TWI780687B - 使用熱傳導晶圓以供探針元件之熱穩定的裝置及方法 - Google Patents

使用熱傳導晶圓以供探針元件之熱穩定的裝置及方法 Download PDF

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Abstract

一種熱傳導材料、熱傳導裝置及用於可預測地保持測試設備之測試器介面之接觸元件及支持硬體之溫度狀態及條件之方法，該測試設備諸如自動化測試設備(ATE)，該測試器介面諸如探針卡，該熱傳導裝置具有適用於特定插針接觸元件、熱條件的一預定組配。該熱傳導裝置亦具有基板，該基板具有預定形狀因數，該預定形狀因數在正常測試操作期間可容易地引入測試設備中。與受限於特定探針元件佈置的圖案化基板不同，熱傳導裝置之未圖案化表面便於與許多自動化測試設備(ATE)工具內的多種探針卡設計一起使用。

Description

使用熱傳導晶圓以供探針元件之熱穩定的裝置及方法 發明領域
本揭露一般係關於一種材料、裝置及用於可預測且一致地獲得用於半導體裝置電氣測試的介面接觸元件及支持硬體的預定熱狀態及條件之方法。
發明背景
在參數測試、晶圓級測試及裝置級測試中，用於一件測試設備的習知介面硬體係「探針卡」，該探針卡具有多個探針元件，與連接至探針卡的待測裝置(device under test，DUT)輸入/輸出(input/output，I/O)墊之佈置相匹配。更特定而言，在典型的晶圓測試過程中，探針卡安裝於探測器中，且探針接觸元件(簡稱為「探針」)與形成於晶圓之晶粒上的接合墊、焊球及/或金凸塊接觸。為了保持關鍵的測試成本度量並促進測試平行性，用於測試應用的探針卡可經設計成具有針對非記憶體及記憶體兩種測試的多個站點(多站點測試)。在大容量記憶體裝置測試過程中，探針卡可經設計成使得半導體晶圓上的所有裝置同時被探針卡或全晶圓接觸器接觸。對於大規模並行設計的探針卡，由於非探測操作造成的過多停機時間將影響生產量並實質上增加總體測試成本(Cost of Test，CoT)。
在測試過程(如圖1A及圖1B所展示)期間，當插針元件13或探針接 觸到待測半導體裝置(DUT)15上的接合墊14、焊球16、柱、銅柱凸塊及/或金凸塊上時，每個插針元件之頂端區域將跨於DUT 15之接合墊等之接觸表面上「刮擦」以產生「刮擦痕跡」。大容量IC測試過程(晶粒級及晶圓級)所遇到的主要挑戰係：確保探測器內一致的探針與接合墊對準(probe-to-pad-alignment，PTPA)以最佳化探針頂端對接合墊、焊球、柱、銅柱凸塊及/或金凸塊的「刮擦」，從而獲得在與接觸器元件相關聯的接觸插針與DUT 15之接觸表面之間的電氣接觸。藉由施加探針對接合墊14、焊球16、柱、銅柱凸塊及/或金凸塊的受控位移，達成了電氣連接，從而允許傳輸電源信號、接地信號及測試信號。探針與墊之失準可造成過度墊損壞，該過度墊損壞將在最終封裝之前的期間影響裝置之裝配(引線接合、倒裝晶片等)。
對晶圓級接觸器技術的高性能需求使具有預定彈性特性及工程機械性能的獨特成型及定製接觸元件進一步發展。許多新的先進接觸技術具有獨特的接觸元件幾何結構及機械性能以促進一致、可重複及穩定的電氣接觸。一些技術係使用先進的平板印刷裝配技術來構造，一些係使用MEMS為基的製程來構建；而其他的則採用高準確度微加工技術來製造。
需要在低溫及/或高溫下進行晶圓級測試操作，以確保及促進正確的測試程序執行、裝置故障識別，以及評估裝置之長期可靠性。根據裝置或產品要求，可在處於T=-55℃(或更低)或T=200℃(或更高)的溫度下執行晶圓級及/或晶粒級測試操作。在識別半導體裝置之性能中的性能故障所必需的熱測試條件下，在晶圓測試期間獲得準確及一致的PTPA變得愈來愈困難。
一般而言，探針卡經設計成使得探針頂端在測試執行期間將很好地居中於探針墊內；然而，眾所周知，在加熱及冷卻過程期間將發生探針卡、對接硬體及測試單元之尺寸變化及熱引起的位移。來自平衡溫度的波動可導致測 試單元內各種硬體之膨脹及/或收縮。在測試期間，此類熱引起的尺寸變化對探針與墊對準(PTPA)可具有巨大影響。
在圖2(來自Harker等人的陳述「Improving Scrub Performance and Reducing Soak Time with a New Mechanism to Stabilize Probe Card Temperature」，IEEE SW測試研習會，2009)中，重點標示了全晶圓接觸器之刮擦位置(探針痕跡)對熱狀態之變化。展示出用於在高溫條件下進行大容量測試的全晶圓接觸器之探針墊內的實際刮擦痕跡，且理想地，四次觸壓(touchdown)(第一TD至第四TD)中之每一個應直接位於用圖2中的居中十字準線所指示的接合墊之正中心。在加熱步驟(第一TD標記)期間，顯然刮擦痕跡與接合墊中心處的十字準線沒有很好地對準。當接近測試單元之熱平衡時，刮擦痕跡與接合墊中心之對準一致地改善(第二TD及第三TD)。一旦達到測試單元及探針卡之熱平衡，刮擦痕跡(第四TD)便與接合墊很好地居中。
由於探針元件及探針卡溫度中的波動，在批量更換、晶圓更換、探針痕跡檢查執行、探針清潔之後及在閒置時間週期之後可觀察到不一致的刮擦痕跡。重要的係使探測期間恢復熱平衡所需的時間最少化。無論探針技術或探針卡設計如何，都會發生因溫度變化引起的探針痕跡對準之變化。對於全晶圓接觸器，失準可高達15μm至25μm，而對於較小的墊大小，幾微米的變化及失準都可產生品質問題，該等品質問題可導致裝置封裝之後的長期可靠性問題。
作為在低溫或高溫下進行的測試過程之一部分，將實行「熱機時間」，使得測試單元進入某一預定目標溫度下的熱穩定條件。所需之熱機時間可持續若干小時。在達到目標溫度之前不能執行半導體裝置測試，且由於此延遲將影響測試單元之生產量及生產率，因此總體測試成本將急劇增加。生產率之降低總結於圖3(來自Harker等人的陳述「Improving Scrub Performance and Reducing Soak Time with a New Mechanism to Stabilize Probe Card Temperature」，IEEE SW測試研習會，2009)中。在此圖中，PH50指示50mm x 50mm探針陣列，PH75指示75mm x 75mm探針陣列，PH100指示100mm x 100mm探針陣列，PH150指示150mm x 150mm探針陣列，且FWC指示全晶圓或300mm探針陣列接觸器。如圖3所示，由於安裝、維修及清潔之後所需的初始熱機時間及恢復熱機時間造成的測試單元停機時間之量隨著接觸器陣列之大小而增加。
回應於測試單元穩定所需的長期探針卡及硬體熱機時間問題，測試台工程師利用若干種技術且探針卡製造商開發出若干種技術。為了減少所需之初始熱機時間及恢復熱機時間之量，若干探針卡製造商已開發出可結合至探針卡設計中的加熱器元件。這些加熱器元件係以附加成本結合且必須在初始製造過程期間定義的設計特徵；然而，這些元件僅適用於全晶圓接觸器設計之一子集。對於現有全晶圓接觸器，這些加熱元件不能改裝至探針卡構造中。替代地，ATE測試器供應商已開發出可結合至探針卡、PCB、介面堆疊及測試頭的加熱器；然而，此附加硬體顯著增加總體測試成本且不能向後兼容較早的舊有測試器。
在使用圖4所展示的輻射加熱進行探針卡熱機的一種習知方法中，探測器晶圓夾頭定位在探針卡正下方且移動成極為靠近探針卡。在一種情況下，晶圓夾頭可以係裸露(即，沒有晶圓被真空吸到夾頭上)的，或者裝載有透過標準真空固定在夾頭上的坯料或產品。在此情況下，晶圓夾頭經利用來充當探測器內用於整個測試單元的熱源。隨著晶圓夾頭之溫度增加，晶圓夾頭充當輻射熱源並直接加熱探針卡以及所有其他硬體(即，頂板、探針卡盤等)，直至達到測試單元之穩定目標溫度為止。若晶圓夾頭係裸露(即，不具有晶圓)的，則存在由於跨於探針卡上的共面性差異或隨著硬體在熱負載下膨脹及收縮垂直對準發生改變造成的探針卡損壞之風險。使用裸夾頭方法，可對任何探針卡設計進行輻射加熱， 直至達到目標溫度為止。在長時間的熱機之後，產品晶圓將被裝載至晶圓夾頭上；然而，探針卡將在熱源移除後冷卻並降至低於目標溫度。相似地，使用產品晶圓方法，與待測裝置相關聯的特定探針卡設計將經加熱並定位於探針卡下方，直至達到目標溫度為止。由於達到平衡溫度需要很長時間，因此當需要進行高溫測試時，通常不使用探針卡輻射加熱方法。
在另一習知加熱方法中，探針卡使用圖5所展示的傳導加熱，空白矽晶圓(D)經定位至晶圓夾頭上。在此方法中，晶圓夾頭及真空晶圓定位於探針卡正下方並在z方向上超程移動，直至卡之所有探針與空白矽晶圓之表面物理接觸為止。空白晶圓保持與探針物理接觸以促進跨於晶圓厚度上自晶圓夾頭至探針卡的熱傳遞。圖5中探針卡超程移動至坯料上造成的傳導熱傳遞比圖4中的輻射加熱更有效，使得可減少熱機時間。使用此方法，矽晶圓可用於多種探針卡佈置(A1、B1及C1)及探針元件幾何結構；然而，與應用此種晶圓之超程相關聯的探針卡存在潛在損壞之高風險。晶圓之表面必須用探測器下視攝影機識別以準確定義接觸平面。若接觸平面未經準確定義，則存在可能永久或災難性地損壞探針卡的過度超程之風險。必須施加足夠的超程以確保所有探針跨於探頭陣列上接觸；然而，由於此接觸，將跨於晶圓之表面上發生探針刮擦。跨於晶圓表面上的刮擦動作可導致探針頂端污染、自晶圓的材料轉移以及探針頂端或探針接觸表面損壞。此外，黏附污染物可需要在晶圓針測(wafer probing)之前進行探針頂端清潔，以防止由於電氣接觸受損及接觸電阻高而造成產量下降。
在使用圖6所展示的傳導加熱的另一習知方法中，報廢或不合格的圖案化晶圓經裝載至晶圓夾頭上，使該圖案化晶圓與探針卡對準，且施加在z方向上的超程直至所有探針與晶圓上的裝置之接合墊物理接觸為止。對於此方法，晶圓上的裝置及墊佈置必須與探針卡陣列佈置及裝置組配完全匹配。例如，探針 卡A1、B1及C1之探針之裝置及佈置幾何結構必須與分別來自晶圓A2、B2及C2的裝置及接合墊佈置幾何結構完全匹配。例如，晶圓A2不可與探針卡B1一起使用，晶圓B2不可與探針卡A1一起使用等。必須為每個裝置佈置幾何結構使用專用晶圓以避免探針卡損壞。在此方法中，實行超程且將報廢晶圓保持與探針物理接觸以促進經由晶圓自晶圓夾頭至探針卡的熱傳遞。另外，存在與將超程施加於報廢裝置之墊上相關聯的風險。當探針與墊接觸時，探針將跨於墊上刮擦並產生黏附碎屑及其他污染物。超程期間對接合墊的刮擦以及熱機期間因介面堆疊之反復膨脹或收縮產生的附加刮擦可導致探針頂端污染、材料轉移以及探針頂端或接觸表面損壞。相同的多次重複刮擦亦將產生附加碎屑及黏附材料。此外，黏附污染物可需要在晶圓針測之前進行探針頂端清潔，以防止由於電氣接觸受損及接觸電阻高而造成產量下降。清潔執行將影響熱機之穩定性，所以需要附加步驟來恢復探針與墊對準(PTPA)。
使用探針卡及硬體輻射或傳導加熱的現有習知程序都沒有充分解決將晶圓與熱傳導、非轉移及順應性膜結合的裝置及方法，該膜具有在熱機時間期間保護探針免受損壞及污染的預定特性。在熱機之後清潔探針卡之過程並不是所要的，而是需要一種用於在不刮擦裸矽晶圓或報廢晶圓之接合墊之情況下進行熱機之有效方法。所要的是減少熱機時間(習知系統及方法未提供)，這對於先進半導體裝置之減少的測試成本及增加的吞吐量具有顯著益處。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種用於一自動化半導體測試機器的熱傳導裝置，該裝置包含：一基板，該基板能夠由一自動化半導體測試機器之一裝卸機構裝卸；及施加於該基板之一頂表面的一熱傳導層，該熱傳導層保持或產生一探針卡之熱穩定性，該探針卡係該自動化半導體測試機器之一部 分。
13:插針元件
14:接合墊
15:待測半導體裝置/DUT
16:焊球
700:熱傳導裝置
702:熱傳導層/聚合物層
704:晶圓/基板
1000:方法
1002,1004,1006,1008,1010:方法步驟
圖1A及圖1B分別例示出測試待測裝置或DUT之探針墊或探針塊之一習知實例；圖2例示出晶圓級測試期間由探針卡之探針產生的探針痕跡(或刮擦痕跡)；圖3例示出晶圓級測試操作期間與各種程序及過程相關聯的停機時間，且熱機時間係停機時間的主要造成因素並且將對測試之生產量及總體成本具有有害影響；圖4例示出習知的晶圓級測試單元，該晶圓級測試單元包括晶圓探針台(wafer prober)、自動化測試設備(ATE)、探針卡、及探測器及晶圓夾頭，該晶圓夾頭可經加熱或冷卻至目標溫度並移動至探針卡正下方的位置以使得藉由輻射加熱獲得目標溫度；圖5展示出三種不同的探針卡(A1、B1及C1)及空白矽晶圓(D)，其中空白晶圓可裝載至探測器之經加熱的晶圓夾頭上，且晶圓夾頭將位於探針卡正下方，且施加z超程直至所有探針接觸晶圓表面為止；圖6展示出三種不同的探針卡(A1、B1及C1)及三種不同的報廢晶圓、不合格晶圓或圖案化晶圓(A2、B2及C2)，其中探針卡係唯一匹配並專用於晶圓的，使得探針觸壓於適當的墊上，晶圓夾頭位於探針卡正下方，且施加z超程直至所有探針接觸晶圓表面為止；圖7例示出具有施加至SEMI標準晶圓(704)上的熱傳導層(702)的熱傳導裝置700之一實例，該熱傳導裝置700諸如熱傳導晶圓(heat conductive wafer，HCW)，該HCW可減少探針卡所需的熱機時間； 圖8例示具有可用於HCW中的不同聚合物層的HCW 700之另一實施例；圖9展示出三種不同的探針卡(A1、B1及C1)及熱傳導晶圓(HCW)，該HCW具有已經施加於表面的預定特性的熱傳導、非轉移及順應性膜。裝載至晶圓夾頭上的HCW將位於探針卡正下方，且施加z超程直至所有探針接觸熱傳導膜為止；圖10係例示用於在測試設備中使用熱傳導裝置之方法之流程圖；圖11展示出HCW在大容量生產環境中的使用實例；以及圖12展示出DRAM裝置測試期間熱機時間減少了8倍，其中對比了探測器處於待機模式或閒置時使用HCW與不使用HCW的熱機時間。
本揭露特別適用於一種熱傳導晶圓、熱傳導裝置及用於減少探針卡總成之熱機時間之方法，且將就此情境描述本揭露。本揭露亦特別適用於一種材料、裝置及用於可預測且一致地保持探針卡之熱狀態及條件之方法，該等探針卡具有預定佈置、幾何結構、探針類型及機械性能，用於記憶體及非記憶體半導體裝置之高溫及/或低溫大面積陣列晶圓級測試。然而，將瞭解，該熱傳導晶圓、熱傳導裝置及方法具有更大的效用，因為其可用來減少半導體製造過程中的其他測試設備及其他過程及機器之熱機時間(建立熱平衡)且可具有不同組配，該等組配完全在本揭露之範疇內。
對於高於及/或低於環境溫度的晶圓級測試，探針卡之接觸元件可以係多種不同的測試探針，諸如MEMS類型微懸臂式探針及MEMS類型垂直探針、垂直線探針、眼鏡蛇式探針、彈簧探針、在隔膜上形成的接觸塊探針、有線懸臂式探針等。相關聯之支援結構可以係通常用於探針卡構造中的任何類型之 介面，諸如用來支援測試單元內的探針卡的陶瓷或有機空間變壓器、探針介面板、加強肋、印刷電路板等。將就此情境描述本揭露，然而，可瞭解，該熱傳導材料層、裝置及方法對於保持IC半導體評估設備中所利用的其他測試裝置及介面之熱穩定性具有更大的效用。
一種熱傳導材料、熱傳導裝置及用於可預測地保持測試設備之測試器介面之接觸元件及支持硬體之溫度狀態及條件之方法，該測試器介面諸如探針卡，其中該傳導裝置具有：一預定組配，該預定組配適用於特定插針接觸元件、熱條件；及一基板，該基板具有預定形狀因數，該預定形狀因數在正常測試操作期間可容易地引入測試設備中。與受限於特定探針元件佈置的圖案化基板不同，熱傳導裝置之未圖案化表面便於與填充測試台的許多自動化測試設備(ATE)工具內的多種探針卡設計一起使用。安裝至基板之表面上的傳導材料產生一裝置，該裝置提供空白晶圓基板不可能實現的增強的熱性能特性。該材料亦可經組配成具有多個各種熱傳導顆粒以進一步增強熱傳導性。傳導裝置可在測試機器正常操作期間使用，同時它位於手動、半自動化及自動化裝卸裝置及電氣測試設備中。
圖7例示出熱傳導裝置700之一實例，該熱傳導裝置700諸如可減少探針卡之熱機時間的示範性熱傳導晶圓(HCW)。HCW經合需設計用於需要熱機以實現熱穩定的探針卡，且因此可用於ATE工具及/或測試器中以對需要穩定高溫測試的記憶體積體電路及其他大面積陣列積體電路裝置進行大規模並行測試，該等記憶體集成電路諸如DRAM或SRAM。HCW可例如在探針卡之溫度可能發生改變(增加及/或降低)的任何事件期間使用，在該任何事件期間諸如在維護期間、在閒置時間期間及/或在批量更換過程期間。
熱傳導層702可由具有預定熱傳導性、彈性、密度及表面能參數的 固體彈性材料製成，該等參數允許探針在不損壞接觸元件之幾何結構之情況下接觸膜並使該膜變形。例如，熱傳導聚合物層可具有預定特性：為8%-70%範圍的斷裂伸長率，為E52至99的洛氏硬度，為30至60 x10-6 K-1的熱膨脹係數，在23℃下為0.10至0.45W m-1 K的熱傳導性及250℃至320℃的上限工作溫度。在超程期間，探頭元件之頂端不應穿透熱傳導層。由於探針不會穿透至聚合物中，因此任何聚合物材料將轉移至探針接觸元件的可能性很低。在圖7所展示的實施例中，單個順應性層可以係高純度、電子級的醯亞胺單體之聚醯亞胺聚合物，該聚醯亞胺聚合物不含污染物且具有熱穩定性、耐化學性及機械性能。
如圖7所展示，HCW在一個實施例中可具有熱傳導層702，該熱傳導層702可以係聚合物，安放於晶圓704之頂上，該晶圓704諸如SEMI標準矽晶圓。HCW 700可具有一形狀及組配，該形狀及組配使得它可在正常操作期間由測試設備使用，從而可在不必像習知系統及方法那樣插入特殊裝置或晶圓之情況下進行熱調節。在一個實例中，HCW 700可具有795μm(+/- 17μm)厚的總厚度，其中聚合物層702具有20μm(+/- 2μm)的厚度，而晶圓具有775μm(+/- 15μm)的厚度。在一個實施例中，聚合物層702可以係具有低黏性及300攝氏度最高溫度的旋塗聚合物。
在一個示範性實施例中，用於此應用的基板704(在此實施例中為矽晶圓)將在SEMI標準內，如下面按照SEMI M1-Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers針對150mm、200mm及300mm矽晶圓所概述的。
Figure 110116264-A0305-02-0012-1
聚合物層702之厚度理想地小於20μm，厚度公差小於+/- 5μm。傳導塗層需要薄至促進熱傳導性及自晶圓夾頭至探針卡的快速熱傳遞；然而，它必須足夠厚以提供順應性膜益處，從而提供緩衝並保護探針在熱機時間期間免受 損壞及污染。
替代地，熱傳導層702可作為膜經積層至晶圓704之表面上；然而，平坦度及平面度對於此應用及非常小的超程極為關鍵。
熱傳導層702可具有低黏性或不良黏合特性，使得在熱機已經完成之後接觸探針頂端元件時只需要非常小的力將頂端與材料表面分離。對於晶圓級測試，通常可實行範圍為自-60℃至多至200℃的溫度。HCW可跨於當前用於晶圓級測試的整個測試溫度範圍上使用。對於高溫，聚醯亞胺塗層可承受至多達320℃。
熱傳導層702及透過層的熱傳導率與跨於層及熱傳導面積上的溫度差成正比；然而，它與層之厚度成反比。簡而言之，儘可能最薄的聚合物層將具有儘可能最好的熱傳導性，因為多個層將連續影響熱傳遞。向聚合物基質添加熱傳導顆粒將改善薄聚合物層之體特性，且這可能係用於改善熱傳導特性之較好策略。
對於HCW實施例中之每一個而言，HCW係一傳導裝置，該傳導裝置具有：一預定組配，該預定組配適用於特定插針接觸元件、熱條件；及一基板，該基板，該預定形狀因數在正常測試操作期間可容易地引入測試設備中。例如，可存在具有不同組配的不同實施例用於已知的50mm x 50mm探針陣列、已知的75mm x 75mm探針陣列、已知的100mm x 100mm探針陣列、已知的150mm x 150mm探針陣列及已知的全晶圓或300mm探針陣列接觸器，其實例在圖3中展示出。圖3中所展示的5種不同面積陣列所使用的探針卡之探針元件係相同的；然而，陣列之大小及陣列內的探針佈置可不同。相同的HCW可以可互換地用於所有5種面積陣列及探針佈置以促進熱機時間減少。另外，用於這些5種不同陣列的相同HCW可用於完全不同的探針元件。對於此實施例，可在使用不同探針元件 及探針卡來測試不同半導體裝置的多個測試單元中使用單個HCW。
與受限於特定探針元件佈置的習知的圖案化基板不同，所揭示的諸如HCW的熱傳導裝置可具有未圖案化表面。熱傳導裝置之未圖案化表面便於與許多自動化測試設備(ATE)工具內的多種探針卡設計一起使用。安裝至基板之表面上的傳導材料產生一裝置，該裝置提供空白晶圓基板不可能實現的增強的熱性能特性。改材料亦可經組配成具有多個各種顆粒以進一步增強熱傳導性。顆粒可以係可結合於傳導層內的微型熱傳導顆粒及奈米熱傳導顆粒，諸如氮化硼、氧化鋅等。顆粒將作為基質內的填料封裝於熱傳導層內。各種顆粒可具有各種形狀，諸如纖維狀、棱錐形等，以促進堆積密度。可改變顆粒填料之量以形成具有1重量%至40重量%的熱傳導顆粒混合物的複合材料；或直至聚合物層之結構完整性受到損害為止。顆粒之添加可降低層之加工性、柔性及韌性，使得將填料負載控制來獲得必要的性能特性。
具有與由任何測試機器測試的裝置/晶圓等相似或相同的形狀/組配的熱傳導裝置可在測試機器正常操作期間使用，同時它位於手動、半自動化及自動化裝卸裝置及電氣測試設備中。例如，在手動模式下，可在預期探針卡溫度下降或增加的任何事件期間將熱傳導裝置插入測試機器中。在半自動化實例中，以某種方式判定需要產生探針卡之熱穩定性，且然後測試機器能夠自動將熱傳導裝置移動/放置至測試機器中並執行保持或產生探針卡之熱穩定性的操作。在自動化實例中，測試機器可具有電腦/處理器，該電腦/處理器具有多行電腦代碼，該等多行電腦代碼執行判定何時需要熱傳導裝置且然後將熱傳導裝置移動就位以保持或產生熱穩定性的過程。
圖8例示出具有可用於HCW中的不同聚合物順應性層702的HCW 700之另一實施例。在此實施例中，順應性層702可以係如圖8中所展示的高純度 聚醯亞胺材料。聚醯亞胺係醯亞胺單體之聚合物，且聚醯亞胺具有良好的熱穩定性、良好的耐化學性及良好的機械特性。
HCW 700經構建及設計成具有薄的順應性及傳導性材料層702(上面提供了厚度特性之一實例)，該材料層702促進有效的熱傳遞，使得在維護、閒置時間期間、在批量更換及預期探針卡溫度下降或增加的任何事件期間一致且可預測地執行加熱。可利用一個HCW晶圓用於跨於多個測試單元平台上的多個探針卡佈置及探針幾何結構(即，無中止)。如圖9所展示，HCW可用於上述三種代表性探針卡以及許多其他探針卡。定期及重複使用具有順應性層的熱傳導晶圓將不會影響接觸元件之性能，且在利用HCW之後，便不需要在針測之前清潔及維護接觸元件的後續方法。定期使用HCW來減少熱機時間對於先進半導體裝置之減少的測試成本及增加的生產量具有顯著益處。
在熱傳導裝置之各種實施例中，傳導層可具有受控表面功能化與可調節行為，這是改變表面之機械特性以達成特定性能目標的有效方式，該等性能目標諸如熱傳導性、接觸表面清潔、碎屑去除與收集及表面紋理化。具有預定特性的功能塗層可施加於晶圓之表面以提供一類新材料，該類新材料可針對接觸元件進行定製及優化並執行一組明確定義的功能，該等預定特性諸如熱傳導性、厚度、硬度、黏性等。此外，可將各種填料材料結合至膜之厚度中以進一步改變及/或增強性能，諸如上述那些顆粒。
上述HCW裝置700促進了經由探針晶圓夾頭與探針卡之間的輻射及傳導機構的熱傳遞，同時保護探針元件在接觸期間免受損壞。順應性膜充當保護緩衝器，以便可在相對低的接觸位移(或z超程)下獲得跨於整個探針卡上的全接觸。在低超程下，探針元件之力最小化，但達成了跨於晶圓上的全接觸而不產生任何材料轉移或污染。熱傳導媒介係平坦、無特徵、非圖案化及順應性的膜層， 該膜層提供半導體裝置之剛性未圖案化晶圓表面或具有特定幾何結構的剛性圖案化晶圓表面不可能實現的性能特性。
在該方法之一個態樣，HCW可放置於諸如晶圓探針台的自動化測試設備內的預定位置中，使得插針元件將週期性地與熱傳導清潔媒介相互作用。在一實施例中，可在探針台內使用單個HCW以對許多不同類型的探針卡進行熱機，如圖9所展示。如此，此裝置及方法將確保清潔的、經熱機的探針卡可利用於大容量晶圓級測試。
在熱傳導裝置700之各種實施例中，熱傳導層702可具有犧牲頂部保護材料層，該保護材料層可在製造過程之前、期間或之後施加以保護並隔離材料表面使其在製造過程及手動裝卸操作期間免受污染。保護犧牲層用來確保傳導材料之表面沒有將會損害接觸元件之性能的任何污染物。保護犧牲層將在安裝至半導體測試設備上後去除。在熱傳導之另一實施例中，熱傳導層702可由熱傳導材料形成，以在探針卡熱機期間增加材料之順應性。在另一實施例中，可具有某一水準的顆粒負載以進一步增強熱傳導性及熱傳遞效率。可結合至材料層中的典型顆粒係微型熱傳導顆粒及奈米熱傳導顆粒，諸如氮化硼、氧化鋅等，或一些其他眾所周知之熱傳導材料。可改變顆粒填料之量以產生具有1重量%至40重量%的熱傳導顆粒混合物的複合物；或直至聚合物層之結構完整性受到損害為止。
圖10例示出用於使用熱傳導裝置進行熱調節之方法1000，該方法1000導致測試機器之預熱時間明顯短於習知方法。應注意，熱傳導裝置可用作測試設備正常測試操作之一部分，使得例如在執行熱調節時不需要自測試機器移除測試設備之一或多個探針卡。測試機器可執行其正常測試操作(1002)，且然後判定是否具有或正在發生探針卡將改變溫度的事件(1004)。該事件可例如在發生 批量更換時手動檢測或者可由執行多行指令以執行檢測過程的電腦系統自動檢測，在該檢測過程中，例如熱傳導裝置在發生將引起探針卡溫度變化的事件時自動移動就位。若沒有發生任何事件，則測試機器繼續執行測試(1002)。
若該事件已發生(在上面描述了可能導致事件的不同動作之實例)，則將熱傳導裝置裝載值探針卡下方的測試機器中(1006)。然後可將探針卡移動成與熱傳導裝置相鄰(探針卡元件之頂端觸及熱傳導裝置)且貫穿熱傳導裝置的夾頭可預熱探針卡(1008)。如圖11及圖12所展示及下面所討論，利用熱傳導裝置的預熱明顯短於典型預熱時間且防止探針卡在事件期間溫度變化過大。一旦事件結束，便可卸載熱傳導裝置(1010)，且測試機器可恢復其正常測試操作(1002)。
圖11例示出熱傳導裝置(HCW)在大容量製造測試環境中的自動化測試設備中的預定位置中的示範性使用，該自動化測試設備諸如晶圓探針台，該預定位置使得插針元件將週期性地與熱傳導清潔媒介相互作用。如圖11所展示，該方法具有一系列過程。
過程1：自晶圓夾頭卸載晶圓25以進行批量結束執行。在此情況下，不使用HCW且允許探測器在準備下一批裝置晶圓時保持閒置。在閒置時間期間，晶圓夾頭保持處於目標測試溫度；然而，它不能保持測試所需的探針卡溫度。
過程2：在60分鐘的探測器閒置時間期間，探針卡溫度下降至近似43℃。閒置期間探針卡之溫度比所需之測試溫度低近似22℃。
過程3：將下一批25個晶圓安裝至探測器中以進行批量開始執行。將晶圓1裝載於晶圓夾頭上並移動至探針卡下方的位置中以進行約20分鐘的輻射預熱，直至探針卡達到T=60℃的目標溫度為止。
過程4：一旦探針卡接近測試溫度，便將晶圓1升高使其與探針卡 接觸以進行約20分鐘的二次傳導預熱，直至探針卡達到T=65℃的目標溫度為止。
過程5：在40分鐘傳導預熱之後，探針卡溫度穩定至略高於T=65℃的溫度後在晶圓1上起始針測。
過程6：在對25個晶圓進行針測之後，執行批量結束並卸載晶圓25，如先前所執行。
過程7：並非允許探測器在準備下一批裝置晶圓時保持閒置，而是將HCW裝載至晶圓夾頭上並使其與探針卡接觸。
過程8：在探測器閒置時間期間，HCW保持與探針卡接觸並晶圓傳導加熱提供穩定的熱條件。
過程9：一旦一批25個晶圓已安裝至探測器中，便卸載HCW並使探測器準備好進行裝置測試。
過程10：在卸載HCW之後立即將晶圓1裝載於晶圓夾頭上並移動至探針卡下方的位置中以進行小於1分鐘的輻射預熱，使探針卡快速達到T=60℃的目標溫度。
過程11：將晶圓1升高使其與探針卡接觸以進行小於6分鐘的二次傳導預熱，使探針卡達到T=65℃的目標溫度。
過程12：在小於6分鐘的預熱之後，探針卡溫度穩定至略高於T=65℃的溫度後在晶圓1上起始針測。
圖12例示出熱傳導裝置之優點及益處。具體而言，當不使用熱傳導裝置來獲得熱穩定性時，探針卡溫度會發生變化(在高溫測試之實例中下降至約40℃)，且在能夠重新開始測試過程之前需要近似40分鐘來預熱探針卡。相比之下，當使用熱傳導裝置時，探針卡溫度保持得更穩定(更接近如圖11所展示的 規定針測/測試溫度)，且在向上裝載熱傳導裝置之後只需不到6分鐘的預熱即可恢復針測/測試。預熱時間的此巨大差異(熱機時間減少8倍)意味著探測器/測試器之停機時間得到減少且測試器/探測器之生產量得到增加。其他優點包括污染風險及探針耐磨損性。
該等方法及設備提供一或多個優點，包括但不限於對接觸器及探針卡進行熱機。雖然已參照某些例示性實施例描述了本揭露，但本文所描述的那些實施例並不意欲解釋為限制意義。例如，在不脫離本揭露之情況下，可在特定情況下使用所展示及所描述的實施例中的步驟之變化或組合。在參照圖式、描述及申請專利範圍之後，例示性實施例之各種修改及組合以及本揭露之其他優點及實施例對於熟習此項技術者將顯而易見。意欲本揭露之範疇由所附申請專利範圍及其等效物界定。雖然前述內容已參照本發明之特定實施例，但熟習此項技術者將瞭解，可在不脫離本揭露之原則及精神之情況下對本發明實施例進行改變，本揭露之範疇由所附申請專利範圍界定。
出於解釋之目的，前述描述已參照具體實施例。然而，以上例示性討論並不意欲是詳盡的或將本揭露局限於所揭示的精確形式。鑒於以上教導，許多修改及變型是可能的。所選擇及所描述的實施例是為了最好地解釋本揭露之原理及其實際應用，從而使熟習此項技術者能夠最好地利用本揭露及適合預期特定用途的各種實施例與各種修改。
本文所揭示的系統及方法可透過一或多個組件、系統、伺服器、器械、其他子組件來實行或分佈於此類元件之間。當實行為系統時，此類系統可包括及/或涉及除其他事項之外的組件，諸如通用電腦中可見的軟體模組、通用CPU、RAM等。在創新駐留於伺服器上的實行方案中，此種伺服器可包括或涉及諸如CPU、RAM等的組件，諸如通用電腦中可見的那些組件。
另外，本文中的系統及方法可透過除以上所闡述的實行方案之外具有不同或完全不同的軟體、硬體及/或韌體組件的實行方案來實行。關於與本發明相關聯或體現本發明的此類其他組件(例如，軟體、處理組件等)及/或電腦可讀媒體，例如本文中的創新之態樣可按照許多通用或專用計算系統或組配來實行。可適於與本文中的創新一起使用的各種示範性計算系統、環境及/或組配可包括但不限於：位於個人電腦內或體現於個人電腦上的軟體或其他組件、諸如路由/連接組件的伺服器或伺服器計算裝置、手持式或膝上型裝置、多處理器系統、微處理器為基的系統、機頂盒、消費性電子裝置、網路PC、其他現有電腦平台、包括以上系統或裝置等中之一或多者的分佈式計算環境。
在一些情況下，系統及方法之態樣可透過包括例如與此類組件或電路相關聯地執行的程式模組的邏輯組件及/或邏輯指令來達成或由其執行。一般而言，程式模組可包括執行特定任務或實行本文中的特定指令的常式、程式、物件、組件、資料結構等。本發明亦可在分佈式軟體、電腦或電路設置之情境中實踐，在該等電路設置中，電路透過通訊匯流排、電路或鏈路連接。在分佈式設置中，既可自本地又可自遠程電腦儲存媒體(包括記憶體儲存裝置)來執行控制/指令。
本文中的軟體、電路及組件亦可包括及/或利用一或多種類型的電腦可讀媒體。電腦可讀媒體可以係駐留於此類電路及/或計算組件上、可與其相關聯或者可由其存取的任何可利用的媒體。以舉例而非限制方式，電腦可讀媒體可包含電腦儲存媒體及通訊媒體。電腦儲存媒體包括以任何方法或技術實行用於儲存資訊的依電性及非依電性、可移動及不可移動的媒體，該等資訊諸如電腦可讀指令、資料結構、程式模組或其他資料。電腦儲存媒體包括但不限於RAM、ROM、EEPROM、快閃記憶體或其他記憶體技術、CD-ROM)、數位通用磁碟 (digital versatile disk，DVD)或其他光儲存器、磁帶、磁碟儲存器或其他磁儲存裝置、或可用來儲存所要資訊且可由計算組件存取的任何其他媒體。通訊媒體可包含電腦可讀指令、資料結構、程式模組及/或其他組件。此外，通訊媒體可包括有線媒體，諸如有線網路或直接有線連接，然而，本文中沒有任何此種類型的媒體包括暫時性媒體。上述中之任一種之組合亦包括在電腦可讀媒體之範疇內。
在本發明描述中，組件、模組、裝置等詞可以係指可以多種方式實行的任何類型的邏輯性或功能性軟體元件、電路、塊及/或過程。例如，各種電路及/或塊之功能可彼此組合成任何其他數目的模組。每個模組甚至可實行為軟體程式，該軟體程式儲存於有形記憶體(例如，隨機存取記憶體、硬碟驅動器等)上以便由中央處理單元讀取來實行本文中的創新之功能。或者，該等模組可包含透過傳輸載波傳輸至通用電腦或處理/圖形硬體的可程式指令。此外，該等模組可實行為實行本文中的創新所涵蓋的功能的硬體邏輯電路。最後，該等模組可使用提供所要水準性能及成本的專用指令(SIMD指令)、現場可程式化邏輯陣列或它們的任何組合來實行。
如本文所揭示，與本揭露一致的特徵可透過電腦硬體、軟體及/或韌體來實行。例如，本文所揭示的系統及方法可以各種形式體現，該等形式包括例如資料處理器，諸如電腦，亦包括資料庫、數位電子電路、韌體、軟體或它們的組合。此外，雖然所揭示的實行方案中之一些描述特定硬件組件，但與本文中的創新一致的系統及方法可用硬體、軟體及/或韌體之任何組合來實行。此外，本文中的創新之以上提及的特徵及其他態樣及原理可實行於各種環境中。此類環境及相關應用可經特別構造用於執行根據本發明的各種常式、過程及/或操作，或者它們可包括由代碼選擇性地激活或重新組配以提供必要功能的通用電腦或計算平台。本文所揭示的過程本質上與任何特定電腦、網路、架構、環境或其他 設備無關，且可藉由硬體、軟體及/或韌體之合適組合來實行。例如，各種通用機器可與根據本發明的教導編寫的程式一起使用，或者可更方便地構造專用設備或系統來執行所需的方法及技術。
本文所描述的方法及系統(諸如邏輯組件)之態樣亦可實行為經程式化成多種電路中之任一種的功能，包括可程式化邏輯裝置(「PLD」)，諸如現場可程式化邏輯陣列(「FPGA」)、可程式化陣列邏輯(「PAL」)、電可程式化邏輯、及記憶體裝置及標準單元為基的裝置以及專用積體電路。用於實行態樣的一些其他可能物包括記憶體裝置、具有記憶體的微控制器(諸如EEPROM)、嵌入式微處理器、韌體、軟體等。此外，態樣可體現於微處理器中，該等微處理器具有軟體為基的電路仿真、離散邏輯(時序及組合)、定製裝置、模糊(神經)邏輯、量子裝置以及上述裝置類型中之任一種之混合。基本裝置技術可以多種組件類型提供，例如，金氧半導體場效應電晶體(「MOSFET」)技術如互補金氧半導體(「CMOS」)、雙極技術如發射極耦合邏輯(「ECL」)、聚合物技術(例如，矽共軛聚合物及金屬共軛聚合物-金屬結構)、混合類比及數位等。
亦應注意，就其行為、暫存器傳輸、邏輯組件及/或其他特性而言，本文所揭示的各種邏輯及/或功能可使用任何數目的硬體、韌體組合及/或作為以各種機器可讀或電腦可讀媒體體現的資料及/或指令來啟用。可體現此類格式化資料及/或指令的電腦可讀媒體包括但不限於各種形式的非揮發性儲存媒體(例如，光、磁或半導體儲存媒體)，但同樣不包括暫時性媒體。除非上下文另有明確要求，否則在整個描述中，字詞「包含(comprise)」、「包含(comprising)」及類似者應以包括性意義而不是排他性或窮盡性意義解釋；亦即，以「包括但不限於」意義解釋。使用單數或複數的字詞亦分別包括複數或單數。另外，字詞「本文中」、「下文」、「以上」、「以下」及相似含義的字詞習知本申請案整體， 而不是本申請案之任何特定部分。當字詞「或」用於提及二或更多個項之列表時，該字詞涵蓋字詞之以下所有解釋：列表中之任何項、列表中之所有項及列表中之項之任何組合。
儘管本文已經具體描述了本發明之某些當前較佳實行方案，但熟習此項技術者將顯而易見的是，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下對本文所展示及所描述的各種實行方案進行變化及修改。因此，意欲僅將本發明限於適用法律規則所要求的範圍內。
雖然前述內容已參照本揭露之特定實施例，但熟習此項技術者將瞭解，可在不脫離本揭露之原理及精神之情況下對本發明實施例進行改變，本揭露之範疇由所附申請專利範圍界定。
700:熱傳導裝置
702:熱傳導層/聚合物層
704:晶圓/基板

Claims (30)

  1. 一種用於一自動化半導體測試機器的熱傳導裝置，該裝置包含：一基板，該基板能夠由該自動化半導體測試機器之一裝卸機構裝卸；及施加於該基板之一頂表面的一熱傳導層，該熱傳導層對具有一或多個探針元件之一探針卡保持或產生熱穩定性，該探針卡係該自動化半導體測試機器之一部分，該熱傳導層具有一順應性，其保護在一熱機事件期間與該熱傳導層接觸之該一或多個探針元件。
  2. 如請求項1之裝置，其中該熱傳導層進一步包含一聚合物層。
  3. 如請求項2之裝置，其中該聚合物層係一聚醯亞胺層。
  4. 如請求項3之裝置，其中該聚醯亞胺層具有嵌入該聚醯亞胺層中的多個顆粒，該等多個顆粒改善該聚醯亞胺層之一熱傳導性。
  5. 如請求項1之裝置，其中該基板進一步包含一矽晶圓。
  6. 如請求項5之裝置，其中該矽晶圓進一步包含一SEMI標準半導體矽晶圓。
  7. 如請求項1之裝置，進一步包含：位於該熱傳導層之頂上的一犧牲頂層，該犧牲頂層防止在不使用時該熱傳導層之污染。
  8. 如請求項6之裝置，其中該熱傳導層具有約20μm的一厚度，且該基板具有約775μm的一厚度。
  9. 一種用於測試一半導體裝置之方法，該方法包含：使用一自動化測試機器在不同於一環境溫度的一測試溫度下對多個半導體裝置執行測試，該自動化測試機器具有一探針卡，該探針卡具有多個探針元件，該等多個探針元件具有與該半導體裝置之每個測試站點建立一電氣連接的一組 配；判定正在發生該探針卡之一溫度偏離該測試溫度的一事件；將一熱傳導裝置移動至一位置中，在該位置中，該熱傳導裝置觸及該探針卡之該等多個探針元件；使用該熱傳導裝置來執行熱傳導以在該事件期間將該探針卡之該等多個探針元件保持在該測試溫度；及在該事件完成後在該測試溫度下執行測試。
  10. 如請求項9之方法，進一步包含：減少在該事件之後可恢復測試之前的一時間週期。
  11. 如請求項9之方法，其中該測試溫度係高於該環境溫度的一溫度。
  12. 如請求項9之方法，其中該測試溫度係低於該環境溫度的一溫度。
  13. 如請求項10之方法，進一步包含：將該熱傳導裝置裝載至一晶圓夾頭上以執行該熱傳導。
  14. 如請求項13之方法，進一步包含：在該事件完成時自該晶圓夾頭卸載該熱傳導裝置。
  15. 如請求項14之方法，其中該事件選自下列中之一者：一維護事件、該自動化測試機器之一閒置時間及一批量更換過程。
  16. 一種自動化測試機器，包含：一夾頭，該夾頭用於固定由該自動化測試機器測試的一半導體裝置，該半導體裝置具有多個站點，多個信號經由該等多個站點進入或離開該半導體裝置；一測試設備，該測試設備具有一探針卡，該探針卡具有多個探針元件，該等 多個探針元件具有與該半導體裝置之每個站點建立一電氣連接並在不同於一環境溫度的一測試溫度下對該半導體裝置執行一測試的一組配；及一熱傳導裝置，該熱傳導裝置具有：一基板，該基板能夠由該自動化測試機器之該夾頭裝卸；及施加於該基板之一頂表面的一熱傳導層，該熱傳導層在該探針卡之一溫度偏離該測試溫度的一事件期間，係保持或產生作為該自動化測試機器之一部分的具有一或多個探針元件之一探針卡之熱穩定性，該熱傳導層具有一順應性，其保護在該事件期間與該熱傳導層接觸之該一或多個探針元件。
  17. 如請求項16之機器，其中該熱傳導層進一步包含一聚合物層。
  18. 如請求項17之機器，其中該聚合物層係一聚醯亞胺層。
  19. 如請求項18之機器，其中該聚醯亞胺層具有嵌入該聚醯亞胺層中的多個顆粒，該等多個顆粒改善該聚醯亞胺層之一熱傳導性。
  20. 如請求項16之機器，其中該基板進一步包含一矽晶圓。
  21. 如請求項20之機器，其中該矽晶圓進一步包含一SEMI標準半導體矽晶圓。
  22. 如請求項16之機器，其中該熱傳導裝置進一步包含：位於該熱傳導層之頂上的一犧牲頂層，該犧牲頂層防止在不使用時該熱傳導層之污染。
  23. 如請求項21之機器，其中該熱傳導層具有約20μm的一厚度，且該基板具有約775μm的一厚度。
  24. 如請求項16之機器，其中該事件選自下列中之一者：一維護事件、該自動化測試機器之一閒置時間及一批量更換過程。
  25. 如請求項16之機器，進一步包含一處理器及記憶體以及多行電腦代碼，該等多行電腦代碼由該處理器執行以使得該處理器經組配來：判定正在發生該事件； 將該熱傳導裝置移動至一位置中，在該位置中，該熱傳導裝置觸及該探針卡之該等多個探針元件；及致使該熱傳導裝置執行熱傳導以在該事件期間將該探針卡之該等多個探針元件保持在該測試溫度。
  26. 如請求項25之機器，其中該處理器進一步經組配來在該事件完成後在該測試溫度下執行測試。
  27. 如請求項26之機器，其中該處理器進一步經組配來減少在該事件之後可恢復測試之前的一時間週期。
  28. 如請求項16之機器，其中該測試溫度係高於該環境溫度的一溫度。
  29. 如請求項16之機器，其中該測試溫度係低於該環境溫度的一溫度。
  30. 如請求項27之機器，其中該處理器進一步經組配來致使該熱傳導裝置裝載至該夾頭上以執行該熱傳導，且其中該處理器進一步經組配來致使在該事件完成時自該夾頭卸載該熱傳導裝置。
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US (1) US11035898B1 (zh)
EP (1) EP4150355A4 (zh)
JP (1) JP2023525528A (zh)
KR (1) KR20230012520A (zh)
CN (1) CN115812156A (zh)
TW (1) TWI780687B (zh)
WO (1) WO2021231297A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11155428B2 (en) 2018-02-23 2021-10-26 International Test Solutions, Llc Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method
US11211242B2 (en) 2019-11-14 2021-12-28 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures
US11318550B2 (en) 2019-11-14 2022-05-03 International Test Solutions, Llc System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090197404A1 (en) * 2007-12-18 2009-08-06 Byung Chun Yang High yield and high throughput method for the manufacture of integrated circuit devices of improved integrity, performance and reliability
US20120299175A1 (en) * 2005-02-23 2012-11-29 Bao Tran Systems and methods to cool semiconductor
US20140191618A1 (en) * 2011-06-07 2014-07-10 Youtec Co., Ltd. Poling treatment method, plasma poling device, piezoelectric body and manufacturing method thereof, film forming device and etching device, and lamp annealing device
US20160131702A1 (en) * 2014-11-10 2016-05-12 Teradyne, Inc. Assembling devices for probe card testing
US20170010306A1 (en) * 2015-07-07 2017-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and semiconductor device test apparatus including the same
CN110895170A (zh) * 2018-08-22 2020-03-20 苹果公司 测试对象保持件

Family Cites Families (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2971208A (en) 1958-06-06 1961-02-14 Harry E Moore Apparatus for scrubbing automobile floor mats
US3453677A (en) 1968-04-15 1969-07-08 Bertie Burger Cutler Dry mop
US3675265A (en) 1969-12-12 1972-07-11 Int Silver Co Brush construction
US3717897A (en) 1970-06-18 1973-02-27 H Amos Tacky floor pad
US3945079A (en) 1975-03-31 1976-03-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laminated photographic film cleaning fabric
US4104755A (en) 1976-08-02 1978-08-08 Smith Judson L Vehicle floor mat washer
US4277160A (en) 1978-09-13 1981-07-07 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electrostatic printer
US4334780A (en) 1979-06-29 1982-06-15 Grumman Aerospace Corporation Optical surface roughness detection method and apparatus
JPS5788742A (en) 1980-11-21 1982-06-02 Nec Corp Device and method for bonding
US4590422A (en) 1981-07-30 1986-05-20 Pacific Western Systems, Inc. Automatic wafer prober having a probe scrub routine
JPS58131743A (ja) 1982-01-29 1983-08-05 Shinkawa Ltd ワイヤボンダにおけるボ−ル形成方法及びその装置
JPS62184842A (ja) 1986-02-10 1987-08-13 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd フイルムの表面処理方法
JPS63204728A (ja) 1987-02-20 1988-08-24 Fukuoka Nippon Denki Kk 半導体装置のゴミ除去装置
US5011513A (en) 1989-05-31 1991-04-30 Norton Company Single step, radiation curable ophthalmic fining pad
JP2827060B2 (ja) 1991-05-20 1998-11-18 株式会社新川 ボンデイング装置
JPH04364746A (ja) 1991-06-12 1992-12-17 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
US5192455A (en) 1991-08-26 1993-03-09 Marcel Jr Raymond C Pollution pad reconditioning/recycling system
JPH05211195A (ja) 1991-11-29 1993-08-20 Nec Corp ワイヤーボンディング装置
US5444265A (en) 1993-02-23 1995-08-22 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for detecting defective semiconductor wafers during fabrication thereof
US5485949A (en) 1993-04-30 1996-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
JPH07183279A (ja) * 1993-12-24 1995-07-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2511806B2 (ja) 1994-03-03 1996-07-03 日本電子材料株式会社 プロ―ブ先端クリ―ニング部材
JP3188935B2 (ja) 1995-01-19 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2813147B2 (ja) 1995-02-14 1998-10-22 三菱電機株式会社 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JPH08310080A (ja) 1995-03-10 1996-11-26 Seiko Epson Corp クリーニングシートおよびこれを含む記録媒体セット
JP3417721B2 (ja) 1995-04-04 2003-06-16 三菱電機株式会社 走査プローブ顕微鏡の使用方法
WO1996033419A2 (en) 1995-04-19 1996-10-24 Philips Electronics N.V. Method of cleaning probe tips of probe cards and apparatus for implementing the method
US5699584A (en) 1995-07-24 1997-12-23 Xerox Corporation Web system
US5685043A (en) 1995-07-24 1997-11-11 Xerox Corporation Removal of particulates from cylindrical members
JP2808261B2 (ja) 1995-10-31 1998-10-08 株式会社コバックス 研磨シートおよびその製造方法
KR100392730B1 (ko) 1995-12-28 2003-10-30 주식회사 하이닉스반도체 캐필러리클리닝장치및방법
US5690749A (en) 1996-03-18 1997-11-25 Motorola, Inc. Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material
US5783018A (en) 1996-04-05 1998-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for cleaning labels and method therefor
TW377482B (en) 1997-04-08 1999-12-21 Tokyo Electron Ltd Cleaner with protuberances for inspection, inspection apparatus and inspection method for integrated circuits
US6306187B1 (en) 1997-04-22 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Abrasive material for the needle point of a probe card
JP3923589B2 (ja) 1997-04-22 2007-06-06 住友スリーエム株式会社 プローブカード針先研掃方法
US6118290A (en) 1997-06-07 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Prober and method for cleaning probes provided therein
DE69837690T2 (de) 1997-07-24 2007-12-27 Mitsubishi Denki K.K. Gerät zur Entfernung von an einer Prüfspitzenendfläche haftenden Fremdstoffen
JPH1187438A (ja) 1997-09-03 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法
US6573702B2 (en) 1997-09-12 2003-06-03 New Wave Research Method and apparatus for cleaning electronic test contacts
US5930857A (en) 1997-10-14 1999-08-03 Eastman Kodak Company Apparatus for cleaning a surface of a moving web
JPH11133116A (ja) 1997-11-04 1999-05-21 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用プローブ針の研磨部材およびクリーニング装置
JP3366239B2 (ja) 1997-11-07 2003-01-14 松下電器産業株式会社 プローブカードの洗浄装置
JP3429995B2 (ja) 1997-11-10 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JPH11230989A (ja) 1997-12-10 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用プローブ針のクリーニング方法およびクリーニング装置とそれに用いる洗浄液
US6121058A (en) 1998-01-02 2000-09-19 Intel Corporation Method for removing accumulated solder from probe card probing features
WO1999034965A1 (en) 1998-01-09 1999-07-15 Beamech Group Limited Process and apparatus for producing plastics and polymeric foam
US6019663A (en) 1998-02-20 2000-02-01 Micron Technology Inc System for cleaning semiconductor device probe
JPH11238768A (ja) 1998-02-20 1999-08-31 Japan Electronic Materials Corp プローブ先端クリーニングシート
US6246250B1 (en) 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
TW436635B (en) 1998-07-24 2001-05-28 Makoto Matsumura Polishing plate
JP2000232125A (ja) 1999-02-12 2000-08-22 Fujitsu Ten Ltd ワイヤボンデイング装置
WO2000067924A1 (en) 1999-05-11 2000-11-16 Muhr Sweeney Audrey Universal cleaning apparatus
JP4152040B2 (ja) 1999-05-21 2008-09-17 株式会社日本マイクロニクス 接触子先端のクリーニング部材
US7202683B2 (en) 1999-07-30 2007-04-10 International Test Solutions Cleaning system, device and method
US6777966B1 (en) 1999-07-30 2004-08-17 International Test Solutions, Inc. Cleaning system, device and method
US6224470B1 (en) 1999-09-29 2001-05-01 Applied Materials, Inc. Pad cleaning brush for chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same
US6193587B1 (en) 1999-10-01 2001-02-27 Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for cleansing a polishing pad
US6733876B1 (en) 1999-10-20 2004-05-11 3M Innovative Properties Company Flexible abrasive article
US6280298B1 (en) 1999-11-24 2001-08-28 Intel Corporation Test probe cleaning
US6523208B1 (en) 2000-03-24 2003-02-25 Xerox Corporation Flexible web cleaning system
US20020079349A1 (en) 2000-03-27 2002-06-27 Kessem Trade Company Ltd. Wire bonding capillary
JP3463043B2 (ja) 2001-01-24 2003-11-05 Ｎｅｃセミコンダクターズ九州株式会社 ワイヤボンディング装置のキャピラリを洗浄する洗浄方法及び洗浄装置
US6714295B2 (en) 2001-10-23 2004-03-30 Beyond 3, Inc. Optical inspection method and apparatus having an enhanced height sensitivity region and roughness filtering
KR100857642B1 (ko) 2001-04-09 2008-09-08 니혼 미크로 코팅 가부시끼 가이샤 접촉자 선단 및 측면 클리닝 용구
MY137666A (en) 2001-04-09 2009-02-27 Nitto Denko Corp Label sheet for cleaning and conveying member having cleaning function
JP2002326169A (ja) 2001-05-02 2002-11-12 Nihon Micro Coating Co Ltd 接触子クリーニングシート及び方法
JP4832664B2 (ja) 2001-05-21 2011-12-07 日本ミクロコーティング株式会社 接触子クリーニングシート及び方法
JP3888197B2 (ja) 2001-06-13 2007-02-28 三菱電機株式会社 プローブ先端付着異物の除去部材、プローブ先端付着異物のクリーニング方法およびプロービング装置
US6776171B2 (en) 2001-06-27 2004-08-17 International Business Machines Corporation Cleaning of semiconductor wafers by contaminate encapsulation
US6908364B2 (en) 2001-08-02 2005-06-21 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for probe tip cleaning and shaping pad
US6817052B2 (en) 2001-11-09 2004-11-16 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for cleaning test probes
JP3987720B2 (ja) 2001-12-19 2007-10-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
US6840374B2 (en) 2002-01-18 2005-01-11 Igor Y. Khandros Apparatus and method for cleaning test probes
US6813804B2 (en) 2002-06-06 2004-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning probe card contacts
US20050118414A1 (en) 2002-06-19 2005-06-02 Nitto Denko Corporation Cleaning sheets, transfer member having cleaning function, and method of cleaning substrate-processing apparatus with these
US7306849B2 (en) 2002-07-01 2007-12-11 Formfactor, Inc. Method and device to clean probes
JP2004174314A (ja) 2002-11-25 2004-06-24 Nitto Denko Corp クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法
KR100707567B1 (ko) 2002-11-25 2007-04-13 닛토덴코 가부시키가이샤 크리닝 시이트 및 기판 처리 장치의 크리닝 방법
JP2004305936A (ja) 2003-04-08 2004-11-04 Mitsubishi Electric Corp プローブピン洗浄装置
ITMI20030292U1 (it) 2003-06-23 2004-12-24 Paperlast Internat S R L Dispositivo per la introduzione di fogli con pulitura automatica in ma cchine plastificatrici
US6899602B2 (en) 2003-07-30 2005-05-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Nc Porous polyurethane polishing pads
US7411157B2 (en) 2003-09-26 2008-08-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Electronic flame-off electrode with ball-shaped tip
JP2005249409A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Oki Electric Ind Co Ltd プローブ針用クリーニングシート
JP2005326250A (ja) 2004-05-14 2005-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd プローブ用クリーニングシート及びクリーニング方法
JP2006013185A (ja) 2004-06-28 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体装置用クリーニング部材の再生方法
US7655316B2 (en) 2004-07-09 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of a substrate support
JP4064383B2 (ja) 2004-08-09 2008-03-19 シャープ株式会社 定着装置およびそれを備える画像形成装置
US20060065290A1 (en) 2004-09-28 2006-03-30 Jerry Broz Working surface cleaning system and method
US9833818B2 (en) 2004-09-28 2017-12-05 International Test Solutions, Inc. Working surface cleaning system and method
JP2006140367A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用加熱体およびこれを搭載した加熱装置
JP2006165395A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Jsr Corp プローブクリーニングフィルム及びプローブクリーニング部材
JP2006186133A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の検査装置および検査方法
US20060219754A1 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Horst Clauberg Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using same
US20060272678A1 (en) 2005-06-06 2006-12-07 Corrado Frank C Method and apparatus for a tape-rewinding substrate cleaner
KR100686793B1 (ko) 2005-06-23 2007-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 캐필러리로부터 파티클을 제거할 수 있는 와이어 본딩 머신 및 캐필러리 하단 팁의 클리닝 방법
CN1889240A (zh) 2005-06-28 2007-01-03 京元电子股份有限公司 自动清洁吸嘴的装置与方法
JP4063291B2 (ja) * 2005-08-05 2008-03-19 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
JP3933174B2 (ja) * 2005-08-24 2007-06-20 住友電気工業株式会社 ヒータユニットおよびそれを備えた装置
DE102005052308A1 (de) 2005-11-01 2007-05-03 Tesa Ag Vorrichtung zur Reinigung einer einseitig mit Klebmasse beaufschlagten Materialbahn
JP4530975B2 (ja) 2005-11-14 2010-08-25 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
US20070140754A1 (en) 2005-12-21 2007-06-21 Xerox Corporation. Reusable web cleaning system for a fuser
US20070153062A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Shie Jin S Monolithic fabrication method and structure of array nozzles on thermal inkjet print head
KR20070074426A (ko) 2006-01-09 2007-07-12 한미반도체 주식회사 반도체 제조공정용 클리닝장치
US7641739B2 (en) 2006-06-13 2010-01-05 The Boeing Company Friction stir welding tool cleaning method
JP4700570B2 (ja) 2006-07-14 2011-06-15 株式会社新川 ボンディング装置並びにボンディングツール先端部の洗浄方法及びプログラム
JP2008039706A (ja) 2006-08-09 2008-02-21 Nihon Micro Coating Co Ltd プローブクリーニングシート
JP5027468B2 (ja) 2006-09-15 2012-09-19 日本ミクロコーティング株式会社 プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法
JP4840118B2 (ja) 2006-12-13 2011-12-21 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
JP2008270270A (ja) 2007-04-16 2008-11-06 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US9093481B2 (en) 2007-04-23 2015-07-28 GlobalFoundries, Inc. Method for semiconductor wafer fabrication utilizing a cleaning substrate
US7530887B2 (en) 2007-08-16 2009-05-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with controlled wetting
JP4369507B2 (ja) 2007-12-07 2009-11-25 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
US8163605B2 (en) * 2008-02-15 2012-04-24 Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Production method for semiconductor device
TW200937019A (en) 2008-02-21 2009-09-01 Ipworks Technology Corp Probes of cantilever probe card
US20090227048A1 (en) 2008-03-04 2009-09-10 Powertech Technology Inc. Method for die bonding having pick-and-probing feature
US7881785B2 (en) * 2008-03-26 2011-02-01 Cardiac Science Corporation Method and apparatus for defrosting a defibrillation electrode
ATE539897T1 (de) 2008-06-19 2012-01-15 Zih Corp Tragbarer drucker
KR100889297B1 (ko) 2008-09-12 2009-03-18 주식회사 코스마 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 지그, 와이어 본딩용 캐필러리의 크리닝 장치, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 캐필러리 크리닝 방법
TWM364268U (en) 2008-12-01 2009-09-01 Jtron Technology Corp Adhesive cleaning device of test chip base
US8242431B2 (en) * 2008-12-12 2012-08-14 GE Lighting Solutions, LLC Automated de-icing system for low power lighting apparatus
JP2010186765A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハプローバ用ウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ
US20100258144A1 (en) 2009-04-14 2010-10-14 International Test Solutions Wafer manufacturing cleaning apparatus, process and method of use
DE102009017659A1 (de) * 2009-04-16 2010-10-28 Schott Ag Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat
US8371316B2 (en) 2009-12-03 2013-02-12 International Test Solutions, Inc. Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
US7866530B1 (en) 2010-06-28 2011-01-11 Valeri Riachentsev Clean tip soldering station
GB2483463B (en) 2010-09-08 2015-01-21 Itw Cs Uk Ltd Wide adhesive sheeted roll for contact cleaning
US8876983B2 (en) 2011-09-01 2014-11-04 Ford Global Technologies, Llc In-line cleaning method for ultrasonic welding tools
US8768230B2 (en) 2012-06-15 2014-07-01 Xerox Corporation Method an apparatus for reusing a cleaning web to clean a fuser unit
CN102786941B (zh) * 2012-08-06 2014-10-08 山西鑫立能源科技有限公司 一种热循环连续自动化煤热解炉
KR101473811B1 (ko) 2012-11-23 2014-12-17 일진엘이디(주) 와이어 본딩 장치용 세정 키트, 이를 포함하는 와이어 본딩 장치 및 이를 이용한 캐필러리 세정 방법
GB2515828A (en) * 2013-07-05 2015-01-07 Piers St John Spencer Cave Kettle
KR102099359B1 (ko) 2013-07-08 2020-04-09 엘에스산전 주식회사 전자접촉기 접점부 오염 제거 장치
US9318362B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonder and a method of cleaning a bond collet
US9190322B2 (en) * 2014-01-24 2015-11-17 Infineon Technologies Ag Method for producing a copper layer on a semiconductor body using a printing process
DE102014103262B3 (de) 2014-03-11 2015-06-11 Multitest Elektronische Systeme Gmbh Vorrichtung zum Prüfen von elektronischen Bauteilen
US11148164B2 (en) 2014-07-25 2021-10-19 Biodot, Inc. Piezoelectric dispenser with a longitudinal transducer and replaceable capillary tube
GB2532255B (en) 2014-11-13 2020-04-29 Itw Ltd Line cleaner
KR102618488B1 (ko) 2014-11-23 2023-12-27 엠 큐브드 테크놀로지스 웨이퍼 핀 척 제조 및 수리
US20180017748A1 (en) 2015-02-10 2018-01-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) A method and apparatus for interconnecting photonic circuits
TWI655150B (zh) 2015-12-01 2019-04-01 耐克創新有限合夥公司 在製造製程中的材料張緊系統以及張緊材料的方法
JP6067951B1 (ja) 2015-12-25 2017-01-25 株式会社カイジョー ワイヤボンディング装置
KR102653773B1 (ko) 2016-05-12 2024-04-01 세메스 주식회사 콜릿 세정 모듈 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치
US9831215B1 (en) * 2016-08-03 2017-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package and forming method thereof
JP6705765B2 (ja) 2017-03-23 2020-06-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
US9825000B1 (en) 2017-04-24 2017-11-21 International Test Solutions, Inc. Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method
US11155428B2 (en) 2018-02-23 2021-10-26 International Test Solutions, Llc Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls
US20200200800A1 (en) 2018-12-20 2020-06-25 International Test Solutions Apparatuses, device, and methods for cleaning tester interface contact elements and support hardware
US10792713B1 (en) 2019-07-02 2020-10-06 International Test Solutions, Inc. Pick and place machine cleaning system and method
US11756811B2 (en) 2019-07-02 2023-09-12 International Test Solutions, Llc Pick and place machine cleaning system and method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120299175A1 (en) * 2005-02-23 2012-11-29 Bao Tran Systems and methods to cool semiconductor
US20090197404A1 (en) * 2007-12-18 2009-08-06 Byung Chun Yang High yield and high throughput method for the manufacture of integrated circuit devices of improved integrity, performance and reliability
US20140191618A1 (en) * 2011-06-07 2014-07-10 Youtec Co., Ltd. Poling treatment method, plasma poling device, piezoelectric body and manufacturing method thereof, film forming device and etching device, and lamp annealing device
US20160131702A1 (en) * 2014-11-10 2016-05-12 Teradyne, Inc. Assembling devices for probe card testing
US20170010306A1 (en) * 2015-07-07 2017-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe card, thermal insulation cover assembly for probe card, and semiconductor device test apparatus including the same
CN110895170A (zh) * 2018-08-22 2020-03-20 苹果公司 测试对象保持件

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