TWI804488B - 研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法 - Google Patents
研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI804488B TWI804488B TW107108185A TW107108185A TWI804488B TW I804488 B TWI804488 B TW I804488B TW 107108185 A TW107108185 A TW 107108185A TW 107108185 A TW107108185 A TW 107108185A TW I804488 B TWI804488 B TW I804488B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- abrasive
- polishing
- mass
- acid
- abrasive grains
- Prior art date
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 17
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 72
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 99
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 10
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 3
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 100
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- -1 organic acid esters Chemical class 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 19
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 16
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 15
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 12
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 10
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 6
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 3-pyridinol Chemical compound OC1=CC=CN=C1 GRFNBEZIAWKNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 3
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 3
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N anhydrous guanidine Natural products NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- RLGQACBPNDBWTB-UHFFFAOYSA-N cetyltrimethylammonium ion Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C RLGQACBPNDBWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 3
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQNDBXJTIJKJPV-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-b]pyridine Chemical compound C1=CC=NC2=NNN=C21 VQNDBXJTIJKJPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVQVNTPHUGQQHK-UHFFFAOYSA-N 3-pyridinemethanol Chemical compound OCC1=CC=CN=C1 MVQVNTPHUGQQHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTSLROIKFLNUIJ-UHFFFAOYSA-N 5-Ethyl-2-methylpyridine Chemical compound CCC1=CC=C(C)N=C1 NTSLROIKFLNUIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 2
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- HJJPJSXJAXAIPN-UHFFFAOYSA-N arecoline Chemical compound COC(=O)C1=CCCN(C)C1 HJJPJSXJAXAIPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCAUQPZEWLULFJ-UHFFFAOYSA-N benzo[f]quinoline Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=N1 HCAUQPZEWLULFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N isonicotinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC=C1 TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHZMQXZHNVQTQA-UHFFFAOYSA-N pyridoxamine Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN)=C1O NHZMQXZHNVQTQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- JZRWCGZRTZMZEH-UHFFFAOYSA-N thiamine Chemical compound CC1=C(CCO)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N JZRWCGZRTZMZEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 2
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 2
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- MTXSIJUGVMTTMU-JTQLQIEISA-N (S)-anabasine Chemical compound N1CCCC[C@H]1C1=CC=CN=C1 MTXSIJUGVMTTMU-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUPAJKKAHDLPAZ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=NC=1C=CC=CC=1)NC1=CC=CC=C1 FUPAJKKAHDLPAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLUJHMKCLOIRSK-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetramethylimidazole Chemical compound CC=1N=C(C)N(C)C=1C WLUJHMKCLOIRSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N\C(N)=N\C1=CC=CC=C1C OPNUROKCUBTKLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONRNRVLJHFFBJG-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(imidazol-1-yl)ethane-1,2-dione Chemical compound C1=CN=CN1C(=O)C(=O)N1C=CN=C1 ONRNRVLJHFFBJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQXOOGHQVPKHPG-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazinane-2,4,5-trione Chemical compound O=C1NCC(=O)C(=O)N1 FQXOOGHQVPKHPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBQJKKPQBMSWEP-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenyl-1,3-diazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1CC(=O)N(C=2C=CC=CC=2)C(=O)N1C1=CC=CC=C1 FBQJKKPQBMSWEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,6-tetrahydropyrimidine Chemical compound C1CNC=NC1 VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxypropoxy)butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCCCC QMGJMGFZLXYHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCCC HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDYATKOQVBKTLQ-UHFFFAOYSA-N 1-(triazolo[4,5-b]pyridin-1-yl)ethanone Chemical compound C1=CC=C2N(C(=O)C)N=NC2=N1 SDYATKOQVBKTLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCCCC UOWSVNMPHMJCBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCC BOGFHOWTVGAYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODDAWJGQWOGBCX-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(dimethylazaniumyl)ethyl]tetrazole-5-thiolate Chemical compound CN(C)CCN1N=NN=C1S ODDAWJGQWOGBCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCCC KTSVVTQTKRGWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propoxy]butane Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCCC OHRSSDYDJRJIMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSPIZZQMSHIZLS-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]propane Chemical compound CCCOCCOCCOCCOCCC DSPIZZQMSHIZLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMFEZDRQOJKMN-UHFFFAOYSA-N 1-butylimidazole Chemical compound CCCCN1C=CN=C1 MCMFEZDRQOJKMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound CCOCCOCCOCCOCC KIAMPLQEZAMORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC ORRRIJVZQZKAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWDFHWZHHOSSGR-UHFFFAOYSA-N 1-ethylimidazole Chemical compound CCN1C=CN=C1 IWDFHWZHHOSSGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPIRBHDGWMWJEP-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-7-azabenzotriazole Chemical compound C1=CN=C2N(O)N=NC2=C1 FPIRBHDGWMWJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound COCC(C)OCC(C)OCC(C)OC RERATEUBWLKDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-(2-propoxypropoxy)propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCCC JOERQAIRIDZWHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZUIVEXNWZABBK-UHFFFAOYSA-N 1-propoxy-2-[2-(2-propoxypropoxy)propoxy]propane Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)OCCC BZUIVEXNWZABBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazol-5-amine Chemical compound NC=1C=CNN=1 JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluoropyridine Chemical compound FC1=NC(F)=C(F)C(F)=C1F XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triaminopyrimidine Chemical compound NC1=CC(N)=NC(N)=N1 JTTIOYHBNXDJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPVIABCMTHHTGB-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trichloropyrimidine Chemical compound ClC1=CC(Cl)=NC(Cl)=N1 DPVIABCMTHHTGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJVAFLZWVUIBOU-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethoxypyrimidine Chemical compound COC1=CC(OC)=NC(OC)=N1 RJVAFLZWVUIBOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZKWMQWGJPCXOF-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triphenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 SZKWMQWGJPCXOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBSLLHNATPQFMJ-UHFFFAOYSA-N 2,4-Dimethylthiazole Chemical compound CC1=CSC(C)=N1 OBSLLHNATPQFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 2,4-diamino-6-hydroxypyrimidine Chemical compound NC1=CC(=O)N=C(N)N1 SWELIMKTDYHAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC1=CC=CC2=NNN=C12 HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 2-(furan-2-yl)-3h-benzimidazole-5-carboxylic acid Chemical compound N1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2N=C1C1=CC=CO1 DIZBQMTZXOUFTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanoic acid Chemical compound CCC(CC)C(O)=O OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCOCCOCCOCCO KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRGGMCIBEHEAIL-UHFFFAOYSA-N 2-ethylpyridine Chemical compound CCC1=CC=CC=N1 NRGGMCIBEHEAIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAODLNXWYIKSO-UHFFFAOYSA-N 2-fluoropyridine Chemical compound FC1=CC=CC=N1 MTAODLNXWYIKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMOUXUIXXQFHJR-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-5,7-diphenyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N12N=C(C)N=C2N=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1C1=CC=CC=C1 AMOUXUIXXQFHJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRWJICKIODZAJC-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfonyl-5,7-diphenyl-1,7-dihydro-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N12NC(S(=O)(=O)C)=NC2=NC(C=2C=CC=CC=2)=CC1C1=CC=CC=C1 MRWJICKIODZAJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTSUBDINUPVHGC-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfonyl-5,7-diphenyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound CS(=O)(=O)C1=NN2C(N=C(C=C2C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)=N1 HTSUBDINUPVHGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyric acid Chemical compound CC(C)(C)CC(O)=O MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 3-(benzotriazol-1-yl)propane-1,1-diol Chemical compound C1=CC=C2N(CCC(O)O)N=NC2=C1 VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLQHUKCXBXUDV-UHFFFAOYSA-N 3-aminophthalic acid Chemical compound NC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O WGLQHUKCXBXUDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBPDSKPWYWIHGA-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-nitropyridine Chemical compound OC1=CC=CN=C1[N+]([O-])=O QBPDSKPWYWIHGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 3-imidazol-1-ylpropan-1-amine Chemical compound NCCCN1C=CN=C1 KDHWOCLBMVSZPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 3-methylphthalic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFIRODWJCYBBHY-UHFFFAOYSA-N 3-nitrophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1C(O)=O KFIRODWJCYBBHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKHRGPYNTXRMSL-VOTSOKGWSA-N 4-[(e)-2-phenylethenyl]pyridine Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=NC=C1 QKHRGPYNTXRMSL-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OXSANYRLJHSQEP-UHFFFAOYSA-N 4-aminophthalic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 OXSANYRLJHSQEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWJJAFQCTXFSTA-UHFFFAOYSA-N 4-methylphthalic acid Chemical compound CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 CWJJAFQCTXFSTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXKNNAKAVAHBNK-UHFFFAOYSA-N 4-nitropyridine-n-oxide Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=[N+]([O-])C=C1 RXKNNAKAVAHBNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydropyrazol-3-one Chemical compound NC1=CC(=O)NN1 QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 5-hexyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCCCCC1=CC=C2NN=NC2=C1 GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHLUJPLHLZJUBW-UHFFFAOYSA-N 6-methylpyridin-3-ol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=N1 DHLUJPLHLZJUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHCPRYRLDOSKHK-UHFFFAOYSA-N 7-deaza-8-aza-adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1C=NN2 LHCPRYRLDOSKHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCFXTTBFWRUATJ-UHFFFAOYSA-N C(=O)O.[N+](=O)([O-])C=1C=C(C(C(=O)O)=CC1)C(=O)O Chemical compound C(=O)O.[N+](=O)([O-])C=1C=C(C(C(=O)O)=CC1)C(=O)O SCFXTTBFWRUATJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXNJAVCZNMSELK-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCCOC(=O)CNC Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CNC TXNJAVCZNMSELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSGQJHQYWJLPKY-UHFFFAOYSA-N CITRAZINIC ACID Chemical compound OC(=O)C=1C=C(O)NC(=O)C=1 CSGQJHQYWJLPKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- NYMGNSNKLVNMIA-UHFFFAOYSA-N Iproniazid Chemical compound CC(C)NNC(=O)C1=CC=NC=C1 NYMGNSNKLVNMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQFQONCQIQEYPJ-UHFFFAOYSA-N N-methylpyrazole Chemical compound CN1C=CC=N1 UQFQONCQIQEYPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O Chemical compound N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VRDIULHPQTYCLN-UHFFFAOYSA-N Prothionamide Chemical compound CCCC1=CC(C(N)=S)=CC=N1 VRDIULHPQTYCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N TMG Natural products CNC(N)=NC LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRNKZYRMFBGSGE-UHFFFAOYSA-N [1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine Chemical compound N1=CC=CN2N=CN=C21 SRNKZYRMFBGSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000006177 alkyl benzyl group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930014345 anabasine Natural products 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N beta-propiolactone Chemical compound O=C1CCO1 VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- FBTGKUHFQIXCCN-UHFFFAOYSA-N butyl 2h-benzotriazole-4-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 FBTGKUHFQIXCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N carbonyldiimidazole Chemical compound C1=CN=CN1C(=O)N1C=CN=C1 PFKFTWBEEFSNDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000003113 dilution method Methods 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGQYPPBGSLZBEG-UHFFFAOYSA-N dimethyl(dioctadecyl)azanium Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC OGQYPPBGSLZBEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBXPYPUJPLLOIN-UHFFFAOYSA-N dimetridazole Chemical compound CC1=NC=C(N(=O)=O)N1C IBXPYPUJPLLOIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- VICYBMUVWHJEFT-UHFFFAOYSA-N dodecyltrimethylammonium ion Chemical class CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C VICYBMUVWHJEFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUDKTVXSXWAKJO-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-pyridin-2-ylacetate Chemical compound CCOC(=O)CC1=CC=CC=N1 IUDKTVXSXWAKJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate Substances CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N fomepizole Chemical compound CC=1C=NNC=1 RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004285 fomepizole Drugs 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPHAPKFKSPSKKN-UHFFFAOYSA-N hydrogen sulfate;pyrimidin-1-ium Chemical compound OS(O)(=O)=O.C1=CN=CN=C1 SPHAPKFKSPSKKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229940070023 iproniazide Drugs 0.000 description 1
- LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N isocinchomeronic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)N=C1 LVPMIMZXDYBCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 229960003299 ketamine Drugs 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960000448 lactic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940071204 lauryl sarcosinate Drugs 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSQFYUWSAZEJBL-UHFFFAOYSA-N methyl 2h-benzotriazole-4-carboxylate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC2=C1N=NN2 DSQFYUWSAZEJBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N n'-amino-n-iminomethanimidamide Chemical compound N\N=C\N=N VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N 0.000 description 1
- UKKHWKNEQBGLMI-UHFFFAOYSA-N n-pyrimidin-2-ylacetamide Chemical compound CC(=O)NC1=NC=CC=N1 UKKHWKNEQBGLMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N octadecylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCCN UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLRKPMRCTMYDMP-UHFFFAOYSA-N octyl 2h-benzotriazole-4-carboxylate Chemical compound CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 RLRKPMRCTMYDMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229960000380 propiolactone Drugs 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000918 protionamide Drugs 0.000 description 1
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008151 pyridoxamine Nutrition 0.000 description 1
- 239000011699 pyridoxamine Substances 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAAWASYJIRZXSZ-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2,4-diamine Chemical compound NC1=CC=NC(N)=N1 YAAWASYJIRZXSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N quinolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1C(O)=O GJAWHXHKYYXBSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N renifolin D Natural products CC(=C)[C@@H]1Cc2c(O)c(O)ccc2[C@H]1CC(=O)c3ccc(O)cc3O BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical class C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003495 thiamine Drugs 0.000 description 1
- 235000019157 thiamine Nutrition 0.000 description 1
- 239000011721 thiamine Substances 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N tiglic acid Natural products CC(C)=C(C)C(O)=O UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N triethyl(methoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)OC HUZZQXYTKNNCOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDSVZUAJOIQXRK-UHFFFAOYSA-N trimethyl(octadecyl)azanium Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C PDSVZUAJOIQXRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLFDLEXFOHUASB-UHFFFAOYSA-N trimethyl(tetradecyl)azanium Chemical class CCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C GLFDLEXFOHUASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical class CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Disintegrating Or Milling (AREA)
Abstract
一種研磨劑,其含有研磨粒與水,所述研磨粒包含二氧化矽粒子,所述研磨粒的平均粒徑Rave
為50 nm以上,所述研磨粒的所述平均粒徑Rave
相對於平均短徑Rmin
的比例Rave
/Rmin
為1.0~2.0,所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位為正。
Description
本發明是有關於一種研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法。
於半導體製造的領域中,隨著超大規模積體電路(Large-Scale Integration,LSI)裝置的高性能化,於先前技術的延伸線上的微細化技術中,兼顧高積體化及高速化已達到極限。因此,正在開發推進半導體元件的微細化、且在垂直方向亦高積體化的技術、亦即將配線多層化的技術(例如,參照下述專利文獻1)。
於製造將配線多層化的裝置的製程中,最重要的技術之一有化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技術。CMP技術是藉由化學氣相蒸鍍(Chemical Vapor Deposition,CVD)、物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)等在基板上形成薄膜後,將其表面平坦化的技術。例如,為了確保微影的聚焦深度,利用CMP的平坦化的處理是不可或缺的。若在基板表面存在凹凸,則會產生如下不良情況:曝光步驟中的對焦無法進行、或無法充分地形成微細的配線結構等。另外,CMP技術於裝置的製造過程中亦應用於:藉由電漿氧化膜(p-TEOS、p-SiH4
、BPSG、HDP-SiO2
等)、塗佈型氧化膜(SOD、HSG等)等絕緣膜的研磨而形成元件分離區域的步驟;形成層間絕緣膜的步驟;或於將絕緣膜埋入至金屬配線後將插塞或配線(例如,Al、Cu、W、Ti、Ta、Co、Ru、Mn及該些的氮化物)平坦化的步驟等。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利第4944836號說明書
[發明所欲解決之課題] 且說,作為研磨對象的氧化矽膜可列舉使用四乙氧基矽烷(以下,稱為TEOS(Tetraethoxy silane))而獲得的TEOS膜,有時根據目的,利用使用單矽烷(以下,稱為SiH4
)而獲得的SiH4
膜作為緻密性較TEOS膜而言更高的氧化矽膜。然而,於先前技術中難以利用高研磨速度來去除TEOS膜及SiH4
膜。
本發明欲解決所述課題,其目的在於提供一種可以高研磨速度來去除TEOS膜及SiH4
膜的研磨劑。另外,本發明的目的在於提供一種用以獲得所述研磨劑的研磨劑用儲存液。進而,本發明的目的在於提供一種使用所述研磨劑的研磨方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人重複努力研究,結果發現,可藉由使用特定的研磨粒來解決所述課題。
本發明的研磨劑為含有研磨粒與水的研磨劑,所述研磨粒包含二氧化矽粒子,所述研磨粒的平均粒徑Rave
為50 nm以上,所述研磨粒的所述平均粒徑Rave
相對於平均短徑Rmin
的比例Rave
/Rmin
為1.0~2.0,所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位(zeta potential)為正。
根據本發明的研磨劑,可以高研磨速度來去除TEOS膜及SiH4
膜。
所述二氧化矽粒子較佳為包含膠體二氧化矽。該情況下,可保持TEOS膜的高研磨速度並容易減少研磨損傷。
所述平均粒徑Rave
較佳為50 nm~100 nm。另外,所述平均粒徑Rave
較佳為超過60 nm。
所述比例Rave
/Rmin
較佳為1.0~1.7。該情況下,可容易地獲得SiH4
膜的高研磨速度。
本發明的研磨劑亦可含有pH調整劑。該情況下,可容易地將研磨劑的pH調整為最佳的值。
本發明的研磨劑的pH較佳為2.0~4.0。該情況下,可獲得TEOS膜的更良好的研磨速度,並且可抑制研磨粒的凝聚,從而獲得研磨粒的良好的分散穩定性。
本發明的研磨劑用儲存液是用以獲得本發明的研磨劑的研磨劑用儲存液,可藉由以水進行稀釋而獲得所述研磨劑。該情況下,可減小研磨劑的輸送、保管等所必需的成本、空間等。
本發明的研磨方法包含使用本發明的研磨劑或以水稀釋本發明的研磨劑用儲存液而獲得的研磨劑,對氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除的步驟。根據本發明的研磨方法,可以高研磨速度來去除氧化矽膜。所述氧化矽膜亦可包含選自由TEOS膜及SiH4
膜所組成的群組中的至少一種。 [發明的效果]
根據本發明,可提供一種可以高研磨速度來去除TEOS膜及SiH4
膜的研磨劑。另外,根據本發明,可提供一種用以獲得所述研磨劑的研磨劑用儲存液。進而,根據本發明,可提供一種使用所述研磨劑的研磨方法。根據本發明,可提供一種研磨劑於氧化矽膜的研磨中的應用。根據本發明,可提供一種研磨劑於包含選自由TEOS膜及SiH4
膜所組成的群組中的至少一種的氧化矽膜的研磨中的應用。
<定義> 關於本說明書中的「步驟」一詞,不僅包含獨立的步驟,亦包含無法與其他步驟明確區分但可達成該步驟的預期作用的步驟。
本說明書中,「~」表示包含其前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。本說明書中階段性地記載的數值範圍中,某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可置換為另一階段的數值範圍的上限值或下限值。本說明書中記載的數值範圍中,所述數值範圍的上限值或下限值亦可置換為實施例中所示的值。
本說明書中,所謂「A或B」只要包含A及B的其中一者即可,亦可包含兩者。
本說明書中關於組成物中的各成分的含量,於組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下,只要無特別說明,則是指存在於組成物中的該多種物質的合計量。
本說明書中,所謂「研磨速度(去除速度(Removal Rate))」,是指每單位時間內將被研磨材料去除的速度。
本說明書中,所謂「將研磨劑用儲存液稀釋至X倍」,是指於藉由向研磨劑用儲存液中加入水等而獲得研磨劑時,研磨劑的質量為研磨劑用儲存液的質量的X倍般的稀釋。例如,加入相對於研磨劑用儲存液的質量而為同質量的水獲得研磨劑的情況下,定義為將研磨劑用儲存液稀釋至2倍。
以下,對本發明的實施形態進行說明。
<研磨劑> 本實施形態的研磨劑(以下,有時簡稱為「研磨劑」)為於研磨時與被研磨面接觸的組成物,例如為CMP用研磨劑。
本實施形態的研磨劑為含有研磨粒與水的研磨劑,所述研磨粒包含二氧化矽粒子,所述研磨粒的平均粒徑Rave
為50 nm以上,所述研磨粒的所述平均粒徑Rave
相對於平均短徑Rmin
的比例Rave
/Rmin
為1.0~2.0,所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位為正。本實施形態的研磨劑例如為用以對TEOS膜、SiH4
膜等氧化矽膜(例如,具有氧化矽膜的基體中的氧化矽膜)進行研磨的研磨劑,可對氧化矽膜進行研磨來去除氧化矽膜的至少一部分。本實施形態的研磨劑亦可用以對氧化矽膜以及金屬材料(例如,銅系金屬、鈷系金屬、釕系金屬等配線金屬;鉭系金屬、鈦系金屬、錳系金屬等障壁金屬)同時進行研磨。
以下,對本實施形態的研磨劑所含的成分等進行詳細說明。
(研磨粒) 本實施形態的研磨劑含有包含二氧化矽粒子的研磨粒。二氧化矽粒子為包含二氧化矽的粒子。以二氧化矽粒子的總量為基準,二氧化矽粒子中的二氧化矽的含量亦可為50質量%以上,亦可為70質量%以上,亦可為90質量%以上,亦可為95質量%以上,亦可為98質量%以上。二氧化矽粒子亦可為包含二氧化矽的粒子(實質上粒子的100質量%為二氧化矽的粒子)。
就可保持絕緣膜的高研磨速度並容易減少研磨損傷的觀點而言,二氧化矽粒子較佳為包含選自由膠體二氧化矽、燻製二氧化矽及該些的改質物所組成的群組中的至少一種,更佳為包含膠體二氧化矽。所述膠體二氧化矽可容易地獲取市售品。
作為所述改質物,可列舉:以烷基對包含二氧化矽的氫氧化物等的粒子的表面進行改質而成者、使其他粒子附著於粒子的表面而成的複合粒子等。以烷基對粒子的表面進行改質的方法並無特別限制,例如可列舉使存在於粒子表面的羥基(hydroxyl group)、與具有烷基的烷氧基矽烷反應的方法。具有烷基的烷氧基矽烷並無特別限制,可列舉:單甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基單甲氧基矽烷、單乙基三甲氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、三乙基單甲氧基矽烷、單甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、三甲基單乙氧基矽烷等。反應方法並無特別限制,例如可於含有粒子與烷氧基矽烷的研磨劑(室溫下的研磨劑等)中反應,亦可進行加熱以加速所述反應。
研磨粒的平均粒徑Rave
為50 nm以上,研磨粒的平均粒徑Rave
相對於平均短徑Rmin
的比例Rave
/Rmin
為1.0~2.0。若平均粒徑Rave
為50 nm以上,則可以高研磨速度去除SiH4
膜。另外,若比例Rave
/Rmin
為2.0以下,則可以高研磨速度去除SiH4
膜。
就容易獲得充分的機械研磨力、且獲得TEOS膜的更高的研磨速度的觀點而言,研磨粒的平均粒徑Rave
較佳為超過50 nm,更佳為55 nm以上,進而佳為超過55 nm,特佳為60 nm以上,極佳為超過60 nm,非常佳為70 nm以上,進一步更佳為超過70 nm,進而更佳為80 nm以上,進而特佳為超過80 nm。就可獲得研磨劑中的研磨粒的良好的分散穩定性、並且藉由研磨而產生的研磨損傷的發生次數更少的觀點而言,研磨粒的平均粒徑Rave
較佳為300 nm以下,更佳為250 nm以下,進而佳為200 nm以下,特佳為150 nm以下,極佳為120 nm以下,非常佳為100 nm以下。就以上的觀點而言,研磨粒的平均粒徑Rave
較佳為50 nm~300 nm,更佳為50 nm~120 nm,進而佳為50 nm~100 nm。
所謂研磨粒的「平均粒徑」是指研磨粒的平均二次粒徑。所述平均粒徑是指藉由動態光散射式粒度分佈計(例如,庫爾特電子(COULTER Electronics)公司製造的商品名:庫爾特(COULTER)N4SD)對研磨劑進行測定而得的平均粒徑的值(體積分佈的中值徑、累積中央值)。
具體而言,平均粒徑可依照下述順序來測定。首先,量取100 μL(L表示公升。以下相同)左右的研磨劑,利用離子交換水以研磨粒的含量成為0.05質量%左右(測定時透過率(H)為60%~70%的含量)的方式稀釋而獲得稀釋液。然後,將稀釋液投入至動態光散射式粒度分佈計的試樣槽中,並讀取以平均粒徑的形式顯示的值,藉此可測定平均粒徑。
平均短徑Rmin
可利用公知的穿透式電子顯微鏡(例如,日立製作所股份有限公司製造的商品名:H-7100FA)來測定。短徑例如為關於使用穿透式電子顯微鏡並拍攝研磨粒的圖像而獲得的粒子(一個獨立的一次粒子)的像,將粒子的像的端部與端部連結的距離中最短的距離。平均短徑Rmin
為規定數的短徑的平均值,於使用膠體二氧化矽作為研磨粒的情況下,通常粒徑一致,因此所測定的粒子數例如可為10粒子左右。
就可獲得SiH4
膜的更良好的研磨速度的觀點而言,Rave
/Rmin
較佳為下述的範圍。Rave
/Rmin
較佳為1.0以上,更佳為1.1以上。Rave
/Rmin
較佳為1.9以下,更佳為1.7以下,進而佳為1.5以下,特佳為1.3以下。就該些觀點而言,Rave
/Rmin
較佳為1.0~1.9,更佳為1.0~1.7,進而佳為1.1~1.5,特佳為1.1~1.3。
研磨粒的平均粒度分佈的標準偏差較佳為10 nm以下,更佳為5 nm以下。於平均粒度分佈的標準偏差的測定中,例如可將研磨劑中的研磨粒投入至庫爾特電子(COULTER Electronics)公司製造的庫爾特(COULTER)N4SD中,藉由粒度分佈的圖表而獲得標準偏差的值。
研磨粒於研磨劑中具有正的界面電位。可認為藉由於研磨劑(例如,pH為2.0~4.0的研磨劑)中使用具有正電荷的研磨粒,研磨粒以靜電方式作用於TEOS膜,故TEOS膜的研磨速度容易變高。
研磨粒是否於研磨劑中具有正電荷可藉由測定研磨劑中的研磨粒的界面電位來判斷。於測定研磨劑中的研磨粒的界面電位而數值超過0 mV的情況下,可判斷研磨粒具有正電荷。
界面電位例如可利用貝克曼庫爾特(Beckman Coulter)股份有限公司製造的商品名:德爾薩奈米(DELSA NANO)C來測定。界面電位(ζ[mV])可依照下述順序來測定。首先,以於界面電位的測定裝置中測定樣品的散射強度成為1.0×104
cps~5.0×104
cps(此處,所謂「cps」是指counts per second、即計數每秒,為粒子的計數單位)的方式,以純水稀釋研磨劑而獲得樣品。然後,將樣品放入至界面電位測定用池中測定界面電位。為了將散射強度調整為所述範圍,例如以將研磨粒的含量調整為1.7質量%~1.8質量%的方式稀釋研磨劑。
就可獲得TEOS膜的更高的研磨速度的觀點而言,研磨粒的界面電位的下限較佳為1 mV以上,更佳為5 mV以上,進而佳為10 mV以上,特佳為13 mV以上。研磨粒的界面電位的上限並無特別限制,亦可為100 mV以下,亦可為50 mV以下,亦可為30 mV以下,亦可為20 mV以下。就該些觀點而言,研磨粒的界面電位較佳為1 mV~50 mV。
就容易獲得充分的機械研磨力、並獲得TEOS膜及SiH4
膜的更高的研磨速度的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,研磨粒的含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.1質量%以上,進而佳為0.5質量%以上,特佳為1質量%以上,極佳為3質量%以上,非常佳為5質量%以上。就容易避免研磨劑的黏度上昇的觀點、容易避免研磨粒的凝聚的觀點、容易減少研磨損傷的觀點、容易操作研磨劑的觀點等而言,以研磨劑的總質量基準計,研磨粒的含量較佳為20質量%以下,更佳為15質量%以下,進而佳為10質量%以下,特佳為8質量%以下。就該些觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,研磨粒的含量較佳為0.01質量%~20質量%,更佳為1質量%~15質量%,進而佳為3質量%~10質量%,特佳為5質量%~10質量%。
(水) 本實施形態的研磨劑含有水。水可用作其他成分的分散介質或溶媒。水較佳為儘可能不含雜質以防止妨礙其他成分的作用。具體而言,水較佳為選自由純水、超純水及蒸餾水所組成的群組中的至少一種來作為利用離子交換樹脂去除雜質離子後通過過濾器而去除異物後的水。
(研磨劑的pH及pH調整劑) 就可獲得TEOS膜的更良好的研磨速度的觀點、及抑制研磨粒的凝聚而獲得研磨粒的良好的分散穩定性的觀點而言,本實施形態的研磨劑的pH較佳為未滿7.0,更佳為6.0以下,進而佳為未滿6.0,特佳為5.0以下,極佳為未滿5.0,非常佳為4.0以下,進一步更佳為未滿4.0,進而更佳為3.8以下,進而特佳為3.5以下,進而極佳為3.0以下。就操作的安全方面優異的觀點、及容易獲得充分的機械研磨力、TEOS膜的研磨速度進一步提高的觀點而言,研磨劑的pH較佳為2.0以上,更佳為2.3以上,進而佳為2.5以上。就該些觀點而言,研磨劑的pH較佳為2.0以上且未滿7.0,更佳為2.0~5.0,進而佳為2.0~4.0。pH是定義為液溫25℃下的pH。
研磨劑的pH可藉由使用通常的玻璃電極的pH計來測定。具體而言,例如可使用崛場製作所股份有限公司的商品名:Model(F-51)。例如,可藉由以下方式獲得pH的測定值:使用鄰苯二甲酸鹽pH標準液(pH:4.01)、中性磷酸鹽pH標準液(pH:6.86)、硼酸鹽pH標準液(pH:9.18)作為pH標準液,將pH計進行3點校正後,將pH計的電極放入至研磨劑中,測定經過2分鐘以上而穩定後的值。此時,pH標準液及研磨劑的液溫例如為25℃。
本實施形態的研磨劑亦可含有pH調整劑(pH調整劑成分)。藉由使用pH調整劑,可容易地調整研磨劑的pH。作為pH調整劑,可列舉酸成分(酸性成分);鹼成分(例如,KOH、氨等鹼成分)等。作為pH調整劑,可使用後述的螯合劑。
(添加劑) 本實施形態的研磨劑可含有添加劑作為研磨粒及水以外的成分。添加劑可出於提高研磨劑中的研磨粒的分散性、提高研磨劑的化學穩定性、提高研磨速度等目的而使用。作為添加劑,可列舉:螯合劑(螯合劑成分)、防腐蝕劑、氧化劑、有機溶媒、界面活性劑、消泡劑等。
[螯合劑] 螯合劑除作為所述pH調整劑的效果以外,亦可提高配線金屬及障壁金屬的研磨速度。就提高配線金屬及障壁金屬的研磨速度的觀點而言,螯合劑較佳為選自由有機酸成分及無機酸成分所組成的群組中的至少一種酸成分。
作為有機酸成分,可列舉:有機酸(胺基酸除外)、有機酸酯、有機酸鹽、胺基酸等。作為有機酸,可列舉:甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、甘醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、3-甲基鄰苯二甲酸、4-甲基鄰苯二甲酸、3-胺基鄰苯二甲酸、4-胺基鄰苯二甲酸、3-硝基鄰苯二甲酸、4-硝基鄰苯二甲酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、對甲苯磺酸、對苯酚磺酸、甲基磺酸、乳酸、衣康酸、2-喹啉甲酸(quinaldic acid)等。作為有機酸酯,可列舉所述有機酸的酯等。作為有機酸鹽,可列舉:所述有機酸的銨鹽、鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、鹵化物等。作為胺基酸,可列舉:丙胺酸(alanine)、精胺酸(arginine)、天冬醯胺酸(asparagine)、天冬胺酸(aspartic acid)、半胱胺酸(cysteine)、麩醯胺酸(glutamine)、麩胺酸(glutamic acid)、甘胺酸(glycine)、組胺酸(histidine)、異白胺酸(isoleucine)、白胺酸(leucine)、離胺酸(lysine)、甲硫胺酸(methionine)、苯丙胺酸(phenylalanine)、脯胺酸(proline)、絲胺酸(serine)、蘇胺酸(threonine)、色胺酸(tryptophan)、酪胺酸(tyrosine)、纈胺酸(valine)等。
作為無機酸成分,可列舉:無機酸、該無機酸的銨鹽、過硫酸銨、硝酸銨、氯化銨、鉻酸等。作為無機酸,可列舉鹽酸、硫酸、硝酸等。
例如,於被研磨對象(被研磨基板等)為包含積體電路用元件的矽基板的情況下,不期望由鹼金屬、鹼土金屬、鹵化物等所致的污染,因此所述酸成分的鹽較佳為鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽及鹵化物以外的鹽。
就可維持實用的研磨速度且有效地抑制蝕刻速度的觀點而言,螯合劑較佳為選自由乙酸、丙二酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、水楊酸、己二酸、鄰苯二甲酸、甘醇酸及琥珀酸所組成的群組中的至少一種。螯合劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
就可獲得配線金屬及障壁金屬的更良好的研磨速度的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,螯合劑的含量較佳為0.001質量%以上,更佳為0.002質量%以上,進而佳為0.005質量%以上,特佳為0.01質量%以上,極佳為0.05質量%以上,非常佳為0.1質量%以上。就容易抑制蝕刻而減少被研磨面的粗糙的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,螯合劑的含量較佳為20質量%以下,更佳為10質量%以下,進而佳為5質量%以下。
[防腐蝕劑] 本實施形態的研磨劑亦可含有防腐蝕劑(防腐蝕劑成分、金屬防腐蝕劑)。防腐蝕劑藉由相對於配線金屬(銅系金屬、鈷系金屬等)形成保護膜,而可容易抑制配線金屬的蝕刻從而減少被研磨面的粗糙。
防腐蝕劑並無特別限制,現有的作為對金屬材料具有防腐蝕作用的化合物而公知的成分的任一者均可使用。具體而言,作為防腐蝕劑,可使用選自由三唑化合物、吡啶化合物、吡唑化合物、嘧啶化合物、咪唑化合物、胍化合物、噻唑化合物、四唑化合物、三嗪化合物及六亞甲基四胺所組成的群組中的至少一種。此處,所謂「化合物」是具有其骨架的化合物的總稱,例如,所謂「三唑化合物」,是指具有三唑骨架的化合物。防腐蝕劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
作為三唑化合物,可列舉:1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、3-胺基-1H-1,2,4-三唑、苯并三唑(BTA)、1-羥基苯并三唑、1-二羥基丙基苯并三唑、2,3-二羧基丙基苯并三唑、4-羥基苯并三唑、4-羧基-1H-苯并三唑、4-羧基-1H-苯并三唑甲基酯(1H-苯并三唑-4-羧酸甲酯)、4-羧基-1H-苯并三唑丁基酯(1H-苯并三唑-4-羧酸丁酯)、4-羧基-1H-苯并三唑辛基酯(1H-苯并三唑-4-羧酸辛酯)、5-己基苯并三唑、(1,2,3-苯并三唑基-1-甲基)(1,2,4-三唑基-1-甲基)(2-乙基己基)胺、甲苯基三唑、萘并三唑、雙[(1-苯并三唑基)甲基]膦酸、3H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶-3-醇、1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、1-乙醯基-1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、3-羥基吡啶、1,2,4-三唑并[1,5-a]嘧啶、1,3,4,6,7,8-六氫-2H-嘧啶并[1,2-a]嘧啶、2-甲基-5,7-二苯基-[1,2,4]三唑并[1,5-a]嘧啶、2-甲基磺醯基-5,7-二苯基-[1,2,4]三唑并[1,5-a]嘧啶、2-甲基磺醯基-5,7-二苯基-4,7-二氫-[1,2,4]三唑并[1,5-a]嘧啶等。再者,將一分子中具有三唑骨架及除此以外的骨架的化合物分類至三唑化合物。
作為吡啶化合物,可列舉:吡啶、8-羥基喹啉、丙硫異菸胺(prothionamide)、2-硝基吡啶-3-醇、吡哆胺(pyridoxamine)、菸鹼醯胺、異丙異菸肼(iproniazide)、異菸鹼酸、苯并[f]喹啉、2,5-吡啶二羧酸、4-苯乙烯基吡啶、毒黍鹼(anabasine)、4-硝基吡啶-1-氧化物、吡啶-3-乙酸乙酯、喹啉、2-乙基吡啶、喹啉酸、檳榔鹼(arecoline)、檸嗪酸(citrazinic acid)、吡啶-3-甲醇、2-甲基-5-乙基吡啶、2-氟吡啶、五氟吡啶、6-甲基吡啶-3-醇、吡啶-2-乙酸乙酯等。
作為吡唑化合物,可列舉:吡唑、1-烯丙基-4.0-二甲基吡唑、4.0-二(2-吡啶基)吡唑、4.0-二異丙基吡唑、4.0-二甲基-1-羥基甲基吡唑、4.0-二甲基-1-苯基吡唑、4.0-二甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、4-甲基吡唑、N-甲基吡唑、3-胺基吡唑等。
作為嘧啶化合物,可列舉:嘧啶、1,3-二苯基-嘧啶-2,4,6-三酮、1,4,5,6-四氫嘧啶、2,4,5,6-四胺基嘧啶硫酸鹽、2,4,5-三羥基嘧啶、2,4,6-三胺基嘧啶、2,4,6-三氯嘧啶、2,4,6-三甲氧基嘧啶、2,4,6-三苯基嘧啶、2,4-二胺基-6-羥基嘧啶、2,4-二胺基嘧啶、2-乙醯胺嘧啶、2-胺基嘧啶、4-胺基吡唑并[3,4-d]嘧啶等。
作為咪唑化合物,可列舉:咪唑、1,1'-羰基雙-1H-咪唑、1,1'-草醯基二咪唑、1,2,4,5-四甲基咪唑、1,2-二甲基-5-硝基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-(3-胺基丙基)咪唑、1-丁基咪唑、1-乙基咪唑、1-甲基咪唑、苯并咪唑等。
作為胍化合物,可列舉:胍、1,1,3,3-四甲基胍、1,2,3-三苯基胍、1,3-二-鄰甲苯基胍、1,3-二苯基胍等。
作為噻唑化合物,可列舉:噻唑、2-巰基苯并噻唑、2,4-二甲基噻唑等。
作為四唑化合物,可列舉:四唑、5-甲基四唑、5-胺基-1H-四唑、1-(2-二甲基胺基乙基)-5-巰基四唑等。
作為三嗪化合物,可列舉:三嗪、3,4-二氫-3-羥基-4-氧代-1,2,4-三嗪等。
就可容易地抑制金屬材料的腐蝕及表面粗糙的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,防腐蝕劑的含量較佳為0.001質量%以上,更佳為0.01質量%以上,進而佳為0.02質量%以上,特佳為0.05質量%以上,極佳為0.1質量%以上。就減少被研磨面(例如,基板的被研磨面)中的金屬材料與防腐蝕劑的錯合物異物的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,防腐蝕劑的含量較佳為10質量%以下,更佳為5.0質量%以下,進而佳為0.5質量%以下。
就較佳地獲得藉由相對於銅系金屬、鈷系金屬等配線金屬形成保護膜來抑制配線金屬的蝕刻,從而容易減少被研磨面的粗糙的效果的觀點而言,防腐蝕劑較佳為選自由三唑化合物、吡啶化合物、咪唑化合物、四唑化合物、三嗪化合物及六亞甲基四胺所組成的群組中的至少一種,更佳為選自由3H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶-3-醇、1-羥基苯并三唑、1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、苯并三唑、3-羥基吡啶、苯并咪唑、5-胺基-1H-四唑、3,4-二氫-3-羥基-4-氧代-1,2,4-三嗪及六亞甲基四胺所組成的群組中的至少一種。
就良好地控制蝕刻速度與研磨速度的觀點而言,研磨劑中的螯合劑的含量相對於防腐蝕劑的含量之質量比(螯合劑/防腐蝕劑)較佳為10/1~1/5,更佳為7/1~1/5,進而佳為5/1~1/5,特佳為5/1~1/1。
[氧化劑] 本實施形態的研磨劑亦可含有氧化劑(氧化劑成分、金屬氧化劑)。藉由研磨劑含有氧化劑,可提高金屬材料(配線金屬、障壁金屬等。例如金屬層)的研磨速度。
於使用含有防腐蝕劑及氧化劑的研磨劑,對具備絕緣膜與由該絕緣膜被覆的金屬材料(例如,銅系金屬、鈷系金屬等配線金屬;障壁金屬)的基體進行研磨的情況下,氧化劑相對於金屬材料而形成氧化膜,防腐蝕劑於所述氧化膜的上部形成保護膜,藉此可充分地抑制金屬材料的蝕刻,並適度地對金屬材料進行研磨。另外,可容易地抑制金屬材料的研磨損傷。
氧化劑並無特別限制,可自通常所使用的氧化劑中適當選擇。具體而言,作為氧化劑,可列舉:過氧化氫、過氧硫酸鹽、過碘酸鉀、次氯酸(hypochlorous acid)、臭氧水等,該些中較佳為過氧化氫。再者,作為所述酸成分的硝酸具有作為氧化劑的添加效果。氧化劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
就容易防止金屬材料的氧化變得不充分而金屬材料的研磨速度下降的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,氧化劑的含量較佳為0.01質量%以上,更佳為0.05質量%以上,進而佳為0.1質量%以上,特佳為0.5質量%以上,極佳為1質量%以上。就可容易地抑制於被研磨面產生粗糙並且容易將凹陷(dishing)抑制得小的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,氧化劑的含量較佳為10質量%以下,更佳為8質量%以下,進而佳為5質量%以下,特佳為3質量%以下。再者,於使用過氧化氫水般通常可作為水溶液獲取的氧化劑的情況下,可以該水溶液中所含的氧化劑的含量於研磨劑中處於所述範圍的方式調整氧化劑的含量。
[有機溶媒] 本實施形態的研磨劑亦可含有有機溶媒。藉由研磨劑含有有機溶媒,可進一步提高研磨劑的濡濕性。有機溶媒並無特別限制,較佳為於20℃下為液狀的溶媒。就使研磨劑高濃縮化的觀點而言,有機溶媒於100 g的水(20℃)中的溶解度較佳為30 g以上,更佳為50 g以上,進而佳為100 g以上。有機溶媒可單獨使用一種或組合使用兩種以上。
作為有機溶媒,可列舉:碳酸酯類、內酯類、二醇類、二醇類的衍生物等。作為碳酸酯類,可列舉:碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸甲基乙基酯等。作為內酯類,可列舉丁內酯、丙內酯等。 作為二醇類,可列舉:乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等。作為二醇類的衍生物,可列舉二醇單醚類、二醇二醚類等。作為二醇單醚類,可列舉:乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、三丙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、丙二醇單丙醚、二乙二醇單丙醚、二丙二醇單丙醚、三乙二醇單丙醚、三丙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單丁醚等。作為二醇二醚類,可列舉:乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、三丙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二乙醚、二丙二醇二乙醚、三乙二醇二乙醚、三丙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、丙二醇二丙醚、二乙二醇二丙醚、二丙二醇二丙醚、三乙二醇二丙醚、三丙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、丙二醇二丁醚、二乙二醇二丁醚、二丙二醇二丁醚、三乙二醇二丁醚、三丙二醇二丁醚等。就表面張力低的觀點而言,有機溶媒較佳為選自由二醇類、及二醇類的衍生物所組成的群組中的至少一種,就表面張力更低的觀點而言,更佳為二醇單醚類。
就抑制研磨劑相對於被研磨材料的濡濕性降低的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,有機溶媒的含量較佳為0.500質量%以上,更佳為1.000質量%以上。就分散穩定性優異的觀點而言,以研磨劑的總質量基準計,有機溶媒的含量較佳為20.000質量%以下,更佳為15.000質量%以下,進而佳為10.000質量%以下。
[界面活性劑] 研磨劑亦可含有界面活性劑(界面活性劑成分)。藉由研磨劑含有界面活性劑,可容易地調整被研磨材料的研磨速度,並且可容易地減少研磨損傷。
作為界面活性劑,可列舉:水溶性陰離子性界面活性劑、水溶性非離子性界面活性劑、水溶性陽離子性界面活性劑等。作為水溶性陰離子性界面活性劑,可列舉:月桂基硫酸銨、聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨、烷基磷酸酯鹽、聚氧乙烯烷基醚磷酸鹽、月桂醯基肌胺酸鹽等。作為水溶性非離子性界面活性劑,可列舉聚氧乙烯月桂基醚、聚乙二醇單硬脂酸酯等。作為水溶性陽離子性界面活性劑,可列舉:十六烷基三甲基銨鹽、肉豆蔻基三甲基銨鹽、月桂基三甲基銨鹽、硬脂基三甲基銨鹽、鯨蠟基三甲基銨鹽、二硬脂基二甲基銨鹽、烷基苄基二甲基銨鹽、椰子胺乙酸酯(coconut amine acetate)、硬脂胺乙酸酯等。該些中,界面活性劑較佳為水溶性陰離子性界面活性劑。特別是更佳為使用:使用銨鹽或四甲基銨鹽作為共聚合成分而獲得的高分子分散劑等水溶性陰離子性界面活性劑的至少一種。界面活性劑可單獨使用一種或組合使用兩種以上。以研磨劑的總質量基準計,界面活性劑的含量例如為0.0001質量%~0.1質量%。
(其他) 研磨劑所含的各成分的調配方法及研磨劑的稀釋方法並無特別限制,例如可藉由翼式攪拌機的攪拌、或超音波分散等使各成分分散或溶解。各成分於水中的混合順序並無限定。
本實施形態的研磨劑可以至少包含研磨粒與水的一液式研磨劑的形式保存,亦可以具有漿料(第一液)與添加液(第二液)的多液式研磨劑的形式保存。對於多液式研磨劑,以將漿料與添加液混合而形成所述研磨劑的方式將所述研磨劑的構成成分分為漿料與添加液。漿料例如至少包含研磨粒及水。添加液例如至少包含水。漿料及添加液中,添加劑(pH調整劑、螯合劑、防腐蝕劑、氧化劑、有機溶媒、界面活性劑、消泡劑等)較佳為包含於添加液中。再者,研磨劑的構成成分亦可分為三液以上來保存。
對於多液式研磨劑而言,可於即將研磨之前或研磨時將漿料及添加液混合而製備研磨劑。亦可將多液式研磨劑中的漿料與添加液分別供給至研磨壓盤上,於研磨壓盤上將漿料及添加液混合,使用所得的研磨劑對被研磨面進行研磨。
<研磨劑用儲存液> 本實施形態的研磨劑用儲存液為用以獲得所述研磨劑的儲存液,可藉由以水稀釋研磨劑用儲存液來獲得所述研磨劑。研磨劑用儲存液是較使用時減少水的量而保管,且可於使用前或使用時以水進行稀釋而用作所述研磨劑。研磨劑用儲存液於水的含量少於所述研磨劑的方面,與所述研磨劑不同。稀釋倍率例如為1.5倍以上。
<研磨方法> 本實施形態的研磨方法具備使用研磨劑對氧化矽膜的至少一部分進行研磨(CMP等)並加以去除的研磨步驟。於所述研磨步驟中,可對包含氧化矽膜的被研磨面進行研磨。於所述研磨步驟中,可使用研磨劑對具有氧化矽膜的基體的所述氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除。氧化矽膜亦可包含選自由TEOS膜及SiH4
膜所組成的群組中的至少一種。基體例如亦可具有形成於在表面具有凹部及凸部的基板上的膜。基體例如亦可為配線板或電路基板。基體並不限於在基板表面整體僅形成有氧化矽膜者,亦可為在基板表面除了氧化矽膜外進一步具有氮化矽膜、多晶矽膜等者。另外,該研磨方法亦可應用於:在具有規定的配線的配線板上,形成氧化矽膜;玻璃、氮化矽等無機絕緣膜;主要含有多矽、Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta、TaN等的膜等的基體。
作為形成氧化矽膜的方法,可列舉低壓CVD法、電漿CVD法等。關於藉由低壓CVD法的氧化矽膜的形成,可使用單矽烷(SiH4
)作為Si源,且可使用氧氣(O2
)作為氧源。藉由在400℃以下的低溫下進行該SiH4
-O2
系氧化反應,而形成氧化矽膜。根據情況,在CVD後實施1000℃或其以下的溫度下的熱處理。
電漿CVD法具有以下優點:於通常的熱平衡下可在低溫下進行必需高溫的化學反應。作為電漿產生法,可列舉電容耦合型及電感耦合型這兩種。作為反應氣體,例如可列舉:使用SiH4
作為Si源、使用N2
O作為氧源的SiH4
-N2
O系氣體,及將四乙氧基矽烷(TEOS)用於Si源的TEOS-O2
系氣體(TEOS-電漿CVD法)。基板溫度較佳為250℃~400℃的範圍,反應壓力較佳為67 Pa~400 Pa的範圍。
為了謀求藉由高溫回焊所致的表面平坦化,亦可於氧化矽膜中摻雜磷(P)。該情況下,較佳為使用SiH4
-O2
-PH3
系反應氣體。如此,研磨對象的氧化矽膜亦可為摻雜了磷、硼等元素者。
所述研磨步驟可為使用一液式研磨劑對氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除的步驟,亦可為使用將多液式研磨劑中的漿料與添加液混合而獲得的研磨劑對氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除的步驟,抑或可為使用以水稀釋研磨劑用儲存液而獲得的研磨劑對氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除的步驟。
於研磨步驟中,亦可對除氧化矽膜以外還具備金屬材料的基體進行研磨。
於使用多液式研磨劑的情況下,本實施形態的研磨方法亦可於研磨步驟之前具備將多液式研磨劑中的漿料與添加液混合而獲得研磨劑的研磨劑製備步驟。於使用研磨劑用儲存液的情況下,本實施形態的研磨方法亦可於研磨步驟之前具備以水稀釋研磨劑用儲存液而獲得研磨劑的研磨劑製備步驟。
於研磨步驟中,例如將基體的被研磨面按壓於研磨壓盤的研磨布(研磨墊)上,對被研磨面與研磨布之間供給研磨劑,於對基體的背面(與被研磨面相反的面)施加規定壓力的狀態下,使基體相對於研磨壓盤而相對地移動,藉此可對被研磨面進行研磨。
作為研磨裝置,例如可使用通常的研磨裝置,該通常的研磨裝置具有安裝有轉速可變的馬達等且可貼附研磨布的壓盤、及保持基體的固持器。研磨布並無特別限制,可使用通常的不織布、發泡聚胺基甲酸酯、多孔質氟樹脂等。對研磨條件並無特別限制,為了不使基體飛出,壓盤的旋轉速度較佳為200次/分鐘以下的低旋轉。例如於研磨的期間中,可利用泵等對研磨布連續地供給研磨劑。研磨劑的供給量並無限制,較佳為研磨布的表面一直由研磨劑所覆蓋,並且將因進行研磨而產生的產物連續地排出。
為了使研磨布的表面一直為同一狀態來進行研磨,本實施形態的研磨方法較佳為於研磨步驟之前具備研磨布的調整(conditioning)步驟。例如可使用帶有金剛石粒子的修整器(dresser),利用至少包含水的液體進行研磨布的調整。本實施形態的研磨方法較佳為於研磨步驟後具備基體清洗步驟。較佳為將研磨結束後的基體於流水中充分清洗後,使用旋轉乾燥器等將附著於基體上的水滴撣落後,加以乾燥。另外,更佳為藉由如下的公知的清洗方法進行清洗後加以乾燥:於基體表面上流動市售的清洗液,並且一面使由聚乙烯醇系樹脂所製成的刷子旋轉一面以一定壓力將該刷子按壓於基體上而將基體上的附著物去除。
就縮短研磨時間的觀點而言,TEOS膜的研磨速度較佳為50 nm/min以上,更佳為70 nm/min以上,進而佳為100 nm/min以上。就抑制進行TEOS膜、配線金屬等的凹部的過量研磨而平坦性進一步提高的觀點、及容易調整研磨時間的觀點而言,TEOS膜的研磨速度較佳為1000 nm/min以下,更佳為500 nm/min以下。
就縮短研磨時間的觀點而言,SiH4
膜的研磨速度較佳為15 nm/min以上,更佳為20 nm/min以上。就抑制進行TEOS膜、配線金屬等的凹部的過量研磨而平坦性進一步提高的觀點、及容易調整研磨時間的觀點而言,SiH4
膜的研磨速度較佳為1000 nm/min以下,更佳為500 nm/min以下。 [實施例]
以下,藉由實施例對本發明加以更詳細說明,但只要不脫離本發明的技術思想,則本發明不限定於該些實施例。例如,研磨劑的材料的種類及其調配比例亦可為本實施例記載的種類及比例以外的種類及比例,研磨對象的組成及結構亦可為本實施例記載的組成及結構以外的組成及結構。
<研磨劑的製備> (實施例1) 以研磨劑的pH成為2.5的方式,相對於研磨粒(膠體二氧化矽1)5.00質量份而注入丙二酸(pH調整劑)後,注入X質量份的超純水而獲得研磨劑100質量份。再者,超純水的調配量(X質量份)是以研磨劑成為100質量份的方式計算而調整。
(實施例2~實施例3及比較例1~比較例6) 除如表1般變更研磨粒的種類(膠體二氧化矽2~膠體二氧化矽9)以外,利用與實施例1相同的方法來製備研磨劑。
(比較例7) 將研磨粒(膠體二氧化矽1)10.00質量份放入至容器中。其次,以研磨劑的pH成為10.0的方式注入KOH與丙二酸後,注入X質量份的超純水而獲得研磨劑100質量份。再者,超純水的調配量(X質量份)是以研磨劑成為100質量份的方式計算而調整。
<研磨粒的粒徑的測定> 使用動態光散射式粒度分佈計(庫爾特電子(COULTER Electronics)公司製造的商品名:庫爾特(COULTER)N4SD),測定研磨劑中的研磨粒的平均粒徑Rave
。將結果示於表1中。
使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所股份有限公司製造,商品名:H-7100FA)來測定研磨劑中的研磨粒的平均短徑Rmin
。使用穿透式電子顯微鏡並拍攝研磨粒的圖像,關於10個粒子(一個獨立的一次粒子)的像的各個,獲得將粒子的像的端部與端部連結的距離中最短的距離作為短徑。而且,獲得10個短徑的平均值作為平均短徑Rmin
。另外,算出比例Rave
/Rmin
。將結果示於表1中。
<界面電位的測定> 如下述般測定研磨劑中的研磨粒的界面電位。作為界面電位的測定裝置,使用貝克曼庫爾特(Beckman Coulter)股份有限公司製造的商品名:德爾薩奈米(DELSA NANO)C。以於界面電位的測定裝置中測定樣品的散射強度成為1.0×104
cps~5.0×104
cps的方式以純水稀釋研磨劑而獲得樣品。然後,將所獲得的樣品放入至界面電位測定用池中測定界面電位。將結果示於表1中。
<研磨劑的pH的測定> 於下述條件下測定研磨劑的pH。將結果示於表1中。 測定溫度:25℃±5℃ 測定裝置:崛場製作所股份有限公司的商品名:Model(F-51) 測定方法:使用鄰苯二甲酸鹽pH標準液(pH:4.01)、中性磷酸鹽pH標準液(pH:6.86)及硼酸鹽pH標準液(pH:9.18)作為pH標準液,將pH計進行3點校正後,將pH計的電極放入至研磨劑中,藉由所述測定裝置來測定經過2分鐘以上而穩定後的pH。
<研磨速度的評價> 作為具有被研磨膜的基體,使用在矽基板上具有膜厚500 nm的TEOS膜的基體、及在矽基板上具有膜厚200 nm的SiH4
膜的基體。將所述基體切成20 mm見方的晶圓來準備評價用晶圓。使用所述中製備的研磨劑,於下述研磨條件下對評價用晶圓的被研磨膜進行60秒鐘的化學機械研磨。
[研磨條件] 研磨裝置:桌上研磨機(日本英格斯(Engis)股份有限公司製造,商品名:IMPTECH 10 DVT) 研磨布:麂皮(suede)狀發泡聚胺基甲酸酯樹脂製研磨布 壓盤轉速:120次/分鐘 研磨壓力:33 kPa 研磨劑的供給量:10 mL/min
對在所述研磨條件下研磨的基體的被研磨面供給蒸餾水30秒鐘。最後,藉由對基體對準液氮槍而將蒸餾水彈飛,使基體乾燥。
研磨速度是根據測定研磨前後的被研磨膜的膜厚而獲得的膜厚差來算出。於TEOS膜及SiH4
膜的膜厚的測定時使用膜厚測定裝置(耐諾(Nanometrics)公司製造,商品名:NanoSpac)。任意選擇評價用晶圓內的5點,算出其平均值作為膜厚。將研磨速度的測定結果示於表1中。
如表1所示,可知與比較例相比,於實施例中可以高研磨速度來去除TEOS膜及SiH4
膜。
無
無
Claims (11)
- 一種研磨劑,其含有研磨粒與水,所述研磨粒包含二氧化矽粒子,所述研磨粒的平均二次粒徑Rave為50nm以上,所述研磨粒的所述平均二次粒徑Rave相對於平均短徑Rmin的比例Rave/Rmin為1.0~1.3,所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位為正。
- 如申請專利範圍第1項所述的研磨劑,其中所述比例Rave/Rmin為1.1~1.3。
- 一種研磨劑,其含有研磨粒與水,所述研磨粒包含二氧化矽粒子,所述研磨粒的平均二次粒徑Rave為50nm以上,所述研磨粒的所述平均二次粒徑Rave相對於平均短徑Rmin的比例Rave/Rmin為1.7~2.0,所述研磨劑中的所述研磨粒的界面電位為正。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的研磨劑,其中所述二氧化矽粒子包含膠體二氧化矽。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的研磨劑,其中所述平均二次粒徑Rave為50nm~100nm。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的研磨劑,其中所述平均二次粒徑Rave超過60nm。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的研磨 劑,其更含有pH調整劑。
- 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的研磨劑,其中pH為2.0~4.0。
- 一種研磨劑用儲存液,其是用以獲得如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的研磨劑的研磨劑用儲存液,其中藉由以水進行稀釋所述研磨劑用儲存液而獲得所述研磨劑。
- 一種研磨方法,其包含使用如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的研磨劑、或以水稀釋如申請專利範圍第9項所述的研磨劑用儲存液而獲得的研磨劑,對氧化矽膜的至少一部分進行研磨並加以去除的步驟。
- 如申請專利範圍第10項所述的研磨方法,其中所述氧化矽膜包含選自由四乙氧基矽烷膜及單矽烷膜所組成的群組中的至少一種。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017048555 | 2017-03-14 | ||
JP2017-048555 | 2017-03-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201834053A TW201834053A (zh) | 2018-09-16 |
TWI804488B true TWI804488B (zh) | 2023-06-11 |
Family
ID=63523093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107108185A TWI804488B (zh) | 2017-03-14 | 2018-03-12 | 研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11034860B2 (zh) |
JP (1) | JP6915678B2 (zh) |
KR (2) | KR20190122724A (zh) |
TW (1) | TWI804488B (zh) |
WO (1) | WO2018168534A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7487507B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-05-21 | 株式会社レゾナック | 研磨剤及び研磨方法 |
JP7201117B1 (ja) | 2022-04-26 | 2023-01-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨用組成物、シリコンウェーハの研磨方法、及び研磨装置 |
CN114958302B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-06-18 | 珠海戴蒙斯科技有限公司 | 一种高效的研磨液及其制备方法和应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022511A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | Cmp用研磨液、cmp用研磨液用貯蔵液、研磨方法、半導体基板及び電子機器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4944836A (en) | 1985-10-28 | 1990-07-31 | International Business Machines Corporation | Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate |
TWI291987B (en) * | 2003-07-04 | 2008-01-01 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
JP4944836B2 (ja) | 2008-05-26 | 2012-06-06 | 株式会社クボタ | 作業車の操作制御装置 |
JP5516396B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2014-06-11 | 旭硝子株式会社 | 研磨スラリー、その製造方法、研磨方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
CN105070657B (zh) | 2009-08-19 | 2018-03-30 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及其应用、研磨方法 |
JP5844135B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2016-01-13 | 花王株式会社 | 研磨液組成物の製造方法 |
TWI593791B (zh) * | 2011-01-25 | 2017-08-01 | 日立化成股份有限公司 | Cmp研磨液及其製造方法、複合粒子的製造方法以及基體的研磨方法 |
JP2015189898A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
CN107001913B (zh) * | 2014-06-25 | 2019-06-28 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 胶态氧化硅化学-机械抛光组合物 |
WO2016158324A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
2018
- 2018-03-02 KR KR1020197027412A patent/KR20190122724A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-03-02 WO PCT/JP2018/008133 patent/WO2018168534A1/ja active Application Filing
- 2018-03-02 US US16/493,409 patent/US11034860B2/en active Active
- 2018-03-02 JP JP2019505885A patent/JP6915678B2/ja active Active
- 2018-03-02 KR KR1020217036261A patent/KR102492098B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-12 TW TW107108185A patent/TWI804488B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022511A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Hitachi Chemical Co Ltd | Cmp用研磨液、cmp用研磨液用貯蔵液、研磨方法、半導体基板及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11034860B2 (en) | 2021-06-15 |
WO2018168534A1 (ja) | 2018-09-20 |
TW201834053A (zh) | 2018-09-16 |
KR20210137241A (ko) | 2021-11-17 |
KR20190122724A (ko) | 2019-10-30 |
JPWO2018168534A1 (ja) | 2019-12-19 |
US20200017718A1 (en) | 2020-01-16 |
KR102492098B1 (ko) | 2023-01-26 |
JP6915678B2 (ja) | 2021-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI745288B (zh) | 樹脂研磨用研磨劑、研磨劑用儲藏液及研磨方法 | |
JP5381701B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
JP5516604B2 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
WO2010067844A1 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
KR102532672B1 (ko) | 연마액 및 연마 방법 | |
JP2003124160A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
WO2013137220A1 (ja) | 研磨方法 | |
JP6520711B2 (ja) | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 | |
JP2011003665A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 | |
JP5493526B2 (ja) | Cmp用研磨液及び研磨方法 | |
TWI804488B (zh) | 研磨劑、研磨劑用儲存液及研磨方法 | |
JP6620597B2 (ja) | Cmp研磨液及び研磨方法 | |
WO2018056122A1 (ja) | スラリ及び研磨方法 | |
JP6878772B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP2009278061A (ja) | Cmp用研磨液及び研磨方法 | |
JP6878783B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 | |
JP2012134358A (ja) | Cmp研磨液及び研磨方法 | |
WO2019030827A1 (ja) | 研磨方法及び研磨液 | |
JP7487507B2 (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
JP2021145090A (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP2010114402A (ja) | Cmp用研磨液及びこのcmp用研磨液を用いた研磨方法 |