成物1～第1硬化性組成物4的清漆。再者，表1中記載的導電粒子的含量（體積%）及填充材的含量（體積%）是以第1硬化性組成物的總體積為基準的含量。 （聚合性化合物） A1：二環戊二烯型二丙烯酸酯（商品名：DCP-A，東亞合成股份有限公司製造） A2：如上所述般合成的聚胺基甲酸酯丙烯酸酯（UA1） A3：2-甲基丙烯醯氧基乙基酸式磷酸酯（商品名：萊特酯（Light Ester）P-2M，共榮社化學股份有限公司製造） （聚合起始劑） B1：1,2-辛二酮,1-[4-(苯硫基)苯基-,2-(O-苯甲醯基肟)]（商品名：豔佳固（Irgacure）（註冊商標）OXE01，巴斯夫（BASF）公司製造） B2：過氧化苯甲醯（商品名：耐帕（NYPER）BMT-K40，日油股份有限公司製造） （導電粒子） C1：如上所述般製作的導電粒子 （熱塑性樹脂） D1：雙酚A型苯氧基樹脂（商品名：PKHC，聯合碳化物（Union Carbide）公司製造） （偶合劑） E1：3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷（商品名：KBM503，信越化學工業股份有限公司製造） （填充材） F1：二氧化矽微粒子（商品名：R104，日本艾羅技（AEROSIL）股份有限公司製造，平均粒徑（一次粒徑）：12 nm，比重：2） （溶劑） G1：甲基乙基酮
[表1]
＜第2硬化性組成物的清漆（清漆組成物）的製備＞ 作為聚合性化合物a1～聚合性化合物a3、聚合起始劑b1、熱塑性樹脂d1、偶合劑e1、填充材f1及溶劑g1，使用與第1硬化性組成物中的聚合性化合物A1～聚合性化合物A3、聚合起始劑B2、熱塑性樹脂D1、偶合劑E1、填充材F1及溶劑G1相同者，將該些成分以表2所示的調配量（質量份）混合，製備第2硬化性組成物1的清漆。再者，表2中記載的填充材的含量（體積%）是以第2硬化性組成物的總體積為基準的含量。
[表2]
（實施例1） [第1接著劑膜的製作] 使用塗敷裝置將第1硬化性組成物1的清漆塗佈於厚度50 μm的PET膜上。繼而，進行70℃、3分鐘的熱風乾燥，於PET膜上形成厚度（乾燥後的厚度）為2 μm的包含第1硬化性組成物1的層。其次，對包含第1硬化性組成物1的層，使用金屬鹵化物燈以累計光量為2000 mJ/cm2 的方式進行光照射，使聚合性化合物聚合。藉此，使第1硬化性組成物1硬化，形成第1接著劑層。藉由以上操作，獲得於PET膜上具備厚度2 μm的第1接著劑層的第1接著劑膜。此時的導電粒子密度為約7000 pcs/mm2 。再者，第1接著劑層的厚度是使用奧林巴斯（Olympus）股份有限公司製造的雷射顯微鏡OLS4100進行測定。
[第2接著劑膜的製作] 使用塗敷裝置將第2硬化性組成物1的清漆塗佈於厚度50 μm的PET膜上。繼而，進行70℃、3分鐘的熱風乾燥，於PET膜上形成厚度為10 μm的第2接著劑層（包含第2硬化性組成物1的層）。藉由以上操作，獲得於PET膜上具備第2接著劑層的第2接著劑膜。
[電路連接用接著劑膜的製作] 對第1接著劑膜與第2接著劑膜，與作為基材的PET膜一併於40℃下進行加熱，同時利用輥層壓機進行層壓。藉此而製作具備第1接著劑層與第2接著劑層積層而成的兩層構成的電路連接用接著劑膜的帶基材的電路連接用接著劑膜。
[DSC放熱量的測定] 自所獲得的電路連接用接著劑膜削取第1接著劑層及第2接著劑層的一部分，分別獲得5 mg的第1接著劑層的評價樣品及第2接著劑層的評價樣品。繼而，對第1接著劑層的評價樣品及第2接著劑層的評價樣品，分別使用示差掃描熱量測定（DSC）裝置（製品名DSC7，珀金埃爾默（PERKIN ELMER）公司製造），於氮氣氣流下，以測定溫度範圍30℃～250℃、升溫速度10℃/min進行測定，算出DSC放熱量。
第1接著劑層的DSC放熱量（DSC放熱量Cx）為36 J/g。第2接著劑層的DSC放熱量（DSC放熱量Cy）為120J/g。根據該些結果，DSC放熱量的比（Cx/Cy）為0.30。
[電路連接結構體的製作] 介隔所製作的電路連接用接著劑膜，對間距25 μm的COF（弗萊克斯得（FLEXSEED）公司製造）、及玻璃基板上具備自玻璃基板的表面依序積層AlNd膜（厚度：2000 Å）、Cr膜（厚度：500 Å）及氧化銦鋅（IZO）膜（厚度：1000 Å）而成的薄膜電極的帶薄膜電極的玻璃基板1（吉奧馬（Geomatec）公司製造）或玻璃基板上具備包含非晶氧化銦錫（ITO）的薄膜電極（高度：1200 Å）的帶薄膜電極的玻璃基板2（吉奧馬（Geomatec）公司製造），使用熱壓接裝置（加熱方式：接觸加熱（contact heat）型，太陽機械製作所股份有限公司製造），以170℃、6 MPa下4秒鐘的條件進行加熱加壓，跨及寬度1 mm進行連接，製作包括由電路連接用接著劑膜所形成的電路連接部的電路連接結構體1（連接結構體1）、及電路連接結構體2（連接結構體2）。再者，於連接時，以電路連接用接著劑膜中的第1接著劑層側的表面與玻璃基板相向的方式將電路連接用接著劑膜配置於玻璃基板上。
[捕捉率的評價] 使用光學顯微鏡對所獲得的電路連接結構體1的連接外觀進行相位差觀察，進行捕捉率的評價。具體而言，自帶薄膜電極的玻璃基板側實測包含AlNd、Cr及IZO的薄膜電極上的導電粒子的數量，基於下式而算出導電粒子的捕捉率。 捕捉率（%）=（薄膜電極上的導電粒子的數量/（1 mm2 /薄膜電極的面積）/每1 mm2 電路連接用接著劑膜中的導電粒子的數量）×100 再者，所述測定中，對薄膜電極實測100處的導電粒子數，將其平均值設為薄膜電極上的導電粒子數。將結果示於表3中。
[連接電阻的評價] 對於所獲得的電路連接結構體1，藉由萬用電表來測定剛剛連接後的相向電極間的連接電阻值。連接電阻值是作為16處的相向電極間的電阻的平均值而求出。將結果示於表3中。
[剝離評價] 使用光學顯微鏡來觀察所獲得的電路連接結構體2的高溫高濕試驗後的連接外觀，進行剝離評價。具體而言，自帶薄膜電極的玻璃基板側測定該玻璃基板與電路連接部之間產生剝離的面積（剝離面積）。高溫高濕試驗是藉由於85℃、85%RH的恆溫恆濕槽中放置200小時來進行。將結果示於表3中。
[耐黏連性評價] 將所製作的帶基材的電路連接用接著劑膜切割為0.6 mm，獲得帶狀的帶基材的接著劑膜。準備包括卷芯及環狀側板的接著帶用卷軸，所述卷芯的寬度為0.7 mm、內徑為40 mm、外徑為65 mm，所述環狀側板於卷芯的兩端部各設置有一片（共計兩片），厚度為2 mm、內徑為40 mm、外徑為125 mm且包含塑膠，使接著劑膜側的面為內側而將所述帶狀的帶基材的接著劑膜捲繞於該接著帶用卷軸上。以如上所述的方式獲得將長度50 m及寬度0.6 mm的帶基材的接著劑膜捲繞於卷芯而成的接著劑卷軸。
將所獲得的接著劑卷軸於30℃的恆溫槽中放置24小時，其後確認是否無問題地將接著劑膜拉出。將無問題地拉出的情況評價為A，將拉出時產生對基材的貼附（黏連）等問題的情況評價為B。將結果示於表3中。
（實施例2） 使用第1硬化性組成物2來代替第1硬化性組成物1；以及於第1接著劑膜的製作時，藉由以100℃對包含第1硬化性組成物2的層進行180分鐘加熱來代替光照射而使其硬化，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表3中。
（實施例3） 使用第1硬化性組成物3來代替第1硬化性組成物1；於第1接著劑膜的製作時，藉由以100℃對包含第1硬化性組成物3的層進行180分鐘加熱來代替光照射而使其硬化；以厚度成為3 μm的方式塗佈第1硬化性組成物3的清漆；以及第1接著劑膜中的導電粒子密度為3000 pcs/mm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表3中。
（實施例4） 使用第1硬化性組成物4來代替第1硬化性組成物1；於第1接著劑膜的製作時，藉由以100℃對包含第1硬化性組成物4的層進行180分鐘加熱來代替光照射而使其硬化；以厚度成為1 μm的方式塗佈第1硬化性組成物4的清漆；以及第1接著劑膜中的導電粒子密度為10000 pcs/mm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表3中。
（比較例1） 於第1接著劑膜的製作時，不進行光照射（不使包含第1硬化性組成物1的層硬化），除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
（比較例2） 於第1接著劑膜的製作時，以累計光量為50 mJ/cm2 的方式進行光照射，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
（比較例3） 使用第1硬化性組成物2來代替第1硬化性組成物1；以及於第1接著劑膜的製作時，藉由以60℃對包含第1硬化性組成物2的層進行30分鐘加熱來代替光照射而使其硬化，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
（比較例4） 使用第1硬化性組成物3來代替第1硬化性組成物1；於第1接著劑膜的製作時不進行光照射；以厚度成為3 μm的方式塗佈第1硬化性組成物3的清漆；以及第1接著劑膜中的導電粒子密度為3000 pcs/mm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
（比較例5） 使用第1硬化性組成物4來代替第1硬化性組成物1；於第1接著劑膜的製作時不進行光照射；以厚度成為1 μm的方式塗佈第1硬化性組成物4的清漆；以及第1接著劑膜中的導電粒子密度為10000 pcs/mm2 ，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
（比較例6） 使用第1硬化性組成物2來代替第1硬化性組成物1；於第1接著劑膜的製作時，藉由以100℃對包含第1硬化性組成物2的層進行180分鐘加熱來代替光照射而使其硬化；以及於第2接著劑膜的製作時，藉由以100℃對包含第2硬化性組成物1的層進行180分鐘加熱而使其硬化，除此以外，以與實施例1相同的方式製作電路連接用接著劑膜及電路連接結構體，並以與實施例1相同的方式進行DSC放熱量的測定、捕捉率的評價、連接電阻的評價、剝離評價及耐黏連性評價。將結果示於表4中。
[表3]
[表4]
1‧‧‧電路連接用接著劑膜2‧‧‧第1接著劑層2a‧‧‧第1接著劑層的與第2接著劑層側為相反側的表面3‧‧‧第2接著劑層3a‧‧‧第2接著劑層的與第1接著劑層側為相反側的表面4‧‧‧導電粒子5‧‧‧接著劑成分10‧‧‧電路連接結構體11‧‧‧第1電路基板11a‧‧‧第1電路基板的主面12‧‧‧電路電極（第1電極）13‧‧‧第1電路構件14‧‧‧第2電路基板14a‧‧‧第2電路基板的主面15‧‧‧凸塊電極（第2電極）16‧‧‧第2電路構件17‧‧‧電路連接部18‧‧‧第1區域19‧‧‧第2區域20‧‧‧接著劑膜收容套組21‧‧‧卷軸22‧‧‧收容構件23‧‧‧卷芯24‧‧‧第1側板25‧‧‧第2側板26‧‧‧軸孔27‧‧‧插入口28‧‧‧視認部d1‧‧‧第1接著劑層的厚度（距離）d2‧‧‧第2接著劑層的厚度（距離）S‧‧‧第1接著劑層與第2接著劑層的邊界
圖1為表示本發明的一實施形態的電路連接用接著劑膜的示意剖面圖。 圖2為表示本發明的一實施形態的電路連接結構體的示意剖面圖。 圖3（a）、圖3（b）為表示本發明的一實施形態的電路連接結構體的製造步驟的示意剖面圖。 圖4為表示本發明的一實施形態的接著劑膜收容套組的立體圖。
1‧‧‧電路連接用接著劑膜
2‧‧‧第1接著劑層
2a‧‧‧第1接著劑層的與第2接著劑層側為相反側的表面
3‧‧‧第2接著劑層
3a‧‧‧第2接著劑層的與第1接著劑層側為相反側的表面
4‧‧‧導電粒子
5‧‧‧接著劑成分
d1‧‧‧第1接著劑層的厚度
d2‧‧‧第2接著劑層的厚度
S‧‧‧第1接著劑層與第2接著劑層的邊界

Claims (8)

  1. 一種電路連接用接著劑膜，其包括：含有導電粒子的第1接著劑層、及積層於所述第1接著劑層上的第2接著劑層，且所述第1接著劑層的DSC放熱量相對於所述第2接著劑層的DSC放熱量的比為0.4以下，所述第1接著劑層包含第1硬化性組成物的硬化物，所述第1硬化性組成物含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物，所述自由基聚合性化合物為(聚)胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物，所述第1硬化性組成物含有具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電路連接用接著劑膜，其中所述第2接著劑層包含第2硬化性組成物，所述第2硬化性組成物含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電路連接用接著劑膜，其中所述第1接著劑層的厚度為所述導電粒子的平均粒徑的0.2倍~0.8倍。
  4. 一種電路連接用接著劑膜的製造方法，其包括：準備步驟，準備第1接著劑層；以及積層步驟，於所述第1接著劑層上積層包含第2硬化性組成 物的第2接著劑層，所述準備步驟包括硬化步驟，藉由對包含含有導電粒子的第1硬化性組成物的層進行光照射或加熱而使所述第1硬化性組成物硬化，獲得所述第1接著劑層，所述硬化步驟中，以所述第1接著劑層的DSC放熱量相對於所述第2接著劑層的DSC放熱量的比為0.4以下的方式使所述第1硬化性組成物硬化，所述第1硬化性組成物含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物，所述自由基聚合性化合物為(聚)胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物，所述第1硬化性組成物含有具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電路連接用接著劑膜的製造方法，其中所述第2硬化性組成物含有具有自由基聚合性基的自由基聚合性化合物。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的電路連接用接著劑膜的製造方法，其中所述第1接著劑層的厚度為所述導電粒子的平均粒徑的0.2倍~0.8倍。
  7. 一種電路連接結構體的製造方法，其包括：使如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的電路連接用接著劑膜介於具有第1電極的第1電路構件、與具有第2電極的第2電路構 件之間，將所述第1電路構件及所述第2電路構件熱壓接，而使所述第1電極及所述第2電極彼此電性連接的步驟。
  8. 一種接著劑膜收容套組，其包括：如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的電路連接用接著劑膜、及收容所述接著劑膜的收容構件，所述收容構件具有使得能夠自外部視認所述收容構件的內部的視認部，所述視認部對波長365nm的光的透射率為10%以下。
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