TWI781275B - 電鍍裝置 - Google Patents

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TWI781275B
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Abstract

本發明是使在多邊形基板上電鍍的膜的面內均勻性提高。電鍍裝置包括以保持陽極的方式而構成的陽極固持器、以保持多邊形基板的方式而構成的基板固持器、以及設置在陽極固持器與基板固持器之間的調節板。調節板包括具有遵循多邊形基板的外形的第一多邊形開口的本體部、以及從第一多邊形開口的邊緣朝向基板固持器側突出的壁部。壁部在包含第一多邊形開口的邊的中央部的第一區域內朝基板固持器側跨第一距離而突出,在包含第一多邊形開口的角部的第二區域內被切缺,或者朝向基板固持器側跨小於第一距離的第二距離而突出。

Description

電鍍裝置
本申請涉及一種電鍍裝置。
以前,是進行如下的工序:在半導體晶片等基板的表面上所設置的微細的配線用溝槽、孔(hole)或抗蝕開口部上形成配線,或者在基板的表面上形成與封裝體的電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。作為形成所述配線及凸塊的方法,例如已知有電解電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊法等。伴隨著半導體晶片的輸入輸出(input/output,I/O)數的增加、間距變窄,能夠實現微細化且性能較穩定的電解電鍍法更多地使用起來。
當使用電解電鍍法來形成配線或凸塊時,會在設置於基板上的配線用溝槽、孔或抗蝕開口部上的阻擋金屬(barrier metal)的表面上形成低電阻的籽晶層(供電層)。在所述籽晶層(seed layer)的表面上,電鍍膜成長。
一般來說,被電鍍的基板在其周緣部具有電接點。即,電流從被電鍍的基板的中央流向周緣部。隨著距離遠離基板的中央,電位逐漸下降與籽晶層的電阻相當的程度,與基板的中心部相比在基板的周緣部會產生更低的電位。由於所述在基板中心與周緣部的電位差,而使得金屬離子的還原電流,即電鍍電流集中於基板的周緣部的現象被稱為終點效應(terminal effect)。
再者,作為利用電解電鍍法而電鍍的基板的形狀,已知有圓形的基板、四邊形的基板(例如,參照專利文獻1及專利文獻2)。
在圓形基板上,從圓形基板的中央部到基板的周緣部為止的距離與相鄰的電接點之間的距離遍及基板的全周均相同。因此,在圓形基板上電鍍時的終點效應是遍及基板的整個周圍而大致同樣地產生。因此,當在圓形基板上進行有電鍍時,在基板的中心部的電鍍速度會下降,在基板的中心部的電鍍膜的膜厚薄於在基板的周緣部的電鍍膜。以前,為了抑制因終點效應導致的膜厚的面內均勻性的下降,是進行如下的工序:一邊對均等地配置在圓形基板的周緣部上的電接點供給電流,一邊例如利用如專利文獻3所公開的調節板(regulation plate),調節施加至圓形基板的電場、即電活性離子的平流。 [現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平09-125294號公報 [專利文獻2]日本專利特公平03-029876號公報 [專利文獻3]日本專利特開2005-029863號公報
[發明所要解決的問題]
但是,在多邊形基板中,當在多邊形的所有邊的周緣部上配置有電接點時,鄰接的電接點間的距離會因位置而不同。即,多邊形基板的頂點附近與多邊形基板的邊的中央部(頂點間的中央部)相比,鄰接的電接點間的距離更短。由此,與多邊形基板的邊的中央部(頂點間的中央部)相比電量增加,因此在電鍍初期,基板表面的電活性離子更多地消耗,濃度下降。並且,頂點附近被保護電接點遠離電鍍液的密封件等基板固持器的構成零件所包圍,由此難以將電活性離子供給至基板表面。因此,在多邊形基板上,存在如下的傾向:在靠近與中心部的距離相對較長的角部的區域內,最終的電鍍膜厚變小。
本發明是鑒於所述問題而完成的,其目的之一在於使在多邊形基板上電鍍的膜的面內均勻性提高。 [解決問題的技術手段]
(方式1)根據方式1,提供一種電鍍裝置,所述電鍍裝置包括以保持陽極的方式而構成的陽極固持器、以保持多邊形基板的方式而構成的基板固持器、以及設置在所述陽極固持器與所述基板固持器之間的調節板,所述調節板包括具有遵循所述多邊形基板的外形的第一多邊形開口的本體部、以及從所述第一多邊形開口的邊緣向所述基板固持器側突出的壁部,所述壁部是在包含所述第一多邊形開口的邊的中央部的第一區域內朝向所述基板固持器側跨第一距離而突出,在包含所述第一多邊形開口的角部的第二區域內被切缺,或者朝向所述基板固持器側跨小於所述第一距離的第二距離而突出。根據方式1,可以使在多邊形基板上電鍍的膜的面內均勻性提高。
(方式2)根據方式2,在方式1的電鍍裝置中,所述壁部的所述第一區域是從與所述本體部的板面垂直的方向觀察外側的邊較長的梯形狀。
(方式3)根據方式3,在方式1或方式2的電鍍裝置中,還包括隔膜,所述隔膜是以堵塞所述調節板的所述第一多邊形開口的方式而配置,容許金屬離子透過而阻礙添加劑透過。
(方式4)根據方式4,在方式1至方式3中任一項的電鍍裝置中,還包括陽極掩模(anode mask),所述陽極掩模包括具有遵循所述多邊形基板的外形的第二多邊形開口的陽極掩模本體部、以及從所述第二多邊形開口的邊緣向所述基板固持器側突出的陽極掩模壁部,並安裝在所述陽極固持器上,所述陽極掩模壁部是在包含所述第二多邊形開口的邊的中央部的第三區域內朝向所述基板固持器側跨第三距離而突出,在包含所述第二多邊形開口的角部的第四區域內被切缺,或者朝向所述基板固持器側跨小於所述第三距離的第四距離而突出。
以下,參照附圖對本發明的實施方式進行說明。在以下說明的附圖中,對相同或相當的構成元件,標注相同的符號並省略重複說明。
圖1表示實施方式中的電鍍裝置的整體配置圖。如圖1所示,所述電鍍裝置包括搭載收納半導體晶片等基板的晶盒(cassette)100的兩台晶盒平臺(cassette table)102、使基板的定向平面(orientation flat)或凹口等位置在規定的方向上對準的調整器(aligner)104、以及使電鍍處理後的基板高速旋轉而乾燥的自旋清洗甩幹機(spin rinse drier)106。在自旋清洗甩幹機106的附近,設置有載置基板固持器30而進行基板的拆裝的基板拆裝部120。在這些單元100、單元104、單元106、單元120的中央,配置有包含在這些單元間搬運基板的搬運用機器人的基板搬運裝置122。
依次配置有:儲料器(stocker)124,進行基板拆裝部120、基板固持器30的保管及暫時放置;預濕(prewet)槽126,使基板浸漬于純水中;預浸槽(presoak tank)128,對形成於基板的表面上的籽晶層等導電層的表面的氧化膜進行蝕刻去除;第一洗滌槽130a,利用洗滌液(純水等)對預浸後的基板與基板固持器30一併進行洗滌;卸料槽(blow tank)132,去除洗滌後的基板的液體;第二洗滌槽130b,利用洗滌液對電鍍後的基板與基板固持器30一併進行洗滌;以及電鍍單元10。
所述電鍍單元10是在溢流槽(overflow tank)136的內部收納多個電鍍槽14而構成。各電鍍槽14在內部收納一個基板,使基板浸漬於內部所保持的電鍍液中而在基板表面上實施鍍銅等電鍍。
電鍍裝置具有位於所述各設備的側方,在所述各設備之間搬運基板固持器30及基板的例如採用線性馬達(linear motor)方式的基板固持器搬運裝置140。所述基板固持器搬運裝置140包括第一運輸機(transporter)142及第二運輸機144,所述第一運輸機142是在基板拆裝部120、儲料器124、預濕槽126、預浸槽128、第一洗滌槽130a及卸料槽132之間搬運基板,所述第二運輸機144是在第一洗滌槽130a、第二洗滌槽130b、卸料槽132及電鍍單元10之間搬運基板。電鍍裝置也可以設為不包含第二運輸機144,而只包含第一運輸機142。
在所述基板固持器搬運裝置140的隔著溢流槽136的相反側,配置有對作為攪拌棒的槳板(paddle)16(參照圖2)進行驅動的槳板驅動裝置146,所述槳板16位於各電鍍槽14的內部,對電鍍槽14內的電鍍液進行攪拌。
基板拆裝部120包括沿軌道150橫向滑動自如的平板狀的載置板152。兩個基板固持器30是以水準狀態並列地載置在所述載置板152上,在一個基板固持器30與基板搬運裝置122之間進行基板的交接後,使載置板152橫向滑動,在另一個基板固持器30與基板搬運裝置122之間進行基板的交接。
圖2是圖1所示的電鍍裝置中所含的電鍍單元的概略側剖面圖(縱剖面圖)。如圖2所示,電鍍單元10包括以收容電鍍液、基板固持器30、及陽極固持器13的方式而構成的電鍍槽14、以及溢流槽(未圖示)。基板固持器30是以保持多邊形的基板Wf的方式而構成,陽極固持器13是以保持具有金屬表面的陽極12的方式而構成。多邊形的基板Wf與陽極12經由電鍍電源15而電連接,通過使電流在基板Wf與陽極12之間流動,而在基板Wf的表面上形成電鍍膜。
陽極固持器13包括用於調整陽極12與基板Wf之間的電場的陽極掩模18。陽極掩模18是例如包含介電質材料的大致板狀的構件,設置在陽極固持器13的前表面。在這裡,所謂陽極固持器13的前表面,是指與基板固持器30相向之側的面。即,陽極掩模18配置在陽極12與基板固持器30之間。陽極掩模18在大致中央部具有流入至陽極12與基板Wf之間的電流所通過的多邊形開口(第二多邊形開口)18a。
電鍍單元10包括用於調整基板Wf與陽極12之間的電場的調節板(調整板)20、以及用於對電鍍液進行攪拌的槳板16。調節板20配置在基板固持器30與陽極12之間。具體來說,將調節板20的下端部,插入至設置於電鍍槽14的底面的一對凸構件28之間,使調節板20相對於電鍍槽14而固定。並且,調節板20也可以在上端附近具有向外側突出的臂(未圖示),在圖1所示的儲料器124內,通過將臂卡掛在儲料器124的周壁上表面而吊掛支撐著。槳板16配置在基板固持器30與調節板20之間。
圖3A是從基板Wf側表示實施方式的調節板20的一例的圖,圖3B是表示調節板20的一例的立體圖。調節板20是由例如介電質即氯化乙烯形成。調節板20包括在大致中央部具有多邊形開口(第一多邊形開口)21的板狀的本體部22、以及從本體部22向基板固持器30側突出的壁部23。多邊形開口21是遵循基板Wf的外形的形狀,優選的是稍小於基板Wf的外形的形狀,在圖3A、圖3B所示的示例中為四邊形。壁部23從本體部22中的多邊形開口21的邊緣起,沿與本體部22的板面垂直的方向(圖2中為左右方向)突出。在圖3A、圖3B所示的示例中,壁部23在包含多邊形開口21的角部的區域(第二區域)內被切缺。即,壁部23只設置在包含多邊形開口21的邊的中央部的區域(第一區域)內,而未設置在角部附近(第二區域)。在這裡,第一區域與第二區域的區分只要通過實驗或模擬等來確定即可,作為一例可將在多邊形開口21的周圍的2%、3%、5%、7%或10%的區域設為第二區域。並且,如圖3A特別所示,壁部23是從基板固持器30側觀察外側的邊較長的梯形狀,例如壁部23的端部也可以沿從多邊形開口21的中央呈放射狀延伸的直線而劃定。但是,並不限定於這樣的示例,例如,壁部23的第一區域與第二區域的分界也可以沿多邊形開口21的邊而劃定。這樣的調節板20是從陽極12向基板固持器30,在外觀上,在包含多邊形開口21的邊的中央部的區域內形成跨相對較長的距離(本體部22的厚度與壁部23的高度的和)的長開口,在角附近形成跨相對較短的距離(本體部22的厚度)的短開口。
在調節板20收容於電鍍槽14內的狀態下,對基板Wf及陽極12施加電壓後,來自陽極12的電流穿過多邊形開口21而流入至基板Wf。換言之,調節板20遮擋著形成於陽極12與基板Wf之間的電場的一部分。並且,可抑制穿過多邊形開口21的電流被壁部23引導而擴散至基板Wf的外側。而且,實施方式的調節板20只在包含多邊形開口21的邊的中央部的區域(第一區域)內設置有壁部23,所以特別是在第一區域內電流流入至基板Wf的端部附近得到抑制。另一方面,調節板20在多邊形開口21的角部附近(第二區域)壁部23被切缺,所以在所述第二區域內,與第一區域相比電流的擴散未得到抑制。在這裡,存在如下的傾向:在多邊形的基板Wf的角部附近電流相對不集中,在基板Wf的邊的中央部附近電流相對較集中。與此相對,通過使用實施方式的調節板20,可以抑制流入至基板Wf的邊的電流變得不均勻,從而能夠提高膜厚的面內均勻性。
圖3C是表示使用形成有固定高度的壁部的比較例的調節板在四邊形基板上進行有電鍍時的電鍍膜厚的概略圖,圖3D是表示使用圖3A及圖3B所示的實施方式的調節板20在四邊形基板上進行有電鍍時的電鍍膜厚的概略圖。再者,在圖3C及圖3D中,表示將四邊形基板一分為四而成的右上區域的電鍍膜厚,圖中左下相當於四邊形基板的中心部,圖中右上相當於四邊形基板的角部。在圖3C及圖3D中,顏色越淺的地方表示膜厚越小,顏色越深的地方表示膜厚越大。如圖3C所示,在使用包含角部在內形成有固定高度的壁部的比較例的調節板的情況下,在從基板的中心部Ctr算起的距離相對較長的角部Cor附近,電鍍膜厚變小。與此相對,通過使用角部附近的壁部23經切缺的實施方式的調節板20在四邊形基板上進行電鍍,而如圖3D所示,可抑制在角部附近電鍍膜厚變小。並且,與圖3C所示的示例相比,在圖3D所示的示例中膜厚的均勻性(均勻性:(最大膜厚-最小膜厚)/(2平均膜厚))得到提高。如上所述,通過使用角部附近的壁部23經切缺的實施方式的調節板20,可以提高膜厚的面內均勻性。
圖4是表示調節板20的第一個另一例的圖。在圖4所示的調節板20中,壁部23與圖3B所示的調節板20不同,其它方面相同。在圖4所示的調節板20中,與包含角部附近在內的多邊形開口21的整個邊緣連續地設置有壁部23。但是,壁部23是在包含多邊形開口21的邊的中央部的第一區域23a內跨第一距離而突出,在包含多邊形開口21的角部的第二區域23b內跨小於第一距離的第二距離而突出。通過使用這樣的調節板20,也可以抑制流入至基板Wf的邊的中央部附近的電流變得不均勻,從而可以提高膜厚的面內均勻性。在這裡,第二區域23b內的壁部23的高度(第二距離)只要基於基板固持器30的供電構件的配置等,以膜厚的面內均勻性提高的方式而確定即可。並且,將第二區域23b內的壁部23的高度(第二距離)設為值0的調節板相當於圖3A~圖3D所示的調節板20。
圖5是表示調節板20的第二個另一例的圖。在圖5所示的調節板20上,傾斜地形成有第二區域23b的壁部23。第二區域23b的壁部23的傾斜角度只要通過實驗或模擬等而適當確定即可。在圖5所示的示例中,第二區域23b的壁部23是設為越靠近多邊形開口21的角越低,越遠離角越高的傾斜。但是,第二區域23b的壁部23也可以設為越靠近多邊形開口21的角越高,越遠離角越低的傾斜。並且,在圖5所示的示例中,第二區域23b的壁部23是朝向第一區域23a,傾斜至與第一區域23a的壁部23的高度相同的高度為止。但是,並不限定於這樣的示例,壁部23也可以在第一區域23a與第二區域23b具有階差,並且在第二區域23b內傾斜。
圖6是表示調節板20的第三個另一例的圖。在圖6所示的調節板20上,壁部23在包含多邊形開口21的邊的中央部的第一區域23a、包含多邊形開口21的角部的第二區域23b、及夾於第一區域23a與第二區域23b之間的第三區域23c內,高度不同。在圖6所示的示例中,第三區域23c的壁部23是設為第一區域23a的壁部23與第二區域23b的壁部23之間的高度。但是,第三區域23c的壁部23也可以設計成低於第二區域23b的壁部23的高度。
並且,調節板20的壁部23也可以在第一區域23a與第二區域23b內呈曲線狀或直線狀順滑地連接。並且,調節板20也可以不論第一區域23a或第二區域23b,都在壁部23的側面形成有孔。
再次回到圖2進行說明。在調節板20上,以堵塞多邊形開口21的方式安裝有隔膜24。隔膜24包含使金屬離子穿過而不使添加劑穿過的陽離子交換膜或多孔膜。作為這種多孔膜的示例,可舉出湯淺隔膜(Yuasa Membrane)股份有限公司製造的YUMICRON(商標名)。隔膜24通過具有與多邊形開口21相對應的開口的框狀的固定板25而固定在調節板20上。隔膜24及固定板25可從背面(陽極12側的面)安裝至調節板20。並且,在調節板20與隔膜24及/或固定板25的接觸面上可設置與多邊形開口21的形狀相應的框狀的密封體。
再者,剛才已對調節板20進行說明。但是,也可以代替調節板20的壁部23,或除了調節板20的壁部23以外,使安裝在陽極固持器13上的陽極掩模18,具有與調節板20的壁部23同樣的壁部。即,陽極掩模18也可以包括具有遵循多邊形的基板Wf的外形的多邊形開口(第二多邊形開口)18a的陽極掩模本體部、以及從陽極掩模本體部的多邊形開口18a的邊緣向基板固持器30側突出的陽極掩模壁部。而且,陽極掩模壁部也可以在包含多邊形開口18a的邊的中央部的第三區域內朝向基板固持器側跨第三距離而突出,在包含多邊形開口18a的角部的第四區域內被切缺,或者朝向基板固持器30側跨小於第三距離的第四距離而突出。陽極掩模18中的多邊形開口18a及陽極掩模壁部既可以為與調節板20中的多邊形開口21及壁部23相同的尺寸,也可以為與調節板20中的多邊形開口21及壁部23不同的尺寸。
接著,對基板固持器30進行說明。圖7是圖2所示的電鍍單元10中所使用的基板固持器30的概略前視圖,圖8是基板固持器30的概略側視圖。基板固持器30包括前板300及背板(back plate)400。在這些前板300與背板400之間保持基板Wf。在本實施例中,基板固持器30是在使基板Wf的一面露出的狀態下保持基板Wf。
前板300包括前板本體310及臂部330。臂部330具有一對台座331,通過在圖1所示的各處理槽的周壁上表面設置台座331,而垂直地吊掛支撐著基板固持器30。並且,在臂部330上,設置有連接器332,所述連接器332是以在電鍍槽14的周壁上表面設置有台座331時,與設置在電鍍槽14內的電接點接觸的方式而構成。由此,基板固持器30與外部電源電連接,對基板固持器30所保持的多邊形的基板Wf施加電壓及電流。
前板本體310為大致矩形狀,包括配線緩衝(buffer)部311及面部312,並包括前表面301及背面302。前板本體310通過安裝部320而在兩處安裝在臂部330上。在前板本體310上,設置有開口部303,使基板S的被電鍍面從開口部303露出。在本實施方式中,開口部303形成為與多邊形的基板Wf的形狀相對應的形狀。
背板400為大致矩形狀,覆蓋基板Wf的背面。背板400是在與前板本體310(更詳細來說,為面部312)的背面302之間夾著基板Wf的狀態下借由夾具(clamp)340而固定。夾具340是以圍繞著與前板本體310的面301、面302平行的旋轉軸旋轉的方式構成。但是,夾具340並不限定於這樣的示例,也可以設為以在與面301、面302垂直的方向上往返運動而夾持背板400的方式構成等。
圖9是前板本體的後視圖,圖10是放大地表示與連接器相近之側的面部的角部附近的後視圖。前板本體310的背面302具有18個觸點區域C1-觸點區域C18。觸點區域C1-觸點區域C7、觸點區域C17、觸點區域C18配置在面部312之中連接器332側的半邊的區域(近位元區域、圖9的右側半邊的區域)內,觸點區域C8-觸點區域C16配置在面部312之中遠離連接器332之側的半邊的區域(遠位元區域、圖9的左側半邊的區域)內。在以下的說明中,為了方便,有時將配置在遠位元元區域內的電纜稱為第一組電纜,將配置在近位元元區域內的電纜稱為第二組電纜。
如圖10所示,在各觸點區域C1-觸點區域C18內,包含用於對基板Wf供電的觸點(接點構件)370。觸點370是沿前板300的開口部303的各邊而配置。即,觸點370是沿多邊形的基板Wf的各邊而配置。對各觸點區域C1-觸點區域C18的觸點370,分別經由電纜L1-電纜L18,從外部進行供電。再者,在以下的說明中,在不需要對各電纜進行區分時,有時將電纜L1-電纜L18統稱為電纜L。並且,也有時將任意的電纜作為電纜L來進行參照。
電纜L1-電纜L18的第一端部與設置在臂部330的一端的連接器332連接,更詳細而言,在連接器332上與各別的接點電連接,或者每多條電纜與共同的接點(圖略)電連接。電纜L1-電纜L18可經由連接器332的各接點與外部的電源(電源電路、電源裝置等)電連接。
電纜L1-電纜L7是在同一平面內並列地導入至電纜通路365內,沿開口部303的連接器332側的邊而配置。電纜彼此在面部312的厚度方向上不重合。因此,能夠抑制面部312及前板300的厚度。
各觸點區域內的電纜L與觸點370的電連接是如下所述而進行。如果舉出電纜L1為例,則是對電纜L1的前端部(第二端部)去除包覆部,露出心線(導電線)。電纜L1的前端部是在觸點區域C1的附近,導入至密封固持器(seal holder)363的配線溝槽內,並在觸點區域C1內,通過四處螺釘(緊固構件)511而與觸點370一併被按壓。即,螺釘(緊固構件)511及密封固持器363夾持著電纜L1的心線及觸點370。其結果為,電纜L1與觸點370電連接。當基板固持器30保持基板Wf時,觸點370與基板Wf接觸,從外部的電源經由電纜L1、觸點370對基板Wf進行供電。其它觸點區域C2-觸點區域C18也是同樣地構成,從18處觸點370對基板Wf進行供電。
如以上說明,本實施方式的基板固持器30是在多邊形的基板Wf的各邊上設置有觸點370,從設置於各邊的觸點370對基板Wf進行供電。由此,在基板Wf的表面上形成電鍍膜。
以上,已說明在四邊形的基板Wf上進行電鍍的工藝,但並不限於此,在三角形或五邊形以上的基板Wf上,也可以利用同樣的工藝進行電鍍。在這種情況下,也是只要在陽極掩模18及調節板20上,形成遵循基板Wf的形狀的三角形或五邊形以上的多邊形開口即可,只要設為將與多邊形開口連續的壁部的角部加以切缺、或跨低於中央部的距離而突出即可。並且,只要沿多邊形基板的各邊配置多個供電構件即可。
以上,已說明本發明的實施方式,但所述發明的實施方式是用來使本發明易於理解,而不是對本發明進行限定。當然,本發明在不脫離其主旨的情況下,可進行變更、改良,並且在本發明中包含其等效物。而且,在能夠解決所述問題的至少一部分範圍或發揮至少一部分效果的範圍內,可以對權利要求書及說明書中所述的各構成元件進行任意組合或予以省略。
10‧‧‧電鍍單元12‧‧‧陽極13‧‧‧陽極固持器14‧‧‧電鍍槽15‧‧‧電鍍電源16‧‧‧槳板18‧‧‧陽極掩模18a‧‧‧多邊形開口(第二多邊形開口)20‧‧‧調節板(調整板)21‧‧‧多邊形開口(第一多邊形開口)22‧‧‧本體部23‧‧‧壁部23a‧‧‧第一區域23b‧‧‧第二區域23c‧‧‧第三區域24‧‧‧隔膜25‧‧‧固定板28‧‧‧凸構件30‧‧‧基板固持器100‧‧‧晶盒102‧‧‧晶盒平臺104‧‧‧調整器106‧‧‧自旋清洗甩幹機120‧‧‧基板拆裝部122‧‧‧基板搬運裝置124‧‧‧儲料器126‧‧‧預濕槽128‧‧‧預浸槽130a‧‧‧第一洗滌槽130b‧‧‧第二洗滌槽132‧‧‧卸料槽136‧‧‧溢流槽140‧‧‧基板固持器搬運裝置142‧‧‧第一運輸機144‧‧‧第二運輸機146‧‧‧槳板驅動裝置150‧‧‧軌道152‧‧‧載置板300‧‧‧前板301‧‧‧前表面302‧‧‧背面303‧‧‧開口部310‧‧‧前板本體311‧‧‧配線緩衝部312‧‧‧面部320‧‧‧安裝部330‧‧‧臂部331‧‧‧台座332‧‧‧連接器340‧‧‧夾具363‧‧‧密封固持器365‧‧‧電纜通路370‧‧‧觸點(接點構件)400‧‧‧背板511‧‧‧螺釘(緊固構件)C1~C18‧‧‧觸點區域Cor‧‧‧角部Ctr‧‧‧中心部L1~L18‧‧‧第一距離S‧‧‧基板Wf‧‧‧多邊形基板
圖1是實施方式的電解電鍍裝置的整體配置圖。 圖2是電鍍裝置中所含的電鍍單元的概略側剖面圖(縱剖面圖)。 圖3A是從基板側表示實施方式的調節板的一例的圖。 圖3B是表示實施方式的調節板的一例的立體圖。 圖3C是表示使用形成有固定高度的壁部的比較例的調節板在四邊形基板上進行有電鍍時的電鍍膜厚的概略圖。 圖3D是表示使用圖3A及圖3B所示的實施方式的調節板20在四邊形基板上進行有電鍍時的電鍍膜厚的概略圖。 圖4是表示調節板的第一個另一例的立體圖。 圖5是表示調節板的第二個另一例的立體圖。 圖6是表示調節板的第三個另一例的立體圖。 圖7是電鍍單元中所使用的基板固持器的概略前視圖。 圖8是基板固持器的概略側視圖。 圖9是前板(front plate)本體的後視圖。 圖10是放大地表示與連接器(connector)相近之側的面(face)部的角部附近的後視圖。
20‧‧‧調節板(調整板)
21‧‧‧多邊形開口(第一多邊形開口)
22‧‧‧本體部
23‧‧‧壁部

Claims (4)

  1. 一種電鍍裝置,其特徵在於包括: 陽極固持器,以保持陽極的方式而構成; 基板固持器,以保持多邊形基板的方式而構成;以及 調節板,設置在所述陽極固持器與所述基板固持器之間;並且 所述調節板包括具有遵循所述多邊形基板的外形的第一多邊形開口的本體部、以及從所述第一多邊形開口的邊緣向所述基板固持器側突出的壁部, 所述壁部是在包含所述第一多邊形開口的邊的中央部的第一區域內朝向所述基板固持器側跨第一距離而突出,在包含所述第一多邊形開口的角部的第二區域內被切缺,或者朝向所述基板固持器側跨小於所述第一距離的第二距離而突出。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電鍍裝置,其中所述壁部的所述第一區域是從與所述本體部的板面垂直的方向觀察外側的邊較長的梯形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電鍍裝置,更包括:隔膜,以堵塞所述調節板的所述第一多邊形開口的方式而配置,容許金屬離子透過而阻礙添加劑透過。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電鍍裝置,更包括: 陽極掩模,包括具有遵循所述多邊形基板的外形的第二多邊形開口的陽極掩模本體部、以及從所述第二多邊形開口的邊緣向所述基板固持器側突出的陽極掩模壁部,安裝在所述陽極固持器上;並且 所述陽極掩模壁部是在包含所述第二多邊形開口的邊的中央部的第三區域內朝向所述基板固持器側跨第三距離而突出,在包含所述第二多邊形開口的角部的第四區域內被切缺,或者朝向所述基板固持器側跨小於所述第三距離的第四距離而突出。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7227875B2 (ja) * 2019-08-22 2023-02-22 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよびめっき装置
JP7354020B2 (ja) * 2020-03-04 2023-10-02 株式会社荏原製作所 めっき装置および抵抗体
CN111394758B (zh) * 2020-05-14 2023-11-03 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备
CN115708416B (zh) * 2021-06-18 2024-04-05 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆方法
CN113638022B (zh) * 2021-10-14 2022-01-04 常州欣盛半导体技术股份有限公司 用于调节载带与阳极间距离的装置
KR102563634B1 (ko) * 2022-06-01 2023-08-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
JP7285389B1 (ja) * 2022-06-27 2023-06-01 株式会社荏原製作所 めっき装置、および、めっき方法
KR102713873B1 (ko) 2023-08-17 2024-10-08 주식회사 티케이씨 반도체 패키지 보드 도금장치의 패들 구동장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201435147A (zh) * 2012-12-13 2014-09-16 Ebara Corp Sn合金鍍敷裝置及方法
TW201635423A (zh) * 2014-12-26 2016-10-01 Ebara Corp 基板固持器、藉由基板固持器保持基板之方法、及鍍覆裝置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0329876A (ja) 1989-06-28 1991-02-07 Nec Corp 電波監視装置
JPH09125294A (ja) 1995-11-02 1997-05-13 Mitsubishi Electric Corp 表面処理装置
JP3836588B2 (ja) * 1997-11-19 2006-10-25 株式会社荏原製作所 ウエハのメッキ装置
US8475636B2 (en) * 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
JP4136830B2 (ja) 2003-07-10 2008-08-20 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP4870963B2 (ja) * 2004-10-19 2012-02-08 株式会社ブリヂストン 電磁波シールド性光透過窓材の製造方法及びその方法に用いられるメッキ装置
US9045840B2 (en) * 2011-11-29 2015-06-02 Novellus Systems, Inc. Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating
JP5184308B2 (ja) * 2007-12-04 2013-04-17 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
JP2010095762A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Fuji Electric Systems Co Ltd 電気めっき方法
US8425687B2 (en) * 2009-02-10 2013-04-23 Tel Nexx, Inc. Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system
JP6335763B2 (ja) * 2014-11-20 2018-05-30 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
TW201634762A (zh) * 2015-03-27 2016-10-01 南茂科技股份有限公司 電化學反應設備
JP6317299B2 (ja) * 2015-08-28 2018-04-25 株式会社荏原製作所 めっき装置、めっき方法、及び基板ホルダ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201435147A (zh) * 2012-12-13 2014-09-16 Ebara Corp Sn合金鍍敷裝置及方法
TW201635423A (zh) * 2014-12-26 2016-10-01 Ebara Corp 基板固持器、藉由基板固持器保持基板之方法、及鍍覆裝置

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