TWI789888B - 基板處理裝置 - Google Patents

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堀越章
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竹市弥生
柳田隆明
中西健二
高辻茂
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種技術，係能更均勻地對基板進行處理。基板處理裝置係具備基板保持部、處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5。基板保持部係一邊保持基板W一邊使基板W繞著通過基板W的中心部之旋轉軸線Q1旋轉。處理液噴嘴4係朝向被基板保持部保持的基板W的主表面噴出處理液。俯視觀看時第一電漿產生單元5係設置於與處理液噴嘴4彼此相鄰的位置。第一電漿產生單元5係包含：第一電極群7，係具有複數個第一電極71，俯視觀看時複數個第一電極71係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體6，係形成第一氣體流路60，第一氣體流路60係用以使氣體從鉛直上方朝向第一電極群7流動。第一電漿產生單元5係將已通過第一電極群7的氣體供給至被基板保持部保持的基板W的主表面。

Description

基板處理裝置
本發明係有關於一種基板處理裝置。
以往提出一種基板處理裝置，係用以去除形成於基板的主表面的阻劑(resist)(例如專利文獻1)。在專利文獻1中，對基板的主表面供給硫酸以及過氧化氫水的混合液。硫酸以及過氧化氫水混合，藉此硫酸與過氧化氫水反應從而生成卡洛酸(Caro's acid)。卡洛酸係能有效率地去除基板的阻劑。
然而，在此種處理中需要持續供給硫酸以及過氧化氫水，硫酸以及過氧化氫水的消耗量大。為了降低環境的負擔，謀求硫酸的使用量的減少並要求藥液消耗量的減少。為了減少藥液消耗量，以往是將硫酸予以回收再利用。然而，由於硫酸的濃度會因為硫酸與過氧化氫水混合而降低，因此難以高濃度地回收硫酸。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-88208號公報。
[發明所欲解決之課題]
因此，考量下述事情：藉由大氣壓電漿生成氧自由基(oxygen radical)等之活性物種(active species)，使該活性物種作用於硫酸，藉此生成卡洛酸。藉此，不使用過氧化氧水即能去除阻劑。
作為更具體的基板處理裝置的構成，考量設置：噴嘴，係對基板的主表面供給處理液；以及單元，係對基板的主表面供給活性物種。藉此，能對已著液至基板的主表面的處理液供給活性物種。因此，活性物種係在基板的主表面上作用於處理液，從而能使處理液的處理能力提升。藉此，能以高處理能力有效率地處理基板的主表面。
即使在使用了此種處理液以及活性物種之處理中，亦期望更均勻地對基板進行處理。
因此，本發明的目的為提供一種能更均勻地對基板進行處理之技術。 [用以解決課題之手段]
第一態樣的基板處理裝置係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面。
第二態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一電漿產生單元係進一步具備：介電區隔構件，係設置於複數個前述第一電極相互之間。
第三態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一電漿產生單元係從前述基板的前述中心部對包含周緣部之前述基板的半徑以上的區域供給前述氣體。
第四態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第三態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係包含：流路區隔部，係俯視觀看時將前述第一氣體流路區隔成複數個氣體分割流路。
第五態樣的基板處理裝置係如第三態樣所記載之基板處理裝置，其中具備：氣體供給部，係對前述第一氣體流路供給前述氣體；前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述氣體分割流路係包含第一氣體分割流路以及第二氣體分割流路；前述第一氣體分割流路與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二氣體分割流路與前述旋轉軸線之間的距離還短；前述氣體供給部係以前述第一氣體分割流路中的前述氣體的第一流速變得比前述第二氣體分割流路中的前述氣體的第二流速還高之方式對前述第一氣體分割流路以及前述第二氣體分割流路供給前述氣體。
第六態樣的基板處理裝置係如第四態樣或第五態樣所記載之基板處理裝置，其中於前述第一單元本體形成有：複數個氣體供給流路，係對複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路供給氣體；複數個前述氣體供給流路的下游口係在俯視觀看時彼此不同的位置處連繫於複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路。
第七態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第六態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：第一板狀體，係設置於前述第一氣體流路中比前述第一電極群還上游側，並具有與前述第一電極群彼此對向之複數個開口。
第八態樣的基板處理裝置係如第七態樣所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述開口係包含第一開口以及第二開口；前述第一開口與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二開口與前述旋轉軸線之間的距離還短；前述第一開口的面積係比前述第二開口的面積還小。
第九態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第八態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：擋門(shutter)，係將設置於比前述第一電極群還下游側的前述第一氣體流路的流出口予以打開以及關閉。
第十態樣的基板處理裝置係如第九態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：第二板狀體，係具有複數個流出口作為前述第一氣體流路的流出口。
第十一態樣的基板處理裝置係如第十態樣所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述流出口係包含第一流出口以及第二流出口；前述第一流出口與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二流出口與前述旋轉軸線之間的距離還短；前述第一流出口的面積係比前述第二流出口的面積還小。
第十二態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十一態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述電極相互之間的電場空間中之第一電場空間與前述旋轉軸線之間的距離係比前述電場空間中之第二電場空間與前述旋轉軸線之間的距離還短；以比施加至前述第二電場空間之電場的電場強度還高的電場強度對前述第一電場空間施加電場。
第十三態樣的基板處理裝置係如第十二態樣所記載之基板處理裝置，其中被施加至複數個前述電極中之用以形成前述第一電場空間之兩個電極之間的電壓的大小係比被施加至複數個前述電極中之用以形成前述第二電場空間之兩個電極之間的電壓的大小還大。
第十四態樣的基板處理裝置係如第十二態樣或第十三態樣所記載之基板處理裝置，其中複數個前述電極中之用以形成前述第一電場空間之兩個電極的間隔係比複數個前述電極中之用以形成前述第二電場空間之兩個電極的間隔還窄。
第十五態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十四態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備第二電漿產生單元；前述第二電漿產生單元係包含：第二電極群，係具有複數個第二電極；以及第二單元本體，係形成第二氣體流路，前述第二氣體流路係用以使氣體朝向前述第二電極群流動；前述第二電漿產生單元係將已通過前述第二電極群的前述氣體供給至從前述處理液噴嘴噴出且著液至前述基板的前述主表面之前的前述處理液。
第十六態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十五態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第一電漿產生單元係俯視觀看時圍繞前述處理液噴嘴的周圍，並與前述處理液噴嘴一起形成阻隔板；前述阻隔板係設置於比被前述基板保持部保持的前述基板的上表面還鉛直上方，並在鉛直方向與前述基板的上表面彼此對向。
第十七態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十六態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中設置有複數個前述第一電極群；複數個前述第一電極群係在前述旋轉軸線的周方向排列地設置。 [發明功效]
依據第一態樣的基板處理裝置，由於俯視觀看時第一電極彼此隔著間隔設置，因此在俯視觀看時能更廣範圍地施加電場，從而能更廣範圍地產生電漿。從而，能將電漿所致使的活性物種更廣範圍地供給至基板的主表面，藉此能更均勻地進行處理。
依據第二態樣的基板處理裝置，其中能抑制在電極之間所產生的電弧放電(arc discharge)。
依據第三態樣的基板處理裝置，其中第一電漿產生單元係對旋轉中的基板的主表面供給氣體，藉此能對基板的主表面的整面供給活性物種。
依據第四態樣的基板處理裝置，能針對每個氣體分割流路調整流量。
依據第五態樣的基板處理裝置，能使對於基板的主表面之處理的均勻性提升。
依據第六態樣的基板處理裝置，能更均勻地對氣體分割流路供給氣體。
依據第七態樣的基板處理裝置，能更均勻地對電極群供給氣體。
依據第八態樣的基板處理裝置，能使對於基板的主表面之處理的均勻性提升。
依據第九態樣的基板處理裝置，在擋門關閉流出口的狀態下，氣體滯留於第一氣體流路內，從而能生成更多的活性物種。在此狀態下擋門打開流出口，藉此能將更多的活性物種供給至基板的主表面。
依據第十態樣的基板處理裝置，能更均勻地對基板的主表面供給氣體。
依據第十一態樣的基板處理裝置，能使對於基板的主表面之處理的均勻性提升。
依據第十二態樣的基板處理裝置，能使對於基板的主表面之處理的均勻性提升。
依據第十三態樣的基板處理裝置，能在接近旋轉軸線的位置處施加高電場強度的電場。
依據第十四態樣的基板處理裝置，能在接近旋轉軸線的位置處施加高電場強度的電場。
依據第十五態樣的基板處理裝置，能使活性物種作用於著液至基板的中央部之前的處理液，從而能使著液前的處理液的處理能力提升。因此，能更適當地對基板的主表面的中央部進行處理。
依據第十六態樣的基板處理裝置，能抑制基板的上表面與阻隔板之間的氛圍(atmosphere)擴散至比阻隔板還上方的空間。此外，能防止大氣從外部混入至阻隔板與基板之間的氛圍中導致氛圍中的氣體濃度降低。
依據第十七態樣的基板處理裝置，能個別地調整周方向中的各個第一電極群的電壓，藉此能調整各個第一電極群的電場空間的強度。
以下，參照隨附的圖式說明實施形態。此外，圖式為概略性地顯示之圖，為了方便說明，適當地將構成省略以及將構成簡化。此外，圖式所示的構成的大小以及位置的相互關係並未正確地記載，會適當地變更。
此外，在以下所示的說明中，於同樣的構成要素附上相同的元件符號來圖示，且這些構成要素的名稱以及功能皆視為相同。因此，會有為了避免重複而省略這些構成要素的詳細說明之情形。
此外，在以下所記載的說明中，即使在使用了「第一」或者「第二」等排序數字之情形中，這些用語亦為為了容易理解實施形態的內容而適宜使用的用語，而非是限定於這些排序數字所產生的順序等。
只要未特別地說明，則用以表示相對性或者絕對性的位置關係之表現(例如「朝一方向」、「沿著一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」以及「同軸」等)係不僅嚴密地表示所指稱的位置關係，亦表示在公差或者能獲得相同程度的功能之範圍內角度或者距離已相對性地位移的狀態。只要未特別地說明，則用以表示相等的狀態之表現(例如「相同」、「相等」以及「均質」等)係不僅表示定量地且嚴密地相等的狀態，亦表示存在公差或者能獲得相同程度的功能之誤差的狀態。只要未特別地說明，則用以表示形狀之表現(例如「四角形狀」或者「圓筒形狀」等)係不僅幾何學性地且嚴密地表示所指稱的形狀，亦表示在能獲得相同程度的功效的範圍內具有例如凹凸或者倒角等的形狀。「具備」、「具有」、「具備有」、「含有」或者「包含」一個構成要素之此種表現並非是將其他的構成要素的存在排除之排他式的表現。「A、B以及C的至少一者」之此種表現係包含只有A、只有B、只有C、A至C中的任兩者、A至C全部。
[第一實施形態] [基板處理系統100的整體構成] 圖1係概略性地顯示基板處理系統100的構成的一例之俯視圖。基板處理系統100為葉片式的處理裝置，用以逐片地處理屬於處理對象的基板W。
基板處理系統100係在對屬於圓板狀的半導體基板之基板W進行處理後，再進行乾燥處理。在此，於基板W的主表面形成有阻劑，基板處理系統100係去除阻劑以作為對於基板W的處理。
此外，基板W並未限定於半導體基板。例如基板W係能夠應用光罩(photomask)用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板以及光磁碟用基板等之各種基板。此外，基板的形狀亦未限定於圓板形狀，例如亦能採用矩形的板狀形狀等之各種形狀。
基板處理系統100係包含裝載埠(load port)101、索引機器人(indexer robot)110、主搬運機器人120、控制部90以及複數個處理單元130。
如圖1所例示般，排列地配置有複數個裝載埠101。於各個裝載埠101被搬入有承載器(carrier)C。作為承載器C，亦可採用用以將基板W收納於密閉空間之前開式晶圓傳送盒(FOUP；Front Opening Unified Pod)、標準機械化介面(SMIF；Standard Mechanical Inter Face)盒或者用以將基板W暴露於外氣之開放式匣(OC；Open Cassette)。索引機器人110係在承載器C與主搬運機器人120之間搬運基板W。主搬運機器人120係將基板W搬運至處理單元130。
處理單元130係對基板W進行處理。於本實施形態的基板處理系統100配置有十二個處理單元130。
具體而言，以圍繞主搬運機器人120的周圍之方式配置有四個塔，四個塔係分別包含於鉛直方向層疊的三個處理單元130。
在圖1中概略性地顯示重疊成三段的處理單元130中的一個處理單元130。此外，基板處理系統100中的處理單元130的數量並未限定於十二個，亦可適當地變更。
主搬運機器人120係設置於層疊有處理單元130之四個塔的中央。主搬運機器人120係將從索引機器人110接取的處理對象的基板W搬入至各個處理單元130內。此外，主搬運機器人120係從各個處理單元130搬出處理完畢的基板W並傳遞至索引機器人110。控制部90係控制基板處理系統100的各個構成要素的動作。
圖2係概略性地顯示控制部90的內部構成的一例之功能方塊圖。控制部90為電子電路，且例如具有資料處理部91以及記憶媒體92。在圖2的具體例中，資料處理部91以及記憶媒體92係經由匯流排93相互地連接。資料處理部91亦可為例如CPU(Central Processor Unit；中央處理單元)等之運算處理裝置。記憶媒體92亦可具有非暫時性的記憶媒體(例如ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)或者硬碟)921以及暫時性的記憶媒體(例如RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體))922。亦可於非暫時性的記憶媒體921記憶有例如用以規定控制部90所執行的處理之程式。資料處理部91係執行此程式，藉此控制部90係能執行程式所規定的處理。當然，亦可藉由硬碟執行控制部90所執行的處理的一部分或者全部。在圖2的具體例中概略性地顯示索引機器人110、主搬運機器人120以及處理單元130連接於匯流排93的態樣作為一例。
[基板處理裝置1] 圖3係概略性地顯示基板處理裝置1的構成的一例之側視圖。基板處理裝置1係相當於複數個處理單元130中的一個處理單元130。複數個處理單元130亦可具有彼此相同的構成，亦可具有彼此不同的構成。
如圖3的例子所示，基板處理裝置1係包含基板保持部2、處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5。以下，首先概要地說明各個構成，然後再詳細地說明。
基板保持部2係一邊以水平姿勢保持基板W一邊使基板W繞著旋轉軸線Q1旋轉。在此所謂的水平姿勢為基板W的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢。旋轉軸線Q1為通過基板W的中心部且沿著鉛直方向之軸。此種基板保持部2亦稱為自轉夾具(spin chuck)。
以下，會有將針對旋轉軸線Q1的徑方向以及周方向簡稱為徑方向以及周方向之情形。
處理液噴嘴4係對被基板保持部2保持的基板W的主表面供給處理液。在圖3中以虛線的箭頭示意性地顯示從處理液噴嘴4朝向基板W噴出的處理液。在此，雖然設想硫酸作為處理液，然而亦可為例如包含硫酸鹽、過氧硫酸(peroxosulfuric acid)以及過氧硫酸鹽的至少一者之液體或者包含過氧化氫之液體等之藥液。典型而言，處理液為水溶液。
第一電漿產生單元5係設置於沿著旋轉軸線Q1觀看(亦即俯視觀看)時與處理液噴嘴4彼此相鄰的位置。從氣體供給部50對第一電漿產生單元5供給氣體，該氣體係於第一電漿產生單元5內的第一氣體流路60朝於基板W的主表面流動。該氣體係能應用包含氧之含氧氣體。含氧氣體係例如包含氧氣體、臭氧氣體、二氧化碳氣體、空氣或者這些氣體中的至少兩者的混合氣體。該氣體亦可進一步包含惰性氣體。惰性氣體係例如包含氮氣體、氬氣體、氖氣體、氦氣體或者這些氣體中的至少兩者的混合氣體。
如後所述，第一電漿產生單元5係在第一氣體流路60的下游側具有第一電極群7。第一電極群7係構成為氣體能夠通過，且對周圍的電漿用的電場空間施加電場。所謂電場空間係指施加有用以使電漿產生的電場之空間。在氣體通過第一電極群7(亦即電場空間)時，電場係作用於氣體。藉此，氣體的一部分係電離從而產生電漿(電漿產生處理)。例如，氬氣體等之惰性氣體係電離從而產生電漿。此外，在此作為一例，在大氣壓狀態下產生電漿。在此所謂的大氣壓為例如標準氣壓的80%以上至標準氣壓的120%以下。
在電漿產生時，產生電子碰撞反應所致使的分子以及原子的解離以及激發等之各種反應，亦生成反應性高的中性自由基等之各種活性物種。例如，電漿的離子或者電子作用於含氧氣體從而產生氧自由基。此種活性物種係沿著氣體的流動而移動，並從第一電漿產生單元5的下端部朝向被基板保持部2保持的基板W的主表面流出。在圖3中以實線的箭頭示意性地顯示從第一電漿產生單元5朝向基板W流動的氣體。
在圖3的例子中，處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5係設置於比被基板保持部2保持的基板W還鉛直上方，並對基板W的上表面分別供給處理液以及氣體。
在圖3的例子中，處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5係一體性地連結並構成噴嘴頭3。在圖3的例子中，噴嘴頭3係設置成能夠藉由頭移動機構30來移動。
頭移動機構30係能使噴嘴頭3在移動路徑上的待機位置與處理位置之間移動。所謂待機位置係指：基板W的搬出以及搬入時噴嘴頭3不會干擾基板W的搬運路徑之位置，例如為俯視觀看時比基板保持部2還徑方向外側之位置。所謂處理位置係指：噴嘴頭3將處理液以及氣體供給至基板W之位置，且為噴嘴頭3在鉛直方向與基板W的主表面對向之位置。作為更具體性的一例，處理位置係指：處理液噴嘴4能使處理液著液至基板W的中央部之位置。頭移動機構30亦可例如包含線性馬達(linear motor)或者滾珠螺桿(ball screw)機構等之線性運動機構(linear motion mechanism)。
或者，頭移動機構30亦可包含臂(arm)式的移動機構來取代線性運動機構。在此情形中，噴嘴頭3係連接於在水平方向延伸的臂的前端。臂的基端係連接於沿著鉛直方向延伸的支撐柱。此支撐柱係連接於馬達，且繞著沿著鉛直方向之支撐柱的中心軸旋轉。支撐柱係繞著支撐柱的中心軸旋轉，藉此臂係繞著中心軸於水平面內迴旋，設置於臂的前端之噴嘴頭3係繞著中心軸於水平面內圓弧狀地移動。頭移動機構30係構成為俯視觀看時此圓弧狀的移動路徑沿著基板W的直徑。
從處理液噴嘴4噴出並著液至基板W的主表面之處理液係於基板W的主表面流動至徑方向外側，並從基板W的周緣飛散至外側。因此，在圖3的例子中，於基板處理裝置1設置有罩(cup)8。罩8係具有圍繞基板保持部2之筒狀形狀。罩8的筒狀形狀的中心軸係與旋轉軸線Q1一致。從基板W的周緣飛散至外側的處理液係碰撞至罩8的內周面並朝下方流動，被未圖示的回收機構回收或者被未圖示的排液機構排液至外部。
此外，於基板處理裝置1中之比基板保持部2還徑方向外側處設置有未圖示的排氣口。例如，亦可於罩8設置有排氣口。被供給至基板W的主表面的活性物種以及氣體係沿著基板W的主表面流動至徑方向外側並從排氣口排氣。
[基板保持部2] 在圖3的例子中，基板保持部2係包含基座(base)21、旋轉機構23以及複數個夾具(chuck)22。基座21係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓板形狀，並於基座21的上表面豎立地設置有複數個夾具22。複數個夾具22係沿著基板W的周緣等間隔地設置。夾具22係能夠在夾具位置與解除位置之間驅動，該夾具位置為夾具22抵接至基板W的周緣之位置，該解除位置為夾具22已從基板W的周緣離開之位置。在複數個夾具22於各個夾具位置停止的狀態下，複數個夾具22係保持基板W的周緣。在複數個夾具22於各個解除位置停止的狀態下，解除基板W的保持。用以驅動複數個夾具22之未圖示的夾具驅動部係例如藉由連桿(link)機構以及磁鐵等所構成並被控制部90控制。
旋轉機構23係包含馬達231。馬達231係經由軸232連結於基座21的下表面並被控制部90控制。馬達231係使軸232以及基座21繞著旋轉軸線Q1旋轉，藉此被複數個夾具22保持的基板W亦繞著旋轉軸線Q1旋轉。
此外，基板保持部2並不一定需要包含夾具22。基板保持部2亦可例如藉由吸引力或者靜電力保持基板W。
[處理液噴嘴4] 噴嘴頭3的處理液噴嘴4係具有例如圓筒形狀。於處理液噴嘴4的下端面具有噴出口4a。在圖3的例子中，處理液噴嘴4係於傾斜方向噴出處理液。作為具體性的一例，處理液噴嘴4係以處理液著液至基板W的中央部之方式從噴出口4a朝傾斜方向噴出處理液。亦即，處理液噴嘴4係設置於俯視觀看時比旋轉軸線Q1還徑方向外側，並從徑方向外側朝向基板W的中央部噴出處理液。
於處理液噴嘴4連接有處理液供給管41的一端。在圖3的例子中，處理液供給管41係貫通地配置於第一電漿產生單元5。藉此，處理液噴嘴4係經由處理液供給管41連結於第一電漿產生單元5。處理液供給管41的另一端係連接於處理液供給源43。處理液供給源43係例如包含用以儲留處理液之槽(tank)。
於處理液供給管41夾設有閥42。閥42係被控制部90控制，藉由打開閥42，處理液係從處理液供給源43於處理液供給管41的內部流動並被供給至處理液噴嘴4。處理液係從處理液噴嘴4的噴出口4a朝向基板W的主表面被噴出。藉由關閉閥42，停止從處理液噴嘴4的噴出口4a噴出處理液。
此外，基板處理裝置1亦可具有用以對基板W的主表面供給複數種類的處理液之構成。例如，處理液噴嘴4亦可具有複數個處理液流路。在此情形中，各個處理液流路係個別地連接於各個種類的處理液供給源。或者，基板處理裝置1亦可包含與噴嘴頭3不同的噴嘴。作為複數種類的處理液，例如能採用硫酸等之藥液、純水、臭氧水、碳酸水以及異丙醇(isopropyl alcohol)等之清洗(rinse)液。在此，處理液噴嘴4係作成具有複數個處理液流路。
[第一電漿產生單元5] 俯視觀看時第一電漿產生單元5係與處理液噴嘴4彼此相鄰地設置。在圖3的例子中，由於俯視觀看時處理液噴嘴4係位於比旋轉軸線Q1還徑方向外側，因此能以第一電漿產生單元5的一部分在鉛直方向與旋轉軸線Q1對向之方式設置第一電漿產生單元5。在圖3的例子中，第一電漿產生單元5係設置於在鉛直方向與基板W中之從中心部(旋轉軸線Q1)遍及至周緣部的區域對向之位置。亦即，在圖3的例子中，第一電漿產生單元5的徑方向的寬度為基板W的半徑以上。
圖4至圖7係概略性地顯示第一電漿產生單元5的構成的一例之圖。圖4係顯示第一電漿產生單元5的側剖視圖，圖5至圖7係分別顯示圖4的A－A剖面、B－B剖面以及C－C剖面。如圖4所示，第一電漿產生單元5係包含第一單元本體6以及第一電極群7。
第一單元本體6係形成第一氣體流路60，第一氣體流路60係用以使來自氣體供給部50的氣體朝向基板W的主表面流動。第一電極群7係設置於第一氣體流路60的下游側，且如後般構成為氣體能夠通過。第一電極群7係在鉛直方向與基板W的主表面對向。氣體係從鉛直上方朝向鉛直下方通過第一電極群7並朝向基板W的主表面流動。在氣體通過第一電極群7(亦即電場空間)時對該氣體施加電場，藉由該電場的施加，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在產生電漿時生成各種活性物種，這些活性物種係沿著氣體的流動被供給至基板W的主表面。
[第一單元本體6] 第一單元本體6係藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成，並於內部形成第一氣體流路60。在圖4的例子中，於第一單元本體6的內部形成有複數個氣體分割流路61，複數個氣體分割流路61係作為第一氣體流路60的下游側的一部分。俯視觀看時複數個氣體分割流路61係相互地彼此相鄰地形成。換言之，於第一單元本體6設置有用以區隔複數個氣體分割流路61之一個以上的流路區隔部63。
在圖4的例子中，形成有三個氣體分割流路61a至61c作為複數個氣體分割流路61。在圖4的例子中，三個氣體分割流路61a至61c係隨著從接近處理液噴嘴4之位置離開而以此種順序形成。亦即，氣體分割流路61a最接近處理液噴嘴4，氣體分割流路61b第二個接近處理液噴嘴4，氣體分割流路61c最遠離處理液噴嘴4。此外，俯視觀看時亦可視為氣體分割流路61a至61c係隨著從接近旋轉軸線Q1之位置離開而以此種順序排列。換言之，氣體分割流路61a與旋轉軸線Q1之間的距離係比氣體分割流路61b與旋轉軸線Q1之間的距離還短，氣體分割流路61b與旋轉軸線Q1之間的距離係比氣體分割流路61c與處理液噴嘴4之間的距離還短。由於旋轉軸線Q1能掌握成是沿著鉛直方向無限延伸之虛擬的線，因此在旋轉軸線Q1通過氣體分割流路61a之情形中，氣體分割流路61a與旋轉軸線Q1之間的距離為零。
在圖式的例子中，設置有流路區隔部63a、63b作為流路區隔部63。流路區隔部63a係位於氣體分割流路61a、61b之間並區隔氣體分割流路61a、61b。流路區隔部63b係位於氣體分割流路61b、61c之間並區隔氣體分割流路61b、61c。流路區隔部63a係設置於比流路區隔部63b還接近旋轉軸線Q1之位置。
俯視觀看時氣體分割流路61a至61c係形成於與第一電極群7重疊的位置。各個氣體分割流路61a至61c係在鉛直下方呈開口，氣體係從氣體分割流路61a至61c的下方的開口朝向第一電極群7往鉛直下方流動並於鉛直方向通過第一電極群7。由於俯視觀看時氣體分割流路61a至61c係形成於彼此不同的位置，因此來自氣體分割流路61a至61c的氣體係通過第一電極群7彼此不同的區域。
在圖5的例子中，俯視觀看時氣體分割流路61a係具有半圓形狀，氣體分割流路61a的圓弧面係沿著以旋轉軸線Q1作為中心的虛擬圓弧。氣體分割流路61a係在鉛直方向與基板W的中央部對向。
氣體分割流路61b係形成於比氣體分割流路61a還徑方向外側。在圖5的例子中，俯視觀看時氣體分割流路61b係具有等寬度的半圓弧形狀，氣體分割流路61b的徑方向內側的圓弧面係沿著氣體分割流路61a的徑方向外側的圓弧面。亦即，流路區隔部63a係具有半圓弧狀的板狀形狀，流路區隔部63a的厚度方向係沿著徑方向。此種流路區隔部63a的內周面係成為氣體分割流路61a的徑方向外側的圓弧面，流路區隔部63a的外周面係成為氣體分割流路61b的徑方向內側的圓弧面。氣體分割流路61b係在鉛直方向與基板W中之比中央部還徑方向外側的中間部對向。
氣體分割流路61c係形成於比氣體分割流路61b還徑方向外側。在圖5的例子中，氣體分割流路61c係於徑方向內側具有圓弧面，該圓弧面係沿著氣體分割流路61b的徑方向外側的圓弧面。亦即，流路區隔部63b係具有半圓弧狀的板狀形狀，且以流路區隔部63b的厚度方向沿著徑方向之姿勢設置。此種流路區隔部63b的內周面係成為氣體分割流路61b的徑方向外側的圓弧面，流路區隔部63b的外周面係成為氣體分割流路61c的徑方向內側的圓弧面。
在圖5的例子中，氣體分割流路61c係由下述面所形成：徑方向內側的圓弧面；第一面，係從該圓弧面的兩端朝彼此相反側擴展；第二面，係從該第一面中之彼此相反側的端部朝遠離處理液噴嘴4的方向延伸；以及弧狀面，係連結該第二面的端部彼此。在圖5的例子中，氣體分割流路61c的弧狀面係具有沿著基板W的周緣之形狀，該圓弧面的最靠近徑方向外側的點係位於比基板W的周緣還徑方向外側。亦即，最遠離旋轉軸線Q1之氣體分割流路61c的徑方向外側的面的至少一部分係位於比基板W的周緣還徑方向外側。氣體分割流路61c係在鉛直方向與基板W中之比中間部還徑方向外側的周緣部對向。
在圖4至圖6的例子中，於第一單元本體6的內部形成有氣體供給流路62；氣體供給流路62係作為第一氣體流路60的上游側的一部分，用以對氣體分割流路61供給氣體。氣體供給流路62的上游口621係例如形成於第一單元本體6的徑方向外側的側面601。側面601為與處理液噴嘴4相反側的側面(參照圖4)。氣體供給流路62的下游口622係連繫於對應的氣體分割流路61。在此，由於形成有氣體分割流路61a至61c，因此分別與氣體分割流路61a至61c對應地形成有氣體供給流路62a至62c。
氣體供給流路62c為用以將氣體供給至氣體分割流路61c之流路。在圖5的例子中形成有複數個(在圖中為五個)氣體供給流路62c。複數個氣體供給流路62c的下游口622c係在俯視觀看時彼此不同的位置處連繫於氣體分割流路61c。更具體而言，三個氣體供給流路62c的下游口622c係形成於氣體分割流路61c的徑方向外側的弧狀面，兩個氣體供給流路62c的下游口622c係分別形成於氣體分割流路61c的彼此相對向的第二面。藉此，由於能從複數個部位將氣體供給至氣體分割流路61c，因此能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61c。
在圖5的例子中，複數個氣體供給流路62c的上游口621c係在第一單元本體6的側面601中沿著水平方向排列地形成。各個氣體供給流路62c係從上游口621c在水平面內延伸並到達至下游口622c。在圖4以及圖5的例子中，各個氣體供給流路62c係形成於與氣體分割流路61a至61c相同的層(高度位置)。
氣體供給流路62a為用以將氣體供給至氣體分割流路61a之流路。在圖4的例子中，氣體供給流路62a係形成於比氣體供給流路62c以及氣體分割流路61a至61c還鉛直上方的層(高度位置)。在此，氣體供給流路62a的下游口622a係形成於氣體分割流路61a的鉛直上方的上表面(亦參照圖6)。此外，氣體供給流路62a的上游口621a係在比氣體供給流路62c的上游口621c還鉛直上方形成於第一單元本體6的側面601。在圖6的例子中，氣體供給流路62a係從上游口621a在水平面內直線狀地延伸並到達至形成於氣體分割流路61a的上表面的下游口622a。
氣體供給流路62b為用以將氣體供給至氣體分割流路61b之流路。在圖6的例子中，氣體供給流路62b係形成於與氣體供給流路62a相同的層(高度位置)。在圖6的例子中形成有複數個(在圖中為兩個)氣體供給流路62b，複數個氣體供給流路62b的下游口622b係在俯視觀看時彼此不同的位置處連繫於氣體分割流路61b。在此，下游口622b係形成於氣體分割流路61b的上表面。例如，複數個下游口622b亦可形成於以旋轉軸線Q1作為中心的虛擬圓弧上。藉此，由於能從複數個部位將氣體供給至氣體分割流路61b，因此能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61b。
氣體供給流路62b的上游口621b係在比氣體供給流路62c的上游口621c還鉛直上方形成於第一單元本體6的側面601。在圖6的例子中，氣體供給流路62b的上游口621b係形成於氣體供給流路62a的上游口621a的水平方向的兩側。各個氣體供給流路62b係從上游口621b在水平面內延伸並到達至下游口622b。
此外，亦可因應需要於最接近旋轉軸線Q1的氣體分割流路61a設置有複數個氣體供給流路62a。藉此，能在俯視觀看時從複數個部位將氣體供給至氣體分割流路61a，從而能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61a。
[氣體供給部50] 氣體供給部50係通過第一單元本體6的上游口621將氣體供給至第一氣體流路60。氣體供給部50係包含氣體供給管51以及閥52。在此，由於形成有複數個氣體供給流路62a至62c，因此設置有氣體供給管51a至51c作為氣體供給管51。
各個氣體供給流路62c的上游口621c係連接於氣體供給管51c的下游端(參照圖5)。於各個氣體供給管51c夾設有作為閥52的閥52c。閥52c係被控制部90控制，藉由切換閥52c的打開以及關閉來切換朝各個氣體供給流路62c供給氣體以及停止朝各個氣體供給流路62c供給氣體。閥52c係可為能夠調整氣體的流量之閥，或者亦可另外於氣體供給管51c設置有流量調整閥。
各個氣體供給流路62b的上游口621b係連接於氣體供給管51b的下游端(參照圖6)。於各個氣體供給管51b夾設有作為閥52的閥52b。閥52b係被控制部90控制，藉由切換閥52b的打開以及關閉來切換朝各個氣體供給流路62b供給氣體以及停止朝各個氣體供給流路62b供給氣體。閥52b係可為能夠調整氣體的流量之閥，或者亦可另外於氣體供給管51b設置有流量調整閥。
氣體供給流路62a的上游口621a係連接於氣體供給管51a的下游端(參照圖6)。於氣體供給管51a夾設有作為閥52的閥52a。閥52a係被控制部90控制，藉由切換閥52a的打開以及關閉來切換朝氣體供給流路62a供給氣體以及停止朝氣體供給流路62a供給氣體。閥52a係可為能夠調整氣體的流量之閥，或者亦可另外於氣體供給管51a設置有流量調整閥。
依據此種氣體供給部50，能個別地調整於氣體分割流路61a至61c流動的氣體的流量。例如，氣體供給部50係能以氣體的流速滿足下述關係之方式調整各個氣體分割流路61a至61c中的氣體的流量。例如，氣體供給部50係能以下述方式調整各個流量：氣體分割流路61a中的氣體的流速變得比氣體分割流路61b中的氣體的流速還高，且氣體分割流路61b中的氣體的流速變得比氣體分割流路61c中的氣體的流速還高。亦即，愈接近旋轉軸線Q1則愈調高氣體的流速。針對此種作用功效係於後面詳細說明。
此外，在上述例子中，由於在各個氣體供給管51c設置有閥52c(流量調整閥)，因此氣體供給部50係能個別地調整複數個氣體供給流路62c中的氣體的流量。因此，能針對複數個下游口622c調整流入至氣體分割流路61c的氣體的流量。藉此，能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61c。
此外，在上述例子中，由於在各個氣體供給管51b設置有閥52b(流量調整閥)，因此氣體供給部50係能個別地調整複數個氣體供給流路62b中的氣體的流量。因此，能針對複數個下游口622b調整流入至氣體分割流路61b的氣體的流量。藉此，能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61b。
此外，亦可與氣體分割流路61a對應地設置有複數個氣體供給流路62a以及複數個氣體供給管51a，且於各個氣體供給管51a夾設有閥52a(流量調整閥)。藉此，能針對複數個下游口622a調整流入至氣體分割流路61a的氣體的流量，從而能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61a。
[第一板狀體64] 在圖4的例子中，第一單元本體6係進一步包含第一板狀體64。第一板狀體64係設置於第一氣體流路60。具體而言，第一板狀體64係相對於第一電極群7設置於氣體的流動的上游側，且設置於在鉛直方向與第一電極群7對向的位置。第一板狀體64係具有板狀形狀，且以第一板狀體64的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢配置。於第一板狀體64形成有複數個開口641。複數個開口641係於鉛直方向貫通第一板狀體64，且具有例如俯視觀看時為圓形狀。俯視觀看時複數個開口641係例如二維地排列，作為更具體性的一例係排列成矩陣(matrix)狀。於第一氣體流路60流動的氣體係通過複數個開口641朝向第一電極群7流動。
在此，設置有兩個第一板狀體64a、64b作為第一板狀體64(亦參照圖4)。第一板狀體64a係與氣體分割流路61a、61b對應地設置。俯視觀看時第一板狀體64a係具有為半圓形狀，且在鉛直方向與氣體分割流路61a、61b對向。具體而言，流路區隔部63a的下端係連結於第一板狀體64a的上表面，第一板狀體64a中之比流路區隔部63a還徑方向內側的區域係在鉛直方向與氣體分割流路61a對向，第一板狀體64a中之比流路區隔部63a還徑方向外側的區域係在鉛直方向與氣體分割流路61b對向。於氣體分割流路61a、61b流動的氣體係通過第一板狀體64a的複數個開口641朝向第一電極群7流動。
第一板狀體64b係與氣體分割流路61c對應地設置。俯視觀看時第一板狀體64b係具有與氣體分割流路61c同樣的形狀，並於鉛直方向與氣體分割流路61c對向。於氣體分割流路61c流動的氣體係通過第一板狀體64b的複數個開口641朝向第一電極群7流動。
如此，分別於氣體分割流路61流動的氣體係通過第一板狀體64的複數個開口641朝向第一電極群7流動。因此，能更均勻地將氣體朝向第一電極群7流動。由於當第一板狀體64與第一電極群7之間的距離變長時氣體的均勻性會降低，因此該距離係只要考慮氣體的均勻性來設定即可。
此外，在圖5的例子中，開口641的大小係在第一板狀體64a、64b之間不同。針對此部分係於後面詳細說明。
[處理液供給管41] 在圖4的例子中，連接於處理液噴嘴4的處理液供給管41係在比氣體供給流路62a還鉛直上方的層(高度位置)處貫通第一單元本體6。亦即，第一單元本體6係在鉛直方向具有複數層流路構造。具體而言，於第一單元本體6的最上層形成有處理液朝向處理液噴嘴4流動的處理液流路(處理液供給管41)。於第一單元本體6的中間層形成有氣體朝向氣體分割流路61a、61b流動的氣體供給流路62a、62b。於第一單元本體6的最下層係形成有氣體分割流路61c至61c以及氣體供給流路62c，氣體供給流路62c係供氣體朝向氣體分割流路61c流動。
[第一電極群7] 如上所述，第一電極群7係設置於第一氣體流路60的下游側，且俯視觀看時設置於與第一氣體流路60重疊的區域。具體而言，俯視觀看時第一電極群7係設置於與氣體分割流路61a至61c重疊的區域。
第一電極群7係包含複數個第一電極71。複數個第一電極71係藉由金屬等之導電體所形成，且俯視觀看時隔著間隔排列地設置(參照圖7)。在圖7的例子中，各個第一電極71係具有於水平方向較長的長條形狀。在此，所謂長條形狀係指第一電極71的長邊方向的尺寸比與第一電極71的長邊方向正交的水平方向的尺寸還長之形狀。在圖7的例子中，複數個第一電極71係以第一電極71的長邊方向與徑方向正交之姿勢設置。
複數個第一電極71係在與第一電極71的長邊方向正交之水平的排列方向(在此為徑方向)處隔著間隔排列地配置。在圖7的例子中顯示有六個第一電極71a至71f作為複數個第一電極71。第一電極71a至71f係以此種順序從排列方向的一側朝另一側配置。第一電極71a至71d係配置於例如相同的平面內。
對複數個第一電極71中之彼此相鄰的兩個第一電極71施加彼此不同極性的電位。在圖7的例子中，從排列方向的一側第奇數個配置的第一電極71a、71c、71e係在長邊方向的另一側的端部(基端)處經由連結部711a彼此連結。連結部711a係具有例如板狀形狀，且藉由例如與第一電極71a、71c、71e相同的材料一體性地構成。連結部711a係經由拉出配線連接於電源80的第一輸出端81。
在圖7的例子中，從排列方向的一側第偶數個配置的第一電極71b、71d、71f係在長邊方向的另一側的端部(基端)處經由連結部711b彼此連結。連結部711b係具有例如板狀形狀，且藉由例如與第一電極71b、71d、71f相同的材料一體性地構成。在此種第一電極群7中，複數個第一電極群71係排列成梳齒狀。連結部711b係經由拉出配線連接於電源80的第二輸出端82。
電源80係例如包含切換電源電路(例如反相電路(inverter current))，且被控制部90控制。電源80係對第一輸出端81與第二輸出端82之間施加電壓(例如高頻電壓)。藉此，於複數個第一電極71相互之間的空間(電場空間)產生電場。
由於第一電極群7位於第一氣體流路60的下游側，因此沿著第一氣體流路60流動的氣體係通過複數個第一電極71相互之間的電場空間。在氣體通過電場空間時，該電場作用於氣體，氣體的一部分係電離從而產生電漿(電漿產生處理)。在電漿產生時生成各種活性物種，這些活性物種係沿著氣體的流動朝向基板W的主表面移動。
第一電極群7與基板W之間的距離係被設定成不會在第一電極群7與基板W之間產生電弧放電之程度的距離。第一電極群7與基板W之間的距離係例如被設定成2mm左右以上至5mm左右以下。
[介電保護(dielectric protection)構件72] 在圖4以及圖7的例中，各個第一電極71係被介電保護構件72覆蓋。介電保護構件72係藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成，並覆蓋第一電極71的表面。例如，介電保護構件72係密著於第一電極71的表面。介電保護構件72亦可為形成於第一電極71的表面之介電膜。介電保護構件72係能保護第一電極71不受電漿影響。在圖4的例子中，各個第一電極71係具有剖面圓形狀，各個介電保護構件72係具有剖面圓環形狀。
[介電區隔構件73] 在圖4以及圖7的例子中，在彼此相鄰的第一電極71的兩個第一電極71之間設置有介電區隔構件73。具體而言，介電區隔構件73係設置於複數個第一電極71的全部的第一電極71的兩個第一電極71之間。介電區隔構件73係藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成，且與各個第一電極71隔著間隔設置。介電區隔構件73係具有例如板狀形狀，並以介電區隔構件73的厚度方向沿著第一電極71的排列方向(在此為徑方向)之姿勢設置。介電區隔構件73的主表面係具有例如於第一電極71的長邊方向較長的矩形形狀。
在圖4的例子中，介電區隔構件73的上端係位於比第一電極71的上端還上方，介電區隔構件73的下端係位於比第一電極71的下端還下方。當亦考慮製造誤差等時，例如複數個介電區隔構件73中之最低的上端位置係比複數個第一電極71中之最高的上端位置還高，複數個介電區隔構件73中之最高的下端位置係比複數個第一電極71中之最低的下端位置還低。
只要設置有此種介電區隔構件73，即能增長複數個第一電極71相互之間的絕緣距離。藉此，能一邊增大複數個第一電極71的電壓從而使電漿更有效率地產生，一邊抑制複數個第一電極71相互之間產生電弧放電。
[框體74] 在圖4以及圖7的例子中，各個介電區隔構件73係連結於框體74。框體74亦藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成。俯視觀看時框體74係圍繞複數個介電區隔構件73的周圍，各個介電區隔構件73的長邊方向的兩端係連結於框體74的內表面。
框體74亦大致圍繞複數個第一電極71。在圖示的例子中，連結部711a、711b係位於比框體74還外側，各個第一電極71a、71c、71e係在長邊方向的一側處貫通框體74並連結於連結部711a，各個第一電極71b、71c、71f係在長邊方向的另一側處貫通框體74並連結於連結部711b。換言之，第一電極71的大部分係位於框體74的內部。框體74係例如連結於第一單元本體6的下端。
來自氣體分割流路61a至61c的氣體係在框體74內通過第一電極群7。具體而言，氣體係於複數個第一電極71以及複數個介電區隔構件73相互之間的空間朝下方通過。當於複數個第一電極71相互之間的電場空間產生的電場作用於氣體時，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在產生電漿時生成各種活性物種。這些活性物種係沿著氣體的流動朝下方移動並朝向基板W的主表面流出。
如上所述，噴嘴頭3係能藉由處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5將處理液以及氣體供給至基板W的主表面。
[基板處理裝置1的動作] 接著，說明基板處理裝置1的動作的一例。圖8係顯示基板處理裝置1的動作的一例之流程圖。首先，藉由主搬運機器人120將未處理的基板W搬入至基板處理裝置1(步驟S1)。在此，於基板W的上表面形成有阻劑。基板處理裝置1的基板保持部2係保持被搬入的基板W。接著，基板保持部2係使基板W繞著旋轉軸線Q1開始旋轉(步驟S2)。
接著，進行藥液處理(步驟S3)。具體而言，首先，頭移動機構30係使噴嘴頭3從待機位置朝處理位置移動。接著，打開閥42、52a至52c，電源80係對第一電極71施加電壓。
打開閥42，藉此從處理液噴嘴4的噴出口4a朝基板W的上表面噴出處理液(在此為硫酸等之藥液)。在此，藥液係朝向基板W的中央部被供給。已著液至旋轉中的基板W的上表面之藥液係沿著基板W的上表面朝徑方向外側流動，並從基板W的周緣朝外側飛散。藉此，藥液作用於基板W的上表面整面。
打開閥52a至52c，藉此氣體(在此為含氧氣體以及稀釋氣體的混合氣體)係從氣體供給部50經由上游口621a至621c被供給至第一氣體流路60。氣體係經由氣體供給流路62a至62c流入至氣體分割流路61a至61c。
在此，以第一流量對最遠離旋轉軸線Q1的氣體分割流路61c供給氣體，以比第一流量還大的第二流量對第二個遠離旋轉軸線Q1的氣體分割流路61b供給氣體，以比第二流量還大的第三流量對最接近旋轉軸線Q1的氣體分割流路61a供給氣體。
於氣體分割流路61a、61b朝向下方流動的氣體係通過第一板狀體64a的複數個開口641。藉此，氣體係被整流從而更均勻地朝向第一電極群7流動。同樣地，於氣體分割流路61c朝向下方流動的氣體係通過第一板狀體64b的複數個開口641。藉此，氣體係被整流從而更均勻地朝向第一電極群7流動。
由於電源80係對第一電極71施加電壓，因此在第一電極群7中於第一電極71相互之間的電場空間產生電場。在氣體通過電場空間時，電場作用於氣體，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在電漿產生時，產生電子碰撞反應所致使的分子以及原子的解離以及激發等之各種反應，生成反應性高的中性自由基等之各種活性物種(例如氧自由基)。例如，氬氣體係藉由電場而電漿化，該電漿係作用於含氧氣體並生成氧自由基。這些活性物種(例如氧自由基)係沿著氣體的流動而移動並朝向基板W的上表面流出。
活性物種係作用於基板W的上表面的藥液。例如當氧自由基作用於基板W的上表面的硫酸時，藉由氧自由基的氧化力生成過氧單硫酸(peroxymonosulfuric acid)(卡酪酸(Caro's acid))。在此，在使用含有硫酸的處理液之情形中，硫酸的濃度係硫酸的濃度愈高則愈期待高的剝離力，較佳為94%至98%的範圍，愈接近98%則愈佳。卡洛酸係能有效地去除基板W的上表面的阻劑。換言之，活性物種作用於藥液，藉此提升藥液的處理能力。
在基板處理裝置1中，於卡洛酸的生成不使用過氧化氫水。因此，在回收硫酸並再次利用該硫酸之情形中，能更高濃度地回收硫酸。
此外，活性物種不僅是作用於基板W的主表面上的藥液，亦會直接作用於基板W。例如，即使氧自由基直接作用於基板W的阻劑，亦能藉由氧自由基的氧化力去除阻劑。
此外，在上述例子中，處理液噴嘴4係沿著從鉛直方向傾斜的傾斜方向朝向基板W的中央部噴出藥液。因此，已著液至基板W的中央部之藥液係直接朝徑方向外側流動。藉此，與藥液沿著鉛直方向噴出之情形相比，能減薄形成於基板W的上表面之藥液的液膜。藉此，能在接近基板W的上表面之位置處使活性物種作用於藥液。因此，已提升處理能力的藥液容易作用於基板W。此外，活性物種係變得容易直接作用於基板W的主表面。
當藉由藥液以及活性物種充分地去除基板W的阻劑時，關閉閥42、52a至52c，電源80停止輸出電壓。藉此，停止從處理液噴嘴4噴出藥液，亦停止氣體從第一電漿產生單元5流出。藉此，結束實質性的藥液處理(在此為阻劑去除處理)。
接著，進行清洗處理(步驟S4)。具體而言，基板處理裝置1係例如從處理液噴嘴4朝向基板W的上表面噴出清洗液。藉此，基板W的上表面的藥液係被置換成清洗液。
當基板W的上表面的藥液充分地被置換成清洗液時，停止從處理液噴嘴4噴出清洗液，頭移動機構30係使噴嘴頭3朝待機位置移動。
接著，進行乾燥處理(步驟S5)。例如，基板保持部2係使基板W的旋轉速度增加。藉此，從基板W的周緣甩離基板W的上表面的清洗液從而使基板W乾燥(亦即所謂的自旋乾燥)。
當基板W乾燥時，基板保持部2係結束基板W的旋轉(步驟S6)。接著，藉由主搬運機器人120將處理完畢的基板W從基板處理裝置1搬出(步驟S7)。
[實施形態的功效] 在基板處理裝置1中，俯視觀看時處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5係彼此相鄰地配置。而且，由於從處理液噴嘴4噴出且在基板W的主表面著液的處理液係於基板W的主表面上流動，因此第一電漿產生單元5係朝向基板W的主表面供給氣體，藉此能使活性物種作用於基板W的主表面上的處理液。因此，能在基板W的主表面提升處理液的處理能力。因此，處理液係在處理能力已經提升的狀態下作用於基板W的主表面，從而能以更短的時間處理基板W。
而且，在基板處理裝置1中第一電極群7的複數個第一電極71係在俯視觀看時排列地配置。例如，具有於水平方向較長的長條形狀的複數個第一電極71係在第一電極71的短邊方向(排列方向)彼此隔著間隔排列地配置。藉此，能容易地增大第一電極群7的俯視觀看時的面積。因此，俯視觀看時能在廣範圍產生電漿，從而能廣範圍地將活性物種供給至基板W的主表面。因此，能更均勻地處理基板W。
此外，在上述例子中，處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5係彼此一體性地連結。因此，頭移動機構30係能使處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5一體性地移動。藉此，能以簡易的構成使處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5移動。亦即，與本實施形態不同，在處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5彼此未連結之情形中，無須用以使處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5個別地移動之移動機構。相對於此，在本實施形態中，只要單一個頭移動機構30就足夠。因此，能以簡易的構成使處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5移動，從而能降低裝置尺寸以及製造成本。
此外，在上述例子中，具有複數個開口641的第一板狀體64係相對於第一電極群7設置於上游側。藉此，已通過複數個開口641的氣體係更均勻地通過第一電極群7。因此，氣體更均勻地通過電場空間，從而更均勻地產生電漿。從而，能更均勻地生成活性物種，從而能更均勻地將該活性物種供給至基板W的主表面。
此外，在上述例子中設置有流路區隔部63，流路區隔部63係於徑方向將第一氣體流路60區隔成複數個氣體分割流路61。藉此，能夠針對每個氣體分割流路61調整氣體的流量。例如，能以接近旋轉軸線Q1的氣體分割流路61中的氣體的流速變得比遠離旋轉軸線Q1的氣體分割流路61中的氣體的流速還高之方式調整各個氣體分割流路61中的流量。更具體而言，能以下述方式調整各個氣體分割流路61a至61c的流量：最接近旋轉軸線Q1的氣體分割流路61a中的氣體的流速變得最高，第二個接近旋轉軸線Q1的氣體分割流路61b中的氣體的流速變得第二高，最遠離旋轉軸線Q1的氣體分割流路61c中的氣體的流速變得最低。
此外，已知氧自由基等之活性物種係在短時間失活。因此，氣體的流速愈低則活性物種到達至基板W的主表面之前失活的可能性就愈高。如上所述，只要氣體分割流路61a的氣體的流速高，則能在接近旋轉軸線Q1的位置處使更多的活性物種到達至基板W的上表面。另一方面，由於氣體分割流路61b、61c的氣體的流速較低，因此在遠離旋轉軸線Q1的位置處更少的活性物種係到達至基板W的上表面。
而且，已著液至基板W的中央部的處理液係隨著基板W的旋轉而朝徑方向外側流動，亦即隨著基板W的旋轉而朝遠離旋轉軸線Q1的方向流動。因此，首先，對處理液供給來自氣體分割流路61a的氣體且供給更多的活性物種。接著，當處理液於基板W的主表面朝徑方向外側流動時，在基板W中之比中央部還徑方向外側的中間部處被供給有來自氣體分割流路61b的氣體。當處理液進一步朝徑方向外側流動時，在基板W中之比中間部還徑方向外側的周緣部處被供給有來自氣體分割流路61c的氣體。藉此，處理液愈朝向徑方向外側流動，則被供給至處理液的活性物種的量愈降低。
此外，雖然在基板W的中央部處活性物種作用於處理液而生成之有效成分(在此為卡洛酸)的一部分係在基板W的中央部處作用於主表面從而被消耗，然而剩餘的一部分係與處理液一起於基板W朝向徑方向外側流動。因此，會在基板W中之比中央部還徑方向外側的中間部中殘留在基板W的中央部處被供給的活性物種所致使的有效成分。因此，當亦在基板W的中間部處以與中央部相同程度的量將活性物種供給至處理液時，中間部處的處理液中的有效成分變得比中央部處的處理液中的有效成分還多，對於基板W的處理的均勻性會降低。同樣地，當在基板W的周緣部處亦以與中間部相同程度的量將活性物種供給至處理液時，周緣部處的處理液中的有效成分變得比中間部處的處理液中的有效成分還多，對於基板W的處理的均勻性會降低。
相對於此，在上述例子中，隨著處理液朝向基板W的徑方向外側流動，被供給至處理液的活性物種變少。因此，能進一步地提高基板W的處理的均勻性。而且，與以大的流量對全部的氣體分割流路61供給氣體之情形相比，能使氣體的消耗量降低。
此外，在上述例子中，於第一電極71相互之間設置有介電區隔構件73。藉此，能一邊增大施加至第一電極71的電壓從而促進電漿的產生，一邊抑制第一電極71相互之間的電弧放電。
此外，在上述例子中，第一電漿產生單元5的第一氣體流路60中之第一電極群7的正前方部分的徑方向的寬度為基板W的半徑以上，第一電極群7的周圍的電場空間的整體性的徑方向中的寬度亦為基板W的半徑以上，框體74的徑方向的寬度亦為基板W的半徑以上。此種第一電漿產生單元5係從基板W的中央部對包含周緣部之基板W的半徑以上的區域供給氣體。因此，第一電漿產生單元5係對旋轉中的基板W的主表面供給氣體，藉此能對基板W的主表面的整面供給活性物種。
[第一電極群7] 圖9係概略性地顯示第一電極群7的構成的另一例之剖視圖。在圖9的例子中，第一電極71係具有剖面矩形形狀。在圖9的例子中，第一電極71的鉛直方向的寬度(亦即高度)係比第一電極71的排列方向(在此為徑方向)的寬度還寬。由於氣體係於第一電極71相互之間的電場空間沿著鉛直方向流動，因此只要第一電極71的鉛直方向的寬度寬，即能更長時間地使電場作用於氣體。藉此，能在鉛直方向更寬的範圍產生電漿，藉此能生成更多的活性物種。
在圖9的例子中，介電保護構件72亦具有剖面矩形形狀。在圖9的例子中，介電保護構件72的鉛直方向中的寬度(亦即高度)亦比排列方向中的寬度還寬。藉此，能調節於介電保護構件72相互之間沿著鉛直方向流動的氣體的流動。
在圖9的例子中未設置有介電區隔構件73。在此情形中，將介電保護構件72的排列方向中的寬度設定成較寬，藉此能抑制第一電極71相互之間的電弧放電。
[開口641的面積] 在圖5的例子中，第一板狀體64的複數個開口641的面積係因應與旋轉軸線Q1的距離而不同。例如，接近旋轉軸線Q1之開口641的面積係變得比遠離旋轉軸線Q1之開口641的面積還小。更具體而言，第一板狀體64a係設置於比第一板狀體64b還接近旋轉軸線Q1之位置，形成於第一板狀體64a之開口641的面積係比形成於第一板狀體64b之開口641的面積還小。
在此，當著眼於第一板狀體64a的一個開口641(以下稱為第一開口641)以及第一板狀體64b的一個開口641(以下稱為第二開口641)時，能以下述方式來說明。第一開口641與旋轉軸線Q1之間的距離係比第二開口641與旋轉軸線Q1之間的距離還短，第一開口641的面積係比第二開口641的面積還小。
藉此，能在接近旋轉軸線Q1之位置處提高氣體的流速。因此，能在基板W的中央部處將更多的活性物種供給至處理液，從而能使基板W的處理的均勻性提升。
[第二實施形態] 第二實施形態的基板處理裝置1係排除噴嘴頭3的第一單元本體6的構成之外，具有與第一實施形態的基板處理裝置1同樣的構成。圖10係概略性地顯示第二實施形態的噴嘴頭3的構成的一例之圖。
在第二實施形態中，第一單元本體6係收容第一電極群7。第一電極群7係在第一氣體流路60內的下游側處設置於第一單元本體6的內部。
第一單元本體6係進一步包含擋門65。擋門65係在比第一電極群7還下流側處設置於第一單元本體6的下端部。擋門65係被控制部90控制，將形成於第一單元本體6的下端部之第一氣體流路60的流出口予以打開以及關閉。擋門65的具體性的構成並無特別限制，以下簡單地說明一例。
圖11係概略性地顯示第一氣體流路60的流出口附近的構成的一例之側剖視圖。在圖11的例子中，於第一單元本體6設置有第二板狀體66。第二板狀體66係設置於比第一電極群7還靠近第一氣體流路60的下游側，並以第二板狀體66的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢設置。圖12係概略性地顯示第二板狀體66的構成的一例之俯視圖。在圖12的例子中，俯視觀看時第二板狀體66係具有例如徑方向外側的一邊彎曲成弧狀的矩形形狀。第二板狀體66的周緣係連結於第一單元本體6的下端部。於第二板狀體66形成有複數個開口661，開口661係成為第一氣體流路60的流出口。以下，亦將開口661稱為流出口661。複數個流出口661係於厚度方向貫通第二板狀體66。俯視觀看時複數個流出口661係例如二維地排列，作為更具體性的一例係排列成陣列狀。俯視觀看時流出口661係具有例如圓形狀。
擋門65係切換流出口661的打開以及關閉。擋門65係具有例如板狀形狀，並以擋門65的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢配置。擋門65係例如以與第二板狀體66彼此重疊之方式設置。亦於擋門65設置有複數個開口651。複數個開口651係於鉛直方向貫通擋門65。俯視觀看時複數個開口651係以與流出口661同樣的排列所形成。複數個開口651係具有例如圓形狀，開口651的直徑係例如為流出口661的直徑以上。
擋門65係設置成能夠相對於第二板狀體66水平地移動。擋門65係能在第一位置與第二位置之間往復移動，第一位置為複數個開口651在水平方向與複數個流出口661偏移之位置，第二位置為複數個開口651與複數個流出口661分別彼此對向之位置。在第一位置中，擋門65的開口651以外的部分係與複數個流出口661對向並關閉流出口661。在圖11中顯示擋門65在第一位置停止的狀態。在第二位置中，擋門65的開口651係與對應的流出口661彼此對向，流出口661係通過對應的開口651連繫於外部空間。亦即，打開流出口661。
驅動部67係被控制部90控制，並能驅動擋門65。例如，驅動部67係使擋門65在第一位置與第二位置之間往復移動。驅動部67係具有例如滾珠螺桿機構或者汽缸(air cylinder)等之驅動機構。
此外，擋門65亦可具有未具有開口651之板狀形狀。在此情形中，例如驅動部67亦可使擋門65在擋門65於鉛直方向未與第二板狀體66對向之位置與擋門65於鉛直方向與第二板狀體66對向之位置之間往復移動。
在擋門65關閉流出口661時，從氣體供給部50所供給的氣體係滯留於第一單元本體6的第一氣體流路60內。藉此，能在第一氣體流路60內增加活性物種的量(活性物種的濃度)。而且，在此狀態下擋門65打開流出口661，藉此能使更多的活性物種從第一電漿產生單元5的流出口661流出。
第二實施形態的基板處理裝置1的動作的一例係與圖8同樣。然而，在開始藥液處理(步驟S3)時，在擋門65關閉流出口661且閥42關閉的狀態下，首先打開閥52a至52c。藉此，在供給處理液之前，從氣體供給部50對第一電漿產生單元5供給氣體。此氣體係在第一氣體流路60內滯留。此外，電源80係對第一電極71施加電壓。藉此，在第一電極群7的周圍的電場空間中，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在產生電漿時亦生成活性物種。由於關閉擋門65，因此滯留於電場空間的氣體係較長期間地接受電場的作用，從而產生更多的電漿，並且在電漿產生時生成更多的活性物種。
接著，打開閥42並從處理液噴嘴4將處理液供給至基板W的主表面，並且打開擋門65並使氣體供給至基板W的主表面。打開擋門65，藉此滯留於第一氣體流路60內之更多的活性物種係朝向基板W的主表面流出。因此，更多的活性物種係作用於基板W的主表面上的處理液以及基板W的主表面。藉此，能進一步提升處理液的處理能力，且直接作用於基板W的主表面之活性物種亦變多。藉此，能縮短基板W的處理時間。
此外，在上述例子中，由於設置有複數個流出口661，因此能更均勻地將活性物種供給至基板W的主表面。
在藥液處理(步驟S3)中，亦可間歇地打開擋門65。亦即，亦可於每個預定時間交互地切換擋門65的打開以及關閉。擋門65關閉流出口661，藉此氣體在第一氣體流路60內滯留，從而生成更多的活性物種；擋門65打開流出口661，藉此能從流出口661將多的活性物種沿著氣體的流動供給至基板W的主表面。
此外，在上述例子中，由於在第一電極群7與基板W之間設置有擋門65，因此第一電極群7設置於更遠離基板W的位置。因此，在第一電極群7的周圍的電場空間所產生的電漿係難以到達至基板W。因此，能抑制電漿損傷基板W。
[流出口661的面積] 在圖12的例子中，接近旋轉軸線Q1之區域內的流出口661的面積係比遠離旋轉軸線Q1之區域內的流出口661的面積還小。在此，當著眼於接近旋轉軸線Q1之區域內的一個流出口661(以下稱為第一流出口661)與遠離旋轉軸線Q1之區域內的一個流出口661(以下稱為第二流出口661)時，能以下述方式來說明。第一流出口661與旋轉軸線Q1之間的距離係比第二流出口661與旋轉軸線Q1之間的距離還短，第一流出口661的面積係比第二流出口661的面積還小。
藉此，能在接近旋轉軸線Q1之位置處提高氣體的流速。因此，能在基板W的中央部處將更多的活性物種供給至處理液，從而能使基板W的處理的均勻性提升。
[第三實施形態] 第三實施形態的基板處理裝置1的構成的一例係排除第一電極群7之外，具有與第一實施形態或者第二實施形態的基板處理裝置1同樣的構成。在第三實施形態中，調整電場空間的電場強度分布。具體而言，第一電極群7係在接近旋轉軸線Q1的空間中以更高的電場強度施加電場，在遠離旋轉軸線Q1的空間中以更低的電場強度施加電場。
圖13係概略性地顯示第一電極群7的構成的另一例之俯視圖。在圖13的例子中，亦設置有六個第一電極71a至71f作為複數個第一電極71。第一電極71a至71f係以此種順序從接近旋轉軸線Q1之側排列地配置。亦即，第一電極71a係最接近旋轉軸線Q1，第一電極71f係最遠離旋轉軸線Q1。因此，藉由第一電極71a、71b所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離係比藉由第一電極71b、71c所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離還短，藉由第一電極71b、71c所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離係比藉由第一電極71c、71d所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離還短，藉由第一電極71c、71d所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離係比藉由第一電極71d、71e所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離還短，藉由第一電極71d、71e所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離係比藉由第一電極71e、71f所形成的電場空間與旋轉軸線Q1之間的距離還短。此外，在此，第一電極71a至71f相互之間的間隔係彼此大致相同。
在圖13的例子中，於第一電極71c與電源80的第一輸出端81之間設置有電阻83，於第一電極71e與電源80的第一輸出端81之間設置有電阻84。當於各個電阻83、84流動電流時，在各個電阻83、84中產生電壓降(voltage drop)。電阻84的電阻值係比電阻83的電阻值還高，電阻84中的電壓降係比電阻83中的電壓降還大。在圖13的例子中，以電阻的數量來顯示電阻84的電阻值比電阻83的電阻值還大之情形。在圖13的例子中，於第一電極71a與電源80的第一輸出端81之間皆未設置有電阻83、84。亦即，最接近旋轉軸線Q1的第一電極71a與第一輸出端81之間的電阻值係比下一個接近旋轉軸線Q1的第一電極71c與第一輸出端81之間的電阻值還小，第一電極71c與第一輸出端81之間的電阻值係比最遠離旋轉軸線Q1的第一電極71e與第一輸出端81之間的電阻值還小。
此外，在圖13的例子中，各個第一電極71b、71d、71f與電源80的第二輸出端82之間皆未設置有電阻83、84，各個第一電極71b、71d、71f與第二輸出端82之間的電阻值係彼此大致相同。
依據此種連接關係，第一電極71a、71b之間的電壓係比第一電極71b、71c之間的電壓還大，第一電極71b、71c之間的電壓係與第一電極71c、71d之間的電壓大致相同，第一電極71c、71d之間的電壓係比第一電極71d、71e之間的電壓還大，第一電極71d、71e之間的電壓係與第一電極71e、71f大致相同。亦即，第一電極71相互之間的電壓係具有愈接近旋轉軸線Q1則愈變大之傾向。因此，第一電極71相互之間的電場空間的電場強度係具有愈接近旋轉軸線Q1則愈變高之傾向。具體而言，第一電極71a、71b之間的電場空間的電場強度最高，第一電極71b、71c之間的電場空間以及第一電極71c、71d之間的電場空間的電場強度第二高，第一電極71d、71e之間的電場空間以及第一電極71e、71f之間的電場空間的電場強度最低。
藉由第一電極群7，高的電場強度的電場係作用於通過接近旋轉軸線Q1的第一電極71a、71b之間的電場空間的氣體。因此，在接近旋轉軸線Q1的位置處產生更多的電漿，從而生成更多的活性物種。更低的電場強度的電場係作用於遠離旋轉軸線Q1的第一電極71b至71d相互之間的電場空間，進一步更低的電場強度的電場係作用於通過進一步更遠離旋轉軸線Q1的第一電極71d至71f相互之間的電場空間的氣體。因此，隨著遠離旋轉軸線Q1，生成更少的活性物種。
如上所述，依據第三實施形態，能在接近旋轉軸線Q1的位置處產生多的活性物種。藉此，能使對於基板W的處理的均勻性提升。
此外，在圖13中，第一電極71d亦可經由電阻83連接於電源80的第二輸出端82。藉此，能將第一電極71b、71c之間的電場空間的電場強度設定成比第一電極71c、71d之間的電場空間的電場強度還高。同樣地，第一電極71f亦可經由電阻84連接於電源80的第二輸出端82。藉此，能將第一電極71d、71e之間的電場空間的電場強度設定成比第一電極71e、71f之間的電場空間的電場強度還高。
圖14係概略性地顯示第一電極群7的構成的另一例之俯視圖。在圖14的例子中設置有電源80a至80c作為電源80。第一電極71a係連接於電源80a的第一輸出端81，第一電極71b係連接於電源80a的第二輸出端82，第一電極71c係連接於電源80b的第一輸出端81，第一電極71d係連接於電源80b的第二輸出端82，第一電極71e係連接於電源80c的第一輸出端81，第一電極71f係連接於電源80的第二輸出端82。亦即，接近旋轉軸線Q1的一對第一電極71a、71b係連接於電源80a，下一個接近旋轉軸線Q1的一對第一電極71c、71d係連接於與電源80a不同的電源80b，最遠離旋轉軸線Q1的一對第一電極71e、71f係連接於電源80c。
藉此，能彼此獨立地控制第一電極71a、71b之間的電壓、第一電極71c、71d之間的電壓以及第一電極71d、71f之間的電壓。具體而言，電源80a係輸出比電源80b還大的電壓，電源80b係輸出比電源80c還大的電壓。藉此，能將接近旋轉軸線Q1的第一電極71a、71b之間的電場空間中的電場強度設定成比遠離旋轉軸線Q1的第一電極71c、71d之間的電場空間中的電場強度還高。此外，能將第一電極71c、71d之間的電場空間中的電場強度設定成比第一電極71e、71f之間的電場空間中的電場強度還高。
圖15係概略性地顯示第一電極群7的構成的另一例之俯視圖。在圖15的例子中，第一電極71a、71c、71e係連接於電源80的第一輸出端81，第一電極71b、71d、71f係連接於電源80的第二輸出端82。在此，被施加至第一電極71相互之間之電壓的大小係彼此大致相同。
在圖15的例子中，第一電極71相互之間的間隔係隨著接近旋轉軸線Q1而變窄。換言之，第一電極71的空間密度係隨著接近旋轉軸線Q1而變高。具體而言，第一電極71a、71b之間的間隔係比第一電極71b、71c之間的間隔還窄，第一電極71b、71c之間的間隔係比第一電極71c、71d之間的間隔還窄，第一電極71c、71d之間的間隔係比第一電極71d、71e之間的間隔還窄，第一電極71d、71e之間的間隔係比第一電極71e、71f之間的間隔還窄。
藉此，能以更高的電場強度對接近旋轉軸線Q1的第一電極71a、71b之間的電場空間施加電場。另一方面，能以比第一電極71a、71b之間的電場空間中的電場強度還低的電場強度對第一電極71b、71c之間的電場空間施加電場。同樣地，能以比第一電極71b、71c之間的電場空間的電場強度還低的電場強度對第一電極71c、71d之間的電場空間施加電場。以下係同樣。
[第四實施形態] 第四實施形態的基板處理裝置1係排除有無第二電漿產生單元500之外，具有與第一實施形態至第三實施形態中任一實施形態的基板處理裝置1同樣的構成。例如，第二電漿產生單元500係連結於第一電漿產生單元5，並與處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5一起構成噴嘴頭3。圖16係概略性地顯示第四實施形態的噴嘴頭3的構成的一例之圖。
在圖16的例子中，第二電漿產生單元500係設置於處理液噴嘴4與第一電漿產生單元5之間。與第一電漿產生單元5同樣地，第二電漿產生單元500係能供給經過電漿用的電場空間的氣體。第二電漿產生單元500係朝向從處理液噴嘴4噴出且著液至基板W的主表面之前的處理液供給該氣體。
圖17係概略性地顯示第二電漿產生單元500的構成的一例之側剖視圖。在圖17的例子中，第二電漿產生單元500為所謂的筆型的電漿源，並包含第二單元本體600與第二電極群700。
第二單元本體600係藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成，並形成供氣體流動的第二氣體流路610。在圖17的例子中，第二單元本體600係包含筒狀體620以及流入部630。筒狀體620係具有筒形狀(例如圓筒形狀)。筒狀體620的內部空間係相當於第二氣體流路610的一部分，筒狀體620的下端口係相當於第二氣體流路610的流出口610a。
第二單元本體600係包含封裝部650。封裝部650係例如藉由樹脂(例如矽樹脂)等之絕緣體(介電體)所形成，並封裝筒狀體620的上端口。
流入部630為用以使氣體朝向筒狀體620的內部空間流動之構件，並連結於筒狀體620的側面。流入部630係具有例如圓筒形狀，流入部630的下游口係形成於筒狀體620的側面。流入部630的內部空間係相當於第一氣體流路60的上游側的一部分，筒狀體620以及流入部630的內部空間整體係相當於第一氣體流路60。
從氣體供給部50對流入部630的上游口供給氣體。被供給至第二電漿產生單元500的流入部630之氣體係例如為與被供給至第一電漿產生單元5之氣體相同種類的氣體。在圖17的例子中，氣體供給部50係包含氣體供給管510以及閥520。流入部630的上游口係連接於氣體供給管510的下游端。氣體供給管510的上游端係連接於氣體供給源53。於氣體供給管510夾設有閥520。閥520係被控制部90控制，藉由切換閥520的打開以及關閉從而切換朝流入部630供給氣體以及停止朝流入部630供給氣體。閥520係可為能夠調整氣體的流量之閥，或者亦可於氣體供給管510另外設置有流量調整閥。
在此種第二單元本體600中，從流入部630的上游口流入的氣體係於第二氣體流路610流動並從流出口610a流出。
第二電極群700係包含複數個第二電極710。在圖17的例子中設置有兩個第二電極710a、710b作為複數個第二電極710。第二電極710係藉由金屬等之導電體所形成，並具有於沿著筒狀體620的中心軸Q2之長邊方向較長的長條形狀。例如，第二電極710a係具有圓柱形狀。第二電極710a的長邊方向的一部分係位於筒狀體620的內部空間，並在中心軸Q2的徑方向中隔著間隔與筒狀體620的內周面對向。換言之，第二電極710a的長邊方向中的一部分係鬆動地插入至筒狀體620內。此外，第二電極710a亦延伸於比筒狀體620的上端口還鉛直上方。亦即，第二電極710a係貫通設置於筒狀體620的上端口的封裝部650並朝鉛直上方延伸。
在圖17的例子中，第二電極710a係被介電保護構件720覆蓋。介電保護構件720係藉由例如石英或者陶瓷等之絕緣體(介電體)所形成，並覆蓋第二電極710a。具體而言，介電保護構件720係至少在筒狀體620內覆蓋第二電極710a的表面。例如，介電保護構件720係密著於第二電極710a的表面。介電保護構件720亦可為形成於第二電極710a的表面的介電膜。介電保護構件720係能保護第二電極710a不受電漿影響。
第二電極710b亦藉由金屬等之導電體所形成，並以在中心軸Q2的徑方向與第二電極710a彼此對向之方式設置。第二電極710b係與第二電極710a的前端側的一部分彼此對向。第二電極710b係具有例如筒形狀，並圍繞第二電極710a的前端側的一部分。在圖17中，第二電極710b係位於筒狀體620的外側。第二電極710b的中心軸係與筒狀體620的中心軸Q2大致一致。
第二電極710a係連接於電源80的第一輸出端81，第二電極710b係連接於電源80的第二輸出端82。電源80係對第二電極710a、710b之間輸出電壓(例如高頻電壓)。藉此，對第二電極710a、710b之間的電場空間施加電場。此外，第二電極710a、710b亦可連接於與電源80不同的其他的電源。亦即，第二電漿產生單元500的第二電極群700亦可連接於與連接於第一電漿產生單元5的第一電極群7之電源80不同的電源。
對第二電極710a、710b之間施加電壓，藉此能對第二電極710a、710b之間的電場空間施加電場。由於此電場空間形成於第一氣體流路60的一部分，因此於第一氣體流路60流動的氣體係通過該電場空間。當氣體通過該電場空間時，該電場作用於氣體，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在產生該電漿時生成活性物種，活性物種係沿著氣體的流動而移動並從第二氣體流路610的流出口610a流出。
從第二電漿產生單元500的流出口610a流出的活性物種係被供給至從處理液噴嘴4噴出且至尚未著液至基板W的主表面的處理液(參照圖16)。反過來說，第二電漿產生單元500係設置於能將氣體(包含活性物種)供給至到達至基板W的主表面之前的處理液。在圖16的例子中，第二電漿產生單元500係設置於處理液噴嘴4與第一電漿產生單元5之間，並使氣體朝向鉛直下方流出。由於處理液噴嘴4係朝於第一電漿產生單元5之側傾斜的傾斜方向噴出處理液，因此處理液係在橫跨第二電漿產生單元500的正下方後著液至基板W的主表面。如此，在處理液橫跨第二電漿產生單元500的正下方時，來自第二電漿產生單元500的活性物種係作用於處理液。藉此，能在著液之前使處理液的處理能力提升。作為更具體性的一例，氧自由基等之活性物種係能作用於著液前的硫酸從而產生卡洛酸。藉此，亦能更適當地去除基板W的中央部的阻劑。
如圖16的例示般，第二電漿產生單元500亦可與第一電漿產生單元5一體性地連結。在圖16的例子中，連結構件550係連結第二電漿產生單元500與第一電漿產生單元5。藉此，能藉由頭移動機構30使第一電漿產生單元5以及第二電漿產生單元500一體性地移動。
此外，在圖17的例子中，雖然第二電極710b係設置於比筒狀體620還外側，但亦可設置於比筒狀體620還內側。在此情形中，只要設置有用以覆蓋第二電極710b之介電保護構件即可。
圖18係概略性地顯示第四實施形態的基板處理裝置1的一部分的構成的一例之圖。在圖18的例子中，第二電漿產生單元500並未與第一電漿產生單元5連結。在圖18的例子中，第二電漿產生單元500係設置成能夠藉由與頭移動機構30不同的頭移動機構300而移動。頭移動機構300的具體性的構成係與頭移動機構30同樣。
頭移動機構300係能使第二電漿產生單元500在處理位置與待機位置之間往復移動。待機位置係指：基板W的搬出以及搬入時第二電漿產生單元500不會干擾基板W的搬運路徑之位置，例如為比基板保持部2還徑方向外側之位置。所謂處理位置係指：第二電漿產生單元500能將氣體供給至從處理液噴嘴4的噴出口4a至基板W的主表面之前的處理液時之位置。
圖18係顯示噴嘴頭3以及第二電漿產生單元500分別位於處理位置的狀態。在圖18的例子中，第二電漿產生單元500係設置成避開處理液噴嘴4與第一電漿產生單元5之間的區域。作為更具體性的一例，相對於處理液噴嘴4設置於與第一電漿產生單元5的相反側。
[第五實施形態] 圖19係概略性地顯示第五實施形態的基板處理裝置1的構成的一例之圖。第五實施形態的基板處理裝置1係排除有無阻隔板800之外，具有與第一實施形態至第四實施形態中任一實施形態的基板處理裝置1同樣的構成。
阻隔板800係位於比被基板保持部2保持的基板W還鉛直上方。阻隔板800為用以抑制被基板保持部2保持的基板W的上方的氛圍擴散至周圍之構件。阻隔板800係具有板狀形狀，並以阻隔板800的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢設置。俯視觀看時阻隔板800係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓形狀，且阻隔板800的直徑係比基板W的直徑還大。
在圖19的例子中，阻隔板800係包含板部810以及垂下部820。板部810係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓板形狀，且以板部810的厚度方向沿著鉛直方向之姿勢配置。垂下部820係具有從板部810的周緣朝鉛直下方突出之圓筒形狀。俯視觀看時垂下部820的前端係位於罩8與被基板保持部2保持的基板W之間，且在鉛直方向位於比基板W的下表面還下方。
於阻隔板800與基板W之間的遮蔽空間收容有在處理位置處停止的噴嘴頭3。從噴嘴頭3延伸的各種配管(處理液供給管41以及氣體供給管51)係通過設置於阻隔板800的垂下部820之未圖示的細縫(slit)從遮蔽空間延伸至外部的空間。該細縫係於徑方向貫通垂下部820並沿著鉛直方向延伸，且於鉛直方向呈開口。
阻隔板800係設置成能夠藉由升降機構850升降。升降機構850係具有例如滾珠螺桿機構或者汽缸等之機構。升降機構850係被控制部90控制，使阻隔板800在阻隔位置與待機位置之間往復移動。所謂阻隔位置係指接近被基板保持部2保持的基板W之位置，作為具體性的一例為垂下部820的前端變成比基板W還下方之位置。圖19係顯示已在阻隔位置停止的狀態下的阻隔板800。所謂待機位置係指比阻隔位置還鉛直上方的位置，且為阻隔板800皆未與基板W的搬運路徑以及噴嘴頭3的移動路徑干擾之位置。
在升降機構850使阻隔板800上升至待機位置且頭移動機構30使噴嘴頭3移動至待機位置的狀態下，主搬運機器人120係能將基板W搬入至基板處理裝置1以及從基板處理裝置1搬出基板W。在基板保持部2保持著基板W的狀態下，頭移動機構30係使噴嘴頭3移動至處理位置，升降機構850係使阻隔板800下降至阻隔位置，藉此完備噴嘴頭3的處理的準備。
在此狀態下，基板保持部2係使基板W旋轉且噴嘴頭3係將處理液以及氣體供給至基板W的主表面，藉此能對基板W進行處理。
在此種處理中，由於阻隔板800位於阻隔位置，因此能抑制阻隔板800與基板W之間的氛圍擴散至周圍。此外，能防止大氣從外部混入至阻隔板800與基板W之間的氛圍中從而導致氛圍中的氣體濃度降低。
圖20係概略性地顯示第五實施形態的基板處理裝置1的構成的另一例之圖。在圖20的例子中，由處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5所構成的噴嘴頭3亦作為阻隔板發揮作用。以下，將圖20的噴嘴頭3、處理液噴嘴4以及第一電漿產生單元5分別稱為噴嘴頭3A、處理液噴嘴4A以及第一電漿產生單元5A。
在圖20的例子中，處理液噴嘴4A係沿著鉛直方向延伸，並在鉛直方向與基板W的中心部對向。處理液噴嘴4A係於下端面具有噴出口4a，並從噴出口4a沿著鉛直方向噴出處理液。從噴出口4a噴出的處理液係朝鉛直下方流下並著液至基板W的主表面的中央部。
俯視觀看時第一電漿產生單元5A係設置於與處理液噴嘴4A彼此相鄰的位置。然而，第一電漿產生單元5A係以圍繞處理液噴嘴4A的周圍之方式設置，第一電漿產生單元5A的俯視觀看時的外緣係作成以旋轉軸線Q1作為中心的圓形狀。第一電漿產生單元5A的下端部的外徑係例如為基板W的直徑以上。
在圖20的例子中，第一電漿產生單元5A的第一單元本體6係包含上表面部605以及側壁部606。俯視觀看時上表面部605係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓形狀，且於上表面部605的中央部形成有供處理液噴嘴4貫通配置的貫通孔605a。處理液噴嘴4貫通配置於貫通孔605a，藉此處理液噴嘴4係被固定於第一單元本體6。側壁部606係具有從上表面部605的周緣沿著鉛直下方延伸的圓筒形狀。被這些上表面部605以及側壁部606圍繞的空間係相當於第一氣體流路60。
在圖20的例子中，亦於第一單元本體6設置有流路區隔部63，流路區隔部63係將第一氣體流路60區隔成複數個氣體分割流路61。在圖20的例子中，形成有氣體分割流路61a、61b作為複數個氣體分割流路61。因此，在圖20的例子中，設置有一個用以區隔氣體分割流路61a、61b之流路區隔部63。在此，流路區隔部63係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓筒形狀。流路區隔部63的內徑係比處理液噴嘴4的外徑還大，流路區隔部63與處理液噴嘴4之間的空間係成為氣體分割流路61a。流路區隔部63的外徑係比側壁部606的內徑還小，流路區隔部63與側壁部606之間的空間係成為氣體分割流路61b。因此，氣體分割流路61a係形成於旋轉軸線Q1的附近，氣體分割流路61b係形成為比氣體分割流路61a還遠離旋轉軸線Q1。換言之，氣體分割流路61a與旋轉軸線Q1之間的距離係比氣體分割流路61b與旋轉軸線Q1之間的距離還短。
位於最靠近徑方向外側之氣體分割流路61b的外徑亦可為基板W的直徑以上。換言之，第一氣體流路60的外徑亦可為基板W的直徑以上。
於上表面部605形成有氣體供給流路62，氣體供給流路62係用以對氣體分割流路61供給氣體。在圖20的例子中，氣體供給流路62的上游口621係形成於上表面部605的上表面，氣體供給流路62的下游口622係形成於上表面部605的下表面(亦即氣體分割流路61的上表面)。在此，與氣體分割流路61a、61b對應地形成有氣體供給流路62a、62b。氣體供給流路62a為用以對氣體分割流路61a供給氣體之流路，氣體供給流路62b為用以對氣體分割流路61b供給氣體之流路。
在此，複數個(在圖中為兩個)氣體供給流路62a於旋轉軸線Q1的周方向例如等間隔地排列。藉此，由於能從複數個周方向位置將氣體供給至氣體分割流路61a，因此能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61a。此外，在此，複數個(在圖中為兩個)氣體供給流路62b於旋轉軸線Q1的周方向例如等間隔地排列。藉此，由於能從複數個周方向位置將氣體供給至氣體分割流路61b，因此能更均勻地將氣體供給至氣體分割流路61b。
氣體供給部50係對氣體供給流路62的上游口621供給氣體。在此，與氣體供給流路62a、62b對應地設置有氣體供給管51a、51b。在圖20的例子中，氣體供給管51a係包含分支管以及共通管，各個分支管的一端係連接於氣體供給流路62a的上游口621a，分支管的另一端係連接於共通管的一端，共通管的另一端係連接於氣體供給源53。閥52a係夾設於氣體供給管51a的共通管。閥52a係被控制部90控制。閥52a亦可為流量調整閥，能夠調整於氣體供給管51a的內部流動之氣體的流量。或者，亦可於該共通管設置有與閥52a不同的流量調整閥。
氣體供給管51b亦包含分支管以及共通管，各個分支管的一端係連接於氣體供給流路62b的上游口621b，分支管的另一端係連接於共通管的一端，共通管的另一端係連接於氣體供給源53。閥52b係夾設於氣體供給管51b的共通管。閥52b係被控制部90控制。閥52b亦可為流量調整閥，能夠調整於氣體供給管51b的內部流動之氣體的流量。或者，亦可於該共通管設置有與閥52b不同的流量調整閥。
此種氣體供給部50係能個別地調整氣體分割流路61a、61b中的氣體的流量。亦即，能與遠離旋轉軸線Q1之氣體分割流路61b中的氣體的流量獨立地調整接近旋轉軸線Q1之氣體分割流路61a中的氣體的流量。例如，能以氣體分割流路61a中的氣體的流速變得氣體分割流路61b中的氣體的流速還高之方式調整各個流量。
在上述例子中，閥52a(流量調整閥)係設置於氣體供給管51a的共通管並針對複數個氣體供流路62a總括性地調整氣體的流量，然而亦可個別地夾設於氣體供給管51a的分支管。在此情形中，能個別地調整複數個氣體供給流路62a中的氣體的流量，並能對氣體分割流路61a均勻地供給氣體。閥52b(流量調整閥)亦同樣。
在圖20的例子中，於第一單元本體6亦設置有第一板狀體64。第一板狀體64係設置於比氣體分割流路61a、61b還下游側且比第一電極群7還上游側。俯視觀看時第一板狀體64係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓形狀，且於第一板狀體64的中央部形成有供處理液噴嘴4貫通配置的貫通孔642。第一板狀體64的外周面係連結於側壁部606的內周面，流路區隔部63的下端部係連結於第一板狀體64的上表面。第一板狀體64中之比流路區隔部63還徑方向內側之區域係在鉛直方向與氣體分割流路61a對向，第一板狀體64中之比流路區隔部63還徑方向外側之區域係在鉛直方向與氣體分割流路61b對向。
於第一板狀體64形成有複數個開口641，於氣體分割流路61a、61b流動之氣體係通過第一板狀體64的開口641朝向第一電極群7流動。藉此，能更均勻地將氣體供給至第一電極群7。
圖21係概略性地顯示第五實施形態的第一電極群7(亦稱為第一電極群7A)的構成的一例之俯視圖。在圖21中，第一電極群7A亦包含複數個第一電極71，俯視觀看時複數個第一電極71係隔著間隔排列地配置。此外，各個第一電極71係具有於水平的長邊方向較長的長條形狀，且在短邊方向排列地配置。
在圖21中亦顯示框體74。框體74係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓環形狀，且連接於第一單元本體6的側壁部606的下端部。框體74的內徑亦可為基板W的直徑以上。
複數個第一電極71係被施加彼此不同極性的電位。在圖21的例子中，在第一電極71的長邊方向中隔著處理液噴嘴4於彼此相反側設置有連結部711a、711b。連結部711a、711b係具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓弧狀的板狀形狀。在圖21的例子中，連結部711a、711b係設置於比框體74還徑方向外側。
此外，在圖21的例子中，在比連結部711a、711b還徑方向內側處，連結部711c、711d係隔著處理液噴嘴4設置於彼此相反側。連結部711c、711d亦具有以旋轉軸線Q1作為中心的圓弧狀的板狀形狀。連結部711a、711c、711d、711b係以此種順序配置於第一電極71的長邊方向的一側至另一側(在圖21中為從左側至右側)。
第奇數個設置的第一電極71的端部係藉由連結部711a彼此連結。亦即，這些第一電極71係從連結部711a沿著長邊方向朝向連結部711b延伸。此外，複數個(在圖21中為兩個)第一電極71亦從連結部711d沿著長邊方向朝向連結部711b延伸。連結於連結部711d的各個第一電極71係與連結於連結部711a之對應的第一電極71於直線上排列。
第偶數個設置的第一電極71的端部係藉由連結部711b彼此連結。亦即，這些第一電極71係從連結部711b沿著長邊方向朝向連結部711a延伸。此外，複數個(在圖21中為兩個)第一電極71亦從連結部711c沿著長邊方向朝向連結部711a延伸。連結於連結部711c的各個第一電極71係與連結於連結部711b之對應的第一電極71於直線上排列。
連結部711a、711d係連接於電源80的第一輸出端81，連結部711b、711c係連接於電源80的第二輸出端82。藉此，對在排列方向彼此相鄰的第一電極71施加有不同極性的電位。
此外，雖然在圖21的例子中省略圖示，然而亦可設置用以保護第一電極71之介電保護構件72，亦可於第一電極71相互之間設置有介電區隔構件73。在氣體碰撞至連結部711c、711d之情形中，連結部711c、711d亦可被介電保護構件72覆蓋。
來自氣體分割流路61a、61b的氣體係在框體74內通過複數個第一電極71相互之間並被供給至基板W的主表面。在氣體通過藉由第一電極群7所形成的複數個第一電極71相互之間的電場空間時，氣體的一部分係電離從而產生電漿。在該電漿產生時生成各種活性物種，該活性物種係沿著氣體的流動被供給至基板W的主表面。
由於第一電漿產生單元5A的第一氣體流路60(氣體分割流路61a、61b)係以圍繞處理液噴嘴4的周圍之方式形成且以第一電極群7圍繞處理液噴嘴4的周圍之方式設置，因此能遍及周方向的全周將活性物種供給至基板W的主表面。此外，在上述例子中，第一電漿產生單元5A的第一氣體流路60中的第一電極群7的正前方部分的外徑為基板W的直徑以上，第一電極群7的周圍的電場空間的整體性的直徑亦為基板W的直徑以上，框體74的內徑亦為基板W的直徑以上。此種第一電漿產生單元5A係能對基板W中之排除中央部以外的大致整面供給活性物種。藉此，能更廣範圍地使處理液的處理能力提升，從而能縮短基板W的處理時間。
此外，由於噴嘴頭3A係在鉛直方向與基板W的主表面的整面對向，因此噴嘴頭3A係能作為阻隔板發揮作用。因此，能抑制基板W與噴嘴頭3之間的氛圍擴散至例如比噴嘴頭3A還鉛直上方的空間。
圖22係概略性地顯示第五實施形態的第一電極群7的構成的另一例之俯視圖。在圖22的例子中，複數個第一電極群7係彼此隔著間隔地設置於周方向。在此，八個第一電極群7a至7h係彼此等間隔地設置於周方向。
在各個第一電極群7中，複數個第一電極71係以複數個第一電極71的長邊方向沿著徑方向之姿勢配置，且在複數個第一電極71的短邊方向彼此隔著間隔地配置。在圖22的例子中，複數個第一電極71的長度係彼此大致相等。在各個第一電極群7中，從排列方向的一側起第奇數個配置的第一電極71的長邊方向的一側的端部係藉由連結部711a而彼此連結，第偶數個排列的第一電極71的長邊方向的另一側的端部係藉由連結部711b而彼此連結。連結部711b係與處理液噴嘴4彼此相鄰地設置，連結部711a係位於比連結部711b還徑方向外側，在圖22的例子中設置於比框體74還徑方向外側。連結部711a係連接於電源80的第一輸出端81，連結部711b係連接於電源80的第二輸出端82。
各個第一電極群7亦可連接於彼此不同的電源80。藉此，能個別地調整第一電極群7的周圍的電場空間的電場強度。
如上所述，雖然已經詳細地說明基板處理裝置1，然而上述說明在全部的實施形態中僅為例示，基板處理裝置1並未被限定於實施形態。能夠解釋成在未逸離本發明的精神的範圍中能夠設想未例示的無數個變化例。在上述各個實施形態以及各個變化例所說明的構成係只要不相互矛盾則能適當地組合或者省略。
例如，亦可不設置流路區隔部63、第一板狀體64、第二板狀體66以及介電區隔構件73中的至少一者。在設置有流路區隔部63之情形中，流路區隔部63的個數只要為一個以上即可。第一電極71不一定需要設置於同一平面，第一電極71的鉛直方向的位置亦可彼此不同。
此外，對於基板W的處理並未限定於阻劑去除處理。例如，能夠應用於能藉由活性物種使處理液的處理能力提升之全部的處理。換言之，以活性物種能使處理液的處理能力提升之方式，因應處理液來選擇供給至第一電漿產生單元5以及第二電漿產生單元500之氣體的種類。
1:基板處理裝置 2:基板保持部 3,3A:噴嘴頭 4,4A:處理液噴嘴 4a:噴出口 5,5A:第一電漿產生單元 6:第一單元本體 7,7a至7h,7A:第一電極群 8:罩 21:基座 22:夾具 23:旋轉機構 30,300:頭移動機構 41:處理液供給管 42,52,52a,52b,52c,520:閥 43:處理液供給源 50:氣體供給部 51,51a,51b,51c,510:氣體供給管 53:氣體供給源 60:第一氣體流路 61,61a至61c:氣體分割流路 62,62a,62b,62c:氣體供給流路 63,63a,63b:流路區隔部 64,64a,64b:第一板狀體 65:擋門 66:第二板狀體 67:驅動部 71,71a至71f:第一電極 72,720:介電保護構件 73:介電區隔構件 74:框體 80:電源 81:第一輸出端 82:第二輸出端 83,84:電阻 90:控制部 91:資料處理部 92,921,922:記憶媒體 93:匯流排 100:基板處理系統 101:裝載埠 110:索引機器人 120:主搬運機器人 130:處理單元 231:馬達 232:軸 500:第二電漿產生單元 600:第二單元本體 601:側面 605:上表面部 605a:貫通孔 606:側壁部 610:第二氣體流路 610a:流出口 620:筒狀體 621,621a,621b,621c:上游口 622,622a至622c:下游口 630:流入部 641:第一開口、第二開口(開口) 650:封裝部 661:第一流出口、第二流出口(流出口) 700:第二電極群 710,710a,710b:第二電極 711a至711d:連結部 800:阻隔板 810:板部 820:垂下部 850:升降機構 C:承載器 Q1:旋轉軸線 Q2:中心軸 W:基板
[圖1]係概略性地顯示基板處理系統的構成的一例之俯視圖。 [圖2]係概略性地顯示控制部的內部構成的一例之功能方塊圖。 [圖3]係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之側視圖。 [圖4]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的一例之剖視圖。 [圖5]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的一例之剖視圖。 [圖6]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的一例之剖視圖。 [圖7]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的一例之縱剖視圖。 [圖8]係顯示基板處理裝置的動作的一例之流程圖。 [圖9]係概略性地顯示第一電極群的構成的另一例之剖視圖。 [圖10]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的另一例之剖視圖。 [圖11]係概略性地顯示第一氣體流路的流出口附近的構成的一例之側剖視圖。 [圖12]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的另一例之剖視圖。 [圖13]係概略性地顯示第一電極群的構成的另一例之俯視圖。 [圖14]係概略性地顯示第一電極群的構成的另一例之俯視圖。 [圖15]係概略性地顯示第一電極群的構成的另一例之俯視圖。 [圖16]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的另一例之剖視圖。 [圖17]係概略性地顯示第二電漿產生單元的構成的一例之剖視圖。 [圖18]係概略性地顯示噴嘴頭的構成的另一例之剖視圖。 [圖19]係概略性地顯示基板處理裝置的構成的另一例之剖視圖。 [圖20]係概略性地顯示基板處理裝置的構成的另一例之剖視圖。 [圖21]係概略性地顯示第一電極群的構成的另一例之剖視圖。 [圖22]係概略性地顯示第一電極群的另一例之剖視圖。
3:噴嘴頭
4:處理液噴嘴
4a:噴出口
5:第一電漿產生單元
6:第一單元本體
7:第一電極群
41:處理液供給管
42,52,52a,52c:閥
50:氣體供給部
51,51a,51c:氣體供給管
60:第一氣體流路
61,61a至61c:氣體分割流路
62,62a,62c:氣體供給流路
63,63a,63b:流路區隔部
64,64a,64b:第一板狀體
71,71a至71f:第一電極
72:介電保護構件
73:介電區隔構件
74:框體
601:側面
621,621a,621c:上游口
641:第一開口、第二開口(開口)
Q1:旋轉軸線
W:基板

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於不與前述處理液噴嘴重疊而是在水平方向與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係具有前述基板的半徑以上的寬度，並包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係從被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面中之前述基板的前述中心部對包含周緣部之前述基板的半徑以上的區域供給已通過前述第一電極群的前述氣體。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一電漿產生單元係進一步具備：介電區隔構件，係設置於複數個前述第一電極相互之間。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係包含：流路區隔部，係俯視觀看時將前述第一氣體流路區隔成複數個氣體分割流路。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中具備：氣體供給部，係對前述第一氣體流路供給前述氣體；前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述氣體分割流路係包含第一氣體分割流路以及第二氣體分割流路；前述第一氣體分割流路與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二氣體分割流路與前述旋轉軸線之間的距離還短；前述氣體供給部係以前述第一氣體分割流路中的前述氣體的第一流速變得比前述第二氣體分割流路中的前述氣體的第二流速還高之方式對前述第一氣體分割流路以及前述第二氣體分割流路供給前述氣體。
  5. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中於前述第一單元本體形成有：複數個氣體供給流路，係對複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路供給氣體；複數個前述氣體供給流路的下游口係在俯視觀看時彼此不同的位置處連繫於複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：第一板狀體，係設置於前述第一氣體流路中比前述第一電極群還上游側，並具有與前述第一電極群彼此對向之複數個開口。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述開口係包含第一開口以及第二開口；前述第一開口與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二開口與前述旋轉軸線之間的距離還短； 前述第一開口的面積係比前述第二開口的面積還小。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：擋門，係將設置於比前述第一電極群還下游側的前述第一氣體流路的流出口予以打開以及關閉。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述第一單元本體係進一步包含：第二板狀體，係具有複數個流出口作為前述第一氣體流路的流出口。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述流出口係包含第一流出口以及第二流出口；前述第一流出口與前述旋轉軸線之間的距離係比前述第二流出口與前述旋轉軸線之間的距離還短；前述第一流出口的面積係比前述第二流出口的面積還小。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述電極相互之間的電場空間中之第一電場空間與前述旋轉軸線之間的距離係比前述電場空間中之第二電場空間與前述旋轉軸線之間的距離還短；以比施加至前述第二電場空間之電場的電場強度還高的電場強度對前述第一電場空間施加電場。
  12. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中被施加至複數個前述電極中之用以形成前述第一電場空間之兩個電極之間的電壓的大小係比被施加 至複數個前述電極中之用以形成前述第二電場空間之兩個電極之間的電壓的大小還大。
  13. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中複數個前述電極中之用以形成前述第一電場空間之兩個電極的間隔係比複數個前述電極中之用以形成前述第二電場空間之兩個電極的間隔還窄。
  14. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備第二電漿產生單元；前述第二電漿產生單元係包含：第二電極群，係具有複數個第二電極；以及第二單元本體，係形成第二氣體流路，前述第二氣體流路係用以使氣體朝向前述第二電極群流動；前述第二電漿產生單元係將已通過前述第二電極群的前述氣體供給至從前述處理液噴嘴噴出且著液至前述基板的前述主表面之前的前述處理液。
  15. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一電漿產生單元係俯視觀看時圍繞前述處理液噴嘴的周圍，並與前述處理液噴嘴一起形成阻隔板；前述阻隔板係設置於比被前述基板保持部保持的前述基板的上表面還鉛直上方，並在鉛直方向與前述基板的上表面彼此對向。
  16. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中設置有複數個前述第一電極群；複數個前述第一電極群係在前述旋轉軸線的周方向排列地設置。
  17. 一種基板處理裝置，係具備： 基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面；前述第一單元本體係包含：流路區隔部，係俯視觀看時將前述第一氣體流路區隔成複數個氣體分割流路；於前述第一單元本體形成有：複數個氣體供給流路，係對複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路供給氣體；複數個前述氣體供給流路的下游口係在俯視觀看時彼此不同的位置處連繫於複數個前述氣體分割流路中的一個前述氣體分割流路。
  18. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉； 處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面；前述第一單元本體係進一步包含：第一板狀體，係設置於前述第一氣體流路中比前述第一電極群還上游側，並具有與前述第一電極群彼此對向之複數個開口。
  19. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係包含： 第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面；前述第一單元本體係進一步包含：擋門，係將設置於比前述第一電極群還下游側的前述第一氣體流路的流出口予以打開以及關閉。
  20. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面； 前述處理液噴嘴係朝向前述基板的前述主表面的中央部噴出前述處理液；複數個前述電極相互之間的電場空間中之第一電場空間與前述旋轉軸線之間的距離係比前述電場空間中之第二電場空間與前述旋轉軸線之間的距離還短；以比施加至前述第二電場空間之電場的電場強度還高的電場強度對前述第一電場空間施加電場。
  21. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；以及第二電漿產生單元；前述第一電漿產生單元係包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係將已通過前述第一電極群的前述氣體供給至被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面；前述第二電漿產生單元係包含： 第二電極群，係具有複數個第二電極；以及第二單元本體，係形成第二氣體流路，前述第二氣體流路係用以使氣體朝向前述第二電極群流動；前述第二電漿產生單元係將已通過前述第二電極群的前述氣體供給至從前述處理液噴嘴噴出且著液至前述基板的前述主表面之前的前述處理液。
  22. 一種基板處理裝置，係具備：基板保持部，係一邊保持基板一邊使前述基板繞著通過前述基板的中心部之旋轉軸線旋轉；處理液噴嘴，係朝向被前述基板保持部保持的前述基板的主表面噴出處理液；以及第一電漿產生單元，係沿著前述旋轉軸線俯視觀看時與前述處理液噴嘴一體性地設置於與前述處理液噴嘴彼此相鄰的位置；前述第一電漿產生單元係具有前述基板的半徑以上的寬度，並包含：第一電極群，係具有複數個第一電極，俯視觀看時複數個前述第一電極係彼此隔著間隔排列地設置；以及第一單元本體，係形成第一氣體流路，前述第一氣體流路係用以使氣體從鉛直上方朝向前述第一電極群流動；前述第一電漿產生單元係從被前述基板保持部保持的前述基板的前述主表面中之前述基板的前述中心部對包含周緣部之前述基板的半徑以上的區域供給已通過前述第一電極群的前述氣體。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006302623A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20150079301A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Srinivas Nemani Method of depositing thin metal-organic films

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002053312A (ja) * 2000-08-09 2002-02-19 Sony Corp カロ酸発生装置、レジスト除去装置およびレジスト除去方法
JP2007103732A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5181085B2 (ja) * 2006-06-22 2013-04-10 リバーベル株式会社 処理装置及び処理方法
JP5192214B2 (ja) * 2007-11-02 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法
KR101234594B1 (ko) * 2011-07-25 2013-02-19 피에스케이 주식회사 배플 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2014179386A (ja) * 2013-03-13 2014-09-25 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP5917477B2 (ja) * 2013-11-29 2016-05-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7208814B2 (ja) * 2019-02-13 2023-01-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 生成装置、基板処理装置、及び基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006302623A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20150079301A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Srinivas Nemani Method of depositing thin metal-organic films

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