TWI799173B - 金屬層的布局設計方法 - Google Patents
金屬層的布局設計方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI799173B TWI799173B TW111108266A TW111108266A TWI799173B TW I799173 B TWI799173 B TW I799173B TW 111108266 A TW111108266 A TW 111108266A TW 111108266 A TW111108266 A TW 111108266A TW I799173 B TWI799173 B TW I799173B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal layer
- angle
- pattern
- metal
- design method
- Prior art date
Links
Images
Abstract
一種金屬層的布局設計方法，包括以下步驟。提供金屬圖案，其中金屬圖案具有外角或內角為90度的至少一個直角部分。在符合設計規則下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分。
Description
本發明是有關於一種布局設計(layout design)方法，且特別是有關於一種金屬層的布局設計方法。
在一些半導體製程中，當金屬層中的金屬圖案具有外角或內角為90度的直角部分時，會使得後續形成在金屬層上的膜層(如，保護層(passivation layer)因應力而產生裂痕。因此，如何防止後續形成在金屬層上的膜層產生裂痕為目前持續努力的目標。
本發明提供一種金屬層的布局設計方法，其可防止後續形成在金屬層上的膜層產生裂痕。
本發明提出一種金屬層的布局設計方法，包括以下步驟。提供金屬圖案，其中金屬圖案具有外角或內角為90度的至少一個直角部分。在符合設計規則(design rule)下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，對外角為90度的直角部分進行的修飾處理可包括在直角部分加上修飾圖案。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，修飾圖案可為直角三角形或直角扇形。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，對內角為90度的直角部分進行的修飾處理可包括從直角部分除去一個具有直角的圖案。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，具有直角的圖案可為直角三角形。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，設計規則可包括金屬圖案的線寬必須大於或等於設計規則所規定的最小線寬。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，設計規則可包括相鄰兩個金屬圖案的間距(spacing)必須大於或等於設計規則所規定的最小間距。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，在金屬圖案中可具有穿孔(slot)。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，設計規則可包括金屬圖案中的穿孔的最小寬度必須大於或等於設計規則所規定的最小寬度。
依照本發明的一實施例所述，在上述金屬層的布局設計方法中，金屬層可為最上層金屬層(top metal layer)。
基於上述，在本發明所提出的金屬層的布局設計方法中，在符合設計規則下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分。藉此，可有效地減少金屬層布局中的金屬圖案的直角部分，而獲得經修飾後的金屬層布局。如此一來，在依據上述經修飾後的金屬層布局來形成金屬層之後，由於金屬層中的金屬圖案具有較少的直角部分，因此可防止後續形成在金屬層上的膜層產生裂痕。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文列舉實施例並配合附圖來進行詳細地說明，但所提供的實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。為了方便理解，在下述說明中相同的構件將以相同的符號標示來說明。此外，附圖僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。
圖1為根據本發明的一些實施例的金屬層的布局設計方法的流程圖。圖2A、圖3A與圖4A為根據本發明的一些實施例在進行修飾處理前的金屬層布局的示意圖。圖2B、圖3B與圖4B為根據本發明的一些實施例在進行修飾處理後的金屬層布局的示意圖。
在一些實施例中，金屬層的布局設計方法可為用以定義金屬層的光罩的布局設計方法。請參照圖1，進行步驟S100，提供金屬圖案，其中金屬圖案具有外角或內角為90度的至少一個直角部分。在一些實施例中，金屬層可為最上層金屬層。在一些實施例中，在金屬圖案中可具有穿孔。舉例來說，步驟S100所提供的金屬圖案可為圖2A的金屬圖案100、圖3A的金屬圖案200與圖4A的金屬圖案300中的至少一者。此外，金屬圖案的形狀可依據產品設計來進行決定，並不限於圖1A、圖2A與圖3A中的形狀。
如圖2A所示，金屬圖案100可具有外角θ1為90度的直角部分P1、內角θ2為90度的直角部分P2、內角θ3為90度的直角部分P3、內角θ4為90度的直角部分P4、內角θ5為90度的直角部分P5與內角θ6為90度的直角部分P6。
如圖3A所示，金屬圖案200可具有外角θ7為90度的直角部分P7、外角θ8為90度的直角部分P8、外角θ9為90度的直角部分P9、外角θ10為90度的直角部分P10、內角θ11為90度的直角部分P11、內角θ12為90度的直角部分P12、內角θ13為90度的直角部分P13與內角θ14為90度的直角部分P14。此外，在金屬圖案200中可具有穿孔S。
如圖4A所示，金屬圖案300可具有內角θ15為90度的直角部分P15、內角θ16為90度的直角部分P16、內角θ17為90度的直角部分P17與內角θ18為90度的直角部分P18。
接著，請參照圖1，進行步驟S102，在符合設計規則下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分。亦即，在經修飾處理後的金屬圖案符合設計規則的情況下，才會對金屬圖案的直角部分進行修飾處理。換言之，若經修飾處理後的金屬圖案不符合設計規則，則不會對金屬圖案的直角部分進行修飾處理。此外，藉由步驟S102的修飾處理，可有效地減少金屬層布局中的金屬圖案的直角部分，而獲得經修飾後的金屬層布局。
在一些實施例中，設計規則可包括金屬圖案的線寬必須大於或等於設計規則所規定的最小線寬，以防止依據上述經修飾後的金屬層布局所形成的金屬層中的金屬圖案產生斷線。在一些實施例中，設計規則可包括相鄰兩個金屬圖案的間距必須大於或等於設計規則所規定的最小間距，以防止依據上述經修飾後的金屬層布局所形成的金屬層中的相鄰兩個金屬圖案發生短路。在一些實施例中，設計規則可包括金屬圖案中的穿孔的最小寬度必須大於或等於設計規則所規定的最小寬度，以防止依據上述經修飾後的金屬層布局所形成的金屬層的金屬圖案中的穿孔封閉。
在一些實施例中，對外角為90度的直角部分進行的修飾處理可包括在直角部分加上修飾圖案。在一些實施例中，修飾圖案可為直角三角形或直角扇形，但本發明並不以此為限。在本實施例中，將直角扇形定義為頂角為90度的扇形。
舉例來說，如圖2B與圖3B所示，可在直角部分P1以及直角部分P7~直角部分P10分別加上修飾圖案MP1，而使得直角部分P1與直角部分P7~直角部分P10分別轉變成非直角部分P1A以及非直角部分P7A~非直角部分P10A。如此一來，相較於圖2A的金屬層布局中的金屬圖案100，圖2B的金屬層布局中的金屬圖案100a可具有較少的直角部分。此外，相較於圖3A的金屬層布局中的金屬圖案200，圖3B的金屬層布局中的金屬圖案200a可具有較少的直角部分。在本實施例中，修飾圖案MP1可為直角三角形，但本發明並不以此為限。
在一些實施例中，對內角為90度的直角部分進行的修飾處理可包括從直角部分除去一個具有直角的圖案。在一些實施例中，具有直角的圖案可包括直角三角形，但本發明並不以此為限。
舉例來說，如圖2B、圖3B與圖4B所示，可從直角部分P2~直角部分P6以及直角部分P11~直角部分P18分別除去一個具有直角的圖案MP2，而使得直角部分P2~直角部分P6以及直角部分P11~直角部分P18分別轉變成非直角部分P2A~非直角部分P6A以及非直角部分P11A~非直角部分P18A。如此一來，相較於圖2A的金屬層布局中的金屬圖案100，圖2B的金屬層布局中的金屬圖案100a可具有較少的直角部分。相較於圖3A的金屬層布局中的金屬圖案200，圖3B的金屬層布局中的金屬圖案200a可具有較少的直角部分。相較於圖4A的金屬層布局中的金屬圖案300，圖4B的金屬層布局中的金屬圖案300a可具有較少的直角部分。在本實施例中，具有直角的圖案MP2可為直角三角形，但本發明並不以此為限。
基於上述實施例可知，在上述金屬層的布局設計方法中，在符合設計規則下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分。藉此，可有效地減少金屬層布局中的金屬圖案的直角部分，而獲得經修飾後的金屬層布局。如此一來，在依據上述經修飾後的金屬層布局來形成金屬層之後，由於金屬層中的金屬圖案具有較少的直角部分，因此可防止後續形成在金屬層上的膜層產生裂痕。
圖2C與圖3C為根據本發明的另一些實施例在進行修飾處理後的金屬層布局的示意圖。
請參照圖2B與圖2C，圖2C的金屬層布局中的金屬圖案100b與圖2B的金屬層布局中的金屬圖案100a的差異如下。在圖2C中，金屬圖案100b中的修飾圖案MP3為直角扇形。此外，圖2C的金屬圖案100b與圖2B的金屬圖案100a中相同的構件使用相同的符號表示，於此不再說明。
請參照圖3B與圖3C，圖3C的金屬層布局中的金屬圖案200b與圖3B的金屬層布局中的金屬圖案200a的差異如下。在圖3C中，金屬圖案200b中的修飾圖案MP4為直角扇形。此外，圖3C的金屬圖案200b與圖3B的金屬圖案200a中相同的構件使用相同的符號表示，於此不再說明。
綜上所述，在上述實施例所提出的金屬層的布局設計方法中，在符合設計規則下，對金屬圖案的直角部分進行修飾處理，而使得直角部分轉變成非直角部分，藉此可獲得經修飾後的金屬層布局。如此一來，由於依據上述經修飾後的金屬層布局所形成的金屬層中的金屬圖案具有較少的直角部分，因此可防止後續形成在金屬層上的膜層產生裂痕。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100, 100a, 100b, 200, 200a, 200b, 300, 300a:金屬圖案
MP1, MP3, MP4:修飾圖案
MP2:具有直角的圖案
P1~P18:直角部分
P1A~P18A:非直角部分
S:穿孔
S100, S102:步驟
θ1, θ7~θ10:外角
θ2~θ6, θ11~θ18:內角
圖1為根據本發明的一些實施例的金屬層的布局設計方法的流程圖。
圖2A、圖3A與圖4A為根據本發明的一些實施例在進行修飾處理前的金屬層布局的示意圖。
圖2B、圖3B與圖4B為根據本發明的一些實施例在進行修飾處理後的金屬層布局的示意圖。
圖2C與圖3C為根據本發明的另一些實施例在進行修飾處理後的金屬層布局的示意圖。
S100,S102:步驟
Claims (10)
- 一種金屬層的布局設計方法，包括：提供金屬圖案，其中所述金屬圖案具有內角為90度的至少一個第一直角部分；以及在符合設計規則下，對所述金屬圖案的所述第一直角部分進行第一修飾處理，而使得所述第一直角部分轉變成非直角部分。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中所述金屬圖案更具有外角為90度的至少一個第二直角部分，且所述金屬層的布局設計方法更包括：在符合設計規則下，對所述金屬圖案的所述第二直角部分進行第二修飾處理，而使得所述第二直角部分轉變成非直角部分，其中對所述第二直角部分進行的所述第二修飾處理包括：在所述第二直角部分加上修飾圖案。
- 如請求項2所述的金屬層的布局設計方法，其中所述修飾圖案包括直角三角形或直角扇形。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中對所述第一直角部分進行的所述第一修飾處理包括：從所述第一直角部分除去一個具有直角的圖案。
- 如請求項4所述的金屬層的布局設計方法，其中所述具有直角的圖案包括直角三角形。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中所述設計規則包括所述金屬圖案的線寬必須大於或等於所述設計規則所規定的最小線寬。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中所述設計規則包括相鄰兩個所述金屬圖案的間距必須大於或等於所述設計規則所規定的最小間距。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中在所述金屬圖案中具有穿孔。
- 如請求項8所述的金屬層的布局設計方法，其中所述設計規則包括所述金屬圖案中的所述穿孔的最小寬度必須大於或等於所述設計規則所規定的最小寬度。
- 如請求項1所述的金屬層的布局設計方法，其中所述金屬層包括最上層金屬層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111108266A TWI799173B (zh) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 金屬層的布局設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111108266A TWI799173B (zh) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 金屬層的布局設計方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI799173B true TWI799173B (zh) | 2023-04-11 |
| TW202336630A TW202336630A (zh) | 2023-09-16 |
Family
ID=86948890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111108266A TWI799173B (zh) | 2022-03-07 | 2022-03-07 | 金屬層的布局設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI799173B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116504716A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-07-28 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体顶层金属的opc修补方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1301480A (zh) * | 1998-05-19 | 2001-06-27 | 伊比登株式会社 | 印刷布线板和印刷布线板的制造方法 |
| TW564517B (en) * | 2002-10-02 | 2003-12-01 | Pei-Ren Jang | Integrated circuit and its manufacturing method |
| US20150357196A1 (en) * | 2013-03-12 | 2015-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing Defects in Patterning Processes |
| US20160377982A1 (en) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Tokyo Electron Limited | Methods of Forming a Mask for Substrate Patterning |
| TW201804597A (zh) * | 2006-03-09 | 2018-02-01 | 泰拉創新股份有限公司 | 半導體晶片及積體電路製造方法 |
-
2022
- 2022-03-07 TW TW111108266A patent/TWI799173B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1301480A (zh) * | 1998-05-19 | 2001-06-27 | 伊比登株式会社 | 印刷布线板和印刷布线板的制造方法 |
| TW564517B (en) * | 2002-10-02 | 2003-12-01 | Pei-Ren Jang | Integrated circuit and its manufacturing method |
| TW201804597A (zh) * | 2006-03-09 | 2018-02-01 | 泰拉創新股份有限公司 | 半導體晶片及積體電路製造方法 |
| US20150357196A1 (en) * | 2013-03-12 | 2015-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing Defects in Patterning Processes |
| US20160377982A1 (en) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Tokyo Electron Limited | Methods of Forming a Mask for Substrate Patterning |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116504716A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-07-28 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体顶层金属的opc修补方法 |
| CN116504716B (zh) * | 2023-06-21 | 2024-01-26 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 半导体顶层金属的opc修补方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202336630A (zh) | 2023-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI799173B (zh) | 金屬層的布局設計方法 | |
| US20050273754A1 (en) | Pattern data correction method, pattern checking method, pattern check program, photo mask producing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| CN103309150B (zh) | 版图数据的处理方法 | |
| US7818709B2 (en) | Circuit-pattern-data correction method and semiconductor-device manufacturing method | |
| JP5606932B2 (ja) | マスクの製造方法ならびに光近接効果補正の補正方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20160117432A1 (en) | Method and apparatus for assisted metal routing | |
| TWI470677B (zh) | 觸控結構之成形方法 | |
| CN102385242A (zh) | 掩膜版制作方法及系统 | |
| JP4556757B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US8074188B2 (en) | Method for designing mask including forming a mesh dummy pattern | |
| CN100592494C (zh) | 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法 | |
| US7951652B2 (en) | Mask layout method, and semiconductor device and method for fabricating the same | |
| US9335626B2 (en) | Mask design and decomposition for sidewall image transfer | |
| CN116594256A (zh) | 改善电镀填孔能力的光学邻近修正方法 | |
| JP4675504B2 (ja) | マスクパターンの設計方法 | |
| KR100815953B1 (ko) | 오프 그리드 방지를 위한 ｏｐｃ 처리방법 | |
| JP2011039346A (ja) | 半導体装置の設計方法、半導体装置、プログラム、及び半導体設計装置 | |
| CN113050365A (zh) | 光学邻近修正方法及系统、掩模版、设备与介质 | |
| US9484300B2 (en) | Device resulting from printing minimum width semiconductor features at non-minimum pitch | |
| US10474026B2 (en) | Method for correcting bevel corners of a layout pattern | |
| US8592104B2 (en) | Mask for forming patterns of semiconductor device | |
| KR100858055B1 (ko) | 박판 인쇄 회로 기판을 위한 동박 하프 에칭 방법 | |
| US20140149952A1 (en) | Trench silicide mask generation using designated trench transfer and trench block regions | |
| KR101802582B1 (ko) | 집적 회로 설계를 위한 레이아웃 최적화 | |
| US20060257795A1 (en) | Method for forming composite pattern including different types of patterns |