CN116504716B - 半导体顶层金属的opc修补方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体顶层金属的OPC修补方法，包括：在衬底上形成顶层金属图案，顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在第一金属线的直角弯内角方向的设定范围区域内，与第一金属线平行或垂直的第二金属线；以第一金属线的直角弯内角顶点为原点，取半径为R的圆形区域与第一金属线的直角弯内角区域的重叠部分形成扇形区域；根据扇形区域内第一金属线与第二金属线的最小间距，在第一金属线的直角弯内角处修补目标金属，目标金属的形状是直角边长为H的等边直角三角形。本申请能够有效预防内角区域钝化层直角太直而导致的开裂现象，提高钝化层里面金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体顶层金属的OPC修补方法。
背景技术
在半导体制造工艺中，半导体的钝化层是芯片上的一层保护层，主要是由OX和SIN组成，以预防空气中的其他水气和微粒杂质等对芯片有害的物质进入，起到了保护芯片的作用，而当钝化层存在裂缝不良时，相当于失去了钝化层的保护作用，在后续封装或者使用过程中，空气中的水气或者酸性气体会进入其中导致电路短路失效。
裂缝产出的主要原因是由于钝化层的介质层和金属层之间的界面应力导致，目前对于钝化层的裂缝问题，主流方法是通过改善设计规格（design rule）来减小应力，通过大量的实验数据，规定出最小的厚铝金属排线和空间，主要方向是减小金属排线（metalline）的宽度，增大金属排线之间的空间，或者design rule 上规定metal line不能是直角（比如电感线圈的拐角不能是直角，只能是135°/ 45°的拐角），目前这样的方法不具备通用性，也就是说不同的钝化层工艺，对应的design rule是需要重新验证和改善的，如果使用同样的design rule，钝化层产生裂缝的可能性依旧很大，而且这种通过design rule减少metal line的密度，增加空间的方法来避免裂缝，对于客户来说相当于能用的芯片面积变少了, 增加了设计的难度。
现有技术中的钝化层裂缝主要集中在metal line的直角弯内角位置，原因在于此位置的钝化层容易形成分层的晶界线（seams），晶界线在后续的工艺过程中会被应力涨大，从而形成了裂缝，导致钝化层作用失效，这种情况需要改变。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种半导体顶层金属的OPC修补方法，以预防金属线及钝化层内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。
为实现以上目的，根据第一方面，采用的技术方案为：
一种半导体顶层金属的OPC修补方法，包括：在衬底上形成顶层金属图案，所述顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在所述第一金属线的直角弯的内角方向与所述第一金属线平行或垂直的第二金属线；以所述第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，取预设半径值为R的圆形区域与所述第一金属线的直角弯内角区域的重叠部分形成扇形区域；根据所述扇形区域内所述第一金属线与所述第二金属线的最小间距，在所述第一金属线的直角弯内角处修补第一目标金属，所述第一目标金属的形状是直角边长为H1的等边直角三角形；在所述第一金属线以及所述第一目标金属上沉积钝化层。
本申请进一步设置为：设定所述第一金属线与所述第二金属线的最小间距为a，得到所述原点与所述第二金属线的最小距离A为√2a，设定所述第一目标金属至所述第二金属线的最小间距为所述a，则所述H1=√2（√2a－a）≈0.586a。
本申请进一步设置为：预设所述第一金属线以及所述第二金属线的最小线宽为W，则所述预设半径值R=2W。
本申请进一步设置为：在所述第一金属线上通过光学邻近效应修正工艺沉积所述第一目标金属以及所述钝化层。
本申请进一步设置为：所述第一金属线与所述第一目标金属一体成形。
本申请进一步设置为：所述钝化层包括氧化层和SIN层，所述氧化层包括TiO2或Al2O3。
本申请进一步设置为：所述第一金属线以及所述第二金属线由金属铝材料沉积制成。
本申请进一步设置为：所述在衬底上形成顶层金属图案，具体包括：提供一衬底，在所述衬底表面沉积一层SiO2作为底部层；在所述底部层上涂布光刻胶并软烘；通过掩膜光刻所述底部层，暴露所述底部层的光刻图案；基于所述光刻图案，进行金属沉积，且清洗所述光刻胶；在所述衬底上形成顶层金属图案。
根据第二方面，采用的技术方案为：
一种半导体顶层金属的OPC修补方法，包括：在衬底上形成顶层金属图案，所述顶层金属图案包括至少有一个直角弯的第一金属线以及与所述第一金属线等间距排列的若干个第二金属线；选取所述第一金属线的所述直角弯的内角顶点为原点，加载预设半径值R，形成以所述内角顶点的两条侧边为边界的扇形区域，其中，预设所述第一金属线以及所述第二金属线的最小线宽为W，则所述预设半径值R=2W；判断所述扇形区域内是否存在所述第二金属线；当所述扇形区域内存在所述第二金属线时，在所述第一金属线的内角顶点处修补第一目标金属，所述第一目标金属的形状为等边直角三角形，其中，设定所述第一金属线与所述第二金属线之间的间隙距离为a，得到所述原点与所述第二金属线的外角顶点的距离A为√2a，设定所述第一目标金属的斜边至所述第二金属线的外角顶点的距离为所述a，则：H1=√2（√2a－a）≈0.586a，所述H1为所述第一目标金属的直角边的边长；在所述第一金属线以及所述第一目标金属上沉积钝化层。
本申请进一步设置为：当所述扇形区域内不存在所述第二金属线时，在所述第一金属线的内角顶点处设定第二目标金属，则：H2≈0.586（2*W），其中，所述H2为所述第二目标金属的直角边的边长；在所述第一金属线以及所述第二目标金属上沉积钝化层。
综上所述，与现有技术相比，本申请公开了一种半导体顶层金属的OPC修补方法，在衬底上形成包括具有直角弯的第一金属线，以及在第一金属线的直角弯的内角方向与第一金属线平行或垂直的第二金属线的顶层金属图案，以第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，取预设半径值为R，构成一扇形区域，在扇形区域内，根据第一金属线与第二金属线的最小间距，在第一金属线的直角弯内角处修补第一目标金属，即通过上述设置，预防金属线及钝化层内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实施例的第一种半导体顶层金属的OPC修补方法的流程图；
图2是本实施例的第一种半导体顶层金属图案的剖面示意图；
图3是图2的A处放大图；
图4是本实施例的第二种半导体顶层金属图案的剖面示意图；
图5是本实施例的第三种半导体顶层金属图案的剖面示意图；
图6是本实施例的第二种半导体顶层金属的OPC修补方法的流程图。
具体实施方式
这里将详细的对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性地包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以混合地使用。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
以下将通过具体实施例对本申请所示的技术方案进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
实施例一
如背景技术中所述，现有技术的钝化层裂缝主要集中在金属线的直角弯位置，原因在于直角弯的钝化层容易形成分层的晶界线，晶界线在后续的工艺过程中会被应力涨大，从而形成了裂缝，导致钝化层作用失效，基于此，本实施例公开一种半导体顶层金属的OPC修补方法。
请参考图1，为本实施例一公开的半导体顶层金属的OPC修补方法，具体包括：
S101，在衬底上形成顶层金属图案，顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在第一金属线的直角弯的内角方向与第一金属线平行或垂直的第二金属线。
需要说明的是，本实施例的顶层金属图案即为半导体结构的金属板图或金属排线集合，其包括有若干个金属线排布，当选取待修补优化的金属线后，待修补优化的金属线即为第一金属线，而与待修补优化的金属线相邻排列的金属线则为第二金属线。
S102，以第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，取预设半径值为R的圆形区域与第一金属线的直角弯内角区域的重叠部分形成扇形区域。
S103，根据扇形区域内第一金属线与第二金属线的最小间距，在第一金属线的直角弯内角处修补第一目标金属，第一目标金属的形状是直角边长为H1的等边直角三角形。
S104，在第一金属线以及第一目标金属上沉积钝化层。
在本实施例中，通过第一目标金属的设定，即在第一金属线的内角顶点处修补形成第一目标金属，以便于钝化层沉积后不存在直角拐点，进而预防金属线及钝化层内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。
其中，针对金属线及钝化层的修补优化，可选用光学邻近效应修正工艺进行。
下面结合半导体顶层金属图案的剖面图对本实施例的半导体顶层金属的OPC修补方法做详细说明。
请参考图2-图5，为了实现半导体器件功能，本实施例提供一衬底10，在衬底10上形成顶层金属图案20，顶层金属图案20包括具有直角弯3的第一金属线1，以及在第一金属线1的直角弯3的内角方向与第一金属线1平行或垂直的第二金属线2。
在具体实施过程中，结合图3，以第一金属线1的直角弯3的内角顶点为原点，取预设半径值为R的圆形区域与第一金属线1的直角弯3的内角区域的重叠部分形成扇形区域4，其中，预设第一金属线1以及第二金属线2的最小线宽为W，则预设半径值为2W，即R=2W，以此限定扇形区域4的覆盖面积，亦可理解为，扇形区域4以直角弯3的内角顶点为原点，加载预设半径值R，以直角弯3内角顶点的两条侧边为边界合围构成。
在本实施例中，根据扇形区域4内第一金属线1与第二金属线2的最小间距，在第一金属线1的直角弯3的内角处修补第一目标金属5，第一目标金属5的形状是直角边长为H1的等边直角三角形。
进一步的，设定第一金属线1与第二金属线2的最小间距为a，得到原点与第二金属线2的最小距离A为√2a，其中，第一金属线1与第二金属线2的最小间距即为第一金属线1与第二金属线2的间距的直线长度，在直角弯3的内角为90°的基础下，则第一金属线1的直角弯3的内角顶点至第二金属线2的外角顶点的距离为原点与第二金属线2的最小距离A，即为√2a。
进一步的，设定第一目标金属5至第二金属线2的最小间距为a，即第一目标金属5的斜边至第二金属线2的最短直线距离为a，则H1=√2（√2a－a）≈0.586a，即第一目标金属5的直角边长H1≈0.586a。
通过对第一目标金属5的直角边、斜边的设定，进而确定了第一目标金属5的覆盖面积，在应用第一金属线1与第二金属线2的最小间距为a、原点与第二金属线2的最小距离A为√2a以及得到第一目标金属5的直角边的边长为H1后，可以保证第一目标金属5在为钝化层7的修补提供轮廓限定的基础下，而不干涉第一金属线1与第二金属线2的空间距离。
即第一目标金属5为顶层金属图案20的内角修补提供了合适的形状限定，以此保证沉积后的钝化层7因第一目标金属5而消除了直角弯内角，进而预防金属线及钝化层7内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
可以理解的是，第一金属线1与第一目标金属5一体成形，且第一金属线1以及第二金属线2由金属铝材料沉积制成。
在一些实施例中，在衬底10上形成顶层金属图案20，具体包括：
提供一衬底10，在衬底10表面沉积一层SiO2作为底部层；在底部层上涂布光刻胶并软烘；通过掩膜光刻底部层，暴露底部层的光刻图案；基于光刻图案，进行金属沉积，且清洗光刻胶；在衬底10上形成顶层金属图案20。
进一步的，钝化层7的沉积亦可应用上述光刻工艺，以及利用光学邻近效应修正工艺，沉积钝化层7。
即在第一金属线1上通过光学邻近效应修正工艺(OpticalProximityCorrection,OPC)沉积第一目标金属5，以及后续的钝化层7。
在一些实施例中，可通过化学气相沉积生成钝化层7，钝化层7包括氧化层和SIN层，氧化层包括TiO2或Al2O3，以便于发挥顶层金属图案20的电学性能。
综上，通过在扇形区域4范围内，直角弯3的内角区设计第一目标金属5，并通过第一目标金属5的直角边设定，进行顶层金属图案20的OPC修补，将直角弯3的90°直角修改为由两个135°的非直角组成的内角，以此使得钝化层7沉积时，直角弯3的内角区域钝化层7平滑，能够有效预防内角区域钝化层7直角太直而导致的开裂现象，提高钝化层7里面金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
实施例二
请参考图6，为本实施例二公开的半导体顶层金属的OPC修补方法，具体包括：
S201，在衬底上形成有顶层金属图案，顶层金属图案包括至少有一个直角弯的第一金属线以及与第一金属线等间距排列的若干个第二金属线。
需要说明的是，本实施例的顶层金属图案即为半导体结构的金属板图或金属排线集合，其包括有若干个金属线排布，当选取待修补优化的金属线后，待修补优化的金属线即为第一金属线，而与待修补优化的金属线相邻排列的金属线则为第二金属线。
进一步的，金属图案包含的若干金属线中，当第一金属线修补优化完成后，重新在若干金属线中选取第一金属线，或者在金属图案包含的若干金属线同时选中若干第一金属线进行修补优化，以提高修补优化的效率。
其中，针对金属线及钝化层的修补优化，可选用光学邻近效应修正工艺进行。
S202，选取第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，加载预设半径值R，形成以内角顶点的两条侧边为边界的扇形区域。
其中，预设第一金属线以及第二金属线的最小线宽为W，则预设半径值R=2W。
S203，判断扇形区域内是否存在第二金属线；
S204，当扇形区域存在第二金属线时，在第一金属线的内角顶点处修补第一目标金属，第一目标金属的形状为等边直角三角形。
其中，设定第一金属线与第二金属线之间的间隙距离为a，得到原点与第二金属线的外角顶点的距离A为√2a，设定第一目标金属的斜边至第二金属线的外角顶点的距离为a，则：H1=√2（√2a－a）≈0.586a；
其中，H1为第一目标金属的直角边的边长。
S205，在第一金属线以及第一目标金属上沉积钝化层。
在本实施例中，通过第一目标金属的设定，即在第一金属线的内角区域形成第一目标金属，以便于钝化层沉积后不存在直角拐点，进而预防金属线及钝化层内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层稳定可靠工作。
下面结合半导体顶层金属图案的剖面图对本实施例的半导体顶层金属的OPC修补方法做详细说明。
请参考图2-图5，为了实现半导体器件功能，本实施例提供一衬底10，在衬底10上形成顶层金属图案20，顶层金属图案20包括至少有一个直角弯3的第一金属线1以及与第一金属线1等间距排列的若干个第二金属线2。
可以理解的是，为了在衬底10上最大化的发挥顶层金属图案20排布，以及充分利用衬底10上的有限空间，构成顶层金属图案20的第一金属线1和第二金属线2具有至少有一个直角弯3。
本实施例的衬底10的形成材料可以采用单晶硅、多晶硅、非晶硅或掺杂硅等材料，衬底10的材料还可以是SiGe衬底，Ⅲ-Ⅴ族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或绝缘体上硅结构，也可以是金刚石衬底或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底，例如，可以在单晶硅中注入P原子形成N型导电的半导体衬底，也可以在单晶硅中注入B原子形成P型导电的半导体衬底，以提高材料的可选择性和针对实际生产环境的适应性。
在具体实施过程中，结合图3，选取第一金属线1的直角弯3的内角顶点为原点，加载预设半径值R，形成以内角顶点的两条侧边为边界的扇形区域4，其中，预设第一金属线1以及第二金属线2的最小线宽为W，则预设半径值R为2W，即R=2W，以此限定扇形区域4的覆盖面积。
进一步的，判断扇形区域4内是否存在第二金属线2。
需要说明的是，通过金属线宽限定扇形区域4边长及覆盖面积来判断第二金属线2的方式，可确定第一金属线1与第二金属线2之间的空间距离，以此明确第一金属线1与第二金属线2的空间密度，为后续的修补优化确定具体实施方法。
当扇形区域4内存在第二金属线2时，在第一金属线1的内角顶点处修补第一目标金属5，其中，第一目标金属5的形状为等边直角三角形，在第一金属线1以及第一目标金属5上沉积钝化层7，钝化层7与第一金属线1以及第一目标金属5在轮廓上相匹配。
即通过第一目标金属5的设计，为钝化层7的沉积提供形状优化，沉积后的钝化层7因第一目标金属5而消除了直角弯内角，即将直角弯的90°直角修改为由两个135°的非直角组成的内角，钝化层7覆盖充盈在第一金属线1以及第一目标金属5上，进而预防金属线及钝化层7内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
在本实施例中，关于第一目标金属5的设定，具体包括：
设定第一金属线1与第二金属线2之间的间隙距离为a，得到原点与第二金属线2的外角顶点的距离A为√2a。
可以理解的是，上述间隙距离即为第一金属线1与第二金属线2的间隙的直线长度，在直角弯3的内角为90°的基础下，则第一金属线1的直角弯3的内角顶点至第二金属线2的外角顶点的距离A为√2a。
需要说明的是，第一金属线1与其相邻的第二金属线2等间隙排列，并且为了优化顶层金属图案20的空间排布，第二金属线2可跟随第一金属线1弯转而弯转，即第二金属线2的轮廓形状可跟随第一金属线1。
基于前述的距离A为√2a，设定第一目标金属5的斜边至第二金属线2的外角顶点的距离为a，则：H1=√2（√2a－a）≈0.586a；
其中，H1为第一目标金属5的直角边的边长。
在具体实施过程中，关于第一目标金属5的设定，亦可以限定第一目标金属5的高为√2a－a，即等同于第一目标金属5的斜边至第二金属线2的外角顶点的距离为a，由此得到第一目标金属5的直角边的边长为0.586a。
通过对第一目标金属5的直角边、斜边的设定，进而确定了第一目标金属5的覆盖面积，在应用第一金属线1与第二金属线2之间的间隙距离为a、原点与第二金属线2的外角顶点的距离A为√2a以及得到第一目标金属5的直角边的边长为H1后，可以保证第一目标金属5在为钝化层7提供形状限定的基础下，而不干涉第一金属线1与第二金属线2的空间距离。
例如避免第一目标金属5过大，而使得第一金属线1与第二金属线2的空间排布存在干涉，或避免第一目标金属5过小，使得第一目标金属5丧失修补效果。
即第一目标金属5为钝化层7的内角修补提供了合适的形状限定，以此保证沉积后的钝化层7因第一目标金属5而消除了直角弯内角，进而预防金属线及钝化层7内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
在一些实施例中，参考图4，当判断扇形区域4内是否存在第二金属线2时，若扇形区域4内不存在第二金属线2，即金属线的排布空间较为宽裕，则在第一金属线1的内角顶点处设定第二目标金属6，具体的，预设第一金属线1以及第二金属线2的最小线宽为W，则预设半径值R为2W，其中，第二目标金属6的直角边的边长H2≈0.586（2*W）。
进一步的，基于第二目标金属6，在第一金属线1以及第二目标金属6上沉积钝化层7。
即在金属线的排布空间较为宽裕的情况下，或第一金属线1与第二金属线2之间的间隙距离a较大，或不存在第二金属线2的情况下，扇形区域4内不存在第二金属线2，通过第二目标金属6的设定，优化顶层金属图案20的排布空间，保证顶层金属图案20整体协调，为钝化层7的沉积提供消去直角弯内角的轮廓限定，以此预防金属线及钝化层7内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
在一些实施例中，在衬底10上形成顶层金属图案20，具体包括：提供一衬底10，在衬底10表面沉积一层SiO2作为底部层；在底部层上涂布光刻胶并软烘；通过掩膜光刻底部层，暴露底部层的光刻图案；基于光刻图案，进行金属沉积，且清洗光刻胶；在衬底10上形成顶层金属图案20。
进一步的，钝化层7的沉积亦可应用上述光刻工艺，以及利用光学邻近效应修正工艺，沉积钝化层7。
即在第一金属线1上通过光学邻近效应修正工艺(OpticalProximityCorrection,OPC)沉积第一目标金属5以及钝化层7或在第一金属线1上通过光学邻近效应修正工艺沉积第二目标金属6以及钝化层7。
在一些实施例中，可通过化学气相沉积生成钝化层7，钝化层7包括氧化层和SIN层，氧化层包括TiO2或Al2O3，以便于发挥顶层金属图案20的电学性能。
进一步的，第一金属线1以及第二金属线2由金属铝材料沉积制成。
为了解决上述半导体钝化层裂缝主要集中在金属线的直角弯位置，直角弯的钝化层容易形成分层的晶界线，晶界线在后续的工艺过程中会被应力涨大，从而形成了裂缝，导致钝化层作用失效的问题，本实施例还公开了一种半导体结构。
参考图2-图5，该半导体结构包括衬底10，衬底10上形成有顶层金属图案20，顶层金属图案20包括至少有一个直角弯3的第一金属线1和第二金属线2，第一金属线1与第二金属线2等间距排列。
其中，第一金属线1的直角弯3的内角顶点处设有第一目标金属5或第二目标金属6，基于第一金属线1以及第一目标金属5，通过光学邻近效应修正工艺沉积钝化层7，或基于第一金属线1以及第二目标金属6，通过光学邻近效应修正工艺沉积钝化层7。
即通过第一目标金属5以及第二目标金属6的直角修补设定，进而预防金属线及钝化层7内角裂缝，提高金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
在具体实施过程中，以第一金属线1的内角顶点为原点，且以预设半径值R，形成以内角顶点的两条侧边为边界的扇形区域4，当扇形区域4内存在第二金属线2时，第一金属线1与第二金属线2之间的间隙距离为a，原点与第二金属线2的外角顶点的距离为√2a，第一目标金属5的斜边至第二金属线2的外角的顶点的距离为a，第一目标金属5的直角边的边长H1=√2（√2a－a）≈0.586a。
当扇形区域4内不存在第二金属线2时，在第一金属线1的内角顶点处设定第二目标金属6，第二目标金属6的直角边的边长H2≈0.586（2*W），其中，预设第一金属线1以及第二金属线2的最小线宽为W。
综上所述，通过第一金属线1的直角弯3内角顶点为原点，取半径为R的扇形区域4并根据扇形区域4内第一金属线1与第二金属线2的最小间距，在第一金属线1的直角弯3的内角处修补目标金属，目标金属的形状为等边直角三角形，以保证修补之后的顶层金属图案20在沉积钝化层7时，将直角弯的90°直角修改为由两个135°的非直角组成的内角，第一金属线1的直角弯3的内角区域钝化层7变得平滑，能够有效预防内角区域钝化层7直角太直而导致的开裂现象，提高钝化层7里面金属线安全性，保证钝化层7稳定可靠工作。
以上对本申请进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成顶层金属图案，所述顶层金属图案包括具有直角弯的第一金属线，以及在所述第一金属线的直角弯的内角方向与所述第一金属线平行或垂直的第二金属线；
以所述第一金属线的直角弯的内角顶点为原点，取预设半径值为R的圆形区域与所述第一金属线的直角弯的内角区域的重叠部分形成扇形区域，其中，预设所述第一金属线以及所述第二金属线的最小线宽为W，则所述预设半径值R=2W；
判断所述扇形区域内是否存在所述第二金属线；
当所述扇形区域内存在所述第二金属线时，根据所述扇形区域内所述第一金属线与所述第二金属线的最小间距a，得到所述原点与所述第二金属线的最小距离A为a，在所述第一金属线的直角弯的内角处修补第一目标金属，设定所述第一目标金属至所述第二金属线的最小间距为所述a，则所述第一目标金属的形状是直角边长为H1的等边直角三角形，所述H1=/>（/>a－a）≈0.586a；
在所述第一金属线以及所述第一目标金属上沉积钝化层。
2.如权利要求1所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，在所述第一金属线上通过光学邻近效应修正工艺沉积所述第一目标金属以及所述钝化层。
3.如权利要求2所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，所述第一金属线与所述第一目标金属一体成形。
4.如权利要求1所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化层和SIN层，所述氧化层包括TiO2或Al2O3。
5.如权利要求1所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，所述第一金属线以及所述第二金属线由金属铝材料沉积制成。
6.如权利要求1所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，所述在衬底上形成顶层金属图案，具体包括：
提供一衬底，在所述衬底表面沉积一层SiO2作为底部层；
在所述底部层上涂布光刻胶并软烘；
通过掩膜光刻所述底部层，暴露所述底部层的光刻图案；
基于所述光刻图案，进行金属沉积，且清洗所述光刻胶；
在所述衬底上形成顶层金属图案。
7.一种半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成顶层金属图案，所述顶层金属图案包括至少有一个直角弯的第一金属线以及与所述第一金属线等间距排列的若干个第二金属线；
选取所述第一金属线的所述直角弯的内角顶点为原点，加载预设半径值R，形成以所述内角顶点的两条侧边为边界的扇形区域，其中，预设所述第一金属线以及所述第二金属线的最小线宽为W，则所述预设半径值R=2W；
判断所述扇形区域内是否存在所述第二金属线；
当所述扇形区域内存在所述第二金属线时，在所述第一金属线的内角顶点处修补第一目标金属，所述第一目标金属的形状为等边直角三角形，其中，设定所述第一金属线与所述第二金属线之间的间隙距离为a，得到所述原点与所述第二金属线的外角顶点的距离A为a，设定所述第一目标金属的斜边至所述第二金属线的外角顶点的距离为所述a，则：H1=（/>a－a）≈0.586a，所述H1为所述第一目标金属的直角边的边长；
在所述第一金属线以及所述第一目标金属上沉积钝化层。
8.如权利要求7所述的半导体顶层金属的OPC修补方法，其特征在于，当所述扇形区域内不存在所述第二金属线时，在所述第一金属线的内角顶点处设定第二目标金属，则：H2≈0.586（2*W），其中，所述H2为所述第二目标金属的直角边的边长；
在所述第一金属线以及所述第二目标金属上沉积钝化层。
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